JP7269008B2 - 暗電流を低減した有機光検出器 - Google Patents

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Description

本発明は、光検出器として使用するための有機フォトダイオードに関する。本発明は、詳細には、電子受容体材料および電子供与材料を含む活性層を有する有機フォトダイオードに関するが、これに限定されるものではない。
フラーレン誘導体は、良好な電子受容体として作用し、高い電子移動度を示すので、有機バルクヘテロ接合太陽電池の最も一般的な電子受容体材料である。
本発明によるデバイスにおける逆バイアス下でのアノードまたは正孔輸送層(HTL)と受容体LUMOとの間のエネルギー準位オフセットを示すエネルギー準位図を示す。 本発明によるデバイス構造を示す。 4つの異なるフラーレン誘導体から製造されたポリマー:フラーレンブレンドから製造された4つの有機光検出器の暗電流密度-電圧曲線を示す。 4つの異なるフラーレン誘導体から製造されたポリマー:フラーレンブレンドから製造された-1V逆バイアス下の4つの有機光検出器の外部量子効率を示す。 -1V逆バイアス時の暗電流とフラーレンLUMO準位との相関を示す。
本発明によれば、請求項1に記載の有機光検出器が提供される。本発明の別の態様によれば、請求項2に記載の化合物の使用が提供される。
従来技術は、励起子の解離を制御し、開回路電圧を増加させる方法として、有機光起電性デバイス(OPV)における代替フラーレン誘導体の使用を記載している。
ここで本発明者らは、高い量子効率(対照サンプルの約90%)を維持しながら有機フォトダイオードの暗電流を低減するために同じフラーレン誘導体の使用を示す。その結果、検出器の比検出度(D*)が増加する。
フラーレン誘導体のLUMOエネルギー準位は、有機溶媒への溶解を可能にするために元々必要とされるフラーレン側鎖に大きく依存する。表1は、本実施形態で使用されるC60ベースのフラーレン誘導体およびそれらの対応するLUMO準位を示す。
Figure 0007269008000001
Figure 0007269008000002
使用時には、本明細書に記載の光検出器は、デバイスに逆バイアスを印加するための電圧源および光電流を測定するように構成されたデバイスに接続される。光検出器における高い暗電流は、検出可能な光入力信号を制限する。
暗電流を低減することにより、式1からわかるように、検出器の比検出度(D*)が増加する:
Figure 0007269008000003
式中、Rは[A/W]で表されるOPD応答度であり、qは電子電荷である。
有機フォトダイオード(OPD)における望ましくない暗電流に寄与する機構の1つは、ダイオードアノードから受容体LUMOへの電子注入である。この注入機構は、アノードの仕事関数(または正孔輸送層が存在する場合は正孔輸送層(HTL)中の正孔輸送材料のLUMO)と受容体LUMOとの間のエネルギー準位オフセットに強く依存する。(図1の機構1を参照)。
暗電流に寄与する別の機構は、受容体LUMOと供与体HOMOとの間のエネルギーギャップである(電荷輸送「CT状態」としても既知である)。このエネルギーギャップを超える熱の発生は暗電流を生じさせる。(図1の機構2参照)。
両方の機構は受容体LUMO準位に依存する。したがって、一般的に使用されるPCBMをLUMO準位が浅いフラーレン誘導体で置き換えることにより、デバイスの暗電流が低減される。本発明者らは、この注入機構が、アノードの仕事関数または正孔輸送層(HTL)のLUMO準位と受容体LUMOとの間のエネルギー準位オフセットに強く依存することを発見した(図1参照)。
図2は、暗電流に対するフラーレン誘導体の変動の影響を実証するために使用されたデバイス構造の一例を示す。ガラス基板(1)上に、銀または合金(2)の反射層が設けられている。この層の上に、ITO(3)の層を物理蒸着によって堆積させる。5nmの厚さのe-調整(modifier)層(4)をITO層の上に堆積させる。次いで、有機感光層(5)を溶液から構造上に堆積させる。この場合、厚さは350nmであり、スピンコーティングによって堆積されたが、他の堆積方法を代替として使用することができる。この溶液は、フラーレン誘導体2重量部に対して下記に記載されるように1重量部のポリマーを含んでいた。この溶液は3重量%の全固形分を有し、使用された溶媒は10%の安息香酸ベンジルを含む1,2,4トリメチルベンゼン90%であった。
本実施形態に使用される供与体(すなわち、p型)OSCは、下記に示す構造を有するポリマーである:
Figure 0007269008000004
使用されるp型OSCは、特に限定されず、当業者に既知であり、有機ポリマー、オリゴマーおよび低分子を含む文献に記載されている標準電子供与材料から適切に選択されてもよい。好ましい実施形態では、p型OSCは、有機共役ポリマーを含み、これは、ホモポリマーまたは交互、ランダムもしくはブロックコポリマーを含むコポリマーであることができる。非結晶または半結晶の共役有機ポリマーが好ましい。さらに好ましくは、p型有機半導体は、低バンドギャップ、典型的には2.5eVと1.5eVの間、好ましくは2.3eVと1.8eVとの間の共役有機ポリマーである。例示的なp型OSCポリマーとして、ポリアセン、ポリアニリン、ポリアズレン、ポリベンゾフラン、ポリフルオレン、ポリフラン、ポリインデノフルオレン、ポリインドール、ポリフェニレン、ポリピラゾリン、ポリピレン、ポリピリダジン、ポリピリジン、ポリトリアリールアミン、ポリ(フェニレンビニレン)、ポリ(3-置換チオフェン)、ポリ(3,4-二置換チオフェン)、ポリセレノフェン、ポリ(3-置換セレノフェン)、ポリ(3,4-二置換セレノフェン)、ポリ(ビスチオフェン)、ポリ(ターチオフェン)、ポリ(ビスセレノフェン)、ポリ(ターセレノフェン)、ポリチエノ[2,3-b]チオフェン、ポリチエノ[3,2-b]チオフェン、ポリベンゾチオフェン、ポリベンゾ[1,2-b:4,5-b’]ジチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリ(一置換ピロール)、ポリ(3,4-二置換ピロール)、ポリ-1,3,4-オキサジアゾール、ポリイソチアナフテン、それらの誘導体およびコポリマーを含む共役炭化水素または複素環式ポリマーから選択されるポリマーを挙げることができる。p型OSCの好ましい例は、ポリフルオレンとポリチオフェンとのコポリマー(それぞれが置換されてもよい)、ベンゾチアジアゾール系およびチオフェン系繰り返し単位を含むポリマー(それぞれが置換されてもよい)である。p型OSCはまた、複数の電子供与材料の混合物からなってもよいことが理解される。
代替の受容体化合物として、PCBMよりも浅いLUMO準位を有する他のフラーレン誘導体を使用することができる。いくつかの適切な材料が、米国特許第8,952,249号明細書およびKoositra et al.Org.Lett.[2007]volume 9,issue 4 pages 551-554に開示される。化合物はC60材料に限定されず、例えばC70、C84以上の誘導体および混合物を代替として使用することができる。
他の代替受容体化合物は、例えばIPHおよびICMAである。これらの材料の構造およびLUMO準位を以下に示す:
Figure 0007269008000005
フラーレンは、式(Ia)、(Ib)および(Ic)のフラーレンから選択されてもよい:
Figure 0007269008000006
式中、フラーレンがC60、C70、C76、C78、C84およびC96フラーレンから選択され;xは2であり;yは1または2であり;zは1または2であり;R~R15は、それぞれ独立して、Hまたは置換基である。
置換基R~R15は、独立して各出現時において、非置換であってもよくまたは1つ以上の置換基で置換されていてもよいアリールまたはヘテロアリール(フェニルであってもよい);分枝状、線状または環状C1-20アルキルからなる群から選択されてもよく;ここで1つ以上の非隣接、非末端C原子がO、S、COまたはCOOで置き換えられてもよく、1つ以上のH原子がFで置き換えられていてもよい。
アリールまたはヘテロアリールの置換基は、存在する場合には、C1-12アルキルから選択されてもよく、ここで1つ以上の非隣接、非末端C原子がO、S、COまたはCOOで置き換えられてもよく、1つ以上のH原子はFで置き換えられてもよい。
本明細書で使用される場合、アルキルの「非末端C原子」は、線状アルキルのメチル基または分枝状アルキルのメチル基を意味する。
好ましい受容体化合物は、式(Id)の化合物である:
Figure 0007269008000007
式中、Rは分枝状、線状または環状のC1-12アルキル基、好ましくは線状または分枝状C-Cアルキル(ブチル、ペンチル、ヘキシルまたはヘプチル)基である。
感光層(5)上に正孔注入層(HiL)(6)を堆積させた。この層は40nmの厚さであり、Plexcore CA2004(Solvay/Plextronics Inc.から市販されている)からなっていた。構造の上部に半透明アノード(7)を100nm以下の厚さで堆積させた。典型的には5~100nmである。実施形態では100nmを用いた。
本発明は、このデバイス構造または材料選択に限定されないことに留意する。
図3は、表1に記載された4つの異なるフラーレン誘導体から製造されたポリマー;フラーレンブレンドから製造された4つのフォトダイオードの暗電流密度-電圧曲線を示す。
図4は上記のデバイスのEQEを示す。明確にわかるように、フラーレンLUMO準位とEQEとの強い依存性がある。受容体LUMOの大きなシフトは、供与体受容体オフセットが励起子解離にとって不十分であるため、非効率的なデバイスにつながり得る。それにもかかわらず、最適なシフト(IPB)は、高いEQE(基準PCBMの約90%)を維持しながら、暗電流の低減を導くことができることもわかる。
最後に、図5は、-1V逆バイアスにおける暗電流とフラーレンLUMO準位との間の相関を示す。
浅いLUMO材料がVoc、したがって太陽電池の性能指数を増加させるために太陽電池に使用されているが、一般に太陽電池における浅いLUMO材料はリーク電流を大幅には低下させない。これは、デバイスが典型的には、ダイオードと並列の大きなシャント抵抗を有し、暗電流を追加のリーク電流で並列にマスクするためである。このような寄生並列抵抗を最小にするよう注意がなされる場合にのみ、浅いLUMOを有する電子受容体材料を用いることによって生じる暗電流の低減が観察される。光検出器の性能指数が式1に上記で示されているように暗電流の平方根に反比例するので、こうした注意が光検出器で行われる。
暗電流密度は、Keithley 2400ソースメーターを用いて0.05Vステップで-3Vから3Vまで測定した。
EQEは-1V逆バイアス下で以下の設定を用いて測定した:
1/4メートルモノクロメーター(Oriel Cornerstone)およびフィルタホイールに連結されたキセノンランプ。
Keithley電位計を用いてデバイス電流を測定した。
デバイスの光電流は、総電流からデバイス暗電流を低減させることによって計算した。
EQEは、以下の式2を使用して計算された:EQE=R・hc/λ
式中、RはA/W単位の応答度であり、hはプランク定数であり、cは光の速度であり、λは励起波長である。
応答度Rを計算するために必要な励起出力は、較正されたSiフォトダイオードを使用して測定される。
本明細書においていずれかに記載されるようなHOMOおよびLUMO準位は、室温での矩形波ボルタンメトリ(SWV)によって測定されてもよい。矩形波ボルタンメトリにおいて、作用電極における電流が測定されると同時に、作用電極と基準電極との間の電位は、時間的に直線的に掃引される。順パルスと逆パルスとの間の差電流は電位の関数としてプロットされ、ボルタモグラムを得る。
SWVによるHOMOまたはLUMOエネルギー準位を測定する装置は、アセトニトリル中の過塩素酸tertブチルアンモニウムまたはヘキサフルオロリン酸tertブチルアンモニウムを含むセル;ガラス状炭素作用電極;白金対電極およびリークフリーAg/AgCl参照電極を備えていてもよい。
実験の終わりに既存の電池に直接フェロセンを計算目的のために添加し、ここでサイクリックボルタンメトリ(CV)を用いてフェロセン対Ag/AgClの酸化および還元の電位を決定する。
装置:
CHI 660Dポテンショスタット
3mm直径のガラス状炭素作用電極
リークフリーAg/AgCl参照電極
Ptワイヤ補助電極または対電極
アセトニトリル中の0.1Mのテトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート
方法:
サンプルをトルエン(3mg/ml)に溶解し、ガラス状炭素作用電極上に直接3000rpmでスピンさせる
LUMO=4.8-Eフェロセン(ピーク・ツー・ピーク平均)-Eサンプルの還元(最大ピーク)
HOMO=4.8-Eフェロセン(ピーク・ツー・ピーク平均)+Eサンプルの酸化(最大ピーク)
典型的なSWV実験は15Hzの周波数;25mVの振幅および0.004Vのインクリメントステップで実行される。結果は、HOMOおよびLUMOデータの両方について、3つの新たにスピンさせたフィルムサンプルから計算される。
全ての実験は、アルゴンガスパージ下で行われる。

Claims (10)

  1. 第1の電極と、第2の電極と、前記電極間の感光性有機層とを含む有機光検出器であって、前記感光性有機層が供与体p型有機半導体化合物と受容体化合物との混合物を含み、前記受容体化合物が、フラーレン誘導体PCBMの場合より浅いLUMO準位を有するフラーレン誘導体であり、前記供与体p型有機半導体化合物は2.5eVと1.5eVとの間のバンドギャップを有する共役有機ポリマーであることを特徴とする有機光検出器。
  2. 前記供与体p型有機半導体化合物がp型ポリマーである、請求項1に記載の有機光検出器。
  3. 前記受容体化合物が、式(Ia)たは(Ic)のフラーレン誘導体である、請求項1または2に記載の有機光検出器:
    Figure 0007269008000008
    式中、フラーレンがC60、C70、C76、C78、C84およびC96フラーレンから選択され;xは2であり;は1または2であり;R 、及びR ~R15は、それぞれ独立して、Hまたは置換基である。
  4. 、及びR ~R15が、各出現時において、独立して、H;置換されていないかまたは1つ以上の置換基で置換されているアリールまたはヘテロアリール;1つ以上の非隣接、非末端C原子がO、S、COまたはCOOで置き換えられてもよく、1つ以上のH原子がFで置き換えられていてもよい分枝状、線状または環状C1-20アルキルからなる群から選択される、請求項3に記載の有機光検出器。
  5. 前記受容体化合物が、C60、C70またはC84フラーレン誘導体である、請求項1または2に記載の有機光検出器。
  6. 前記受容体化合物が、式(Id)の化合物である、請求項1、2および5のいずれか一項に記載の有機光検出器:
    Figure 0007269008000009
    式中、Rは、線状、分枝状または環状のC1-12アルキル基である。
  7. 前記(Ic)のフラーレン誘導体が、式(Id)の化合物である、請求項3または4に記載の有機光検出器:
    Figure 0007269008000010
    式中、Rは、線状、分枝状または環状のC 1-12 アルキル基である。
  8. Rが線状または分枝状C4-7アルキル基である、請求項6または7に記載の有機光検出器。
  9. 前記受容体化合物がIPBまたはIPHである、請求項6~8のいずれかに記載の有機光検出器。
  10. 請求項1からのいずれか一項に記載の有機光検出器に入射する光によって生成された光電流の測定を含む光の検出方法。
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Kang-Jun Baeg et al.,"Organic Light Detectors: Photodiodes and Phot otransistors",Advanced Materials,2013年,Vol.25,pp.4267-4295

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