JP7181832B2 - Alvarez-Macovski減衰モデルを使用した断層像再構成におけるX線ビームハードニング補正 - Google Patents
Alvarez-Macovski減衰モデルを使用した断層像再構成におけるX線ビームハードニング補正 Download PDFInfo
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Description
より具体的には、本発明は以下を提供する:
[1] 順投影モデルを単純化する工程であって、前記順投影モデルがAlvarez-Macovski(AM)減衰モデルに基づくものであり、前記順投影モデルの単純化が、光電効果のみ、一定密度、一定原子番号、および密度が原子番号に比例することのうちの1つについて前記AM減衰モデルを単純化する、工程;ならびに
単純化された前記順投影モデルを使用して被検体の反復再構成を実行する工程であって、前記反復再構成が第1のスペクトルによって重み付けされ、前記反復再構成において使用される前記被検体の測定画像データが第1のエネルギーで得られ、かつ、前記反復再構成の逆演算が、単純化された前記順投影モデルに対して非随伴である、工程
を含む、断層像再構成方法;
[2] 光電効果のみについての前記順投影モデルの前記単純化が、光電効果項のみが実装されるように前記AM減衰モデルにおけるコンプトン散乱効果項を無視することを含む、[1]に記載の方法;
[3] 一定密度についての前記順投影モデルの前記単純化が、密度を一定に設定して前記AM減衰モデルを投影することを含む、[1]に記載の方法;
[4] 一定原子番号についての前記順投影モデルの前記単純化が、原子番号を一定に設定して前記AM減衰モデルを投影することを含む、[1]に記載の方法;
[5] 密度が原子番号に比例することについての前記順投影モデルの前記単純化が、原子番号を、比例定数によって重み付けされた密度被検体パラメータに設定することと、前記AM減衰モデルにおける原子番号を置き換えることと、を含む、[1]に記載の方法;
[6] 順投影モデルを単純化する工程が、変数の数を2から1に減少させることを含み、2つの前記変数が密度および原子番号を含み、前記変数の数を減少させることが、密度を原子番号の関数にするかまたは原子番号を密度の関数にすることを含む、[1]に記載の方法;
[7] 前記反復再構成の実行における残差を最小にする前記単純化を決定することに基づいて前記AM減衰モデルの前記単純化を決定する工程をさらに含む、[1]に記載の方法;
[8] 単純化された前記順投影モデルを使用して前記被検体の前記反復再構成を実行する工程が、前記再構成におけるビームハードニングアーチファクトを低減する、[1]に記載の方法;
[9] 高エネルギー低分解能スキャンから取得される前記被検体の高エネルギーデータが、前記単純化を決定するため、ならびに前記反復再構成において使用されるρおよび原子番号の初期値を決定するために使用される、[1]に記載の方法;
[10] 前記被検体の低エネルギー高分解能データが、前記反復再構成において使用される、[1]に記載の方法;
[11] 以下を備える、システム:
被検体を取り付けるためのステージ;
前記被検体を画像化するためのX線を提供するように接続されているX線源;
前記被検体を横切った後の前記X線を受け取るように接続されている検出器;ならびに
少なくとも前記X線源および前記検出器に接続されている制御器であって、前記制御器が、メモリに記憶されているコードを実行するように構成されている1つ以上のプロセッサを含むかまたはそれに接続されており、前記コードが実行されると、
順投影モデルを単純化することであって、前記順投影モデルが、Alvarez-Macovski(AM)減衰モデルに基づくものであり、前記順投影モデルの単純化が、光電効果のみ、一定密度、一定原子番号、および密度が原子番号に比例することのうちの1つについて前記AM減衰モデルを単純化する、こと、ならびに
単純化された前記順投影モデルを使用して被検体の反復再構成を実行することであって、前記反復再構成が第1のスペクトルによって重み付けされ、前記反復再構成において使用される前記被検体の測定画像データが第1のエネルギーで得られ、前記反復再構成の逆演算が、単純化された前記順投影モデルに対して非随伴である、こと
を前記制御器に行わせる、制御器;
[12] 光電効果のみについての前記順投影モデルの前記単純化を実行するための前記コードが、
実行されると、前記制御器に、光電効果項のみが実装されるように前記AM減衰モデルにおけるコンプトン散乱効果項を無視させる、コード
をさらに含む、[11]に記載のシステム;
[13] 一定密度についての前記順投影モデルの前記単純化を実行するための前記コードが、
実行されると、前記制御器に、密度を一定に設定して前記AM減衰モデルを投影させる、コード
をさらに含む、[11]に記載のシステム;
[14] 一定原子番号密度についての前記順投影モデルの前記単純化を実行するための前記コードが、
実行されると、前記制御器に、原子番号を一定に設定して前記AM減衰モデルを投影させる、コード
をさらに含む、[11]に記載のシステム;
[15] 密度が原子番号密度に比例することについての前記順投影モデルの前記単純化を実行するための前記コードが、
実行されると、原子番号を、比例定数によって重み付けされた密度被検体パラメータに設定することと、前記AM減衰モデルにおける原子番号を置き換えることとを前記制御器に行わせる、コード
をさらに含む、[11]に記載のシステム;
[16] 順投影モデルを単純化するための前記コードが、
実行されると、前記制御器に、変数の数を2から1に減少させるコードであって、2つの前記変数が密度および原子番号を含み、前記変数の数を減少させることが、密度を原子番号の関数にするかまたは原子番号を密度の関数にすることを含む、コード
をさらに含む、[11]に記載のシステム;
[17] 実行されると、前記制御器に、前記反復再構成の実行における残差を最小にする前記単純化を決定することに基づいて前記AM減衰モデルの前記単純化を決定させる、コード
をさらに含む、[11]に記載のシステム;
[18] 単純化された前記順投影モデルを使用して前記被検体の前記反復再構成を実行することが、前記再構成におけるビームハードニングアーチファクトを低減する、[11]に記載のシステム;
[19] 前記コードが、前記1つ以上のプロセッサによって実行されると、前記制御器に高エネルギー低分解能スキャンから前記被検体の高エネルギーデータを取得させ、さらに、前記高エネルギーデータを、前記単純化を決定するため、ならびに前記反復再構成において使用される密度および原子番号の初期値を決定するために使用されるようにする、[11]に記載のシステム;ならびに
[20] 前記被検体の低エネルギー高分解能データが、前記反復再構成において使用される、[11]に記載のシステム。
本発明の実施形態は、コーン形状のX線ビームおよび円形またはヘリカルスキャン(被検体)軌道を使用する、小さい対象物、特に円筒形被検体、のマイクロメートルスケールまたはナノメートルスケールのコンピュータ断層撮影のための断層撮影画像化装置に関連して以下に説明される。しかしながら、本明細書に記載の方法は一般に、コーンビームシステムおよびパラレルビームシステムの両方を含む広範囲の異なる断層撮影の方法および装置に適用可能であり、特定の装置タイプ、ビームタイプ、対象物タイプ、長さスケール、またはスキャン軌道に限定されないことを理解すべきである。
ここで、エネルギーEでの単位長さμあたりの全材料減衰は、2つの現象の線形の組み合わせによって与えられる。K1とK2は実際の減衰曲線に当てはめなければならない2つの係数であり、nは通常4に設定される定数である。合理的には、この単純化はX線吸収エッジの影響を無視し、それゆえに、kエッジが通常のX線領域内にある高原子番号元素に対して正確なモデルになることはできない。しかしながら、それは吸収の一般的な形状を非常によくモデル化しており、それが減衰をちょうど2つの単一材料特性(密度ρおよび原子番号Z)まで減少させるという意味で単純である。
1:反復手順(y、n) ◆n回の反復を有するスキャンyの反復再構成
2:x←初期化() ◆推定値の開始値を選択
3:I=1、2、3…nについて繰り返す
4:p←P(x) ◆現在の推定値を投影
5:Δ←d(p、y) ◆投影推定値とスキャンとの間の差分を計算
6:r←B(△) ◆差分を逆投影
7:x←a(r、x) ◆Xと組み合わせる
8:ループ終わり
9:手順終了
これはBeer-Lambertの法則によって強度に変換され、次のようになる。
ここで、μ(E)は、AMモデルによって与えられるエネルギーEでの減衰である。各エネルギーでの減衰の投影が得られ、強度に変換され、そしてそのエネルギーのスペクトル強度S(E)によって重み付けされる(例えば、方法301のブロック315、319から325、329を参照)。すべてのエネルギーEにわたるこれらの合計は、線Lに沿った最終強度を与える。式(7)から、投影演算子は各エネルギーEで適用されなければならないように見える。これは実際には必要でないかもしれないが、しかしながら、関連する材料特性が別々に投影されるとすれば(ブロック313から315、および317から319を参照)、各エネルギーにおける投影減衰量は、単純な加算およびスケーリング演算を通してこれから得ることができる。AMモデルを単純化することに関して、1つの単純化は1つだけの投影と1/E3のファクタによるスケーリングとを必要とし(光電効果のみ)、一方、他の単純化(Zがρに比例すること)は、1/E3のスケーリングファクタと要求されるfKN(E)とを有する、2つの投影を必要とする。
であるため、1つはρ4用、1つはρ用である。
Z=cρという設定に基づいて完全AMモデルを単純化すると、次のようになる。
そしてスケーリングは、次式となる。
これは、光電効果のみの単純化などの他の単純化と比較して追加のステップを必要とし得る。第一に、あらゆるピクセルに対して、式(8)を使用するためにρを解く必要がある。その後、ρおよびρ4の両方の投影が行われる。エネルギースケーリングは、スケーリングが2つの成分ρおよびρ4に関して線形であるが、μに関して線形ではないために投影後に行われる。要約すれば、
(a)各ピクセルにおけるρ値を得るために単純化されたAM方程式を解き、それはρおよびρ4を提供し、
(b)ρを投影し、
(c)ρ4を投影し、
(d)式(9)ならびに投影データP(ρ)およびP(ρ4)から各エネルギーについての投影減衰を得、そして
(e)投影減衰量を強度に変換し、式(7)のスペクトルによる重み付けの後に組み合わせる。
光電効果のみの単純化は、AMモデルのコンプトン散乱成分を無視し、次のようになる。
ここでK1 ’は、すべての定数の組み合わせで、スケーリングは次のようになる。
スケーリングは、投影演算の後に行われることに留意。これは、すべての材料の減衰が同じ1/E3曲線上にあるために可能であり、そのため、別のエネルギーでの投影減衰を得るために、投影内の各ピクセル内のすべての異なる材料が均等にスケーリングされる。したがって、投影演算は、以下によって正確に要約することができる。
(a)減衰係数値の現在の推定値を投影し、それがエネルギーE0にあると仮定し、
(b)各エネルギーにおける投影減衰を得るために、式(11)によってE0における投影減衰をスケーリングし、そして
(c)投影減衰を強度に変換し、式(7)のようにスペクトルによる重み付けの後に組み合わせる。
この単純化は、上記の光電効果のみの単純化と同様である。しかしながら、これはAMモデルのコンプトン散乱成分のみを含む。これは、光電効果による減衰が最も大きく変動し、それ故にビームハードニングアーチファクトの大部分の原因となるので、著しく有用性が低い。この単純化を実施すると、以下の縮小AMモデルをもたらす。
スケーリングすると、比率は次のようになる。
投影演算も上記と同様である。
有効原子番号Zが被検体全体を通してほぼ一定であると仮定される場合、密度ρが唯一の変数となり、結果として、画像全体に対して所定のZで十分である。この単純化に基づくAMモデルは、次式にまとめられる。
投影演算後のスケーリングアルゴリズムを次のスケーリングによって定数に関して適用すると、次式になる。
密度が被検体全体を通してほぼ一定であると仮定される場合、被検体の外側の空間のボリュームの密度を考慮に入れる必要があり得る。これは方法を複雑にし得る一方で、この違いを説明することはかなり簡単である。ここで、想定することができる2つの値の密度があり、標本の内側のρと、標本の外側の0gm/cm3である。しかしながら、P(ρZ3)=ρP(Z3)およびP(ρ)=ρP(B)であることに留意されたい、ここで、Bはボリュームのバイナリセグメンテーションである。Z3は、次のようにボリュームμ(E0)から求めることができる。
Bは、Z3>0ならば1、そうでなければ0と定義することによって、このボリュームから計算できる。次いで、任意のエネルギーEでの標本の投影減衰は、次のように計算され得る。
セグメント化されたボリュームBは、後続の反復であまり変化しない可能性が高く、P(B)が最初の反復で計算され、次いでその後のすべての反復での再利用のために記憶され得ることに留意されたい。
被検体において。そして、比例定数cは、被検体全体で平均した次式で求められる。
104 被検体ステージ
106 検出器
108 コーン形状のX線ビーム
110 被検体または対象物
201 方法
205 コンバイナ
209 コンバイナ
301 方法
307 コンバイナ
309 コンバイナ
325 コンバイナ
329 コンバイナ
335 コンバイナ
337 コンバイナ
401 方法
405 コンバイナ
501 方法
601 方法
701 方法
800 CTシステム
820 制御器
822 メモリ
824 ステージ
826 プログラム
828 検出器
830 線源
Claims (11)
- 被検体の断層像を再構成する方法であって、
順投影モデルを単純化する工程であって、前記順投影モデルがAlvarez-Macovski(AM)減衰モデルに基づくものであり、前記順投影モデルの単純化が、光電効果のみ、前記被検体全体で一定密度、前記被検体全体で一定原子番号、および密度が原子番号に比例することのうちの1つについて前記AM減衰モデルを単純化する、工程;ならびに
単純化された前記順投影モデルおよび逆投影を使用して被検体の反復再構成を実行する工程であって、第1のエネルギーで得られる前記被検体の測定画像データが、第1のエネルギーに関連する第1のスペクトルによって重みづけされた単純化された前記順投影の出力と比較され、前記反復再構成の前記逆投影が、単純化された前記順投影モデルに対して非随伴であり、前記逆投影は単色放射線を想定している、工程
を含む、断層像再構成方法。 - 光電効果のみについての前記順投影モデルの前記単純化が、光電効果項のみが実装されるように前記AM減衰モデルにおけるコンプトン散乱効果項を無視することを含む、請求項1に記載の方法。
- 一定密度についての前記順投影モデルの前記単純化が、密度を一定に設定して前記AM減衰モデルを投影することを含む、請求項1に記載の方法。
- 一定原子番号についての前記順投影モデルの前記単純化が、原子番号を一定に設定して前記AM減衰モデルを投影することを含む、請求項1に記載の方法。
- 密度が原子番号に比例することについての前記順投影モデルの前記単純化が、原子番号を、比例定数によって重み付けされた密度被検体パラメータに設定することと、前記AM減衰モデルにおける原子番号を置き換えることと、を含む、請求項1に記載の方法。
- 順投影モデルを単純化する工程が、変数の数を2から1に減少させることを含み、2つの前記変数が密度および原子番号を含み、前記変数の数を減少させることが、密度を原子番号の関数にするかまたは原子番号を密度の関数にすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記反復再構成の実行における残差を最小にする前記単純化を決定することに基づいて前記AM減衰モデルの前記単純化を決定する工程をさらに含む、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 単純化された前記順投影モデルを使用して前記被検体の前記反復再構成を実行する工程が、前記再構成におけるビームハードニングアーチファクトを低減する、請求項1から7のいずれかに記載の方法。
- 以下を備える、システム:
被検体を取り付けるためのステージ;
前記被検体を画像化するためのX線を提供するように接続されているX線源;
前記被検体を横切った後の前記X線を受け取るように接続されている検出器;ならびに
少なくとも前記X線源および前記検出器に接続されている制御器であって、前記制御器が、メモリに記憶されているコードを実行するように構成されている1つ以上のプロセッサを含むかまたはそれに接続されており、前記コードが実行されると、
順投影モデルを単純化することであって、前記順投影モデルが、Alvarez-Macovski(AM)減衰モデルに基づくものであり、前記順投影モデルの単純化が、光電効果のみ、被検体全体で一定密度、被検体全体で一定原子番号、および密度が原子番号に比例することのうちの1つについて前記AM減衰モデルを単純化する、こと、ならびに
単純化された前記順投影モデルおよび逆投影を使用して被検体の反復再構成を実行することであって、第1のエネルギーで得られる前記被検体の測定画像データが、第1のエネルギーに関連する第1のスペクトルによって重みづけされた単純化された前記順投影の出力と比較され、前記反復再構成の逆投影が、単純化された前記順投影モデルに対して非随伴であり、前記逆投影は単色放射線を想定している、こと
を前記制御器に行わせる、制御器。 - 実行されると、前記制御器に、前記反復再構成の実行における残差を最小にする前記単純化を決定することに基づいて前記AM減衰モデルの前記単純化を決定させる、コードをさらに含む、請求項9に記載のシステム。
- 単純化された前記順投影モデルを使用して前記被検体の前記反復再構成を実行することが、前記再構成におけるビームハードニングアーチファクトを低減する、請求項9または10に記載のシステム。
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