JP7275042B2 - Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device - Google Patents

Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device Download PDF

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Description

本発明の一態様は、有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置に関する。但し、本発明の一態様は、それらに限定されない。すなわち、本発明の一態様は、物、方法、製造方法、または駆動方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物(コンポジション・オブ・マター)に関する。また、具体的には、半導体装置、表示装置、液晶表示装置などを一例として挙げることができる。One embodiment of the present invention relates to organic compounds, light-emitting elements, light-emitting devices, electronic devices, and lighting devices. However, one embodiment of the present invention is not limited thereto. That is, one aspect of the present invention relates to an article, method, manufacturing method, or driving method. Alternatively, one aspect of the invention relates to a process, machine, manufacture, or composition of matter. Further, specifically, a semiconductor device, a display device, a liquid crystal display device, and the like can be given as examples.

一対の電極間にEL層を挟んでなる発光素子(有機EL素子ともいう)は、薄型軽量、入力信号に対する高速な応答性、低消費電力などの特性を有することから、これを適用したディスプレイは、次世代のフラットパネルディスプレイとして注目されている。A light-emitting element (also called an organic EL element), which has an EL layer sandwiched between a pair of electrodes, has characteristics such as thinness and lightness, high-speed response to input signals, and low power consumption. , is attracting attention as a next-generation flat panel display.

発光素子は、一対の電極間に電圧を印加することにより、各電極から注入された電子およびホールがEL層において再結合し、EL層に含まれる発光物質(有機化合物)が励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。なお、励起状態の種類としては、一重項励起状態(S)と三重項励起状態(T)とがあり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるそれらの統計的な生成比率は、S:T=1:3であると考えられている。In a light-emitting element, when a voltage is applied between a pair of electrodes, electrons and holes injected from each electrode are recombined in the EL layer, and the light-emitting substance (organic compound) contained in the EL layer is excited. Light is emitted when the excited state returns to the ground state. As types of excited states, there are a singlet excited state (S * ) and a triplet excited state (T * ). Light emission from the singlet excited state is fluorescence, and light emission from the triplet excited state is phosphorescence. being called. Also, their statistical generation ratio in the light-emitting device is considered to be S * :T * =1:3.

また、上記発光物質のうち、一重項励起状態におけるエネルギーを発光に変換することが可能な化合物は蛍光性化合物(蛍光材料)と呼ばれ、三重項励起状態におけるエネルギーを発光に変換することが可能な化合物は燐光性化合物(燐光材料)と呼ばれる。Among the above-mentioned luminescent substances, compounds that can convert energy in a singlet excited state into luminescence are called fluorescent compounds (fluorescent materials), and can convert energy in a triplet excited state into luminescence. Such compounds are called phosphorescent compounds (phosphorescent materials).

従って、上記の生成比率を根拠にした時、上記各発光物質を用いた発光素子における内部量子効率(注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合)の理論的限界は、蛍光材料を用いた場合は25%、燐光材料を用いた場合は75%となる。Therefore, based on the above generation ratio, the theoretical limit of the internal quantum efficiency (ratio of photons generated to injected carriers) in a light emitting device using each of the above light emitting materials is is 25%, and when a phosphorescent material is used, it is 75%.

つまり、蛍光材料を用いた発光素子に比べて、燐光材料を用いた発光素子では、より高い効率を得ることが可能となる。そのため、近年では様々な種類の燐光材料の開発が盛んに行われている。特に、その燐光量子収率の高さゆえに、イリジウム等を中心金属とする有機金属錯体が注目されている(例えば、特許文献1。)。That is, a light-emitting element using a phosphorescent material can achieve higher efficiency than a light-emitting element using a fluorescent material. Therefore, in recent years, various types of phosphorescent materials have been actively developed. In particular, due to its high phosphorescence quantum yield, organometallic complexes having iridium or the like as a central metal are attracting attention (for example, Patent Document 1).

特開2009-023938号公報JP 2009-023938 A

上述した特許文献1において報告されているように優れた特性を示す燐光材料の開発が進んでいるが、さらに良好な特性を示す新規材料の開発が望まれている。As reported in the above-mentioned Patent Document 1, the development of phosphorescent materials exhibiting excellent properties is progressing, but the development of new materials exhibiting even better properties is desired.

そこで、本発明の一態様では、新規な有機金属錯体を提供する。また、本発明の一態様では、耐熱性に優れた新規な有機金属錯体を提供する。また、本発明の一態様では、昇華する際に分解しにくい新規な有機金属錯体を提供する。また、本発明の一態様では、色純度の良い新規な有機金属錯体を提供する。また、本発明の一態様では、分子の配向性の高い新規な有機金属錯体を提供する。また、本発明の一態様では、発光素子に用いることができる新規な有機金属錯体を提供する。また、本発明の一態様では、発光素子のEL層に用いることができる、新規な有機金属錯体を提供する。また、本発明の一態様である新規な有機金属錯体を用いた、高効率で信頼性の高い新規な発光素子を提供する。また、新規な発光装置、新規な電子機器、または新規な照明装置を提供する。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。また、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。また、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。Accordingly, one embodiment of the present invention provides a novel organometallic complex. Further, one embodiment of the present invention provides a novel organometallic complex with excellent heat resistance. Further, one embodiment of the present invention provides a novel organometallic complex that is less likely to decompose during sublimation. Further, one embodiment of the present invention provides a novel organometallic complex with high color purity. Another embodiment of the present invention provides a novel organometallic complex with high molecular orientation. Another embodiment of the present invention provides a novel organometallic complex that can be used for a light-emitting element. Further, one embodiment of the present invention provides a novel organometallic complex that can be used for an EL layer of a light-emitting element. Further, a highly efficient and highly reliable novel light-emitting element using the novel organometallic complex which is one embodiment of the present invention is provided. Further, a novel light-emitting device, a novel electronic device, or a novel lighting device is provided. The description of these problems does not preclude the existence of other problems. Moreover, one aspect of the present invention does not necessarily have to solve all of these problems. In addition, problems other than these are self-evident from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc., and it is possible to extract problems other than these from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc. is.

本発明の一態様は、Irに配位したピリミジン環が、置換基としてシアノ基を有するフェニル基を少なくとも一つ有し、かつ、シアノ基を有するフェニル基がピリミジン環の6位に結合する、下記一般式(G1)で表される有機金属錯体である。One aspect of the present invention is that the pyrimidine ring coordinated to Ir has at least one phenyl group having a cyano group as a substituent, and the phenyl group having a cyano group is attached to the 6-position of the pyrimidine ring. It is an organometallic complex represented by the following general formula (G1).

Figure 0007275042000001
Figure 0007275042000001

但し、一般式(G1)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。また、Lは、モノアニオン性の配位子を表す。また、nは、1乃至3の整数を表す。However, in general formula (G1), each of R 1 to R 4 is independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring. , represents either a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group; Moreover, L represents a monoanionic ligand. Moreover, n represents an integer of 1 to 3.

また、本発明の別の一態様は、下記一般式(G1)で表される有機金属錯体である。Another embodiment of the present invention is an organometallic complex represented by General Formula (G1) below.

Figure 0007275042000002
Figure 0007275042000002

但し、一般式(G1)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表す。また、R~Rのいずれか一は、シアノ基を表す。また、Lは、モノアニオン性の配位子を表す。また、nは、1乃至3の整数を表す。However, in general formula (G1), each of R 1 to R 4 is independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring. , represents either a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or It represents either 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups. Any one of R 6 to R 8 represents a cyano group. Moreover, L represents a monoanionic ligand. Moreover, n represents an integer of 1 to 3.

上記一般式(G1)で示す構成において、nは、2である。In the structure represented by General Formula (G1), n is 2.

また、上記各構成において、モノアニオン性の配位子は、β-ジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、二つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子、またはシクロメタル化によりイリジウムと金属-炭素結合を形成する芳香族複素環二座配位子のいずれか一である。In each of the above structures, the monoanionic ligand includes a monoanionic bidentate chelate ligand having a β-diketone structure, a monoanionic bidentate chelate ligand having a carboxyl group, a phenolic Monoanionic bidentate chelate ligands with a hydroxyl group, monoanionic bidentate chelate ligands in which both coordinating elements are nitrogen, or form metal-carbon bonds with iridium by cyclometallation Any one of aromatic heterocyclic bidentate ligands.

また、上記各構成において、モノアニオン性の配位子は、下記一般式(L1)~(L8)のいずれか一である。Further, in each of the above structures, the monoanionic ligand is any one of the following general formulas (L1) to (L8).

Figure 0007275042000003
Figure 0007275042000003

但し、上記一般式(L1)~(L8)中、R71~R77およびR87~R131は、それぞれ独立に水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキルチオ基、または環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、A~Aは、それぞれ独立に窒素もしくは水素と結合するsp混成炭素、または置換基を有するsp混成炭素を表し、置換基は炭素数1~6のアルキル基、ハロゲン基、炭素数1~6のハロアルキル基、または置換もしくは無置換のフェニル基のいずれかを表す。However, in the general formulas (L1) to (L8), R 71 to R 77 and R 87 to R 131 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a ring having 5 to 5 carbon atoms. 7 substituted or unsubstituted cycloalkyl group, halogen group, vinyl group, substituted or unsubstituted haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted It represents an alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring. In addition, A 1 to A 3 each independently represent an sp 2- hybridized carbon bonding to nitrogen or hydrogen, or an sp 2- hybridized carbon having a substituent, the substituent being an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen group, It represents either a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.

また、上記一般式(G1)で示す構成において、nは、3である。In addition, n is 3 in the structure represented by General Formula (G1).

また、本発明の別の一態様は、下記一般式(G2)で表される有機金属錯体である。Another embodiment of the present invention is an organometallic complex represented by General Formula (G2) below.

Figure 0007275042000004
Figure 0007275042000004

但し、一般式(G2)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。また、R71およびR73は、それぞれ独立に水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキルチオ基、または環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。However, in general formula (G2), each of R 1 to R 4 is independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring. , represents either a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group; R 71 and R 73 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, a halogen group, a vinyl group, a substituted or an unsubstituted haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, or a ring having 6 carbon atoms to 13 substituted or unsubstituted aryl groups;

また、本発明の別の一態様は、下記一般式(G2)で表される有機金属錯体である。Another embodiment of the present invention is an organometallic complex represented by General Formula (G2) below.

Figure 0007275042000005
Figure 0007275042000005

但し、一般式(G2)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表す。また、R~Rのいずれか一は、シアノ基を表す。また、R71およびR73は、それぞれ独立に水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキルチオ基、または環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。However, in general formula (G2), each of R 1 to R 4 is independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring. , represents either a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or It represents either 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups. Any one of R 6 to R 8 represents a cyano group. R 71 and R 73 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, a halogen group, a vinyl group, a substituted or an unsubstituted haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, or a ring having 6 carbon atoms to 13 substituted or unsubstituted aryl groups;

本発明の別の一態様は、Irに配位したピリミジン環が、置換基としてシアノ基を有するフェニル基を少なくとも一つ有し、かつ、パラ位またはメタ位にシアノ基を有するフェニル基がピリミジン環の6位に結合する有機金属錯体である。Another aspect of the present invention is that the pyrimidine ring coordinated to Ir has at least one phenyl group having a cyano group as a substituent, and the phenyl group having a cyano group at the para- or meta-position is a pyrimidine It is an organometallic complex that binds to the 6-position of the ring.

本発明の別の一態様は、構造式(100)で表される有機金属錯体である。Another embodiment of the present invention is an organometallic complex represented by Structural Formula (100).

Figure 0007275042000006
Figure 0007275042000006

本発明の別の一態様は、Irに配位したピリミジン環が、置換基としてシアノ基を有するフェニル基を少なくとも一つ有し、かつ、シアノ基を有するフェニル基がピリミジン環の6位に結合する、有機金属錯体を用いた発光素子である。なお、上記有機金属錯体に加えて他の有機化合物を有する発光素子も本発明の一態様に含める。Another aspect of the present invention is that the pyrimidine ring coordinated to Ir has at least one phenyl group having a cyano group as a substituent, and the phenyl group having a cyano group is bonded to the 6-position of the pyrimidine ring. It is a light-emitting element using an organometallic complex. Note that a light-emitting element including another organic compound in addition to the above organometallic complex is also included in one embodiment of the present invention.

本発明の別の一態様は、上述した本発明の一態様である有機金属錯体を用いた発光素子である。なお、一対の電極間に有するEL層や、EL層に含まれる発光層に本発明の一態様である有機金属錯体を用いて形成された発光素子も本発明の一態様に含まれることとする。また、発光素子に加えて、トランジスタ、基板などを有する発光装置も発明の範疇に含める。さらに、これらの発光装置に加えて、マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部、筐体、カバー、支持台または、スピーカ等を有する電子機器や照明装置も発明の範疇に含める。Another embodiment of the present invention is a light-emitting element using the above-described organometallic complex of one embodiment of the present invention. Note that a light-emitting element formed using the organometallic complex of one embodiment of the present invention in an EL layer between a pair of electrodes and a light-emitting layer included in the EL layer is also included in one embodiment of the present invention. . In addition to light-emitting elements, light-emitting devices including transistors, substrates, and the like are also included in the scope of the invention. Furthermore, in addition to these light emitting devices, the scope of the invention also includes electronic devices and lighting devices having microphones, cameras, operation buttons, external connectors, housings, covers, support bases, speakers, and the like.

本発明の一態様である有機金属錯体は、他の有機化合物と組み合わせて発光素子の発光層に用いることができる。すなわち、発光層から三重項励起状態からの発光を得ることが可能であるため、発光素子の高効率化が可能となり、非常に有効である。したがって、本発明の一態様である有機金属錯体と、他の有機化合物とを組み合わせて発光層に用いた発光素子は、本発明の一態様に含まれるものとする。さらに上記に加えて第3の物質を発光層に加えた構成としてもよい。The organometallic complex that is one embodiment of the present invention can be used for a light-emitting layer of a light-emitting element in combination with another organic compound. That is, since it is possible to obtain light emission from the triplet excited state from the light emitting layer, it is possible to improve the efficiency of the light emitting device, which is very effective. Therefore, a light-emitting element in which an organometallic complex of one embodiment of the present invention is used in combination with another organic compound for a light-emitting layer is included in one embodiment of the present invention. Furthermore, in addition to the above, a structure in which a third substance is added to the light-emitting layer may be employed.

また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置を含み、さらに発光装置を有する照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、または光源(照明装置を含む)を指す。また、発光装置にコネクター、例えばFPC(Flexible printed circuit)もしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光装置にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。One embodiment of the present invention includes a light-emitting device including a light-emitting element, and further includes a lighting device including a light-emitting device. Accordingly, light-emitting devices herein refer to image display devices or light sources (including lighting devices). In addition, a module in which a connector such as FPC (Flexible printed circuit) or TCP (Tape Carrier Package) is attached to the light emitting device, a module in which a printed wiring board is provided at the end of TCP, or a COG (Chip On Glass) is attached to the light emitting device. All modules in which an IC (integrated circuit) is directly mounted are included in the light emitting device.

本発明の一態様は、新規な有機金属錯体を提供することができる。また、耐熱性に優れた新規の有機金属錯体を提供することができる。また、昇華する際に分解しにくい新規の有機金属錯体を提供することができる。また、本発明の一態様は、色純度の良い新規な有機金属錯体を提供することができる。また、本発明の一態様では、分子の配向性の高い新規な有機金属錯体を提供することができる。また、本発明の一態様では、発光素子に用いることができる新規な有機金属錯体を提供することができる。また、本発明の一態様では、発光素子のEL層に用いることができる、新規な有機金属錯体を提供することができる。また、本発明の一態様である新規な有機金属錯体を用いた、高効率で信頼性の高い新規な発光素子を提供することができる。また、新規な発光装置、新規な電子機器、または新規な照明装置を提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。One embodiment of the present invention can provide a novel organometallic complex. Also, a novel organometallic complex having excellent heat resistance can be provided. In addition, it is possible to provide a novel organometallic complex that is difficult to decompose during sublimation. Further, one embodiment of the present invention can provide a novel organometallic complex with high color purity. Further, according to one embodiment of the present invention, a novel organometallic complex with high molecular orientation can be provided. Further, in one embodiment of the present invention, a novel organometallic complex that can be used for a light-emitting element can be provided. Further, one embodiment of the present invention can provide a novel organometallic complex that can be used for an EL layer of a light-emitting element. Further, a highly efficient and highly reliable novel light-emitting element using the novel organometallic complex which is one embodiment of the present invention can be provided. Further, a novel light-emitting device, a novel electronic device, or a novel lighting device can be provided. Note that the description of these effects does not preclude the existence of other effects. Note that one embodiment of the present invention does not necessarily have all of these effects. Effects other than these are self-evident from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc., and it is possible to extract effects other than these from the descriptions of the specification, drawings, claims, etc. is.

発光素子の構造について説明する図。4A and 4B illustrate the structure of a light-emitting element; 発光装置について説明する図。4A and 4B illustrate a light-emitting device; 発光装置について説明する図。4A and 4B illustrate a light-emitting device; 電子機器について説明する図。4A and 4B illustrate electronic devices; 電子機器について説明する図。1A and 1B illustrate electronic devices; 自動車について説明する図。A figure explaining a car. 照明装置について説明する図。4A and 4B illustrate a lighting device; 構造式(100)に示す有機金属錯体のH-NMRチャート。 1 H-NMR chart of the organometallic complex represented by Structural Formula (100). 構造式(100)に示す有機金属錯体の溶液中の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。UV-visible absorption spectrum and emission spectrum in a solution of the organometallic complex represented by Structural Formula (100). 発光素子について説明する図。4A and 4B illustrate a light-emitting element; 発光素子1および比較発光素子2の電流密度-輝度特性を示す図。FIG. 4 is a diagram showing current density-luminance characteristics of Light-Emitting Element 1 and Comparative Light-Emitting Element 2; 発光素子1および比較発光素子2の電圧-輝度特性を示す図。FIG. 4 is a diagram showing voltage-luminance characteristics of Light-Emitting Element 1 and Comparative Light-Emitting Element 2; 発光素子1および比較発光素子2の輝度-電流効率特性を示す図。FIG. 4 is a diagram showing luminance-current efficiency characteristics of Light-Emitting Element 1 and Comparative Light-Emitting Element 2; 発光素子1および比較発光素子2の電圧-電流特性を示す図。FIG. 4 is a diagram showing voltage-current characteristics of Light-Emitting Element 1 and Comparative Light-Emitting Element 2; 発光素子1および比較発光素子2の発光スペクトルを示す図。FIG. 4 shows emission spectra of Light-Emitting Element 1 and Comparative Light-Emitting Element 2; 発光素子1および比較発光素子2の信頼性を示す図。FIG. 10 is a graph showing the reliability of Light-Emitting Element 1 and Comparative Light-Emitting Element 2; 四重極型質量分析計による測定結果を示す図。The figure which shows the measurement result by a quadrupole mass spectrometer. 構造式(112)に示す有機金属錯体のH-NMRチャート。 1 H-NMR chart of the organometallic complex represented by Structural Formula (112). 構造式(112)に示す有機金属錯体の溶液中の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。UV-visible absorption spectrum and emission spectrum in a solution of the organometallic complex represented by Structural Formula (112). 構造式(114)に示す有機金属錯体のH-NMRチャート。 1 H-NMR chart of the organometallic complex represented by Structural Formula (114). 構造式(114)に示す有機金属錯体の溶液中の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。UV-visible absorption spectrum and emission spectrum in a solution of the organometallic complex represented by Structural Formula (114).

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and various changes in form and detail can be made without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the present invention should not be construed as being limited to the descriptions of the embodiments shown below.

なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。Note that the position, size, range, etc. of each configuration shown in the drawings, etc. may not represent the actual position, size, range, etc. for ease of understanding. Therefore, the disclosed invention is not necessarily limited to the position, size, range, etc. disclosed in the drawings and the like.

また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。Further, in this specification and the like, when describing the configuration of the invention using the drawings, the same reference numerals are commonly used between different drawings.

(実施の形態1)
本実施の形態では、本発明の一態様である有機金属錯体について説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, an organometallic complex that is one embodiment of the present invention will be described.

本発明の一態様である有機金属錯体は、Irに配位したピリミジン環が、置換基としてシアノ基を有するフェニル基を少なくとも一つ有し、かつ、シアノ基を有するフェニル基がピリミジン環の6位に結合することを特徴とする、下記一般式(G1)で表される構造を有する。In the organometallic complex which is one embodiment of the present invention, the pyrimidine ring coordinated to Ir has at least one phenyl group having a cyano group as a substituent, and the phenyl group having a cyano group is 6 in the pyrimidine ring. It has a structure represented by the following general formula (G1), which is characterized by binding to a position.

Figure 0007275042000007
Figure 0007275042000007

一般式(G1)において、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。また、Lは、モノアニオン性の配位子を表す。また、nは、1乃至3の整数を表す。In general formula (G1), R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, a ring or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group; Moreover, L represents a monoanionic ligand. Moreover, n represents an integer of 1 to 3.

本発明の別の一態様である有機金属錯体は、上記一般式(G1)で表される構造を有し、上記一般式(G1)において、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数3~12のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数6~13のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数3~12のヘテロアリール基、シアノ基のいずれかを表す。また、R~Rのいずれか一は、シアノ基を表す。Lは、モノアニオン性の配位子を表す。また、nは、1乃至3の整数を表す。An organometallic complex that is another embodiment of the present invention has a structure represented by General Formula (G1), wherein R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, It represents any one of an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms. R 5 to R 9 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted hetero group having 3 to 12 carbon atoms. represents either an aryl group or a cyano group. Any one of R 6 to R 8 represents a cyano group. L represents a monoanionic ligand. Moreover, n represents an integer of 1 to 3.

本発明の別の一態様である有機金属錯体は、上記一般式(G1)中のnが2である。In the organometallic complex that is another embodiment of the present invention, n is 2 in General Formula (G1).

本発明の別の一態様である有機金属錯体は、上記一般式(G1)中のモノアニオン性の配位子が、β-ジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、二つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子、またはシクロメタル化によりイリジウムと金属-炭素結合を形成する芳香族複素環二座配位子のいずれか一である。In the organometallic complex that is another embodiment of the present invention, the monoanionic ligand in the general formula (G1) is a monoanionic bidentate chelate ligand having a β-diketone structure and a carboxyl group. a monoanionic bidentate chelate ligand with a phenolic hydroxyl group, a monoanionic bidentate chelate ligand with a phenolic hydroxyl , or an aromatic heterocyclic bidentate ligand that forms a metal-carbon bond with iridium upon cyclometallation.

本発明の別の一態様は、上記一般式(G1)中のモノアニオン性の配位子が、下記一般式(L1)~(L8)のいずれか一である有機金属錯体である。Another embodiment of the present invention is an organometallic complex in which the monoanionic ligand in General Formula (G1) is represented by any one of General Formulas (L1) to (L8) below.

Figure 0007275042000008
Figure 0007275042000008

一般式(L1)~(L8)において、R71~R77およびR87~R131は、それぞれ独立に水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキルチオ基、または環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、A~Aは、それぞれ独立に窒素もしくは水素と結合するsp混成炭素、または置換基を有するsp混成炭素を表し、前記置換基は炭素数1~6のアルキル基、ハロゲン基、炭素数1~6のハロアルキル基、または置換もしくは無置換のフェニル基のいずれかを表す。In general formulas (L1) to (L8), R 71 to R 77 and R 87 to R 131 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring. or unsubstituted cycloalkyl group, halogen group, vinyl group, substituted or unsubstituted haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, substituted or unsubstituted 1 carbon atom 6 to 6 alkylthio groups, or substituted or unsubstituted aryl groups having 6 to 13 carbon atoms forming a ring. In addition, A 1 to A 3 each independently represent an sp 2- hybridized carbon bonding to nitrogen or hydrogen, or an sp 2- hybridized carbon having a substituent, the substituent being an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a halogen group. , represents a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.

本発明の別の一態様である有機金属錯体は、上記一般式(G1)中のnが3である。In the organometallic complex that is another embodiment of the present invention, n is 3 in General Formula (G1).

また、本発明の別の一態様である有機金属錯体は、下記一般式(G2)で表される構造を有する。An organometallic complex that is another embodiment of the present invention has a structure represented by General Formula (G2) below.

Figure 0007275042000009
Figure 0007275042000009

一般式(G2)において、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。また、R71およびR73は、それぞれ独立に水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキルチオ基、または環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。In general formula (G2), R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, a ring or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group; R 71 and R 73 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, a halogen group, a vinyl group, a substituted or an unsubstituted haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, or a ring having 6 carbon atoms to 13 substituted or unsubstituted aryl groups;

本発明の別の一態様である有機金属錯体は、上記一般式(G2)で表される構造を有し、上記一般式(G2)において、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表す。また、R~Rのいずれか一は、シアノ基を表す。また、R71およびR73は、それぞれ独立に水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキルチオ基、または環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。An organometallic complex that is another embodiment of the present invention has a structure represented by General Formula (G2), wherein R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a ring represents either a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or It represents either 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups. Any one of R 6 to R 8 represents a cyano group. R 71 and R 73 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, a halogen group, a vinyl group, a substituted or an unsubstituted haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, or a ring having 6 carbon atoms to 13 substituted or unsubstituted aryl groups;

なお、上記一般式(G1)および上記一般式(G2)で表される有機金属錯体において、置換とは、好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基のような炭素数1~6のアルキル基や、フェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、2-ビフェニル基、3-ビフェニル基、4-ビフェニル基のような炭素数6~12のアリール基のような置換基による置換を表す。また、これらの置換基は互いに結合し、環を形成していても良い。例えば、前記アリール基が、置換基として9位に二つのフェニル基を有する2-フルオレニル基である場合、該フェニル基が互いに結合し、スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル基となっても良い。より具体的には、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、インデニル基、ナフチル基、フルオレニル基などが挙げられる。In addition, in the organometallic complex represented by the general formula (G1) or the general formula (G2), the substitution preferably means a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, a sec-butyl group, Alkyl groups having 1 to 6 carbon atoms such as tert-butyl, n-pentyl and n-hexyl, phenyl, o-tolyl, m-tolyl, p-tolyl, 1-naphthyl, It represents substitution with a substituent such as an aryl group having 6 to 12 carbon atoms such as a 2-naphthyl group, 2-biphenyl group, 3-biphenyl group and 4-biphenyl group. Moreover, these substituents may be bonded to each other to form a ring. For example, when the aryl group is a 2-fluorenyl group having two phenyl groups at the 9-position as substituents, the phenyl groups are bonded to each other to form a spiro-9,9'-bifluoren-2-yl group. can be More specific examples include phenyl group, tolyl group, xylyl group, biphenyl group, indenyl group, naphthyl group, fluorenyl group and the like.

また、上記一般式(G1)および上記一般式(G2)で表される有機金属錯体において、式中の、R~Rにおける炭素数1~6のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、sec-ペンチル基、tert-ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、sec-ヘキシル基、tert-ヘキシル基、ネオヘキシル基、3-メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、2-エチルブチル基、1,2-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル基等が挙げられる。Further, in the organometallic complexes represented by the general formula (G1) and the general formula (G2), specific examples of the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms in R 1 to R 9 in the formulas include a methyl group , ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, sec-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, sec-pentyl group, tert-pentyl group, neopentyl group, hexyl group, isohexyl group , sec-hexyl group, tert-hexyl group, neohexyl group, 3-methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 2-ethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 2,3-dimethylbutyl group and the like. .

また、上記一般式(G1)および上記一般式(G2)で表される有機金属錯体において、式中の、R~Rにおける環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基の具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、またはシクロヘプチル基等が挙げられる。Further, in the organometallic complexes represented by the general formula (G1) and the general formula (G2), in the formulas, a substituted or unsubstituted group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring in R 1 to R 9 Specific examples of cycloalkyl groups include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, and the like.

また、上記一般式(G1)および上記一般式(G2)で表される有機金属錯体において、式中の、R~Rにおける環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、インデニル基、またはフルオレニル基等が挙げられる。Further, in the organometallic complexes represented by the general formula (G1) and the general formula (G2), in the formulas, a substituted or unsubstituted group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring in R 1 to R 9 Specific examples of aryl groups include phenyl, biphenyl, naphthyl, indenyl, and fluorenyl groups.

また、上記一般式(G1)および上記一般式(G2)で表される有機金属錯体において、式中の、R~Rにおける環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基の具体例としては、トリアジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフラニル基、インドリル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフラニル基、またはカルバゾリル基等が挙げられる。Further, in the organometallic complexes represented by the general formula (G1) and the general formula (G2), in the formulas, a substituted or unsubstituted group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring in R 1 to R 9 Specific examples of heteroaryl groups include a triazinyl group, a pyrazinyl group, a pyrimidinyl group, a pyridinyl group, a quinolinyl group, an isoquinolinyl group, a benzothienyl group, a benzofuranyl group, an indolyl group, a dibenzothienyl group, a dibenzofuranyl group, and a carbazolyl group. is mentioned.

次に、上述した本発明の一態様である有機金属錯体の具体的な構造式を下記に示す。Next, specific structural formulas of the above-described organometallic complexes of one embodiment of the present invention are shown below.

Figure 0007275042000010
Figure 0007275042000010

Figure 0007275042000011
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Figure 0007275042000012
Figure 0007275042000012

Figure 0007275042000013
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Figure 0007275042000014
Figure 0007275042000014

なお、上記構造式(100)~(134)で表される有機金属錯体は、上記一般式(G1)で表される有機金属錯体の一例であり、本発明の一態様である有機金属錯体は、これに限られない。Note that the organometallic complexes represented by the structural formulas (100) to (134) are examples of the organometallic complexes represented by the general formula (G1), and the organometallic complexes of one embodiment of the present invention are , but not limited to this.

次に、本発明の一態様である有機金属錯体の合成方法の一例について説明する。なお、本発明の一態様である有機金属錯体は、下記一般式(G1)で表されるが、ここでは、式中、n=2の場合(下記一般式(G1-1))の有機金属錯体と、n=3の場合(下記一般式(G1-2))の有機金属錯体の合成方法について説明する。Next, an example of a method for synthesizing an organometallic complex that is one embodiment of the present invention is described. Note that the organometallic complex that is one embodiment of the present invention is represented by the following general formula (G1). Here, when n = 2 (general formula (G1-1) below), A method for synthesizing a complex and an organometallic complex having n=3 (general formula (G1-2) below) will be described.

Figure 0007275042000015
Figure 0007275042000015

≪一般式(G0)で表されるピリミジン誘導体の合成方法≫
まず、上記一般式(G1)に含まれるピリミジン誘導体(一般式(G0))の合成方法について説明する。
<<Method for Synthesizing Pyrimidine Derivative Represented by General Formula (G0)>>
First, a method for synthesizing the pyrimidine derivative (general formula (G0)) included in the general formula (G1) is described.

下記一般式(G0)で表されるピリミジン誘導体(一般式(G1)に含まれる配位子)は、例えば、以下に示す合成方法により簡便に合成することができる。ここでは、第1の合成方法、第2の合成方法、および第3の合成方法、の3種類の合成方法を示す。A pyrimidine derivative represented by general formula (G0) below (ligand included in general formula (G1)) can be easily synthesized, for example, by the synthesis method described below. Here, three types of synthesizing methods, a first synthesizing method, a second synthesizing method, and a third synthesizing method, are shown.

Figure 0007275042000016
Figure 0007275042000016

上記一般式(G0)において、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。In the above general formula (G0), R 1 to R 4 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, It represents either a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group;

<第1の合成方法>
上記一般式(G0)で表されるピリミジン誘導体は、下記合成スキーム(A-1)に示すように、ハロゲン化ベンゼン誘導体(A1)をアルキルリチウム等でリチオ化し、ピリミジンのハロゲン化物(A2)と反応させることにより得ることができる。
<First synthesis method>
The pyrimidine derivative represented by the general formula (G0) is obtained by lithiating the halogenated benzene derivative (A1) with alkyllithium or the like to obtain a pyrimidine halide (A2), as shown in the synthesis scheme (A-1) below. It can be obtained by reacting.

Figure 0007275042000017
Figure 0007275042000017

上記合成スキーム(A-1)において、XおよびXはハロゲンを表し、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。In the above synthesis scheme (A-1), X 1 and X 2 represent halogen, and R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a ring having 5 carbon atoms. to 7 substituted or unsubstituted cycloalkyl groups, substituted or unsubstituted aryl groups having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or substituted or unsubstituted heteroaryl groups having 3 to 12 carbon atoms forming a ring represents any of the groups. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group;

<第2の合成方法>
上記一般式(G0)で表されるピリミジン誘導体は、下記合成スキーム(A-1’)に示すように、ベンゼン誘導体のボロン酸(A1’)とピリミジンのハロゲン化物(A2’)とをカップリングすることにより得ることができる。
<Second synthesis method>
The pyrimidine derivative represented by the general formula (G0) is obtained by coupling a benzene derivative boronic acid (A1′) and a pyrimidine halide (A2′) as shown in the synthesis scheme (A-1′) below. can be obtained by

Figure 0007275042000018
Figure 0007275042000018

上記合成スキーム(A-1’)において、Xはハロゲンを表し、Bはボロン酸またはボロン酸エステルまたは環状トリオールボレート塩等を表す。また、環状トリオールボレート塩はリチウム塩の他に、カリウム塩、ナトリウム塩を用いても良い。R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。In the synthesis scheme (A-1') above, X3 represents a halogen, and B1 represents a boronic acid, a boronate ester, a cyclic triol borate salt, or the like. In addition to the lithium salt, the cyclic triol borate salt may be a potassium salt or a sodium salt. R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, or a ring having 6 carbon atoms. It represents either a substituted or unsubstituted aryl group of up to 13 or a substituted or unsubstituted heteroaryl group of 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group;

<第3の合成方法>
上記一般式(G0)で表されるピリミジン誘導体は、下記合成スキーム(A-1’’)に示すように、ベンゼン誘導体置換のジケトン(A1’’)とホルムアミド(A2’’)とをマイクロ波を用いて反応させることにより得ることができる。
<Third synthesis method>
The pyrimidine derivative represented by the above general formula (G0) is prepared by combining a benzene derivative-substituted diketone (A1'') and formamide (A2'') with microwaves as shown in the synthesis scheme (A-1'') below. It can be obtained by reacting using

Figure 0007275042000019
Figure 0007275042000019

上記合成スキーム(A-1’’)において、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。In the above synthesis scheme (A-1''), R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring. represents either a cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group;

なお、上記の合成方法において用いた化合物(A1)、(A2)、(A1’)、(A2’)、(A1’’)、および(A2’’)は、様々な種類が市販されているか、あるいは合成可能であるため、一般式(G0)で表されるピリミジン誘導体は容易に数多くの種類を合成することができる。したがって、本発明の一態様である、有機金属錯体は、その配位子のバリエーションが豊富であるという特徴がある。Various types of the compounds (A1), (A2), (A1′), (A2′), (A1″), and (A2″) used in the above synthesis method are commercially available. , or can be synthesized, a large number of pyrimidine derivatives represented by the general formula (G0) can be easily synthesized. Therefore, the organometallic complex, which is one embodiment of the present invention, is characterized by having a wide variety of ligands.

≪一般式(G1-1)で表される有機金属錯体の合成方法≫
上記一般式(G1-1)で表される有機金属錯体の合成方法について説明する。
<<Method for Synthesizing Organometallic Complex Represented by General Formula (G1-1)>>
A method for synthesizing the organometallic complex represented by General Formula (G1-1) will be described.

上記一般式(G1-1)で表される有機金属錯体は、下記合成スキーム(A-2)に示すように、ハロゲンを含む第9族または第10族の金属化合物(塩化ロジウム水和物、塩化パラジウム、塩化イリジウム、臭化イリジウム、ヨウ化イリジウム、テトラクロロ白金酸カリウムなど)と、一般式(G0)で表されるピリミジン誘導体と、を無溶媒またはアルコール系溶媒(グリセロール、エチレングリコール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノールなど)単独、あるいはアルコール系溶媒1種類以上と水との混合溶媒を用いて、不活性ガス雰囲気にて加熱することにより、ハロゲンで架橋された構造を有する有機金属錯体の一種であり、新規物質である複核錯体(B)を得ることができる。加熱手段として特に限定はなく、オイルバス、サンドバス、又はアルミブロックを用いてもよい。また、マイクロ波を加熱手段として用いることも可能である。As shown in the synthesis scheme (A-2) below, the organometallic complex represented by the above general formula (G1-1) is a group 9 or group 10 metal compound containing a halogen (rhodium chloride hydrate, Palladium chloride, iridium chloride, iridium bromide, iridium iodide, potassium tetrachloroplatinate, etc.) and the pyrimidine derivative represented by the general formula (G0) are mixed with no solvent or an alcoholic solvent (glycerol, ethylene glycol, 2 -Methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, etc.) alone, or using a mixed solvent of one or more alcoholic solvents and water, by heating in an inert gas atmosphere, an organic metal having a structure crosslinked with a halogen A multinuclear complex (B), which is a kind of complex and a novel substance, can be obtained. A heating means is not particularly limited, and an oil bath, a sand bath, or an aluminum block may be used. It is also possible to use microwaves as heating means.

Figure 0007275042000020
Figure 0007275042000020

上記合成スキーム(A-2)において、Xはハロゲンを表し、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。In the above synthesis scheme (A-2), X represents a halogen, and R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring. or an unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring represents R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group;

次に、下記合成スキーム(A-3)に示すように、上述の合成スキーム(A-2)で得られる複核錯体(B)と、モノアニオン性の配位子の原料HLとを、不活性ガス雰囲気にて反応させることにより、HLのプロトンが脱離してLが中心金属Mに配位し、一般式(G1-1)で表される有機金属錯体を得ることができる。加熱手段として特に限定はなく、オイルバス、サンドバス、又はアルミブロックを用いてもよい。また、マイクロ波を加熱手段として用いることも可能である。Next, as shown in the synthesis scheme (A-3) below, the binuclear complex (B) obtained in the above synthesis scheme (A-2) and the raw material HL of the monoanionic ligand are combined with an inert By reacting in a gas atmosphere, the protons of HL are eliminated and L is coordinated to the central metal M, whereby an organometallic complex represented by general formula (G1-1) can be obtained. A heating means is not particularly limited, and an oil bath, a sand bath, or an aluminum block may be used. It is also possible to use microwaves as heating means.

Figure 0007275042000021
Figure 0007275042000021

上記合成スキーム(A-3)において、Lはモノアニオン性の配位子を表し、Xはハロゲンを表し、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。In the above synthesis scheme (A-3), L represents a monoanionic ligand, X represents a halogen, R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a ring having 3 to 12 carbon atoms represents either a substituted or unsubstituted heteroaryl group. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group;

≪一般式(G1-2)で表される有機金属錯体の合成方法≫
上記一般式(G1-2)で表される有機金属錯体の合成方法について説明する。
<<Method for Synthesizing Organometallic Complex Represented by General Formula (G1-2)>>
A method for synthesizing the organometallic complex represented by General Formula (G1-2) is described.

上記一般式(G1-2)で表される有機金属錯体は、下記合成スキーム(A-4)に示すように、ハロゲンを含むイリジウム化合物(塩化イリジウム水和物、臭化イリジウム、ヨウ化イリジウム、酢酸イリジウム、ヘキサクロロイリジウム酸アンモニウム等)、または有機イリジウム錯体化合物(アセチルアセトナト錯体、ジエチルスルフィド錯体、ジ-μ-クロロ架橋二核錯体、ジ-μ-ヒドロキソ架橋二核錯体等)と、一般式(G0)で表されるピリミジン誘導体と、を混合し、無溶媒、またはアルコール系溶媒(グリセロール、エチレングリコール、2-メトキシエタノール、2-エトキシエタノール等)に溶解させた後、加熱することにより得られる。As shown in the synthesis scheme (A-4) below, the organometallic complex represented by the general formula (G1-2) is an iridium compound containing a halogen (iridium chloride hydrate, iridium bromide, iridium iodide, iridium acetate, ammonium hexachloroiridate, etc.), or an organic iridium complex compound (acetylacetonato complex, diethyl sulfide complex, di-μ-chloro-bridged binuclear complex, di-μ-hydroxo-bridged binuclear complex, etc.), and the general formula A pyrimidine derivative represented by (G0) is mixed, dissolved in no solvent or in an alcoholic solvent (glycerol, ethylene glycol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, etc.), and then heated. be done.

Figure 0007275042000022
Figure 0007275042000022

上記合成スキーム(A-4)において、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。In the above synthesis scheme (A-4), R 1 to R 4 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring. group, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. R 5 to R 9 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or represents any one of 3 to 12 substituted or unsubstituted heteroaryl groups or cyano groups, at least one of which represents a cyano group;

以上、本発明の一態様である有機金属錯体として、一般式(G1)、一般式(G1-1)、および一般式(G1-2)でそれぞれ表される有機金属錯体の合成方法について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、他の合成方法によって合成してもよい。The methods for synthesizing the organometallic complexes represented by general formula (G1), general formula (G1-1), and general formula (G1-2) as organometallic complexes of one embodiment of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to this, and may be synthesized by other synthetic methods.

また、本発明の一態様である有機金属錯体を用いることで、発光効率の高い発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置を実現することができる。また、信頼性の高い発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置を実現することができる。Further, with the use of the organometallic complex which is one embodiment of the present invention, a light-emitting element, a light-emitting device, an electronic device, or a lighting device with high emission efficiency can be realized. Further, a highly reliable light-emitting element, light-emitting device, electronic device, or lighting device can be realized.

なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。また、他の実施の形態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載されているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様として、発光素子に適用した場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。また、状況に応じて、本発明の一態様は、発光素子以外のものに適用してもよい。また、状況に応じて、本発明の一態様は、発光素子に適用しなくてもよい。Note that one embodiment of the present invention is described in this embodiment. In addition, one aspect of the present invention will be described in another embodiment. However, one embodiment of the present invention is not limited to these. In other words, since various aspects of the invention are described in this embodiment and other embodiments, one aspect of the invention is not limited to any particular aspect. For example, an example of application to a light-emitting element is described as one embodiment of the present invention, but one embodiment of the present invention is not limited thereto. Depending on circumstances, one embodiment of the present invention may be applied to elements other than light-emitting elements. Further, one embodiment of the present invention may not be applied to a light-emitting element depending on circumstances.

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。The structure described in this embodiment can be combined as appropriate with any of the structures described in other embodiments.

(実施の形態2)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について説明する。なお、本実施の形態で説明する発光素子には、本発明の一態様である有機金属錯体を用いることができる。
(Embodiment 2)
In this embodiment, a light-emitting element that is one embodiment of the present invention will be described. Note that the organometallic complex that is one embodiment of the present invention can be used for the light-emitting element described in this embodiment.

≪発光素子の基本的な構造≫
図1(A)には、一対の電極間にEL層を挟んでなる発光素子を示す。具体的には、第1の電極101と第2の電極102との間に発光層を含むEL層103が挟まれた構造を有する。
<<Basic structure of light-emitting element>>
FIG. 1A shows a light-emitting element in which an EL layer is sandwiched between a pair of electrodes. Specifically, it has a structure in which an EL layer 103 including a light-emitting layer is sandwiched between a first electrode 101 and a second electrode 102 .

図1(B)には、一対の電極間に複数(図1(B)では、2層)のEL層(103a、103b)を有し、EL層の間に電荷発生層104を挟んでなる積層構造(タンデム構造)の発光素子を示す。このようなタンデム構造の発光素子は、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。In FIG. 1B, a plurality of (two layers in FIG. 1B) EL layers (103a and 103b) are provided between a pair of electrodes, and a charge generation layer 104 is sandwiched between the EL layers. A light-emitting element with a laminated structure (tandem structure) is shown. Such a tandem-structured light-emitting element can realize a light-emitting device that can be driven at a low voltage and has low power consumption.

なお、電荷発生層104は、第1の電極101と第2の電極102に電圧を印加したときに、一方のEL層(103aまたは103b)に電子を注入し、他方のEL層(103bまたは103a)に正孔を注入する機能を有する。従って、図1(B)において、第1の電極101に第2の電極102よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層104からEL層103aに電子が注入され、EL層103bに正孔が注入される。Note that when a voltage is applied to the first electrode 101 and the second electrode 102, the charge generation layer 104 injects electrons into one EL layer (103a or 103b) and ) has a function of injecting holes. Therefore, in FIG. 1B, when a voltage is applied to the first electrode 101 so that the potential thereof is higher than that of the second electrode 102, electrons are injected from the charge generation layer 104 into the EL layer 103a and the EL layer 103b. holes are injected into

電荷発生層104は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する(具体的には、電荷発生層104に対する可視光の透過率が、40%以上)ことが好ましい。また、電荷発生層104は、第1の電極101や第2の電極102よりも低い導電率であっても機能する。From the viewpoint of light extraction efficiency, the charge generation layer 104 preferably has a property of transmitting visible light (specifically, the charge generation layer 104 has a visible light transmittance of 40% or more). Also, the charge generation layer 104 functions even if the conductivity is lower than that of the first electrode 101 and the second electrode 102 .

図1(C)には、EL層103の積層構造について示す。図1(C)において、第1の電極101が陽極として機能する場合、EL層103は、第1の電極101上に、正孔(ホール)注入層111、正孔(ホール)輸送層112、発光層113、電子輸送層114、電子注入層115が順次積層された構造を有する。図1(B)に示すタンデム構造のように複数のEL層を有する場合も、各EL層が、陽極側から上記のように順次積層される構造とする。なお、第1の電極101が陰極で、第2の電極102が陽極の場合は、積層順は逆になる。FIG. 1C shows the stacked structure of the EL layer 103 . In FIG. 1C, when the first electrode 101 functions as an anode, the EL layer 103 includes a hole-injection layer 111, a hole-transport layer 112, and a hole-injection layer 111 over the first electrode 101. It has a structure in which a light-emitting layer 113, an electron-transporting layer 114, and an electron-injecting layer 115 are sequentially stacked. Even in the case of having a plurality of EL layers as in the tandem structure shown in FIG. 1B, each EL layer is stacked sequentially from the anode side as described above. Note that when the first electrode 101 is the cathode and the second electrode 102 is the anode, the stacking order is reversed.

EL層(103、103a、103b)に含まれる発光層113は、それぞれ発光物質や複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光や燐光発光が得られる構成とすることができる。また、発光層113を発光色の異なる積層構造としてもよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質やその他の物質は、それぞれ異なる材料を用いればよい。また、図1(B)に示す複数のEL層(103a、103b)から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に用いる発光物質やその他の物質を異なる材料とすればよい。Each of the light-emitting layers 113 included in the EL layers (103, 103a, and 103b) includes a light-emitting substance or an appropriate combination of a plurality of substances, and has a structure in which fluorescent light emission or phosphorescent light emission with a desired emission color can be obtained. be able to. Further, the light-emitting layer 113 may have a laminated structure with different emission colors. Note that in this case, different materials may be used for the light-emitting substances and other substances used in the stacked light-emitting layers. Alternatively, a structure in which different emission colors can be obtained from the plurality of EL layers (103a and 103b) shown in FIG. 1B may be employed. In this case also, different materials may be used for the light-emitting substances and other substances used in the respective light-emitting layers.

また、本発明の一態様である発光素子において、EL層(103、103a、103b)で得られた発光を両電極間で共振させることにより、得られる発光を強める構成としても良い。例えば、図1(C)において、第1の電極101を反射電極とし、第2の電極102を半透過・半反射電極とすることにより微小光共振器(マイクロキャビティ)構造を形成し、EL層103から得られる発光を強めることができる。Further, in the light-emitting element which is one embodiment of the present invention, the emitted light emitted from the EL layers (103, 103a, and 103b) may be resonated between the electrodes to enhance the emitted light. For example, in FIG. 1C, the first electrode 101 is a reflective electrode and the second electrode 102 is a semi-transmissive/semi-reflective electrode, thereby forming a micro optical resonator (microcavity) structure and forming an EL layer. The luminescence obtained from 103 can be enhanced.

なお、発光素子の第1の電極101が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電性材料(透明導電膜)との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層113から得られる光の波長λに対して、第1の電極101と、第2の電極102との電極間距離がmλ/2(ただし、mは自然数)近傍となるように調整するのが好ましい。Note that when the first electrode 101 of the light-emitting element is a reflective electrode having a laminated structure of a reflective conductive material and a light-transmitting conductive material (transparent conductive film), the transparent conductive film Optical tuning can be achieved by controlling the thickness. Specifically, the inter-electrode distance between the first electrode 101 and the second electrode 102 is approximately mλ/2 (where m is a natural number) with respect to the wavelength λ of light obtained from the light-emitting layer 113. It is preferable to adjust

また、発光層113から得られる所望の光(波長:λ)を増幅させるために、第1の電極101から発光層113の所望の光が得られる領域(発光領域)までの光学距離と、第2の電極102から発光層113の所望の光が得られる領域(発光領域)までの光学距離と、をそれぞれ(2m’+1)λ/4(ただし、m’は自然数)近傍となるように調節するのが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層113における正孔(ホール)と電子との再結合領域を示す。In order to amplify desired light (wavelength: λ) obtained from the light-emitting layer 113, the optical distance from the first electrode 101 to the region (light-emitting region) of the light-emitting layer 113 from which desired light is obtained, The optical distance from the second electrode 102 to the region (light emitting region) of the light emitting layer 113 where desired light is obtained is adjusted to be near (2m′+1)λ/4 (where m′ is a natural number). preferably. Note that the light-emitting region here means a recombination region of holes and electrons in the light-emitting layer 113 .

このような光学調整を行うことにより、発光層113から得られる特定の単色光のスペクトルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。By performing such optical adjustment, the spectrum of specific monochromatic light obtained from the light-emitting layer 113 can be narrowed, and light emission with good color purity can be obtained.

但し、上記の場合、第1の電極101と第2の電極102との光学距離は、厳密には第1の電極101における反射領域から第2の電極102における反射領域までの総厚ということができる。しかし、第1の電極101や第2の電極102における反射領域を厳密に決定することは困難であるため、第1の電極101と第2の電極102の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第1の電極101と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第1の電極101における反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるということができる。しかし、第1の電極101における反射領域や、所望の光が得られる発光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第1の電極101の任意の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。However, in the above case, strictly speaking, the optical distance between the first electrode 101 and the second electrode 102 is the total thickness from the reflection area of the first electrode 101 to the reflection area of the second electrode 102. can. However, since it is difficult to strictly determine the reflective regions in the first electrode 101 and the second electrode 102, it is possible to assume arbitrary positions of the first electrode 101 and the second electrode 102 as reflective regions. can sufficiently obtain the above effects. Strictly speaking, the optical distance between the first electrode 101 and the light-emitting layer from which desired light is obtained is the optical distance between the reflection region in the first electrode 101 and the light-emitting region in the light-emitting layer from which desired light is obtained. It can be said that it is the distance. However, since it is difficult to strictly determine the reflective region in the first electrode 101 and the light-emitting region in the light-emitting layer from which desired light can be obtained, an arbitrary position of the first electrode 101 can be used as the reflective region and the desired light-emitting region. By assuming that an arbitrary position of the light-emitting layer from which light is obtained is the light-emitting region, the above effects can be sufficiently obtained.

図1(C)に示す発光素子が、マイクロキャビティ構造を有する場合、EL層が共通であっても異なる波長の光(単色光)を取り出すことができる。従って、異なる発光色を得るための塗り分け(例えば、RGB)が不要となり、高精細化が可能となる。また、着色層(カラーフィルタ)との組み合わせも可能である。また、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能なため、低消費電力化を図ることができる。When the light-emitting element shown in FIG. 1C has a microcavity structure, light of different wavelengths (monochromatic light) can be extracted even if the EL layer is common. Therefore, separate coloring (for example, RGB) for obtaining different emission colors is not necessary, and high definition can be achieved. A combination with a colored layer (color filter) is also possible. In addition, since it is possible to increase the emission intensity of the specific wavelength in the front direction, it is possible to reduce power consumption.

なお、上述した本発明の一態様である発光素子において、第1の電極101と第2の電極102の少なくとも一方は、透光性を有する電極(透明電極、半透過・半反射電極など)とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、40%以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、20%以上80%以下、好ましくは40%以上70%以下とする。また、これらの電極は、抵抗率が1×10-2Ωcm以下とするのが好ましい。Note that in the light-emitting element which is one embodiment of the present invention, at least one of the first electrode 101 and the second electrode 102 is a light-transmitting electrode (a transparent electrode, a semi-transmissive/semi-reflective electrode, or the like). do. When the light-transmitting electrode is a transparent electrode, the visible light transmittance of the transparent electrode is set to 40% or more. In the case of a semi-transmissive/semi-reflective electrode, the visible light reflectance of the semi-transmissive/semi-reflective electrode should be 20% or more and 80% or less, preferably 40% or more and 70% or less. Moreover, these electrodes preferably have a resistivity of 1×10 −2 Ωcm or less.

また、上述した本発明の一態様である発光素子において、第1の電極101と第2の電極102の一方が、反射性を有する電極(反射電極)である場合、反射性を有する電極の可視光の反射率は、40%以上100%以下、好ましくは70%以上100%以下とする。また、この電極は、抵抗率が1×10-2Ωcm以下とするのが好ましい。Further, in the light-emitting element of one embodiment of the present invention described above, when one of the first electrode 101 and the second electrode 102 is a reflective electrode (reflective electrode), the reflective electrode is visible. The light reflectance is 40% or more and 100% or less, preferably 70% or more and 100% or less. Moreover, the electrode preferably has a resistivity of 1×10 −2 Ωcm or less.

≪発光素子の具体的な構造および作製方法≫
次に、本発明の一態様である発光素子の具体的な構造および作製方法について説明する。なお、図1(A)~図1(E)において、符号が共通である場合は説明も共通とする。
<<Specific Structure and Manufacturing Method of Light-Emitting Element>>
Next, a specific structure and a manufacturing method of a light-emitting element that is one embodiment of the present invention are described. In addition, in FIGS. 1A to 1E, when the reference numerals are the same, the description is also the same.

<第1の電極および第2の電極>
第1の電極101および第2の電極102を形成する材料としては、上述した素子構造における両電極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、In-Sn酸化物(ITOともいう)、In-Si-Sn酸化物(ITSOともいう)、In-Zn酸化物、In-W-Zn酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、クロム(Cr)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、インジウム(In)、スズ(Sn)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、金(Au)、白金(Pt)、銀(Ag)、イットリウム(Y)、ネオジム(Nd)などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第1族または第2族に属する元素(例えば、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr))、ユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)などの希土類金属およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
<First electrode and second electrode>
As materials for forming the first electrode 101 and the second electrode 102, the following materials can be used in appropriate combination as long as the functions of both electrodes in the above-described element structure can be satisfied. For example, metals, alloys, electrically conductive compounds, mixtures thereof, and the like can be used as appropriate. Specifically, In--Sn oxide (also referred to as ITO), In--Si--Sn oxide (also referred to as ITSO), In--Zn oxide, and In--W--Zn oxide are given. In addition, aluminum (Al), titanium (Ti), chromium (Cr), manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), gallium (Ga), zinc (Zn ), indium (In), tin (Sn), molybdenum (Mo), tantalum (Ta), tungsten (W), palladium (Pd), gold (Au), platinum (Pt), silver (Ag), yttrium (Y ), neodymium (Nd), and alloys containing appropriate combinations thereof can also be used. In addition, elements belonging to Group 1 or Group 2 of the periodic table of elements not exemplified above (e.g., lithium (Li), cesium (Cs), calcium (Ca), strontium (Sr)), europium (Eu), ytterbium Rare earth metals such as (Yb), alloys containing an appropriate combination thereof, graphene, and the like can be used.

図1に示す発光素子において、図1(C)のように積層構造を有するEL層103を有し、第1の電極101が陽極である場合、第1の電極101上にEL層103の正孔注入層111、正孔輸送層112が真空蒸着法により順次積層形成される。また、図1(D)のように、積層構造を有する複数のEL層(103a、103b)が電荷発生層104を挟んで積層され、第1の電極101が陽極である場合、第1の電極101上にEL層103aの正孔注入層111a、正孔輸送層112aが真空蒸着法により順次積層形成されるだけでなく、EL層103a、電荷発生層104が順次積層形成された後、電荷発生層104上にEL層103bの正孔注入層111b、正孔輸送層112bが同様に順次積層形成される。In the case where the light-emitting element shown in FIG. 1 includes the EL layer 103 having a stacked-layer structure as shown in FIG. A hole injection layer 111 and a hole transport layer 112 are sequentially laminated by a vacuum deposition method. Further, as in FIG. 1D, when a plurality of EL layers (103a and 103b) having a stacked structure are stacked with the charge generation layer 104 interposed therebetween and the first electrode 101 is an anode, the first electrode Not only are the hole injection layer 111a and the hole transport layer 112a of the EL layer 103a successively laminated on the EL layer 101 by vacuum evaporation, but also the EL layer 103a and the charge generation layer 104 are successively laminated on the EL layer 103a. A hole-injecting layer 111b and a hole-transporting layer 112b of the EL layer 103b are sequentially laminated on the layer 104 in the same manner.

<正孔注入層および正孔輸送層>
正孔注入層(111、111a、111b)は、陽極である第1の電極101や電荷発生層(104)からEL層(103、103a、103b)に正孔(ホール)を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。
<Hole injection layer and hole transport layer>
The hole injection layers (111, 111a, 111b) are layers for injecting holes from the first electrode 101, which is an anode, and the charge generation layer (104) into the EL layers (103, 103a, 103b). , which is a layer containing a material having a high hole injection property.

正孔注入性の高い材料としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物が挙げられる。この他、フタロシアニン(略称:HPc)や銅フタロシアニン(略称:CuPC)等のフタロシアニン系の化合物、等を用いることができる。Materials with high hole injection properties include transition metal oxides such as molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide, and manganese oxide. In addition, phthalocyanine compounds such as phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc) and copper phthalocyanine (abbreviation: CuPC) can be used.

また、低分子化合物である、4,4’,4’’-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’-トリス[N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’-ビス{4-[ビス(3-メチルフェニル)アミノ]フェニル}-N,N’-ジフェニル-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン(略称:DNTPD)、1,3,5-トリス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)、3-[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6-ビス[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3-[N-(1-ナフチル)-N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)アミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)等の芳香族アミン化合物、等を用いることができる。In addition, 4,4′,4″-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4′,4″-tris[N-(3 -methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamine (abbreviation: MTDATA), 4,4′-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: DPAB), N, N'-bis{4-[bis(3-methylphenyl)amino]phenyl}-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (abbreviation: DNTPD), 1, 3,5-tris[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]benzene (abbreviation: DPA3B), 3-[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]- 9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1), 3,6-bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), 3-[N- Aromatic amine compounds such as (1-naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCN1) and the like can be used.

また、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)である、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4-ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N-(4-{N’-[4-(4-ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’-ビス(4-ブチルフェニル)-N,N’-ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly-TPD)等を用いることができる。または、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(略称:PEDOT/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(略称:PAni/PSS)等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。In addition, poly(N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK), poly(4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA), poly[N-(4 -{N'-[4-(4-diphenylamino)phenyl]phenyl-N'-phenylamino}phenyl)methacrylamide] (abbreviation: PTPDMA), poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)- N,N'-bis(phenyl)benzidine] (abbreviation: Poly-TPD) and the like can be used. Alternatively, poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / poly (styrene sulfonic acid) (abbreviation: PEDOT / PSS), polyaniline / poly (styrene sulfonic acid) (abbreviation: PAni / PSS), etc. Molecular compounds and the like can also be used.

また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料とアクセプター性材料(電子受容性材料)を含む複合材料を用いることもできる。この場合、アクセプター性材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層(111、111a、111b)で正孔が発生し、正孔輸送層(112、112a、112b)を介して発光層(113、113a、113b)に正孔が注入される。なお、正孔注入層(111、111a、111b)は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料(電子受容性材料)を含む複合材料からなる単層で形成しても良いが、正孔輸送性材料とアクセプター性材料(電子受容性材料)とをそれぞれ別の層で積層して形成しても良い。A composite material containing a hole-transporting material and an acceptor material (electron-accepting material) can also be used as a material having a high hole-injecting property. In this case, electrons are withdrawn from the hole-transporting material by the acceptor material to generate holes in the hole-injecting layers (111, 111a, 111b), and through the hole-transporting layers (112, 112a, 112b). Holes are injected into the light-emitting layers (113, 113a, 113b). The hole injection layers (111, 111a, 111b) may be formed of a single layer made of a composite material containing a hole-transporting material and an acceptor material (electron-accepting material). The material and the acceptor material (electron-accepting material) may be laminated in separate layers.

正孔輸送層(112、112a、112b)は、正孔注入層(111、111a、111b)によって、第1の電極101や電荷発生層104から注入された正孔を発光層(113、113a、113b)に輸送する層である。なお、正孔輸送層(112、112a、112b)は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送層(112、112a、112b)に用いる正孔輸送性材料は、特に正孔注入層(111、111a、111b)のHOMO準位と同じ、あるいは近いHOMO準位を有するものを用いることが好ましい。The hole transport layers (112, 112a, 112b) transfer holes injected from the first electrode 101 and the charge generation layer 104 to the light emitting layers (113, 113a, 113b) transport layer. The hole-transporting layers (112, 112a, 112b) are layers containing a hole-transporting material. The hole-transporting material used for the hole-transporting layers (112, 112a, 112b) should have a HOMO level that is the same as or close to the HOMO level of the hole-injecting layers (111, 111a, 111b). is preferred.

正孔注入層(111、111a、111b)に用いるアクセプター性材料としては、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。その他、キノジメタン誘導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを用いることができる。具体的には、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン(略称:F-TCNQ)、クロラニル、2,3,6,7,10,11-ヘキサシアノ-1,4,5,8,9,12-ヘキサアザトリフェニレン(略称:HAT-CN)等を用いることができる。特に、HAT-CNのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基(特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基)を有する[3]ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα,α’,α’’-1,2,3-シクロプロパントリイリデントリス[4-シアノ-2,3,5,6-テトラフルオロベンゼンアセトニトリル]、α,α’,α’’-1,2,3-シクロプロパントリイリデントリス[2,6-ジクロロ-3,5-ジフルオロ-4-(トリフルオロメチル)ベンゼンアセトニトリル]、α,α’,α’’-1,2,3-シクロプロパントリイリデントリス[2,3,4,5,6-ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル]などが挙げられる。As an acceptor material used for the hole injection layers (111, 111a, 111b), oxides of metals belonging to groups 4 to 8 of the periodic table can be used. Specific examples include molybdenum oxide, vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide. Among them, molybdenum oxide is particularly preferred because it is stable even in the atmosphere, has low hygroscopicity, and is easy to handle. In addition, organic acceptors such as quinodimethane derivatives, chloranil derivatives, and hexaazatriphenylene derivatives can be used. Specifically, 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F 4 -TCNQ), chloranil, 2,3,6,7,10,11 -Hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene (abbreviation: HAT-CN) and the like can be used. In particular, a compound such as HAT-CN in which an electron-withdrawing group is bound to a condensed aromatic ring having a plurality of heteroatoms is thermally stable and preferable. In addition, [3] radialene derivatives having an electron-withdrawing group (especially a halogen group such as a fluoro group or a cyano group) are preferable because they have very high electron-accepting properties. 1,2,3-cyclopropanetriylidene tris[4-cyano-2,3,5,6-tetrafluorobenzeneacetonitrile], α,α',α''-1,2,3-cyclopropanetriylidene tris [2,6-dichloro-3,5-difluoro-4-(trifluoromethyl)benzeneacetonitrile], α,α′,α″-1,2,3-cyclopropanetriylidenetris[2,3,4 , 5,6-pentafluorobenzeneacetonitrile] and the like.

正孔注入層(111、111a、111b)および正孔輸送層(112、112a、112b)に用いる正孔輸送性材料としては、10-6cm/Vs以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。As the hole-transporting material used for the hole-injecting layers (111, 111a, 111b) and the hole-transporting layers (112, 112a, 112b), substances having a hole mobility of 10 −6 cm 2 /Vs or more are used. preferable. Note that any substance other than these can be used as long as it has a higher hole-transport property than electron-transport property.

正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物(例えばカルバゾール骨格を有する化合物やフラン骨格を有する化合物)や芳香族アミン骨格を有する化合物等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。As the hole-transporting material, a material having a high hole-transporting property such as a π-electron-rich heteroaromatic compound (for example, a compound having a carbazole skeleton or a compound having a furan skeleton) or a compound having an aromatic amine skeleton is preferable.

正孔輸送性材料の具体例としては、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPBまたはα-NPD)、N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ジフェニル-[1,1’-ビフェニル]-4,4’-ジアミン(略称:TPD)、4,4’-ビス[N-(スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-イル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)、4-フェニル-4’-(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)、4-フェニル-3’-(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:mBPAFLP)、N-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)-N-{9,9-ジメチル-2-[N’-フェニル-N’-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)アミノ]-9H-フルオレン-7-イル}フェニルアミン(略称:DFLADFL)、N-(9,9-ジメチル-2-ジフェニルアミノ-9H-フルオレン-7-イル)ジフェニルアミン(略称:DPNF)、2-[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]スピロ-9,9’-ビフルオレン(略称:DPASF)、4-フェニル-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBA1BP)、3-[4-(9-フェナントリル)-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール(略称:PCPPn)、N-(4-ビフェニル)-N-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-イル)-9-フェニル-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:PCBiF)、N-(1,1’-ビフェニル-4-イル)-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]-9,9-ジメチル-9H-フルオレン-2-アミン(略称:PCBBiF)、4,4’-ジフェニル-4’’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBBi1BP)、4-(1-ナフチル)-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBANB)、4,4’-ジ(1-ナフチル)-4’’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBNBB)、4-フェニルジフェニル-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)アミン(略称:PCA1BP)、N,N’-ビス(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N,N’-ジフェニルベンゼン-1,3-ジアミン(略称:PCA2B)、N,N’,N’’-トリフェニル-N,N’,N’’-トリス(9-フェニルカルバゾール-3-イル)ベンゼン-1,3,5-トリアミン(略称:PCA3B)、9,9-ジメチル-N-フェニル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]フルオレン-2-アミン(略称:PCBAF)、N-フェニル-N-[4-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)フェニル]スピロ-9,9’-ビフルオレン-2-アミン(略称:PCBASF)、2-[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]スピロ-9,9’-ビフルオレン(略称:PCASF)、2,7-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]スピロ-9,9’-ビフルオレン(略称:DPA2SF)、N-[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]-N-(4-フェニル)フェニルアニリン(略称:YGA1BP)、N,N’-ビス[4-(カルバゾール-9-イル)フェニル]-N,N’-ジフェニル-9,9-ジメチルフルオレン-2,7-ジアミン(略称:YGA2F)などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。また、3-[4-(1-ナフチル)-フェニル]-9-フェニル-9H-カルバゾール(略称:PCPN)、4,4’,4’’-トリス(カルバゾール-9-イル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)、4,4’,4’’-トリス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:1-TNATA)、4,4’,4’’-トリス(N,N-ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’-トリス[N-(3-メチルフェニル)-N-フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:m-MTDATA)、N,N’-ジ(p-トリル)-N,N’-ジフェニル-p-フェニレンジアミン(略称:DTDPPA)、4,4’-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’-ビス{4-[ビス(3-メチルフェニル)アミノ]フェニル}-N,N’-ジフェニル-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン(略称:DNTPD)、1,3,5-トリス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)等の芳香族アミン骨格を有する化合物、1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン(略称:mCP)、4,4’-ジ(N-カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、3,6-ビス(3,5-ジフェニルフェニル)-9-フェニルカルバゾール(略称:CzTP)、3,3’-ビス(9-フェニル-9H-カルバゾール)(略称:PCCP)、3-[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzDPA1)、3,6-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzDPA2)、3,6-ビス[N-(4-ジフェニルアミノフェニル)-N-(1-ナフチル)アミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzTPN2)、3-[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6-ビス[N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)-N-フェニルアミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3-[N-(1-ナフチル)-N-(9-フェニルカルバゾール-3-イル)アミノ]-9-フェニルカルバゾール(略称:PCzPCN1)、1,3,5-トリス[4-(N-カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)、9-[4-(10-フェニル-9-アントラセニル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CzPA)等のカルバゾール骨格を有する化合物、4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェン)(略称:DBT3P-II)、2,8-ジフェニル-4-[4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]ジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP-III)、4-[4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]-6-フェニルジベンゾチオフェン(略称:DBTFLP-IV)などのチオフェン骨格を有する化合物、4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾフラン)(略称:DBF3P-II)、4-{3-[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]フェニル}ジベンゾフラン(略称:mmDBFFLBi-II)等のフラン骨格を有する化合物が挙げられる。Specific examples of hole-transporting materials include 4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: NPB or α-NPD), N,N′-bis(3 -methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine (abbreviation: TPD), 4,4'-bis[N-(spiro-9,9'- Bifluoren-2-yl)-N-phenylamino]biphenyl (abbreviation: BSPB), 4-phenyl-4′-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamine (abbreviation: BPAFLP), 4-phenyl-3 '-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamine (abbreviation: mBPAFLP), N-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-N-{9,9-dimethyl-2- [N'-phenyl-N'-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amino]-9H-fluoren-7-yl}phenylamine (abbreviation: DFLADFL), N-(9,9- Dimethyl-2-diphenylamino-9H-fluoren-7-yl)diphenylamine (abbreviation: DPNF), 2-[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]spiro-9,9'-bifluorene (abbreviation: : DPASF), 4-phenyl-4′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBA1BP), 3-[4-(9-phenanthryl)-phenyl]-9-phenyl -9H-carbazole (abbreviation: PCPPn), N-(4-biphenyl)-N-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCBiF), N-(1,1′-biphenyl-4-yl)-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]-9,9-dimethyl-9H-fluorene-2 -amine (abbreviation: PCBBiF), 4,4'-diphenyl-4''-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBBi1BP), 4-(1-naphthyl)-4 '-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBANB), 4,4'-di(1-naphthyl)-4''-(9-phenyl-9H-carbazole-3 -yl)triphenylamine (abbreviation: PCBNBB), 4-phenyldiphenyl-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)amine (abbreviation: PCA1BP), N,N'-bis(9-phenylcarbazole-3 -yl)-N,N'-diphenylbenzene-1,3-diamine (abbreviation: PCA2B), N,N',N''-triphenyl-N,N',N''-tris(9-phenylcarbazole -3-yl)benzene-1,3,5-triamine (abbreviation: PCA3B), 9,9-dimethyl-N-phenyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl] Fluorene-2-amine (abbreviation: PCBAF), N-phenyl-N-[4-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)phenyl]spiro-9,9′-bifluoren-2-amine (abbreviation: PCBASF), 2-[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]spiro-9,9′-bifluorene (abbreviation: PCASF), 2,7-bis[N-(4-diphenyl aminophenyl)-N-phenylamino]spiro-9,9′-bifluorene (abbreviation: DPA2SF), N-[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N-(4-phenyl)phenylaniline ( abbreviation: YGA1BP), N,N'-bis[4-(carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenyl-9,9-dimethylfluorene-2,7-diamine (abbreviation: YGA2F), etc. An aromatic amine compound or the like can be used. Also, 3-[4-(1-naphthyl)-phenyl]-9-phenyl-9H-carbazole (abbreviation: PCPN), 4,4′,4″-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine ( TCTA), 4,4′,4″-tris[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]triphenylamine (abbreviation: 1-TNATA), 4,4′,4″-tris (N,N-diphenylamino)triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4′,4″-tris[N-(3-methylphenyl)-N-phenylamino]triphenylamine (abbreviation: m- MTDATA), N,N'-di(p-tolyl)-N,N'-diphenyl-p-phenylenediamine (abbreviation: DTDPPA), 4,4'-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N -phenylamino]biphenyl (abbreviation: DPAB), N,N'-bis{4-[bis(3-methylphenyl)amino]phenyl}-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4 ,4′-diamine (abbreviation: DNTPD), 1,3,5-tris[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]benzene (abbreviation: DPA3B) and other compounds having an aromatic amine skeleton, 1,3-bis(N-carbazolyl)benzene (abbreviation: mCP), 4,4′-di(N-carbazolyl)biphenyl (abbreviation: CBP), 3,6-bis(3,5-diphenylphenyl)-9 -Phenylcarbazole (abbreviation: CzTP), 3,3′-bis(9-phenyl-9H-carbazole) (abbreviation: PCCP), 3-[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9 -Phenylcarbazole (abbreviation: PCzDPA1), 3,6-bis[N-(4-diphenylaminophenyl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzDPA2), 3,6-bis[N-( 4-diphenylaminophenyl)-N-(1-naphthyl)amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzTPN2), 3-[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9 -phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1), 3,6-bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), 3-[N-( 1-naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCN1), 1,3,5-tris[4-(N-carbazolyl)phenyl]benzene (abbreviation: : TCPB), 9-[4-(10-phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: CzPA) and other compounds having a carbazole skeleton, 4,4′,4″-(benzene-1 ,3,5-triyl)tri(dibenzothiophene) (abbreviation: DBT3P-II), 2,8-diphenyl-4-[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]dibenzothiophene (abbreviation: : DBTFLP-III), 4-[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-6-phenyldibenzothiophene (abbreviation: DBTFLP-IV) and other compounds having a thiophene skeleton, 4,4 ',4''-(benzene-1,3,5-triyl)tri(dibenzofuran) (abbreviation: DBF3P-II), 4-{3-[3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl) Examples include compounds having a furan skeleton such as phenyl]phenyl}dibenzofuran (abbreviation: mmDBFFLBi-II).

さらに、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(略称:PVK)、ポリ(4-ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)、ポリ[N-(4-{N’-[4-(4-ジフェニルアミノ)フェニル]フェニル-N’-フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド](略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’-ビス(4-ブチルフェニル)-N,N’-ビス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly-TPD)などの高分子化合物を用いることもできる。Furthermore, poly(N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK), poly(4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA), poly[N-(4-{N'-[4-(4-diphenylamino) phenyl]phenyl-N'-phenylamino}phenyl)methacrylamide] (abbreviation: PTPDMA), poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine] (abbreviation: Polymer compounds such as Poly-TPD) can also be used.

但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を1種または複数種組み合わせて正孔輸送性材料として正孔注入層(111、111a、111b)および正孔輸送層(112、112a、112b)に用いることができる。なお、正孔輸送層(112、112a、112b)は、各々複数の層から形成されていても良い。すなわち、例えば第1の正孔輸送層と第2の正孔輸送層とが積層されていても良い。However, the hole-transporting material is not limited to the above, and the hole-transporting layer (111, 111a, 111b) and the hole-transporting layer are formed by combining one or a plurality of known various materials as a hole-transporting material. (112, 112a, 112b). The hole transport layers (112, 112a, 112b) may each be formed from a plurality of layers. That is, for example, a first hole transport layer and a second hole transport layer may be laminated.

図1(D)に示す発光素子において、EL層103aの正孔輸送層112a上に発光層113aが真空蒸着法により形成される。また、EL層103aおよび電荷発生層104が形成された後、EL層103bの正孔輸送層112b上に発光層113bが真空蒸着法により形成される。In the light-emitting element shown in FIG. 1D, the light-emitting layer 113a is formed over the hole-transport layer 112a of the EL layer 103a by a vacuum evaporation method. After the EL layer 103a and the charge generation layer 104 are formed, the light emitting layer 113b is formed on the hole transport layer 112b of the EL layer 103b by vacuum deposition.

<発光層>
発光層(113、113a、113b、113c)は、発光物質を含む層である。なお、発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、複数の発光層(113a、113b、113c)に異なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成(例えば、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光)とすることができる。さらに、一つの発光層が異なる発光物質を有する積層構造であっても良い。
<Light emitting layer>
The light-emitting layers (113, 113a, 113b, 113c) are layers containing light-emitting substances. Note that as the light-emitting substance, a substance that emits light of blue, purple, blue-violet, green, yellow-green, yellow, orange, red, or the like is used as appropriate. In addition, by using different light-emitting substances for the plurality of light-emitting layers (113a, 113b, and 113c), a structure in which different emission colors are exhibited (for example, white light emission obtained by combining complementary emission colors) can be obtained. . Furthermore, a laminated structure in which one light-emitting layer contains different light-emitting substances may be used.

また、発光層(113、113a、113b、113c)は、発光物質(ゲスト材料)に加えて、1種または複数種の有機化合物(ホスト材料、アシスト材料)を有していても良い。なお、発光物質としては、本発明の一態様である有機金属錯体を用いることができる。また、1種または複数種の有機化合物としては、本実施の形態で説明する正孔輸送性材料や電子輸送性材料の一方または両方を用いることができる。In addition, the light-emitting layers (113, 113a, 113b, 113c) may contain one or more organic compounds (host material, assist material) in addition to the light-emitting substance (guest material). Note that an organometallic complex that is one embodiment of the present invention can be used as the light-emitting substance. As one or more kinds of organic compounds, one or both of the hole-transporting material and the electron-transporting material described in this embodiment can be used.

発光層(113、113a、113b、113c)に用いることができる発光物質としては、特に限定は無く、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。なお、上記発光物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。A light-emitting substance that can be used in the light-emitting layers (113, 113a, 113b, 113c) is not particularly limited, and a light-emitting substance that converts singlet excitation energy into light emission in the visible light region, or a light-emitting substance that converts triplet excitation energy into light in the visible light region. can be used. Examples of the light-emitting substance include the following.

一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質(蛍光材料)が挙げられ、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、N,N’-ビス(3-メチルフェニル)-N,N’-ビス[3-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6mMemFLPAPrn)、N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス[4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)フェニル]ピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6FLPAPrn)、N,N’-ビス(ジベンゾフラン-2-イル)-N,N’-ジフェニルピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6FrAPrn)、N,N’-ビス(ジベンゾチオフェン-2-イル)-N,N’-ジフェニルピレン-1,6-ジアミン(略称:1,6ThAPrn)、N,N’-(ピレン-1,6-ジイル)ビス[(N-フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン)-6-アミン](略称:1,6BnfAPrn)、N,N’-(ピレン-1,6-ジイル)ビス[(N-フェニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン)-8-アミン](略称:1,6BnfAPrn-02)、N,N’-(ピレン-1,6-ジイル)ビス[(6,N-ジフェニルベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン)-8-アミン](略称:1,6BnfAPrn-03)などが挙げられる。Examples of light-emitting substances that convert singlet excitation energy into light emission include substances that emit fluorescence (fluorescent materials). quinoxaline derivatives, quinoxaline derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, phenanthrene derivatives, naphthalene derivatives and the like. Pyrene derivatives are particularly preferred because they have a high emission quantum yield. Specific examples of pyrene derivatives include N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis[3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]pyrene-1,6 -diamine (abbreviation: 1,6mMemFLPAPrn), N,N'-diphenyl-N,N'-bis[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]pyrene-1,6-diamine (abbreviation: : 1,6FLPAPrn), N,N'-bis(dibenzofuran-2-yl)-N,N'-diphenylpyrene-1,6-diamine (abbreviation: 1,6FrAPrn), N,N'-bis(dibenzothiophene -2-yl)-N,N'-diphenylpyrene-1,6-diamine (abbreviation: 1,6ThAPrn), N,N'-(pyrene-1,6-diyl)bis[(N-phenylbenzo[b ] naphtho[1,2-d]furan)-6-amine] (abbreviation: 1,6BnfAPrn), N,N′-(pyrene-1,6-diyl)bis[(N-phenylbenzo[b]naphtho[ 1,2-d]furan)-8-amine] (abbreviation: 1,6BnfAPrn-02), N,N′-(pyrene-1,6-diyl)bis[(6,N-diphenylbenzo[b]naphtho [1,2-d]furan)-8-amine] (abbreviation: 1,6BnfAPrn-03) and the like.

その他にも、5,6-ビス[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-2,2’-ビピリジン(略称:PAP2BPy)、5,6-ビス[4’-(10-フェニル-9-アントリル)ビフェニル-4-イル]-2,2’-ビピリジン(略称:PAPP2BPy)、N,N’-ビス[4-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]-N,N’-ジフェニルスチルベン-4,4’-ジアミン(略称:YGA2S)、4-(9H-カルバゾール-9-イル)-4’-(10-フェニル-9-アントリル)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4-(9H-カルバゾール-9-イル)-4’-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)トリフェニルアミン(略称:2YGAPPA)、N,9-ジフェニル-N-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:PCAPA)、4-(10-フェニル-9-アントリル)-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPA)、4-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-4’-(9-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)トリフェニルアミン(略称:PCBAPBA)、ペリレン、2,5,8,11-テトラ(tert-ブチル)ペリレン(略称:TBP)、N,N’’-(2-tert-ブチルアントラセン-9,10-ジイルジ-4,1-フェニレン)ビス[N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン](略称:DPABPA)、N,9-ジフェニル-N-[4-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:2PCAPPA)、N-[4-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)フェニル]-N,N’,N’-トリフェニル-1,4-フェニレンジアミン(略称:2DPAPPA)等を用いることができる。In addition, 5,6-bis[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-2,2'-bipyridine (abbreviation: PAP2BPy), 5,6-bis[4'-(10-phenyl- 9-anthryl)biphenyl-4-yl]-2,2'-bipyridine (abbreviation: PAPP2BPy), N,N'-bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N,N'-diphenyl Stilbene-4,4'-diamine (abbreviation: YGA2S), 4-(9H-carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamine (abbreviation: YGAPA), 4-( 9H-carbazol-9-yl)-4′-(9,10-diphenyl-2-anthryl)triphenylamine (abbreviation: 2YGAPPA), N,9-diphenyl-N-[4-(10-phenyl-9- anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCAPA), 4-(10-phenyl-9-anthryl)-4′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine ( abbreviation: PCBAPA), 4-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-4′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine (abbreviation: PCBAPBA), perylene, 2 ,5,8,11-tetra(tert-butyl)perylene (abbreviation: TBP), N,N''-(2-tert-butylanthracene-9,10-diyldi-4,1-phenylene)bis[N, N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine] (abbreviation: DPABPA), N,9-diphenyl-N-[4-(9,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl]-9H-carbazole -3-amine (abbreviation: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPAPPA) ) etc. can be used.

また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質(燐光材料)や熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光(Thermally activated delayed fluorescence:TADF)材料が挙げられる。Examples of light-emitting substances that convert triplet excitation energy into light emission include substances that emit phosphorescence (phosphorescent materials) and thermally activated delayed fluorescence (TADF) materials that exhibit thermally activated delayed fluorescence. .

燐光材料としては、有機金属錯体、金属錯体(白金錯体)、希土類金属錯体等が挙げられる。これらは、物質ごとに異なる発光色(発光ピーク)を示すため、必要に応じて適宜選択して用いる。Phosphorescent materials include organic metal complexes, metal complexes (platinum complexes), rare earth metal complexes, and the like. Since these exhibit different emission colors (emission peaks) depending on the substance, they are appropriately selected and used as necessary.

青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が450nm以上570nm以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。Examples of phosphorescent materials that exhibit blue or green color and have an emission spectrum with a peak wavelength of 450 nm or more and 570 nm or less include the following substances.

例えば、トリス{2-[5-(2-メチルフェニル)-4-(2,6-ジメチルフェニル)-4H-1,2,4-トリアゾール-3-イル-κN2]フェニル-κC}イリジウム(III)(略称:[Ir(mpptz-dmp)])、トリス(5-メチル-3,4-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト)イリジウム(III)(略称:[Ir(Mptz)])、トリス[4-(3-ビフェニル)-5-イソプロピル-3-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウム(III)(略称:[Ir(iPrptz-3b)])、トリス[3-(5-ビフェニル)-5-イソプロピル-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウム(III)(略称:[Ir(iPr5btz)])、のような4H-トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス[3-メチル-1-(2-メチルフェニル)-5-フェニル-1H-1,2,4-トリアゾラト]イリジウム(III)(略称:[Ir(Mptz1-mp)])、トリス(1-メチル-5-フェニル-3-プロピル-1H-1,2,4-トリアゾラト)イリジウム(III)(略称:[Ir(Prptz1-Me)])のような1H-トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、fac-トリス[1-(2,6-ジイソプロピルフェニル)-2-フェニル-1H-イミダゾール]イリジウム(III)(略称:[Ir(iPrpmi)])、トリス[3-(2,6-ジメチルフェニル)-7-メチルイミダゾ[1,2-f]フェナントリジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(dmpimpt-Me)])のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1-ピラゾリル)ボラート(略称:FIr6)、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス{2-[3’,5’-ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ピリジナト-N,C2’}イリジウム(III)ピコリナート(略称:[Ir(CFppy)(pic)])、ビス[2-(4’,6’-ジフルオロフェニル)ピリジナト-N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIracac)のように電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。For example, tris{2-[5-(2-methylphenyl)-4-(2,6-dimethylphenyl)-4H-1,2,4-triazol-3-yl-κN2]phenyl-κC}iridium (III ) (abbreviation: [Ir(mpptz-dmp) 3 ]), tris(5-methyl-3,4-diphenyl-4H-1,2,4-triazolato)iridium (III) (abbreviation: [Ir(Mptz) 3 ]), tris[4-(3-biphenyl)-5-isopropyl-3-phenyl-4H-1,2,4-triazolato]iridium (III) (abbreviation: [Ir(iPrptz-3b) 3 ]), tris 4H-triazole skeletons such as [3-(5-biphenyl)-5-isopropyl-4-phenyl-4H-1,2,4-triazolato]iridium(III) (abbreviation: [Ir(iPr5btz) 3 ]), tris[3-methyl-1-(2-methylphenyl)-5-phenyl-1H-1,2,4-triazolato]iridium(III) (abbreviation: [Ir(Mptz1-mp) 3 ]), 1H-triazoles such as tris(1-methyl-5-phenyl-3-propyl-1H-1,2,4-triazolato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(Prptz1-Me) 3 ]) organometallic complex having a skeleton, fac-tris[1-(2,6-diisopropylphenyl)-2-phenyl-1H-imidazole]iridium (III) (abbreviation: [Ir(iPrpmi) 3 ]), tris[3- (2,6-dimethylphenyl)-7-methylimidazo[1,2-f]phenanthridinato]iridium (III) (abbreviation: [Ir(dmpimpt-Me) 3 ]) having an imidazole skeleton metal complex, bis[2-(4′,6′-difluorophenyl)pyridinato-N,C 2′ ]iridium(III) tetrakis(1-pyrazolyl)borate (abbreviation: FIr6), bis[2-(4′, 6′-difluorophenyl)pyridinato-N,C 2′ ]iridium (III) picolinate (abbreviation: FIrpic), bis{2-[3′,5′-bis(trifluoromethyl)phenyl]pyridinato-N,C 2 ' } iridium (III) picolinate (abbreviation: [Ir(CF 3 ppy) 2 (pic)]), bis[2-(4′,6′-difluorophenyl)pyridinato-N,C 2′ ]iridium (III) Organometallic complexes in which a phenylpyridine derivative having an electron-withdrawing group such as acetylacetonate (abbreviation: FIracac) is used as a ligand.

緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が495nm以上590nm以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。Examples of phosphorescent materials that exhibit green or yellow color and have an emission spectrum with a peak wavelength of 495 nm or more and 590 nm or less include the following substances.

例えば、トリス(4-メチル-6-フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppm)])、トリス(4-t-ブチル-6-フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tBuppm)])、(アセチルアセトナト)ビス(6-メチル-4-フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppm)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(6-tert-ブチル-4-フェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tBuppm)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[6-(2-ノルボルニル)-4-フェニルピリミジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(nbppm)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス[5-メチル-6-(2-メチルフェニル)-4-フェニルピリミジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(mpmppm)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス{4,6-ジメチル-2-[6-(2,6-ジメチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN3]フェニル-κC}イリジウム(III)(略称:[Ir(dmppm-dmp)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(4,6-ジフェニルピリミジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(dppm)(acac)])のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯体、(アセチルアセトナト)ビス(3,5-ジメチル-2-フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr-Me)(acac)])、(アセチルアセトナト)ビス(5-イソプロピル-3-メチル-2-フェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(mppr-iPr)(acac)])のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体、トリス(2-フェニルピリジナト-N,C2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppy)])、ビス(2-フェニルピリジナト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(ppy)(acac)])、ビス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(bzq)(acac)])、トリス(ベンゾ[h]キノリナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(bzq)])、トリス(2-フェニルキノリナト-N,C2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(pq)])、ビス(2-フェニルキノリナト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(pq)(acac)])のようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、ビス(2,4-ジフェニル-1,3-オキサゾラト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(dpo)(acac)])、ビス{2-[4’-(パーフルオロフェニル)フェニル]ピリジナト-N,C2’}イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(p-PF-ph)(acac)])、ビス(2-フェニルベンゾチアゾラト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(bt)(acac)])などの有機金属錯体の他、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェナントロリン)テルビウム(III)(略称:[Tb(acac)(Phen)])のような希土類金属錯体が挙げられる。For example, tris(4-methyl-6-phenylpyrimidinato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(mpm) 3 ]), tris(4-t-butyl-6-phenylpyrimidinato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(tBuppm) 3 ]), (acetylacetonato)bis(6-methyl-4-phenylpyrimidinato)iridium (III) (abbreviation: [Ir(mppm) 2 (acac)]), ( acetylacetonato)bis(6-tert-butyl-4-phenylpyrimidinato)iridium(III) (abbreviation: [Ir(tBuppm) 2 (acac)]), (acetylacetonato)bis[6-(2- norbornyl)-4-phenylpyrimidinato]iridium (III) (abbreviation: [Ir(nbppm) 2 (acac)]), (acetylacetonato)bis[5-methyl-6-(2-methylphenyl)-4 -phenylpyrimidinato]iridium(III) (abbreviation: [Ir(mpmpm) 2 (acac)]), (acetylacetonato)bis{4,6-dimethyl-2-[6-(2,6-dimethylphenyl )-4-pyrimidinyl-κN]phenyl-κC}iridium (III) (abbreviation: [Ir(dmpm-dmp) 2 (acac)]), (acetylacetonato)bis(4,6-diphenylpyrimidinato)iridium (III) (abbreviation: [Ir(dppm) 2 (acac)]), an organometallic complex having a pyrimidine skeleton such as (acetylacetonato)bis(3,5-dimethyl-2-phenylpyrazinato)iridium ( III) (abbreviation: [Ir(mppr-Me) 2 (acac)]), (acetylacetonato)bis(5-isopropyl-3-methyl-2-phenylpyrazinato)iridium (III) (abbreviation: [Ir (mppr-iPr) 2 (acac)]), an organometallic complex having a pyrazine skeleton such as tris(2-phenylpyridinato-N,C 2′ ) iridium (III) (abbreviation: [Ir(ppy) 3 ]), bis(2-phenylpyridinato-N,C 2′ )iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir(ppy) 2 (acac)]), bis(benzo[h]quinolinato)iridium ( III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir(bzq) 2 (acac)]), tris(benzo[h]quinolinato)iridium (III) (abbreviation: [Ir(bzq) 3 ]), tris(2-phenylquino linato-N,C 2′ )iridium(III) (abbreviation: [Ir(pq) 3 ]), bis(2-phenylquinolinato-N,C 2′ )iridium(III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir (pq) 2 (acac)]), bis(2,4-diphenyl-1,3-oxazolato-N,C 2′ )iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir(dpo) 2 (acac)]), bis{2-[4′-(perfluorophenyl)phenyl]pyridinato-N,C 2′ }iridium(III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir(p- PF-ph) 2 (acac)]), bis(2-phenylbenzothiazolato-N,C 2′ ) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir(bt) 2 (acac)]), etc. In addition to organometallic complexes, rare earth metal complexes such as tris(acetylacetonato)(monophenanthroline)terbium(III) (abbreviation: [Tb(acac) 3 (Phen)]) can be used.

黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が570nm以上750nm以下である燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。Examples of phosphorescent materials that exhibit yellow or red color and have an emission spectrum with a peak wavelength of 570 nm or more and 750 nm or less include the following substances.

例えば、(ジイソブチリルメタナト)ビス[4,6-ビス(3-メチルフェニル)ピリミジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(5mdppm)(dibm)])、ビス[4,6-ビス(3-メチルフェニル)ピリミジナト](ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(5mdppm)(dpm)])、(ジピバロイルメタナト)ビス[4,6-ジ(ナフタレン-1-イル)ピリミジナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(d1npm)(dpm)])のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯体、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5-トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tppr)(acac)])、ビス(2,3,5-トリフェニルピラジナト)(ジピバロイルメタナト)イリジウム(III)(略称:[Ir(tppr)(dpm)])、(アセチルアセトナト)ビス[2,3-ビス(4-フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(略称:[Ir(Fdpq)(acac)])のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体や、トリス(1-フェニルイソキノリナト-N,C2’)イリジウム(III)(略称:[Ir(piq)])、ビス(1-フェニルイソキノリナト-N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:[Ir(piq)(acac)])のようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、2,3,7,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリン白金(II)(略称:[PtOEP])のような白金錯体、トリス(1,3-ジフェニル-1,3-プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:[Eu(DBM)(Phen)])、トリス[1-(2-テノイル)-3,3,3-トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(III)(略称:[Eu(TTA)(Phen)])のような希土類金属錯体が挙げられる。For example, (diisobutyrylmethanato)bis[4,6-bis(3-methylphenyl)pyrimidinato]iridium (III) (abbreviation: [Ir (5mdppm) 2 (dibm)]), bis[4,6-bis ( 3-methylphenyl)pyrimidinato](dipivaloylmethanato)iridium (III) (abbreviation: [Ir(5mdppm) 2 (dpm)]), (dipivaloylmethanato)bis[4,6-di(naphthalene- 1-yl)pyrimidinato]iridium(III) (abbreviation: [Ir(d1npm) 2 (dpm)]), an organometallic complex having a pyrimidine skeleton, (acetylacetonato)bis(2,3,5-triphenyl pyrazinato)iridium (III) (abbreviation: [Ir(tppr) 2 (acac)]), bis(2,3,5-triphenylpyrazinato)(dipivaloylmethanato)iridium (III) (abbreviation: : [Ir(tppr) 2 (dpm)]), (acetylacetonato)bis[2,3-bis(4-fluorophenyl)quinoxalinato]iridium(III) (abbreviation: [Ir(Fdpq) 2 (acac)] ) and organometallic complexes having a pyrazine skeleton such as tris(1-phenylisoquinolinato-N,C 2′ )iridium (III) (abbreviation: [Ir(piq) 3 ]), bis(1-phenyliso Organometallic complexes having a pyridine skeleton such as quinolinato-N,C 2′ )iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: [Ir(piq) 2 (acac)]), 2,3,7,8,12 , 13,17,18-octaethyl-21H,23H-porphyrin platinum (II) (abbreviation: [PtOEP]), platinum complexes such as tris(1,3-diphenyl-1,3-propanedionate) (monophenanthroline ) europium (III) (abbreviation: [Eu(DBM) 3 (Phen)]), tris[1-(2-thenoyl)-3,3,3-trifluoroacetonato](monophenanthroline) europium (III) ( Abbreviations: [Eu(TTA) 3 (Phen)]) and other rare earth metal complexes.

発光層(113、113a、113b、113c)に用いる有機化合物(ホスト材料、アシスト材料)としては、発光物質(ゲスト材料)のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。なお、上述した正孔輸送性材料として挙げたものや、後述する電子輸送性材料として挙げられる材料をこのような有機化合物(ホスト材料、アシスト材料)として用いることもできる。As the organic compound (host material, assist material) used in the light-emitting layers (113, 113a, 113b, 113c), one or more substances having an energy gap larger than that of the light-emitting substance (guest material) are selected. You can use it. It should be noted that the materials exemplified as the hole-transporting materials described above and the materials exemplified as the electron-transporting materials described later can also be used as such an organic compound (host material, assist material).

発光物質が蛍光材料である場合、ホスト材料としては一重項励起状態のエネルギー準位が大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物を用いるのが好ましい。なお、本実施の形態で示す正孔輸送性の材料や電子輸送性の材料の他、バイポーラ性の材料をホスト材料として用いることができるが、上記の条件を満たす物質であれば、より好ましい。例えば、アントラセン誘導体やテトラセン誘導体なども好適である。When the light-emitting substance is a fluorescent material, an organic compound having a high singlet excited energy level and a low triplet excited energy level is preferably used as the host material. Note that in addition to the hole-transporting material and the electron-transporting material described in this embodiment, a bipolar material can be used as the host material, but any substance that satisfies the above conditions is more preferable. For example, anthracene derivatives and tetracene derivatives are also suitable.

従って、蛍光性の発光物質と組み合わせるホスト材料としては、例えば、9-フェニル-3-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:PCzPA)、PCPN、CzPA、7-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-7H-ジベンゾ[c,g]カルバゾール(略称:cgDBCzPA)、6-[3-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)フェニル]-ベンゾ[b]ナフト[1,2-d]フラン(略称:2mBnfPPA)、9-フェニル-10-{4-(9-フェニル-9H-フルオレン-9-イル)ビフェニル-4’-イル}アントラセン(略称:FLPPA)、5,12-ジフェニルテトラセン、5,12-ビス(ビフェニル-2-イル)テトラセンなどが挙げられる。Therefore, host materials combined with fluorescent light-emitting substances include, for example, 9-phenyl-3-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: PCzPA), PCPN, CzPA, 7-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-7H-dibenzo[c,g]carbazole (abbreviation: cgDBCzPA), 6-[3-(9,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl] -benzo[b]naphtho[1,2-d]furan (abbreviation: 2mBnfPPA), 9-phenyl-10-{4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)biphenyl-4′-yl}anthracene (abbreviation: FLPPA), 5,12-diphenyltetracene, 5,12-bis(biphenyl-2-yl)tetracene and the like.

発光物質が燐光材料である場合、ホスト材料としては発光物質の三重項励起エネルギー(基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差)よりも三重項励起エネルギーの大きい有機化合物を選択すれば良い。なお、本実施の形態で示す正孔輸送性の材料や電子輸送性の材料の他、バイポーラ性の材料をホスト材料として用いることができるが、上記の条件を満たす物質であれば、より好ましい。例えば、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ[g,p]クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物なども好適である。When the light-emitting substance is a phosphorescent material, an organic compound having triplet excitation energy higher than the triplet excitation energy (the energy difference between the ground state and the triplet excited state) of the light-emitting substance may be selected as the host material. Note that in addition to the hole-transporting material and the electron-transporting material described in this embodiment, a bipolar material can be used as the host material, but any substance that satisfies the above conditions is more preferable. For example, condensed polycyclic aromatic compounds such as anthracene derivatives, phenanthrene derivatives, pyrene derivatives, chrysene derivatives, and dibenzo[g,p]chrysene derivatives are also suitable.

従って、燐光性の発光物質と組み合わせるホスト材料としては、例えば、9,10-ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、N,N-ジフェニル-9-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:CzA1PA)、4-(10-フェニル-9-アントリル)トリフェニルアミン(略称:DPhPA)、YGAPA、PCAPA、PCAPBA、N-(9,10-ジフェニル-2-アントリル)-N,9-ジフェニル-9H-カルバゾール-3-アミン(略称:2PCAPA)、6,12-ジメトキシ-5,11-ジフェニルクリセン、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’-オクタフェニルジベンゾ[g,p]クリセン-2,7,10,15-テトラアミン(略称:DBC1)、CzPA,3,6-ジフェニル-9-[4-(10-フェニル-9-アントリル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:DPCzPA)、9,10-ビス(3,5-ジフェニルフェニル)アントラセン(略称:DPPA)、9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2-tert-ブチル-9,10-ジ(2-ナフチル)アントラセン(略称:t-BuDNA)、9,9’-ビアントリル(略称:BANT)、9,9’-(スチルベン-3,3’-ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS)、9,9’-(スチルベン-4,4’-ジイル)ジフェナントレン(略称:DPNS2)、1,3,5-トリ(1-ピレニル)ベンゼン(略称:TPB3)等が挙げられる。Therefore, host materials combined with a phosphorescent light-emitting substance include, for example, 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DAnth), N,N-diphenyl-9-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl] -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: CzA1PA), 4-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamine (abbreviation: DPhPA), YGAPA, PCAPA, PCAPBA, N-(9,10-diphenyl-2) -anthryl)-N,9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA), 6,12-dimethoxy-5,11-diphenylchrysene, N,N,N',N',N'', N″,N′″,N′″-octaphenyldibenzo[g,p]chrysene-2,7,10,15-tetramine (abbreviation: DBC1), CzPA,3,6-diphenyl-9-[ 4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: DPCzPA), 9,10-bis(3,5-diphenylphenyl)anthracene (abbreviation: DPPA), 9,10-di(2 -naphthyl)anthracene (abbreviation: DNA), 2-tert-butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 9,9′-bianthryl (abbreviation: BANT), 9,9 '-(stilbene-3,3'-diyl)diphenanthrene (abbreviation: DPNS), 9,9'-(stilbene-4,4'-diyl)diphenanthrene (abbreviation: DPNS2), 1,3,5-tri (1-pyrenyl)benzene (abbreviation: TPB3) and the like.

また、発光層(113、113a、113b、113c)に複数の有機化合物を用いる場合、励起錯体を形成する化合物を燐光発光物質と混合して用いることが好ましい。なお、このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質へのエネルギー移動であるExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer)を用いた発光を得ることができる。この場合、様々な有機化合物を適宜組み合わせて用いることができるが、効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物(正孔輸送性材料)と、電子を受け取りやすい化合物(電子輸送性材料)とを組み合わせることが特に好ましい。In the case where a plurality of organic compounds are used for the light-emitting layers (113, 113a, 113b, and 113c), it is preferable to mix a compound that forms an exciplex with a phosphorescent substance. Note that with such a structure, light emission using ExTET (Exciplex-Triplet Energy Transfer), which is energy transfer from an exciplex to a light-emitting substance, can be obtained. In this case, various organic compounds can be used in combination as appropriate. transportable materials) are particularly preferred.

TADF材料とは、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート(逆項間交差)が可能で、一重項励起状態からの発光(蛍光)を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起準位と一重項励起準位のエネルギー差が0eV以上0.2eV以下、好ましくは0eV以上0.1eV以下であることが挙げられる。また、TADF材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、10-6秒以上、好ましくは10-3秒以上である。A TADF material is a material that can up-convert (reverse intersystem crossing) a triplet excited state to a singlet excited state with a small amount of thermal energy, and efficiently exhibits light emission (fluorescence) from the singlet excited state. be. In addition, as a condition for efficiently obtaining thermally activated delayed fluorescence, the energy difference between the triplet excitation level and the singlet excitation level is 0 eV or more and 0.2 eV or less, preferably 0 eV or more and 0.1 eV or less. mentioned. In addition, delayed fluorescence in the TADF material refers to light emission having a spectrum similar to that of normal fluorescence and having a significantly long lifetime. Its lifetime is 10 −6 seconds or more, preferably 10 −3 seconds or more.

TADF材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム(Mg)、亜鉛(Zn)、カドミウム(Cd)、スズ(Sn)、白金(Pt)、インジウム(In)、もしくはパラジウム(Pd)等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF(Proto IX))、メソポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF(Meso IX))、ヘマトポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF(Hemato IX))、コプロポルフィリンテトラメチルエステル-フッ化スズ錯体(SnF(Copro III-4Me))、オクタエチルポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF(OEP))、エチオポルフィリン-フッ化スズ錯体(SnF(Etio I))、オクタエチルポルフィリン-塩化白金錯体(PtClOEP)等が挙げられる。Examples of TADF materials include fullerenes and derivatives thereof, acridine derivatives such as proflavine, and eosin. Also included are metal-containing porphyrins containing magnesium (Mg), zinc (Zn), cadmium (Cd), tin (Sn), platinum (Pt), indium (In), or palladium (Pd). Examples of metal-containing porphyrins include protoporphyrin-tin fluoride complex (SnF 2 (Proto IX)), mesoporphyrin-tin fluoride complex (SnF 2 (Meso IX)), hematoporphyrin-tin fluoride complex (SnF 2 (Hemato IX)), coproporphyrin tetramethyl ester-tin fluoride complex (SnF 2 (Copro III-4Me)), octaethylporphyrin-tin fluoride complex (SnF 2 (OEP)), ethioporphyrin-tin fluoride complex (SnF 2 (Etio I)), octaethylporphyrin-platinum chloride complex (PtCl 2 OEP), and the like.

その他のTADF材料としては、2-(ビフェニル-4-イル)-4,6-ビス(12-フェニルインドロ[2,3-a]カルバゾール-11-イル)-1,3,5-トリアジン(略称:PIC-TRZ)、2-{4-[3-(N-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-9H-カルバゾール-9-イル]フェニル}-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン(略称:PCCzPTzn)、2-[4-(10H-フェノキサジン-10-イル)フェニル]-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン(略称:PXZ-TRZ)、3-[4-(5-フェニル-5,10-ジヒドロフェナジン-10-イル)フェニル]-4,5-ジフェニル-1,2,4-トリアゾール(略称:PPZ-3TPT)、3-(9,9-ジメチル-9H-アクリジン-10-イル)-9H-キサンテン-9-オン(略称:ACRXTN)、ビス[4-(9,9-ジメチル-9,10-ジヒドロアクリジン)フェニル]スルホン(略称:DMAC-DPS)、10-フェニル-10H,10’H-スピロ[アクリジン-9,9’-アントラセン]-10’-オン(略称:ACRSA)等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることができる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。Other TADF materials include 2-(biphenyl-4-yl)-4,6-bis(12-phenylindolo[2,3-a]carbazol-11-yl)-1,3,5-triazine ( Abbreviations: PIC-TRZ), 2-{4-[3-(N-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-9H-carbazol-9-yl]phenyl}-4,6-diphenyl-1,3, 5-triazine (abbreviation: PCCzPTzn), 2-[4-(10H-phenoxazin-10-yl)phenyl]-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (abbreviation: PXZ-TRZ), 3- [4-(5-phenyl-5,10-dihydrophenazin-10-yl)phenyl]-4,5-diphenyl-1,2,4-triazole (abbreviation: PPZ-3TPT), 3-(9,9- Dimethyl-9H-acridin-10-yl)-9H-xanthen-9-one (abbreviation: ACRXTN), bis[4-(9,9-dimethyl-9,10-dihydroacridine)phenyl]sulfone (abbreviation: DMAC- DPS), 10-phenyl-10H,10'H-spiro[acridine-9,9'-anthracene]-10'-one (abbreviation: ACRSA), etc. A heterocyclic compound having a ring can be used. In a substance in which a π-electron-rich heteroaromatic ring and a π-electron-deficient heteroaromatic ring are directly bonded, both the donor property of the π-electron-rich heteroaromatic ring and the acceptor property of the π-electron-deficient heteroaromatic ring are strengthened. , is particularly preferable because the energy difference between the singlet excited state and the triplet excited state is small.

なお、TADF材料を用いる場合、他の有機化合物と組み合わせて用いることもできる。In addition, when using a TADF material, it can also be used in combination with other organic compounds.

上記の材料を適宜用いることにより、発光層(113、113a、113b、113c)を形成することができる。また、上記の材料は、低分子材料や高分子材料と組み合わせることにより発光層(113、113a、113b、113c)の形成に用いることができる。The light-emitting layers (113, 113a, 113b, and 113c) can be formed by appropriately using the above materials. Further, the above materials can be used for forming the light-emitting layers (113, 113a, 113b, 113c) by combining them with low-molecular-weight materials or high-molecular-weight materials.

図1(D)に示す発光素子においては、EL層103aの発光層113a上に電子輸送層114aが形成される。また、EL層103aおよび電荷発生層104が形成された後、EL層103bの発光層113b上に電子輸送層114bが形成される。In the light-emitting element shown in FIG. 1D, the electron-transport layer 114a is formed over the light-emitting layer 113a of the EL layer 103a. After the EL layer 103a and the charge generation layer 104 are formed, the electron transport layer 114b is formed on the light emitting layer 113b of the EL layer 103b.

<電子輸送層>
電子輸送層(114、114a、114b)は、電子注入層(115、115a、115b)によって、第2の電極102や電荷発生層(104)から注入された電子を発光層(113、113a、113b)に輸送する層である。なお、電子輸送層(114、114a、114b)は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送層(114、114a、114b)に用いる電子輸送性材料は、1×10-6cm/Vs以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。
<Electron transport layer>
The electron transport layers (114, 114a, 114b) use the electron injection layers (115, 115a, 115b) to transfer electrons injected from the second electrode 102 and the charge generation layer (104) to the light emitting layers (113, 113a, 113b). ). The electron-transporting layers (114, 114a, 114b) are layers containing an electron-transporting material. The electron-transporting material used for the electron-transporting layers (114, 114a, 114b) preferably has an electron mobility of 1×10 −6 cm 2 /Vs or more. Note that any substance other than these substances can be used as long as it has a higher electron-transport property than hole-transport property.

電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。Examples of electron-transporting materials include metal complexes having a quinoline skeleton, metal complexes having a benzoquinoline skeleton, metal complexes having an oxazole skeleton, metal complexes having a thiazole skeleton, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, π electron deficient including oxazole derivatives, thiazole derivatives, phenanthroline derivatives, quinoline derivatives with quinoline ligands, benzoquinoline derivatives, quinoxaline derivatives, dibenzoquinoxaline derivatives, pyridine derivatives, bipyridine derivatives, pyrimidine derivatives, and other nitrogen-containing heteroaromatic compounds A material having a high electron transport property such as a type heteroaromatic compound can be used.

電子輸送性材料の具体例としては、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Alq)、トリス(4-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)(略称:Almq)、ビス(10-ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(II)(略称:BeBq)、ビス(2-メチル-8-キノリノラト)(4-フェニルフェノラト)アルミニウム(III)(略称:BAlq)、ビス(8-キノリノラト)亜鉛(II)(略称:Znq)等のキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、ビス[2-(2-ベンゾオキサゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnPBO)、ビス[2-(2-ベンゾチアゾリル)フェノラト]亜鉛(II)(略称:ZnBTZ)、ビス[2-(2-ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(II)(略称:Zn(BTZ))等のオキサゾール骨格またはチアゾール骨格を有する金属錯体等が挙げられる。Specific examples of electron-transporting materials include tris(8-quinolinolato)aluminum(III) (abbreviation: Alq 3 ), tris(4-methyl-8-quinolinolato)aluminum(III) (abbreviation: Almq 3 ), bis( 10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium (II) (abbreviation: BeBq 2 ), bis(2-methyl-8-quinolinolato)(4-phenylphenolato)aluminum (III) (abbreviation: BAlq), bis(8 -quinolinolato) zinc (II) (abbreviation: Znq) and other metal complexes having a quinoline skeleton or benzoquinoline skeleton, bis[2-(2-benzoxazolyl)phenolato]zinc (II) (abbreviation: ZnPBO), bis oxazole skeletons such as [2-(2-benzothiazolyl)phenolato]zinc(II) (abbreviation: ZnBTZ), bis[2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zinc(II) (abbreviation: Zn(BTZ) 2 ), or Examples thereof include metal complexes having a thiazole skeleton.

また、金属錯体以外にも2-(4-ビフェニリル)-5-(4-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール(略称:PBD)、1,3-ビス[5-(p-tert-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル]ベンゼン(略称:OXD-7)、9-[4-(5-7ェニル-1,3,4-オキサジアゾール-2-イル)フェニル]-9H-カルバゾール(略称:CO11)等のオキサジアゾール誘導体、3-(4’-tert-ブチルフェニル)-4-フェニル-5-(4’’-ビフェニル)-1,2,4-トリアゾール(略称:TAZ)、3-(4-tert-ブチルフェニル)-4-(4-エチルフェニル)-5-(4-ビフェニリル)-1,2,4-トリアゾール(略称:p-EtTAZ)等のトリアゾール誘導体、2,2’,2’’-(1,3,5-ベンゼントリイル)トリス(1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール)(略称:TPBI)、2-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]-1-フェニル-1H-ベンゾイミダゾール(略称:mDBTBIm-II)等のイミダゾール誘導体(ベンゾイミダゾール誘導体を含む)や、4,4’-ビス(5-メチルベンゾオキサゾール-2-イル)スチルベン(略称:BzOs)などのオキサゾール誘導体、バソフェナントロリン(略称:Bphen)、バソキュプロイン(略称:BCP)、2,9-ビス(ナフタレン-2-イル)-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(略称:NBphen)などのフェナントロリン誘導体、2-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTPDBq-II)、2-[3’-(ジベンゾチオフェン-4-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mDBTBPDBq-II)、2-[3’-(9H-カルバゾール-9-イル)ビフェニル-3-イル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2mCzBPDBq)、2-[4-(3,6-ジフェニル-9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:2CzPDBq-III)、7-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:7mDBTPDBq-II)、及び、6-[3-(ジベンゾチオフェン-4-イル)フェニル]ジベンゾ[f,h]キノキサリン(略称:6mDBTPDBq-II)等のキノキサリン誘導体、またはジベンゾキノキサリン誘導体、3,5-ビス[3-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]ピリジン(略称:35DCzPPy)、1,3,5-トリ[3-(3-ピリジル)フェニル]ベンゼン(略称:TmPyPB)等のピリジン誘導体、4,6-ビス[3-(フェナントレン-9-イル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mPnP2Pm)、4,6-ビス[3-(4-ジベンゾチエニル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mDBTP2Pm-II)、4,6-ビス[3-(9H-カルバゾール-9-イル)フェニル]ピリミジン(略称:4,6mCzP2Pm)等のピリミジン誘導体、2-{4-[3-(N-フェニル-9H-カルバゾール-3-イル)-9H-カルバゾール-9-イル]フェニル}-4,6-ジフェニル-1,3,5-トリアジン(略称:PCCzPTzn)等のトリアジン誘導体を用いることができる。In addition to metal complexes, 2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (abbreviation: PBD), 1,3-bis[5-( p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzene (abbreviation: OXD-7), 9-[4-(5-7-enyl-1,3,4-oxadi azol-2-yl)phenyl]-9H-carbazole (abbreviation: CO11) and other oxadiazole derivatives, 3-(4′-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4″-biphenyl)- 1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), 3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-biphenylyl)-1,2,4-triazole (abbreviation: : p-EtTAZ) and other triazole derivatives, 2,2′,2″-(1,3,5-benzenetriyl)tris(1-phenyl-1H-benzimidazole) (abbreviation: TPBI), 2-[ 3-(Dibenzothiophen-4-yl)phenyl]-1-phenyl-1H-benzimidazole (abbreviation: mDBTBIm-II) and other imidazole derivatives (including benzimidazole derivatives), and 4,4′-bis(5- oxazole derivatives such as methylbenzoxazol-2-yl)stilbene (abbreviation: BzOs), bathophenanthroline (abbreviation: Bphen), bathocuproine (abbreviation: BCP), 2,9-bis(naphthalen-2-yl)-4,7 -phenanthroline derivatives such as diphenyl-1,10-phenanthroline (abbreviation: NBphen), 2-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mDBTPDBq-II), 2- [3′-(Dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3′-(9H-carbazol-9-yl)biphenyl- 3-yl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2mCzBPDBq), 2-[4-(3,6-diphenyl-9H-carbazol-9-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 2CzPDBq) -III), 7-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 7mDBTPDBq-II), and 6-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl ] quinoxaline derivatives such as dibenzo[f,h]quinoxaline (abbreviation: 6mDBTPDBq-II), or dibenzoquinoxaline derivatives, 3,5-bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyridine (abbreviation: 35DCzPPy) , 1,3,5-tri[3-(3-pyridyl)phenyl]benzene (abbreviation: TmPyPB) and other pyridine derivatives, 4,6-bis[3-(phenanthren-9-yl)phenyl]pyrimidine (abbreviation: 4,6mPnP2Pm), 4,6-bis[3-(4-dibenzothienyl)phenyl]pyrimidine (abbreviation: 4,6mDBTP2Pm-II), 4,6-bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl ] Pyrimidine derivatives such as pyrimidine (abbreviation: 4,6mCzP2Pm), 2-{4-[3-(N-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-9H-carbazol-9-yl]phenyl}-4,6 A triazine derivative such as -diphenyl-1,3,5-triazine (abbreviation: PCCzPTzn) can be used.

また、ポリ(2,5-ピリジンジイル)(略称:PPy)、ポリ[(9,9-ジヘキシルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(ピリジン-3,5-ジイル)](略称:PF-Py)、ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレン-2,7-ジイル)-co-(2,2’-ビピリジン-6,6’-ジイル)](略称:PF-BPy)のような高分子化合物を用いることもできる。In addition, poly(2,5-pyridinediyl) (abbreviation: PPy), poly[(9,9-dihexylfluorene-2,7-diyl)-co-(pyridine-3,5-diyl)] (abbreviation: PF -Py), poly[(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl)-co-(2,2′-bipyridine-6,6′-diyl)] (abbreviation: PF-BPy) Molecular compounds can also be used.

また、電子輸送層(114、114a、114b)は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が2層以上積層した構造であってもよい。Further, the electron transport layers (114, 114a, 114b) are not limited to a single layer, and may have a structure in which two or more layers made of the above substances are laminated.

次に、図1(D)に示す発光素子において、EL層103aの電子輸送層114a上に電子注入層115aが真空蒸着法により形成される。その後、EL層103aおよび電荷発生層104が形成され、EL層103bの電子輸送層114bまで形成された後、上に電子注入層115bが真空蒸着法により形成される。Next, in the light-emitting element shown in FIG. 1D, an electron-injecting layer 115a is formed over the electron-transporting layer 114a of the EL layer 103a by a vacuum evaporation method. After that, the EL layer 103a and the charge generation layer 104 are formed, and after the electron transport layer 114b of the EL layer 103b is formed, the electron injection layer 115b is formed thereon by vacuum deposition.

<電子注入層>
電子注入層(115、115a、115b)は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層(115、115a、115b)には、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)、リチウム酸化物(LiO)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム(ErF)のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層(115、115a、115b)にエレクトライドを用いてもよい。エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層(114、114a、114b)を構成する物質を用いることもできる。
<Electron injection layer>
The electron injection layers (115, 115a, 115b) are layers containing substances with high electron injection properties. The electron injection layers (115, 115a, 115b) include alkali metals and alkalis such as lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), calcium fluoride ( CaF2 ), lithium oxide ( LiOx ), and the like. Earth metals or their compounds can be used. Also, rare earth metal compounds such as erbium fluoride (ErF 3 ) can be used. Electride may also be used for the electron injection layers (115, 115a, 115b). Examples of the electride include a mixed oxide of calcium and aluminum to which electrons are added at a high concentration. In addition, the substance which comprises the electron transport layer (114, 114a, 114b) mentioned above can also be used.

また、電子注入層(115、115a、115b)に、有機化合物と電子供与体(ドナー)とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層(114、114a、114b)に用いる電子輸送性材料(金属錯体や複素芳香族化合物等)を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン(略称:TTF)等の有機化合物を用いることもできる。A composite material obtained by mixing an organic compound and an electron donor (donor) may be used for the electron injection layers (115, 115a, 115b). Such a composite material has excellent electron-injecting and electron-transporting properties because electrons are generated in the organic compound by the electron donor. In this case, the organic compound is preferably a material excellent in transporting generated electrons. Specifically, for example, an electron-transporting material (metal complex and heteroaromatic compounds) can be used. As the electron donor, any substance can be used as long as it exhibits an electron donating property with respect to an organic compound. Specifically, alkali metals, alkaline earth metals, and rare earth metals are preferred, and examples include lithium, cesium, magnesium, calcium, erbium, and ytterbium. Further, alkali metal oxides and alkaline earth metal oxides are preferred, and examples thereof include lithium oxide, calcium oxide and barium oxide. Lewis bases such as magnesium oxide can also be used. An organic compound such as tetrathiafulvalene (abbreviation: TTF) can also be used.

なお、図1(D)に示す発光素子において、発光層113bから得られる光を増幅させる場合には、第2の電極102と、発光層113bとの光学距離が、発光層113bが呈する光の波長λの1/4未満となるように形成するのが好ましい。この場合、電子輸送層114bまたは電子注入層115bの膜厚を変えることにより、調整することができる。Note that in the case of amplifying light obtained from the light-emitting layer 113b in the light-emitting element illustrated in FIG. It is preferably formed to be less than 1/4 of the wavelength λ. In this case, it can be adjusted by changing the film thickness of the electron transport layer 114b or the electron injection layer 115b.

<電荷発生層>
図1(D)に示す発光素子において、電荷発生層104は、第1の電極(陽極)101と第2の電極(陰極)102との間に電圧を印加したときに、EL層103aに電子を注入し、EL層103bに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層104は、正孔輸送性材料に電子受容体(アクセプター)が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体(ドナー)が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層104を形成することにより、EL層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
<Charge generation layer>
In the light-emitting element shown in FIG. 1D, the charge generation layer 104 generates electrons in the EL layer 103a when a voltage is applied between the first electrode (anode) 101 and the second electrode (cathode) 102. to inject holes into the EL layer 103b. The charge-generating layer 104 may have a structure in which an electron acceptor (acceptor) is added to the hole-transporting material or a structure in which an electron donor (donor) is added to the electron-transporting material. good. Also, both of these configurations may be stacked. Note that by forming the charge-generating layer 104 using the above material, an increase in driving voltage in the case where EL layers are stacked can be suppressed.

電荷発生層104において、正孔輸送性材料に電子受容体が添加された構成とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン(略称:F-TCNQ)、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。In the case where the charge-generating layer 104 has a structure in which an electron acceptor is added to a hole-transporting material, the material described in this embodiment mode can be used as the hole-transporting material. Examples of electron acceptors include 7,7,8,8-tetracyano-2,3,5,6-tetrafluoroquinodimethane (abbreviation: F 4 -TCNQ) and chloranil. In addition, oxides of metals belonging to groups 4 to 8 in the periodic table can be mentioned. Specific examples include vanadium oxide, niobium oxide, tantalum oxide, chromium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and rhenium oxide.

電荷発生層104において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第2、第13族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、イッテルビウム(Yb)、インジウム(In)、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。In the case where the charge-generating layer 104 has a structure in which an electron donor is added to an electron-transporting material, the materials described in this embodiment can be used as the electron-transporting material. As the electron donor, alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, metals belonging to groups 2 and 13 in the periodic table, oxides and carbonates thereof can be used. Specifically, it is preferable to use lithium (Li), cesium (Cs), magnesium (Mg), calcium (Ca), ytterbium (Yb), indium (In), lithium oxide, cesium carbonate, or the like. Alternatively, an organic compound such as tetrathianaphthacene may be used as an electron donor.

<基板>
本実施の形態で示した発光素子は、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板(例えば単結晶基板又はシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。
<Substrate>
The light-emitting element described in this embodiment can be formed over various substrates. Note that the type of substrate is not limited to a specific one. Examples of substrates include semiconductor substrates (e.g. single crystal substrates or silicon substrates), SOI substrates, glass substrates, quartz substrates, plastic substrates, metal substrates, stainless steel substrates, substrates with stainless steel foil, tungsten substrates, Substrates with tungsten foils, flexible substrates, laminated films, papers containing fibrous materials, or substrate films may be mentioned.

なお、ガラス基板の材料の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルサルフォン(PES)に代表されるプラスチック、アクリル樹脂等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド樹脂、エポキシ樹脂、無機蒸着フィルム、又は紙類などが挙げられる。Examples of materials for the glass substrate include barium borosilicate glass, aluminoborosilicate glass, soda lime glass, and the like. Examples of flexible substrates, laminated films, and base films include plastics such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), and polyethersulfone (PES), and acrylic resins. Synthetic resin, polypropylene, polyester, polyvinyl fluoride, polyvinyl chloride, polyamide, polyimide, aramid resin, epoxy resin, inorganic deposition film, paper, and the like.

なお、本実施の形態で示す発光素子の作製には、蒸着法などの真空プロセスや、スピンコート法やインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる場合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法(PVD法)や、化学蒸着法(CVD法)等を用いることができる。特に発光素子のEL層に含まれる機能層(正孔注入層(111、111a、111b)、正孔輸送層(112、112a、112b)、発光層(113、113a、113b、113c)、電子輸送層(114、114a、114b)、電子注入層(115、115a、115b))、および電荷発生層(104、104a、104b)については、蒸着法(真空蒸着法等)、塗布法(ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等)、印刷法(インクジェット法、スクリーン(孔版印刷)法、オフセット(平版印刷)法、フレキソ(凸版印刷)法、グラビア法、マイクロコンタクト法、ナノインプリント法等)などの方法により形成することができる。Note that a vacuum process such as an evaporation method or a solution process such as a spin coating method or an inkjet method can be used for manufacturing the light-emitting element described in this embodiment mode. When vapor deposition is used, physical vapor deposition (PVD) such as sputtering, ion plating, ion beam vapor deposition, molecular beam vapor deposition, vacuum vapor deposition, or chemical vapor deposition (CVD) is used. be able to. In particular, the functional layers (hole injection layers (111, 111a, 111b), hole transport layers (112, 112a, 112b), light emitting layers (113, 113a, 113b, 113c), electron transport layers included in the EL layer of the light emitting device) Layers (114, 114a, 114b), electron injection layers (115, 115a, 115b)), and charge generation layers (104, 104a, 104b) may be formed by a vapor deposition method (vacuum vapor deposition method, etc.), a coating method (dip coating method, etc.). , die coating method, bar coating method, spin coating method, spray coating method, etc.), printing method (inkjet method, screen (stencil printing) method, offset (lithographic printing) method, flexographic (letterpress printing) method, gravure method, microcontact method, nanoimprint method, etc.).

なお、本実施の形態で示す発光素子のEL層(103、103a、103b)を構成する各機能層(正孔注入層(111、111a、111b)、正孔輸送層(112、112a、112b)、発光層(113、113a、113b、113c)、電子輸送層(114、114a、114b)、電子注入層(115、115a、115b))や電荷発生層(104、104a、104b)は、上述した材料に限られることはなく、それ以外の材料であっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。一例としては、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)、中分子化合物(低分子と高分子の中間領域の化合物:分子量400~4000)、無機化合物(量子ドット材料等)等を用いることができる。また、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。Note that each functional layer (hole-injection layers (111, 111a, 111b) and hole-transport layers (112, 112a, 112b) constituting the EL layers (103, 103a, 103b) of the light-emitting element described in this embodiment mode , light-emitting layers (113, 113a, 113b, 113c), electron-transporting layers (114, 114a, 114b), electron-injecting layers (115, 115a, 115b)) and charge-generating layers (104, 104a, 104b). The materials are not limited, and other materials can be used in combination as long as they can satisfy the functions of each layer. Examples include polymer compounds (oligomers, dendrimers, polymers, etc.), middle-molecular-weight compounds (compounds in the intermediate region between low-molecular-weight and high-molecular-weight compounds: molecular weight 400 to 4000), inorganic compounds (quantum dot materials, etc.), and the like. can. As the quantum dot material, a colloidal quantum dot material, an alloy quantum dot material, a core-shell quantum dot material, a core quantum dot material, or the like can be used.

本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。The structure described in this embodiment can be combined as appropriate with any of the structures described in other embodiments.

(実施の形態3)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。なお、図2(A)に示す発光装置は、第1の基板201上のトランジスタ(FET)202と発光素子(203R、203G、203B、203W)が電気的に接続されてなるアクティブマトリクス型の発光装置であり、複数の発光素子(203R、203G、203B、203W)は、共通のEL層204を有し、また、各発光素子の発光色に応じて、各発光素子の電極間の光学距離が調整されたマイクロキャビティ構造を有する。また、EL層204から得られた発光が第2の基板205に形成されたカラーフィルタ(206R、206G、206B)を介して射出されるトップエミッション型の発光装置である。
(Embodiment 3)
In this embodiment, a light-emitting device that is one embodiment of the present invention will be described. Note that the light-emitting device shown in FIG. 2A is an active matrix light-emitting device in which a transistor (FET) 202 over a first substrate 201 and light-emitting elements (203R, 203G, 203B, and 203W) are electrically connected. In the device, a plurality of light emitting elements (203R, 203G, 203B, 203W) have a common EL layer 204, and the optical distance between the electrodes of each light emitting element varies depending on the color of light emitted from each light emitting element. It has a tuned microcavity structure. In addition, it is a top emission light emitting device in which light emitted from the EL layer 204 is emitted through color filters (206R, 206G, 206B) formed on the second substrate 205. FIG.

図2(A)に示す発光装置は、第1の電極207を反射電極として機能するように形成する。また、第2の電極208を半透過・半反射電極として機能するように形成する。なお、第1の電極207および第2の電極208を形成する電極材料としては、他の実施形態の記載を参照し、適宜用いればよい。In the light-emitting device shown in FIG. 2A, the first electrode 207 is formed to function as a reflective electrode. Also, the second electrode 208 is formed so as to function as a semi-transmissive/semi-reflective electrode. Note that electrode materials for forming the first electrode 207 and the second electrode 208 may be appropriately used with reference to the description of other embodiments.

また、図2(A)において、例えば、発光素子203Rを赤色発光素子、発光素子203Gを緑色発光素子、発光素子203Bを青色発光素子、発光素子203Wを白色発光素子とする場合、図2(B)に示すように発光素子203Rは、第1の電極207と第2の電極208との間が光学距離200Rとなるように調整し、発光素子203Gは、第1の電極207と第2の電極208との間が光学距離200Gとなるように調整し、発光素子203Bは、第1の電極207と第2の電極208との間が光学距離200Bとなるように調整する。なお、図2(B)に示すように、発光素子203Rにおいて導電層210Rを第1の電極207に積層し、発光素子203Gにおいて導電層210Gを積層することにより、光学調整を行うことができる。Further, in FIG. 2A, for example, when the light emitting element 203R is a red light emitting element, the light emitting element 203G is a green light emitting element, the light emitting element 203B is a blue light emitting element, and the light emitting element 203W is a white light emitting element, the light emitting element 203W is a white light emitting element. ), the light emitting element 203R is adjusted so that the optical distance between the first electrode 207 and the second electrode 208 is 200R, and the light emitting element 203G is adjusted so that the first electrode 207 and the second electrode 208 is adjusted to have an optical distance of 200G, and the light emitting element 203B is adjusted to have an optical distance of 200B between the first electrode 207 and the second electrode 208 . Note that as shown in FIG. 2B, optical adjustment can be performed by stacking a conductive layer 210R over the first electrode 207 in the light emitting element 203R and stacking a conductive layer 210G in the light emitting element 203G.

第2の基板205には、カラーフィルタ(206R、206G、206B)が形成されている。なお、カラーフィルタは、可視光のうち特定の波長域を通過させ、特定の波長域を阻止するフィルタである。従って、図2(A)に示すように、発光素子203Rと重なる位置に赤の波長域のみを通過させるカラーフィルタ206Rを設けることにより、発光素子203Rから赤色発光を得ることができる。また、発光素子203Gと重なる位置に緑の波長域のみを通過させるカラーフィルタ206Gを設けることにより、発光素子203Gから緑色発光を得ることができる。また、発光素子203Bと重なる位置に青の波長域のみを通過させるカラーフィルタ206Bを設けることにより、発光素子203Bから青色発光を得ることができる。但し、発光素子203Wは、カラーフィルタを設けることなく白色発光を得ることができる。なお、1種のカラーフィルタの端部には、黒色層(ブラックマトリックス)209が設けられていてもよい。さらに、カラーフィルタ(206R、206G、206B)や黒色層209は、透明な材料を用いたオーバーコート層で覆われていても良い。Color filters ( 206 R, 206 G, 206 B) are formed on the second substrate 205 . Note that the color filter is a filter that allows a specific wavelength range of visible light to pass through and blocks a specific wavelength range of visible light. Therefore, as shown in FIG. 2A, by providing a color filter 206R that passes only the red wavelength band at a position overlapping with the light emitting element 203R, red light emission can be obtained from the light emitting element 203R. Further, by providing a color filter 206G that allows only the green wavelength band to pass through at a position overlapping with the light emitting element 203G, green light emission can be obtained from the light emitting element 203G. Further, by providing a color filter 206B that allows only a blue wavelength band to pass through at a position overlapping with the light emitting element 203B, blue light emission can be obtained from the light emitting element 203B. However, the light emitting element 203W can emit white light without providing a color filter. A black layer (black matrix) 209 may be provided at the end of one type of color filter. Furthermore, the color filters (206R, 206G, 206B) and black layer 209 may be covered with an overcoat layer using a transparent material.

図2(A)では、第2の基板205側に発光を取り出す構造(トップエミッション型)の発光装置を示したが、図2(C)に示すようにFET202が形成されている第1の基板201側に光を取り出す構造(ボトムエミッション型)の発光装置としても良い。なお、ボトムエミッション型の発光装置の場合には、第1の電極207を半透過・半反射電極として機能するように形成し、第2の電極208を反射電極として機能するように形成する。また、第1の基板201は、少なくとも透光性の基板を用いる。また、カラーフィルタ(206R’、206G’、206B’)は、図2(C)に示すように発光素子(203R、203G、203B)よりも第1の基板201側に設ければよい。FIG. 2A shows a light-emitting device having a structure (top emission type) for extracting light from the second substrate 205 side, but the first substrate provided with the FET 202 is used as shown in FIG. 2C. A light emitting device having a structure (bottom emission type) in which light is extracted to the 201 side may be used. Note that in the case of a bottom emission type light emitting device, the first electrode 207 is formed to function as a semi-transmissive/half-reflective electrode, and the second electrode 208 is formed to function as a reflective electrode. At least a translucent substrate is used as the first substrate 201 . Further, the color filters (206R', 206G', 206B') may be provided closer to the first substrate 201 than the light emitting elements (203R, 203G, 203B) as shown in FIG. 2C.

また、図2(A)において、発光素子が、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子、白色発光素子の場合について示したが、本発明の一態様である発光素子はその構成に限られることはなく、黄色の発光素子や橙色の発光素子を有する構成であっても良い。なお、これらの発光素子を作製するためにEL層(発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など)に用いる材料としては、他の実施の形態の記載を参照し、適宜用いればよい。なお、その場合には、また、発光素子の発光色に応じてカラーフィルタを適宜選択する必要がある。FIG. 2A shows the case where the light-emitting element is a red-light-emitting element, a green-light-emitting element, a blue-light-emitting element, or a white-light-emitting element; however, the light-emitting element that is one embodiment of the present invention is limited to these structures. However, a structure including a yellow light-emitting element or an orange light-emitting element may be used. Materials used for the EL layer (light-emitting layer, hole-injection layer, hole-transport layer, electron-transport layer, electron-injection layer, charge-generating layer, etc.) for manufacturing these light-emitting elements include other materials. The description of the form may be referred to and used as appropriate. In that case, it is also necessary to appropriately select a color filter according to the emission color of the light emitting element.

以上のような構成とすることにより、複数の発光色を呈する発光素子を備えた発光装置を得ることができる。With the structure as described above, a light-emitting device including a light-emitting element emitting light of a plurality of colors can be obtained.

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。Note that the structure described in this embodiment can be used in combination with any of the structures described in other embodiments as appropriate.

(実施の形態4)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, a light-emitting device that is one embodiment of the present invention will be described.

本発明の一態様である発光素子の素子構成を適用することで、アクティブマトリクス型の発光装置やパッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。なお、アクティブマトリクス型の発光装置は、発光素子とトランジスタ(FET)とを組み合わせた構成を有する。従って、パッシブマトリクス型の発光装置、アクティブマトリクス型の発光装置は、いずれも本発明の一態様に含まれる。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施の形態で説明した発光素子を適用することが可能である。By applying the element structure of the light-emitting element which is one embodiment of the present invention, an active matrix light-emitting device or a passive matrix light-emitting device can be manufactured. Note that an active matrix light-emitting device has a structure in which a light-emitting element and a transistor (FET) are combined. Therefore, both a passive matrix light-emitting device and an active matrix light-emitting device are included in one embodiment of the present invention. Note that the light-emitting element described in any of the other embodiments can be applied to the light-emitting device described in this embodiment.

本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図3を用いて説明する。In this embodiment mode, an active matrix light-emitting device will be described with reference to FIGS.

なお、図3(A)は発光装置21を示す上面図であり、図3(B)は図3(A)を鎖線A-A’で切断した断面図である。アクティブマトリクス型の発光装置は、第1の基板301上に設けられた画素部302、駆動回路部(ソース線駆動回路)303と、駆動回路部(ゲート線駆動回路)(304a、304b)を有する。画素部302および駆動回路部(303、304a、304b)は、シール材305によって、第1の基板301と第2の基板306との間に封止される。3A is a top view showing the light emitting device 21, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the chain line A-A' in FIG. 3A. The active matrix light emitting device includes a pixel portion 302, a driver circuit portion (source line driver circuit) 303, and driver circuit portions (gate line driver circuits) (304a and 304b) provided over a first substrate 301. . The pixel portion 302 and the driver circuit portions (303, 304a, 304b) are sealed between the first substrate 301 and the second substrate 306 with a sealing material 305. FIG.

また、第1の基板301上には、引き回し配線307が設けられる。引き回し配線307は、外部入力端子であるFPC308と電気的に接続される。なお、FPC308は、駆動回路部(303、304a、304b)に外部からの信号(例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等)や電位を伝達する。また、FPC308にはプリント配線基板(PWB)が取り付けられていても良い。なお、これらFPCやPWBが取り付けられた状態は、発光装置に含まれる。Further, a lead wiring 307 is provided on the first substrate 301 . The routing wiring 307 is electrically connected to the FPC 308 which is an external input terminal. Note that the FPC 308 transmits external signals (for example, video signals, clock signals, start signals, reset signals, etc.) and potentials to the drive circuit units (303, 304a, 304b). Also, a printed wiring board (PWB) may be attached to the FPC 308 . The state in which these FPCs and PWBs are attached is included in the light emitting device.

次に、図3(B)に断面構造を示す。Next, FIG. 3B shows a cross-sectional structure.

画素部302は、FET(スイッチング用FET)311、FET(電流制御用FET)312、およびFET312と電気的に接続された第1の電極313を有する複数の画素により形成される。なお、各画素が有するFETの数は、特に限定されることはなく、必要に応じて適宜設けることができる。The pixel portion 302 is formed of a plurality of pixels having a FET (switching FET) 311 , a FET (current control FET) 312 , and a first electrode 313 electrically connected to the FET 312 . Note that the number of FETs included in each pixel is not particularly limited, and can be appropriately provided as necessary.

FET309、310、311、312は、特に限定されることはなく、例えば、スタガ型や逆スタガ型などのトランジスタを適用することができる。また、トップゲート型やボトムゲート型などのトランジスタ構造であってもよい。The FETs 309, 310, 311, and 312 are not particularly limited, and for example, staggered or reverse staggered transistors can be applied. Moreover, a transistor structure such as a top-gate type or a bottom-gate type may be used.

なお、これらのFET309、310、311、312に用いることのできる半導体の結晶性については特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。なお、結晶性を有する半導体を用いることで、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。The crystallinity of semiconductors that can be used for these FETs 309, 310, 311, and 312 is not particularly limited. or a semiconductor partially having a crystal region) may be used. Note that it is preferable to use a crystalline semiconductor because deterioration of transistor characteristics can be suppressed.

また、これらの半導体としては、例えば、第14族の元素、化合物半導体、酸化物半導体、有機半導体などを用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、インジウムを含む酸化物半導体などを適用することができる。Moreover, as these semiconductors, for example, Group 14 elements, compound semiconductors, oxide semiconductors, organic semiconductors, and the like can be used. Typically, a semiconductor containing silicon, a semiconductor containing gallium arsenide, an oxide semiconductor containing indium, or the like can be used.

駆動回路部303は、FET309とFET310とを有する。なお、FET309とFET310は、単極性(N型またはP型のいずれか一方のみ)のトランジスタを含む回路で形成されても良いし、N型のトランジスタとP型のトランジスタを含むCMOS回路で形成されても良い。また、外部に駆動回路を有する構成としても良い。The drive circuit section 303 has an FET 309 and an FET 310 . Note that the FET 309 and FET 310 may be formed of a circuit including a unipolar (either N-type or P-type) transistor, or may be formed of a CMOS circuit including an N-type transistor and a P-type transistor. can be Further, a structure having an external driving circuit may be employed.

第1の電極313の端部は、絶縁物314により覆われている。なお、絶縁物314には、ネガ型の感光性樹脂や、ポジ型の感光性樹脂(アクリル樹脂)などの有機化合物や、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。絶縁物314の上端部または下端部には、曲率を有する曲面を有するのが好ましい。これにより、絶縁物314の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。An end of the first electrode 313 is covered with an insulator 314 . Note that for the insulator 314, an organic compound such as a negative photosensitive resin or a positive photosensitive resin (acrylic resin) or an inorganic compound such as silicon oxide, silicon oxynitride, or silicon nitride can be used. . Preferably, the insulator 314 has a curved surface with a curvature at the upper end or the lower end. Accordingly, the coverage of the film formed over the insulator 314 can be improved.

第1の電極313上には、EL層315及び第2の電極316が積層形成される。EL層315は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を有する。An EL layer 315 and a second electrode 316 are stacked over the first electrode 313 . The EL layer 315 has a light-emitting layer, a hole-injection layer, a hole-transport layer, an electron-transport layer, an electron-injection layer, a charge generation layer, and the like.

なお、本実施の形態で示す発光素子317の構成は、他の実施の形態で説明した構成や材料を適用することができる。なお、ここでは図示しないが、第2の電極316は外部入力端子であるFPC308に電気的に接続されている。Note that the structure and materials described in other embodiments can be applied to the structure of the light-emitting element 317 described in this embodiment. Although not shown here, the second electrode 316 is electrically connected to the FPC 308 which is an external input terminal.

また、図3(B)に示す断面図では発光素子317を1つのみ図示しているが、画素部302において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部302には、3種類(R、G、B)の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、3種類(R、G、B)の発光が得られる発光素子の他に、例えば、ホワイト(W)、イエロー(Y)、マゼンタ(M)、シアン(C)等の発光が得られる発光素子を形成してもよい。例えば、3種類(R、G、B)の発光が得られる発光素子に上述の数種類の発光が得られる発光素子を追加することにより、色純度の向上、消費電力の低減等の効果を得ることができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。なお、カラーフィルタの種類としては、赤(R)、緑(G)、青(B)、シアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)等を用いることができる。Although only one light-emitting element 317 is illustrated in the cross-sectional view of FIG. 3B, a plurality of light-emitting elements are arranged in matrix in the pixel portion 302 . In the pixel portion 302, light-emitting elements capable of emitting light of three types (R, G, and B) are selectively formed, whereby a light-emitting device capable of full-color display can be formed. In addition to the light-emitting elements that can emit light of three types (R, G, and B), for example, light-emitting elements that can emit light of white (W), yellow (Y), magenta (M), cyan (C), etc. elements may be formed. For example, by adding a light-emitting element capable of emitting light of several types described above to a light-emitting element capable of emitting light of three types (R, G, B), effects such as improvement of color purity and reduction of power consumption can be obtained. can be done. Further, a light-emitting device capable of full-color display may be obtained by combining with a color filter. As types of color filters, red (R), green (G), blue (B), cyan (C), magenta (M), yellow (Y), and the like can be used.

第1の基板301上のFET(309、310、311、312)や、発光素子317は、第2の基板306と第1の基板301とをシール材305により貼り合わせることにより、第1の基板301、第2の基板306、およびシール材305で囲まれた空間318に備えられた構造を有する。なお、空間318には、不活性気体(窒素やアルゴン等)や有機物(シール材305を含む)で充填されていてもよい。The FETs (309, 310, 311, 312) and the light-emitting element 317 on the first substrate 301 are formed by bonding the second substrate 306 and the first substrate 301 together with the sealing material 305. 301 , a second substrate 306 , and a space 318 surrounded by a sealant 305 . Note that the space 318 may be filled with an inert gas (nitrogen, argon, or the like) or an organic substance (including the sealant 305).

シール材305には、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いることができる。なお、シール材305には、できるだけ水分や酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。また、第2の基板306は、第1の基板301に用いることができるものを同様に用いることができる。従って、他の実施の形態で説明した様々な基板を適宜用いることができるものとする。基板としてガラス基板や石英基板の他、FRP(Fiber-Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から第1の基板301及び第2の基板306はガラス基板であることが好ましい。Epoxy resin or glass frit can be used for the sealant 305 . Note that it is preferable to use a material that does not transmit moisture and oxygen as much as possible for the sealant 305 . For the second substrate 306, the substrate that can be used for the first substrate 301 can also be used. Therefore, various substrates described in other embodiments can be used as appropriate. As a substrate, in addition to a glass substrate and a quartz substrate, a plastic substrate made of FRP (Fiber-Reinforced Plastics), PVF (Polyvinyl Fluoride), polyester, acrylic resin, or the like can be used. When glass frit is used as the sealant, the first substrate 301 and the second substrate 306 are preferably glass substrates from the viewpoint of adhesiveness.

以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。As described above, an active matrix light-emitting device can be obtained.

また、アクティブマトリクス型の発光装置を可撓性基板に形成する場合、可撓性基板上にFETと発光素子とを直接形成しても良いが、剥離層を有する別の基板にFETと発光素子を形成した後、熱、力、レーザ照射などを与えることによりFETと発光素子を剥離層で剥離し、さらに可撓性基板に転載して作製しても良い。なお、剥離層としては、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層や、ポリイミド等の有機樹脂膜等を用いることができる。また可撓性基板としては、トランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、布基板(天然繊維(絹、綿、麻)、合成繊維(ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル)若しくは再生繊維(アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル)などを含む)、皮革基板、又はゴム基板などが挙げられる。これらの基板を用いることにより、耐久性や耐熱性に優れ、軽量化および薄型化を図ることができる。Further, when an active matrix light-emitting device is formed on a flexible substrate, the FET and the light-emitting element may be directly formed on the flexible substrate, but the FET and the light-emitting element may be formed on another substrate having a peeling layer. , the FET and the light-emitting element may be separated by a separation layer by applying heat, force, laser irradiation, or the like, and transferred to a flexible substrate. As the separation layer, for example, a laminate of inorganic films such as a tungsten film and a silicon oxide film, an organic resin film such as polyimide, or the like can be used. In addition to substrates on which transistors can be formed, flexible substrates include paper substrates, cellophane substrates, aramid film substrates, polyimide film substrates, cloth substrates (natural fibers (silk, cotton, linen), synthetic fibers ( nylon, polyurethane, polyester) or recycled fiber (including acetate, cupra, rayon, recycled polyester), leather substrate, or rubber substrate. By using these substrates, durability and heat resistance are excellent, and weight reduction and thickness reduction can be achieved.

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。Note that the structure described in this embodiment can be combined with any of the structures described in other embodiments as appropriate.

(実施の形態5)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子、本発明の一態様である発光素子を有する発光装置を適用して完成させた様々な電子機器や自動車の一例について、説明する。なお、発光装置は、本実施の形態で説明する電子機器において、主に表示部に適用することができる。
(Embodiment 5)
In this embodiment, examples of various electronic devices and automobiles completed by applying the light-emitting element of one embodiment of the present invention and the light-emitting device including the light-emitting element of one embodiment of the present invention will be described. Note that the light-emitting device can be mainly applied to a display portion in the electronic devices described in this embodiment.

図4(A)乃至図4(E)に示す電子機器は、筐体7000、表示部7001、スピーカ7003、LEDランプ7004、操作キー7005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子7006、センサ7007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン7008、等を有することができる。The electronic devices illustrated in FIGS. 4A to 4E include a housing 7000, a display portion 7001, a speaker 7003, an LED lamp 7004, operation keys 7005 (including a power switch or an operation switch), connection terminals 7006, Sensor 7007 (force, displacement, position, speed, acceleration, angular velocity, number of rotations, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemical substance, sound, time, hardness, electric field, current, voltage, power, radiation, flow rate, humidity , tilt, vibration, smell, or infrared), a microphone 7008, and the like.

図4(A)はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ7009、赤外線ポート7010、等を有することができる。FIG. 4A shows a mobile computer, which can have a switch 7009, an infrared port 7010, etc. in addition to those described above.

図4(B)は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置(たとえば、DVD再生装置)であり、上述したものの他に、第2表示部7002、記録媒体読込部7011、等を有することができる。FIG. 4B shows a portable image reproducing device (for example, a DVD reproducing device) provided with a recording medium, which may include a second display portion 7002, a recording medium reading portion 7011, and the like in addition to the components described above. can.

図4(C)はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ7014、シャッターボタン7015、受像部7016、等を有することができる。FIG. 4C shows a digital camera with a television image receiving function, which can have an antenna 7014, a shutter button 7015, an image receiving portion 7016, and the like in addition to the above.

図4(D)は携帯情報端末である。携帯情報端末は、表示部7001の3面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報7052、情報7053、情報7054がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末を収納した状態で、携帯情報端末の上方から観察できる位置に表示された情報7053を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。FIG. 4D shows a portable information terminal. The portable information terminal has a function of displaying information on three or more sides of the display portion 7001 . Here, an example in which information 7052, information 7053, and information 7054 are displayed on different surfaces is shown. For example, the user can confirm the information 7053 displayed at a position that can be observed from above the mobile information terminal while the mobile information terminal is stored in the chest pocket of the clothes. The user can confirm the display without taking out the mobile information terminal from the pocket, and can determine, for example, whether or not to receive a call.

図4(E)は携帯情報端末(スマートフォンを含む)であり、筐体7000に、表示部7001、操作キー7005、等を有することができる。なお、携帯情報端末は、スピーカ7003、接続端子7006、センサ7007等を設けてもよい。また、携帯情報端末は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。ここでは3つのアイコン7050を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報7051を表示部7001の他の面に表示することもできる。情報7051の一例としては、電子メール、SNS、電話などの着信の通知、電子メールやSNSなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリーの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報7051が表示されている位置にはアイコン7050などを表示してもよい。FIG. 4E illustrates a portable information terminal (including a smartphone) which can include a housing 7000, a display portion 7001, operation keys 7005, and the like. Note that the portable information terminal may be provided with a speaker 7003, a connection terminal 7006, a sensor 7007, and the like. Also, the portable information terminal can display characters and image information on its multiple surfaces. Here, an example of displaying three icons 7050 is shown. Information 7051 indicated by a dashed rectangle can also be displayed on another surface of the display portion 7001 . Examples of the information 7051 include notification of incoming e-mail, SNS, telephone, etc., title of e-mail, SNS, etc., sender name, date and time, remaining battery level, strength of antenna reception, and the like. Alternatively, an icon 7050 or the like may be displayed at the position where the information 7051 is displayed.

図4(F)は、大型のテレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう)であり、筐体7000、表示部7001、等を有することができる。また、ここでは、スタンド7018により筐体7000を支持した構成を示している。また、テレビジョン装置の操作は、別体のリモコン操作機7111、等により行うことができる。なお、表示部7001にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部7001に触れることで操作してもよい。リモコン操作機7111は、当該リモコン操作機7111から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機7111が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部7001に表示される画像を操作することができる。FIG. 4F illustrates a large television device (also referred to as a television or a television receiver), which can include a housing 7000, a display portion 7001, and the like. Also, here, a configuration in which the housing 7000 is supported by a stand 7018 is shown. Further, the operation of the television apparatus can be performed by a separate remote controller 7111 or the like. Note that the display portion 7001 may be provided with a touch sensor, and the display portion 7001 may be operated by touching the display portion 7001 with a finger or the like. The remote controller 7111 may have a display section for displaying information output from the remote controller 7111 . A channel and a volume can be operated with operation keys or a touch panel included in the remote controller 7111 , and an image displayed on the display portion 7001 can be operated.

図4(A)乃至図4(F)に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア(プログラム)によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体(外部又はカメラに内蔵)に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図4(A)乃至図4(F)に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。The electronic devices illustrated in FIGS. 4A to 4F can have various functions. For example, a function to display various information (still images, moving images, text images, etc.) on the display unit, a touch panel function, a calendar, a function to display the date or time, a function to control processing by various software (programs). , wireless communication function, function to connect to various computer networks using wireless communication function, function to transmit or receive various data using wireless communication function, read programs or data recorded on recording media It can have a function of displaying on a display portion, and the like. Furthermore, in an electronic device having a plurality of display units, one display unit mainly displays image information, and another display unit mainly displays character information, or a parallax is considered for a plurality of display units. It is possible to have a function of displaying a three-dimensional image by displaying an image that has been drawn, and the like. In addition, in electronic devices with an image receiving unit, there is a function to shoot still images, a function to shoot moving images, a function to correct the shot images automatically or manually, and a function to save the shot images to a recording medium (external or built in the camera). It can have a function of saving, a function of displaying a captured image on a display portion, and the like. Note that the functions that the electronic devices illustrated in FIGS. 4A to 4F can have are not limited to these, and can have various functions.

図4(G)は、腕時計型の携帯情報端末であり、例えばスマートウォッチとして用いることができる。この腕時計型の携帯情報端末は、筐体7000、表示部7001、操作用ボタン7022、7023、接続端子7024、バンド7025、マイクロフォン7026、センサ7029、スピーカ7030等を有している。表示部7001は、表示面が湾曲しており、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、この携帯情報端末は、例えば無線通信可能なヘッドセットとの相互通信によりハンズフリーでの通話が可能である。なお、接続端子7024により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うことや、充電を行うこともできる。充電動作は無線給電により行うこともできる。FIG. 4G shows a wristwatch-type portable information terminal that can be used as a smart watch, for example. This wristwatch-type portable information terminal includes a housing 7000, a display portion 7001, operation buttons 7022 and 7023, a connection terminal 7024, a band 7025, a microphone 7026, a sensor 7029, a speaker 7030, and the like. The display portion 7001 has a curved display surface and can perform display along the curved display surface. In addition, this portable information terminal is capable of hands-free communication by mutual communication with a headset capable of wireless communication, for example. Note that the connection terminal 7024 enables mutual data transmission and charging with another information terminal. The charging operation can also be performed by wireless power supply.

ベゼル部分を兼ねる筐体7000に搭載された表示部7001は、非矩形状の表示領域を有している。表示部7001は、時刻を表すアイコン、その他のアイコン等を表示することができる。また、表示部7001は、タッチセンサ(入力装置)を搭載したタッチパネル(入出力装置)であってもよい。A display portion 7001 mounted on a housing 7000 that also serves as a bezel portion has a non-rectangular display area. The display unit 7001 can display an icon representing time, other icons, and the like. Further, the display portion 7001 may be a touch panel (input/output device) equipped with a touch sensor (input device).

なお、図4(G)に示すスマートウォッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア(プログラム)によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。Note that the smart watch illustrated in FIG. 4G can have various functions. For example, a function to display various information (still images, moving images, text images, etc.) on the display unit, a touch panel function, a calendar, a function to display the date or time, a function to control processing by various software (programs). , wireless communication function, function to connect to various computer networks using wireless communication function, function to transmit or receive various data using wireless communication function, read programs or data recorded on recording media It can have a function of displaying on a display portion, and the like.

また、筐体7000の内部に、スピーカ、センサ(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン等を有することができる。In addition, inside the housing 7000, there are speakers, sensors (force, displacement, position, speed, acceleration, angular velocity, number of revolutions, distance, light, liquid, magnetism, temperature, chemical substances, sound, time, hardness, electric field, current , voltage, power, radiation, flow, humidity, gradient, vibration, odor or infrared), microphone, etc.

なお、本発明の一態様である発光装置および本発明の一態様である発光素子を有する表示装置は、本実施の形態に示す電子機器の各表示部に用いることができ、長寿命な電子機器を実現できる。Note that the light-emitting device of one embodiment of the present invention and the display device including the light-emitting element of one embodiment of the present invention can be used for each display portion of the electronic device described in this embodiment, and the electronic device has a long life. can be realized.

また、発光装置を適用した電子機器として、図5(A)乃至(C)に示すような折りたたみ可能な携帯情報端末が挙げられる。図5(A)には、展開した状態の携帯情報端末9310を示す。また、図5(B)には、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末9310を示す。さらに、図5(C)には、折りたたんだ状態の携帯情報端末9310を示す。携帯情報端末9310は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。Further, as an electronic device to which a light-emitting device is applied, there is a foldable portable information terminal as shown in FIGS. FIG. 5A shows a portable information terminal 9310 in an unfolded state. FIG. 5B shows the portable information terminal 9310 in the middle of changing from one of the unfolded state and the folded state to the other. Further, FIG. 5C shows a portable information terminal 9310 in a folded state. The portable information terminal 9310 has excellent portability in the folded state, and has excellent display visibility due to a seamless wide display area in the unfolded state.

表示部9311はヒンジ9313によって連結された3つの筐体9315に支持されている。なお、表示部9311は、タッチセンサ(入力装置)を搭載したタッチパネル(入出力装置)であってもよい。また、表示部9311は、ヒンジ9313を介して2つの筐体9315間を屈曲させることにより、携帯情報端末9310を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。なお、本発明の一態様の発光装置は、表示部9311に用いることができる。また、長寿命な電子機器を実現できる。表示部9311における表示領域9312は折りたたんだ状態の携帯情報端末9310の側面に位置する表示領域である。表示領域9312には、情報アイコンや使用頻度の高いアプリやプログラムのショートカットなどを表示させることができ、情報の確認やアプリなどの起動をスムーズに行うことができる。The display portion 9311 is supported by three housings 9315 connected by hinges 9313 . Note that the display portion 9311 may be a touch panel (input/output device) equipped with a touch sensor (input device). In addition, the display portion 9311 can be reversibly transformed from the unfolded state to the folded state by bending between the two housings 9315 via the hinges 9313 . Note that the light-emitting device of one embodiment of the present invention can be used for the display portion 9311 . Also, an electronic device with a long life can be realized. A display area 9312 in the display portion 9311 is a display area located on the side surface of the portable information terminal 9310 in the folded state. In the display area 9312, information icons, frequently used apps, shortcuts of programs, and the like can be displayed, so that information can be checked and apps can be started smoothly.

また、発光装置を適用した自動車について、図6(A)(B)に示す。すなわち、発光装置を、自動車と一体にして設けることができる。具体的には、図6(A)に示す自動車の外側のライト5101(車体後部も含む)、タイヤのホイール5102、ドア5103の一部または全体などに適用することができる。また、図6(B)に示す自動車の内側の表示部5104、ハンドル5105、シフトレバー5106、座席シート5107、インナーリアビューミラー5108等に適用することができる。その他、ガラス窓の一部に適用してもよい。6A and 6B show an automobile to which the light emitting device is applied. That is, the light emitting device can be provided integrally with the automobile. Specifically, it can be applied to a part or the whole of a light 5101 (including the rear part of the vehicle body), a tire wheel 5102, and a door 5103 on the outside of an automobile shown in FIG. 6(A). Further, it can be applied to a display portion 5104, a steering wheel 5105, a shift lever 5106, a seat 5107, an inner rear view mirror 5108, etc. inside an automobile shown in FIG. 6B. In addition, you may apply to a part of glass window.

以上のようにして、本発明の一態様である発光装置や表示装置を適用した電子機器や自動車を得ることができる。なお、その場合には、長寿命な電子機器を実現できる。なお、適用できる電子機器や自動車は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野において適用することが可能である。As described above, electronic devices and automobiles to which the light-emitting device or the display device of one embodiment of the present invention is applied can be obtained. In that case, an electronic device with a long life can be realized. Note that applicable electronic devices and automobiles are not limited to those shown in the present embodiment, and can be applied in all fields.

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。Note that the structure described in this embodiment can be combined with any of the structures described in other embodiments as appropriate.

(実施の形態6)
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光素子を適用して作製される照明装置の構成について図7を用いて説明する。
(Embodiment 6)
In this embodiment, a structure of a lighting device manufactured using a light-emitting device that is one embodiment of the present invention or a light-emitting element that is part of the device will be described with reference to FIGS.

図7(A)、(B)は、照明装置の断面図の一例を示す。なお、図7(A)は基板側に光を取り出すボトムエミッション型の照明装置であり、図7(B)は、封止基板側に光を取り出すトップエミッション型の照明装置である。FIGS. 7A and 7B show examples of cross-sectional views of lighting devices. Note that FIG. 7A shows a bottom emission type lighting device in which light is extracted to the substrate side, and FIG. 7B shows a top emission type lighting device in which light is extracted to the sealing substrate side.

図7(A)に示す照明装置4000は、基板4001上に発光素子4002を有する。また、基板4001の外側に凹凸を有する基板4003を有する。発光素子4002は、第1の電極4004と、EL層4005と、第2の電極4006を有する。A lighting device 4000 illustrated in FIG. 7A has a light-emitting element 4002 over a substrate 4001 . In addition, a substrate 4003 having unevenness is provided outside the substrate 4001 . A light emitting element 4002 has a first electrode 4004 , an EL layer 4005 and a second electrode 4006 .

第1の電極4004は、電極4007と電気的に接続され、第2の電極4006は電極4008と電気的に接続される。また、第1の電極4004と電気的に接続される補助配線4009を設けてもよい。なお、補助配線4009上には、絶縁層4010が形成されている。The first electrode 4004 is electrically connected with the electrode 4007 and the second electrode 4006 is electrically connected with the electrode 4008 . Further, an auxiliary wiring 4009 electrically connected to the first electrode 4004 may be provided. Note that an insulating layer 4010 is formed on the auxiliary wiring 4009 .

また、基板4001と封止基板4011は、シール材4012で接着されている。また、封止基板4011と発光素子4002の間には、乾燥剤4013が設けられていることが好ましい。なお、基板4003は、図7(A)のような凹凸を有するため、発光素子4002で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。Also, the substrate 4001 and the sealing substrate 4011 are bonded with a sealing material 4012 . A desiccant 4013 is preferably provided between the sealing substrate 4011 and the light emitting element 4002 . Note that since the substrate 4003 has unevenness as shown in FIG. 7A, the extraction efficiency of light generated in the light emitting element 4002 can be improved.

図7(B)の照明装置4200は、基板4201上に発光素子4202を有する。発光素子4202は第1の電極4204と、EL層4205と、第2の電極4206とを有する。A lighting device 4200 in FIG. 7B has a light-emitting element 4202 over a substrate 4201 . A light emitting element 4202 has a first electrode 4204 , an EL layer 4205 and a second electrode 4206 .

第1の電極4204は、電極4207と電気的に接続され、第2の電極4206は電極4208と電気的に接続される。また第2の電極4206と電気的に接続される補助配線4209を設けてもよい。また、補助配線4209の下部に、絶縁層4210を設けてもよい。First electrode 4204 is electrically connected to electrode 4207 and second electrode 4206 is electrically connected to electrode 4208 . Further, an auxiliary wiring 4209 electrically connected to the second electrode 4206 may be provided. Further, an insulating layer 4210 may be provided under the auxiliary wiring 4209 .

基板4201と凹凸のある封止基板4211は、シール材4212で接着されている。また、封止基板4211と発光素子4202の間にバリア膜4213および平坦化膜4214を設けてもよい。なお、封止基板4211は、図7(B)のような凹凸を有するため、発光素子4202で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。A substrate 4201 and an uneven sealing substrate 4211 are bonded with a sealing material 4212 . A barrier film 4213 and a planarization film 4214 may be provided between the sealing substrate 4211 and the light emitting element 4202 . Note that since the sealing substrate 4211 has unevenness as shown in FIG. 7B, the extraction efficiency of light generated in the light emitting element 4202 can be improved.

また、これらの照明装置の応用例としては、室内の照明用であるシーリングライトが挙げられる。シーリングライトには、天井直付型や天井埋め込み型等がある。なお、このような照明装置は、発光装置を筐体やカバーと組み合わせることにより構成される。Further, as an application example of these lighting devices, there is a ceiling light for indoor lighting. Ceiling lights include a type directly attached to the ceiling, a type embedded in the ceiling, and the like. Note that such a lighting device is configured by combining a light emitting device with a housing or a cover.

その他にも床面に灯りを照射し、足元の安全性を高めることができる足元灯などへの応用も可能である。足元灯は、例えば、寝室や階段や通路などに使用するのが有効である。その場合、部屋の広さや構造に応じて適宜サイズや形状を変えることができる。また、発光装置と支持台とを組み合わせて構成される据え置き型の照明装置とすることも可能である。In addition, it can be applied to a foot light or the like that can improve the safety of the foot by irradiating the floor with light. Footlights are useful, for example, for use in bedrooms, stairs, corridors, and the like. In that case, the size and shape can be appropriately changed according to the size and structure of the room. In addition, a stationary lighting device configured by combining a light emitting device and a support base is also possible.

また、シート状の照明装置(シート状照明)として応用することも可能である。シート状照明は、壁面に張り付けて使用するため、場所を取らず幅広い用途に用いることができる。なお、大面積化も容易である。なお、曲面を有する壁面や筐体に用いることもできる。Moreover, it is also possible to apply it as a sheet-shaped illuminating device (sheet-shaped illumination). Since the sheet-like lighting is used by attaching it to a wall surface, it does not take up much space and can be used for a wide range of purposes. In addition, it is easy to increase the area. In addition, it can also be used for walls and housings having curved surfaces.

なお、上記以外にも室内に備えられた家具の一部に本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光素子を適用し、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。In addition to the above, a lighting device having a function as furniture can be obtained by applying the light-emitting device of one embodiment of the present invention or a light-emitting element that is part of the furniture to a part of furniture provided in a room. can be done.

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。As described above, various lighting devices to which the light-emitting device is applied can be obtained. Note that these lighting devices are included in one embodiment of the present invention.

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。Further, the structure described in this embodiment can be combined with any of the structures described in other embodiments as appropriate.

≪合成例1≫
本実施例では、実施の形態1の構造式(100)で表される本発明の一態様である有機金属錯体、ビス{2-[6-(4-シアノ-2,6-ジメチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}(2,4-ペンタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppm-dmCP)(acac)])の合成方法について説明する。なお、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]の構造を以下に示す。
<<Synthesis Example 1>>
In this example, an organometallic complex, bis{2-[6-(4-cyano-2,6-dimethylphenyl)- Synthesis of 4 -pyrimidinyl-κN ]phenyl-κC}(2,4-pentanedionato-κO,O′)iridium (III) (abbreviation: [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)]) is described. do. The structure of [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] is shown below.

Figure 0007275042000023
Figure 0007275042000023

<ステップ1:3,5-ジメチル-4-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゾニトリルの合成>
4-ブロモ-3,5-ジメチルベンゾニトリル10.06g、ビス(ピナコラート)ジボロン18.35g、酢酸カリウム21.73g、ジメチルスルホキシド240mLを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、[1,1’-ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリドジクロロメタン付加物(略称:Pd(dppf)Cl・CHCl)0.59g、2-ジシクロヘキシルホスフィノ-2’,6’-ジメトキシビフェニル(略称:S-Phos)0.59gを加え、100℃で32時間半撹拌した。所定時間経過後、トルエンによる抽出を行った。その後、ヘキサン:酢酸エチル=10:1を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物を得た(白色固体、収量5.89g、収率48%)。ステップ1の合成スキームを下記式(a-1)に示す。
<Step 1: Synthesis of 3,5-dimethyl-4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)benzonitrile>
10.06 g of 4-bromo-3,5-dimethylbenzonitrile, 18.35 g of bis(pinacolato)diboron, 21.73 g of potassium acetate, and 240 mL of dimethylsulfoxide were placed in a three-necked flask equipped with a reflux tube, and the inside was replaced with nitrogen. . After degassing by stirring the inside of the flask under reduced pressure, [1,1′-bis(diphenylphosphino)ferrocene]palladium(II) dichloride dichloromethane adduct (abbreviation: Pd(dppf)Cl 2 CH 2 Cl 2 ) 0.59 g and 0.59 g of 2-dicyclohexylphosphino-2′,6′-dimethoxybiphenyl (abbreviation: S-Phos) were added and stirred at 100° C. for 32.5 hours. After a predetermined period of time, extraction with toluene was performed. Thereafter, the product was purified by silica gel column chromatography using hexane:ethyl acetate=10:1 as a developing solvent to obtain the desired product (white solid, yield: 5.89 g, yield: 48%). The synthesis scheme of step 1 is shown in formula (a-1) below.

Figure 0007275042000024
Figure 0007275042000024

<ステップ2:4-(4-シアノ-2,6-ジメチルフェニル)-6-フェニルピリミジン(略称:Hppm-dmCP)の合成>
次に、4-クロロ-6-フェニルピリミジン0.74g、上記ステップ1で得られた、3,5-ジメチル-4-(4,4,5,5-テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゾニトリル1.28g、リン酸三カリウム3.23g、トルエン43mL、水4.3mLを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。
<Step 2: Synthesis of 4-(4-cyano-2,6-dimethylphenyl)-6-phenylpyrimidine (abbreviation: Hppm-dmCP)>
Then 0.74 g of 4-chloro-6-phenylpyrimidine, 3,5-dimethyl-4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, obtained in step 1 above -2-yl)benzonitrile 1.28 g, tripotassium phosphate 3.23 g, toluene 43 mL, and water 4.3 mL were placed in a three-necked flask equipped with a reflux tube, and the inside was replaced with nitrogen.

フラスコ内を減圧下で撹拌して脱気した後、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(略称:Pd(dba))0.094g、トリス(2,6-ジメトキシフェニル)ホスフィン(略称:P(2,6MeOPh))0.19gを加え、110℃で23時間撹拌した。所定時間経過後、トルエンによる抽出を行った。その後、ヘキサン:酢酸エチル=5:1を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体、Hppm-dmCPを得た(白色固体、収量0.97g、収率88%)。ステップ2の合成スキームを下記式(a-2)に示す。After deaeration by stirring the inside of the flask under reduced pressure, 0.094 g of tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) (abbreviation: Pd 2 (dba) 3 ), tris(2,6-dimethoxyphenyl)phosphine ( Abbreviations: 0.19 g of P(2,6MeOPh) 3 ) was added and stirred at 110° C. for 23 hours. After a predetermined period of time, extraction with toluene was performed. Thereafter, purification was performed by silica gel column chromatography using hexane:ethyl acetate=5:1 as a developing solvent to obtain the desired pyrimidine derivative, Hppm-dmCP (white solid, yield: 0.97 g, yield: 88%). The synthesis scheme of step 2 is shown in formula (a-2) below.

Figure 0007275042000025
Figure 0007275042000025

<ステップ3:ジ-μ-クロロ-テトラキス{2-[6-(4-シアノ-2,6-ジメチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}ジイリジウム(III)(略称:[Ir(ppm-dmCP)Cl])の合成>
次に、2-エトキシエタノール15mLと水5mL、上記ステップ2で得たHppm-dmCP1.60g、塩化イリジウム水和物(IrCl・HO)(フルヤ金属社製)0.81gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を3時間照射し、反応させた。所定時間経過後、得られた残渣をメタノールで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体[Ir(ppm-dmCP)Cl]を得た(橙色固体、収量1.45g、収率67%)。ステップ3の合成スキームを下記式(a-3)に示す。
<Step 3: Di-μ-chloro-tetrakis{2-[6-(4-cyano-2,6-dimethylphenyl)-4-pyrimidinyl- κN ]phenyl-κC} diiridium (III) (abbreviation: [ Synthesis of Ir(ppm-dmCP) 2 Cl] 2 )>
Next, 15 mL of 2-ethoxyethanol, 5 mL of water, 1.60 g of Hppm-dmCP obtained in step 2 above, and 0.81 g of iridium chloride hydrate (IrCl 3 ·H 2 O) (manufactured by Furuya Metal Co., Ltd.) were added to a reflux tube. was placed in an eggplant flask fitted with , and the inside of the flask was replaced with argon. Then, it was irradiated with microwaves (2.45 GHz, 100 W) for 3 hours to react. After a predetermined period of time, the resulting residue was suction filtered and washed with methanol to obtain a binuclear complex [Ir(ppm-dmCP) 2 Cl] 2 (orange solid, yield 1.45 g, yield 67%). The synthesis scheme of step 3 is shown in formula (a-3) below.

Figure 0007275042000026
Figure 0007275042000026

<ステップ4:[Ir(ppm-dmCP)(acac)]の合成>
2-エトキシエタノール20mL、上記ステップ3で得た複核錯体、[Ir(ppm-dmCP)Cl] 1.44g、アセチルアセトン(略称:Hacac)0.41g、炭酸ナトリウム0.93gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を4時間照射した。得られた残渣を、ジクロロメタンで吸引ろ過した後、濾液を濃縮した。得られた固体を、ヘキサン:酢酸エチル=2:1を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、ジクロロメタンとメタノールの混合溶媒にて再結晶することにより、有機金属錯体、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]を黄橙色粉末として得た(収量0.19g、収率7%)。得られた黄橙色粉末0.19gを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力2.7Pa、アルゴンガスを流量11mL/minで流しながら、355℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄橙色固体を収量0.092g、収率48%で得た。ステップ4の合成スキームを下記式(a-4)に示す。
<Step 4: Synthesis of [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)]>
20 mL of 2-ethoxyethanol, 1.44 g of the binuclear complex obtained in step 3 above, [Ir(ppm-dmCP) 2 Cl] 2 , 0.41 g of acetylacetone (abbreviation: Hacac), and 0.93 g of sodium carbonate were passed through the reflux tube. The mixture was placed in an eggplant flask equipped with a vacuum cleaner, and the inside of the flask was replaced with argon. After that, it was irradiated with microwaves (2.45 GHz, 100 W) for 4 hours. The obtained residue was suction-filtered with dichloromethane, and the filtrate was concentrated. The resulting solid was purified by silica gel column chromatography using hexane:ethyl acetate = 2:1 as a developing solvent, and then recrystallized with a mixed solvent of dichloromethane and methanol to give an organometallic complex, [Ir (ppm -dmCP) 2 (acac)] was obtained as a yellow-orange powder (0.19 g, 7% yield). 0.19 g of the obtained yellow-orange powder was purified by sublimation by the train sublimation method. The conditions for sublimation purification were that the solid was heated at 355° C. while flowing argon gas at a pressure of 2.7 Pa and a flow rate of 11 mL/min. After purification by sublimation, 0.092 g of the target yellow-orange solid was obtained at a yield of 48%. The synthesis scheme of step 4 is shown in formula (a-4) below.

Figure 0007275042000027
Figure 0007275042000027

上記ステップ4で得られた黄橙色固体の核磁気共鳴分光法(H-NMR)による分析結果を下記に示す。また、H-NMRチャートを図8に示す。この結果から、本実施例において、上述の構造式(100)で表される有機金属錯体、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]が得られたことがわかった。Analysis results by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) of the yellow-orange solid obtained in step 4 above are shown below. Also, a 1 H-NMR chart is shown in FIG. From this result, it was found that the organometallic complex [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] represented by the above structural formula (100) was obtained in this example.

H-NMR.δ(CDCl):1.86(s,6H),2.29(s,12H),5.36(s,1H),6.44(d,2H),6.86(t,2H),6.91(t,2H),7.52(s,4H),7.66(d,2H),7.68(s,2H),9.25(s,2H). 1 H-NMR. δ(CDCl 3 ): 1.86 (s, 6H), 2.29 (s, 12H), 5.36 (s, 1H), 6.44 (d, 2H), 6.86 (t, 2H) , 6.91 (t, 2H), 7.52 (s, 4H), 7.66 (d, 2H), 7.68 (s, 2H), 9.25 (s, 2H).

次に、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(以下、単に「吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。Next, the ultraviolet-visible absorption spectrum (hereinafter simply referred to as "absorption spectrum") and emission spectrum of a dichloromethane solution of [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] were measured.

吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、ジクロロメタン溶液(0.011mmol/L)を石英セルに入れ、室温で測定を行った。また、発光スペクトルの測定には、絶対PL量子収率測定装置((株)浜松ホトニクス製 C11347-01)を用い、窒素雰囲気下でジクロロメタン脱酸素溶液(0.011mmol/L)を石英セルに入れ、密栓し、室温で測定を行った。An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used to measure the absorption spectrum. In addition, an absolute PL quantum yield measurement device (C11347-01, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) was used to measure the emission spectrum, and a dichloromethane deoxygenated solution (0.011 mmol/L) was placed in a quartz cell under a nitrogen atmosphere. , was sealed and measurements were made at room temperature.

得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図9に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図9における細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示す。なお、図9に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液(0.011mmol/L)を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示す。FIG. 9 shows the measurement results of the obtained absorption spectrum and emission spectrum. The horizontal axis represents wavelength, and the vertical axis represents absorption intensity and emission intensity. In addition, the thin solid line in FIG. 9 indicates the absorption spectrum, and the thick solid line indicates the emission spectrum. The absorption spectrum shown in FIG. 9 is obtained by subtracting the absorption spectrum measured by putting only dichloromethane in a quartz cell from the absorption spectrum measured by putting a dichloromethane solution (0.011 mmol/L) in a quartz cell.

図9の結果より、本発明の一態様である有機金属錯体、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]は、571nmに発光ピークを示し、ジクロロメタン溶液からは黄色の発光が観測された。From the results in FIG. 9, the organometallic complex [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)], which is one embodiment of the present invention, exhibited an emission peak at 571 nm, and yellow light emission was observed from the dichloromethane solution.

本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、実施例1で説明したビス{2-[6-(4-シアノ-2,6-ジメチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}(2,4-ペンタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppm-dmCP)(acac)])(構造式(100))を発光層に用いた発光素子1、および比較のための発光素子として、ビス{2-[6-(2,6-ジメチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}(2,4-ペンタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppm-dmp)(acac)])(構造式(200))を発光層に用いた比較発光素子2について、素子構造、作製方法およびその特性について説明する。なお、本実施例で用いる発光素子の素子構造を図10に示し、具体的な構成について表1に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。In this example, bis{2-[6-(4-cyano-2,6-dimethylphenyl)-4-pyrimidinyl-κN 3 ]phenyl described in Example 1 was used as a light-emitting element that is one embodiment of the present invention. -κC}(2,4-pentanedionato-κO,O′)iridium (III) (abbreviation: [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)]) (structural formula (100)) was used for the light-emitting layer. Bis{2-[6-(2,6-dimethylphenyl)-4-pyrimidinyl- κN ]phenyl-κC}(2,4-pentanedionato-κO , O′) iridium (III) (abbreviation: [Ir(ppm-dmp) 2 (acac)]) (structural formula (200)) for the light-emitting layer. Describe the characteristics. Note that FIG. 10 shows an element structure of a light-emitting element used in this example, and Table 1 shows a specific structure. Chemical formulas of materials used in this example are shown below.

Figure 0007275042000028
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Figure 0007275042000029
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≪発光素子の作製≫
本実施例で示す発光素子は、図10に示すように基板900上に形成された第1の電極901上に正孔注入層911、正孔輸送層912、発光層913、電子輸送層914、電子注入層915が順次積層され、電子注入層915上に第2の電極903が積層された構造を有する。
<<Fabrication of light-emitting element>>
In the light-emitting element shown in this example, a hole-injection layer 911, a hole-transport layer 912, a light-emitting layer 913, an electron-transport layer 914, and It has a structure in which electron injection layers 915 are sequentially stacked and a second electrode 903 is stacked on the electron injection layers 915 .

まず、基板900上に第1の電極901を形成した。電極面積は、4mm(2mm×2mm)とした。また、基板900には、ガラス基板を用いた。また、第1の電極901は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物(ITSO)をスパッタリング法により、70nmの膜厚で成膜して形成した。First, a first electrode 901 was formed over a substrate 900 . The electrode area was 4 mm 2 (2 mm×2 mm). A glass substrate was used as the substrate 900 . The first electrode 901 was formed by sputtering indium tin oxide containing silicon oxide (ITSO) to a thickness of 70 nm.

ここで、前処理として、基板の表面を水で洗浄し、200℃で1時間焼成した後、UVオゾン処理を370秒行った。その後、10-4Pa程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、170℃で30分間の真空焼成を行った後、基板を30分程度放冷した。Here, as a pretreatment, the surface of the substrate was washed with water, baked at 200° C. for 1 hour, and then subjected to UV ozone treatment for 370 seconds. After that, the substrate was introduced into a vacuum deposition apparatus whose interior was evacuated to about 10 −4 Pa, vacuum baked at 170° C. for 30 minutes in a heating chamber in the vacuum deposition apparatus, and then exposed to heat for about 30 minutes. chilled.

次に、第1の電極901上に正孔注入層911を形成した。正孔注入層911は、真空蒸着装置内を10-4Paに減圧した後、4,4’,4’’-(ベンゼン-1,3,5-トリイル)トリ(ジベンゾチオフェン)(略称:DBT3P-II)と酸化モリブデンとを、DBT3P-II:酸化モリブデン=2:1(質量比)とし、膜厚が55nmとなるように共蒸着して形成した。Next, a hole-injection layer 911 was formed over the first electrode 901 . The hole injection layer 911 is formed by reducing the pressure in the vacuum deposition apparatus to 10 −4 Pa, and then applying 4,4′,4″-(benzene-1,3,5-triyl)tri(dibenzothiophene) (abbreviation: DBT3P). -II) and molybdenum oxide were formed by co-evaporating DBT3P-II:molybdenum oxide=2:1 (mass ratio) so that the film thickness would be 55 nm.

次に、正孔注入層911上に正孔輸送層912を形成した。正孔輸送層912は、4-フェニル-4’-(9-フェニルフルオレン-9-イル)トリフェニルアミン(略称:BPAFLP)を用い、膜厚が20nmになるように蒸着して形成した。Next, a hole-transport layer 912 was formed over the hole-injection layer 911 . The hole transport layer 912 was formed using 4-phenyl-4'-(9-phenylfluoren-9-yl)triphenylamine (abbreviation: BPAFLP) by evaporation to a thickness of 20 nm.

次に、正孔輸送層912上に発光層913を形成した。Next, a light-emitting layer 913 was formed over the hole-transport layer 912 .

発光素子1の場合の発光層913は、ホスト材料として、2mDBTBPDBq-IIを用い、アシスト材料としてPCBBiF、ゲスト材料(燐光材料)として、本発明の一態様である有機金属錯体、ビス{2-[6-(4-シアノ-2,6-ジメチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}(2,4-ペンタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppm-dmCP)(acac)])(構造式:100)を用い、重量比が2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(ppm-dmCP)(acac)]=0.75:0.25:0.075となるように共蒸着した。なお、膜厚は、40nmとした。In the light-emitting layer 913 of the light-emitting element 1, 2mDBTBPDBq-II is used as a host material, PCBBiF is used as an assist material, and bis{2-[ 6-(4-cyano-2,6-dimethylphenyl)-4-pyrimidinyl-κN ] phenyl-κC}(2,4-pentanedionato-κO,O′)iridium (III) (abbreviation: [Ir( ppm-dmCP) 2 (acac)]) (structural formula: 100) with a weight ratio of 2 mDBTBPDBq-II: PCBBiF: [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] = 0.75:0.25:0 It was co-evaporated so as to be 0.075. In addition, the film thickness was set to 40 nm.

比較発光素子2の場合の発光層913は、ホスト材料として、2mDBTBPDBq-IIを用い、アシスト材料としてPCBBiF、ゲスト材料(燐光材料)として、ビス{2-[6-(2,6-ジメチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}(2,4-ペンタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(ppm-dmp)(acac)])を用い、重量比が2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(ppm-dmp)(acac)]=0.75:0.25:0.075となるように共蒸着した。なお、膜厚は、40nmとした。The light-emitting layer 913 of the comparative light-emitting element 2 uses 2mDBTBPDBq-II as the host material, PCBBiF as the assist material, and bis{2-[6-(2,6-dimethylphenyl) as the guest material (phosphorescent material). -4-pyrimidinyl- κN ]phenyl-κC}(2,4-pentanedionato-κO,O′)iridium (III) (abbreviation: [Ir(ppm-dmp) 2 (acac)]), weight They were co-deposited in a ratio of 2mDBTBPDBq-II:PCBBiF:[Ir(ppm-dmp) 2 (acac)]=0.75:0.25:0.075. In addition, the film thickness was set to 40 nm.

次に、発光層913上に電子輸送層914を形成した。電子輸送層914は、2mDBTBPDBq-IIの膜厚が20nm、2,9-ビス(ナフタレン-2-イル)-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(略称:NBphen)の膜厚が15nmとなるように順次蒸着して形成した。Next, an electron-transporting layer 914 was formed over the light-emitting layer 913 . In the electron-transporting layer 914, 2mDBTBPDBq-II has a thickness of 20 nm and 2,9-bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (abbreviation: NBphen) has a thickness of 15 nm. It was formed by sequentially vapor-depositing.

次に、電子輸送層914上に電子注入層915を形成した。電子注入層915は、フッ化リチウム(LiF)を用い、膜厚が1nmになるように蒸着して形成した。Next, an electron injection layer 915 was formed over the electron transport layer 914 . The electron injection layer 915 was formed by vapor deposition using lithium fluoride (LiF) to a thickness of 1 nm.

次に、電子注入層915上に第2の電極903を形成した。第2の電極903は、アルミニウムを蒸着法により、膜厚が200nmとなるように形成した。なお、本実施例において、第2の電極903は、陰極として機能する。Next, a second electrode 903 was formed over the electron injection layer 915 . The second electrode 903 was formed by vapor deposition of aluminum so as to have a thickness of 200 nm. Note that the second electrode 903 functions as a cathode in this embodiment.

以上の工程により、基板900上に一対の電極間にEL層902を挟んでなる発光素子を形成した。なお、上記工程で説明した正孔注入層911、正孔輸送層912、発光層913、電子輸送層914、電子注入層915は、本発明の一態様におけるEL層を構成する機能層である。また、上述した作製方法における蒸着工程では、全て抵抗加熱法による蒸着法を用いた。Through the above steps, a light-emitting element having the EL layer 902 interposed between a pair of electrodes was formed over the substrate 900 . Note that the hole-injection layer 911, the hole-transport layer 912, the light-emitting layer 913, the electron-transport layer 914, and the electron-injection layer 915 described in the above steps are functional layers forming the EL layer in one embodiment of the present invention. In the vapor deposition process in the manufacturing method described above, a vapor deposition method using a resistance heating method was used in all cases.

また、上記に示すように作製した発光素子は、別の基板(図示せず)により封止される。なお、別の基板(図示せず)を用いた封止の際は、窒素雰囲気のグローブボックス内において、紫外光により固化するシール剤を塗布した別の基板(図示せず)を基板900上に固定し、基板900上に形成された発光素子の周囲にシール剤が付着するよう基板同士を接着させた。封止時には365nmの紫外光を6J/cm照射しシール剤を固化し、80℃にて1時間熱処理することによりシール剤を安定化させた。Further, the light-emitting device manufactured as described above is sealed with another substrate (not shown). When sealing using another substrate (not shown), another substrate (not shown) coated with a sealant that is cured by ultraviolet light is placed on the substrate 900 in a nitrogen atmosphere glove box. The substrates were fixed, and the substrates were adhered so that the sealing agent adhered around the light emitting element formed on the substrate 900 . At the time of sealing, ultraviolet light of 365 nm was irradiated at 6 J/cm 2 to solidify the sealant, and the sealant was stabilized by heat treatment at 80° C. for 1 hour.

≪発光素子の動作特性≫
作製した各発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温(25℃に保たれた雰囲気)で行った。また、結果を図11~図14に示す。
<<Operating characteristics of light-emitting element>>
The operating characteristics of each manufactured light-emitting device were measured. The measurement was performed at room temperature (atmosphere maintained at 25°C). 11 to 14 show the results.

以下の表2に1000cd/m付近における各発光素子の主な初期特性値を示す。Table 2 below shows main initial characteristic values of each light-emitting element near 1000 cd/m 2 .

Figure 0007275042000030
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上記結果から、発光素子1は、良好な素子特性を示すが、特に比較発光素子2に比べて高い外部量子効率が得られている。これは、発光素子1の発光層に本発明の一態様である有機金属錯体、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]を用いたことによる効果であると解することができる。From the above results, Light-Emitting Element 1 exhibits favorable device characteristics, and in particular, a higher external quantum efficiency than Comparative Light-Emitting Element 2 is obtained. This can be attributed to the use of the organometallic complex [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)], which is one embodiment of the present invention, for the light-emitting layer of the light-emitting element 1 .

すなわち、本発明の一態様である有機金属錯体、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]は、Irに配位したピリミジン環が、置換基としてシアノ基を有するフェニル基を少なくとも一つ有し、かつ、シアノ基を有するフェニル基がピリミジン環の6位に結合する構造を有するため、ピリミジン環の6位に結合したシアノ基を有するフェニル基に起因して、蒸着基板面に対する水平方向への分子の配向性が高まるため、光取り出し効率を向上させると考えられる。That is, in the organometallic complex [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] which is one embodiment of the present invention, the pyrimidine ring coordinated to Ir has at least one phenyl group having a cyano group as a substituent. And, since it has a structure in which a phenyl group having a cyano group is bonded to the 6-position of the pyrimidine ring, due to the phenyl group having a cyano group bonded to the 6-position of the pyrimidine ring, the horizontal direction with respect to the vapor deposition substrate surface It is thought that the light extraction efficiency is improved because the orientation of the molecules of is increased.

また、発光素子1および比較発光素子2に2.5mA/cmの電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図15に示す。図15において、発光素子1は、発光層913に含まれる有機金属錯体、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]の発光に由来して、574nm付近にピークを有する発光スペクトルを示す。また、比較発光素子2は、発光層913に含まれる有機金属錯体、[Ir(ppm-dmp)(acac)]の発光に由来して、559nm付近にピークを有する発光スペクトルを示す。なお、発光素子1は比較発光素子2に比べて極大発光波長が長波長方向にシフトしている。これは、発光素子1は、発光層913に含まれる有機金属錯体、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]において、配位子のピリミジン環が有するフェニル基が、置換基としてシアノ基を有することにより、配位子のLUMOが下がるためである。従って、極大発光波長を長波長方向にシフトさせ、赤色発光域に発光波長を調整したい場合に、本発明の一態様である有機金属錯体は好適であるといえる。Further, FIG. 15 shows emission spectra when a current was applied to the light-emitting element 1 and the comparative light-emitting element 2 at a current density of 2.5 mA/cm 2 . In FIG. 15, Light-Emitting Element 1 exhibits an emission spectrum with a peak near 574 nm, which is derived from light emitted from the organometallic complex [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] contained in the light-emitting layer 913 . Further, Comparative Light-Emitting Element 2 exhibits an emission spectrum having a peak near 559 nm, which is derived from light emitted from the organometallic complex [Ir(ppm-dmp) 2 (acac)] contained in the light-emitting layer 913 . Note that the maximum emission wavelength of the light-emitting element 1 is shifted in the longer wavelength direction than that of the comparative light-emitting element 2 . This is because, in the light-emitting element 1, in the organometallic complex [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] included in the light-emitting layer 913, the phenyl group of the pyrimidine ring of the ligand has a cyano group as a substituent. This is because the LUMO of the ligand is lowered by having it. Therefore, it can be said that the organometallic complex of one embodiment of the present invention is suitable for shifting the maximum emission wavelength to a longer wavelength and adjusting the emission wavelength to a red emission region.

次に、発光素子1および比較発光素子2に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図16に示す。図16において、縦軸は初期輝度を100%とした時の規格化輝度(%)を示し、横軸は素子の駆動時間(h)を示す。なお、信頼性試験は、電流密度を50mA/cmに設定し、発光素子を駆動させた。Next, a reliability test was performed on the light-emitting element 1 and the comparative light-emitting element 2. FIG. FIG. 16 shows the results of the reliability test. In FIG. 16, the vertical axis indicates the normalized luminance (%) when the initial luminance is 100%, and the horizontal axis indicates the driving time (h) of the device. Note that in the reliability test, the current density was set to 50 mA/cm 2 to drive the light emitting element.

信頼性試験の結果より、発光素子1は、比較発光素子2に比べて、高い信頼性を示すことが分かった。これは、本発明の一態様である有機金属錯体、[Ir(ppm-dmCP)(acac)](構造式(100))を発光素子1の発光層に用いたことによる効果といえる。なお、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]は、分子構造上、置換基としてシアノ基を有するため昇華温度が高いにもかかわらず、分解しにくく、耐熱性が高いという特徴を有する。従って、昇華精製による熱分解を問題とせず、高純度な[Ir(ppm-dmCP)(acac)]を用いることができるため、発光素子1の信頼性が向上したと言える。From the results of the reliability test, it was found that Light-Emitting Element 1 exhibited higher reliability than Comparative Light-Emitting Element 2. This can be said to be due to the use of the organometallic complex [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] (Structural Formula (100)), which is one embodiment of the present invention, for the light-emitting layer of Light-Emitting Element 1 . Note that [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] has a cyano group as a substituent in its molecular structure, so it has the characteristics of being resistant to decomposition and having high heat resistance, although it has a high sublimation temperature. Therefore, high-purity [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] can be used without thermal decomposition due to sublimation purification, so it can be said that the reliability of the light-emitting element 1 is improved.

また、発光素子1および比較発光素子2の発光層の蒸着時に蒸着チャンバー内で発生する脱離ガスについて分析するために、四重極型質量分析計(ULVAC社製、残留ガス分析計 Qulee BGM-202)を用いてチャンバー内部の被測定ガス中の質量電荷比に対応する特定ガスの圧力(検出分圧:Pa)を測定した。結果を図17に示す。なお、図17では、横軸に質量電荷比(m/z)、縦軸に質量電荷比に対応する特定ガスの圧力(検出分圧:Pa)を示す。また、図17中のB.G.は、各発光素子を蒸着する直前のチャンバー内部で測定されたガス中の質量電荷比に対応する特定ガスの圧力(検出分圧:Pa)を測定した結果である。この結果から、発光素子1の発光層に用いた、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]は、比較発光素子2の発光層に用いた、[Ir(ppm-dmp)(acac)]に比べて、昇華温度が高いにもかかわらず脱離ガス成分の検出が少なかった。このことから、[Ir(ppm-dmCP)(acac)]は、[Ir(ppm-dmp)(acac)]よりも熱分解しにくいことがいえる。つまり、本実施例で合成した有機金属錯体[Ir(ppm-dmCP)(acac)]は、シアノ基を置換基に含むことにより、昇華温度が高くなったにもかかわらず、熱分解しにくい(低分子量の分解物が生成しにくい)構造であることが確認された。In addition, a quadrupole mass spectrometer (manufactured by ULVAC, residual gas analyzer Qulee BGM-) was used to analyze the desorption gas generated in the vapor deposition chamber during vapor deposition of the light-emitting layers of Light-Emitting Element 1 and Comparative Light-Emitting Element 2. 202) was used to measure the pressure (detected partial pressure: Pa) of a specific gas corresponding to the mass-to-charge ratio in the measured gas inside the chamber. The results are shown in FIG. In FIG. 17, the horizontal axis indicates the mass-to-charge ratio (m/z), and the vertical axis indicates the pressure of the specific gas (detected partial pressure: Pa) corresponding to the mass-to-charge ratio. Also, B. in FIG. G. is the result of measuring the pressure of a specific gas (detected partial pressure: Pa) corresponding to the mass-to-charge ratio in the gas measured inside the chamber immediately before vapor deposition of each light-emitting element. From this result, [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] used in the light-emitting layer of Light-Emitting Element 1 is equivalent to [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac) ], less desorbed gas components were detected despite the high sublimation temperature. From this, it can be said that [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] is more difficult to thermally decompose than [Ir(ppm-dmp) 2 (acac)]. In other words, the organometallic complex [Ir(ppm-dmCP) 2 (acac)] synthesized in this example is difficult to thermally decompose even though the sublimation temperature is increased by including the cyano group in the substituent. It was confirmed to have a structure (that makes it difficult to generate low-molecular-weight decomposition products).

≪合成例2≫
本実施例では、実施の形態1の構造式(112)で表される本発明の一態様である有機金属錯体、ビス{4,6-ジメチル-2-[6-(5-シアノ-2-メチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(dmppm-m5CP)(dpm)])の合成方法について説明する。なお、[Ir(dmppm-m5CP)(dpm)]の構造を以下に示す。
<<Synthesis Example 2>>
In this example, an organometallic complex, bis{4,6-dimethyl-2-[6-(5-cyano-2- methylphenyl)-4-pyrimidinyl- κN ]phenyl-κC}(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato-κ 2 O,O′) iridium (III) (abbreviation: [Ir( A method for synthesizing dmpm-m5CP) 2 (dpm)]) will be described. The structure of [Ir(dmpm-m5CP) 2 (dpm)] is shown below.

Figure 0007275042000031
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<ステップ1:4-クロロ-6-(3,5-ジメチルフェニル)ピリミジンの合成>
4,6-ジクロロピリミジン8.97g、3,5-ジメチルフェニルボロン酸9.01g、2M炭酸ナトリウム水溶液95mL、エチレングリコールジメチルエーテル(略称:DME)360mLを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸パラジウム(II)(略称:Pd(OAc))0.67g、トリフェニルホスフィン(略称:PPh)1.61gを加え、110℃で11時間撹拌した。所定時間経過後、酢酸エチルによる抽出を行った。その後、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物を得た(黄白色固体、収量7.60g、収率58%)。ステップ1の合成スキームを下記式(b-1)に示す。
<Step 1: Synthesis of 4-chloro-6-(3,5-dimethylphenyl)pyrimidine>
8.97 g of 4,6-dichloropyrimidine, 9.01 g of 3,5-dimethylphenylboronic acid, 95 mL of 2M aqueous sodium carbonate solution, and 360 mL of ethylene glycol dimethyl ether (abbreviation: DME) were placed in a three-necked flask equipped with a reflux tube, and the inside was was replaced with nitrogen. After deaeration by stirring the inside of the flask under reduced pressure, 0.67 g of palladium (II) acetate (abbreviation: Pd(OAc) 2 ) and 1.61 g of triphenylphosphine (abbreviation: PPh 3 ) were added, and the temperature was 110°C. and stirred for 11 hours. After a predetermined period of time, extraction was performed with ethyl acetate. Thereafter, the product was purified by silica gel column chromatography using dichloromethane as a developing solvent to obtain the desired product (yellowish white solid, yield: 7.60 g, yield: 58%). The synthesis scheme of step 1 is shown in formula (b-1) below.

Figure 0007275042000032
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<ステップ2:4-(5-シアノ-2-メチルフェニル)-6-(3,5-ジメチルフェニル)ピリミジンの合成>
次に、上記ステップ1で得られた4-クロロ-6-(3,5-ジメチルフェニル)ピリミジン5.21g、5-シアノ-2-メチルフェニルボロン酸5.00g、リン酸三カリウム15.32g、トルエン240mL、水24mLを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。
<Step 2: Synthesis of 4-(5-cyano-2-methylphenyl)-6-(3,5-dimethylphenyl)pyrimidine>
Next, 5.21 g of 4-chloro-6-(3,5-dimethylphenyl)pyrimidine obtained in step 1 above, 5.00 g of 5-cyano-2-methylphenylboronic acid, and 15.32 g of tripotassium phosphate , 240 mL of toluene, and 24 mL of water were placed in a three-necked flask equipped with a reflux tube, and the inside was replaced with nitrogen.

フラスコ内を減圧下で撹拌して脱気した後、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(略称:Pd(dba))0.88g、トリス(2,6-ジメトキシフェニル)ホスフィン(略称:(2,6-MeOPh)P)1.68gを加え、110℃で65時間半撹拌した。所定時間経過後、トルエンによる抽出を行った。その後、ジクロロメタン:酢酸エチル=20:1を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体、Hdmppm-m5CPを得た(白色固体、収量4.31g、収率60%)。ステップ2の合成スキームを下記式(b-2)に示す。After deaeration by stirring the inside of the flask under reduced pressure, 0.88 g of tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) (abbreviation: Pd 2 (dba) 3 ), tris(2,6-dimethoxyphenyl)phosphine ( Abbreviation: (2,6-MeOPh) 3 P) (1.68 g) was added and stirred at 110° C. for 65 hours and a half. After a predetermined period of time, extraction with toluene was performed. After that, it was purified by silica gel column chromatography using dichloromethane:ethyl acetate=20:1 as a developing solvent to obtain the desired pyrimidine derivative, Hdmpm-m5CP (white solid, yield: 4.31 g, yield: 60%). The synthesis scheme of step 2 is shown in formula (b-2) below.

Figure 0007275042000033
Figure 0007275042000033

<ステップ3:ジ-μ-クロロ-テトラキス{4,6-ジメチル-2-[6-(5-シアノ-2-メチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}ジイリジウム(III)(略称:[Ir(dmppm-m5CP)Cl])の合成>
次に、2-エトキシエタノール30mLと水10mL、上記ステップ2で得たHdmppm-m5CP(略称)3.92g、塩化イリジウム水和物(IrCl・HO)(フルヤ金属社製)1.81gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を3時間半照射し、反応させた。所定時間経過後、得られた残渣をメタノールで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体[Ir(dmppm-m5CP)Cl]を得た(橙色固体、収量4.49g、収率91%)。また、ステップ3の合成スキームを下記式(b-3)に示す。
<Step 3: Di-μ-chloro-tetrakis{4,6-dimethyl-2-[6-(5-cyano-2-methylphenyl)-4-pyrimidinyl- κN ]phenyl-κC}diiridium (III) Synthesis of (Abbreviation: [Ir(dmpm-m5CP) 2 Cl] 2 )>
Next, 30 mL of 2-ethoxyethanol and 10 mL of water, 3.92 g of Hdmpm-m5CP (abbreviation) obtained in step 2 above, and 1.81 g of iridium chloride hydrate (IrCl 3 ·H 2 O) (manufactured by Furuya Metal Co., Ltd.) was placed in an eggplant flask equipped with a reflux tube, and the inside of the flask was replaced with argon. Then, it was irradiated with microwaves (2.45 GHz, 100 W) for 3 hours and a half to react. After a predetermined period of time, the resulting residue was suction filtered and washed with methanol to obtain a binuclear complex [Ir(dmpm-m5CP) 2 Cl] 2 (orange solid, yield 4.49 g, yield 91%). Also, the synthesis scheme of step 3 is shown in the following formula (b-3).

Figure 0007275042000034
Figure 0007275042000034

<ステップ4:ビス{4,6-ジメチル-2-[6-(5-シアノ-2-メチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(dmppm-m5CP)(dpm)]の合成>
次に、2-エトキシエタノール20mL、上記ステップ3で得た複核錯体、[Ir(dmppm-m5CP)Cl] 4.48g、ジピバロイルメタン(略称:Hdpm)1.51g、炭酸ナトリウム2.90gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。
<Step 4: Bis{4,6-dimethyl-2-[6-(5-cyano-2-methylphenyl)-4-pyrimidinyl- κN ]phenyl-κC}(2,2,6,6-tetramethyl Synthesis of -3,5-heptanedionato-κ 2 O,O′)iridium (III) (abbreviation: [Ir(dmpm-m5CP) 2 (dpm)]>
Next, 20 mL of 2-ethoxyethanol, the binuclear complex obtained in step 3 above, 4.48 g of [Ir(dmpm-m5CP) 2 Cl] 2 , dipivaloylmethane (abbreviation: Hdpm) 1.51 g, sodium carbonate 2 90 g was placed in an eggplant flask equipped with a reflux tube, and the inside of the flask was replaced with argon.

その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を6時間照射した。得られた残渣を、ジクロロメタンで吸引ろ過した後、濾液を濃縮した。得られた固体を、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、有機金属錯体、[Ir(dmppm-m5CP)(dpm)]を赤色固体として得た(収量0.028g、収率0.5%)。ステップ4の合成スキームを下記式(b-4)に示す。After that, it was irradiated with microwaves (2.45 GHz, 100 W) for 6 hours. The obtained residue was suction-filtered with dichloromethane, and the filtrate was concentrated. The resulting solid was purified by silica gel column chromatography using dichloromethane as a developing solvent to obtain the organometallic complex [Ir(dmpm-m5CP) 2 (dpm)] as a red solid (yield: 0.028 g, Yield 0.5%). The synthesis scheme of step 4 is shown in formula (b-4) below.

Figure 0007275042000035
Figure 0007275042000035

ステップ4で得られた赤色固体の核磁気共鳴分光法(H-NMR)による分析結果を下記に示す。また、H-NMRチャートを図18に示す。この結果から、本実施例において、上述の構造式(112)で表される有機金属錯体、[Ir(dmppm-m5CP)(dpm)]が得られたことがわかった。Analysis results of the red solid obtained in step 4 by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) are shown below. A 1 H-NMR chart is shown in FIG. From this result, it was found that the organometallic complex [Ir(dmpm-m5CP) 2 (dpm)] represented by the above structural formula (112) was obtained in this example.

H-NMR.δ(CDCl):0.89(s,18H),1.52(s,6H),2.29(s,6H),2.54(s,6H),5.62(s,1H),6.66(s,2H),7.48-7.52(m,4H),7.68(d,2H),7.86(d,4H),8.89(s,2H). 1 H-NMR. δ(CDCl 3 ): 0.89 (s, 18H), 1.52 (s, 6H), 2.29 (s, 6H), 2.54 (s, 6H), 5.62 (s, 1H) , 6.66 (s, 2H), 7.48-7.52 (m, 4H), 7.68 (d, 2H), 7.86 (d, 4H), 8.89 (s, 2H).

次に、[Ir(dmppm-m5CP)(dpm)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(以下、単に「吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。Next, the ultraviolet-visible absorption spectrum (hereinafter simply referred to as "absorption spectrum") and emission spectrum of a dichloromethane solution of [Ir(dmpm-m5CP) 2 (dpm)] were measured.

吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、ジクロロメタン溶液(0.010mmol/L)を石英セルに入れ、室温で測定を行った。また、発光スペクトルの測定には、絶対PL量子収率測定装置((株)浜松ホトニクス製 C11347-01)を用い、窒素雰囲気下でジクロロメタン脱酸素溶液(0.010mmol/L)を石英セルに入れ、密栓し、室温で測定を行った。An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used to measure the absorption spectrum, a dichloromethane solution (0.010 mmol/L) was placed in a quartz cell, and the measurement was performed at room temperature. In addition, an absolute PL quantum yield measurement device (C11347-01, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) was used to measure the emission spectrum, and a dichloromethane deoxygenated solution (0.010 mmol/L) was placed in a quartz cell under a nitrogen atmosphere. , was sealed and measurements were made at room temperature.

得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図19に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図19における細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示す。なお、図19に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液(0.010mmol/L)を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示す。FIG. 19 shows the measurement results of the obtained absorption spectrum and emission spectrum. The horizontal axis represents wavelength, and the vertical axis represents absorption intensity and emission intensity. In addition, the thin solid line in FIG. 19 indicates the absorption spectrum, and the thick solid line indicates the emission spectrum. The absorption spectrum shown in FIG. 19 is obtained by subtracting the absorption spectrum measured by putting only dichloromethane in a quartz cell from the absorption spectrum measured by putting a dichloromethane solution (0.010 mmol/L) in a quartz cell.

図19の結果より、本発明の一態様である有機金属錯体、[Ir(dmppm-m5CP)(dpm)]は、613nmに発光ピークを示し、ジクロロメタン溶液からは赤色の発光が観測された。From the results in FIG. 19, the organometallic complex [Ir(dmpm-m5CP) 2 (dpm)], which is one embodiment of the present invention, exhibited an emission peak at 613 nm, and red light emission was observed from the dichloromethane solution.

≪合成例3≫
本実施例では、実施の形態1の構造式(114)で表される本発明の一態様である有機金属錯体、ビス{4,6-ジメチル-2-[6-(2-シアノ-6-メチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(dmppm-m2CP)(dpm)])の合成方法について説明する。なお、[Ir(dmppm-m2CP)(dpm)]の構造を以下に示す。
<<Synthesis Example 3>>
In this example, an organometallic complex, bis{4,6-dimethyl-2-[6-(2-cyano-6- methylphenyl)-4-pyrimidinyl- κN ]phenyl-κC}(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato-κ 2 O,O′) iridium (III) (abbreviation: [Ir( A method for synthesizing dmppm-m2CP) 2 (dpm)]) will be described. The structure of [Ir(dmpm-m2CP) 2 (dpm)] is shown below.

Figure 0007275042000036
Figure 0007275042000036

<ステップ1:4-(2-シアノ-6-メチルフェニル)-6-(3,5-ジメチルフェニル)ピリミジンの合成>
4-クロロ-6-(3,5-ジメチルフェニル)ピリミジン2.18g、3-メチル-2-(テトラメチル-1,3,2-ジオキサボロラン-2-イル)ベンゾニトリル2.90g、リン酸三カリウム6.36g、トルエン100mL、水10mLを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。
<Step 1: Synthesis of 4-(2-cyano-6-methylphenyl)-6-(3,5-dimethylphenyl)pyrimidine>
4-chloro-6-(3,5-dimethylphenyl)pyrimidine 2.18 g, 3-methyl-2-(tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)benzonitrile 2.90 g, triphosphate 6.36 g of potassium, 100 mL of toluene, and 10 mL of water were placed in a three-necked flask equipped with a reflux tube, and the inside was replaced with nitrogen.

フラスコ内を減圧下で撹拌して脱気した後、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(0)(略称:Pd(dba))0.28g、トリス(2,6-ジメトキシフェニル)ホスフィン(略称:(2,6-MeOPh)P)0.54gを加え、110℃で17時間撹拌した。所定時間経過後、トルエンによる抽出を行った。その後、ヘキサン:酢酸エチル=2:1を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体、Hdmppm-m2CPを得た(白色固体、収量2.08g、収率70%)。ステップ1の合成スキームを下記式(c-1)に示す。After deaeration by stirring the flask under reduced pressure, tris (dibenzylideneacetone) dipalladium (0) (abbreviation: Pd 2 (dba) 3 ) 0.28 g, tris (2,6-dimethoxyphenyl) phosphine ( Abbreviation: (2,6-MeOPh) 3 P) (0.54 g) was added and stirred at 110° C. for 17 hours. After a predetermined period of time, extraction with toluene was performed. After that, it was purified by flash column chromatography using hexane:ethyl acetate=2:1 as a developing solvent to obtain the desired pyrimidine derivative, Hdmpm-m2CP (white solid, yield: 2.08 g, yield: 70%). The synthesis scheme of step 1 is shown in formula (c-1) below.

Figure 0007275042000037
Figure 0007275042000037

<ステップ2:ジ-μ-クロロ-テトラキス{4,6-ジメチル-2-[6-(2-シアノ-6-メチルフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}ジイリジウム(III)(略称:[Ir(dmppm-m2CP)Cl])の合成>
次に、2-エトキシエタノール30mLと水10mL、上記ステップ1で得たHdmppm-m2CP(略称)2.08g、塩化イリジウム水和物(IrCl・HO)(フルヤ金属社製)1.01gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を2時間照射し、反応させた。所定時間経過後、得られた残渣をメタノールで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体[Ir(dmppm-m2CP)Cl]を得た(赤茶色固体、収量1.88g、収率69%)。また、ステップ2の合成スキームを下記式(c-2)に示す。
<Step 2: Di-μ-chloro-tetrakis{4,6-dimethyl-2-[6-(2-cyano-6-methylphenyl)-4-pyrimidinyl- κN ]phenyl-κC}diiridium (III) Synthesis of (Abbreviation: [Ir(dmpm-m2CP) 2 Cl] 2 )>
Next, 30 mL of 2-ethoxyethanol and 10 mL of water, 2.08 g of Hdmpm-m2CP (abbreviation) obtained in step 1 above, and 1.01 g of iridium chloride hydrate (IrCl 3 ·H 2 O) (manufactured by Furuya Metal Co., Ltd.) was placed in an eggplant flask equipped with a reflux tube, and the inside of the flask was replaced with argon. Then, it was irradiated with microwaves (2.45 GHz, 100 W) for 2 hours to react. After a predetermined period of time, the resulting residue was suction filtered and washed with methanol to obtain a binuclear complex [Ir(dmpm-m2CP) 2 Cl] 2 (reddish brown solid, yield 1.88 g, yield 69%). Also, the synthesis scheme of step 2 is shown in the following formula (c-2).

Figure 0007275042000038
Figure 0007275042000038

<ステップ3:[Ir(dmppm-m2CP)(dpm)]の合成>
次に、2-エトキシエタノール30mL、上記ステップ2で得た複核錯体、[Ir(dmppm-m2CP)Cl] 1.86g、ジピバロイルメタン(略称:Hdpm)0.61g、炭酸ナトリウム1.18gを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波(2.45GHz 100W)を5時間照射した。得られた残渣を、ジクロロメタンで吸引ろ過した後、濾液を濃縮した。得られた固体を、ジクロロメタンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製することにより、有機金属錯体、[Ir(dmppm-m2CP)(dpm)]を赤色固体として得た(収量0.050g、収率2%)。ステップ3の合成スキームを下記式(c-3)に示す。
<Step 3: Synthesis of [Ir(dmpm-m2CP) 2 (dpm)]>
Next, 30 mL of 2-ethoxyethanol, the binuclear complex obtained in step 2 above, 1.86 g of [Ir(dmpm-m2CP) 2 Cl] 2 , dipivaloylmethane (abbreviation: Hdpm) 0.61 g, sodium carbonate 1 0.18 g was placed in an eggplant flask equipped with a reflux tube, and the inside of the flask was replaced with argon. Then, it was irradiated with microwaves (2.45 GHz, 100 W) for 5 hours. The obtained residue was suction-filtered with dichloromethane, and the filtrate was concentrated. The resulting solid was purified by silica gel column chromatography using dichloromethane as a developing solvent to obtain the organometallic complex [Ir(dmpm-m2CP) 2 (dpm)] as a red solid (yield: 0.050 g, 2% yield). The synthesis scheme of step 3 is shown in formula (c-3) below.

Figure 0007275042000039
Figure 0007275042000039

ステップ3で得られた赤色固体の核磁気共鳴分光法(H-NMR)による分析結果を下記に示す。また、H-NMRチャートを図20に示す。この結果から、本実施例において、上述の構造式(114)で表される有機金属錯体、[Ir(dmppm-m2CP)(dpm)]が得られたことがわかった。Analysis results of the red solid obtained in step 3 by nuclear magnetic resonance spectroscopy ( 1 H-NMR) are shown below. A 1 H-NMR chart is shown in FIG. From this result, it was found that the organometallic complex [Ir(dmpm-m2CP) 2 (dpm)] represented by the above structural formula (114) was obtained in this example.

H-NMR.δ(CDCl):0.92(s,18H),1.53(s,6H),2.27(s,6H),2.31(s,6H),5.65(s,1H),6.65(s,2H),7.48-7.51(m,4H),7.61(d,2H),7.70(d,2H),7.85(s,2H),8.97(s,2H). 1 H-NMR. δ(CDCl 3 ): 0.92 (s, 18H), 1.53 (s, 6H), 2.27 (s, 6H), 2.31 (s, 6H), 5.65 (s, 1H) , 6.65 (s, 2H), 7.48-7.51 (m, 4H), 7.61 (d, 2H), 7.70 (d, 2H), 7.85 (s, 2H), 8.97 (s, 2H).

次に、[Ir(dmppm-m2CP)(dpm)]のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル(以下、単に「吸収スペクトル」という)及び発光スペクトルを測定した。Next, the ultraviolet-visible absorption spectrum (hereinafter simply referred to as "absorption spectrum") and emission spectrum of a dichloromethane solution of [Ir(dmpm-m2CP) 2 (dpm)] were measured.

吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計((株)日本分光製 V550型)を用い、ジクロロメタン溶液(0.010mmol/L)を石英セルに入れ、室温で測定を行った。また、発光スペクトルの測定には、絶対PL量子収率測定装置((株)浜松ホトニクス製 C11347-01)を用い、窒素雰囲気下でジクロロメタン脱酸素溶液(0.010mmol/L)を石英セルに入れ、密栓し、室温で測定を行った。An ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by JASCO Corporation, model V550) was used to measure the absorption spectrum, a dichloromethane solution (0.010 mmol/L) was placed in a quartz cell, and the measurement was performed at room temperature. In addition, an absolute PL quantum yield measurement device (C11347-01, manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) was used to measure the emission spectrum, and a dichloromethane deoxygenated solution (0.010 mmol/L) was placed in a quartz cell under a nitrogen atmosphere. , was sealed and measurements were made at room temperature.

得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図21に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図21における細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示す。なお、図21に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液(0.010mmol/L)を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示す。FIG. 21 shows the measurement results of the obtained absorption spectrum and emission spectrum. The horizontal axis represents wavelength, and the vertical axis represents absorption intensity and emission intensity. In FIG. 21, thin solid lines indicate absorption spectra, and thick solid lines indicate emission spectra. The absorption spectrum shown in FIG. 21 is obtained by subtracting the absorption spectrum measured by putting only dichloromethane in a quartz cell from the absorption spectrum measured by putting a dichloromethane solution (0.010 mmol/L) in a quartz cell.

図21の結果より、本発明の一態様である有機金属錯体、[Ir(dmppm-m2CP)(dpm)]は、621nmに発光ピークを示し、ジクロロメタン溶液からは赤色の発光が観測された。From the results in FIG. 21, the organometallic complex [Ir(dmpm-m2CP) 2 (dpm)], which is one embodiment of the present invention, exhibited an emission peak at 621 nm, and red light emission was observed from the dichloromethane solution.

≪合成例4≫
本実施例では、実施の形態1の構造式(117)で表される本発明の一態様である有機金属錯体、ビス{4,6-ジメチル-2-[6-(2,6-ジシアノフェニル)-4-ピリミジニル-κN]フェニル-κC}(2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオナト-κO,O’)イリジウム(III)(略称:[Ir(dmppm-dCP)(dpm)])の合成方法について説明する。なお、[Ir(dmppm-dCP)(dpm)]の構造を以下に示す。
<<Synthesis Example 4>>
In this example, an organometallic complex, bis{4,6-dimethyl-2-[6-(2,6-dicyanophenyl), which is one embodiment of the present invention represented by Structural Formula (117) in Embodiment 1 )-4-pyrimidinyl- κN ]phenyl-κC}(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato-κO,O′)iridium (III) (abbreviation: [Ir(dmpm-dCP) 2 (dpm)]) will be described. The structure of [Ir(dmpm-dCP) 2 (dpm)] is shown below.

Figure 0007275042000040
Figure 0007275042000040

また、[Ir(dmppm-dCP)(dpm)]の合成方法を下記式(d-1)~下記式(d-4)の合成スキームに示す。Further, a method for synthesizing [Ir(dmpm-dCP) 2 (dpm)] is shown in the synthesis schemes of formulas (d-1) to (d-4) below.

Figure 0007275042000041
Figure 0007275042000041

Figure 0007275042000042
Figure 0007275042000042

Figure 0007275042000043
Figure 0007275042000043

Figure 0007275042000044
Figure 0007275042000044

101:第1の電極、102:第2の電極、103:EL層、103a、103b:EL層、104:電荷発生層、111、111a、111b:正孔注入層、112、112a、112b:正孔輸送層、113、113a、113b、113c:発光層、114、114a、114b:電子輸送層、115、115a、115b:電子注入層、200R、200G、200B:光学距離、201:第1の基板、202:トランジスタ(FET)、203R、203G、203B、203W:発光素子、204:EL層、205:第2の基板、206R、206G、206B:カラーフィルタ、206R’、206G’、206B’:カラーフィルタ、207:第1の電極、208:第2の電極、209:黒色層(ブラックマトリックス)、210R、210G:導電層、301:第1の基板、302:画素部、303:駆動回路部(ソース線駆動回路)、304a、304b:駆動回路部(ゲート線駆動回路)、305:シール材、306:第2の基板、307:引き回し配線、308:FPC、309:FET、310:FET、311:FET、312:FET、313:第1の電極、314:絶縁物、315:EL層、316:第2の電極、317:発光素子、318:空間、900:基板、901:第1の電極、902:EL層、903:第2の電極、911:正孔注入層、912:正孔輸送層、913:発光層、914:電子輸送層、915:電子注入層、4000:照明装置、4001:基板、4002:発光素子、4003:基板、4004:第1の電極、4005:EL層、4006:第2の電極、4007:電極、4008:電極、4009:補助配線、4010:絶縁層、4011:封止基板、4012:シール材、4013:乾燥剤、4015:拡散板、4200:照明装置、4201:基板、4202:発光素子、4204:第1の電極、4205:EL層、4206:第2の電極、4207:電極、4208:電極、4209:補助配線、4210:絶縁層、4211:封止基板、4212:シール材、4213:バリア膜、4214:平坦化膜、4215:拡散板、5101:ライト、5102:ホイール、5103:ドア、5104:表示部、5105:ハンドル、5106:シフトレバー、5107:座席シート、5108:インナーリアビューミラー、7000:筐体、7001:表示部、7002:第2表示部、7003:スピーカ、7004:LEDランプ、7005:操作キー、7006:接続端子、7007:センサ、7008:マイクロフォン、7009:スイッチ、7010:赤外線ポート、7011:記録媒体読込部、7012:支持部、7013:イヤホン、7014:アンテナ、7015:シャッターボタン、7016:受像部、7018:スタンド、7020:カメラ、7021:外部接続部、7022、7023:操作用ボタン、7024:接続端子、7025:バンド、、7026:マイクロフォン、7027:時刻を表すアイコン、7028:その他のアイコン、7029:センサ、7030:スピーカ、7052、7053、7054:情報、9310:携帯情報端末、9311:表示部、9312:表示領域、9313:ヒンジ、9315:筐体、101: first electrode, 102: second electrode, 103: EL layer, 103a, 103b: EL layer, 104: charge generation layer, 111, 111a, 111b: hole injection layer, 112, 112a, 112b: positive Hole transport layer 113, 113a, 113b, 113c: light emitting layer 114, 114a, 114b: electron transport layer 115, 115a, 115b: electron injection layer 200R, 200G, 200B: optical distance 201: first substrate 202: Transistor (FET) 203R, 203G, 203B, 203W: Light emitting element 204: EL layer 205: Second substrate 206R, 206G, 206B: Color filter 206R', 206G', 206B': Color Filter, 207: first electrode, 208: second electrode, 209: black layer (black matrix), 210R, 210G: conductive layer, 301: first substrate, 302: pixel section, 303: drive circuit section ( source line drive circuit), 304a, 304b: drive circuit portion (gate line drive circuit), 305: sealing material, 306: second substrate, 307: lead-out wiring, 308: FPC, 309: FET, 310: FET, 311 : FET 312: FET 313: first electrode 314: insulator 315: EL layer 316: second electrode 317: light emitting element 318: space 900: substrate 901: first electrode , 902: EL layer, 903: Second electrode, 911: Hole injection layer, 912: Hole transport layer, 913: Light emitting layer, 914: Electron transport layer, 915: Electron injection layer, 4000: Lighting device, 4001 : substrate 4002: light emitting element 4003: substrate 4004: first electrode 4005: EL layer 4006: second electrode 4007: electrode 4008: electrode 4009: auxiliary wiring 4010: insulating layer 4011 : Sealing substrate 4012: Sealing material 4013: Desiccant 4015: Diffusion plate 4200: Lighting device 4201: Substrate 4202: Light emitting element 4204: First electrode 4205: EL layer 4206: Second electrode, 4207: electrode, 4208: electrode, 4209: auxiliary wiring, 4210: insulating layer, 4211: sealing substrate, 4212: sealing material, 4213: barrier film, 4214: planarization film, 4215: diffusion plate, 5101: Light 5102: Wheel 5103: Door 5104: Display 5105: Handle 5106: Shift lever 5107: Seat 5108: Inner rear view mirror 7000: Housing 7001: Display 7002: Second display Part 7003: Speaker 7004: LED lamp 7005: Operation key 7006: Connection terminal 7007: Sensor 7008: Microphone 7009: Switch 7010: Infrared port 7011: Recording medium reading part 7012: Support part 7013: earphone 7014: antenna 7015: shutter button 7016: image receiving unit 7018: stand 7020: camera 7021: external connection unit 7022, 7023: operation button 7024: connection terminal 7025: band 7026: Microphone, 7027: Icon representing time, 7028: Other icons, 7029: Sensor, 7030: Speaker, 7052, 7053, 7054: Information, 9310: Personal digital assistant, 9311: Display unit, 9312: Display area, 9313 : hinge, 9315: housing,

Claims (13)

一般式(G1)で表される有機金属錯体。
Figure 0007275042000045

(一般式(G1)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。また、Lは、モノアニオン性の配位子を表す。また、nは、1乃至3の整数を表す。)
An organometallic complex represented by General Formula (G1).
Figure 0007275042000045

(In general formula (G1), R 1 to R 4 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, represents either a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. Each R 9 is independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. or an unsubstituted heteroaryl group or a cyano group, at least one of which is a cyano group, L is a monoanionic ligand, and n is 1 to 3 represents an integer.)
一般式(G1)で表される有機金属錯体。
Figure 0007275042000046

(一般式(G1)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表す。また、R~Rのいずれか一は、シアノ基を表す。また、Lは、モノアニオン性の配位子を表す。また、nは、1乃至3の整数を表す。)
An organometallic complex represented by General Formula (G1).
Figure 0007275042000046

(In general formula (G1), R 1 to R 4 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, represents either a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. Each R 9 is independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. or an unsubstituted heteroaryl group, or a cyano group, any one of R 6 to R 8 represents a cyano group, and L represents a monoanionic ligand. Also, n represents an integer of 1 to 3.)
請求項1または請求項2において、
前記モノアニオン性の配位子は、β-ジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、二つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子、またはシクロメタル化によりイリジウムと金属-炭素結合を形成する芳香族複素環二座配位子のいずれか一である有機金属錯体。
In claim 1 or claim 2,
The monoanionic ligand includes a monoanionic bidentate chelate ligand having a β-diketone structure, a monoanionic bidentate chelate ligand having a carboxyl group, and a monoanionic monoanionic ligand having a phenolic hydroxyl group. bidentate chelating ligands, monoanionic bidentate chelating ligands in which both coordinating atoms are nitrogen, or aromatic heterocyclic bidentate that form metal-carbon bonds with iridium by cyclometallation An organometallic complex that is either one of the ligands.
請求項1または請求項2において、
前記モノアニオン性の配位子は、下記一般式(L1)~(L8)のいずれか一である有機金属錯体。
Figure 0007275042000047

(式中、R71~R77およびR87~R131は、それぞれ独立に水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキルチオ基、または環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、A~Aは、それぞれ独立に窒素もしくは水素と結合するsp混成炭素、または置換基を有するsp混成炭素を表し、前記置換基は炭素数1~6のアルキル基、ハロゲン基、炭素数1~6のハロアルキル基、または置換もしくは無置換のフェニル基のいずれかを表す。)
In claim 1 or claim 2,
The monoanionic ligand is an organometallic complex represented by any one of the following general formulas (L1) to (L8).
Figure 0007275042000047

(Wherein, R 71 to R 77 and R 87 to R 131 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring , a halogen group, a vinyl group, a substituted or unsubstituted haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, or represents a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, and A 1 to A 3 each independently represents an sp 2- hybridized carbon bonded to nitrogen or hydrogen, or an sp having a substituent represents a dihydric carbon, and the substituent represents either an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a halogen group, a haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted phenyl group.)
一般式(G2)で表される有機金属錯体。
Figure 0007275042000048

(一般式(G2)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、シアノ基のいずれかを表し、少なくとも一は、シアノ基を表す。また、R71およびR73は、それぞれ独立に水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキルチオ基、または環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。)
An organometallic complex represented by General Formula (G2).
Figure 0007275042000048

(In the general formula (G2), R 1 to R 4 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, represents either a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring, and R 5 to R 9 is each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, a substituted or unsubstituted aryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring, represents either an unsubstituted heteroaryl group or a cyano group, at least one of which represents a cyano group, and R 71 and R 73 each independently form a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a ring; a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms, a halogen group, a vinyl group, a substituted or unsubstituted haloalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms , represents a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring.)
一般式(G2)で表される有機金属錯体。
Figure 0007275042000049

(一般式(G2)中、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、または環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基のいずれかを表す。また、R~Rは、それぞれ独立に、水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基、環を形成する炭素数が3~12の置換もしくは無置換のヘテロアリール基、またはシアノ基のいずれかを表す。また、R~Rのいずれか一は、シアノ基を表す。また、R71およびR73は、それぞれ独立に水素、炭素数1~6のアルキル基、環を形成する炭素数が5~7の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1~6のアルキルチオ基、または環を形成する炭素数が6~13の置換もしくは無置換のアリール基を表す。)
An organometallic complex represented by General Formula (G2).
Figure 0007275042000049

(In the general formula (G2), R 1 to R 4 are each independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, represents either a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. Each R 9 is independently hydrogen, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring, or a substituted group having 3 to 12 carbon atoms forming a ring. or an unsubstituted heteroaryl group, or a cyano group, any one of R 6 to R 8 represents a cyano group, and R 71 and R 73 each independently represent hydrogen, carbon 1 to 6 alkyl groups, substituted or unsubstituted cycloalkyl groups having 5 to 7 carbon atoms forming a ring, halogen groups, vinyl groups, substituted or unsubstituted haloalkyl groups having 1 to 6 carbon atoms, substituted or represents an unsubstituted alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkylthio group having 1 to 6 carbon atoms, or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 13 carbon atoms forming a ring.)
構造式(100)、構造式(112)、構造式(114)または構造式(117)で表される有機金属錯体。
Figure 0007275042000050

Figure 0007275042000051
An organometallic complex represented by Structural Formula (100) , Structural Formula (112), Structural Formula (114) or Structural Formula (117) .
Figure 0007275042000050

Figure 0007275042000051
請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載の有機金属錯体を用いた発光素子。 A light-emitting device using the organometallic complex according to claim 1 . 一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載の有機金属錯体を有する発光素子。
Having a light-emitting layer between a pair of electrodes,
8. A light-emitting device, wherein the light-emitting layer comprises the organometallic complex according to claim 1.
一対の電極間に発光層を有し、
前記発光層は、複数の有機化合物を有し、
前記複数の有機化合物のうち一は、請求項1乃至請求項7のいずれか一に記載の有機金属錯体である発光素子。
Having a light-emitting layer between a pair of electrodes,
The light emitting layer has a plurality of organic compounds,
8. A light-emitting device, wherein one of the plurality of organic compounds is the organometallic complex according to claim 1.
請求項8乃至請求項10のいずれか一に記載の発光素子と、トランジスタまたは基板と、を有する発光装置。 A light-emitting device comprising the light-emitting element according to claim 8 and a transistor or a substrate. 請求項11に記載の発光装置と、
マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部、または、スピーカと、を有する電子機器。
a light emitting device according to claim 11;
An electronic device having a microphone, a camera, operation buttons, an external connector, or a speaker.
請求項11に記載の発光装置と、
筐体、カバー、または、支持台と、を有する照明装置。

a light emitting device according to claim 11;
A lighting device having a housing, a cover, or a support base.

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