JP7260065B2 - セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 - Google Patents
セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7260065B2 JP7260065B2 JP2022533169A JP2022533169A JP7260065B2 JP 7260065 B2 JP7260065 B2 JP 7260065B2 JP 2022533169 A JP2022533169 A JP 2022533169A JP 2022533169 A JP2022533169 A JP 2022533169A JP 7260065 B2 JP7260065 B2 JP 7260065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silver
- silver particle
- copper
- particle layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/422—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/241—Reinforcing the conductive pattern characterised by the electroplating method; means therefor, e.g. baths or apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
1.絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmである積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材および貫通孔の表面上に、無電解めっき用の触媒を付与する工程2、
前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
無電解めっきにより、貫通孔表面、および、前記銀粒子層(M1)上に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面、および、銀粒子層(M1)上に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に形成された銀めっき層(M3)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M4)形成を行う工程7
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程8
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
前記貫通孔を有する基材および貫通孔の表面上に、無電解めっき用の触媒を付与する工程2、
前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
無電解めっきにより、貫通孔表面に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面上に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M4)形成を行う工程7
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程8
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
前記貫通孔を有する基材の表面上に、無電解銀めっき用の触媒を付与する工程2、
前記剥離性カバー層(RC)を剥離して、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、無電解めっきにより、貫通孔表面、および、前記銀粒子層(M1)上に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面、および、銀粒子層(M1)上に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に形成された銀めっき層(M3)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M4)形成を行う工程7
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程8
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
前記貫通孔を有する基材の表面上に、無電解銀めっき用の触媒を付与する工程2、
前記剥離性カバー層(RC)を剥離して、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、無電解めっきにより、貫通孔表面上に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面上に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M4)形成を行う工程7
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程8
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
前記貫通孔を有する基材および貫通孔の表面上に、無電解めっき用の触媒を付与する工程2、
前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
無電解めっきにより、貫通孔表面、および、前記銀粒子層(M1)上に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面、および、銀粒子層(M1)上に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に形成された銀めっき層(M3)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M4)形成を行う工程7
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程8
を有することを特徴とするものである。
前記貫通孔を有する基材および貫通孔の表面上に、無電解めっき用の触媒を付与する工程2、
前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
無電解めっきにより、貫通孔表面に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M3)形成を行う工程7
を有することを特徴とするものである。
また、有機溶剤単独で使用する場合の有機溶媒としては、アルコール化合物、エーテル化合物、エステル化合物、ケトン化合物等が挙げられる。
また、前記プライマー層(B)を形成する好ましい樹脂として、アミノトリアジン環を有する化合物を含有するものを挙げることができる。前記アミノトリアジン環を有する化合物は、低分子量の化合物であっても、より高分子量の樹脂であってもよい。
温度計、窒素ガス導入管、攪拌器を備えた窒素置換された容器中で、ポリエステルポリオール(1,4-シクロヘキサンジメタノールとネオペンチルグリコールとアジピン酸とを反応させて得られたポリエステルポリオール)100質量部、2,2―ジメチロールプロピオン酸17.6質量部、1,4-シクロヘキサンジメタノール21.7質量部及びジシクロヘキシルメタン-4,4’-ジイソシアネート106.2質量部を、メチルエチルケトン178質量部の混合溶剤中で反応させることによって、末端にイソシアネート基を有するウレタンプレポリマー溶液を得た。
還流冷却器、温度計、撹拌機を備えた反応フラスコに、37質量%ホルムアルデヒドと7質量%メタノールを含むホルマリン600質量部に、水200質量部及びメタノール350質量部を加えた。次いで、この水溶液に25質量%水酸化ナトリウム水溶液を加え、pH10に調整した後、メラミン310質量部を加え、液温を85℃まで上げ、メチロール化反応を1時間行った。
温度計、窒素ガス導入管、攪拌器を備え、窒素置換された反応容器に、2,2-ジメチロールプロピオン酸9.2質量部、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート(東ソー株式会社製「ミリオネートMR-200」)57.4質量部及びメチルエチルケトン233質量部を仕込み、70℃で6時間反応させ、イソシアネート化合物を得た。次いで、反応容器内にブロック化剤としてフェノール26.4質量部を供給し、70℃で6時間反応させた。その後、40℃まで冷却し、ブロックイソシアネートの溶液を得た。
ノボラック樹脂(DIC株式会社製「PHENOLITE TD-2131」、水酸基当量104g/当量)35質量部、エポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)64質量部、及び、2,4-ジアミノ-6-ビニル-s-トリアジン(四国化成株式会社製「VT」)1質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー(B-4)を得た。
ノボラック樹脂(DIC株式会社製「PHENOLITE TD-2131」、水酸基当量104g/当量)35質量部、エポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)64質量部、及び、トリアジン環を有するシランカップリング剤(四国化成株式会社製「VD-5」)1質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー(B-5)を得た。
温度計、冷却管、分留管、攪拌器を取り付けたフラスコに、フェノール750質量部、メラミン75質量部、41.5質量%ホルマリン346質量部、及びトリエチルアミン1.5質量部を加え、発熱に注意しながら100℃まで昇温した。還流下100℃にて2時間反応させた後、常圧下にて水を除去しながら180℃まで2時間かけて昇温した。次いで、減圧下で未反応のフェノールを除去し、アミノトリアジン変性ノボラック樹脂を得た。水酸基当量は120g/当量であった。
上記で得られたアミノトリアジンノボラック樹脂65質量部、及びエポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)35質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー組成物(B-6)を得た。
製造例6で得られたアミノトリアジンノボラック樹脂48質量部、及びエポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)52質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー組成物(B-7)を得た。
アミノトリアジンノボラック樹脂とエポキシ樹脂の量をそれぞれ、48質量部から39質量部、52質量部から61質量部に変更した以外は、製造例78と同様にして、不揮発分2質量%のプライマー組成物(B-8)を得た。
アミノトリアジンノボラック樹脂とエポキシ樹脂の量をそれぞれ、48質量部から31質量部、52質量部から69質量部に変更した以外は、製造例8と同様にして、不揮発分2質量%のプライマー組成物(B-9)を得た。
製造例7で得られたアミノトリアジンノボラック樹脂47質量部、及びエポキシ樹脂(DIC株式会社製「EPICLON 850-S」;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ基当量188g/当量)52質量部に、さらに無水トリメリット酸1質量部を混合後、メチルエチルケトンで不揮発分が2質量%となるように希釈混合することで、プライマー(B-10)を得た。
撹拌機、還流冷却管、窒素導入管、温度計、滴下漏斗を備えた反応容器に脱イオン水350質量部、界面活性剤(花王株式会社製「ラテムルE-118B」:有効成分25質量%)4質量部を入れ、窒素を吹き込みながら70℃まで昇温した。
エチレングリコール45質量部及びイオン交換水55質量部の混合溶媒に、分散剤としてポリエチレンイミンにポリオキシエチレンが付加した化合物を用いて平均粒径30nmの銀粒子を分散させることによって、銀粒子及び分散剤を含有する分散体を調製した。次いで、得られた分散体に、イオン交換水、エタノール及び界面活性剤を添加して、5質量%の銀粒子分散液を調製した。
イオン交換水に、硫酸37.5g/L、および過酸化水素13.5g・Lの割合で混合し、銅エッチング液を調製した。
メタンスルホン酸銀 10g/l(銀として)、メタンスルホン酸 100g/l、1,4-ビス(2-ヒドロキシエチルチオ)エタン25g/l、pH 0.5、浴温 40℃
硝酸銀 5g/l(銀として)、1,4-ビス(2-ヒドロキシエチルチオ)ブタン 40g/l
2,2’-(エチレンジチオ)ジエタンチオール 90g/l、pH 3.0(希硝酸で調整)
浴温 25℃
酸化銀 1g/l(銀として)、p-トルエンスルホン酸 30g/l、酒石酸 50g/l
2,2’-(エチレンジチオ)ジエタンチオール 45g/l、チオ尿素 20g/l、β-ナフトールポリエトキシレート(EO15) 5g/l、pH 6.5(NaOHで調整)、浴温 70℃
水47.4質量部に、酢酸2.6質量部を加え、さらに、35質量%過酸化水素水50質量部を加えて、銀用エッチング液(1)を調製した。この銀用エッチング液(1)の過酸化水素とカルボン酸とのモル比(過酸化水素/カルボン酸)は13.6であり、銀用エッチング液(1)中の過酸化水素及びカルボン酸の混合物の含有比率は22.4質量%であった。
(工程1)
絶縁性基材であるポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製「カプトン 100EN-C」;厚さ25μm)の表面に、調製例1で得られた銀粒子分散体を、卓上型小型コーター(RKプリントコートインストルメント社製「Kプリンティングプローファー」)を用いて、乾燥後の銀粒子層が0.5g/m2となるように塗工した。次いで、熱風乾燥機を用いて160℃で5分間乾燥した。さらに、フィルムを裏返して、上記と同様にして調製例1で得られた銀粒子分散体を銀粒子層が0.5g/m2となる様に塗工し、熱風乾燥機を用いて160℃で5分間乾燥することによって、ポリイミドフィルムの両表面に銀粒子層を形成した。このようにして得られたフィルム基材を250℃で5分間焼成し、テスターで銀粒子層の導通を確認した。
無電解めっき用のプリディップ液(「OPC-SAL-M」、奥野製薬工業株式会社製)を260g/Lの割合になる様に水で希釈して25℃に保持した。この液に、スルーホールが形成された上記フィルムを、1分間浸漬した。
上記で得られたフィルムを、調製例2で作製した硫酸/過酸化水素系の銅エッチング液を用いて、銅を除去し、導電性の銀粒子層(M1)を露出させた。
この様にして得られたフィルム基材を、無電解銅めっき液(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製「サーキュポジット6550」)中に35℃で、25分間浸漬し、スルーホール内壁、及び両表面の導電性銀粒子層(M1)上に、無電解銅めっき層(厚さ0.5μm)を形成した。
調製例3で作製した無電解銀めっき液を40℃に設定し、上記で作製したフィルムを揺動しながら3分間浸漬して、スルーホール内壁、及び、銀粒子層(M1)上に形成された銅めっき層を銀めっき層(M3)に置換めっきした。
このようにして得られた銀粒子層(M1)上の銀めっき層上に、ドライフィルムレジスト(日立化成株式会社製「フォテックRD-1225」;レジスト膜厚25μm)を、ロールラミネーターを用いて100℃で圧着し、続いて、ダイレクト露光デジタルイメージング装置(オルボッテク社製「Nuvogo1000R」)を用いて、レジスト上に配線長100mm、インピーダンス50Ωのマイクロストリップラインパターン及び、測定プローブ用のGNDに接続するスルーホール部の端子パッドパターンを露光した。次いで、1質量%炭酸ナトリウム水溶液を用いて現像を行うことによって、銀めっき層(M3)上にマイクロストリップラインパターン、及びプローブ端子パッド部が除去されたパターンレジストを形成し、ポリイミドフィルム上の銀粒子層(M1)を露出させた。
次いで、パターンレジストが形成された基材の銀めっき層(M3)表面をカソードに設置し、含リン銅をアノードとして、硫酸銅を含有する電解めっき液(硫酸銅60g/L、硫酸190g/L、塩素イオン50mg/L、添加剤(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製 カパーグリームST-901」)を用いて、電流密度2A/dm2で41分間電解めっきを行うことによって、レジストの除去されたマイクロストリップパターン及びプローブ端子パッド部に電解銅めっきによる18μm厚の回路パターン層(M4)を形成した。次いで、銅による金属パターンの形成されたフィルムを、50℃に設定した3質量%の水酸化ナトリウム水溶液に浸漬することによって、パターンレジストを剥離した。
次いで、調製例3で得られた銀用エッチング剤に、上記で得られたフィルムを、25℃で30秒間浸漬することで、回路パターン以外の銀めっき層(M3),及び、銀粒子層(M1)を除去し、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
工程1において、無電解銅めっき液中への浸漬時間を10分から、25分に変更して、絶縁性基材(A)の両表面上に、0.5μmの銅層を有する積層体を作製し、両面を貫通する貫通孔を形成した以降は、実施例1と同様にして工程2~工程8を実施することにより、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
乾燥後の銀粒子層が0.5g/m2から、0.8g/m2となる様に変更した以外は、実施例1と同様にしてポリイミドフィルムの両表面に銀粒子層を形成し、250℃で5分間焼成して、テスターで銀粒子層の導通を確認した。このようにして得られた、両表面に導電性の銀粒子層を有するポリイミドフィルムを銅製の枠に固定し、銀粒子層の表面をカソードに設置し、含リン銅をアノードとして、硫酸銅を含有する電解めっき液(硫酸銅60g/L、硫酸190g/L、塩素イオン50mg/L、添加剤(ローム・アンド・ハース電子材料株式会社製 カパーグリームST-901」)を用いて、電流密度2A/dm2で2.5分間電解めっきを行うことによって、絶縁性基材(A)であるポリイミドフィルムの両表面上に、銀粒子層(M1)、及び、1μm厚の銅層(M2)が形成された積層体を作製し、両面を貫通する貫通孔を形成した以降は、実施例1と同様にして工程2~工程8を実施することにより、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
ポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製「カプトン 100EN-C」、厚さ25μm)の表面に、製造例1で得られたプライマー(B-1)を、卓上型小型コーター(RKプリントコートインストルメント社製「Kプリンティングプローファー」)を用いて、乾燥後の厚さが120nmとなるように塗工し、次いで、熱風乾燥機を用いて80℃で5分間乾燥した、さらに、フィルムを裏返して、上記と同様にして製造例1で得られたプライマー(B-1)を乾燥後の厚さが120nmとなるように塗工し、熱風乾燥機を用いて80℃で5分間乾燥することによって、ポリイミドフィルムの両表面にプライマー層を形成した。
実施例4において、銀粒子層を0.5g/m2から、0.8g/m2となる様に変更し、めっき時間を2.5分間から4.5分間に変更する以外は、実施例3と同様に電解銅めっき処理を行うことによって、絶縁性基材(A)であるポリイミドフィルムの両表面上に、プライマー層(B)、導電性の銀粒子層(M1)、及び、2μm厚の銅層(M2)が形成された積層体を作製した。両面を貫通する貫通孔を形成した以降は、実施例4と同様にして、工程2~工程8を実施することにより、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
実施例1~3において、銀粒子層(M1)の上に銅層(M2)を形成する代わりに、剥離性カバー層(RC)として、38μm厚のポリエステル製再剥離性粘着テープ(パナック株式会社製、パナプロテクトHP/CT)をラミネートした以外は、それぞれ実施例1~3と同様にして、絶縁性基材(A)の両表面上に、導電性の銀粒子層(M1)を有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、銀層によって導電性が確保された積層体を得た。この積層体に、実施例1~3と同様に、ドリルを用いて両面を貫通する貫通孔を形成した以降は、実施例1~3と同様にして工程2~工程8を実施することにより、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
実施例4、5において、銀粒子層(M1)の上に銅層(M2)を形成する代わりに、剥離性カバー層(RC)として、38μm厚のポリエステル製再剥離性粘着テープ(パナック株式会社製、パナプロテクトHP/CT)をラミネートした以外は、実施例4、5と同様にして、絶縁性基材(A)の両表面上に、プライマー層(B)、導電性の銀粒子層(M1)、及び、銅層(M2)が形成された積層体を作製した。この積層体に、実施例4、5と同様に、ドリルを用いて両面を貫通する貫通孔を形成した以降は、実施例4、5と同様にして工程2~工程8を実施することにより、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
ドリルを用いた100μm径のスルーホールから、レーザーを用いた70μm径のスルーホール形成に変更した以外は、実施例1~5と同様にして、工程1~工程8を実施することにより、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
ドリルを用いた100μm径のスルーホールから、レーザーを用いた70μm径のスルーホール形成に変更した以外は、実施例6~10と同様にして、工程1~工程8を実施することにより、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
実施例5において、工程4における、両表面の導電性銀粒子層(M1)上に形成する無電解銅めっき層の厚さを0.5μmから、0.7μm(実施例21)、1μm(実施例22)に変更し、置換銀めっき浴を、それぞれ調製例4、調製例5のめっき浴に変更した以外は、実施例5と同様にして、工程1~工程8を実施することにより、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
絶縁性基材の種類、プライマー層に用いるプライマーの種類及びその乾燥条件、銀粒子層の銀量、銀粒子層のカバー層種、スルーホール形成法、銀めっきによる置換銅めっき膜厚、置換銀めっき液種を表1又は2に示したものに変更した以外は、実施例1~22と同様にして、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
実施例5において、工程4における、無電解銅めっきを無電解ニッケルめっきに変更した。無電解ニッケルめっきは、工程3を実施したフィルムを、80℃に設定した無電解ニッケルめっき液(奥野製薬工業製「ICPニコロンGM(NP)」)に、1.5分間浸漬することにより、スルーホール内壁上に、無電解ニッケルめっき層(厚さ0.2μm)を形成した。
このようにして得られたフィルムを、25℃に設定した置換銀めっきプロセス(大和化成製「ダインシルバーEL」)で10分間処理し、スルーホール内壁上に形成されたニッケルめっき層を銀めっき層(M3)に置換めっきした。
工程6において、銀粒子層(M1)上の銀めっき層(M3)上にレジストを形成する代わりに、銀粒子層(M1)上にレジストパターンを形成した以降は、実施例5と同様にして、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
実施例40において、工程4における、無電解ニッケルめっき液を、「ICPニコロンGM(NP)」から、60℃に設定したトップケミアロイ66-LF(奥野製薬工業製)に変更して、2.5分間浸漬することにより、スルーホール内壁上、および、銀粒子層(M1)に、無電解ニッケルめっき層(厚さ0.2μm)を形成した。
このようにして得られたフィルムを、25℃に設定した置換銀めっきプロセス(大和化成製「ダインシルバーEL」)で10分間処理し、スルーホール内壁、及び、銀粒子層(M1)上に形成されたニッケルめっき層を銀めっき層(M3)に置換めっきした。
工程6において、銀粒子層(M1)上に形成された置換銀めっき層(M3)上にレジストパターンを形成した以降は、実施例39と同様にして、プリント配線板を得た。作製したプリント配線板の回路形成部(マイクロストリップライン、及びプローブン端子部)の断面形状は、配線高さ、及び、配線幅の減少がなく、かつ、アンダーカットのない矩形形状を示し、平滑な表面の回路パターン層(M4)であった。
両面に銀粒子層を形成したポリイミドフィルムを用いる代わりに、両面にめっき下地層として3μm厚の粗化銅箔を有する市販の25μm厚ポリイミドベースFCCL(宇部エクシモ株式会社製「ユピセルN-BE1310YSB」)を用いた以外は、上記実施例1~22と同様にして、両面を貫通するスルーホールを形成し、マクダーミッド社のブラックホールプロセス(コンディショニング-カーボン吸着処理-エッチング)に通して、スルーホールの表面にカーボンを付着させ、カーボンの付着した銅箔表面を、調製例2で作製した硫酸/過酸化水素水溶液を用いたエッチング処理で除去することにより、絶縁性基材(A)の両表面上に、銅箔を有し、さらに、絶縁性基材両面を接続する貫通孔を有し、貫通孔の表面が、カーボンによって導電性が確保された基材を得た。
以降は、銀粒子層(M1)表面の代わりに、銅箔表面にパターンレジストを形成する以外は、実施例1~22と同様にして、銅箔のめっき下地層上に、銅による18μm厚のマイクロストリップライン、及びプローブ端子部パッドパターンの導体回路層を形成した。
両面に銀粒子層を形成したポリイミドフィルムを用いる代わりに、両面にめっき下地層としてニッケル/クロム(厚さ30nm、ニッケル/クロム質量比=80/20)、さらに70nmの銅をスパッタし、1μm厚の電解銅めっき処理したポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製「カプトン 100EN-C」;厚さ25μm)を用いた以外は、上記比較例1と同様にして、銅箔のめっき下地層上に、銅による18μm厚のマイクロストリップライン、及びプローブ端子部パッドパターンの導体回路層を形成した。
上記で得られたプリント配線板の櫛歯電極部の断面を走査型電子顕微鏡(日本電子株式会社製「JSM7800」)で500~10,000倍に拡大し観察して、アンダーカットの有無及び櫛歯電極部の断面形状を確認した。
2:銀粒子層
3:カバー層(銅層 or 剥離性カバー層)
4:貫通孔(スルーホール)
5:無電解めっき用触媒
6:無電解銅めっき層 or 無電解ニッケルめっき層
7:置換銀めっき層
8:パターンレジスト
9:導電層(電解銅めっき層)
(1a)セミアディティブ工法用積層体(請求項1の構成)
(1b)工程1:貫通孔(スルーホール)形成
(1c)工程2:無電解銀めっき用触媒付与
(1d)工程3:導電性銀粒子層の露出
(1e)工程4:スルーホール表面への無電解銅めっき、
もしくは無電解ニッケルめっき
(1f)工程5:銅めっき層、もしくはニッケルめっき層の置換銀めっき
(1g)工程6:パターンレジスト形成
(1h)工程7:電解銅めっきによる導電層形成
(1i)工程8:パターンレジスト剥離
(1i)工程8:銀シード除去
(2a)セミアディティブ工法用積層体(請求項1の構成)
(2b)工程1:貫通孔(スルーホール)形成
(2c)工程2:無電解銀めっき用触媒付与
(2d)工程3:導電性銀粒子層の露出
(2e)工程4:スルーホール表面、銀粒子層表面への
無電解銅めっき、もしくは無電解ニッケルめっき
(2f)工程5:銅めっき層、もしくはニッケルめっき層の置換銀めっき
(2g)工程6:パターンレジスト形成
(2h)工程7:電解銅めっきによる導電層形成
(2i)工程8:パターンレジスト剥離
(2i)工程8:銀シード除去
Claims (11)
- 絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmである積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材および貫通孔の表面上に、無電解めっき用の触媒を付与する工程2、
前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
無電解めっきにより、貫通孔表面、および、前記銀粒子層(M1)上に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面、および、銀粒子層(M1)上に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に形成された銀めっき層(M3)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M4)形成を行う工程7
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程8
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び銅層(M2)が、順次積層され、前記銅層(M2)の層厚が、0.1μm~2μmである積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材および貫通孔の表面上に、無電解めっき用の触媒を付与する工程2、
前記銅層(M2)をエッチングして、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、
無電解めっきにより、貫通孔表面に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面上に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M4)形成を行う工程7
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程8
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び、剥離性カバー層(RC)が、順次積層された積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材の表面上に、無電解銀めっき用の触媒を付与する工程2、
前記剥離性カバー層(RC)を剥離して、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、無電解めっきにより、貫通孔表面、および、前記銀粒子層(M1)上に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面、および、銀粒子層(M1)上に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に形成された銀めっき層(M3)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M4)形成を行う工程7
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程8
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 絶縁性基材(A)の両表面上に、銀粒子層(M1)、及び、剥離性カバー層(RC)が、順次積層された積層体に、両面を貫通する貫通孔を形成する工程1、
前記貫通孔を有する基材の表面上に、無電解銀めっき用の触媒を付与する工程2、
前記剥離性カバー層(RC)を剥離して、導電性の銀粒子層(M1)を露出させる工程3、無電解めっきにより、貫通孔表面上に銅、もしくはニッケル層を形成する工程4、
前記貫通孔表面上に形成された銅、もしくはニッケルを銀で置換する工程5、
前記導電性の銀粒子層(M1)上に、パターンレジストを形成する工程6、
電解銅めっきにより、基材両面を電気的に接続するとともに、回路パターンの導電層(M4)形成を行う工程7
パターンレジストを剥離し、非回路パターン形成部の前記銀粒子層(M1)をエッチング液により除去する工程8
を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 前記絶縁性基材(A)と、銀粒子層(M1)の間に、さらにプライマー層(B)を積層させることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項記載のセミアディティブ工法用積層体の製造方法。
- 前記、貫通孔表面に形成される銅層、もしくはニッケル層の厚さが0.1~1μmであることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記銀粒子層(M1)を構成する銀粒子が、高分子分散剤で被覆されたものである請求項1~4のいずれか1項記載のプリント配線板の製造方法。
- 請求項5記載のプリント配線板の製造方法において、請求項5記載のプライマー層(B)が反応性官能基[X]を有する樹脂で構成される層であり、前記銀粒子層(M1)を構成する銀粒子が、高分子分散剤で被覆されたものである請求項1~4のいずれか1項記載のプリント配線板の製造方法で用いた高分子分散剤が反応性官能基[Y]を有するものであり、前記反応性官能基[X]と前記反応性官能基[Y]とは反応により互いに結合を形成できるものである請求項5記載のプリント配線板の製造方法。
- 請求項8記載の反応性官能基[Y]が、塩基性窒素原子含有基である請求項8記載のプリント配線板の製造方法。
- 請求項8記載の反応性官能基[Y]を有する高分子分散剤が、ポリアルキレンイミン、及びオキシエチレン単位を含むポリオキシアルキレン構造を有するポリアルキレンイミンからなる群から選ばれる1種以上である請求項8記載のプリント配線板の製造方法。
- 請求項8記載の反応性官能基[X]が、ケト基、アセトアセチル基、エポキシ基、カルボキシル基、N-アルキロール基、イソシアネート基、ビニル基、(メタ)アクリロイル基、アリル基からなる群から選ばれる1種以上である請求項8~10のいずれか1項記載のプリント配線板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020184976 | 2020-11-05 | ||
JP2020184976 | 2020-11-05 | ||
PCT/JP2021/038871 WO2022097483A1 (ja) | 2020-11-05 | 2021-10-21 | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2022097483A1 JPWO2022097483A1 (ja) | 2022-05-12 |
JP7260065B2 true JP7260065B2 (ja) | 2023-04-18 |
Family
ID=81457262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022533169A Active JP7260065B2 (ja) | 2020-11-05 | 2021-10-21 | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7260065B2 (ja) |
KR (1) | KR20230098582A (ja) |
CN (1) | CN116420433A (ja) |
TW (1) | TW202234963A (ja) |
WO (1) | WO2022097483A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101398A (ja) | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銀系被覆層付銅箔及びその銀系被覆層付銅箔を用いた銅張積層板 |
JP2010021163A (ja) | 2006-11-02 | 2010-01-28 | Alps Electric Co Ltd | 貫通電極回路基板およびその形成方法 |
WO2020003878A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
WO2020003877A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
WO2020003879A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | 金属パターンを有する成形体の製造方法 |
WO2020003881A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | 金属パターンを有する成形体の製造方法 |
WO2020003880A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | プリント配線板用積層体及びそれを用いたプリント配線板 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9425030D0 (en) * | 1994-12-09 | 1995-02-08 | Alpha Metals Ltd | Silver plating |
JP3570802B2 (ja) | 1995-11-14 | 2004-09-29 | 三井化学株式会社 | 銅薄膜基板及びプリント配線板 |
JP2007122952A (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-17 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | プレスフィット端子と基板の接続構造 |
JP5461988B2 (ja) | 2007-07-02 | 2014-04-02 | 株式会社Jcu | 金属積層ポリイミド基盤及びその製造方法 |
JP2010272837A (ja) | 2009-04-24 | 2010-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | プリント配線板用基板、プリント配線板、及びプリント配線板用基板の製造方法 |
-
2021
- 2021-10-21 CN CN202180074821.8A patent/CN116420433A/zh active Pending
- 2021-10-21 WO PCT/JP2021/038871 patent/WO2022097483A1/ja active Application Filing
- 2021-10-21 JP JP2022533169A patent/JP7260065B2/ja active Active
- 2021-10-21 KR KR1020237015036A patent/KR20230098582A/ko unknown
- 2021-11-03 TW TW110140954A patent/TW202234963A/zh unknown
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101398A (ja) | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銀系被覆層付銅箔及びその銀系被覆層付銅箔を用いた銅張積層板 |
JP2010021163A (ja) | 2006-11-02 | 2010-01-28 | Alps Electric Co Ltd | 貫通電極回路基板およびその形成方法 |
WO2020003878A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
WO2020003877A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
WO2020003879A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | 金属パターンを有する成形体の製造方法 |
WO2020003881A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | 金属パターンを有する成形体の製造方法 |
WO2020003880A1 (ja) | 2018-06-26 | 2020-01-02 | Dic株式会社 | プリント配線板用積層体及びそれを用いたプリント配線板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116420433A (zh) | 2023-07-11 |
JPWO2022097483A1 (ja) | 2022-05-12 |
KR20230098582A (ko) | 2023-07-04 |
TW202234963A (zh) | 2022-09-01 |
WO2022097483A1 (ja) | 2022-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6750766B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP6667119B1 (ja) | プリント配線板用積層体及びそれを用いたプリント配線板 | |
JP6766983B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP7260065B2 (ja) | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 | |
JP7288230B2 (ja) | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 | |
JP7201130B2 (ja) | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 | |
JP7371778B2 (ja) | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 | |
JP7332049B2 (ja) | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 | |
WO2022097484A1 (ja) | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 | |
WO2022097481A1 (ja) | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 | |
WO2022097488A1 (ja) | セミアディティブ工法用積層体及びそれを用いたプリント配線板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220602 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220602 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220809 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220818 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20221108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230307 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230320 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7260065 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |