JP7232824B2 - プラズマ耐性が強化されたボンディング材及び関連付けられた方法 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、参照により全内容が本明細書に組み込まれている、２０１７年９月１５日に出願された米国特許仮出願第６２／５５９，００８号の優先権を主張するものである。
本開示は、半導体デバイス加工時に使用されるボンディング材に関し、より具体的には、プラズマ加工及び／又はエッチング加工に対する耐性が強化されたボンディング材に関する。
半導体アセンブリは、個別の半導体コンポーネント又はパーツが、１つ以上のボンディング材で互いに貼り付けられている。プロセスチャンバの運転中、個別コンポーネント及びボンディング材は、ボンディング材にダメージを与える可能性がある温度及び化学作用の下で実施されるエッチングプロセスのようなプラズマ環境に曝されている。そのような環境では、ボンディング材は、著しい腐食に曝されて、寿命が短くなったり、層剥離しやすくなったりする可能性がある。
更に、ボンディング材が腐食すると、半導体製造チャンバ内で粒子が増えたり、熱がより不均一になったりする可能性がある。この問題に対処する一方法は、プラズマ耐性が高いボンディング材を使用して腐食を防ぐことである。しかしながら、この方法の一弱点として、耐プラズマ材は非常に高価な場合があり、又、時間とともに消耗する可能性がある。従って、この方法は、その費用の為に、多くの半導体コンポーネントでの使用が現実的ではない。この問題に対処する為に企図される別の方法は、ボンディング材がプラズマ環境に曝されないように、ボンディング材をプラズマエッチングプロセスからシールドすることである。しかしながら、この方法も、多くの用途に対して現実的ではなくなっている。これは、半導体コンポーネントの形状をより小さくすることが絶えず求められていて、多くの場合、ボンディング材を露出させないように完全にシールドすることが非常に困難である為である。そこで、プラズマプロセス及びエッチングプロセスに対する耐性を高めたボンディング材を提供する為の別のアプローチが必要とされている。
本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたものである。
半導体コンポーネントとともに使用されるボンディングシートであって、第１の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第１の面と、第２の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第２の面と、前記ボンディングシートの第１の領域に配置された耐エッチング材と、前記ボンディングシートの第２の領域に配置されたボンディング材と、前記第２の領域の前記ボンディング材に埋め込まれた複数の熱伝導要素と、を含み、個々の第１の領域が、個々の第２の領域と明確に分けられていて、前記個々の第２の領域に近接して配置されている。
本技術の一実施形態による半導体アセンブリの、図１Ｂの線１Ａ－１Ａに沿って得られた概略断面図である。 本技術の一実施形態による、図１Ａに示された半導体アセンブリの、図１Ａの線１Ｂ－１Ｂに沿って得られた概略平面図である。 乃至 本技術の一実施形態による半導体アセンブリ形成方法の概略断面図である。
以下の記述では、本技術の実施形態の詳細にして実施を可能にする説明を行う為に、多数の具体的詳細について論じる。しかしながら、当業者であれば理解されるように、本開示は、これらの具体的詳細のうちの１つ以上がなくても実施可能である。又、場合によっては、本技術の他の態様が曖昧にならないように、半導体デバイスにしばしば関連付けられるよく知られた構造又は動作については示しておらず、或いは詳細に説明していない。当然のことながら、全般的には、本明細書に開示の具体的な実施形態に加えて、様々な他のデバイス、システム、及び方法が本技術の範囲に包含されてよい。
上述のように、半導体デバイス及び／又はパーツのボンディングに使用されるボンディング材は、粒子の大量発生の原因になってきたプラズマ環境及び化学作用に耐えることをますます求められて、設計され続けている。そこで、本技術によるボンディング材の幾つかの実施形態は、プラズマ環境に曝された場合に従来のボンディング材に比べて粒子の発生が著しく少ないボンディングシートを含む。本技術のボンディング材は、第１の半導体コンポーネントと第２の半導体コンポーネントとの間に位置して、第１の半導体コンポーネントを第２の半導体コンポーネントに貼り付ける。ボンディングシートは、ベースボンディング材と、ベースボンディング材に組み込まれた複数の熱伝導要素と、を含んでよい。熱伝導要素は、有機充填材及び／又は無機充填材を含んでよく、幾つかの実施形態では、半導体加工中に分解してガス相になるように構成されている。ボンディングシートは更に、エッチングされた開口部に耐エッチングコンポーネントが充填されてよい。
図１Ａは、半導体アセンブリ１００（「アセンブリ１００」）の概略断面図であり、図１Ｂは、図１Ａの線１Ｂ－１Ｂに沿って得られた、アセンブリ１００の概略上面図である。図１Ａ及び１Ｂを一緒に参照すると、アセンブリ１００は、第１の半導体コンポーネント１０１、第２の半導体コンポーネント１０２、及びボンディングシート１１０を含み、ボンディングシート１１０は、第１の面１１１が第１の半導体コンポーネント１０１に貼り付けられており、第２の面１１２が第２の半導体コンポーネント１０２に貼り付けられている。
第１及び第２の半導体コンポーネント１０１、１０２は、それぞれが、半導体アセンブリの１つ以上のパーツ又は基板を含んでよく、そのようなものとして、再配線構造、インタポーザ、プリント回路基板、誘電体スペーサ、半導体ダイ（例えば、ロジックダイ）、又は当該技術分野において知られている別の適切な基板等があるが、これらに限定されない。第１及び第２の半導体コンポーネント１０１、１０２は、半導体加工方法に適する多数の材料のうちの任意の１つから形成されてよく、そのような材料として、シリコン、ガラス、セラミック材料（例えば、アルミニウム酸化物、アルミニウム窒化物、又はアルミニウム合金）、ガリウムひ素、窒化ガリウム、有機積層板等がある。
ボンディングシート１１０は、ボンディング材１１５と、ボンディング材１１５に組み込まれた熱伝導要素１２０（例えば、粒子充填材）と、幅が様々で、ボンディングシート１１０を少なくとも部分的に貫通して延びる、複数の開口部１３０ａ～ｄ（まとめて「開口部１３０」と呼ばれる）と、１つ以上の開口部１３０の中にある耐エッチングコンポーネント１２５と、を含んでよい。幾つかの実施形態では、ボンディングシート１１０は更に、接着促進剤、及び／又は他の、ボンディング材１１５内での重合又は架橋を遅らせる要素を含んでよい。
ボンディングシート１１０は、非圧縮性であって、型抜き、レーザ切削、又は他の、当該技術分野において知られているプラズマエッチングプロセスによってパターニングされるように構成された自己支持シートであってよい。後で詳述するように、ボンディングシート１１０は、全体の平坦度、厚さ、熱伝導率、伸び、及び／又は他の設計要因についての仕様を包含するように製造されてよい。これらの要因のそれぞれは、ボンディングシート１１０が使用される具体的な用途に応じて様々であってよく、一般に、平坦度、厚さ、熱伝導率、及び伸びは、これらの特性にとって望ましい任意の値であってよい。幾つかの実施形態では、シートは、（ａ）ボンディングシート１１０の表面幅全体の平坦度の仕様が約２０ミクロン未満であってよく、（ｂ） 厚さの仕様が約２００ミクロン以上、約１２０ミクロン、又は約１００ミクロン未満であってよく、（ｃ）熱伝導率の仕様が約０．３０Ｗ／ｍ・Ｋ未満、約０．３Ｗ／ｍ・Ｋから約０．５Ｗ／ｍ・Ｋ、又は約０．２５Ｗ／ｍ・Ｋから約０．８Ｗ／ｍ・Ｋであってよく、（ｄ）伸びの仕様が約５％から約１８％であってよい。ボンディングシート１１０は更に、熱均一性の仕様によって、ボンディングシート１１０の表面全体にわたる温度差が約２℃以下に制限されてよい。
ボンディング材１１５は、動作温度が約－６０℃から約１８０℃以上の範囲にあるポリマー接着剤を含んでよい。幾つかの実施形態では、ボンディング材１１５は、シリコンベースのポリマー（例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ））又はフルオロエラストマ（ＦＫＭ）（例えば、パーフルオロエラストマ（ＦＦＫＭ））を含んでよい。後で詳述するように、ボンディング材１１５は、第１及び／又は第２の半導体コンポーネント１０１、１０２上の対応する形状物（例えば、ガス穴、流体穴、電力接続等）に隣接する開口部１３０を作成するようにパターニング及びエッチングされるように構成されている。
前述のように、ボンディング材１１５は、ボンディング材１１５に１つ以上の熱伝導要素１２０が組み込まれていてよい。熱伝導要素１２０としては、窒化ホウ素（ＢＮ）粒子（例えば、立方ＢＮ）又は他の材料、及び／又は、ボンディング材１１５中に懸濁され、プラズマプロセスに曝されると分解してガス相になるように構成された有機充填材（例えば、シリカ粒子）があってよい。従って、幾つかの実施形態では、熱伝導要素１２０は、ボンディング材１１５がプラズマプロセス及び／又はエッチングプロセスに曝された場合に粒子を発生させないか、比較的まれにしか発生させない。幾つかの実施形態では、熱伝導要素１２０の粒子サイズは、様々なサイズの粒子のマトリックスを含んでよく、表面幅又は直径が約１ナノメートルから約１０ミクロンの様々なサイズであってよい。ボンディング材１１５中に存在する熱伝導要素１２０の量は、約５％から約２５％以上の間で様々であってよく、前述のボンディングシート１１０の仕様のうちの１つ以上を変更することに使用されてよい。例えば、窒化ホウ素粒子はＰＤＭＳより熱伝導率が高く、弾性が低い。従って、ボンディングシートがＰＤＭＳで作られている場合、ボンディング材１１５中に窒化ホウ素粒子があると、ボンディングシート１１０の熱伝導率が高くなり、弾性が低くなる。窒化ホウ素粒子は、ボンディングシート１１０の機械的強度を高めることも可能である。有機充填材は窒化ホウ素と同様の仕様を有してよく、ボンディング材１１５に対する粒子の割合を同様に調節することが可能である。ボンディング材１１５中に存在する熱伝導要素の量は、ボンディングシート１１０で使用されるボンディング材１１５の相対量を希釈する為に使用されてもよい。幾つかのボンディング材１１５、例えば、ＦＦＫＭ等は比較的高価な原料であり、熱伝導要素（例えば、シリカ）を使用することにより、ＦＦＫＭの量を減らすことが可能であり、従って、ボンディングシート１１０の全体コストを下げることが可能である。
ボンディングシート１１０の開口部１３０内に配置された耐エッチングコンポーネント１２５は、プラズマプロセスに対する特定の腐食耐性を有することが可能であり、この耐性は、ボンディング材１１５の腐食耐性と少なくとも同等である。耐エッチングコンポーネント１２５は、バルクセラミック材料及び／又は１つ以上の耐プラズマ材でコーティングされた要素を含んでよい。幾つかの実施形態では、耐エッチングコンポーネント１２５は、耐プラズマコーティング（例えば、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、フッ化イットリウム（ＹＦ３）、オキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ））がコーティングされたポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ＦＦＫＭ、及びＰＥＥＫディスク等であってよい。コーティングされたＰＥＥＫディスクは、比較的低温（例えば、２５℃）での薄膜堆積プロセスにより形成可能である。幾つかの実施形態では、例えば、ボンディング材１１５がＦＦＫＭを含む場合には、耐エッチングコンポーネント１２５が省略されてよい。これは、プラズマプロセスに対するＦＦＫＭの耐性が十分なので耐エッチングコンポーネントの追加が不要な為である。そのような実施形態では、ＦＦＫＭを含み、熱伝導粒子が埋め込まれているボンディングシートが単独で、半導体デバイス同士をボンディングする為に使用されてよい。
図１Ｂに示された例示的実施形態に示されるように、耐エッチングコンポーネント１２５は、様々な幅の開口部１３０の中に配置されるように構成されてよく、且つ／又は、開口部１３０は、耐エッチングコンポーネント１２５を収容するようなサイズであってよい。図１Ｂに示された例示的実施形態は、ボンディングシート１１０に含まれることが可能な開口部１３０及び耐エッチングコンポーネント１２５の様々なサイズ、構成、及び空間的方位のうちのほんの幾つかを例示することを意図されている。又、実施形態によっては、開口部１３０及び耐エッチングコンポーネント１２５は、他のサイズ、構成、及び空間的方位を有してよい。例えば、幾つかの実施形態では、開口部１３０は、全てがほぼ同じ幅であってよい。
本技術の幾つかの実施形態の一利点は、多量の粒子を発生させることなく、プラズマプロセスに曝されてよいボンディングシートを形成できることである。例えば、熱伝導要素がプラズマプロセスに曝されたときに分解してガスになるように構成されることが可能なこと、並びに、耐エッチングコンポーネントが、プラズマプロセスに対して少なくとも部分的に耐性があるように構成されることにより、ボンディングシートがプラズマプロセスに曝されても、従来のボンディングシートに比べて粒子の発生が少なくなる。従って、プラズマ加工中に発生する粒子の量が抑えられれば、それによってボンディングシートの強度がより長期にわたって維持され、貼り付けられた第１及び／又は第２の半導体デバイスが層剥離する可能性が低くなる。
本技術の幾つかの実施形態の更に別の利点は、プラズマプロセス及びエッチングプロセスに耐えうるボンディングシートを、しかも比較的安価に製造できることである。耐プラズマコンポーネントを有するボンディングシートを形成することは、そのようなコンポーネントの原料が高価すぎる為、現実的でない場合がある。これに対し、本技術を用いると、耐エッチングコンポーネントは、ボンディング材全体のうちの特定の領域に組み込まれ、従って、より低コストで製造されて、より多くの半導体デバイス加工用途に使用されることが可能になる。
本技術の幾つかの実施形態の更に別の利点は、ボンディングシートを非常に高い公差でパターニングできることである。液状コンポーネントの場合は、接合プロセスの間に流動的に投入され、高精度のパターニングが概して困難である可能性があるが、これとは異なり、シート形態であれば、隣接する半導体デバイス上の対応する形状物の個々の寸法に合わせて正確に切削し、その後、耐エッチングコンポーネントで覆うことが可能である。このようにボンディングシートをより正確に切削できることによって、形状物の周囲に必要な除外区域を小さくすることが可能になり、実際に除去されるボンディング材の量を最小限に抑えることが可能になる。その結果、残っている追加ボンディング材は、隣接する半導体デバイスとのボンディングを強化することが可能であり、又、伝導による熱流量を増やして、ボンディング材の表面全体の熱均一性を向上させることが可能である。
図２Ａ～２Ｅは、半導体アセンブリ２００（「アセンブリ２００」）（図２Ｂ～２Ｅ）を形成する方法を示す概略断面図である。まず図２Ａを参照すると、ボンディングシート１１０は、ボンディング材１１５と、ボンディング材１１５中に分散及び／又は懸濁している熱伝導要素１２０とを含む。ボンディングシート１１０は更に、ボンディングシート１１０の第１の面１１１をほぼ覆う第１の保護材２０５と、ボンディングシート１１０の第２の面１１２をほぼ覆う第２の保護材２０６とを含む。第１及び第２の保護材２０５、２０６は、例えば、接着フィルム（例えば、ダイ接着フィルム）、エポキシ、テープ、ペースト、又は他の適切な材料であってよい。幾つかの実施形態では、第１及び第２の保護材２０５、２０６は、同じ材料であってよく、且つ／又は、ほぼ同じ厚さであってよい。
図２Ｂは、第２の保護材２０６がボンディングシート１１０から除去された（例えば、剥がされた）後のアセンブリ２００を示しており、ボンディングシート１１０の第２の面１１２が第２の半導体コンポーネント１０２と接触している。その後、ボンディングシート１１０の第１の面１１１は、ボンディングシート１１０に１つ以上の開口部（図２Ｃ）を形成する為に、ダイ切削されるか、レーザ切削されるか、且つ／又はリソグラフィ技術に曝されてよい。図２Ｂの例示的実施形態に示されるように、第２の半導体コンポーネント１０２の対応する形状物（例えば、ガス穴、流体穴、電力接続、又は他の明確な領域）の周囲のボンディングシート１１０を選択的にパターニングする為に、ボンディングシート１１０の第１の面１１１の上にマスク２１０（例えば、フォトレジスト）が配置又は形成されてよい。前述のように、ボンディングシート１１０は、従来の液状ボンディング材より正確に切削できる為、第２の半導体デバイス１０２の形状物の周囲に必要なクリアランスを最小限に抑えることが可能である。幾つかの実施形態では、ボンディングシート１１０、及び／又はボンディングシート１１０に隣接してボンディングされる半導体コンポーネントは、マスク２１０が第２の半導体デバイス１０２の対応する形状物の周囲に正確に配置されるようにすることを支援する１つ以上のアライメントピン又はマークを含んでよい。
次に図２Ｃ及び２Ｄを参照すると、ボンディングシート１１０を貫通して延びる開口部１３０が形成され、そこに耐エッチングコンポーネント１２５がほぼ充填される。前述のように、耐エッチングコンポーネント１２５は、ボンディングシート１１０に形成された特定の開口部１３０の中に嵌め込まれて配置されるように構成された個体ＰＥＥＫディスク（例えば、ワッシャ）を含んでよい。そのような実施形態では、ＰＥＥＫディスクの厚さは、ボンディングシート１１０の厚さとほぼ同じであってよい。別の実施形態では、耐エッチングコンポーネント１２５は、液状形態であってよく、ボンディングシート１１０の上から投入されて、開口部１３０に充填されてよい。図２Ｅは、第１の保護材２０５がボンディングシート１１０から除去された後のアセンブリ２００を示しており、第１の半導体コンポーネント１０１がボンディングシート１１０の第１の面１１１と接触している。
別の実施形態では、本技術により、半導体コンポーネントのボンディングを、前述の開示と異なる様式、及び／又は異なる順序で行うことが可能である。例えば、幾つかの実施形態では、ボンディング材、並びにボンディング材に組み込まれた熱伝導要素は、液状形態で存在してよい。そのような実施形態では、耐エッチングコンポーネント１２５が第１の半導体コンポーネントの特定領域の上に配置されてから、耐エッチングコンポーネント１２５の上に液状のボンディング材及び組み込まれた熱伝導要素が投入されてよい。液状のボンディング材は、その後、硬化してボンディングシートを形成することが可能である。
本開示は、包括的であることも、本技術を本明細書で開示されたままの形態に限定することも意図していない。本明細書では例示を目的として具体的な実施形態を開示したが、当業者であれば理解されるように、本技術から逸脱しない限り、様々な等価な修正が可能である。場合によっては、本技術の実施形態の説明が不要に曖昧にならないように、よく知られた構造及び機能については詳細な図示又は説明をしていない。本明細書では方法の各ステップを特定の順序で示している場合があるが、代替実施形態ではそれらのステップが別の順序で実施されてよい。同様に、特定の実施形態の文脈で開示された、本技術の特定の態様が、別の実施形態では組み合わされたり、除外されたりしてよい。更に、それらの実施形態の文脈で、本技術の特定の実施形態に関連付けられた利点を開示している場合があるが、別の実施形態でもそのような利点が示されてよく、全ての実施形態が、本技術の範囲内に収まるように、そのような利点、又は他の、本明細書に開示の利点を必ず示さなければならないわけではない。従って、本開示及び関連付けられた技術は、本明細書おいて明示的に図示又は説明されていない他の実施形態を包含することが可能であり、本発明は、添付の特許請求項によって限定される以外は限定されない。
本開示全体を通して、単数形の語句「ａ」、「ａｎ」、及び「ｔｈｅ」は、文脈上明らかに矛盾する場合を除き、複数の指示対象を包含するものとする。同様に、「又は（ｏｒ）」という語が、２つ以上のアイテムからなるリストを参照した場合に１つのアイテムだけを排他的に意味するように明示的に制限されているのでない限り、そのようなリストでの「又は（ｏｒ）」の使用は、（ａ）リスト中の任意の単一アイテム、（ｂ）リスト中の全てのアイテム、又は（ｃ）リスト中のアイテムの任意の組み合わせを包含するものとして解釈されたい。更に、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、及び「有する（ｈａｖｉｎｇ）」という語の使用は、全体を通して、同じ特徴及び／又は更なるタイプの他の特徴が更にどれだけあっても除外されないように、少なくとも記載された特徴を包含することを意味する。本明細書での「一実施形態（ｏｎｅ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎ）」、「一実施形態（ａｎ ｅｍｂｏｄｉｍｅｎｔ）」、又は同様の明確な語句への参照は、その実施形態に関連して記載された特定の機能、構造、動作、又は特性が本技術の少なくとも１つの実施形態に包含されてよいことを意味する。従って、そのような語句、又は明確な語句が本明細書に現れた場合、これは、必ずしも全てが同じ実施形態を参照しているわけではない。更に、様々な特定の機能、構造、動作、又は特性が、１つ以上の実施形態において任意の適切な様式で組み合わされてよい。本明細書では「約（ａｂｏｕｔ）」又は「約（ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ）」は、値の前に付く場合には、特に断らない限り、その値の±１０％を意味するものと解釈されたい。例えば、約２００ミクロンの厚さは、１８０ミクロンから２２０ミクロンの厚さを包含するものと解釈されたい。

Claims (19)

  1. 半導体コンポーネントとともに使用されるボンディングシートであって、
    第１の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第１の面と、
    第２の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第２の面と、
    前記ボンディングシートの第１の領域に配置された耐エッチング材であって、
    セラミック材料、
    酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、フッ化イットリウム（ＹＦ３）、及びオキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）の少なくとも１つでコーティングされた要素、
    フルオロエラストマ（ＦＫＭ）、
    又は、これらの組み合わせを含む前記耐エッチング材と、
    前記ボンディングシートの第２の領域に配置されたボンディング材であって、シリコンベースのポリマーを含む前記ボンディング材と、
    前記第２の領域の前記ボンディング材に埋め込まれた複数の熱伝導要素であって、プラズマプロセスに曝されたときに分解してガスになるように構成されている有機充填材を含む前記複数の熱伝導要素と、
    を含み、
    個々の第１の領域が、個々の第２の領域と明確に分けられていて、前記個々の第２の領域に近接して配置されている、
    ボンディングシート。
  2. 前記ボンディング材は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）及びフルオロエラストマ（ＦＫＭ）の少なくとも一方を含み、
    前記耐エッチング材はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含む、
    請求項１に記載のボンディングシート。
  3. 前記ボンディングシートは、
    厚さが約２００ミクロン未満であり、
    前記ボンディングシートの長さ全体の平坦度が約２０ミクロン未満であり、
    伸びの仕様が約２０％未満である、
    請求項１に記載のボンディングシート。
  4. 更に、
    熱伝導率が約０．３Ｗ／ｍ・Ｋ未満であり、
    前記ボンディングシートの表面全体にわたる温度差が、約-６０℃から約１８０℃の温度範囲において約２℃以下であるような熱均一性を有する、
    請求項１に記載のボンディングシート。
  5. 前記ボンディング材はポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を含む、請求項１に記載のボンディングシート。
  6. 前記ボンディング材はフルオロエラストマ（ＦＫＭ）を含む、請求項１に記載のボンディングシート。
  7. 前記第１の領域は、前記ボンディングシート中の、前記耐エッチング材が充填された開口部に対応し、前記開口部の少なくとも一部の直径が互いに異なり、前記開口部の少なくとも一部は、前記第１の半導体コンポーネント、前記第２の半導体コンポーネント、又はその両方の上にある形状物と一直線に並ぶように位置決めされる、請求項１に記載のボンディングシート。
  8. 前記熱伝導要素は、前記ボンディング材中に懸濁している粒子を含み、前記粒子は、シリカ粒子及び窒化ホウ素（ＢＮ）の少なくとも一方を含む、請求項１に記載のボンディングシート。
  9. 前記熱伝導要素は、前記ボンディングシートの前記ボンディング材の少なくとも約２０％を含む、請求項８に記載のボンディングシート。
  10. 前記耐エッチング材の前記要素はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含む、請求項１に記載のボンディングシート。
  11. 前記耐エッチング材は、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、フッ化イットリウム（ＹＦ３）、及びオキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）のうちの少なくとも１つを含む耐プラズマコーティングを含む、請求項１０に記載のボンディングシート。
  12. 前記第１及び第２の領域のそれぞれは、前記ボンディングシート全体を貫通して前記第１の面から前記第２の面に延びており、前記ボンディングシートの最も外側の表面は、前記耐エッチング材と前記ボンディング材とが交互に並ぶ、請求項１に記載のボンディングシート。
  13. １つ以上の接着促進剤を更に含む、請求項１に記載のボンディングシート。
  14. １つ以上の半導体コンポーネントを互いに対して貼り付けるデバイスであって、
    ボンディングシートであって、
    第１の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第１の面と、
    前記第１の面の反対側にあって、第２の半導体コンポーネントに貼り付けられるように構成された第２の面と、
    前記ボンディングシートのほぼ厚さ全体にわたるボンディング材と、
    前記ボンディングシートを貫通して前記第１の面から前記第２の面に延びる開口部内に配置された耐エッチング材であって、
    ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、
    酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、フッ化イットリウム（ＹＦ３）、及びオキシフッ化イットリウム（ＹＯＦ）でコーティングされた要素、
    又は、パーフルオロエラストマ（ＦＦＫＭ）を含む前記耐エッチング材と、
    前記ボンディング材に埋め込まれた複数の熱伝導要素であって、プラズマプロセスに曝されたときに分解してガスになるように構成されている熱伝導要素と、
    を含む前記ボンディングシート
    を含むデバイス。
  15. 前記耐エッチング材は、前記ボンディングシートの第１の領域に配置されており、
    前記ボンディング材は、前記ボンディングシートの、前記第１の領域とは別の第２の領域に配置されている、
    請求項１４に記載のデバイス。
  16. 前記ボンディング材は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）及びフルオロエラストマ（ＦＫＭ）の少なくとも一方を含み、
    前記耐エッチング材はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含み、
    前記熱伝導要素は有機充填材を含む、
    請求項１４に記載のデバイス。
  17. 前記ボンディング材はパーフルオロエラストマ（ＦＦＫＭ）を含む、請求項１４に記載のデバイス。
  18. 厚さが約２００ミクロン未満であり、
    熱伝導率が約０．３Ｗ／ｍ・Ｋ未満であり、
    前記ボンディングシートの長さ全体の平坦度が約２０ミクロン未満であり、
    伸びの仕様が約２０％未満である、
    請求項１４に記載のデバイス。
  19. ボンディングシートの製造方法であって、
    ボンディング材を含むボンディングシートに複数の開口部を形成するステップであって、前記開口部は前記ボンディングシートを少なくとも部分的に貫通して延び、前記ボンディング材は前記ボンディング材中に複数の熱伝導要素を含む、前記形成するステップと、
    前記ボンディングシートの前記開口部に耐エッチング材を充填するステップであって、前記耐エッチング材はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）又はパーフルオロエラストマ（ＦＦＫＭ）の少なくとも一方を含む、前記充填するステップと、
    を含む方法。
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