JP7233083B2 - Icpmsマトリックスオフセット較正システム及び方法 - Google Patents
Icpmsマトリックスオフセット較正システム及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7233083B2 JP7233083B2 JP2019000299A JP2019000299A JP7233083B2 JP 7233083 B2 JP7233083 B2 JP 7233083B2 JP 2019000299 A JP2019000299 A JP 2019000299A JP 2019000299 A JP2019000299 A JP 2019000299A JP 7233083 B2 JP7233083 B2 JP 7233083B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- calibration curve
- matrix
- analysis
- analyzer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 63
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 title description 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 151
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 claims description 129
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 124
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 64
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 claims description 44
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 37
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 29
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical group O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000012086 standard solution Substances 0.000 claims description 17
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 13
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 13
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 11
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 11
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IMSOBGJSYSFTKG-PKPIPKONSA-N Lysinoalanine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCCCNCC(N)C(O)=O IMSOBGJSYSFTKG-PKPIPKONSA-N 0.000 claims description 9
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 466
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 121
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 63
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 8
- 238000012384 transportation and delivery Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 5
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 4
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 4
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000006199 nebulizer Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 2
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012491 analyte Substances 0.000 description 1
- 238000012863 analytical testing Methods 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003317 industrial substance Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004094 preconcentration Methods 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000012898 sample dilution Substances 0.000 description 1
- 239000013535 sea water Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/443—Emission spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/27—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
- G01N21/274—Calibration, base line adjustment, drift correction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/18—Water
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/0009—Calibration of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/0027—Methods for using particle spectrometers
- H01J49/0031—Step by step routines describing the use of the apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/105—Ion sources; Ion guns using high-frequency excitation, e.g. microwave excitation, Inductively Coupled Plasma [ICP]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J2003/2866—Markers; Calibrating of scan
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N2021/3595—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light using FTIR
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/71—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited
- G01N21/73—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light thermally excited using plasma burners or torches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Description
誘導結合プラズマ(ICP)分析は、液体サンプル中の微量元素濃度及び同位体比の決定に一般に使用される分析技術である。ICP分析は、約7,000Kの温度に達する電磁的に発生し、部分的にイオン化したアルゴンプラズマを使用する。サンプルがプラズマに導入されると、高温によってサンプル原子がイオン化するか又は発光する。各化学元素は特徴的な質量又は発光スペクトルを生成するので、放射された質量又は光のスペクトルを測定することは、元のサンプルの元素組成の決定を可能にする。
サンプル導入システムは、液体サンプルを、分析のためにICP分析計測器(例えば、誘導結合プラズマ質量スペクトロメータ(ICP/ICP-MS)、誘導結合プラズマ原子発光スペクトロメータ(ICP-AES)など)に導入するように使用され得る。例えば、サンプル導入システムは、容器から液体サンプルのアリコートを取り出し、その後、アリコートをネブライザに輸送し、ネブライザは、アリコートを、ICP分析計測器によるプラズマ中のイオン化に適した多分散エアロゾルに変換することができる。次にエアロゾルをスプレーチャンバ内で選別して、より大きなエアロゾル粒子を除去する。スプレーチャンバを出ると、エアロゾルは、分析のためにICP-MS又はICP-AES機器のプラズマトーチアセンブリによってプラズマに導入される。
連続する複数のサンプルマトリックスを有するサンプルを分析するときに、誘導結合プラズマ分析機器(例えば、ICP-MS、ICP-AESなど)を較正するシステム及び方法が記載されている。システムの実施形態は、限定されるものではないが、複数の遠隔サンプリングシステムから複数のサンプルを受け取り、複数のサンプルのそれぞれに含まれる1つ又は複数の対象種の強度を決定するように構成されたサンプル分析装置と、サンプル分析装置に動作可能に結合されたコントローラであって、コントローラは、サンプル分析装置による第1サンプルマトリックスを有する第1標準溶液の分析に基づいて一次較正曲線を生成し、サンプル分析装置による第2サンプルマトリックスを有する第2標準溶液の分析に基づいて少なくとも1つの二次較正曲線を生成するように構成され、コントローラは、マトリックス補正係数に従って少なくとも1つの二次較正曲線を一次較正曲線と関連付けるように構成される、コントローラとを含み得る。
この概要は、以下の発明の詳細な説明でさらに説明する概念の選択を簡略化した形で紹介するために提供される。この概要は、特許請求される主題の主要な特徴又は本質的な特徴を識別することを意図するものではなく、特許請求される主題の範囲を決定する際の補助として使用されることも意図するものでもない。
発明の詳細な説明は、添付の図面を参照しながら説明される。
本開示の例示的な実施形態による、長距離にわたって輸送されたサンプルを分析するように構成されたシステムを示す部分線図である。
本開示の例示的な実施形態による、連続する複数のサンプルマトリックスについて誘導結合プラズマ分析機器を較正する方法を示す流れ図である。
本開示の例示的な実施形態による例示的なサンプルマトリックス較正曲線を示す表である。
本開示の例示的な実施形態による、様々なサンプルマトリックスを有する様々なサンプルについての例示的な濃度決定を示す表である。
本開示の例示的な実施形態による、遠隔サンプリングシステムで使用される遠隔サンプリング装置を示す環境図である。
本開示の例示的な実施形態による、遠隔サンプリングシステムで使用される遠隔サンプリング装置を示す環境図である。
本開示の例示の実施形態による、分析システムで使用される分析装置を示す環境図である。
本開示の例示の実施形態による、分析システムで使用される分析装置を示す環境図である。
本開示の例示の実施形態による、長距離にわたって輸送されたサンプルを分析するように構成されたシステム内の分析システムを示す部分線図である。
本開示の例示的な実施形態による、図4に示す分析システム内で利用できる検出器を示す部分線図である。
例示的な実施形態による、遠隔サンプリングシステムから受け取ったサンプルを分析する複数の分析装置を有する分析システムを示す環境図である。
本開示の例示的な実施形態による、サンプル受け入れラインと、サンプル受け入れラインが検出器間に連続液体セグメントを含むときを決定するように構成された検出器とを含むシステムの概略図である。
本開示の例示の実施形態による、遠隔サンプリングシステムによって得られたサンプルの複数のセグメントを含むサンプル移送ラインの部分断面図である。
本開示の例示的な実施形態による、サンプル受け入れラインに供給され、2つの検出器によって記録される複数の液体サンプルセグメントを示すタイムラインである。
本開示の例示の実施形態による、サンプル受け入れラインが検出器間に連続液体セグメントを含むときを決定する方法を示す流れ図である。
本開示の例示の実施形態による、化学的検出限界に基づいて、プロセス動作を監視及び制御するための制御システムのプロセス流れ図である。
本開示の例示の実施形態による複数の遠隔サンプリングシステムを組み込んだ処理設備の概略図である。
本開示の例示的な実施形態による、手動サンプリングを表すデータ点及び自動システムを用いて得られたデータ点を伴う、薬液槽の金属汚染を経時的に示すチャートである。
(概要)
誘導結合プラズマ分析機器がサンプル又は標準を処理する場合、機器は、一般に、測定されたサンプルの強度を出力し、その強度はサンプル中に存在する原子又はイオンの数に関連する。例えば、ICP-MSの場合、特定の電荷対質量比を有するイオンは、元のサンプル中に存在する電荷対質量比を有する化学元素の濃度に関連する強度を有するパルスを測定する検出器に送られ、一方、ICP-AESでは、強度は熱源(例えば、炎、プラズマなど)から放出される特定の波長の光の強度に関連する。サンプルからの測定強度を、既知の濃度を有する標準溶液からの標準曲線(例えば、強度及び濃度に関する較正曲線)と比較して、測定強度を提供した化学元素の濃度を決定する。標準曲線は、一般に、標準と同じサンプルマトリックス組成を有するサンプルについての正確な較正曲線を提供する。例えば、脱イオン(DI)水中の標準銅濃度について作成された較正曲線は、DI水中の未知の組成のサンプルが銅を含むか否か、またどのような濃度で含むか試験するのに有効な標準であろう。しかしながら、DI水標準中の銅は、一般に、酸、有機溶媒などの異なるサンプルマトリックス中の銅について試験するための有効な標準ではない。代わりに、適切なマトリックス(例えば、酸、有機溶媒など)中に存在する銅の強度を測定するために他の標準が生成される。したがって、実験室の設定は、複数のサンプルマトリックスを有するサンプルを試験するための以下のシナリオを提供し得る。最初に、第1マトリックス中の既知の濃度の対象化学種を有する標準をICP分析機器(例えば、DI水中の銅標準)によって試験して、第1マトリックス中の化学種についての較正曲線を得る。次に、第1マトリックス中の全てのサンプル(例えば、DI水)をICP分析機器で処理して、第1較正曲線と比較するために、第1マトリックス中の化学種の強度を提供する。次に、第2マトリックス中の既知の濃度の対象化学種を有する標準をICP分析機器(例えば、イソプロピルアルコール中の銅標準)によって試験して、第2マトリックス中の化学種についての第2較正曲線を得る。次に、第2マトリックス中の全てのサンプル(例えば、イソプロピルアルコール)をICP分析機器で処理して、第2較正曲線と比較するために、第2マトリックス中の化学種の強度を提供する。このプロセスは、後続の各サンプルマトリックスに対して継続する。そのようなプロセスは、サンプル及び種類の流入が比較的予測可能であり得、かつ同じサンプルマトリックスがバッチで一緒に分析されることが多い実験室設定に適し得る。しかしながら、これらのプロセスは、予想外の時間又は予測可能な時間に、様々なサンプルマトリックスを有するが、依然として試験の必要がある異なるマトリックスを有するサンプルを受け取る可能性がある、サンプルの入れ換えが高い現場分析試験には適さない。
誘導結合プラズマ分析機器がサンプル又は標準を処理する場合、機器は、一般に、測定されたサンプルの強度を出力し、その強度はサンプル中に存在する原子又はイオンの数に関連する。例えば、ICP-MSの場合、特定の電荷対質量比を有するイオンは、元のサンプル中に存在する電荷対質量比を有する化学元素の濃度に関連する強度を有するパルスを測定する検出器に送られ、一方、ICP-AESでは、強度は熱源(例えば、炎、プラズマなど)から放出される特定の波長の光の強度に関連する。サンプルからの測定強度を、既知の濃度を有する標準溶液からの標準曲線(例えば、強度及び濃度に関する較正曲線)と比較して、測定強度を提供した化学元素の濃度を決定する。標準曲線は、一般に、標準と同じサンプルマトリックス組成を有するサンプルについての正確な較正曲線を提供する。例えば、脱イオン(DI)水中の標準銅濃度について作成された較正曲線は、DI水中の未知の組成のサンプルが銅を含むか否か、またどのような濃度で含むか試験するのに有効な標準であろう。しかしながら、DI水標準中の銅は、一般に、酸、有機溶媒などの異なるサンプルマトリックス中の銅について試験するための有効な標準ではない。代わりに、適切なマトリックス(例えば、酸、有機溶媒など)中に存在する銅の強度を測定するために他の標準が生成される。したがって、実験室の設定は、複数のサンプルマトリックスを有するサンプルを試験するための以下のシナリオを提供し得る。最初に、第1マトリックス中の既知の濃度の対象化学種を有する標準をICP分析機器(例えば、DI水中の銅標準)によって試験して、第1マトリックス中の化学種についての較正曲線を得る。次に、第1マトリックス中の全てのサンプル(例えば、DI水)をICP分析機器で処理して、第1較正曲線と比較するために、第1マトリックス中の化学種の強度を提供する。次に、第2マトリックス中の既知の濃度の対象化学種を有する標準をICP分析機器(例えば、イソプロピルアルコール中の銅標準)によって試験して、第2マトリックス中の化学種についての第2較正曲線を得る。次に、第2マトリックス中の全てのサンプル(例えば、イソプロピルアルコール)をICP分析機器で処理して、第2較正曲線と比較するために、第2マトリックス中の化学種の強度を提供する。このプロセスは、後続の各サンプルマトリックスに対して継続する。そのようなプロセスは、サンプル及び種類の流入が比較的予測可能であり得、かつ同じサンプルマトリックスがバッチで一緒に分析されることが多い実験室設定に適し得る。しかしながら、これらのプロセスは、予想外の時間又は予測可能な時間に、様々なサンプルマトリックスを有するが、依然として試験の必要がある異なるマトリックスを有するサンプルを受け取る可能性がある、サンプルの入れ換えが高い現場分析試験には適さない。
一態様において、本開示は、連続する複数のサンプルマトリックスを有するサンプルを分析するときに、誘導結合プラズマ分析機器(例えば、ICP-MS、ICP-AESなど)を較正するためのシステム及び方法を提供する。例えば、システムの実施形態は、複数のサンプルを取得する(例えば、複数のサンプルマトリックスを有する)複数の遠隔サンプリング装置を有し、かつ遠隔サンプリングシステムから、ICP分析機器を有する分析システムにサンプルを送信してサンプルに存在する対象化学種の強度を測定するための遠隔サンプリングシステムを含み得る。標準較正曲線は、第1マトリックス中の対象化学種の既知の濃度の標準溶液を分析することによって生成され、ICP分析機器によって分析される。例えば、標準溶液を複数の既知の希釈係数に従って希釈して、既知の濃度の対象化学種を得て、(例えば、強度対濃度プロットに基づいて)較正曲線を作成することができる。分析されると予想されるサンプル中に存在する各サンプルマトリックスについて標準較正曲線が作成される。例えば、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、過酸化物のマトリックスを含むサンプルを分析する場合は、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、過酸化物(すなわち各マトリックス)内の対象化学種の別の較正曲線が生成される。異なるサンプルマトリックスを有する複数の遠隔サンプリングシステムからのサンプルをICP分析機器によって分析して、各サンプル中の対象化学種の強度を生成することができる。他のすべての較正曲線は測定標準の減衰量の変化に比例して経時変化するため、補正係数はこのドリフトの減衰量に基づいて、他のすべてのマトリックス較正曲線に適用される。各サンプルマトリックスに対する補正係数は、一次標準マトリックス較正曲線(例えば、DI水較正曲線)とそれぞれの二次標準マトリックス較正曲線との間の比であり得る。例えば、システムは、二次マトリックス較正曲線を、一次標準マトリックス較正曲線が経時的にどのように変化したかと比較する。ICP分析機器のドリフト又はICP分析機器によるサンプルの分析方法の経時変化を説明するために、既知の濃度を有する標準を分析し、それぞれの標準較正曲線と比較して、その結果が予想される結果の閾値範囲内にあるか否かを(例えば、以前の較正曲線に基づいて)判定する。予想範囲外の結果は、ドリフトの減衰を示す可能性がある。この標準は、ICP分析機器におけるドリフトのあらゆる減衰に対して最も応答性が高いと予想されるサンプルマトリックスであり得るか、又は異なるマトリックスを有する標準の組み合わせであり得る。結果が予想範囲外である場合、システムは、新しい標準セットを分析することによって新しい較正曲線を自動的に生成することができる。例示的な実施形態を以下に説明する。
(例示的な実施形態)
図1Aから図13を全体的に参照すると、長距離にわたって輸送されたサンプルを分析するように構成された例示的なシステムが記載されている。例示的な実施形態では、サンプルは、1つ又は複数の遠隔サンプリングシステムと、遠隔サンプリングシステムから遠隔に配置された分析システムとの間で移送される。システム100は、第1位置に分析システム102を含む。また、システム100は、第1位置から離れた第2位置に、1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104を含むことができる。例えば、1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104は、分析システム102によって分析される化学物質貯蔵タンク、化学処理タンク(例えば、薬液槽)、化学輸送ライン又はパイプなどの、化学物質源に近接して配置することができ(例えば、第2位置)、分析システム102は、生産施設の分析ハブなどの遠隔サンプリングシステム104から遠隔に配置することができる(例えば、第1位置)。また、システム100は、第3位置、第4位置などに1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104を含むことができ、第3位置及び/又は第4位置は第1位置から離れている。実施形態において、遠隔サンプリングシステム104の第3位置、第4位置、及び他の位置は、他の遠隔サンプリングシステム104のそれぞれの他の位置から離れていてもよい。例えば、1つの遠隔サンプリングシステム104を水ライン(例えば、脱イオン水輸送ライン)に配置することができ、一方、1つ又は複数の他の遠隔サンプリングシステム104を化学物質貯蔵タンク、化学処理タンク(例えば、薬液槽)、化学輸送ライン又はパイプなどに配置することができる。また、幾つかの実施形態では、システム100は、第1位置に(例えば、分析システム102に近接して)1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104を含み得る。例えば、第1位置におけるサンプリングシステム104は、分析システム102と連結されたオートサンプラを含み得る。1つ又は複数のサンプリングシステム104は、第1位置、第2位置、第3場所、第4場所などからサンプルを受け取るように動作可能であり得、システム100は、サンプルを、分析のために分析システム102に送達するように動作可能であり得る。
図1Aから図13を全体的に参照すると、長距離にわたって輸送されたサンプルを分析するように構成された例示的なシステムが記載されている。例示的な実施形態では、サンプルは、1つ又は複数の遠隔サンプリングシステムと、遠隔サンプリングシステムから遠隔に配置された分析システムとの間で移送される。システム100は、第1位置に分析システム102を含む。また、システム100は、第1位置から離れた第2位置に、1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104を含むことができる。例えば、1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104は、分析システム102によって分析される化学物質貯蔵タンク、化学処理タンク(例えば、薬液槽)、化学輸送ライン又はパイプなどの、化学物質源に近接して配置することができ(例えば、第2位置)、分析システム102は、生産施設の分析ハブなどの遠隔サンプリングシステム104から遠隔に配置することができる(例えば、第1位置)。また、システム100は、第3位置、第4位置などに1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104を含むことができ、第3位置及び/又は第4位置は第1位置から離れている。実施形態において、遠隔サンプリングシステム104の第3位置、第4位置、及び他の位置は、他の遠隔サンプリングシステム104のそれぞれの他の位置から離れていてもよい。例えば、1つの遠隔サンプリングシステム104を水ライン(例えば、脱イオン水輸送ライン)に配置することができ、一方、1つ又は複数の他の遠隔サンプリングシステム104を化学物質貯蔵タンク、化学処理タンク(例えば、薬液槽)、化学輸送ライン又はパイプなどに配置することができる。また、幾つかの実施形態では、システム100は、第1位置に(例えば、分析システム102に近接して)1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104を含み得る。例えば、第1位置におけるサンプリングシステム104は、分析システム102と連結されたオートサンプラを含み得る。1つ又は複数のサンプリングシステム104は、第1位置、第2位置、第3場所、第4場所などからサンプルを受け取るように動作可能であり得、システム100は、サンプルを、分析のために分析システム102に送達するように動作可能であり得る。
遠隔サンプリングシステム104は、サンプル150を受け取り、送達(例えば、分析システム102へ)及び/又は分析のためにサンプル150を調製するように構成することができる。実施形態では、遠隔サンプリングシステム104は、分析システム102から様々な距離(例えば、1m、5m、10m、30m、50m、100m、300m、1000mなど)に配置することができる。実施形態において、遠隔サンプリングシステム104は、遠隔サンプリング装置106とサンプル調製装置108とを含み得る。サンプル調製装置108は、流通弁などの弁148をさらに含み得る。実施形態において、遠隔サンプリング装置106は、サンプル流れ又はサンプル源(例えば、廃水、リンス水、化学物質、工業用化学物質などの液体、液体と接触する空気サンプル及び/又はその中の汚染物質などのガス、など)からサンプル150を採取するように構成された装置を含み得る。遠隔サンプリング装置106は、サンプル源からサンプルを取得し、分析システム102までの距離にわたってサンプルを送達するのに適したポンプ、弁、管、センサなどの構成要素を含むことができる。サンプル調製装置108は、特定のサンプル濃度、スパイクサンプル、較正曲線等を提供するなどのために、希釈剤114、内部標準116、担体154などを使用して、遠隔サンプリング装置106からの採取サンプル150を調製するように構成された装置を含むことができ、また、リンス溶液158ですすぐことができる。
幾つかの実施形態では、サンプル150は、希釈、予備濃縮、1つ又は複数の較正標準の添加などを含むが、これらに限定されない1つ又は複数の調製技術を用いて、送達及び/又は分析用に調製され得る(例えば、調製サンプル152)。例えば、粘性サンプル150は、分析システム102に送達される前に(例えば、送達中にサンプル150が分離するのを防ぐために)、遠隔で希釈することができる(例えば、サンプル調製装置108によって)。本明細書に記載されるように、遠隔サンプリングシステム104から移送されたサンプルはサンプル150と呼ぶことができ、サンプル150は調製サンプル152を指すこともできる。幾つかの実施形態において、サンプル希釈は、システムを通ってサンプル150を所望の速度で移動させるために動的に調整され得る(例えば、自動的に調整され得る)。例えば、特定のサンプル又はサンプルの種類に添加される希釈剤114は、サンプル150がシステム100を非常にゆっくり移動する場合、増加する(例えば、第2位置から第1位置への移動時間によって測定されるように)。別の例では、1リットル(1L)の海水を分析システム102に送る前に遠隔で予備濃縮することができる。さらなる例では、可能性のある風媒汚染物を予備濃縮するために、空気サンプルからの材料に静電濃縮が使用される。幾つかの実施形態では、インライン希釈及び/又は較正は、システム100によって自動的に実行される。例えば、サンプル調製装置108は、分析システム102を較正するために、1つ又は複数の内部標準を分析システム102に送達されたサンプルに添加することができる。
本開示の実施形態では、システム100は、分析システム102の分析機器(例えば分析装置112)を較正して、連続する複数のサンプルマトリックスを有するサンプルの分析を容易にすることができる。例えば、分析システム102は複数の遠隔サンプリングシステム104からサンプルを受け取ることができ、サンプルは同じ又は異なるサンプルマトリックスを有することができる。サンプルマトリックスの例としては、脱イオン水、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、塩酸、過酸化物、フッ化アンモニウム、LAL化学物質、DSP化学物質、FND化学物質、及びそれらの組み合わせが挙げられるが、これらに限定されるものではない。その一例が図1Bの方法200に示される実施形態では、システム100は、個々のサンプルマトリックスに対するマトリックス較正係数を決定して、サンプルマトリックスを一次サンプルマトリックスに関連付け、分析装置112におけるドリフトの減衰を経時的に説明する。例えば、システム100のコントローラ(例えば、図4を参照して説明したコントローラ118)は、較正曲線の自動構築、較正係数の自動決定などを容易にすることができる。一実施形態では、方法200は、第1サンプルマトリックス中に存在する対象種を用いて第1標準溶液を分析することを含む(ブロック202)。例えば、第1サンプルマトリックスは、分析システム102によって処理される他の予想サンプルマトリックスと比較して、分析装置112におけるドリフトのあらゆる減衰に最も応答すると予想されるサンプルマトリックスであり得る。システム100は、第1標準溶液に導入される希釈剤の希釈係数を制御して、第1サンプルマトリックス中に複数の濃度の対象種を提供することができる(例えば、較正曲線の構築を容易にするため)。また、方法200は、第1サンプルマトリックスとは異なるサンプルマトリックスが、遠隔サンプリングシステム104から分析システム102によって受け取られると予想されるか否かを判断することを含む(ブロック204)。例えば、第1標準溶液が脱イオン水の第1サンプルマトリックスを含む場合、システム100は、追加のサンプルマトリックスが1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104から送られる予定であるか否か、また分析システム102が受け取る予定のサンプルマトリックスが脱イオン水とは異なるか否か検証する。システム100が追加のサンプルマトリックスが含まれると決定した場合、方法200は次に予想される各サンプルマトリックスについて対象種の標準溶液を分析することを含む(ブロック206)。例えば、システム100は、各標準溶液に導入される希釈剤の希釈係数を制御して、追加のサンプルマトリックスのそれぞれに複数の濃度の対象種を提供することができる(例えば、較正曲線の構築を容易にするために)。追加のサンプルマトリックスが予想されない場合(例えば、各サンプルマトリックスに対する標準が分析装置112によって分析されている場合)、システム100は各サンプルマトリックスに対する較正曲線を生成する(ブロック208)。例えば、システム100のコントローラ(例えば、図4を参照して説明したコントローラ118)は、各サンプルマトリックスに対する各標準溶液の分析装置112による分析に基づいて、各サンプルマトリックスに対する較正曲線を構築することができる。
また、方法200は、較正曲線のうちの1つを一次較正曲線として割り当てることと(ブロック210)、残りの較正曲線を二次較正曲線として割り当てることと(ブロック212)を含む。一次較正曲線は、ブロック208で生成された他の較正曲線間の感受性に関する関係係数(例えば、マトリックス補正係数)を決定するための基礎として機能することができる。したがって、一連のサンプルが分析システム102によって経時的に分析されるとき、感受性に関する関係係数は、一次較正曲線に関連するマトリックスを有するサンプルの測定に基づいて、二次較正曲線に関連するマトリックスを有するサンプルの測定に適用され得る。例えば、方法200は、各二次較正曲線についてマトリックス補正係数(MCF又はCm)を生成することを含む(ブロック214)。較正曲線の場合、特定の対象種の濃度は式(1)によって決定される。
ここで、yは与えられたサンプルマトリックス中の対象種の強度を表し、mは与えられたサンプルマトリックスの勾配を表し、xは与えられたサンプルマトリックスの中の対象種の濃度を表し、bは与えられたサンプルマトリックスのy切片を表す。したがって、与えられたサンプルマトリックス中の対象種の濃度は、式(2)によって決定することができる。
各二次較正曲線に対するマトリックス補正係数Cmは、式(3)によって決定されるような、各二次較正曲線と一次較正曲線との間の勾配の関係を通して表すことができる。
したがって、二次較正曲線の勾配は、式(4)によって一次較正曲線の勾配に関連付けることができる。
特定の二次較正曲線及び関連するサンプルマトリックスについてのマトリックス補正係数の決定に続いて、方法200は、分析装置112を用いてサンプルを分析し、各サンプルのそれぞれのサンプルマトリックスに従ってサンプルにマトリックス補正係数を適用することを含む(ブロック216)。例えば、分析装置212がサンプル溶液中の種の強度を決定する場合、その種に対するサンプルマトリックスの較正曲線は、サンプル溶液中の種の濃度を計算するために利用することができ、マトリックス補正係数は、最新の一次較正曲線情報を使用して二次較正曲線計算を更新するために使用される。例えば、二次較正曲線に関連するサンプルマトリックス中に存在するサンプルの濃度は、式(5)によって決定することができる。
したがって、分析システム102が様々な遠隔サンプリングシステム104から受け取ったサンプルを経時的に処理すると、二次較正曲線に関連するサンプルマトリックス中のサンプルを最新の一次較正曲線と比較することができる。したがって、一次と二次との間の関係係数はシステム100の動作中、実質的に一定であるため、各二次較正曲線に対して較正曲線を再実行するのではなく、マトリックス補正係数調整は、最新の一次較正曲線に基づいて、第2サンプルマトリックスにおけるサンプルのサンプル濃度を正確に決定するために使用され得る。このように、システム100は、追加の二次較正曲線を実行するという潜在的に広範な時間の拘束を必要としない。代わりに、更新された較正が望まれるときはいつでも、システム100は別の一次較正曲線を実行してより新しい較正曲線を提供することができる。その後、二次較正曲線は、各サンプルマトリックスについて以前に決定されたマトリックス補正係数に従って、更新された一次較正曲線に関連づけることができる。
図1Cを参照すると、例示的な較正表が示されており、9つの例示的なサンプルマトリックス較正曲線が表されている(1つは一次較正曲線用、8つは二次較正曲線用)。各較正曲線は、記述(すなわち、どのサンプルマトリックスが含まれるか)、上記の式(3)に従って計算されたマトリックス補正係数Cm、及び較正曲線のy切片を含む。このように、一次すなわち「主」較正曲線は1のマトリックス補正係数を有する(すなわち、この曲線は比較基準であるので、一次較正曲線については補正しない)。図1Dを参照すると、マトリックス補正係数が、分析システム102によって測定されたサンプル例に適用されているのが示されている。各サンプルは、そのサンプルに関連するサンプルマトリックス(例えば、標準溶液、イソプロピルアルコール、アンモニウム溶液、LAL、フッ化水素酸など)に従って識別され、各サンプルは分析装置112によって測定されるように対応する強度を有する。さらに、各サンプルは、上記の式(5)に従って計算された濃度を含む。例えば、各サンプルに対するマトリックス補正係数は、割り当てられたサンプルマトリックス(例えば、図1Dの第3列)に基づいて決定することができる。実施形態では、品質チェックサンプルがシステム100によって処理される(例えば、図1Dにおいて「QC」とラベル付けされている)(ブロック218)。品質チェックサンプルは、分析装置112によって決定された濃度が予想濃度の閾値の範囲内にあるか否かを調べるために、与えられたサンプルマトリックス(例えば、一次サンプルマトリックス、別のサンプルマトリックス、又はそれらの組み合わせ)における既知の濃度の標準溶液であり得る。例示的な実施形態では、閾値範囲は、予想濃度値(例えば、標準濃度値)の5%以内の濃度値である。品質チェックサンプルの濃度が閾値範囲内にある場合、システム100は、較正曲線が依然として正確であるという確信を持って続行することができる。品質チェックサンプルの濃度が閾値範囲外である場合、システム100は、追加の標準溶液を実行して、サンプル濃度を現在のシステム動作条件と比較するために別の一次較正曲線を構築することができる(ブロック220)。第2較正曲線は、それぞれの二次較正曲線について較正曲線を再実行する必要なしに、それぞれのマトリックス補正係数に従って一次較正曲線に対して測定し続けることができる。一実施形態では、品質チェックサンプルが閾値範囲外にある場合、システム100のコントローラ(例えば、コントローラ118)が、更新された一次較正曲線の生成を自動的に開始する。
本開示の実施形態では、分析システム102は、分析システム102と1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104との間に結合されたサンプル移送ライン144から、サンプル150を採取するように構成されたサンプル採取器110及び/又はサンプル検出器130を含み得る。サンプル採取器110及び/又はサンプル検出器130は、1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104からサンプル150を受け取る(例えば、1つ又は複数のサンプル移送ライン144を介して)ためのポンプ、弁、管、ポート、センサなどの構成要素を含むことができる。例えば、システム100が複数の遠隔サンプリングシステム104を含む場合、各遠隔サンプリングシステムは、サンプル採取器110の別個の部分又は分析システム102の別個のサンプル採取器110に結合するための専用のサンプル移送ライン144を含むことができる。さらに、分析システム102は、分析システム102に対して局所的なサンプル150を採取するように構成されたサンプリング装置160を含み得る(例えば、局所オートサンプラ)。
また、分析システム102は、サンプルを分析して微量元素濃度、同位体比などを決定する(例えば、液体サンプル中で)ように構成された少なくとも1つの分析装置112を含む。例えば、分析装置112は、誘導結合プラズマ質量スペクトロメータ(ICP/ICP-MS)、誘導結合プラズマ原子発光スペクトロメータ(ICP-AES)などを含むが、これらに限定されないICP分析計測器を含むことができる。実施形態では、分析システム102は複数の分析装置112(すなわち2つ以上の分析装置)を含む。例えば、システム100及び/又は分析システム102は複数のサンプリングループを含むことができ、各サンプリングループはサンプルの一部を複数の分析装置112に導入する。別の例として、システム100及び/又は分析システム102は、単一のサンプルを複数の分析装置112に迅速かつ連続的に導入することができるように多位置弁を用いて構成することができる。例えば、図6は、分析システム102と流体連通している1つの遠隔サンプリングシステム104を示し、分析システム102は、遠隔サンプリングシステム104から受け取ったサンプルの分析のための3つの分析装置(ICPMS602、イオンクロマトグラフ(IC)カラム604、及びフーリエ変換赤外分光法(FTIR)606として示す)に結合された多位置弁600を含む。図6は、分析システム102が3つの分析装置を含む実施形態を示しているが、分析システム102は、より少ない(例えば、3つよりも少ない)又はより多い(例えば、3つよりも多い)分析装置112を含み得る。実施形態では、分析装置112は、ICPMS(例えば、微量金属定量用)、ICPOES(例えば、微量金属定量用)、イオンクロマトグラフ(例えば、陰イオン及び陽イオン定量用)、液体クロマトグラフ(LC)(例えば、有機汚染物質定量用)、FTIR赤外線(例えば、化学組成及び構造情報測定用)、粒子計数器(例えば、非溶解粒子検出用)、水分分析器(例えば、サンプル中の水分検出用)、ガスクロマトグラフ(GC)(例えば、揮発性成分の検出用)などを含み得るが、これらに限定されるものではない。実施形態では、複数の分析装置112を遠隔サンプリング装置104と同じ場所に配置することができ、システム100は、複数の分析装置112によって実行された分析よりも多い追加又は異なるサンプル分析のために、遠隔サンプリングシステム104から遠隔に配置された1つ又は複数の追加の分析装置112を含むことができる。代替的又は追加的に、複数の分析装置112は、遠隔サンプリングシステム104とは異なる場所に配置することができる。
システム100及び/又は分析システム102は、ある場所における分析物濃度を経時的に報告するように構成することができる(図13を参照して以下にさらに示す)。幾つかの実施形態において、分析装置112は、サンプル150中の1つ又は複数の微量金属を検出するように構成されてもよい。他の実施形態では、分析装置112はイオンクロマトグラフィ用に構成されてもよい。例えば、イオン及び/又は陽イオンは、サンプル150中に採取され得、クロマトグラフ分析装置112に送達され得る。さらなる実施形態では、有機分子、タンパク質などをサンプル中に採取し、高分解能飛行時間型(HR-ToF)質量スペクトロメータ分析装置112に送達することができる(例えば、ネブライザ156を使用して)。したがって、本明細書に記載のシステムは、医薬用途(例えば、複数の医薬反応器に接続された中央質量スペクトロメータ分析装置を使用する)、1つ又は複数の廃棄物流れの廃棄物監視、半導体製造施設などを含むが必ずしもそれらに限定されない様々な用途に使用することができる。例えば、廃棄物流れは、汚染物質について継続的に監視され、汚染物質が検出された場合にタンクに向けられる。別の例として、分析システム102に連結された1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104によって得られたサンプルの分析を通じて1つ又は複数の化学的流れを連続的に監視することができ、それによって汚染限界を各化学的流れに対して設定できる。特定の流れに対する汚染限界を超える汚染物質を検出すると、システム100は警報を発することができる。
遠隔サンプリングシステム104は、少なくとも1つのサンプル移送ライン144と選択的に結合するように構成することができ、それによって遠隔サンプリングシステム104は、連続液体サンプルセグメント150をサンプル移送ライン144に供給するためのサンプル移送ライン144と流体連通するように動作可能である。例えば、遠隔サンプリングシステム104は、例えば流通弁148を使用してサンプル150を採取し、サンプル150をサンプル移送ライン144に供給し、遠隔サンプリングシステム104をサンプル移送ライン144に結合するように構成されてもよい。サンプル移送ライン144へのサンプル150の供給は、「投入」と呼ぶことができる。サンプル移送ライン144は、ガス供給源146と結合することができ、ガスを第2位置(また可能性として第3場所、第4場所など)から第1位置へ輸送するように構成することができる。このようにして、遠隔サンプリングシステム104によって供給された液体サンプルセグメントは、ガス流中に集められ、ガス圧サンプル移送を使用して分析システム102の位置へ輸送される。
幾つかの実施形態では、サンプル移送ライン144内のガスは、必ずしもこれらに限定されないが、窒素ガス、アルゴンガスなどを含む不活性ガスを含むことができる。幾つかの実施形態では、サンプル移送ライン144は、8/10mm(0.8mm)の内径を有するセグメント化されていない又は最小セグメント化された管を含み得る。しかしながら、8/10mmの内径は、ほんの一例として提供されており、本開示を限定することを意味するものではない。他の実施形態では、サンプル移送ライン144は、8/10mmよりも大きい内径及び/又は8/10mmよりも小さい内径を含んでもよい。幾つかの実施形態では、サンプル移送ライン144内の圧力は少なくとも約4バールから10バールの範囲であり得る。しかしながら、この範囲は例としてのみ提供されており、本開示を限定することを意味していない。他の実施形態では、サンプル移送ライン144内の圧力は、10バールよりも大きく及び/又は4バール未満であり得る。さらに、幾つかの特定の実施形態では、サンプル移送ライン144内の圧力は、サンプル150が概ね上方向(例えば、垂直方向)に分配されるように調整することができる。そのような垂直方向は、分析システム102より低い位置(例えば、サンプル供給源及び遠隔サンプリングシステムが分析システム102に対して「階下」に位置する場所)で採取されたサンプルの移送を容易にすることができる。
幾つかの例では、サンプル移送ライン144は、第1液体槽(又は薬液槽)と流体連通する遠隔サンプリングシステム104と、第2液体槽(又は薬液槽)と流体連通する分析システム102と結合することができる。本開示の実施形態では、システム100は、第1位置及び/又は1つ又は複数の遠隔位置(例えば、第2位置、第3位置、第4位置など)でのオーバーフローを防止又は最小にするための1つ又は複数の漏れセンサ(例えば、水槽に取り付けられる)を含み得る。シリンジポンプ又は真空ポンプなどのポンプを使用して、サンプルをサンプリング装置106に入れることができる。弁148を使用して遠隔サンプリングシステム104でサンプル150を選択することができ、サンプル150をサンプル移送ライン144に供給することができ、サンプル移送ライン144はサンプル150を第1位置で分析システム102に送ることができる。ダイアフラムポンプなどの別のポンプを使用して、分析システム102上の排水を汲み上げ、サンプル移送ライン144からサンプル150を引き出すことができる。
システム100は、サンプル移送ライン144内のガス及びサンプルが周囲環境にさらされない密閉型サンプリングシステムとして実装することができる。例えば、筐体及び/又は外装は、システム100の1つ又は複数の構成要素を囲むことができる。幾つかの実施形態において、遠隔サンプリングシステム104の1つ又は複数のサンプルラインは、サンプル送達の間に洗浄され得る。さらに、サンプル移送ライン144は、サンプル150間で洗浄する(例えば、洗浄液を使用して)ことができる。
サンプル移送ライン144は、第1位置でサンプル受け入れライン162(例えば、サンプルループ164)と選択的に結合するように構成することができ、それによってサンプルループ164はサンプル移送ライン144と流体連絡して、連続液体サンプルセグメントを受け取ることができる。サンプルループ164への連続液体サンプルセグメントの送達は、「取得」と呼ぶことができる。また、サンプルループ164は、サンプルループ164が分析装置112と流体連通して、連続液体サンプルセグメントを分析装置112に供給するように動作可能であるように、分析装置112と選択的に結合するように構成される(例えば、システム100が、分析システム102による分析に十分な液体サンプルセグメントが利用できると判断した場合)。本開示の実施形態では、分析システム102は、分析システム102による分析のために、サンプルループ164が十分な量の連続液体サンプルセグメントを含むことを決定するように構成された1つ又は複数の検出器を含み得る。一例では、十分な量の連続液体サンプルは、分析装置112に送るのに十分な液体サンプルを含み得る。十分な量の連続液体サンプルの別の例は、第1検出器126と第2検出器128との間のサンプル受け入れライン162内の連続液体サンプルを含み得る(例えば、図7に示されるように)。実施形態において、第1検出器126及び/又は第2検出器128は、光分析器132、光センサ134、導電率センサ136、金属センサ138、導電性センサ140、及び/又は圧力センサ142を含み得る。第1検出器126及び/又は第2検出器128は他のセンサを含み得ることが考えられる。例えば、第1検出器126は、サンプル150がサンプルループ164に入るときを検出する光分析器132を含み、第2検出器128は、サンプルループ164が満たされるときを検出する別の光分析器132を含み得る。この例は「取得成功」と呼ぶことができる。光分析器132は例としてのみ提供され、本開示を限定することを意味しないことに留意されたい。他の例示的な検出器としては、光センサ、導電率センサ、金属センサ、導電性センサ、圧力センサなどが挙げられるが、必ずしもこれらに限定されない。
図7を参照すると、連続液体サンプルセグメントがサンプル受け入れライン162に含まれるとき、及び/又はサンプルループ164が分析のため(例えば、分析システム102による)に十分な量の連続液体サンプルセグメントを含むときを決定できるシステム100が説明される。例示的な実施形態では、第1検出器126は、サンプル受け入れライン162内の第1位置における液体の存在(例えば、液体サンプルセグメント)、サンプル受け入れライン162内の第1位置における液体の不在などを表すことができる2つ以上の状態を判定するように構成することができる。例えば、第1状態(例えば、ハイ(高)状態などの第1論理レベルによって表される)を使用して、サンプル受け入れライン162内の第1位置における液体サンプルセグメントの存在を表す(例えば、第1検出器126の近傍にある)ことができ、第2状態(例えば、ロー(低)状態などの第2論理レベルによって表される)を使用して、サンプル受け入れライン162内の第1位置における液体サンプルセグメントの不在を表すことができる(サンプル受け入れライン162内の空隙又はガス)。
幾つかの実施形態では、圧力センサ142を備える第1検出器126を使用して、サンプル受け入れライン162内の第1位置における液体の存在を検出できる(例えば、液体が存在する場合、第1位置に近接するサンプル受け入れライン162内の圧力の上昇を検出することによって)。また、第1検出器126は、サンプル受け入れライン162内の第1位置における液体の不在を検出するために使用できる(例えば、第1位置に近接するサンプル受け入れライン162内の圧力の低下を検出することによって)。しかしながら、圧力センサは例として提供されており、本開示を限定することを意味していない。他の実施形態では、光センサ134を備える第1検出器126を使用して、サンプル受け入れライン162内の第1位置における液体の存在を検出できる(例えば、液体が存在する場合、第1位置に近接するサンプル受け入れライン162を通過する光の減少を検出することによって)。また、第1検出器126は、サンプル受け入れライン162内の第1位置における液体の不在を検出するために使用できる(例えば、第1位置に近接するサンプル受け入れライン162を通過する光の増加を検出することによって)。これらの例では、第1検出器126は、第1位置に液体サンプルが存在することをハイ(高)状態として、また第1位置に液体サンプルが存在しないことをロー(低)状態として報告することができる。
また、幾つかの実施形態では、システム100は、第2検出器128、第3検出器などの1つ又は複数の追加の検出器を含み得る。また、例えば、第2検出器128は、サンプル受け入れライン162内の第2位置における液体の存在(例えば、液体サンプルセグメント)、サンプル受け入れライン162内の第2位置における液体の不在などを表すことができる2つ以上の状態を判定するように構成することができる。例えば、第1状態(例えば、ハイ(高)状態などの第1論理レベルによって表される)を使用して、サンプル受け入れライン162内の第2位置における液体サンプルセグメントの存在を表す(例えば、第2検出器128の近傍にある)ことができ、第2状態(例えば、ロー(低)状態などの第2論理レベルによって表される)を使用して、サンプル受け入れライン162内の第2位置における液体サンプルセグメントの不在を表すことができる。
幾つかの実施形態では、圧力センサ142を備える第2検出器128を使用して、サンプル受け入れライン162内の第2位置における液体の存在を検出できる(例えば、液体が存在する場合、第2位置に近接するサンプル受け入れライン162内の圧力の上昇を検出することによって)。また、第2検出器128は、サンプル受け入れライン162内の第2位置における液体の不在を検出するために使用できる(例えば、第2位置に近接するサンプル受け入れライン162内の圧力の低下を検出することによって)。しかしながら、圧力センサは例として提供されており、本開示を限定することを意味していない。他の実施形態では、光センサ134を備える第2検出器128を使用して、サンプル受け入れライン162内の第2位置における液体の存在を検出できる(例えば、液体が存在する場合、第2位置に近接するサンプル受け入れライン162を通過する光の減少を検出することによって)。また、第2検出器128は、サンプル受け入れライン162内の第2位置における液体の不在を検出するために使用できる(例えば、第2位置に近接するサンプル受け入れライン162を通過する光の増加を検出することによって)。これらの例では、第2検出器128は、第2位置に液体サンプルが存在することをハイ(高)状態として、また第2位置に液体サンプルが存在しないことをロー(低)状態として報告することができる。
コントローラ118は、1つ又は複数の検出器126と通信可能に結合することができ、サンプル受け入れライン162内の第1位置、サンプル受け入れライン162内の第2位置、サンプル受け入れライン162内の別の位置などで液体を記録するように構成できる。例えば、コントローラ118は、第1検出器126を使用して検出動作を開始し、サンプル受け入れライン162の第1位置の液体を、コントローラ118によって記録することができる(例えば、コントローラ118が、第1検出器126によって決定されるように、ロー(低)からハイ(高)への状態変化を記録する場合)。次いで、第1検出器126を監視してもよく(例えば、連続的に、少なくとも実質的に連続的に)、その後、コントローラ118は、サンプル受け入れライン162内の第1位置における液体の不在を記録することができる(例えば、コントローラ118が、第1検出器126によって決定されるように、ハイ(高)からロー(低)への状態変化を記録する場合)。
同様に、コントローラ118は、第2検出器128を使用して検出動作を開始し、サンプル受け入れライン162の第2位置の液体を、コントローラ118によって記録することができる(例えば、コントローラ118が、第2検出器128によって決定されるように、ロー(低)からハイ(高)への状態変化を記録する場合)。次いで、第2検出器128を監視してもよく(例えば、連続的に、少なくとも実質的に連続的に)、その後、コントローラ118は、サンプル受け入れライン162内の第2位置における液体の不在を記録することができる(例えば、コントローラ118が、第2検出器128によって決定されるように、ハイ(高)からロー(低)への状態変化を記録する場合)。
コントローラ118及び/又は1つ又は複数の検出器126は、システム100の特定のイベント(例えば、サンプル受け入れライン162内の複数の位置で特定の時点の液体の有無)のタイミングを提供するために、タイマの動作を含むか又はタイマの動作に影響を及ぼし得る。一例として、コントローラ118は、液体サンプルを分析システム102に向けることを許可するか否かについての判断をするために、様々な検出器によって状態変化が記録される時間を監視することができる(例えば、液体を廃棄や保持ループに向けることと対照的に)。別の例として、コントローラ118は、検出器126を介してコントローラ118によって記録された状態の変化に基づいて、液体がサンプル受け入れライン162及び/又はサンプルループ164内で費やす時間を監視することができる。
(液体サンプルセグメントの中断及び適切な液体セグメントの決定)
一般に、関連する分析装置(例えば、分析装置の隣のオートサンプラ)の近くでサンプルが得られる場合、サンプルは実質的なサンプル量を必要とせずに、サンプル源と分析装置との間の全距離に及ぶことができる。しかしながら、サンプルの長距離移送について、遠隔サンプリングシステム104と分析システム102との間の移送ライン144全体を満たすこと(例えば、最大で数百メートルのサンプル長)は、未使用のサンプル部分を処分すること、サンプルの粘度などに関する環境上の問題により、禁止的又は望ましくない可能性がある。したがって、実施形態では、遠隔サンプリングシステム104は、移送ライン144全体をサンプルで満たすのではなく、移送ライン144全体の体積の一部を表す液体サンプルセグメントを、分析システム102による分析のために、移送ライン144を通して送る。例えば、移送ライン144は最大で数百メートルの長さであり得るが、分析システム102への移送中の任意の所与の時点で、サンプルは移送ライン144の約1メートル以下を占め得る。ラインを介して液体サンプルセグメントを送ることは遠隔サンプルシステム104から送られるサンプルの量を減らすことができるが、サンプルは分析システム102への移送中に、サンプル移送ライン144内に気泡又は隙間/空隙を被る可能性がある。輸送中の管間のオリフィスの変化などのサンプルの長距離移送に関連する状況による、サンプル間のラインを洗浄するために使用される残留洗浄液との相互作用による、ライン内の残留流体との反応による、移送ラインのスパンに沿った圧力差によるなどにより、このような気泡又は隙間/空隙が形成される。例えば、図8に示すように、液体サンプル800を遠隔サンプリングシステム104から移送ライン144を通して、分析システム102が配置されている第1位置に送ることができる。遠隔サンプリングシステム104によって得られた全サンプルの体積は、図8においてVTOTによって表される。図示のように、遠隔サンプリングシステム104からの移送中に、移送ライン144に隙間又は空隙802が形成される可能性がある。隙間又は空隙802は、分析システム102による分析のために、十分な量又は体積のサンプルを含まない複数のサンプルセグメント804を仕切る。そのようなサンプルセグメント804は、分析システム102による分析に十分な体積(VSAMPLEとして示される)を有するより大きなサンプルセグメント806の前及び/又は後にあり得る。実施形態では、遠隔サンプリングシステム104によって採取されたサンプルの量(例えば、VTOT)は、分析装置112による分析のために十分な量のサンプル150を提供するように調整される。例えば、「取得」されたサンプル150の量に対する「投入された」サンプル150の量の体積比(例えば、VTOT/VSAMPLE)は、少なくとも約1と1/4(1.25)である。しかしながら、この比は例としてのみ提供されており、本開示を限定することを意味していない。幾つかの実施形態では、この比は1.25より大きく、他の実施形態では、この比は1.25未満である。一例では、2と1/2mL(2.5mL)のサンプル150(例えば、濃硫酸又は硝酸)が投じられ、1mLのサンプル150が取得される。別の例では、1と1/2mL(1.5mL)のサンプル150が投入され、1mLのサンプル150が取得される。本開示の実施形態では、「投入」されたサンプル150の量は、第1位置と第2位置との間の距離、第1位置と第2位置との間のサンプル移送ライン管の量、サンプル移送ライン144内の圧力などを説明するために調整される。一般に、移送中のサンプル移送ライン144内の隙間/空隙802及びサンプルセグメント804の形成を説明するために、VTOT/VSAMPLEの比は1より大きくてもよい。
一般に、関連する分析装置(例えば、分析装置の隣のオートサンプラ)の近くでサンプルが得られる場合、サンプルは実質的なサンプル量を必要とせずに、サンプル源と分析装置との間の全距離に及ぶことができる。しかしながら、サンプルの長距離移送について、遠隔サンプリングシステム104と分析システム102との間の移送ライン144全体を満たすこと(例えば、最大で数百メートルのサンプル長)は、未使用のサンプル部分を処分すること、サンプルの粘度などに関する環境上の問題により、禁止的又は望ましくない可能性がある。したがって、実施形態では、遠隔サンプリングシステム104は、移送ライン144全体をサンプルで満たすのではなく、移送ライン144全体の体積の一部を表す液体サンプルセグメントを、分析システム102による分析のために、移送ライン144を通して送る。例えば、移送ライン144は最大で数百メートルの長さであり得るが、分析システム102への移送中の任意の所与の時点で、サンプルは移送ライン144の約1メートル以下を占め得る。ラインを介して液体サンプルセグメントを送ることは遠隔サンプルシステム104から送られるサンプルの量を減らすことができるが、サンプルは分析システム102への移送中に、サンプル移送ライン144内に気泡又は隙間/空隙を被る可能性がある。輸送中の管間のオリフィスの変化などのサンプルの長距離移送に関連する状況による、サンプル間のラインを洗浄するために使用される残留洗浄液との相互作用による、ライン内の残留流体との反応による、移送ラインのスパンに沿った圧力差によるなどにより、このような気泡又は隙間/空隙が形成される。例えば、図8に示すように、液体サンプル800を遠隔サンプリングシステム104から移送ライン144を通して、分析システム102が配置されている第1位置に送ることができる。遠隔サンプリングシステム104によって得られた全サンプルの体積は、図8においてVTOTによって表される。図示のように、遠隔サンプリングシステム104からの移送中に、移送ライン144に隙間又は空隙802が形成される可能性がある。隙間又は空隙802は、分析システム102による分析のために、十分な量又は体積のサンプルを含まない複数のサンプルセグメント804を仕切る。そのようなサンプルセグメント804は、分析システム102による分析に十分な体積(VSAMPLEとして示される)を有するより大きなサンプルセグメント806の前及び/又は後にあり得る。実施形態では、遠隔サンプリングシステム104によって採取されたサンプルの量(例えば、VTOT)は、分析装置112による分析のために十分な量のサンプル150を提供するように調整される。例えば、「取得」されたサンプル150の量に対する「投入された」サンプル150の量の体積比(例えば、VTOT/VSAMPLE)は、少なくとも約1と1/4(1.25)である。しかしながら、この比は例としてのみ提供されており、本開示を限定することを意味していない。幾つかの実施形態では、この比は1.25より大きく、他の実施形態では、この比は1.25未満である。一例では、2と1/2mL(2.5mL)のサンプル150(例えば、濃硫酸又は硝酸)が投じられ、1mLのサンプル150が取得される。別の例では、1と1/2mL(1.5mL)のサンプル150が投入され、1mLのサンプル150が取得される。本開示の実施形態では、「投入」されたサンプル150の量は、第1位置と第2位置との間の距離、第1位置と第2位置との間のサンプル移送ライン管の量、サンプル移送ライン144内の圧力などを説明するために調整される。一般に、移送中のサンプル移送ライン144内の隙間/空隙802及びサンプルセグメント804の形成を説明するために、VTOT/VSAMPLEの比は1より大きくてもよい。
システム100は、複数の遠隔サンプリングシステム104のうちのどれがそのそれぞれのサンプルを分析システム102に送信すべきか(例えば、「投入」)を選択することができ、それによって検出器126は、分析システム102に送る(例えば、「取得」)十分なサンプルが存在するか否か(例えば、サンプルループ164におけるVSAMPLE)、又はその特定の時間にサンプルを分析システム102に送らないようにするなど、ラインに空隙又は隙間が存在するか否か(例えば、検出器126の間)の決定を容易にする。気泡又は隙間が存在する場合(例えば、サンプルループ164内)、特にサンプルが分析装置112への導入前に分析システム102で希釈又はさらに希釈される場合、分析装置112は「空」の溶液を分析することができるため、それらの存在はサンプルの分析の精度を低下させる可能性がある。
いくつかの実施形態では、システム100は、連続液体サンプルセグメント(例えば、サンプルセグメント806)がサンプル受け入れライン162及び/又はサンプルループ164に含まれる場合を決定するように構成され得、その結果、システム100が隙間又は空隙802又はより小さいサンプルセグメント804を分析装置112に移送することを回避できる。例えば、システム100は、サンプル受け入れライン162に沿った第1位置に第1検出器126を、サンプル受け入れライン162に沿った第2位置に(例えば、第1位置から下流に)第2検出器128を含み得る。また、システム100は、第1検出器126と第2検出器128との間にサンプルループ164を含み得る。実施形態では、少なくとも2つの流路構成(例えば、図3Aに示される弁148の第1流路構成、図3Bに示される弁148の第2流路構成)の間で切り替え可能なマルチポート弁などの弁は、第1検出器126とサンプルループ164との間及び第2検出器128とサンプルループ164との間に配置することができる。本開示の実施形態では、システム100は、第1位置と第2位置の両方で液体を同時に記録することによって、連続液体サンプルセグメントがサンプル受け入れライン162及び/又はサンプルループ164に含まれると判定でき、一方、第1位置で第1検出器126を介してハイ(高)からロー(低)への状態変化を記録しない。言い換えれば、液体サンプルは、第2検出器128が液体サンプルの存在を認識するまで、第1検出器126によって状態の変化が検出されることなく、第1検出器126から第2検出器128に連続的に移動する。
サンプル受け入れラインが検出器間に連続液体セグメントを含むときを決定するために2つ以上の検出器が使用される例示的な実施形態では、液体セグメントはサンプル受け入れラインに受容される。例えば、図7を参照すると、サンプル受け入れライン162は液体サンプルセグメントを受容する。次に、サンプル受け入れラインの第1位置における液体セグメントの存在及び/又は不在を検出するように構成された第1検出器を使用して検出動作を開始することによって、サンプル受け入れラインの第1位置に液体セグメントを記録する。例えば、図7を参照すると、第1検出器126は、サンプル受け入れライン162内の第1位置で液体サンプルセグメントをロー(低)からハイ(高)への状態変化として検出する。図9を参照すると、液体サンプルセグメントは、時間t1及びt5において第1位置で検出することができる。次に、第1位置で液体セグメントを記録した後に、第1検出器が監視される。例えば、図7を参照すると、第1検出器126はコントローラ118によって監視され、第1検出器126は、サンプル受け入れライン162内の第1位置に液体サンプルセグメントが存在しないことをハイ(高)からロー(低)への状態変化として検出する。図9を参照すると、第1位置は時間t1及びt5から始まって(例えば、連続的に、少なくとも実質的に連続的に)監視され、液体サンプルセグメントの不在は時間t3及びt6で第1位置で検出できる。
同様に、サンプル受け入れラインの第2位置における液体セグメントの存在及び/又は不在を検出するように構成された第2検出器を使用して検出動作を開始することによって、サンプル受け入れラインの第2位置に液体セグメントを記録する。例えば、図7を参照すると、第2検出器128は、サンプル受け入れライン162内の第2位置で液体サンプルセグメントをロー(低)からハイ(高)への状態変化として検出する。図9を参照すると、液体サンプルセグメントは、時間t2及びt7において第2位置で検出することができる。次に、第2位置で液体セグメントを記録した後に、第2検出器が監視される。例えば、図7を参照すると、第2検出器128はコントローラ118によって監視され、第2検出器128は、サンプル受け入れライン162内の第2位置に液体サンプルセグメントが存在しないことをハイ(高)からロー(低)への状態変化として検出する。図9を参照すると、第2位置は時間t2及びt7から始まって(例えば、連続的に、少なくとも実質的に連続的に)監視され、液体サンプルセグメントの不在は時間t4及びt8で第2位置で検出できる。
液体が第1位置と第2位置の両方に同時に記録されると、連続液体セグメントが第1検出器と第2検出器との間のサンプル受け入れラインに記録される。例えば、図7を参照すると、ハイ(高)状態が第1検出器126及び第2検出器128のそれぞれに液体サンプルセグメントが存在することを表す場合、コントローラ118はサンプル受け入れライン162に連続液体サンプルセグメントを記録する(例えば、第1検出器126と第2検出器128との間に存在するように)。図9を参照すると、液体サンプルセグメントが第2位置で検出された場合、連続液体サンプルセグメントを時間t2で記録することができる。
幾つかの実施形態では、論理積演算を使用して、連続液体セグメントがサンプル受け入れラインに記録されるタイミングを決定し、サンプル受け入れラインから分析装置への連続液体セグメントの移送を開始することができる。例えば、図7を参照すると、コントローラ118は、第1検出器126及び第2検出器128のそれぞれでハイ(高)状態で論理AND演算を使用し、弁148を使用してサンプルループ164と分析装置112との選択的結合を開始でき、その結果、サンプルループ164は、分析装置112と流体連通して連続液体サンプルセグメントを分析装置112に供給するように動作できる。幾つかの実施形態では、コントローラ118は、ロー(低)からハイ(高)への状態変化が第1検出器126又は第2検出器128で記録された場合、分析装置112に連続液体サンプルセグメントを供給するために弁148を切り替えるか否かを決定するだけでよい。幾つかの実施形態では、システム100は、サンプルループ164と分析装置との選択的結合を開始する前に、第2検出器128のハイ(高)状態がある期間(例えば、図9に示すtΔ)維持されることを必要とする。例えば、コントローラ118及び/又はプロセッサ120のタイマ又はタイミング機能は、第2検出器128がハイ(高)状態を維持している期間を検証することができ、それによって第2検出器128が時間tΔ(例えば、閾値時間)の間、ハイ(高)状態を維持し、第1検出器がハイ(高)状態にある場合、コントローラ118は、十分な液体サンプルセグメント(例えば、図8のセグメント806)が取得されたと判断することができ、弁148を切り替えて、連続液体サンプルセグメントを分析装置112に供給することができる。tΔの期間は、それを超えると第2検出器が空隙又は気泡を測定することがないと思われる期間に対応することができ、それはサンプルの流速又は他の移送条件に応じて変動し得る。
幾つかの実施形態では、コントローラ118は、ハイ(高)状態及び/又はロー(低)状態で第1検出器126のタイミングを監視することができる。例えば、遠隔サンプリングシステム104から移送されるサンプルの流れ特性が知られている実施形態では、十分な液体サンプルがサンプル受け入れライン162及び/又はサンプルループ164内に存在するか否かを概算するためにハイ(高)状態である時間の長さを判定するために第1検出器126を監視でき、第2検出器128におけるハイ(高)状態の確認の有無にかかわらず、コントローラ118にサンプルを分析装置112に送信させることができる。例えば、サンプルの所与の流速について、サンプルの体積は、第1検出器126がハイ(高)状態にあった時間の長さを監視することによって概算することができる。しかしながら、サンプルの流速は、ポンプの機能性、移送されるサンプルの種類、サンプルの粘度、移送期間、移送距離、周囲温度条件、移送ライン144の温度条件などの変動により、容易には明らかにならない可能性があり、したがって、第2検出器128の機能は有益であり得る。
本開示の実施形態では、本明細書に記載のシステム及び技法を使用して、第1検出器126と第2検出器128との間のサンプル受け入れライン(例えば、サンプルループ)の一部が気泡の存在なしに満たされることを判定できる。例えば、図9を参照して説明したように、時間t3とt5の間の第1位置における液体サンプルの不在は、サンプル受け入れライン162内の気泡の存在することに対応し得る。システム100がサンプル受け入れライン162内に気泡が存在しない状態に達すると、コントローラ118は弁148を切り替えてサンプルループ164内の流体が分析装置112に通過するのを可能にする(分析又は分析前のサンプル調整のため)。
(例示的方法)
図10は、2つの検出器を使用して、分析システムによる分析のためにサンプル受け入れラインが、連続液体サンプルセグメント中に隙間又は空隙がなく、連続液体サンプルセグメント中に十分な量のサンプルを含む場合を決定する例示的な実施形態における手順810を示す。図示されるように、液体セグメントはサンプル受け入れラインで受け取られる(ブロック812)。例えば、サンプル受け入れライン162は、遠隔サンプリングシステム104によって得られ、かつ移送ライン144を通って移送されたサンプルを受取ることができる。また、手順810は、液体セグメントが第1位置を通過するときに、液体セグメントの存在及び/又は不在を検出するように構成された第1検出器を使用して、サンプル受け入れラインの第1位置における液体セグメントを記録することを含む(ブロック814)。例えば、第1検出器126は、サンプル受け入れライン162内の第1位置にある液体サンプルセグメントの存在を測定することができる。図9を参照すると、液体サンプルセグメントは、時間t1及びt5において第1位置で検出される。
図10は、2つの検出器を使用して、分析システムによる分析のためにサンプル受け入れラインが、連続液体サンプルセグメント中に隙間又は空隙がなく、連続液体サンプルセグメント中に十分な量のサンプルを含む場合を決定する例示的な実施形態における手順810を示す。図示されるように、液体セグメントはサンプル受け入れラインで受け取られる(ブロック812)。例えば、サンプル受け入れライン162は、遠隔サンプリングシステム104によって得られ、かつ移送ライン144を通って移送されたサンプルを受取ることができる。また、手順810は、液体セグメントが第1位置を通過するときに、液体セグメントの存在及び/又は不在を検出するように構成された第1検出器を使用して、サンプル受け入れラインの第1位置における液体セグメントを記録することを含む(ブロック814)。例えば、第1検出器126は、サンプル受け入れライン162内の第1位置にある液体サンプルセグメントの存在を測定することができる。図9を参照すると、液体サンプルセグメントは、時間t1及びt5において第1位置で検出される。
次に、液体セグメントを第1位置で記録した後、第1検出器を監視する(ブロック816)。例えば、第1検出器126をコントローラ118によって監視して、サンプル受け入れライン162内の第1位置で液体セグメントが存在しないか否かを判定できる(例えば、第1検出器126が、サンプル流体の検出を示すハイ(高)状態から、サンプル流体が検出されないロー(低)状態に遷移したか否か)。図9を参照すると、第1位置は、時間t1及びt5から始まって(例えば、連続的に、少なくとも実質的に連続的に)監視される。次に、第2位置における液体セグメントの存在及び/又は不在を検出するように構成された第2検出器を使用して検出動作を実行することによって、第1位置より下流のサンプル受け入れライン内の第2位置に液体セグメントが記録される前に、サンプル受け入れライン内の第1位置において液体セグメントの不在が記録されない場合、サンプル受け入れラインに連続液体セグメントが記録される(ブロック818)。例えば、図9を参照すると、第1検出器126は時間t1及びt5においてサンプル流体の存在を検出し、一方第2検出器128は時間t2及びt7においてサンプル流体の存在を検出する。第2検出器がサンプルセグメントを検出する前に第1検出器126が暫定時間内に不在を検出することなく、第2検出器によって第1検出器における時間t1とt3の間の液体サンプルセグメントのみが記録される(時間t2で開始する)。このような場合、コントローラ118は、サンプルループ164に含まれるサンプルを、分析装置112に送るように切り替えるように弁148に指示することができる。第1検出器126はt5で液体サンプルの存在を記録し、一方、第1検出器は、第2検出器128が後にt7で液体サンプルの存在を検出する前に、t6で液体サンプルの不在を検出する。したがって、システム100は、サンプルループ164に隙間又は空隙(例えば、隙間/空隙802)が存在することを認識し、分析のために弁148を切り替えず、代わりに不適切なサンプルセグメント(例えば、液体セグメント804)を廃棄に渡すことを可能にする。本明細書に記載されるように、第1検出器126が暫定時間にハイ(高)状態を維持した後、一定時間(例えば、tΔ)の間、第2検出器128がハイ(高)状態を維持すると、タイマ(例えば、コントローラ118により実装される)を使用して、弁148を切り替えることができる。
(制御システム)
その構成要素の幾つか又はすべてを含むシステム100は、コンピュータ制御下で動作することができる。例えば、プロセッサ120は、ソフトウェア、ファームウェア、ハードウェア(例えば、固定論理回路)、手動処理、又はそれらの組み合わせを使用して、本明細書に記載のシステムの構成要素及び機能を制御するために、システム100と共に又はシステム100内に含まれ得る。本明細書で使用される「コントローラ」、「機能性」、「サービス」、及び「論理」という用語は、一般に、システムの制御に関連するソフトウェア、ファームウェア、ハードウェア、又はソフトウェア、ファームウェア、又はハードウェアの組み合わせを表す。ソフトウェア実装の場合、モジュール、機能性、又は論理は、プロセッサ(例えば、中央処理装置(CPU)又は複数のCPU)上で実行された場合に特定のタスクを実行するプログラムコードを表す。プログラムコードは、1つ又は複数のコンピュータ可読メモリ装置(例えば、内部メモリ及び/又は1つ又は複数の有形媒体)などに格納することができる。本明細書で説明されている構造、機能、手法、及び技法は、様々なプロセッサを有する様々な商用コンピューティングプラットフォーム上で実装することができる。
その構成要素の幾つか又はすべてを含むシステム100は、コンピュータ制御下で動作することができる。例えば、プロセッサ120は、ソフトウェア、ファームウェア、ハードウェア(例えば、固定論理回路)、手動処理、又はそれらの組み合わせを使用して、本明細書に記載のシステムの構成要素及び機能を制御するために、システム100と共に又はシステム100内に含まれ得る。本明細書で使用される「コントローラ」、「機能性」、「サービス」、及び「論理」という用語は、一般に、システムの制御に関連するソフトウェア、ファームウェア、ハードウェア、又はソフトウェア、ファームウェア、又はハードウェアの組み合わせを表す。ソフトウェア実装の場合、モジュール、機能性、又は論理は、プロセッサ(例えば、中央処理装置(CPU)又は複数のCPU)上で実行された場合に特定のタスクを実行するプログラムコードを表す。プログラムコードは、1つ又は複数のコンピュータ可読メモリ装置(例えば、内部メモリ及び/又は1つ又は複数の有形媒体)などに格納することができる。本明細書で説明されている構造、機能、手法、及び技法は、様々なプロセッサを有する様々な商用コンピューティングプラットフォーム上で実装することができる。
例えば、分析システム102、遠隔サンプリングシステム104、弁148、ポンプ、及び/又は検出器(例えば、第1検出器126、第2検出器128、サンプル検出器130)などのシステムの1つ又は複数の構成要素は、サンプル150の採取、送達、及び/又は分析を制御するためのコントローラと組み合わせることができる。例えば、コントローラ118は、成功した「取得」が第1検出器126及び第2検出器128によって示された場合に(例えば、両方のセンサが液体を検出した場合)、サンプルループ164を分析システム102に結合する弁148を切り替え、サンプル150をサンプルループ164から分析システム102に向けるように構成され得る。さらに、コントローラ118は、「取得失敗」(例えば、分析システム102による完全な分析のために、サンプルループ164が十分なサンプル150で満たされていない場合)を決定する機能を実装することができる。幾つかの実施形態では、「取得失敗」は、例えば、第1検出器126又は第2検出器128などのセンサから受信された信号の信号強度の変動に基づいて決定される。他の実施形態では、「取得失敗」は、第1検出器126がサンプル受け入れライン162内のサンプル150を示し、第2検出器128がサンプル受け入れライン162内にサンプル150を示さない所定の時間が経過した場合に、決定される。
幾つかの実施形態では、コントローラ118は、第2位置などの遠隔位置のインジケータと通信可能に結合され、不十分なサンプル150が第1位置で受け取られた場合に第2位置で表示(例えば、警報)を提供する。指示は、追加のサンプル採取及び送達を開始するため(例えば、自動的に)に使用され得る。幾つかの実施形態では、インジケータはオペレータに警告を提供する(例えば、1つ又は複数のインジケータ光を介して、ディスプレイの読み出しを介して、それらの組み合わせなどを介して)。さらに、指示は、1つ又は複数の所定の条件に基づいてタイミングを合わせる及び/又は開始することができる(例えば、複数のサンプルが失われた場合のみ)。幾つかの実施形態では、遠隔サンプリング地点で測定された状態に基づいてインジケータを作動させることもできる。例えば、第2位置にある検出器130は、サンプル150が遠隔サンプリングシステム104に提供されているときを判定するために使用することができ、インジケータは、サンプル150が採取されていない場合に作動させることができる。
幾つかの実施形態では、コントローラ118は、異なる遠隔位置からの、及び/又は異なるタイプのサンプル150に対して、サンプルの採取の異なるタイミングを提供するように動作できる。例えば、コントローラ118は、遠隔サンプリングシステム104がサンプル150をサンプル移送ライン144に送達する準備ができた場合に警告され、サンプル150のサンプル移送ライン144への移送を開始することができる。また、コントローラ118は、1つ又は複数の遠隔サンプリングシステム104と通信可能に結合されて、サンプル150に関連する識別情報を受信(及び場合によってはログ/記録)する、及び/又はシステム100内でサンプル150が送達される順序を制御し得る。例えば、コントローラ118は、複数のサンプル150を遠隔でキューに入れ、1つ又は複数のサンプル移送ライン144を介してそれらの送達を調整することができる。このようにして、サンプル150の送達は、複数の同時流路に沿って(例えば、複数のサンプル移送ライン144を介して)調整することができ、1つ又は複数の追加サンプル150を採取しながら1つ又は複数のサンプル150を移送することができる。例えば、図11は、システム100の例示的な制御フロー図を示し、分析システム102は、2つの遠隔サンプリングシステム104a及び104bならびに関連する移送ライン144a及び144bを介して、サンプル位置900及びサンプル位置902として示される2つの遠隔サンプル位置と流体連通して示される。図示される実施形態では、分析システム102は、遠隔サンプリングシステム104a及び遠隔サンプリングシステム104bのそれぞれにコマンドを送り、それぞれ904a及び904bとして示される。遠隔サンプリングシステム104a及び遠隔サンプリングシステム104bはそれぞれ、それぞれのサンプリング位置(遠隔サンプリングシステム104aの場合はサンプリング位置900、遠隔サンプリングシステム104bの場合はサンプリング位置902)で得られたサンプルを、分析システム102に移送ライン144a及び移送ライン144bを介して転送する。次いで、分析システム102はサンプルを処理してその中の様々な化学種容器の量を決定する。次に、分析システム102は、化学種の量のいずれかが要素固有の限界(例えば、サンプル中の特定の汚染物質に対する限界)を超えるか否かを判定する。実施形態では、システム100は、各サンプリング位置に対して独立して、及び各サンプリング位置における特定の化学種に対して独立して、汚染限界を設定することができる。例えば、特定の金属汚染物質に対する許容度は処理中に減少する可能性があるので、下流の化学サンプルは上流で採取された化学サンプルよりも特定の化学種に対して限界が低い可能性がある。図11に示すように、分析システム102は、遠隔サンプリングシステム104aによってサンプリング位置900で得られたサンプルについて、化学種が要素固有の限界のいずれも超えないことを判定した。分析システム102は次に、CIMホスト906に、908aとして示されているように、プロセスアプリケーションの動作が要素固有の限界を下回っているために、サンプリング位置900でのプロセスアプリケーションの継続を可能にする指示を送る。分析システム102は、遠隔サンプリングシステム104bによってサンプリング位置902で得られたサンプル中に存在する化学種の少なくとも1つが要素固有の限界(例えば、サンプル中の汚染物質に対する限界)を超えると判定した。分析システム102は次に、908bとして示されるように、CIMホスト906に指示を送信して、プロセスアプリケーションの動作が要素固有の限界を超えたために、サンプリング位置902のプロセスアプリケーションに向けられた警告を送る。次に、CIMホスト906は、プロセス停止コマンド910を介して、サンプリング位置902で遠隔サンプリングシステム104bによって得られたサンプルの分析に基づいて動作を停止するようにサンプリング位置902での処理を指示する。実施形態では、CIMホスト906とシステム100の構成要素との間の通信は、SECS/GEMプロトコルによって容易にすることができる。実施形態では、システム100は、要素が特定のサンプル位置についてサンプル内の要素固有の限界を超えると判断された場合、コンテキスト固有の動作を含むことができ、このようなコンテキスト固有の動作は、警告の無視及びプロセス動作の継続、プロセス動作の停止、システム較正の実行、限界値サンプルの再実行などを含み得るが、これらに限定されるものではない。例えば、第1警告時に、分析システム102は較正(又は別の較正)を実行し、次いでサンプルを再実行することができ、一方、後続の警告(例えば、第2警告)は、CIMホスト906に問題のあるサンプリング場所で動作を停止するようにプロセスに命令させる。
コントローラ118は、プロセッサ120、メモリ122、及び通信インタフェース124を含み得る。プロセッサ120は、コントローラ118に処理機能を提供し、任意の数のプロセッサ、マイクロコントローラ、又は他の処理システム、ならびにコントローラ118によってアクセス又は生成されたデータ及び他の情報を格納するための常駐メモリ又は外部メモリを含み得る。プロセッサ120は、本明細書に記載の技法を実装する1つ又は複数のソフトウェアプログラムを実行することができる。プロセッサ120は、形成される材料又はその中で使用される処理機構によって限定されず、したがって、半導体及び/又はトランジスタを介して(例えば、電子集積回路(IC)構成要素などを使用して)実装することができる。
メモリ122は、本明細書に記載の機能を実行するためのソフトウェアプログラム及び/又はコードセグメント、又はプロセッサ120に命令するための他のデータ、及びコントローラ118の他の構成要素などの、コントローラ118の動作に関連する様々なデータを格納するための記憶機能を提供する有形のコンピュータ可読記憶媒体の一例である。したがって、メモリ122は、システム100を動作させるための命令のプログラム(その構成要素を含む)などのデータを格納することができる。単一のメモリが説明されているが、多種多様なタイプ及びメモリの組み合わせ(例えば、有形の非一時的メモリ)を使用することができることに留意されたい。メモリ122は、プロセッサ120と一体化することができ、スタンドアロンメモリを含むことができ、あるいは両方の組み合わせとすることができる。
メモリ122は、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読み出し専用メモリ(ROM)、フラッシュメモリ(例えば、secure digital(SD)メモリカード、ミニSDメモリカード、及び/又はマイクロSDメモリカード)、磁気メモリ、光メモリ、ユニバーサルシリアルバス(USB)メモリ装置、ハードディスクメモリ、外部メモリなどの取り外し可能及び固定のメモリ構成要素を含むことができるが、必ずしもこれらに限定されない。実施形態では、システム100及び/又はメモリ122は、加入者識別モジュール(SIM)カード、ユニバーサル加入者識別モジュール(USIM)カード、ユニバーサル集積回路カード(UICC)などによって提供されるメモリ122などの取り外し可能な集積回路カード(ICC)メモリを含むことができる。
通信インタフェース124は、システムの構成要素と通信するように動作可能に構成される。例えば、通信インタフェース124は、システム100内の記憶装置にデータを送信し、システム100内の記憶装置からデータを検索するなどのように構成することができる。また、通信インタフェース124は、システム100の構成要素とプロセッサ120との間のデータ転送を容易にするためにプロセッサ120と通信可能に結合される(例えば、コントローラ118と通信可能に結合された装置から受信した入力をプロセッサ120に伝達するため)。通信インタフェース124はコントローラ118の構成要素として説明されているが、通信インタフェース124の1つ又は複数の構成要素は、有線接続及び/又は無線接続を介してシステム100に通信可能に結合される外部構成要素として実装できる。また、システム100は、ディスプレイ、マウス、タッチパッド、キーボードなどを含むがこれらに限定されるものではない1つ又は複数の入出力(I/O)装置を備える、及び/又はそれに接続することができる(例えば、通信インタフェース124を介して)。
通信インタフェース124及び/又はプロセッサ120は、3Gセルラネットワーク、4Gセルラネットワークなどの広域セルラ電話ネットワーク又は移動体通信(GSM(登録商標))ネットワーク用のグローバルシステムと、Wi-Fiネットワーク(例えば、IEEE 802.11ネットワーク規格を使用して動作する無線ローカルエリアネットワーク(WLAN))などの無線コンピュータ通信ネットワークと、インターネットと、広域ネットワーク(WAN)と、ローカルエリアネットワーク(LAN)と、パーソナルエリアネットワーク(PAN)(例えば、IEEE802.15ネットワーク規格を使用して動作する無線パーソナルエリアネットワーク(WPAN))と、公衆電話網と、エクストラネットと、イントラネットなどを含むが必ずしもこれらに限定されない様々な異なるネットワークと通信するように構成することができる。しかしながら、このリストは例としてのみ提供されており、本開示を限定することを意味していない。さらに、通信インタフェース124は、単一のネットワーク又は異なるアクセスポイントにわたって複数のネットワークと通信するように構成することができる。
(実施例1)例示的モニタリングシステム
一般に、本明細書に記載のシステム100は、任意の数のサンプリング位置からサンプルを採取するために任意の数の遠隔サンプリングシステム104を組み込むことができる。一実施形態では、図12に示すように、システム100は、薬液槽、バルク化学物質、環境流出物、及び他の液体サンプルを利用する処理施設の異なる5つの位置に配置された5つの遠隔サンプリングシステム104(104A、104B、104C、104D、104Eとして示す)を含む。遠隔サンプリングシステム104は、異なる位置でサンプルを取得し、5つの遠隔サンプリングシステム104のそれぞれから遠隔に配置された分析システム102に転送する。第1遠隔サンプリングシステム104Aは、脱イオン水パイプライン1000に近接して配置され、分析システム102から約40メートル(40m)の距離(d5として示す)だけ離間している。第2遠隔サンプリングシステム104Bは分配弁点1002に近接して配置され、分析システム102から約80メートル(80m)の距離(d4として示す)だけ離間している。第3遠隔サンプリングシステム104Cは化学物質供給タンク1004に近接して配置され、分析システム102から約80メートル(80m)の距離(d3として示す)だけ離間している。化学物質供給タンク1004は、化学物質貯蔵タンク1008から離れて配置され、そこから化学物質を供給される。第4遠隔サンプリングシステム104Dは化学物質供給タンク1006に近接して配置され、分析システム102から約80メートル(80m)の距離(d2として示す)だけ離間している。化学物質供給タンク1006は、化学物質貯蔵タンク1008から離れて配置され、そこから化学物質を供給される。第5遠隔サンプリングシステム104Eは、化学物質供給タンク1004に近接して配置され、分析システム102から約300メートル(300m)の距離(d1として示す)だけ離間している。5個の遠隔サンプリングシステム104が示されているが、システム100は、5個より多い遠隔サンプリングシステム104を利用して、他のプロセス流、薬液槽、大量の化学物資貯蔵庫、環境排水、及び他の液体サンプルなどの処理施設全体にわたって超微量不純物を監視できる。一実施形態では、遠隔サンプリングシステム104から分析システムへのサンプルの転送は、毎秒約1.2メートル(1.2m/s)の速度で提供され、それにより、ほぼリアルタイムの処理施設全体の超微量不純物分析(例えば、ICPMS分析)が提供される。
一般に、本明細書に記載のシステム100は、任意の数のサンプリング位置からサンプルを採取するために任意の数の遠隔サンプリングシステム104を組み込むことができる。一実施形態では、図12に示すように、システム100は、薬液槽、バルク化学物質、環境流出物、及び他の液体サンプルを利用する処理施設の異なる5つの位置に配置された5つの遠隔サンプリングシステム104(104A、104B、104C、104D、104Eとして示す)を含む。遠隔サンプリングシステム104は、異なる位置でサンプルを取得し、5つの遠隔サンプリングシステム104のそれぞれから遠隔に配置された分析システム102に転送する。第1遠隔サンプリングシステム104Aは、脱イオン水パイプライン1000に近接して配置され、分析システム102から約40メートル(40m)の距離(d5として示す)だけ離間している。第2遠隔サンプリングシステム104Bは分配弁点1002に近接して配置され、分析システム102から約80メートル(80m)の距離(d4として示す)だけ離間している。第3遠隔サンプリングシステム104Cは化学物質供給タンク1004に近接して配置され、分析システム102から約80メートル(80m)の距離(d3として示す)だけ離間している。化学物質供給タンク1004は、化学物質貯蔵タンク1008から離れて配置され、そこから化学物質を供給される。第4遠隔サンプリングシステム104Dは化学物質供給タンク1006に近接して配置され、分析システム102から約80メートル(80m)の距離(d2として示す)だけ離間している。化学物質供給タンク1006は、化学物質貯蔵タンク1008から離れて配置され、そこから化学物質を供給される。第5遠隔サンプリングシステム104Eは、化学物質供給タンク1004に近接して配置され、分析システム102から約300メートル(300m)の距離(d1として示す)だけ離間している。5個の遠隔サンプリングシステム104が示されているが、システム100は、5個より多い遠隔サンプリングシステム104を利用して、他のプロセス流、薬液槽、大量の化学物資貯蔵庫、環境排水、及び他の液体サンプルなどの処理施設全体にわたって超微量不純物を監視できる。一実施形態では、遠隔サンプリングシステム104から分析システムへのサンプルの転送は、毎秒約1.2メートル(1.2m/s)の速度で提供され、それにより、ほぼリアルタイムの処理施設全体の超微量不純物分析(例えば、ICPMS分析)が提供される。
(実施例2)再現性
一実施形態では、分析システム102は、遠隔サンプリングシステム104から100メートル(100m)の距離に配置された。遠隔サンプリングシステム104は、20個の別々のサンプルを得て、20個の別々のサンプルのそれぞれに存在する各化学種の信号強度を判定するために、それらを分析システム102に移送した。各個別サンプルは、以下の化学種、リチウム(Li)、ベリリウム(Be)、ホウ素(B)、ナトリウム(Na)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ゲルマニウム(Ge)、ストロンチウム(Sr)、銀(Ag)、カドミウム(Cd)、インジウム(In)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、バリウム(Ba)、セリウム(Ce)、ハフニウム(Hf)、タングステン(W)、及び鉛(Pb)を含んでいた。分析システム102による分析の際に、相対標準偏差(RSD)は、全ての化学種について20個すべての別個のサンプルにわたって3パーセント未満(<3%)であると判定された。したがって、分析システム102と遠隔サンプリングシステム104との間の100メートルでの例示的システム100は、サンプルを取得し、分析システム102にサンプルを移送する(例えば、移送ライン144を介して)し、分析システム102を用いてサンプルを分析することから信頼できる再現性を提供した。
一実施形態では、分析システム102は、遠隔サンプリングシステム104から100メートル(100m)の距離に配置された。遠隔サンプリングシステム104は、20個の別々のサンプルを得て、20個の別々のサンプルのそれぞれに存在する各化学種の信号強度を判定するために、それらを分析システム102に移送した。各個別サンプルは、以下の化学種、リチウム(Li)、ベリリウム(Be)、ホウ素(B)、ナトリウム(Na)、マグネシウム(Mg)、アルミニウム(Al)、カルシウム(Ca)、マンガン(Mn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、亜鉛(Zn)、ゲルマニウム(Ge)、ストロンチウム(Sr)、銀(Ag)、カドミウム(Cd)、インジウム(In)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、バリウム(Ba)、セリウム(Ce)、ハフニウム(Hf)、タングステン(W)、及び鉛(Pb)を含んでいた。分析システム102による分析の際に、相対標準偏差(RSD)は、全ての化学種について20個すべての別個のサンプルにわたって3パーセント未満(<3%)であると判定された。したがって、分析システム102と遠隔サンプリングシステム104との間の100メートルでの例示的システム100は、サンプルを取得し、分析システム102にサンプルを移送する(例えば、移送ライン144を介して)し、分析システム102を用いてサンプルを分析することから信頼できる再現性を提供した。
(実施例3)手動サンプリングとの比較-半導体プロセス例
図13を参照すると、半導体製造プロセスの薬液槽(SC-1槽)の経時的な金属汚染を示すチャートが提供されている。チャートは、3つの時点で採取された手動サンプルから測定された金属汚染についてのデータ点を示す部分1100を含む。また、チャートは、手動サンプリング法のサンプリング頻度を超える(例えば、少なくとも16倍から17倍の頻度)サンプリング頻度でシステム100から(例えば、遠隔サンプリングシステム104から)採取されたサンプルから測定された金属汚染のデータ点に重ね合わされた部分1100からの手動サンプルから測定された金属汚染のデータ点を示す部分1102を含む。部分1102に示されるように、汚染物質の漸増は、半導体製造プロセスにおいて経時的に発生する。特定の半導体プロセスにおいて化学物質を交換する時期を決定する寿命又は寿命カウント方法(例えば、部分1100からの手動サンプリング技術)は、時間経過による金属汚染の特異性を説明できない場合が多い。このように、化学物質はしばしば槽中の金属汚染物質の知識なしに交換される。これは、薬液槽が実際には追加のウェーハ処理を提供することができるがとにかく交換される(例えば、プロセスの稼働時間の損失をもたらす)過剰交換、又は薬液槽が実際には許容できない金属汚染を有するが遅い時期まで交換されない交換不足(例えば、プロセスによって製造されたウェーハを危険にさらす可能性がある)をもたらす可能性がある。部分1102に見られるように、金属汚染はシステム100によってより高い頻度で自動的に追跡され得る。汚染物質限界1104は、汚染物質限界に薬液槽が到達した場合、CIMホスト906に警告するように設定される。したがって、システム100は、汚染限界1104に達すると自動的にプロセス動作を停止させ(例えば、交換不足を回避しながら)、汚染限界1104に達しない場合はプロセスを継続させ、それによって実行可能な場合プロセスの稼働時間を提供する(例えば、過剰交換を回避する)。
図13を参照すると、半導体製造プロセスの薬液槽(SC-1槽)の経時的な金属汚染を示すチャートが提供されている。チャートは、3つの時点で採取された手動サンプルから測定された金属汚染についてのデータ点を示す部分1100を含む。また、チャートは、手動サンプリング法のサンプリング頻度を超える(例えば、少なくとも16倍から17倍の頻度)サンプリング頻度でシステム100から(例えば、遠隔サンプリングシステム104から)採取されたサンプルから測定された金属汚染のデータ点に重ね合わされた部分1100からの手動サンプルから測定された金属汚染のデータ点を示す部分1102を含む。部分1102に示されるように、汚染物質の漸増は、半導体製造プロセスにおいて経時的に発生する。特定の半導体プロセスにおいて化学物質を交換する時期を決定する寿命又は寿命カウント方法(例えば、部分1100からの手動サンプリング技術)は、時間経過による金属汚染の特異性を説明できない場合が多い。このように、化学物質はしばしば槽中の金属汚染物質の知識なしに交換される。これは、薬液槽が実際には追加のウェーハ処理を提供することができるがとにかく交換される(例えば、プロセスの稼働時間の損失をもたらす)過剰交換、又は薬液槽が実際には許容できない金属汚染を有するが遅い時期まで交換されない交換不足(例えば、プロセスによって製造されたウェーハを危険にさらす可能性がある)をもたらす可能性がある。部分1102に見られるように、金属汚染はシステム100によってより高い頻度で自動的に追跡され得る。汚染物質限界1104は、汚染物質限界に薬液槽が到達した場合、CIMホスト906に警告するように設定される。したがって、システム100は、汚染限界1104に達すると自動的にプロセス動作を停止させ(例えば、交換不足を回避しながら)、汚染限界1104に達しない場合はプロセスを継続させ、それによって実行可能な場合プロセスの稼働時間を提供する(例えば、過剰交換を回避する)。
あるいは、本明細書に記載の他の例に加えて、例は以下の任意の組み合わせを含む。
誘導結合プラズマ(ICP)分析機器を較正するためのシステムであって、遠隔サンプリングシステムからサンプルを受け取り、受け取ったサンプル中の第1サンプルマトリックス中の対象化学種の濃度を決定するように構成されたサンプル分析装置と、サンプル分析装置に動作可能に結合されたコントローラであって、サンプル分析装置による第2サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて一次較正曲線を生成し、サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて二次較正曲線を生成し、二次較正曲線を一次較正曲線と関連付けるマトリックス補正係数を決定するように構成される、コントローラとを備える、システム。
サンプル分析装置が第1位置に配置され、遠隔サンプリングシステムが第2位置に配置され、第1位置が第2位置から離れている、上記システム。
第2サンプルマトリックスは、第1サンプルマトリックスよりもサンプル分析装置における減衰及びドリフトのうちの少なくとも一方に対して比較的応答性が高い、上記システム。
コントローラが、サンプル分析装置による第2サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の周期的分析に基づいて一次較正曲線を更新するように構成される、上記システム。
第1サンプルマトリックスが、脱イオン水、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、塩酸、過酸化物、フッ化アンモニウム、LAL化学物質、DSP化学物質、及びFND化学物質からなる群から選択されるサンプルマトリックスからなる、上記のシステム。
第2サンプルマトリックスが、脱イオン水、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、塩酸、過酸化物、フッ化アンモニウム、LAL化学物質、DSP化学物質、及びFND化学物質からなる群から選択されるサンプルマトリックスからなる、上記システム。
一次較正曲線が一次曲線勾配を有し、二次較正曲線が二次曲線勾配を有し、マトリックス補正係数が二次曲線勾配を一次曲線勾配で除算することによって決定される、上記システム。
誘導結合プラズマ(ICP)分析機器を較正する方法であって、サンプル分析装置による第1サンプルマトリックスを有する対象化学種の第1標準溶液の分析に基づいて一次較正曲線を生成することと、サンプル分析装置による第2サンプルマトリックスを有する対象化学種の第2標準溶液の分析に基づいて二次較正曲線を生成することと、二次較正曲線を一次較正曲線と関連付けるために、二次較正曲線用のマトリックス補正係数を決定することとを含む、方法。
一次較正曲線を生成することが、サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて一次較正曲線を生成することを含む、上記方法。
二次較正曲線を生成することが、サンプル分析装置による第2サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて二次較正曲線を生成することを含む、上記方法。
第1サンプルマトリックスは、第2サンプルマトリックスよりもサンプル分析装置における減衰及びドリフトのうちの少なくとも一方に対して比較的応答性が高い、上記方法。
サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の周期的分析に基づいて一次較正曲線を更新することをさらに含む、上記方法。
二次較正曲線の勾配を一次較正曲線の勾配で除算することによってマトリックス補正係数を決定することをさらに含む、上述の方法。
誘導結合プラズマ(ICP)分析機器を較正するためのシステムであって、サンプル分析装置に通信可能に結合するように構成された少なくとも1つのプロセッサと、コンピュータプログラムコードを含む少なくとも1つのメモリであって、少なくとも1つのメモリとコンピュータプログラムコードが、少なくとも1つのプロセッサを使用して、ICP分析機器に、サンプル分析装置による第2サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて一次較正曲線を生成させ、サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて二次較正曲線を生成させ、二次較正曲線を一次較正曲線と関連付けるマトリックス補正係数を決定させるように構成される、少なくとも1つのメモリとを含む、システム。
少なくとも1つのプロセッサが、サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて、ICP分析機器に一次較正曲線をさらに生成させる、上記システム。
少なくとも1つのプロセッサが、サンプル分析装置による第2サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて、ICP分析機器に二次較正曲線をさらに生成させる、上記システム。
第1サンプルマトリックスが、第2サンプルマトリックスよりもサンプル分析装置における減衰及びドリフトのうちの少なくとも一方に対して比較的応答性が高い、上記システム。
少なくとも1つのプロセッサが、サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の周期的分析に基づいて、ICP分析機器に一次較正曲線をさらに更新させる、上記システム。
少なくとも1つのプロセッサが、ICP分析機器に、二次較正曲線の勾配を一次較正曲線の勾配で除算することによってマトリックス補正係数をさらに決定させる、上記システム。
第1サンプルマトリックスが、脱イオン水、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、塩酸、過酸化物、フッ化アンモニウム、LAL化学物質、DSP化学物質、及びFND化学物質からなる群から選択されるサンプルマトリックスからなり、第2サンプルマトリックスが、脱イオン水、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、塩酸、過酸化物、フッ化アンモニウム、LAL化学物質、DSP化学物質、及びFND化学物質からなる群から選択されるサンプルマトリックスからなる、上記システム。
(結論)
実施形態では、様々な分析装置が、本明細書に記載の構造、技法、手法などを利用することができる。したがって、本明細書ではシステムが説明されているが、様々な分析機器が、説明されている技法、手法、構造などを利用することができる。これらの装置は、限られた機能(例えば、薄型装置)又は堅牢な機能(例えば、厚型装置)で構成されてもよい。したがって、装置の機能は、装置のソフトウェア又はハードウェアリソース、例えば処理能力、メモリ(例えば、データ記憶能力)、分析能力などに関連し得る。
実施形態では、様々な分析装置が、本明細書に記載の構造、技法、手法などを利用することができる。したがって、本明細書ではシステムが説明されているが、様々な分析機器が、説明されている技法、手法、構造などを利用することができる。これらの装置は、限られた機能(例えば、薄型装置)又は堅牢な機能(例えば、厚型装置)で構成されてもよい。したがって、装置の機能は、装置のソフトウェア又はハードウェアリソース、例えば処理能力、メモリ(例えば、データ記憶能力)、分析能力などに関連し得る。
一般に、本明細書に記載の機能のいずれも、ハードウェア(例えば、集積回路などの固定論理回路)、ソフトウェア、ファームウェア、手動処理、又はそれらの組み合わせを使用して実装することができる。したがって、上記の開示で論じたブロックは、一般にハードウェア(例えば、集積回路などの固定論理回路)、ソフトウェア、ファームウェア、又はそれらの組み合わせを表す。ハードウェア構成の例では、上記の開示で論じた様々なブロックは、他の機能と共に集積回路として実装することができる。そのような集積回路は、所与のブロック、システム、又は回路の機能のすべて、あるいはブロック、システム、又は回路の機能の一部を含むことができる。さらに、ブロック、システム、又は回路の要素は、複数の集積回路にわたって実装することができる。そのような集積回路は、モノリシック集積回路、フリップチップ集積回路、マルチチップモジュール集積回路、及び/又は混合信号集積回路を含むがこれらに限定されない様々な集積回路を含むことができる。ソフトウェア実装の例では、上記の開示で説明した様々なブロックは、プロセッサ上で実行された場合に指定のタスクを実行する実行可能命令(例えば、プログラムコード)を表す。これらの実行可能命令は、1つ又は複数の有形のコンピュータ可読媒体に格納することができる。幾つかのそのような例では、システム、ブロック、又は回路全体が、そのソフトウェア又はファームウェアの同等物を使用して実装され得る。他の例では、所与のシステム、ブロック、又は回路の一部はソフトウェア又はファームウェアで実装され、他の部分はハードウェアで実装される。
主題は、構造的特徴及び/又はプロセス動作に特有の言語で説明されているが、添付の請求項に定義された主題は、必ずしも上記の特定の特徴又は動作に限定されないことを理解されたい。むしろ、上記の特定の特徴及び動作は、請求項を実施する例示的な形態として開示される。
Claims (20)
- 誘導結合プラズマ(ICP)分析機器を較正するためのシステムであって、
遠隔サンプリングシステムからサンプルを受け取り、前記受け取ったサンプル中の第1サンプルマトリックス中の対象化学種の濃度を決定するように構成されたサンプル分析装置と、
前記サンプル分析装置に動作可能に結合されたコントローラであって、
前記サンプル分析装置による第2サンプルマトリックス中の前記対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて一次較正曲線を生成し、
前記サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の前記対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて二次較正曲線を生成し、
前記二次較正曲線を前記一次較正曲線と関連付けるマトリックス補正係数を決定するように構成される、コントローラと、
を備える、システム。 - 前記サンプル分析装置が第1位置に配置され、前記遠隔サンプリングシステムが第2位置に配置され、前記第1位置が前記第2位置から離れている、請求項1に記載のシステム。
- 前記第2サンプルマトリックスは、前記第1サンプルマトリックスよりも前記サンプル分析装置における減衰及びドリフトのうちの少なくとも一方に対して比較的応答性が高い、請求項1に記載のシステム。
- 前記コントローラが、前記サンプル分析装置による前記第2サンプルマトリックス中の前記対象化学種の異なる濃度の周期的分析に基づいて前記一次較正曲線を更新するように構成される、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1サンプルマトリックスが、脱イオン水、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、塩酸、過酸化物、フッ化アンモニウム、LAL化学物質、DSP化学物質、及びFND化学物質からなる群から選択されるサンプルマトリックスからなる、請求項1に記載のシステム。
- 前記第2サンプルマトリックスが、脱イオン水、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、塩酸、過酸化物、フッ化アンモニウム、LAL化学物質、DSP化学物質、及びFND化学物質からなる群から選択されるサンプルマトリックスからなる、請求項1に記載のシステム。
- 前記一次較正曲線が一次曲線勾配を有し、前記二次較正曲線が二次曲線勾配を有し、前記マトリックス補正係数が前記二次曲線勾配を前記一次曲線勾配で除算することによって決定される、請求項1に記載のシステム。
- 誘導結合プラズマ(ICP)分析機器を較正する方法であって、
サンプル分析装置による第1サンプルマトリックスを有する対象化学種の第1標準溶液の分析に基づいて一次較正曲線を生成することと、
前記サンプル分析装置による第2サンプルマトリックスを有する前記対象化学種の第2標準溶液の分析に基づいて二次較正曲線を生成することと、
前記二次較正曲線を前記一次較正曲線と関連付けるために、前記二次較正曲線用のマトリックス補正係数を決定することと、
を含む、方法。 - 前記一次較正曲線を生成することが、前記サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の前記対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて前記一次較正曲線を生成することを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記二次較正曲線を生成することが、前記サンプル分析装置による前記第2サンプルマトリックス中の前記対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて前記二次較正曲線を生成することを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記第1サンプルマトリックスは、前記第2サンプルマトリックスよりも前記サンプル分析装置における減衰及びドリフトのうちの少なくとも一方に対して比較的応答性が高い、請求項8に記載の方法。
- 前記サンプル分析装置による前記第1サンプルマトリックス中の前記対象化学種の異なる濃度の周期的分析に基づいて前記一次較正曲線を更新することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記二次較正曲線の勾配を前記一次較正曲線の勾配で除算することによって前記マトリックス補正係数を決定することをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 誘導結合プラズマ(ICP)分析機器を較正するためのシステムであって、
サンプル分析装置に通信可能に結合するように構成された少なくとも1つのプロセッサと、
コンピュータプログラムコードを含む少なくとも1つのメモリであって、前記少なくとも1つのメモリと前記コンピュータプログラムコードが、前記少なくとも1つのプロセッサを使用して、前記ICP分析機器に、
前記サンプル分析装置による第2サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて一次較正曲線を生成させ、
前記サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の前記対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて二次較正曲線を生成させ、
前記二次較正曲線を前記一次較正曲線と関連付けるマトリックス補正係数を決定させるように構成される、少なくとも1つのメモリと、
を含む、システム。 - 前記少なくとも1つのプロセッサが、前記サンプル分析装置による第1サンプルマトリックス中の対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて、前記ICP分析機器に前記一次較正曲線をさらに生成させる、請求項14に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つのプロセッサが、前記サンプル分析装置による前記第2サンプルマトリックス中の前記対象化学種の異なる濃度の分析に基づいて、前記ICP分析機器に前記二次較正曲線をさらに生成させる、請求項14に記載のシステム。
- 前記第1サンプルマトリックスは、前記第2サンプルマトリックスよりも前記サンプル分析装置における減衰及びドリフトのうちの少なくとも一方に対して比較的応答性が高い、請求項14に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つのプロセッサが、前記サンプル分析装置による前記第1サンプルマトリックス中の前記対象化学種の異なる濃度の周期的分析に基づいて、前記ICP分析機器に前記一次較正曲線をさらに更新させる、請求項14に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つのプロセッサが、前記ICP分析機器に、前記二次較正曲線の勾配を前記一次較正曲線の勾配で除算することによってマトリックス補正係数をさらに決定させる、請求項14に記載のシステム。
- 前記第1サンプルマトリックスが、脱イオン水、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、塩酸、過酸化物、フッ化アンモニウム、LAL化学物質、DSP化学物質、及びFND化学物質からなる群から選択されるサンプルマトリックスからなり、前記第2サンプルマトリックスが、脱イオン水、イソプロピルアルコール、アンモニア溶液、フッ化水素酸、塩酸、過酸化物、フッ化アンモニウム、LAL化学物質、DSP化学物質、及びFND化学物質からなる群から選択されるサンプルマトリックスからなる、請求項14に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762612033P | 2017-12-29 | 2017-12-29 | |
US62/612,033 | 2017-12-29 | ||
US16/234,935 | 2018-12-28 | ||
US16/234,935 US10978280B2 (en) | 2017-12-29 | 2018-12-28 | Systems and methods for ICPMS matrix offset calibration |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019144231A JP2019144231A (ja) | 2019-08-29 |
JP7233083B2 true JP7233083B2 (ja) | 2023-03-06 |
Family
ID=67058494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019000299A Active JP7233083B2 (ja) | 2017-12-29 | 2019-01-04 | Icpmsマトリックスオフセット較正システム及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10978280B2 (ja) |
JP (1) | JP7233083B2 (ja) |
KR (1) | KR102626747B1 (ja) |
CN (1) | CN110034006B (ja) |
TW (1) | TWI801481B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4022666A1 (en) * | 2019-08-30 | 2022-07-06 | DH Technologies Development Pte. Ltd. | Method for mass spectrometry |
US11315776B2 (en) | 2019-10-01 | 2022-04-26 | Elemental Scientific, Inc. | Automated inline preparation and degassing of volatile samples for inline analysis |
WO2021122739A1 (en) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | F. Hoffmann-La Roche Ag | Method for calibrating at least one mass spectrometry device |
WO2021159225A1 (en) * | 2020-02-10 | 2021-08-19 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Metal contamination test apparatus and method |
DE102020113317A1 (de) * | 2020-05-15 | 2021-11-18 | Endress+Hauser Conducta Gmbh+Co. Kg | Automatische Probennahmevorrichtung und Verfahren zum automatisierten Bereitstellen einer Probe für eine qualitative und/oder quantitative Bestimmung eines Analyten |
CN114002424A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-02-01 | 深圳市帝迈生物技术有限公司 | 一种样本分析仪及其检测方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009516180A (ja) | 2005-11-15 | 2009-04-16 | ファハホッフシューレ ミュンスター | 校正用の標準セット |
US8143580B1 (en) | 2009-04-14 | 2012-03-27 | Jacob Y Wong | Crossed biased filtering NDIR gas sensing methodology |
US20160203963A1 (en) | 2015-01-09 | 2016-07-14 | Micromass Uk Limited | Mass Correction |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08159975A (ja) * | 1994-12-02 | 1996-06-21 | Procter & Gamble Co:The | 洗剤または洗剤原料中のアルミノ珪酸塩、珪酸塩およびリン酸塩の分析方法 |
ATE526573T1 (de) * | 1997-01-14 | 2011-10-15 | Otsuka Pharma Co Ltd | Verfahren zur messung stabiler isotope mittels spektroskopie |
US6615646B2 (en) * | 2001-04-27 | 2003-09-09 | Edwards Systems Technology, Inc. | Carbon dioxide sensor for controlling exhaust gas recirculation in diesel engines |
US20040171034A1 (en) * | 2002-05-03 | 2004-09-02 | Brian Agnew | Compositions and methods for detection and isolation of phosphorylated molecules |
US6902646B2 (en) * | 2003-08-14 | 2005-06-07 | Advanced Energy Industries, Inc. | Sensor array for measuring plasma characteristics in plasma processing environments |
JP4237803B2 (ja) * | 2007-02-16 | 2009-03-11 | 田中貴金属工業株式会社 | 固体試料の直接icp発光分光分析法 |
EP2718710B1 (en) * | 2011-06-06 | 2021-12-01 | Waters Technologies Corporation | Methods for quantifying target analytes in a sample |
US9121793B2 (en) * | 2012-03-21 | 2015-09-01 | Li-Cor, Inc. | Semi-open-path gas analysis systems and methods |
US10379125B2 (en) * | 2013-12-27 | 2019-08-13 | Becton, Dickinson And Company | System and method for dynamically calibrating and measuring analyte concentration in diabetes management monitors |
-
2018
- 2018-12-28 US US16/234,935 patent/US10978280B2/en active Active
- 2018-12-31 KR KR1020180173493A patent/KR102626747B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-01-02 CN CN201910002140.5A patent/CN110034006B/zh active Active
- 2019-01-02 TW TW108100092A patent/TWI801481B/zh active
- 2019-01-04 JP JP2019000299A patent/JP7233083B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009516180A (ja) | 2005-11-15 | 2009-04-16 | ファハホッフシューレ ミュンスター | 校正用の標準セット |
US8143580B1 (en) | 2009-04-14 | 2012-03-27 | Jacob Y Wong | Crossed biased filtering NDIR gas sensing methodology |
US20160203963A1 (en) | 2015-01-09 | 2016-07-14 | Micromass Uk Limited | Mass Correction |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190082154A (ko) | 2019-07-09 |
US10978280B2 (en) | 2021-04-13 |
KR102626747B1 (ko) | 2024-01-17 |
TWI801481B (zh) | 2023-05-11 |
CN110034006B (zh) | 2024-03-22 |
CN110034006A (zh) | 2019-07-19 |
JP2019144231A (ja) | 2019-08-29 |
TW201937155A (zh) | 2019-09-16 |
US20190206663A1 (en) | 2019-07-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7561796B2 (ja) | 液体サンプルを収集するためのシステム | |
JP7233083B2 (ja) | Icpmsマトリックスオフセット較正システム及び方法 | |
US11041835B2 (en) | System for collecting liquid sample | |
TWI808094B (zh) | 用於在純化學物質中之超低濃度的遠端線上濃度之自動化系統 | |
US11761860B2 (en) | System for collecting liquid samples and transporting over distances while maintaining a liquid sample segment | |
US20230152340A1 (en) | System for prioritization of collecting and analyzing liquid samples | |
US11348773B2 (en) | Systems and methods for ICPMS matrix offset calibration |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230131 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7233083 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |