JP7223727B2 - 接合部、特にhts-lts接合部が組み込まれたマグネットコイル部、および関連するマグネットアセンブリ - Google Patents
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Description
ボビンは、主部領域を有し、この主部領域内に、HTSテープ導体の主巻線部がソレノイド状にボビンに巻き付けられていて、
ボビンはさらに、第一の側方部領域を有し、この第一の側方部領域は、軸方向で主部領域の第一の側方部側と隣接し、かつこの第一の側方部領域内でHTSテープ導体の第一の末端部分がボビンに巻き付けられていて、
少なくとも、第一の側方部領域の軸方向内側の部分内で、HTSテープ導体の第一の末端部分が、ボビンの溝状凹部内にガイドされていて、
HTSテープ導体の主巻線部は、最大外半径RaHを有し、かつボビンは、主部領域内で最小内半径RiHを有する。
第一の側方部領域内、または軸方向で主部領域の第二の側方部に隣接しかつ第一の側方部とは反対側に位置する第二の側方部領域内で、HTSテープ導体の第二の末端部分がボビンに巻き付けられていて、
少なくとも、第一のまたは第二の側方部領域の軸方向内側の部分内で、HTSテープ導体の第二の末端部分が、ボビンの溝状凹部内にガイドされていて、
第一の側方部領域の軸方向外側の部分内で、ボビンに巻き付けられた、HTSテープ導体の第一の末端部分の少なくとも一部分が、第一のSL後続導体の末端部分と面状に接続されて、第一の接合部を形成し、かつボビンに巻き付けられた、HTSテープ導体の第二の末端部分の少なくとも一部分は、第二のSL後続導体の末端部分と面状に接続されて、第二の接合部を形成し、
ボビン全体と、HTSテープ導体全体と、第一のSL後続導体とは、少なくとも第一の接合部の領域内において、マグネットコイル部の半径領域RBSの内側に延在し、かつ第二のSL後続導体は、少なくとも第二の接合部の領域内において、マグネットコイル部の半径領域RBS内側に延在し、
0.80*RiH≦RBS≦1.2*RaH、好ましくは0.9*RiH≦RBS≦1.1*RaH、特に好ましくはRiH≦RBS≦RaHである。
本発明によるマグネットコイル部の好ましい実施形態では、
第一の接合部と第二の接合部とは、それぞれボビンの全周にわたって延びており、
かつ/または第一の接合部と第二の接合部とは、それぞれ、少なくとも0.1m、好ましくは少なくとも0.5mのHTSテープ導体に対する重畳長にわたって延びている。本発明の範囲においては、大きな重複面または重複長を問題なく設定することができる。それにより、第一のおよび第二の接合部を、高い電流容量でかつ実質的にほんの僅かなオーム抵抗で特に確実に形成することができる。典型的には、第一のおよび第二の接合部では、HTSテープ導体に関しても、SL後続導体に関しても、それぞれボビンの周りに複数周、例えば少なくとも3周または少なくとも5回周巻き付けられる。特に接合部巻付チャンバを使用する場合は、HTSテープ導体の巻数とSL後続導体の巻数とは、異なっていてよいことに留意されたい。
第一の側方部領域の軸方向外側の部分内に、ボビンは、第一の接合部巻付チャンバとして周方向に延びる環状凹部を有し、この環状凹部内に、HTSテープ導体の第一の末端部分の少なくとも一部分が、隣接して複数回、かつ第一のSL後続導体の末端部分が、隣接して複数回、互いに重なるように巻き付けられていて、
かつ/または第一のまたは第二の側方部領域の軸方向外側の部分内に、ボビンは、第二の接合部巻付チャンバとして周方向に延びる環状凹部を有し、この環状凹部内に、HTSテープ導体の第二の末端部分の少なくとも一部分が、隣接して複数回、かつ第二のSL後続導体の末端部分が、隣接して複数回、互いに重なるように巻き付けられている。第一のまたは第二の接合部巻付チャンバとして周方向に延びる凹部は、容易に設けることができ、接合部を軸方向に収容し、それにより機械的に安定化することができる。典型的には、第一のSL後続導体と第二のSL後続導体とはそれぞれ、半径方向内側に配置され、HTSテープ導体は半径方向外側に配置されていて、HTSテープ導体は、そのHTS層が内側に向くように、つまりSL後続導体に向くように位置されている。典型的には、SL後続導体は、HTSテープ導体よりも幅が狭いため、接続領域(重畳領域)内で、HTSテープ導体の巻数よりもSL後続導体の巻数が多くなる。
かつ/または第一のまたは第二の側方部領域の軸方向外側の部分内に、ボビンは、ボビンの周りを少なくとも一周、好ましくは数周する第二の接合溝を有し、この第二の接合溝内で、HTSテープ導体の第二の末端部分の少なくとも一部分と、第二のSL後続導体の末端部分とが、互いに重なるようにガイドされている。
第一の側方部領域内で、HTSテープ導体の第二の末端部分もボビンに巻き付けられていて、特に、第一の側方部領域の軸方向内側の部分内で、第一の末端部分と第二の末端部分との溝状凹部が数回交差する実施形態が特に好ましい。
かつ、この移行領域内で、HTSテープ導体の第一の末端部分および第二の末端部分用の溝状凹部の一方が、支持シェルのセット内に形成されていて、かつHTSテープ導体の第一の末端部分および第二の末端部分用の溝状凹部の他方が、ボビンの残りの部分であって、支持シェルのセットの半径方向内側に形成されていて、この移行領域内でHTSテープ導体の第一の末端部分と第二の末端部分とが少なくとも一回交差している。大抵は、主巻線部は、少なくとも4つの巻線層、しばしば少なくとも10または少なくとも40の巻線層で構成されているので、主巻線部の入口と出口のHTSテープ導体の末端部分の間で半径に著しい違いがある。HTSテープ導体の他方の末端部分が、ボビン(本体)内(残りの部分内)で、さらに半径方向内側に延在していてかつボビンの円周のかなりの部分にわたり、例えば少なくとも半周にわたり、短いピッチで、交差(重畳)しなければならない場合であっても、半径方向外側の溝状凹部内のHTSテープ導体の末端部分は、支持シェル上に機械的に安定に載置することができる。典型的には、ボビンの残りの部分内の半径方向内側の溝状凹部の半径は、HTSテープ導体の対応する末端部分をボビンの外側にガイドするために、移行領域内で軸方向外側に向かって増大する。典型的には、二つの支持シェル(「ハーフシェル」)をセットとして使用する。
さらに、本発明によるマグネットコイル部の実施形態では、好ましくは、HTSテープ導体が、少なくとも二つのHTSテープ部分を有し、これらのHTSテープ部分が、少なくとも一つの中間接合部を介して互いに直列に導電接続されていて、
これらのHTSテープ部分は、第一の側方部領域または第二の側方部領域内の少なくとも一つの中間接合部の領域内で、ボビンに巻き付けられていて、
特に、少なくとも一つの中間接合部の領域内で、これらのHTSテープ部分は、共通の超伝導(=SL)ブリッジテープと接続されている。複数のHTSテープ部分を使用することにより、マグネットコイル部内で利用可能なHTSテープ導体の全長は、HTSテープ導体片の入手可能な(無欠陥で製造可能な)長さよりも長くなる。中間接合部はHTS-HTS接合部を形成することが好ましいが、この中間接合部を主巻線部から軸方向に十分に離間して配置することも可能であるので、例えばLTS材料からなるSLブリッジテープ導体を利用することもできる。
中間接合溝の半径方向外側の部分は、分離シェルのセット内に形成されていて、かつ中間接合溝の半径方向内側の部分は、ボビンの残りの部分であって、分離シェルのセットの半径方向内側に形成されていて、
特に、分離シェルのセットは、中間接合部の半径変換用の領域を有する。分離シェルを用いて二つの層が重なり合った中間接合溝を形成することが可能であるため、中間接合部は、同じ軸方向の領域で軸方向に前後に巻くことができる。典型的には、二つの分離シェル(「ハーフシェル」)をセットとして使用する。半径変換用の領域には、特に、分離シェルのセット内にフィードスルースロットを含めることができる。
有利な実施形態において、少なくとも部分的に、溝底部を有するように、
-少なくとも、第一のおよび/または第二の側方部領域の軸方向内側の部分内で、HTSテープ導体をガイドしている溝状凹部と、
-場合により、第一のおよび/または第二の側方部領域の軸方向外側の部分内で、HTSテープ導体の第一のおよび/または第二の末端部分をガイドしている接合溝と、
-場合により、HTSテープ導体の、中間接合部と接続するHTSテープ部分用の供給溝および中間接合溝と、
が形成されていて、この溝底部はHTSテープ導体を載置し、かつその溝底部の局所的な面法線は、ボビンの軸に対して90°以外の角度を有する。この(「傾斜した溝底部」を有する)設計により、主巻線部により生成される磁場(またはマグネットコイル部が所属するマグネットアセンブリにより生成される磁場全体)の局所的な磁場方向と、HTSテープ導体の局所的なテープ平面との間の角度を最小化することができ、それにより超伝導電流容量が向上する。さらに、この溝底部の設計により、HTSテープ導体を、短辺に関する曲げ(「ハードベンディング」)を最小化するかまたは排除するようにガイドすることができる。
かつ/または第一のSL後続導体および/または第二のSL後続導体は、MgB2を含み、
かつ/またはHTSテープ導体は、ReBCO、特にYBCO、またはBi2223を含む実施形態も好ましい。
本発明の範囲はまた、上記の、本発明による複数のマグネットコイル部を含むマグネットアセンブリを含み、マグネットコイル部は互いに入れ子状に配置されていて、特に、隣接するマグネットコイル部の間のそれぞれの半径方向のギャップの、全周にわたり平均化されたギャップ幅MSについて、MS≦1mm、好ましくはMS≦0.5mmが適用される。典型的には、隣接するマグネットコイル部の間の、それぞれの半径方向のギャップの、全周にわたって生じる最大のギャップ幅GSBについても、GSB≦1mm、好ましくはGSB≦0.6mm、特に好ましくはGSB≦0.45mmが適用される。マグネットコイル部の入れ子状の配置により、最も内側のマグネットコイル部内の試料容積内に、大きな絶対磁場強度を実現することができる。マグネットコイル部間のギャップ幅が小さいマグネットコイル部の構造により、高い実効超伝導電流密度(engineering current density)を実現することができる。
それぞれの半径方向内側のマグネットコイル部の主巻線部は、半径方向外側に向かって、半径方向に次の外側のマグネットコイル部のボビンの内側に当接するか、
または隣接するマグネットコイル部の間のそれぞれの半径方向のギャップが、充填材で充填されていて、特に、この充填材は電気絶縁性であり、かつ特にこの充填材は、硬化した注型材料および/または複数のシートを含む。半径方向で相互に直接当接することおよび/または半径方向のギャップを充填することにより、相互の機械的安定化(「コルセット構造」)を達成することができる。半径方向において相互に(直接またはギャップの充填により)機械的に支持することにより、導体の損傷を防ぎ、試料容積内に生じる磁場の不均一性を最小限に抑える。半径方向の支持におけるコルセット効果を利用する場合、それ自体はかなり低い機械強度(特に引張強度)を有するが、比較的高い実効電流密度を達成することができる比較的薄いHTSテープ導体を使用することもできる。代替としてまたは付加して、主巻線部および/またはHTSテープ導体の更なる領域を、コルセットテープまたはコルセットワイヤで包んでもよい。
Bjoint≦1/2*B0、
好ましくは、Bjoint≦1/10*B0、
特に好ましくは、Bjoint≦1/50*B0、
特に、この場合B0≧20Tである
ことが適用されるように、試料容積から軸方向に離間して配置されている。低磁場強度のBjointは、主巻線部に対して軸方向に距離をとることにより本発明の範囲内で容易に設定することができる。このように磁場強度Bjointを小さくすることにより、それぞれの接合部の電流容量を大きくすることができ、好ましくはそれぞれの接合部が、マグネットアセンブリの超伝導性電流容量を全体として制限しない程度に、それぞれの接合部の電流容量を大きくすることができる。
複数のマグネットコイル部が、電気的に直列接続されていて、
かつ溝底部の局所的な面法線は、
-溝底部上に置かれたHTSテープ導体の短辺に関する曲げが、HTSテープ導体のひずみが、その縁部においてどこでも0.6%を越えず、好ましくはどこでも0.2%を越えず、特に好ましくは溝底部上に置かれたHTSテープ導体の短辺に関する曲げが起きないほど小さく、同時に、
-溝底部の局所的な面法線に対して平行である、マグネットアセンブリによって全体として生成された磁場の局所的な法線成分が、絶対値としてどこでも、磁場の基準法線成分よりも小さいかまたは等しく、この基準法線成分は、HTSテープ導体に関して、主巻線部の軸方向に最も外側の巻線において、HTSテープ導体の局所的なテープ平面の法線成分のうち最大の法線成分であるように延在する。換言すると、溝底部は、溝底部での磁場の最大の局所的な法線成分MNKが、いずれの場合も主巻線部において(その軸方向の縁部で)生じる基準法線成分RNKよりも小さいかまたは等しくあるようにガイドされかつ位置合わせされている。この場合、溝底部に沿った法線成分は、マグネットアセンブリ全体の電流容量を制限しない。典型的には、マグネットアセンブリの全てのマグネットコイル部が傾斜した溝底部を備え、この場合、MNK≦RNKが適用される。
2 ボビン
3 ボビンの本体
4 絶縁体
5 支持シェルのセット
5a、5b 支持シェル
6 フランジシェルのセット
6a、6b フランジシェル
7 分離シェルのセット
7a、7b 分離シェル
8 主部巻付チャンバ
9 主巻線部
10 HTSテープ導体
11 HTSテープ導体の第一の末端部分
12 HTSテープ導体の第二の末端部分
13 軸方向内側の部分
14 軸方向外側の部分
15a、15b 溝状凹部
16 中間接合部
17a、17b 供給溝
18 中間接合溝
18a 中間接合溝の半径方向内側の部分
18b 中間接合溝の半径方向外側の部分
19a 第一のSL後続導体の導出溝
19b 第二のSL後続導体の導出溝
21 第一の接合部
22 第二の接合部
23a、23b 接合部巻付チャンバ
24 溝状凹部
25 交差領域
26 半径方向で最も内側の層
27 半径方向で最も外側の層
28 二重テープ
29 半径変換用の領域
30 フィードスルースロット
31 第一のSL後続導体
31a 第一のSL後続導体の末端部分
31b 第一のSL後続導体の接続部分
32 第二のSL後続導体
32a 第二のSL後続導体の末端部分
32b 第二のSL後続導体の接続部分
33 溝底部
40 マグネットアセンブリ
41 マグネットコイル部間の外側接合部
42 超伝導スイッチ
43 電源
44 充填材
45 半径方向のギャップ
A ボビンの軸(円筒軸)
FN 溝底部の面法線
HB 主部領域
PV 試料容積
SB ギャップ幅
SB1 第一の側方部領域
SB2 第二の側方部領域
RiH 主部領域内でのボビンの最小内半径
RaH 主巻線部の最大外半径
RT 支持シェルの最大半径
RBS マグネットコイル部の半径領域
Claims (27)
- マグネットコイル部(1;1a~1c)であって、
中空円筒状のボビン(2)と、高温超電導(=HTS)テープ導体(10)と、第一の超伝導(=SL)後続導体(31)とを備え、前記第一のSL後続導体(31)は前記HTSテープ導体(10)と前記第一のSL後続導体(31)との間に第一の接合部(21)を有し、
前記ボビン(2)は、主部領域(HB)を有し、前記主部領域(HB)内に、前記HTSテープ導体(10)の主巻線部(9)がソレノイド状に前記ボビン(2)に巻き付けられていて、
前記ボビン(2)はさらに、第一の側方部領域(SB1)を有し、前記第一の側方部領域(SB1)は、軸方向で前記主部領域(HB)の第一の側方部側と隣接し、かつ前記第一の側方部領域(SB1)内で前記HTSテープ導体(10)の第一の末端部分(11)が前記ボビン(2)に巻き付けられていて、
少なくとも、前記第一の側方部領域(SB1)の軸方向内側の部分(13)内で、前記HTSテープ導体(10)の前記第一の末端部分(11)は、前記ボビン(2)の溝状凹部(15a、24)内にガイドされていて、
前記HTSテープ導体(10)の前記主巻線部(9)は、最大外半径RaHを有し、かつ前記ボビン(2)は、前記主部領域(HB)内で最小内半径RiHを有する
マグネットコイル部(1:1a~1c)において、
前記マグネットコイル部(1;1a~1c)がさらに、前記HTSテープ導体(10)に対する第二の接合部(22)を有する第二のSL後続導体(32)を備え、
前記第一の側方部領域(SB1)内、または軸方向で前記主部領域(HB)の第二の側方部に隣接しかつ前記第一の側方部とは反対側に位置する第二の側方部領域(SB2)内で、前記HTSテープ導体(10)の第二の末端部分(12)が前記ボビン(2)に巻き付けられていて、
少なくとも、前記第一のまたは前記第二の側方部領域(SB1、SB2)の軸方向内側の部分(13)内で、前記HTSテープ導体(10)の前記第二の末端部分(12)が、前記ボビン(2)の溝状凹部(15b)内にガイドされていて、
前記第一の側方部領域(SB1)の軸方向外側の部分(14)内で、前記ボビン(2)に巻き付けられた、前記HTSテープ導体(10)の前記第一の末端部分(11)の少なくとも一部が、前記第一のSL後続導体(31)の末端部分(31a)と面状に接続されて、前記第一の接合部(21)を形成し、かつ前記ボビン(2)に巻き付けられた、前記HTSテープ導体(10)の前記第二の末端部分(12)の少なくとも一部分は、前記第二のSL後続導体(32)の末端部分(32a)と面状に接続されて、前記第二の接合部(22)を形成し、
前記ボビン(2)全体と、前記HTSテープ導体(10)全体と、前記第一のSL後続導体(31)とは、少なくとも前記第一の接合部(21)の領域内において、前記マグネットコイル部(1)の半径領域(RBS)の内側に延在し、かつ前記第二のSL後続導体(32)は、少なくとも前記第二の接合部(22)の領域内において、前記マグネットコイル部(1)の前記半径領域(RBS)の内側に延在し、
0.80*RiH≦RBS≦1.2*RaHである
ことを特徴とする、マグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 前記第一の接合部(21)と前記第二の接合部(22)とは、それぞれ前記ボビン(2)の全周にわたって延びている、
または前記第一の接合部(21)と前記第二の接合部(22)とは、それぞれ、少なくとも0.1mの長さにわたって、前記HTSテープ導体(10)に対して重なって延びている
ことを特徴とする、請求項1に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 前記主部領域(HB)内で、前記ボビン(2)は、主部巻付チャンバ(8)として、周方向に延びる環状凹部を有し、前記環状凹部内に、前記HTSテープ導体(10)の前記主巻線部(9)が、複数層でソレノイド状に巻き付けられていることを特徴とする、請求項1または2に記載のマグネットコイル部(1)。
- 前記第一の側方部領域(SB1)の前記軸方向外側の部分(14)内に、前記ボビン(2)は、第一の接合部巻付チャンバ(23a)として周方向に延びる環状凹部を有し、前記環状凹部内に、前記HTSテープ導体(10)の前記第一の末端部分(11)の少なくとも一部分が、隣接して複数回、かつ前記第一のSL後続導体(31)の前記末端部分(31a)が、隣接して複数回、互いに重なるように巻き付けられている、
または前記第一のまたは第二の側方部領域(SB2)の軸方向外側の部分(14)内に、前記ボビン(2)は、第二の接合部巻付チャンバ(23b)として周方向に延びる環状凹部を有し、前記環状凹部内に、前記HTSテープ導体(10)の前記第二の末端部分(12)の少なくとも一部分が、隣接して複数回、かつ前記第二のSL後続導体(32)の前記末端部分(32a)が、隣接して複数回、互いに重なるように巻き付けられている
ことを特徴とする、請求項1から3のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 前記ボビン(2)は、前記第一の接合部巻付チャンバ(23a)の複数の壁部または前記第二の接合部巻付チャンバ(23b)の複数の壁部の領域内で、電気絶縁材料から形成されていることを特徴とする、請求項4に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。
- 前記第一の側方部領域(SB1)の前記軸方向外側の部分(14)内に、前記ボビン(2)は、第一の接合溝(81)を有し、前記第一の接合溝(81)は、前記ボビン(2)の周りを少なくとも一周し、前記HTSテープ導体(10)の前記第一の末端部分(11)の少なくとも一部分と、前記第一のSL後続導体(31)の前記末端部分(31a)は、互いに重なるように前記第一の接合溝(81)内にガイドされている、
または前記第一のまたは前記第二の側方部領域(SB1、SB2)の前記軸方向外側の部分(14)内に、前記ボビン(2)は、前記ボビン(2)の周りを少なくとも一周する第二の接合溝を有し、前記HTSテープ導体(10)の前記第二の末端部分(12)の少なくとも一部分と、前記第二のSL後続導体(32)の前記末端部分(32a)は、互いに重なるように前記第二の接合溝内にガイドされている
ことを特徴とする、請求項1から5のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 前記ボビン(2)が、前記第一の接合溝(81)の複数の壁部または前記第二の接合溝の複数の壁部の領域内で、電気絶縁材料から形成されていることを特徴とする、請求項6に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。
- 前記第一の側方部領域(SB1)内で、前記HTSテープ導体(10)の前記第二の末端部分(12)も前記ボビン(2)に巻き付けられている
ことを特徴とする、請求項1から7のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 前記ボビン(2)が、前記第一の側方部領域(SB1)の前記軸方向内側の部分(13)の、軸方向に前記主部巻付チャンバ(8)と隣接する移行領域内で、支持シェル(5a、5b)のセット(5)によって形成されていて、前記支持シェル(5a、5b)は、前記ボビン(2)の残りの部分の上に位置し、かつ前記支持シェル(5a、5b)の前記セット(5)は前記ボビン(2)の前記残りの部分を環状に取り囲み、
かつ、前記移行領域内で、前記HTSテープ導体(10)の前記第一の末端部分(11)および前記第二の末端部分(12)用の前記溝状凹部(15a、15b)の一方が、前記支持シェル(5a、5b)のセット(5)内に形成されていて、かつ前記HTSテープ導体(10)の前記第一の末端部分(11)および前記第二の末端部分(12)用の前記溝状凹部(15a、15b)の他方が、前記ボビン(2)の前記残りの部分であって、前記支持シェル(5a、5b)のセット(5)の半径方向内側に形成されていて、前記移行領域内で前記HTSテープ導体(10)の前記第一の末端部分と前記第二の末端部分(11、12)とが少なくとも一回交差している
ことを特徴とする、請求項8に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 前記第一の側方部領域(SB1)の前記軸方向内側の部分(13)内で、前記HTSテープ導体(10)の前記第一の末端部分(11)および前記第二の末端部分(12)用の前記溝状凹部(15a、15b)は、前記溝状凹部(15a、15b)の少なくとも一つの交差領域(25)内で異なる溝深さで形成されていることを特徴とする、請求項8または9に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。
- 前記第一の側方部領域(SB1)の前記軸方向外側の部分(14)内で、より軸方向外側に位置する前記接合部(21、22)を有する前記HTSテープ導体(10)の前記末端部分(11、12)用の溝状凹部(24)が、より軸方向内側に位置する前記接合部(21、22)の半径方向内側に延在することを特徴とする、請求項8から10のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。
- 前記第一の側方部領域(SB1)の前記軸方向外側の部分(14)内で、より軸方向内側に位置する前記接合部(21、22)の部分である前記SL後続導体(31、32)用の導出溝(19a、19b)が、より軸方向外側に位置する前記接合部(21、22)の半径方向内側に延在することを特徴とする、請求項8から11のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。
- 前記HTSテープ導体(10)が、少なくとも二つのHTSテープ部分(10a、10b)を有し、前記HTSテープ部分(10a、10b)が、少なくとも一つの中間接合部(16)を介して互いに直列に導電接続されていて、
前記HTSテープ部分(10a、10b)は、前記第一の側方部領域(SB1)または前記第二の側方部領域(SB2)内の前記少なくとも一つの中間接合部(16)の領域内で、前記ボビン(2)に巻き付けられている
ことを特徴とする、請求項1から12のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 前記ボビン(2)が、前記第一の側方部領域(SB1)内でまたは前記第二の側方部領域(SB2)内で、前記HTSテープ部分(10a、10b)用の二つの供給溝(17a、17b)を形成し、前記二つの供給溝(17a、17b)は、前記主部巻付チャンバ(8)から前記少なくとも一つの中間接合部(16)の領域にまで延びており、かつ前記ボビン(2)が、前記中間接合部(16)の領域内で、前記HTSテープ部分(10a、10b)用の中間接合溝(18)を形成することを特徴とする、請求項13に記載のマグネットコイル部(1;1a~1b)。
- 前記少なくとも一つの中間接合部(16)の領域内で、前記ボビン(2)は分離シェル(7a、7b)のセット(7)で形成されていて、前記分離シェル(7a、7b)は、前記ボビン(2)の残りの部分の上に位置し、かつ前記分離シェル(7a、7b)の前記セット(7)は前記ボビン(2)の前記残りの部分を環状に取り囲み、
前記中間接合溝(18)の半径方向外側の部分(18b)は、前記分離シェル(7a、7b)のセット(7)内に形成されていて、かつ前記中間接合溝(18)の半径方向内側の部分(18a)は、前記ボビン(2)の残りの部分であって、前記分離シェル(7a、7b)のセット(7)の半径方向内側に形成されている
ことを特徴とする、請求項14に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 前記第一の側方部領域(SB1)内で、前記HTSテープ導体(10)の前記第二の末端部分(12)も、前記ボビン(2)に巻き付けられていて、かつ前記少なくとも一つの中間接合部(16)の領域内の前記HTSテープ部分(10a、10b)は、前記第二の側方部領域(SB2)内で、前記ボビン(2)に巻き付けられている
ことを特徴とする、請求項13から15のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 少なくとも部分的に溝底部(33)を有するように、
少なくとも、前記第一または前記第二の側方部領域(SB1、SB2)の前記軸方向内側の部分(13)内で、前記HTSテープ導体(10)がガイドされている前記溝状凹部(15a、15b、24)が形成されていて、前記溝底部(33)は前記HTSテープ導体(10)を載置し、かつ前記溝底部(33)の局所面法線(FN)は、前記ボビン(2)の円筒軸(A)に対して90°以外の角度(α)を有する
ことを特徴とする、請求項1から16のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1)。 - 前記第一のSL後続導体(31)または前記第二のSL後続導体(32)は、30Kを下回る転移温度を有する低温超伝導体(=LTS)材料を含む、
または前記第一のSL後続導体(31)または前記第二のSL後続導体(32)は、MgB2を含む、
または前記HTSテープ導体(10)は、ReBCOまたはBi2223を含む
ことを特徴とする、請求項1から17のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。 - 前記第一の側方部領域(SB1)内の前記第一の末端部分(11)の前記HTSテープ導体(10)、および前記第一のまたは前記第二の側方部領域(SB1、SB2)内の前記第二の末端部分(12)の前記HTSテープ導体(10)が、それぞれ、軸方向外側に向かって最初は増大してその後減少するピッチで、らせん状に巻かれていることを特徴とする、請求項1から18のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。
- 前記第一のSL後続導体(31)と前記第二のSL後続導体(32)とはそれぞれ、前記第一のまたは前記第二の側方部領域(SB1、SB2)の前記軸方向外側の部分(14)から軸方向に離れるように伸びている接続部分(31b、32b)を有することを特徴とする、請求項1から19のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。
- マグネットアセンブリ(40)であって、
請求項1から20のいずれか1項に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)を複数備え、複数の前記マグネットコイル部(1;1a~1c)が、互いに入れ子状に配置されている、マグネットアセンブリ(40)。 - それぞれの半径方向内側の前記マグネットコイル部(1;1a~1c)の前記主巻線部(9)は、半径方向外側に向かって、半径方向に次の外側の前記マグネットコイル部(1;1a~1c)の前記ボビン(2)の内側に当接するか、
または半径方向に隣接する前記マグネットコイル部(1;1a~1c)の間のそれぞれの半径方向のギャップ(45)が、充填材(44)で充填されている
ことを特徴とする、請求項21に記載のマグネットアセンブリ(40)。 - 複数の前記マグネットコイル部(1;1a~1c)は、前記ボビン(2)と同一の軸方向長さに形成されていて、複数の前記ボビン(2)は軸方向に位置合わせされていることを特徴とする、請求項21または22に記載のマグネットアセンブリ(40)。
- 複数の前記マグネットコイル部(1;1a~1c)は、自身の前記第一のSL後続導体(31)および前記第二のSL後続導体(32)を介して互いに導電接続されていることを特徴とする、請求項21から23のいずれか1項に記載のマグネットアセンブリ(40)。
- 前記マグネットアセンブリ(40)は、最も内側の前記マグネットコイル部(1;1a)の内部の少なくとも0.5cm3の試料容積(PV)内に、強度B0でかつ100ppm以内の均一性の磁場を生成するよう形成されていて、かつ前記マグネットコイル部(1;1a~1c)の前記第一の接合部(21)と前記第二の接合部(22)とが、前記接合部(21、22、16)の各々に関する最大磁場強度Bjointについて、絶対値として
Bjoint≦1/2*B0
であることが適用されるように、前記試料容積(PV)から軸方向に離間して配置されていることを特徴とする、請求項21から24のいずれか1項に記載のマグネットアセンブリ(40)。 - 複数の前記マグネットコイル部(1;1a~1c)の少なくとも一つが請求項17に記載のマグネットコイル部(1)である、請求項21から24のいずれか1項に記載のマグネットアセンブリ(40)であって、
複数の前記マグネットコイル部(1;1a~1c)は、電気的に直列接続されていて、
かつ前記溝底部(33)の局所面法線(FN)は、
-前記溝底部(33)上に置かれた前記HTSテープ導体(10)が、前記HTSテープ導体(10)の縁部におけるひずみが0.6%以内になる、短辺に関する曲げを有し、同時に、
-前記溝底部(33)の局所面法線(FN)に対して平行である、前記マグネットアセンブリ(40)によって全体として生成された磁場の局所的な法線成分が、前記磁場内において、絶対値として、前記磁場の基準法線成分よりも小さいかまたは等しく、前記基準法線成分は、前記HTSテープ導体(10)に関して、前記主巻線部(9)の軸方向に最も外側の巻線において、前記HTSテープ導体(10)の局所的なテープ平面の法線成分のうち最大の法線成分である
ように延在することを特徴とする、マグネットアセンブリ(40)。 - 少なくとも部分的に溝底部(33)を有するように、
-前記第一のまたは第二の側方部領域(SB1、SB2)の前記軸方向外側の部分(14)内で、前記HTSテープ導体(10)の前記第一のまたは前記第二の末端部分(11、12)がガイドされている接合溝、または
-前記HTSテープ導体(10)の、中間接合部(16)と接続するHTSテープ部分(10a、10b)用の供給溝(17a、17b)および中間接合溝(18)、
が形成されていて、前記溝底部(33)は前記HTSテープ導体(10)を載置し、かつ前記溝底部(33)の局所面法線(FN)は、前記ボビン(2)の円筒軸(A)に対して90°以外の角度(α)を有する
ことを特徴とする、請求項17に記載のマグネットコイル部(1;1a~1c)。
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