JP7278287B2 - 層状構造及び層状構造を製造するための方法 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる、「Layered Structure and Method for Fabricating Same」と題する2017年12月19日出願の米国仮特許出願第62/607,641号の優先権を主張する。
[0170] ここで図1を参照すると、電気的導電性基板10(この場合、電気的導電性シリコンウェハ)の形態の基板アセンブリの断面図が示されている。この基板10の低い電気抵抗は、基板10が完成したCMUTでの下部電極として機能するのを容易にする。いくつかの異なる実施形態(図示せず)では、専用の下部電極が、代替として絶縁基板10上にパターン化され得る。CMUTは通常、基板としてシリコンウェハを使用して製造されるが、滑らかな親水性表面を有する剛性から半剛性の表面の任意のバージョンが、本方法で使用されるのに十分である。基板10の表面は、少なくともいくつかの例示的な実施形態では、後続の動作で説明される最終的な膜の湿潤解放を達成するために親水性である。
[0211] 少なくともいくつかの例示的な実施形態では、ウェハボンディング技術が使用されて、図15で表されるCMUTの類似のバージョンを製造することができる。このアプローチでは、シリコンウェハなどの2つの別個の基板で材料が堆積させられて処理される。次いで、別個の基板上に堆積させられた材料が一緒に接着されてさらに処理されて、CMUTを取得する。詳細な製造の説明が続く。
[0228] CMUTでの電荷捕獲効果は、例えば、プルインを超えて大きなバイアス電圧を印加することによって誘電体層に電気電荷を故意に捕獲することによって、ゼロバイアス共振器が製造されるときに観察され得る。より一般的には、電荷捕獲効果は、ゼロバイアスではないものを含む、本明細書で説明される実施形態に従って製造される、(CMUTを含む)任意の共振器又は層状デバイスについて観察され得る。本明細書で説明される例では、捕獲された電荷の効果は、共振器の通常の動作にポジティブに寄与する(例えば、捕獲された電荷が存在するとき、著しくより低い動作電圧が使用され得る)。
[0232] 図1~図15に関して説明された表面マイクロマシニングの実施形態を使用して、64個及び128個のCMUT素子を含む直線アレイのセットが、それぞれの素子が導電性基板10(シリコンウェハ)の形態で共通の下部電極を共有するCMUTセルの相互接続されたマトリクスを備えて製造された。これらのCMUT素子は、図38(64個の素子)及び図39(128個の素子)に示される。全製造時間は、16時間であった。
Claims (63)
- 層状構造を製造するための方法であって、
(a)下部電極として機能する基板アセンブリ上に犠牲層を堆積させることと、
(b)前記犠牲層を第1形状にパターン化することと、
(c)パターン化された前記犠牲層上に、第1ポリマーベースの層を堆積させることと、
(d)パターン化された前記犠牲層の上の前記第1ポリマーベースの層上に、上部電極をパターン化することと、
(e)第2ポリマーベースの層を前記上部電極上に、前記電極が前記第1及び第2ポリマーベースの層の間にあるように堆積させることと、
(f)前記第2ポリマーベースの層が前記上部電極上に堆積された後に、前記犠牲層をエッチング除去して、前記電極の下に空洞を形成することと、
を含む、方法。 - 前記第1ポリマーベースの層が、エッチャントが前記第1ポリマーベースの層の上部からパターン化された前記犠牲層に流れることを可能にする導管を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記第2ポリマーベースの層が、前記導管を塞ぐように堆積され、
前記方法は、前記導管を塞ぐ前記第2ポリマーベースの層の一部をエッチング除去することをさらに含み、
パターン化された前記犠牲層をエッチング除去することが、前記導管を通じて前記エッチャントを流すことを含む、請求項2に記載の方法。 - 前記犠牲層を前記第1形状にパターン化することと、パターン化された前記犠牲層をエッチング除去して前記空洞を形成することと、が有機及び非毒性溶媒を使用して行われる、請求項1~3の何れか一項に記載の方法。
- 前記層状構造が、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサを含み、
前記第1形状が、前記トランスデューサの空洞を含み、
前記方法は、
(a)パターン化された前記犠牲層まで前記第1ポリマーベースの層を通るビアホールをパターン化することであって、前記エッチングが前記ビアホールを使用して行われて前記空洞を形成することと、
(b)前記空洞を閉じることと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記トランスデューサの前記空洞として形成されるように前記犠牲層をパターン化することと、パターン化された前記犠牲層をエッチング除去して前記トランスデューサの前記空洞を形成することと、前記ビアホールをパターン化することと、が有機及び非毒性溶媒を使用して行われる、請求項5に記載の方法。
- 前記空洞を閉じることをさらに含む、請求項1~4の何れか一項に記載の方法。
- 前記空洞を閉じることが、前記第1及び第2ポリマーベースの層を生体適合性材料で被包することを含む、請求項5~7の何れか一項に記載の方法。
- 前記生体適合性材料が、ポリ(p-キシリレン)ポリマーを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記上部電極をパターン化することが、前記上部電極への金属接続をパターン化することを含み、
前記金属接続が、前記空洞が閉じられた後に前記第2ポリマーベースの層によって覆われず、
前記空洞を閉じることが、前記金属接続上に生体適合性材料を堆積させることを含む、請求項5~9の何れか一項に記載の方法。 - 前記空洞を閉じることが、0.001トル以下の圧力で、ポリマー蒸発器チャンバーで行われる、請求項5~10の何れか一項に記載の方法。
- 前記空洞を閉じることが、前記空洞の周りに水密シールを形成することを含む、請求項5~11の何れか一項に記載の方法。
- 前記上部電極が、前記第1及び第2ポリマーベースの層内に埋め込まれている、請求項5~12の何れか一項に記載の方法。
- 前記犠牲層が感光性であり、前記犠牲層をパターン化して、前記空洞を形成することが、
(a)前記第1形状として形成された前記犠牲層の一部を架橋することと、
(b)現像液を施して、架橋されていない前記犠牲層の一部をエッチング除去することと、
を含む、請求項1~13の何れか一項に記載の方法。 - 前記犠牲層が感光性でなく、前記犠牲層をパターン化して、前記空洞を形成することが、
(a)前記犠牲層上にポジティブフォトレジスト層を堆積させることと、
(b)前記空洞として形成される前記犠牲層の一部に対応する前記ポジティブフォトレジスト層の一部を架橋することと、
(c)フォトレジスト現像液を施して、架橋されていない前記フォトレジスト層、及び架橋されていない前記フォトレジスト層の下にある前記犠牲層をエッチング除去することと、
(d)前記フォトレジスト層及び前記犠牲層がエッチング除去された後に、架橋されている前記フォトレジスト層を除去することと、
を含む、請求項1~13の何れか一項に記載の方法。 - 前記第2ポリマーベースの層が、前記第1ポリマーベースの層よりも厚い、請求項1~15の何れか一項に記載の方法。
- 前記第2ポリマーベースの層が、前記第1ポリマーベースの層よりも少なくとも5倍厚い、請求項16に記載の方法。
- 前記第1ポリマーベースの層に対する前記第2ポリマーベースの層の相対的な厚さが、前記上部電極が少なくとも1MHzの周波数で共振するように選択される、請求項16に記載の方法。
- 前記製造が、150℃以下の温度で行われる、請求項1~18の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、可撓性である、請求項1~19の何れか一項に記載の方法。
- 前記上部電極が、導電性ポリマーを含む、請求項1~20の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、光透過性材料を含む、請求項1~21の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、基板上に光透過性導電性下部電極をさらに備える、請求項22に記載の方法。
- パターン化された前記犠牲層がエッチング除去された後に、
(a)前記上部電極に接触する前記第1ポリマーベースの層の一部が引き寄せられて前記基板アセンブリと接触するように、前記上部電極及び前記基板アセンブリにわたって電圧を印加することと、
(b)前記上部電極に接触する前記第1ポリマーベースの層の前記一部及び前記基板アセンブリを、ある期間の間接触状態を維持することと、次いで、
(c)前記電圧を印加することをやめることと、
をさらに含む、請求項1~23の何れか一項に記載の方法。 - 前記犠牲層が、ポリマーを含む、請求項1~24の何れか一項に記載の方法。
- 前記犠牲層を堆積させることが、前記犠牲層を前記基板アセンブリ上にスピンコーティング又はスプレーコーティングすることを含む、請求項25に記載の方法。
- パターン化された前記犠牲層上に前記第1ポリマーベースの層を堆積させることが、前記基板アセンブリと接触する底面を除くパターン化された前記犠牲層のすべての表面を前記第1ポリマーベースの層で覆うことを含む、請求項1~26の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、導電性基板を備える、請求項1~27の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、非導電性基板と、前記基板上の導電性下部電極と、を備える、請求項1~27の何れか一項に記載の方法。
- パターンされた前記犠牲層が、前記第1及び第2ポリマーベースの層、並びに、前記第1及び第2ポリマーベースの層の前記パターン化の間に使用されるフォトレジスト現像液、に曝されるときに非反応性であり、
前記第1及び第2ポリマーベースの層が、パターン化された前記犠牲層をエッチング除去するために使用されるエッチャントに曝されるときに非反応性である、請求項1に記載の方法。 - 前記第1及び第2ポリマーベースの層が、SU8フォトレジストを含む、請求項1~30の何れか一項に記載の方法。
- 前記犠牲層が、OmniCoat(商標)組成物を含む、請求項1~31の何れか一項に記載の方法。
- 前記空洞が、前記構造の動作電圧が50ボルト以下になるように選択される高さを有する、請求項1~32の何れか一項に記載の方法。
- 前記空洞が、0.3μm以下の高さを有する、請求項1~33の何れか一項に記載の方法。
- 前記犠牲層を堆積させることが、溶媒を含む組成物を蒸発させることと、次いで、前記組成物を前記犠牲層として堆積させることと、を含み、前記溶媒の少なくとも70%かつ90%以下が蒸発する、請求項1~34の何れか一項に記載の方法。
- 層状構造を製造するための方法であって、
(a)下部電極として機能する基板アセンブリ上に第1ポリマーベースの層を堆積させることと、
(b)前記第1ポリマーベースの層をパターン化して、空洞にすることと、
(c)別個の基板上に犠牲層を堆積させることと、
(d)前記犠牲層上に第2ポリマーベースの層を堆積させることと、
(e)前記第2ポリマーベースの層上に上部電極を堆積させることと、
(f)第3ポリマーベースの層を前記電極上に、前記上部電極が前記第2及び第3ポリマーベースの層の間にあるように堆積させることと、
(g)前記空洞が前記第1及び第3ポリマーベースの層によって閉じられるように、前記第1及び第3ポリマーベースの層を一緒に接着することと、
(h)前記第2ポリマーベースの層が前記別個の基板から解放されるように、前記犠牲層をエッチング除去することと、
を含む、方法。 - 前記上部電極が、前記第2及び第3ポリマーベースの層内に埋め込まれている、請求項36に記載の方法。
- 前記第1及び第3ポリマー層を一緒に接着する前に、前記第1及び第3ポリマーベースの層を架橋することをさらに含む、請求項36又は37に記載の方法。
- 前記第1ポリマーベースの層をパターン化すること及び前記犠牲層をエッチング除去することが、有機及び非毒性溶媒を使用して行われる、請求項36~38の何れか一項に記載の方法。
- 前記第1ポリマーベースの層が感光性であり、前記第1ポリマーベースの層をパターン化して、前記空洞にすることが、
(a)前記第1ポリマーベースの層の一部を、前記エッチングの後に残るように、前記一部を紫外線照射に曝すことによって架橋することと、
(b)フォトレジスト現像液を施して、前記第1ポリマーベースの層の架橋されていない領域をエッチングすることと、
を含む、請求項36~39の何れか一項に記載の方法。 - 前記第2ポリマーベースの層が、前記第3ポリマーベースの層よりも厚い、請求項36~40の何れか一項に記載の方法。
- 前記第2ポリマーベースの層が、前記第3ポリマーベースの層よりも少なくとも5倍厚い、請求項41に記載の方法。
- 前記第3ポリマーベースの層に対する前記第2ポリマーベースの層の相対的な厚さが、前記上部電極が少なくとも1MHzの周波数で共振するように選択される、請求項41に記載の方法。
- 製造が、150℃以下の温度で行われる、請求項36~43の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、可撓性であり、剛性のキャリアに結合されている、請求項36~44の何れか一項に記載の方法。
- 前記上部電極が、導電性ポリマーを含む、請求項36~45の何れか一項に記載の方法。
- 前記第1及び第3ポリマー層を一緒に接着することが、
(a)互いに接着されるように前記第1及び第3ポリマー層の表面をプラズマで処理することと、
(b)前記表面を互いに位置合わせすることと、
(c)前記表面を一緒に押し付けることと、
を含む、請求項36~46の何れか一項に記載の方法。 - 前記接着が、0.001トル以下の圧力で、ボンディングチャンバーで行われる、請求項36~47の何れか一項に記載の方法。
- 前記接着の後に、
(a)前記上部電極に接触する前記第1ポリマーベースの層の一部が引き寄せられて前記基板アセンブリと接触するように、前記上部電極及び前記基板アセンブリにわたって電圧を印加することと、
(b)前記上部電極に接触する前記第1ポリマーベースの層の前記一部及び前記基板アセンブリを、ある期間の間接触状態を維持することと、次いで、
(c)前記電圧を印加することをやめることによって、前記第1ポリマーベースの層に電荷を捕獲することと、
をさらに含む、請求項36~48の何れか一項に記載の方法。 - 前記犠牲層が、ポリマーを含む、請求項36~49の何れか一項に記載の方法。
- 前記犠牲層上に前記第2ポリマーベースの層を堆積させることが、前記犠牲層を前記第2ポリマーベースの層で完全に覆うことを含む、請求項36~50の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、導電性基板を備える、請求項36~51の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、非導電性基板と、前記基板上の導電性下部電極と、を備える、請求項36~52の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、光透過性材料を含む、請求項36~53の何れか一項に記載の方法。
- 前記基板アセンブリが、前記基板上に光透過性導電性下部電極をさらに備える、請求項54に記載の方法。
- 前記接着の後に、水密シールが前記空洞の周りにある、請求項36~55の何れか一項に記載の方法。
- 前記犠牲層が、前記第2ポリマーベースの層及び前記第2ポリマーベースの層の前記パターン化の間に使用されるフォトレジスト現像液に曝されるときに非反応性であり、
前記第2ポリマーベースの層が、前記犠牲層をエッチング除去するために使用されるエッチャントに曝されるときに非反応性である、請求項36に記載の方法。 - 前記第1、第2及び第3ポリマーベースの層が、SU8フォトレジストを含む、請求項36~57の何れか一項に記載の方法。
- 前記犠牲層が、OmniCoat(商標)組成物を含む、請求項36~58の何れか一項に記載の方法。
- 前記空洞が、トランスデューサの動作電圧が50ボルト以下になるように選択される高さを有する、請求項36~59の何れか一項に記載の方法。
- 前記空洞が、0.3μm以下の高さを有する、請求項36~60の何れか一項に記載の方法。
- 前記犠牲層を堆積させることが、溶媒を含む組成物を蒸発させることと、次いで、前記組成物を前記犠牲層として堆積させることと、を含み、前記溶媒の少なくとも70%かつ90%以下が蒸発する、請求項36~61の何れか一項に記載の方法。
- 前記層状構造が、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサを含む、請求項36~62の何れか一項に記載の方法。
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KR20210080685A (ko) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP2023510931A (ja) * | 2020-01-17 | 2023-03-15 | ザ ユニヴァーシティ オブ ブリティッシュ コロンビア | 柔軟な静電容量型微細加工超音波振動子アレイ |
KR102298213B1 (ko) * | 2020-01-31 | 2021-09-06 | 한국과학기술원 | 다층 구조의 멤브레인을 가진 초음파 트랜스듀서 및 이의 제작 방법 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005505429A (ja) | 2001-06-28 | 2005-02-24 | マイクロチップス・インコーポレーテッド | マイクロチップリザーバデバイスを密閉シーリングするための方法 |
JP2006352823A (ja) | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Ind Technol Res Inst | 高分子基コンデンサー超音波エネルギー転換器の製造方法 |
WO2007029357A1 (ja) | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Hitachi Medical Corporation | 超音波撮像装置 |
JP2008193652A (ja) | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Ind Technol Res Inst | 柔軟容量性超音波変換器およびその製作方法 |
JP4723670B2 (ja) | 2006-04-10 | 2011-07-13 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 広帯域特性を備えた干渉光学ディスプレイシステム |
CN102249181A (zh) | 2011-03-28 | 2011-11-23 | 大连理工大学 | 一种su-8胶微力传感器的制作方法 |
JP5362060B2 (ja) | 2002-12-31 | 2013-12-11 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | エピタキシャルリアクタにおける表面マイクロマシニングされた構造のためのギャップチューニング |
JP5535534B2 (ja) | 2008-07-01 | 2014-07-02 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | ゲッタ材料によりマイクロ電子デバイスを封入する方法 |
JP2014140958A (ja) | 2009-12-23 | 2014-08-07 | Intel Corp | フレキシブル基板を有する装置 |
WO2014134723A1 (en) | 2013-03-05 | 2014-09-12 | University Of Manitoba | Capacitive micromachined ultrasonic transducer with multiple deflectable membranes |
JP2015064614A (ja) | 2005-08-19 | 2015-04-09 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 応力に起因する変形を最小限に抑えるように構成された支持構造を有するmemsデバイス、およびその製造方法 |
JP2015098054A (ja) | 2013-11-19 | 2015-05-28 | ロフィン−ジナール テクノロジーズ インコーポレイテッド | 電気/機械マイクロチップおよびバースト超高速のレーザーパルスによる電気/機械マイクロチップの作成方法 |
US20150174573A1 (en) | 2012-07-05 | 2015-06-25 | Cornell University | Porous membrane apparatus, method, and applications |
WO2016147908A1 (ja) | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 物理・化学センサ、物理・化学センサアレイおよび物理・化学センシングデバイス |
WO2017186781A1 (en) | 2016-04-26 | 2017-11-02 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound device contacting |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5281635A (en) | 1991-05-17 | 1994-01-25 | Johnson Matthey Public Limited Company | Precious metal composition |
US7898722B2 (en) * | 1995-05-01 | 2011-03-01 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Microelectromechanical device with restoring electrode |
US6443901B1 (en) | 2000-06-15 | 2002-09-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Capacitive micromachined ultrasonic transducers |
RU2003124631A (ru) * | 2001-01-05 | 2005-02-27 | Бьёрн А. Дж. АНГЕЛЬСЕН (NO) АНГЕЛЬСЕН Бьёрн А. Дж. (NO) | Широкополосный преобразователь |
CA2493389A1 (en) * | 2001-08-28 | 2003-03-06 | Scott Ballantyne | Electromagnetic piezoelectric acoustic sensor |
CA2406684A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-04-05 | Queen's University At Kingston | Ultrasound transducer array |
US20050121734A1 (en) * | 2003-11-07 | 2005-06-09 | Georgia Tech Research Corporation | Combination catheter devices, methods, and systems |
EP1713399A4 (en) | 2004-02-06 | 2010-08-11 | Georgia Tech Res Inst | CMUT DEVICES AND MANUFACTURING METHOD |
EP1882127A2 (en) * | 2005-05-18 | 2008-01-30 | Kolo Technologies, Inc. | Micro-electro-mechanical transducers |
JP5128470B2 (ja) | 2005-06-17 | 2013-01-23 | コロ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 絶縁延長を有する微小電気機械変換器 |
US7561009B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-07-14 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation |
US8178004B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-05-15 | Aculon, Inc. | Compositions for providing hydrophobic layers to metallic substrates |
US8939029B2 (en) * | 2008-09-05 | 2015-01-27 | Analog Devices, Inc. | MEMS sensor with movable Z-axis sensing element |
US8146425B2 (en) | 2008-09-05 | 2012-04-03 | Analog Devices, Inc. | MEMS sensor with movable z-axis sensing element |
JP2011244425A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-12-01 | Canon Inc | 電気機械変換装置及びその作製方法 |
FR2963099B1 (fr) | 2010-07-22 | 2013-10-04 | Commissariat Energie Atomique | Capteur de pression dynamique mems, en particulier pour des applications a la realisation de microphones |
EP2460762B1 (en) * | 2010-12-06 | 2014-10-08 | Nxp B.V. | MEMS device having reduced stiction and manufacturing method |
US9085456B2 (en) * | 2012-01-16 | 2015-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Support structure for TSV in MEMS structure |
US9457302B2 (en) * | 2014-05-08 | 2016-10-04 | Flodesign Sonics, Inc. | Acoustophoretic device with piezoelectric transducer array |
US9210516B2 (en) * | 2012-04-23 | 2015-12-08 | Infineon Technologies Ag | Packaged MEMS device and method of calibrating a packaged MEMS device |
US20130293482A1 (en) * | 2012-05-04 | 2013-11-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Transparent through-glass via |
JP5807664B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2015-11-10 | 横河電機株式会社 | 振動式トランスデューサおよびその製造方法 |
US9921004B2 (en) * | 2014-09-15 | 2018-03-20 | Kelvin Thermal Technologies, Inc. | Polymer-based microfabricated thermal ground plane |
US10427188B2 (en) | 2015-07-30 | 2019-10-01 | North Carolina State University | Anodically bonded vacuum-sealed capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) |
JP6561804B2 (ja) * | 2015-12-03 | 2019-08-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN105413997B (zh) | 2015-12-09 | 2017-11-07 | 华南理工大学 | 柔性化电容式微加工超声换能器及其制备方法 |
JP6873156B2 (ja) * | 2016-04-26 | 2021-05-19 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 接触する超音波装置 |
CN106517081B (zh) * | 2016-10-28 | 2018-03-09 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 磁性封装微机器人及其制备方法 |
EP3729020A4 (en) * | 2017-12-19 | 2022-04-13 | The University of British Columbia | LAYER STRUCTURE AND MANUFACTURING PROCESS THEREOF |
-
2018
- 2018-12-18 EP EP18890165.6A patent/EP3729020A4/en active Pending
- 2018-12-18 CA CA3085014A patent/CA3085014A1/en active Pending
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-
2019
- 2019-02-14 US US16/276,548 patent/US10509013B2/en active Active
- 2019-02-14 US US16/276,517 patent/US10564132B2/en active Active
- 2019-11-14 US US16/684,543 patent/US10598632B1/en active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005505429A (ja) | 2001-06-28 | 2005-02-24 | マイクロチップス・インコーポレーテッド | マイクロチップリザーバデバイスを密閉シーリングするための方法 |
JP5362060B2 (ja) | 2002-12-31 | 2013-12-11 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | エピタキシャルリアクタにおける表面マイクロマシニングされた構造のためのギャップチューニング |
JP2006352823A (ja) | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Ind Technol Res Inst | 高分子基コンデンサー超音波エネルギー転換器の製造方法 |
JP2015064614A (ja) | 2005-08-19 | 2015-04-09 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 応力に起因する変形を最小限に抑えるように構成された支持構造を有するmemsデバイス、およびその製造方法 |
WO2007029357A1 (ja) | 2005-09-05 | 2007-03-15 | Hitachi Medical Corporation | 超音波撮像装置 |
JP4723670B2 (ja) | 2006-04-10 | 2011-07-13 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 広帯域特性を備えた干渉光学ディスプレイシステム |
JP2008193652A (ja) | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Ind Technol Res Inst | 柔軟容量性超音波変換器およびその製作方法 |
JP5535534B2 (ja) | 2008-07-01 | 2014-07-02 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | ゲッタ材料によりマイクロ電子デバイスを封入する方法 |
JP2014140958A (ja) | 2009-12-23 | 2014-08-07 | Intel Corp | フレキシブル基板を有する装置 |
CN102249181A (zh) | 2011-03-28 | 2011-11-23 | 大连理工大学 | 一种su-8胶微力传感器的制作方法 |
US20150174573A1 (en) | 2012-07-05 | 2015-06-25 | Cornell University | Porous membrane apparatus, method, and applications |
WO2014134723A1 (en) | 2013-03-05 | 2014-09-12 | University Of Manitoba | Capacitive micromachined ultrasonic transducer with multiple deflectable membranes |
JP2015098054A (ja) | 2013-11-19 | 2015-05-28 | ロフィン−ジナール テクノロジーズ インコーポレイテッド | 電気/機械マイクロチップおよびバースト超高速のレーザーパルスによる電気/機械マイクロチップの作成方法 |
WO2016147908A1 (ja) | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 物理・化学センサ、物理・化学センサアレイおよび物理・化学センシングデバイス |
WO2017186781A1 (en) | 2016-04-26 | 2017-11-02 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound device contacting |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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