JP7326107B2 - 受電装置及び光ファイバー給電システム - Google Patents

Description

本開示は、受電装置及び光ファイバー給電システムに関する。

近時、電力を光（給電光と呼ばれる）に変換して伝送し、当該給電光を電気エネルギーに変換して電力として利用する光給電システムが研究されている。特許文献１には、電気信号で変調された信号光、及び電力を供給するための給電光を発信する光発信機と、上記信号光を伝送するコア、上記コアの周囲に形成され上記コアより屈折率が小さく上記給電光を伝送する第１クラッド、及び上記第１クラッドの周囲に形成され上記第１クラッドより屈折率が小さい第２クラッド、を有する光ファイバーと、上記光ファイバーの第１クラッドで伝送された上記給電光を変換した電力で動作し、上記光ファイバーのコアで伝送された上記信号光を上記電気信号に変換する光受信機と、を備えた光通信装置が記載されている。

特開２０１０－１３５９８９号公報

従来の光給電システムにおいては、給電装置から受電装置へ送られる給電光の大きさは、予め給電側で設定されていた。したがって、受電側の消費電力の大きさが変化する場合に、この変化に給電光の大きさを対応させることが困難であった。この場合、受電装置で電力の余剰が生じる恐れがある。

本開示は、給電光により供給される電力が受電側の消費電力に追従できる受電装置、給電装置及び光ファイバー給電システムを提供することを目的とする。

本開示の受電装置は、
装置外から入力された給電光を電力に変換する光電変換素子と、
余剰電力を監視する電力監視部と、
前記給電光の一部を戻し光として装置外へ出力する光リターン部と、
前記電力監視部の監視結果に基づいて前記光リターン部を制御するリターン制御部と、
を備え、
前記光リターン部は、前記給電光を、前記光電変換素子側へ送られる光と前記戻し光とに可変な分割比で分割可能に構成され、
前記給電光のパワーが一定で前記余剰電力が大きい方に変化したとき、前記リターン制御部の制御によって、前記光リターン部から前記光電変換素子側へ送られる光のパワーが小さい方に変化する。

本開示の給電装置は、
電力を給電光に変換して装置外へ出力するレーザー発振部と、
装置外から返される戻し光を受ける受光素子と、
前記戻し光に基づき前記給電光のパワーを制御するパワー制御部と、
を備える。

本開示の光ファイバー給電システムは、
上記の受電装置と、上記の給電装置と、
前記給電光を伝送する光ファイバーと、
前記戻し光を伝送する光ファイバーと、
を備える。

本開示によれば、給電光により給電装置から受電装置へ供給される電力の余剰を抑制できるという効果が得られる。

本開示の第１実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。 本開示の第２実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。 本開示の第２実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図であって、光コネクタ等を図示したものある。 本開示の他の一実施形態に係る光ファイバー給電システムの構成図である。 給電光の一部を戻す手段が適用された第３実施形態に係る光ファイバー給電システムを示す構成図である。 第３実施形態の光ファイバー給電システムの動作の一例を示すタイムチャートである。

以下に本開示の一実施形態につき図面を参照して説明する。

（１）システム概要
〔第１実施形態〕
図１に示すように本実施形態の光ファイバー給電（ＰｏＦ：Power over Fiber）システム１Ａは、給電装置（ＰＳＥ：Power Sourcing Equipment）１１０と、光ファイバーケーブル２００Ａと、受電装置（ＰＤ：Powered Device）３１０を備える。
なお、本開示における給電装置は電力を光エネルギーに変換して供給する装置であり、受電装置は光エネルギーの供給を受け当該光エネルギーを電力に変換する装置である。
給電装置１１０は、給電用半導体レーザー１１１を含む。
光ファイバーケーブル２００Ａは、給電光の伝送路を形成する光ファイバー２５０Ａを含む。
受電装置３１０は、光電変換素子３１１を含む。

給電装置１１０は電源に接続され、給電用半導体レーザー１１１等が電気駆動される。
給電用半導体レーザー１１１は、上記電源からの電力によりレーザー発振して給電光１１２を出力する。

光ファイバーケーブル２００Ａは、一端２０１Ａが給電装置１１０に接続可能とされ、他端２０２Ａが受電装置３１０に接続可能とされ、給電光１１２を伝送する。
給電装置１１０からの給電光１１２が、光ファイバーケーブル２００Ａの一端２０１Ａに入力され、給電光１１２は光ファイバー２５０Ａ中を伝搬し、他端２０２Ａから受電装置３１０に出力される。

光電変換素子３１１は、光ファイバーケーブル２００Ａを通して伝送されてきた給電光１１２を電力に変換する。光電変換素子３１１により変換された電力が、受電装置３１０内で必要な駆動電力とされる。さらに受電装置３１０は光電変換素子３１１により変換された電力を外部機器用に出力可能とされる。

給電用半導体レーザー１１１及び光電変換素子３１１の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料が５００ｎｍ以下の短波長のレーザー波長をもった半導体とされる。
短波長のレーザー波長をもった半導体は、バンドギャップが大きく光電変換効率が高いので、光給電の発電側及び受電側における光電変換効率が向上され、光給電効率が向上する。
そのためには、同半導体材料として、例えば、ダイヤモンド、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、ＧａＮ等、レーザー波長（基本波）が２００～５００ｎｍのレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
また、同半導体材料として、２．４ｅＶ以上のバンドギャップを有した半導体が適用される。
例えば、ダイヤモンド、酸化ガリウム、窒化アルミニウム、ＧａＮ等、バンドギャップ２．４～６．２ｅＶのレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
なお、レーザー光は長波長ほど伝送効率が良く、短波長ほど光電変換効率が良い傾向にある。したがって、長距離伝送の場合には、レーザー波長（基本波）が５００ｎｍより大きいレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。また、光電変換効率を優先する場合には、レーザー波長（基本波）が２００ｎｍより小さいレーザー媒体の半導体材料を用いてもよい。
これらの半導体材料は、給電用半導体レーザー１１１及び光電変換素子３１１のいずれか一方に適用してもよい。給電側又は受電側における光電変換効率が向上され、光給電効率が向上する。

〔第２実施形態〕
図２に示すように本実施形態の光ファイバー給電（ＰｏＦ：Power over Fiber）システム１は、光ファイバーを介した給電システムと光通信システムとを含むものであり、給電装置（PSE：Power Sourcing Equipment）１１０を含む第１のデータ通信装置１００と、光ファイバーケーブル２００と、受電装置（ＰＤ：Powered Device）３１０を含む第２のデータ通信装置３００とを備える。
給電装置１１０は、給電用半導体レーザー１１１を含む。第１のデータ通信装置１００は、給電装置１１０のほか、データ通信を行う発信部１２０と、受信部１３０とを含む。第１のデータ通信装置１００は、データ端末装置（ＤＴＥ：Date Terminal Equipment）、中継器（Repeater）等に相当する。発信部１２０は、信号用半導体レーザー１２１と、モジュレーター１２２とを含む。受信部１３０は、信号用フォトダイオード１３１を含む。

光ファイバーケーブル２００は、信号光の伝送路を形成するコア２１０と、コア２１０の外周に配置され、給電光の伝送路を形成するクラッド２２０と有する光ファイバー２５０を含む。

受電装置３１０は、光電変換素子３１１を含む。第２のデータ通信装置３００は、受電装置３１０のほか、発信部３２０と、受信部３３０と、データ処理ユニット３４０とを含む。第２のデータ通信装置３００は、パワーエンドステーション（Power End Station）等に相当する。発信部３２０は、信号用半導体レーザー３２１と、モジュレーター３２２とを含む。受信部３３０は、信号用フォトダイオード３３１を含む。データ処理ユニット３４０は、受信した信号を処理するユニットである。また、第２のデータ通信装置３００は、通信ネットワークにおけるノードである。または第２のデータ通信装置３００は、他のノードと通信するノードでもよい。

第１のデータ通信装置１００は電源に接続され、給電用半導体レーザー１１１、信号用半導体レーザー１２１と、モジュレーター１２２、信号用フォトダイオード１３１等が電気駆動される。また、第１のデータ通信装置１００は、通信ネットワークにおけるノードである。または第１のデータ通信装置１００は、他のノードと通信するノードでもよい。
給電用半導体レーザー１１１は、上記電源からの電力によりレーザー発振して給電光１１２を出力する。

光電変換素子３１１は、光ファイバーケーブル２００を通して伝送されてきた給電光１１２を電力に変換する。光電変換素子３１１により変換された電力は、発信部３２０、受信部３３０及びデータ処理ユニット３４０の駆動電力、その他の第２のデータ通信装置３００内で必要となる駆動電力とされる。さらに第２のデータ通信装置３００は、光電変換素子３１１により変換された電力を外部機器用に出力可能とされていてもよい。

一方、発信部１２０のモジュレーター１２２は、信号用半導体レーザー１２１からのレーザー光１２３を送信データ１２４に基づき変調して信号光１２５として出力する。
受信部３３０の信号用フォトダイオード３３１は、光ファイバーケーブル２００を通して伝送されてきた信号光１２５を電気信号に復調し、データ処理ユニット３４０に出力する。データ処理ユニット３４０は、当該電気信号によるデータをノードに送信し、その一方で当該ノードからデータを受信し、送信データ３２４としてモジュレーター３２２に出力する。
発信部３２０のモジュレーター３２２は、信号用半導体レーザー３２１からのレーザー光３２３を送信データ３２４に基づき変調して信号光３２５として出力する。
受信部１３０の信号用フォトダイオード１３１は、光ファイバーケーブル２００を通して伝送されてきた信号光３２５を電気信号に復調し出力する。当該電気信号によるデータがノードに送信され、その一方で当該ノードからのデータが送信データ１２４とされる。

第１のデータ通信装置１００からの給電光１１２及び信号光１２５が、光ファイバーケーブル２００の一端２０１に入力され、給電光１１２はクラッド２２０を伝搬し、信号光１２５はコア２１０を伝搬し、他端２０２から第２のデータ通信装置３００に出力される。
第２のデータ通信装置３００からの信号光３２５が、光ファイバーケーブル２００の他端２０２に入力され、コア２１０を伝搬し、一端２０１から第１のデータ通信装置１００に出力される。

なお、図３に示すように第１のデータ通信装置１００に光入出力部１４０とこれに付設された光コネクタ１４１が設けられる。また、第２のデータ通信装置３００に光入出力部３５０とこれに付設された光コネクタ３５１が設けられる。光ファイバーケーブル２００の一端２０１に設けられた光コネクタ２３０が光コネクタ１４１に接続する。光ファイバーケーブル２００の他端２０２に設けられた光コネクタ２４０が光コネクタ３５１に接続する。光入出力部１４０は、給電光１１２をクラッド２２０に導光し、信号光１２５をコア２１０に導光し、信号光３２５を受信部１３０に導光する。光入出力部３５０は、給電光１１２を受電装置３１０に導光し、信号光１２５を受信部３３０に導光し、信号光３２５をコア２１０に導光する。
以上のように、光ファイバーケーブル２００は、一端２０１が第１のデータ通信装置１００に接続可能とされ、他端２０２が第２のデータ通信装置３００に接続可能とされ、給電光１１２を伝送する。さらに本実施形態では、光ファイバーケーブル２００は、信号光１２５，３２５を双方向伝送する。

給電用半導体レーザー１１１及び光電変換素子３１１の光‐電気間の変換効果を奏する半導体領域を構成する半導体材料としては上記第１実施形態と同様のものが適用され、高い光給電効率が実現される。

なお、図４に示す光ファイバー給電システム１Ｂの光ファイバーケーブル２００Ｂように、信号光を伝送する光ファイバー２６０と、給電光を伝送する光ファイバー２７０とを別々に設けてもよい。光ファイバーケーブル２００Ｂも複数本で構成してもよい。

（２）給電光の一部を戻す手段の適用
次に、給電光の一部を戻す手段が適用された光ファイバー給電システムについて説明する。

〔第３実施形態〕
図５は、給電光の一部を戻す手段が適用された第３実施形態に係る光ファイバー給電システムを示す構成図である。図５中、上述したものと同一の構成要素については同一符号を付して詳細な説明を省略する。

第３実施形態の光ファイバー給電システム１Ｃは、給電装置１１０Ｃと、受電装置３１０Ｃと、光ファイバー２５０Ａと、を備える。受電装置３１０Ｃには、給電光１１２により給電された電力を消費する負荷４０１が接続される。

受電装置３１０Ｃは、給電光１１２を電力に変換する光電変換素子３１１と、入力された給電光１１２の一部を戻し光３１３として装置外（光ファイバー２５０Ａ）に返す光リターン部３１２と、光リターン部３１２を制御して戻し光３１３の大きさを変化させるリターン制御部３１４と、余剰電力を監視する電力監視部３１５とを備える。

光リターン部３１２は、例えば受光の一部を透過させる一方、一部を反射する調光ミラーである。調光ミラーは、電気的に光学的な特性を変化させて反射量を変える構成であってもよいし、アクチュエータによりミラーのエッジをレーザースポット内で変化させて反射量を変える構成であってもよい。そのほか、光リターン部３１２としては、分割比が可変なビームスプリッタを用いて分割された一方のレーザーを光ファイバー２５０Ａに戻す構成など、様々な方式が採用されてもよい。

電力監視部３１５は、負荷４０１に対する余剰電力を監視する。負荷４０１は、受電装置３１０Ｃの外部に接続される構成に加え、受電装置３１０Ｃ内の電力消費する構成要素を含んでいてもよい。余剰電力とは、光電変換素子３１１から得られる電力から、負荷４０１の消費電力を差し引いた電力に相当する。電力監視部３１５は、例えば、負荷４０１に出力される電流及び電圧を検出し、余剰電力を計算する。例えば、負荷４０１の入力部には容量成分が含まれるため、供給電力が消費電力に比べて大きいと入力電圧が上昇する一方、供給電力が消費電力に比べて小さいと入力電圧が下降する。電力監視部３１５は、負荷４０１の入力電圧と、負荷４０１への供給電力とから、余剰電力を計算できる。さらに、電力監視部３１５は、光電変換素子３１１の温度を検出し、検出した温度をパラメータに加えて余剰電力を計算してもよい。余剰電力の大小で、光電変換素子３１１の熱損失が変化するので、光電変換素子３１１の温度変化を考慮することで、余剰電力の計算精度を向上できる。その他、電力監視部３１５は、給電光１１２から極僅かな一定比で分割された光の強度を検出し、検出された強度から給電光１１２のパワー及び供給電力を計算し、消費電力を減算して余剰電力を計算してもよい。その他、余剰電力の求め方は様々な方式を適用してもよい。

リターン制御部３１４は、電力監視部３１５の監視結果である余剰電力の大きさに基づいて戻し光３１３の強度が変化するように光リターン部３１２を制御する。リターン制御部３１４は、戻し光３１３の強度と余剰電力の大きさとが、比例など所定の関係になるように制御してもよい。あるいは、リターン制御部３１４は、給電光１１２に対する戻し光３１３の割合と余剰電力の大きさとが、比例など、所定の関係になるように制御してもよい。その他、リターン制御部３１４は、余剰電力が目標範囲にあるときと、目標範囲より小さいときと、目標範囲より大きいときとが、戻し光３１３により区別できるように、光リターン部３１２を制御する構成としてもよい。

給電装置１１０Ｃは、給電用半導体レーザー１１１と、順方向のレーザー光と逆方向のレーザー光とを分離する分離器１１３と、分離された戻し光３１３を検出する受光素子１１４と、戻し光３１３の検出値に基づいて給電用半導体レーザー１１１の出力パワーを制御するパワー制御部１１５と、を備える。

分離器１１３は、光アイソレーター等で使用されるファラデー素子を用いた構成を採用できる。分離器１１３は、戻し光３１３を分岐させて受光素子１１４へ送る。

受光素子１１４は、例えばフォトダイオードなどの半導体受光素子であり、戻し光３１３の強度に応じた信号をパワー制御部１１５へ出力する。

パワー制御部１１５は、戻し光３１３が所定値になるように、受電装置３１０Ｃに送られる給電光１１２のパワーを制御する。上記の戻し光３１３の所定値としては、受電装置３１０Ｃでの余剰電力が過大ではない正の目標値となる値を採用できる。戻し光３１３の所定値とは、戻し光３１３と余剰電力との関係に応じて決定されてよく、例えば、戻し光３１３の大きさが余剰電力の大きさを表わすのであれば、余剰電力の目標値を示す戻し光３１３の大きさに相当する。また、給電光１１２に対する戻し光３１３の割合が余剰電力の大きさを表わすのであれば、余剰電力の目標値を示す戻し光３１３の割合に相当する。

パワー制御部１１５は、給電用半導体レーザー１１１に入力される駆動電力を増減することで給電光１１２のパワーを制御する。あるいは、パワー制御部１１５は、給電光１１２を分割するビームスプリッタの分割比を増減することで受電装置３１０Ｃへ送られる給電光１１２のパワーを制御してもよい。１つの給電装置１１０Ｃから複数の受電装置３１０Ｃへ給電光１１２を分割して供給する場合、分割比を変更することで１つの受電装置３１０Ｃへ供給される給電光１１２の大きさを変えることができる。

図６は、第３実施形態の光ファイバー給電システムの動作の一例を示すタイムチャートである。図６は、受電装置３１０Ｃにおいて余剰電力の大小に応じて戻し光３１３の大きさが変えられ、給電装置１１０Ｃにおいて戻し光３１３の大きさが所定値に収束するようにパワー制御が行われる例を示す。

このような制御によれば、負荷４０１の消費電力が減少し、受電装置３１０Ｃのの余剰電力が僅かに大きくなると、受電装置３１０Ｃから給電装置１１０Ｃへ戻される戻し光３１３が大きくなる。給電装置１１０Ｃのパワー制御部１１５は、戻し光３１３の大きさの変化を受けて、戻し光３１３が元の大きさになるように給電光１１２のパワーを下げる。

一方、負荷４０１の消費電力が増加し、受電装置３１０Ｃの余剰電力が僅かに小さくなると、受電装置３１０Ｃから給電装置１１０Ｃへ戻される戻し光３１３の大きさが小さくなる。パワー制御部１１５は、戻し光３１３の大きさの変化を受けて、戻し光３１３が元の大きさになるように給電光１１２のパワーを上げる。

このような、戻し光３１３の戻し制御と、給電光１１２のパワー制御とにより、図６のタイムチャートに示すように、負荷４０１の消費電力が大きく変化しても、戻し光３１３の強度が一定に維持されるように給電光１１２のパワーが変化する。そして、給電光１１２のパワーの変化により、余剰電力ΔＷ１～ΔＷ３が略一定に維持される。

以上のように、第３実施形態に係る光ファイバー給電システム１Ｃによれば、給電装置１１０Ｃから受電装置３１０Ｃへ光ファイバー２５０Ａを介して給電光１１２が供給される。加えて、受電装置３１０Ｃから給電装置１１０Ｃへ余剰電力の大小を表わす戻し光３１３が光ファイバー２５０Ａを介して返される。したがって、給電光１１２が流用されて、受電装置３１０Ｃから給電装置１１０Ｃへ余剰電力に関する情報を伝達することができる。さらに、給電光１１２と戻し光３１３とが１つの光ファイバー２５０Ａの共通の伝送路を伝送する構成により、給電光１１２の伝送路が流用されて、受電装置３１０Ｃから給電装置１１０Ｃへ余剰電力に関する情報を伝達することができる。そして、給電装置１１０Ｃが、余剰電力の情報に基づき、給電光１１２の強度を制御することで、受電側の消費電力に追従した給電を行うことができる。

さらに、第３実施形態に係る光ファイバー給電システム１Ｃによれば、光リターン部３１２が調光ミラーから構成されるので、コンパクトにかつ低損失に戻し光３１３を返すことができ、電力を給電光１１２により伝送するシステムに適している。

さらに、第３実施形態に係る光ファイバー給電システム１Ｃによれば、リターン制御部３１４が、余剰電力の大きさに応じて戻し光３１３の大きさを変化させる。したがって、リターン制御部３１４の制御処理が単純化され、例えば、ソフトウェア処理に頼らない制御も容易に実現することができる。この場合、よって、給電開始時など、受電側で物理層よりも上位層が動いていないときでも、戻し光３１３の制御が可能となる。

さらに、第３実施形態に係る光ファイバー給電システム１Ｃによれば、給電装置１１０Ｃのパワー制御部１１５は、戻し光３１３が、過大ではない正の余剰電力を表わす所定値に収束するように給電光１１２のパワーを制御する。したがって、受電装置３１０Ｃにおいては、電力が不足することを抑制でき、かつ、余剰分の中から戻し光３１３を生成することができる。

なお、第３実施形態では、給電光１１２と戻し光３１３とが共通の伝送路を介して伝送される例を示したが、異なる光ファイバー、又は、共通の光ファイバーの異なる伝送路（コアと第１クラッドなど）を介して伝送されてもよい。また、第３実施形態では、戻し光３１３が大きさで余剰電力の大きさを表わす構成を示したが、戻し光３１３の変調により余剰電力の大きさを表わす構成が適用されてもよい。

第３実施形態で示した戻し光３１３に基づく給電光１１２のパワー制御は、図２、図４のシステム構成に適用されてもよい。具体的には、図２、図４の給電装置１１０を第３実施形態の給電装置１１０Ｃに置き換え、図２、図４の受電装置３１０を第３実施形態の受電装置３１０Ｃに置き換える。加えて、給電光１１２及び戻し光３１３の伝送路として、図２の光ファイバー２５０のクラッド２２０、又は、図４の光ファイバー２７０を採用すればよい。

以上本開示の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として示したものであり、この他の様々な形態で実施が可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成要素の省略、置き換え、変更を行うことができる。例えば、受電装置から電力が供給される負荷は、通信機又は無線機に限られず、どのような機器であってもよい。電力の大きさを検出する検出部の構成は、実施形態で示した具体例に限られず、様々な回路構成が採用されてもよい。

１Ａ 光ファイバー給電システム
１ 光ファイバー給電システム
１Ｂ 光ファイバー給電システム
１Ｃ 光ファイバー給電システム
１００ 第１のデータ通信装置
１１０ 給電装置
１１０Ｃ 給電装置
１１１ 給電用半導体レーザー（レーザー発振部）
１１２ 給電光
１１３ 分離器
１１４ 受光素子
１１５ パワー制御部
１２０ 発信部
１２５ 信号光
１３０ 受信部
１４０ 光入出力部
１４１ 光コネクタ
２００Ａ 光ファイバーケーブル
２００ 光ファイバーケーブル
２００Ｂ 光ファイバーケーブル
２１０ コア
２２０ クラッド
２５０Ａ 光ファイバー
２５０ 光ファイバー
２６０ 光ファイバー
２７０ 光ファイバー
３００ 第２のデータ通信装置
３１０ 受電装置
３１０Ｃ 受電装置
３１１ 光電変換素子
３１２ 光リターン部
３１３ 戻し光
３１４ リターン制御部
３１５ 電力監視部
３２０ 発信部
３２５ 信号光
３３０ 受信部
３５０ 光入出力部
３５１ 光コネクタ
４０１ 負荷
ΔＷ１～ΔＷ３ 余剰電力

Claims (5)

1. 装置外から入力された給電光を電力に変換する光電変換素子と、
   余剰電力を監視する電力監視部と、
   前記給電光の一部を戻し光として装置外へ出力する光リターン部と、
   前記電力監視部の監視結果に基づいて前記光リターン部を制御するリターン制御部と、
   を備え、
   前記光リターン部は、前記給電光を、前記光電変換素子側へ送られる光と前記戻し光とに可変な分割比で分割可能に構成され、
   前記給電光のパワーが一定で前記余剰電力が大きい方に変化したとき、前記リターン制御部の制御によって、前記光リターン部から前記光電変換素子側へ送られる光のパワーが小さい方に変化する受電装置。
2. 前記光リターン部は、前記給電光の一部を反射させる調光ミラーである、
   請求項１記載の受電装置。
3. 前記リターン制御部は、前記余剰電力の大きさに応じて前記戻し光の大きさを変化させる、
   請求項１又は請求項２に記載の受電装置。
4. 請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の受電装置と、
   電力を給電光に変換して装置外へ出力するレーザー発振部、装置外から返される戻し光を受ける受光素子、並びに、前記戻し光に基づき前記給電光のパワーを制御するパワー制御部を備える給電装置と、
   前記給電光を伝送する光ファイバーと、
   前記戻し光を伝送する光ファイバーと、
   を備える光ファイバー給電システム。
5. 前記給電光と前記戻し光とが１つの光ファイバーの同一の伝送路を介して伝送される、
   請求項４記載の光ファイバー給電システム。
   

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