JP7182719B2 - 駆動制御回路、エアコン及びコントローラ - Google Patents

駆動制御回路、エアコン及びコントローラ Download PDF

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Description

本願は、２０１９年１月１６日に中国特許庁に提出された、出願番号が２０１９１００４１２９４．５であり、発明の名称が「駆動制御回路及びエアコン」である中国特許出願の優先権を主張し、その内容のすべてを援用することにより本願に取り入れる。
また、本願は、２０１９年１月１６日に中国特許庁に提出された、出願番号が２０１９１００４１２７９．０であり、発明の名称が「駆動制御回路、エアコンコントローラ及びエアコン」である中国特許出願の優先権を主張し、その内容のすべてを援用することにより本願に取り入れる。
また、本願は、２０１９年１月１６日に中国特許庁に提出された、出願番号が２０１９１００４１７１１．６であり、発明の名称が「駆動制御回路、エアコンコントローラ及びエアコン」である中国特許出願の優先権を出張し、その内容のすべてを援用することにより本願に取り入れる。
本願は、圧縮機制御技術の分野に関し、具体的には、駆動制御回路、エアコン、駆動制御回路、コントローラ、エアコン、駆動制御回路、コントローラ及びエアコンに関する。
一般的に、インバータエアコンコントローラでは、ＡＣ－ＤＣ－ＡＣ（交流－直流－交流）のトポロジー構造が多く用いられ、図１に示すように、主に交流電源モジュール１０’と、電源フィルタモジュール１２’と、整流モジュール１４’と、フィルタモジュール１６’と、インバータモジュール１８’と、負荷２０’とを含む。
一般的に、フィルタモジュールでは整流後の商用電源周波数信号をフィルタリングして平坦化させるため、主なフィルタ素子として大容量の電解コンデンサを使用することが多く、図２及び図３に示すように、Ｃ２からＣ７はいずれもフィルタ用電解コンデンサである。
しかし、電解コンデンサを使用すると、次の問題が生じる。
１．入力交流電流のＴＨＤ（Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ、全高調波歪み）が増大する。
２．電解コンデンサの耐用寿命が短いため、電解コンデンサを使用するとコントローラの最大耐用寿命に影響がある。
３．電解コンデンサの発熱量が多いため、コントローラの効率が低下し、コントローラの熱管理の難易度が上がる。
４．電解コンデンサを多く用いるとＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ、プリント回路基板）における応力分布が不均一になり、コントローラ全体の重さも増加する。
本願は、少なくとも従来技術又は関連技術における技術的課題の１つを解決することを目的とする。
そのため、本願の第１の態様は、駆動制御回路を提供する。
本願の第２の態様は、エアコンを提供する。
本願の第３の態様は、駆動制御回路を提供する。
本願の第４の態様は、コントローラを提供する。
本願の第５の態様は、エアコンを提供する。
本願の第６の態様は、駆動制御回路を提供する。
本願の第７の態様は、コントローラを提供する。
本願の第８の態様は、エアコンを提供する。
そこで、本願の第１の態様は、駆動制御回路を提供し、駆動信号を出力するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジを含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルと、バスライン上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとをさらに含む。
当該技術的手段において、駆動制御回路にリアクトルが設けられ、リアクトルは駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収して、駆動制御回路の耐サージ特性を向上させるために用いられ、リアクトル及びバスコンデンサの共振周波数は１／（２π√ＬＣ）に固定され、Ｌはリアクトルのインダクタンスであり、Ｃはバスコンデンサの容量であり、分布インダクタンス－容量パラメータにより共振周波数が固定しない状況を効果的に防ぐことができる。また、従来の電解コンデンサの代わりに容量の小さいバスコンデンサが使用され、具体的にはフィルムコンデンサがバス上のバスコンデンサとして使用され、フィルムコンデンサはインバータブリッジの入力側に並列に接続され、前記高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続されて、バス上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられる。本願に係る技術的手段を用いると、コストの高い電解コンデンサの代わりに比較的低コストのフィルムコンデンサを使用することで、製造コストが効果的に削減され、フィルムコンデンサの耐用寿命は６２５０時間に達しており、通常の電解コンデンサの２０００時間よりはるかに大きいため、駆動制御回路の耐用寿命を効果的に引き伸ばすことができる。また、フィルムコンデンサのＥＳＲ（等価直列抵抗）が小さいため、同じリップル電流の影響では、フィルムコンデンサは電解コンデンサより発熱量がはるかに小さいため、バスコンデンサの発熱で制御効率が低下するという問題を効果的に避けることができ、駆動制御回路の信頼性及び動作効率が向上される。
好ましくは、駆動制御回路は初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに直列に接続される電流制限回路をさらに含む。
使用されたバスコンデンサの容量が小さいため、サージ電圧がある場合に、小容量のフィルムコンデンサが多くのエネルギーを吸収できないため、この場合にバス電圧がサージ吸収コンデンサの端子電圧より高くなると、電流制限回路が成立して通電時のバスコンデンサの充電電流を制限することで、バスコンデンサが過電流によって破壊されることを防ぐ。
好ましくは、電流制限回路は、初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに直列に接続されるサーミスタと、第１抵抗性素子を接続させて電流制限を行わせるか又は第１抵抗性素子を短絡して電流制限を停止するよう制御するために用いられ、且つサーミスタの両端に並列に接続されるリレーとを含む。
高電圧バスにサージ信号が出現する場合に、サーミスタが初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限して、バスコンデンサが破壊されないことが保証されるとともに、サーミスタの抵抗値が温度に従って線形的に変化して、充電電流の上昇速度に対する制限が実現される。サーミスタの両端にリレーが並列に接続されて、スイッチング特性を備えるサーミスタが形成され、駆動制御回路の初回通電時は、リレーがオフ状態であり、第１サーミスタ及びバスコンデンサは交流給電側からのサージ信号を吸収し、初回通電後は、高電圧バス上の電流が大きくない場合に、第１リレーがオンされて、第１サーミスタの高電圧バスに対する電流制限効果が緩和される。
本願の前記実施例に係る駆動制御回路は、さらに以下のような付加的な技術的特徴を有してもよい。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路はバスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサとインバータブリッジとの間に接続される第１吸収回路をさらに含む。
当該技術的手段において、バスコンデンサとしてフィルムコンデンサが使用される場合には、回路中にサージ電圧がある場合に、フィルムコンデンサが多くのサージエネルギーを吸収できないため、第１吸収回路をバスコンデンサとインバータブリッジとの間に接続させて、バスコンデンサがインバータブリッジ側のバスライン上のサージ信号を吸収することを助けることで、バスコンデンサがサージ信号によって破壊されることを防ぐ。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、第１吸収回路はサージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収素子と、抵抗性吸収素子のサージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、抵抗性吸収素子に直列に接続される第１スイッチング素子であって、第１スイッチング素子がオンされる場合に、抵抗性吸収素子がサージ信号を吸収し、第１スイッチング素子がオフされる場合に、抵抗性吸収素子がサージ信号の吸収を停止する前記第１スイッチング素子とを含む。
当該技術的手段において、第１吸収回路はバスコンデンサのインバータブリッジに近い側のサージ信号を吸収するための抵抗性吸収素子を含む。具体的には、第１スイッチング素子がオンされると、抵抗性吸収素子は駆動制御回路に接続されてサージ信号を吸収し、具体的には、抵抗性吸収素子はサージ信号の電気エネルギーを熱エネルギーに変換して放出させることによって、サージ信号を解消し、容量の小さいフィルムコンデンサに取り替えることでバスコンデンサがサージ信号によって破壊されることを避ける。バス上のサージ信号が低下又は消失した後、第１スイッチング素子がオフされ、抵抗性吸収素子が駆動制御回路から遮断されることで、吸収制御回路における正常な電気信号に対する影響を避ける。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、抵抗性吸収素子はサージ信号を吸収するための第１抵抗を含み、第１抵抗は第１スイッチング素子に直列に接続され、第１抵抗の抵抗値が予め設定されたバス電圧保護閾値に対応し、且つ／又は第１抵抗の抵抗値が予め設定された第１スイッチング素子の過電流保護閾値に対応する。
当該技術的手段において、抵抗性吸収素子は第１スイッチング素子に直列に接続される第１抵抗を含み、第１スイッチング素子がオンされる場合に、第１吸収回路がオンされ、サージ信号が第１抵抗によって吸収され、第１スイッチング素子がオフされる場合に、第１吸収回路がオフされ、第１抵抗は駆動制御回路における電気信号を吸収しなくなる。具体的には、第１抵抗の抵抗値及び電力は予め設定されたバス電圧保護閾値及び予め設定された第１スイッチング素子の過電流値及び吸収の電力需要に対応し、これにより抵抗性吸収素子のサージ吸収効果が保証される。なお、電圧保護閾値及び電流保護閾値は駆動回路における各コンポーネントの出荷前で較正された耐電圧値及び耐電流値に関係する。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、抵抗性吸収素子は、第１抵抗に並列に接続される第１単方向導通素子を含み、第１単方向導通素子の導通方向は第１抵抗を流れる電流の方向と逆である。
当該技術的手段において、第１抵抗の両端に第１単方向導通素子が並列に接続され、具体的には、第１単方向導通素子はダイオードであり、第１抵抗の自己インダクタンス電圧放出回路を形成させて、第１抵抗において生成される自己インダクタンス電圧が第１スイッチング素子の信頼性に影響を与えることを防ぐために用いられる。
好ましくは、第１抵抗は誘導抵抗である。
好ましくは、第１単方向導通素子の導通方向は第１抵抗における電流方向と逆である。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路は、高電圧バス及び低電圧バス上のサージ信号を吸収するための第２吸収回路をさらに含み、第２吸収回路は、サージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、容量性吸収素子のサージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、且つ容量性吸収素子に直列に接続される第２単方向導通素子とを含む。
当該技術的手段において、第２吸収回路は、バス上のサージ信号を吸収し、且つバスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、容量性吸収素子に直列に接続される第２単方向導通素子をさらに含む。具体的には、容量性吸収素子は容量特性を有し、容量性吸収素子は容量性吸収素子のサージ信号の吸収過程を制限することによって、容量性吸収素子が高電圧バス上のサージ信号だけを吸収するようにするために用いられ、つまり単方向導通素子を設けることによって、バスコンデンサと容量性吸収素子とが区別され、容量性吸収素子がバスコンデンサとして使用されることが避けられ、容量性吸収素子の使用頻度が低減され、第２吸収回路の耐用寿命が引き伸ばされる。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、容量性吸収素子は、少なくとも１つのコンデンサ、又は直列に接続される且つ／もしくは並列に接続される複数のコンデンサを含み、第２吸収回路は、第１容量性素子におけるサージ信号を吸収するために用いられ、且つコンデンサに並列に接続される第２抵抗をさらに含む。
当該技術的手段において、容量性吸収素子はサージ信号を吸収するための１つ又は複数のコンデンサを含み、複数のコンデンサは互いに直列に接続され且つ／又は互いに並列に接続され、且つコンデンサに並列に接続される第２抵抗が設けられ、コンデンサに並列に接続される第２抵抗を利用してコンデンサにおけるサージ信号を吸収し、第２抵抗が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。
好ましくは、第２吸収回路と第１吸収回路は両方が設けられてもよいしいずれか一方が設けられてもよく、第２吸収回路と第１吸収回路が両方設けられる場合に、第２吸収回路と第１吸収回路は互いに並列に接続される。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、第２吸収回路は、容量性吸収素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ容量性吸収素子に直列に接続される電流制限抵抗をさらに含む。
当該技術的手段において、第２吸収回路に電流制限抵抗が設けられ、電流制限抵抗は容量性吸収素子に直列に接続され、通電時に容量性吸収素子を流れる電流を制限し、容量性吸収素子の充電電流を所定の範囲に制限させて、容量性吸収素子が過電流によって破壊されることを防ぐために用いられる。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路は、リアクトルにおいて発生する発振信号を吸収するために用いられ、且つリアクトルに並列に接続される第４抵抗をさらに含む。
当該技術的手段において、リアクトルの両端に第４抵抗が並列に接続されることで、リアクトルにおいて発生する発振信号を吸収し、具体的には、第４抵抗には、抵抗値が２００Ωより小さいシステム減衰が追加され、バスコンデンサがフィルムコンデンサである場合に、第４抵抗を設けるとシステムの安定性を向上させることができる。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路は、第１スイッチング素子に接続され、且つ駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第１スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるためのサンプリング制御回路をさらに含み、給電信号は駆動制御回路の交流側の給電信号及びバスラインの給電信号を含む。
当該技術的手段において、駆動制御回路にサンプリング回路が設けられ、サンプリング回路は回路交流側の給電信号及び／又は前記バスラインの給電信号を収集して、給電信号の電圧振幅値に基づいて第１スイッチング素子を制御してオン又はオフさせて、第１吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。
本願の第２の態様は、モータと、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。
本願の第３の態様は、駆動制御回路を提供し、駆動信号を出力するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジを含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルと、負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサと、第１抵抗性素子及び第２スイッチング素子であって、第２スイッチング素子は第１抵抗性素子を制御してサージ信号を吸収させるように設定され、第１抵抗性素子及び第２スイッチング素子は直列に接続されてから、高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続される、第１抵抗性素子及び第２スイッチング素子と、単方向導通素子又は第３スイッチング素子と、第１容量性素子であって、単方向導通素子又は第３スイッチング素子は第１容量性素子による高電圧バス上のサージ信号の吸収を制限するように設定され、単方向導通素子又は第３スイッチング素子と第１容量性素子は直列に接続されてから、高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続される、第１容量性素子と、第２スイッチング素子に接続され、バス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第１抵抗性素子の動作を制御する制御チップとを含む。
本願の実施例に係る駆動制御回路は、インバータブリッジと、バスコンデンサと、リアクトルとを含み、インバータブリッジは負荷の動作を駆動及び制御し、例えばモータの動作を制御し、バスコンデンサの容量が小さいため、高電圧バスにおいて形成されるサージ信号が完全に吸収されることは保証しにくく、リアクトルを設けて駆動制御回路が負荷の動作を駆動する過程で発生するサージ信号を吸収するとともに、電源入力信号に対しフィルタリングすることによって、インバータブリッジ側及び瞬間的な動作停止時のリアクトルにフライバックされるサージ信号が単方向導通素子又は第３スイッチング素子及び第１容量性素子から構成される第１吸収経路によって放出されて、サージ信号に対する制御が実現されるとともに、バス上のサージ信号が吸収されることが保証され、サージ信号を吸収するために第１抵抗性素子及び第２スイッチング素子から構成される第２吸収経路がさらに設けられ、具体的には、制御チップはバス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第１抵抗性素子がサージ信号を吸収するかどうかを制御し、第１吸収経路及び第２吸収経路が設けられることで回路中のサージ信号の吸収能力が向上され、回路の信頼性が向上され、なお、単方向導通素子は単方向導通特性を有する素子であってもよく、例えばダイオードなどである。
前記技術的手段において、さらに、第１容量性素子におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ第１容量性素子に並列に接続される第２抵抗性素子をさらに含む。
当該技術的手段において、第１容量性素子が高電圧バス上のサージ信号を吸収した後、第２抵抗性素子を利用して第１容量性素子におけるサージ信号を放出させ、第２抵抗性素子が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上され、吸収コンデンサの容量需要が低減される。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、高電圧バス上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つ第１容量性素子に直列に接続される第２容量性素子をさらに含む。
当該技術的手段において、高電圧バスの電圧が大きい場合に、第１容量性素子に第２容量性素子を直列に接続させることで、高電圧バスのサージ信号吸収能力を向上させる。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、第２容量性素子におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ第２容量性素子に並列に接続される第３抵抗性素子をさらに含む。
当該技術的手段において、第２容量性素子が設けられる場合に、第３抵抗性素子を設けて第２抵抗性素子と組み合わせて使用することによって、第１容量性素子及び第２容量性素子の両端の電圧にバランスを取り、また第３抵抗性素子は第２容量性素子上のサージ信号を放出させて、駆動制御回路の信頼性を向上させるためにも用いられる。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、第１容量性素子及び／又は第２容量性素子に流れる電流を制限するための第４抵抗性素子をさらに含み、第４抵抗性素子、第２スイッチング素子及び第１容量性素子が直列に接続され、又は第４抵抗性素子、第２スイッチング素子、第１容量性素子及び第２容量性素子が直列に接続される。
当該技術的手段において、第１容量性素子及び／又は第２容量性素子に直列に接続される第４抵抗性素子を設け、第４抵抗性素子を利用して第１容量性素子及び／又は第２容量性素子に流れる電流を制限して、第１容量性素子及び／又は第２容量性素子及び並列に接続される抵抗性素子が過電流により破壊されることを防ぐことで、駆動制御回路の信頼性が向上される。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、第１抵抗性素子におけるスパイク電圧信号を放出させるために用いられ、且つ第１抵抗性素子に並列に接続される第１放電素子をさらに含む。
当該技術的手段において、第１放電素子が設けられることで、第１抵抗性素子が高電圧バス上のサージ信号を吸収した後、第１抵抗性素子に並列に接続される第１放電素子を利用して第１抵抗性素子におけるスパイク電圧信号を放出させ、第１放電素子が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、第３スイッチング素子は制御チップに接続され、制御チップはバス信号を収集して、バス信号に基づいて第３スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるために用いられる。
当該技術的手段において、第３スイッチング素子が設けられることで第１吸収経路の制御可能性が実現され、制御チップはバス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第３スイッチング素子を制御して、第１容量性素子によるサージ信号の吸収の制御を実現する。第３スイッチング素子が設けられることで、駆動制御回路の制御可能性が向上され、サージ吸収能力が向上されていることを前提に、駆動制御回路の信頼性が向上される。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、電圧閾値は第１電圧閾値と、第２電圧閾値とを含み、制御チップは具体的には、バス信号が第１電圧閾値より大きく又は等しく第２電圧閾値より小さい場合に、第２スイッチング素子を制御してオフさせ、第３スイッチング素子を制御してオンさせ、バス信号が第２電圧閾値より大きく又は等しい場合に、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御してオンさせ、バス信号が第１電圧閾値より小さい場合に、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御してオフさせるために用いられる。
当該技術的手段において、バス信号（例えば高電圧バスの電圧信号）と第１電圧閾値及び第２電圧閾値とを比較し、比較結果に基づいて第１容量性素子及び第１抵抗性素子をそれぞれ制御してサージ信号を吸収させ、具体的には、高電圧バスの電圧信号が第１電圧閾値より大きく又は等しく第２電圧閾値より小さい場合に、第２スイッチング素子を制御してオフさせ、第３スイッチング素子を制御してオンさせ、第１容量性素子を利用してサージ信号を吸収し、高電圧バスの電圧信号が第２電圧閾値より大きく又は等しい場合に、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御してオンさせて、迅速な吸収サージを実現し、高電圧バス上の電圧が高すぎると駆動制御回路のコンポーネントが破壊されることを避け、高電圧バスの電圧信号が第１電圧閾値より小さい場合に、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御してオフさせて、バスコンデンサによってサージ信号を吸収することによって、第１吸収経路と第２吸収経路の両方のコンポーネントの耐用寿命が引き伸ばされる。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、駆動制御回路は交流信号を整流してバス信号として出力する整流ブリッジをさらに含み、バス信号は高電圧バス及び低電圧バスを介してバスコンデンサ、インバータブリッジ及び負荷に出力され、制御チップは交流信号に基づいて第２スイッチング素子のオン状態及び第３スイッチング素子のオン状態を制御する。
前記いずれかの技術的手段において、さらに、バスコンデンサはフィルムコンデンサである。
本願の第４の態様は、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路を含むコントローラを提供し、該コントローラは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。
本願の第５の態様は、モータと、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。
本願の第６の態様は、駆動制御回路を提供し、負荷の動作を駆動及び制御するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジ、を含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルと、負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとを含み、該駆動制御回路は、バスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収回路と、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御するために用いられ、抵抗性吸収回路に直列に接続される第４スイッチング素子であって、第４スイッチング素子がオンされる場合に、抵抗性吸収回路がサージ信号を吸収し、第４スイッチング素子がオフされる場合に、抵抗性吸収回路がサージ信号の吸収を停止する第４スイッチング素子とをさらに含む。
本願に係る駆動制御回路は、抵抗性吸収回路をバスコンデンサに並列に接続させることによって、バスコンデンサがバス上のサージ信号を吸収することを助けるとともに、第４スイッチング素子と抵抗性吸収回路を直列に接続させることによって、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。具体的に言えば、プロトタイプが通常動作する場合に、バス電圧の最大値はバス電圧保護閾値（実際の状況に基づいて設定できる）よりはるかに小さく、抵抗性吸収回路を入れなくてもよいため、第４スイッチング素子は機能せずに済み、サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時のモータ巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及びモータの運動エネルギーに由来し、サージ信号が来る時には、小容量のバスコンデンサ（例えばフィルムコンデンサ又は小容量電解コンデンサ）のサージ能力吸収に限界があるため、バス電圧が迅速に上昇し、バス電圧が保護閾値を超えたら、コンポーネントが破壊される恐れがあり、コンポーネント（主にスマート電力モジュールやコンデンサなどのコンポーネント）を高電圧破壊から保護するために、第４スイッチング素子がオンされ、抵抗性吸収回路がサージを吸収し始め、バス電圧が迅速に低下し、バス電圧が合理的な範囲（実際の状況に基づいて設定できる）にある時、第４スイッチング素子がオフされ、抵抗性吸収回路は本段階のサージ吸収過程を終了する。本願に係る駆動制御回路は、バスコンデンサによるサージ信号の吸収がよくないという状況を効果的に緩和して、バス電圧の安定性及び信頼性を向上させることができる。
前記技術的手段において、好ましくは、抵抗性吸収回路は、サージ信号を吸収するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続される第５抵抗性素子を含む。
当該技術的手段において、抵抗性吸収回路は第５抵抗性素子を含み、第５抵抗性素子を高電圧バスと低電圧バスとの間に接続させることによって、バス上のサージ信号を吸収する。なお、第５抵抗性素子の抵抗値、電力はバス電圧保護閾値、第４スイッチング素子の過電流特性、吸収するエネルギーに関係し、好ましくは、第５抵抗性素子は直列に接続される１つ又は複数の抵抗であり、抵抗は誘導抵抗でもよいし無誘導抵抗でもよく、ここで具体的に限定されず、抵抗の型番選択により、サージ信号の迅速な吸収を実現し、バス電圧の迅速な低下を保証することができる。
前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第４スイッチング素子はパワースイッチ又はリレーであり、パワースイッチ又はリレーは、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御するために用いられる。
当該技術的手段において、第４スイッチング素子はパワースイッチ又はリレーであり、ただしこれらに限定されない。パワースイッチ又はリレーによって抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。
前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、抵抗性吸収回路は、第５抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ第５抵抗性素子に並列に接続される第２放電素子をさらに含む。
当該技術的手段において、抵抗性吸収回路は第２放電素子をさらに含み、第２放電素子を第５抵抗性素子に並列に接続させて、第５抵抗性素子のスパイク電圧の放出回路とすることによって、第４スイッチング素子がオフされる時に第５抵抗性素子がスパイク電圧を生成して、駆動制御回路に影響を及ぼし又はコンポーネントを破壊させることを防ぐ。
前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第２放電素子は単方向導通素子であり、又は第２放電素子は直列に接続される単方向導通素子及び抵抗を含み、単方向導通素子の導通方向は第５抵抗性素子を流れる電流の方向と逆である。
当該技術的手段において、単方向導通素子が単独で、又は単方向導通素子が抵抗に直列に接続されるという組み合わせにより、第５抵抗性素子のスパイク電圧に放電回路が提供される。単方向導通素子は単方向導通特性を有する素子であり、例えばダイオードなどである。好ましくは、単方向導通素子はダイオードであり、ダイオードの選択は第５抵抗性素子のインダクタンス及び抵抗値に関係する。
前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第２放電素子は、第５抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ第５抵抗性素子に並列に接続される第３容量性素子を含む。
当該技術的手段において、第２放電素子は第３容量性素子を含み、第３容量性素子を第５抵抗性素子に並列に接続させて、第５抵抗性素子のスパイク電圧の放電回路とする。第３容量性素子の選択は第５抵抗性素子のインダクタンスに関係し、具体的には、第３容量性素子の静電容量と第５抵抗性素子のインダクタンスとに正の相関があり、つまり第５抵抗性素子のインダクタンスが小さいほど、第３容量性素子の静電容量は小さい。
前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第２放電素子は、第３容量性素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ第３容量性素子に直列に接続される第６抵抗性素子をさらに含む。
当該技術的手段において、第２放電素子は第６抵抗性素子をさらに含み、第６抵抗性素子は第３容量性素子に直列に接続されて、第３容量性素子を流れる電流を制限して、第３容量性素子が過電流により破壊されることを防ぐことによって、回路の信頼性を向上させる。
好ましくは、第３容量性素子はコンデンサであり、第６抵抗性素子は抵抗であり、つまり直列に接続されるＲＣ共振回路を用いて第５抵抗性素子のスパイク電圧を放出させる。
なお、第２放電素子の選択は第５抵抗性素子のインダクタンス及び抵抗値に関係し、第５抵抗性素子のインダクタンスが無視できるほど小さく又はない場合に、例えば第５抵抗性素子が１つ又は直列に接続される複数の無誘導抵抗から構成される場合に、第２放電素子を使用せず、第５抵抗性素子を単独で使用して吸収素子としてもよい。
前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、第５抵抗性素子は１つ又は複数の抵抗を含み、複数の抵抗同士は直列に接続される。
前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、駆動制御回路は、第４スイッチング素子に接続され、且つ駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第４スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるための制御回路をさらに含み、給電信号はバス信号及び交流信号である。
当該実施例において、制御回路によって駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第４スイッチング素子を制御してオン又はオフさせて、抵抗性素子のサージ信号の吸収過程を制御する。給電信号はバス信号及び／又は交流信号である。
具体的には、交流信号は整流回路によって処理されてバス信号になり、バス信号、交流信号はいずれも第４スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるための判断条件とされてもよい。
前記いずれかの技術的手段において、好ましくは、バスコンデンサはフィルムコンデンサである。
本願の第７の態様は、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路を含むコントローラを提供し、該エアコンコントローラは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。
本願の第８の態様は、モータと、前記いずれかの技術的手段に記載の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、モータの信号入力端は駆動制御回路に接続され、駆動制御回路から出力される駆動信号はモータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路又はコントローラを含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路又はコントローラの全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。
本願の上記及び／又はほかの態様及び利点は、以下の図面を参照した実施例の説明から明確になり、容易に理解することができる。
通常の交流－直流－交流トポロジー構造の模式図を示す。 通常の駆動制御回路の模式図を示す。 別の通常の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の一実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の一実施例の駆動制御回路のトポロジー構造の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の一実施例の第１電圧閾値及び第２電圧閾値の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。 本願の別の実施例の駆動制御回路の模式図を示す。
本願の上述した目的、特徴及び利点に対する一層の理解のために、次に図面及び具体的な実施形態と結び付けて本願をより詳細に説明する。なお、矛盾のない限り、本願の実施例又は実施例の特徴を互いに組み合わせることができる。
次の説明で本願の充分な理解のために多くの詳細が記載されているが、本願はここで説明されるのと異なる形態で実施されてもよく、本願の保護範囲は以下に開示される具体的な実施例に限定されない。
次に図４から図４８を参照して本願のいくつかの実施例に記載の駆動制御回路、エアコン、駆動制御回路、コントローラ、エアコン、駆動制御回路、コントローラ及びエアコンを説明する。
図４に示すように、本願の第１の態様の実施例は、駆動制御回路を提供し、駆動信号を出力するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジを含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルＬｄｃ２と、バスライン上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとをさらに含む。
当該実施例において、駆動制御回路にリアクトルＬｄｃ２が設けられ、リアクトルＬｄｃ２は交流入力側及びインバータブリッジにおいて発生するサージ信号を吸収して、駆動制御回路の耐サージ特性を向上させるために用いられ、リアクトルＬｄｃ２及びバスコンデンサの共振周波数は１／（２π√ＬＣ）に固定され、ＬはリアクトルＬｄｃ２のインダクタンスであり、Ｃはバスコンデンサの容量であり、分布インダクタンス－容量パラメータにより共振周波数が固定しない状況を効果的に防ぐことができる。また、従来の電解コンデンサの代わりに容量の小さいバスコンデンサが使用され、具体的にはフィルムコンデンサがバス上のバスコンデンサとして使用され、フィルムコンデンサはインバータブリッジの入力側に並列に接続され、前記高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続されて、バス上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられる。本願に係る技術的手段を用いると、コストの高い電解コンデンサの代わりに比較的低コストのフィルムコンデンサを使用することで、製造コストが効果的に削減され、フィルムコンデンサの耐用寿命は６２５０時間に達しており、通常の電解コンデンサの２０００時間よりはるかに大きいため、駆動制御回路の耐用寿命を効果的に引き伸ばすことができる。また、フィルムコンデンサのＥＳＲ（等価直列抵抗）が小さいため、同じリップル電流の影響では、フィルムコンデンサは電解コンデンサより発熱量がはるかに小さいため、バスコンデンサの発熱で制御効率が低下するという問題を効果的に避けることができ、駆動制御回路の信頼性及び動作効率が向上される。
好ましくは、バスコンデンサの容量は設定容量より小さく、具体的には、設定容量は次の算式に従って計算される。
Ｃｄｃ＞ＬＳＰＬ／ＲＳｖｄｃ０ ２
式中、Ｃｄｃは設定容量であり、ＬＳは等価駆動制御回路の直流側の総インダクタンスであり、ＰＬは駆動制御回路の負荷電力であり、ＲＳは等価駆動制御回路の直流側の総抵抗であり、ｖｄｃ０はバス電圧の平均値であり、例えば、７Ｐプロトタイプを例にすると、当該算式によりＣｄｃが８４０μＦより大きくあらなければならず、設定容量が８４０μＦ以上であることが確定され、実際の実施では１２３０μＦとする。
好ましくは、フィルムコンデンサの仕様は単体が９００Ｖで、３０μＦである。
好ましくは、リアクトルＬｄｃ２と整流ブリッジとの間には電流制限用の抵抗Ｒ０がさらに設けられ、抵抗Ｒ０として通常の抵抗器を使用してもよい。
好ましくは、図５に示すように、駆動制御回路は初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに直列に接続される電流制限回路をさらに含む。
使用されたバスコンデンサの容量が小さいため、サージ電圧がある場合に、小容量のフィルムコンデンサが多くのエネルギーを吸収できないため、この場合にバス電圧がサージ吸収コンデンサの端子電圧より高くなると、電流制限回路が成立して通電時のバスコンデンサの充電電流を制限することで、バスコンデンサが過電流によって破壊されることを防ぐ。
好ましくは、図５に示すように、電流制限回路は、初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに直列に接続されるサーミスタと、第１抵抗性素子を接続させて電流制限を行わせるか又は第１抵抗性素子を短絡して電流制限を停止するよう制御するために用いられ、且つサーミスタの両端に並列に接続されるリレーとを含む。
当該実施例において、高電圧バスにサージ信号が出現する場合に、サーミスタが初回通電時のバスコンデンサの充電電流を制限して、バスコンデンサが破壊されないことが保証されるとともに、サーミスタの抵抗値が温度に従って線形的に変化して、充電電流の上昇速度を制限する。サーミスタの両端にリレーが並列に接続されて、スイッチング特性を備えるサーミスタが形成され、駆動制御回路の初回通電時は、リレーがオフ状態であり、第１サーミスタ及びバスコンデンサは交流給電側からのサージ信号を吸収し、初回通電後は、高電圧バス上の電流が大きくない場合に、第１リレーがオンされて、第１サーミスタの高電圧バスに対する電流制限効果が緩和される。
本願の一実施例において、さらに、図６Ａに示すように、駆動制御回路はバスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサとインバータブリッジとの間に接続される第１吸収回路をさらに含む。
当該実施例において、バスコンデンサとしてフィルムコンデンサが使用される場合には、回路中にサージ電圧がある場合に、フィルムコンデンサが多くのサージエネルギーを吸収できないため、第１吸収回路をバスコンデンサとインバータブリッジとの間に接続させて、バスコンデンサがインバータブリッジ側のバスライン上のサージ信号を吸収することを助けることで、バスコンデンサがサージ信号によって破壊されることを防ぐ。
本願の一実施例において、さらに、図６Ａに示すように、第１吸収回路は、サージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収素子と、抵抗性吸収素子のサージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、抵抗性吸収素子に直列に接続される第１スイッチング素子であって、第１スイッチング素子がオンされる場合に、抵抗性吸収素子がサージ信号を吸収し、第１スイッチング素子がオフされる場合に、抵抗性吸収素子がサージ信号の吸収を停止する前記第１スイッチング素子とを含む。
当該実施例において、第１吸収回路はバスコンデンサのインバータブリッジに近い側のサージ信号を吸収するための抵抗性吸収素子を含む。具体的には、第１スイッチング素子がオンされると、抵抗性吸収素子は駆動制御回路に接続されてサージ信号を吸収し、具体的には、抵抗性吸収素子はサージ信号の電気エネルギーを熱エネルギーに変換して放出させることによって、サージ信号を解消し、容量の小さいフィルムコンデンサに取り替えることでバスコンデンサがサージ信号によって破壊されることを避ける。バス上のサージ信号が低下又は消失した後、第１スイッチング素子がオフされ、抵抗性吸収素子が駆動制御回路から遮断されることで、吸収制御回路における正常な電気信号に対する影響を避ける。
本願の一実施例において、さらに、図６Ａに示すように、抵抗性吸収素子はサージ信号を吸収するための第１抵抗を含み、第１抵抗は第１スイッチング素子に直列に接続され、第１抵抗の抵抗値が予め設定されたバス電圧保護閾値に対応し、且つ／又は第１抵抗の抵抗値が予め設定された第１スイッチング素子の過電流保護閾値に対応する。
当該実施例において、抵抗性吸収素子は第１スイッチング素子に直列に接続される第１抵抗を含み、第１スイッチング素子がオンされる場合に、第１吸収回路がオンされ、サージ信号が第１抵抗によって吸収され、第１スイッチング素子がオフされる場合に、第１吸収回路がオフされ、第１抵抗は駆動制御回路における電気信号を吸収しなくなる。具体的には、第１抵抗の抵抗値は予め設定されたバス電圧保護閾値及び予め設定された第１スイッチング素子の過電流保護閾値に対応し、これにより抵抗性吸収素子のサージ吸収効果が保証される。なお、電圧保護閾値及び電流保護閾値は駆動回路における各コンポーネントの出荷前で較正された耐電圧値及び耐電流値に関係する。
さらに、図６Ａに示すように、第１抵抗が非無誘導抵抗である場合に、抵抗性吸収素子は第１抵抗に逆並列に接続されるダイオードをさらに含んで、誘導電圧放出回路を形成させる。
さらに、図６Ｂに示すように、第１抵抗が非無誘導抵抗である場合に、抵抗性吸収素子はコンデンサＣ１と、抵抗Ｒ１とをさらに含み、Ｃ１及びＲ１が直列に接続されていて、第１抵抗の両端に並列に接続されることによって、誘導電圧放出回路が形成される。
本願の一実施例において、さらに、図６Ａに示すように、抵抗性吸収素子は第１抵抗に並列に接続される第１単方向導通素子を含み、第１単方向導通素子の導通方向は第１抵抗を流れる電流の方向と逆である。
当該実施例において、第１抵抗の両端に第１単方向導通素子が並列に接続され、具体的には、第１単方向導通素子はダイオードであり、第１抵抗の自己インダクタンス電圧放出回路を形成させて、第１抵抗において生成される自己インダクタンス電圧が第１スイッチング素子の信頼性に影響を与えることを防ぐために用いられる。
好ましくは、第１抵抗は誘導抵抗である。
好ましくは、第１単方向導通素子の導通方向は第１抵抗における電流方向と逆である。
本願の一実施例において、さらに、図７に示すように、駆動制御回路は高電圧バス及び低電圧バス上のサージ信号を吸収するための第２吸収回路をさらに含み、第２吸収回路は、サージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、容量性吸収素子のサージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、且つ容量性吸収素子に直列に接続される第２単方向導通素子とを含む。
当該実施例において、第２吸収回路は、バス上のサージ信号を吸収し、且つバスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、容量性吸収素子に直列に接続される第２単方向導通素子をさらに含む。具体的には、容量性吸収素子は容量特性を有し、容量性吸収素子は容量性吸収素子のサージ信号の吸収過程を制限することによって、容量性吸収素子が高電圧バス上のサージ信号だけを吸収するようにするために用いられ、つまり単方向導通素子を設けることによって、バスコンデンサと容量性吸収素子とが区別され、容量性吸収素子がバスコンデンサとして使用されることが避けられ、容量性吸収素子の使用頻度が低減され、第２吸収回路の耐用寿命が引き伸ばされる。
本願の一実施例において、さらに、図７に示すように、容量性吸収素子は少なくとも１つのコンデンサ、又は直列に接続される且つ／もしくは並列に接続される複数のコンデンサを含み、第２吸収回路は第１容量性素子におけるサージ信号を吸収するために用いられ、且つコンデンサに並列に接続される第２抵抗をさらに含む。
当該実施例において、容量性吸収素子はサージ信号を吸収するための１つ又は複数のコンデンサを含み、複数のコンデンサは互いに直列に接続され且つ／又は互いに並列に接続され、且つコンデンサに並列に接続される第２抵抗が設けられ、コンデンサに並列に接続される第２抵抗を利用してコンデンサにおけるサージ信号を吸収し、第２抵抗が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。
好ましくは、第２吸収回路と第１吸収回路は両方が設けられてもよいしいずれか一方が設けられてもよく、第２吸収回路と第１吸収回路が両方設けられる場合に、第２吸収回路と第１吸収回路は互いに並列に接続される。
本願の一実施例において、さらに、図７に示すように、第２吸収回路は容量性吸収素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ容量性吸収素子に直列に接続される電流制限抵抗をさらに含む。
当該実施例において、第２吸収回路に電流制限抵抗が設けられ、電流制限抵抗は容量性吸収素子に直列に接続され、通電時に容量性吸収素子を流れる電流を制限し、容量性吸収素子の充電電流を所定の範囲に制限させて、容量性吸収素子が過電流によって破壊されることを防ぐために用いられる。
本願の一実施例において、さらに、駆動制御回路はリアクトルＬｄｃ２において発生する発振信号を吸収するために用いられ、且つリアクトルＬｄｃ２に並列に接続される第４抵抗をさらに含む。
当該実施例において、リアクトルＬｄｃ２の両端に第４抵抗が並列に接続されることで、リアクトルＬｄｃ２において発生する発振信号を吸収し、具体的には、第４抵抗には、抵抗値が２００Ωより小さいシステム減衰が追加され、バスコンデンサがフィルムコンデンサである場合に、第４抵抗を設けるとシステムの安定性を向上させることができる。
本願の一実施例において、さらに、図８に示すように、電流制限回路は３つ又は２つ設けられてもよく、具体的にはＰＴＣ１、ＰＴＣ２及びＰＴＣ３であってもよいし、ＰＴＣ１、ＰＴＣ２及びＰＴＣ３のうちの任意の２つが設けられ、例えばＰＴＣ１及びＰＴＣ２であってもよく、それぞれ交流入力ソース側の三相又は任意の二相の入力ラインに位置し、具体的にはフィルタ回路と整流ブリッジとの間に位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。
本願の一実施例において、さらに、図９に示すように、電流制限回路は３つ設けられ、具体的にはＰＴＣ１、ＰＴＣ２及びＰＴＣ３であり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、具体的にはフィルタ回路と整流ブリッジとの間に位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また、駆動制御回路に第１吸収回路が設けられる。
本願の一実施例において、さらに、図１０及び図１１に示すように、電流制限回路は３つ設けられ、具体的にはＰＴＣ１、ＰＴＣ２及びＰＴＣ３であり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、具体的にはフィルタ回路と整流ブリッジとの間に位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路には第１吸収回路及び第２吸収回路の両方が設けられ、図１０に示すように、第１吸収回路はバスコンデンサＣとインバータブリッジとの間に位置し、第２吸収回路は整流ブリッジとリアクトルＬｄｃ２との間に位置し、あるいは図１１に示すように、第１吸収回路はバスコンデンサＣとインバータブリッジとの間に位置し、第２吸収回路はリアクトルＬｄｃ２とバスコンデンサＣとの間に位置する。
図１１の解決案を例にすると、システムが通常動作する場合に、第２吸収回路の容量性吸収素子上の電圧は直流バス電圧の最大値に維持され、この場合に抵抗性吸収素子に対応する第１スイッチング素子がオフされ、サージエネルギーが主に電源入力、システムの故障による動作停止時の圧縮機巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及び圧縮機の運動エネルギーに由来するため、サージ電圧がある場合に、小容量のフィルムコンデンサが多くのエネルギーを吸収できないため、バス電圧がサージ吸収コンデンサの端子電圧より高い時、容量性吸収素子が機能し、残りのエネルギーがフィルムコンデンサ及びサージ吸収コンデンサモジュールに流入し、サージエネルギーが吸収されるのに伴い、直流バス電圧が徐々に上昇し（サージ吸収コンデンサが大きいほど直流バス電圧の上昇が遅い）、直流バス電圧が特定の設定値より高い時（例えば７２０Ｖと設定され、実際には調整可能である）、抵抗性吸収素子が入れられ、第１スイッチング素子がパルス幅変調（ＰＷＭ）方式又は確定の方式でオンされ始め、サージ電圧が出現する時にバス電圧が可能な限り安定的であることが保証される。
本願の一実施例において、さらに、図１２に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路は第２吸収回路を含み、第２吸収回路における容量性吸収素子によってサージ信号を吸収する。
本願の一実施例において、さらに、図１３及び図１４に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路には第１吸収回路及び第２吸収回路の両方が設けられ、図１３に示すように、第１吸収回路はバスコンデンサＣとインバータブリッジとの間に位置し、第２吸収回路は電流制限回路とリアクトルＬｄｃ２との間に位置し、あるいは図１４に示すように、第１吸収回路はバスコンデンサＣとインバータブリッジとの間に位置し、第２吸収回路はリアクトルＬｄｃ２とバスコンデンサＣとの間に位置する。
本願の一実施例において、さらに、図１５に示すように、電流制限回路は３つ設けられ、具体的にはＰＴＣ１、ＰＴＣ２及びＰＴＣ３であり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第２吸収回路が設けられ、第２吸収回路には導通素子が設けられ、導通素子は具体的には第１スイッチング素子であり、システムでサージ信号が弱い場合に、第１スイッチング素子がオフされ、バスコンデンサによってサージ信号を吸収し、システムでサージ信号が強い場合に、第１スイッチング素子がオンされ、第２吸収回路が高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されて、サージ信号の吸収を助ける。
本願の一実施例において、さらに、図１６に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第２吸収回路が設けられ、第２吸収回路には導通素子が設けられ、導通素子は具体的には第１スイッチング素子であり、システムでサージ信号が弱い場合に、第１スイッチング素子がオフされ、バスコンデンサによってサージ信号を吸収し、システムでサージ信号が強い場合に、第１スイッチング素子がオンされ、第２吸収回路が高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されて、サージ信号の吸収を助ける。
本願の一実施例において、さらに、図１７に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第１吸収回路と、第２吸収回路とが設けられ、第１吸収回路、第２吸収回路はそれぞれバスコンデンサの両側に位置し、第２吸収回路に導通素子が設けられ、具体的には第１スイッチング素子であり、また第１吸収回路にも第１スイッチング素子が設けられ、システムでサージ信号が弱い場合に、第１吸収回路及び第２吸収回路の第１スイッチング素子がオフされ、バスコンデンサによってサージ信号を吸収し、システムでサージ信号が強い場合に、対応する第１スイッチング素子をしてオンさせることによって、第１吸収回路及び／又は第２吸収回路を高電圧バスと低電圧バスとの間に接続させて、サージ信号の吸収を助ける。
本願の一実施例において、さらに、図１８に示すように、電流制限回路は３つ設けられ、具体的にはＰＴＣ１、ＰＴＣ２及びＰＴＣ３であり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第１吸収回路と、第２吸収回路とが設けられ、第１吸収回路、第２吸収回路はそれぞれバスコンデンサの両側に位置し、第２吸収回路に導通素子が設けられ、具体的には第１スイッチング素子であり、また第１吸収回路にも第１スイッチング素子が設けられ、システムでサージ信号が弱い場合に、第１吸収回路及び第２吸収回路の第１スイッチング素子がオフされ、バスコンデンサによってサージ信号を吸収し、システムでサージ信号が強い場合に、対応する第１スイッチング素子をしてオンさせることによって、第１吸収回路及び／又は第２吸収回路を高電圧バスと低電圧バスとの間に接続させて、サージ信号の吸収を助ける。
本願の一実施例において、さらに、図１９に示すように、電流制限回路は３つ設けられ、具体的にはＰＴＣ１、ＰＴＣ２及びＰＴＣ３であり、それぞれ交流入力ソース側の三相バスに位置し、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第１吸収回路と、第２吸収回路とが設けられ、第１吸収回路、第２吸収回路はそれぞれバスコンデンサの両側に位置し、第２吸収回路に導通素子が設けられ、具体的にはダイオードであり、これによりバス上のサージ信号はダイオードを介して第２吸収回路に入り、第２吸収回路上の容量性吸収素子の放電電流がダイオードによってオフされるため、バス上の電気信号に影響がなくて済む。また、リアクトルＬｄｃ２に第４抵抗Ｒ４が並列に接続され、それはリアクトルＬｄｃ２とバスコンデンサとの間の発振信号を低減させて、リアクトルＬｄｃ２とバスコンデンサとの間のＬＣ発振効果によるシステムの変動を防ぐことによって、システムの安定性を向上させるために用いられる。
本願の一実施例において、さらに、図２０に示すように、電流制限回路は高電圧バスに設けられ、初回通電時は、リレーがオフされることでサーミスタは回路に接続されて、バスコンデンサの充電電流を制限する。また駆動制御回路に第１吸収回路と、第２吸収回路とが設けられ、第１吸収回路、第２吸収回路はそれぞれバスコンデンサの両側に位置し、第２吸収回路に導通素子が設けられ、具体的にはダイオードであり、これによりバス上のサージ信号はダイオードを介して第２吸収回路に入り、第２吸収回路上の容量性吸収素子の放電電流がダイオードによってオフされるため、バス上の電気信号に影響がなくて済む。また、リアクトルＬｄｃ２に第４抵抗Ｒ４が並列に接続され、それはリアクトルＬｄｃ２とバスコンデンサとの間の発振信号を低減させて、リアクトルＬｄｃ２とバスコンデンサとの間のＬＣ発振効果によるシステムの変動を防ぐことによって、システムの安定性を向上させるために用いられる。
本願の一実施例において、さらに、図２１、図２２、図２３、図２４、図２５及び図２６に示すように、駆動制御回路は第３吸収回路を含み、第３吸収回路は電流制限素子と、容量性吸収素子と、単方向導通素子とを含み、電流制限素子にはサーミスタＰＴＣ又は電流制限抵抗Ｒ、及びサーミスタＰＴＣ又は電流制限抵抗Ｒの両端に並列に接続される第１スイッチング素子が使用されてもよい。具体的には、サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時の圧縮機巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及び圧縮機の運動エネルギーに由来し、サージ電圧がある場合に、小容量のフィルムコンデンサが多くのエネルギーを吸収できないため、バス電圧が第３吸収回路における容量性吸収素子（具体的にはコンデンサＣ２及びＣ３を含む）の端子電圧より高い時、第３吸収回路が機能し、残りのエネルギーがバスコンデンサ及び第３吸収回路に流入し、この時に第１スイッチング素子がオンされ、サーミスタＰＴＣ又は電流制限抵抗Ｒが短絡され、サージエネルギーは迅速に吸収されてしまい、給電電源がオフされ又は直流バス電圧が確定値（好ましくは２００Ｖと設定する）より低い場合に、第１スイッチング素子に電流が流れていないと判断され、したがって第１スイッチング素子を制御してオフさせ（交流リレーを第１スイッチング素子として使用する場合にのみ第１スイッチング素子に電流が流れるかどうかを判断する必要があり、通常のＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）又は直流リレーは随時オフされてもよい）、つまり通電する時は、サーミスタＰＴＣ又は電流制限抵抗Ｒが容量性吸収素子の回路に直列に接続されて、電流制限の目的を果たし、この後は第１スイッチング素子をオンしてサーミスタＰＴＣ又は電流制限抵抗Ｒを短絡させて、サージエネルギーの迅速な吸収という目的を果たす。
さらに、図２１に示すように、電流制限素子は単方向導通素子と容量性吸収素子との間に位置し、あるいは図２２に示すように、電流制限素子は高電圧バスと単方向導通素子との間に位置し、あるいは図２３に示すように、電流制限素子は容量性吸収素子と低電圧バスとの間に位置する。
さらに、図２４、図２５及び図２６に示すように、電流制限抵抗Ｒ１（サーミスタＰＴＣ又は電流制限抵抗Ｒ）は２つの抵抗Ｒ４及びＲ５を直列に接続させて実現してもよく、２つの抵抗Ｒ４とＲ５の抵抗値の和はＲ１の抵抗値に等しい。なお、第１スイッチング素子は抵抗Ｒ４の両端に並列に接続され、システムに通電する時、抵抗Ｒ４及びＲ５が同時に第３電流制限回路に直列に接続されて電流制限を行い、通電後のサージ吸収段階で、スイッチング素子がオンされて抵抗Ｒ４が短絡され、この時に抵抗Ｒ５が単独で電流制限を行う。
本願の一実施例において、さらに、図２７に示すように、駆動制御回路で第１吸収回路及び第３吸収回路の両方が設けられ、なお、電流制限素子と、容量性吸収素子と、単方向導通素子とが含まれ、電流制限素子は電流制限抵抗Ｒ４及びＲ５を含み、Ｒ５は単方向導通素子と容量性吸収素子との間に位置し、Ｒ４は容量性吸収素子と低電圧バスとの間に位置し、第１スイッチング素子は抵抗Ｒ４の両端に並列に接続され、システムに通電する時、抵抗Ｒ４及びＲ５が同時に第３電流制限回路に直列に接続されて電流制限を行い、通電後のサージ吸収段階で、スイッチング素子がオンされて抵抗Ｒ４が短絡され、この時に抵抗Ｒ５が単独で電流制限を行う。
本願の一実施例において、さらに、図２８及び図２９に示すように、駆動制御回路に第４吸収回路が設けられる。第４吸収回路は容量性吸収素子と、抵抗性吸収素子と、電流制限素子とを含み、容量性吸収素子は電流制限素子に直列に接続され、容量性吸収素子は導通素子と、吸収コンデンサと、電流制限抵抗Ｒ１と、放電抵抗とを含み、吸収コンデンサは２つが設けられ、それぞれがＣ２及びＣ３であり、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれＣ２、Ｃ３の両端に並列に接続されて、Ｃ２及びＣ３を放電させるために用いられ、導通素子は具体的には単方向導通素子又は第１スイッチング素子であり、抵抗性吸収素子は吸収抵抗と、吸収抵抗の両端に並列に接続されるフライバック回路と、第１スイッチング素子と、電流測定素子とを含み、フライバック回路としては逆並列に接続されるダイオードを使用することが好ましく、給電電源がオフされ又は直流バス電圧が確定値より低い場合に、電流測定素子が第１スイッチング素子に電流が流れていないと判断したなら、第１スイッチング素子を制御してオフさせる。
さらに、図２８に示すように、抵抗性素子の入力端は導通素子と電流制限抵抗Ｒ１との間に接続され、抵抗性素子の出力端は低電圧バスに接続される。
さらに、図２９に示すように、抵抗性素子の入力端は電流制限抵抗Ｒ１と吸収コンデンサＣ２との間に接続され、抵抗性素子の出力端は低電圧バスに接続される。
図４から図２９に対応する前記実施例で、Ｌａｃとは実際の交流側インダクタンスモデル及び入力電力線のインダクタンスを指し、インダクタンス及び抵抗を含み、従来のモデルで使用される交流側インダクタンスは２５ｍＨ、５００ｍΩであり、入力電力線のインダクタンスは１０ｍＨより小さく又は等しく（数値拡大）、抵抗値は０．５Ωより大きく又は等しく（実際に使用する導線の抵抗は約１．２Ωである）、Ｌｄｃとは実際の直流側インダクタンスモデルを指し、インダクタンス及び抵抗を含み、Ｌｄｃのインダクタンスは４．５ｍＨ、１２０ｍΩであり、Ｒ４は減衰抵抗であり、減衰抵抗Ｒ４はＬｄｃでインダクタンスを４．５ｍＨと設定した場合に設けられず、容量が６ＫＷのプロトタイプにはＬｄｃが設けられないことから、Ｒ４が設けられなくてもよく、なお、Ｌａｃ又はＬｄｃはＥＭＣ高調波が求められるために存在するもので、ＥＭＣ高調波が求められるエリアでは、プロトタイプにＬａｃ又はＬｄｃが存在してもよいし、ＬａｃとＬｄｃが共存してもよい。高調波が求められないエリアでは、ＬａｃもＬｄｃも存在せず、高周波高調波に対処するために（これを無視する場合に、Ｌｄｃインダクタを使用しなくてもよい）、トポロジー回路のＬｄｃの位置にインダクタンスの小さいＬｄｃ２を使用し、且つ小さいＬｄｃ２に小さい減衰抵抗Ｒ４を並列に接続させてシステムの安定性を向上させてもよい。
本願の一実施例において、さらに、駆動制御回路は駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第１スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるためのサンプリング制御回路（図示せず）をさらに含み、給電信号は駆動制御回路の交流側の給電信号及びバスラインの給電信号を含む。
当該実施例において、図３０に示すように、駆動制御回路にサンプリング制御回路２０が設けられ、サンプリング制御回路２０は回路交流側の給電信号及び／又は前記バスラインの給電信号を収集して、給電信号の電圧振幅値に基づいて第１スイッチング素子を制御してオン又はオフさせて、第１吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。
好ましくは、交流側の給電信号は具体的には交流電源モジュール１０とフィルタ回路１２との間の電気信号である。
好ましくは、交流側の給電信号は具体的にはフィルタ回路１２と整流ブリッジ１４との間の電気信号である。
好ましくは、バスラインの給電信号は整流ブリッジ１４と吸収回路１６との間の電気信号を含み、具体的には整流ブリッジ１４とリアクトルＬｄｃ２との間の電気信号である。
好ましくは、バスラインの給電信号は吸収回路１６とインバータブリッジ１８との間の電気信号を含む。
本願の第２の態様の実施例は、モータと、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。
図３２及び図３３に示すように、本願の第３の態様の実施例は、駆動制御回路を提供し、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルＬｄｃと、負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサＣ１と、第１抵抗性素子Ｒ１及び第２スイッチング素子であって、第２スイッチング素子は第１抵抗性素子Ｒ１を制御してサージ信号を吸収させるように設定され、第１抵抗性素子Ｒ１及び第２スイッチング素子が直列に接続されていて高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続される前記第１抵抗性素子及び第２スイッチング素子と、単方向導通素子又は第３スイッチング素子と、第１容量性素子Ｃ２であって、単方向導通素子又は第３スイッチング素子は第１容量性素子Ｃ２による高電圧バス上のサージ信号の吸収を制限するように設定され、単方向導通素子又は第３スイッチング素子が第１容量性素子Ｃ２に直列に接続されていて高電圧バスと低電圧バスとの間に直列に接続される前記第１容量性素子Ｃ２と、第２スイッチング素子に接続され、高電圧バスの電圧信号と設定電圧の大小関係に基づいて第１抵抗性素子Ｒ１の動作を制御する制御チップ（図示せず）とを含む。
具体的には、単方向導通素子Ｄ１と第１容量性素子Ｃ２が直列に接続される場合に、駆動制御回路はインバータブリッジと、バスコンデンサＣ１と、リアクトルＬｄｃと、単方向導通素子Ｄ１とを含み、インバータブリッジは負荷の動作を駆動及び制御し、例えばモータの動作を制御し、バスコンデンサＣ１の容量が小さいため、高電圧バスにおいて形成されるサージ信号が完全に吸収されることは保証しにくく、リアクトルＬｄｃを設けることによって駆動制御回路が負荷の動作を駆動する過程で発生するサージ信号を吸収して、インバータブリッジ側からのサージ信号を遮断することによって、インバータブリッジ側からのサージ信号は単方向導通素子Ｄ１及び第１容量性素子Ｃ２から構成される第１吸収経路によって放出されて、サージ信号に対する制御が実現されるとともに、バス上のサージ信号が完全に吸収されることが保証され、サージ信号を吸収するために第１抵抗性素子Ｒ１及び第２スイッチング素子から構成される第２吸収経路がさらに設けられ、具体的には、制御チップはバス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第１抵抗性素子Ｒ１がサージ信号を吸収するかどうかを制御し、第１吸収経路及び第２吸収経路が設けられることで回路中のサージ信号の吸収能力が向上され、回路の信頼性が向上され、具体的には、単方向導通素子Ｄ１の陽極は高電圧バスに接続され、単方向導通素子Ｄ１の陰極は第１容量性素子Ｃ２を介して低電圧バスに接続され、なお、単方向導通素子Ｄ１は単方向導通特性を有する素子であってもよく、例えばダイオードなどであり、電圧閾値は高電圧バスの電圧に関係する。
具体的には、図３１に示すように、駆動制御回路において第１抵抗性素子Ｒ１及び第２スイッチング素子がサーミスタＰＴＣ１１と、サーミスタＰＴＣ１２と、サーミスタＰＴＣ１３とを含む場合の回路模式図であり、各サーミスタに１つのリレースイッチが並列に接続される。
本願の一実施例において、図３２及び図３３に示すように、駆動制御回路は第１容量性素子Ｃ２におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ第１容量性素子Ｃ２に並列に接続される第２抵抗性素子Ｒ２をさらに含む。
当該実施例において、第１容量性素子Ｃ２が高電圧バス上のサージ信号を吸収した後、第２抵抗性素子Ｒ２を利用して第１容量性素子Ｃ２におけるサージ信号を放出させ、第２抵抗性素子Ｒ２が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。
本願の一実施例において、図３２及び図３３に示すように、高電圧バス上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つ第１容量性素子Ｃ２に直列に接続される第２容量性素子Ｃ３をさらに含む。
当該実施例において、高電圧バスの電圧が大きい場合に、第１容量性素子Ｃ２に第２容量性素子Ｃ３を直列に接続させることによって、高電圧バスのサージ信号吸収能力を向上させる。
本願の一実施例において、図３２及び図３３に示すように、第２容量性素子Ｃ３におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ第２容量性素子Ｃ３に並列に接続される第３抵抗性素子Ｒ３をさらに含む。
当該実施例において、第２容量性素子Ｃ３が設けられる場合に、第３抵抗性素子Ｒ３を設けて第２抵抗性素子Ｒ２と組み合わせて使用することによって、第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３の両端の電圧にバランスを取り、また第３抵抗性素子Ｒ３は第２容量性素子Ｃ３上のサージ信号を放出させて、駆動制御回路の信頼性を向上させるためにも用いられる。
本願の一実施例において、図３２及び図３３に示すように、第１容量性素子Ｃ２及び／又は第２容量性素子Ｃ３に流れる電流を制限するための第４抵抗性素子Ｒ４をさらに含み、第４抵抗性素子Ｒ４、第２スイッチング素子及び第１容量性素子Ｃ２が直列に接続され、又は第４抵抗性素子Ｒ４、第２スイッチング素子、第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３が直列に接続される。
当該実施例において、第１容量性素子Ｃ２及び／又は第２容量性素子Ｃ３に直列に接続される第４抵抗性素子Ｒ４を設け、第４抵抗性素子Ｒ４を利用して第１容量性素子Ｃ２及び／又は第２容量性素子Ｃ３に流れる電流を制限して、第１容量性素子及び／又は第２容量性素子及び並列に接続される抵抗性素子が過電流により破壊されることを防ぐことで、駆動制御回路の信頼性が向上される。
本願の一実施例において、図３２及び図３３に示すように、第１抵抗性素子Ｒ１におけるスパイク電圧信号を放出させるために用いられ、且つ第１抵抗性素子Ｒ１に並列に接続される第１放電素子をさらに含む。
当該実施例において、第１放電素子が設けられることで、第１抵抗性素子Ｒ１が高電圧バス上のサージ信号を吸収した後、第１抵抗性素子Ｒ１に並列に接続される第１放電素子を利用して第１抵抗性素子Ｒ１において発生するスパイク電圧信号を放出させ、第１放電素子が設けられることで駆動制御回路の信頼性が向上される。
さらに、図３４に示すように、第１放電素子はダイオードである。
本願の一実施例において、図３５に示すように、第３スイッチング素子は制御チップに接続され、制御チップはバス信号を収集して、バス信号に基づいて第３スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるために用いられる。
当該技術的手段において、第３スイッチング素子が設けられることで第１吸収経路の制御可能性が実現され、制御チップはバス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて第３スイッチング素子を制御して、第１容量性素子Ｃ２によるサージ信号の吸収の制御を実現する。第３スイッチング素子が設けられることで、駆動制御回路の制御可能性が向上され、サージ吸収能力が向上されていることを前提に、駆動制御回路の信頼性が向上される。
図２９、図３０、図３１、図３２、図３３、図３４及び図３５を参照し、このうち、図３５は図３３のサージ吸収回路の設置位置の一実施例であり、図２８及び図２９は図３５で実施可能な接続関係である。電流測定素子が過電流信号を収集したかどうかに基づいて第２スイッチング素子を制御してオン又はオフさせる。
本願の一実施例で、図３３及び図３７に示すように、設定電圧は第１電圧閾値Ｖ２と、第２電圧閾値Ｖ１とを含み、制御チップは具体的には、高電圧バスの電圧信号が第１電圧閾値Ｖ２より大きく又は等しく第２電圧閾値Ｖ１より小さい場合に、第２スイッチング素子を制御してオフさせ、第３スイッチング素子を制御してオンさせ、高電圧バスの電圧信号が第２電圧閾値Ｖ１より大きく又は等しい場合に、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御してオンさせ、高電圧バスの電圧信号が第１電圧閾値Ｖ２より小さい場合に、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御してオフさせるために用いられる。
当該技術的手段において、高電圧バスの電圧信号と第１電圧閾値Ｖ２及び第２電圧閾値Ｖ１とを比較し、比較結果に基づいて第１容量性素子Ｃ２及び第１抵抗性素子Ｒ１をそれぞれ制御してサージ信号を吸収させ、具体的には、高電圧バスの電圧信号が第１電圧閾値Ｖ２より大きく又は等しく第２電圧閾値Ｖ１より小さい場合に、第２スイッチング素子を制御してオフさせ、第３スイッチング素子を制御してオンさせ、第１容量性素子Ｃ２を利用してサージ信号を吸収し、高電圧バスの電圧信号が第２電圧閾値Ｖ１より大きく又は等しい場合に、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御してオンさせて、迅速な吸収サージを実現し、高電圧バス上の電圧が高すぎると駆動制御回路のコンポーネントが破壊されることを避け、高電圧バスの電圧信号が第１電圧閾値Ｖ２より小さい場合に、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子を制御してオフさせて、バスコンデンサによってサージ信号を吸収することによって、第１吸収経路と第２吸収経路の両方のコンポーネントの耐用寿命が引き伸ばされ、第１電圧閾値Ｖ２及び第２電圧閾値Ｖ１はバスコンデンサＣ１及び駆動制御回路のサージ吸収能力に関係する。
本願の一実施例において、駆動制御回路は交流信号を整流してバス信号として出力する整流ブリッジをさらに含み、バス信号は高電圧バス及び低電圧バスを介してバスコンデンサ、インバータブリッジ及び負荷に出力され、制御チップは交流信号に基づいて第２スイッチング素子のオン状態及び第３スイッチング素子のオン状態を制御する。
具体的には、制御チップは交流信号と電圧閾値の対応関係に基づいて第２スイッチング素子のオン状態及び第３スイッチング素子のオン状態を制御し、電圧閾値はバス信号の電圧閾値に対応して設定される。
図３３及び図３７に示すように、駆動制御回路の初回通電時は、スイッチング素子がオフされ、入力電力はリアクトルＬａｃ、フィルタ回路、整流ブリッジ、リアクトルＬｄｃを介してバスコンデンサＣ１を充電し、また単方向導通素子Ｄ１を介して第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３を充電し、第１抵抗性素子Ｒ１は抵抗値は設定されたバス電圧保護閾値、第２スイッチング素子の過電流特性に関係し、なお、第４抵抗性素子Ｒ４及び第１容量性素子Ｃ２の選択は第１抵抗性素子Ｒ１のインダクタンスに関係し、第１抵抗性素子Ｒ１が無誘導抵抗である場合に、第４抵抗性素子Ｒ４、第１容量性素子Ｃ２及び第１放電素子は使用しなくてもよい。第１放電素子にはダイオードが選択されてもよく、つまり逆並列に接続されるダイオードにより放電を行い、逆並列に接続されるダイオードの選択は第１抵抗性素子Ｒ１のインダクタンス及び抵抗値に関係する。
導通素子Ｄ１がダイオードである場合に、プロトタイプが通常動作する時、第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３上の電圧は直流バス電圧の最大値に維持され、第１抵抗性素子Ｒ１上の第２スイッチング素子がオフされ、サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時の圧縮機巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及び圧縮機の運動エネルギーに由来し、サージ信号がある場合に、小容量のバスコンデンサＣ１が多くのエネルギーを吸収できないため、バス電圧がサージ第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３の端子電圧より高い時、第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３が機能し、残りのエネルギーがバスコンデンサＣ１、第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３に流入し、サージエネルギーが吸収されるのに伴い、高電圧バス電圧が徐々に上昇し（第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３の容量が大きいほど、高電圧バスの電圧上昇が遅い）、高電圧バス電圧が特定の設定値（例えば図３７でＶ１は７２０Ｖと設定する）より高い時、第１抵抗性素子Ｒ１が入れられ、スイッチング素子がパルス幅変調方式又は確定の方式でオンされ始め、高電圧バスに電圧が出現する時にバス電圧が可能な限り安定的であることが保証される。サージエネルギーが吸収されるのに伴い、バス電圧が低下し始め、特定の設定値（例えば図３７でＶ２は７００Ｖと設定する）より低い時、スイッチング素子がオフされる。
導通素子Ｄ１がスイッチング素子である場合に、プロトタイプに通電する時に、２つのスイッチング素子がいずれもオフされ、通常動作時はバスコンデンサＣ１が動作し、（第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３の）サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時の圧縮機巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及び圧縮機の運動エネルギーに由来し、サージ電圧がある場合に、小容量のバスコンデンサＣ１（フィルムコンデンサ）が多くのエネルギーを吸収できないため、高電圧バスの電圧が特定の確定値（例えば６８０Ｖ）より高い時、第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３のスイッチング素子がオンされ、この場合にサージエネルギーのほぼ全てが第１容量性素子Ｃ２及び第２容量性素子Ｃ３に入って吸収され、そしてバス電圧はまず低下してから、徐々に上昇する可能性があり、高電圧バスの電圧が特定の設定値（例えば図３７でＶ１は７２０Ｖと設定する）より高いまで上昇する時、第１抵抗性素子Ｒ１が入れられ、スイッチング素子がパルス幅変調方式又は確定の方式でオンされ始め、サージ電圧が出現する時にバス電圧が可能な限り安定的であることが保証される。サージエネルギーが吸収されるのに伴い、バス電圧が低下し始め、特定の設定値（例えば図３７でＶ２は７００Ｖと設定する）より低い時、スイッチング素子がオフされる。
なお、Ｌａｃとは実際の交流側インダクタンスモデル及び入力電力線のインダクタンスを指し、インダクタンス及び抵抗を含む。本願の一実施例において、図３６に示すように、リアクトルＬｄｃに第５抵抗性素子Ｒ５を並列に接続させて、システムの減衰抵抗とすることにより、システムの安定性を向上させる。
なお、Ｌａｃ又はＬｄｃはＥＭＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｏｍｐａｔｉｂｉｌｉｔｙ即ち電磁両立性で、電磁環境における動作要件を満たすデバイス又はシステムの、環境内のいかなるデバイスにも耐えられない電磁干渉を起こさない能力を指す）高調波が求められるために存在するもので、高調波が求められるエリアでは、プロトタイプにＬａｃ又はＬｄｃが存在する可能性があり、さらにはＬａｃとＬｄｃが共存する可能性もある。高調波が求められないエリアでは、ＬａｃもＬｄｃも存在せず、高周波高調波に対処するために（これを無視する場合に、Ｌｄｃインダクタを使用しなくてもよい）、トポロジー回路のＬｄｃの位置に小さい方のＬｄｃ２を使用し、当該小さいＬｄｃ２に小さい減衰抵抗を並列に接続させたのはシステムの安定性を向上させるためである。
ＰＴＣとはＰｏｓｉｔｉｖｅ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔの略記で、正温度係数を意味し、正温度係数の非常に大きい半導体材料又はコンポーネントを広く指している。一般にＰＴＣとは正温度係数サーミスタを指す。
導通素子Ｄ１と第２スイッチング素子を組み合わせて使用することにより、バス電圧が設定最高電圧（例えば７２０Ｖ）より低いことが実現され、駆動制御回路の安定性が向上され、また導通素子Ｄ１及び第２スイッチング素子の属する経路におけるコンポーネントの容量及び抵抗値が低減されて、コストが削減される。
本願の第４の態様の実施例は、前記いずれかの駆動制御回路を含むコントローラを提供し、該コントローラは、前記いずれかの実施例の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。
本願の第５態様の実施例は、モータと、前記いずれかの技術的手段の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、モータの信号入力端は駆動制御回路に接続され、駆動制御回路から出力される駆動信号はモータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここで説明が省略される。
図３８に示すように、本願の第６の態様の実施例は、負荷の動作を駆動及び制御するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジを含む駆動制御回路であって、該駆動制御回路は、駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と負荷との間に接続されるリアクトルと、負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つインバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサとを含み、該駆動制御回路は、バスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つバスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収回路と、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御するために用いられ、抵抗性吸収回路に直列に接続される第４スイッチング素子であって、第４スイッチング素子がオンされる場合に、抵抗性吸収回路がサージ信号を吸収し、第４スイッチング素子がオフされる場合に、抵抗性吸収回路がサージ信号の吸収を停止する前記第４スイッチング素子とをさらに含む。
本願の実施例に係る駆動制御回路は、抵抗性吸収回路をバスコンデンサに並列に接続させることによって、バスコンデンサがバス上のサージ信号を吸収することを助けるとともに、第４スイッチング素子と抵抗性吸収回路を直列に接続させることによって、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御する。具体的に言えば、プロトタイプが通常動作する場合に、バス電圧の最大値はバス電圧保護閾値（実際の状況に基づいて設定できる）よりはるかに小さく、抵抗性吸収回路を入れなくてもよいため、第４スイッチング素子は機能せずに済み、サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時のモータ巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及びモータの運動エネルギーに由来し、サージ信号が来る時には、小容量のバスコンデンサ（例えばフィルムコンデンサ又は小容量電解コンデンサ）のサージ能力吸収に限界があるため、バス電圧が迅速に上昇し、バス電圧が保護閾値を超えたら、コンポーネントが破壊される恐れがあり、コンポーネント（主にスマート電力モジュールやコンデンサなどのコンポーネント）を高電圧破壊から保護するために、第４スイッチング素子がオンされ、抵抗性吸収回路がサージを吸収し始め、バス電圧が迅速に低下し、バス電圧が合理的な範囲（実際の状況に基づいて設定できる）にある時、第４スイッチング素子がオフされ、抵抗性吸収回路は本段階のサージ吸収過程を終了する。本願に係る駆動制御回路は、バスコンデンサによるサージ信号の吸収がよくないという状況を効果的に緩和して、バス電圧の安定性及び信頼性を向上させることができる。
本願の第１実施例において、好ましくは、抵抗性吸収回路はサージ信号を吸収するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続される第５抵抗性素子を含む。
当該実施例において、抵抗性吸収回路は第５抵抗性素子を含み、第５抵抗性素子を高電圧バスと低電圧バスとの間に接続させることによって、バス上のサージ信号を吸収する。なお、第５抵抗性素子の抵抗値、電力はバス電圧保護閾値、第４スイッチング素子の過電流特性、吸収するエネルギーに関係し、好ましくは、第５抵抗性素子は直列に接続される１つ又は複数の抵抗であり、抵抗は誘導抵抗でもよいし無誘導抵抗でもよく、ここで具体的に限定されず、抵抗の型番選択により、サージ信号の迅速な吸収を実現し、バス電圧の迅速な低下を保証することができる。
本願の一実施例において、第４スイッチング素子はパワースイッチ又はリレーであり、パワースイッチ又はリレーは、抵抗性吸収回路のサージ信号の吸収過程を制御するために用いられる。
本願の別の実施例において、第４スイッチング素子はパワースイッチ又はリレーであり、具体的には、図３９、図４０、図４１、図４３、図４４、図４７及び図４８に示すように、第４スイッチング素子はパワースイッチである。
本願の一実施例において、好ましくは、抵抗性吸収回路は第５抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ第５抵抗性素子に並列に接続される第２放電素子をさらに含む。
当該実施例において、抵抗性吸収回路は第２放電素子をさらに含み、第２放電素子を第５抵抗性素子に並列に接続させて、第５抵抗性素子のスパイク電圧の放出回路とすることによって、第４スイッチング素子がオフされる時に第５抵抗性素子がスパイク電圧を生成して、駆動制御回路に影響を及ぼし又はコンポーネントを破壊させることを防ぐ。
本願の別の実施例において、好ましくは、第２放電素子は単方向導通素子である。具体的には、図３９に示すように、第２放電素子は第５抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるためのダイオードであり、ダイオードの導通方向は第５抵抗性素子を流れる電流の方向と逆である。
当該実施例において、逆並列に接続されるダイオードにより、第５抵抗性素子のスパイク電圧に放電回路が提供される。ダイオードの選択は第５抵抗性素子のインダクタンス及び抵抗値に関係する。
本願の別の実施例において、第２放電素子は単方向導通素子と抵抗を直列に接続させて組み合わせたものである。単方向導通素子は単方向導通特性を有する素子であり、例えば、ダイオードである。
本願の別の実施例において、図４０に示すように、好ましくは、第２放電素子は第５抵抗性素子のスパイク電圧を放電させるために用いられ、且つ第５抵抗性素子に並列に接続される第３容量性素子を含む。
当該実施例において、第２放電素子は第３容量性素子を含み、第３容量性素子を第５抵抗性素子に並列に接続させて、第５抵抗性素子のスパイク電圧の放電回路とする。第３容量性素子の選択は第５抵抗性素子のインダクタンスに関係し、具体的には、第３容量性素子の静電容量と第５抵抗性素子のインダクタンスとに正の相関があり、第５抵抗性素子のインダクタンスが小さいほど、第３容量性素子の静電容量は小さい。
本願の別の実施例において、図４１に示すように、好ましくは、第２放電素子は第３容量性素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ第３容量性素子に直列に接続される第６抵抗性素子をさらに含む。
当該実施例において、第２放電素子は第６抵抗性素子をさらに含み、第６抵抗性素子は第３容量性素子に直列に接続されて、第３容量性素子を流れる電流を制限する。好ましくは、第３容量性素子はコンデンサであり、第６抵抗性素子は抵抗であり、つまり直列に接続されるＲＣ共振回路を用いて第５抵抗性素子のスパイク電圧を放出させる。
なお、第２放電素子の選択は第５抵抗性素子のインダクタンス及び抵抗値に関係し、第５抵抗性素子のインダクタンスが無視できるほど小さく又はない場合に、例えば第５抵抗性素子が１つ又は直列に接続される複数の無誘導抵抗から構成される場合に、第２放電素子を使用せず、第５抵抗性素子を単独で使用して吸収素子としてもよい。
本願の別の実施例において、好ましくは、第５抵抗性素子は１つ又は複数の抵抗を含み、複数の抵抗同士は直列に接続される。
本願の別の実施例において、図４０、図４２、図４３及び図４４に示すように、好ましくは、駆動制御回路は抵抗性吸収回路上の電流を制限するために用いられ、且つ高電圧バスに接続されるサーミスタをさらに含む。
サーミスタは高電圧バスに接続され、主に通電の瞬間に、吸収抵抗上の臨時的な回路を制限するように機能し、充電が完了すると短絡される。なお、抵抗値が正温度係数のコンポーネントでさえあれば、いずれもサーミスタとして使用できる。
本願の別の実施例において、図４０、図４２、図４３及び図４４に示すように、好ましくは、駆動制御回路はサーミスタの高電圧バス上のサージ信号の吸収過程を制限するために用いられ、且つサーミスタに並列に接続されるリレーをさらに含む。
当該実施例において、駆動制御回路は、サーミスタに並列に接続され、且つサーミスタによる抵抗性吸収回路上の電流の制限過程を制御するためのリレーをさらに含む。
本願の別の実施例において、図４６、図４７及び図４８に示すように、好ましくは、駆動制御回路は電源入力端のサージ信号を吸収するための複数のサーミスタをさらに含み、具体的には、サーミスタの数量は３つで、ＰＴＣ１、ＰＴＣ２、ＰＴＣ３と表記され、三者がそれぞれ交流三相の３線の各ラインに設けられる。
好ましくは、駆動制御回路は複数のリレーをさらに含み、リレーの数量はサーミスタと一対一で対応し、具体的には、リレーの数量は３つで、三者がＰＴＣ１、ＰＴＣ２、ＰＴＣ３にそれぞれ並列に接続されて、サーミスタのサージ信号の吸収過程を制御するために用いられる。
また、第４スイッチング素子及び抵抗性吸収回路の位置は変更してもよく、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）を使用していることを考慮して位置が固定するが、第４スイッチング素子としてリレーなどを使用する場合には、第５抵抗性素子と位置が入れ替わってもよい。
本願の一実施例において、好ましくは、駆動制御回路は、第４スイッチング素子に接続される制御回路（図示せず）を含み、該制御回路は、駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第４スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるために用いられ、給電信号はバス信号及び交流信号である。
当該実施例において、制御回路によって駆動制御回路の給電信号を収集して、給電信号に基づいて第４スイッチング素子を制御してオン又はオフさせて、抵抗性素子のサージ信号の吸収過程を制御する。給電信号はバス信号及び／又は交流信号である。具体的には、交流信号は整流ブリッジによって処理されてバス信号になり、バス信号、交流信号はいずれも第４スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるための判断条件とされてもよい。
なお、バス信号は整流ブリッジ以降かつリアクトル以前の電圧及び／又はリアクトル以降かつインバータブリッジ以前の電圧を収集して取得されてもよく、交流信号は交流入力電圧のピーク値及び／又は整流ブリッジ以前の電圧である。
なお、制御回路と第４スイッチング素子との間に電力増幅回路（図示せず）が直列に接続され、電力増幅回路によって制御回路から出力される制御信号を増幅させることで、制御回路は第４スイッチング素子を駆動できる。
前記いずれかの実施例で、好ましくは、バスコンデンサはフィルムコンデンサである。
本願の一層の説明のために、図３８、図３９、図４０、図４１、図４２、図４３、図４４、図４５、図４６、図４７及び図４８に示すように、６ＫＷプロトタイプの実際の動作からパラメータを設定する。
リアクトルＬａｃとは実際の交流側インダクタンスモデル及び入力電力線のインダクタンスを指し、インダクタンス及び抵抗量を含み、従来のモデルで使用される交流側インダクタンスは２５ｍＨ、５００ｍΩで、入力電力線のインダクタンスは１０ｍＨより小さく又は等しく（数値拡大）、抵抗は０．５Ωより大きく又は等しい（実際に使用する導線の抵抗は約１．２Ωである）。
リアクトルとは実際の直流側インダクタンスモデルを指し、インダクタンス及び抵抗を含み、４．５ｍＨ、１２０ｍΩである。
Ｒ４はシステム減衰抵抗であり（２００Ωより小さく又は等しく、１６ＫＷプロトタイプにおいて６８Ωのものを使用し、実際には使用しなくてもよい）、減衰抵抗Ｒ４はリアクトルを４．５ｍＨと設定した場合に追加されず、６ＫＷプロトタイプにおいてリアクトルがなくてもよく、またＲ４がなくてもよい。
なお、Ｌａｃ又はリアクトルはＥＭＣ高調波が求められるために存在するもので、高調波が求められるエリアでは、プロトタイプにＬａｃ又はリアクトルが存在する可能性があり、さらにはＬａｃとリアクトルが共存する可能性もある。高調波が求められないエリアでは、Ｌａｃもリアクトルも存在せず、高周波高調波に対処するために（これを無視する場合に、リアクトル又はインダクタを使用しなくてもよい）、トポロジー回路のリアクトルの位置に小さい方のリアクトルＬｄｃを使用し、コスト面の考慮で、インダクタンスの小さい方が好ましく、例えば２ｍＨより小さく、該小さい方のＬｄｃに小さい減衰抵抗を並列に接続させたのはシステムの安定性を向上させるためである。
動作説明：プロトタイプに通電する時に、入力電圧は整流ブリッジによって整流されたと同時にバスコンデンサを充電し、この場合に入力電圧が正常な設定範囲内（１５０Ｖから２６４Ｖ）にあり、２９４Ｖを超えていない場合に（ハードウェア保護電圧閾値は８００Ｖと、ソフトウェア保護閾値は７２０Ｖと設定され、対応する交流入力の有効値は７２０÷１．４１４÷１．７３２＝２９４Ｖ）、プロトタイプが正常に動作し、第１抵抗性吸収素子の第４スイッチング素子はオンされない。
プロトタイプが通常動作する時、バスコンデンサ上の電圧は交流入力電力の周波数の６倍となる周波数で変動し、通常動作時にバス電圧の最大値が２６４×１．４１４×１．７３２＝６４６Ｖで、設定した保護閾値よりはるかに小さいため、第４スイッチング素子は機能しない。
サージエネルギーは主に電源入力、プロトタイプの故障による動作停止時のモータ巻線、交流直流側のインダクタンスフライバック及びモータの運動エネルギーに由来し、サージが来る時には、バスコンデンサ（フィルムコンデンサ又は小容量電解コンデンサ）のサージ吸収能力に限界があるため、バス電圧が迅速に上昇する。
直流バス電圧が設定閾値電圧Ｖ２より高い時（ここで７２０Ｖと設定され、実際には調整可能である）、コンポーネント（主にスマート電力モジュールやコンデンサなどのコンポーネント）を高電圧破壊から保護するために、第４スイッチング素子はデューティ比方式又はパルス波方式でオンされる。同時に、モータは迅速に周波数を低減させ、又は直接動作を停止してもよく、モータはゼロベクトル動作停止機能を利用する（モータ自体のインダクタンス又は逆起電力定数が小さい場合に、直接動作を停止してもよい）。
直流バス電圧が設定閾値電圧Ｖ１より低い場合に（ここで７００Ｖと設定され、実際には調整可能である）、第４スイッチング素子がオフされ、本段階のサージ吸収過程が完了する。
本願の第７の態様の実施例は、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むコントローラを提供し、該コントローラは、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路を含むため、前記いずれかの実施例に記載の駆動制御回路の全ての技術的効果を有し、ここで説明が省略される。
本願の第８態様の実施例は、モータと、前記いずれかの実施例の駆動制御回路とを含むエアコンを提供し、モータの信号入力端は駆動制御回路に接続され、駆動制御回路から出力される駆動信号はモータを駆動して動作させるために用いられる。該エアコンは、前記いずれかの実施例の駆動制御回路又はコントローラを含むため、前記いずれかの実施例の駆動制御回路又はコントローラの全ての技術的効果を有し、ここで説明が省略される。
本願の説明で、用語「複数」とは２つ又は２つ以上を指し、明確な限定のある場合を除き、用語「上」、「下」などで指示した方位又は位置関係は図面に記載の方位又は位置関係に基づくもので、本願の説明の簡素化のためにこれらが用いられるだけで、対象となる装置又は素子が特定の方位にあり、特定の方位で構造又は操作されなければならないことを示すものでもこれを示唆するものでもなく、したがって本願に対する限定と理解されない。用語「接続」、「取り付ける」、「固定」などは広義で理解されるべきであり、例えば、「接続」とは固定して接続されることであってもよいし、取り外し可能に接続されることであってもよいし、又は一体的に接続されることであってもよく、直接的に接続されることであってもよいし、中間の介在物を介して間接的に接続されることであってもよい。当業者であれば、状況に応じて前記用語の本願での意味を具体的に理解することができる。
本願の説明で、用語「一実施例」、「いくつかの実施例」、「具体例」などが用いられる場合には、当該実施例又は例で説明される特定の特徴、構造、材料又は利点が本願の少なくとも一実施例又は例に含まれることが意図される。本願で、前記用語に関する例示的な記述は必ずしも同じ実施例又は例が対象になるとは限らない。しかも、説明される特定の特徴、構造、材料又は利点は任意の１つ又は複数の実施例又は例で適切な形態で組み合わせられてもよい。
上述したのが本願の好ましい実施例に過ぎず、本願を限定するためのものではなく、当業者にとっては、本願には様々な変更や変化が行われてもよい。本願の趣旨を逸脱せず補正や、同等な置き換え、改善などが行われる場合、そのいずれも本願の保護範囲に含まれる。

Claims (17)

  1. 駆動信号を出力するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジ、を含む駆動制御回路であって、
    前記駆動制御回路が負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と前記負荷との間に接続されるリアクトルと、
    バスライン上のサージ信号をフィルタリングして除去するために用いられ、且つ前記インバータブリッジの入力側の前記バスラインに接続されるバスコンデンサと、
    前記バスライン上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサと前記インバータブリッジとの間に接続される第１吸収回路と、を含み、
    前記第１吸収回路は、
    前記サージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサに並列に接続される抵抗性吸収素子と、
    前記抵抗性吸収素子の前記サージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、前記抵抗性吸収素子に直列に接続される第１スイッチング素子であって、前記第１スイッチング素子がオンされる場合に、前記抵抗性吸収素子が前記サージ信号を吸収し、前記第１スイッチング素子がオフされる場合に、前記抵抗性吸収素子が前記サージ信号の吸収を停止する前記第１スイッチング素子とを含み、
    前記駆動制御回路は、前記第１スイッチング素子に接続されるサンプリング制御回路であって、前記駆動制御回路の給電信号を収集して、前記給電信号に基づいて前記第１スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるためのサンプリング制御回路をさらに含み、
    前記給電信号は前記駆動制御回路の交流側の給電信号及び前記バスラインの給電信号を含む、駆動制御回路。
  2. 前記抵抗性吸収素子は、
    前記サージ信号を吸収するための第１抵抗を含み、前記第１抵抗は前記第１スイッチング素子に直列に接続され、前記第１抵抗の抵抗値が予め設定されたバス電圧保護閾値に対応し、且つ／又は、
    前記第１抵抗の抵抗値が予め設定された前記第１スイッチング素子の過電流保護閾値に対応する、請求項１に記載の駆動制御回路。
  3. 前記抵抗性吸収素子は、前記第１抵抗に並列に接続される第１単方向導通素子を含み、
    前記第１単方向導通素子の導通方向は前記第１抵抗を流れる電流の方向と逆である、請求項２に記載の駆動制御回路。
  4. 前記高電圧バス及び前記低電圧バス上のサージ信号を吸収するための第２吸収回路をさらに含み、
    前記第２吸収回路は、
    前記サージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記バスコンデンサに並列に接続される容量性吸収素子と、
    前記容量性吸収素子の前記サージ信号の吸収過程を調整するために用いられ、且つ前記容量性吸収素子に直列に接続される第２単方向導通素子とを含む、請求項１に記載の駆動制御回路。
  5. 前記容量性吸収素子は、
    少なくとも１つのコンデンサ、又は直列に接続される且つ／もしくは並列に接続される複数の前記コンデンサを含み、
    前記第２吸収回路は、
    前記コンデンサにおけるサージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記コンデンサに並列に接続される第２抵抗をさらに含む、請求項４に記載の駆動制御回路。
  6. 前記第２吸収回路は、
    前記容量性吸収素子を流れる電流を制限するために用いられ、且つ前記容量性吸収素子に直列に接続される電流制限抵抗をさらに含む、請求項５に記載の駆動制御回路。
  7. 前記リアクトルにおいて発生する発振信号を吸収するために用いられ、且つ前記リアクトルに並列に接続される第４抵抗をさらに含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の駆動制御回路。
  8. モータと、
    請求項１ないし７のいずれか一項に記載の駆動制御回路とを含み、
    前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる、エアコン。
  9. 負荷の動作を駆動及び制御するために用いられ、且つ高電圧バスと低電圧バスとの間に接続されるインバータブリッジ、を含む駆動制御回路であって、
    前記駆動制御回路が前記負荷を駆動して動作させる過程で発生するサージ信号を吸収するために用いられ、且つ送配電網と前記負荷との間に接続されるリアクトルと、
    前記負荷の通電に必要な始動電圧を提供するために用いられ、前記サージ信号を吸収するためにも用いられ、且つ前記インバータブリッジの入力側のバスラインに接続されるバスコンデンサと、
    第１抵抗性素子及び第２スイッチング素子であって、前記第２スイッチング素子は前記第１抵抗性素子を制御して前記サージ信号を吸収させるように設定され、前記第１抵抗性素子及び前記第２スイッチング素子は直列に接続されてから、前記高電圧バスと前記低電圧バスとの間に直列に接続される、第１抵抗性素子及び第２スイッチング素子と、
    第３スイッチング素子と、
    第１容量性素子であって、前記第３スイッチング素子は前記第１容量性素子による前記高電圧バス上のサージ信号の吸収を制限するように設定され、前記第３スイッチング素子と前記第１容量性素子は、直列に接続されてから、前記高電圧バスと前記低電圧バスとの間に直列に接続される、第１容量性素子と、
    前記第２スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子に接続され、バス信号を収集して、前記バス信号と電圧閾値の大小関係に基づいて前記第１抵抗性素子の動作を制御し、前記バス信号に基づいて前記第３スイッチング素子を制御してオン又はオフさせるために用いられる制御チップとを含み、
    前記電圧閾値は第１電圧閾値と、第２電圧閾値とを含み、
    前記制御チップは、具体的には、前記バス信号が第１電圧閾値より大きく又は等しく前記第２電圧閾値より小さい場合に、前記第２スイッチング素子を制御してオフさせ、前記第３スイッチング素子を制御してオンさせ、
    前記バス信号が前記第２電圧閾値より大きい又は等しい場合に、前記第２スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子を制御してオンさせ、
    前記バス信号が第１電圧閾値より小さい場合に、前記第２スイッチング素子及び前記第３スイッチング素子を制御してオフさせるために用いられる、駆動制御回路。
  10. 前記第１容量性素子におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ前記第１容量性素子に並列に接続される第２抵抗性素子をさらに含む、請求項９に記載の駆動制御回路。
  11. 前記高電圧バス上のサージ信号を吸収するために用いられ、且つ前記第１容量性素子に直列に接続される第２容量性素子をさらに含む、請求項１０に記載の駆動制御回路。
  12. 前記第２容量性素子におけるサージ信号を放出させるために用いられ、且つ前記第２容量性素子に並列に接続される第３抵抗性素子をさらに含む、請求項１１に記載の駆動制御回路。
  13. 前記第１容量性素子及び／又は前記第２容量性素子に流れる電流を制限するための第４抵抗性素子をさらに含み、
    前記第４抵抗性素子、前記第３スイッチング素子及び前記第１容量性素子が直列に接続され、又は前記第４抵抗性素子、前記第３スイッチング素子、第１容量性素子及び前記第２容量性素子が直列に接続される、請求項１２に記載の駆動制御回路。
  14. 前記第１抵抗性素子におけるスパイク電圧信号を放出させるために用いられ、且つ前記第１抵抗性素子に並列に接続される第１放電素子をさらに含む、請求項９に記載の駆動制御回路。
  15. 交流信号を整流して前記バス信号として出力する整流ブリッジをさらに含み、前記バス信号は、前記高電圧バス及び前記低電圧バスを介して前記バスコンデンサ、前記インバータブリッジ及び前記負荷に出力され、
    前記制御チップは、前記交流信号に基づいて前記第２スイッチング素子のオン状態及び第３スイッチング素子のオン状態を制御する、請求項９に記載の駆動制御回路。
  16. 請求項９ないし１５のいずれか一項に記載の駆動制御回路を含む、コントローラ。
  17. モータと、
    請求項９ないし１５のいずれか一項に記載の駆動制御回路とを含み、
    前記モータの信号入力端が前記駆動制御回路に接続され、前記駆動制御回路から出力される駆動信号は前記モータを駆動して動作させるために用いられる、エアコン。
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