JP7319412B2 - GLASS SUBSTRATE MANUFACTURING DEVICE AND GLASS SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD - Google Patents

GLASS SUBSTRATE MANUFACTURING DEVICE AND GLASS SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD Download PDF

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Description

本発明は、周状の壁部を有し、熔融ガラスを処理する管部材を備えるガラス基板製造装置、およびガラス基板の製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass substrate manufacturing apparatus having a circumferential wall portion and a tubular member for processing molten glass, and a glass substrate manufacturing method.

液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等のディスプレイに用いられるガラス基板は、ガラス原料を熔解してつくった熔融ガラスに、移送、清澄、均質化等の処理を行った後、板状に成形する工程を経て製造される。 Glass substrates used in displays such as liquid crystal displays and organic EL displays are manufactured by melting glass raw materials and then transferring, clarifying, and homogenizing the molten glass, and then forming it into a plate. manufactured.

熔融ガラスを処理するために、管部材が用いられている。管部材は、軸方向に延びる周状の壁部を有しており、壁部の内側に熔融ガラスを流しながら処理する。このような管部材として、例えば、熔融ガラスの清澄を行う清澄管がある。清澄管は、熔融ガラスを高温にして清澄を行うために、白金族金属を含む耐熱性の高い金属材料から構成されている。清澄管の周りには、清澄管の周状の壁部を囲むように、耐火レンガが配置されており、清澄管を支持する。清澄管と耐火レンガとの間の隙間には、操業中の清澄管の変形を抑え、管の壁面からの白金族金属成分の揮発を抑えるために、アルミナセメント等のキャスタブル耐火物により形成された保護層が設けられている(特許文献1)。 Tubing is used to process molten glass. The tubular member has a circumferential wall portion extending in the axial direction, and the molten glass is treated while flowing inside the wall portion. As such a tube member, for example, there is a clarification tube for fining molten glass. The fining tube is made of a highly heat-resistant metallic material containing a platinum group metal in order to heat the molten glass to a high temperature for fining. Refractory bricks are arranged around the fining tube so as to surround the circumferential wall of the fining tube to support the fining tube. A castable refractory such as alumina cement is placed in the gap between the fining pipe and the refractory bricks to suppress deformation of the fining pipe during operation and to suppress volatilization of platinum group metal components from the wall surface of the pipe. A protective layer is provided (Patent Document 1).

特開2014-84253号公報JP 2014-84253 A

清澄管をしっかりと支持し、清澄管の変形を抑制する観点からは、清澄管と支持体の間の隙間を小さくし、保護層の厚さを薄くすることが好ましい。しかし、隙間が小さいと、施工時に、清澄管と耐火レンガとの間にキャスタブル耐火物を充填し難く、保護層に気泡等の空隙が残りやすいという問題がある。保護層に含まれる空隙が多いと、操業中に、清澄管の変形や白金族金属成分の揮発を抑制する効果が十分に得られない。また、保護層中の空隙の量は、充填作業の要領や、作業者の技量によってばらつきが生じやすい。清澄管と耐火レンガとの隙間が小さいと、そのようなばらつきは顕著に発生する。このように、清澄管を支持することと、空隙の少ない保護層を形成することの両立は困難であった。 From the viewpoint of firmly supporting the fining tube and suppressing deformation of the fining tube, it is preferable to reduce the gap between the fining tube and the support and to reduce the thickness of the protective layer. However, if the gap is small, it is difficult to fill the space between the fining tube and the refractory brick with the castable refractory during construction, and there is a problem that gaps such as air bubbles tend to remain in the protective layer. If the protective layer contains many voids, the effect of suppressing deformation of the clarifier and volatilization of platinum group metal components during operation cannot be sufficiently obtained. In addition, the amount of voids in the protective layer tends to vary depending on the procedure of the filling operation and the skill of the operator. When the gap between the fining tube and the refractory brick is small, such variations occur remarkably. Thus, it has been difficult to achieve both support of the clarification tube and formation of a protective layer with few voids.

そこで、本発明は、耐火物支持体によって管部材を支持しつつ、管部材と支持体との間に空隙の少ない保護層を形成することが可能なガラス基板製造装置、およびガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a glass substrate manufacturing apparatus and a glass substrate manufacturing method capable of forming a protective layer with few gaps between the tubular member and the support while supporting the tubular member with a refractory support. intended to provide

本発明の一態様は、ガラス基板製造装置である。
ガラス基板製造装置は、
白金族金属を含む材料からなる管部材であって、周状の壁部を有し、前記壁部の内側において熔融ガラスを処理する管部材と、
前記壁部を囲むよう配置され、前記壁部を支持する耐火物支持体と、
前記壁部と前記耐火物支持体との間の隙間に、前記壁部及び前記耐火物支持体に接するように形成された耐火性保護層と、を備え、
前記壁部は、周上の一部の領域に位置する第1の壁部領域と、前記第1の壁部領域より下方に位置する第2の壁部領域と、を有し、
前記第2の壁部領域と前記支持体との間の第2の隙間S2の大きさは、前記第1の壁部領域と前記支持体との間の第1の隙間S1の大きさの1.1倍以上である、ことを特徴とする。
One aspect of the present invention is a glass substrate manufacturing apparatus.
Glass substrate manufacturing equipment
a tubular member made of a material containing a platinum group metal, the tubular member having a circumferential wall for processing molten glass inside the wall;
a refractory support positioned to surround and support the wall;
a refractory protective layer formed in a gap between the wall and the refractory support so as to be in contact with the wall and the refractory support;
The wall portion has a first wall region located in a partial region on the circumference and a second wall region located below the first wall region,
The size of the second gap S2 between the second wall region and the support is 1 of the size of the first gap S1 between the first wall region and the support. .1 times or more .

前記第2の隙間S2の大きさは、前記第1の隙間S1の大きさの10倍以下である、ことが好ましい。 The size of the second gap S2 is preferably 10 times or less the size of the first gap S1.

前記壁部の外周面は、前記管部材の軸方向と直交する断面において円形状であり、
前記外周面と対向する前記支持体の内周面のうち、前記壁部領域と対向する前記支持体の内周領域はそれぞれ、前記断面において円弧形状であり、
前記第2の壁部領域と対向する前記支持体の第2の内周領域は、前記断面において、前記第1の壁部領域と対向する前記支持体の第1の内周領域より大きな曲率半径を有している、ことが好ましい。
the outer peripheral surface of the wall portion has a circular shape in a cross section perpendicular to the axial direction of the tubular member;
Of the inner peripheral surface of the support that faces the outer peripheral surface, the inner peripheral region of the support that faces the wall region has an arc shape in the cross section,
A second inner peripheral region of the support facing the second wall region has a larger radius of curvature in the cross section than a first inner peripheral region of the support facing the first wall region. It is preferable to have

前記第1の壁部領域及び前記第2の壁部領域は、前記管部材の軸方向と直交する断面において、前記管部材の中心軸を境とした上側及び下側の領域である、ことが好ましい。 The first wall region and the second wall region are regions above and below the central axis of the pipe member in a cross section perpendicular to the axial direction of the pipe member. preferable.

本発明の別の一態様は、ガラス基板の製造方法である。
ガラス基板の製造方法は、
白金族金属を含む材料からなり、周状の壁部を有する管部材に熔融ガラスを流しながら処理する処理工程と、
前記処理工程の前に行う準備工程と、を備え、
前記準備工程は、
前記壁部を囲むよう耐火物支持体を配置する配置工程と、前記壁部と前記耐火物支持体との間の隙間に、前記壁部及び前記耐火物支持体に接するように不定形耐火物を充填する充填工程と、を含む施工工程と、
前記施工工程の後、前記管部材を昇温する昇温工程と、を含み、
前記壁部は、周上の一部の領域に位置する第1の壁部領域と、前記第1の壁部領域より下方に位置する第2の壁部領域と、を有し、
前記第2の壁部領域と前記支持体との間の第2の隙間S2の大きさは、前記第1の壁部領域と前記支持体との間の第1の隙間S1の大きさの1.1倍以上である、ことを特徴とする。
Another aspect of the present invention is a method for manufacturing a glass substrate.
The manufacturing method of the glass substrate is
A treatment step in which molten glass is treated while flowing through a tubular member made of a material containing a platinum group metal and having a circumferential wall;
and a preparation step performed before the treatment step,
The preparation step includes
an arrangement step of arranging a refractory support so as to surround the wall; and a monolithic refractory in a gap between the wall and the refractory support so as to be in contact with the wall and the refractory support. a filling step of filling the
After the construction step, a temperature raising step of raising the temperature of the pipe member,
The wall portion has a first wall region located in a partial region on the circumference and a second wall region located below the first wall region,
The size of the second gap S2 between the second wall region and the support is 1 of the size of the first gap S1 between the first wall region and the support. .1 times or more .

上述の態様のガラス基板製造装置及びガラス基板の製造方法によれば、耐火物支持体によって管部材を支持する一方で、管部材と支持体との間に空隙の少ない保護層を形成することが可能である。 According to the glass substrate manufacturing apparatus and the glass substrate manufacturing method of the above aspect, while supporting the tubular member by the refractory support, it is possible to form a protective layer with few gaps between the tubular member and the support. It is possible.

ガラス基板製造装置の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of a glass substrate manufacturing apparatus. ガラス基板の製造方法の概略構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the manufacturing method of a glass substrate. 清澄管、耐火物保護層、及び耐火物支持体の層構造の一例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the layered structure of a clarifier tube, a refractory protective layer, and a refractory support. (a)及び(b)は施工工程を説明する図である。(a) and (b) are figures explaining a construction process.

以下、本実施形態のガラス基板の製造方法およびガラス基板製造装置について説明する。 Hereinafter, the method for manufacturing a glass substrate and the apparatus for manufacturing a glass substrate according to this embodiment will be described.

(ガラス基板の製造方法の全体概要)
図1は、本実施形態のガラス基板の製造方法のうち操業中の工程の一例を示す図である。ガラス基板の製造方法は、準備工程、熔解工程(ST1)、清澄工程(ST2)、均質化工程(ST3)、成形工程(ST4)、徐冷工程(ST5)、および、切断工程(ST6)を主に有する。この他に、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等を有していてもよい。製造されたガラス基板は、必要に応じて梱包工程で積層され、納入先の業者に搬送される。
(Overview of the method for manufacturing a glass substrate)
FIG. 1 is a diagram showing an example of steps during operation in the method for manufacturing a glass substrate according to the present embodiment. The method for manufacturing a glass substrate includes a preparation step, a melting step (ST1), a clarification step (ST2), a homogenization step (ST3), a forming step (ST4), a slow cooling step (ST5), and a cutting step (ST6). Mainly have In addition, it may have a grinding process, a polishing process, a cleaning process, an inspection process, a packing process, and the like. The manufactured glass substrates are laminated in a packing process as necessary, and transported to a delivery destination.

準備工程は、ガラス基板製造装置の運転(操業)前に行う工程である。操業中、熔解工程(ST1)~切断工程(ST6)の一連の工程が行われる。準備工程については後述する。
熔解工程(ST1)では、ガラス原料を加熱することにより熔融ガラスを作る。この熔融ガラスは、通常、CO、SO、O、あるいはNなどを含んだ泡を包含する。
清澄工程(ST2)では、熔融ガラスを昇温することにより、熔融ガラス中に含まれる清澄剤(酸化スズ等)の還元反応により酸素等のガスが生成される。熔融ガラス中の泡は、生成したガスを吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上して放出される。その後、清澄工程では、熔融ガラスの温度を降温することにより、清澄剤の還元反応により生成した還元物質の酸化反応を促進させる。これにより、熔融ガラスに残存する泡中の酸素等のガスが熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。
A preparation process is a process performed before operation (operation) of a glass substrate manufacturing apparatus. During operation, a series of steps from the melting step (ST1) to the cutting step (ST6) are performed. The preparation process will be described later.
In the melting step (ST1), molten glass is made by heating glass raw materials. This molten glass usually contains bubbles containing CO 2 , SO 2 , O 2 or N 2 or the like.
In the clarification step (ST2), the temperature of the molten glass is raised to generate a gas such as oxygen through a reduction reaction of a clarifier (such as tin oxide) contained in the molten glass. The bubbles in the glass melt grow by absorbing the generated gas, rise to the liquid surface of the glass melt and are released. Thereafter, in the clarification step, the temperature of the molten glass is lowered to accelerate the oxidation reaction of the reducing substances produced by the reduction reaction of the clarifier. As a result, gases such as oxygen in the bubbles remaining in the glass melt are reabsorbed into the glass melt, and the bubbles disappear.

均質化工程(ST3)では、スターラを用いて熔融ガラスを撹拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。これにより、脈理等の原因であるガラスの組成ムラを低減することができる。均質化工程は、後述する撹拌槽において行われる。均質化された熔融ガラスは成形装置に供給される。 In the homogenization step (ST3), the glass components are homogenized by stirring the molten glass using a stirrer. As a result, uneven composition of the glass, which causes striae and the like, can be reduced. A homogenization process is performed in the stirring tank mentioned later. The homogenized glass melt is fed to a forming device.

成形工程(ST4)及び徐冷工程(ST5)は、成形装置で行われる。
成形工程(ST4)では、熔融ガラスを所定の厚さの帯状ガラスであるシートガラスに成形し、シートガラスの流れを作る。成形には、フロート法やフュージョン法(オーバーフローダウンドロー法)等が用いられる。
徐冷工程(ST5)では、成形されて流れるシートガラスが所望の厚さになり、内部歪が生じないように、さらに、反りが生じないように冷却される。
切断工程(ST6)では、徐冷後のシートガラスを所定の長さに切断することで、板状のガラス基板を得る。シートガラスを、所定の長さの素板に切断することを採板ともいう。採板により得られたガラス基板はさらに、所定のサイズに切断され、目標サイズのガラス基板が作られる。
The forming step (ST4) and the slow cooling step (ST5) are performed in a forming apparatus.
In the forming step (ST4), the molten glass is formed into a sheet glass, which is a strip of glass having a predetermined thickness, to create a sheet glass flow. For molding, a float method, a fusion method (overflow down-draw method), or the like is used.
In the slow cooling step (ST5), the formed and flowing sheet glass has a desired thickness and is cooled so as not to cause internal strain and warp.
In the cutting step (ST6), a sheet glass substrate is obtained by cutting the slowly cooled sheet glass into a predetermined length. Cutting sheet glass into blanks of a predetermined length is also called cutting. The glass substrate obtained by plate cutting is further cut into a predetermined size to produce a glass substrate of a target size.

(ガラス基板製造装置の全体概要)
図2は、熔解工程(ST1)~切断工程(ST6)を行うガラス基板製造装置の概略図である。ガラス基板製造装置は、図2に示すように、主に熔解装置100と、成形装置200と、切断装置300と、を有する。熔解装置100は、熔解槽101と、清澄管102と、撹拌槽103と、移送管104,105と、ガラス供給管106と、を有する。
図2に示す熔解槽101には、図示されないバーナー等の加熱手段が設けられている。熔解槽101には清澄剤が添加されたガラス原料が投入され、熔解工程(ST1)が行われる。熔解槽101で熔融した熔融ガラスは、移送管104を介して清澄管102に供給される。
清澄管102では、熔融ガラスMGを流しながら、熔融ガラスMGの温度を調整して、清澄剤の酸化還元反応を利用して熔融ガラスの清澄工程(ST2)が行われる。清澄管102には、熔融ガラスの液面の上方に気相空間が形成されるよう、熔融ガラスMGが供給される。具体的には、清澄管102内の熔融ガラスが昇温されることにより、熔融ガラス中に含まれるCO、SO、O、あるいはNなどを含んだ泡が、清澄剤の還元反応により生じた酸素等のガスを吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上して気相空間に放出される。その後、熔融ガラスの温度を低下させることにより、清澄剤の還元反応により生成した還元物質が酸化反応を行う。これにより、熔融ガラスに残存する泡中の酸素等のガスが熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄後の熔融ガラスは、移送管105を介して撹拌槽103に供給される。
撹拌槽103では、スターラ103aによって熔融ガラスが撹拌されて均質化工程(ST3)が行われる。撹拌槽103で均質化された熔融ガラスは、ガラス供給管106を介して成形装置200に供給される。
成形装置200では、例えばオーバーフローダウンドロー法により、熔融ガラスからシートガラスSGが成形され(成形工程ST4)、徐冷される(徐冷工程ST5)。
切断装置300では、シートガラスSGから切り出された板状のガラス基板が形成される(切断工程ST6)。
(Overview of glass substrate manufacturing equipment)
FIG. 2 is a schematic diagram of a glass substrate manufacturing apparatus that performs the melting step (ST1) to the cutting step (ST6). The glass substrate manufacturing apparatus mainly includes a melting device 100, a forming device 200, and a cutting device 300, as shown in FIG. The melting apparatus 100 has a melting vessel 101 , a clarification tube 102 , a stirring vessel 103 , transfer tubes 104 and 105 and a glass supply tube 106 .
The melting tank 101 shown in FIG. 2 is provided with heating means such as a burner (not shown). A glass raw material to which a fining agent is added is put into the melting tank 101, and the melting step (ST1) is performed. The molten glass melted in the melting tank 101 is supplied to the clarification tube 102 through the transfer tube 104 .
In the clarification tube 102, the temperature of the glass melt MG is adjusted while flowing the glass melt MG, and the glass melt clarification step (ST2) is performed using the oxidation-reduction reaction of the clarifier. The glass melt MG is supplied to the clarification tube 102 so that a gas phase space is formed above the liquid surface of the glass melt MG. Specifically, when the temperature of the glass melt in the clarification tube 102 is raised, bubbles containing CO 2 , SO 2 , O 2 , or N 2 contained in the glass melt are reduced by the refining agent. It grows by absorbing gases such as oxygen generated by the process, floats on the liquid surface of the molten glass, and is released into the gas phase space. After that, by lowering the temperature of the molten glass, the reducing substances produced by the reductive reaction of the refining agent undergo an oxidation reaction. As a result, gases such as oxygen in the bubbles remaining in the glass melt are reabsorbed into the glass melt, and the bubbles disappear. The molten glass after refining is supplied to the stirring tank 103 through the transfer pipe 105 .
In the stirring tank 103, the molten glass is stirred by the stirrer 103a to perform the homogenization step (ST3). The molten glass homogenized in the stirring tank 103 is supplied to the forming apparatus 200 through the glass supply pipe 106 .
In the forming apparatus 200, the sheet glass SG is formed from molten glass by, for example, an overflow down-draw method (forming step ST4) and slowly cooled (slow cooling step ST5).
In the cutting device 300, a plate-like glass substrate cut out from the sheet glass SG is formed (cutting step ST6).

本実施形態において、ガラス基板製造装置の上記構成要素のうち、清澄管102、移送管104,105、ガラス供給管106は、管部材に相当する。以下の説明では、代表して清澄管102を例に管部材を説明する。 In the present embodiment, the clarification tube 102, the transfer tubes 104 and 105, and the glass supply tube 106 among the above components of the glass substrate manufacturing apparatus correspond to tube members. In the following description, the clarification tube 102 will be used as a representative example of the tube member.

(清澄管、耐火物保護層、及び耐火物支持体)
図3は、清澄管102、耐火物保護層、及び耐火物支持体の層構造を示す、清澄管102の軸方向と直交する方向の断面図である。
ガラス基板製造装置は、清澄管102に加え、耐火物保護層113と、耐火物支持体114とを、を有している。清澄管102、耐火物保護層113、耐火物支持体114は、図3に示すように、順次内周側から外周側に配置された積層構造を有する。
(Clarifying tube, refractory protective layer, and refractory support)
FIG. 3 is a cross-sectional view perpendicular to the axial direction of the finer tube 102, showing the layer structure of the finer tube 102, the refractory protective layer, and the refractory support.
In addition to the clarification tube 102 , the glass substrate manufacturing apparatus has a refractory protective layer 113 and a refractory support 114 . As shown in FIG. 3, the clarification tube 102, the refractory protective layer 113, and the refractory support 114 have a laminated structure arranged sequentially from the inner peripheral side to the outer peripheral side.

清澄管102は、白金族金属を含む材料で構成された管状の部材である。白金族金属とは、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)の6元素を指す。白金族金属を含む材料の例として、白金族金属のうちの単一の金属または2種以上の金属の合金からなる材料が挙げられ、例えば、白金または白金合金が用いられる。 The clarification tube 102 is a tubular member made of a material containing a platinum group metal. Platinum group metals refer to six elements: platinum (Pt), palladium (Pd), rhodium (Rh), ruthenium (Ru), osmium (Os), and iridium (Ir). Examples of materials containing platinum group metals include materials composed of a single platinum group metal or an alloy of two or more metals, such as platinum or a platinum alloy.

清澄管102は、清澄管102の軸方向に延びる周状(筒状)の周状壁部112を有している。熔融ガラスは、周状壁部112の内側において清澄される。図3に示す例の清澄管102は、軸方向と直交する断面(以降、単に断面ともいう)において円形状の外周を有している。清澄管102の外周の断面形状は、円形状に制限されず、楕円形等の扁平な形状等であってもよい。清澄管102の軸方向は、清澄管102の長手方向と一致している。 The clarification tube 102 has a circumferential (cylindrical) peripheral wall portion 112 extending in the axial direction of the clarification tube 102 . The molten glass is refined inside the circumferential wall 112 . The clarification tube 102 of the example shown in FIG. 3 has a circular outer circumference in a cross section orthogonal to the axial direction (hereinafter also simply referred to as a cross section). The cross-sectional shape of the outer periphery of the clarification tube 102 is not limited to a circular shape, and may be a flat shape such as an ellipse. The axial direction of the clarification tube 102 coincides with the longitudinal direction of the clarification tube 102 .

清澄管102には、周状壁部112から外周側に延びるよう接続された一対のフランジ(不図示)と、通気管(図1参照)とが設けられている。フランジは、図示されない電源装置と接続されており、フランジの間に電圧が印加されることで、フランジの間の周状壁部112の部分に電流を流し、清澄管102を加熱する。この通電加熱により、清澄管102は例えば、1650℃~1700℃程度に加熱され、熔融ガラスMGは、脱泡に適した温度、例えば、1600℃~1700℃程度に加熱される。通気管は、気相空間と清澄管102の外部空間とを連通する管である。通気管は、熔融ガラスMGから気相空間に放出された酸素、CO2、SO2等の気体を外部空間に排出する機能を有している。 The clarification tube 102 is provided with a pair of flanges (not shown) connected to extend outward from the circumferential wall portion 112 and a vent tube (see FIG. 1). The flanges are connected to a power supply (not shown), and voltage is applied between the flanges to cause current to flow through the portion of the circumferential wall 112 between the flanges, heating the fining tube 102 . By this electrical heating, the clarification tube 102 is heated to, for example, about 1650.degree. C. to 1700.degree. The vent pipe is a pipe that communicates between the gas phase space and the space outside the clarification pipe 102 . The vent pipe has a function of discharging gases such as oxygen, CO 2 and SO 2 released from the molten glass MG into the gas phase space to the external space.

耐火物支持体114は、清澄管102の周状壁部112の外周面との間に隙間をあけて、周状壁部112を周りから囲むよう配置され、周状壁部112を支持する構造体である。耐火物支持体114は、周状壁部112を支持するほか、清澄管102を保温し、さらには外部から加わる可能性がある物理的な力から清澄管102を保護する役割を担う。耐火物支持体110は、耐火レンガから構成される。耐火レンガには、例えば、アルミナ、AZS(Alumina-Zirconia-Silica)、又はジルコニアを含む材料からなる電鋳レンガが用いられる。耐火物支持体114は、周状壁部112の外周面と対向する内周面を有している。 The refractory support 114 is arranged to surround the peripheral wall portion 112 with a gap between it and the outer peripheral surface of the peripheral wall portion 112 of the clarification tube 102, and supports the peripheral wall portion 112. is the body. The refractory support 114 supports the circumferential wall 112, insulates the finer tube 102, and protects the finer tube 102 from physical forces that may be applied from the outside. Refractory support 110 is constructed from refractory bricks. The refractory bricks are, for example, electroformed bricks made of a material containing alumina, AZS (Alumina-Zirconia-Silica), or zirconia. The refractory support 114 has an inner peripheral surface facing the outer peripheral surface of the peripheral wall portion 112 .

周状壁部112の外周面と対向する耐火レンガの表面は、図3に示すように、断面において、清澄管102の円形状と同心円の円弧に沿った円弧形状を有している。円弧形状は、清澄管102の外周をなす円と同心円の円弧を持つ形状であることが好ましい。本明細書では、慣用に従って、耐火レンガにより構成された支持体を「耐火レンガ」と簡略化して記載するが、耐火レンガは、多くの場合、複数の耐火レンガ(耐火物により構成されたレンガ個体)を所定形状に積み重ねて構成され、多くの場合はその間に耐火モルタル等の耐火充填材を塗布し固定された、複数のレンガから構成された支持体である。図3に示す例の耐火レンガでは、積み重ねた複数のレンガのうち、周状壁部112の壁面と対向する部分に位置するレンガが、上記円弧形状を有するように形成されている。 As shown in FIG. 3 , the surface of the refractory brick facing the outer peripheral surface of the circumferential wall portion 112 has an arc shape in cross section along the arc concentric with the circular shape of the clarification tube 102 . The arc shape is preferably a shape having an arc that is concentric with the circle forming the outer circumference of the clarification tube 102 . In this specification, a support made of refractory bricks is simply referred to as a "refractory brick" in accordance with common practice, but in many cases, a refractory brick is a plurality of refractory bricks (brick solids made of refractory material). ) are stacked in a predetermined shape, and in many cases, a support composed of a plurality of bricks which are fixed by applying a refractory filler such as refractory mortar between them. In the refractory bricks of the example shown in FIG. 3, among the plurality of stacked bricks, the bricks located in the portion facing the wall surface of the circumferential wall portion 112 are formed to have the arc shape.

耐火物保護層113は、周状壁部112と耐火物支持体114との間の隙間に、周状壁部112及び耐火物支持体114に接するように形成された層である。耐火物保護層113は、周状壁部112と耐火物支持体114との間において、周状壁部112を確実に支持し、清澄管102の変形を抑制する役割を担う。また、耐火物保護層113は、周状壁部112を構成する白金族金属がPtO等の金属酸化物となって揮発し、周状壁部112が薄肉化することを抑制する役割を担う。 The refractory protective layer 113 is a layer formed in a gap between the circumferential wall portion 112 and the refractory support 114 so as to be in contact with the circumferential wall portion 112 and the refractory support 114 . The refractory protective layer 113 plays a role of reliably supporting the circumferential wall portion 112 between the circumferential wall portion 112 and the refractory support 114 and suppressing deformation of the clarification tube 102 . In addition, the refractory protective layer 113 plays a role of suppressing the thinning of the peripheral wall portion 112 due to volatilization of the platinum group metal forming the peripheral wall portion 112 as a metal oxide such as PtO2 . .

一実施形態によれば、1300~1700℃の温度範囲における耐火物保護層113の熱膨脹係数の平均値は、1300~1700℃の温度範囲における周状壁部112の熱膨脹係数の平均値の好ましくは0.1~10倍の範囲内にあり、より好ましくは0.5~5倍の範囲内にある。耐火物保護層113と周状壁部112の熱膨張係数が上記関係を満たすことにより、清澄管102の昇温に伴う周状壁部112の熱膨張量と耐火物保護層113の収縮量との差に起因して耐火物保護層113に亀裂が発生することを抑え、耐火物保護層113内の空隙を低減する効果が確保される。 According to one embodiment, the average thermal expansion coefficient of the refractory protective layer 113 in the temperature range of 1300-1700° C. is preferably It is in the range of 0.1 to 10 times, more preferably in the range of 0.5 to 5 times. When the thermal expansion coefficients of the refractory protective layer 113 and the circumferential wall portion 112 satisfy the above relationship, the thermal expansion amount of the circumferential wall portion 112 and the shrinkage amount of the refractory protective layer 113 accompanying the temperature rise of the clarification tube 102 The effect of suppressing the occurrence of cracks in the refractory protective layer 113 due to the difference in the refractory protective layer 113 and reducing the voids in the refractory protective layer 113 is ensured.

耐火物保護層113には、不定形耐火物が用いられる。不定形耐火物の種類は特に制約は設けないが、その使用条件から、最高使用温度1600℃以上、圧縮強度200kgf/cm以上で、緻密で、ガス透過性が小さいものが望ましい。例えば、アルミナセメントを配合したキャスタブル耐火物が適している。 A monolithic refractory is used for the refractory protective layer 113 . There are no particular restrictions on the type of monolithic refractory, but from the conditions of use, it is desirable to have a maximum use temperature of 1600° C. or higher, a compressive strength of 200 kgf/cm 2 or higher, a dense structure, and low gas permeability. For example, a castable refractory compounded with alumina cement is suitable.

本実施形態では、周状壁部112は、周状壁部112の周上の一部の領域に位置する第1の壁部領域112aと、第1の壁部領域112aより下方に位置する第2の壁部領域112bと、を有している。そして、第2の壁部領域112bと耐火物支持体114との間の第2の隙間S2は、第1の壁部領域112aと耐火物支持体114との間の第1の隙間S1より広い。本発明者の検討によれば、周状壁部に面する領域のうち下方に位置する領域では、上方に位置する領域と比べ、耐火物保護層113内の空隙が多くなりやすいことがわかった。そして、隙間S2を隙間S1より大きくすることにより、上記下方に位置する領域における耐火物保護層113内の空隙を低減できることが確認された。本実施形態では、隙間S1に形成された薄い耐火物保護層113を介して耐火物支持体114により清澄管102を確実に支持できるとともに、隙間S2に形成された厚い、空隙の少ない耐火物保護層113によって、操業中の清澄管102の変形や白金族金属の成分の揮発を抑制する効果が向上している。 In the present embodiment, the peripheral wall portion 112 includes a first wall region 112a located in a partial region on the circumference of the peripheral wall portion 112 and a second wall region 112a located below the first wall region 112a. and two wall regions 112b. And the second gap S2 between the second wall region 112b and the refractory support 114 is wider than the first gap S1 between the first wall region 112a and the refractory support 114. . According to the study of the present inventor, it was found that the lower area of the area facing the circumferential wall tends to have more voids in the refractory protective layer 113 than the upper area. . It was also confirmed that by making the gap S2 larger than the gap S1, the gap in the refractory protective layer 113 in the region located below can be reduced. In this embodiment, the fining tube 102 can be reliably supported by the refractory support 114 through the thin refractory protective layer 113 formed in the gap S1, and the thick, less-void refractory protection layer formed in the gap S2 Layer 113 improves the effect of suppressing deformation of finer tube 102 during operation and volatilization of platinum group metal components.

なお、操業のために管部材を昇温すると、管部材は熱膨張して外径が大きくなる一方で、耐火物保護層113となる不定形耐火物は収縮して厚みが薄くなる。本明細書において、隙間S1,S2の大きさの関係は、少なくとも、操業のために管部材を昇温する前の時点、例えば管部材が25℃である時点における関係を意味するが、隙間S1,S2の間の上述した大小関係は昇温によって変化しない。 When the temperature of the pipe member is raised for operation, the pipe member thermally expands and the outer diameter increases, while the monolithic refractory material that becomes the refractory protective layer 113 shrinks and becomes thinner. In this specification, the relationship between the sizes of the gaps S1 and S2 means the relationship at least before the temperature of the pipe member is raised for operation, for example, when the pipe member is at 25°C. , S2 does not change as the temperature rises.

第2の隙間S2の大きさは、第1の隙間S1の大きさの10倍以下であることが好ましい。第2の隙間S2の大きさが第1の隙間S1の大きさの10倍を超えると、第2の隙間S2における耐火物保護層113の厚みが第1の隙間S1における耐火物保護層113の厚みに対して大きすぎ、清澄管102の昇温に伴って収縮したときに両者の間で亀裂が発生し、周状壁部112を保護し、白金族金属の成分の揮発を抑制する効果が損なわれる場合がある。また、昇温に伴う、清澄管102の拡径するような膨張を抑制することができず、清澄管102が変形し、清澄管102の強度が低下する、あるいは清澄管102が破損する場合がある。一方、第2の隙間S2の大きさは、第1の隙間S1の大きさの1.1倍以上であることが好ましい。第2の隙間S2の大きさが第1の隙間S1の大きさの1.1倍未満であると、耐火物保護層113内の空隙を少なくする効果が低減する。好ましくは、第2の隙間S2の大きさは、第1の隙間S1の大きさの1.5~5倍であり、より好ましくは1.8~2.4倍である。 The size of the second gap S2 is preferably 10 times or less the size of the first gap S1. When the size of the second gap S2 exceeds ten times the size of the first gap S1, the thickness of the refractory protective layer 113 in the second gap S2 becomes less than the thickness of the refractory protective layer 113 in the first gap S1. It is too large for the thickness, and when the fining tube 102 shrinks as the temperature rises, cracks occur between the two, protecting the peripheral wall 112 and suppressing the volatilization of the platinum group metal component. may be damaged. In addition, the clarification tube 102 cannot be suppressed from expanding in diameter due to temperature rise, and the clarification tube 102 may be deformed, resulting in a decrease in the strength of the clarification tube 102 or breakage of the clarification tube 102. be. On the other hand, the size of the second gap S2 is preferably 1.1 times or more the size of the first gap S1. If the size of the second gap S2 is less than 1.1 times the size of the first gap S1, the effect of reducing the gap in the refractory protective layer 113 is reduced. Preferably, the size of the second gap S2 is 1.5 to 5 times the size of the first gap S1, more preferably 1.8 to 2.4 times.

清澄管102の管径(周状壁部112の断面における直径)が、例えば200~400mmである場合、第1の隙間S1は、例えば、3~10mmであり、第2の隙間S2は、例えば、6~20mmである。このような寸法例を満たす場合に、耐火物保護層113内の空隙を低減できる上記効果が大きくなることが確認されている。 When the tube diameter of the clarification tube 102 (diameter in cross section of the circumferential wall portion 112) is, for example, 200 to 400 mm, the first gap S1 is, for example, 3 to 10 mm, and the second gap S2 is, for example, , 6 to 20 mm. It has been confirmed that the above effect of reducing the voids in the refractory protective layer 113 is enhanced when such a dimension example is satisfied.

第2の壁部領域112bと対向する耐火物支持体114の第2の内周領域114bは、断面において、図3に示す例のように、第1の壁部領域112aと対向する耐火物支持体114の第1の内周領域114aの曲率半径R1より大きな曲率半径R2を有していることが好ましい。曲率半径R1,R2に関して上記関係を満たすことにより、隙間S1,S2の上述した関係を得やすくなる。好ましくは、R2は、R1の101~130%の大きさである。 A second inner peripheral region 114b of the refractory support 114 facing the second wall region 112b is, in cross-section, a refractory support facing the first wall region 112a, as in the example shown in FIG. Preferably, the body 114 has a radius of curvature R2 greater than the radius of curvature R1 of the first inner peripheral region 114a. By satisfying the above relationship with respect to the curvature radii R1 and R2, it becomes easier to obtain the above relationship of the gaps S1 and S2. Preferably, R2 is 101-130% as large as R1.

図3に示す例のように、第1の壁部領域112a及び第2の壁部領域112bは、断面において、清澄管102の中心軸を境とした上側及び下側の領域であることが好ましい。清澄管102の中心軸は、周状壁部112の外周円の中心を通る線である。壁部領域112a,112bをこのように画定することで、耐火物支持体114として、施工が容易な形態のものを採用できる。図3に示す例において、耐火物支持体114は、清澄管102の中心軸を境とした上側に配置される上部支持体114Aと、下側に配置される下部支持体114Bと、を備える。上部支持体114A及び下部支持体114Bはそれぞれ、積み重ねた複数のレンガからなり、周状壁部112と対向する表面が円弧形状となるよう作製されている。 As in the example shown in FIG. 3, the first wall region 112a and the second wall region 112b are preferably regions above and below the central axis of the clarification tube 102 in cross section. . The central axis of the clarification tube 102 is a line passing through the center of the outer circumference of the circumferential wall portion 112 . By defining the wall regions 112a and 112b in this way, the refractory support 114 can adopt a form that is easy to install. In the example shown in FIG. 3, the refractory supports 114 comprise an upper support 114A located above the central axis of the finer tube 102 and a lower support 114B located below. Each of the upper support 114A and the lower support 114B consists of a plurality of stacked bricks and is made so that the surface facing the peripheral wall 112 has an arcuate shape.

(準備工程)
次に、ガラス基板の製造方法の準備工程を説明する。
準備工程は、施工工程と、昇温工程と、を有する。
(Preparation process)
Next, the preparation process of the manufacturing method of a glass substrate is demonstrated.
The preparation process has a construction process and a temperature raising process.

図4は、施工工程を説明する図である。図4(a)は、隙間S2への不定形耐火物の充填を説明する図であり、図4(b)は、隙間S1に充填される不定形耐火物を示す図である。 FIG. 4 is a diagram for explaining the construction process. FIG. 4(a) is a diagram for explaining the filling of the monolithic refractory into the gap S2, and FIG. 4(b) is a diagram showing the monolithic refractory to be filled into the gap S1.

施工工程は、配置工程と、充填工程と、を含む。
配置工程では、周状壁部112を囲むよう耐火物支持体114となる耐火レンガを配置する。
充填工程では、周状壁部112と耐火レンガとの間の隙間に、周状壁部112及び耐火物支持体114に接するように不定形耐火物を充填する。
配置工程と充填工程は、並行して行われる。
The construction process includes an arrangement process and a filling process.
In the arranging step, refractory bricks to be the refractory support 114 are arranged so as to surround the circumferential wall portion 112 .
In the filling step, the monolithic refractory is filled in the gap between the circumferential wall portion 112 and the refractory bricks so as to be in contact with the circumferential wall portion 112 and the refractory support 114 .
The placement process and the filling process are performed in parallel.

配置工程では、具体的に、図4(a)に示すように、下部支持体114Bの内周領域114bに対し隙間S2をあけて周状壁部112が位置するよう清澄管102が配置される。隙間S2は、清澄管102を保持することにより確保することができる。清澄管102の保持は、例えば、周状壁部112の軸方向の複数個所に取り付けた治具を用いて行うことができる。また、このような方法に制限されず、清澄管102の保持には、セメントなど、その他の手段を用いてもよい。 In the arrangement step, specifically, as shown in FIG. 4A, the clarification tube 102 is arranged so that the circumferential wall portion 112 is positioned with a gap S2 with respect to the inner peripheral region 114b of the lower support 114B. . The gap S2 can be secured by holding the clarification tube 102 . The clarification tube 102 can be held, for example, by using jigs attached to a plurality of locations in the axial direction of the circumferential wall portion 112 . Also, other means such as cement may be used to hold the clarification tube 102 without being limited to such a method.

次に、充填工程では、図4(a)に示すように、周状壁部112と内周壁部114bとの間の隙間S2を埋めるように、不定形耐火物113´が充填される。不定形耐火物113´は、例えば、スコップ等を用いて所定量ずつ隙間S2に流し込まれ、流し込まれた不定形耐火物113´内、あるいは、不定形耐火物113´の間に存在する気泡を取り除くために、針金等の部材を用いて隙間S2内で掻き混ぜることが好ましい。不定形耐火物113´には、隙間S2に、空隙の少ない耐火物保護層113を形成しやすくなる点で、25℃における粘度が300dPa・s以下、好ましくは250dPa・s以下、より好ましくは30~250dPa・s、さらに好ましくは50~250dPa・s、さらにより好ましくは50~200dPa・sのものが用いられる。 Next, in the filling step, as shown in FIG. 4A, the monolithic refractory 113' is filled so as to fill the gap S2 between the peripheral wall portion 112 and the inner peripheral wall portion 114b. The monolithic refractory 113' is, for example, poured into the gap S2 by a predetermined amount using a scoop or the like, and the air bubbles existing in the monolithic refractory 113' or between the monolithic refractories 113' are removed. In order to remove it, it is preferable to use a member such as a wire to stir in the gap S2. The monolithic refractory 113′ has a viscosity at 25° C. of 300 dPa·s or less, preferably 250 dPa·s or less, more preferably 30 A viscosity of up to 250 dPa·s, more preferably 50 to 250 dPa·s, and even more preferably 50 to 200 dPa·s is used.

不定形耐火物113´は、耐火性酸化物の粉末及び水を含む。耐火性酸化物の例として、アルミナセメントが挙げられる。不定形耐火物113´の耐火性酸化物の粉末cと水wの質量比w/c(%)は、好ましくは30%以下、より好ましくは10~30%、さらに好ましくは16~24%、特に好ましくは18~22%である。 The monolithic refractory 113' contains refractory oxide powder and water. Examples of refractory oxides include alumina cement. The mass ratio w/c (%) of the refractory oxide powder c and the water w of the monolithic refractory 113' is preferably 30% or less, more preferably 10 to 30%, still more preferably 16 to 24%, Especially preferred is 18 to 22%.

次いで、充填工程では、図4(b)に示すように、周状壁部112の第1の壁部領域112aの表面を被覆するように、不定形耐火物113´を塗布し、さらに、配置工程において、上部支持体114Aの内周壁面114aが第1の壁部領域112aから隙間S1をあけて配置されるように、上部支持体114Aを配置する。隙間S1は、例えば、周状壁部112の軸方向の複数個所に取り付けた治具により確保することができる。治具は、不定形耐火物113´の硬化後、昇温工程の前に、清澄管102から取り外される。なお、隙間S1の確保は、治具を用いた上記方法に制限されず、より粘性の高い不定形耐火物を用いて保持するなど、その他の手段を用いて行ってもよい。 Next, in the filling step, as shown in FIG. 4(b), a monolithic refractory 113' is applied so as to cover the surface of the first wall region 112a of the peripheral wall 112, and then placed. In the process, the upper support 114A is arranged such that the inner peripheral wall surface 114a of the upper support 114A is arranged with a gap S1 from the first wall region 112a. The gap S1 can be secured, for example, by jigs attached to a plurality of locations in the axial direction of the circumferential wall portion 112 . The jig is removed from the clarification tube 102 after curing the monolithic refractory 113' and before the temperature rising step. The securing of the gap S1 is not limited to the above method using a jig, and may be performed using other means such as holding using a monolithic refractory with higher viscosity.

昇温工程では、施工工程の後、周状壁部112に電流を流して加熱し、清澄管102を、脱泡のための上記温度範囲まで昇温する。 In the temperature raising step, after the construction step, an electric current is passed through the circumferential wall portion 112 to heat it, and the temperature of the clarification tube 102 is raised to the above temperature range for defoaming.

本実施形態のガラス基板の製造方法によれば、隙間S2は隙間S1より広いため、施工工程において、不定形耐火物113´を隙間S2内に流し込みやすく、その結果、空隙の少ない耐火物保護層3を得やすい。そのため、清澄管102を昇温した後、操業中、上述したように、耐火物支持体114によって清澄管102を確実に支持できる。一方で、清澄管102と耐火物支持体114との間に空隙の少ない耐火物保護層113を形成することができる。 According to the method for manufacturing a glass substrate of the present embodiment, since the gap S2 is wider than the gap S1, the monolithic refractory 113' can be easily poured into the gap S2 in the construction process, and as a result, the refractory protective layer with few gaps can be obtained. Easy to get 3. Therefore, after heating the fining tube 102, the fining tube 102 can be reliably supported by the refractory support 114 during operation, as described above. On the other hand, a refractory protective layer 113 with few voids can be formed between the fining tube 102 and the refractory support 114 .

以上、本発明のガラス基板製造装置及びガラス基板の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。 Although the glass substrate manufacturing apparatus and the glass substrate manufacturing method of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various improvements and modifications can be made without departing from the gist of the present invention. Of course you can.

100 熔解装置
101 熔解槽
102 清澄管
102a 壁部
103 撹拌槽
103a スターラ
104、105 移送管
106 ガラス供給管
112 壁部
112a 第1の壁部領域
112b 第2の壁部領域
113 耐火物保護層
113´ 不定形耐火物
114 耐火物支持体
114a 第1の内周壁面
114b 第2の内周壁面
114A 上部支持体
114B 下部支持体
200 成形装置
300 切断装置
MG 熔融ガラス
SG シートガラス
100 melting device 101 melting tank 102 clarification tube 102a wall 103 stirring tank 103a stirrer 104, 105 transfer tube 106 glass supply tube 112 wall 112a first wall region 112b second wall region 113 refractory protective layer 113' Monolithic refractory 114 Refractory support 114a First inner peripheral wall surface 114b Second inner peripheral wall surface 114A Upper support 114B Lower support 200 Forming device 300 Cutting device MG Molten glass SG Sheet glass

Claims (5)

白金族金属を含む材料からなる管部材であって、周状の壁部を有し、前記壁部の内側において熔融ガラスを処理する管部材と、
前記壁部を囲むよう配置され、前記壁部を支持する耐火物支持体と、
前記壁部と前記耐火物支持体との間の隙間に、前記壁部及び前記耐火物支持体に接するように形成された耐火性保護層と、を備え、
前記壁部は、周上の一部の領域に位置する第1の壁部領域と、前記第1の壁部領域より下方に位置する第2の壁部領域と、を有し、
前記第2の壁部領域と前記支持体との間の第2の隙間S2の大きさは、前記第1の壁部領域と前記支持体との間の第1の隙間S1の大きさの1.1倍以上である、ことを特徴とするガラス基板製造装置。
a tubular member made of a material containing a platinum group metal, the tubular member having a circumferential wall for processing molten glass inside the wall;
a refractory support positioned to surround and support the wall;
a refractory protective layer formed in a gap between the wall and the refractory support so as to be in contact with the wall and the refractory support;
The wall portion has a first wall region located in a partial region on the circumference and a second wall region located below the first wall region,
The size of the second gap S2 between the second wall region and the support is 1 of the size of the first gap S1 between the first wall region and the support. .1 times or more , the glass substrate manufacturing apparatus characterized by the above-mentioned.
前記第2の隙間S2の大きさは、前記第1の隙間S1の大きさの10倍以下である、請求項1に記載のガラス基板製造装置。 2. The glass substrate manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the size of said second gap S2 is 10 times or less the size of said first gap S1. 前記壁部の外周面は、前記管部材の軸方向と直交する断面において円形状であり、
前記外周面と対向する前記支持体の内周面のうち、前記壁部領域と対向する前記支持体の内周領域はそれぞれ、前記断面において円弧形状であり、
前記第2の壁部領域と対向する前記支持体の第2の内周領域は、前記断面において、前記第1の壁部領域と対向する前記支持体の第1の内周領域より大きな曲率半径を有している、請求項1または2に記載のガラス基板製造装置。
the outer peripheral surface of the wall portion has a circular shape in a cross section perpendicular to the axial direction of the tubular member;
Of the inner peripheral surface of the support that faces the outer peripheral surface, the inner peripheral region of the support that faces the wall region has an arc shape in the cross section,
A second inner peripheral region of the support facing the second wall region has a larger radius of curvature in the cross section than a first inner peripheral region of the support facing the first wall region. The glass substrate manufacturing apparatus according to claim 1 or 2, comprising:
前記第1の壁部領域及び前記第2の壁部領域は、前記管部材の軸方向と直交する断面において、前記管部材の中心軸を境とした上側及び下側の領域である、請求項1から3のいずれか1項に記載のガラス基板製造装置。 The first wall region and the second wall region are regions above and below the central axis of the pipe member in a cross section perpendicular to the axial direction of the pipe member. 4. The glass substrate manufacturing apparatus according to any one of 1 to 3. ガラス基板の製造方法であって、
白金族金属を含む材料からなり、周状の壁部を有する管部材に熔融ガラスを流しながら処理する処理工程と、
前記処理工程の前に行う準備工程と、を備え、
前記準備工程は、
前記壁部を囲むよう耐火物支持体を配置する配置工程と、前記壁部と前記耐火物支持体との間の隙間に、前記壁部及び前記耐火物支持体に接するように不定形耐火物を充填する充填工程と、を含む施工工程と、
前記施工工程の後、前記管部材を昇温する昇温工程と、を含み、
前記壁部は、周上の一部の領域に位置する第1の壁部領域と、前記第1の壁部領域より下方に位置する第2の壁部領域と、を有し、
前記第2の壁部領域と前記支持体との間の第2の隙間S2の大きさは、前記第1の壁部領域と前記支持体との間の第1の隙間S1の大きさの1.1倍以上である、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
A method for manufacturing a glass substrate,
A treatment step in which molten glass is treated while flowing through a tubular member made of a material containing a platinum group metal and having a circumferential wall;
and a preparation step performed before the treatment step,
The preparation step includes
an arrangement step of arranging a refractory support so as to surround the wall; and a monolithic refractory in a gap between the wall and the refractory support so as to be in contact with the wall and the refractory support. a filling step of filling the
After the construction step, a temperature raising step of raising the temperature of the pipe member,
The wall portion has a first wall region located in a partial region on the circumference and a second wall region located below the first wall region,
The size of the second gap S2 between the second wall region and the support is 1 of the size of the first gap S1 between the first wall region and the support. .A method for producing a glass substrate, characterized in that the ratio is 1 or more .
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