JP7306221B2

JP7306221B2 - スパッタリング装置、スパッタリング方法、及びスパッタリング装置用プログラム

Info

Publication number: JP7306221B2
Application number: JP2019196339A
Authority: JP
Inventors: 靖典安東; 茂明岸田
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd
Priority date: 2019-10-29
Filing date: 2019-10-29
Publication date: 2023-07-11
Anticipated expiration: 2039-10-29
Also published as: JP2021070834A

Description

本発明は、プラズマを用いてターゲットをスパッタリングして基板に成膜するスパッタリング装置、スパッタリング方法、及びスパッタリング装置用プログラムに関するものである。

この種のスパッタリング装置としては、特許文献１に示すように、プラズマを生成するための第１アンテナ及び第２アンテナと、第１アンテナ及び第２アンテナの間に接続された第１可変コンデンサと、第２アンテナの接地側端部に接続された第２可変コンデンサと、第１アンテナの給電側端部に流れる電流を検出する第１電流検出部と、第１アンテナ及び第２アンテナの間を流れる電流を検出する第２電流検出部と、第２アンテナの接地側端部に流れる電流を検出する第３電流検出部と、各電流検出部により検出される電流値が互いに等しくなるように、第１可変コンデンサ及び第２可変コンデンサを制御する制御装置と備えたものがある。

特開２０１９－１６４９３４号公報

上記のスパッタリング装置では、各電流検出部により検出される電流値が互いに等しくなることにより、アンテナの長手方向に沿って均一なプラズマを発生させることを可能にするものである。

ところで、本願発明者は、上記のスパッタリング装置においてアンテナに流れる電流と生成されるプラズマとの関係のみに着目するのではなく、更に検討することによって、アンテナに流れる電流と基板への成膜速度との関係に所定の相関関係が存在することを確認した。

具体的に本願発明者は、基板上の各位置（ｘ，ｙ）における成膜速度Ｒｘｙと、電流検出部により検出される電流値から推定される基板上の各位置（ｘ，ｙ）の推定電流値との関係に線形性があることを確認した。

そこで本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、均一な膜厚とするためのアンテナ電流の制御を容易にすることをその主たる課題とするものである。

すなわち本発明に係るスパッタリング装置は、プラズマを用いてターゲットをスパッタリングして基板に成膜するスパッタリング装置であって、前記プラズマを発生させるためのアンテナと、前記アンテナに高周波電流を流すための高周波電源と、前記アンテナの給電側端部及び接地側端部それぞれに接続されたインピーダンスが可変な複数のインピーダンス調整部と、前記アンテナの給電側端部及び接地側端部それぞれを流れる電流を検出する電流検出機構と、前記電流検出機構の各検出電流値に基づいて、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御する制御装置とを備え、前記制御装置は、前記基板上の各位置の成膜速度と、前記電流検出機構の各検出電流値から求まる前記各位置を流れると推定される推定電流値との関係を示す関係データを格納する関係データ格納部と、前記電流検出機構の各検出電流値及び前記関係データを用いて各位置の成膜速度を求め、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御するインピーダンス制御部とを有することを特徴とする。

このようなスパッタリング装置であれば、各位置の成膜速度及び推定電流値の関係データと、電流検出機構の各検出電流値を用いて各位置の成膜速度を求め、求めた各位置の成膜速度に基づいて、複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御するので、基板上の各位置の膜厚を均一にするためのアンテナ電流の制御を容易にすることができる。その結果、作業者は試行錯誤して電流値を調整する必要がなく、基板上の各位置の膜厚を均一にするためのアンテナ電流を容易に短時間で再現性良く設定することができ、生産性を向上させることができる。

具体的に前記インピーダンス制御部は、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記電流検出機構の各検出電流値の目標値を算出し、前記電流検出機構の各検出電流値が前記目標値となるように、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御することが考えられる。

インピーダンス制御部の具体的な制御態様としては、前記インピーダンス制御部は、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記電流検出機構の各検出電流値のうち何れか１つを固定値とし、それ以外の検出電流値の目標値を算出し、前記電流検出機構の各検出電流値が前記目標値となるように、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御することが望ましい。

また、アンテナ電流の制御を容易にするためには、前記インピーダンス制御部は、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記電流検出機構の各検出電流値の目標値を算出し、算出した目標値のそれぞれに対して係数を掛けて共通の疑似目標値を算出し、前記電流検出機構の各検出電流値に前記係数を掛けた各疑似検出電流が前記共通の疑似目標値となるように、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御することが望ましい。

前記アンテナを複数有するスパッタリング装置において、本発明の効果が一層顕著となる。

具体的には、前記アンテナは、少なくとも２つが直列接続されたアンテナ列を構成していることが考えられる。この構成において、制御パラメータを少なくしてアンテナ電流の制御を容易にするためには、前記アンテナ列における前記アンテナの間において、前記電流検出機構は、一方の前記アンテナの接地側端部を流れる電流の検出及び他方の前記アンテナの給電側端部を流れる電流の検出を共通とし、前記インピーダンス調整部は、一方の前記アンテナの接地側端部及び他方の前記アンテナの給電側端部で兼用されている。

このように構成した本発明によれば、均一な膜厚とするためのアンテナ電流の制御を容易にすることができる。

本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置の構成を模式的に示すアンテナの長手方向に直交する縦断面図である。同実施形態のスパッタリング装置の構成を模式的に示すアンテナの長手方向に沿った縦断面図である。同実施形態のスパッタリング装置のアンテナ配置を模式的に示す平面図である。同実施形態のスパッタリング装置のアンテナ配置を模式的に示す平面図である。同実施形態の制御装置の機能ブロック図である。同実施形態の成膜速度及び推定電流値との関係を示す図である。同実施形態の目標値及び模擬目標値を示す模式図である。

以下、本発明に係るスパッタリング装置の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。

＜装置構成＞
本実施形態のスパッタリング装置１００は、誘導結合型のプラズマＰを用いてターゲットＴをスパッタリングして基板Ｗに成膜するものである。ここで、基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等であり、具体的には、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチックフィルム基板、フィルム付きガラス基板等である。

具体的にスパッタリング装置１００は、図１及び図２に示すように、真空排気され且つガスが導入される真空容器２と、真空容器２内において基板Ｗを保持する基板保持部３と、真空容器２内においてターゲットＴを保持するターゲット保持部４と、真空容器２内に配置された直線状をなす複数のアンテナ５と、真空容器２内に誘導結合型のプラズマＰを生成するための高周波を複数のアンテナ５に印加する高周波電源６とを備えている。なお、複数のアンテナ５に高周波電源６から高周波を印加することにより複数のアンテナ５には高周波電流ＩＲが流れて、真空容器２内に誘導電界が発生して誘導結合型のプラズマＰが生成される。

真空容器２は、例えば金属製の容器であり、その内部は真空排気装置１６によって真空排気される。真空容器２はこの例では電気的に接地されている。

真空容器２内に、例えば流量調整器（図示省略）及び複数のガス導入口２１、２２を経由して、スパッタ用ガスＧ１又は反応性ガスＧ２が導入される。スパッタ用ガスＧ１及び反応性ガスＧ２は、基板Ｗに施す処理内容に応じたものにすれば良い。スパッタ用ガスＧ１としては、例えばアルゴン（Ａｒ）等の不活性ガスであり、反応性ガスＧ２としては、例えば酸素（Ｏ_２）や窒素（Ｎ_２）等である。

基板保持部３は、真空容器２内において平板状をなす基板Ｗを例えば水平状態となるように保持するホルダである。なお、基板保持部３は、真空容器２内においてアンテナ５の配列方向Ｘに沿って直線状に往復走査されるように構成されている。

ターゲット保持部４は、基板保持部３に保持された基板Ｗと対向してターゲットＴを保持するものである。本実施形態のターゲットＴは、平面視において矩形状をなす平板状のものである。このターゲット保持部４は、真空容器２を形成する側壁２ａ（例えば上側壁）に設けられている。また、ターゲット保持部４と真空容器２の上側壁２ａとの間には、真空シール機能を有する絶縁部７が設けられている。ターゲットＴには、それにターゲットバイアス電圧を印加するターゲットバイアス電源８が、この例ではターゲット保持部４を介して接続されている。ターゲットバイアス電圧は、プラズマＰ中のイオンをターゲットＴに引き込んでスパッタさせる電圧である。

本実施形態では、ターゲット保持部４は複数設けられている。複数のターゲット保持部４は、真空容器２内における基板Ｗの表面側に、基板Ｗの表面に沿うように（例えば、基板Ｗの裏面と実質的に平行に）同一平面上に並列に配置されている。複数のターゲット保持部４は、その長手方向が互いに平行となるように等間隔に配置されている。これにより、真空容器２内に配置された複数のターゲットＴは、図１及び図３に示すように、基板Ｗの表面と実質的に平行であり、且つ、長手方向が互いに平行となるように等間隔に配置されることになる。なお、各ターゲット保持部４は同一構成である。

複数のアンテナ５は、真空容器２内における基板Ｗの表面側に、基板Ｗの表面に沿うように（例えば、基板Ｗの表面と実質的に平行に）同一平面上に並列に配置されている。複数のアンテナ５は、その長手方向が互いに平行となるように等間隔に配置されている。なお、各アンテナ５は平面視において直線状で同一構成であり、その長さは数十ｃｍ以上である。

本実施形態のアンテナ５は、図１及び図３に示すように、各ターゲット保持部４に保持されたターゲットＴの両側にそれぞれ配置されている。つまり、アンテナ５とターゲットＴとが交互に配置されており、１つのターゲットＴは、２本のアンテナ５により挟まれた構成となる。ここで、各アンテナ５の長手方向と各ターゲット保持部４に保持されたターゲットＴの長手方向とは同一方向である。さらに、２つのターゲットＴの間に配置されるアンテナ５はそれら２つのターゲットＴから等距離の位置に配置されている。

また、各アンテナ５の材質は、例えば、銅、アルミニウム、これらの合金、ステンレス等であるが、これに限られるものではない。なお、アンテナ５を中空にして、その中に冷却水等の冷媒を流し、アンテナ５を冷却するようにしても良い。

なお、アンテナ５の両端部付近は、図２に示すように、真空容器２の相対向する側壁２ｂ、２ｃをそれぞれ貫通している。アンテナ５の両端部を真空容器２外へ貫通させる部分には、絶縁部材９がそれぞれ設けられている。この各絶縁部材９を、アンテナ５の両端部が貫通しており、その貫通部は例えばパッキンによって真空シールされている。各絶縁部材９と真空容器２との間も、例えばパッキンによって真空シールされている。なお、絶縁部材９の材質は、例えば、アルミナ等のセラミックス、石英、又はポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等のエンジニアリングプラスチック等である。

さらに、各アンテナ５において、真空容器２内に位置する部分は、絶縁物製で直管状の絶縁カバー１０により覆われている。この絶縁カバー１０の両端部と真空容器２との間はシールしなくても良い。絶縁カバー１０内の空間にガスＧ１が入っても、当該空間は小さくて電子の移動距離は短いので、通常は当該空間にプラズマＰは発生しないからである。なお、絶縁カバー１０の材質は、例えば、石英、アルミナ、フッ素樹脂、窒化シリコン、炭化シリコン、シリコン等であるが、これらに限られるものではない。

アンテナ５の一端部である給電側端部５ａには、整合回路６１を介して高周波電源６が接続されており、他端部である接地側端部５ｂは接地されている。そして、高周波電源６から、整合回路６１を介して、アンテナ５に高周波電流ＩＲを流している。高周波の周波数は、例えば、一般的な１３．５６ＭＨｚであるが、これに限られるものではない。

具体的に本実施形態のスパッタリング装置１００では、複数のアンテナ５の給電側端部５ａ及び接地側端部５ｂそれぞれに接続されたインピーダンスが可変な複数のインピーダンス調整部１１と、アンテナ５の給電側端部５ａ及び接地側端部５ｂそれぞれを流れる電流を検出する電流検出機構１２と、電流検出機構１２の各検出電流値に基づいて、複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御する制御装置１３とを備えている。

本実施形態の複数のアンテナ５は、２つのアンテナ５が直列接続された複数のアンテナ列５Ｘを構成している。図３では、複数のアンテナ列に対して１つの整合回路６１を介して高周波電源６を接続した構成であるが、図４に示すように、１つのアンテナ列５Ｘに対して１つの整合回路６１を介して高周波電源６を接続した構成としても良い。

複数のインピーダンス調整部１１は、各アンテナ５それぞれの給電側端部５ａ及び接地側端部５ｂに接続されている。具体的に複数のインピーダンス調整部１１は、各アンテナ列５Ｘにおいて一方のアンテナ５の給電側端部５ａに第１インピーダンス調整部１１１が接続されており、２つのアンテナ５の間（一方のアンテナ５の接地側端部５ｂ及び他方のアンテナ５の給電側端部５ａの間）に第２インピーダンス調整部１１２が接続されており、他方のアンテナ５の接地側端部５ｂに第３のインピーダンス調整部１１３が接続されている。このように本実施形態では、一方のアンテナ５の接地側端部５ｂ及び他方のアンテナ５の給電側端部５ａにおいて１つのインピーダンス調整部１１２が兼用されている。

本実施形態のインピーダンス調整部１１は、可変コンデンサにより構成されている。なお、可変コンデンサとしては、固定電極に対して可動電極を相対移動させることにより、それらの対向面積を増減させる構成のものが考えられる。この可動電極の固定電極に対する位置が、後述するインピーダンス制御部１３２により制御される。

電流検出機構１２は、各アンテナ５の給電側端部５ａ及び接地側端部５ｂそれぞれを流れる電流を検出するものである。具体的に電流検出機構１２は、一方のアンテナ５の給電側端部５ａを流れる電流を検出する第１電流検出部１２１と、２つのアンテナ５の間（一方のアンテナ５の接地側端部５ｂ及び他方のアンテナ５の給電側端部５ａの間）を流れる電流を検出する第２電流検出部１２２と、他方のアンテナ５の接地側端部５ｂを流れる電流を検出する第３電流検出部１２３とを有している。このように本実施形態では、第２電流検出部１２２によって、一方のアンテナ５の接地側端部５ｂを流れる電流の検出及び他方のアンテナ５の給電側端部５ａを流れる電流の検出を共通としている。

制御装置１３は、ＣＰＵ、メモリ、入出力インターフェース、ＡＤ変換器などを備えたコンピュータであり、そのメモリに格納されたプラグラムに基づいて、ＣＰＵ及び周辺機器が協働することにより、図５に示すように、関係データ格納部１３１及びインピーダンス制御部１３２等としての機能を発揮する。

関係データ格納部１３１は、基板Ｗ上の各位置（ｘ，ｙ）の成膜速度Ｒ_ｘｙと、電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊから求まる各位置（ｘ，ｙ）を流れると推定される推定電流値Ｉ_ｘｙとの関係を示す関係データを格納している。

ここで、推定電流値Ｉ_ｘｙは、図３及び図４のようなアンテナ構成であれば、以下の３つの式で表すことができる。
なお、「アンテナ間１」は、平面視においてアンテナ列における２つのアンテナの間に位置する基板の位置である。「アンテナ間２」は、平面視において互いに異なるアンテナ列のアンテナの間に位置する基板の位置である。「アンテナ直下」は、平面視においてアンテナの中心線上に位置する基板の位置である。

アンテナ間１の推定電流値Ｉ_ｘ１ｙ１：

アンテナ間２の推定電流値Ｉ_ｘ２ｙ２：

アンテナ直下の推定電流値Ｉ_ｘ３ｙ３：

そして、予め設定した初期条件に基づいて、基板Ｗ上に成膜し、その際に電流検出機構１２により得られた各検出電流値Ｉ_ｉｊと、その際の成膜速度Ｒ_ｘｙとを実測し、実測した各検出電流値Ｉ_ｉｊから上記の式を用いて推定電流値Ｉ_ｘｙ（＝ｆ（Ｉ_ｉｊ，ａ，ｂ，ｃ，ｄ））を算出する。そして、算出した推定電流値Ｉ_ｘｙと実測した成膜速度Ｒ_ｘｙとから図５に示す相関関係（Ｒ_ｘｙ＝α_ｘｙ×Ｉ_ｘｙ＋β_ｘｙ）を求める。なお、図６においては、異なる条件で複数回（３回）成膜した結果を示している。この相関関係を示す関係データは、予め関係データ格納部１３１に格納される。

インピーダンス制御部１３２は、電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊ及び関係データを用いて各位置（ｘ、ｙ）の成膜速度Ｒ_ｘｙを求め、求めた各位置（ｘ，ｙ）の成膜速度Ｒ_ｘｙに基づいて、複数のインピーダンス調整部１１のインピーダンスを制御するものである。

具体的にインピーダンス制御部１３２は、求めた各位置（ｘ，ｙ）の成膜速度Ｒ_ｘｙに基づいて、成膜速度Ｒ_ｘｙの分布が予め設定した範囲に入るように電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊの目標値Ｉ_ｉｊ’を算出し、電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊが目標値Ｉ_ｉｊ’となるように、複数のインピーダンス調整部１１のインピーダンスを制御する。なお、電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊの最適な目標値Ｉ_ｉｊ’を算出するに当たって、機械学習やＡＩ技術を用いても良いし、表計算ソフトのソルバー機能を用いても良い。

例えば、インピーダンス制御部１３２は、求めた各位置（ｘ，ｙ）の成膜速度Ｒ_ｘｙに基づいて、電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊのうち何れか１つを固定値とし、それ以外の検出電流値Ｉ_ｉｊの目標値Ｉ_ｉｊ’を算出し、電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊが目標値Ｉ_ｉｊ’となるように、複数のインピーダンス調整部１１のインピーダンスを制御することができる。ここで、固定値とされる検出電流値Ｉ_ｉｊは、目標とする平均的な成膜速度に相当する電流値とする。

また、インピーダンス制御部１３２は、求めた各位置（ｘ，ｙ）の成膜速度Ｒ_ｘｙに基づいて、図７に示すように、電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊの目標値Ｉ_ｉｊ’を算出し、算出した目標値Ｉ_ｉｊ’のそれぞれに対して係数ｋ_ｉｊを掛けて共通の疑似目標値Ｉ_ｉｊ”を算出し、前記電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊに前記係数ｋ_ｉｊを掛けた各疑似検出電流（ｋ_ｉｊ×Ｉ_ｉｊ）が共通の疑似目標値Ｉ_ｉｊ”となるように、複数のインピーダンス調整部１１のインピーダンスを制御することもできる。ここで、１箇所の検出電流値Ｉ_ｉｊの係数ｋ_ｉｊは１とする。

また、各疑似検出電流（ｋ_ｉｊ×Ｉ_ｉｊ）の疑似目標値Ｉ_ｉｊ”に対する調整誤差範囲は、±５％以下とすることが望ましく、更には、±３％以下が良い。

＜本実施形態の効果＞
このように構成されたスパッタリング装置１００によれば、各位置（ｘ，ｙ）の成膜速度Ｒ_ｘｙ及び推定電流値Ｉ_ｘｙの関係データと、電流検出機構１２の各検出電流値Ｉ_ｉｊを用いて各位置（ｘ，ｙ）の成膜速度Ｒ_ｘｙを求め、求めた各位置（ｘ，ｙ）の成膜速度Ｒ_ｘｙに基づいて、複数のインピーダンス調整部１１のインピーダンスを制御するので、基板Ｗ上の各位置（ｘ，ｙ）の膜厚を均一にするためのアンテナ電流の制御を容易にすることができる。その結果、作業者は試行錯誤して電流値を調整する必要がなく、基板Ｗ上の各位置（ｘ，ｙ）の膜厚を均一にするためのアンテナ電流を容易に短時間で再現性良く設定することができ、生産性を向上させることができる。

なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。

例えば、前記実施形態のアンテナ配置は、２つのアンテナを直列接続した構成であったが、３つ以上のアンテナを直列接続した構成としても良いし、１つ１つのアンテナを並列接続した構成としてもよい。

また、前記実施形態では、インピーダンス調整部として、可変コンデンサを用いていたが、例えば容量やリアクタンスが異なる複数のリアクタンス素子をアンテナに対して切り替え可能に並列接続したものをインピーダンス調整部として用いても良い。

前記実施形態では、アンテナは直線状をなすものであったが、湾曲又は屈曲した形状であっても良い。この場合、金属パイプが湾曲又は屈曲した形状であっても良いし、絶縁パイプが湾曲又は屈曲した形状であっても良い。

なお、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。

１００・・・スパッタリング装置
Ｐ・・・プラズマ
Ｔ・・・ターゲット
Ｗ・・・基板
５・・・アンテナ
５ａ・・・給電側端部
５ｂ・・・接地側端部
５Ｘ・・・アンテナ列
６・・・高周波電源
１１・・・インピーダンス調整部
１２・・・電流検出機構
１３・・・制御装置
１３１・・・関係データ格納部
１３２・・・インピーダンス制御部

Claims

プラズマを用いてターゲットをスパッタリングして基板に成膜するスパッタリング装置であって、
前記プラズマを発生させるためのアンテナと、
前記アンテナに高周波電流を流すための高周波電源と、
前記アンテナの給電側端部及び接地側端部それぞれに接続されたインピーダンスが可変な複数のインピーダンス調整部と、
前記アンテナの給電側端部及び接地側端部それぞれを流れる電流を検出する電流検出機構と、
前記電流検出機構の各検出電流値に基づいて、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、前記基板上の各位置の成膜速度と、前記電流検出機構の各検出電流値から求まる前記各位置を流れると推定される推定電流値との関係を示す関係データを格納する関係データ格納部と、
前記電流検出機構の各検出電流値及び前記関係データを用いて各位置の成膜速度を求め、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御するインピーダンス制御部とを有する、スパッタリング装置。
前記インピーダンス制御部は、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記電流検出機構の各検出電流値の目標値を算出し、前記電流検出機構の各検出電流値が前記目標値となるように、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御する、請求項１記載のスパッタリング装置。
前記インピーダンス制御部は、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記電流検出機構の各検出電流値のうち何れか１つを固定値とし、それ以外の検出電流値の目標値を算出し、前記電流検出機構の各検出電流値が前記目標値となるように、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御する、請求項１又は２記載のスパッタリング装置。
前記インピーダンス制御部は、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記電流検出機構の各検出電流値の目標値を算出し、算出した目標値のそれぞれに対して係数を掛けて共通の疑似目標値を算出し、前記電流検出機構の各検出電流値に前記係数を掛けた各疑似検出電流が前記共通の疑似目標値となるように、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御する、請求項１又は２記載のスパッタリング装置。
前記アンテナを複数有する、請求項１乃至４の何れか一項に記載のスパッタリング装置。
前記アンテナは、少なくとも２つが直列接続されたアンテナ列を構成しており、
前記アンテナ列における前記アンテナの間において、前記電流検出機構は、一方の前記アンテナの接地側端部を流れる電流の検出及び他方の前記アンテナの給電側端部を流れる電流の検出を共通とし、前記インピーダンス調整部は、一方の前記アンテナの接地側端部及び他方の前記アンテナの給電側端部で兼用されている、請求項５記載のスパッタリング装置。
プラズマを発生させるためのアンテナと、前記アンテナに高周波電流を流すための高周波電源と、前記アンテナの給電側端部及び接地側端部それぞれに接続されたインピーダンスが可変な複数のインピーダンス調整部と、前記アンテナの給電側端部及び接地側端部それぞれを流れる電流を検出する電流検出機構とを備えるスパッタリング装置を用いたスパッタリング方法であって、
基板上の各位置の成膜速度と、前記電流検出機構の各検出電流値から求まる前記各位置を流れると推定される推定電流値との関係を示す関係データ、及び、前記電流検出機構の各検出電流値を用いて各位置の成膜速度を求め、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを変更する、スパッタリング方法。
プラズマを発生させるためのアンテナと、前記アンテナに高周波電流を流すための高周波電源と、前記アンテナの給電側端部及び接地側端部それぞれに接続されたインピーダンスが可変な複数のインピーダンス調整部と、前記アンテナの給電側端部及び接地側端部それぞれを流れる電流を検出する電流検出機構とを備えるスパッタリング装置に用いられるプログラムであって、
基板上の各位置の成膜速度と、前記電流検出機構の各検出電流値から求まる前記各位置を流れると推定される推定電流値との関係を示す関係データを格納する関係データ格納部と、
前記電流検出機構の各検出電流値及び前記関係データを用いて各位置の成膜速度を求め、求めた各位置の成膜速度に基づいて、前記複数のインピーダンス調整部のインピーダンスを制御するインピーダンス制御部と、としての機能をコンピュータに備えさせることを特徴とする、スパッタリング装置用プログラム。