JP7214142B2 - Singlet fission materials, triplet sensitizers, compounds and thin films - Google Patents

Singlet fission materials, triplet sensitizers, compounds and thin films Download PDF

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Description

本発明は、一重項分裂材料および三重項増感剤として有用な化合物に関する。 The present invention relates to compounds useful as singlet splitting materials and triplet sensitizers.

複数のベンゼン環が直線状に縮合した構造を有するアセン類は、広いπ共役系を有することから、有機半導体材料や発光材料等の有機デバイスの機能材料としての用途が期待され、有用な用途を見出すことを目指して研究が進められている。その中には、テトラセン骨格を有する化合物を有機発光素子の材料に用いた例も幾つか見受けられる。 Acenes, which have a structure in which multiple benzene rings are linearly condensed, have a wide π-conjugated system, so they are expected to be used as functional materials for organic devices such as organic semiconductor materials and light-emitting materials. Research is underway to find out. Among them, there are some examples in which a compound having a tetracene skeleton is used as a material for an organic light-emitting device.

例えば、下記の構造を有する化合物について、特許文献1には、この化合物を発光層のドーパントとして用いた例が記載され、特許文献2には、この化合物をホール輸送層に用いた例が記載されている。 For example, regarding a compound having the following structure, Patent Document 1 describes an example of using this compound as a dopant for a light-emitting layer, and Patent Document 2 describes an example of using this compound in a hole transport layer. ing.

Figure 0007214142000001
Figure 0007214142000001

特開2006-114844号公報JP 2006-114844 A 特開2007-258462号公報JP 2007-258462 A

上記のように、テトラセン骨格を有する化合物については、有機発光素子の発光層のドーパントやホール輸送材料としての用途が知られている。しかしながら、テトラセン骨格を有する化合物の特性については十分な検討がなされておらず、その有用性についても手つかずの領域が多く残されていると考えられる。そのため、より有用性が高い新たな材料を開発すべく、テトラセン骨格を有する化合物について、さらに研究を行うことが求められる。
このような状況の中で、テトラセン骨格を有する化合物の特性と有用性を解明し、その新たな用途を見いだすことを目的として鋭意検討を進めた。
As described above, compounds having a tetracene skeleton are known to be used as dopants for light-emitting layers of organic light-emitting devices and as hole-transporting materials. However, the properties of compounds having a tetracene skeleton have not been sufficiently studied, and it is believed that many areas of their usefulness remain untouched. Therefore, further research on compounds having a tetracene skeleton is required in order to develop new materials with higher utility.
Under these circumstances, we have made intensive studies to elucidate the properties and usefulness of compounds having a tetracene skeleton and to find new uses for them.

鋭意検討を進めた結果、本発明者らは、特定の構造を有するテトラセン化合物が一重項分裂を起こして三重項励起子の数を増加させるという、有用な特性を有することを見出した。そして、そのテトラセン化合物の特性を利用することにより、効率が高い有機デバイスが実現するとの考えに至った。本発明は、これらの知見に基づいて提案されたものであり、具体的に以下の構成を有する。 As a result of intensive studies, the present inventors have found that a tetracene compound having a specific structure has a useful property of causing singlet fission and increasing the number of triplet excitons. Then, the inventors came to the idea that by utilizing the properties of the tetracene compound, an organic device with high efficiency can be realized. The present invention has been proposed based on these findings, and specifically has the following configurations.

[1] 下記一般式(1)で表される化合物からなる一重項分裂材料。

Figure 0007214142000002
[一般式(1)において、Rは置換もしくは無置換のアリール基を表す。RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。]
[2] RとRが各々独立に無置換のアリール基である、[1]に記載の一重項分裂材料。
[3] RとRが同一である、[1]または[2]に記載の一重項分裂材料。
[4] 下記一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤。
Figure 0007214142000003
[一般式(1)において、Rは置換もしくは無置換のアリール基を表す。RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。]
[5] RとRが各々独立に無置換のアリール基である、[4]に記載の三重項増感剤。
[6] RとRが同一である、[4]または[5]に記載の三重項増感剤。
[7] 下記一般式(2)で表される化合物。
Figure 0007214142000004
[一般式(2)において、RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。nは0または1である。]
[8] RとRが各々独立に無置換のアリール基である、[7]に記載の化合物。
[9] RとRが同一である、[7]または[8]に記載の化合物。
[10] 上記一般式(2)で表される化合物を含む薄膜。[1] A singlet fission material comprising a compound represented by the following general formula (1).
Figure 0007214142000002
[In general formula (1), R 1 represents a substituted or unsubstituted aryl group. One of R2 and R3 is a hydrogen atom , and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. ]
[2] The singlet fission material according to [1], wherein R 1 and R 2 are each independently an unsubstituted aryl group.
[3] The singlet fission material according to [1] or [2], wherein R 1 and R 2 are the same.
[4] A triplet sensitizer comprising a compound represented by the following general formula (1).
Figure 0007214142000003
[In general formula (1), R 1 represents a substituted or unsubstituted aryl group. One of R2 and R3 is a hydrogen atom , and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. ]
[5] The triplet sensitizer of [4], wherein R 1 and R 2 are each independently an unsubstituted aryl group.
[6] The triplet sensitizer of [4] or [5], wherein R 1 and R 2 are the same.
[7] A compound represented by the following general formula (2).
Figure 0007214142000004
[In general formula (2), one of R 4 and R 5 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. One of R6 and R7 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. n is 0 or 1; ]
[8] The compound of [ 7 ], wherein R4 and R6 are each independently an unsubstituted aryl group.
[9] The compound of [7] or [8], wherein R4 and R6 are the same .
[10] A thin film containing the compound represented by the general formula (2).

本発明における化合物は、一重項分裂材料および三重項増感剤として有用である。本発明の一重項分裂材料や三重項増感剤を有機デバイスの機能材料として用いることにより、高い効率を実現しうる。 The compounds in the present invention are useful as singlet splitting materials and triplet sensitizers. High efficiency can be realized by using the singlet-splitting material or triplet sensitizer of the present invention as a functional material for an organic device.

有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the example of layer structure of an organic electroluminescent element. 化合物1または化合物2を含む各トルエン溶液の光吸収スペクトルと、ACRXTNとmCBPの薄膜の発光スペクトルである。Fig. 3 shows light absorption spectra of toluene solutions containing compound 1 or compound 2, and emission spectra of thin films of ACRXTN and mCBP. 化合物1、化合物3または化合物4を含む各トルエン溶液の発光スペクトルである。4 is an emission spectrum of each toluene solution containing compound 1, compound 3, or compound 4. FIG. 化合物1の濃度が0重量%、6重量%、30重量%または100重量%である各薄膜の発光スペクトルである。FIG. 10 is an emission spectrum of each thin film having a compound 1 concentration of 0 wt %, 6 wt %, 30 wt % or 100 wt %. FIG. 化合物1の濃度が5×10-2mol/Lであるクロロホルム溶液の530nmでの過渡吸収減衰曲線である。Fig. 4 is a transient absorption decay curve at 530 nm of a chloroform solution with a concentration of compound 1 of 5 x 10 -2 mol/L; 化合物1の濃度が1×10-1mol/Lであるクロロホルム溶液の530nmでの過渡吸収減衰曲線である。Fig. 3 is a transient absorption decay curve at 530 nm of a chloroform solution with a concentration of compound 1 of 1 x 10-1 mol/L; 化合物1の濃度が1×10-3mol/L、1×10-2mol/L、2.5×10-2mol/L、5×10-2mol/L、または1×10-1mol/Lである各クロロホルム溶液の530nmでの過渡吸収減衰曲線である。The concentration of compound 1 is 1×10 −3 mol/L, 1×10 −2 mol/L, 2.5×10 −2 mol/L, 5×10 −2 mol/L, or 1×10 −1 mol /L of each chloroform solution at 530 nm. 化合物1の濃度が1×10-3mol/L、1×10-2mol/L、または2.5×10-2mol/Lである各クロロホルム溶液について、520nmでの吸光度変化量ΔABSを縦軸、励起光強度を横軸としてプロットした相関図である。For each chloroform solution with a compound 1 concentration of 1×10 −3 mol/L, 1×10 −2 mol/L, or 2.5×10 −2 mol/L, the absorbance change ΔABS at 520 nm was plotted vertically. It is a correlation diagram in which the axis and the excitation light intensity are plotted on the horizontal axis. 化合物1の濃度が1×10-3mol/L、1×10-2mol/L、2.5×10-2mol/L、5×10-2mol/L、または1×10-1である各クロロホルム溶液について、530nmでの吸光度変化量ΔABSを縦軸、励起光強度を横軸としてプロットした相関図である。at a concentration of compound 1 of 1×10 −3 mol/L, 1×10 −2 mol/L, 2.5×10 −2 mol/L, 5×10 −2 mol/L, or 1×10 −1 FIG. 2 is a correlation diagram plotting the amount of change in absorbance ΔABS at 530 nm on the vertical axis and the excitation light intensity on the horizontal axis for each chloroform solution. 化合物1の三重項励起子生成効率ΦISCの濃度依存性を示すグラフである。4 is a graph showing the concentration dependence of the triplet exciton generation efficiency Φ ISC of Compound 1. FIG.

以下において、本発明の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様や具体例に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様や具体例に限定されるものではない。なお、本明細書において「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。また、本発明に用いられる化合物の分子内に存在する水素原子の同位体種は特に限定されず、例えば分子内の水素原子がすべてHであってもよいし、一部または全部がH(デューテリウムD)であってもよい。
また、本明細書中において、「蛍光材料」とは、20℃で発光を観測したとき、燐光の発光強度よりも蛍光の発光強度の方が高い発光材料であり、「燐光材料」とは、20℃で発光を観測したとき、蛍光の発光強度よりも燐光の発光強度の方が高い発光材料である。また、「遅延蛍光材料」とは、20℃で発光寿命が短い蛍光と、発光寿命が長い蛍光(遅延蛍光)の両方が観測される材料である。通常の蛍光(遅延蛍光ではない蛍光)は、発光寿命がnsオーダーであり、燐光は、通常、発光寿命がmsオーダーであるため、蛍光と燐光とは発光寿命により区別することができる。また、有機金属錯体以外の発光性の有機化合物は、通常蛍光材料または遅延蛍光材料である。さらに、本明細書中において「薄膜」とは、厚みが1000nm以下の膜を意味し、厚みは500nm以下であることが好ましく、100nm以下であることがより好ましい。
The contents of the present invention will be described in detail below. The constituent elements described below may be explained based on representative embodiments and specific examples of the present invention, but the present invention is not limited to such embodiments and specific examples. In this specification, the numerical range represented by "-" means a range including the numerical values before and after "-" as lower and upper limits. Further, the isotopic species of the hydrogen atoms present in the molecule of the compound used in the present invention is not particularly limited. (deuterium D).
Further, in this specification, the term “fluorescent material” refers to a luminescent material whose fluorescence emission intensity is higher than that of phosphorescence when the emission is observed at 20° C., and the term “phosphorescent material” When luminescence is observed at 20° C., the phosphorescence emission intensity is higher than the fluorescence emission intensity. In addition, the “delayed fluorescence material” is a material in which both fluorescence with a short emission lifetime and fluorescence with a long emission lifetime (delayed fluorescence) are observed at 20°C. Normal fluorescence (fluorescence that is not delayed fluorescence) has an emission lifetime of ns order, and phosphorescence usually has an emission lifetime of ms order. Therefore, fluorescence and phosphorescence can be distinguished from each other by the emission lifetime. Luminescent organic compounds other than organometallic complexes are usually fluorescent materials or delayed fluorescent materials. Further, the term "thin film" as used herein means a film having a thickness of 1000 nm or less, preferably 500 nm or less, more preferably 100 nm or less.

[一般式(1)で表される化合物]
本発明の一重項分裂材料および三重項増感剤は、下記一般式(1)で表される化合物からなることを特徴とする。

Figure 0007214142000005
[Compound represented by general formula (1)]
The singlet splitting material and triplet sensitizer of the present invention are characterized by comprising a compound represented by the following general formula (1).
Figure 0007214142000005

一般式(1)において、Rは置換もしくは無置換のアリール基を表す。RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。RおよびRの一方が表す置換もしくは無置換のアリール基とRが表す置換もしくは無置換のアリール基は、互いに同一であっても異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。「置換もしくは無置換のアリール基」でいうアリール基(置換アリール基の場合は置換基を除く部分)は、環骨格構成原子数が6~26が好ましく、6~22がより好ましく、6~18がさらに好ましい。アリール基の具体例として、フェニル基、1-ナフタレニル基、2-ナフタレニル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-テトラセニル基、2-テトラセニル基、5-テトラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基を挙げることができる。
~Rがとりうるアリール基は、置換基で置換されていても、無置換であってもよいが、R~Rの少なくとも一つは無置換のアリール基であることが好ましく、R~Rがとりうる置換もしくは無置換のアリール基のすべてが無置換のアリール基であることが好ましい。アリール基が置換基を有する場合の置換基は、アルキル基またはアリール基が好ましい。アルキル基は、直鎖状、分枝状、環状のいずれであってもよい。好ましい炭素数は1~20であり、より好ましくは1~10であり、さらに好ましくは1~6である。例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基などを例示することができる。アリール基の好ましい範囲と具体例については、上記の「置換もしくは無置換のアリール基」でいうアリール基の好ましい範囲と具体例を参照することができる。また、置換基であるアルキル基やアリール基は、さらに置換されていてもよく、その場合の置換基としてはアルキル基やアリール基を好ましく挙げることができる。
~Rがとりうる置換もしくは無置換のアリール基の総炭素数は、6~32であることが好ましく、6~28であることがより好ましく、6~24であることがさらに好ましい。R~Rがとりうる置換アリール基の例として、アルキルフェニル基(トリル基、tert-ブチルフェニル基等),ビフェニル基、アルキルビフェニル基(メチルビフェニル基、tert-ブチルビフェニル基等)、テルフェニル基、アルキルテルフェニル基(メチルテルフェニル基、tert-ブチルテルフェニル基等)、フェニルナフチル基、アルキルナフチル基(メチルナフチル基、tert-ブチルナフチル基等)、フェニルアントラセニル基、ナフチルアントラセニル基、アルキルアントラセニル基(メチルアントラセニル基、tert-ブチルアントラセニル基等)、フェニルテトラセニル基、ナフチルテトラセニル基、アルキルテトラセニル基(メチルテトラセニル基、tert-ブチルテトラセニル基等)、フェニルピレニル基、ナフチルピレニル基、アルキルピレニル基(メチルピレニル基、tert-ブチルピレニル基等)を挙げることができる。
In general formula (1), R 1 represents a substituted or unsubstituted aryl group. One of R2 and R3 is a hydrogen atom , and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. The substituted or unsubstituted aryl group represented by one of R 2 and R 3 and the substituted or unsubstituted aryl group represented by R 1 may be the same or different, but are preferably the same. The aryl group referred to in the "substituted or unsubstituted aryl group" (in the case of a substituted aryl group, the portion excluding the substituent) preferably has a ring skeleton-constituting atoms of 6 to 26, more preferably 6 to 22, and 6 to 18. is more preferred. Specific examples of the aryl group include a phenyl group, 1-naphthalenyl group, 2-naphthalenyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, 1-tetracenyl group, 2-tetracenyl group, 5-tetracenyl group, A 1-pyrenyl group and a 2-pyrenyl group can be mentioned.
The aryl group that R 1 to R 3 can take may be substituted or unsubstituted, but at least one of R 1 to R 3 is preferably an unsubstituted aryl group. , R 1 to R 3 are all preferably unsubstituted aryl groups. When the aryl group has a substituent, the substituent is preferably an alkyl group or an aryl group. Alkyl groups may be linear, branched, or cyclic. The number of carbon atoms is preferably 1-20, more preferably 1-10, still more preferably 1-6. Examples include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group and the like. As for the preferred range and specific examples of the aryl group, the preferred range and specific examples of the aryl group referred to in the above "substituted or unsubstituted aryl group" can be referred to. In addition, the alkyl group and aryl group which are substituents may be further substituted, and preferred examples of the substituent in this case include alkyl groups and aryl groups.
The total number of carbon atoms in the substituted or unsubstituted aryl groups that R 1 to R 3 can take is preferably 6-32, more preferably 6-28, even more preferably 6-24. Examples of substituted aryl groups that R 1 to R 3 can take include alkylphenyl groups (tolyl group, tert-butylphenyl group, etc.), biphenyl groups, alkylbiphenyl groups (methylbiphenyl group, tert-butylbiphenyl group, etc.), tertyl Phenyl group, alkylterphenyl group (methylterphenyl group, tert-butylterphenyl group, etc.), phenylnaphthyl group, alkylnaphthyl group (methylnaphthyl group, tert-butylnaphthyl group, etc.), phenylanthracenyl group, naphthylanthra Senyl group, alkylanthracenyl group (methylanthracenyl group, tert-butylanthracenyl group, etc.), phenyltetracenyl group, naphthyltetracenyl group, alkyltetracenyl group (methyltetracenyl group, tert-butyltetracenyl group, etc.), phenylpyrenyl group, naphthylpyrenyl group, alkylpyrenyl group (methylpyrenyl group, tert-butylpyrenyl group, etc.).

以下において、一般式(1)で表される化合物の具体例を例示する。ただし、本発明において用いることができる一般式(1)で表される化合物はこれらの具体例によって限定的に解釈されるべきものではない。

Figure 0007214142000006
Figure 0007214142000007
Figure 0007214142000008
Figure 0007214142000009
Figure 0007214142000010
Figure 0007214142000011
Specific examples of the compound represented by formula (1) are illustrated below. However, the compound represented by the general formula (1) that can be used in the present invention should not be construed as being limited by these specific examples.
Figure 0007214142000006
Figure 0007214142000007
Figure 0007214142000008
Figure 0007214142000009
Figure 0007214142000010
Figure 0007214142000011

[一般式(2)で表される化合物]
一般式(1)で表される化合物のうち、下記一般式(2)で表される化合物は新規化合物である。

Figure 0007214142000012
一般式(2)において、RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。nは0または1である。一般式(2)における置換もしくは無置換のアリール基の説明と好ましい範囲、具体例については、一般式(1)における置換もしくは無置換のアリール基の説明を参照することができる。RおよびRの一方が表す置換もしくは無置換のアリール基と、RおよびRの一方が表す置換もしくは無置換のアリール基は、同一であっても異なっていてもよい。
一般式(2)で表される化合物として、例えばRおよびRが各々独立に置換もしくは無置換のアリール基であり、RおよびRが水素原子である化合物を好ましく例示することができる。[Compound represented by general formula (2)]
Among the compounds represented by the general formula (1), the compounds represented by the following general formula (2) are novel compounds.
Figure 0007214142000012
In general formula ( 2 ), one of R4 and R5 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. One of R6 and R7 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. n is 0 or 1; For the description, preferred range, and specific examples of the substituted or unsubstituted aryl group in general formula (2), the description of the substituted or unsubstituted aryl group in general formula (1) can be referred to. The substituted or unsubstituted aryl group represented by one of R 4 and R 5 and the substituted or unsubstituted aryl group represented by one of R 6 and R 7 may be the same or different.
Preferred examples of compounds represented by general formula (2) include compounds in which R 4 and R 6 are each independently substituted or unsubstituted aryl groups, and R 5 and R 7 are hydrogen atoms. .

[一般式(2)で表される化合物の合成方法]
一般式(2)で表される化合物は、既知の反応を組み合わせることによって合成することができる。例えば、一般式(2)のnが0であり、RとRが同一のアリール基である化合物は、下記反応式で示す反応により合成することが可能である。
[Method for Synthesizing Compound Represented by Formula (2)]
The compound represented by general formula (2) can be synthesized by combining known reactions. For example, a compound in which n in general formula (2) is 0 and R 4 and R 6 are the same aryl group can be synthesized by the reaction shown in the following reaction scheme.

Figure 0007214142000013
Figure 0007214142000013

上記の反応式におけるRの説明については、一般式(2)における置換もしくは無置換のアリール基の記載を参照することができる。ここで用いるビテトラセノンは、シス体およびトランス体の一方であってもよいし、シス体とトランス体の混合物であってもよい。上記の反応の詳細については、後述の合成例を参考にすることができる。また、一般式(2)で表される化合物は、その他の公知の合成反応を組み合わせることによっても合成することができる。 For the description of R in the above reaction scheme, the description of the substituted or unsubstituted aryl group in general formula (2) can be referred to. Bitetracenone used here may be one of cis and trans isomers, or a mixture of cis and trans isomers. Synthesis examples described later can be referred to for details of the above reaction. The compound represented by general formula (2) can also be synthesized by combining other known synthetic reactions.

[一般式(1)で表される化合物の有用性]
一般式(1)で表される化合物は、一重項分裂材料として有用である。
本明細書中における「一重項分裂」とは、一重項励起子が2つの三重項励起子に分裂する現象のことをいい、本発明における「一重項分裂材料」とは、励起一重項状態Sに励起されたときに一重項分裂を起こす材料のことをいう。一重項分裂材料であることは、例えばホスト材料に一般式(1)で表される化合物を異なる濃度で添加して構成した各薄膜に、励起光を照射してフォトルミネッセンス量子収率を測定したとき、その化合物の濃度が高くなるのに伴ってフォトルミネッセンス量子収率が低下する相関関係が見られることにより確認することができる。
ここで、化合物が一重項分裂を起こすと、結果として三重項励起子の数が増加する。よって、一重項分裂材料である一般式(1)で表される化合物は三重項増感剤としても有用である。すなわち、本発明でいう「三重項増感剤」とは、励起一重項状態Sに励起されたときに一重項分裂を起こして三重項励起子の数を増加させる材料のことを意味する。また、以下の説明では、一重項分裂により三重項励起子の数が増加する効果を「三重項励起子増感効果」ということがある。三重項増感剤であることは、一般式(1)で表される化合物を異なる濃度で含有させた溶液に励起光としてのポンプ光を照射して、その直後に、プローブ光に対する吸光度の変化量ΔABSを測定したとき、そのΔABSから下記式(I)を用いて求めた三重項励起子生成効率ΦISCが、化合物の濃度が高くなるのに伴って増加する相関関係が見られることにより確認することができる。「吸光度変化量ΔABS」は、ポンプ光照射前のプローブ光に対する吸光度ABSを基準にした吸光度の変化量を意味し、ここでは、ポンプ光を照射した直後に測定したプローブ光に対する吸光度ABSEXからABSを引いた値のことをいう。ΔABSの測定方法の詳細については、実施例の欄の記載を参照することができる。
[Utility of the compound represented by the general formula (1)]
The compound represented by general formula (1) is useful as a singlet fission material.
As used herein, the term “singlet fission” refers to a phenomenon in which a singlet exciton splits into two triplet excitons. A material that undergoes singlet fission when excited to 1 . The singlet fission material is determined by, for example, irradiating each thin film formed by adding the compound represented by the general formula (1) to the host material at different concentrations and irradiating it with excitation light to measure the photoluminescence quantum yield. This can be confirmed by observing a correlation in which the photoluminescence quantum yield decreases as the concentration of the compound increases.
Here, when a compound undergoes singlet fission, the number of triplet excitons increases as a result. Therefore, the compound represented by the general formula (1), which is a singlet splitting material, is also useful as a triplet sensitizer. That is, the "triplet sensitizer" as used in the present invention means a material that causes singlet fission when excited to the excited singlet state S1 to increase the number of triplet excitons. In the following description, the effect of increasing the number of triplet excitons due to singlet fission may be referred to as "triplet exciton sensitization effect". To be a triplet sensitizer, a solution containing the compound represented by the general formula (1) at different concentrations is irradiated with pump light as excitation light, and immediately after that, a change in absorbance with respect to the probe light When the amount ΔABS is measured, the triplet exciton generation efficiency ΦISC obtained from the ΔABS using the following formula (I) is confirmed by a correlation that increases as the concentration of the compound increases. can do. "Amount of absorbance change ΔABS" means the amount of change in absorbance based on the absorbance ABS 0 for the probe light before irradiation with the pump light, and here, the absorbance ABS EX for the probe light measured immediately after irradiation with the pump light. This is the value after subtracting ABS 0 . For details of the method for measuring ΔABS, reference can be made to the description in the Examples section.

Figure 0007214142000014
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式(I)において、ΦISCは三重項励起子生成効率を示し、Iは溶液に照射するポンプ光の強度(励起光強度)を示し、ΔABSは吸光度変化量(ABSEX-ABS)を示し、εはポンプ光波長での対象化合物のモル吸光係数を示し、εはプローブ光波長での対象化合物のモル吸光係数を示し、cは溶液における対象化合物の濃度を示し、Lは測定に使用したセルの光路長(1mm)を示す。
ここで、ポンプ光には、対象化合物の吸収帯域のうち337nmの光を用いることができ、プローブ光には、対象化合物の吸収帯域のうち510-540nmの光を用いることができる。
一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤を有機デバイスの材料に用いることにより、その効率を飛躍的に向上させることができる。
In formula (I), Φ ISC indicates the triplet exciton generation efficiency, I 0 indicates the intensity of the pump light irradiated to the solution (excitation light intensity), and ΔABS indicates the absorbance change (ABS EX −ABS 0 ). where ε is the molar extinction coefficient of the target compound at the pump light wavelength, ε T is the molar extinction coefficient of the target compound at the probe light wavelength, c is the concentration of the target compound in solution, and L is the measurement The optical path length (1 mm) of the cell used is shown.
Here, light of 337 nm in the absorption band of the target compound can be used as the pump light, and light of 510 to 540 nm in the absorption band of the target compound can be used as the probe light.
By using the triplet sensitizer comprising the compound represented by the general formula (1) as a material for an organic device, the efficiency can be dramatically improved.

例えば、一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤を有機太陽電池の有機半導体層の材料に用いることにより、その有機太陽電池において、有機半導体層に照射された光を、一般式(1)で表される化合物が吸収して一重項励起子を生成し、その一重項励起子が2つの三重項励起子に分裂する三重項増幅系を実現することができる。こうした有機太陽電池では、光が照射されることで三重項励起子が効率よく生成し、且つ、その三重項励起子が長寿命であるため、有機半導体層のp/n接合界面に三重項励起子が到達して電荷分離する確率が高く、正孔と電子を効率よく電極へ取り出すことができる。そのため、三重項増感剤を含まない有機太陽電池に比べて、高い光電変換効率を得ることができる。 For example, by using a triplet sensitizer comprising a compound represented by the general formula (1) as a material for the organic semiconductor layer of an organic solar cell, the light irradiated to the organic semiconductor layer in the organic solar cell is A triplet amplification system can be realized in which the compound represented by the general formula (1) absorbs to generate a singlet exciton, and the singlet exciton splits into two triplet excitons. In such an organic solar cell, triplet excitons are efficiently generated by irradiation with light, and the triplet excitons have a long life. There is a high probability that electrons will reach and separate charges, and holes and electrons can be efficiently extracted to the electrode. Therefore, a higher photoelectric conversion efficiency can be obtained than an organic solar cell that does not contain a triplet sensitizer.

また、一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤を有機発光素子の発光層のホスト材料として用いることにより、その有機発光素子において、励起一重項状態のホスト材料で生成した一重項励起子が2つの三重項励起子に分裂し、それらの励起三重項エネルギーが発光材料へデクスター移動機構で移動する励起三重項エネルギー増幅系を実現することができる。このような有機発光素子では、ホスト材料が励起されることで励起三重項エネルギーが効率よく生じて発光材料に供給されるため、ホスト材料が三重項励起子増感効果を有しない有機発光素子に比べて、高い発光効率を得ることができる。ここで、発光材料は、ホスト材料から励起三重項エネルギーを受け取って発光しうるものであればよく、励起三重項状態からの放射緩和により発光する燐光材料であってもよいし、励起三重項状態から励起一重項状態への逆項間交差を生じた後、その励起一重項状態からの放射緩和により発光する遅延蛍光材料であってもよい。
こうした本発明の三重項増感剤を発光層のホスト材料に用いる有機発光素子において、より高い発光効率を得るには、ホスト材料から発光材料への励起三重項エネルギーの移動を容易にするとともに、発光材料が受け取った励起三重項エネルギーを発光材料の分子内に閉じ込めることが好ましい。そのため、ホスト材料は、その最低励起三重項エネルギー準位が発光材料の最低励起三重項エネルギー準位よりも高いことが好ましい。さらに、発光材料で生じた励起一重項エネルギーを発光材料の分子内に閉じ込めるため、ホスト材料は、その最低励起一重項エネルギー準位が発光材料の最低励起一重項エネルギー準位よりも高いことがより好ましい。
また、本発明の三重項増感剤を発光層のホスト材料に用いる有機発光素子には、発光層の隣に、一重項増感剤を含む一重項増感層を設けてもよいし、さらに、その発光層と一重項増感層の間に、電子および三重項励起子ブロック層を設けてもよい。ここで、「一重項増感剤」とは、電流励起により生じる励起一重項状態Sの生成確率[S/(S+T)]が25%よりも大きい材料のことをいい、例えば遅延蛍光材料を用いることができる。一重項増感剤は、その最低励起一重項エネルギー準位がホスト材料の最低励起一重項エネルギー準位よりも高いことが好ましく、その最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位との差ΔESTが0.3eV以下であることが好ましい。一重項増感剤の具体例として、後掲のACRXTNを挙げることができる。また、「電子および三重項励起子ブロック層」とは、一重項増感層から発光層への電子および三重項励起子の移動をブロックする機能を有する層のことをいう。これらの層を設けることにより、一重項増感層にて励起一重項エネルギーが効率よく生成されて、発光層のホスト材料(三重項増感剤)へ供給されるため、三重項励起子の生成効率がさらに高くなり、より高い発光効率が得られるようになる。
Further, by using the triplet sensitizer comprising the compound represented by the general formula (1) as the host material of the light-emitting layer of the organic light-emitting device, the excited singlet state of the host material in the organic light-emitting device An excited triplet energy amplification system can be realized in which a singlet exciton splits into two triplet excitons and their excited triplet energy is transferred to the luminescent material by the Dexter transfer mechanism. In such an organic light-emitting device, when the host material is excited, excited triplet energy is efficiently generated and supplied to the light-emitting material. In comparison, high luminous efficiency can be obtained. Here, the light-emitting material may be any material that can receive excited triplet energy from the host material and emit light, and may be a phosphorescent material that emits light by radiative relaxation from an excited triplet state, or an excited triplet state. It may also be a delayed fluorescence material that emits light due to radiative relaxation from the excited singlet state after reverse intersystem crossing from to the excited singlet state.
In order to obtain higher luminous efficiency in an organic light-emitting device using such a triplet sensitizer of the present invention as a host material of a light-emitting layer, it is necessary to facilitate the transfer of excited triplet energy from the host material to the light-emitting material, It is preferred to confine the excited triplet energy received by the luminescent material within the molecules of the luminescent material. Therefore, the host material preferably has a lowest excited triplet energy level higher than the lowest excited triplet energy level of the light-emitting material. Furthermore, since the excited singlet energy generated in the light-emitting material is confined within the molecules of the light-emitting material, the lowest excited singlet energy level of the host material is more likely to be higher than the lowest excited singlet energy level of the light-emitting material. preferable.
Further, in an organic light-emitting device using the triplet sensitizer of the present invention as a host material of a light-emitting layer, a singlet-sensitized layer containing a singlet sensitizer may be provided next to the light-emitting layer. An electron and triplet exciton blocking layer may be provided between the light emitting layer and the singlet sensitizing layer. Here, the term “singlet sensitizer” refers to a material in which the generation probability [S 1 /(S 1 +T 1 )] of the excited singlet state S 1 generated by current excitation is greater than 25%. A delayed fluorescence material can be used. The singlet sensitizer preferably has a lowest excited singlet energy level higher than the lowest excited singlet energy level of the host material, and the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level are is preferably 0.3 eV or less. Specific examples of singlet sensitizers include ACRXTN described later. Further, the "electron and triplet exciton blocking layer" refers to a layer having a function of blocking the movement of electrons and triplet excitons from the singlet sensitizing layer to the light emitting layer. By providing these layers, excited singlet energy is efficiently generated in the singlet sensitized layer and supplied to the host material (triplet sensitizer) of the light-emitting layer, thereby generating triplet excitons. Efficiency is further increased, and higher luminous efficiency can be obtained.

また、一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤は、有機発光素子の発光層のアシストドーパントとしても用いることができる。ここで、「アシストドーパント」とは、ホスト材料から励起一重項エネルギーを受け取って励起三重項エネルギーに変換し、その励起三重項エネルギーを発光材料に渡す機能を有するものである。アシストドーパントから励起三重項エネルギーを受け取った発光材料は、そのエネルギーにより励起されて発光する。こうしたアシストドーパントとして一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤を用いると、アシストドーパントが励起一重項エネルギーを受け取ることで生成した一重項励起子が2つの三重項励起子に分裂し、これにより三重項励起子の数が増加するため、発光材料に、より効率よく励起三重項エネルギーを供給することができる。そのため、三重項励起子増感効果を有しないアシストドーパントを用いる場合に比べて高い発光効率を得ることができる。このアシストドーパントを用いる系において、ホスト材料としては、通常のホスト材料を用いることができるが、励起一重項エネルギーを効率よく生成しうることから遅延蛍光材料を用いることが好ましい。また、発光材料は、アシストドーパントから励起三重項エネルギーを受け取って発光しうるものであればよく、燐光材料、遅延蛍光材料を用いることができる。
また、本発明の三重項増感剤をアシストドーパントに用いる有機発光素子において、より高い発光効率を得るには、ホスト材料からアシストドーパントへの励起一重項エネルギーの移動、アシストドーパントから発光材料への励起三重項エネルギーの移動を容易にするとともに、発光材料が受け取った励起三重項エネルギーを発光材料の分子内に閉じ込めることが好ましい。そのため、ホスト材料は、その最低励起一重項エネルギー準位がアシストドーパントの最低励起一重項エネルギー準位よりも高いことが好ましく、その最低励起三重項エネルギー準位がアシストドーパントの最低励起三重項エネルギー準位および発光材料の最低励起三重項エネルギー準位よりも高いことが好ましい。また、アシストドーパントは、その最低励起三重項エネルギー準位が発光材料の最低励起三重項エネルギー準位よりも高いことが好ましい。さらに、発光材料で生じた励起一重項エネルギーを発光材料の分子内に閉じ込めるため、ホスト材料およびアシストドーパントは、それらの最低励起一重項エネルギー準位が発光材料の最低励起一重項エネルギー準位よりも高いことがより好ましい。
Moreover, the triplet sensitizer comprising the compound represented by the general formula (1) can also be used as an assist dopant for the light-emitting layer of the organic light-emitting device. Here, the "assist dopant" has the function of receiving excited singlet energy from the host material, converting it into excited triplet energy, and transferring the excited triplet energy to the light-emitting material. A light-emitting material that receives excited triplet energy from the assist dopant is excited by the energy and emits light. When a triplet sensitizer composed of a compound represented by the general formula (1) is used as such an assist dopant, singlet excitons generated by the assist dopant receiving excited singlet energy are converted into two triplet excitons. Since the number of triplet excitons increases due to the splitting, the excited triplet energy can be more efficiently supplied to the light-emitting material. Therefore, a higher luminous efficiency can be obtained than when an assist dopant having no triplet exciton sensitization effect is used. In the system using this assist dopant, a normal host material can be used as the host material, but it is preferable to use a delayed fluorescence material because it can efficiently generate excited singlet energy. Moreover, the light-emitting material may be any material as long as it can receive excited triplet energy from the assist dopant and emit light, and phosphorescent materials and delayed fluorescent materials can be used.
In the organic light-emitting device using the triplet sensitizer of the present invention as an assist dopant, in order to obtain higher luminous efficiency, it is necessary to transfer excited singlet energy from the host material to the assist dopant, and transfer the excited singlet energy from the assist dopant to the light-emitting material. It is preferable to facilitate the transfer of excited triplet energy and confine the excited triplet energy received by the light-emitting material within the molecules of the light-emitting material. Therefore, the host material preferably has the lowest excited singlet energy level higher than the lowest excited singlet energy level of the assisting dopant, and the lowest excited triplet energy level of the host material is higher than the lowest excited triplet energy level of the assisting dopant. preferably higher than the lowest excited triplet energy level of the light-emitting material. Also, the assist dopant preferably has a lowest excited triplet energy level higher than the lowest excited triplet energy level of the light-emitting material. Furthermore, in order to confine the excited singlet energy generated in the light-emitting material within the molecules of the light-emitting material, the host material and the assist dopant must have their lowest excited singlet energy levels higher than the lowest excited singlet energy level of the light-emitting material. Higher is more preferable.

以上のように、一般式(1)で表される化合物は、一重項分裂を起こして三重項励起子の数を増加させるため、有機太陽電池および有機発光素子以外の有機デバイス、例えば有機撮像素子、静脈認証装置、血糖値モニター等の材料に用いた場合にも、その効率向上に貢献し、各種有機デバイスの機能材料として効果的に用いることができる。
また、この一般式(1)で表される化合物は、非晶質状の固体として形成できるという特徴も有する。そのため、結晶性の一重項分裂材料を用いた有機デバイスで問題になる、繰り返し駆動による有機膜構造の破壊、特性劣化が回避され、安定性が高い有機デバイスを実現することができる。
次に、本発明の三重項増感剤を用いる有機デバイスの代表例として、有機発光素子の層構成および各層に用いる材料について説明する。
As described above, the compound represented by the general formula (1) causes singlet fission to increase the number of triplet excitons. , vein authentication devices, blood glucose monitors, etc., it contributes to the efficiency improvement and can be effectively used as a functional material for various organic devices.
Moreover, the compound represented by the general formula (1) also has the feature that it can be formed as an amorphous solid. Therefore, it is possible to avoid destruction of the organic film structure and deterioration of characteristics due to repeated driving, which are problems in organic devices using a crystalline singlet-splitting material, and to realize a highly stable organic device.
Next, as a representative example of an organic device using the triplet sensitizer of the present invention, the layer structure of an organic light-emitting device and the materials used for each layer will be described.

[有機発光素子]
上記のように、本発明の一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤は、有機発光素子の発光層のホスト材料やアシストドーパントとして効果的に用いることができる。本発明の一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤を発光層のホスト材料やアシストドーパントとして用いることにより、有機フォトルミネッセンス素子(有機PL素子)や有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)などの優れた有機発光素子を提供することができる。
有機フォトルミネッセンス素子は、基板上に少なくとも発光層を形成した構造を有する。有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも陽極、陰極、および陽極と陰極の間に有機層を形成した構造を有する。有機層は、少なくとも発光層を含むものであり、発光層のみからなるものであってもよいし、発光層の他に1層以上の有機層を有するものであってもよい。そのような他の有機層として、正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、正孔阻止層、電子注入層、電子輸送層、励起子阻止層などを挙げることができる。正孔輸送層は正孔注入機能を有した正孔注入輸送層でもよく、電子輸送層は電子注入機能を有した電子注入輸送層でもよい。具体的な有機エレクトロルミネッセンス素子の構造例を図1に示す。図1において、1は基板、2は陽極、3は正孔注入層、4は正孔輸送層、5は発光層、6は電子輸送層、7は陰極を表わす。
以下において、有機エレクトロルミネッセンス素子の各部材および各層について説明する。なお、基板と発光層の説明は有機フォトルミネッセンス素子の基板と発光層にも該当する。
[Organic light emitting device]
As described above, the triplet sensitizer comprising the compound represented by formula (1) of the present invention can be effectively used as a host material or an assist dopant for the light-emitting layer of an organic light-emitting device. By using the triplet sensitizer composed of the compound represented by the general formula (1) of the present invention as a host material or an assist dopant for the light-emitting layer, an organic photoluminescence device (organic PL device) or an organic electroluminescence device (organic It is possible to provide an excellent organic light-emitting device such as an EL device).
An organic photoluminescence device has a structure in which at least a light-emitting layer is formed on a substrate. An organic electroluminescence element has a structure in which at least an anode, a cathode, and an organic layer are formed between the anode and the cathode. The organic layer includes at least a light-emitting layer, and may consist of only the light-emitting layer, or may have one or more organic layers in addition to the light-emitting layer. Such other organic layers can include hole transport layers, hole injection layers, electron blocking layers, hole blocking layers, electron injection layers, electron transport layers, exciton blocking layers, and the like. The hole transport layer may be a hole injection transport layer having a hole injection function, and the electron transport layer may be an electron injection transport layer having an electron injection function. A structural example of a specific organic electroluminescence element is shown in FIG. In FIG. 1, 1 is a substrate, 2 is an anode, 3 is a hole injection layer, 4 is a hole transport layer, 5 is a light emitting layer, 6 is an electron transport layer, and 7 is a cathode.
Each member and each layer of the organic electroluminescence element will be described below. The description of the substrate and the light-emitting layer also applies to the substrate and the light-emitting layer of the organic photoluminescence element.

(基板)
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板に支持されていることが好ましい。この基板については、特に制限はなく、従来から有機エレクトロルミネッセンス素子に慣用されているものであればよく、例えば、ガラス、透明プラスチック、石英、シリコンなどからなるものを用いることができる。
(substrate)
The organic electroluminescence device of the present invention is preferably supported by a substrate. The substrate is not particularly limited as long as it is conventionally used in organic electroluminescence devices, and for example, substrates made of glass, transparent plastic, quartz, silicon, or the like can be used.

(陽極)
有機エレクトロルミネッセンス素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極材料とするものが好ましく用いられる。このような電極材料の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In-ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極材料の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な材料を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10~1000nm、好ましくは10~200nmの範囲で選ばれる。
(anode)
As the anode in the organic electroluminescence device, an electrode material having a large work function (4 eV or more), a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO. A material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) that is amorphous and capable of forming a transparent conductive film may also be used. The anode may be formed by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and forming a pattern of a desired shape by photolithography. ), a pattern may be formed through a mask having a desired shape during vapor deposition or sputtering of the electrode material. Alternatively, when a coatable material such as an organic conductive compound is used, a wet film forming method such as a printing method or a coating method may be used. When emitting light from the anode, the transmittance is desirably greater than 10%, and the sheet resistance of the anode is preferably several hundred Ω/□ or less. Furthermore, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 to 1000 nm, preferably 10 to 200 nm.

(陰極)
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極材料とするものが用いられる。このような電極材料の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム-カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性および酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm~5μm、好ましくは50~200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陽極の説明で挙げた導電性透明材料を陰極に用いることで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
(cathode)
On the other hand, as the cathode, an electrode material having a small work function (4 eV or less) (referred to as an electron-injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloys, magnesium, lithium, magnesium/copper mixtures, magnesium/silver mixtures, magnesium/aluminum mixtures, magnesium/indium mixtures, aluminum/aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, indium, lithium/aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the viewpoint of electron injection properties and durability against oxidation, etc., a mixture of an electron injection metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than the electron injection metal, such as a magnesium/silver mixture, Magnesium/aluminum mixtures, magnesium/indium mixtures, aluminum/aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium/aluminum mixtures, aluminum and the like are suitable. The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. Further, the sheet resistance of the cathode is preferably several hundred Ω/□ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm. In order to transmit the emitted light, it is convenient if either the anode or the cathode of the organic electroluminescence element is transparent or semi-transparent because the emission luminance is improved.
In addition, by using the conductive transparent material mentioned in the explanation of the anode for the cathode, a transparent or semi-transparent cathode can be produced. can be made.

(発光層)
発光層は、陽極および陰極のそれぞれから注入された正孔および電子が再結合することにより励起子が生成した後、発光する層であり、ホスト材料と発光材料を含有するか、ホスト材料とアシストドーパントと発光材料を含有する。
(Light emitting layer)
The light-emitting layer is a layer that emits light after excitons are generated by recombination of holes and electrons injected from the anode and the cathode, respectively. Contains a dopant and a light-emitting material.

発光層が、ホスト材料と発光材料を含有する場合、ホスト材料としては、本発明の三重項増感剤である一般式(1)で表される化合物群から選ばれる1種または2種以上を用いることができる。また、発光材料としては、ホスト材料から移動してきた励起三重項エネルギーにより励起されて発光し得るものを使用する。ここで用いる発光材料の説明と、ホスト材料と発光材料のエネルギー準位の説明については、[一般式(1)で表される化合物の有用性]の欄の対応する記載を参照することができる。このようなホスト材料と発光材料を発光層が含有することにより、ホスト材料の三重項励起子増感効果により励起三重項エネルギーが効率よく生成されて発光材料の発光に利用されるため、高い発光効率を得ることができる。
本発明の三重項増感剤をホスト材料に用いる有機発光素子(有機フォトルミネッセンス素子およびエレクトロルミネッセンス素子)において、発光は発光層に含まれる発光材料から生じる。この発光は燐光発光、遅延蛍光発光のいずれでもよく、両方の発光を含んでいてもよいし、通常の蛍光発光を含んでいてよい。また、発光の一部或いは部分的にホスト材料からの発光があってもかまわない。
本発明の三重項増感剤をホスト材料として用いる場合、発光材料が発光層中に含有される量は0.1重量%以上であることが好ましく、1重量%以上であることがより好ましく、また、50重量%以下であることが好ましく、20重量%以下であることがより好ましく、10重量%以下であることがさらに好ましい。
When the light-emitting layer contains a host material and a light-emitting material, the host material is one or more selected from the group of compounds represented by the general formula (1), which are the triplet sensitizers of the present invention. can be used. As the light-emitting material, a material that can be excited by excited triplet energy transferred from the host material to emit light is used. For the description of the luminescent material used here and the description of the energy levels of the host material and the luminescent material, refer to the corresponding description in the column [Usefulness of the compound represented by the general formula (1)]. . When the light-emitting layer contains such a host material and a light-emitting material, excited triplet energy is efficiently generated by the triplet exciton sensitization effect of the host material and utilized for light emission of the light-emitting material, resulting in high light emission. Efficiency can be obtained.
In an organic light-emitting device (organic photoluminescence device and electroluminescence device) using the triplet sensitizer of the present invention as a host material, light is emitted from the light-emitting material contained in the light-emitting layer. This luminescence may be either phosphorescent luminescence or delayed fluorescence luminescence, may include both luminescence, or may include normal fluorescence luminescence. Further, part or part of light emission may be emitted from the host material.
When the triplet sensitizer of the present invention is used as a host material, the amount of the light-emitting material contained in the light-emitting layer is preferably 0.1% by weight or more, more preferably 1% by weight or more. Also, it is preferably 50% by weight or less, more preferably 20% by weight or less, and even more preferably 10% by weight or less.

発光層が、ホスト材料とアシストドーパントと発光材料を含有する場合、アシストドーパントとしては、本発明の三重項増感剤である一般式(1)で表される化合物群から選ばれる1種または2種以上を用いることができる。また、ホスト材料には、そのホスト材料で生じた励起一重項エネルギーをアシストドーパントへ渡すことができるものを使用し、発光材料には、アシストドーパントから移動してきた励起三重項エネルギーを受け取って発光し得るものを使用する。ここで用いるホスト材料および発光材料の説明と、ホスト材料とアシストドーパントと発光材料のエネルギー準位の説明については、[一般式(1)で表される化合物の有用性]の欄の対応する記載を参照することができる。こうしたホスト材料とアシストドーパントと発光材料を発光層が含有することにより、ホスト材料で生じた励起一重項エネルギーがアシストドーパントの三重項励起子増感効果により効率よく励起三重項エネルギーに変換されて発光材料の発光に利用されるため、高い発光効率を得ることができる。
本発明の三重項増感剤をアシストドーパントに用いる有機発光素子(有機フォトルミネッセンス素子およびエレクトロルミネッセンス素子)において、発光は発光層に含まれる発光材料から生じる。この発光は燐光発光、遅延蛍光発光のいずれでもよく、両方の発光を含んでいてもよいし、通常の蛍光発光を含んでいてよい。また、発光の一部或いは部分的にホスト材料やアシストドーパントからの発光があってもかまわない。
本発明の三重項増感剤をアシストドーパントとして用いる場合、そのアシストドーパントの含有量は、ホスト材料の含有量よりも少なく、発光材料の含有量よりも多いこと、すなわち、「発光材料の含有量<アシストドーパントの含有量<ホスト材料の含有量」の関係を満たすことが好ましい。具体的には、発光層におけるアシストドーパントの含有量は、50重量%未満とすることが好ましい。さらに、アシストドーパントの含有量の上限値は40重量%未満とすることが好ましく、また、含有量の上限値は例えば30重量%未満、20重量%未満、10重量%未満とすることもできる。下限値は0.1重量%以上とすることが好ましく、例えば1重量%超、3重量%超とすることもできる。
When the light-emitting layer contains a host material, an assist dopant, and a light-emitting material, the assist dopant is one or two selected from the group of compounds represented by general formula (1), which are the triplet sensitizers of the present invention. More than one species can be used. In addition, the host material used is one that can transfer the excited singlet energy generated in the host material to the assist dopant, and the light-emitting material receives the excited triplet energy transferred from the assist dopant and emits light. Use what you get. For the description of the host material and the light-emitting material used here, and the description of the energy levels of the host material, the assisting dopant, and the light-emitting material, see the corresponding descriptions in the column of [Usefulness of the compound represented by the general formula (1)]. can be referred to. When the light-emitting layer contains the host material, the assist dopant, and the light-emitting material, the excited singlet energy generated in the host material is efficiently converted into excited triplet energy by the triplet exciton sensitization effect of the assist dopant to emit light. High luminous efficiency can be obtained because it is used for light emission of the material.
In organic light-emitting devices (organic photoluminescence devices and electroluminescence devices) in which the triplet sensitizer of the present invention is used as an assist dopant, light is emitted from the light-emitting material contained in the light-emitting layer. This luminescence may be either phosphorescent luminescence or delayed fluorescence luminescence, may include both luminescence, or may include normal fluorescence luminescence. Also, part or part of the light emission may be emitted from the host material or the assist dopant.
When the triplet sensitizer of the present invention is used as an assist dopant, the content of the assist dopant is less than the content of the host material and greater than the content of the light-emitting material. It is preferable to satisfy the relationship <content of assist dopant<content of host material”. Specifically, the content of the assist dopant in the light-emitting layer is preferably less than 50% by weight. Furthermore, the upper limit of the content of the assist dopant is preferably less than 40% by weight, and the upper limit of the content may be, for example, less than 30% by weight, less than 20% by weight, or less than 10% by weight. The lower limit is preferably 0.1% by weight or more, and may be, for example, more than 1% by weight or more than 3% by weight.

(注入層)
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、正孔注入層と電子注入層があり、陽極と発光層または正孔輸送層の間、および陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。注入層は必要に応じて設けることができる。
(Injection layer)
An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce driving voltage and improve luminance of light emission. and between the cathode and the light-emitting layer or electron-transporting layer. An injection layer can be provided as required.

(阻止層)
阻止層は、発光層中に存在する電荷(電子もしくは正孔)および/または励起子の発光層外への拡散を阻止することができる層である。電子阻止層は、発光層および正孔輸送層の間に配置されることができ、電子が正孔輸送層の方に向かって発光層を通過することを阻止する。同様に、正孔阻止層は発光層および電子輸送層の間に配置されることができ、正孔が電子輸送層の方に向かって発光層を通過することを阻止する。阻止層はまた、励起子が発光層の外側に拡散することを阻止するために用いることができる。すなわち電子阻止層、正孔阻止層はそれぞれ励起子阻止層としての機能も兼ね備えることができる。本明細書でいう電子阻止層または励起子阻止層は、一つの層で電子阻止層および励起子阻止層の機能を有する層を含む意味で使用される。
(blocking layer)
A blocking layer is a layer capable of blocking diffusion of charges (electrons or holes) and/or excitons present in the light-emitting layer out of the light-emitting layer. An electron blocking layer can be disposed between the light-emitting layer and the hole-transporting layer to block electrons from passing through the light-emitting layer toward the hole-transporting layer. Similarly, a hole-blocking layer can be disposed between the light-emitting layer and the electron-transporting layer to block holes from passing through the light-emitting layer toward the electron-transporting layer. Blocking layers can also be used to block excitons from diffusing out of the emissive layer. That is, each of the electron blocking layer and the hole blocking layer can also function as an exciton blocking layer. The term "electron blocking layer" or "exciton blocking layer" as used herein is used to include a layer having the functions of an electron blocking layer and an exciton blocking layer.

(正孔阻止層)
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は電子を輸送しつつ、正孔が電子輸送層へ到達することを阻止する役割があり、これにより発光層中での電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層の材料としては、後述する電子輸送層の材料を必要に応じて用いることができる。
(Hole blocking layer)
A hole-blocking layer has the function of an electron-transporting layer in a broad sense. The hole-blocking layer transports electrons while blocking holes from reaching the electron-transporting layer, thereby improving the recombination probability of electrons and holes in the light-emitting layer. As the material for the hole-blocking layer, the material for the electron-transporting layer, which will be described later, can be used as needed.

(電子阻止層)
電子阻止層とは、広い意味では正孔を輸送する機能を有する。電子阻止層は正孔を輸送しつつ、電子が正孔輸送層へ到達することを阻止する役割があり、これにより発光層中での電子と正孔が再結合する確率を向上させることができる。
(Electron blocking layer)
The electron blocking layer has a function of transporting holes in a broad sense. The electron-blocking layer has the role of transporting holes while blocking the electrons from reaching the hole-transporting layer, thereby improving the probability of recombination of electrons and holes in the light-emitting layer. .

(励起子阻止層)
励起子阻止層とは、発光層内で正孔と電子が再結合することにより生じた励起子が電荷輸送層に拡散することを阻止するための層であり、本層の挿入により励起子を効率的に発光層内に閉じ込めることが可能となり、素子の発光効率を向上させることができる。励起子阻止層は発光層に隣接して陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。すなわち、励起子阻止層を陽極側に有する場合、正孔輸送層と発光層の間に、発光層に隣接して該層を挿入することができ、陰極側に挿入する場合、発光層と陰極との間に、発光層に隣接して該層を挿入することができる。また、陽極と、発光層の陽極側に隣接する励起子阻止層との間には、正孔注入層や電子阻止層などを有することができ、陰極と、発光層の陰極側に隣接する励起子阻止層との間には、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層などを有することができる。阻止層を配置する場合、阻止層として用いる材料の励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーの少なくともいずれか一方は、発光材料の励起一重項エネルギーおよび励起三重項エネルギーよりも高いことが好ましい。
(exciton blocking layer)
The exciton-blocking layer is a layer that prevents excitons generated by recombination of holes and electrons in the light-emitting layer from diffusing into the charge-transporting layer. It becomes possible to efficiently confine them in the light-emitting layer, and the light-emitting efficiency of the device can be improved. The exciton blocking layer can be inserted either on the anode side or the cathode side adjacent to the light-emitting layer, or both can be inserted at the same time. That is, when the exciton blocking layer is provided on the anode side, the layer can be inserted between the hole transport layer and the light-emitting layer, adjacent to the light-emitting layer. and adjacent to the light-emitting layer. Also, between the anode and the exciton blocking layer adjacent to the anode side of the light emitting layer, there may be a hole injection layer, an electron blocking layer, or the like, and the cathode and the exciton blocking layer adjacent to the cathode side of the light emitting layer may be provided. An electron injection layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, and the like can be provided between the electron blocking layer. When the blocking layer is provided, at least one of the excited singlet energy and excited triplet energy of the material used as the blocking layer is preferably higher than the excited singlet energy and excited triplet energy of the light-emitting material.

(正孔輸送層)
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。使用できる公知の正孔輸送材料としては例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物およびスチリルアミン化合物を用いることが好ましく、芳香族第3級アミン化合物を用いることがより好ましい。
(Hole transport layer)
The hole-transporting layer is made of a hole-transporting material having a function of transporting holes, and the hole-transporting layer can be provided as a single layer or multiple layers.
The hole transport material has either hole injection or transport or electron blocking properties, and may be either organic or inorganic. Known hole-transporting materials that can be used include, for example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, Examples include amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, especially thiophene oligomers. Aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds are preferably used, and aromatic tertiary amine compounds are more preferably used.

(電子輸送層)
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる場合もある)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。使用できる電子輸送層としては例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導h体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
(Electron transport layer)
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and the electron transport layer can be provided as a single layer or multiple layers.
The electron transporting material (which may also serve as a hole blocking material) may have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. Electron-transporting layers that can be used include, for example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidene methane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, and the like. Furthermore, among the above oxadiazole derivatives, a thiadiazole derivative h-form in which an oxygen atom in the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as an electron-transporting material. can. Furthermore, polymer materials in which these materials are introduced into the polymer chain or these materials are used as the main chain of the polymer can also be used.

有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する際には、本発明の三重項増感剤を発光層に用いるだけでなく、発光層以外の層にも用いてもよい。その際、発光層に用いる三重項増感剤と、発光層以外の層に用いる三重項増感剤は、同一であっても異なっていてもよい。例えば、上記の注入層、阻止層、正孔阻止層、電子阻止層、励起子阻止層、正孔輸送層、電子輸送層などにも三重項増感剤を用いてもよい。これらの層の製膜方法は特に限定されず、ドライプロセス、ウェットプロセスのどちらで作製してもよい。 When producing an organic electroluminescence device, the triplet sensitizer of the present invention may be used not only in the light-emitting layer but also in layers other than the light-emitting layer. At that time, the triplet sensitizer used in the light-emitting layer and the triplet sensitizer used in layers other than the light-emitting layer may be the same or different. For example, triplet sensitizers may also be used in the injection layer, blocking layer, hole blocking layer, electron blocking layer, exciton blocking layer, hole transport layer, electron transport layer, and the like. A method for forming these layers is not particularly limited, and they may be formed by either a dry process or a wet process.

以下に、有機エレクトロルミネッセンス素子に用いることができる好ましい材料を具体的に例示する。ただし、本発明において用いることができる材料は、以下の例示化合物によって限定的に解釈されることはない。また、特定の機能を有する材料として例示した化合物であっても、その他の機能を有する材料として転用することも可能である。
まず、発光層に用いることができる発光材料の好ましい例として、遅延蛍光材料の化合物例を挙げる。
Preferable materials that can be used for the organic electroluminescence device are specifically exemplified below. However, materials that can be used in the present invention are not limited to the following exemplary compounds. Moreover, even compounds exemplified as materials having specific functions can be used as materials having other functions.
First, preferred examples of the luminescent material that can be used in the luminescent layer are compound examples of the delayed fluorescence material.

Figure 0007214142000015
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Figure 0007214142000016
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好ましい遅延蛍光材料として、WO2013/154064号公報の段落0008~0048および0095~0133、WO2013/011954号公報の段落0007~0047および0073~0085、WO2013/011955号公報の段落0007~0033および0059~0066、WO2013/081088号公報の段落0008~0071および0118~0133、特開2013-256490号公報の段落0009~0046および0093~0134、特開2013-116975号公報の段落0008~0020および0038~0040、WO2013/133359号公報の段落0007~0032および0079~0084、WO2013/161437号公報の段落0008~0054および0101~0121、特開2014-9352号公報の段落0007~0041および0060~0069、特開2014-9224号公報の段落0008~0048および0067~0076に記載される一般式に包含される化合物、特に例示化合物であって、遅延蛍光を放射するものを挙げることができる。また、特開2013-253121号公報、WO2013/133359号公報、WO2014/034535号公報、WO2014/115743号公報、WO2014/122895号公報、WO2014/126200号公報、WO2014/136758号公報、WO2014/133121号公報、WO2014/136860号公報、WO2014/196585号公報、WO2014/189122号公報、WO2014/168101号公報、WO2015/008580号公報、WO2014/203840号公報、WO2015/002213号公報、WO2015/016200号公報、WO2015/019725号公報、WO2015/072470号公報、WO2015/108049号公報、WO2015/080182号公報、WO2015/072537号公報、WO2015/080183号公報、特開2015-129240号公報、WO2015/129714号公報、WO2015/129715号公報、WO2015/133501号公報、WO2015/136880号公報、WO2015/137244号公報、WO2015/137202号公報、WO2015/137136号公報、WO2015/146541号公報、WO2015/159541号公報に記載される発光材料であって、遅延蛍光を放射するものも好ましく採用することができる。なお、この段落に記載される上記の公報は、本明細書の一部としてここに引用している。 Preferred delayed fluorescence materials include paragraphs 0008 to 0048 and 0095 to 0133 of WO2013/154064, paragraphs 0007 to 0047 and 0073 to 0085 of WO2013/011954, and paragraphs 0007 to 0033 and 0059 to 0066 of WO2013/011955. , paragraphs 0008 to 0071 and 0118 to 0133 of WO2013/081088, paragraphs 0009 to 0046 and 0093 to 0134 of JP 2013-256490, paragraphs 0008 to 0020 and 0038 to 0040 of JP 2013-116975, Paragraphs 0007 to 0032 and 0079 to 0084 of WO2013/133359, paragraphs 0008 to 0054 and 0101 to 0121 of WO2013/161437, paragraphs 0007 to 0041 and 0060 to 0069 of JP 2014-9352, JP 2014 Examples include compounds encompassed by the general formulas described in paragraphs 0008 to 0048 and 0067 to 0076 of JP-A-9224, particularly exemplary compounds that emit delayed fluorescence. In addition, JP 2013-253121, WO2013/133359, WO2014/034535, WO2014/115743, WO2014/122895, WO2014/126200, WO2014/136758, WO2014/133121 Publications, WO2014/136860, WO2014/196585, WO2014/189122, WO2014/168101, WO2015/008580, WO2014/203840, WO2015/002213, WO2010/01620 WO2015/019725, WO2015/072470, WO2015/108049, WO2015/080182, WO2015/072537, WO2015/080183, JP 2015-129240, WO2015/129714, WO2015/129715, WO2015/133501, WO2015/136880, WO2015/137244, WO2015/137202, WO2015/137136, WO2015/146541, WO2015/159541 A luminescent material that emits delayed fluorescence can also be preferably employed. The above publications mentioned in this paragraph are hereby incorporated by reference as part of this specification.

次に、発光層の発光材料として用いることができる燐光材料の化合物例を挙げる。下記式において、Arはアリール基を表す。 Next, compound examples of the phosphorescent material that can be used as the light-emitting material of the light-emitting layer are given. In the formula below, Ar represents an aryl group.

Figure 0007214142000017
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次に、発光層がホスト材料とアシストドーパントと発光材料を含有する場合に、ホスト材料として用いることができる好ましい化合物を挙げる。また、この場合のホスト材料には、遅延蛍光材料を好ましく用いることができる。ホスト材料として用いることができる遅延蛍光材料の化合物例については、発光材料の好ましい例として挙げた遅延蛍光材料の化合物例を参照することができる。また、実施例で使用しているACRXTNもホスト材料として好ましく用いることができる。 Preferred compounds that can be used as the host material when the light-emitting layer contains a host material, an assist dopant, and a light-emitting material are listed below. Moreover, a delayed fluorescence material can be preferably used for the host material in this case. For examples of the compound of the delayed fluorescence material that can be used as the host material, reference can be made to the examples of the compound of the delayed fluorescence material given as preferred examples of the light-emitting material. ACRXTN used in the examples can also be preferably used as the host material.

Figure 0007214142000018
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Figure 0007214142000019
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Figure 0007214142000022
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Figure 0007214142000023
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次に、正孔注入材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。 Preferred examples of compounds that can be used as the hole injection material are given below.

Figure 0007214142000024
Figure 0007214142000024

次に、正孔輸送材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。 Next, preferred examples of compounds that can be used as the hole-transporting material are given.

Figure 0007214142000025
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Figure 0007214142000026
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Figure 0007214142000027
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Figure 0007214142000028
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Figure 0007214142000029
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Figure 0007214142000030
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Figure 0007214142000031
Figure 0007214142000031

次に、電子阻止材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。 Preferred examples of compounds that can be used as the electron blocking material are given below.

Figure 0007214142000032
Figure 0007214142000032

次に、正孔阻止材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。 Preferred examples of compounds that can be used as the hole blocking material are given below.

Figure 0007214142000033
Figure 0007214142000033

次に、電子輸送材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。 Next, preferred examples of compounds that can be used as the electron-transporting material are given.

Figure 0007214142000034
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Figure 0007214142000035
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Figure 0007214142000036
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Figure 0007214142000037
Figure 0007214142000037

次に、電子注入材料として用いることができる好ましい化合物例を挙げる。 Next, preferred examples of compounds that can be used as the electron injection material are given.

Figure 0007214142000038
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さらに添加可能な材料として好ましい化合物例を挙げる。例えば、安定化材料として添加すること等が考えられる。 Examples of preferred compounds as materials that can be added are given below. For example, it may be added as a stabilizing material.

Figure 0007214142000039
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上述の方法により作製された有機エレクトロルミネッセンス素子は、得られた素子の陽極と陰極の間に電界を印加することにより発光する。このとき、励起一重項エネルギーによる発光であれば、そのエネルギーレベルに応じた波長の光が、蛍光発光および遅延蛍光発光として確認される。また、励起三重項エネルギーによる発光であれば、そのエネルギーレベルに応じた波長が、燐光として確認される。通常の蛍光は、遅延蛍光発光よりも蛍光寿命が短いため、発光寿命は蛍光と遅延蛍光で区別できる。
一方、りん光については、通常の有機化合物では、励起三重項エネルギーは不安定で熱等に変換され、寿命が短く直ちに失活するため、室温では殆ど観測できない。通常の有機化合物の励起三重項エネルギーを測定するためには、極低温の条件での発光を観測することにより測定可能である。
The organic electroluminescence device produced by the method described above emits light by applying an electric field between the anode and cathode of the obtained device. At this time, in the case of light emission due to excited singlet energy, light having a wavelength corresponding to the energy level is confirmed as fluorescence emission and delayed fluorescence emission. Further, in the case of light emission due to excited triplet energy, a wavelength corresponding to the energy level is confirmed as phosphorescence. Since normal fluorescence has a shorter fluorescence lifetime than delayed fluorescence emission, the emission lifetime can be distinguished between fluorescence and delayed fluorescence.
On the other hand, in ordinary organic compounds, the excited triplet energy is unstable and converted into heat or the like, and the phosphorescence has a short life and is immediately deactivated, so phosphorescence cannot be observed at room temperature. In order to measure the excited triplet energy of ordinary organic compounds, it is possible to measure by observing light emission under extremely low temperature conditions.

有機エレクトロルミネッセンス素子は、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がX-Yマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。本発明によれば、発光層のホスト材料やアシストドーパントとして、一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤を含有させることにより、発光効率が大きく改善された有機発光素子が得られる。本発明の三重項増感剤を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子などの有機発光素子は、さらに様々な用途へ応用することが可能である。例えば、この有機エレクトロルミネッセンス素子を用いて、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することが可能であり、詳細については、時任静士、安達千波矢、村田英幸共著「有機ELディスプレイ」(オーム社)を参照することができる。また、特に、この有機エレクトロルミネッセンス素子は、需要が大きい有機エレクトロルミネッセンス照明やバックライトに応用することもできる。 The organic electroluminescence element can be applied to any of a single element, an element having a structure arranged in an array, and a structure having anodes and cathodes arranged in an XY matrix. According to the present invention, an organic light-emitting device having greatly improved luminous efficiency by containing a triplet sensitizer comprising a compound represented by the general formula (1) as a host material or an assist dopant in a light-emitting layer is provided. can get. An organic light-emitting device such as an organic electroluminescence device using the triplet sensitizer of the present invention can be applied to various uses. For example, it is possible to manufacture an organic electroluminescence display device using this organic electroluminescence element. You can refer to it. In particular, this organic electroluminescence device can also be applied to organic electroluminescence lighting and backlights, which are in great demand.

以下に合成例および実施例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下に示す材料、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。なお、発光特性の評価は、ソースメータ(ケースレー社製:2400シリーズ)、半導体パラメータ・アナライザ(アジレント・テクノロジー社製:E5273A)、光パワーメータ測定装置(ニューポート社製:1930C)、光学分光器(オーシャンオプティクス社製:USB2000)、分光放射計(トプコン社製:SR-3)およびストリークカメラ(浜松ホトニクス(株)製C4334型)を用いて行った。また、吸光度変化量ΔABSの測定は、プローブ光源としてのQuasi-CWレーザ(IPGフォトニクス社製)、モノクロメータおよび検出器を有する吸光度検出系と、ポンプ光源としての窒素レーザ(波長337nm)を有する励起光照射系を用い、光路長1mmの石英セルに対象化合物の溶液を注入して行った。 The features of the present invention will be more specifically described below with reference to Synthesis Examples and Examples. The materials, processing details, processing procedures, etc. described below can be changed as appropriate without departing from the gist of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be construed to be limited by the specific examples shown below. The emission characteristics were evaluated using a source meter (manufactured by Keithley: 2400 series), a semiconductor parameter analyzer (manufactured by Agilent Technologies: E5273A), an optical power meter measuring device (manufactured by Newport: 1930C), and an optical spectrometer. (Ocean Optics: USB2000), a spectroradiometer (Topcon: SR-3) and a streak camera (Hamamatsu Photonics, Model C4334). In addition, the absorbance change amount ΔABS is measured by a Quasi-CW laser (manufactured by IPG Photonics) as a probe light source, an absorbance detection system having a monochromator and a detector, and an excitation with a nitrogen laser (wavelength 337 nm) as a pump light source. Using a light irradiation system, a solution of the target compound was injected into a quartz cell having an optical path length of 1 mm.

(合成例1) 化合物3の合成
[1]中間体1の合成工程

Figure 0007214142000040
(Synthesis Example 1) Synthesis of compound 3 [1] Synthesis step of intermediate 1
Figure 0007214142000040

テトラセン-5,12-ジオン(1.50g,5.80mmol)とスズ粉末(3.00g)を100mLのシュレンク管に入れ、酢酸35mLを加えて120oCに加熱しながら1時間撹拌した。この反応液を高温に保持した状態で、塩酸(35%,11.5M,4mL)を加えてろ過した後、ろ液を半分量になるまで濃縮し、室温まで放冷した。得られた析出物をろ過により回収し、純水で洗浄することにより淡黄色固体を得た。この淡黄色固体に熱エタノールによる再結晶を行うことで、黄土色針状結晶としての中間体1(5-テトラセノン)を収量894mg(3.66mmol)、収率63%で得た。 Tetracene-5,12-dione (1.50 g, 5.80 mmol) and tin powder (3.00 g) were placed in a 100 mL Schlenk tube, 35 mL of acetic acid was added, and the mixture was stirred for 1 hour while heating to 120°C. Hydrochloric acid (35%, 11.5 M, 4 mL) was added to the reaction solution while the reaction solution was kept at a high temperature, and the solution was filtered. The resulting precipitate was collected by filtration and washed with pure water to obtain a pale yellow solid. This pale yellow solid was recrystallized with hot ethanol to obtain 894 mg (3.66 mmol) of Intermediate 1 (5-tetracenone) as ocher needle crystals at a yield of 63%.

[2]中間体2の合成工程

Figure 0007214142000041
[2] Synthesis step of intermediate 2
Figure 0007214142000041

中間体1(871mg,3.56mmol)を300mLの2口ナスフラスコに入れ、ピリジン(40mL)とピペリジン(4mL)を加えて溶解させ、さらに、ピリジン N-オキシド(4.00g,42.0mmol)および硫酸鉄(II)の七水和物(102mg,0.36mmol)を加えて、100oCで5時間撹拌した。この反応液を室温まで冷却した後、氷水で冷やしながら塩酸(6M,20mL)を加え、発煙および発熱が収まるまで撹拌した。得られた析出物をろ過により回収し、氷水で洗浄し、クロロホルムに溶解させた。この溶液を、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、ろ液を濃縮することで暗褐色固体としての中間体2(トランス体を主体とするビテトラセノンのシス‐トランス異性体混合物)を収量560mgで得た。 Intermediate 1 (871 mg, 3.56 mmol) was placed in a 300 mL two-necked eggplant flask, pyridine (40 mL) and piperidine (4 mL) were added to dissolve, and pyridine N-oxide (4.00 g, 42.0 mmol) was added. and iron (II) sulfate heptahydrate (102 mg, 0.36 mmol) were added and stirred at 100°C for 5 hours. After cooling the reaction solution to room temperature, hydrochloric acid (6M, 20 mL) was added while cooling with ice water, and the mixture was stirred until fuming and heat generation ceased. The resulting precipitate was collected by filtration, washed with ice water, and dissolved in chloroform. The solution was dried over sodium sulfate, filtered, and the filtrate was concentrated to yield 560 mg of Intermediate 2 (mixture of cis-trans isomers of bitetracenone predominantly trans-isomer) as a dark brown solid. Obtained.

[3]中間体3の合成工程

Figure 0007214142000042
[3] Synthesis step of intermediate 3
Figure 0007214142000042

ブロモベンゼン(0.24mL,2.27mmol)と脱水テトラヒドロフラン(2.5mL)を、Ar雰囲気下で100mLの2口ナスフラスコに入れ、-78oCに冷却しながら、1.6Mのn-ブチルリチウムのヘキサン溶液(1.7mL,2.72mmol)をゆっくり加え、-78℃に保ちながら2時間攪拌した。この反応液を冷却した状態のまま、それに、中間体2(550mg,1.13mmol)と脱水テトラヒドロフラン(25mL)の懸濁液を滴下し、ゆっくりと室温まで昇温しながら一晩攪拌した。この反応液に食塩水を加え、ジクロロメタンによる抽出を行い、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、ろ液を濃縮することで、褐色固体としての中間体3を収量562mgで得た。 Bromobenzene (0.24 mL, 2.27 mmol) and dehydrated tetrahydrofuran (2.5 mL) were placed in a 100 mL two-necked eggplant flask under an Ar atmosphere and cooled to −78° C. while adding 1.6 M n-butyllithium. A hexane solution (1.7 mL, 2.72 mmol) was added slowly, and the mixture was stirred for 2 hours while maintaining the temperature at -78°C. While the reaction was still cooled, a suspension of Intermediate 2 (550 mg, 1.13 mmol) and dehydrated tetrahydrofuran (25 mL) was added dropwise and stirred overnight while slowly warming to room temperature. Brine was added to the reaction solution, extraction was performed with dichloromethane, the solution was dried over sodium sulfate, filtered, and the filtrate was concentrated to obtain intermediate 3 as a brown solid in a yield of 562 mg.

[4] 化合物3の合成工程

Figure 0007214142000043
[4] Synthesis step of compound 3
Figure 0007214142000043

中間体3、ヨウ化ナトリウム(1.33g,8.87mmol)およびホスフィン酸ナトリウム一水和物(1.15g,10.8mmol)を300mLの2口フラスコに入れ、酢酸(100mL)を加えて120oCで2時間半攪拌した。この反応液を氷水に注ぎ、得られた析出物を吸引ろ過し、ろ物を純水で洗浄した後、ジクロロメタンに溶解させた。この溶液に硫酸ナトリウムを加えて乾燥させた後、ろ過し、ろ液を濃縮することで赤褐色固体を得た。この固体を、ジクロロメタン:ヘキサン=1:3の混合溶媒を展開溶媒に用いて、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、濃縮することで橙色固体としての化合物3(12,12’-ジフェニル-5,5’-ビテトラセン)を、収量220mg(0.36mmol)で得た。この合成経路全体での化合物3の収率は15.2%であった。
H NMR(600mHz,CDCl):δ 8.45(s,2H),7.89(d,J=6.0Hz,2H),7.85(s,2H),7.70-7.83(m,14H),7.57(d,J=6.0Hz,2H),7.34-7.36(m,2H),7.29-7.32(m,2H),7.19-7.22(m,2H),7.13-7.16(m,2H),7.03(d,J=6.0Hz,2H).
Intermediate 3, sodium iodide (1.33 g, 8.87 mmol) and sodium phosphinate monohydrate (1.15 g, 10.8 mmol) were placed in a 300 mL two-necked flask, acetic acid (100 mL) was added and heated to 120°C. and stirred for 2.5 hours. This reaction solution was poured into ice water, and the resulting precipitate was subjected to suction filtration, washed with pure water, and then dissolved in dichloromethane. After sodium sulfate was added to this solution to dry it, it was filtered and the filtrate was concentrated to obtain a reddish brown solid. This solid was purified by silica gel column chromatography using a mixed solvent of dichloromethane:hexane=1:3 as a developing solvent, and concentrated to obtain compound 3 (12,12'-diphenyl-5,5) as an orange solid. '-bitetracene) was obtained in a yield of 220 mg (0.36 mmol). The yield of compound 3 over this synthetic route was 15.2%.
1 H NMR (600 mHz, CDCl 3 ): δ 8.45 (s, 2H), 7.89 (d, J=6.0 Hz, 2H), 7.85 (s, 2H), 7.70-7. 83 (m, 14H), 7.57 (d, J=6.0Hz, 2H), 7.34-7.36 (m, 2H), 7.29-7.32 (m, 2H), 7. 19-7.22 (m, 2H), 7.13-7.16 (m, 2H), 7.03 (d, J=6.0Hz, 2H).

(合成例2) 化合物4の合成

Figure 0007214142000044
(Synthesis Example 2) Synthesis of Compound 4
Figure 0007214142000044

工程[3]におけるブロモベンゼンの代わりに2-ブロモナフタレンを用い、工程[4]におけるシリカゲルクロマトグラフィーの代わりにゲル浸透クロマトグラフィーを行ったこと以外は、合成例1と同様の反応を用い、橙色固体としての化合物4(12,12’-ジナフチル-5,5’-ビテトラセン)を合成した。
H NMR(600mHz,Acetone-D6):δ 8.60(s,2H),8.32-8.36(m,4H),8.21-8.24(m,2H),8.17(t,J=6.0Hz,2H),8.03(d,J=3.0Hz,2H),7.95-7.97(dd,J=6.0Hz,1H),7.85-7.92(m, 5H), 7.72-7.76(m, 4H), 7.51(dd, J = 6.0Hz,2H),7.34-7.37(m,2H),7.30(t,J=9.0Hz,2H),7.16-7.25(m,6H).
Using the same reaction as in Synthesis Example 1, except that 2-bromonaphthalene was used instead of bromobenzene in step [3] and gel permeation chromatography was performed instead of silica gel chromatography in step [4]. Compound 4 (12,12'-dinaphthyl-5,5'-bitetracene) was synthesized as a solid.
1 H NMR (600 mHz, Acetone-D6): δ 8.60 (s, 2H), 8.32-8.36 (m, 4H), 8.21-8.24 (m, 2H), 8.17 (t, J = 6.0 Hz, 2H), 8.03 (d, J = 3.0 Hz, 2H), 7.95-7.97 (dd, J = 6.0 Hz, 1H), 7.85- 7.92 (m, 5H), 7.72-7.76 (m, 4H), 7.51 (dd, J = 6.0Hz, 2H), 7.34-7.37 (m, 2H), 7.30 (t, J=9.0Hz, 2H), 7.16-7.25 (m, 6H).

(実験例1) 化合物1、化合物2と組み合わせるホスト材料の検討
Ar雰囲気のグローブボックス中で化合物1または化合物2を含有する各トルエン溶液を調製した。このとき、トルエン溶液における各化合物の濃度は、それぞれ1×10-5mol/Lとした。
調製した各トルエン溶液の光吸収スペクトルを図2に示す。
図2から、化合物1または化合物2の各トルエン溶液の吸収ピークは、ACRXTNとmCBPの薄膜の発光ピークと大きく重なっていることがわかる。このことから、ACRXTNで生じた励起一重項エネルギーは、フェルスターエネルギー移動機構により、化合物1、化合物2へ移動しうることが示され、ACRXTNは化合物1、化合物2と組み合わせるホスト材料として使用できることがわかった。
(Experimental Example 1) Investigation of host material combined with compound 1 and compound 2 Each toluene solution containing compound 1 or compound 2 was prepared in an Ar atmosphere glove box. At this time, the concentration of each compound in the toluene solution was 1×10 −5 mol/L.
FIG. 2 shows the optical absorption spectrum of each prepared toluene solution.
From FIG. 2, it can be seen that the absorption peak of each toluene solution of compound 1 or compound 2 largely overlaps with the emission peaks of the thin films of ACRXTN and mCBP. This indicates that the excited singlet energy generated in ACRXTN can be transferred to compounds 1 and 2 by the Förster energy transfer mechanism, and that ACRXTN can be used as a host material in combination with compounds 1 and 2. have understood.

(実験例2) 化合物1、化合物3、化合物4の発光特性の評価
Ar雰囲気のグローブボックス中で化合物1、化合物3または化合物4を含有する各トルエン溶液を調製した。このとき、トルエン溶液における各化合物の濃度は、それぞれ1×10-5mol/Lとした。調製した各トルエン溶液の435、470、468nm励起光による発光スペクトルを図3に示す。
各トルエン溶液の発光ピークはほぼ一致しており、化合物1、化合物3、化合物4が極めて近い発光特性を有することがわかった。
(Experimental Example 2) Evaluation of luminescence properties of compound 1, compound 3, and compound 4 Toluene solutions containing compound 1, compound 3, or compound 4 were prepared in a glove box under an Ar atmosphere. At this time, the concentration of each compound in the toluene solution was 1×10 −5 mol/L. FIG. 3 shows the emission spectra of each prepared toluene solution with excitation light of 435, 470 and 468 nm.
The luminescence peaks of each toluene solution were almost the same, indicating that compound 1, compound 3, and compound 4 had very similar luminescence characteristics.

(実施例1) 化合物1の一重項分裂性能および三重項増感性能の評価
フォトルミネッセンス量子収率による評価
石英基板上にスピンコート法にて、化合物1の薄膜(化合物1の濃度が100重量%である薄膜)およびACRXTNの薄膜(化合物1の濃度が0重量%である薄膜)を形成した。
また、これとは別に、スピンコート法にて、化合物1の濃度を6重量%、10重量%、20重量%、30重量%、60重量%に変えた各種薄膜も形成した。
形成した各薄膜の371nm励起光による発光スペクトルを図4に示す。また、各薄膜のフォトルミネッセンス量子収率を測定したところ、ACRXTNの薄膜(化合物1の濃度が0重量%の薄膜)のフォトルミネッセンス量子収率が70%と高かったのに対して、化合物1の濃度を6~100重量%へ高くするにしたがってフォトルミネッセンス量子収率が低下することが確認された。これは、化合物1の濃度が高くなることで、化合物1の分子間の距離が減少して、化合物1の分子間で生じる一重項分裂が促進されたことによると考えられる。よって、この結果は、化合物1が一重項分裂材料であることを示しており、三重項増感剤としての有用性を示唆するものである。
(Example 1) Evaluation of singlet splitting performance and triplet sensitization performance of compound 1
Evaluation by photoluminescence quantum yield
A thin film of compound 1 (thin film having a concentration of compound 1 of 100% by weight) and a thin film of ACRXTN (thin film having a concentration of compound 1 of 0% by weight) were formed on a quartz substrate by spin coating.
Separately from this, various thin films were formed by a spin coating method in which the concentration of compound 1 was changed to 6% by weight, 10% by weight, 20% by weight, 30% by weight, and 60% by weight.
FIG. 4 shows the emission spectrum of each formed thin film with excitation light of 371 nm. In addition, when the photoluminescence quantum yield of each thin film was measured, the photoluminescence quantum yield of the ACRXTN thin film (thin film with a concentration of compound 1 of 0% by weight) was as high as 70%, whereas the photoluminescence quantum yield of compound 1 was as high as 70%. It was confirmed that the photoluminescence quantum yield decreased as the concentration increased from 6 to 100% by weight. This is probably because the distance between the molecules of compound 1 decreased as the concentration of compound 1 increased, and singlet fission occurring between molecules of compound 1 was promoted. Therefore, this result indicates that Compound 1 is a singlet fission material and suggests its usefulness as a triplet sensitizer.

三重項励起子生成効率Φ ISC による評価
Ar雰囲気のグローブボックス中で化合物1を含有するクロロホルム溶液を、1×10-3mol/L、1×10-2mol/L、2.5×10-2mol/L、5×10-2mol/L、または1×10-1mol/Lの各濃度で調製した。
調製した各クロロホルム溶液に337nmのポンプ光(励起光)を照射し、530nmのプローブ光に対する吸光度変化量ΔABSの過渡減衰曲線を測定した。その結果を図5~7に示す。ここで、吸光度変化量ΔABSは、ポンプ光照射後の溶液の吸光度ABSEXからポンプ光照射前の溶液の吸光度ABSを引いた値である。図5~7のうち、図5は、化合物1を5×10-2mol/Lの濃度で含有するクロロホルム溶液に、10μJ/パルス、15μJ/パルス、または20μJ/パルスでポンプ光を照射したときの過渡吸収減衰曲線を示し、図6は、化合物1を1×10-1mol/Lの濃度で含有するクロロホルム溶液に、10μJ/パルス、15μJ/パルス、または20μJ/パルスでポンプ光を照射したときの過渡吸収減衰曲線を示し、図7は、化合物1を1×10-3mol/L、1×10-2mol/L、2.5×10-2mol/L、5×10-2mol/L、または1×10-1mol/Lの濃度で含有する各クロロホルム溶液に、15μJ/パルスでポンプ光を照射したときの過渡吸収減衰曲線を示す。図5および図6において、白丸は、フィッティング曲線を形成するプロットを示す。
また、化合物1を1×10-3mol/L、1×10-2mol/L、または2.5×10-2mol/Lの濃度で含有する各クロロホルム溶液について、520nmでの吸光度変化量ΔABSを縦軸、励起光強度を横軸としてプロットした相関図を図8に示し、化合物1を1×10-3mol/L、1×10-2mol/L、2.5×10-2mol/L、5×10-2mol/L、または1×10-1mol/Lの濃度で含有する各クロロホルム溶液について、530nmでの吸光度変化量ΔABSを縦軸、励起光強度を横軸としてプロットした相関図を図9に示す。図8および図9における吸光度変化量ΔABSは、337nmのポンプ光を照射した直後に測定した溶液の吸光度ABSEXから、励起光照射前の溶液の吸光度ABSを引いた値である。
また、図8および図9にプロットしたデータのうち、337nmのポンプ光を照射した直後に測定したΔABSの値から、上記の式(I)を用いて三重項励起子生成効率ΦISCを求めた。化合物1の三重項励起子生成効率ΦISCの濃度依存性を調べた結果を図10に示す。ここで、三重項励起子生成効率ΦISCは、ポンプ光に対するモル吸光係数εを2793L/(molcm)とし、セルの光路長Lを1mmとして計算した。図10中の縦軸の目盛は、各濃度でのΦISCを、1×10-3mol/LでのΦISCを1として標準化した相対値を示す。
図10から示されるように、化合物1の三重項励起子生成効率ΦISCは、化合物濃度が増加するにつれて向上し、プローブ光波長530nmでは、1×10-1mol/Lでの三重項励起子生成効率ΦISCが1×10-3mol/Lでの三重項励起子生成効率ΦISCのおよそ10倍に達した。このように、三重項励起子生成効率ΦISCが化合物1の濃度に依存して向上したことは、化合物1の濃度が増加することによって、化合物1の分子間距離が短くなり、分子間で生じる一重項分裂過程(電子移動)、および、一重項分裂過程を経由する三重項励起子生成が促進されたことを示す。このことから、化合物1が一重項分裂材料および三重項増感剤として有用であることを確認することができた。
Triplet exciton generation efficiency Φ Evaluation by ISC A chloroform solution containing compound 1 was added to 1×10 −3 mol/L, 1×10 −2 mol/L, and 2.5×10 in an Ar atmosphere glove box. Each concentration was prepared at 2 mol/L, 5×10 −2 mol/L, or 1×10 −1 mol/L.
Each prepared chloroform solution was irradiated with pump light (excitation light) of 337 nm, and a transient decay curve of absorbance change ΔABS with respect to probe light of 530 nm was measured. The results are shown in FIGS. Here, the absorbance change amount ΔABS is a value obtained by subtracting the absorbance ABS 0 of the solution before the pump light irradiation from the absorbance ABS EX of the solution after the pump light irradiation. Of FIGS. 5 to 7, FIG. 5 shows the results when a chloroform solution containing compound 1 at a concentration of 5×10 −2 mol/L was irradiated with pump light at 10 μJ/pulse, 15 μJ/pulse, or 20 μJ/pulse. FIG. 6 shows the transient absorption decay curve of compound 1 in a chloroform solution containing 1×10 −1 mol/L was irradiated with pump light at 10 μJ/pulse, 15 μJ/pulse, or 20 μJ/pulse. Fig. 7 shows the transient absorption decay curves at the time of Shown are transient absorption decay curves when each chloroform solution containing mol/L or 1×10 −1 mol/L was irradiated with pump light at 15 μJ/pulse. In Figures 5 and 6, the open circles indicate the plots forming the fitting curves.
Also, for each chloroform solution containing compound 1 at a concentration of 1×10 −3 mol/L, 1×10 −2 mol/L, or 2.5×10 −2 mol/L, the absorbance change at 520 nm A correlation diagram plotted with ΔABS on the vertical axis and excitation light intensity on the horizontal axis is shown in FIG. For each chloroform solution containing concentrations of mol/L, 5×10 −2 mol/L, or 1×10 −1 mol/L, the absorbance change ΔABS at 530 nm is plotted on the vertical axis and the excitation light intensity is plotted on the horizontal axis. A plotted correlation diagram is shown in FIG. The absorbance change ΔABS in FIGS. 8 and 9 is a value obtained by subtracting the absorbance ABS 0 of the solution before the excitation light irradiation from the absorbance ABS EX of the solution measured immediately after irradiation with the pump light of 337 nm.
Further, among the data plotted in FIGS. 8 and 9, the triplet exciton generation efficiency Φ ISC was obtained using the above formula (I) from the value of ΔABS measured immediately after irradiation with the pump light of 337 nm. . FIG. 10 shows the results of examining the concentration dependence of the triplet exciton generation efficiency Φ ISC of Compound 1. In FIG. Here, the triplet exciton generation efficiency Φ ISC was calculated assuming that the molar extinction coefficient ε for the pump light was 2793 L/(molcm) and the optical path length L of the cell was 1 mm. The scale of the vertical axis in FIG. 10 indicates the relative value normalized by setting Φ ISC at each concentration to 1 at 1×10 −3 mol/L.
As shown in FIG. 10, the triplet exciton generation efficiency Φ ISC of compound 1 improves with increasing compound concentration, and at a probe light wavelength of 530 nm, triplet excitons at 1×10 −1 mol/L The generation efficiency Φ ISC reached about 10 times the triplet exciton generation efficiency Φ ISC at 1×10 −3 mol/L. Thus, the triplet exciton generation efficiency Φ ISC improved depending on the concentration of compound 1 because the intermolecular distance of compound 1 was shortened by increasing the concentration of compound 1, and the intermolecular It shows that the singlet fission process (electron transfer) and triplet exciton generation via the singlet fission process were promoted. From this, it was confirmed that compound 1 is useful as a singlet splitting material and a triplet sensitizer.

Figure 0007214142000045
Figure 0007214142000045

本発明における化合物は一重項分裂材料および三重項増感剤として有用である。本発明の三重項増感剤を用いることにより、有機発光素子や有機太陽電池のような有機デバイスの効率を飛躍的に向上させることができる。このため、本発明は産業上の利用可能性が高い。 The compounds in the present invention are useful as singlet splitting materials and triplet sensitizers. By using the triplet sensitizer of the present invention, the efficiency of organic devices such as organic light-emitting elements and organic solar cells can be dramatically improved. Therefore, the present invention has high industrial applicability.

1 基板
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 陰極
REFERENCE SIGNS LIST 1 substrate 2 anode 3 hole injection layer 4 hole transport layer 5 light emitting layer 6 electron transport layer 7 cathode

Claims (10)

下記一般式(1)で表される化合物からなる一重項分裂材料。
Figure 0007214142000046
[一般式(1)において、R置換もしくは無置換の1-ナフタレニル基または置換もしくは無置換の2-ナフタレニル基を表す。RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換の1-ナフタレニル基または置換もしくは無置換の2-ナフタレニル基を表す。 ~R における置換1-ナフタレニル基および置換2-ナフタレニル基の置換基は、アルキル基およびフェニル基から選択され、前記アルキル基はアリール基で置換されていてもよく、前記フェニル基はアルキル基およびフェニル基から選択される基で置換されていてもよい。
A singlet fission material comprising a compound represented by the following general formula (1).
Figure 0007214142000046
[In general formula (1), R 1 represents a substituted or unsubstituted 1-naphthalenyl group or a substituted or unsubstituted 2-naphthalenyl group . One of R 2 and R 3 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted 1-naphthalenyl group or a substituted or unsubstituted 2-naphthalenyl group . The substituents of the substituted 1-naphthalenyl group and the substituted 2-naphthalenyl group in R 1 to R 3 are selected from an alkyl group and a phenyl group, the alkyl group may be substituted with an aryl group, and the phenyl group is an alkyl group. optionally substituted with a group selected from a group and a phenyl group. ]
とRが各々独立に無置換の1-ナフタレニル基または無置換の2-ナフタレニル基である、請求項1に記載の一重項分裂材料。 The singlet splitting material of claim 1, wherein R 1 and R 2 are each independently an unsubstituted 1-naphthalenyl group or an unsubstituted 2-naphthalenyl group . とRが同一である、請求項1または2に記載の一重項分裂材料。 3. Singlet fission material according to claim 1 or 2, wherein R1 and R2 are the same. 下記一般式(1)で表される化合物からなる三重項増感剤。
Figure 0007214142000047
[一般式(1)において、R置換もしくは無置換の1-ナフタレニル基または置換もしくは無置換の2-ナフタレニル基を表す。RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換の1-ナフタレニル基または置換もしくは無置換の2-ナフタレニル基を表す。 ~R における置換1-ナフタレニル基および置換2-ナフタレニル基の置換基は、アルキル基およびフェニル基から選択され、前記アルキル基はアリール基で置換されていてもよく、前記フェニル基はアルキル基およびフェニル基から選択される基で置換されていてもよい。
A triplet sensitizer comprising a compound represented by the following general formula (1).
Figure 0007214142000047
[In general formula (1), R 1 represents a substituted or unsubstituted 1-naphthalenyl group or a substituted or unsubstituted 2-naphthalenyl group . One of R 2 and R 3 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted 1-naphthalenyl group or a substituted or unsubstituted 2-naphthalenyl group . The substituents of the substituted 1-naphthalenyl group and the substituted 2-naphthalenyl group in R 1 to R 3 are selected from an alkyl group and a phenyl group, the alkyl group may be substituted with an aryl group, and the phenyl group is an alkyl group. optionally substituted with a group selected from a group and a phenyl group. ]
とRが各々独立に無置換の1-ナフタレニル基または無置換の2-ナフタレニル基である、請求項4に記載の三重項増感剤。 5. The triplet sensitizer according to claim 4, wherein R 1 and R 2 are each independently an unsubstituted 1-naphthalenyl group or an unsubstituted 2-naphthalenyl group . とRが同一である、請求項4または5に記載の三重項増感剤。 6. A triplet sensitizer according to claim 4 or 5, wherein R1 and R2 are the same. 下記一般式(2)で表される化合物。
Figure 0007214142000048
[一般式(2)において、RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。 ~R における置換アリール基の置換基は、アルキル基およびアリール基から選択され、アルキル基はアリール基で置換されていてもよく、アリール基はアルキル基およびアリール基から選択される基で置換されていてもよい。nは0または1である。]
A compound represented by the following general formula (2).
Figure 0007214142000048
[In general formula (2), one of R 4 and R 5 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. One of R6 and R7 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. The substituents of the substituted aryl groups in R 4 to R 7 are selected from alkyl groups and aryl groups, the alkyl groups may be substituted with aryl groups, and the aryl groups are groups selected from alkyl groups and aryl groups. may be substituted. n is 0 or 1; ]
とRが各々独立に無置換のアリール基である、請求項7に記載の化合物。 8. The compound of claim 7 , wherein R4 and R6 are each independently an unsubstituted aryl group. とRが同一である、請求項7または8に記載の化合物。 9. A compound according to claim 7 or 8 , wherein R4 and R6 are the same. 下記一般式(2)で表される化合物を含む薄膜。
Figure 0007214142000049
[一般式(2)において、RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。RおよびRの一方は水素原子で、他方は置換もしくは無置換のアリール基を表す。 ~R における置換アリール基の置換基は、アルキル基およびアリール基から選択され、アルキル基はアリール基で置換されていてもよく、アリール基はアルキル基およびアリール基から選択される基で置換されていてもよい。nは0または1である。]
A thin film containing a compound represented by the following general formula (2).
Figure 0007214142000049
[In general formula (2), one of R 4 and R 5 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. One of R6 and R7 is a hydrogen atom, and the other represents a substituted or unsubstituted aryl group. The substituents of the substituted aryl groups in R 4 to R 7 are selected from alkyl groups and aryl groups, the alkyl groups may be substituted with aryl groups, and the aryl groups are groups selected from alkyl groups and aryl groups. may be substituted. n is 0 or 1; ]
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