JP7259839B2 - ダイアフラム弁及びそれを用いた質量流量制御装置 - Google Patents

ダイアフラム弁及びそれを用いた質量流量制御装置 Download PDF

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Description

本発明は、ダイアフラム弁及びそれを用いた質量流量制御装置に関する。
質量流量制御装置は、流量センサ及び流量制御弁を備え、流量センサによって測定されるガスの流量が目標値と一致するように流量制御弁の開度を調整する装置である。質量流量制御装置は、成膜材料としてのガスを半導体製造装置に定量供給することを目的として広く用いられている。半導体の製造に用いられるガスの中には腐食性を有するものがある。このため、質量流量制御装置においては、ガスの流路と弁の駆動機構とが金属製の隔膜(即ち、ダイアフラム)によって気密に分離されたダイアフラム弁が流量制御弁として用いられることが一般的である。
ダイアフラム弁のダイアフラムは、典型的には、ステンレス鋼等の耐腐食性金属によって構成された円形状の薄板である。ダイアフラム弁の開閉動作は、弁の一次側流路と二次側流路とを隔てる弁座の着座面に、ダイアフラムの表面を接触させたり乖離させたりすることによって行われる。ダイアフラムの変位は、ダイアフラムを挟んでガスの流路とは反対側に設けられた押圧部材によって行われる。
ダイアフラム弁の最大流量は、弁の一次側圧力Pと二次側圧力Pとの圧力差ΔP1及び弁座の着座面とダイアフラムの表面との間に形成されるギャップの断面積Sに依存する。典型的には、弁座は円筒状の形状を有し、そのダイアフラム側の環状の端面が着座面となる。従って、圧力差ΔP1が一定の場合、最大流量を増やすためには、弁座の着座面の周長lを長くするか、或いは弁座の着座面とダイアフラムの表面との距離dを拡げるか、の何れかの手段によって、ギャップの断面積S(=l×d)を増やすことが有効である。後者の手段における距離dは、ダイアフラムの押圧部材の可動域の大きさによって決まる。押圧部材を駆動する駆動機構が圧電素子である場合、押圧部材の可動域はたかだか50μmであり、距離dを拡げることは困難である。
一方、前者の手段を採用して最大流量を増やした流量制御弁として、例えば、特許文献1には、弁座の着座面をダイアフラムの平坦部の周縁の近傍まで拡大した流量制御弁が記載されている。この構成によれば、一定の大きさの平坦部を有するダイアフラムに対して単一の着座面を有する弁座としては着座面の周長lが最も長くなる。
ところで、近年、半導体製造技術の進歩に伴って成膜材料としてのガスの種類も増えており、従来使われることの無かった特殊なガスが用いられるようになってきている。例えば、特許文献2には、原子層堆積法(ALD)に用いられる成膜材料として、例えば有機金属化合物及び/又は金属ハロゲン化物等の前駆体を含むガスが記載されている。これらの前駆体を最初に基板上に化学吸着させて単層を形成し、その後に他のガスと反応させることによって、金属又は金属酸化物等の原子層が形成される。
特開平11-65670号公報 国際公開第2006/101857号 特開2014-47843 米国特許出願公開第2008/0142091号明細書
上述した有機金属化合物及び金属ハロゲン化物等の前駆体は、一般に分子量が大きく、常温常圧において液体(又は固体)である。また、加熱によって気化させても、平衡蒸気圧が低いために、冷却又は圧力上昇によって容易に液化(又は固化)する。従って、これらのガスの液化(又は固化)を防ぎながら流量を制御して半導体製造装置に供給するためには、温度Tを高温に維持すると共に、一次側圧力P及び二次側圧力Pが温度Tにおける平衡蒸気圧P(T)を超えない状態を維持しつつ流量制御を行う必要がある。このことは、(平衡蒸気圧P(T)が低いため)一次側圧力Pと二次側圧力Pの圧力差ΔP1を大きくすることができないことを意味する。従って、平衡蒸気圧の低いガスの流量制御において所期の流量を達成するためには、質量流量制御装置が備えるダイアフラム弁のギャップの断面積Sを増やす必要がある。
特許文献1に記載された、弁座の着座面をダイアフラムの平坦部の周縁の近傍まで拡大した流量制御弁においては、一定の大きさの平坦部を有するダイアフラムに対して単一の着座面を有する弁座としては着座面の周長l及びギャップの断面積Sが最大である。しかしながら、二次側流路の形状が複雑であるため、流体抵抗が大きく、容量係数(C値)が小さくなる。このため、ギャップの断面積Sは大きいにも拘わらず流量を大きくすることができないという課題がある。
そこで、ガスを流す方向を逆にして、一次側流路を弁座の外側に設け、二次側流路を弁座の内側に設けることが考えられる。しかしながら、その場合は二次側流路が半導体製造装置と接続されるために真空に近い圧力となる。即ち、半導体製造装置に供給されるガスの二次側圧力Pが低い。一方、ダイアフラム弁において、ダイアフラムの押圧部材が設けられている側は外部と連通しているので、その部分の圧力Pは大気圧に等しい。このため、押圧部材が設けられている側の圧力Pとその反対側の二次側圧力Pとの間の圧力差ΔP2によってダイアフラムの中心部が二次側流路に向かって変形(膨張)し、その影響によりギャップの距離dが縮まってガスの流量が低下するという新たな課題が生ずる。
図10は、従来技術に係るダイアフラム弁(以降、「従来弁」と称呼される場合がある)の構成の一例を示す模式的な断面図である。また、図11は、従来弁10における上述した圧力差ΔP2の大きさによるダイアフラム2の状態の違いを説明するためのダイアフラム2近傍の模式的な部分拡大断面図である。何れの図においても、ハッチングが施された部分は、従来弁10を構成する部材の断面を表す。但し、ダイアフラム2の断面だけは太い線によって表されている。線及びハッチングの無い部分は、ガスの流路又は部材間の間隙を表す。
ダイアフラム2の押圧部材6が設けられている側の圧力Pとその反対側の二次側圧力Pとの間の圧力差ΔP2が十分に小さいとき、図11に示す太い実線のように、ダイアフラム2の平坦部は本来の平坦な形状を維持している。しかしながら、圧力差ΔP2が大きいときは、図11に示す太い破線のように、ダイアフラム2は二次側流路に向かって変形する(二次側流路側が凸になるようにダイアフラム2が撓む)場合がある。ダイアフラム2は、その外周部が他の部材に固定されているので、ダイアフラム2の中央に比べると、着座面5aに対応する位置における変形は小さい。それでも、図11に例示するように、圧力差ΔP2が十分に小さいとき(太い実線)と比べて、太い破線で示されたダイアフラム2と弁座5の着座面5aとのギャップの距離dは小さくなる。このようなダイアフラム2の変形の結果、ギャップの断面積Sが小さくなり、ガスの流量が低下する。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、ダイアフラムの平坦部の周縁の近傍まで拡大された着座面を有する弁座を備えるダイアフラム弁及びそれを用いた質量流量制御装置において、ダイアフラムの両側の圧力差ΔP2が大きい場合においても大流量にてガスを流すことができるようにすることを1つの目的とする。
本発明に係るダイアフラム弁(以降、「本発明弁」と称呼される場合がある。)は、円形のダイアフラムと、弁座と、弁座の外側に位置する空間である一次側流路と、弁座の内側に位置する空間である二次側流路と、ダイアフラムを着座面に近付ける方向に押圧するように構成された押圧部材と、を備える。弁座は、ダイアフラムと同軸状に配置された筒状部材によって構成され且つダイアフラムが着座する環状の形状を有する平面である着座面が筒状部材のダイアフラム側の端面に形成されている。ダイアフラムの外周部は着座面を含む平面である着座平面に対して所定の距離だけ離れた基準位置に固定されており、押圧部材はダイアフラムを押圧することによりダイアフラムと着座面との距離を変更して弁開度を変更するように構成されている。
本発明弁は、その弁開度の全開から全閉までの範囲である全開度範囲のうちの少なくとも一部の弁開度の範囲である第1開度範囲においてダイアフラムと接触して二次側流路側へのダイアフラムの変形を妨げるように構成された支持部材を更に備える。支持部材は、着座面を含む平面である着座平面への垂直投影図において、第1開度範囲においてダイアフラムと接触する支持部材の面である支持面が、着座面の環状の形状の中心である着座中心と着座面との間の領域に位置するように構成されている。
また、本発明に係る質量流量制御装置(以降、「本発明装置」と称呼される場合がある。)は、流量センサ及び本発明弁を備える質量流量制御装置である。
本発明によれば、二次側流路の径を拡大して流体抵抗を少なくすることができる。加えて、ダイアフラムの押圧部材が設けられている側の圧力P0とその反対側の二次側圧力P2との間の圧力差ΔP2が大きいときであってもダイアフラム弁のギャップの距離dの縮小を低減することができる。従って、本発明弁を備える質量流量制御装置を用いて、平衡蒸気圧の低いガスを大流量にて半導体製造装置等に安定的に供給することができる。
本発明の第1実施形態に係るダイアフラム弁(第1弁)の構成の一例を示す模式的な断面図である。 第1弁における圧力差ΔP2の大きさによるダイアフラムの状態の違いを説明するためのダイアフラム近傍の模式的な部分拡大断面図である。 本発明の第3実施形態に係るダイアフラム弁(第3弁)のダイアフラム近傍の構成の一例を示す模式的な部分拡大断面図である。 本発明に係る支持部材の1つの実施形態を示す模式的な斜視図である。 本発明に係る支持部材のもう1つの実施形態を示す模式的な斜視図である。 本発明に係る支持部材の更にもう1つの実施形態を示す模式的な斜視図である。 本発明に係る付勢部材を備える支持部材の1つの実施形態を示す模式的な斜視図である。 本発明に係る付勢部材を備える支持部材のもう1つの実施形態を示す模式的な斜視図である。 本発明の第5実施形態に係る質量流量制御装置(第5装置)の構成の一例を示す模式的なブロック図である。 従来技術に係るダイアフラム弁(従来弁)の構成の一例を示す断面図である。 従来弁における圧力差ΔP2の大きさによるダイアフラムの状態の違いを説明するためのダイアフラム近傍の模式的な部分拡大断面図である。
本発明を実施するための形態につき、図を参照しながら以下に詳細に説明する。尚、ここに記載された実施の形態はあくまで例示に過ぎず、本発明を実施するための形態はここに記載された形態に限定されない。
《第1実施形態》
図1は、本発明の第1実施形態に係るダイアフラム弁(以降、「第1弁」と称呼される場合がある。)の構成の一例を示す模式的な断面図である。ハッチングが施された部分は、第1弁1を構成する部材の断面を表す。但し、ダイアフラム2の断面だけは太い線によって表されている。線及びハッチングの無い部分は、ガスの流路又は部材間の間隙を表す。また、図2は、第1弁1における圧力差ΔP2の大きさによるダイアフラム2の状態の違いを説明するためのダイアフラム2近傍の模式的な部分拡大断面図である。
第1弁1は、円形のダイアフラム2を有する。ダイアフラム2は、円形の形状を有する金属製の薄板によって構成された隔膜である。ダイアフラム2の2つの主面の一方はガスの流路に面しており、他方は外気と連通する空間に面している。従って、ガスと外気とはダイアフラム2によって隔離される。ダイアフラム2の外周部は着座面を含む平面である着座平面に対して所定の距離だけ離れた基準位置に固定されている。具体的には、ダイアフラム2は、その外周部が他の部材に隙間無く固定されている。ダイアフラム2と他の部材との固定部分は、ガスケットその他の手段によってガスが漏洩しないように気密に保たれていることが好ましい。ダイアフラム2の固定部分よりも少し内側に、ダイアフラム2の変形による第1弁1の開閉動作及び弁開度の調整(増減)を容易にするための屈曲部2aが設けられていることが好ましい。
ダイアフラム2は、ステンレス鋼等の耐腐食性金属の薄板によって構成されることが好ましい。これにより、第1弁1を用いて金属に対する腐食性を有するガスの流量を制御することが可能となる。ダイアフラム2を構成する金属製の薄板の厚さは、0.2mm以上、0.5mm以下であることが好ましい。ダイアフラム2の厚さが0.2mm以上のときはダイアフラム2の強度が十分となり、0.5mm以下のときは押圧部材によるダイアフラム2の変形(駆動)が容易となる。ダイアフラム2のより好ましい厚さは、0.3mm以上、0.4mm以下である。
第1弁1は、ダイアフラム2と同軸状に配置された筒状部材によって構成され且つダイアフラム2が着座する環状の形状を有する平面である着座面5aが筒状部材のダイアフラム2側の端面に形成されている弁座5を備える。弁座5を構成する筒状部材の形状は、着座面5aが環状の形状を有する平面である限り特に限定されない。例えば、筒状部材の形状は円筒形又は円錐台筒形であってもよい。或いは、図1に示すように、円筒状部材と円錐台筒状部材との組み合わせによって筒状部材が構成されていてもよい。
弁座5の外側にはガスの一次側流路4となる空間が画定されており、弁座5の内側には二次側流路3となる空間が画定されている。ガスは、一次側流路4を通って第1弁1に流入し、二次側流路3を通って第1弁1から外部に流出する。一次側流路4及び二次側流路3の形状は、何れもガスの流体抵抗が少なくなるように、流路面積をできるだけ広くし、屈曲部のできるだけ少ない形状であることが好ましい。一次側流路4及び二次側流路3は、例えば、第1弁1を構成する部材に機械加工によって穿たれた孔によって構成することができる。
第1弁1の開閉動作は、ダイアフラム2の表面を弁座5の着座面5aに接触させたり弁座5の着座面5aから乖離させたりすることによって行われる。ダイアフラム2の表面が弁座5の着座面5aから乖離しているときは、ダイアフラム2の表面と環状の着座面5aとの間にはほぼ一定の距離dのギャップが形成される。第1弁1の一次側圧力Pと二次側圧力Pとの圧力差ΔP1が一定であるとき、第1弁1を流れるガスの流量は、ギャップの距離dと着座面5aの周長lとの積、即ちギャップの断面積S(=l×d)に依存する。
前述したように、ギャップの距離dは、ダイアフラム2の押圧部材6の可動域の大きさによって決まるので、距離dを拡げることは容易ではない。第1弁1の弁座5の着座面5aは環状の形状を有する。着座面5aの形状を環状とすることによって、第1弁1の確実な開閉動作が可能となる。また、弁座5の着座面5aをダイアフラム2の平坦部(屈曲部2aよりも中心側の平坦な部分)の周縁の近傍まで拡大することが好ましい。これにより、着座面5aの周長l及びギャップの断面積Sを最大にすることができる。
ダイアフラム2の表面が弁座5の着座面5aに接触しているときは、一次側流路4と二次側流路3とは着座面5aの位置において遮断され、ガスは流れない。このときの着座面5aよりも上流側のガスの流路を一次側流路4と称呼し、着座面5aよりも下流側のガスの流路を二次側流路3と称呼する。図1に例示されるように、一次側流路4は、第1弁1を構成する部材に機械加工によって穿たれた孔だけでなく、弁座5を構成する筒状部材の外側表面によっても形成され得る。また、二次側流路3は、第1弁1を構成する部材に機械加工によって穿たれた孔だけでなく、弁座5を構成する筒状部材の内側の空間(孔)によっても形成され得る。
図1に例示されるように、弁座5の着座面5aは、弁座を構成する筒状部材のダイアフラム2側の端面に設けることができる。着座面5aは、ダイアフラム2との密着性を確保するために、単一の平面上に設けられる。
第1弁1は、ダイアフラム2を着座面5aに近付ける方向に押圧するように構成された押圧部材6を備える。押圧部材6は、駆動機構によって駆動されてダイアフラム2を着座面5aに近付ける方向に押圧する作用を有するものであれば、どのような構成のものであってもよい。例えば、図1に例示されるように、押圧部材6は、弁座5の着座面5aの形状に対応する環状の凸部6aを有していてもよい。このような形状を有する押圧部材6は、凸部6aによってダイアフラム2を弁座5の着座面5aに確実に押し当てることができるので好ましい。押圧部材6を駆動する駆動機構は、例えば、電圧信号によって駆動される圧電素子又は電流信号によって駆動されるソレノイドの何れかの手段を含むことができる。これらの手段は、信号の強度に応じてギャップの距離dを制御することができるので好ましい。
前述したように、ダイアフラム2の外周部は、着座面5aを含む平面である着座平面に対して所定の距離だけ離れた基準位置に固定されている。着座平面からの基準位置の距離は、例えば第1弁1の弁開度が全開であるときに求められるガスの流量等に応じて適宜定めることができる。押圧部材6は、ダイアフラム2を押圧することによりダイアフラム2と着座面5aとの距離を変更して、第1弁1の弁開度を変更するように構成されている。
第1弁1は、第1弁1の弁開度の全開から全閉までの範囲である全開度範囲のうちの少なくとも一部の弁開度の範囲である第1開度範囲においてダイアフラム2と接触して二次側流路3側へのダイアフラム2の変形を妨げるように構成された支持部材7を更に備える。支持部材7は、着座平面への垂直投影図において、第1開度範囲においてダイアフラム2と接触する支持部材7の面である支持面7aが、着座面5aの環状の形状の中心である着座中心と着座面5aとの間の領域に位置するように構成されている。
前述したように、二次側流路3は半導体製造装置と接続されるために真空に近い圧力となる場合がある。そのような場合、従来技術に係るダイアフラム弁(従来弁)においては、押圧部材6が設けられている側の圧力P(例えば、大気圧)と、二次側流路3側のガスの圧力Pとの圧力差ΔP2によって、ダイアフラム2の中心部が二次側流路3側に凸となるように変形(膨張)する。その影響により、図10及び図11を参照しながら説明したように、ギャップの距離dが縮まり、ガスの流量が想定外に低下する。
一方、第1弁1によれば、上述したダイアフラム2の二次側流路側への変形(膨張)が支持部材7によって妨げられるため、ギャップの距離dの減少及びガスの流量の低下を低減することができる。第1弁1における支持部材7の作用について、図2に示す部分拡大断面図を用いて更に詳細に説明する。ダイアフラム2の両側の圧力差ΔP2が大きくない(十分に小さい)ときは、図2において太い実線によって示されるようにダイアフラム2の形状は平坦である。このときのダイアフラム2の表面と弁座5の着座面5aとのギャップの距離は記号dで示された距離となる。また、環状の形状を有する着座面5aの半径をrとすると、着座面5aの周長lは2πrに等しい。従って、ギャップの断面積Sは2πr×dとなる。図示しない駆動機構によって押圧部材6を駆動してダイアフラム2を弁座5の着座面5aに近付けるように押圧することにより、ダイアフラム2の平坦な形状を保ったまま、ギャップの距離dを変化させることができる。
一方、例えば二次側流路3の圧力Pの低下等によって押圧部材6側の圧力Pと二次側流路3の圧力Pとの差が大きくなると(圧力差ΔP2が大きくなると)、ダイアフラム2は図2において太い破線で示されるように変形して膨張する。しかしながら、第1弁1においては、変形して膨張したダイアフラム2の表面が支持部材7の先端(支持面7a)に接触すると、ダイアフラム2はそれ以上変形することができなくなる。その結果、圧力差ΔP2が大きいときの第1弁1におけるギャップの距離dは、圧力差ΔP2が大きいときの従来弁10におけるギャップの距離dよりも大きい(図2及び図11における太い破線を参照)。即ち、第1弁1によれば、ギャップの距離dの減少及びそれに伴うガスの流量の低下を低減することができる。
ところで、当該技術分野においては、ダイアフラムの過度の変形を防止することを目的として、ダイアフラムの押圧部材とは反対側の表面の中央部に接触するように配設された突出部が設けられたダイアフラム弁が知られている(例えば、特許文献3を参照)。また、全開状態から全閉状態へとダイアフラムが変形する過程の後半において押圧部材による押圧力に抗する復帰力を大きくすることを目的として、ダイアフラムの押圧部材とは反対側の表面の中央部に接触するように配設された止め具が設けられたダイアフラム弁が知られている(例えば、特許文献4を参照)。
上記のようにダイアフラム2の中央部に接触するように支持部材を設けることによっても、ダイアフラム2の両側の圧力差ΔP2に起因するダイアフラム2の変形をある程度妨げることは可能であると考えられる。しかしながら、ダイアフラムの中央部のみに支持部材を接触させてダイアフラムを支持しても、圧力差ΔP2が大きい場合、ダイアフラムの中央部と周縁部との間においてダイアフラムが撓んでしまい、ギャップの距離dの減少を低減することが困難となる虞がある。この問題は、ダイアフラム弁の最大流量の増大を目的として弁座の着座面が大径化されている場合により顕著となる。
しかしながら、第1弁1が備える支持部材7は、着座平面への垂直投影図において、第1開度範囲においてダイアフラム2と接触する支持部材7の面である支持面7aが、着座面5aの環状の形状の中心である着座中心と着座面5aとの間の領域に位置するように構成されている。これにより、ダイアフラム2の中心と周縁部との間においてダイアフラム2が撓むことを確実に防止して、ギャップの距離dの減少を確実に低減することができる。
《第2実施形態》
上述したように、第1弁1においては、二次側流路側に凸になるように変形(膨張)したダイアフラム2の表面を支持部材7の支持面7aに接触させることにより、ダイアフラム2の更なる変形を防止して、ギャップの距離dの減少及びそれに伴うガスの流量の低下を低減する。
しかしながら、支持面7aが着座面5aを含む平面である着座平面よりもダイアフラム2に近い位置にあると、ダイアフラム弁1を閉じようとしたときに、支持面7aが弁座5の着座面5aよりもダイアフラム2に過度に先に接触してしまう。このため、例えば、ダイアフラム2の着座面5aへの着座が妨げられたり、ダイアフラム2に想定外の屈曲が起こったりして、ガスの流量に意図せぬ影響を与えてしまう。逆に、支持面7aが着座面5aよりもダイアフラム2から遠い位置(即ち、二次側流路側)にあると、ダイアフラム2の変形を妨げる効果を十分に発揮することができない。よって、ダイアフラム2に接触し得る支持部材7の支持面7aの位置は、弁座5の着座面5aと同一平面上に位置することが好ましい。
そこで、本発明の第2実施形態に係るダイアフラム弁(以降、「第2弁」と称呼される場合がある。)においては、支持面7aが着座平面に含まれている。換言すれば、第2弁においては、図2に示したように、ダイアフラム2に接触し得る支持部材7の支持面7aは、弁座5の着座面5aと同一平面上に位置する。尚、図2に示す例においては、位置2bが支持部材7の支持面7aと接触し得るダイアフラム2の位置である。
第2弁によれば、支持面7aが弁座5の着座面5aよりも過度に先にダイアフラム2に接触してガスの流量に意図せぬ影響を与えることを回避しつつ、ダイアフラム2の変形を妨げる効果を十分に発揮して、ギャップの距離dの減少を確実に低減することができる。
尚、本発明において「同一平面上」とは、必ずしも幾何学的に完全に同一平面上に位置することを意味するのではなく、本発明の実施における部材の製造工程において避けることができない寸法公差は許容される。
《第3実施形態》
ところで、第2弁においては、上述したように、ダイアフラム2に接触し得る支持部材7の支持面7aが弁座5の着座面5aと同一平面上に位置する。これにより、支持面7aが弁座5の着座面5aよりも過度に先にダイアフラム2に接触してガスの流量に意図せぬ影響を与えることを回避しつつ、圧力差ΔP2に起因するダイアフラム2の変形を妨げる効果を十分に発揮して、ギャップの距離dの減少を確実に低減することができる。
しかしながら、支持面7aが着座面5aと同一平面上に位置することから、第2弁が全閉状態にある場合を除き、支持面7aに接触するまではダイアフラム2が二次側流路側に凸となるように変形することができる。従って、ダイアフラム2の両側の圧力差ΔP2に起因するダイアフラム2の変形に伴うギャップの距離dの減少をより確実に低減するためには、全閉状態以外の状態におけるダイアフラム2の変形をより確実に低減する必要がある。
そこで、本発明の第3実施形態に係るダイアフラム弁(以降、「第3弁」と称呼される場合がある。)においては、少なくとも支持面に対向する領域の表面である対向面が着座面に対向する領域の表面と同一平面上に位置するように押圧部材が構成されている。このような押圧部材の具体的な形状は特に限定されないが、例えば、押圧部材のダイアフラム側の表面がダイアフラムの表面に平行に対向する平面となっていてもよい。或いは、押圧部材が上述したような弁座の着座面の形状に対応する環状の凸部を有する場合は、当該凸部のダイアフラムに対向する面と同一平面上に頂面を有する更なる凸部が押圧部材のダイアフラム側の表面に設けられていてもよい。
更に、支持部材は、押圧部材側へと支持面を付勢する付勢部材を備え、付勢部材による付勢力により支持面と対向面との間にダイアフラムを挟むように構成されている。付勢部材の構成は、ダイアフラムが支持面を押圧する力(押圧力)に抗して押圧部材側へと支持面を付勢して支持面と対向面との間にダイアフラムを挟むことが可能である限り特に限定されない。例えば、付勢部材は、弾性材料によって構成され、支持部材の押圧部材とは反対側の端面を押圧することにより、支持部材の全体を押圧部材側へ付勢するように構成されていてもよい。この場合、支持部材は、弁座の内部空間において、前述した着座中心において前述した着座平面に直交する軸である着座軸の方向(即ち、押圧部材によるダイアフラム弁の開閉動作の方向)に変位可能に構成される。付勢部材の具体的な構成の他の例については、本発明の他の実施形態に関する説明において後述する。
図3は第3弁のダイアフラム近傍の構成の一例を示す模式的な部分拡大断面図である。この例に示す押圧部材6においては、支持部材7の支持面7aに対向する押圧部材6の表面に対向面6bが設けられている。この対向面6bの頂面は、弁座5の着座面5aに対向する押圧部材6の表面に設けられた凸部6aの頂面と同一平面上に位置するように構成されている。一方、支持部材7は、弁座5の内部空間である二次側流路の内壁に沿って着座軸8の方向に変位可能に構成されている。更に、支持部材7の押圧部材6とは反対側には付勢部材7bとしてのバネが配設されており、これにより(支持部材7の)支持面7aは押圧部材6に近付くように付勢されている。
上記のような構成により、第3弁においては、弁開度の如何に拘わらず、付勢部材7bによる付勢力により、支持面7aと対向面6bとの間にダイアフラム2が挟まれ保持される。従って、従来技術に係るダイアフラム弁(従来弁)のみならず、上述した第1弁又は第2弁と比べても、ダイアフラム2の両側の圧力差ΔP2に起因するダイアフラム2の二次側流路側への変形に伴うギャップの距離dの減少をより確実に低減することができる。
《第4実施形態》
上述したように、第1弁1が備える支持部材7は、着座平面への垂直投影図において、第1開度範囲においてダイアフラム2と接触する支持部材7の面である支持面7aが、着座面5aの環状の形状の中心である着座中心と着座面5aとの間の領域に位置するように構成されている。これにより、ダイアフラム2の中心と周縁部との間においてダイアフラム2が撓むことを確実に防止して、ギャップの距離dの減少を確実に低減することができる。
本発明者は更なる検討を続けた結果、着座平面への垂直投影図における着座中心と着座面5aとの間の領域の所定の範囲に支持面7aが位置するように支持部材7を構成することにより、ダイアフラム2の中心と周縁部との間においてダイアフラム2が撓むことをより確実に防止することができることを見出した。
そこで、本発明の第4実施形態に係るダイアフラム弁(以降、「第4弁」と称呼される場合がある。)においては、上述した着座平面への垂直投影図において、着座面の環状の形状の外半径と内半径との平均である平均半径をrとする場合、上述した着座中心からの距離が0.5r以上、0.8r以下の領域に、着座面の環状の形状の径方向における支持面の中心(支持面中心)が位置するように、支持部材が構成されている。
上述した第1弁1の説明において参照した図2には、上述した平均半径r並びに着座中心(図2においては着座軸8)からの各距離(0.5r及び0.8r)がそれぞれ両矢印によって示されている。着座平面への垂直投影図における着座中心から上記「支持面中心」までの距離(支持距離)が0.5r以上であるときは、上述した圧力差ΔP2に起因するダイアフラム2の変形をより効果的に防止することができる。逆に、当該距離が0.5r未満であるときは、支持部材7と接触する支持面7aの位置がダイアフラム2の中心(着座中心、着座軸8)に近いため、ダイアフラム2の中心と周縁部との間の部分が撓んで変形する虞がある。
また、支持距離が0.8rよりも大きいときは、支持面7aの位置が弁座5の着座面5aに近いため、一次側流路4からギャップを通過して二次側流路3に流れ込んできたガスの流れが支持部材7の存在によって妨げられたり乱されたりして流体抵抗が高まって容量係数(Cv値)が大きくなる虞が高い。一方、支持距離が0.8r以下であるときは、上記に比べて支持面7aの位置が弁座5の着座面5aから遠いため、上記問題が軽減される。従って、上述した支持距離は、0.5r以上、0.8r以下の範囲にあることが好ましい。より好ましくは、当該範囲は0.6r以上、0.7r以下である。
尚、本発明において「着座面の平均半径r」とは、上述したように、着座面5aの環状の形状の外半径と内半径との平均である。換言すれば、平均半径rは、着座面5aが半径方向に幅を有する場合には、その幅の中央における半径を指す。「支持面中心」についても同様に、支持面7aが半径方向に幅を有する場合には、着座面5aの環状の形状の径方向における支持面の中心を指す。
《支持部材》
ここで、本発明の種々の実施形態に係るダイアフラム弁(本発明弁)が備える支持部材7の好ましい実施形態につき、図面を参照しながら以下に詳しく説明する。
〈支持部材の構成例1〉
本発明の1つの好ましい実施形態において、支持部材は、上述した着座中心において上述した着座平面に直交する軸である着座軸を含む1又は2以上の平板状部材によって構成されている。
図4は、上記実施形態における支持部材7の形状を示す模式的な斜視図である。この斜視図に示す例において、支持部材7は、隣接する平板状部材同士が90度の角度を成すように4枚の平板状部材が共通の軸を中心として放射状に接続された形状を有する。即ち、支持部材7を構成する4つの平板状部材は共通の軸を含んでおり、この軸が上述した着座軸8と一致するように、支持部材7が弁座5の二次側流路3における所定の位置に組み込まれる。支持部材7の弁座5への固定及び位置決めは、例えば、切り欠き部7cを弁座5の内径に嵌め込む等の公知の手法によって行うことができる。
図4に例示する支持部材7は、その4つの平面状部材の端部7aがダイアフラム2と接触し得るように構成されている。また、各々の平板状部材は着座軸8を含むように配置されるので、ギャップから二次側流路3に流れ込んだガスの流れ方向に対して平板状部材は平行であり、当該ガスの流れを大きく妨げることは無い。即ち、このような構成を有することにより、一次側流路4からギャップを通過して二次側流路3に流れ込んできたガスの流れが支持部材7の存在によって妨げられたり乱されたりして流体抵抗が高まって容量係数(C値)が大きくなる虞を低減することができる。
尚、図4に示した例においては支持部材7を構成する4つの平板状部材のダイアフラム2側の端部の着座軸8側の領域(ダイアフラム2の中心側の領域)が切除されている。これにより、着座平面への垂直投影図において、第1開度範囲においてダイアフラム2と接触する支持部材7の面である支持面7aが、着座面5aの環状の形状の中心である着座中心と着座面5aとの間の領域に位置するように構成することができる。
また、上記のように4つの平板状部材のダイアフラム2側の端部の着座軸8側の領域が切除されていることにより、一次側流路4からギャップを通過して二次側流路3へと流れ込んだ直後のガスと接触する支持部材の表面積が減少することができる。その結果、支持部材7による流体抵抗の増大に伴う当該ダイアフラム弁の容量係数(C値)の減少を低減することができる。
更に、図4に示した例においては隣接する平板状部材同士が90度の角度を成すように4枚の平板状部材が共通の軸を中心として放射状に接続されている。しかしながら、支持部材7を構成する平板状部材の数及び配置は、ダイアフラム2の両側の圧力差ΔP2に起因するダイアフラム2の変形を低減することが可能である限り上記に限定されない。
〈支持部材の構成例2〉
支持部材の構成は、図4に例示したような構成に限定されるものではなく、ダイアフラム2の両側の圧力差ΔP2に起因するダイアフラム2の変形を有効に妨げることが可能である限り、支持部材は多種多様な構成を有することができる。例えば、支持部材の支持面は、着座平面への垂直投影図において、着座面と同軸状に形成された環状の形状を有することができる。
例えば、弁座を構成する筒状部材がダイアフラムと同軸状に配置された円筒状部材及び/又は円錐台筒状部材によって構成されている場合、筒状部材と同軸状に配置された円筒状部材及び/又は円錐台筒状部材によって支持部材が構成されていてもよい。この場合、ギャップから二次側流路に流れ込んだガスの流れが大きく妨げられないように、支持部材を構成する円筒状部材又は円錐台筒状部材の側面には貫通孔が形成されていることが好ましい。
図5は、上記実施形態に係る支持部材7の形状を示す模式的な斜視図である。この斜視図において、支持部材7は、逆円錐台筒状部材7d及び円筒状部材7eによって構成されており、逆円錐台筒状部材7dの一方の端部がダイアフラム2と接触し得る支持面7aとして機能するように構成されている。逆円錐台筒状部材7dの側面には、ギャップから二次側流路3に流れ込んだガスの流れが大きく妨げられないように、複数の貫通孔7fが形成されている。また、円筒状部材7eは、逆円錐台筒状部材7dの支持面7aとは反対側の端部に連続的に設けられており、図示しない弁座5の二次側流路3の所定の位置に組み込むことができるように構成されている。
尚、支持部材7の主要部分は、図5に例示したような逆円錐台筒状部材7dと円筒状部材7eとの組み合わせによって構成されていてもよく、或いは弁座5の二次側流路3と同一の径を有する円筒状部材によって構成されていてもよい。このような実施形態に係る支持部材7は、全体が一体に形成されているため、ダイアフラム2の変形をより強固に防止することができる。
〈支持部材の構成例3〉
図5に例示した支持部材7は、逆円錐台筒状部材7dの側面の貫通孔7fが形成されていない部分によって、支持面7aを有する逆円錐台筒状の部分が支持されている。しかしながら、ダイアフラム2の変形を有効に防止することが可能である限り、支持面7aを有する部分を支持するための構造は上記に限定されない。
例えば、図6は、本発明の更にもう1つの実施形態に係る支持部材の構成の一例を示す模式的な斜視図である。図6に例示する支持部材7においては、ダイアフラム2に対向する支持面7aを有する円筒状部材7gともう1つの円筒状部材7eとが、これら2つの円筒状部材7g及び7eの間に円錐台筒状に配置された複数の線状部材7h(太い実線)によって連結されている。これらの線状部材7hは、円筒状部材7gを支持してダイアフラム2の変形を有効に防止することが可能な材料によって構成される。このような線状部材7hの具体例としては、例えば条鋼等の鋼材を挙げることができる。
上記構成によれば、大きい貫通孔7fを確保することができるので、ギャップから二次側流路に流れ込んだガスの流れが妨げられたり乱されたりして流体抵抗が高まって容量係数(C値)が大きくなる虞を有効に低減することができる。このような構成を有する支持部材7もまた、円筒状部材及び/又は円錐台筒状部材によって構成された支持部材の一例に該当する。
〈支持部材の構成例4〉
ところで、前述したように、本発明に係るダイアフラム弁(本発明弁)が備える支持部材は、押圧部材側へと支持面を付勢する付勢部材を備えることができる。この付勢部材は、本発明の第3実施形態に係るダイアフラム弁(第3弁)に関して図3を参照しながら説明したように、支持部材の押圧部材とは反対側に配設された付勢部材としての弾性体(例えば、バネ等)によって構成することができる。しかしながら、付勢部材を備える支持部材の構成は、押圧部材に近付くように支持面を付勢することが可能である限り、上記に限定されない。
例えば、図4に例示した構成例1において、支持部材7を構成する複数の平板状部材を弾性変形可能なバネ鋼等の材料によって形成してもよい。この場合、平板状部材が弾性的に撓むことにより、押圧部材に近付くように支持面7aを付勢することができる。また、図6に例示した構成例3においては、線状部材7hを弾性変形可能なバネ鋼等の材料によって形成してもよい。この場合、支持面7aが押圧されて線状部材7hが弾性的に撓むことにより、押圧部材に近付くように支持面7aを付勢することができる。
〈支持部材の構成例5〉
図7は、本発明に係る付勢部材を備える支持部材の1つの実施形態を示す模式的な斜視図である。図7に例示する支持部材7は、逆円錐台筒状部材7dの側面に形成された複数の貫通孔7fから支持面7aへと通じる隙間7jを複数の箇所に設けることにより環状の支持面7aが複数の部分に分割されている点を除き、図5に例示した支持部材7と同様の構成を有する。また、逆円錐台筒状部材7dの側面は、上述したような弾性変形可能なバネ鋼等の材料によって形成されていることが好ましい。上記構成によれば、支持面7aが押圧されたときに逆円錐台筒状部材7dの側面が弾性的に撓むことにより、押圧部材に近付くように支持面7aを付勢することができる。
〈支持部材の構成例6〉
図8は、本発明に係る付勢部材を備える支持部材のもう1つの実施形態を示す模式的な斜視図である。図8に例示する支持部材7は、ダイアフラム2に対向する支持面7aを有する円筒状部材7gと円筒状部材7eとを連結する複数の線状部材7h(太い実線)の形状及び配置が異なる点を除き、図6に例示した支持部材7と同様の構成を有する。具体的には、図6に例示した支持部材7においては、円筒状部材7gと円筒状部材7eとの間の円錐台筒状の形状の母線に相当する直線状の形状を線状部材7hが有していた。これに対し、図8に例示した支持部材7を構成する線状部材7hは、上記母線に対して傾斜している曲線状の形状を有する。また、線状部材7hは、上述したような弾性変形可能なバネ鋼等の材料によって形成されていることが好ましい。
上記のように線状部材7hを構成することにより、図6に示した線状部材7hの構成に比べて、支持面7aが押圧されたときに線状部材7hをより容易且つ円滑に弾性変形させることできる。かかる構成によれば、支持面7aが押圧されたときに線状部材7hが弾性的に撓むことにより、押圧部材に近付くように支持面7aを付勢することができる。
《第5実施形態》
冒頭において述べたように、本発明は、ダイアフラム弁のみならず、本発明に係るダイアフラム弁を用いた質量流量制御装置に関する。本発明の第5実施形態に係る質量流量制御装置(以降、「第5装置」と称呼される場合がある。)は、流量センサと、上述した本発明の種々の実施形態の何れかに係るダイアフラム弁(本発明弁)と、を備える質量流量制御装置である。
図9は、第5装置の構成の一例を示す模式的なブロック図である。図9は、第5装置100の構成要素の論理的な関係を示す概念図であり、各構成要素の物理的な位置関係を表すものではない。図9に示すように、第5装置100は、本発明弁110と、流量センサ120と、を備える。図9に例示する第5装置100は、上記に加えて、質量流量制御の対象となるガスが流れる流路130と、本発明弁110が備える図示しない押圧部材を駆動するように構成された駆動機構140と、流量センサ120によって検出されるガスの流量に基づいて駆動機構140を制御する制御部150と、を更に備える。
流量センサ120は、流路130を流れるガスの質量流量を検出することが可能である限り、特に限定されない。このような流量センサ120の具体例としては、例えば、熱式流量センサ、圧力式流量センサ及び差圧式流量センサ等を挙げることができる。これらの流量センサの構成及び作動については、当該技術分野において公知であるので、ここでの説明は省略する。
駆動機構140は、押圧部材を駆動して本発明弁110の弁開度を制御することが可能である限り特に限定されない。このような駆動機構140の具体例としては、前述したように、例えば、電圧信号によって駆動される圧電素子及び電流信号によって駆動されるソレノイド等を挙げることができる。
制御部150は、流量センサ120から出力される検出信号Sdに基づいて計測されるガスの質量流量が目標値として設定される設定流量と一致するように、駆動機構140に制御信号Scを出力して本発明弁110の弁開度を制御するように構成されている。このような制御部150としての機能は、例えば、電子制御装置(ECU:Electric
Control Unit)によって実現することができる。ECUは、マイクロコンピュータを主要部として備え、流量センサ120からの検出信号Sdを受信するための入力ポート及び駆動機構140への制御信号Scを送信するための出力ポート等を備える。
前述したように、本発明弁110によれば、図示しないダイアフラムの二次側流路側への変形(膨張)が支持部材によって妨げられるため、ダイアフラムの両側の圧力差ΔP2が大きい場合であってもギャップの距離dの減少及びガスの流量の低下を低減することができる。
従って、例えば、前述したように一次側流路のガスの圧力Pと二次側流路のガスの圧力Pが共に低く、ダイアフラムの駆動機構側の圧力Pが大気圧に等しい場合であっても、ガスの流量の低下を防止することができる。その結果、第5装置100によれば、二次側流路が半導体製造装置のチャンバに直結されているような状況においても、平衡蒸気圧の低いガスを大流量にて半導体製造装置に安定的に供給することができる。
1 ダイアフラム弁(本発明)
2 ダイアフラム
2a 屈曲部
2b 支持部材の支持面と接触し得る位置
3 二次側流路
4 一次側流路
5 弁座
5a 着座面
6 押圧部材
6a 凸部
6b 対向面
7 支持部材
7a 支持面
7b 付勢部材
7c 弁座との接合部(切り欠き部)
7d 逆円錐台筒状部材
7e 円筒状部材
7f 貫通孔
7g 円筒状部材
7h 線状部材
7j 隙間
8 着座軸
10 ダイアフラム弁(従来技術)
100 質量流量制御装置(本発明)
110 ダイアフラム弁(本発明)
120 流量センサ
130 流路
140 駆動機構
150 制御部
d ギャップの距離
r 着座面の平均半径
Sd 検出信号
Sc 制御信号

Claims (8)

  1. 円形のダイアフラムと、
    前記ダイアフラムと同軸状に配置された筒状部材によって構成され且つ前記ダイアフラムが着座する環状の形状を有する平面である着座面が前記筒状部材の前記ダイアフラム側の端面に形成されている弁座と、
    前記弁座の外側に位置する空間である一次側流路と、
    前記弁座の内側に位置する空間である二次側流路と、
    前記ダイアフラムを前記着座面に近付ける方向に押圧するように構成された押圧部材と、
    を備え、
    前記ダイアフラムの外周部は着座面を含む平面である着座平面に対して所定の距離だけ離れた基準位置に固定されており、
    前記押圧部材は、前記ダイアフラムを押圧することにより前記ダイアフラムと前記着座面との距離を変更して弁開度を変更するように構成されている、
    ダイアフラム弁であって、
    前記ダイアフラム弁の弁開度の全開から全閉までの範囲である全開度範囲のうちの少なくとも一部の弁開度の範囲である第1開度範囲において前記ダイアフラムと接触して前記二次側流路側への前記ダイアフラムの変形を妨げるように構成された支持部材を更に備え、
    前記支持部材は、前記着座平面への垂直投影図において、前記第1開度範囲において前記ダイアフラムと接触する前記支持部材の面である支持面が、前記着座面の環状の形状の中心である着座中心と前記着座面との間の領域に位置するように構成されている、
    ダイアフラム弁。
  2. 請求項1に記載されたダイアフラム弁であって、
    前記支持面は、前記着座平面に含まれている、
    ダイアフラム弁。
  3. 請求項1に記載されたダイアフラム弁であって、
    前記押圧部材は、少なくとも前記支持面に対向する領域の表面である対向面が前記着座面に対向する領域の表面と同一平面上に位置するように構成されており、
    前記支持部材は、
    前記押圧部材側へと前記支持面を付勢する付勢部材を備え、
    前記付勢部材による付勢力により前記支持面と前記対向面との間に前記ダイアフラムを挟むように構成されている、
    ダイアフラム弁。
  4. 請求項1乃至請求項3の何れか1項に記載されたダイアフラム弁であって、
    前記支持部材は、前記着座平面への垂直投影図において、前記着座面の環状の形状の外半径と内半径との平均である平均半径をrとする場合、前記着座中心からの距離が0.5r以上、0.8r以下の領域に、前記着座面の環状の形状の径方向における前記支持面の中心が位置するように構成されている、
    ダイアフラム弁。
  5. 請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載されたダイアフラム弁であって、
    前記支持部材は、前記着座中心において前記着座平面に直交する軸である着座軸を含む1又は2以上の平板状部材によって構成されている、
    ダイアフラム弁。
  6. 請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載されたダイアフラム弁であって、
    前記支持面は、前記着座平面への垂直投影図において、前記着座面と同軸状に形成された環状の形状を有する、
    ダイアフラム弁。
  7. 請求項6に記載されたダイアフラム弁であって、
    前記弁座を構成する前記筒状部材は、前記ダイアフラムと同軸状に配置された円筒状部材及び/又は円錐台筒状部材によって構成されており、
    前記支持部材は、前記筒状部材と同軸状に配置された円筒状部材及び/又は円錐台筒状部材によって構成されており、
    前記支持部材を構成する前記円筒状部材又は前記円錐台筒状部材の側面には貫通孔が形成されている、
    ダイアフラム弁。
  8. 流量センサと、
    請求項1乃至請求項7の何れか1項に記載されたダイアフラム弁と、
    を備える、
    質量流量制御装置。
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