JP7316979B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、ダイパッドの高さ位置を調整可能な半導体製造装置およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関するものである。

半導体装置では、ダイパッドの高さ位置がばらつくと封止樹脂にばらつきが生じ、絶縁特性および放熱性が低下するという問題がある。従来、絶縁特性および放熱性を担保するために、金型内に設けた可動ピンを可動させることでダイパッドの高さ位置の調整を行っている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１５－２２５８７４号公報

近年は生産性を向上させるために、１つのリードフレーム内に製造される製品数が増加しており、リードフレームの形状がさらに微細化している。そのため、リードフレーム内に存在する全てのダイパッドの高さ位置を調整するための可動ピンを金型に設けることは困難である。

したがって、ダイボンド前のリードフレームの搬送時にレーザー変位センサによりダイパッドの高さ位置を検出し、ダイパッドの高さ位置が規格値の範囲外と判定されたリードフレームを不良品として除去していた。

そこで、本開示は、リードフレームの形状が微細化した場合でも、ダイパッドの高さ位置を調整することで、リードフレームの不良品の発生を抑制可能な技術を提供することを目的とする。

本開示に係る半導体製造装置は、半導体素子が搭載されるダイパッドを有するリードフレームが上面を滑走可能な搬送レールと、前記リードフレームを保持し、前記搬送レールに沿って前記リードフレームを搬送する搬送爪と、前記搬送レールの下方または側方に設けられ、前記ダイパッドの高さ位置を検出する検出部と、前記搬送レールの上下方向にそれぞれ設けられ、前記ダイパッドの上面と、前記搬送レールに形成された、前記ダイパッドの下面を露出可能な開口を介して前記ダイパッドの下面にそれぞれ上下方向から押し当て可能な一対の可動ピンとを備え、前記検出部の検出結果に基づいて、一対の前記可動ピンは、前記ダイパッドに上下方向から押し当てることで前記ダイパッドの高さ位置を調整するものである。

本開示によれば、リードフレームの形状が微細化した場合でも、リードフレームの搬送時にダイパッドの高さ位置を調整することで、リードフレームの不良品の発生を抑制することができる。

実施の形態１に係る半導体製造装置の断面図である。 実施の形態１に係る半導体製造装置の正面図である。 搬送レールの平面図である。 リードフレームにおけるダイパッドの周辺の側面図である。 一対の可動ピンがダイパッドに押し当てられる直前の状態を示す側面図である。 一対の可動ピンがダイパッドに押し当てられた後の状態を示す側面図である。 実施の形態１におけるダイパッドの高さ位置調整動作のフローチャートである。 実施の形態２に係る半導体製造装置の断面図である。 実施の形態２に係る半導体製造装置の正面図である。 搬送レールの側方にカメラが配置された状態を示す平面図である。 実施の形態３に係る半導体製造装置の断面図である。 実施の形態３に係る半導体製造装置の正面図である。 搬送レールの平面図である。 一対の可動ピンおよび一対のクランプピンがダイパッドに押し当てられる直前の状態を示す側面図である。 一対の可動ピンおよび一対のクランプピンがダイパッドに押し当てられた後の状態を示す側面図である。 実施の形態３におけるダイパッドの高さ位置調整動作のフローチャートである。

＜実施の形態１＞
実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体製造装置１００の断面図であり、搬送レール３の幅方向一端側において長手方向に沿って切断した断面図である。図２は、半導体製造装置１００の正面図である。図３は、搬送レール３の平面図である。

図１と図２に示すように、半導体製造装置１００は、トランスファーモールド装置の一部を構成する装置であり、搬送レール３、搬送爪４、検出部としてのレーザー変位センサ５、一対の可動ピン６、一対のモーター９、および一対のボールねじ１０を備えている。

搬送レール３は正面視にて凹状に形成されている。搬送レール３は、互いに間隔をあけて対向するように配置された一対のレール部３ａ、および一対のレール部３ａの下端部同士を接続する底面部３ｂを備えている。

リードフレーム１は、一対のレール部３ａの上面に沿って載置され、一対のレール部３ａの上面を滑走可能である。具体的には、リードフレーム１の幅方向両端部は一対のレール部３ａの上面に載置され、リードフレーム１の幅方向中央部は底面部３ｂに対向している。リードフレーム１は、幅方向両端部が一対のレール部３ａの上面に接触した状態で滑走する。また、リードフレーム１の幅方向中央部には、複数の半導体素子がそれぞれ搭載される複数のダイパッド２がリードフレーム１の長手方向に沿って形成されている。

リードフレーム１は、例えば長手方向の長さが約２３２ｍｍ、幅方向の長さが約７５ｍｍ、厚さが約０．４ｍｍであり、内部回路を構成可能なように主成分が銅からなる板状に形成されている。また、リードフレーム１は多列型であり、複数のダイパッド２はリードフレーム１の長手方向に沿って間隔をあけて設けられ、約１．３８ｍｍの段差を設けて長手方向に延びる形状を有している。

また、図１と図３に示すように、底面部３ｂの途中部には、リードフレーム１の下面の一部、具体的には、ダイパッド２の下面を露出可能な開口７が形成されている。開口７は、リードフレーム１の幅方向に並ぶ２つのダイパッド２の下面を露出可能な大きさに形成されている。

図１に示すように、搬送爪４は、リードフレーム１の長手方向一端部を保持し、図示しない駆動機構に駆動されることで搬送レール３に沿ってリードフレーム１を搬送する。リードフレーム１は、トランスファーモールド装置のマガジン分配部で搬送レール３に載置され、搬送爪４により搬送レール３に沿ってトランスファーモールド装置のリードフレーム予熱エリアへ搬送される。実施の形態１では、リードフレーム１の搬送時に、レーザー変位センサ５と一対の可動ピン６を用いてダイパッド２の高さ位置の調整が行われる。

次に、レーザー変位センサ５と一対の可動ピン６について説明する。図１に示すように、レーザー変位センサ５は、搬送レール３の開口７の下方に設けられ、開口７を介して、リードフレーム１に設けられたダイパッド２の高さ位置を検出する。

図１と図２に示すように、一対の可動ピン６は、搬送レール３の開口７を介して対向するように搬送レール３の上下方向にそれぞれ設けられている。下方に設けられた可動ピン６の周辺に、レーザー変位センサ５が設けられている。ダイパッド２はリードフレーム１の幅方向に２つ設けられており、これに合わせて一対の可動ピン６も搬送レール３の幅方向に２セット設けられている。一対の可動ピン６は、φが１ｍｍ以上３ｍｍ以下程度で、材質はＳＵＳ等である。そのため、一対の可動ピン６はリードフレーム１よりも大きな剛性を有している。

一対の可動ピン６は、それぞれ一対の板部１０ａを介して一対のボールねじ１０に連結され、さらにそれぞれ一対のボールねじ１０を介して一対のモーター９に連結されている。なお、各板部１０ａには、２つの可動ピン６が搬送レール３の幅方向に間隔をあけて設けられている。

さらに、半導体製造装置１００は図示しないＣＰＵを備えており、ＣＰＵは半導体製造装置１００の各部を制御している。

次に、図１～図７を用いて、半導体製造装置１００によるダイパッド２の高さ位置調整動作について説明する。図４は、リードフレーム１におけるダイパッド２の周辺の側面図である。図５は、一対の可動ピン６がダイパッド２に押し当てられる直前の状態を示す側面図である。図６は、一対の可動ピン６がダイパッド２に押し当てられた後の状態を示す側面図である。図７は、実施の形態１におけるダイパッド２の高さ位置調整動作のフローチャートである。

最初に、リードフレーム１が搬送レール３に載置される。次に、図７に示すように、ＣＰＵは、搬送爪４を制御し搬送動作を開始させる（ステップＳ１）。ＣＰＵは、ダイパッド２が開口７に到達したかどうかを判定する（ステップＳ２）。具体的には、レーザー変位センサ５は、搬送動作が行われている間、リードフレーム１の下面にレーザー８を照射し、リードフレーム１の高さ位置を検出している。ＣＰＵは、検出されたリードフレーム１の高さ位置に基づいてダイパッド２が開口７に到達したかどうかを判定する。

ダイパッド２が開口７に到達した場合（ステップＳ２においてＹｅｓ）、ＣＰＵは、搬送爪４を制御し搬送動作を一時停止させて（ステップＳ３）、レーザー変位センサ５にダイパッド２の高さ位置を検出させる（ステップＳ４）。図４に示すように、レーザー変位センサ５は、ダイパッド２の下面にレーザー８を照射し、リードフレーム１における幅方向端部の高さ位置を基準としてダイパッド２の高さ位置を検出する。但し、ダイパッド２が開口７に到達していない場合は（ステップＳ２においてＮｏ）、処理はステップＳ２に戻る。

次に、ＣＰＵは、検出結果が予め定められた規格値の範囲内に収まっているかどうかを判定する（ステップＳ５）。検出結果が予め定められた規格値の範囲内に収まっていない場合（ステップＳ５においてＮｏ）、ＣＰＵは、一対のモーター９を作動させ、予め設定されたストローク量だけ一対の可動ピン６を動作させる。一対の可動ピン６は、図５に示す位置を経て図６に示す位置まで動作し、ダイパッド２に上下方向から押し当てることで、ダイパッド２の高さ位置を調整する（ステップＳ６）。

なお、規格値の範囲内とは、設定値±０．２ｍｍであり、リードフレーム１が良品と判定されるダイパッドの高さ位置である。

他方、検出結果が予め定められた規格値の範囲内に収まっている場合（ステップＳ５においてＹｅｓ）、処理はステップＳ９へ移行する。

ダイパッド２の高さ位置が調整された後、ＣＰＵは、レーザー変位センサ５に調整後のダイパッド２の高さ位置を検出させる（ステップＳ７）。ＣＰＵは、検出結果が予め定められた規格値の範囲内に収まっているかどうかを判定する（ステップＳ８）。検出結果が予め定められた規格値の範囲内に収まっている場合（ステップＳ８においてＹｅｓ）、ＣＰＵは、搬送中のリードフレーム１に存在する全てのダイパッド２の高さ位置を検出したかどうかを判定する（ステップＳ９）。

例えば、作業者が搬送中のリードフレーム１に存在する全てのダイパッド２の個数を予め設定しておき、設定された個数と検出したダイパッド２の個数とを比較してステップＳ９の処理が行われる。全てのダイパッド２の高さ位置を検出していない場合（ステップＳ９においてＮｏ）、ＣＰＵは、搬送爪４を制御し搬送動作を再開させた後（ステップＳ１０）、ステップＳ２へ移行する。

全てのダイパッド２の高さ位置を検出した場合（ステップＳ９においてＹｅｓ）、ＣＰＵは、ダイパッドの高さ位置調整動作を終了する。そして、ＣＰＵは、搬送爪４を制御しリードフレーム１をリードフレーム予熱エリアへ搬送させる。

他方、検出結果が予め定められた規格値の範囲内に収まっていない場合（ステップＳ８においてＮｏ）、処理はステップＳ６へ戻り、再度ダイパッド２の高さ位置の調整が行われる。

以上のように、実施の形態１に係る半導体製造装置１００は、半導体素子が搭載されるダイパッド２を有するリードフレーム１が上面を滑走可能な搬送レール３と、リードフレーム１を保持し、搬送レール３に沿ってリードフレーム１を搬送する搬送爪４と、搬送レール３の下方に設けられ、ダイパッド２の高さ位置を検出する検出部と、搬送レール３の上下方向にそれぞれ設けられ、ダイパッド２の上面と、搬送レール３に形成された、ダイパッド２の下面を露出可能な開口７を介してダイパッド２の下面にそれぞれ上下方向から押し当て可能な一対の可動ピン６とを備え、検出部の検出結果に基づいて、一対の可動ピン６は、ダイパッド２に上下方向から押し当てることでダイパッド２の高さ位置を調整している。

したがって、リードフレーム１の形状が微細化した場合でも、リードフレーム１の搬送時にダイパッド２の高さ位置を調整することで、リードフレーム１の不良品の発生を抑制することができる。これにより、半導体装置の歩留り向上を図ることが可能となる。

また、金型内でダイパッド２の高さ位置を調整する必要がないため、半導体装置の製造に際して可動ピンのない金型を採用することができる。

また、検出部は、搬送レール３の下方に設けられたレーザー変位センサ５であり、レーザー変位センサ５は、開口７を介してダイパッド２の高さ位置を検出している。レーザー変位センサ５は、リードフレーム１の下方からリードフレーム１の幅方向にレーザーを照射することができるため、多列型リードフレーム１が有するダイパッド２の高さ位置の調整に適している。

＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体製造装置１００Ａについて説明する。図８は、実施の形態２に係る半導体製造装置１００Ａの断面図であり、搬送レール３の幅方向一端側において長手方向に沿って切断した断面図である。図９は、半導体製造装置１００Ａの正面図である。図１０は、搬送レール３の側方にカメラ１１が配置された状態を示す平面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

図８と図９に示すように、実施の形態２では、実施の形態１の場合に対して、リードフレーム１の寸法が異なっており、これに対応して半導体製造装置１００Ａの構成も異なっている。

リードフレーム１は、例えば長手方向の長さが約２１２ｍｍ、幅方向の長さが約６２ｍｍ、厚さが約０．４ｍｍであり、内部回路を構成可能なように主成分が銅からなる板状に形成されている。また、実施の形態１の場合とは異なり、リードフレーム１は一列型である。一列型リードフレーム１は実施の形態１の場合よりも大電流に適したリードフレームであり、複数のダイパッド２はリードフレーム１の長手方向に沿って間隔をあけて設けられ、約１．２５ｍｍの段差を設けてリードフレーム１の幅方向に延びる形状を有している。ダイパッド２はリードフレーム１の幅方向中央部に１つ設けられており、これに合わせて一対の可動ピン６も１セット設けられている。

また、図９と図１０に示すように、半導体製造装置１００Ａは、検出部として、レーザー変位センサ５に代えてカメラ１１を備えている。カメラ１１は、搬送レール３の側方に設けられている。

図８と図１０に示すように、搬送レール３における底面部３ｂの途中部には、開口７に代えて開口１２が形成されている。開口１２は、底面部３ｂから一方のレール部３ａにかけて形成されており、リードフレーム１の下面および側面の一部、すなわち、ダイパッド２の下面および先端部を露出可能である。開口１２は、リードフレーム１の幅方向中央部に設けられた１つのダイパッド２の下面および先端部を露出可能な大きさに形成されている。

次に、図７を用いて、半導体製造装置１００Ａによるダイパッド２の高さ位置調整動作について説明する。実施の形態２では、実施の形態１に対して、ステップＳ２、ステップＳ４、およびステップＳ７の処理が異なるが他の処理は同じであるため、異なる処理についてのみ説明する。

図７に示すように、ステップＳ２では、ＣＰＵは、ダイパッド２が開口１２に到達したかどうかを判定する。具体的には、カメラ１１は、搬送動作が行われている間、開口１２を介して撮影されるリードフレーム１の下面の形状に基づいてリードフレーム１の下面の高さ位置を検出する。ＣＰＵは、リードフレーム１の下面の高さ位置に基づいてダイパッド２が開口７に到達したかどうかを判定する。

ステップＳ４およびＳ７では、ＣＰＵは、カメラ１１にダイパッド２の高さ位置を検出させる。カメラ１１は、開口１２を介して撮影されるダイパッド２の下面の形状に基づいてダイパッド２の高さ位置を検出する。具体的には、カメラ１１は、リードフレーム１における幅方向端部の高さ位置を基準としてダイパッド２の高さ位置を検出する。

以上のように、実施の形態２に係る半導体製造装置１００Ａは、半導体素子が搭載されるダイパッド２を有するリードフレーム１が上面を滑走可能な搬送レール３と、リードフレーム１を保持し、搬送レール３に沿ってリードフレーム１を搬送する搬送爪４と、搬送レール３の側方に設けられ、ダイパッド２の高さ位置を検出する検出部と、搬送レール３の上下方向にそれぞれ設けられ、ダイパッド２の上面と、搬送レール３に形成された、ダイパッド２の下面を露出可能な開口１２を介してダイパッド２の下面にそれぞれ上下方向から押し当て可能な一対の可動ピン６とを備え、検出部の検出結果に基づいて、一対の可動ピン６は、ダイパッド２に上下方向から押し当てることでダイパッド２の高さ位置を調整している。

したがって、リードフレーム１の形状が微細化した場合でも、リードフレーム１の搬送時にダイパッド２の高さ位置を調整することで、リードフレーム１の不良品の発生を抑制することができる。これにより、半導体装置の歩留り向上を図ることが可能となる。

また、金型内でダイパッド２の高さ位置を調整する必要がないため、半導体装置の製造に際して可動ピンのない金型を採用することができる。

また、検出部は、搬送レール３の側方に設けられたカメラ１１である。カメラ１１は、リードフレーム１の側方からリードフレーム１の長手方向に沿って連続的にダイパッド２の高さ位置を検出することができるため、一列型リードフレーム１が有するダイパッド２の高さ位置の調整に適している。

＜実施の形態３＞
次に、実施の形態３に係る半導体製造装置１００Ｂについて説明する。図１１は、実施の形態３に係る半導体製造装置１００Ｂの断面図であり、搬送レール３の幅方向一端側において長手方向に沿って切断した断面図である。図１２は、半導体製造装置１００Ｂの正面図である。図１３は、搬送レール３の平面図である。図１４は、一対の可動ピン６および一対のクランプピン１３がダイパッド２に押し当てられる直前の状態を示す側面図である。図１５は、一対の可動ピン６および一対のクランプピン１３がダイパッド２に押し当てられた後の状態を示す側面図である。図１６は、ダイパッド２の高さ位置調整動作のフローチャートである。なお、実施の形態３において、実施の形態１，２で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。

図１１と図１２に示すように、実施の形態３では、実施の形態１の場合に対して、リードフレーム１の寸法が異なっており、これに対応して半導体製造装置１００Ｂの構成も異なっている。

リードフレーム１は、例えば長手方向の長さが約２３２ｍｍ、幅方向の長さが約７５ｍｍ、厚さが約０．７ｍｍであり、内部回路を構成可能なように主成分が銅からなる板状に形成されている。このように、実施の形態１の場合よりもリードフレーム１の厚さが厚くなっている。また、リードフレーム１は多列型であり、複数のダイパッド２はリードフレーム１の長手方向に沿って間隔をあけて設けられ、約１．３８ｍｍの段差を設けて長手方向に延びる形状を有している。

さらに、図１４と図１５に示すように、リードフレーム１にはコイニング加工が施されている。

また、半導体製造装置１００Ｂは、検出部としてレーザー変位センサ５を備え、さらに一対のクランプピン１３を備えている。一対のクランプピン１３は、一対の可動ピン６の周辺に設けられている。具体的には、一対のクランプピン１３は、一対の可動ピン６の場合と同様に、それぞれ一対の板部１０ａを介して一対のボールねじ１０に連結され、さらにそれぞれ一対のボールねじ１０を介して一対のモーター９に連結されている。これにより、一対の可動ピン６と一対のクランプピン１３は共に、一対のモーター９の作動により動作するようになっている。

一対のクランプピン１３は、一対の可動ピン６と同じタイミングで動作し、リードフレーム１の上面と、開口７を介してリードフレーム１の下面をそれぞれ上下方向から押し当てることで、一対の可動ピン６により押し当てられるダイパッド２の箇所の周辺でリードフレーム１をクランプ可能である。一対のクランプピン１３の長さは、クランプされるリードフレーム１の箇所の高さ位置に合わせて設定されているため、一対の可動ピン６の長さとは異なっている。

次に、図１４～図１６を用いて、半導体製造装置１００Ｂによるダイパッド２の高さ位置調整動作について説明する。

図１６に示すように、実施の形態１の場合と同様に、ステップＳ１～ステップＳ５の処理が行われる。次に、ＣＰＵは、一対のモーター９を作動させ、予め設定されたストローク量だけ一対の可動ピン６および一対のクランプピン１３を動作させる。一対の可動ピン６および一対のクランプピン１３は、図１４に示す位置を経て図１５に示す位置まで動作する。

一対のクランプピン１３は、リードフレーム１の上面と、開口７を介してリードフレーム１の下面をそれぞれ上下方向から押し当てることでリードフレーム１をクランプする。一対の可動ピン６は、ダイパッド２に上下方向から押し当てることで、リードフレーム１をクランプした状態でダイパッド２の高さ位置を調整する（ステップＳ１６）。ダイパッド２の高さ位置が調整された後、実施の形態１の場合と同様に、ステップＳ７～ステップＳ１０の処理が行われる。

実施の形態３では、実施の形態１に対し、リードフレーム１の厚さが厚くスプリングバックが発生しやすい。そのため、リードフレーム１をクランプし、リードフレーム１の変形を抑制しつつダイパッド２の高さ位置を調整する。これにより、リードフレーム１のスプリングバック量を抑制し、ダイパッド２に所定の変形を与えることができる。

さらに、図１４と図１５に示すように、コイニング加工が施されたリードフレーム１を採用することにより、リードフレーム１を曲げることが容易となり、リードフレーム１の厚さが厚いことで発生するリードフレーム１のスプリングバック量を低減できる。

なお、実施の形態３では、半導体製造装置１００Ｂは、検出部としてレーザー変位センサ５を備えるものとして説明を行ったが、一列型リードフレーム１の場合には検出部としてカメラ１１を備えていても良い。

以上のように、実施の形態３に係る半導体製造装置１００Ｂは、一対の可動ピン６の周辺に設けられ、リードフレーム１の上面と、開口７を介してリードフレーム１の下面をそれぞれ上下方向から押し当てることでリードフレーム１をクランプ可能な一対のクランプピン１３をさらに備えている。

したがって、リードフレーム１の厚さが厚い場合、ダイパッド２の高さ位置を調整する際に発生するリードフレーム１のスプリングバック量を低減できるため、リードフレーム１全体の変形を抑制することが可能となる。さらにコイニング加工が施されたリードフレーム１を採用することにより、厚みのあるリードフレーム１でも曲げやすくなりダイパッド２の高さ位置の調整が容易となる。このように、半導体製造装置１００Ｂはリードフレーム１の厚さが厚い大型品種に適している。

なお、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１ リードフレーム、２ ダイパッド、３ 搬送レール、４ 搬送爪、５ レーザー変位センサ、６ 可動ピン、７ 開口、１１ カメラ、１２ 開口、１３ クランプピン、１００，１００Ａ，１００Ｂ 半導体製造装置。

Claims (5)

1. 半導体素子が搭載されるダイパッドを有するリードフレームが上面を滑走可能な搬送レールと、
   前記リードフレームを保持し、前記搬送レールに沿って前記リードフレームを搬送する搬送爪と、
   前記搬送レールの下方または側方に設けられ、前記ダイパッドの高さ位置を検出する検出部と、
   前記搬送レールの上下方向にそれぞれ設けられ、前記ダイパッドの上面と、前記搬送レールに形成された、前記ダイパッドの下面を露出可能な開口を介して前記ダイパッドの下面にそれぞれ上下方向から押し当て可能な一対の可動ピンと、を備え、
   前記検出部の検出結果に基づいて、一対の前記可動ピンは、前記ダイパッドに上下方向から押し当てることで前記ダイパッドの高さ位置を調整する、半導体製造装置。
2. 前記検出部は、前記搬送レールの下方に設けられたレーザー変位センサであり、
   前記レーザー変位センサは、前記開口を介して前記ダイパッドの高さ位置を検出する、請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記検出部は、前記搬送レールの側方に設けられたカメラである、請求項１に記載の半導体製造装置。
4. 一対の前記可動ピンの周辺に設けられ、前記リードフレームの上面と、前記開口を介して前記リードフレームの下面をそれぞれ上下方向から押し当てることで前記リードフレームをクランプ可能な一対のクランプピンをさらに備えた、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体製造装置。
5. 請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
   （ａ）前記リードフレームの搬送動作中に前記ダイパッドが前記開口に到達したとき、当該搬送動作を一時停止し、前記検出部により前記ダイパッドの高さ位置を検出する工程と、
   （ｂ）前記検出部の検出結果が予め定められた規格値の範囲内に収まっていない場合、一対の前記可動ピンをそれぞれ上下方向から前記ダイパッドの上面と、前記開口を介して前記ダイパッドの下面に押し当てることで前記ダイパッドの高さ位置を調整する工程と、
   （ｃ）再度、前記検出部により前記ダイパッドの高さ位置を検出する工程と、
   （ｄ）前記工程（ｃ）における前記検出部の検出結果が予め定められた規格値の範囲内に収まっている場合、前記搬送動作を再開する工程と、
   を備えた、半導体装置の製造方法。

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