JP7278137B2 - Stage apparatus, lithographic apparatus, and method of manufacturing article - Google Patents

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Description

本発明は、ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a stage apparatus, a lithographic apparatus, and a method of manufacturing an article.

半導体デバイスや液晶パネルなどの製造に用いられるリソグラフィ装置には、基板や原版等を保持して移動可能なステージを有するステージ装置が設けられる。ステージ装置では、近年の回路パターンの微細化に伴い、ステージの位置決め精度の向上が要求されており、その要求を実現するには、ステージの位置を精度よく計測することが必要である。 A lithography apparatus used for manufacturing semiconductor devices, liquid crystal panels, and the like is provided with a stage device having a stage capable of moving while holding a substrate, an original, and the like. In the stage device, there is a demand for improved positioning accuracy of the stage as circuit patterns become finer in recent years.

ステージの位置の計測には、一般的にレーザ干渉計が用いられているが、レーザ干渉計では、計測光路上における気体の温度や圧力、湿度等のゆらぎ(「気体のゆらぎ」と呼ぶことがある)に起因する計測光路上の屈折率の変化が計測誤差の要因になりうる。特許文献1には、レーザ干渉計から射出された光(レーザビーム)の光路に沿って気体を流すことにより、当該光路上における屈折率の変化を低減する装置が提案されている。 A laser interferometer is generally used to measure the position of the stage. However, with a laser interferometer, fluctuations in the temperature, pressure, humidity, etc. of the gas on the measurement optical path (sometimes referred to as "fluctuations in the gas") A change in the refractive index on the measurement optical path due to the light beam can be a factor in the measurement error. Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-200001 proposes an apparatus that reduces the change in refractive index along the optical path of light (laser beam) emitted from a laser interferometer by causing gas to flow along the optical path.

特開2011-133398号公報JP 2011-133398 A

レーザ干渉計から射出された光の光路に沿って気体を流す方式では、ステージに向かう方向に吹き出された気体がステージに衝突することで、ステージの周辺において気体の流れが変化し、気体のゆらぎが生じることがある。このようにステージの周辺で生じる気体のゆらぎは、気体の吹出口とステージとの距離が近づくにつれて顕著になるため、ステージの位置を精度よく計測することを困難にしうる。 In the method in which the gas flows along the optical path of the light emitted from the laser interferometer, the gas blown in the direction toward the stage collides with the stage, causing changes in the flow of the gas around the stage and fluctuations in the gas. may occur. Such gas fluctuations occurring around the stage become more pronounced as the distance between the gas outlet and the stage decreases, making it difficult to accurately measure the position of the stage.

そこで、本発明は、ステージの位置を精度よく計測するために有利な技術を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide an advantageous technique for accurately measuring the position of a stage.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのステージ装置は、移動可能なステージと、前記ステージに光を照射して、前記ステージの位置を計測する計測部と、前記光の光路に沿った方向への気体の流れを前記光路に形成するように、前記光路に気体を供給する供給部と、前記方向における前記ステージの位置に応じて、前記供給部から前記光路に供給される気体の流量を変更するように、前記供給部を制御する制御部と、を含み、前記供給部は、前記光路に供給される気体の温度を調整する温度調整部を含み、前記制御部は、前記方向における前記ステージの位置に応じて、前記供給部から前記光路に供給される気体の温度を調整するように、前記温度調整部を制御する、ことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a stage device as one aspect of the present invention includes a movable stage, a measurement unit for measuring the position of the stage by irradiating the stage with light, and an optical path of the light. a supply unit for supplying gas to the optical path so as to form a gas flow along the optical path in a direction along the optical path; and gas supplied from the supply unit to the optical path according to the position of the stage in the direction. a control unit for controlling the supply unit so as to change the flow rate of the supply unit, the supply unit including a temperature adjustment unit for adjusting the temperature of the gas supplied to the optical path, the control unit comprising: The temperature adjusting unit is controlled so as to adjust the temperature of the gas supplied from the supplying unit to the optical path according to the position of the stage in the direction.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects or other aspects of the present invention will be made clear by preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、ステージの位置を精度よく計測するために有利な技術を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an advantageous technique for accurately measuring the position of the stage.

露光装置の全体概略図Overall schematic diagram of exposure equipment 第1実施形態のステージ装置の構成例を示す図FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of a stage device according to the first embodiment; 第1供給部の吹出部の構成例を示す図FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a blowout section of the first supply section; 第1実施形態において、基板ステージの位置に応じた第1供給部の制御例を示す図FIG. 4 is a diagram showing an example of control of the first supply section according to the position of the substrate stage in the first embodiment; 第1供給部および第2供給部の配置例を示す図A diagram showing an arrangement example of the first supply unit and the second supply unit 第2実施形態のステージ装置の構成を示す図A diagram showing the configuration of the stage device of the second embodiment. 第2実施形態において、基板ステージの位置に応じた第1供給部の制御例を示す図FIG. 11 is a diagram showing an example of control of the first supply section according to the position of the substrate stage in the second embodiment; 第1供給部の吹出部の変形例を示す図The figure which shows the modification of the blowing part of a 1st supply part.

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the following embodiments do not limit the invention according to the scope of claims. Although multiple features are described in the embodiments, not all of these multiple features are essential to the invention, and multiple features may be combined arbitrarily. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar configurations are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

以下の実施形態では、本発明に係るステージ装置を、基板を露光する露光装置に適用する例について説明するが、それに限られるものではない。例えば、モールドを用いて基板上の組成物を成形する成形装置(インプリント装置、平坦化装置)や、荷電粒子線を用いて基板上にパターンを形成する描画装置などの他のリソグラフィ装置においても、本発明に係るステージ装置を適用することができる。また、以下では、基板の面と平行な面内で互いに直交する方向をX方向およびY方向とし、基板の面に垂直な方向をZ方向とする。 In the following embodiments, an example in which a stage device according to the present invention is applied to an exposure apparatus that exposes a substrate will be described, but the present invention is not limited to this. For example, in other lithography apparatuses such as a molding apparatus (imprint apparatus, planarization apparatus) that uses a mold to shape a composition on a substrate, or a drawing apparatus that forms a pattern on a substrate using a charged particle beam. , the stage apparatus according to the present invention can be applied. Further, hereinafter, the directions orthogonal to each other in a plane parallel to the surface of the substrate are defined as the X direction and the Y direction, and the direction perpendicular to the surface of the substrate is defined as the Z direction.

<第1実施形態>
本発明に係る第1実施形態の露光装置100について説明する。図1は、第1実施形態の露光装置100の全体概略図である。本実施形態の露光装置100は、例えば液晶パネル用のガラス基板のような大型の基板WにマスクM(原版)のパターンを転写する装置であり、基板Wの露光処理を行う露光部10(本体部)と、露光部10が収容されるチャンバ30と、制御部CNTとを有する。制御部CNTは、例えばCPUやメモリなどを含むコンピュータによって構成され、露光装置100の各部を制御する。
<First embodiment>
An exposure apparatus 100 of a first embodiment according to the present invention will be described. FIG. 1 is an overall schematic diagram of an exposure apparatus 100 of the first embodiment. The exposure apparatus 100 of this embodiment is an apparatus for transferring a pattern of a mask M (original) onto a large substrate W such as a glass substrate for a liquid crystal panel. section), a chamber 30 in which the exposure section 10 is accommodated, and a control section CNT. The control unit CNT is configured by a computer including, for example, a CPU and memory, and controls each unit of the exposure apparatus 100 .

まず、露光部10の構成について説明する。露光部10は、例えば、照明光学系11と、投影光学系12と、マスクステージ13と、基板ステージ14と、観察光学系15と、計測部20とを含みうる。 First, the configuration of the exposure section 10 will be described. The exposure unit 10 can include an illumination optical system 11, a projection optical system 12, a mask stage 13, a substrate stage 14, an observation optical system 15, and a measurement unit 20, for example.

照明光学系11は、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレータなどの複数種類の光学素子を含み、水銀ランプ等の光源11aからの光でマスクMを照明する光学系である。また、投影光学系12は、照明光学系11によって照明されたマスクMのパターンの像を基板Wに投影する光学系である。本実施形態の場合、投影光学系12は、平面ミラー、凹面ミラー、凸面ミラーなどを含むミラープロジェクション型の等倍結像光学系として構成されているが、それに限られず、拡大結像光学系や縮小結像光学系などの他のタイプの光学系が適用されてもよい。 The illumination optical system 11 includes multiple types of optical elements such as lenses, mirrors, and optical integrators, and is an optical system that illuminates the mask M with light from a light source 11a such as a mercury lamp. The projection optical system 12 is an optical system that projects onto the substrate W an image of the pattern of the mask M illuminated by the illumination optical system 11 . In the case of this embodiment, the projection optical system 12 is configured as a mirror projection type equal-magnification imaging optical system including a plane mirror, a concave mirror, a convex mirror, etc. Other types of optics such as demagnifying optics may be applied.

マスクステージ13は、マスクチャック13aとマスク駆動機構13bとを含み、マスクMを保持してXY方向に移動可能に構成される。マスクチャック13aは、真空チャックや静電チャックなどによりマスクMを保持する。マスク駆動機構13bは、マスクチャック13aを支持するとともに、XY方向に移動可能に構成されうる。また、基板ステージ14は、基板チャック14aと基板駆動機構14bとを含み、基板Wを保持して移動可能に構成される。基板チャック14aは、真空チャックや静電チャックなどにより基板Wを保持する。基板駆動機構14bは、基板チャック14aを支持するとともに、定盤16の上をXY方向に移動可能に構成される。 The mask stage 13 includes a mask chuck 13a and a mask drive mechanism 13b, and is configured to hold the mask M and move in the XY directions. The mask chuck 13a holds the mask M with a vacuum chuck, an electrostatic chuck, or the like. The mask drive mechanism 13b supports the mask chuck 13a and can be configured to be movable in the XY directions. Further, the substrate stage 14 includes a substrate chuck 14a and a substrate driving mechanism 14b, and is configured to hold the substrate W and move it. The substrate chuck 14a holds the substrate W using a vacuum chuck, an electrostatic chuck, or the like. The substrate driving mechanism 14b supports the substrate chuck 14a and is configured to be movable on the surface plate 16 in the XY directions.

観察光学系15は、マスクステージ13の上方に配置され、マスクMおよび投影光学系12を介して基板Wを観察するための光学系である。本実施形態の場合、観察光学系15は、例えば、マスクMと基板Wとのアライメントを行うためにマスクMおよび基板Wの各々に形成されたマークを検出するアライメント検出系(アライメントスコープ)を含みうる。 The observation optical system 15 is arranged above the mask stage 13 and is an optical system for observing the substrate W through the mask M and the projection optical system 12 . In the case of this embodiment, the observation optical system 15 includes, for example, an alignment detection system (alignment scope) that detects marks formed on each of the mask M and the substrate W in order to align the mask M and the substrate W. sell.

計測部20は、例えばレーザ干渉計で構成され、マスクステージ13および基板ステージ14に計測光(レーザ光)を照射して、各ステージの位置をリアルタイムに計測する。本実施形態の場合、計測部20は、例えば、レーザヘッド21と、ビームスプリッタ22と、バーミラー23、24とを含みうる。バーミラー23はマスクステージ13に取り付けられ、バーミラー24は基板ステージ14に取り付けられている。レーザヘッド21から射出された計測光ML(レーザ光)は、ビームスプリッタ22で分岐され、一部の計測光MLはミラー25で反射されてマスクステージ13のバーミラー23に入射し、残りの計測光MLは基板ステージ14のバーミラー24に入射する。マスクステージ13のバーミラー23で反射された計測光MLと基板ステージ14のバーミラー24で反射された計測光MLとは、再びビームスプリッタ22を通ることで干渉し合う。そのため、計測部20(レーザヘッド21)は、当該干渉パターンに基づいて、マスクステージ13(マスクM)と基板ステージ14(基板W)との相対位置を計測することができる。 The measurement unit 20 is composed of, for example, a laser interferometer, irradiates the mask stage 13 and the substrate stage 14 with measurement light (laser light), and measures the position of each stage in real time. In the case of this embodiment, the measurement unit 20 can include a laser head 21, a beam splitter 22, and bar mirrors 23 and 24, for example. A bar mirror 23 is attached to the mask stage 13 and a bar mirror 24 is attached to the substrate stage 14 . The measurement light ML (laser light) emitted from the laser head 21 is split by the beam splitter 22, a part of the measurement light ML is reflected by the mirror 25 and enters the bar mirror 23 of the mask stage 13, and the remaining measurement light ML is incident on the bar mirror 24 of the substrate stage 14 . The measurement light ML reflected by the bar mirror 23 of the mask stage 13 and the measurement light ML reflected by the bar mirror 24 of the substrate stage 14 interfere with each other by passing through the beam splitter 22 again. Therefore, the measurement unit 20 (laser head 21) can measure the relative position between the mask stage 13 (mask M) and the substrate stage 14 (substrate W) based on the interference pattern.

露光装置100では、マスクステージ13により保持されたマスクMと、基板ステージ14により保持された基板Wとは、投影光学系12を介して光学的に共役な位置(投影光学系12の物体面および像面)にそれぞれ配置される。そして、制御部CNTは、計測部20での計測結果に基づいて、マスクステージ13と基板ステージ14とを投影光学系12の投影倍率に応じた速度比で相対的に同期走査することにより、マスクMのパターンを基板上に転写することができる。 In the exposure apparatus 100, the mask M held by the mask stage 13 and the substrate W held by the substrate stage 14 are positioned at optically conjugate positions via the projection optical system 12 (object plane and image plane). Then, based on the measurement result of the measurement unit 20, the control unit CNT relatively synchronously scans the mask stage 13 and the substrate stage 14 at a speed ratio corresponding to the projection magnification of the projection optical system 12, so that the mask The pattern of M can be transferred onto the substrate.

次に、露光部10が収容されるチャンバ30の構成について説明する。チャンバ30は、露光部10が配置されている環境(空間)の温度を調節するための空調機構として構成されうる。例えば、チャンバ30は、気体(空気)の温度調整を行う温調機31と、微小な異物を濾過して清浄空気の均一な流れを形成するフィルタボックス32と、露光部10が配置されている環境を外部と遮蔽するためのブース33とで構成されうる。 Next, the configuration of the chamber 30 in which the exposure section 10 is accommodated will be described. The chamber 30 can be configured as an air conditioning mechanism for adjusting the temperature of the environment (space) in which the exposure section 10 is arranged. For example, the chamber 30 includes a temperature controller 31 that adjusts the temperature of gas (air), a filter box 32 that filters minute foreign matter to form a uniform flow of clean air, and an exposure unit 10 . and a booth 33 for shielding the environment from the outside.

温調機31は、例えば、有機物や無機物を除去するためのケミカルフィルタ31aと、ヒータ31bと、送風機31cと、温度制御部31dとで構成される。温度制御部31dは、ブース33内が所定の温度になるようにヒータ31bを制御するとともに、フィルタボックス32から所定の流量で気体が供給されるように送風機31cを制御する。また、フィルタボックス32は、露光部10の上方および側方に設けられており、ダウンフローおよびサイドフローでブース33内に気体を供給している。このようにブース33内に気体を供給することで、露光部10の計測部20によるマスクステージ13および基板ステージ14の位置の計測に対して、ブース33内への気体の供給による影響を低減することができる。 The temperature controller 31 includes, for example, a chemical filter 31a for removing organic substances and inorganic substances, a heater 31b, a blower 31c, and a temperature controller 31d. The temperature control unit 31d controls the heater 31b so that the inside of the booth 33 reaches a predetermined temperature, and also controls the blower 31c so that gas is supplied from the filter box 32 at a predetermined flow rate. Moreover, the filter box 32 is provided above and to the side of the exposure unit 10, and supplies gas into the booth 33 by downflow and sideflow. By supplying the gas into the booth 33 in this way, the influence of the supply of the gas into the booth 33 on the measurement of the positions of the mask stage 13 and the substrate stage 14 by the measurement unit 20 of the exposure unit 10 is reduced. be able to.

本実施形態の場合、チャンバ30は、露光部10が収容されているブース33の内部において、温度調整および流量調整された気体を循環させる循環系の空調機構である。具体的には、ケミカルフィルタ31aを通過した気体は、ヒータ31bによって温度調整された後、送風機31cによって流量調整され、フィルタボックス32からブース33内に供給される。ブース33内に供給された気体は、取込口34から再び温調機31内に取り込まれて循環する。ここで、チャンバ30では、ブース33内を外部に対して常に陽圧にし、ブース33内への微小異物の侵入を防止するため、循環空気量の約1割の気体を外気導入口35から導入している。 In the case of this embodiment, the chamber 30 is a circulatory system air conditioning mechanism that circulates gas whose temperature and flow rate are adjusted inside the booth 33 in which the exposure unit 10 is housed. Specifically, the gas that has passed through the chemical filter 31 a is temperature-controlled by the heater 31 b , then flow-controlled by the blower 31 c , and supplied from the filter box 32 into the booth 33 . The gas supplied into the booth 33 is again taken into the temperature controller 31 through the intake port 34 and circulated. Here, in the chamber 30, the inside of the booth 33 is kept at a positive pressure with respect to the outside, and about 10% of the amount of circulating air is introduced from the outside air inlet 35 in order to prevent minute foreign matter from entering the booth 33. are doing.

また、チャンバ30は、露光装置100の外部から基板Wの受け渡しを行うためのインタフェース開口部36と、インタフェース開口部36に設けられたシャッタ37とを含む。シャッタ37は、例えば、チャンバ30の外部から基板Wを搬入出するロボットハンドからの基板受け渡し信号に応じて、開閉動作が制御される。 The chamber 30 also includes an interface opening 36 for transferring the substrate W from outside the exposure apparatus 100 and a shutter 37 provided in the interface opening 36 . The opening/closing operation of the shutter 37 is controlled, for example, in accordance with a substrate transfer signal from a robot hand that carries in/out the substrate W from the outside of the chamber 30 .

[第1供給部および第2供給部の構成]
露光装置100では、近年の回路パターンの微細化に伴い、マスクステージ13および基板ステージ14の位置決め精度の向上が要求されており、その要求を実現するには、これらのステージの位置を計測部20で精度よく計測することが必要である。しかしながら、計測部20を構成するレーザ干渉計では、計測光路上における気体の温度や圧力、湿度等のゆらぎ(「気体のゆらぎ」と呼ぶことがある)に起因する計測光路上の屈折率の変化が計測誤差の要因になりうる。例えば、マスクステージ13および基板ステージ14の位置を計測する計測部20には、30nm以下の計測精度(計測誤差)が求められており、その計測精度を実現するためには、計測光路の温度変化率を1ppm/℃以下にする必要がある。
[Structure of first supply unit and second supply unit]
With the recent miniaturization of circuit patterns, the exposure apparatus 100 is required to improve the positioning accuracy of the mask stage 13 and the substrate stage 14. It is necessary to measure with high accuracy. However, in the laser interferometer that constitutes the measurement unit 20, changes in the refractive index on the measurement optical path due to fluctuations in the temperature, pressure, humidity, etc. of the gas on the measurement optical path (sometimes referred to as "gas fluctuations") can be a factor of measurement error. For example, the measurement unit 20 that measures the positions of the mask stage 13 and the substrate stage 14 is required to have a measurement accuracy (measurement error) of 30 nm or less. The rate should be less than 1 ppm/°C.

また、近年では、液晶パネル用の基板Wが大型化しており、それに伴い、露光装置100では、基板ステージ14が大型化し、基板ステージ14の移動ストロークが長くなっている。そのため、計測部20の計測光路長も長くなり、例えば、約3000mmにも及ぶ。この場合、30nm以下の計測精度を実現するためには、計測光路の温度変化を0.01℃以下に抑える必要がある。 Further, in recent years, the size of the substrate W for the liquid crystal panel has increased, and accordingly, the size of the substrate stage 14 in the exposure apparatus 100 has increased, and the movement stroke of the substrate stage 14 has increased. Therefore, the measurement optical path length of the measurement unit 20 also becomes long, reaching, for example, about 3000 mm. In this case, in order to achieve a measurement accuracy of 30 nm or less, it is necessary to suppress the temperature change of the measurement optical path to 0.01° C. or less.

そこで、本実施形態の露光装置100には、計測部20(レーザヘッド21)から射出された計測光MLの光路(計測光路)に対して、流量および温度が調整された気体を供給する第1供給部40および第2供給部50が設けられる。第1供給部40および第2供給部50には、例えば、温調機31により温度調整された気体が供給される。具体的には、図1に示すように、温調機31には、工場設備から圧縮気体を取り込むための取込口38と、温調した気体を送出するための送出口39とが設けられている。取込口38から温調機31内に取り込まれた圧縮気体は、ケミカルフィルタ31aを通過して、ヒータ31bによって温度調整された後、送出口39から送出される。送出口39は、第1供給部40および第2供給部50に連通しており、送出口39から送出した圧縮気体が第1供給部40および第2供給部50に供給される。なお、工場設備から温調機31の取込口38に供給される圧縮気体は、0.1MPa~0.8MPa程度の気体圧(空気圧)であるとよい。 Therefore, in the exposure apparatus 100 of the present embodiment, the gas whose flow rate and temperature are adjusted is supplied to the optical path (measurement optical path) of the measurement light ML emitted from the measurement unit 20 (laser head 21). A supply section 40 and a second supply section 50 are provided. For example, the gas temperature-controlled by the temperature controller 31 is supplied to the first supply unit 40 and the second supply unit 50 . Specifically, as shown in FIG. 1, the temperature controller 31 is provided with an intake port 38 for taking in compressed gas from factory equipment and a delivery port 39 for delivering temperature-controlled gas. ing. The compressed gas taken into the temperature controller 31 through the intake port 38 passes through the chemical filter 31 a and is sent out from the delivery port 39 after being temperature-controlled by the heater 31 b. The delivery port 39 communicates with the first supply section 40 and the second supply section 50 , and the compressed gas delivered from the delivery port 39 is supplied to the first supply section 40 and the second supply section 50 . The compressed gas supplied from the factory equipment to the intake port 38 of the temperature controller 31 preferably has a gas pressure (air pressure) of about 0.1 MPa to 0.8 MPa.

次に、本実施形態の露光装置100に適用されるステージ装置の構成について説明する。ステージ装置は、例えば、計測部20、第1供給部40および制御部CNTを含むものとして定義されうるが、それらに加えて第2供給部50も含むものとして定義されてもよい。図2は、ステージ装置の構成を示す図であり、基板ステージ14の位置を計測するための計測部20(レーザヘッド21)の計測光路に対して第1供給部40および第2供給部50を設けた例を示す図である。以下では、基板ステージ14の位置を計測するための計測光路(レーザヘッド21とバーミラー24との間の光路)に対して第1供給部40および第2供給部50を設ける例について説明するが、それに限られるものではない。例えば、図1に示すように、マスクステージ13の位置を計測するための計測光路(ビームスプリッタ22とバーミラー23との間の光路)に対しても同様に第1供給部40および第2供給部50を設けてもよい。 Next, the configuration of the stage device applied to the exposure apparatus 100 of this embodiment will be described. The stage device can be defined as including, for example, the measurement section 20, the first supply section 40, and the control section CNT, but may also be defined as including the second supply section 50 in addition to them. FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the stage device, in which the first supply unit 40 and the second supply unit 50 are arranged with respect to the measurement optical path of the measurement unit 20 (laser head 21) for measuring the position of the substrate stage 14. It is a figure which shows the example provided. An example in which the first supply unit 40 and the second supply unit 50 are provided in the measurement optical path (the optical path between the laser head 21 and the bar mirror 24) for measuring the position of the substrate stage 14 will be described below. It is not limited to this. For example, as shown in FIG. 1, the measurement optical path (the optical path between the beam splitter 22 and the bar mirror 23) for measuring the position of the mask stage 13 is similarly provided by the first supply unit 40 and the second supply unit. 50 may be provided.

第1供給部40は、例えば流量調整部41(電動弁)と温度調整部42と吹出部43とを含み、計測部20からの計測光MLの光路に沿った第1方向(光軸方向、例えば-X方向)への気体の流れを計測光路に形成するように、当該計測光路に気体を供給する。流量調整部41は、例えばマスフローコントローラを含み、制御部CNTでの制御の下で、チャンバ30の温調機31の送出口39からチューブ46aを介して供給された圧縮気体の流量を調整する。温度調整部42は、例えばヒータや冷却機構などを含み、制御部CNTでの制御の下で、流量調整部41からチューブ46bを介して供給された気体の温度を調整する。ここで、図2に示す例では、温度調整部42が流量調整部41の下流に配置されているが、それに限られず、流量調整部41が温度調整部42の下流に配置されていてもよい。また、流量調整部41および温度調整部42は、吹出部43の近傍に設けられることが好ましいが、任意の位置に設けられてもよく、例えば、温調機31の内部に設けられてもよい。 The first supply unit 40 includes, for example, a flow rate adjustment unit 41 (motorized valve), a temperature adjustment unit 42, and a blowout unit 43, and is provided in a first direction along the optical path of the measurement light ML from the measurement unit 20 (optical axis direction, For example, the gas is supplied to the measurement optical path so as to form a flow of the gas in the -X direction) in the measurement optical path. The flow rate adjusting unit 41 includes, for example, a mass flow controller, and adjusts the flow rate of the compressed gas supplied from the delivery port 39 of the temperature controller 31 of the chamber 30 through the tube 46a under the control of the control unit CNT. The temperature adjustment unit 42 includes, for example, a heater and a cooling mechanism, and adjusts the temperature of the gas supplied from the flow rate adjustment unit 41 through the tube 46b under the control of the control unit CNT. Here, in the example shown in FIG. 2 , the temperature adjustment section 42 is arranged downstream of the flow rate adjustment section 41, but the flow rate adjustment section 41 may be arranged downstream of the temperature adjustment section 42 without being limited thereto. . In addition, the flow rate adjusting unit 41 and the temperature adjusting unit 42 are preferably provided near the blowout unit 43, but may be provided at arbitrary positions, for example, may be provided inside the temperature controller 31. .

吹出部43は、コアンダ効果を利用して、計測光路に沿った第1方向への気体の流れを当該計測光路に形成するように、温度調整部42からチューブ46cを介して供給された気体を計測光路に吹き出す。具体的には、吹出部43は、図3に示すように、吹出口44と案内部材45とを含みうる。吹出口44は、温度調整部42に連通しており、温度調整部42からチューブ46cを介して供給された気体(矢印αで示す)を、計測光路を横切る方向(例えば-Z方向)に吹き出す。案内部材45は、コアンダ効果を利用して、吹出口44から吹き出された気体を、計測光路に沿った第1方向(例えば-X方向)への流れに案内するための案内面45aを有する。このような案内部材45の構成により、吹出口44から吹き出された気体を、コアンダ効果により案内面45aに沿って流し、計測光路に沿った第1方向への流れに変換することができる。また、吹出部43から気体が吹き出されると、吹出部43の周囲に存在している気体(矢印βで示す)が、ベルヌーイ効果により吹出部43から吹き出された気体に引き込まれる。つまり、吹出部43から吹き出された気体は、その流量が数倍~数十倍に増幅されて計測光路に供給されることとなる。 The blowout part 43 uses the Coanda effect to blow the gas supplied from the temperature adjustment part 42 through the tube 46c so as to form a gas flow along the measurement optical path in the first direction along the measurement optical path. Blow out into the measurement optical path. Specifically, the blowout part 43 can include a blowout port 44 and a guide member 45, as shown in FIG. The blowout port 44 communicates with the temperature adjustment unit 42, and blows out the gas (indicated by arrow α) supplied from the temperature adjustment unit 42 through the tube 46c in a direction (eg, -Z direction) that crosses the measurement optical path. . The guide member 45 has a guide surface 45a for guiding the gas blown out from the outlet 44 to flow in the first direction (eg, -X direction) along the measurement optical path using the Coanda effect. With such a configuration of the guide member 45, the gas blown out from the outlet 44 can flow along the guide surface 45a due to the Coanda effect, and can be converted into a flow in the first direction along the measurement optical path. Further, when the gas is blown out from the blowing part 43, the gas existing around the blowing part 43 (indicated by the arrow β) is drawn into the gas blown out from the blowing part 43 by the Bernoulli effect. In other words, the gas blown out from the blowing part 43 is supplied to the measurement optical path after its flow rate is amplified several times to several tens of times.

第2供給部50は、計測光路を横切る第2方向(例えば-Z方向)への気体の流れを計測光路に形成するように、当該計測光路に気体を供給する。例えば、第2供給部50は、計測光路(例えば-X方向)に沿って配列された複数の吹出口を有し、チャンバ30の温調機31の送出口39からチューブ51を介して供給された圧縮気体を、計測光路を横切る方向(例えば-Z方向)に吹き出す。また、本実施形態の場合、第2供給部50は、計測光路のうち、第1供給部40により気体が供給される部分より計測部側(レーザヘッド21側)の部分に気体を供給するように配置されうる。 The second supply unit 50 supplies gas to the measurement optical path so as to form a flow of gas in the measurement optical path in a second direction (eg, -Z direction) across the measurement optical path. For example, the second supply unit 50 has a plurality of outlets arranged along the measurement optical path (for example, the -X direction), and supplies the gas from the outlet 39 of the temperature controller 31 of the chamber 30 through the tube 51. The compressed gas is blown out in a direction (for example, -Z direction) crossing the measurement optical path. Further, in the case of the present embodiment, the second supply unit 50 supplies the gas to a portion closer to the measurement unit (laser head 21 side) than the portion to which the gas is supplied by the first supply unit 40 in the measurement optical path. can be placed in

[気体の流量および温度の制御]
本実施形態における第1供給部40の構成では、第1供給部40から計測光路に供給された(吹き出された)気体は、基板ステージ14(またはバーミラー24)に衝突する。そのため、基板ステージ14の周辺の計測光路では、第1供給部40から供給された気体の流れが変化しうる。この場合、基板ステージ14もしくはその周囲の熱源により熱を帯びた気体を巻き込み、計測光路上において気体の温度や圧力、湿度等にゆらぎ(以下では、「気体のゆらぎ」と呼ぶことがある)が生じうる。このような気体のゆらぎは、計測光路上の屈折率を変化させるため、計測部20での計測誤差の要因となりうる。また、このような気体のゆらぎは、基板ステージ14と第1供給部40の吹出部43(吹出口44)との距離Aが近づくにつれて顕著になるため、基板ステージ14の位置を精度よく計測することを困難にしうる。
[Gas flow rate and temperature control]
In the configuration of the first supply unit 40 in this embodiment, the gas supplied (blown off) from the first supply unit 40 to the measurement optical path collides with the substrate stage 14 (or the bar mirror 24). Therefore, in the measurement optical path around the substrate stage 14, the flow of the gas supplied from the first supply unit 40 can change. In this case, a gas heated by the substrate stage 14 or its surrounding heat source is involved, causing fluctuations in the temperature, pressure, humidity, etc. of the gas on the measurement optical path (hereinafter sometimes referred to as "fluctuations in the gas"). can occur. Such gas fluctuations change the refractive index on the measurement optical path, and thus can cause measurement errors in the measurement unit 20 . In addition, since such gas fluctuations become more pronounced as the distance A between the substrate stage 14 and the blowout portion 43 (blowout port 44) of the first supply portion 40 decreases, the position of the substrate stage 14 can be accurately measured. can make things difficult.

そのため、本実施形態の制御部CNTは、計測光路に沿った第1方向における基板ステージ14の位置に応じて、第1供給部40から計測光路に供給される(吹き出される)気体の流量を変更するように、第1供給部40の流量調整部41を制御する。例えば、制御部CNTは、計測光路に沿った第1方向における基板ステージ14と第1供給部40(吹出部43)との距離が短いほど、第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量が少なくなるように、第1供給部40の流量調整部41を制御する。 Therefore, the control unit CNT of the present embodiment adjusts the flow rate of the gas supplied (blown off) from the first supply unit 40 to the measurement optical path according to the position of the substrate stage 14 in the first direction along the measurement optical path. It controls the flow rate adjusting section 41 of the first supply section 40 so as to change. For example, the control unit CNT controls the gas supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path as the distance between the substrate stage 14 and the first supply unit 40 (blowing unit 43) in the first direction along the measurement optical path becomes shorter. The flow rate adjusting section 41 of the first supply section 40 is controlled so that the flow rate of the liquid is reduced.

具体的には、第1方向における基板ステージ14の位置が互いに異なる複数の状態の各々について、第1供給部40から計測光路に気体を供給したときに計測部20の計測誤差が許容値以下になる気体の流量を実験等で事前に取得しておく。これにより、第1方向における基板ステージ14の位置と第1供給部40から計測光路に供給すべき気体の流量との対応関係を示す情報(以下では、「第1情報」と呼ぶことがある)が得られる。制御部CNTは、事前に取得した第1情報と基板ステージ14の位置情報とに基づいて、第1供給部40から計測光路に供給すべき気体の流量を決定し、決定した気体の流量に基づいて第1供給部40の流量調整部41を制御する。本実施形態の場合、制御部CNTは、図2に示すように、基板ステージ14の位置を示す情報として、計測部20の計測結果を用いているが、それに限られず、基板ステージ14の基板駆動機構14bから得られる信号値を用いてもよい。 Specifically, for each of a plurality of states in which the position of the substrate stage 14 in the first direction is different from each other, the measurement error of the measurement unit 20 is equal to or less than the allowable value when the gas is supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path. The gas flow rate is obtained in advance by experiment or the like. Accordingly, information indicating the correspondence relationship between the position of the substrate stage 14 in the first direction and the flow rate of the gas to be supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path (hereinafter sometimes referred to as "first information") is obtained. The control unit CNT determines the flow rate of the gas to be supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path based on the first information acquired in advance and the position information of the substrate stage 14, and determines the flow rate of the gas based on the determined flow rate of the gas. to control the flow rate adjustment unit 41 of the first supply unit 40 . In the case of this embodiment, as shown in FIG. 2, the control unit CNT uses the measurement result of the measurement unit 20 as the information indicating the position of the substrate stage 14, but is not limited to this. A signal value obtained from mechanism 14b may be used.

また、第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量を変更すると、断熱膨張により気体の温度変化が生じうる。例えば、第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量が少なくなるにつれて、断熱膨張により当該気体の温度が低下しうる。そのため、本実施形態の制御部CNTは、第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量の変更に起因する当該気体の温度変化を補償するように、第1供給部40の温度調整部42を制御しうる。 Further, if the flow rate of the gas supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path is changed, the temperature of the gas may change due to adiabatic expansion. For example, as the flow rate of the gas supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path decreases, the temperature of the gas may decrease due to adiabatic expansion. Therefore, the control unit CNT of the present embodiment adjusts the temperature of the first supply unit 40 so as to compensate for the change in the temperature of the gas caused by the change in the flow rate of the gas supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path. 42 can be controlled.

具体的には、温度調整部42による温度調整を行わずに、第1供給部40の吹出部43(吹出口44)から供給される気体の流量が互いに異なる複数の状態の各々について、吹出部43から供給される気体の温度を実験等で事前に計測しておく。そして、各状態について、吹出部43から吹き出される気体の温度の計測値と基準温度との差を補償するために必要な加熱量(または冷却量)を算出する。基準温度は、任意に設定されうるが、例えばチャンバ30の温調機31の設定温度に設定されるとよい。これにより、第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量と温度調整部42での加熱量との対応関係を示す情報(以下では、「第2情報」と呼ぶことがある)が得られる。制御部CNTは、事前に取得した第2情報と流量調整部41で調整された気体の流量とに基づいて、温度調整部42での気体の加熱量を決定し、決定した加熱量に基づいて温度調整部42を制御する。 Specifically, for each of a plurality of states in which the flow rate of the gas supplied from the blowout portion 43 (the blowout port 44) of the first supply portion 40 is different from each other, the blowout portion The temperature of the gas supplied from 43 is measured in advance by an experiment or the like. Then, for each state, the amount of heating (or the amount of cooling) required to compensate for the difference between the measured value of the temperature of the gas blown out from the blowing part 43 and the reference temperature is calculated. Although the reference temperature can be set arbitrarily, it is preferably set to the set temperature of the temperature controller 31 of the chamber 30, for example. As a result, information indicating the correspondence relationship between the flow rate of the gas supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path and the amount of heating in the temperature adjustment unit 42 (hereinafter sometimes referred to as “second information”) is obtained. can get. The control unit CNT determines the heating amount of the gas in the temperature adjustment unit 42 based on the second information acquired in advance and the flow rate of the gas adjusted in the flow adjustment unit 41, and based on the determined heating amount It controls the temperature control unit 42 .

ここで、上記の制御を行うための制御部CNTの構成の具体例について説明する。流量調整部41として電動弁が用いられ、温度調整部42としてヒータが用いられている場合を想定する。この場合、制御部CNTは、電動弁の開度を制御するためのパルスコントローラを有し、電動弁に搭載されたパルスモータを駆動して電動弁の開度を制御することで、第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量を制御することができる。また、制御部CNTは、ソリッドステートリレー回路を有し、ヒータのスイッチングを高速に制御することで、第1供給部40から計測光路に供給される気体の温度を制御することができる。 A specific example of the configuration of the control unit CNT for performing the above control will now be described. It is assumed that an electric valve is used as the flow rate adjusting section 41 and a heater is used as the temperature adjusting section 42 . In this case, the control unit CNT has a pulse controller for controlling the opening degree of the motor-operated valve, and controls the opening degree of the motor-operated valve by driving the pulse motor mounted on the motor-operated valve. The flow rate of gas supplied from the unit 40 to the measurement optical path can be controlled. Further, the control unit CNT has a solid-state relay circuit and can control the temperature of the gas supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path by controlling switching of the heater at high speed.

次に、基板ステージ14の位置に応じた第1供給部40の制御例について、図4を参照しながら説明する。図4は、基板ステージ14の位置に応じた第1供給部40の制御例を示す図である。図4(a)は、基板ステージ14と第1供給部40の吹出部43との距離Aを示しており、図4(b)は、流量調整部41で調整すべき気体の流量を示しており、図4(c)は、温度調整部42で与えるべき加熱量を示している。 Next, an example of control of the first supply section 40 according to the position of the substrate stage 14 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram showing an example of control of the first supply section 40 according to the position of the substrate stage 14. As shown in FIG. 4(a) shows the distance A between the substrate stage 14 and the blowing part 43 of the first supply part 40, and FIG. 4(b) shows the gas flow rate to be adjusted by the flow rate adjusting part 41. FIG. 4(c) shows the amount of heating to be applied by the temperature control section 42. As shown in FIG.

区間101は、第1供給部40の吹出部43から離れるように基板ステージ14(バーミラー24)が移動して距離Aが広がっている区間である。この区間101では、制御部CNTは、距離Aが広がるにつれて、第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量が増加するように流量調整部41を制御するとともに、気体の加熱量が増加するように温度調整部42を制御する。また、区間102は、距離Aが最大のまま一定である区間である。この区間102では、制御部CNTは、気体の流量および気体の加熱量がそれぞれ一定となるように流量調整部41および温度調整部42を制御する。 A section 101 is a section in which the substrate stage 14 (bar mirror 24) moves away from the blowout section 43 of the first supply section 40 and the distance A increases. In this section 101, the control unit CNT controls the flow rate adjustment unit 41 so that the flow rate of the gas supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path increases as the distance A increases, and the heating amount of the gas increases. Control the temperature adjustment unit 42 to increase the temperature. A section 102 is a section in which the distance A remains constant at the maximum. In this section 102, the control unit CNT controls the flow rate adjusting unit 41 and the temperature adjusting unit 42 so that the flow rate of the gas and the amount of heating of the gas are constant.

区間103は、第1供給部40の吹出部43に近づくように基板ステージ14が移動して距離Aが縮まっている区間である。この区間103では、制御部CNTは、距離Aが縮まるにつれて、第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量が減少するように流量調整部41を制御するとともに、気体の加熱量が減少するように温度調整部42を制御する。ここで、制御部CNTは、基板ステージ14が第1供給部40の吹出部43の下方に配置された場合に、第1供給部40からの計測光路への気体の供給を停止してもよい。 A section 103 is a section where the substrate stage 14 moves closer to the blowout section 43 of the first supply section 40 and the distance A is reduced. In this section 103, the control unit CNT controls the flow rate adjustment unit 41 so that the flow rate of the gas supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path decreases as the distance A decreases, and the heating amount of the gas increases. Control the temperature adjustment unit 42 to decrease. Here, the control unit CNT may stop the gas supply from the first supply unit 40 to the measurement optical path when the substrate stage 14 is arranged below the blowout unit 43 of the first supply unit 40. .

[第1供給部および第2供給部の配置例]
次に、露光部10における第1供給部40および第2供給部50の配置例について説明する。図5は、露光部10における第1供給部40および第2供給部50の配置例を示す図である。第1供給部40(吹出部43)および第2供給部50は、図5に示すように、構造体17の下に配置される。構造体17は、基板ステージ14が最も+X方向側に配置されたときに、基板ステージ14に保持された基板Wを覆うための部材であり、例えば、投影光学系12の一部を構成する部材であってもよい。また、計測光MLの光軸方向における第1供給部40(吹出部43)と投影光学系12との間には、検出系18が設けられうる。検出系18は、例えば、基板Wに形成されたマークを検出する、いわゆるオフアクシススコープを含みうる。
[Arrangement example of the first supply unit and the second supply unit]
Next, an arrangement example of the first supply section 40 and the second supply section 50 in the exposure section 10 will be described. FIG. 5 is a diagram showing an arrangement example of the first supply section 40 and the second supply section 50 in the exposure section 10. As shown in FIG. The first supply section 40 (blowing section 43) and the second supply section 50 are arranged below the structure 17, as shown in FIG. The structure 17 is a member for covering the substrate W held by the substrate stage 14 when the substrate stage 14 is arranged on the most +X direction side, and for example, a member constituting a part of the projection optical system 12. may be Further, a detection system 18 can be provided between the first supply section 40 (blowing section 43) and the projection optical system 12 in the optical axis direction of the measurement light ML. The detection system 18 can include, for example, a so-called off-axis scope that detects marks formed on the substrate W. FIG.

上述したように、本実施形態の露光装置100は、基板ステージ14の位置に応じて、第1供給部40から計測光路に供給される(吹き出される)気体の流量を変更するように、第1供給部40の流量調整部41を制御する。また、露光装置100は、第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量の変更に起因する当該気体の温度変化を補償するように、第1供給部40の温度調整部42を制御しうる。これにより、露光装置100では、基板ステージ14と第1供給部40(吹出部43)との距離Aの変化に起因する計測光路上の気体のゆらぎの変化を低減し、基板ステージ14の位置を精度よく計測することができる。 As described above, the exposure apparatus 100 of this embodiment changes the flow rate of the gas supplied (blown off) from the first supply unit 40 to the measurement optical path according to the position of the substrate stage 14. 1 controls the flow rate adjustment unit 41 of the supply unit 40 . In addition, the exposure apparatus 100 controls the temperature adjuster 42 of the first supply unit 40 so as to compensate for the temperature change of the gas caused by the change in the flow rate of the gas supplied from the first supply unit 40 to the measurement optical path. I can. As a result, in the exposure apparatus 100, fluctuations in the gas on the measurement optical path due to changes in the distance A between the substrate stage 14 and the first supply unit 40 (blowing unit 43) are reduced, and the position of the substrate stage 14 is adjusted. Accurate measurement is possible.

<第2実施形態>
本発明に係る第2実施形態の露光装置について説明する。本実施形態の露光装置は、第1実施形態の露光装置100の構成を基本的に引き継ぐものであるが、複数の第1供給部40が設けられている点で異なる。本実施形態では、計測光路に沿った第1方向において互いに異なる計測光路上の位置に気体を供給する2つの第1供給部40a、40bが設けられている。図6は、本実施形態のステージ装置の構成を示す図であり、基板ステージ14の位置を計測するための計測部20(レーザヘッド21)の計測光路に対して第1供給部40a、40bおよび第2供給部50を設けた例を示す図である。各第1供給部40a、40bの構成は、第1実施形態で説明したとおりであり、流量調整部41と温度調整部42と吹出部43とをそれぞれ含みうる。なお、以下では、説明を分かり易くするため、図6における右側の第1供給部40aを「右供給部40a」と呼び、左側の第1供給部40bを「左供給部40b」と呼ぶこととする。
<Second embodiment>
An exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. The exposure apparatus of this embodiment basically inherits the configuration of the exposure apparatus 100 of the first embodiment, but differs in that a plurality of first supply units 40 are provided. In this embodiment, two first supply units 40a and 40b are provided to supply gas to different positions on the measurement optical path in the first direction along the measurement optical path. FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the stage device of this embodiment. It is a figure which shows the example which provided the 2nd supply part 50. FIG. The configuration of each of the first supply units 40a and 40b is as described in the first embodiment, and can include the flow rate adjustment unit 41, the temperature adjustment unit 42, and the blowout unit 43, respectively. In the following description, the right first supply section 40a and the left first supply section 40b in FIG. 6 are referred to as the "right supply section 40a" and the "left supply section 40b," respectively, for the sake of clarity of explanation. do.

次に、基板ステージ14の位置に応じた右供給部40a、左供給部40bの制御例について、図7を参照しながら説明する。図7は、基板ステージ14の位置に応じた右供給部40a、左供給部40bの制御例を示す図である。図7(a)は、基板ステージ14と右供給部40aの吹出部43aとの距離A、および、基板ステージ14と左供給部40bの吹出部43bとの距離Bを示している。また、図7(b)は、右供給部40aの流量調整部41aで調整すべき気体の流量を示しており、図7(c)は、左供給部40bの流量調整部41bで調整すべき気体の流量を示している。 Next, an example of control of the right supply section 40a and the left supply section 40b according to the position of the substrate stage 14 will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram showing an example of control of the right supply section 40a and the left supply section 40b according to the position of the substrate stage 14. As shown in FIG. FIG. 7A shows the distance A between the substrate stage 14 and the blowout portion 43a of the right supply portion 40a and the distance B between the substrate stage 14 and the blowout portion 43b of the left supply portion 40b. Further, FIG. 7(b) shows the gas flow rate to be adjusted by the flow rate adjusting section 41a of the right supply section 40a, and FIG. It shows the gas flow rate.

区間104は、右供給部40a(吹出部43a)から離れるように基板ステージ14(バーミラー24)が移動して距離Aが広がっているが、左供給部40b(吹出部43b)の下方に計測光路が未だ配置されていない区間である。この区間104では、制御部CNTは、右供給部40aに対し、距離Aが広がるにつれて、計測光路に供給する気体の流量を増加させるように流量調整部41aを制御する。一方、左供給部40bに対しては、計測光路への気体の供給を停止させておくように流量調整部41bを制御する。 In the section 104, the substrate stage 14 (bar mirror 24) moves away from the right supply section 40a (blowing section 43a), and the distance A increases. is a section in which is not yet arranged. In this section 104, the control unit CNT controls the flow rate adjustment unit 41a so as to increase the flow rate of the gas supplied to the measurement optical path as the distance A increases with respect to the right supply unit 40a. On the other hand, for the left supply unit 40b, the flow rate adjustment unit 41b is controlled so as to stop the gas supply to the measurement optical path.

区間105は、左供給部40bの吹出部43bの下方に計測光路が配置された状態において、右供給部40a(吹出部43a)および左供給部40b(吹出部43b)から離れるように基板ステージ14が移動して距離Aおよび距離Bが広がっている区間である。この区間105では、右供給部40aが気体の供給を担当する計測光路(吹出部43aと吹出部43bとの間の計測光路)の距離が変わらない。そのため、制御部CNTは、右供給部40aに対し、計測光路に供給する気体の流量が一定になるように流量調整部41aを制御する。一方、左供給部40bに対しては、距離Bが広がるにつれて、計測光路に供給する気体の流量を増加させるように流量調整部41bを制御する。 The section 105 is separated from the right supply section 40a (blowout section 43a) and the left supply section 40b (blowout section 43b) in a state where the measurement optical path is arranged below the blowout section 43b of the left supply section 40b. is a section in which the distance A and the distance B are widened due to the movement of . In this section 105, the distance of the measurement optical path (the measurement optical path between the blowout part 43a and the blowout part 43b) in which the right supply part 40a takes charge of gas supply does not change. Therefore, the control unit CNT controls the flow rate adjustment unit 41a of the right supply unit 40a so that the flow rate of the gas supplied to the measurement optical path is constant. On the other hand, for the left supply unit 40b, the flow rate adjustment unit 41b is controlled so as to increase the flow rate of the gas supplied to the measurement optical path as the distance B increases.

区間106は、距離Aおよび距離Bが最大のまま一定である区間である。この区間106では、制御部CNTは、右供給部40aおよび左供給部40bに対し、計測光路に供給する気体の流量が一定となるように流量調整部41aおよび流量調整部41bをそれぞれ制御する。 A section 106 is a section in which the distance A and the distance B remain constant at maximum. In this section 106, the control unit CNT controls the flow rate adjustment sections 41a and 41b of the right supply section 40a and the left supply section 40b, respectively, so that the flow rate of the gas supplied to the measurement optical path is constant.

区間107は、左供給部40bの吹出部43bの下方に計測光路が配置された状態において、右供給部40a(吹出部43a)および左供給部40b(吹出部43b)に近づくように基板ステージ14が移動して距離Aおよび距離Bが縮まっている区間である。この区間107では、制御部CNTは、右供給部40aに対し、計測光路に供給する気体の流量が一定になるように流量調整部41aを制御する。一方、左供給部40bに対しては、距離Bが縮まるにつれて、計測光路に供給する気体の流量を減少させるように流量調整部41bを制御する。 The section 107 is arranged on the substrate stage 14 so as to approach the right supply section 40a (blowout section 43a) and the left supply section 40b (blowout section 43b) in a state where the measurement optical path is arranged below the blowout section 43b of the left supply section 40b. is moved and the distance A and the distance B are shortened. In this section 107, the control unit CNT controls the flow rate adjusting unit 41a for the right supply unit 40a so that the flow rate of the gas supplied to the measurement optical path is constant. On the other hand, for the left supply unit 40b, the flow rate adjustment unit 41b is controlled so as to decrease the flow rate of the gas supplied to the measurement optical path as the distance B decreases.

区間108は、左供給部40b(吹出部43b)の下方に計測光路が配置されなくなった状態で、右供給部40a(吹出部43a)に近づくように基板ステージ14が移動して距離Aが縮まっている区間である。この区間108では、制御部CNTは、右供給部40aに対し、距離Aが縮まるにつれて、計測光路に供給する気体の流量を減少させるように流量調整部41aを制御する。一方、左供給部40bに対しては、計測光路への気体の供給を停止させておくように流量調整部41bを制御する。 In the section 108, the substrate stage 14 moves closer to the right supply section 40a (blowing section 43a) in a state where the measurement optical path is no longer arranged below the left feeding section 40b (blowing section 43b), and the distance A is reduced. This is the section where In this section 108, the control unit CNT controls the flow rate adjustment unit 41a so as to decrease the flow rate of the gas supplied to the measurement optical path as the distance A decreases with respect to the right supply unit 40a. On the other hand, for the left supply unit 40b, the flow rate adjustment unit 41b is controlled so as to stop the gas supply to the measurement optical path.

上述したように、複数の第1供給部40を設けた場合においても、基板ステージ14の位置に応じて、各第1供給部40から計測光路に供給される気体の流量を変更する。このように複数の第1供給部40を設けると、基板ステージ14の移動ストロークが大きい場合であっても、計測光路における気体のゆらぎの変化を低減し、基板ステージ14の位置を精度よく計測することができる。ここで、本実施形態においても、第1実施形態で説明したように、計測光路に供給される気体の流量の変更に起因した当該気体の温度変化を補償するように、各第1供給部40の温度調整部42を制御してもよい。 As described above, even when a plurality of first supply units 40 are provided, the flow rate of gas supplied from each first supply unit 40 to the measurement optical path is changed according to the position of the substrate stage 14 . By providing a plurality of first supply units 40 in this way, even when the movement stroke of the substrate stage 14 is large, the change in gas fluctuation in the measurement optical path is reduced, and the position of the substrate stage 14 can be accurately measured. be able to. Here, also in the present embodiment, as described in the first embodiment, each of the first supply units 40 may be controlled.

<第3実施形態>
本発明に係る第2実施形態の露光装置について説明する。本実施形態の露光装置は、第1実施形態の露光装置100の構成を基本的に引き継ぐものであるが、第1供給部40の吹出部43(吹出口44)から気体を吹き出す方向が計測光MLの光軸方向に対して垂直でない点で異なる。図8に示すように、吹出部43から吹き出されて計測光路に形成される気体の流れが、計測光路に沿った第1方向(例えば-X方向)と平行でない場合であっても、吹出部43から吹き出された気体は、基板ステージ14(バーミラー24)に衝突しうる。具体的には、吹出部43から吹き出される気体の流れFは、第1方向に垂直な成分Fxと、第1方向に平行な成分Fyとから成る。成分Fyは、基板ステージ14に衝突して、計測光路における気体のゆらぎの変化を生じさせる。そのため、本実施形態においても、第1実施形態で説明したように、基板ステージ14の位置に応じて気体の流量を制御することで、計測光路における気体のゆらぎの変化を低減し、基板ステージ14の位置を精度よく計測することができる。
<Third Embodiment>
An exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described. The exposure apparatus of the present embodiment basically inherits the configuration of the exposure apparatus 100 of the first embodiment, but the direction in which the gas is blown from the blowout portion 43 (blowout port 44) of the first supply portion 40 is the measurement light. It differs in that it is not perpendicular to the optical axis direction of ML. As shown in FIG. 8, even if the flow of the gas blown out from the blowing part 43 and formed in the measurement optical path is not parallel to the first direction (for example, the -X direction) along the measurement optical path, the blowing part The gas blown out from 43 may collide with the substrate stage 14 (bar mirror 24). Specifically, the gas flow F blown from the blowing part 43 consists of a component Fx perpendicular to the first direction and a component Fy parallel to the first direction. The component Fy collides with the substrate stage 14 and causes a change in gas fluctuation in the measurement optical path. Therefore, in the present embodiment as well, as described in the first embodiment, by controlling the flow rate of the gas according to the position of the substrate stage 14, fluctuations in the gas in the measurement optical path can be reduced and the substrate stage 14 position can be measured with high accuracy.

<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記のリソグラフィ装置(露光装置)を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、形成工程でパターンが形成された基板を加工する加工工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
<Embodiment of method for manufacturing article>
The method for manufacturing an article according to the embodiment of the present invention is suitable for manufacturing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. The method for manufacturing an article according to the present embodiment includes a formation step of forming a pattern on a substrate using the above-described lithography apparatus (exposure apparatus) on a photosensitive agent applied to a substrate, and a substrate on which the pattern is formed in the formation step. and a processing step of processing. In addition, such manufacturing methods include other well-known steps (oxidation, deposition, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.). The article manufacturing method of the present embodiment is advantageous in at least one of article performance, quality, productivity, and production cost compared to conventional methods.

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。 The invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and variations are possible without departing from the spirit and scope of the invention. Accordingly, the claims are appended to make public the scope of the invention.

10:露光部、11:照明光学系、12:投影光学系、13:マスクステージ、14:基板ステージ、20:計測部、30:チャンバ、40:第1供給部、50:第2供給部 10: exposure unit, 11: illumination optical system, 12: projection optical system, 13: mask stage, 14: substrate stage, 20: measurement unit, 30: chamber, 40: first supply unit, 50: second supply unit

Claims (13)

移動可能なステージと、
前記ステージに光を照射して、前記ステージの位置を計測する計測部と、
前記光の光路に沿った方向への気体の流れを前記光路に形成するように、前記光路に気体を供給する供給部と、
前記方向における前記ステージの位置に応じて、前記供給部から前記光路に供給される気体の流量を変更するように、前記供給部を制御する制御部と、
を含み、
前記供給部は、前記光路に供給される気体の温度を調整する温度調整部を含み、
前記制御部は、前記方向における前記ステージの位置に応じて、前記供給部から前記光路に供給される気体の温度を調整するように、前記温度調整部を制御する、ことを特徴とするステージ装置。
a movable stage,
a measurement unit that irradiates the stage with light and measures the position of the stage;
a supply unit that supplies a gas to the optical path so as to form a gas flow in the optical path in a direction along the optical path;
a control unit that controls the supply unit so as to change the flow rate of the gas supplied from the supply unit to the optical path according to the position of the stage in the direction;
including
The supply unit includes a temperature adjustment unit that adjusts the temperature of the gas supplied to the optical path,
The stage device, wherein the control section controls the temperature adjustment section so as to adjust the temperature of the gas supplied from the supply section to the optical path according to the position of the stage in the direction. .
前記制御部は、前記供給部から前記光路に供給される気体の流量に応じて、前記供給部から前記光路に供給される気体の温度を調整するように、前記温度調整部を制御する、ことを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。The control unit controls the temperature adjustment unit so as to adjust the temperature of the gas supplied from the supply unit to the optical path according to the flow rate of the gas supplied from the supply unit to the optical path. The stage device according to claim 1, characterized by: 前記供給部は、気体を吹き出す吹出部を有し、
前記制御部は、前記方向における前記ステージの位置に応じて、前記吹出部から吹き出される気体の流量を変更するように、前記供給部を制御する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のステージ装置。
The supply unit has a blowout unit for blowing gas,
3. The apparatus according to claim 1, wherein the control section controls the supply section so as to change the flow rate of the gas blown from the blowing section according to the position of the stage in the direction. Stage apparatus as described.
前記制御部は、前記方向における前記ステージと前記供給部との距離が短いほど、前記供給部から前記光路に供給される気体の流量が少なくなるように、前記供給部を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のステージ装置。 The control unit controls the supply unit such that the shorter the distance between the stage and the supply unit in the direction, the smaller the flow rate of the gas supplied from the supply unit to the optical path. 4. The stage device according to any one of claims 1 to 3 . 前記制御部は、前記計測部による前記ステージの位置の計測結果に基づいて、前記供給部から前記光路に供給される気体の流量を変更するように、前記供給部を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のステージ装置。 The control unit controls the supply unit so as to change the flow rate of the gas supplied from the supply unit to the optical path based on the measurement result of the position of the stage by the measurement unit. 5. The stage device according to any one of claims 1 to 4 . 前記制御部は、前記方向における前記ステージの位置に応じて、前記供給部から前記光路への気体の供給を停止させるように、前記供給部を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のステージ装置。 6. The control unit controls the supply unit so as to stop the gas supply from the supply unit to the optical path according to the position of the stage in the direction. The stage device according to any one of 1. 前記制御部は、前記供給部から前記光路に供給される気体の流量の変更に起因する当該気体の温度変化を補償するように、前記温度調整部を制御する、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のステージ装置。 2. The control unit controls the temperature adjustment unit so as to compensate for a change in temperature of the gas caused by a change in the flow rate of the gas supplied from the supply unit to the optical path. 7. The stage apparatus according to any one of items 1 to 6 . 移動可能なステージと、a movable stage,
前記ステージに光を照射して、前記ステージの位置を計測する計測部と、a measurement unit that irradiates the stage with light and measures the position of the stage;
前記光の光路に沿った方向への気体の流れを前記光路に形成するように、前記光路に気体を供給する供給部と、a supply unit that supplies a gas to the optical path so as to form a gas flow in the optical path in a direction along the optical path;
前記方向における前記ステージの位置に応じて、前記供給部から前記光路に供給される気体の流量を変更するように、前記供給部を制御する制御部と、a control unit that controls the supply unit so as to change the flow rate of the gas supplied from the supply unit to the optical path according to the position of the stage in the direction;
を含み、including
前記制御部は、前記方向における前記ステージの位置に応じて、前記供給部から前記光路への気体の供給を停止させるように、前記供給部を制御する、ことを特徴とするステージ装置。The stage device, wherein the control section controls the supply section so as to stop the gas supply from the supply section to the optical path according to the position of the stage in the direction.
前記方向において互いに異なる前記光路上の位置に気体を供給する複数の前記供給部を含む、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のステージ装置。 9. The stage apparatus according to any one of claims 1 to 8 , further comprising a plurality of supply units that supply gas to positions on the optical path that are different from each other in the direction. 前記光路を横切る方向への気体の流れを前記光路に形成するように、前記光路に気体を供給する第2供給部を更に含む、ことを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のステージ装置。 10. The apparatus according to any one of claims 1 to 9 , further comprising a second supply unit that supplies gas to the optical path so as to form a gas flow in the optical path in a direction transverse to the optical path. Stage apparatus as described. 前記第2供給部は、前記光路のうち、前記供給部により気体が供給される部分より前記計測部側の部分に気体を供給する、ことを特徴とする請求項10に記載のステージ装置。 11. The stage device according to claim 10 , wherein the second supply section supplies the gas to a portion of the optical path closer to the measuring section than a portion to which gas is supplied by the supply section. 基板上にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を保持して移動可能なステージを有する請求項1乃至11のいずれか1項に記載のステージ装置を含む、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate, comprising:
A lithographic apparatus, comprising the stage apparatus according to any one of claims 1 to 11 , comprising a stage capable of holding and moving the substrate.
請求項12に記載のリソグラフィ装置を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
forming a pattern on a substrate using a lithographic apparatus according to claim 12 ;
a processing step of processing the substrate on which the pattern is formed in the forming step;
A method for manufacturing an article, comprising manufacturing an article from the substrate processed in the processing step.
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