JP7286724B2 - スイッチングアセンブリ、およびスイッチングアセンブリのコンタクトブリッジの位置を測定するための方法 - Google Patents

スイッチングアセンブリ、およびスイッチングアセンブリのコンタクトブリッジの位置を測定するための方法 Download PDF

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Description

本発明は、スイッチングアセンブリ、およびスイッチングアセンブリのコンタクトブリッジの位置を測定するための方法に関する。
スイッチングアセンブリは、特に高電圧範囲および/または大電流範囲に使用される。既知の実施形態は、2つのコンタクトとコンタクトブリッジとを有し、コンタクトブリッジは、コンタクトブリッジがコンタクトを互いに導電接続するブリッジ位置から、コンタクトが互いに電気的に分離される分離位置へ移動可能であり、スイッチングアセンブリは、少なくとも1つの検出素子を有する検出器を備え、少なくとも1つの検出素子(60、61、62)によって、分離位置および/またはブリッジ位置にコンタクトブリッジが存在することを検出できる。しかしながら、多くの場合、例えば、コンタクトのうちの1つがコンタクトブリッジに溶着されている故障状態が検出されないか、または開もしくは閉と誤って示される。そのため、そのようなスイッチングアセンブリは信頼できないものとなっている。
他の既知のスイッチングアセンブリでは、回路に電圧を印加し、コンタクトの両端の電圧降下を測定することにより接触状態を判定することによって、スイッチング状態が判定される。このために、回路に2つ以上のスイッチング素子がある場合、検査しないスイッチング素子を閉じる必要がある。これには手間がかかる。
本発明の目的は、より信頼性が高く、より簡単な解決策を提供することである。
本発明によれば、解決策は、検出器が、検出素子のための第1のスイッチング点および第2のスイッチング点を有する少なくとも1つの2点コントローラ(two-point controllers)を備え、スイッチング点のうちの少なくとも一方がブリッジ位置と分離位置との間のコンタクトブリッジの位置に関連付けられることで達成される。
2つのコンタクトを有するスイッチングアセンブリにおけるコンタクトブリッジの位置を測定するための本発明による方法の場合、解決策は、コンタクトブリッジがブリッジ位置から分離位置へ移動すると、第1の出力信号から第2の出力信号へのスイッチングが第1のスイッチング点で起こり、コンタクトブリッジが分離位置からブリッジ位置へ移動すると、第2の出力信号から第1の出力信号へのスイッチングが、第1のスイッチング点とは異なる第2のスイッチング点で起こり、スイッチング点のうちの少なくとも一方が、ブリッジ位置と分離位置との間のコンタクトブリッジの位置に割り当てられることで達成される。
本発明による解決策は、分離位置またはブリッジ位置から離れる移動中、故障、例えば、コンタクトに溶着されたコンタクトブリッジの不完全な分離が生じ得る領域をくまなく調べるまで、検出器がスイッチングしないことを保証する。これにより、故障状態の確実な検出が可能になる。したがって、スイッチングアセンブリおよび方法のそれぞれがより信頼性の高いものになる。
本発明による解決策を、以下のさらなる発展および実施形態によりさらに改良することができる。これらの発展および実施形態は各々それ自体が有利であり、他のさらなる発展および実施形態と任意に組み合わせることができる。
第1の有利な実施形態によれば、両方のスイッチング点を、ブリッジ位置と分離位置との間のコンタクトブリッジの位置に割り当ててもよい。故障が生じ得る領域は、ここでは2つのスイッチング点の間に位置し得る。スイッチング点のうちの一方を、ブリッジ位置または分離位置に非常に近接したコンタクトブリッジの位置に割り当ててもよい。他方のスイッチング点は、分離位置またはブリッジ位置からさらに離れていてもよい。
有利な実施形態によれば、他方のスイッチング点を、ブリッジ位置または分離位置におけるコンタクトブリッジの位置に割り当ててもよい。これにより、ブリッジ位置または分離位置でコンタクトブリッジの確実な検出が可能になる。
さらなる有利な実施形態によれば、分離位置またはブリッジ位置は、第1のスイッチング点と第2のスイッチング点に割り当てられた位置の間に位置する領域にあってもよい。これにより、コンタクトブリッジがブリッジ位置または分離位置に関連付けられた位置を明らかに越えて移動したときにのみ、スイッチングが起こるため、信頼性をさらに高めることができる。これは、例えば、コンタクトブリッジがさらなる要素で可動に支持される場合に有利であり得る。
有利な実施形態によれば、スイッチング点のうちの一方を、オーバトラベル(overtravel)の約半分の位置に割り当ててもよい。このようにして、スイッチング点に到達したときに、閉状態に明らかに到達していることを保証することができる。
コンパクトな実施形態において、2点コントローラは検出素子の一部であってもよい。2点コントローラは、検出素子に組み込まれていても、検出素子と共に構成部品を形成してもよい。
代替実施形態において、2点コントローラは検出素子とは別個の要素であってもよい。2点コントローラは、例えば、独立した構成部品であってもよい。
2点コントローラはハードウェアまたはソフトウェアに実装されてもよい。2点コントローラは、物理的な構成部品であってもよく、または単にソフトウェアモジュールとして構成されてもよい。
2点コントローラはプログラム可能であってもよい。特に、第1のスイッチング点および第2のスイッチング点は、プログラム可能または調節可能であってもよい。スイッチング点は、例えば、測定信号強度がある一定の値を下回るまたは上回る点として規定され得る。
検出素子の出力信号は離散的(discrete)であってもよい。これにより、例えば、デジタルシステムへの組み込みを容易にすることが可能になる。特に、出力信号は2つのレベルを含んでいてもよい。
有利な実施形態によれば、コンタクトブリッジをコンタクトブリッジキャリアにばねで取り付けてもよい。特に、コンタクトブリッジを、スイッチング方向に沿ってばねで取り付けることができる。これにより、ばね力との確実な接触が可能になる。
容易で簡単な測定のために、スイッチングアセンブリはインジケータ要素を備えてもよく、インジケータ要素の位置は検出素子によって検出可能である。検出素子はインジケータ要素の位置を検出するため、検出器は、インジケータ要素の位置に応じてスイッチングすることができる。ここでは、スイッチング動作は経路に依存し得る。
有利な実施形態によれば、スイッチングアセンブリはさらなる検出素子を備えてもよい。これにより、スイッチングアセンブリをさらに信頼性の高いものにすることができる。
さらなる検出素子では、2点コントローラおよび/またはヒステリシスがなくてもよい。
有利には、スイッチングアセンブリが検出素子ごとに2つの2点コントローラを備え得る。これにより、スイッチングアセンブリをより信頼性の高いものにすることができる。
第1の検出素子をブリッジ位置に割り当ててもよく、第2の検出素子を分離位置に割り当ててもよい。有利には、第1の検出素子および第2の検出素子の両方が2点コントローラを有し得る。
短い測定経路(short measurement path)を可能にする実施形態によれば、検出素子をスイッチング方向に対して接線方向にずらしてもよい。
2つの異なるスイッチング点の存在をヒステリシスと呼ぶことができる。2点コントローラのヒステリシス領域は、明確に規定されたスイッチング動作が可能になるように矩形であってもよい。
2つの出力信号を各々有する2つの検出素子により、出力信号の計4つの組合せが可能である。これらの組合せのうちの1つは、スイッチングアセンブリが明らかに開であること、すなわち、コンタクトブリッジが分離位置に明らかに到達していることを示すことができる。これらの組合せのうちの1つは、スイッチングアセンブリが明らかに閉であること、すなわち、コンタクトブリッジがブリッジ位置に明らかに到達していることを示すことができる。これらの組合せのうちの少なくとも1つは、スイッチングアセンブリが故障状態にあること、すなわち、コンタクトブリッジが明らかに分離位置にもブリッジ位置にもないことを示すことができる。これは、例えば、コンタクトのうちの1つが溶着している状態に対応し得る。
これらの組合せのうちの1つは、検出器に欠陥があること、例えば、2つの検出素子の信号の組合せが、分離位置とブリッジ位置との間のいずれの可能な位置にも対応しないことを示し得る。
代替または追加として、少なくとも1つの検出素子の出力信号と少なくとも1つのさらなる信号、特にスイッチング信号との組合せを評価することができる。スイッチング信号は、例えば、コンタクトブリッジを直接または間接的に移動するスイッチングコイルの励磁信号であってもよい。例えば、スイッチングコイル、したがってコンタクトブリッジが分離位置にあるべきであるように励磁信号が設定され、この分離位置が検出器によって明確に検出されない場合、これにより欠陥を推測することができる。
有利な実施形態によれば、少なくとも1つの検出素子を、スイッチングチャンバの外側に配置してもよい。これにより、例えば、検出素子を損傷させ得る電気アークおよび/または高電圧から検出素子を保護する。2つの検出素子の場合、両方の検出素子が、特に検出器のさらなる感応部と共に、スイッチングチャンバの外側に配置されることが有利である。
インジケータ要素は、例えば、可動部品と直接結合が可能になるように、スイッチングチャンバ内に配置されてもよい。
インジケータ要素は永久磁石を備えてもよい。インジケータ要素は、永久磁石材料から構成されてもよい。例えば、インジケータ要素は、容易に検出可能な高磁場強度を発生させるように、レアアースを含んでいてもよい。
有利な実施形態によれば、インジケータ要素は、スイッチングアセンブリの他の部品、特に可動部品に接続された別個の要素であってもよい。インジケータ要素を、スイッチング動作中に移動するスイッチングアセンブリの部品、例えばコンタクトブリッジキャリアに、運動伝達方式(in a motion-transmitting manner)で直接または間接的に接続してもよい。
インジケータ要素を、他の部品に、例えば接着、溶接、またははんだ付けによって接続してもよい。他の部品との形状嵌合または圧力嵌め接続も可能である。
さらなる実施形態によれば、インジケータ要素は、コンタクトブリッジの一部および/またはコンタクトブリッジキャリアの一部であってもよい。これにより、コンパクトな構造設計が可能になる。例えば、コンタクトブリッジの一部またはコンタクトブリッジキャリアの一部を磁化することにより、検出素子を用いて測定可能な磁場を発生させることができる。他の測定方法の場合、例えば光学測定または超音波による測定の場合、例えば、反射面をインジケータ要素として使用してもよい。
磁場の測定を可能にするために、少なくとも1つの検出素子はホールセンサを備えてもよい。
容易な取付けのために、少なくとも1つの検出素子をプリント回路基板に配置してもよい。2点コントローラ、制御ユニット、または評価ユニットなどのさらなる要素を、プリント回路基板に設けてもよい。
スペースを節約する実施形態において、少なくとも1つの検出素子をブロー磁石アセンブリのスロットに配置してもよい。ブロー磁石アセンブリを使用して、開いている間にアークを消すことができる。
ブロー磁石アセンブリ(blow magnet assembly)は、1つの長めの磁石(broad magnet)を一方の側に、2つのサブ磁石を別の側に備えてもよい。スペースを節約するために、少なくとも1つの検出素子を2つのサブ磁石の間に配置してもよい。
有利には、少なくとも1つの検出素子が、非接触で測定可能である。
有利な実施形態によれば、インジケータ要素が検出素子より前に位置するとき、インジケータ要素によって発生する磁場は、ブロー磁石アセンブリによって発生する磁場に対して逆平行に検出素子に流れ得る。
インジケータ要素の磁場は、コンタクトブリッジが1つの位置にあるとき、例えば、インジケータ要素が検出素子より前に位置するときに優位となり得る。ブロー磁石アセンブリの磁場は、コンタクトブリッジが他の位置にあるとき、例えば、インジケータ要素が検出素子より前に位置しないときに優位となり得る。
良好な信号対雑音比を達成するために、測定で使用される信号強度の差は、検出素子の第1のスイッチング点から第2のスイッチング点へ到達するのに必要な信号強度より大きくてもよい。その割合は、具体的には2:1超、特に5:1超または10:1超であってもよい。
特に、第1のスイッチング点および第2のスイッチング点に対応する領域を、発生する最小信号強度と最大信号強度との間の領域において中央に位置させてもよい。これは、外部からの干渉が測定にほとんど影響を与えるおそれがないことを意味する。干渉の影響を低く維持するために、第1のスイッチング点および第2のスイッチング点に対応する領域は、発生する最小信号強度および最大信号強度までのある一定の最小距離を有してもよい。最小距離は、第1のスイッチング点と第2のスイッチング点との間の幅の少なくとも約200%、好ましくは少なくとも300%、特に少なくとも500%に対応し得る。最小距離は、予想される干渉信号の信号強度の少なくとも約200%、好ましくは少なくとも300%、特に少なくとも500%に対応し得る。
スイッチングプロセスは、磁場のゼロ点の周囲で起こり得る。第1のスイッチング点を第1の方向の磁場に割り当ててもよく、第2のスイッチング点を、第1の方向とは反対の第2の方向の磁場に割り当ててもよい。ここでは、スイッチング点の絶対値は等しくてもよい。例えば、第1のスイッチング点は+0.2mTであってもよく、第2のスイッチング点は-0.2mTであってもよい。特別なスイッチング値にプログラムする必要のない利用可能な検出素子を単に使用することができるため、そのような実施形態を構造的に実装することは特に容易であり得る。
以下で、図面を参照しながら、本発明を有利な実施形態に基づいてより詳細に例示的に説明する。この文脈で示すそれぞれの有利なさらなる発展および実施形態は、互いに独立しており、それぞれの使用事例において必要な方法に応じて互いに任意に組み合わせることができる。
側面から見たスイッチングアセンブリの概略断面図である。 上方から見たスイッチングアセンブリの概略断面図である。 検出器の概略図である。 インジケータ要素を有するコンタクトブリッジキャリアの概略斜視図である。 スイッチングアセンブリの概略斜視図である。 スイッチングアセンブリの概略断面斜視図である。 スイッチングアセンブリにおける2つの磁場曲線の概略図である。 検出素子のスイッチング挙動の概略図である。 スイッチングアセンブリの2つの検出素子の可能なスイッチング挙動の概略図である。 検出素子のスイッチング挙動ならびにコンタクトブリッジおよびコンタクトブリッジキャリアの移動特性の概略図である。
図1~図6は、スイッチングアセンブリ100の第1の実施形態を示す。スイッチングアセンブリ100はハウジング16を備える。スイッチングする回路を接続するために、2つの端子素子18に外側からアクセスすることができる。2つの端子素子18の間に、電気絶縁のための仕切り17が設けられている。加えて、検出器50のコネクタ12がハウジング16から突出している。
内部に設けられたコンタクト10は各々、対応する端子素子18に導電接続される。2つのコンタクト10を互いに接続するために、可動のコンタクトブリッジ20が設けられる。コンタクトブリッジ20は、導電材料から構成され、2つの接触点21でコンタクト10に接続されて回路を閉じるように構成されている。
コンタクトブリッジ20は、コンタクトブリッジキャリア25に可動に取り付けられ、部分的に支持される。コンタクトブリッジ20の突起24が、コンタクトブリッジキャリア25の運動リンク26においてスイッチング方向Sに沿って移動可能である。コンタクトブリッジキャリア25の一端部には止め部27が形成され、この止め部27により、スイッチング方向Sに沿った突起24の移動、したがってコンタクトブリッジ20の移動が制限される。
コンタクトブリッジ20は、スイッチング方向Sに沿って作用するばね23により、コンタクトブリッジキャリア25に対して予め負荷が加えられる。図1に示す分離位置Tで、コンタクトブリッジ20にはコンタクト要素10に向かって予め負荷が加えられる。コンタクトブリッジキャリア25は、駆動ロッド28に固定して機械的に接続され、この駆動ロッド28は、例えばコイル(詳細には図示せず)によって駆動され得る。スイッチング方向Sに沿った移動中、コンタクトブリッジ20はブリッジ位置Bに到達し、このブリッジ位置Bで、コンタクトブリッジ20はコンタクト10を導電接続する。接触が確立された後、確実な接触が確保されるように、ばね23が圧縮され、可動な接触点21と固定されたコンタクト10との間に接触力を生じさせる。このプロセスにおいて、コンタクトブリッジ20はコンタクトブリッジキャリア25に対して移動する。
コンタクトブリッジ20の位置を判定するために、スイッチングアセンブリ100は検出器50を備える。検出器50は、インジケータ要素65が発する磁場96を検出する2つの検出素子60を有する。検出器50は、第1の検出素子60、61と第2の検出素子60、62とを備え、スイッチングチャンバ15の外側に配置されて、高電圧およびアークから保護されるようになっている。永久磁石66として構成されたインジケータ要素65がスイッチングチャンバ15内に配置されており、このインジケータ要素65は、コンタクト10がコンタクトブリッジ20から分離されているときに発生し得る高電圧およびアークの影響を受けない。
インジケータ要素65は、コンタクトブリッジキャリア25に固定して接続される。インジケータ要素65は、コンタクトブリッジキャリア25の側面に、例えば接着、溶接、または形状嵌合によって取り付けられる。インジケータ要素65は、例えば、高磁場強度を発生させるように、レアアースを含んでいてもよい。
第1の検出素子60、61は、第2の検出素子60、62に対して、スイッチング方向Sに沿ってずれている。第1の検出素子60、61を分離位置Tに割り当ててもよい。第2の検出素子60、62をブリッジ位置Bに割り当ててもよい。
加えて、第1の検出素子60、61と第2の検出素子60、62とは接線方向(tangential direction)Uに沿ってずれて、スイッチング方向Sに沿った小さいずれを可能にする。
検出素子60、61、62はプリント回路基板47に配置され、このプリント回路基板47には他の構成部品48も設けられている。検出素子60は、磁場を検出するホールセンサ68として構成される。
検出器50は、検出素子60に割り当てられた2点コントローラ(two-point controllers)70をさらに備える。例えば、第1の2点コントローラ70、71は検出素子60、61に組み込まれていてもよい。さらなる実施形態において、2点コントローラ70、72を検出素子60の外側に配置してもよいが、2点コントローラ70、72は、検出素子60に動作可能に接続され得る。
2点コントローラ70は、第1のスイッチング点111、121と、第1のスイッチング点111、121とは異なる第2のスイッチング点112、122とを有するように構成される。2つのスイッチング点111、112、121、122のうちの1つが、ブリッジ位置Bと分離位置Tとの間のコンタクトブリッジ20の位置に割り当てられる。この位置は、特に、故障が生じ得る故障領域の外側である。例えば、コンタクト10は、大き過ぎる電流により接触点21に溶着することがある。コンタクトブリッジ20をブリッジ位置Bから分離位置Tへ動かそうとする際に、この溶着は、コンタクトブリッジ20がブリッジ位置Bからほんのわずかだけ、例えば数百マイクロメートルだけ離れるという結果をもたらし得る。
その後、コンタクトブリッジ20はブリッジ位置Bから離れるが、回路はまだ確実には分離されていない。スイッチング点111、112、121、122のうちの1つが、故障したコンタクトブリッジ20が移動可能な領域を越えて位置することにより、スイッチング動作が起こるときに、コンタクトブリッジ20が実際に完全に切り離されているということが保証される。例えば、スイッチング点111、112、121、122を、コンタクトブリッジ20がブリッジ位置Bから1ミリメートル、2ミリメートル、または5ミリメートル離れている位置に割り当てることができる。
図8によってスイッチング挙動の説明を示すことができる。図面からは、検出素子60の2点コントローラ70が第1のスイッチング点111と第2のスイッチング点112とを有することが見てとれる。スイッチング動作に関連する測定される変動要素、例えば、測定磁場が横座標にプロットされている。検出素子60の出力信号80が縦座標に示されている。出力信号80は、第1の信号レベルを有する第1の出力信号81または第2の信号レベルを有する第2の出力信号82を示し得る。特に、出力信号80はデジタル出力信号であり得る。
2点コントローラ70はヒステリシスを示す。測定される変動要素が変化する場合、出力信号80は経路に依存する。測定される変動要素の信号強度が増加すると、第1の出力信号81から第2の出力信号82へのスイッチングが第2のスイッチング点112で起こる。測定される変動要素の信号強度が再び低下すると、第1の出力信号81へ戻るスイッチングのみが第1のスイッチング点111で起こる。その結果、第1のスイッチング点111と第2のスイッチング点112とが測定される変動要素に沿って離間する。
スイッチングプロセスが磁場のゼロ点の周囲で起こると有利である。第1のスイッチング点111は第1の方向の磁場に割り当てられ、第2のスイッチング点112は第1の方向とは反対の第2の方向の磁場に割り当てられる。ここでは、スイッチング点111、112に属する磁場の絶対値は等しい。例えば、第1のスイッチング点111は+0.2mTであってもよく、第2のスイッチング点112は-0.2mTであってもよい。特別なスイッチング値にプログラムする必要のない利用可能な検出素子を単に使用するため、そのような実施形態を構造的に実装することは特に容易であり得る。
図9は、スイッチング点111、112、121、122の位置および関連位置211、212、221、222についての様々な実施形態を示す。図示の実施形態において、分離位置Tで、第2のスイッチング点122と関連位置222とは分離位置Tに近接して配置される。分離位置Tの確実な検出を可能にするように、分離位置Tとスイッチング点122およびその関連位置222とは一致していてもよい。
第1のスイッチング点121およびその関連位置221は、分離位置Tとブリッジ位置Bとの間に位置する。さらに、第1のスイッチング点121およびその関連位置221は、第2のスイッチング点122およびその関連位置222と、ブリッジ位置Bに割り当てられたさらなる検出素子60の2つのスイッチング点111、112およびその関連位置211、212との間に位置する。
不具合領域の境界230が、2つのスイッチング点121、122の間およびその関連位置221、222の間に位置する。これにより、不具合領域230をくまなく調べたときに、検出器が検出素子60をそれぞれの他の出力信号81、82のみにスイッチングすることを保証する。
ブリッジ位置Bに割り当てられた検出素子60の場合、スイッチング点111、112、121、122はわずかに異なって配置される。第1のスイッチング点111およびその関連位置211が再び不具合領域を越えて配置されて、不具合領域の境界230が2つのスイッチング点111、112の間およびその関連位置211、212の間に位置する場合でも、第2のスイッチング点112およびその関連位置212はブリッジ位置Bの後ろに配置される。したがって、ブリッジ位置Bは第1のスイッチング点111と第2のスイッチング点112との間、およびこれらのスイッチング点に関連するそれぞれの位置211、212の間に位置する。その結果、ここでは、コンタクトブリッジ20がブリッジ位置Bに到達した後にのみ、他の出力信号81へのスイッチングが起こる。
これは、コンタクトブリッジ20がコンタクトブリッジキャリア25にばねで取り付けられ、インジケータ要素65がコンタクトブリッジキャリア25に配置されていることにより、可能である。
図10は、説明した挙動に対応する個々の構成部品の移動挙動を示す。駆動要素、例えば駆動ロッド28の移動が右にプロットされている。移動する構成部品のそれぞれの位置が上に向かってプロットされている。コンタクトブリッジ20の移動曲線171は、基本的に直線状であり、ブリッジ位置Bに到達する点まで比例している。そこから、接触点21がコンタクト10に接触することによって阻止されるため、コンタクトブリッジ20の位置はそれ以上変化しない。それに対して、コンタクトブリッジキャリア25の移動曲線172は、コンタクトブリッジキャリア25が、ブリッジ位置Bに到達した後、最終的に終了位置にも到達するまで、引き続き直線状に比例して移動することを示す。
ブリッジ位置Bに明らかに到達していることを確認するために、スイッチング点112のうちの1つおよびその関連位置212をブリッジ位置Bの後ろに位置させてもよい。したがって、スイッチング点112およびその関連位置212は、コンタクトブリッジの接触領域160およびコンタクトブリッジキャリア25のオーバトラベル領域161に位置する。例えば、スイッチング点112を、オーバトラベル領域161の略中央、すなわち、ばね23の接触確立と完全圧縮との間のばね行程の約半分に位置させてもよい。
したがって、ブリッジ位置Bは第1のスイッチング点111と第2のスイッチング点112との間、および関連位置211、212の間に位置する。加えて、不具合領域の境界230も、2つのスイッチング点111、112の間およびその関連位置211、212の間に位置する。ここでは、境界230は、ブリッジ位置Bと第1のスイッチング点111およびその関連位置211のそれぞれとの間に位置する。
2つの検出素子60の出力信号80の組合せから、スイッチングアセンブリ100がどの状態にあるかを推測することかできる。例えば、分離位置Tに割り当てられた検出素子60の出力信号80から、コンタクトブリッジ20が分離位置Tから離れたことが推測でき、ブリッジ位置Bに割り当てられた検出素子60の出力信号80から、コンタクトブリッジ20がまだブリッジ位置Bに到達しておらず、欠陥が存在し得ることが推測できる。
出力信号80と制御信号との組合せを分析の目的で使用してもよい。例えば、制御信号が、コンタクトブリッジ20がブリッジ位置Bから離れるべきであるが、ブリッジ位置Bに割り当てられた検出素子60には対応する出力信号80が存在しない場合、溶着などの不具合が存在すると結論付けられる。
図6は、例示的な実施形態で使用可能な磁気測定の原理を示す。スイッチングアセンブリ100はブロー磁石アセンブリ40を備え、このブロー磁石アセンブリ40は、第1の長めの磁石41をスイッチングチャンバ15の一方の側に、2つのサブ磁石42を他方の側に備える。ブロー磁石アセンブリ40は、スイッチングチャンバにおいて磁場94を発生させ、この磁場94は、偏向することにより、コンタクトブリッジ20がコンタクト10から分離しているときに生じるアークを消す。磁場伝達要素45が磁気回路を閉じる。
インジケータ要素65は追加の磁場96を発生させる。インジケータ要素65の位置に応じて、検出素子60は内向きの全磁場または外向きの全磁場を認識する。ここでは、全磁場は2つの磁場94、96の重合わせによって確立される。
検出器50は、2つのサブ磁石42間のスロット44に配置される。
図7において、検出器50の領域の磁場が示されている。ここでは、第1の曲線151は、インジケータ要素65が、分離位置Tに割り当てられた検出素子60より前に配置されている状況に対応する。第2の曲線152は、インジケータ要素65が、ブリッジ位置Bに割り当てられた検出素子60より前に配置されている状況に対応する。曲線151、152は、スイッチング方向Sに沿って案内されるプローブによって測定されるそれぞれの磁場を示す。磁場は、それぞれの正の方向からそれぞれの負の方向へ変化し、その移行部はブリッジ位置Bまたは分離位置T付近にある。検出される磁場が検出素子60をスイッチングするのに必要な磁場よりもはるかに大きい場合、検出は発生する可能性のあるいかなる干渉の影響も受けることがない。このようにして、良好な信号対雑音比を達成することができる。
10 コンタクト
12 コネクタ
15 スイッチングチャンバ
16 ハウジング
17 仕切り
18 端子素子
20 コンタクトブリッジ
21 接触点
23 ばね
24 突起
25 コンタクトブリッジキャリア
26 運動リンク
27 止め部
28 駆動ロッド
40 ブロー磁石アセンブリ
41 第1のブロー磁石
42 サブ磁石
44 スロット
45 磁場伝達要素
47 プリント回路基板
48 構成部品
50 検出器
60 検出素子
61 第1の検出素子
62 第2の検出素子
65 インジケータ要素
66 永久磁石
68 ホールセンサ
70 2点コントローラ
71 第1の2点コントローラ
72 第2の2点コントローラ
80 出力信号
81 第1の出力信号
82 第2の出力信号
94 ブロー磁石アセンブリの磁場
96 インジケータ要素の磁場
100 スイッチングアセンブリ
111 第1の2点コントローラの第1のスイッチング点
112 第1の2点コントローラの第2のスイッチング点
121 第2の2点コントローラの第1のスイッチング点
122 第2の2点コントローラの第2のスイッチング点
151 第1の曲線
152 第2の曲線
160 接触領域
161 オーバトラベル領域
171 コンタクトブリッジの移動曲線
172 コンタクトブリッジキャリアの移動曲線
211 第1の2点コントローラの第1のスイッチング点に関連する位置
212 第1の2点コントローラの第2のスイッチング点に関連する位置
221 第2の2点コントローラの第1のスイッチング点に関連する位置
222 第2の2点コントローラの第2のスイッチング点に関連する位置
230 不具合領域の境界
B ブリッジ位置
S スイッチング方向
T 分離位置
U 接線方向

Claims (16)

  1. 特に高電圧範囲および/または大電流範囲のためのスイッチングアセンブリ(100)であって、
    前記スイッチングアセンブリ(100)は、
    - 2つのコンタクト(10)と、
    - コンタクトブリッジ(20)と、を備え、
    前記コンタクトブリッジ(20)は、前記コンタクトブリッジ(20)が前記コンタクト(10)を互いに導電接続するブリッジ位置(B)から、前記コンタクト(10)が互いに電気的に分離される分離位置(T)へ移動可能であり、
    前記スイッチングアセンブリ(100)は、少なくとも1つの検出素子(60、61、62)を有する検出器(50)を備え、前記少なくとも1つの検出素子(60、61、62)によって、前記分離位置(T)および/または前記ブリッジ位置(B)に前記コンタクトブリッジ(20)が存在することが検出可能であり、
    前記検出器(50)は、前記検出素子(60、61、62)のための第1のスイッチング点(111、121)と第2のスイッチング点(112、122)とを有する少なくとも1つの2点コントローラ(70、71、72)を備え、前記スイッチング点(111、112、121、122)のうちの少なくとも1つが、前記ブリッジ位置(B)と前記分離位置(T)との間の前記コンタクトブリッジ(20)の位置に割り当てられる、
    スイッチングアセンブリ(100)。
  2. 両方のスイッチング点(111、112、121、122)は、前記ブリッジ位置(B)と前記分離位置(T)との間の前記コンタクトブリッジ(20)の位置に割り当てられる、
    請求項1に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  3. 他方のスイッチング点(111、112、121、122)は、前記ブリッジ位置(B)または前記分離位置(T)における前記コンタクトブリッジ(20)の位置に割り当てられる、
    請求項1に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  4. 前記分離位置(T)または前記ブリッジ位置(B)は、前記第1のスイッチング点(111、112、121、122)と前記第2のスイッチング点(112、111、122、121)に割り当てられた位置(211、212、221、222)の間に位置する領域にある、
    請求項1に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  5. 前記コンタクトブリッジ(20)は、コンタクトブリッジキャリア(25)にばねで取り付けられている、
    請求項1から4のいずれか一項に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  6. 前記スイッチングアセンブリ(100)は、インジケータ要素(65)を備え、
    前記インジケータ要素(65)の位置は、前記検出素子(60、61、62)によって検出可能である、
    請求項1から5のいずれか一項に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  7. 前記スイッチングアセンブリ(100)は、さらなる検出素子(60、62、61)を備える、
    請求項1から6のいずれか一項に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  8. 前記スイッチングアセンブリ(100)は、検出素子(60、61、62)ごとに2つの2点コントローラ(70、71、72)を備えるとともに、
    前記検出素子(60、61、62)の数は1つまたは複数である、
    請求項1から7のいずれか一項に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  9. 前記少なくとも1つの検出素子(60、61、62)は、スイッチングチャンバ(15)の外側に配置されている、
    請求項1から8のいずれか一項に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  10. 前記スイッチングアセンブリ(100)は、インジケータ要素(65)を備え、
    前記インジケータ要素(65)は、永久磁石(66)を備える、
    請求項1から9のいずれか一項に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  11. 前記少なくとも1つの検出素子(60、61、62)は、ホールセンサ(68)を備える、
    請求項1から10のいずれか一項に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  12. 前記少なくとも1つの検出素子(60、61、62)は、プリント回路基板(47)に配置されている、
    請求項1から11のいずれか一項に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  13. 前記少なくとも1つの検出素子(60、61、62)は、ブロー磁石アセンブリ(40)のスロット(44)に配置されている、
    請求項1から12のいずれか一項に記載のスイッチングアセンブリ(100)。
  14. 2つのコンタクト(10)を有するスイッチングアセンブリ(100)のコンタクトブリッジ(20)の位置を測定する方法であって、
    前記コンタクトブリッジ(20)は、前記コンタクトブリッジ(20)が前記コンタクト(10)を互いに導電接続するブリッジ位置(B)から、前記コンタクト(10)が互いに電気的に分離される分離位置(T)へ移動可能であり、
    前記コンタクトブリッジ(20)が前記ブリッジ位置(B)から前記分離位置(T)へ移動するときに、第1の出力信号(81)から第2の出力信号(82)へのスイッチングが第1のスイッチング点(111、112、121、122)で起こり、前記コンタクトブリッジ(20)が前記分離位置(T)から前記ブリッジ位置(B)へ移動するときに、前記第2の出力信号(82)から前記第1の出力信号(81)へのスイッチングが、前記第1のスイッチング点(111、112、121、122)とは異なる第2のスイッチング点(112、111、122、121)で起こり、前記スイッチング点(111、112、121、122)のうちの少なくとも1つが、前記ブリッジ位置(B)と前記分離位置(T)との間の前記コンタクトブリッジ(20)の位置に割り当てられる、
    方法。
  15. 両方のスイッチング点(111、112、121、122)は、前記ブリッジ位置(B)と前記分離位置(T)との間の前記コンタクトブリッジ(20)の位置に割り当てられる、
    請求項14に記載の方法。
  16. 前記スイッチングアセンブリ(100)は、少なくとも1つの検出素子(60、61、62)を有する検出器(50)を備え、前記少なくとも1つの検出素子(60、61、62)によって、前記分離位置(T)および/または前記ブリッジ位置(B)に前記コンタクトブリッジ(20)が存在することが検出可能であり、
    前記少なくとも1つの検出素子(60、61、62)は、ブロー磁石アセンブリ(40)のスロット(44)に配置されている、
    請求項14に記載の方法。
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