JP7238636B2 - Quantum dots, quantum dot-containing compositions, inkjet inks and printed matter - Google Patents

Quantum dots, quantum dot-containing compositions, inkjet inks and printed matter Download PDF

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Description

本発明は、量子ドット、該量子ドットを含む量子ドット含有組成物、インクジェットインキ及び該インクジェットインキを用いて形成される印刷物。 The present invention provides a quantum dot, a quantum dot-containing composition containing the quantum dot, an inkjet ink, and a printed material formed using the inkjet ink.

量子ドットは、量子力学に従う独特な光学特性を発現させるために、電子を微小な空間に閉じ込めるために形成された極小さな粒(ドット)である。1粒の量子ドットの大きさは、直径1ナノメートルから数10ナノメートルであり、約1万個以下の原子で構成されている。発する蛍光の波長が、粒の大きさで連続的に制御できること、蛍光強度の波長分布が対称性の高いシャープな発光が得られることから近年注目を集めている。
量子ドットは、人体を透過しやすい波長に蛍光を調整でき、体内のあらゆる場所に送達できることより発光材料として生体イメージング用途(非特許文献1)、褪色の恐れがない波長変換材料として太陽電池用途(特許文献1)、鮮明な発光材料、波長変換材料としてエレクトロニクス・フォトニクス用途(特許文献2,3)への展開検討が行われている。
Quantum dots are extremely small particles (dots) formed to confine electrons in a minute space in order to develop unique optical properties according to quantum mechanics. A single quantum dot has a diameter of 1 nanometer to several tens of nanometers and is composed of approximately 10,000 or less atoms. It has been attracting attention in recent years because the wavelength of the emitted fluorescence can be controlled continuously by the size of the particles, and because the wavelength distribution of the fluorescence intensity is highly symmetrical and sharp emission can be obtained.
Quantum dots can adjust fluorescence to a wavelength that easily penetrates the human body and can be delivered anywhere in the body. Patent Literature 1), and investigations are underway to develop it into electronics and photonics applications (Patent Literatures 2 and 3) as a bright light-emitting material and a wavelength conversion material.

これらの用途に展開する場合、必要となる特性として、蛍光の量子収率が挙げられる。蛍光の量子収率を向上させるために、非特許文献2には、半導体微粒子をIn-Pからなる半導体微粒子に有機脂肪族カルボン酸であるミリスチン酸で被覆する例が開示されている。 Quantum yield of fluorescence is one of the required properties for these applications. In order to improve the fluorescence quantum yield, Non-Patent Document 2 discloses an example in which semiconductor fine particles made of In—P are coated with myristic acid, which is an organic aliphatic carboxylic acid.

しかしながら、上記量子ドットと、溶剤、モノマー又は樹脂等とを混合すると粘度安定性が低下するだけでなく、塗工又は印刷後の蛍光の量子収率が大きく低下する問題が生じる。 However, when the quantum dots are mixed with a solvent, a monomer, a resin, or the like, there arises a problem that not only the viscosity stability is lowered, but also the fluorescence quantum yield after coating or printing is significantly lowered.

特開2006-216560号公報JP-A-2006-216560 特開2008-112154号公報JP 2008-112154 A 特開2009-251129号公報JP 2009-251129 A

神隆、「半導体量子ドット、その合成法と生命科学への応用」、生産と技術、第63巻、第2号、2011年、p58~p65Shenlong, "Semiconductor Quantum Dots, Their Synthesis Method and Application to Life Science", Production and Technology, Vol.63, No.2, 2011, p58-p65 Journal of the American chemical society 2007 129 15432-15433Journal of the American Chemical Society 2007 129 15432-15433

よって本発明の課題は、優れた蛍光の量子収率を有し、組成物とした場合でも粘度安定性が良好であり、さらに、塗工・印刷後も優れた蛍光の量子収率を維持可能である、量子ドット及び該量子ドットを用いた量子ドット含有組成物、インクジェットインキ及び印刷物を提供することにある。 Therefore, an object of the present invention is to have an excellent fluorescence quantum yield, to have good viscosity stability even when it is made into a composition, and to maintain an excellent fluorescence quantum yield even after coating and printing. It is to provide a quantum dot and a quantum dot-containing composition, inkjet ink and printed matter using the quantum dot.

本発明者は、前記課題を解決するために、鋭意検討した結果、特定の構造を有する処理剤で表面処理された半導体微粒子を用いることにより、蛍光の量子効率を向上させるとともに、組成物とした場合の粘度安定性、印刷後の蛍光量子効率維持を達成した。 In order to solve the above-mentioned problems, the present inventors have made intensive studies and found that by using semiconductor fine particles surface-treated with a treatment agent having a specific structure, the quantum efficiency of fluorescence is improved and a composition is obtained. Viscosity stability in the case and maintenance of fluorescence quantum efficiency after printing were achieved.

すなわち、本発明は、以下〔1〕~〔8〕の発明に関する。 That is, the present invention relates to inventions [1] to [8] below.

〔1〕 半導体微粒子を含有する量子ドットであって、
前記半導体微粒子が、カルバゾール骨格、ジアリールアミン骨格、トリアリールアミン骨格、キノリン骨格及びインドール骨格からなる群から選ばれる少なくとも1種の部分構造と、カルボキシル基及びスルファニル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の吸着部位とを有する処理剤で表面処理された、量子ドット。
[1] A quantum dot containing semiconductor fine particles,
The semiconductor fine particles have at least one partial structure selected from the group consisting of a carbazole skeleton, a diarylamine skeleton, a triarylamine skeleton, a quinoline skeleton, and an indole skeleton, and at least one kind selected from the group consisting of a carboxyl group and a sulfanyl group. Quantum dots surface-treated with a treatment agent having adsorption sites for

〔2〕 前記処理剤が下記一般式(1)、一般式(2)又は一般式(3)で表される、〔1〕に記載の量子ドット。 [2] The quantum dots according to [1], wherein the treatment agent is represented by the following general formula (1), general formula (2), or general formula (3).

一般式(1)

Figure 0007238636000001
General formula (1)
Figure 0007238636000001

[一般式(1)中、
は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいアシル基であり、
~Rは、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよい(ポリ)オルガノシロキサン基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
及びR~Rの内、少なくとも1つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。]
[In general formula (1),
X 1 is a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted acyl group,
R 1 to R 8 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, or a substituent An aryloxy group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, a carboxyl group or a sulfanyl group,
At least one of X 1 and R 1 to R 8 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

一般式(2)

Figure 0007238636000002
general formula (2)
Figure 0007238636000002

[一般式(2)中、
11~R25は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよい(ポリ)オルガノシロキサン基、ニトロ基、置換基を有してもよいアミノ基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、R11~R25の内、少なくとも1つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。]
[In general formula (2),
R 11 to R 25 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, or a substituent an aryloxy group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, a nitro group, an amino group which may have a substituent, It is a carboxyl group or a sulfanyl group, and at least one of R 11 to R 25 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

一般式(3)

Figure 0007238636000003
General formula (3)
Figure 0007238636000003

[一般式(3)中、
は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基(ただしフェニル基を除く)、又は置換基を有してもよいアシル基であり、
26~R35は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよい(ポリ)オルガノシロキサン基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいアシル基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
及びR26~R35の内、少なくとも1つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。]
[In general formula (3),
X 2 is a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group (excluding a phenyl group), or an optionally substituted acyl group,
R 26 to R 35 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, or a substituent An aryloxy group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, a carboxyl group or a sulfanyl group,
At least one of X 2 and R 26 to R 35 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

〔3〕 半導体微粒子が化合物半導体である〔1〕又は〔2〕に記載の量子ドット。 [3] The quantum dots according to [1] or [2], wherein the semiconductor fine particles are compound semiconductors.

〔4〕 半導体微粒子がコア・シェル型である、〔1〕~〔3〕いずれか1項に記載の量子ドット。 [4] The quantum dot according to any one of [1] to [3], wherein the semiconductor fine particles are core-shell type.

〔5〕 〔1〕~〔4〕いずれか1項に記載の量子ドットと溶媒とを含有する、量子ドット含有組成物。 [5] A quantum dot-containing composition containing the quantum dots according to any one of [1] to [4] and a solvent.

〔6〕 請求項5に記載の量子ドット含有組成物を含有し、粘度が3~50mPa・sであるインクジェットインキ。 [6] An inkjet ink containing the quantum dot-containing composition according to [5] and having a viscosity of 3 to 50 mPa·s.

〔7〕 〔5〕に記載の量子ドット含有組成物又は〔6〕に記載のインクジェットインキにより形成される印刷物。 [7] A printed material formed from the quantum dot-containing composition according to [5] or the inkjet ink according to [6].

〔8〕 基板上に、陽極と発光層と陰極とを有する発光素子であって、前記発光層が、〔1〕~〔4〕いずれか1項に記載の量子ドットを含む、発光素子。 [8] A light-emitting device having an anode, a light-emitting layer and a cathode on a substrate, wherein the light-emitting layer contains the quantum dots according to any one of [1] to [4].

本発明により、優れた蛍光の量子収率を有し、組成物とした場合でも粘度安定性が良好であり、さらに、塗工・印刷後も優れた蛍光の量子収率を維持可能である、量子ドット及び該量子ドットを用いた量子ドット含有組成物、インクジェットインキ及び印刷物を提供することができる。当該量子ドットを用いた印刷物は、蛍光の量子収率の維持率が良好であることから、電界発光素子の発光層としても好適に用いることが可能である。 According to the present invention, it has an excellent fluorescence quantum yield, has good viscosity stability even when it is made into a composition, and can maintain an excellent fluorescence quantum yield even after coating and printing. Quantum dots and quantum dot-containing compositions, inkjet inks, and printed matter using the quantum dots can be provided. A printed material using the quantum dots has a good retention rate of fluorescence quantum yield, and thus can be suitably used as a light-emitting layer of an electroluminescent device.

<量子ドット>
本発明の量子ドットは、カルバゾール骨格、ジアリールアミン骨格、トリアリールアミン骨格、キノリン骨格及びインドール骨格からなる群から選ばれる少なくとも1種の部分構造と、カルボキシル基及びスルファニル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の吸着部位とを有する処理剤で表面処理されたことを特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
<Quantum dots>
The quantum dot of the present invention includes at least one partial structure selected from the group consisting of a carbazole skeleton, a diarylamine skeleton, a triarylamine skeleton, a quinoline skeleton and an indole skeleton, and at least one selected from the group consisting of a carboxyl group and a sulfanyl group. It is characterized by being surface-treated with a treating agent having one type of adsorption site.
The present invention will be described in detail below.

<半導体微粒子>
本発明における半導体微粒子は、無機物を成分とする半導体であり、単一組成でも、コア・シェル型でも、3層以上の複数層になっていてもよい。
上記半導体は、1族元素、2族元素、10属元素、11族元素、12族元素、13族元素、14族元素、15族元素、16族元素及び17族元素で示される元素の群から選ばれる少なくとも2種以上の元素を含む化合物からなる半導体である。さらに好ましくは化合物半導体である。
化合物半導体は、Ag、Cu、Zn、Cd、B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、N、P、As、Sb、Pb、S,Se,Teで示される元素群から選ばれる少なくとも2種の元素を含む化合物からなる半導体である。さらに好ましくは、Zn、B、Al、Ga、In、C、Si、Ge、Sn、N、P、S,Teで示される元素群から選ばれる少なくとも2種の元素を含む化合物からなる半導体である。
可視光を発光する用途では、バンドギャップの狭さからInを構成元素として含む半導体が、さらに好ましい。
<Semiconductor microparticles>
The semiconductor fine particles in the present invention are semiconductors containing an inorganic substance as a component, and may have a single composition, a core-shell type, or a multi-layer structure of three or more layers.
The semiconductor is selected from the group of elements represented by Group 1 elements, Group 2 elements, Group 10 elements, Group 11 elements, Group 12 elements, Group 13 elements, Group 14 elements, Group 15 elements, Group 16 elements and Group 17 elements. It is a semiconductor made of a compound containing at least two selected elements. Compound semiconductors are more preferred.
The compound semiconductor is selected from the group of elements represented by Ag, Cu, Zn, Cd, B, Al, Ga, In, C, Si, Ge, Sn, N, P, As, Sb, Pb, S, Se and Te. It is a semiconductor made of a compound containing at least two kinds of elements. More preferably, the semiconductor is a compound containing at least two elements selected from the group of elements represented by Zn, B, Al, Ga, In, C, Si, Ge, Sn, N, P, S and Te. .
For applications that emit visible light, a semiconductor containing In as a constituent element is more preferable because of its narrow bandgap.

コア・シェル型の半導体微粒子は、コアを形成する半導体と異なる成分からなる半導体でコア構造を被覆された構造である。シェルをバントギャップの大きい半導体をすることで、光励起によって生成された励起子(電子-正孔対)はコア内に閉じ込められる。その結果、半導体微粒子表面での無輻射遷移の確率が減少し、発光の量子収率及び半導体量子ドットの蛍光特性の安定性が向上するため好ましい。 A core-shell type semiconductor fine particle has a structure in which a core structure is covered with a semiconductor composed of a component different from that of the semiconductor forming the core. By using a semiconductor with a large bandgap for the shell, excitons (electron-hole pairs) generated by photoexcitation are confined within the core. As a result, the probability of non-radiative transition on the surface of the semiconductor fine particles is reduced, and the quantum yield of light emission and the stability of the fluorescence properties of the semiconductor quantum dots are improved, which is preferable.

コアとシェルとを含めた半導体微粒子の平均粒子径は、0.5nm~100nmであることが好ましく、所望の発色が得られる粒子径を選択することができる。コア・シェル型の場合、一つの半導体微粒子の中に複数のシェル微粒子を含有してもよい。単一半導体組成である場合の半導体微粒子の平均粒子径及び、コア・シェル型のコアの平均粒子径は、0.5nm以上であると合成面で好ましく、10nm以下であると量子閉じ込め効果が向上し求める蛍光が得られやすいため好ましい。また、リガンドを含む量子ドットの平均粒子径は、2nm~1μmであることが好ましい。量子ドットの形状は、球状に限らず、棒状、円盤状、そのほかの形状であっても良い。 The average particle size of the semiconductor fine particles including the core and shell is preferably 0.5 nm to 100 nm, and the particle size can be selected so that desired color development can be obtained. In the case of the core-shell type, one semiconductor fine particle may contain a plurality of shell fine particles. The average particle size of the semiconductor fine particles in the case of a single semiconductor composition and the average particle size of the core-shell type core are preferably 0.5 nm or more in terms of synthesis, and 10 nm or less improve the quantum confinement effect. It is preferable because the desired fluorescence can be easily obtained. Further, the average particle size of quantum dots containing ligands is preferably 2 nm to 1 μm. The shape of the quantum dots is not limited to spherical, but may be rod-like, disk-like, or other shapes.

ここでいう平均粒子径とは、半導体微粒子を透過型電子顕微鏡で観察し、無作為に30個のサイズを計測してその平均値を採用した値を指す。この際、半導体微粒子は、後述の処理剤を伴うため、エネルギー分散型X線分析が付帯した走査型透過電子顕微鏡を用いることで、半導体材質部を特定した上で、透過型電子顕微鏡像において電子密度の違いから後述の処理剤に対し半導体微粒子部分は暗く撮像されることを利用し粒径を計測する。 The average particle diameter as used herein refers to a value obtained by observing semiconductor fine particles with a transmission electron microscope, randomly measuring the size of 30 particles, and adopting the average value thereof. At this time, since the semiconductor fine particles are accompanied by a processing agent, which will be described later, a scanning transmission electron microscope with energy dispersive X-ray analysis is used to identify the semiconductor material part, and then electrons are detected in the transmission electron microscope image. The particle diameter is measured by utilizing the fact that the semiconductor fine particle portion is imaged darker than the processing agent described later due to the difference in density.

<処理剤>
本発明における処理剤は、カルバゾール骨格、ジアリールアミン骨格、トリアリールアミン骨格、キノリン骨格及びインドール骨格からなる群から選ばれる少なくとも1種の部分構造と、カルボキシル基及びスルファニル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の吸着部位とを有していればよく、1種を単独で、又は2種以上を併用して用いることができる。上記トリアリールアミン骨格としては、好ましくはトリフェニルアミン骨格であり、上記インドール骨格にはイソインドール骨格が含まれ、上記キノリン骨格にはイソキノリン骨格が含まれる。
<Treatment agent>
The treating agent in the present invention has at least one partial structure selected from the group consisting of a carbazole skeleton, a diarylamine skeleton, a triarylamine skeleton, a quinoline skeleton and an indole skeleton, and at least one selected from the group consisting of a carboxyl group and a sulfanyl group. It suffices to have one type of adsorption site, and one type can be used alone or two or more types can be used in combination. The triarylamine skeleton is preferably a triphenylamine skeleton, the indole skeleton includes an isoindole skeleton, and the quinoline skeleton includes an isoquinoline skeleton.

QY維持率及び組成物にした際の粘度安定性の観点から、処理剤は、カルバゾール骨格、ジアリールアミン骨格及びトリアリールアミン骨格からなる群から選ばれる少なくとも1種の部分構造と、カルボキシル基及びスルファニル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の吸着部位とを有することが好ましい。これは、立体反発が大きいほど量子ドットの凝集が抑制されることに起因すると考えられる。より好ましくは、下記一般式(A)で表されるカルバゾール骨格を有する処理剤、下記一般式(B)で表されるトリアリールアミン骨格を有する処理剤又は一般式(C)で表されるジアリールアミン骨格を有する処理剤である。 From the viewpoint of QY retention rate and viscosity stability when made into a composition, the treatment agent has at least one partial structure selected from the group consisting of a carbazole skeleton, a diarylamine skeleton and a triarylamine skeleton, a carboxyl group and a sulfanyl and at least one adsorption site selected from the group consisting of groups. This is considered to be due to the suppression of the aggregation of quantum dots as the steric repulsion increases. More preferably, a treating agent having a carbazole skeleton represented by the following general formula (A), a treating agent having a triarylamine skeleton represented by the following general formula (B), or a diaryl represented by the general formula (C) A processing agent having an amine skeleton.

一般式(A)

Figure 0007238636000004
General formula (A)
Figure 0007238636000004

一般式(B)

Figure 0007238636000005
General formula (B)
Figure 0007238636000005

一般式(C)

Figure 0007238636000006
General formula (C)
Figure 0007238636000006

[一般式(A)~(C)中、
は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアシル基、ニトロ基、ハロゲノ基、ホルミル基、ニトリル基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアシル基、ニトロ基、ハロゲノ基、ホルミル基、ニトリル基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
~R、R11~R25及びR26~R35は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよい(ポリ)オルガノシロキサン基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいアシル基、ニトロ基、ハロゲノ基、ホルミル基、ニトリル基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
、X、R~R、R11~R25及びR26~R35の内、少なくとも1つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。]
[In the general formulas (A) to (C),
X 1 is a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted acyl group, a nitro group, a halogeno group, a formyl group, a nitrile a group, a carboxyl group or a sulfanyl group,
X 2 is a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted acyl group, a nitro group, a halogeno group, a formyl group, a nitrile group, a carboxyl group or a sulfanyl group,
R 1 to R 8 , R 11 to R 25 and R 26 to R 35 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, a substituted alkoxy group optionally having a group, aryloxy group optionally having a substituent, (poly)organosiloxane group optionally having a substituent, amino group optionally having a substituent, substituent an acyl group, a nitro group, a halogeno group, a formyl group, a nitrile group, a carboxyl group or a sulfanyl group, which may have
At least one of X 1 , X 2 , R 1 to R 8 , R 11 to R 25 and R 26 to R 35 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

より好ましくは、下記一般式(1)で表されるカルバゾール骨格を有する処理剤、下記一般式(2)で表されるトリアリールアミン骨格を有する処理剤、又は一般式(3)で表されるジアリールアミン骨格を有する処理剤である。 More preferably, a treating agent having a carbazole skeleton represented by the following general formula (1), a treating agent having a triarylamine skeleton represented by the following general formula (2), or represented by the general formula (3) A treatment agent having a diarylamine skeleton.

一般式(1)

Figure 0007238636000007
General formula (1)
Figure 0007238636000007

[一般式(1)中、
は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、又は置換基を有してもよいアシル基であり、
~Rは、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよい(ポリ)オルガノシロキサン基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
及びR~Rの内、少なくとも1つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。]
[In general formula (1),
X 1 is a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted acyl group,
R 1 to R 8 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, or a substituent An aryloxy group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, a carboxyl group or a sulfanyl group,
At least one of X 1 and R 1 to R 8 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

一般式(2)

Figure 0007238636000008
general formula (2)
Figure 0007238636000008

[一般式(2)中、
11~R25は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよい(ポリ)オルガノシロキサン基、ニトロ基、置換基を有してもよいアミノ基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、R11~R25の内、少なくとも1つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。]
[In general formula (2),
R 11 to R 25 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, or a substituent an aryloxy group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, a nitro group, an amino group which may have a substituent, It is a carboxyl group or a sulfanyl group, and at least one of R 11 to R 25 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

一般式(3)

Figure 0007238636000009
General formula (3)
Figure 0007238636000009

[一般式(3)中、
は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基(ただしフェニル基を除く)、又は置換基を有してもよいアシル基であり、
26~R35は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよい(ポリ)オルガノシロキサン基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいアシル基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
及びR26~R35の内、少なくとも1つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。]
[In general formula (3),
X 2 is a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group (excluding a phenyl group), or an optionally substituted acyl group,
R 26 to R 35 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, or a substituent An aryloxy group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, a carboxyl group or a sulfanyl group,
At least one of X 2 and R 26 to R 35 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]

以下に、上記一般式(A)~(C)及び(1)~(3)における置換基について説明する。
アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、一部の水素原子が脱落し2重結合や3重結合を形成していてもよい。組成物中における半導体微粒子の含有率を高めることが可能となる点から、処理剤の分子量は小さいことが好ましく、アルキル基の炭素数が1~30であることが好ましい。
上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ヘキシル基、ドデシル基、エイコシル基等の直鎖アルキル基;2-エチルヘキシル基等の分岐アルキル基;シクロヘキシル基、3-シクロヘキシルプロピル基等の環状アルキル基;エテニル基、ドデセン基等のアルケニル基;プロパ-2-イン-1-基、プロパルギル基等のアルキニル基が挙げられる。
The substituents in the general formulas (A) to (C) and (1) to (3) are described below.
The alkyl group is a linear, branched or cyclic alkyl group, from which some hydrogen atoms may be dropped to form double bonds or triple bonds. The molecular weight of the treatment agent is preferably small, and the number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 30, in order to increase the content of semiconductor fine particles in the composition.
Examples of the alkyl group include linear alkyl groups such as methyl group, ethyl group, hexyl group, dodecyl group and eicosyl group; branched alkyl groups such as 2-ethylhexyl group; cyclic groups such as cyclohexyl group and 3-cyclohexylpropyl group; Alkyl groups; alkenyl groups such as ethenyl group and dodecene group; and alkynyl groups such as prop-2-yn-1-group and propargyl group.

アリール基は、芳香環から形式的に水素原子を1つ取り除いた残基であり、より好ましくは、炭素数6から30の芳香環から形式的に水素原子を1つ取り除いた残基である。
芳香環としては例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、ピレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、イミダゾール環、ピラゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンズイミダゾール環、ベンゾフラン環、プリン環、アクリジン環、フェノチアジン環、ビフェニル基、又はターフェニル基等を挙げることができる。
The aryl group is a residue obtained by formally removing one hydrogen atom from an aromatic ring, more preferably a residue obtained by formally removing one hydrogen atom from an aromatic ring having 6 to 30 carbon atoms.
Examples of aromatic rings include benzene ring, naphthalene ring, pyrene ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, quinoline ring, furan ring, pyrrole ring, thiophene ring, imidazole ring, pyrazole ring, oxazole ring, and thiazole ring. , indole ring, benzimidazole ring, benzofuran ring, purine ring, acridine ring, phenothiazine ring, biphenyl group, or terphenyl group.

アルコキシ基は、エーテル結合を介してアルキル基が結合した官能基であり、当該アルキル基としては、前述の一般式(A)~(C)及び(1)~(3)におけるアルキル基と同義である。 An alkoxy group is a functional group to which an alkyl group is bonded via an ether bond, and the alkyl group has the same meaning as the alkyl group in the general formulas (A) to (C) and (1) to (3) described above. be.

アリールオキシ基は、エーテル結合を介してアリール基が結合した官能基であり、当該アリール基としては、前述の一般式(A)~(C)及び(1)~(3)におけるアリール基と同義である。 An aryloxy group is a functional group to which an aryl group is bonded via an ether bond, and the aryl group is synonymous with the aryl group in the above-described general formulas (A) to (C) and (1) to (3). is.

アシル基は、カルボニル基を介してアルキル基又はアリール基が結合した官能基であり、当該アルキル基及びアリール基としては、前述の一般式(A)~(C)及び(1)~(3)におけるアルキル基及びアリール基と同義である。 The acyl group is a functional group in which an alkyl group or an aryl group is bonded via a carbonyl group. is synonymous with the alkyl group and aryl group in

(ポリ)オルガノシロキサン基は、シロキサン化合物から形式的に水素原子を1つ取り除いた残基であり、シロキサン化合物のケイ素には、アルキル基が置換していてもよい。置換してもよいアルキル基は、前述の一般式(A)~(C)及び(1)~(3)におけるアルキル基と同義である。シロキサン化合物の例としては、例えば、ペンタメチルジシロキサン、ヘプタエチルトリシロキサン、ウンデカメチルテトラシロキサン、トリメチルシロキシジメチルシラノール、1,1,3,3,テトラメチル-1,3-ジヒドロキシジシロキサン又は1,1,3,3,5,5-ヘキサメチル-1,5-ジヒドロキシ-トリシロキサン等が挙げられる。
組成物中における半導体微粒子の含有率を高めることが可能となる点から、処理剤の分子量は小さいことが好ましく、シロキサン結合の繰り返し数は4回以下であることが好ましい。
A (poly)organosiloxane group is a residue obtained by formally removing one hydrogen atom from a siloxane compound, and the silicon of the siloxane compound may be substituted with an alkyl group. The optionally substituted alkyl group has the same definition as the alkyl group in the general formulas (A) to (C) and (1) to (3). Examples of siloxane compounds include, for example, pentamethyldisiloxane, heptaethyltrisiloxane, undecamethyltetrasiloxane, trimethylsiloxydimethylsilanol, 1,1,3,3,tetramethyl-1,3-dihydroxydisiloxane or 1 , 1,3,3,5,5-hexamethyl-1,5-dihydroxy-trisiloxane and the like.
From the viewpoint of increasing the content of semiconductor fine particles in the composition, the molecular weight of the treatment agent is preferably small, and the number of repeating siloxane bonds is preferably 4 or less.

置換基を有してもよいアミノ基は、アミノ基及び置換アミノ基を含み、置換アミノ基の置換基としては、アルキル基、アリール基又はアシル基が挙げられる。上記アルキル基、アリール基及びアシル基は、前述の一般式(A)~(C)及び(1)~(3)におけるアルキル基、アリール基又はアシル基と同義である。 The amino group which may have a substituent includes an amino group and a substituted amino group, and examples of the substituent of the substituted amino group include an alkyl group, an aryl group and an acyl group. The above alkyl group, aryl group and acyl group are synonymous with the alkyl group, aryl group and acyl group in the above general formulas (A) to (C) and (1) to (3).

また、一般式(A)~(C)及び(1)~(3)におけるアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アミノ基、アリールオキシ基及びアシル基は、置換基を有していてもよい。
有してもよい置換基としては、例えば、ハロゲノ基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルキル基、アラルキル基、アリール基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基(アニリノ基を含む)、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、スルファニル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、又はシロキサン結合を含む基等が挙げられる。
本発明における有してもよい置換基は、上述の1価の置換基と、必要に応じてアルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、エーテル結合、エステル結合、スルフィド結合、カルボニル基、イミノ基又はそれらを組み合わせた2価の連結基と、を組み合わせた1価の基であってもよい。
In addition, the alkyl group, aryl group, alkoxy group, amino group, aryloxy group and acyl group in general formulas (A) to (C) and (1) to (3) may have a substituent.
Substituents which may be present include, for example, a halogeno group, a cyano group, a hydroxy group, a nitro group, an alkoxy group, an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, an aryloxy group, a silyloxy group, a heterocyclicoxy group, and an acyloxy group. , carbamoyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxycarbonyloxy group, amino group (including anilino group), acylamino group, aminocarbonylamino group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group, sulfamoylamino group, alkyl and arylsulfonylamino groups, sulfanyl groups, alkylthio groups, arylthio groups, heterocyclicthio groups, alkyl and arylsulfinyl groups, alkyl and arylsulfonyl groups, acyl groups, aryloxycarbonyl groups, alkoxycarbonyl groups, carbamoyl groups, imido groups, Examples thereof include a phosphino group, a phosphinyl group, a phosphinyloxy group, a phosphinylamino group, a silyl group, or a group containing a siloxane bond.
Substituents that may be present in the present invention include the monovalent substituents described above, and optionally an alkylene group, an alkenylene group, an arylene group, a heteroarylene group, an ether bond, an ester bond, a sulfide bond, a carbonyl group, It may be a monovalent group combining an imino group or a divalent linking group combining them.

また、カルボキシル基又はスルファニル基を有する基とは、カルボキシル基及びスルファニル基のほか、置換基としてカルボキシル基又はスルファニル基を有する、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、(ポリ)オルガノシロキサン基又はアシル基を含む。ここで、カルボキシル基及びスルファニル基のほか、置換基としてカルボキシル基又はスルファニル基を有する、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、(ポリ)オルガノシロキサン基、アシル基又はニトロ基は、前述の一般式(A)~(C)及び(1)~(3)における基と同義である。 In addition, a group having a carboxyl group or a sulfanyl group means, in addition to a carboxyl group and a sulfanyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, an amino group, a (poly ) containing organosiloxane groups or acyl groups. Here, in addition to a carboxyl group and a sulfanyl group, an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, a (poly)organosiloxane group, an acyl group or a nitro group having a carboxyl group or a sulfanyl group as a substituent is is synonymous with the group in general formulas (A) to (C) and (1) to (3).

カルボキシル基を有するアルキル基、又はカルボキシル基を有するアリール基の例としては、例えば、2-カルボシキシルエチル基、2,2-ジカルボキシルエチル基、2-カルボシキシルエテニル基、2-シアノ-2-カルボシキシルエテニル基、2-トリフルオロメチル-2-カルボシキシルエテニル基、2-フルオロ-2-カルボシキシルエテニル基等が挙げられる。 Examples of alkyl groups having a carboxyl group or aryl groups having a carboxyl group include, for example, a 2-carboxylethyl group, a 2,2-dicarboxylethyl group, a 2-carboxylethenyl group, a 2-cyano- 2-carboxylethenyl group, 2-trifluoromethyl-2-carboxylethenyl group, 2-fluoro-2-carboxylethenyl group and the like.

スルファニル基を有するアルキル基、スルファニル基を有するアリール基、又はスルファニル基を有するアシル基としては、例えば、[(3-スルファニルプロパノイル)オキシ]エチル基、[(2-スルファニルアセチル)オキシ]エチル基、4-(スルファニルメチル)フェニル基、[(3-スルファニルプロパノイル)オキシ]プロピル基、3-スルファニル[(3-スルファニルプロパノイル)オキシ]エチル基、又は{[(2-スルファニルエトキシ)プロパノイル]オキシ}エチル基等が挙げられる。 Examples of the alkyl group having a sulfanyl group, the aryl group having a sulfanyl group, or the acyl group having a sulfanyl group include a [(3-sulfanylpropanoyl)oxy]ethyl group and a [(2-sulfanylacetyl)oxy]ethyl group. , 4-(sulfanylmethyl)phenyl group, [(3-sulfanylpropanoyl)oxy]propyl group, 3-sulfanyl[(3-sulfanylpropanoyl)oxy]ethyl group, or {[(2-sulfanylethoxy)propanoyl] oxy}ethyl group and the like.

本発明における処理剤は、半導体微粒子間の架橋による粘度上昇抑制の観点から、吸着部位は1つであることが好ましい。
本発明における処理剤がカルボキシル基を有する場合、カルボキシル基を有する基はアリール基又は多重結合を形成している炭素原子に結合していることが好ましい。中でも、一般式(1)において、R及びRの内少なくとも1つがカルボキシル基、カルボキシル基を有するアルキル基を有するアリール基又はカルボキシル基を有するアリール基であることが好ましい。一般式(2)において、R13、R18及びR23の内少なくとも1つがカルボキシル基、カルボキシル基を有するアルキル基又はカルボキシル基を有するアリール基であることが好ましい。また、一般式(3)において、R27 及びR32の内少なくとも1つがカルボキシル基、カルボキシル基を有するアルキル基又はカルボキシル基を有するアリール基であることが好ましい。
It is preferable that the treatment agent in the present invention has one adsorption site from the viewpoint of suppression of viscosity increase due to cross-linking between semiconductor fine particles.
When the treating agent in the present invention has a carboxyl group, the group having the carboxyl group is preferably bonded to an aryl group or a carbon atom forming a multiple bond. Above all, in general formula (1), at least one of R 2 and R 7 is preferably a carboxyl group, an aryl group having an alkyl group having a carboxyl group, or an aryl group having a carboxyl group. In general formula (2), at least one of R 13 , R 18 and R 23 is preferably a carboxyl group, an alkyl group having a carboxyl group, or an aryl group having a carboxyl group. In general formula (3), at least one of R 27 and R 32 is preferably a carboxyl group, an alkyl group having a carboxyl group, or an aryl group having a carboxyl group.

本発明における処理剤がスルファニル基を有する場合、処理剤の空気中における安定性の観点から、スルファニル基を有する基は、好ましくは置換基としてスルファニル基を有するアルキル基である。さらに、溶媒相溶性の観点からより好ましくは、置換基としてスルファニル基を有し且つエステル結合を有する基である。中でも、一般式(1)において、Xはスルファニル基を有するアルキル基であり、R~Rは、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であることが好ましい。一般式(2)において、R13及びR18のいずれかがカルボキシル基を有するアルキル基又はスルファニル基を有するアルキル基であり、R11、R12、R14~R17及びR19~R25がそれぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であることが好ましい。また、一般式(3)において、Xがスルファニル基を有するアルキル基であり、R26~R35がそれぞれ独立して水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよいアルコキシ基であることが好ましい。 When the treating agent in the present invention has a sulfanyl group, the group having a sulfanyl group is preferably an alkyl group having a sulfanyl group as a substituent, from the viewpoint of the stability of the treating agent in air. Furthermore, from the viewpoint of solvent compatibility, a group having a sulfanyl group as a substituent and an ester bond is more preferable. Among them, in general formula (1), X 1 is an alkyl group having a sulfanyl group, and R 1 to R 8 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, or a substituent. It is preferably an aryl group which may have or an alkoxy group which may have a substituent. In the general formula (2), any one of R 13 and R 18 is an alkyl group having a carboxyl group or an alkyl group having a sulfanyl group, and R 11 , R 12 , R 14 to R 17 and R 19 to R 25 are Each independently is preferably a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group or an optionally substituted alkoxy group. In general formula (3), X 2 is an alkyl group having a sulfanyl group, and R 26 to R 35 each independently have a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, or a substituent. It is preferably an aryl group which may be substituted or an alkoxy group which may have a substituent.

処理剤の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。なお、下記構造式において、シス型及びトランス型の幾何異性体が存在する場合は、シス型であってもよく、トランス型であってもよく、シス型及びトランス型の異性体混合物であってもよい。シン-アンチの幾何異性についても同様である。 Specific examples of the treatment agent are shown below, but are not limited to these. In the following structural formula, when cis-type and trans-type geometric isomers exist, they may be cis-type or trans-type, or a mixture of cis-type and trans-type isomers. good too. The same applies to the syn-anti geometric isomerism.

Figure 0007238636000010
Figure 0007238636000010

Figure 0007238636000011
Figure 0007238636000011

Figure 0007238636000012
Figure 0007238636000012

Figure 0007238636000013
Figure 0007238636000013

Figure 0007238636000014
Figure 0007238636000014

Figure 0007238636000015
Figure 0007238636000015

<量子ドット含有組成物>
本発明の量子ドット含有組成物は、上述の量子ドットと、さらに溶媒を含有する。 量子ドット含有組成物が含んでもよい溶媒は、量子ドットを分散させ、ガラス基板等の基板上に本発明の量子ドット含有組成物を乾燥膜厚が所望の膜厚になるように塗布することを容易にするために用いられる。
<Quantum dot-containing composition>
The quantum dot-containing composition of the present invention contains the quantum dots described above and a solvent. The solvent that the quantum dot-containing composition may contain is to disperse the quantum dots and apply the quantum dot-containing composition of the present invention on a substrate such as a glass substrate so that the dry film thickness becomes a desired film thickness. Used for ease.

(溶媒)
溶媒としては、特に制限されず、例えば、1,2,3-トリクロロプロパン、1,3-ブチレングリコール、1,3-ブチレングリコールジアセテート、1,4-ジオキサン、2-ヘプタノン、2-メチル-1,3-プロパンジオール、3,5,5-トリメチル-2-シクロヘキセン-1-オン、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノン、3-エトキシプロピオン酸エチル、3-メチル-1,3-ブタンジオール、3-メトキシ-3-メチル-1-ブタノール、3-メトキシ-3-メチルブチルアセテート、3-メトキシブタノール、3-メトキシブチルアセテート、4-ヘプタノン、m-キシレン、m-ジエチルベンゼン、m-ジクロロベンゼン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、n-ブチルアルコール、n-ブチルベンゼン、n-プロピルアセテート、N-メチルピロリドン、トルエン、オクタン、ノナン、ヘキサン、o-キシレン、o-クロロトルエン、o-ジエチルベンゼン、o-ジクロロベンゼン、P-クロロトルエン、P-ジエチルベンゼン、sec-ブチルベンゼン、tert-ブチルベンゼン、γ―ブチロラクトン、水、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ターシャルターシャルブタノール、イソブチルアルコール、イソホロン、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノターシャリーブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジイソブチルケトン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノール、シクロヘキサノールアセテート、シクロヘキサノン、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ダイアセトンアルコール、トリアセチン、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジアセテート、プロピレングリコールフェニルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、ベンジルアルコール、メチルイソブチルケトン、メチルシクロヘキサノール、酢酸n-アミル、酢酸n-ブチル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、及び二塩基酸エステル等が挙げられる。
これらの溶剤は、1種を単独で、又は必要に応じて任意の比率で2種以上混合して用いることができる。
(solvent)
The solvent is not particularly limited, and examples include 1,2,3-trichloropropane, 1,3-butylene glycol, 1,3-butylene glycol diacetate, 1,4-dioxane, 2-heptanone, 2-methyl- 1,3-propanediol, 3,5,5-trimethyl-2-cyclohexen-1-one, 3,3,5-trimethylcyclohexanone, ethyl 3-ethoxypropionate, 3-methyl-1,3-butanediol, 3-methoxy-3-methyl-1-butanol, 3-methoxy-3-methylbutyl acetate, 3-methoxybutanol, 3-methoxybutyl acetate, 4-heptanone, m-xylene, m-diethylbenzene, m-dichlorobenzene, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, n-butyl alcohol, n-butylbenzene, n-propyl acetate, N-methylpyrrolidone, toluene, octane, nonane, hexane, o-xylene, o-chlorotoluene , o-diethylbenzene, o-dichlorobenzene, p-chlorotoluene, p-diethylbenzene, sec-butylbenzene, tert-butylbenzene, γ-butyrolactone, water, methanol, ethanol, isopropyl alcohol, tert-tert-butanol, isobutyl alcohol, isophorone, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monotertiary butyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene Glycol monopropyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, diisobutyl ketone, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether Acetate, diethylene glycol monomethyl ether, cyclohexanol, cyclohexanol acetate, cyclohexanone, dipropylene glycol dimer Tyl ether, dipropylene glycol methyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, diacetone alcohol, triacetin, tripropylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol Monomethyl ether, propylene glycol diacetate, propylene glycol phenyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, benzyl alcohol, methyl isobutyl ketone, methylcyclohexanol, n-amyl acetate, n-butyl acetate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, propyl acetate, and dibasic acid esters.
These solvents can be used singly or as a mixture of two or more at an arbitrary ratio as required.

<インクジェットインキ>
本発明の量子ドットを含む組成物は、溶媒や、後述する樹脂成分あるいは重合性単量体等を用いて、粘度を調整することで、インクジェットインキとして使用することもできる。インクジェットインキとして用いる場合は、25℃における粘度を3-50mPa・sに調製することが好ましい。
<Inkjet ink>
The composition containing the quantum dots of the present invention can also be used as an inkjet ink by adjusting the viscosity using a solvent, a resin component or a polymerizable monomer described below, or the like. When used as an inkjet ink, it is preferable to adjust the viscosity at 25° C. to 3 to 50 mPa·s.

インクジェットインキとする場合には、溶媒は、樹脂に対する溶解性、装置部材に対する膨潤作用、粘度、及びノズルにおけるインキの乾燥性の点から選択され、下記溶剤(A-1)、(A-2)及び(A-3)からなる群から選ばれる、760mmHgでの沸点が135℃以上の1種類以上の有機溶剤を含むことが好ましい。
溶剤(A-1): R36-(O-C)m-O-C(=O)-CH
[ただし、R36は炭素原子数1~8のアルキル基であり、C24は直鎖若しくは分岐エチレン鎖であり、1≦m≦3である。]
溶剤(A-2): R37-(O-C)p-O-C(=O)-CH
[ただし、R37は炭素原子数1~8のアルキル基であり、C36は直鎖若しくは分岐プロ
ピレン鎖であり、1≦p≦3である。]
溶剤(A-3): アセテート構造を2つ以上持つ有機溶剤
In the case of inkjet ink, the solvent is selected from the viewpoint of solubility in resin, swelling effect on device members, viscosity, and ink drying property in the nozzle, and the following solvents (A-1) and (A-2) and (A-3) and having a boiling point of 135° C. or higher at 760 mmHg.
Solvent (A-1): R 36 —(O—C 2 H 4 )m—O—C(=O)—CH 3
[where R 36 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, C 2 H 4 is a linear or branched ethylene chain, and 1≦m≦3. ]
Solvent ( A-2): R37- ( OC3H6 )p-OC(=O) -CH3
[where R 37 is an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, C 3 H 6 is a linear or branched propylene chain, and 1≦p≦3. ]
Solvent (A-3): Organic solvent having two or more acetate structures

溶剤(A-1)~(A-3)の具体例としては、例えばプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、1,3-ブチレングリコールジアセテート、1,6-ヘキサンジオールジアセテート、トリアセチン等を挙げることができるが、必ずしもこれに限定されるものではない。中でも、好ましくはジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、1,3-ブチレングリコールジアセテートが、吐出安定性の点から好ましい。
さらに好ましくは、前記760mmHgでの沸点が135℃以上の溶剤の含有量が、全溶媒中60質量%以上であることが、吐出安定性やノズルにおけるインキの乾燥性の点から好ましい。
Specific examples of the solvents (A-1) to (A-3) include propylene glycol methyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol diacetate, 1, Examples include 3-butylene glycol diacetate, 1,6-hexanediol diacetate, triacetin, etc., but are not necessarily limited thereto. Among them, diethylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol methyl ether acetate, propylene glycol methyl ether acetate, and 1,3-butylene glycol diacetate are preferred from the viewpoint of ejection stability.
More preferably, the content of the solvent having a boiling point of 135° C. or higher at 760 mmHg is 60% by mass or more in the total solvent, from the viewpoint of ejection stability and ink drying property in nozzles.

また、インクジェットインキには、印刷物への要求物性により、樹脂、架橋剤、重合性単量体、光感応性物質、熱感応性物質を添加することができる。樹脂、架橋剤、重合性単量体、光感応性物質、熱感応性物質等の添加物質の添加量としては、所望の量子ドット濃度により、量子ドット1質量部に対し、添加物質を0~100質量部添加することができる。100質量部を超えると量子ドット含有率が低くなり、十分な蛍光強度が得られない場合がある。 Further, the inkjet ink can be added with a resin, a cross-linking agent, a polymerizable monomer, a photo-sensitive substance, or a heat-sensitive substance depending on the physical properties required for the printed matter. The amount of additive substances such as resins, cross-linking agents, polymerizable monomers, photosensitive substances, and heat-sensitive substances is 0 to 0 per part by mass of quantum dots, depending on the desired quantum dot concentration. 100 parts by mass can be added. If the amount exceeds 100 parts by mass, the quantum dot content may become low, and sufficient fluorescence intensity may not be obtained.

本発明の量子ドットを含む組成物を、塗布し、紫外線照射により、フォトリソグラフィー法によりパターニングする際には、光感応性物質、重合性単量体を添加して、ポジ型レジスト、又は、ネガ型レジストとすることができる。これら添加物質は、単独で、又は2種以上混合して用いることができる。 When the composition containing the quantum dots of the present invention is applied and patterned by photolithography by ultraviolet irradiation, a photosensitive substance and a polymerizable monomer are added to form a positive resist or a negative film. It can be a mold resist. These additive substances can be used alone or in combination of two or more.

(樹脂)
樹脂としては、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂のいずれも使用可能であり、石油系樹脂、マレイン酸樹脂、ニトロセルロース、セルロースアセテートブチレート、環化ゴム、塩化ゴム、アルキド樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、ビニル樹脂、又はブチラール樹脂等があげられ、基材により適時選択することができる。
(resin)
As the resin, either thermoplastic resin or thermosetting resin can be used, and petroleum resin, maleic acid resin, nitrocellulose, cellulose acetate butyrate, cyclized rubber, chlorinated rubber, alkyd resin, acrylic resin, polyester. Resins, amino resins, vinyl resins, butyral resins, and the like can be mentioned, and can be appropriately selected depending on the base material.

(架橋剤)
架橋剤としては、架橋剤はメラミン化合物、ベンゾグアナミン化合物、アクリレート系モノマー、カルボジイミド化合物、エポキシ化合物、オキセタン化合物、フェノール化合物、ベンゾオキサジン化合物、ブロック化カルン酸化合物、ブロック化イソシアネート化合物、及びシランカップリング剤からなる群から選ばれる化合物1種若しくは2種以上であることが耐熱耐性を持つ熱架橋性の架橋剤である点から好ましい。
(crosslinking agent)
Cross-linking agents include melamine compounds, benzoguanamine compounds, acrylate monomers, carbodiimide compounds, epoxy compounds, oxetane compounds, phenol compounds, benzoxazine compounds, blocked carboxylic acid compounds, blocked isocyanate compounds, and silane coupling agents. One or two or more compounds selected from the group consisting of are preferable from the viewpoint of being a heat-crosslinking cross-linking agent having heat resistance.

(重合性単量体)
重合性単量体には、紫外線や熱などにより硬化して樹脂を生成するモノマー若しくはオリゴマーが含まれ、これらを単独で、又は2種以上混合して用いることができる。
重合性単量体としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、β-カルボキシエチル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリシクロデカニル(メタ)アクリレート、エステルアクリレート、メチロール化メラミンの(メタ)アクリル酸エステル、エポキシ(メタ)アクリレート、ウレタンアクリレート等の各種アクリル酸エステル及びメタクリル酸エステル、(メタ)アクリル酸、スチレン、酢酸ビニル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、(メタ)アクリルアミド、N-ヒドロキシメチル(メタ)アクリルアミド、N-ビニルホルムアミド、アクリロニトリル等を挙げることができるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。
これらの重合性化合物は、1種を単独で、又は必要に応じて任意の比率で2種以上混合して用いることができる。
(Polymerizable monomer)
Polymerizable monomers include monomers or oligomers that form resins by curing with ultraviolet light, heat, or the like, and these can be used alone or in combination of two or more.
Examples of polymerizable monomers include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, β-carboxyethyl (meth)acrylate, polyethylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, glycerin di(meth)acrylate, triethylene glycol di(meth)acrylate, tripropylene glycol di(meth)acrylate, Neopentyl glycol-modified trimethylolpropane di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, 1,6-hexanediol diglycidyl ether di(meth)acrylate ) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether di(meth)acrylate, neopentyl glycol diglycidyl ether di(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, caprolactone-modified dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, tricyclodecanyl Various acrylates and methacrylates such as (meth)acrylates, ester acrylates, methylolated melamine (meth)acrylates, epoxy (meth)acrylates, urethane acrylates, (meth)acrylic acid, styrene, vinyl acetate, hydroxyl Ethyl vinyl ether, ethylene glycol divinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, (meth)acrylamide, N-hydroxymethyl(meth)acrylamide, N-vinylformamide, acrylonitrile and the like can be mentioned, but are not necessarily limited to these. .
These polymerizable compounds can be used singly or as a mixture of two or more at an arbitrary ratio as required.

(熱感応性物質、光感応性物質)
熱感応性物質としては、熱重合開始剤として、有機過酸化物系開始剤、アゾ系開始剤等を挙げることができる。また、光感応性物質としては、光重合開始剤、光酸発生剤、光塩基発生剤が挙げられる。これらは、1種を単独で、又は必要に応じて任意の比率で2種以上混合して用いることができる。
(Thermal Sensitive Substance, Photosensitive Substance)
Examples of heat-sensitive substances include thermal polymerization initiators such as organic peroxide initiators and azo initiators. Moreover, a photopolymerization initiator, a photoacid generator, and a photobase generator are mentioned as a photosensitive substance. These can be used singly or as a mixture of two or more at any ratio as required.

(光重合開始剤、光酸発生剤)
光重合開始剤としては、アセトフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物、トリアジン系化合物、オキシムエステル系化合物、ホスフィン系化合物、キノン系化合物、ボレート系化合物; カルバゾール系化合物;
イミダゾール系化合物;あるいは、チタノセン系化合物等が用いられる。
光酸発生剤としては、スルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、 N-スルホ
ニルオキシイミド化合物等が挙げられる。
(Photopolymerization initiator, photoacid generator)
Photopolymerization initiators include acetophenone compounds, benzoin compounds, benzophenone compounds, thioxanthone compounds, triazine compounds, oxime ester compounds, phosphine compounds, quinone compounds, borate compounds; carbazole compounds;
imidazole-based compounds; or titanocene-based compounds and the like are used.
Photoacid generators include sulfonium salts, tetrahydrothiophenium salts, N-sulfonyloxyimide compounds and the like.

光重合開始剤及び/又は光酸発生剤は、重合性単量体100部に対して、0.01部~20部であることが好ましい。0.01部未満であると硬化が不十分であり、20部より多い場合、光酸発生剤由来の着色や他の諸物性の低下を招く。 The amount of the photopolymerization initiator and/or photoacid generator is preferably 0.01 to 20 parts per 100 parts of the polymerizable monomer. If the amount is less than 0.01 part, curing is insufficient, and if the amount is more than 20 parts, coloration derived from the photoacid generator and deterioration of other physical properties are caused.

(光塩基発生剤)
光塩基発生剤としては、複素環基含有光塩基発生剤、2-ニトロベンジルシクロヘキシルカルバメート、[[(2,6-ジニトロベンジル)オキシ]カルボニル]シクロヘキシルアミン、ビス[[(2-ニトロベンジル)オキシ]カルボニル]ヘキサン-1,6-ジアミン、トリフェニルメタノール、o-カルバモイルヒドロキシルアミド、o-カルバモイルオキシム、ヘキサアンミンコバルト(III)トリス(トリフェニルメチルボレート)等が挙げられる。
(Photobase generator)
Photobase generators include heterocyclic group-containing photobase generators, 2-nitrobenzylcyclohexylcarbamate, [[(2,6-dinitrobenzyl)oxy]carbonyl]cyclohexylamine, bis[[(2-nitrobenzyl)oxy ]Carbonyl]hexane-1,6-diamine, triphenylmethanol, o-carbamoylhydroxylamide, o-carbamoyloxime, hexaamminecobalt (III) tris(triphenylmethylborate) and the like.

(増感剤)
さらに、本発明の組成物には、増感剤を含有させることができる。
増感剤としては、カルコン誘導体、ジベンザルアセトン等に代表される不飽和ケトン類、ベンジルやカンファーキノン等に代表される1,2-ジケトン誘導体、ベンゾイン誘導体、フルオレン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、キサンテン誘導体、チオキサンテン誘導体、キサントン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、ケトクマリン誘導体、シアニン誘導体、メロシアニン誘導体、オキソノ-ル誘導体等のポリメチン色素、アクリジン誘導体、アジン誘導体、チアジン誘導体、オキサジン誘導体、インドリン誘導体、アズレン誘導体、アズレニウム誘導体、スクアリリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、テトラフェニルポルフィリン誘導体、トリアリールメタン誘導体、テトラベンゾポルフィリン誘導体、テトラピラジノポルフィラジン誘導体、フタロシアニン誘導体、テトラアザポルフィラジン誘導体、テトラキノキサリロポルフィラジン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、サブフタロシアニン誘導体、ピリリウム誘導体、チオピリリウム誘導体、テトラフィリン誘導体、アヌレン誘導体、スピロピラン誘導体、スピロオキサジン誘導体、チオスピロピラン誘導体、金属アレーン錯体、有機ルテニウム錯体、又はミヒラーケトン誘導体、α-アシロキシエステル、アシルフォスフィンオキサイド、メチルフェニルグリオキシレート、ベンジル、9,10-フェナンスレンキノン、カンファーキノン、エチルアンスラキノン、4,4’-ジエチルイソフタロフェノン、3,3’,又は4,4’-テトラ(t-ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン、4,4’-ジエチルアミノベンゾフェノン等が挙げられる。
これらの増感剤は、1種を単独で、又は必要に応じて任意の比率で2種以上混合して用いることができる。
(sensitizer)
Additionally, the composition of the present invention may contain a sensitizer.
Sensitizers include chalcone derivatives, unsaturated ketones such as dibenzalacetone, 1,2-diketone derivatives such as benzyl and camphorquinone, benzoin derivatives, fluorene derivatives, naphthoquinone derivatives, and anthraquinone derivatives. , xanthene derivatives, thioxanthene derivatives, xanthone derivatives, thioxanthone derivatives, coumarin derivatives, ketocoumarin derivatives, cyanine derivatives, merocyanine derivatives, polymethine dyes such as oxonol derivatives, acridine derivatives, azine derivatives, thiazine derivatives, oxazine derivatives, indoline derivatives, Azulene derivatives, azulenium derivatives, squarylium derivatives, porphyrin derivatives, tetraphenylporphyrin derivatives, triarylmethane derivatives, tetrabenzoporphyrin derivatives, tetrapyrazinoporphyrazine derivatives, phthalocyanine derivatives, tetraazaporphyrazine derivatives, tetraquinoxalyloporphyrazine derivatives , naphthalocyanine derivatives, subphthalocyanine derivatives, pyrylium derivatives, thiopyrylium derivatives, tetraphylline derivatives, annulene derivatives, spiropyran derivatives, spirooxazine derivatives, thiospiropyran derivatives, metal arene complexes, organic ruthenium complexes, or Michler ketone derivatives, α-acyloxyesters , acylphosphine oxide, methylphenylglyoxylate, benzyl, 9,10-phenanthrenequinone, camphorquinone, ethylanthraquinone, 4,4′-diethylisophthalophenone, 3,3′, or 4,4′ -tetra(t-butylperoxycarbonyl)benzophenone, 4,4'-diethylaminobenzophenone and the like.
These sensitizers can be used singly or as a mixture of two or more at any ratio as required.

<印刷物>
印刷物は、基材上に、本発明の量子ドットを含む量子ドット含有層を有するものである。量子ドット含有層は、前述の量子ドット含有組成物又はインクジェットインキによって形成することができ、組成物等を塗工・印刷後に有機溶剤を乾燥して膜を形成する方法や、紫外線照射をして硬化膜を形成する方法によって、形成することができる。
基材は特に限定はないが、ポリカーボネート、硬質塩ビ、軟質塩ビ、ポリスチレン、発砲スチロール、PMMA、ポリプロピレン、ポリエチレン、PET等のプラスチック基材やこれら混合又は変性品、上質紙、アート紙、コート紙、キャストコート紙等の紙基材、ガラス基材、ステンレス等の金属基材等が挙げられる。
<Printed Matter>
A printed matter has a quantum dot-containing layer containing the quantum dots of the present invention on a substrate. The quantum dot-containing layer can be formed by the above-described quantum dot-containing composition or inkjet ink, and a method of forming a film by drying an organic solvent after coating and printing the composition or the like, or by ultraviolet irradiation. It can be formed by a method for forming a cured film.
The base material is not particularly limited, but plastic base materials such as polycarbonate, hard vinyl chloride, soft vinyl chloride, polystyrene, styrofoam, PMMA, polypropylene, polyethylene, PET, mixed or modified products thereof, fine paper, art paper, coated paper, Examples include paper substrates such as cast-coated paper, glass substrates, and metal substrates such as stainless steel.

<光波長変換層>
本発明の量子ドットを含有する層は、光波長変換層として用いることができる。光波長変換層は、励起光を長波長側の蛍光に変換して放出することが可能であり、励起光波長と放出蛍光波長の関係を維持できれば特に制限はなく、例として、青色や紫外光を励起光として用いて緑色や赤色の蛍光を得ることや、紫外光や可視光を励起光として近赤外領域の蛍光を得る事等を挙げることができる。
光波長変換層の厚みは、好ましくは1~500μmであり、より好ましくは1~50μmであり、さらに好ましくは1~10μmである。厚みが1μm以上であると、高い波長変換効果が得られるため、好ましい。また、厚みが500μm以下であると、光源ユニットに組み込んだ場合に、光源ユニットを薄くすることができるため、好ましい。
<Light wavelength conversion layer>
A layer containing quantum dots of the present invention can be used as a light wavelength conversion layer. The light wavelength conversion layer is capable of converting excitation light into fluorescence on the long wavelength side and emitting it, and is not particularly limited as long as the relationship between the excitation light wavelength and the emission fluorescence wavelength can be maintained. is used as excitation light to obtain green or red fluorescence, and ultraviolet light or visible light is used as excitation light to obtain fluorescence in the near-infrared region.
The thickness of the light wavelength conversion layer is preferably 1 to 500 μm, more preferably 1 to 50 μm, still more preferably 1 to 10 μm. A thickness of 1 μm or more is preferable because a high wavelength conversion effect can be obtained. Moreover, when the thickness is 500 μm or less, the light source unit can be made thin when incorporated into the light source unit, which is preferable.

<光波長変換部材>
前述の光波長変換層を用いて、光波長変換部材とすることもできる。
光波長変換部材は、特定基材の少なくとも片面に、前述の光波長変換層が形成された部材である。基材は特に限定はないが、ポリカーボネート、硬質塩ビ、軟質塩ビ、ポリスチレン、発砲スチロール、PMMA、ポリプロピレン、ポリエチレン、PET等のプラスチック基材やこれら混合又は変性品、上質紙、アート紙、コート紙、キャストコート紙等の紙基材、ガラス、ステンレス等の金属基材等が挙げられる。
用途によって使用される基材は選択されるが、プリペイドカードや通行カード等であれば、耐久性の観点から、プラスチック基材やこれらの混合又は変性品が好ましい。情報記録媒体としての1次元バーコード、2次元バーコード、QRコード(登録商標)(マトリックス型2次元コード)であれば、プラスチック基材の他にも紙基材が好ましい。波長変換用カラーフィルタであれば、透明基板が好ましい。
<Light wavelength conversion member>
A light wavelength conversion member can also be obtained by using the light wavelength conversion layer described above.
The light wavelength conversion member is a member in which the light wavelength conversion layer described above is formed on at least one side of a specific base material. The base material is not particularly limited, but plastic base materials such as polycarbonate, hard vinyl chloride, soft vinyl chloride, polystyrene, styrofoam, PMMA, polypropylene, polyethylene, PET, mixed or modified products thereof, fine paper, art paper, coated paper, Paper substrates such as cast-coated paper, glass, metal substrates such as stainless steel, and the like can be used.
The base material to be used is selected according to the application, but in the case of prepaid cards, transit cards, etc., plastic base materials and mixtures or modified products thereof are preferable from the viewpoint of durability. In the case of one-dimensional barcodes, two-dimensional barcodes, and QR codes (matrix two-dimensional codes) as information recording media, paper substrates are preferable in addition to plastic substrates. A transparent substrate is preferable for a wavelength conversion color filter.

<発光素子>
本発明の量子ドットを含有する層は、発光素子における発光層として用いることができる。発光素子は、基板と、基板上に設けられた陰極と陽極を有し、両電極の間に発光層を備え、陰極及び陽極の少なくとも一方に電荷輸送層を備えている。さらに、発光素子の性質上、陽極及び陰極のうち少なくとも一方の電極は透明である。
発光素子の積層の態様としては、陽極側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。さらに、正孔輸送層と発光層との間、又は、発光層と電子輸送層との間には、電荷ブロック層等を有していてもよい。陽極と正孔輸送層との間に、正孔注入層を有してもよく、陰極と電子輸送層との間には、電子注入層を有してもよい。また、発光層としては一層だけでもよく、また、第一発光層、第二発光層、第三発光層等に発光層を分割してもよい。さらに、各層は複数の二次層に分かれていてもよい。
<Light emitting element>
A layer containing quantum dots of the present invention can be used as a light-emitting layer in a light-emitting device. A light-emitting element has a substrate, a cathode and an anode provided on the substrate, a light-emitting layer between the electrodes, and a charge transport layer on at least one of the cathode and the anode. Furthermore, due to the nature of the light emitting device, at least one of the anode and cathode electrodes is transparent.
As a mode of lamination of the light-emitting element, a mode in which a hole-transporting layer, a light-emitting layer, and an electron-transporting layer are stacked in this order from the anode side is preferable. Furthermore, a charge blocking layer or the like may be provided between the hole-transporting layer and the light-emitting layer or between the light-emitting layer and the electron-transporting layer. A hole injection layer may be provided between the anode and the hole transport layer, and an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer. Further, the light emitting layer may be a single layer, or the light emitting layer may be divided into a first light emitting layer, a second light emitting layer, a third light emitting layer, and the like. Further, each layer may be divided into multiple sublayers.

発光素子を形成するための基板としては、例えば、公知の有機EL素子に用いられる基板を用いることができる。基板は樹脂フィルムであってもよく、ガスバリアフィルムであってもよく、特開2004-136466号公報、特開2004-148566号公報、特開2005-246716号公報、特開2005-262529号公報等に記載のガスバリアフィルムも好ましく用いることができる。
基板の厚みは、特に規定されないが30μm~700μmが好ましく、より好ましくは40μm~200μm、さらに好ましくは50μm~150μmである。さらにいずれの場合もヘイズは3%以下が好ましく、より好ましくは2%以下、さらに好ましくは1%以下、全光透過率は70%以上が好ましく、より好ましくは80%以上、さらに好ましくは90%以上である。
As a substrate for forming a light-emitting element, for example, a substrate used for a known organic EL element can be used. The substrate may be a resin film or a gas barrier film, such as JP-A-2004-136466, JP-A-2004-148566, JP-A-2005-246716, JP-A-2005-262529, etc. The gas barrier film described in 1. can also be preferably used.
Although the thickness of the substrate is not particularly specified, it is preferably 30 μm to 700 μm, more preferably 40 μm to 200 μm, still more preferably 50 μm to 150 μm. Furthermore, in any case, the haze is preferably 3% or less, more preferably 2% or less, still more preferably 1% or less, and the total light transmittance is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and still more preferably 90%. That's it.

<陽極>
陽極は、通常、有機化合物あるいは無機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。上述のごとく、陽極は、通常透明陽極として設けられる。透明陽極については、沢田豊監修「透明電極膜の新展開」シーエムシー刊(1999)に詳述がある。基板として耐熱性の低いプラスチック基材を用いる場合は、ITO、IZO又はIGZOを使用し、150℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
<Anode>
The anode usually has a function as an electrode that supplies holes to an organic compound or inorganic compound layer, and its shape, structure, size, etc. are not particularly limited. Depending on the requirements, it can be appropriately selected from known electrode materials. As mentioned above, the anode is usually provided as a transparent anode. The transparent anode is described in detail in "New Development of Transparent Electrode Films" supervised by Yutaka Sawada, published by CMC (1999). When a plastic base material having low heat resistance is used as the substrate, a transparent anode formed by using ITO, IZO or IGZO at a low temperature of 150° C. or less is preferable.

<陰極>
陰極は、通常、有機化合物あるいは無機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等が挙げられる。具体例としては2属金属(例えばMg、Ca等)、金、銀、鉛、アルミニウム、リチウム- アルミニウム合金、マグネシウム- 銀合金、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属等が挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、2種以上を好適に併用することができる。
<Cathode>
The cathode generally has a function as an electrode for injecting electrons into an organic compound or inorganic compound layer, and its shape, structure, size, etc. are not particularly limited. Accordingly, it can be appropriately selected from known electrode materials.
Materials constituting the cathode include, for example, metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include group 2 metals (eg, Mg, Ca, etc.), gold, silver, lead, aluminum, lithium-aluminum alloys, magnesium-silver alloys, and rare earth metals such as indium and ytterbium. These may be used alone, but from the viewpoint of achieving both stability and electron injection properties, two or more of them can be preferably used in combination.

これらの中でも、陰極を構成する材料としては、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと0.01~100質量% のアルカリ金属又は2属金属との合金(例えば、リチウム- アルミニウム合金、マグネシウム- アルミニウム合金など)をいう。なお、陰極の材料については、特開平2-15595号公報、特開平5-121172号公報に詳述されている。また、陰極と前記有機化合物又は無機化合物層との間に、アルカリ金属又は2属金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を0.1~5nmの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。 Among these materials, a material mainly composed of aluminum is preferable as the material constituting the cathode. The material mainly composed of aluminum refers to aluminum alone, and alloys of aluminum with 0.01 to 100% by mass of alkali metals or Group II metals (eg, lithium-aluminum alloy, magnesium-aluminum alloy, etc.). The materials for the cathode are described in detail in JP-A-2-15595 and JP-A-5-121172. In addition, a dielectric layer made of a fluoride, oxide, or the like of an alkali metal or group II metal may be inserted between the cathode and the organic compound or inorganic compound layer with a thickness of 0.1 to 5 nm. This dielectric layer can also be viewed as a kind of electron injection layer.

陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常10nm~5μm程度であり、50nm~1μmが好ましい。また、陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を1~10nmの厚さに薄く成膜し、さらにITO、IZOやIGZO等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。 The thickness of the cathode can be appropriately selected depending on the material constituting the cathode, and cannot be defined unconditionally, but is usually about 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 1 μm. Also, the cathode may be transparent or opaque. The transparent cathode can be formed by forming a thin film of a cathode material with a thickness of 1 to 10 nm and laminating a transparent conductive material such as ITO, IZO or IGZO.

<発光層>
発光層は、電界印加時に、陽極、正孔注入層又は正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子との再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。発光層は、本発明の量子ドットのみで構成されていてもよく、量子ドットとホスト材料との混合層の構成でもよい。発光材料は、さらに、蛍光発光材料でも燐光発光材料を含有してもよく、ドーパントは1種であっても2種以上であってもよい。ホスト材料は電荷輸送材料であることが好ましい。ホスト材料は1種であっても2種以上であってもよく、例えば、電子輸送性のホスト材料とホール輸送性のホスト材料とを混合した構成が挙げられる。さらに、発光層中に電荷輸送性を有さず、発光しない材料を含んでいてもよい。また、発光層は1層であっても2層以上であってもよく、それぞれの層が異なる発光色で発光してもよい。
<Light emitting layer>
When an electric field is applied, the light-emitting layer receives holes from the anode, the hole-injection layer, or the hole-transport layer, receives electrons from the cathode, the electron-injection layer, or the electron-transport layer, and forms a recombination field for the holes and electrons. It is a layer having a function of providing light to emit light. The light-emitting layer may be composed only of the quantum dots of the present invention, or may be composed of a mixed layer of quantum dots and a host material. The light-emitting material may further contain a fluorescent light-emitting material or a phosphorescent light-emitting material, and may contain one or more dopants. Preferably, the host material is a charge transport material. The number of host materials may be one or two or more, and examples thereof include a configuration in which an electron-transporting host material and a hole-transporting host material are mixed. Furthermore, the light-emitting layer may contain a material that does not have a charge-transporting property and does not emit light. Further, the light-emitting layer may be one layer or two or more layers, and each layer may emit light of a different color.

前記蛍光発光材料の例としては、例えば、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリディン化合物、8-キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体等の化合物等が挙げられる。 Examples of the fluorescent material include benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzothiazole derivatives, styrylbenzene derivatives, polyphenyl derivatives, diphenylbutadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, naphthalimide derivatives, coumarin derivatives, condensed aromatic compound, perinone derivative, oxadiazole derivative, oxazine derivative, aldazine derivative, pyraridine derivative, cyclopentadiene derivative, bisstyrylanthracene derivative, quinacridone derivative, pyrrolopyridine derivative, thiadiazolopyridine derivative, cyclopentadiene derivative, styrylamine derivative, di Various metal complexes such as ketopyrrolopyrrole derivatives, aromatic dimethylidine compounds, metal complexes of 8-quinolinol derivatives and metal complexes of pyrromethene derivatives, polymer compounds such as polythiophene, polyphenylene, and polyphenylene vinylene, compounds such as organic silane derivatives, etc. is mentioned.

前記燐光発光材料は、例えば、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。
前記遷移金属原子としては、特に限定されないが、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、及び白金が挙げられ、より好ましくは、レニウム、イリジウム、及び白金である。
前記ランタノイド原子としては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマ
リウム、ユーロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エル
ビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテシウムが挙げられる。これらのランタノイド原
子の中でも、ネオジム、ユーロピウム、及びガドリニウムが好ましい。
Examples of the phosphorescent materials include complexes containing transition metal atoms or lanthanide atoms.
The transition metal atom is not particularly limited, but preferably includes ruthenium, rhodium, palladium, tungsten, rhenium, osmium, iridium and platinum, more preferably rhenium, iridium and platinum.
The lanthanide atoms include lanthanum, cerium, praseodymium, neodymium, samarium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, erbium, thulium, ytterbium, and lutecium. Among these lanthanide atoms, neodymium, europium and gadolinium are preferred.

錯体の配位子としては、例えば、G.Wilkinson等著, Comprehensive Coordination Chemistry, PergamonPress社1987年発行、H. Yersin著, 「Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds」 Springer-Verlag社1987年発行、山本明夫著「有機金属化学-基礎と応用- 」裳華房社1982年発行等に記載の配位子等が挙げられる。 As the ligand of the complex, for example, G. Wilkinson et al., Comprehensive Coordination Chemistry, Pergamon Press, 1987, H. Yersin, "Photochemistry and Photophysics of Coordination Compounds", Springer-Verlag, 1987, Akio Yamamoto Examples include ligands described in "Organometallic Chemistry - Fundamentals and Applications -" published by Shokabosha (1982).

また、発光層に含有されるホスト材料としては、例えば、カルバゾール骨格を有するもの、ジアリールアミン骨格を有するもの、ピリジン骨格を有するもの、ピラジン骨格を有するもの、トリアジン骨格を有するもの及びアリールシラン骨格を有するものや、後述の正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の項で例示されている材料が挙げられる。 Examples of the host material contained in the light-emitting layer include those having a carbazole skeleton, those having a diarylamine skeleton, those having a pyridine skeleton, those having a pyrazine skeleton, those having a triazine skeleton, and those having an arylsilane skeleton. and materials exemplified in the sections of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron injection layer, and the electron transport layer described below.

<正孔注入層、正孔輸送層>
正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極又は陽極側から正孔を受け取り陰極側に輸送する機能を有する層である。前述する機能を有すれば有機化合物であっても無機化合物であってもよく、低分子化合物でも高分子化合物でも金属酸化物であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層は、具体的には、カルバゾール誘導体、トリフェニルアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、フタロシアニン系化合物、有機シラン誘導体等の低分子化合物、カーボン、フラーレン等の炭素化合物、五酸化バナジウムや三酸化モリブデン等の金属酸化物からなる無機化合物、ポリビニルカルバゾール、ポリピロール、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)-ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT-PSS)等の高分子化合物等を含有する層であることが好ましい。
<Hole injection layer, hole transport layer>
The hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the anode or from the anode side and transporting them to the cathode side. It may be an organic compound or an inorganic compound, a low-molecular-weight compound, a high-molecular-weight compound, or a metal oxide, as long as it has the functions described above. Specifically, the hole injection layer and the hole transport layer include carbazole derivatives, triphenylamine derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylene diamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidine compounds, porphyrin compounds, Phthalocyanine compounds, low molecular compounds such as organic silane derivatives, carbon compounds such as carbon and fullerenes, inorganic compounds composed of metal oxides such as vanadium pentoxide and molybdenum trioxide, polyvinylcarbazole, polypyrrole, poly(3,4-ethylene) It is preferably a layer containing a polymer compound such as dioxythiophene)-poly(styrenesulfonic acid) (PEDOT-PSS).

<電子注入層、電子輸送層>
電子注入層及び電子輸送層は、陰極又は陰極側から電子を受け取り陽極側に輸送する機能を有する層である。電子注入層、電子輸送層は、具体的には、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、8-キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体等の低分子化合物、酸化亜鉛(ZnO)、酸化チタン(TiO)等の金属酸化物やアルカリ金属ドーピングされた有機あるいは無機化合物を含有する層であることが好ましい。
<Electron injection layer, electron transport layer>
The electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the cathode or the cathode side and transporting them to the anode side. Specifically, the electron injection layer and the electron transport layer include triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, fluorenone derivatives, anthraquinodimethane derivatives, anthrone derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, Carbodiimide derivatives, fluorenylidenemethane derivatives, distyrylpyrazine derivatives, aromatic ring tetracarboxylic acid anhydrides such as naphthalene and perylene, phthalocyanine derivatives, metal complexes of 8-quinolinol derivatives, metal phthalocyanine, benzoxazole and benzothiazole as ligands Various metal complexes represented by metal complexes, low-molecular-weight compounds such as organic silane derivatives, metal oxides such as zinc oxide (ZnO) and titanium oxide (TiO 2 ), and organic or inorganic compounds doped with alkali metals. It is preferably a layer that

<正孔ブロック層>
正孔ブロック層は、陽極側から発光層に輸送された正孔が、陰極側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本発明において、発光層と陰極側で隣接する有機化合物層として、正孔ブロック層を設けることができる。また、電子輸送層・電子注入層が正孔ブロック層の機能を兼ねていてもよい。
正孔ブロック層を構成する有機化合物の例としては、BAlq等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、BCP等のフェナントロリン誘導体、等が挙げられる。また、陰極側から発光層に輸送された電子が陽極側に通りぬけることを防止する機能を有する層を、発光層と陽極側で隣接する位置に設けることもできる。正孔輸送層・正孔注入層がこの機能を兼ねていてもよい。
<Hole blocking layer>
The hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the anode side to the light-emitting layer from passing through to the cathode side. In the present invention, a hole blocking layer can be provided as an organic compound layer adjacent to the light emitting layer on the cathode side. Further, the electron transport layer/electron injection layer may also function as a hole blocking layer.
Examples of the organic compound forming the hole blocking layer include aluminum complexes such as BAlq, triazole derivatives, phenanthroline derivatives such as BCP, and the like. Also, a layer having a function of preventing electrons transported from the cathode to the light-emitting layer from passing through to the anode can be provided at a position adjacent to the light-emitting layer on the anode side. The hole transport layer/hole injection layer may also serve this function.

<発光デバイス>
また、光波長変換部材と発光素子とを組み合わせて、発光デバイスとして用いることができる。前記発光デバイスは、少なくとも、光波長変換部材の光波長変換層又は発光素子の発光層のいずれか一方が、本発明のインク組成物を用いて形成されていればよい。
光波長変換部材は、励起光を長波長側の蛍光に変換して放出するものであり、例えば、青色や紫外光を緑色や赤色の蛍光に変換することや、紫外光や可視光を近赤外領域の蛍光に変換することができる。光波長変換部材は、励起光波長と放出蛍光波長の関係を維持するものであれば特に制限はなく、適宜最適なものを選択することができる。
また、従来公知の発光素子の光源としては、発光ダイオード(LED)や半導体レーザー(LD)等の半導体発光素子、;有機エレクトロルミネッセンス(有機EL);又は量子ドット(quantum dot)を用いることができる。
<Light emitting device>
Also, the light wavelength conversion member and the light emitting element can be combined and used as a light emitting device. In the light emitting device, at least one of the light wavelength conversion layer of the light wavelength conversion member and the light emitting layer of the light emitting element may be formed using the ink composition of the present invention.
The light wavelength conversion member converts the excitation light into fluorescent light on the long wavelength side and emits it. It can be converted to fluorescence in the outer region. The light wavelength conversion member is not particularly limited as long as it maintains the relationship between the wavelength of the excitation light and the wavelength of the emitted fluorescence light, and an optimum one can be selected as appropriate.
In addition, as the light source of the conventionally known light emitting element, semiconductor light emitting elements such as light emitting diodes (LED) and semiconductor lasers (LD); organic electroluminescence (organic EL); or quantum dots can be used. .

以下に、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、以下の実施例は本発明の権利範囲を何ら制限するものではない。なお、実施例における「部」及び「%」は、「質量部」及び「質量%」を表す。 EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to examples below, but the examples below do not limit the scope of the present invention. "Parts" and "%" in the examples represent "mass parts" and "mass%".

<樹脂の製造>
[樹脂溶液1の調製]
セパラブル4口フラスコに温度計、冷却管、窒素ガス導入管、撹拌装置を取り付けた反応容器にメシチレン70.0部を仕込み、80℃に昇温し、反応容器内を窒素置換した後、滴下管よりn-ブチルメタクリレート18.0部、メタクリル酸メチル12.0部、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.4部の混合物を2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間反応を継続し、質量平均分子量(Mw)26,000のアクリル樹脂の溶液を得た。室温まで冷却した後、樹脂溶液約2gをサンプリングして180℃、20分加熱乾燥して不揮発分を測定し、先に合成した樹脂溶液に不揮発分が30質量%になるようにメシチレンを添加して、アクリル樹脂溶液1を調製した。
<Production of resin>
[Preparation of resin solution 1]
70.0 parts of mesitylene was charged into a separable 4-necked flask equipped with a thermometer, a cooling tube, a nitrogen gas inlet tube, and a stirring device, and the temperature was raised to 80°C. A mixture of 18.0 parts of n-butyl methacrylate, 12.0 parts of methyl methacrylate and 0.4 parts of 2,2'-azobisisobutyronitrile was added dropwise over 2 hours. After the dropwise addition, the reaction was continued for 3 hours to obtain an acrylic resin solution having a mass average molecular weight (Mw) of 26,000. After cooling to room temperature, about 2 g of the resin solution was sampled and dried by heating at 180° C. for 20 minutes to measure the non-volatile content. to prepare an acrylic resin solution 1.

[樹脂溶液2の調製]
セパラブル4口フラスコに温度計、冷却管、窒素ガス導入管、撹拌装置を取り付けた反応容器に、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(DBCA)70.0部を仕込み、80℃に昇温し、反応容器内を窒素置換した後、滴下管よりn-ブチルメタクリレート14.0部、メタクリル酸メチル10.0部、スチレン6.0部、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル0.4部の混合物を2時間かけて滴下した。滴下終了後、更に3時間反応を継続し、質量平均分子量(Mw)26,000のアクリル樹脂の溶液を得た。室温まで冷却した後、樹脂溶液約2gをサンプリングして180℃、20分加熱乾燥して不揮発分を測定し、先に合成した樹脂溶液に不揮発分が30質量%になるようにジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを添加して、アクリル樹脂溶液2を調製した。
[Preparation of resin solution 2]
70.0 parts of diethylene glycol monobutyl ether acetate (DBCA) was charged into a reaction vessel equipped with a separable four-necked flask, a thermometer, a condenser, a nitrogen gas inlet tube, and a stirrer, and the temperature was raised to 80° C., and the inside of the reaction vessel was After purging with nitrogen, 2 parts of a mixture of 14.0 parts of n-butyl methacrylate, 10.0 parts of methyl methacrylate, 6.0 parts of styrene and 0.4 parts of 2,2'-azobisisobutyronitrile were added from the dropping tube. It dripped over time. After the dropwise addition, the reaction was continued for 3 hours to obtain an acrylic resin solution having a mass average molecular weight (Mw) of 26,000. After cooling to room temperature, about 2 g of the resin solution was sampled and dried by heating at 180 ° C. for 20 minutes to measure the non-volatile content. was added to prepare an acrylic resin solution 2.

[樹脂溶液3の調製]
ノルボルネン200部、シクロペンテン50部、1-ヘキセン180部及びトルエン750部を、窒素置換した反応容器に仕込み、60℃に加熱した。これに、トリエチルアルミニウム(1.5モル/l)のトルエン溶液0.62部、tert-COH/CHOHで変性(tert-COH/CHOH/W=0.35/0.3/1;モル比)したWCl溶液(濃度0.05モル/l)3.7部を加え、80℃で3時間加熱攪拌して、開環重合反応、水素添加反応を行い、次いでトリメチルベンゼンを用いて不揮発分を30%に調製して、シクロペンタジエン樹脂溶液3を得た。
[Preparation of resin solution 3]
200 parts of norbornene, 50 parts of cyclopentene, 180 parts of 1-hexene and 750 parts of toluene were placed in a reaction vessel purged with nitrogen and heated to 60°C. This was modified with 0.62 parts of a toluene solution of triethylaluminum (1.5 mol/l) and tert-C 4 H 5 OH/CH 3 OH (tert-C 4 H 9 OH/CH 3 OH/W=0 .35/0.3/1; molar ratio) added 3.7 parts of WCl 6 solution (concentration 0.05 mol / l), heated and stirred at 80 ° C. for 3 hours, ring-opening polymerization reaction, hydrogenation reaction Then, trimethylbenzene was used to adjust the non-volatile content to 30% to obtain a cyclopentadiene resin solution 3.

<量子ドット含有組成物の製造>
[比較例1]
(量子ドットR1含有組成物)
無水酢酸亜鉛0.55部、ドデカンチオール(処理剤R1)7.0部、オレイルアミン5.0部を加熱溶解し添加液を作成した。次に、塩化インジウム0.22部、オクチルアミン8.25部を反応容器に入れ、窒素バブリングを行いながら、165℃に加熱した。塩化インジウムが溶解した後、ジエチルアミノホスフィン0.86部を短時間で注入し、20分間165℃に制御した。その後、急冷し、40℃に冷却した。
冷却した溶解液に、上記添加液を注入し、240℃2時間加熱した後に、室温まで放冷した。放冷後、ヘキサンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行い、コアがInPでシェルがZnSのコア・シェル型半導体微粒子をドデカンチオール(処理剤R1)で表面処理した量子ドットR1を得た。さらにトリメチルベンゼンを用いて、固形分濃度10%に調製し、量子ドットR1含有組成物を得た。
<Production of quantum dot-containing composition>
[Comparative Example 1]
(Quantum dot R1-containing composition)
0.55 parts of anhydrous zinc acetate, 7.0 parts of dodecanethiol (treating agent R1), and 5.0 parts of oleylamine were heated and dissolved to prepare an additive solution. Next, 0.22 parts of indium chloride and 8.25 parts of octylamine were placed in a reactor and heated to 165° C. while bubbling with nitrogen. After dissolving the indium chloride, 0.86 parts of diethylaminophosphine was briefly injected and the temperature was controlled at 165° C. for 20 minutes. It was then quenched and cooled to 40°C.
The additive liquid was poured into the cooled solution, heated at 240° C. for 2 hours, and then allowed to cool to room temperature. After standing to cool, purification was performed by a reprecipitation method using hexane and ethanol to obtain quantum dots R1 in which core-shell type semiconductor fine particles having a core of InP and a shell of ZnS were surface-treated with dodecanethiol (treatment agent R1). . Furthermore, trimethylbenzene was used to adjust the solid content concentration to 10% to obtain a composition containing quantum dots R1.

[実施例1]
(量子ドット1含有組成物)
比較例1で得られた量子ドットR1を、トルエンを用いて固形分濃度1%に希釈した。同量の5%処理剤1のトルエン溶液を添加し、12時間撹拌した。トルエンとエタノールを用いて再沈殿法で精製を行った。ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを用いて、固形分濃度10%に調製し、コアがInPでシェルがZnSのコア・シェル型半導体微粒子を処理剤1で表面処理した量子ドット1を含む組成物を得た。
[Example 1]
(Quantum dot 1-containing composition)
The quantum dots R1 obtained in Comparative Example 1 were diluted with toluene to a solid concentration of 1%. A toluene solution of the same amount of 5% treatment agent 1 was added and stirred for 12 hours. Purification was performed by a reprecipitation method using toluene and ethanol. Diethylene glycol monobutyl ether acetate was used to prepare a solid content concentration of 10%, and a composition containing quantum dots 1 in which core-shell type semiconductor fine particles having a core of InP and a shell of ZnS were surface-treated with a treatment agent 1 was obtained.

[実施例2~21、比較例2~4]
処理剤を表1~表3記載の処理剤2~21及びR2~R4に変更して、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートとエタノールとを用いて精製した以外は、実施例1と同様にして、コアがInPでシェルがZnSのコア・シェル型半導体微粒子を表1~表3の処理剤で表面処理した量子ドット2~21及びR2~R4を含む、固形分濃度10%の組成物を得た。
[Examples 2 to 21, Comparative Examples 2 to 4]
InP core was prepared in the same manner as in Example 1, except that the treatment agent was changed to treatment agents 2 to 21 and R2 to R4 shown in Tables 1 to 3, and the purification was performed using diethylene glycol monobutyl ether acetate and ethanol. A composition with a solid concentration of 10% containing quantum dots 2 to 21 and R2 to R4 obtained by surface-treating the core-shell type semiconductor fine particles whose shell is ZnS with the treatment agents shown in Tables 1 to 3 was obtained.

Figure 0007238636000016
Figure 0007238636000016

Figure 0007238636000017
Figure 0007238636000017

Figure 0007238636000018
Figure 0007238636000018

<インクジェットインキ(IJインキ)の製造>
[実施例22~45、比較例5~8]
密閉できる容器に、表4に示した配合組成にて、量子ドット含有組成物、樹脂溶液、及び溶剤を配合した。その後、密閉して撹拌し、孔径1μmのメンブレンフィルターを用いてろ過を行い、インクジェットインキ1~24、及びインクジェットインキR1~R4を調整した。
<Production of inkjet ink (IJ ink)>
[Examples 22 to 45, Comparative Examples 5 to 8]
A quantum dot-containing composition, a resin solution, and a solvent were blended in a sealable container according to the blending composition shown in Table 4. After that, the mixture was stirred in a sealed state, filtered using a membrane filter with a pore size of 1 μm, and inkjet inks 1 to 24 and inkjet inks R1 to R4 were prepared.

<インクジェットインキの評価方法>
得られたインクジェットインキについて以下の評価を行った。結果を表4に示す。
<Evaluation method for inkjet ink>
The following evaluations were performed on the resulting inkjet inks. Table 4 shows the results.

[初期粘度]
インクジェットインキの初期粘度は、25℃にて振動式粘度計ビスコメイトVM-10A-L(SEKONNIC社製)を用いて測定した。
[Initial viscosity]
The initial viscosity of the inkjet ink was measured at 25° C. using a vibrating viscometer Viscomate VM-10A-L (manufactured by SEKONNIC).

[粘度安定性]
インクジェットインキを40℃環境下で7日間保管した後、初期粘度評価と同様にして粘度測定を行い、経時後の粘度を初期粘度で除して変化率を算出した。変化率が、10%未満を◎(非常に良好)、10%以上20%未満を○(良好)、20%以上30%未満を△(使用可能)、30%以上を×(使用不可)とした。変化率30%未満であることが必要である。
[Viscosity stability]
After storing the inkjet ink for 7 days in an environment of 40° C., the viscosity was measured in the same manner as the initial viscosity evaluation, and the change rate was calculated by dividing the viscosity after time by the initial viscosity. If the change rate is less than 10%, ◎ (very good), 10% or more and less than 20% is ○ (good), 20% or more and less than 30% is △ (usable), and 30% or more is × (cannot be used). bottom. The rate of change should be less than 30%.

[インクジェット印刷適性]
下記の印刷条件でインクジェット印刷を行い、問題なく印刷パターンを印刷できた場合を○(使用可能)、吐出不良等により印刷できなかった場合を×(使用不可)とした。
≪インクジェット印刷条件≫
印刷機:Dimatix Materials Printer
カートリッジ:10Dimatix Materials Cartriges、10pL
印刷パターン:直径9mmの円形パターン
基板:丸カバーガラス・松浪ガラス工業製
基板温度:30℃
印刷後乾燥:40℃20分間
[Inkjet printability]
Inkjet printing was performed under the following printing conditions, and the case where the print pattern could be printed without any problem was rated as ◯ (usable), and the case where printing could not be performed due to ejection failure or the like was rated as x (unusable).
≪Inkjet printing conditions≫
Printer: Dimatix Materials Printer
Cartridges: 10 Dimatix Materials Cartridges, 10 pL
Print pattern: Circular pattern with a diameter of 9 mm Substrate: Round cover glass manufactured by Matsunami Glass Industry Temperature: 30°C
Drying after printing: 40°C for 20 minutes

[量子収率(QY)維持率]
インクジェットインキ及び上述のインクジェット印刷適性評価で得られた印刷物について下記の測定条件で蛍光の量子収率を測定し、インクジェットインキの量子収率を1とした場合の、印刷物の量子収率の比率を量子収率維持率とした。量子収率維持率は1に近い方が好ましく、0.6以上であれば実用上使用可能である。
◎: 0.8 ≦ QY維持率 (非常に良好)
○: 0.7 ≦ QY維持率 < 0.8(良好)
△: 0.6 ≦ QY維持率 < 0.7(使用可能)
×: QY維持率 < 0.6(使用不可)
≪量子収率測定条件≫
測定機 量子効率測定システムQE-2000 大塚電子株式会社製
励起波長 400nm積分範囲 375~425nm
蛍光積分範囲 430~800nm
[Quantum yield (QY) retention rate]
The quantum yield of fluorescence is measured under the following measurement conditions for the inkjet ink and the printed matter obtained in the above-described inkjet printability evaluation, and the quantum yield ratio of the printed matter is calculated when the quantum yield of the inkjet ink is set to 1. Quantum yield retention rate. The quantum yield retention ratio is preferably close to 1, and if it is 0.6 or more, it can be practically used.
◎: 0.8 ≤ QY retention rate (very good)
○: 0.7 ≤ QY retention rate < 0.8 (good)
△: 0.6 ≤ QY retention rate < 0.7 (usable)
×: QY maintenance rate < 0.6 (cannot be used)
≪Quantum yield measurement conditions≫
Measuring device Quantum efficiency measurement system QE-2000 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd. Excitation wavelength 400 nm Integration range 375 to 425 nm
Fluorescence integration range 430-800 nm

Figure 0007238636000019
Figure 0007238636000019

表4中の略称を以下に示す。
DBCA:ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート
Abbreviations in Table 4 are shown below.
DBCA: diethylene glycol monobutyl ether acetate

表4の結果より、半導体微粒子が、カルバゾール骨格、ジアリールアミン骨格、トリアリールアミン骨格、キノリン骨格及びインドール骨格からなる群から選ばれる少なくとも1種の部分構造と、少なくとも1つのカルボキシル基とを有する処理剤で表面処理された量子ドットを用いることで、インクジェットインキとしての使用が可能であり、粘度安定性が良好で、さらに印刷後も優れた蛍光の量子収率を維持可能であることが示された。
上記効果の詳細なメカニズムは明らかになっていないが、カルバゾール骨格、トリアリールアミン骨格、キノリン骨格及びインドール骨格からなる群から選ばれる少なくとも1種の部分構造を有する本願特定の処理剤は、電子供与性のアミノ基がフェニル基に置換した構造を有しており、これにより量子ドットの凝集が抑制されているためと考えられる。
From the results in Table 4, the semiconductor fine particles were treated to have at least one partial structure selected from the group consisting of a carbazole skeleton, a diarylamine skeleton, a triarylamine skeleton, a quinoline skeleton and an indole skeleton, and at least one carboxyl group. It has been shown that the use of quantum dots surface-treated with a chemical agent can be used as an inkjet ink, has good viscosity stability, and can maintain an excellent fluorescence quantum yield even after printing. rice field.
Although the detailed mechanism of the above effects has not been clarified, the treatment agent specified in the present application having at least one partial structure selected from the group consisting of a carbazole skeleton, a triarylamine skeleton, a quinoline skeleton and an indole skeleton is an electron donating This is probably because the quantum dots have a structure in which the phenyl group is substituted with a phenyl group, which suppresses the aggregation of the quantum dots.

<量子ドット含有組成物の製造>
[実施例46~66、比較例9~12]
密閉できる容器に、表5に示した配合組成にて、量子ドット含有組成物及び溶媒を配合した。その後、密閉して撹拌し、孔径1μmのメンブレンフィルターを用いてろ過を行い、量子ドット含有組成物1~21、及び量子ドット含有組成物R1~R4を調整した。
<Production of quantum dot-containing composition>
[Examples 46 to 66, Comparative Examples 9 to 12]
A quantum dot-containing composition and a solvent were blended in a sealable container according to the formulation shown in Table 5. After that, the mixture was sealed and stirred, and filtered using a membrane filter with a pore size of 1 μm to prepare quantum dot-containing compositions 1 to 21 and quantum dot-containing compositions R1 to R4.

<量子ドット含有組成物の評価>
得られた量子ドット含有組成物について以下の評価を行った。結果を表5に示す。
<Evaluation of quantum dot-containing composition>
The following evaluation was performed about the obtained quantum dot containing composition. Table 5 shows the results.

[沈降安定性]
沈降安定性は、量子ドット含有組成物を40℃環境下で7日間保管した後の外観を目視観察して、以下の基準で評価を行った。
◎:沈降物及び濁りなし(非常に良好)、
○:沈降物なし、ごく薄く濁り発生(良好)、
△:沈降物なし、濁りあり(使用可能)
×:沈降物あり(使用不可)
[Sedimentation stability]
Sedimentation stability was evaluated according to the following criteria by visually observing the appearance after storing the quantum dot-containing composition for 7 days in a 40° C. environment.
◎: No sediment and turbidity (very good),
○: No sediment, very thin turbidity (good),
△: No sediment, cloudy (can be used)
×: Precipitation (unusable)

Figure 0007238636000020
Figure 0007238636000020

表5の結果より、半導体微粒子が、カルバゾール骨格、ジアリールアミン骨格、トリアリールアミン骨格、キノリン骨格及びインドール骨格からなる群から選ばれる少なくとも1種の部分構造と、カルボキシル基及びスルファニル基からなる群から選ばれる少なくとも1種の吸着部位とを有する処理剤で表面処理された量子ドットを用いた組成物は、量子ドットの沈降安定性が優れており、長期にわたり安定的に使用可能である。
処理剤がトリフェニルアミン骨格を有する場合は、沈降安定性の観点において、吸着部位としてカルボキシル基又はスルファニル基を1つ有していることが好ましく、より好ましくは、カルボキシル基が芳香環に直接結合している処理剤、又は、スルファニル基がアルキレン基を介して芳香環に結合している処理剤である。さらに、トリフェニルアミン骨格が有してもよい置換基が、水素原子、無置換のアルキル基又は無置換のアルコキシ基であると特に好ましい。
処理剤がカルバゾール骨格又はジフェニルアミン骨格を有する場合は、沈降安定性の観点において、X又はXがスルファニル基を有する基である処理剤が好ましい。より好ましくは、当該スルファニル基を有する基が、アルキレン基とエステル結合を有するものである。
作用機構は明確になっていないが、量子ドット間の疑似架橋による凝集の可能性がないように吸着部位は処理剤材1分子あたり1部位が良好と考えられ、骨格と吸着部位の間に適切な交互作用があり、良好な組み合わせとなった場合にあり、良好な結果をなったと推定される。
From the results in Table 5, the semiconductor fine particles have at least one partial structure selected from the group consisting of a carbazole skeleton, a diarylamine skeleton, a triarylamine skeleton, a quinoline skeleton and an indole skeleton, and a group consisting of a carboxyl group and a sulfanyl group. A composition using quantum dots surface-treated with a treatment agent having at least one selected adsorption site has excellent sedimentation stability of quantum dots and can be used stably over a long period of time.
When the treatment agent has a triphenylamine skeleton, it preferably has one carboxyl group or sulfanyl group as an adsorption site from the viewpoint of sedimentation stability, more preferably the carboxyl group is directly bonded to the aromatic ring. or a treating agent in which a sulfanyl group is bonded to an aromatic ring via an alkylene group. Furthermore, it is particularly preferable that the substituent that the triphenylamine skeleton may have is a hydrogen atom, an unsubstituted alkyl group, or an unsubstituted alkoxy group.
When the treating agent has a carbazole skeleton or a diphenylamine skeleton, a treating agent in which X 1 or X 3 is a group having a sulfanyl group is preferable from the viewpoint of sedimentation stability. More preferably, the group having a sulfanyl group has an alkylene group and an ester bond.
Although the mechanism of action has not been clarified, it is thought that one adsorption site per molecule of the treatment agent is preferable so that there is no possibility of aggregation due to pseudo-crosslinking between quantum dots. It is presumed that good results were obtained when there was a significant interaction and a good combination was obtained.

Claims (7)

半導体微粒子が、下記一般式(1)、一般式(2)又は一般式(3)で表される処理剤で表面処理された、量子ドット。
一般式(1)
Figure 0007238636000021
[一般式(1)中、
1 は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基又は置換基を有してもよいアシル基であり、
1 ~R 8 は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよい(ポリ)オルガノシロキサン基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
1 及びR 1 ~R 8 の内、少なくとも1つが、カルボキシル基を有する基であるか、X 1 がスルファニル基を有し且つエステル結合を有するアルキル基である。]

一般式(2)
Figure 0007238636000022
[一般式(2)中、
13 、R 18 及びR 23 の内少なくとも1つが、それぞれ独立して、カルボキシル基又はカルボキシル基を有するアルキル基であるか、スルファニル基又はスルファニル基を有するアルキル基であり、
13 、R 18 及びR 23 の内少なくとも1つが、カルボキシル基又はカルボキシル基を有するアルキル基である場合、R 11 ~R 25 の内、その他は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアシル基、置換基を有してもよいアミノ基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、
13 、R 18 及びR 23 の内少なくとも1つが、スルファニル基又はスルファニル基を有するアルキル基である場合、R 11 ~R 25 の内、その他は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルコキシ基である。]

一般式(3)
Figure 0007238636000023
[一般式(3)中、
2 は、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基(ただしフェニル基を除く)、又は置換基を有してもよいアシル基であり、
26 ~R 35 は、それぞれ独立して、水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよいアルコキシ基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよい(ポリ)オルガノシロキサン基、置換基を有してもよいアミノ基、置換基を有してもよいアシル基、カルボキシル基又はスルファニル基であり、X 2 及びR 26 ~R 35 の内、少なくとも1つが、カルボキシル基を有する基又はスルファニル基を有する基である。]
Quantum dots in which semiconductor fine particles are surface-treated with a treating agent represented by the following general formula (1), general formula (2), or general formula (3) .
General formula (1)
Figure 0007238636000021
[In general formula (1),
X 1 is a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group or an optionally substituted acyl group,
R 1 to R 8 each independently represent a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, or a substituent An aryloxy group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, a carboxyl group or a sulfanyl group,
At least one of X 1 and R 1 to R 8 is a group having a carboxyl group, or X 1 is an alkyl group having a sulfanyl group and an ester bond. ]

general formula (2)
Figure 0007238636000022
[In general formula (2),
at least one of R 13 , R 18 and R 23 is each independently a carboxyl group or an alkyl group having a carboxyl group, or a sulfanyl group or an alkyl group having a sulfanyl group ;
When at least one of R 13 , R 18 and R 23 is a carboxyl group or an alkyl group having a carboxyl group, R 11 to R 25 each independently have a hydrogen atom or a substituent. optionally substituted alkyl group, optionally substituted alkoxy group, optionally substituted aryloxy group, optionally substituted acyl group, optionally substituted amino a group, a carboxyl group or a sulfanyl group,
When at least one of R 13 , R 18 and R 23 is a sulfanyl group or an alkyl group having a sulfanyl group, R 11 to R 25 each independently have a hydrogen atom or a substituent. and an alkoxy group which may have a substituent. ]

General formula (3)
Figure 0007238636000023
[In general formula (3),
X 2 is a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group (excluding a phenyl group), or an optionally substituted acyl group,
R 26 to R 35 each independently represents a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted alkoxy group, or a substituent An aryloxy group which may have a substituent, a (poly)organosiloxane group which may have a substituent, an amino group which may have a substituent, an acyl group which may have a substituent, a carboxyl group or It is a sulfanyl group, and at least one of X 2 and R 26 to R 35 is a group having a carboxyl group or a group having a sulfanyl group. ]
半導体微粒子が化合物半導体である請求項1に記載の量子ドット。 2. The quantum dot according to claim 1, wherein the semiconductor fine particles are compound semiconductors. 半導体微粒子がコア・シェル型である、請求項1または2に記載の量子ドット。 3. The quantum dot according to claim 1 , wherein the semiconductor fine particle is core-shell type. 請求項1~いずれか1項に記載の量子ドットと溶媒とを含有する、量子ドット含有組成物。 A quantum dot-containing composition comprising the quantum dots according to any one of claims 1 to 3 and a solvent. 請求項に記載の量子ドット含有組成物を含有し、粘度が3~50mPa・sであるインクジェットインキ。 An inkjet ink containing the quantum dot-containing composition according to claim 4 and having a viscosity of 3 to 50 mPa·s. 請求項に記載の量子ドット含有組成物又は請求項6に記載のインクジェットインキにより形成される印刷物。 A printed matter formed by the quantum dot-containing composition according to claim 4 or the inkjet ink according to claim 6. 基板上に、陽極と発光層と陰極とを有する発光素子であって、前記発光層が、請求項1~いずれか1項に記載の量子ドットを含む、発光素子。

A light-emitting device having an anode, a light-emitting layer and a cathode on a substrate, wherein the light-emitting layer contains the quantum dots according to any one of claims 1 to 3 .

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