JP7297576B2

JP7297576B2 - Lithographic apparatus and cleaning method

Info

Publication number: JP7297576B2
Application number: JP2019133498A
Authority: JP
Inventors: 進太郎愛知
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2019-07-19
Filing date: 2019-07-19
Publication date: 2023-06-26
Anticipated expiration: 2039-07-19
Also published as: JP2021019073A

Description

本発明は、半導体等を製造するためのリソグラフィー装置等に関する。 The present invention relates to a lithography apparatus and the like for manufacturing semiconductors and the like.

半導体デバイスなどを製造するために基板上に微細なパターンを形成（転写）するリソグラフィー装置として、インプリント装置（成形装置）などが知られている。
例えばインプリント装置では、基板上のインプリント材と、パターンが形成された部分（パターン部）を含むモールド（マスク）とを接触（押印）させた状態で、インプリント材に硬化用エネルギーを与えることで基板上にインプリント材のパターンを形成する。一方、インプリント装置においては、モールドと基板との間にパーティクル（異物）が挟み込まれると、モールドが破損したり、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じたりする。
これはインプリント装置に限らずリソグラフィー装置全般に共通する問題でもある。 2. Description of the Related Art An imprinting apparatus (molding apparatus) or the like is known as a lithography apparatus that forms (transfers) a fine pattern on a substrate for manufacturing a semiconductor device or the like.
For example, in the imprint apparatus, the imprint material on the substrate and the mold (mask) including the patterned portion (patterned portion) are in contact (imprinted), and the imprint material is given energy for curing. This forms a pattern of the imprint material on the substrate. On the other hand, in the imprint apparatus, if particles (foreign matter) are caught between the mold and the substrate, the mold may be damaged or the pattern formed on the substrate may be defective.
This is a problem common to not only imprint apparatuses but also lithography apparatuses in general.

また、基板を保持するステージは、ステージ定盤上をエア浮上させるように駆動して移動する場合が多い。
ステージが駆動するステージ定盤上にパーティクルが堆積した状態で、ステージを駆動させると、パーティクルがステージとステージ定盤との間に噛みこまれ、ステージ駆動の悪化の要因やステージ定盤に傷をつける。更に、その傷より新たなパーティクルが発生するという問題がある。そのため、インプリント装置等のリソグラフィー装置において、ステージ定盤と天井との間のリソグラフィー用の空間は、パーティクルが除去された空調にて管理されている。
一方特許文献１にはワーク面に沿って空気を吹き付ける技術が記載されており、特許文献２には基板に対して空気を吹き付ける技術が記載されている。 Further, in many cases, the stage holding the substrate is moved by being driven so as to be air-floated on the stage surface plate.
If the stage is driven with particles accumulated on the stage surface plate driven by the stage, the particles will get caught between the stage and the stage surface plate, causing deterioration of stage driving and damage to the stage surface plate. Put on. Furthermore, there is a problem that new particles are generated from the scratches. Therefore, in a lithography apparatus such as an imprint apparatus, the space for lithography between the stage surface plate and the ceiling is air-conditioned from which particles are removed.
On the other hand, Patent Document 1 describes a technique of blowing air along the work surface, and Patent Document 2 describes a technique of blowing air against the substrate.

特開平９－３２１０１３号公報JP-A-9-321013 実開昭６２－９２６４２号公報Japanese Utility Model Laid-Open No. 62-92642

しかしワークや基板に対して空気を吹き付けるだけではリソグラフィー用の空間に存在するパーティクルを十分に除去することはできない。例えば、メンテナンス作業で、リソグラフィー用の空間へ人がアクセスする場合がある。
人のアクセスにより、外部からリソグラフィー用の空間へのパーティクルの流入や、アクセスによりリソグラフィー用の空間へのパーティクルの持ち込みが発生する。 However, particles present in the lithography space cannot be sufficiently removed simply by blowing air onto the workpiece or substrate. For example, maintenance work may require people to access the lithography space.
Human access causes particles to flow into the lithography space from the outside, and particles to enter the lithography space due to access.

そのため、メンテナンス作業後にリソグラフィー用の空間のクリーニングが必要となる。即ち、例えばステージ定盤上に堆積したパーティクルを除去するためにステージ定盤上をワイプで拭き上げるクリーニングを実施し、パーティクルを除去する。その後、ステージを駆動させながら、空調による換気を一定時間実施し浮遊しているパーティクルを取り除く。しかし、拭き上げによるクリーニングを実施しても１００μｍ以下の目に見えないサイズのパーティクルが取り除けたのか確認することは困難である。そのため手作業によるクリーニングでは、作業者によるクリーニング結果の差が出やすいという問題がある。 Therefore, it is necessary to clean the space for lithography after maintenance work. That is, for example, in order to remove particles deposited on the stage surface plate, cleaning is performed by wiping the surface of the stage surface plate with a wipe to remove the particles. After that, while the stage is being driven, air ventilation is performed for a certain period of time to remove floating particles. However, even if cleaning by wiping is performed, it is difficult to confirm whether particles of invisible size of 100 μm or less have been removed. Therefore, in manual cleaning, there is a problem that the cleaning result tends to vary depending on the operator.

また、微小なパーティクルはファンデルワールス力の影響で落下せずに壁面に付着する傾向にある。リソグラフィー用の空間において、基板から見て天井面は様々な機構が配置されており、例えばインプリント装置の場合にはモールド保持部等が配置される。従って、拭き上げ作業が困難であり、拭き上げができない場所はクリーニング作業が実施できないという問題があった。
そこで本発明では、リソグラフィー用の空間の一部に堆積／付着等したパーティクルを効率的に除去可能なリソグラフィー装置の提供を目的とする。 In addition, minute particles tend to adhere to the wall surface without falling due to van der Waals force. In the space for lithography, various mechanisms are arranged on the ceiling surface when viewed from the substrate. For example, in the case of an imprint apparatus, a mold holder and the like are arranged. Therefore, there is a problem that the wiping work is difficult, and the cleaning work cannot be carried out in places where wiping is impossible.
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a lithography apparatus capable of efficiently removing particles deposited/adhered in a part of a space for lithography.

基板の上にパターンを形成するためのリソグラフィー装置であって、
前記基板を保持してステージ定盤上を移動可能な基板ステージと、
前記ステージ定盤と、前記ステージ定盤に対向する天井部と、側壁に囲まれた空間に対してエアを吹き出す吹き出し部と、
前記空間からエアを排気する排気部と、
前記基板ステージに設けられ、前記ステージ定盤および前記天井部の少なくとも一方に向けてエアを射出するエア射出部と、
前記空間内の異物を測定するセンサと、
前記基板ステージが第１位置にある状態において、前記エア射出部によるエアの射出を行った後に実施した前記センサによる測定結果に基づいて、前記基板ステージを前記第１位置に止めたままで再び前記エア射出部によりエアの射出を行うか、前記基板ステージを前記第１位置とは異なる第２位置に移動させて前記エア射出部によるエアの射出を行うか、のいずれか一方を実施させる制御部と、
を有することを特徴とする。
A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, comprising:
a substrate stage capable of holding the substrate and moving on a stage surface plate;
the stage surface plate, a ceiling portion facing the stage surface plate, a blowing portion for blowing air to a space surrounded by side walls,
an exhaust unit that exhausts air from the space;
an air injection unit provided on the substrate stage for injecting air toward at least one of the stage surface plate and the ceiling;
a sensor that measures a foreign object in the space;
In a state where the substrate stage is at the first position, based on the measurement result by the sensor performed after the air injection unit has injected the air, the air injection is performed again while the substrate stage is stopped at the first position. a control unit for executing either one of injecting air from an injection unit or moving the substrate stage to a second position different from the first position and injecting air from the air injection unit; ,
characterized by having

本発明によれば、リソグラフィー用の空間の一部に堆積／付着等したパーティクルを効率的に除去することができるリソグラフィー装置を得ることができる。 According to the present invention, it is possible to obtain a lithography apparatus that can efficiently remove particles deposited/adhered in a part of the space for lithography.

実施例１のリソグラフィー装置としてのインプリント装置を示した図である。1 is a diagram showing an imprint apparatus as a lithography apparatus of Example 1. FIG. 実施例１の基板ステージの詳細を示した図である。4 is a diagram showing details of a substrate stage of Example 1. FIG. 実施例１のパーティクル除去のフローチャートである。4 is a flow chart of particle removal in Example 1. FIG. パーティクルが球体であった場合のパーティクルサイズ（μｍ）と１ｍ落下するまでの時間（秒）の関係を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the particle size (μm) and the time (seconds) until the particles fall by 1 m when the particles are spheres; 重力とファンデルワールス力とパーティクルサイズの依存性の例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of the dependence of gravity, van der Waals force, and particle size; 実施例２のリソグラフィー装置としてのインプリント装置を示した図である。FIG. 10 is a diagram showing an imprint apparatus as a lithography apparatus of Example 2;

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について実施例を用いて説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略ないし簡略化する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below using examples with reference to the accompanying drawings. In each figure, the same members or elements are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted or simplified.

＜実施例１＞
本発明の実施例１について、その具体的な構成を、図を引用して説明する。
図１は、実施例１のリソグラフィー装置としてのインプリント装置の構成を示した図である。なお、本発明は基板の上にパターンを形成するためのリソグラフィー装置であれば適用可能であり、インプリント装置に限定されない。 <Example 1>
A specific configuration of Example 1 of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram showing the configuration of an imprint apparatus as a lithography apparatus of Example 1. As shown in FIG. Note that the present invention can be applied to any lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, and is not limited to an imprint apparatus.

本実施例のインプリント装置１００は、半導体デバイスなどの製造プロセスに用いられ、基板Ｗ上にインプリント材Ｒ（樹脂材（レジスト））を塗布し、モールド（型またはマスク）Ｍに形成された回路パターン（パターン部ＭＰ）を基板Ｗ上のインプリント材Ｒに形成させるリソグラフィー装置である。インプリント装置１００は、基板Ｗの上に供給されたインプリント材ＲにモールドＭのパターン部ＭＰを接触させ、インプリント材Ｒに硬化用のエネルギーを与える。これによって、モールドＭの凹凸パターン（パターン部ＭＰ）が転写された硬化物のパターンが基板Ｗの上に形成される。図１のインプリント装置１００は、物品としての半導体デバイスなどのデバイスの製造に使用される。本実施例では光硬化法を採用したインプリント装置１００について説明する。 The imprinting apparatus 100 of the present embodiment is used in the manufacturing process of semiconductor devices and the like, in which an imprinting material R (resin material (resist)) is applied onto a substrate W, and a mold (mold or mask) M is formed. This is a lithography apparatus for forming a circuit pattern (pattern portion MP) on an imprint material R on a substrate W. FIG. The imprinting apparatus 100 brings the patterned portion MP of the mold M into contact with the imprinting material R supplied onto the substrate W, and gives the imprinting material R energy for curing. As a result, a pattern of the cured product to which the concave-convex pattern (pattern portion MP) of the mold M has been transferred is formed on the substrate W. As shown in FIG. The imprint apparatus 100 of FIG. 1 is used for manufacturing devices such as semiconductor devices as articles. In this embodiment, an imprint apparatus 100 employing a photo-curing method will be described.

インプリント材Ｒには、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。 As the imprint material R, a curable composition (also referred to as an uncured resin) that cures when curing energy is applied is used. Electromagnetic waves, heat, and the like are used as curing energy. The electromagnetic wave is, for example, light such as infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays whose wavelengths are selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less.

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上、１００ｍＰａ・ｓ以下である。 A curable composition is a composition that is cured by irradiation with light or by heating. Among these, the photocurable composition that is cured by light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent if necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of sensitizers, hydrogen donors, internal release agents, surfactants, antioxidants, polymer components and the like.
The imprint material is applied to the substrate in the form of a film by a spin coater or a slit coater. Alternatively, it may be applied onto the substrate in the form of droplets, or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets, by a liquid jet head. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25° C.) is, for example, 1 mPa·s or more and 100 mPa·s or less.

基板Ｗは、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。
モールドＭ（マスク）は、通常石英などの紫外線を透過する事が可能な材料で作製されており、基板Ｗ上のインプリント材Ｒ塗布面と対向する面に、基板Ｗに転写させる微細な回路パターンを含むパターン部ＭＰが形成されている。 Glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like is used for the substrate W, and if necessary, a member made of a material different from that of the substrate may be formed on the surface thereof. Specific examples of substrates include silicon wafers, compound semiconductor wafers, and quartz glass.
The mold M (mask) is generally made of a material such as quartz that can transmit ultraviolet rays, and has a fine circuit to be transferred onto the substrate W on the surface opposite to the surface of the substrate W to which the imprint material R is applied. A pattern portion MP including a pattern is formed.

インプリント装置１００は、照射部２０と、基板保持部４０、モールド保持部５０、制御部６０、および、不図示のモールド搬送系と基板搬送系を含む。
インプリント装置本体は、床面に設置されたステージ定盤２と、ステージ定盤２を介して床面からの振動を除振するための不図示の除振機構と、除振機構を有する側壁４と、側壁４に支持されている天井部３と、を含む。
照射部２０は、インプリント処理の際に、基板Ｗ上のインプリント材ＲにモールドＭを接触させた状態でモールドＭを介して光（紫外線）を照射することにより当該インプリント材Ｒを硬化させる。照射部２０は、例えば、インプリント材Ｒを硬化させる光を射出する光源と、当該光源から射出された光をインプリント処理に適切な光に調整する光学系を含む。 The imprint apparatus 100 includes an irradiation unit 20, a substrate holding unit 40, a mold holding unit 50, a control unit 60, and a mold transfer system and a substrate transfer system (not shown).
The main body of the imprint apparatus includes a stage surface plate 2 installed on the floor surface, a vibration isolation mechanism (not shown) for isolating vibration from the floor surface via the stage surface plate 2, and a side wall having a vibration isolation mechanism. 4 and a ceiling 3 supported by the side walls 4 .
During the imprinting process, the irradiation unit 20 irradiates the imprint material R on the substrate W with light (ultraviolet rays) through the mold M while the mold M is in contact with the imprint material R, thereby curing the imprint material R. Let The irradiation unit 20 includes, for example, a light source that emits light for curing the imprint material R, and an optical system that adjusts the light emitted from the light source to light suitable for imprint processing.

基板保持部４０は、基板チャック４１と基板ステージ１とを含み、基板チャック４１は、例えば、真空吸着や静電力で、基板Ｗを保持している。基板ステージ１は、不図示の駆動機構によってステージ定盤上を移動可能である。即ち、基板Ｗと基板チャック４１を基板Ｗの表面と平行な方向（ここではＸ方向及びＹ方向）に移動可能である。基板ステージ１は、前記Ｘ方向およびＹ方向中心に回転するチルト方向に駆動するチルト駆動機構、基板Ｗと直交するＺ方向に駆動する駆動系（不図示）、前記Ｚ軸を中心に駆動するθ方向に駆動する駆動系も有している。 The substrate holding unit 40 includes a substrate chuck 41 and a substrate stage 1, and the substrate chuck 41 holds the substrate W by vacuum adsorption or electrostatic force, for example. The substrate stage 1 is movable on the stage platen by a driving mechanism (not shown). That is, the substrate W and the substrate chuck 41 can be moved in directions parallel to the surface of the substrate W (here, the X direction and the Y direction). The substrate stage 1 has a tilt drive mechanism that drives in the tilt direction rotating around the X and Y directions, a drive system (not shown) that drives in the Z direction orthogonal to the substrate W, and a θ that drives around the Z axis. It also has a drive system that drives in the direction.

モールド保持部５０は、モールドＭを真空吸着によって保持するモールドチャック５１と、モールドチャック５１を駆動することによってモールドＭを駆動するインプリント機構（不図示）と、を含む。モールド保持部５０は、モールドチャック５１によってモールドＭを保持した状態で、基板Ｗの表面に直交する方向（ここではＺ方向）と、Ｘ方向とＹ方向中心に回転するチルト方向に駆動することで、モールドＭを移動させることが出来る。 The mold holding unit 50 includes a mold chuck 51 that holds the mold M by vacuum adsorption, and an imprint mechanism (not shown) that drives the mold M by driving the mold chuck 51 . The mold holding unit 50 holds the mold M by the mold chuck 51, and is driven in a direction perpendicular to the surface of the substrate W (here, the Z direction) and in a tilt direction rotating about the X and Y directions. , the mold M can be moved.

モールド保持部５０がモールドＭを移動させることにより、基板Ｗの上のインプリント材ＲとモールドＭとを接触させてインプリント材Ｒのパターンを形成するインプリント処理を行う。本明細書において、インプリント処理とは、基板Ｗの上のインプリント材ＲとモールドＭとを接触させ、接触させた状態でインプリント材Ｒを硬化させ、インプリント材ＲとモールドＭとを引き剥がす工程を含む。なお、インプリント処理において、基板ステージ１を駆動することにより、基板Ｗの上のインプリント材ＲとモールドＭとを接触させてもよいし、モールド保持部５０と基板ステージ１の双方を駆動させてもよい。 By moving the mold M by the mold holding unit 50, the imprint material R on the substrate W and the mold M are brought into contact with each other to perform imprint processing for forming a pattern of the imprint material R. FIG. In this specification, the imprinting process refers to bringing the imprinting material R on the substrate W into contact with the mold M, curing the imprinting material R in the contact state, and separating the imprinting material R and the mold M. Including the step of tearing off. In the imprinting process, the imprint material R on the substrate W may be brought into contact with the mold M by driving the substrate stage 1, or both the mold holder 50 and the substrate stage 1 may be driven. may

制御部６０は、インプリント装置１００の各構成要素の動作（調整）を制御することができる。また、制御部６０は、後述する供給機構２００等を制御する。制御部６０は、例えばコンピュータなどを含み、インプリント装置１００の各構成要素に回線を介して接続され、不図示のメモリに記憶されたコンピュータプログラムにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。なお、制御部６０は、インプリント装置１００と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１００の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。また、供給機構２００に別体の制御部を設けてもよい。 The control unit 60 can control the operation (adjustment) of each component of the imprint apparatus 100 . The control unit 60 also controls a supply mechanism 200 and the like, which will be described later. The control unit 60 includes, for example, a computer, is connected to each component of the imprint apparatus 100 via a line, and can control each component according to a computer program stored in a memory (not shown). Note that the control unit 60 may be configured integrally with the imprint apparatus 100 (within a common housing), or may be configured separately from other parts of the imprint apparatus 100 (within a separate housing). may Also, the supply mechanism 200 may be provided with a separate controller.

供給機構２００は、基板Ｗにインプリント材Ｒなどの組成物を供給する装置であり、具体的には、基板Ｗの上に、硬化前のインプリント材Ｒを吐出する。供給機構２００は、インプリント材Ｒを吐出する吐出部２０１と吐出部２０１を複数位置に駆動させる吐出駆動部２０２を備える。 The supply mechanism 200 is a device that supplies a composition such as the imprint material R to the substrate W, and more specifically, ejects the imprint material R onto the substrate W before curing. The supply mechanism 200 includes an ejection unit 201 that ejects the imprint material R and an ejection driving unit 202 that drives the ejection unit 201 to a plurality of positions.

図２は実施例１の基板ステージの詳細を示した図であり、図２（Ａ）はｚ軸上方から見た平面図、図２（Ｂ）は基板ステージのＹ方向に直交する断面概略図である。ステージ定盤２上を基板ステージ１が駆動可能であり、ステージ定盤２に対向する天井部３はモールド保持部５０やその周辺部を含むが簡略化のために図２においてモールド保持部５０は示していない。
ステージ定盤２、天井部３、側壁４に囲まれて、図２（Ｂ）で示されるようなインプリント空間５が形成される。なお、天井部３にモールド保持部５０をｚ軸方向に進退するための穴や凹部が設けられていても良い。天井部３、側壁４はエアロパーツのような板状部材であってもよく、ユニットを支持する支持構造体であってもよい。
吹き出し部６はインプリント空間への吹き出し部であり、パーティクルフィルタ（不図示）により、パーティクルが除去されたエアが吹き出される。 2A and 2B are diagrams showing the details of the substrate stage of Example 1. FIG. 2A is a plan view seen from above the z-axis, and FIG. 2B is a schematic sectional view of the substrate stage perpendicular to the Y direction. is. The substrate stage 1 can be driven on the stage surface plate 2, and the ceiling portion 3 facing the stage surface plate 2 includes the mold holding portion 50 and its peripheral portion. not shown.
An imprint space 5 is formed as shown in FIG. Note that the ceiling portion 3 may be provided with a hole or recess for advancing and retracting the mold holding portion 50 in the z-axis direction. The ceiling part 3 and the side walls 4 may be plate-shaped members such as aeroparts, or may be support structures that support the units.
The blowout part 6 is a blowout part to the imprint space, and air from which particles are removed by a particle filter (not shown) is blown out.

空間排気部７はインプリント空間からエアを排気するための排気口であり、吹き出し部と対抗した位置に配置されている。インプリント装置１００は、装置内でエアを循環させる循環システムを備えている。つまり、空間排気部７から排気されたエアは、温調器とパーティクルフィルタを介して、吹き出し部６から供給される。
基板ステージ１はガイド１０に沿ってＹ方向に移動可能であるとともに、基板ステージとガイド１０とは不図示のＸ方向ガイドによってＸ方向にも移動可能になっている。また、基板ステージ１の底面にはエアベアリング用のパッド１４が配置される。
The space exhaust section 7 is an exhaust port for exhausting air from the imprint space, and is arranged at a position facing the blowout section. The imprint apparatus 100 includes a circulation system that circulates air within the apparatus. That is, the air exhausted from the space exhaust section 7 is supplied from the blowing section 6 via the temperature controller and the particle filter.
The substrate stage 1 is movable in the Y direction along the guide 10, and the substrate stage and the guide 10 are also movable in the X direction by an X direction guide (not shown). Also, an air bearing pad 14 is arranged on the bottom surface of the substrate stage 1 .

図２（Ａ）では、パッド１４は４つ配置される。なお、図２（Ｂ）においてはパッド１４の図示が省略されている。パッド１４は、定盤２の上面に向けて高圧エアを供給することで、基板ステージ１を浮上させる。基板ステージ１を浮上させることで、振動や摩擦による位置決め精度の低下を緩和することができる。また、基板ステージ１の底面には、剛性をもたせるために、基板ステージ１と定盤２との間に互いに引き付けあう予圧力を与える機構を設けてもよい。
定盤エア射出部８と天井エア射出部９は基板ステージ１の外周部（４つの側面）にそれぞれ配置されており、ステージ駆動方向に沿ってそれぞれ配置される。定盤エア射出部８と天井エア射出部９は、それぞれステージ定盤２周辺および天井部３周辺に向けてエアを射出するように配置されている。ここで射出部とは射出口を意味する。 In FIG. 2A, four pads 14 are arranged. Note that the illustration of the pad 14 is omitted in FIG. 2(B). The pad 14 floats the substrate stage 1 by supplying high-pressure air toward the upper surface of the surface plate 2 . By levitating the substrate stage 1, it is possible to mitigate deterioration in positioning accuracy due to vibration and friction. Further, in order to give rigidity to the bottom surface of the substrate stage 1, a mechanism may be provided to apply a preload force to attract the substrate stage 1 and the platen 2 to each other.
The platen air injection part 8 and the ceiling air injection part 9 are arranged on the outer peripheral portion (four side surfaces) of the substrate stage 1, and are arranged along the stage driving direction. The surface plate air injection part 8 and the ceiling air injection part 9 are arranged so as to inject air toward the periphery of the stage surface plate 2 and the periphery of the ceiling part 3, respectively. Here, the ejection part means an ejection opening.

また、図には示していないが、エア射出部に対して空気を供給するパイプが設けられていることは言うまでもない。パイプは、インプリント装置１００が設置される工場のユーティリティに接続するための接続部を有することが好ましい。この場合、当該接続部を介して工場からエアが供給される。また、実施例では定盤エア射出部８と天井エア射出部９と両方が設けられているが、少なくとも一方のエア射出部を有するように構成すれば良い。 Although not shown in the figure, it goes without saying that a pipe for supplying air to the air injection portion is provided. The pipe preferably has connections for connecting to the utility of the factory where the imprint apparatus 100 is installed. In this case, air is supplied from the factory via the connection. Also, in the embodiment, both the platen air injection part 8 and the ceiling air injection part 9 are provided, but at least one air injection part may be provided.

定盤エア射出部８と天井エア射出部９より射出されるエアは、ステージ定盤２および天井部３に対して斜めの角度を持って射出されても良い。
１０は基板ステージ１を駆動する際のＹ方向のガイドであり、天井エア射出部９は、基板ステージ１を駆動するためのガイド１０より上部に配置され、定盤エア射出部８部は、基板ステージ１を駆動するためのガイド１０より下部に配置される。 The air ejected from the surface plate air ejection portion 8 and the ceiling air ejection portion 9 may be ejected at an oblique angle with respect to the stage surface plate 2 and the ceiling portion 3 .
Reference numeral 10 denotes a guide in the Y direction for driving the substrate stage 1. The ceiling air injection section 9 is arranged above the guide 10 for driving the substrate stage 1, and the surface plate air injection section 8 is located above the substrate stage 1. It is arranged below the guide 10 for driving the stage 1 .

これにより、ガイド１０に妨げられずに基板ステージの移動に伴ってエアを天井部３やステージ定盤２へ射出することができ、天井部３や基板Ｗ周辺に堆積／存在するパーティクル１１を剥離することができる。
定盤エア射出部８と天井エア射出部９より射出されるエアは、間欠的に射出可能にしても良いし、エアにイオンが含まれるようにしても良い。
次に、パーティクル除去方法について説明する。
図３は実施例１のパーティクル除去のフローチャートである。図３のシーケンスは、例えばインプリント空間へ人がアクセスするメンテナンス作業工程後であって、かつインプリント処理工程前に実施される。 As a result, the air can be ejected to the ceiling portion 3 and the stage surface plate 2 as the substrate stage moves without being hindered by the guide 10, and the particles 11 deposited/existing around the ceiling portion 3 and the substrate W can be peeled off. can do.
The air ejected from the surface plate air ejection part 8 and the ceiling air ejection part 9 may be ejected intermittently, or the air may contain ions.
Next, a particle removal method will be described.
FIG. 3 is a flow chart of particle removal according to the first embodiment. The sequence of FIG. 3 is performed, for example, after a maintenance work process in which a person accesses the imprint space and before an imprint processing process.

ステップＳ１において、基板ステージ１を移動させる際に、基板ステージ１を移動させる方向に配置された、定盤エア射出部８と天井エア射出部９よりエアを射出する。これにより、ステージ定盤２および天井部３に付着していたパーティクル１１をインプリント空間５へ剥離／離脱させる。ここで、基板ステージ１を移動させる方向に配置された、定盤エア射出部８と天井エア射出部９よりエアを射出するのは、エアの圧力を高め剥離／離脱を効率的に行うためである。しかし、基板ステージ１を移動させる方向以外の位置に配置された、定盤エア射出部８と天井エア射出部９からもエアを射出させても良い。様々な方向／角度からエアを吹き付けたほうが剥離／離脱しやすくなる効果もあるからである。 In step S1, when moving the substrate stage 1, air is ejected from the surface plate air ejection part 8 and the ceiling air ejection part 9 which are arranged in the direction in which the substrate stage 1 is moved. As a result, the particles 11 adhering to the stage platen 2 and the ceiling portion 3 are peeled/detached to the imprint space 5 . Here, the reason why air is injected from the surface plate air injection unit 8 and the ceiling air injection unit 9, which are arranged in the direction in which the substrate stage 1 is moved, is to increase the air pressure and efficiently perform separation/detachment. be. However, air may also be ejected from the surface plate air ejection part 8 and the ceiling air ejection part 9 which are arranged at positions other than the direction in which the substrate stage 1 is moved. This is because blowing air from various directions/angles also has the effect of facilitating separation/detachment.

ステップＳ２において、定盤エア射出部８と天井エア射出部９をＯＦＦしてから、ステップＳ３において、空調の吹き出し部６よりエアを吹き出す。これによりＳ２において剥離／離脱させたパーティクル１１を移動させ、空調の空間排気部７によりパーティクル１１を排気させる。このようにすることによって、空調の吹き出しや排気が定盤エア射出部８と天井エア射出部９のエア射出によるエアの流れを妨げることがない。なお、定盤エア射出部８や天井エア射出部９の動作に伴って空調の吹き出しや排気を行えばパーティクルは除去できるので、両者の動作期間が一部重なっていても良い。 In step S2, the surface plate air injection section 8 and the ceiling air injection section 9 are turned off, and then in step S3, air is blown out from the blowout section 6 of the air conditioner. As a result, the particles 11 separated/separated in S2 are moved, and the particles 11 are exhausted by the space exhaust unit 7 of the air conditioning. By doing so, the flow of air from the surface plate air injection section 8 and the ceiling air injection section 9 is not hindered by air blowing or exhaust from the air conditioner. Particles can be removed by air-conditioning blowing and exhausting accompanying the operation of the platen air injection unit 8 and the ceiling air injection unit 9, so the operation periods of both may partially overlap.

ステップＳ４で、空調風速が不足している等、一度のエア射出では、パーティクル１１を除去しきれていないことが判別された場合はステップＳ１に戻り、繰り返しエア射出および空調エアによる吹き出しとパーティクル排気を実施する。
なお、ステップＳ４における判別は空間排気部７の内部あるいは近傍に配置された不図示のパーティクルセンサーによって空気中のパーティクルの数をカウントし、カウント数が所定値を下回ったか否か等によって判別を行う。なおパーティクルセンサーは、上述の配置に加えて、あるいは代わりに、インプリント空間の複数位置に配置されていてもよい。 In step S4, if it is determined that the particles 11 are not completely removed by one injection of air, for example, because the air-conditioning wind speed is insufficient, the process returns to step S1, and repeats the air injection, the blow-out by the air-conditioning air, and the particle exhaustion. to implement.
In step S4, the number of particles in the air is counted by a particle sensor (not shown) arranged inside or near the space exhaust section 7, and the determination is made based on whether or not the counted number is below a predetermined value. . Note that the particle sensors may be arranged at multiple positions in the imprint space in addition to or instead of the arrangement described above.

またステップＳ４における判別は、基板ステージ１を移動させる方向に配置されたパーティクルセンサーの測定結果により判断する。なお、ステップＳ１～Ｓ３の繰り返し回数等に応じて、エア射出量や空調エアによる吹き出しエアの量や排気エアの量の少なくとも１つを可変制御しても良い。例えば繰り返し回数が増えるほどエア射出量や空調エアによる吹き出し量や排気量を減らすように制御しても良い。また、空調エアによる吹き出しエアの量や排気エアの量はパーティクル除去の際には通常の空調時よりも増やすようにすることが望ましい。 Further, the determination in step S4 is made based on the measurement result of the particle sensor arranged in the direction in which the substrate stage 1 is moved. At least one of the amount of air injection, the amount of air blown by conditioned air, and the amount of exhaust air may be variably controlled according to the number of repetitions of steps S1 to S3. For example, control may be performed such that as the number of repetitions increases, the amount of air injection, the amount of conditioned air blown out, or the amount of exhaust air is reduced. In addition, it is desirable to increase the amount of blown air and the amount of exhaust air during particle removal compared to normal air conditioning.

ステップＳ４で基板ステージ１を移動させる方向のパーティクル１１が除去されたと判別された場合には、ステップＳ５で、ステージ定盤２上のクリーニング済のエリアへ基板ステージ１を移動させる。基板ステージの移動前にパーティクル除去をしているので基板ステージとステージ定盤の間にパーティクルが挟まれないようになる。その後、ステップＳ６でインプリント空間５の全域のクリーニングが完了したか否かを判別し、Ｎｏの場合にはステップＳ１に戻って、パーティクル１１が除去されていないエリアのパーティクル除去を実施する。これらの工程をステップＳ６でＹｅｓとなるまで、インプリント空間５全域にて実施する。このように基板ステージの移動に伴ってエア射出を行っているので、局所的な強いエア射出を全域にわたってむらなく効率的に行うことができる。また、基板ステージの移動期間外にパーティクル除去をしているので基板ステージとステージ定盤の間にパーティクルが挟まれない。 If it is determined in step S4 that the particles 11 in the direction to move the substrate stage 1 have been removed, the substrate stage 1 is moved to the cleaned area on the stage platen 2 in step S5. Since particles are removed before the substrate stage is moved, particles are prevented from being caught between the substrate stage and the stage surface plate. After that, in step S6, it is determined whether or not the cleaning of the entire imprint space 5 has been completed. If No, the process returns to step S1 to remove particles from the area where the particles 11 have not been removed. These steps are performed in the entire imprint space 5 until Yes in step S6. Since the air is ejected in accordance with the movement of the substrate stage in this manner, local strong air ejection can be performed uniformly and efficiently over the entire area. In addition, since particles are removed outside the movement period of the substrate stage, particles are not caught between the substrate stage and the stage surface plate.

本実施例では、定盤エア射出部８と天井エア射出部９（の少なく一方）が基板ステージ１に配置されている。従って、基板ステージ１を移動させることによって、天井部３、ステージ定盤２および側壁４の全域のパーティクルをむらなく効率的に剥離／離脱させることができる。また、吹き出し部６より吹き出されたインプリント空間５の空調により空間排気部７へ排気することができる。 In this embodiment, (at least one of) the surface plate air injection unit 8 and the ceiling air injection unit 9 are arranged on the substrate stage 1 . Therefore, by moving the substrate stage 1, the particles on the ceiling portion 3, the stage platen 2, and the side walls 4 can be evenly and efficiently peeled/separated. Further, the imprint space 5 blown out from the blowing part 6 can be air-conditioned and exhausted to the space exhaust part 7 .

次に、一般的なパーティクルの挙動と付着したパーティクルを離脱させるために必要なエア流速について説明する。
一般的にパーティクルは大きさによって挙動が変わる。
図４はパーティクルが球体であった場合の静止空気中におけるパーティクルサイズ（μｍ）と１ｍ落下するまでの時間（秒）の関係を示す図である。（インテクノスジャパンＨＰ概要より引用。） Next, the general behavior of particles and the air flow velocity required to detach adhered particles will be described.
In general, particles behave differently depending on their size.
FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the particle size (μm) in still air and the time (seconds) required for the particle to fall 1 m when the particle is a sphere. (Quoted from Intechnos Japan HP overview.)

パーティクルサイズが小さいと落下までの時間が長く、気流にのって漂いやすい。パーティクルの大きさが大きいと時間が経つにつれて落下し、堆積する傾向にある。
図５は重力とファンデルワールス力とパーティクルサイズの依存性の例を示す図である。（基礎粉体工学日刊工業新聞社刊Ｐ４より引用。）
パーティクルサイズが小さい場合、ファンデルワールス力が重力より上回り、落下せずに天井や壁面に付着／堆積したままとなる。
ここで天井や壁面に付着したパーティクルを剥離／離脱させる場合に必要な流速ｖ_１について説明する。
天井面や壁面等に付着したパーティクルを剥離／離脱させるためには、以下の数１の式を満たす必要である。 If the particle size is small, it takes a long time to fall, and it is easy to drift with the air current. Particles of large size tend to fall and accumulate over time.
FIG. 5 is a diagram showing an example of the dependence of gravity, van der Waals force, and particle size. (Quoted from Basic Powder Engineering, Nikkan Kogyo Shimbun, P4.)
If the particle size is small, the Van der Waals force will overcome the gravitational force, and the particle will remain attached/deposited on the ceiling or wall without falling.
Here, the flow velocity _v1 required for peeling off/separating particles adhering to the ceiling or wall surface will be described.
In order to separate/separate the particles adhering to the ceiling surface, the wall surface, etc., it is necessary to satisfy the following equation (1).

Ｆ_ｖｗ：ファンデルワールス力（Ｎ）
Ｆ_１：天井や壁面に付着したパーティクルを離脱させる力（Ｎ）
エアにより剥離／離脱させる場合、Ｆ_１は気流の動圧によって求められるため以下の数２で表される。

F _vw : Van der Waals force (N)
F ₁ : Force (N) to remove particles adhering to the ceiling and walls
In the case of separation/detachment by air, _F1 is obtained by the dynamic pressure of the airflow and is represented by Equation 2 below.

ρ ：空気密度（ｋｇ／ｍ^３）
ｖ_１：エア流速（ｍ／ｓ）
Ａ：パーティクル面積（ｍ^２）
数１、数２より離脱させたいパーティクルサイズに応じて、必要な流速ｖ_１が数３により求まる。

ρ : Air density (kg/m ³ )
v ₁ : Air velocity (m/s)
A: Particle area (m ² )
From

Equations

1 and 2, the necessary flow velocity _v1 can be obtained from Equation 3 according to the size of the particles to be released.

次にステージ定盤に堆積したパーティクルを離脱させる場合の必要な流速ｖ_２について説明する。
ステージ定盤に堆積したパーティクルを離脱させるためには、以下の数４を満たすことが必要である。堆積しているため重力項が追加される。

Next, the necessary flow velocity _v2 for removing particles deposited on the stage surface plate will be described.
In order to detach the particles deposited on the stage surface plate, it is necessary to satisfy Equation 4 below. A gravitational term is added due to sedimentation.

Ｆ_ｖｗ：ファンデルワールス力（Ｎ）
Ｆ_２：ステージ定盤に堆積したパーティクルを離脱させる力（Ｎ）
ｍ：パーティクル重量（ｋｇ）
ｇ：重力加速度（ｍ／ｓ^２）
エアにより離脱させる場合Ｆ_２は、Ｆ_１と同様に気流の動圧によって求められるため、以下の数５で表される。

F _vw : Van der Waals force (N)
F ₂ : Force (N) to release particles deposited on the stage surface plate
m: Particle weight (kg)
g: gravitational acceleration (m/s ² )
In the case of detachment by air, _F2 is obtained by the dynamic pressure of the airflow as well as _F1 , so it is expressed by the following Equation 5.

ρ：空気密度（ｋｇ／ｍ^３）
ｖ_２：エア流速（ｍ／ｓ）
Ａ：パーティクル面積（ｍ^２）
数４、数５より、離脱させたいパーティクルサイズに応じて、必要な流速ｖ_２が数６により求まる。

ρ: Air density (kg/m ³ )
_v2 : Air velocity (m/s)
A: Particle area (m ² )
From

Equations

4 and 5, the required flow velocity _v2 can be obtained from Equation 6 according to the size of the particles to be released.

離脱させたいパーティクルのファンデルワールス力や重量、大きさが明らかな場合は、前記数３、数６より求めた流速ｖ_１、流速ｖ_２より速い流速を吹き付けることでパーティクルの離脱が可能である。
ここで、図５の重力とファンデルワールス力のパーティクルサイズ依存性の例を用いて
ｖ_２を求める。

If the Van der Waals force, weight, and size of the particles to be detached are known, the particles can be detached by spraying at a flow velocity faster than the flow velocity _v1 and _v2 obtained from

Equations

3 and 6 above. .
Here, _v2 is obtained using the example of particle size dependence of gravity and van der Waals force in FIG.

例えば、パーティクルサイズ５７０μｍの場合
Ｆ_ｖｗ：２．９×１０^－６（Ｎ）
ｍ：２．９×１０^－７（ｋｇ）
ｇ：９．８（ｍ／ｓ^２）
ρ：１．１７（ｋｇ／ｍ^３）
Ａ：２．６×１０^－７（ｍ^２）
ｖ_２＝６．２（ｍ／ｓ）
少なくとも、６．２（ｍ／ｓ）以上の風速が必要であり、安全をみて２倍～３倍程度の風速で吹き付けることが望ましい。 For example, when the particle size is 570 μm F _vw : 2.9×10 ⁻⁶ (N)
m: 2.9×10 ^-7 (kg)
g: 9.8 (m/ ^s2 )
ρ: 1.17 (kg/m ³ )
A: 2.6×10 ⁻⁷ (m ² )
_v2 = 6.2 (m/s)
A wind speed of at least 6.2 (m/s) or more is required, and it is desirable to blow at a wind speed of about 2 to 3 times for safety.

次に、天井、側壁、ステージ定盤より離脱させたパーティクルをインプリント空間の空調によって、排気部へ排気するためには、再び床へ到達するよりも早い風速ｖ_０で排気部へ運ばれる必要がある。
従ってパーティクルを排気部へ移動させるときに、空調の風速ｖ_０を上げても良い。
以上のように本実施例によれば、基板ステージにエア射出部を配置し、基板ステージの移動に伴ってエアを天井部及びステージ定盤の少なくとも一方に対して射出するように構成している。従って、局所的に強いエア圧力を加えることができるとともに、インプリント空間内に堆積／存在するパーティクルを隅々まで、むらなく、効率よく剥離／離脱させることができる。 Next, in order for the particles separated from the ceiling, side walls, and stage surface plate to be exhausted to the exhaust section by the air conditioning of the imprint space, they must be transported to the exhaust section at an air velocity v ₀ faster than the particles reaching the floor again. There is
Therefore, the wind speed _v0 of the air conditioner may be increased when moving the particles to the exhaust section.
As described above, according to this embodiment, the substrate stage is provided with an air injection section, and is configured to inject air into at least one of the ceiling section and the stage surface plate as the substrate stage moves. . Therefore, strong air pressure can be locally applied, and particles deposited/existing in the imprint space can be evenly and efficiently peeled off/separated from every corner.

典型的には、吹き出し部６は循環システムに接続され、循環システムはパーティクルフィルタを有する。パーティクルフィルタは、要求される性能を満たすためにエアの流速が制限されるため、吹き出し部６から大流量の高速エアを流すことには制約がある。本実施例によれば、吹き出し部６とは別のエア射出部を利用しているため、空調のパーティクル性能を維持しつつ、パーティクルを効率的に除去することができる。
＜実施例２＞ Typically, the blowout section 6 is connected to a circulation system, which has a particle filter. Since the particle filter restricts the air flow velocity in order to satisfy the required performance, there are restrictions on the flow of a large amount of high-speed air from the blowing part 6 . According to the present embodiment, since an air injection section other than the blowing section 6 is used, particles can be efficiently removed while maintaining the particle performance of air conditioning.
<Example 2>

図６は実施例２のリソグラフィー装置としてのインプリント装置を示した図である。本実施例のインプリント装置は、図６に示すように基板ステージ１にエアを排気するための排気機構として、定盤エア排気部１２と天井エア排気部１３を配置した例である。こうすることにより、定盤エア射出部８と天井エア射出部９より射出されたエアにより離脱されたパーティクルを、より早く定盤エア排気部１２と天井エア排気部１３で排気することができ、パーティクルの飛散を減らし、回収効率を向上させることができる。 FIG. 6 is a diagram showing an imprint apparatus as a lithography apparatus of Example 2. FIG. The imprint apparatus of the present embodiment is an example in which a surface plate air exhaust section 12 and a ceiling air exhaust section 13 are arranged as an exhaust mechanism for exhausting air to the substrate stage 1, as shown in FIG. By doing so, the particles released by the air ejected from the surface plate air ejection part 8 and the ceiling air ejection part 9 can be discharged more quickly by the surface plate air exhaust part 12 and the ceiling air exhaust part 13. It is possible to reduce scattering of particles and improve collection efficiency.

図６では、エア射出部を挟むように上下に排気部を構成しているが、上部または下部の片側のみ配置しても良い。ここで排気部とは排気口を意味する。また、図には示していないが、排気部から排気される空気を導くためのパイプが設けられていることは言うまでもない。また、定盤エア排気部１２と天井エア排気部１３の一方だけを基板ステージに配置しても良い。
＜物品の製造方法に係る実施形態＞ In FIG. 6, the air outlets are arranged above and below so as to sandwich the air injection part, but they may be arranged only on one side of the upper part or the lower part. Here, the exhaust section means an exhaust port. Further, although not shown in the figure, it goes without saying that a pipe for guiding the air discharged from the exhaust section is provided. Alternatively, only one of the platen air exhaust section 12 and the ceiling air exhaust section 13 may be arranged on the substrate stage.
<Embodiment according to method for manufacturing article>

次に、前述のモールドＭを利用した物品（半導体ＩＣ素子、液晶表示素子、ＭＥＭＳ等）の製造方法を説明する。物品は、前述のモールドＭとインプリント材Ｒが塗布された基板Ｗを接触／押印する工程と離型することによってパターンを形成するパターン形成工程を有し、基板の上にパターンを形成する。その後、前記パターンをエッチングするための後処理の工程（接触／押印された基板から物品を製造する工程）を実行することにより製造される。 Next, a method of manufacturing an article (semiconductor IC element, liquid crystal display element, MEMS, etc.) using the mold M will be described. The article has a pattern forming step of forming a pattern by contacting/impressing the mold M and the substrate W coated with the imprint material R, and releasing the mold, thereby forming the pattern on the substrate. After that, it is manufactured by carrying out a post-processing step for etching said pattern (manufacturing an article from the contacted/imprinted substrate).

前記後処理の工程には、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等が含まれる。また、リソグラフィー装置が感光剤を感光させるタイプである場合には、現像工程を有していてもよい。
本発明を用いた物品製造方法によれば、パーティクルの除去率を高めることができる。従って、モールドが破損したり、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じたりする問題を減らすことができ、歩留まりが向上し従来よりも高品位の物品を製造することができる。
以上、本発明をその好適な実施例に基づいて詳述してきたが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の主旨に基づき種々の変形が可能であり、それらを本発明の範囲から除外するものではない。 The post-treatment process includes resist stripping, dicing, bonding, packaging, and the like. Also, if the lithographic apparatus is of the type that exposes a photosensitive agent, it may have a developing step.
According to the article manufacturing method using the present invention, the particle removal rate can be increased. Therefore, problems such as damage to the mold and defects in the pattern formed on the substrate can be reduced, and the yield can be improved, making it possible to manufacture higher quality articles than ever before.
Although the present invention has been described in detail based on its preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible based on the gist of the present invention. They are not excluded from the scope of the invention.

Ｗ基板
１基板ステージ
２ステージ定盤
３天井
４側壁
５インプリント空間
６吹き出し部
７空間排気部
８定盤エア射出部
９天井エア射出部
１０ガイド
１１パーティクル
１２定盤エア排気部
１３天井エア排気部 W Substrate 1 Substrate stage 2 Stage surface plate 3 Ceiling 4 Side wall 5 Imprint space 6 Blowout unit 7 Space exhaust unit 8 Surface plate air injection unit 9 Ceiling air injection unit 10 Guide 11 Particle 12 Surface plate air exhaust unit 13 Ceiling air exhaust unit

Claims

A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, comprising:
a substrate stage capable of holding the substrate and moving on a stage surface plate;
the stage surface plate, a ceiling portion facing the stage surface plate, a blowing portion for blowing air to a space surrounded by side walls,
an exhaust unit that exhausts air from the space;
an air injection unit provided on the substrate stage for injecting air toward at least one of the stage surface plate and the ceiling;
a sensor that measures a foreign object in the space;
In a state where the substrate stage is at the first position, based on the measurement result by the sensor performed after the air injection unit has injected the air, the air injection is performed again while the substrate stage is stopped at the first position. a control unit for executing either one of injecting air from an injection unit or moving the substrate stage to a second position different from the first position and injecting air from the air injection unit; ,
A lithographic apparatus comprising:

2. A lithography apparatus according to claim 1, wherein said air injection section is arranged in an outer peripheral portion of said substrate stage.

3. The lithography apparatus according to claim 2, wherein the air injection section is arranged on a side surface of the outer peripheral portion of the substrate stage.

4. The lithography apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein an air bearing pad is arranged on the bottom surface of the substrate stage .

2. The lithography apparatus according to claim 1, further comprising an imprinting mechanism that performs imprinting by bringing a mold and an imprinting material on a substrate into contact with each other.

6. A lithographic apparatus according to claim 5, wherein said ceiling portion includes a peripheral portion of a holding portion that holds said mold.

2. The apparatus according to claim 1, wherein said air injection section has a ceiling air injection section for injecting air toward said ceiling section, and a surface plate air injection section for injecting air toward said stage surface plate. lithography equipment.

2. A lithography apparatus according to claim 1, wherein said air injection section injects air at an angle inclined with respect to at least one of the surface of said stage surface plate and the surface of said ceiling section.

A lithography apparatus according to claim 1, wherein said air injection unit can intermittently inject air.

2. A lithography apparatus according to claim 1, wherein the air ejected from said air ejection unit contains ions.

2. A lithography apparatus according to claim 1, wherein said substrate stage is provided with an exhaust mechanism for exhausting air.

2. A lithography apparatus according to claim 1, further comprising air conditioning means for variably controlling at least one of an amount of air blown from said blowing section and an amount of air exhausted from said exhaust section.

a substrate stage capable of holding the substrate and moving on the stage surface plate;
the stage surface plate, a ceiling portion facing the stage surface plate, a blowing portion for blowing air to a space surrounded by side walls,
an exhaust unit that exhausts air from the space;
an air injection unit provided on the substrate stage for injecting air toward at least one of the stage surface plate and the ceiling;
a sensor for measuring foreign matter in the space, and a cleaning method for a lithographic apparatus, comprising:
a determination step of measuring with the sensor after the air ejection unit ejects air in a state where the substrate stage is at the first position;
Depending on the determination result of the determination step,
a moving step of moving the substrate stage to a second position different from the first position on the stage surface plate;
a cleaning method for a lithography apparatus, comprising performing either one of an air injection step of injecting air from the air injection unit again while the substrate stage is stopped at the first position .

14. The cleaning method according to claim 13 , further comprising a control step of driving the blowout portion and the exhaust portion as the air is ejected by the air ejection step.

a patterning step of forming a pattern on the substrate using the lithographic apparatus of claim 1;
and an etching step of etching the substrate on which the pattern is formed.