JP7279093B2 - 高密度炭素欠陥構造を含有する二次電池用電極及びその製造方法 - Google Patents
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Description
図3C及び図3Dは、CZ-1電極に対する様々な倍率のSEMイメージである。
図3E及び図3Fは、CZ-5電極に対する様々な倍率のSEMイメージである。
図3Gは、各電極に対するXRDパターンを示すものである。
図3Hは、各電極に対するラマンスペクトルを示すものである。
図3Iは、各電極に対する高解像度XPS結果を示すものである。
図6Bは、完全グラフェン及び様々な類型の炭素欠陥及びZnアダタム間の吸着エネルギーを比較したものである。
図6C及び図6Dは、SV1欠陥炭素表面においてZn原子がC-C結合を横切ったりC-C結合に沿って移動する場合にZnエネルギープロファイルの変化を示すものである。
図6Eは、他のZn結晶平面(赤色点)、SV1(青色点)、及びG(001)(緑色点)表面とZnアダタム間の吸着エネルギーを比較したものである。
図6Fは、SV1欠陥を含有する炭素層における段階別Zn核の形成及び成長を概略的に示すものである。
図6Gは、Znアダタム及び核の表面自己拡散及び凝集を概略的に示すものである。
図12A~図12Eは、pCF電極上の電着されたZn核のHAADF-STEM及びEDSマッピングイメージである。
図12F~図12Jは、CZ-1電極上の電着されたZn核のHAADF-STEM及びEDSマッピングイメージである。
図12K~図12Oは、CZ-5電極上の電着されたZn核のHAADF-STEM及びEDSマッピングイメージである。
図12Pは、各欠陥(SV1、SW(55-77)、DV2(585)及びDV2(555-777))の炭素構造断片の中心から縁への移動経路を示すものである。
図12Qは、様々な欠陥に対する拡散経路(Diffusion path)であり、エネルギープロファイルの結果を示すものである。
図13Aは、様々なスキャン速度で0V~-0.5Vの範囲でスキャンしたpCF電極のサイクリックボルタンメトリー(cyclic voltammetry,CV)結果である。
図13Bは、様々なスキャン速度で0V~-0.5Vの範囲でスキャンしたCZ-1電極のCV結果である。
図13Cは、様々なスキャン速度で0V~-0.5Vの範囲でスキャンしたCZ-5電極のCV結果である。
図13Dは、pCF、dCF、CZ-1及びCZ-5電極の容量性電流(capacitive current)の線形解析(Linear fitting)を示すものである(キャパシタンス=電流/電圧転換速度)。
図15A及び図15Bは、pCF電極において積層欠陥(stacking faults)を有する凝集されたZn核であり、図15C及び図15Dは、CZ-1電極において、凝集されたZnナノクラスターから観察された互いに異なる結晶学的配向を有する一部ドメインを示す狭いネック(narrow neck)で連結された球形突起であり、図15E及び図15Fは、CZ-5電極において、単結晶Zn粒子である。
図18A及び図18Bは、電流密度によるpCF、CZ-1及びCZ-5電極を含むZBBのクーロン及びエネルギー効率を示すものである。
図18Cは、pCF電極を含むZBBの充電-放電プロファイルを示すものである。
図18Dは、CZ-1電極を含むZBBの充電-放電プロファイルを示すものである。
図18Eは、CZ-5電極を含むZBBの充電-放電プロファイルを示すものである。
図18Fは、pCF、CZ-1及びCZ-5電極を含むZBBの充放電サイクル回数によるエネルギー効率(Energy efficiencies,EEs)を示すものである。
図18Gは、pCF、CZ-1及びCZ-5電極を含むZBBの充放電サイクル回数によるクーロン効率(coulombic efficiencies,CEs)を示すものである。
図18Hは、各サイクルにおける充電-放電電圧容量プロファイルを示すものである。pCF、CZ-1及びCZ-5電極の長期電気化学的安定性は、固定した120mAh充電容量に対して100mA/cm-2の高い電流密度においてZBBの定電流充電/放電によって確認した。
電極作製
ZIF-8コーティング炭素フェルト電極(ZIF-8@CF):炭素フェルト(CF,3×2cm2)を親水化させるために、O2ガスストリーム下で9時間520℃で表面を酸化させた。室温に冷却した後、表面酸化されたCFをZIF-8でコーティングした。具体的に、硝酸亜鉛六水和物(Zinc nitrate hexahydrate、5.95g、1eq.)及び2-メチルイミダゾール(13.136g、8eq.)を100mLのメタノールにそれぞれ溶解させた。Zn2+(15ml)及び2-メチルイミダゾール(15ml)溶液を12時間混合した。その後、サンプルをエタノールで徹底的に洗浄して残留溶媒を除去した。ZIF-8コーティング手順を9回反復し、生成されたZIF-8@CFを60℃で真空乾燥させた。
97X線回折(X-ray diffraction,XRD)は5.0kVの10゜~90゜の角度範囲及び分当たり5゜のスキャニング速度を有するXRDシステム(モデル:D/MAX-2500)によって行われた。EDSと結合したTEM及びHAADF-STEMイメージは200kVの加速電圧において、FEI Talos F200X TEMを用いて行われた。電着物の表面形態はFE-SEM(Sirion,Netherlands)上で走査電子顕微鏡(SEM)によって分析された。ラマンスペクトルは、レーザー波長が488nmで、スポットサイズは0.5mmであるWITec CRM200共焦点ラマン顕微鏡システムを用いて得た。サンプルの表面分析はThermo Scientific Theta Probe X線光電子分光法(XPS)を用いて行った。
本発明の電極の電気化学的特性を正確に分析するために、J.H.Park et al.,J Power Sources,2016,310,137-144に開示と同じ新しい類型の電気化学的分析セルが用いられた。全てのクロノアンぺロメトリ-(chronoamperometry,CA)、電気化学的インピーダンス分光法(electrochemical impedance spectroscopy,EIS)、定電流電着(galvanostatic deposition)は、VSP装置(Biologic science instruments)を用いて行われた。飽和NaCl水溶液中のAg/AgCl電極及び活性炭素フェルト(TOYOBO)をそれぞれ基準(reference)及び相対(counter)電極として使用した。使用された電解質は0.01M ZnBr2であり、クロノアンぺロメトリ-(CA)実験のためにSigma-Aldrich社の材料を用いて製造した。EDLCの電気化学的性能はBioLogic science instruments社の電気化学測定装置(VSP)を用いて測定した。CVは、ZBBサイクリング実験に用いられた同じ電解質において様々なスキャン速度(10~140mV/sec)で0~0.5Vの安定電位窓(stable potential window)に対して記録された。
非圧縮の厚さが約4mmである商業用炭素フェルト(SGL carbon)が用いられた。6cm2の陰性及び陽性面積ともにSF-600分離膜(Asahi)によって分離された。脱イオン水(DI)中の2M ZnBr2+0.5M ZnCl2+4M NH4Cl+0.02M MEP(N-ethyl N-methyl pyrrolidinium bromide)の電解質混合物40mLをフローセルテストに使用した。電解質のフローを50mL/minの流速で正極液及び負極液に適用した。
全ての密度汎関数理論(DFT)計算は、Accerlrys,Inc.のMaterials StudioでプログラムパッケージDMol3を用いて行われた。Dmol3は近似オービタル(numerical orbitals)を基本関数として使用し、各オービタルは原子オービタルに相応する。当該作業はDNP(double-numeric-plus-polarization)及び4.0Åのグローバルオービタルカットオフを使用する。DNP基準セットのサイズはGaussian 6-31G(d)と比較可能であるが、DNPは当該Gaussian basis set 63よりも正確である。DFT計算は、PBE(Perdew-Bueke-Ernzerhof)交換相関汎関数(exchange correlation functional)を有するGGA(Gradient-corrected)汎関数によって行われた。エネルギー、勾配(gradient)及び変位収斂の許容誤差はそれぞれ0.00001hartree、0.002hartree/Å、及び0.005Åである。周期性(periodicity)による相互作用を避けるために、z-方向に沿って20Åの真空層を計算に使用した。平板モデル(slab model)は3×3×1スーパーセルにおいて単層グラファイト(001)表面に基づいて構築され、3×3×1のk点モンコルストパック(k-point Monkhorst-Pack)グリッドは、ブリュアンゾーン(Brillouin zone)に適用された。自己無撞着場(self-consistent-field,SCF)サイクルの力許容誤差(force tolerances)は1.0×10-6であり、Grimme’s DFT-D2方法は、様々なDFT汎関数に最適化されたワンデルワールス相互作用(vdW)を評価するために適用された。他の炭素表面におけるZn吸着エネルギーは、下記式のように計算された。
Eads=EZn+Carbon surface-EZn-ECarbon surface
電極の欠陥炭素構造の密度を高めるために、欠陥炭素の前駆体として、金属-有機構造体(metal-organic framework,MOF)を使用し、電極基材である炭素フェルトを酸化させた後、MOFをコーティングし炭化して電極を製造した。
時間によって生成される欠陥炭素構造の影響を比較分析するために、1時間炭化させたCZ-1電極及び5時間炭化させたCZ-5電極を準備した。炭素フェルト(pristine CF;pCF)及び製造した電極(CZ-1及びCZ-5)においてZnの成長の形態及びデンドライトの形成は、図1の通りである。炭素フェルト(pCF)の滑らかな表面は6角形構造のZIF-8ナノ結晶で均一に覆われてZIF-8@CFを形成した。炭素フェルト上のZIF-8粒子の成長を粉末X線回折分析で確認した(図2)。ZIF-8@CFに対して検出された7.2゜、10.2゜、12.5゜、16.0゜、及び17.7゜における回折ピークはそれぞれ、ZIF-8の(110)、(200)、(211)、(310)、及び(222)平面に相応する。炭化後、CZ-1の表面はCF上にデコボコの炭素スキンが形成され、これは、欠陥の少ないCFの滑らかな炭素スキンが進化したことを暗示する(図3C及び図3D)。炭化時間を1時間から5時間に増加させるにつれて、炭素層による炭素フェルトのカバレッジが増加して網状(web-like)炭素層が形成され、これは、炭化過程でCF及び炭化ZIF-8粒子間のπ-π相互作用によるCF表面上の炭素層の拡散を示すものである(図3及び図4)。pCF、CZ-1及びCZ-5の結晶構造はX線回折(XRD)によって分析された(図3G)。2θ=25゜で最も強い尖っている反射ピークは一般に炭素の黒鉛構造の(002)反射を示す。結果的に、XRDスペクトルにおいて、CZ-1の場合、2θ=25゜で最も高いピーク強度が観察され、これはZIF-8の炭化で生成された高黒鉛質炭素構造を意味する。CZ-5のXRDパターンにおいて2θ=25゜における強度はpCFと比較して減少しており、これは高密度欠陥炭素構造の形成に起因する(図3G)。
Zn吸着及び表面拡散に対する欠陥構造の影響に対する基本的な理解を得るために、本発明者らは完全グラフェン、及び典型的な炭素欠陥を有するZnアダタムの吸着エネルギー(adsorption energies,Eads)に対する密度汎関数理論(density functional theory(DFT)に基づく第1原理計算を行った。代表的な5類型の炭素構造を考慮した;1)無欠陥グラフェン(perfect grapheme,G(001))、単一欠失欠陥(Single vacancy,SV1)、2)ストーンウェイルズ欠陥(Stone wales,SW(55-77)、及び3,4)2個の二重欠失欠陥(Double vacancy,DV2(585)及びDV2(555-777))(図6A)。原子を除去又は追加せずに、6角形環を再構成しようとする傾向により、炭素欠陥構造は前記5類型の構造の一つに収斂する。一つの欠損格子炭素を有する最も簡単な欠陥である単一欠失欠陥は、一つのダングリング結合(dangling bond)を有することができる(SV1)。ストーンウェイルズ欠陥は2個の7角形及び2個の5角形構造で構成される(SW(55-77))。二重欠失欠陥の類型の構造は、完全なグラフェン(無欠陥炭素構造)からC-C二量体を除去したり、或いは2個の単一欠失欠陥の癒着(coalescene)によって形成可能であり、その一つの構造は2個の5角形及び1個の8角形構造を有し(DV2(585))、もう一つは3個の5角形及び3個の7角形を有する(DV2(555-777))。(001)結晶面を有する完全なグラフェンを対照群とした。
欠陥のある炭素レイヤにおいて選好されるZnの成長は、ex-situ高角環形暗視野走査透過電子顕微鏡(ex situ high-angle annular dark field scanning transmission electron microscopy(HAADF-STEM)及びこれに相応するエネルギー分散分光法マッピング(energy dispersive spectroscopy(EDS)mapping)によって確認された。マイクロメートルサイズのZn金属の既に成長した部分は、ナノメートルスケール観測ができなかった。他の部位で形成されたZnのナノスケール核がEDSマッピング及びHAADF-STEMの対象とされた。図12A~図12Dに示すように、pCFにおいてZn核は低い粒子密度で粗く形成されることが観測され、無作為に分布したZn核はZn核及びアダタムによる高い吸着エネルギーを有する特異的にあらかじめ決定された核生成部位がないことを示す。対照的に、CZ-1の欠陥炭素層ではZn核の豊富な形成が観測された。CZ-1電極の豊富なZn核は、pCF及びCZ-5電極のキャパシタンス(0.4mF/cm2及び8.6mF/cm2)よりも大きい15.4mF/cm2の電気的二重レイヤキャパシタンスによって有効電流密度が減少したため、発達することがあるという点に留意すべきである(図13)。iR-補償(iR-compensation)後の他の電極に10mA/cm2のZnを電着するための特性電圧プロファイルを確認した。1.142VのCZ-1に対する核形成過電位(Overpotential,η)は、CZ-5及びpCFの核形成過電位(1.145V及び1.124V)よりも非常に低く、これは、CZ-1の増加した表面積がCZ-5の欠陥炭素レイヤのような事前-定義された核形成位置に比べてZn沈着物をより効果的に生成するということを意味する。これと一致して、サイクリックボルタンメトリー(cyclic voltammetries,CVs)において、CZ-1電極は-984.9mVの小さいZn電着電位を示したのに対し、pCF及びCZ-5はそれぞれ定電流電気電着(galvanostatic electrodeposition)においてEDLC及びηの傾向によって-992.0mV及び-985.1mVの電着電位の減少を示す(図14)。対照的に、CZ-5上の炭素元素に対してのみEDSマッピングをしたとき、Zn核は主に欠陥炭素レイヤに電着されたため、コーティングされた欠陥炭素レイヤは検出されなかった(図12M、図12N)。これは、埋め立てられているnmサイズのZn核がDFT計算で予想された通り、欠陥炭素レイヤの高い吸着エネルギーによってCZ-5の結合炭素層だけにおいて成長したことを意味する。図12E、図12J及び図12Oは、STEMイメージ結果によるpCF、CZ-1及びCZ-5電極において電気電着されたZnの概略的な断面図である。CZ-1サンプルは初期段階で比較的に豊富で均一なZn金属フォトグラフィー(topography)を示す。対照的に、CZ-5の欠陥炭素層に沿うZn核の推定縁成長(putative edge growth)は、欠陥のZnの自己凝集に対する抑制影響と同じ意味を有する。
各電極の電着メカニズムに関するより多い情報を得るために、100mA/cm2の電流密度において様々な電着時間(1秒、30秒、60秒及び12分)の変化によって、pCF、CZ-1及びCZ-5電極において電着されたZnの構造的な変化を観察した。図17A~図17Dは、炭素繊維のチップ部分においてpCF上のZn電着物の走査電子顕微鏡(SEM)イメージを示すものである。1秒において、ミクロンサイズのZnナノ粒子の凝集体がpCF表面の小さな部分に見られた。pCF表面に均一に分布した核の代わりに、Znナノクラスターが炭素表面に垂直に成長することが見られた(図17A)。DFT計算結果のように、Znのこのようなチップ成長は2段階の核成長によって発生する;まず、炭素繊維の幾何学的に切断されたチップ部分は当該部位でより強い電場を引き起こし、局所的に強化された電場は炭素繊維のチップ部分において有利な電着によるデンドライト成長を招く。その後、Zn原子と核は表面エネルギーを減らすために炭素繊維のチップにある電着されたZnに移動する。Zn凝集体の形成は無欠陥完全グラフェン表面におけるZnアダタムの小さい吸着エネルギーによって理解され得る。Zn電着が進行し続くことによって、電場が集中している炭素繊維の切断されたチップにZn突出部が観測された(図17B)。
Znメッキ/剥離の臨界電流密度を確認するために、pCF、CZ-1及びCZ-5電極を含む亜鉛-臭素フロー電池(Zinc-bromine flow batteries,ZBB)の律速特性(rate capability)を調べた。ZBBのサイクリング性能は40mA/cm2の電流密度で4サイクルにわたってサイクリングした後、60mA/cm2、80mA/cm2、100mA/cm2、120mA/cm2及び60mA/cm2の様々な電流密度でそれぞれ10サイクルずつ12mAhの固定充電容量でテストした(図18A~図18E)。図18A及び図18Bに示すように、CZ-5電極を含むZBB(CZ-5@ZBB)のセルだけが120mA/cm2のメッキ/剥離電流密度に対してそれぞれ67%及び97%のエネルギー効率(Energy Efficiency,EE)及びクーロン効率(coulombic efficiency,CE)を示した。逆に、pCF及びCZ-1を含むZBB(pCF@ZBB及びCZ-1@ZBB)は、120mA/cm2の電流密度においてセル破壊(cell failure)を示した。興味深いことに、むしろpCF@ZBBはCZ-1@ZBBよりも高いEE及びCEを示し、より長い律速特性テスト時間を維持した(図18C及び図18D)。このような結果は、CZ-1電極がpCF電極に比べて不安定な電気化学的性能を示すことを意味し、これは、豊富な核によって誘導可能な電極における有効電流密度の減少及びより均一な金属メッキの生成のような通常の予想と異なるものである。しかし、pCF及びCZ-5電極に比べてより大きい表面積を持つCZ-1の速いセル破壊及び低い律速特性は、強い吸着核生成部位無しで低い表面エネルギー上に豊富に形成された核が、エピタキシャル成長(epitaxial growth)よりはデンドライト凝集体の成長に寄与できることを暗示する。このような傾向は、長期電気化学安定性試験でも確認された(図18F~18J)。Znメッキ/剥離工程の間にZnデンドライトの成長によって462サイクルにおいてpCF@ZBBセルでCE及びEEが急に減少し(図19は、長期セルサイクリングテスト以降のZnのデンドライト成長を示す。)、CZ-1@BBは約395サイクルにおいてCE及びEEが減少した。これと比較して、CZ-5@ZBB細胞は、安定したCE(97%以上)及び5,000サイクルまでサイクリングする間にZnの安定した成長を示し、また、効果的にデンドライト成長を抑制した(図19F、図19G)。CZ-5@ZBBの圧倒的に優れた電気化学的性能は、固定した120mAh充電容量において120mA/cm2の充放電電流密度の条件のセルサイクリングテストからも立証された(図20)。CZ-5@ZBBセルは、200サイクル以上においても安定した性能を示したのに対し、pCF@ZBBセルの場合、CE及びEEはわずか20サイクル後に不安定な性能を示し、CZ-1@ZBBの場合には単に1サイクル後にCE及びEEが劇的に減少した。これは、100mA/cm2における長期試験結果と類似の傾向であった。他のハイブリッドRFB(ZBBs、Zn-Iodine(I)RFBs、Zn-Iron(Fe)RFBs、Zn-Cerium(Ce)RFBs)と比較しても、CZ-5@ZBBは高電流密度において非常に優れた寿命を示す(図21)。下記表1は、図21に引用された文献を示す。
Claims (13)
- 次の段階を含む炭素欠陥構造を含有するZnベースの二次電池用電極の製造方法:
(a)電極基材に金属-有機構造体(metal-organic framework;MOF)をコーティングする段階;及び
(b)前記(a)段階でMOFコーティングされた電極基材を炭化させ、炭素欠陥構造を含有する炭素層を形成する段階。 - 前記金属-有機構造体は、MOF-74、MOF-101、MOF-177、MOF-235、MOF-253、MOF-5、IRMOF-16、UiO-66、UiO-67、UiO-68、MIL-53、MIL-53(Al)-NH 2 、MIL-88A、MIL-88-Fe、MIL-88B-4CH3、MIL-100-Fe、MIL-101、MOF-199、LIC-10、ZIF-8、ZIF-90、CPL-2、F-MOF-1、及びMOP-1からなる群から選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の電極の製造方法。
- 前記金属-有機構造体は、ゼオライトイミダゾール構造体(Zeolitic Imidazole Framework)であることを特徴とする、請求項1に記載の電極の製造方法。
- 前記(b)段階は、900~1500℃で3~7時間加熱して炭化させることを特徴とする、請求項3に記載の電極の製造方法。
- 前記(a)段階前に電極基材を酸化させる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の電極の製造方法。
- 前記炭素欠陥構造は、単一欠失欠陥(Single vacancy defect)構造であることを特徴とする、請求項1に記載の電極の製造方法。
- 前記単一欠失欠陥(Single vacancy defect)の密度は、ラマン散乱法で測定時、1585cm-1バンド(Gバンド)に対して1350cm-1バンド(Dバンド)の比率(ID/IG)が1.1~2.0であることを特徴とする、請求項6に記載の電極の製造方法。
- 前記電極基材は、炭素フェルト、炭素電極、金属(metal)電極、インジウムスズ酸化物(ITO)電極、及びフッ素スズ酸化物(FTO)電極からなる群から選ばれるいずれか一つ以上を含むことを特徴とする、請求項1に記載の電極の製造方法。
- 電極の表面に炭素欠陥構造を含有する炭素層を含む、Znベースの二次電池用電極であって、前記単一欠失欠陥の密度が、ラマン散乱法で測定時、1585cm -1 バンド(Gバンド)に対して1350cm -1 バンド(Dバンド)の比率(ID/IG)が少なくとも1.4である、前記電極。
- 前記炭素欠陥構造は単一欠失欠陥(Single vacancy defect)構造であることを特徴とする、請求項9に記載の電極。
- 前記単一欠失欠陥(Single vacancy defect)の密度はラマン散乱法で測定時、1585cm-1バンド(Gバンド)に対して1350cm-1バンド(Dバンド)の比率(ID/IG)が1.4~2.0であることを特徴とする、請求項10に記載の電極。
- 請求項9~11のいずれか一項に記載の電極を含むZnベースの二次電池。
- 前記二次電池は、Zn空気電池、Znイオン電池、Zn-ハロゲンフロー電池、Zn-Feフロー電池及びZn-Ceフロー電池からなる群から選ばれることを特徴とする、請求項12に記載の二次電池。
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