JP7288933B2

JP7288933B2 - 配線基板

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Publication number: JP7288933B2
Application number: JP2021117573A
Authority: JP
Inventors: 洋介井本; 達也長谷川; 豊外山; 紀彦河合
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2020-07-21
Filing date: 2021-07-16
Publication date: 2023-06-08
Anticipated expiration: 2041-07-16
Also published as: JP2022021324A

Description

本発明は、配線基板に関する。

半導体発光素子を備える発光装置に使用される配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された配線基板では、放熱体の周囲に基体が設けられており、基体の側面に形成された突部によって、基体と放熱体との位置ずれや接触干渉によるクラックを抑制している。

特開２００８－２１８６７８号公報

特許文献１に記載された配線基板は、配線基板に実装される部品の温度上昇時に、放熱体を介して温度を逃がす構造を有している。なお、配線基板における放熱体は伝熱部とも呼ばれ、基体は枠部とも呼ばれる。このような配線基板では、放熱体（伝熱部）の表裏面にバリ等の凹凸がある場合に、基体（枠部）と放熱体（伝熱部）との接合不良が生じる虞がある。このような接合不良は、リークや、配線基板を載置した際の傾きの発生、放熱体（伝熱部）による放熱効率の低下、及びメッキ不良に繋がるため、好ましくない。この点、特許文献１には、放熱体（伝熱部）の表裏面の凹凸に起因した接合不良を抑制することについては、何ら考慮されていない。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、枠部と伝熱部との接合不良を抑制し、配線基板の性能を向上させることを目的とする。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現できる。

（１）本発明の一形態によれば、金属を主成分とし、上面と、前記上面の反対側に位置する下面と、側面と、前記上面と前記側面とを繋ぐ第１角部と、前記下面と前記側面とを繋ぐ第２角部と、を有する伝熱部と、セラミックを主成分とし、接合部を介して前記伝熱部に接合される枠部であって、前記上面に対向する第１面と、前記側面に対向する第２面と、を有する枠部と、を備え、前記伝熱部の前記側面と、前記接合部の表面と、前記枠部の前記第２面との間に間隙が形成される配線基板が提供される。この配線基板は、前記間隙に面した前記伝熱部の前記側面と、前記接合部の前記表面とがそれぞれメッキされており、前記第１角部および前記第２角部は、Ｒ面取りまたはＣ面取りされており、前記伝熱部は、前記第１角部のうち、前記第１面と対向する部分の外側の端部よりも前記上面側の全面において、前記接合部に接触している。

この構成によれば、第１角部および第２角部は、Ｒ面取り又はＣ面取りされているため、伝熱部の加工時に発生するバリが除去されている。このため、バリが残存している場合と比較して、伝熱部と枠部とを確実に接合することができ、枠部と伝熱部との接合不良を抑制できる。この結果、接合不良に起因した、リークの発生や、配線基板を載置した際の傾きの発生、及び伝熱部による放熱効率の低下を抑制できる。また、伝熱部は、第１角部のうち、第１面と対向する部分の外側の端部よりも上面側の全面において、接合部に接触している。これにより、製造時に間隙がメッキ液によってメッキされる場合に、間隙に面した伝熱部の側面と、接合部の表面と、枠部の第２面とにおいてメッキ液の拡散不足の発生が抑制されるため、本構成の配線基板に発生するメッキ剥がれを抑制できる。これらの結果、本構成の配線基板によれば、枠部と伝熱部との接合不良を抑制し、配線基板の性能を向上させることができる。

（２）上記形態の配線基板において、前記間隙に面した前記伝熱部の前記側面と、前記接合部の前記表面とに加えてさらに、前記枠部の前記第２面がメッキされていてもよい。
この構成によれば、枠部の第２面までメッキが延在しているため、枠部の第２面までメッキが延在しない構成と比較して、メッキ液の拡散不足の発生を抑制できると共に、配線基板に発生するメッキ剥がれを抑制できる。

（３）上記形態の配線基板において、前記第１角部のＲ面取りまたはＣ面取りは、前記第２角部のＲ面取りまたはＣ面取りよりも小さくてもよい。
本構成と異なり、第１角部にも大きなＲ面取り又はＣ面取りが形成されると、Ｒ面取り又はＣ面取りされた第１角部に接合部としての接合材が溜まるため、第１角部の一部が接合部に接触し、残りの一部が間隙に露出して、窪みが形成されるおそれがある。この状態で間隙がメッキ液で浸されると、特に窪みにおいて、メッキが薄い又は無メッキの部分が発生するおそれがある。それに対し、本構成によれば、第１角部のＲ面取りは、第２角部のＲ面取り又はＣ面取りよりも小さい。そのため、メッキ液の良好な拡散により、間隙を形成する伝熱部、枠部、および接合部の表面に、十分な厚さのメッキが形成される。また、第１角部が小さいことにより、接合部の接合材の量を制御しやすくなり、接合部と伝熱部との接合面を十分に形成できる。

（４）上記形態の配線基板において、前記伝熱部は、さらに、前記第１角部の全面と、前記側面の少なくとも一部とにおいて、前記接合部に接触していてもよい。
この構成によれば、接合部が伝熱部のより多くの表面に接触しているため、伝熱部と枠部との接合強度が向上する。

なお、本発明は、種々の態様で実現することが可能であり、例えば、配線基板、半導体パッケージ、高放熱パッケージ、半導体装置、配線基板の製造方法、半導体パッケージの製造方法、およびこれらを備えるシステム等の形態で実現することができる。

本発明の実施形態の配線基板の概略斜視図である。配線基板の説明図である。配線基板の説明図である。接合部により接合された伝熱部および枠部の説明図である。比較例１の配線基板の説明図である。比較例２の配線基板の説明図である。変形例２の配線基板の一部の拡大図である。変形例３の配線基板の一部の拡大図である。

＜実施形態＞
図１は、本発明の実施形態の配線基板１００の概略斜視図である。図１に示される配線基板１００は、半導体装置に用いられる基板である。配線基板１００には、発光ダイオードなどの半導体が載置される。載置された半導体は、図示されない電気配線によって配線基板１００の外部の制御装置と電気的に接続されており、発光が制御される。なお、半導体は、発光ダイオードに限定されず、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴやダイオードなどから構成されるパワーデバイスであってもよいし、他の機能を有する半導体を含んでもよい。

図１に示されるように、配線基板１００は、略直方体の形状を有する。配線基板１００の長手方向に平行な軸をＸ軸、短手方向に平行かつＸ軸に直交する軸をＹ軸と定義して、Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸（配線基板１００の厚さ方向に平行な軸）で構成される直交座標系は、図２以降に示される直交座標系と対応している。本実施形態の配線基板１００は、配線基板１００の重心を通り、かつ、Ｚ軸に平行な中心軸ＯＬを定義した場合に、中心軸ＯＬを通るＹＺ平面およびＺＸ平面を基準として対称的な形状を有する。

図２および図３は、配線基板１００の説明図である。図２に示される配線基板１００は、図１に示される配線基板１００の下面から見た斜視図である。図３には、図１におけるＡ－Ａ断面の配線基板１００についての概略図が示されている。図３に示されるように、配線基板１００は、中心側かつＺ軸負方向側に配置された伝熱部３０と、接合部４０を介して伝熱部３０に接合される枠部２０と、を備えている。伝熱部３０は、金属であるＣｕを主成分として形成されている。枠部２０は、セラミックとしてのアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を主成分として形成されている。接合部４０は、Ａｇで形成された銀ろうの接合材である。

図４は、接合部４０により接合された伝熱部３０および枠部２０の説明図である。図４には、図３におけるＸ１部の拡大図が示されている。図４に示されるように、伝熱部３０は、Ｚ軸正方向側の面である上面３０Ｔと、上面３０Ｔの反対側に位置する下面３０Ｕと、中心軸ＯＬを中心として外側に位置する側面３０Ｓと、上面３０Ｔと側面３０Ｓとを繋ぐ第１角部ＣＲ１と、下面３０Ｕと側面３０Ｓとを繋ぐ第２角部ＣＲ２と、を備えている。

本実施形態では、上面３０Ｔおよび下面３０Ｕは、ＸＹ平面に平行な面である。側面３０Ｓは、上面３０Ｔの延長した面に対して直交する平面である。第１角部ＣＲ１は、上面３０Ｔを延長した面と、側面３０Ｓを延長した面とが交わる角がＲ加工された部分（Ｒ面取り）である。第２角部ＣＲ２は、下面３０Ｕを延長した面と、側面３０Ｓを延長した面とが交わる角がＲ加工された部分である。本実施形態では、第１角部ＣＲ１のＲ面取りの半径が５０μｍであり、第２角部ＣＲ２のＲ面取りの半径が１５０μｍである。そのため、本実施形態では、第１角部ＣＲ１のＲ面取りは、第２角部ＣＲ２のＲ面取りよりも小さい。

枠部２０は、図３および図４に示されるように、伝熱部３０の側面３０Ｓを囲う外周部２１と、外周部２１から中心軸ＯＬ側に突出している平板部２２と、を備えている。すなわち、図３に示されるように、外周部２１は、略直方体に対して、中心軸ＯＬに沿う空洞が形成された形状である。平板部２２は、外周部２１の内側に形成されたフランジ状の形状を有する。図４に示されるように、平板部２２は、Ｚ軸負方向側の面に形成されたメタライズ層２２Ｍを有している。メタライズ層２２Ｍは、Ｚ軸負方向側の面にタングステンがメタライズされた後に、Ｎｉメッキが施された層である。

図４に示されるように、枠部２０のメタライズ層２２ＭのＺ軸負方向側の下面（第１面）２２ＭＵは、伝熱部３０の上面３０Ｔの一部及び第１角部ＣＲ１に対向している。また、枠部２０の外周部２１は、伝熱部３０の側面３０Ｓに対向する内周面（第２面）２１Ｓを有している。

本実施形態の接合部４０は、枠部２０の下面２２ＭＵと、伝熱部３０における上面３０Ｔと、第１角部ＣＲ１の全面および側面３０Ｓの少なくとも一部に接触して、枠部２０と伝熱部３０とを接合している。第１角部ＣＲ１がＲ面取りであるため、伝熱部３０は、第１角部ＣＲ１のうち、枠部２０の下面２２ＭＵと対向する部分の外側の端部ＲＥよりも上面３０Ｔ側の全面において、接合部４０に接触しているともいえる。なお、外側の端部ＲＥは、第１角部ＣＲ１と側面３０Ｓとを繋ぐ境界である。

伝熱部３０と、枠部２０と、接合部４０との位置関係から、図４に示されるように、伝熱部３０の側面３０Ｓと、接合部４０の表面４０Ｆと、枠部２０の内周面２１Ｓとの間に間隙ＧＰが形成される。配線基板１００の製造工程では、接合部４０による伝熱部３０と枠部２０との接合後に、間隙ＧＰがメッキ液に浸される。これにより、間隙ＧＰに面した伝熱部３０の側面３０Ｓと、接合部４０の表面４０Ｆと、枠部２０の内周面２１Ｓとがそれぞれメッキされる。本実施形態のメッキは、電気メッキ法により施される。メッキにより形成される金属層は、Ｎｉ（ニッケル）やＡｕ（金）からなる。本実施形態では、約０．５～１０μｍの厚さのＮｉメッキが被覆された後に、約０．１～３μｍの厚さのＡｕメッキが被覆される。メッキ中は、メッキ液が撹拌される又は被メッキ物である配線基板１００が揺動・摺動され、メッキ面に新しいメッキ液が供給されるようにすることが好ましい。複数のメッキ液で金属層を形成する場合に、メッキ液を変更する際には、メッキ面が純水で洗浄される。

以上説明したように、本実施形態の配線基板１００は、金属を主成分として形成された伝熱部３０と、セラミックを主成分として接合部４０を介して伝熱部３０に接合される枠部２０と、を備えている。図４に示されるように、第１角部ＣＲ１および第２角部ＣＲ２は、Ｒ面取りされている。そのため、本実施形態の第１角部ＣＲ１および第２角部ＣＲ２には、伝熱部３０の加工時に発生するバリが除去されている。これにより、バリが残存している場合と比較して、伝熱部３０と枠部２０とを確実に接合することができ、枠部２０と伝熱部３０との接合不良を抑制できる。この結果、接合不良に起因した、リークの発生や、配線基板１００を載置した際の傾きの発生、及び伝熱部３０による放熱効率の低下を抑制できる。さらに、伝熱部３０は、第１角部ＣＲ１のうち、枠部２０の下面２２ＭＵと対向する部分の外側の端部ＲＥよりも上面３０Ｔ側の全面において、接合部４０に接触している。これにより、製造時に間隙ＧＰがメッキ液によってメッキされる場合に、間隙ＧＰに面した伝熱部３０の側面３０Ｓと、接合部４０の表面と、枠部２０の内周面２１Ｓとにおいてメッキ液の拡散不足の発生が抑制されるため、配線基板１００に発生するメッキ剥がれを抑制できる。これらの結果、本実施形態の配線基板１００によれば、枠部２０と伝熱部３０との接合不良を抑制し、配線基板１００の性能を向上させることができる。

本実施形態と異なり、第１角部ＣＲ１にも大きなＲ面取りが形成されると、Ｒ面取りされた第１角部ＣＲ１に接合部４０としての接合材が溜まるため、第１角部ＣＲ１の一部が接合部４０に接触し、残りの一部が間隙ＧＰに露出して、窪みが形成されるおそれがある。この状態で間隙ＧＰがメッキ液で浸されると、特に窪みにおいて、メッキが薄い又は無メッキの部分が発生するおそれがある。それに対し、本実施形態の第１角部ＣＲ１のＲ面取りは、第２角部ＣＲ２のＲ面取りよりも小さい。そのため、メッキ液の良好な拡散により、間隙ＧＰを形成する伝熱部３０、枠部２０、および接合部４０の表面に十分な厚さのメッキが形成される。また、第１角部ＣＲ１が小さいことにより、接合部４０を構成する接合材の量を制御しやすくなり、接合部４０と伝熱部３０との接合面を十分に形成できる。なお、第１角部ＣＲ１の曲率半径は、０．３ｍｍ以下が好ましく、０．１ｍｍ以下であることがより好ましい。

また、本実施形態の伝熱部３０は、図４に示されるように、第１角部ＣＲ１の全面と、側面３０Ｓの少なくとも一部とにおいて、接合部４０に接触している。すなわち、接合部４０が伝熱部３０のより多くの表面に接触しているため、伝熱部３０と枠部２０との接合強度が向上する。

＜比較例１＞
図５は、比較例１の配線基板１００ｘの説明図である。図５には、本実施形態の配線基板１００の図４の拡大断面図に対応する、比較例１の配線基板１００ｘの拡大断面図が示されている。比較例１の配線基板１００ｘでは、本実施形態の配線基板１００と比較して、第１角部ＣＲ１ｘおよび第２角部ＣＲ２ｘの形状と、接合部４０ｘとが異なり、他の構成は同じである。

図５に示されるように、比較例１の第１角部ＣＲ１ｘは、実施形態の第１角部ＣＲ１（図４）よりも大きく、半径が１５０μｍのＲ面取りである。一方で、比較例１の第２角部ＣＲ２ｘは、実施形態の第２角部ＣＲ２よりも小さく、半径が５０μｍのＲ面取りである。そのため、比較例１の配線基板１００ｘでは、第１角部ＣＲ１ｘのＲ面取りは、第２角部ＣＲ２ｘのＲ面取りよりも小さい。

図５に示されるように、比較例１の接合部４０ｘは、枠部２０の下面２２ＭＵと、伝熱部３０ｘにおける上面３０Ｔｘおよび第１角部ＣＲ１ｘの一部とに接触して、枠部２０と伝熱部３０ｘとを接合している。換言すると、比較例１の伝熱部３０ｘは、上記実施形態の伝熱部３０と異なり、第１角部ＣＲ１ｘのうち、外側の端部ＲＥｘよりも上面３０Ｔｘ側の全面では接合部４０ｘに接触していない。その結果、図５に示されるように、接合部４０ｘと第１角部３０ＣＲｘとにより窪みＨＬが形成されている。

第１角部ＣＲ１ｘのＲ面取りの半径が大きいと、製造条件にもよるが、比較例１の配線基板１００ｘのように、第１角部ＣＲ１ｘの一部が接合部４０ｘに接触し、残りの一部が間隙ＧＰｘに露出しやすくなる。この場合、間隙ＧＰｘ内に窪みＨＬが形成される。窪みＨＬが形成されると、製造時に間隙ＧＰｘがメッキ液によってメッキされる場合に、特に窪みＨＬにおいて、メッキ液の拡散が十分に行われずに、間隙ＧＰｘを形成する表面に形成されるメッキが薄くなってしまうおそれがある。また、第１角部ＣＲ１ｘの面取りが大きいため、接合部４０ｘと伝熱部３０ｘとを接合させるための接合部４０ｘの接合剤の量を制御しづらい。

＜比較例２＞
図６は、比較例２の配線基板１００ｙの説明図である。図６には、図５と同じように、本実施形態の配線基板１００の図４の拡大断面図に対応する、比較例２の配線基板１００ｙの拡大断面図が示されている。比較例２の配線基板１００ｙでは、本実施形態の配線基板１００と比較して、第２角部ＣＲ２ｙの形状が異なり、他の構成は同じである。

図６に示されるように、比較例２の第２角部ＣＲ２ｙには、上記実施形態のようなＲ面取りがされておらず、バリが発生している。伝熱部３０をプレス加工により製造する場合、上面３０Ｔ側の第１角部ＣＲ１または下面３０Ｕｙ側の第２角部ＣＲ２ｙにバリが発生することが多い。そのため、比較例２のように、第２角部ＣＲ２ｙに発生しているバリが除去されていない状態で、配線基板１００ｙが平面に置かれると、平面に対して配線基板１００ｙが傾く場合がある。

＜本実施形態の変形例＞
本発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。

＜変形例１＞
上記実施形態の配線基板１００は、一例であって、配線基板１００の構成および形状などについては種々変形可能である。例えば、上記実施形態の伝熱部３０は、無酸素銅であるＣｕで形成されていたが、その他の金属によって形成されていてもよい。伝熱部３０は、８０ｗｔ％以上のＣｕを含んでいると好ましい。上記実施形態の枠部２０は、セラミックのアルミナで形成されていたが、アルミナ以外のセラミックで形成されていてもよい。例えば、枠部２０は、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ガラス－セラミック、ムライト、およびＢＮなどを主成分として含むセラミックで形成されていてもよい。上記実施形態の接合部４０は、銀ろう材の接合材であったが、その他の接合材により形成されていてもよい。接合部４０は、７０ｗｔ％以上のＡｇを含む金属で形成されていると好ましい。

上記実施形態の配線基板１００は、中心軸ＯＬを通るＹＺ平面およびＺＸ平面を中心として対称的な略直方体の形状を有していたが、下記３つの構成を備える範囲で、種々変形可能である。
・間隙ＧＰに面した伝熱部３０の側面３０Ｓと、接合部４０の表面４０Ｆとがそれぞれメッキされている。
・第１角部ＣＲ１および第２角部ＣＲ２が、Ｒ面取り又はＣ面取りされている。
・伝熱部３０が、第１角部ＣＲ１のうち、枠部２０の下面２２ＭＵに対向する部分の外側の端部ＲＥよりも上面３０Ｔ側の全面において、接合部４０に接触している。

第１角部ＣＲ１と第２角部ＣＲ２との少なくとも一方は、Ｒ面取りの代わりにＣ面取りが施されていてもよいし、異なる角度の組み合わせ（例えば、６０°と３０°）による斜面の面取りが施されていてもよい。本明細書では、Ｒ面取りとＣ面取りとの大小の比較は、伝熱部３０の厚さ方向（Ｚ軸方向）に沿った長さにより行われる。例えば、第１角部ＣＲ１が、上面３０Ｔ側でＸＹ平面に対して３０°の傾きをなす平面（側面３０Ｓ側でＹＺ平面に対して６０°の傾きをなす平面）である場合に、第１角部ＣＲ１の面取りの大きさは、上面３０Ｔから、第１角部ＣＲ１と側面３０Ｓと接続するまでのＺ軸に沿う長さとなる。なお、上記実施形態における第１角部ＣＲ１および第２角部ＣＲ２の大きさについては、変形可能であり、例えば、第１角部ＣＲ１の半径が６０μｍであってもよいし、４０μｍであってもよい。第１角部ＣＲ１のＲ面取りまたはＣ面取りは、第２角部ＣＲ２のＲ面取りまたはＣ面取りよりも小さくなくてもよい。例えば、第１角部ＣＲ１が５０μｍのＲ面取りであり、第２角部ＣＲ２が第１角部ＣＲ１と同じ寸法のＣ面取りであってもよい。

上記実施形態の伝熱部３０は、第１角部ＣＲ１の全面と、側面３０Ｓの少なくとも一部とにおいて、接合部４０に接触していたが、伝熱部３０の側面３０Ｓは接合部４０に接触していなくてもよい。

上記実施形態における上面や側面の呼び方は、図１などに示される直交座標系を基準とした定義の一例に基づく呼び方であるため、設定する座標系に応じて各面などの呼び方は変形可能である。例えば、設定する座標系に応じて、上記実施形態における「上面」は、伝熱部３０を上側と設定した場合には「下面」にもなり得る。すなわち、上記実施形態において設定した方向に対応付けた呼び方は、一例であり、種々変形可能である。

＜変形例２＞
図７は、変形例２の配線基板１００ａの一部の拡大図である。図７には、変形例２の配線基板１００ａのうち、実施形態の配線基板１００のＸ１部と同じ部分の拡大図が示されている。変形例２の配線基板１００ａでは、実施形態の配線基板１００と比較して、メタライズ層２２Ｍａおよび接合部４０ａが異なり、他の構成等については配線基板１００と同じである。図７に示されるように、変形例２の配線基板１００ａでは、メタライズ層２２Ｍａは、平板部２２の下面（Ｚ軸負方向側の面）と、外周部２１ａの内周面２１Ｓａの一部とに形成されている。換言すると、変形例２の配線基板１００ａでは、平板部２２の下面に加えて、外周部２１ａの内周面２１Ｓａにもメタライズ層２２Ｍａが形成されている。これにより、接合部４０ａの形状は、実施形態の接合部４０の形状と異なる。そのため、上記実施形態のように、メタライズ層２２Ｍａが形成された後に、間隙ＧＰａがメッキ液に浸されると、内周面２１Ｓａの一部にもメッキが形成される。

図７に示される配線基板１００ａのように、枠部２０ａの内周面２１Ｓａの一部がメッキされていてもよい。配線基板１００ａでは、間隙ＧＰａに面した伝熱部３０の側面３０Ｓと、接合部４０ａの表面４０Ｆａとに加えてさらに、枠部２０ａの内周面２１Ｓａがメッキされている。すなわち、内周面２１Ｓａまでメッキが延在しているため、内周面２１Ｓａまでメッキが延在しない構成と比較して、メッキ液の拡散不足の発生を抑制できると共に、配線基板１００ａに発生するメッキ剥がれを抑制できる。

＜変形例３＞
図８は、変形例３の配線基板１００ｂの一部の拡大図である。図８には、変形例３の配線基板１００ｂのうち、実施形態の配線基板１００のＸ１部と同じ部分の拡大図が示されている。変形例３の配線基板１００ｂでは、実施形態の配線基板１００と比較して、メタライズ層２２Ｍｂ及び接合部４０ｂが、隅部Ｐ１において、外周部２１ｂの内周面２１Ｓｂまで達していない点が異なり、その他の構成等については配線基板１００と同じである。このように、メタライズ層２２Ｍｂ及び接合部４０ｂと内周面２１Ｓｂとが隅部Ｐ１において離間しているため、間隙ＧＰａがメッキ液に浸された際、内周面２１Ｓｂはメッキされない。換言すると、変形例３の配線基板１００ｂでは、間隔ＧＰｂに面した、伝熱部３０の側面３０Ｓと、接合部４０ｂの表面４０Ｆｂと、内周面２１Ｓｂとのうち、側面３０Ｓと表面４０Ｆとがメッキされている。図８に示される配線基板１００ｂのように、内周面２１Ｓｂはメッキされていなくてもよい。

以上、実施形態、変形例に基づき本態様について説明してきたが、上記した態様の実施の形態は、本態様の理解を容易にするためのものであり、本態様を限定するものではない。本態様は、その趣旨並びに特許請求の範囲を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本態様にはその等価物が含まれる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することができる。

２０，２０ａ，２０ｂ…枠部
２１，２１ａ，２１ｂ…外周部
２１Ｓ，２１Ｓａ，２１Ｓｂ…内周面（第２面）
２２…平板部
２２Ｍ，２２Ｍａ，２２Ｍｂ…メタライズ層
２２ＭＵ，２２ＭＵａ，２２ＭＵｂ…メタライズ層の下面（第１面）
３０，３０ｘ…伝熱部
３０Ｓ…伝熱部の側面
３０Ｔ，３０Ｔｘ…伝熱部の上面
３０Ｕ…伝熱部の下面
４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｘ…接合部
４０Ｆ，４０Ｆａ，４０Ｆｂ…接合部の表面
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｘ，１００ｙ…配線基板
ＣＲ１，ＣＲ１ｘ…第１角部
ＣＲ２，ＣＲ２ｘ，ＣＲ２ｙ…第２角部
ＧＰ，ＧＰａ，ＧＰｂ，ＧＰｘ…間隙
ＯＬ…中心軸
Ｐ１…隅部
ＲＥ，ＲＥｘ…外側の端部

Claims

金属を主成分とし、上面と、前記上面の反対側に位置する下面と、側面と、前記上面と前記側面とを繋ぐ第１角部と、前記下面と前記側面とを繋ぐ第２角部と、を有する伝熱部と、
セラミックを主成分とし、接合部を介して前記伝熱部に接合される枠部であって、前記上面に対向する第１面と、前記側面に対向する第２面と、を有する枠部と、を備え、
前記伝熱部の前記側面と、前記接合部の表面と、前記枠部の前記第２面との間に間隙が形成される配線基板であって、
前記間隙に面した前記伝熱部の前記側面と、前記接合部の前記表面とがそれぞれメッキされており、
前記第１角部および前記第２角部は、Ｒ面取りまたはＣ面取りされており、
前記伝熱部は、前記第１角部のうち、前記第１面と対向する部分の外側の端部よりも前記上面側の全面において、前記接合部に接触していることを特徴とする、配線基板。
請求項１に記載の配線基板であって、
前記間隙に面した前記伝熱部の前記側面と、前記接合部の前記表面とに加えてさらに、前記枠部の前記第２面がメッキされていることを特徴とする、配線基板。
請求項１または請求項２に記載の配線基板であって、
前記第１角部のＲ面取りまたはＣ面取りは、前記第２角部のＲ面取りまたはＣ面取りよりも小さいことを特徴とする、配線基板。
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の配線基板であって、
前記伝熱部は、さらに、前記第１角部の全面と、前記側面の少なくとも一部とにおいて、前記接合部に接触していることを特徴とする、配線基板。