JP7262626B2 - 撮像装置 - Google Patents

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Description

本発明は、撮像装置に関する。
従来から、車両等に搭載される撮像装置に関する発明が知られている(例えば、特許文献1)。
特許文献1には、撮像装置に備えられたカメラ基板が、イメージセンサが配置されるセンサ配置領域と、イメージセンサにおいて発生した熱をケースに伝える伝熱部材が当接される放熱領域とを有することが記載されている。
特開2016-208125号公報
特許文献1に記載の撮像装置では、カメラ基板の放熱領域の表面がソルダーレジストによって覆われており、イメージセンサにおいて発生した熱をケースに伝える伝熱部材は、このソルダーレジストに当接している。ソルダーレジストは、カメラ基板の導体パターンよりも熱伝導率が低い。イメージセンサにおいて発生した熱がカメラ基板の放熱領域に伝達されても、ソルダーレジストを介して伝熱部材へ伝達される熱量は限定的であり、放熱領域に伝達された熱量の多くは放熱領域の配線パターンに沿って拡散する。よって、特許文献1に記載の撮像装置には、イメージセンサの放熱を効率的に行うという点で、改善の余地がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、撮像素子の放熱を効率的に行うことが可能な撮像装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明に係る撮像装置は、絶縁層と導体層とが積層され、撮像素子を搭載する撮像素子基板と、前記撮像素子基板を収容する筐体とを備え、前記撮像素子基板の表面は、前記撮像素子を含む電子部品が搭載された搭載領域と、前記導体層が前記絶縁層によって覆われた被覆領域と、前記導体層が前記絶縁層から露出した露出領域とを有し、前記露出領域は、前記筐体に接続されることを特徴とする。
本発明によれば、撮像素子の放熱を効率的に行うことが可能な撮像装置を提供することができる。
上記以外の課題、構成および効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
本実施形態に係る撮像装置の外観を示す図。 図1に示す撮像装置の分解斜視図。 図1に示す撮像装置を後方から視た図。 図2に示す筐体及び一対のカメラモジュールを後方から視た図。 図2に示すカメラモジュールの拡大図。 図5に示すカメラモジュールの分解斜視図。 図1に示す接続部付近における撮像装置の内部構成を示す図。 撮像素子基板の積層構造と露出領域とを説明する模式図。 撮像素子基板の露出領域の変形例1を説明する模式図。 撮像素子基板の露出領域の変形例2を説明する模式図。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、各実施形態において同一の符号を付された構成は、特に言及しない限り、各実施形態において同様の機能を有するため、その説明を省略する。また、必要な図面には、各部の位置の説明を明確にするために、x軸、y軸及びz軸から成る直交座標軸を記載している。
本実施形態では、撮像装置100に設けられたレンズユニット3の光軸方向OAを、「前後方向」とも称する。「前方」は、レンズユニット3から被写体へ向かう方向である。「前方」は、図面に記載された直交座標軸のz軸の正方向に対応し、撮像装置100が車両に設置された状態において車両の前進方向に対応する。「後方」は、前方の反対方向である。「後方」は、図面に記載された直交座標軸のz軸の負方向に対応し、撮像装置100が車両に設置された状態において車両の後進方向に対応する。
本実施形態では、撮像装置100を後方から前方へ視た場合に上下に延びる方向を「上下方向」とも称する。「上方」は、撮像装置100を後方から前方へ視た場合に上へ向かう方向である。「上方」は、図面に記載された直交座標軸のy軸の正方向に対応し、撮像装置100が車両に設置された状態において重力方向の反対方向に対応する。「下方」は、上方の反対方向である。「下方」は、図面に記載された直交座標軸のy軸の負方向に対応し、撮像装置100が車両に設置された状態において重力方向に対応する。
本実施形態では、撮像装置100を後方から前方へ視た場合に左右に延びる方向を「左右方向」とも称する。「左方」は、撮像装置100を後方から前方へ視た場合に左へ向かう方向である。「左方」は、図面に記載された直交座標軸のx軸の正方向に対応し、撮像装置100が車両に設置された状態において、車両を後方から前方へ視た場合の左へ向かう方向に対応する。「右方」は、左方の反対方向である。「右方」は、図面に記載された直交座標軸のx軸の負方向に対応し、撮像装置100が車両に設置された状態において、車両を後方から前方へ視た場合の右へ向かう方向に対応する。
図1は、本実施形態に係る撮像装置100の外観を示す図である。図2は、図1に示す撮像装置100の分解斜視図である。図3は、図1に示す撮像装置100を後方から視た図である。図4は、図2に示す筐体1及び一対のカメラモジュール2を後方から視た図である。図5は、図2に示すカメラモジュール2の拡大図である。図6は、図5に示すカメラモジュール2の分解斜視図である。図7は、図1に示す接続部16付近における撮像装置100の内部構成を示す図である。なお、図3では、カバー17の図示を省略している。
撮像装置100は、例えば、自動車等の車両のウィンドシールドガラスの内側に進行方向の前方に向けて設置され、道路、先行車両、対向車両、歩行者又は障害物等の被写体を撮像するステレオカメラである。撮像装置100は、一対のカメラモジュール2により被写体を同時に撮像し、取得された一対の画像から視差を求めて、被写体までの距離や相対速度等を測定することができる。測定結果は、撮像装置100から車両の制御装置へ送信され、車両の走行や制動等を制御する処理等に使用される。
撮像装置100は、図2に示すように、筐体1と、被写体を撮像する一対のカメラモジュール2と、撮像素子41の出力信号を処理する回路素子71~73を搭載する信号処理基板7とを有する。
筐体1は、図2及び図3に示すように、一対のカメラモジュール2及び信号処理基板7を収容すると共に、一対のカメラモジュール2及び信号処理基板7において発生した熱を外部へ放熱する役割を担っている。筐体1は、左右方向に長尺の箱状を成す金属製の筐体であり、例えば、アルミダイカスト等によって製造される。筐体1は、一対のカメラモジュール2及び信号処理基板7を収容した状態で、カバー17によって後方から覆われる。
カバー17は、アルミ板等の金属板により構成される。
筐体1は、図1~図4に示すように、左右方向の両端部13の間に位置する中間部11を有する。中間部11には、放熱フィン12が設けられる。放熱フィン12は、上下方向に延びる放熱板が、左右方向に沿って間隔を空けて複数配置されて構成される。
筐体1の左右方向の両端部13には、図1、図2及び図4に示すように、一対のカメラモジュール2が取り付けられる一対の取り付け部14が設けられる。一対の取り付け部14のそれぞれは、矩形の箱状を成し、前方に面した正面部14aを有する。この正面部14aは、光軸方向OAに直交すると共に、カメラモジュール2のレンズユニット3が挿入される貫通孔14bが設けられる。
筐体1の左右方向の両端部13には、一対の接続部16が設けられる。一対の接続部16には、下記で述べるように、一対の撮像素子基板4が接続される。一対の接続部16は、左右方向に沿って互いに間隔を空けて配置される。一対の接続部16のそれぞれは、筐体1の左右方向のそれぞれの端面である側面部15と取り付け部14との間に設けられる。すなわち、一対の接続部16のそれぞれは、筐体1の中間部11から端部13へ向かう外方向において、取り付け部14よりも外側に配置される。一対の接続部16のそれぞれは、左右方向に沿った平板状を成し、光軸方向OAに直交する。なお、側面部15は、端部13の一部であってよい。
一対のカメラモジュール2のそれぞれは、レンズユニット3が前方を向いて取り付け部14の貫通孔14bに挿入された状態にて、筐体1の取り付け部14に取り付けられる。一対のカメラモジュール2は、一対のカメラモジュール2同士を結ぶ基線の長さに応じた間隔を左右方向に空けた状態にて取り付けられる。一対のカメラモジュール2のそれぞれは、光軸方向OAの周りの回転ずれが調整された状態、すなわち、レンズ31のロール角が適切な状態にて取り付けられる。
一対のカメラモジュール2のそれぞれは、図2及び図4に示すように、カメラモジュール2の撮像光学系であるレンズユニット3と、撮像素子41及びコネクタ42を含む電子部品43を搭載する回路基板である撮像素子基板4とを有する。すなわち、一対のカメラモジュール2に含まれる一対のレンズユニット3は、左右方向に沿って互いに間隔を空けて配置される。一対のカメラモジュール2に含まれる一対の撮像素子基板4は、左右方向に沿って互いに間隔を空けて配置される。
レンズユニット3は、図5及び図6に示すように、レンズ31と、レンズ31を保持すると共に撮像素子基板4と接続されるフランジ部32とを有する。
レンズ31は、撮像素子基板4に搭載された撮像素子41の受光面に被写体像を結像させる。レンズ31の鏡筒部は、樹脂製であってよい。
フランジ部32は、光軸方向OAに直交し、上下方向及び左右方向に沿って広がる板状を成す。フランジ部32の中央部には、レンズ31の鏡筒部を保持する筒部が形成される。フランジ部32には、光軸方向OAに直交し、レンズ31の位置調整の基準となる基準面33が設けられる。基準面33は、カメラモジュール2の筐体1への取り付けの際、取り付け部14の正面部14aと当接して、光軸方向OAにおけるカメラモジュール2の位置を規制する。
撮像素子基板4は、図6に示すように、撮像素子41が搭載される面である正面4aと、光軸方向OAにおいて正面4aと反対の面である背面4bとを有する。撮像素子基板4の正面4aは、撮像素子基板4の前側の面であり、撮像素子基板4の背面4bは、撮像素子基板4の後側の面である。撮像素子基板4の正面4a及び背面4bは、撮像素子基板4を構成する各面のうちでも面積が広い主面であり、光軸方向OAに直交する面である。撮像素子基板4は、レンズ31を通過した被写体像が撮像素子41の受光面に結像されるように位置調整され、レンズユニット3のフランジ部32に接着される。
撮像素子基板4は、図2、図4~図6に示すように、左右方向の端部48,49を有する。この端部48,49は、光軸方向OAから視て回路素子71~73から撮像素子41へ向かう外方向に位置する端部である。端部48,49は、この外方向において、回路素子71~73に近い第1端部48と、回路素子71~73から遠い第2端部49とを含む。言い換えると、一対の撮像素子基板4のそれぞれは、光軸方向OAから視て回路素子71~73から撮像素子41へ向かう外方向に位置する第1端部48と、回路素子71~73から撮像素子41へ向かう外方向において第1端部48よりも外側に位置する第2端部49とを有する。一対の撮像素子基板4に含まれる一対の第2端部49のそれぞれは、一対の接続部16のそれぞれと、光軸方向OAに沿って間隔を空けて、対向して配置される。
撮像素子41は、CMOS(complementary metal oxide semiconductor)やCCD(charge coupled device)等のイメージセンサによって構成される。撮像素子41は、図6に示すように、一対の撮像素子基板4のそれぞれに搭載される。一対の撮像素子基板4に搭載された一対の撮像素子41は、左右方向に沿って互いに間隔を空けて配置される。
撮像素子41は、撮像素子基板4の背面4bに搭載されたコネクタ42に接続される。
コネクタ42は、FPC(flexible printed circuits)又はFFC(flexible flat cable)等の可撓性を有する配線部材44を介して、図3及び図7に示すように、信号処理基板7に搭載されたコネクタ74に接続される。
信号処理基板7は、図2に示すように、回路素子71~73が搭載される面である正面7aと、光軸方向OAにおいて正面7aと反対の面である背面7bとを有する。信号処理基板7の正面7aは、信号処理基板7の前側の面であり、信号処理基板7の背面7bは、信号処理基板7の後側の面である。信号処理基板7の正面7a及び背面7bは、信号処理基板7を構成する各面のうちでも面積が広い主面であり、光軸方向OAに直交する面である。信号処理基板7は、撮像素子基板4の後方に間隔を空けて、撮像素子基板4の背面4bに対向して配置される。信号処理基板7は、ねじ等の締結部材により筐体1へ取り付けられる。信号処理基板7の筐体1への取り付け位置7cは、光軸方向OAから視て、一対の撮像素子基板4と回路素子71~73との間に位置する。
回路素子71~73は、第1回路素子71と、第2回路素子72と、第3回路素子73とを含む。第1回路素子71は、撮像素子41の出力信号である画像信号が示す撮像画像を処理する集積回路であり、FPGA(Field Programmable Gate Array)等によって構成される。第2回路素子72は、各種の信号処理及び演算処理を行うプロセッサであり、MPU(Micro Processing Unit)等により構成される。第3回路素子73は、データやプログラムの一時保管に用いられるメモリ等によって構成される。
回路素子71~73は、信号処理基板7の左右方向の両端部75の間にある中間部76に搭載される。回路素子71~73は、光軸方向OAから視て、左右方向に沿って互いに間隔を空けて配置された一対の撮像素子41の間に配置される。
回路素子71~73は、筐体1等において放熱を必要とする程の発熱量が大きい回路素子である。回路素子71~73は、熱伝導性を有する中間部材8を介して、筐体1の中間部11に接続される。中間部材8は、熱伝導性を有するゲルやシートやグリス等の伝熱部材によって構成することができるが、特に限定されない。
回路素子71~73は、信号処理基板7の背面7bに搭載されたコネクタ74に接続される。コネクタ74は、図3及び図7に示すように、配線部材44を介して、撮像素子基板4に搭載されたコネクタ42に接続される。なお、回路素子71~73は、上記の回路素子に限定されない。
上記の構成により、撮像装置100では、カメラモジュール2により被写体を撮像すると、カメラモジュール2の撮像素子41が、撮像画像に応じた画像信号を撮像素子基板4へ出力する。撮像素子基板4に出力された画像信号は、撮像素子基板4の配線パターン、コネクタ42及び配線部材44を通って、コネクタ74から信号処理基板7へ入力される。信号処理基板7へ入力された画像信号は、信号処理基板7の配線パターンを通って、回路素子71~73へ入力される。回路素子71~73は、入力された画像信号が示す撮像画像に対して画像処理を行ったり、ステレオマッチング処理等を行って被写体までの距離を測定したり、パターンマッチング処理等を行って画像認識を行う。
上記のような撮像装置100の動作中、撮像素子41及び回路素子71~73は、発熱する。回路素子71~73の発熱量は撮像素子41の発熱量よりも大きい。回路素子71~73は、信号処理基板7や中間部材8を介して筐体1に接続される。回路素子71~73において発生した熱は、主に、筐体1に伝達されて外部へ放出される。
ここで、従来の撮像装置100のように撮像素子41の画素数が少ない場合、撮像素子41の発熱量は小さく、その温度上昇も小さかった。しなしながら、近年では、撮像装置100は、撮像素子41の画素数が大幅に増加する傾向にあり、発熱量が大幅に増加し、温度上昇も大きくなる傾向にある。撮像素子41の画素数が増加する傾向にある理由は、NCAP(new car assessment program)が要求する歩行者や自転車の飛び出しに対応するべく画角を左右方向へ広げる等、撮像装置100の高画角化が望まれているためである。加えて、被写体の画像認識の精度向上も必要とされており、撮像装置100の高精度化及び高速化が望まれているためである。
撮像素子41において発生した熱は、その大部分が、撮像素子41を搭載する撮像素子基板4に伝達され、撮像素子基板4に伝達された熱の大部分が、撮像素子基板4の配線パターンを通って拡散する。すなわち、撮像素子41において発生した熱の大部分は、撮像素子基板4の配線パターンを通って拡散する。撮像素子41の温度上昇を抑制するためには、撮像素子基板4に伝達された熱を如何に筐体1へ伝達するかが重要である。
撮像素子基板4から筐体1への伝熱経路としては、撮像素子基板4において発生した熱をレンズユニット3から筐体1へ伝達する経路が考えられる。このレンズユニット3からの伝熱経路は、レンズ31の鏡筒部が樹脂製であり熱伝導率が低いことから、その伝熱効果が限定的である。しかも、レンズ31の鏡筒部と撮像素子基板4とは、3次元的な位置調整ができるよう、空中で支持される必要がある。レンズ31の鏡筒部と撮像素子基板4との間には、空隙又は接着材しか存在しない。仮に、レンズ31の鏡筒部が金属製であっても、撮像素子基板4に伝達された熱を、レンズ31の鏡筒部を通って筐体1へ伝達させることは期待できない。
そこで、本実施形態に係る撮像装置100では、撮像素子基板4に設けられた下記の露出領域47を筐体1に接続することによって、撮像素子41において発生した熱を撮像素子基板4から筐体1へ効率的に伝達する。
図8は、撮像素子基板4の積層構造と露出領域47とを説明する模式図である。
撮像素子基板4は、図8に示すように、絶縁層51と導体層52とが積層された多層構造を有する。絶縁層51は、撮像素子基板4の最外層であり、ソルダーレジスト等の絶縁膜によって構成された第1絶縁層51aと、撮像素子基板4の内部の層であり、ガラスエポキシ基材等の絶縁基材によって構成された第2絶縁層51bとを含む。
導体層52は、銅箔等の金属箔により構成された層であり、撮像素子基板4の配線パターンが形成される層である。導体層52の熱伝導率は、絶縁層51の熱伝導率よりも高い。導体層52は、グラウンドの配線パターンを有する第1導体層52aと、グラウンド以外の配線パターンを有する第2導体層52b及び第3導体層52cと、導体層52の各層同士を導通させるビア52dとを含む。なお、導体層52は、銅以外の金属材料を用いて形成された金属箔により構成されてよい。
撮像素子基板4の表面は、図6及び図8に示すように、搭載領域45と、被覆領域46と、露出領域47とを有する。搭載領域45は、撮像素子41及びコネクタ42をはじめとする電子部品43が、撮像素子基板4に搭載された領域である。搭載領域45において、電子部品43は、はんだ等の接合材54を介して導体層52に接合される。被覆領域46は、導体層52が絶縁層51によって覆われた領域である。露出領域47は、搭載領域45及び被覆領域46とは異なり、導体層52が絶縁層51から露出した領域である。露出領域47は、光軸方向OAに直交し、筐体1の接続部16に接続される。
露出領域47は、例えば、ソルダーレジスト等の絶縁膜によって構成された最外層の第1絶縁層51aを剥離し、導体層52を撮像素子基板4の表面に露出させるだけで、簡単に形成することができる。或いは、露出領域47は、撮像素子基板4の表面に露出させたい導体層52の部分を予め第1絶縁層51aによって覆わないことによって、形成することもできる。
露出領域47において露出させる導体層52としては、グラウンドの配線パターンを有する第1導体層52a、又は、第1導体層52aに導通する導体層52であってよい。露出領域47において露出する導体層52が、グラウンドと同電位の導体層52であると、漏電等の電気的な不具合が発生することも無いため好適である。
グランドと同電位の導体層52に露出領域47を設けることにより、撮像素子基板4は、撮像素子基板4の電気的機能を確保しつつ、熱伝導率の高い導体層52を簡単に露出させることができる。そして、撮像素子基板4は、撮像素子基板4の電気回路を構成する配線パターンを、筐体1への伝熱にも利用することができる。
上記の構成により、本実施形態に係る撮像装置100は、撮像素子41において発生した熱の大部分が通る撮像素子基板4の導体層52を、熱伝導率の低い絶縁層51を介することなく、筐体1に接続することができる。これにより、撮像装置100は、撮像素子41において発生した熱を筐体1へ効率的に伝達することができる。よって、撮像装置100は、撮像素子41の放熱を効率的に行うことができる。
ここで、撮像装置100では、発熱量が大きい回路素子71~73が、中間部材8を介して筐体1の中間部11に接続される。筐体1は、筐体1の中間部11のうち回路素子71~73が接続された箇所が最も高温となり、回路素子71~73の接続箇所から外方向へ離れるに従って低温となるような、温度分布を有する。
このような温度分布を有する要因は、回路素子71~73の接続箇所から外方向へ離れるに従って、筐体1へ伝達される熱量よりも筐体1が放出可能な熱量が上回るためである。このような温度分布を考慮すると、回路素子71~73の接続箇所から外方向へ離れた筐体1の端部13において撮像素子基板4から筐体1へ伝熱されると、撮像素子41において発生した熱が筐体1へより効率的に伝達され得る。
特に、筐体1は、中間部11に設けられた放熱フィン12が、上下方向に延びる放熱板が左右方向に間隔を空けて配置される構造である。筐体1は、筐体1の下方から新鮮な空気を取り込み筐体1の上方へ排出し易い構造であり、端部13の上側より端部13の下側の方が低温となる。このため、筐体1の端部13の少なくとも下側において撮像素子基板4から筐体1へ伝熱されると、撮像素子41において発生した熱が筐体1へ効率的に伝達され得る。
本実施形態に係る撮像装置100では、図2に示すように、一対の撮像素子基板4のそれぞれの露出領域47が、回路素子71~73から撮像素子41へ向かう外方向において第1端部48よりも外側に位置する第2端部49に設けられる。そして、露出領域47は、この外方向における筐体1の端部13に設けられた接続部16に接続される。
上記の構成により、本実施形態に係る撮像装置100では、撮像素子基板4に設けられた露出領域47が、比較的低温である筐体1の接続部16に接続される。これにより、撮像装置100は、撮像素子41から撮像素子基板4に伝達された熱を筐体1へ効率的に伝達することができる。よって、撮像装置100は、撮像素子41の放熱を更に効率的に行うことができる。
また、本実施形態に係る撮像装置100では、図8に示すように、撮像素子基板4に設けられた露出領域47が、撮像素子基板4の電気回路を構成する配線パターンを有する導体層52によって構成される。
上記の構成により、本実施形態に係る撮像装置100では、筐体1への伝熱に利用される撮像素子基板4の導体層52をわざわざ設ける必要が無いため、露出領域47を簡単に設けることができる。これにより、撮像装置100では、撮像素子41から撮像素子基板4に伝達された熱を筐体1へ効率的且つ簡単に伝達することができる。よって、撮像装置100は、撮像素子41の放熱を効率的且つ簡単に行うことができる。
また、本実施形態に係る撮像装置100では、一対の撮像素子基板4のそれぞれの露出領域47が、図2及び図7に示すように、熱伝導性を有する中間部材6を介して、筐体1の接続部16に接続される。中間部材6は、熱伝導性を有するゲルやシートやグリス等の伝熱部材によって構成することができるが、特に限定されない。
上記の構成により、本実施形態に係る撮像装置100では、撮像素子基板4や筐体1の形状を大幅に変更することなく、露出領域47と接続部16とをより密着して接続させることができる。これにより、撮像装置100は、撮像素子41から撮像素子基板4に伝達された熱を筐体1へ更に効率的に伝達することができる。よって、撮像装置100は、撮像素子41の放熱を更に効率的に行うことができる。
また、本実施形態に係る撮像装置100では、図2に示すように、露出領域47が設けられる撮像素子基板4の第2端部49は、信号処理基板7の端部75よりも外側に配置される。
上記の構成により、本実施形態に係る撮像装置100では、発熱量の大きい回路素子71~73及びそれらを搭載する信号処理基板7から、露出領域47を外方向へ離隔することができる。撮像装置100では、露出領域47が、回路素子71~73及び信号処理基板7の熱の影響を受け難くなる。これにより、撮像装置100では、撮像素子41から撮像素子基板4に伝達された熱を筐体1へ更に効率的に伝達することができる。よって、撮像装置100は、撮像素子41の放熱を更に効率的に行うことができる。
また、本実施形態に係る撮像装置100では、図2に示すように、一対の撮像素子基板4のそれぞれの露出領域47は、光軸方向OAに直交し、一対の接続部16のそれぞれと光軸方向OAに間隔を空けて対向して配置される。そして、中間部材6は、一対の撮像素子基板4のそれぞれの露出領域47と、一対の接続部16のそれぞれとの間隔に対して設けられる。すなわち、撮像装置100では、中間部材6は、互いに光軸方向OAに直交し、互いに平行な露出領域47と接続部16との間隔に対して設けられる。
上記の構成により、本実施形態に係る撮像装置100は、中間部材6の厚みが光軸方向OAにおいて一定となる。これにより、撮像装置100では、撮像素子41から撮像素子基板4に伝達された熱を筐体1へ更に効率的に伝達することができる。よって、撮像装置100は、撮像素子41の放熱を更に効率的に行うことができる。
特に、撮像装置100では、カメラモジュール2の筐体1への取り付けの際には、カメラモジュール2の光軸方向OAの位置調整が行われた後、上下方向及び左右方向の位置調整、並びに、光軸方向OAの周りの回転方向の位置調整が行われる。撮像装置100では、露出領域47と接続部16とが、互いに光軸方向OAに直交し且つ平行であるため、このような上下方向、左右方向及び回転方向の位置調整が行われた場合でも、露出領域47と接続部16との間隔を一定に保つことができる。これにより、撮像装置100は、上下方向及び左右方向の位置調整が行われた場合でも、中間部材6の厚みを光軸方向OAにおいて一定に保つことができるため、撮像素子41から撮像素子基板4に伝達された熱を筐体1へ効率的且つ安定的に伝達させることができる。よって、撮像装置100は、撮像素子41の放熱を効率的且つ安定的に行うことができる。
[露出領域の変形例]
図9は、撮像素子基板4の露出領域47の変形例1を説明する模式図である。
図8に示す撮像素子基板4では、露出領域47において撮像素子基板4の表面に露出する導体層52が、グラウンドの配線パターンを有する第1導体層52aに導通している。
これに対し、図9に示す撮像素子基板4では、露出領域47において撮像素子基板4の表面に露出する導体層52が、第1導体層52aに導通していない導体層52であってよい。
具体的には、図9に示す撮像素子基板4では、露出領域47において露出する導体層52が、配線パターンを有しない第4導体層52e、又は、第4導体層52eに導通する導体層52であってよい。配線パターンを有しない第4導体層52eは、撮像素子基板4の電気回路を構成する配線パターンを有する他の導体層52とは、絶縁されている。配線パターンを有しない第4導体層52eは、撮像素子基板4の熱を筐体1へ伝達するために設けられた放熱専用の導体層52であってよい。
ここで、配線パターンを有する導体層52とは、例えば、第1導体層52a~第3導体層52cのように、撮像素子基板4の電気的機能を実現する電気回路を構成する導体層52である。一方、配線パターンを有しない導体層52は、例えば、第4導体層52eのように、撮像素子基板4の電気的機能を実現する電気回路を構成しない導体層52である。
配線パターンを有しない導体層52は、配線パターンを有する導体層52とは絶縁されている。
図9に示す撮像素子基板4は、露出領域47において露出する導体層52として、放熱専用の導体層52を用いるため、撮像素子基板4の電気的機能をより確実に確保することができる。
図10は、撮像素子基板4の露出領域47の変形例2を説明する模式図である。
図8に示す撮像素子基板4では、露出領域47において露出する導体層52の表面は、中間部材6に直接当接している。これに対し、図10に示す撮像素子基板4では、露出領域47において露出する導体層52の表面が、接合材55によって覆われていてよい。接合材55は、熱伝導性が高く導体層52と接合可能な、はんだ等の接合材である。図10に示す撮像素子基板4では、この接合材55の表面が中間部材6に当接する。
銅箔等により構成された導体層52が撮像素子基板4の表面に露出していると、この導体層52は腐食や電蝕が発生し易くなり、撮像素子基板4の寿命に影響を及ぼす可能性が有る。図10に示す撮像素子基板4では、露出領域47において露出する導体層52の表面が接合材55によって覆われているため、露出する導体層52の腐食や電蝕を抑制することができる。図10に示す撮像素子基板4は、撮像素子基板4の長寿命化を図ることができる。
また、接合材55は、搭載領域45において電子部品43と導体層52とを接合する接合材54と同一であってよい。この場合、接合材55は、電子部品43の撮像素子基板4への実装工程の一環として、露出領域47の導体層52に付加される。接合材54及び接合材55が同一のはんだである場合、電子部品43の撮像素子基板4への実装工程として、リフロー方式のはんだ接合工程が行われる。この場合、接合材54として用いられるはんだを撮像素子基板4へ塗布する際に、このはんだを、露出領域47の導体層52にも塗布するだけで、露出領域47の導体層52を接合材55によって覆うことができる。図10に示す撮像素子基板4は、実装工程の工数を増加させることなく、撮像素子基板4の長寿命化を図ることができる。
[その他]
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記の実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
また、上記の各構成、機能、処理部、処理手段などは、それらの一部又は全部を、例えば集積回路にて設計する等によりハードウェアによって実現してもよい。また、上記の各構成、機能等は、プロセッサがそれぞれの機能を実現するプログラムを解釈し、実行することによりソフトウェアによって実現してもよい。各機能を実現するプログラム、テープ、ファイル等の情報は、メモリや、ハードディスク、SSD(solid state drive)等の記録装置、又は、ICカード、SDカード、DVD等の記録媒体に置くことができる。
また、制御線や情報線は説明上必要と考えられるものを示しており、製品上必ずしも全ての制御線や情報線を示しているとは限らない。実際には殆ど全ての構成が相互に接続されていると考えてもよい。
1…筐体 16…接続部 3…レンズユニット 4…撮像素子基板 41…撮像素子 43…電子部品 45…搭載領域 46…被覆領域 47…露出領域 48…第1端部 49…第2端部 51…絶縁層 52…導体層 54…接合材 55…接合材 6…中間部材 7…信号処理基板 71…第1回路素子 72…第2回路素子 73…第3回路素子 100…撮像装置 OA…光軸

Claims (5)

  1. 絶縁層と導体層とが積層され、撮像素子を搭載する撮像素子基板と、
    前記撮像素子に被写体像を結像させるレンズユニットと、
    前記撮像素子基板及び前記レンズユニットを収容する筐体と、
    前記撮像素子基板の前記撮像素子が搭載される正面とは反対側の背面に対向して配置され、前記撮像素子の出力信号を処理する回路素子を搭載する信号処理基板と、
    を備え、
    前記レンズユニットは、前記レンズユニットの光軸方向において前記撮像素子に対向して配置され
    記撮像素子基板の表面は、前記撮像素子を含む電子部品が搭載された搭載領域と、前記導体層が前記絶縁層によって覆われた被覆領域と、前記導体層が前記絶縁層から露出した露出領域とを有し
    前記撮像素子基板は、前記正面に沿った方向に間隔を空けて配置された一対の撮像素子基板から構成され、
    前記レンズユニットは、前記一対の撮像素子基板の前記撮像素子にそれぞれ対向して配置された一対のレンズユニットから構成され、
    前記回路素子は、前記光軸方向から視て、前記一対の撮像素子基板の間に配置され、
    前記一対の撮像素子基板のそれぞれは、前記光軸方向から視て前記回路素子から前記撮像素子へ向かう外方向に位置する第1端部と、前記外方向において前記第1端部及び前記レンズユニットよりも外側に位置する第2端部とを有し、
    前記露出領域は、前記一対の撮像素子基板のそれぞれの前記第2端部に設けられ、前記筐体の前記外方向に位置する端部に接続される
    ことを特徴とする撮像装置。
  2. 前記露出領域は、熱伝導性を有する中間部材を介して前記筐体に接続される
    ことを特徴とする請求項に記載の撮像装置。
  3. 前記露出領域が設けられる前記撮像素子基板の前記第2端部は、前記信号処理基板の前記外方向に位置する端部よりも外側に配置される
    ことを特徴とする請求項に記載の撮像装置。
  4. 前記筐体は、前記一対の撮像素子基板のそれぞれの前記露出領域が接続される一対の接続部を有し、
    前記一対の接続部は、前記光軸方向に直交し、前記正面に沿った方向に間隔を空けて配置され、
    前記一対の撮像素子基板のそれぞれの前記露出領域は、前記光軸方向に直交し、前記一対の接続部のそれぞれと前記光軸方向に間隔を空けて対向して配置され、
    前記中間部材は、前記一対の撮像素子基板のそれぞれの前記露出領域と、前記一対の接続部のそれぞれとの前記間隔に対して設けられる
    ことを特徴とする請求項に記載の撮像装置。
  5. 前記搭載領域は、前記電子部品が接合材を介して前記撮像素子基板に搭載され、
    前記露出領域は、前記撮像素子基板の表面に露出した前記導体層の表面が前記接合材によって覆われている
    ことを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240129607A1 (en) * 2022-10-18 2024-04-18 Dell Products L.P. Camera housing structure for enhanced manufacture assembly and repair
US12085993B2 (en) 2022-10-18 2024-09-10 Dell Products L.P. Information handling system coupling device for improved assembly, disassembly and repair

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235869A (ja) 2007-01-23 2008-10-02 Advanced Chip Engineering Technology Inc イメージセンサモジュール構造および半導体デバイスパッケージの形成方法
JP2009047954A (ja) 2007-08-21 2009-03-05 Shinko Electric Ind Co Ltd カメラモジュール及び携帯端末機
JP2012109572A (ja) 2010-11-17 2012-06-07 Samsung Electronics Co Ltd 半導体パッケージ、半導体モジュール、電子装置、及び半導体パッケージの製造方法
WO2013190748A1 (ja) 2012-06-22 2013-12-27 株式会社ニコン 基板、撮像ユニットおよび撮像装置
JP2016014564A (ja) 2014-07-01 2016-01-28 株式会社リコー 撮像ユニット
WO2018128083A1 (ja) 2017-01-06 2018-07-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 ステレオカメラ
JP2020010021A (ja) 2018-07-11 2020-01-16 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 半導体パッケージ及びその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6344297B2 (ja) 2015-04-16 2018-06-20 株式会社デンソー 撮像装置およびそれに用いられるプリント基板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008235869A (ja) 2007-01-23 2008-10-02 Advanced Chip Engineering Technology Inc イメージセンサモジュール構造および半導体デバイスパッケージの形成方法
JP2009047954A (ja) 2007-08-21 2009-03-05 Shinko Electric Ind Co Ltd カメラモジュール及び携帯端末機
JP2012109572A (ja) 2010-11-17 2012-06-07 Samsung Electronics Co Ltd 半導体パッケージ、半導体モジュール、電子装置、及び半導体パッケージの製造方法
WO2013190748A1 (ja) 2012-06-22 2013-12-27 株式会社ニコン 基板、撮像ユニットおよび撮像装置
JP2016014564A (ja) 2014-07-01 2016-01-28 株式会社リコー 撮像ユニット
WO2018128083A1 (ja) 2017-01-06 2018-07-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 ステレオカメラ
JP2020010021A (ja) 2018-07-11 2020-01-16 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd. 半導体パッケージ及びその製造方法

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