JP7176269B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は電子部品及びその製造方法に関する。

近年、車載用の実装基板等、温度変化による熱ストレスが加わる環境下で使用される電子部品として、表面に銅配線を形成したポリマー成形体（銅配線付きポリマー成形体）を用いることが検討されている。

しかしながら、ポリマー成形体の表面に銅配線を形成する場合、銅配線とポリマー成形体との充分な密着性が得られ難い。

そこで、本発明は、ポリマー成形体と銅配線との密着性に優れる電子部品及び当該電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面は、パターン状に形成された溝部を有する第１のポリマー成形体を用意する第１の工程と、溝部に、銅粒子を含む第１の銅ペーストを配置する第２の工程と、銅粒子を焼結させて配線（銅配線）を形成する第３の工程と、を備える、電子部品の製造方法に関する。

上記製造方法によれば、ポリマー成形体と銅配線との密着性に優れる電子部品が得られる。また、上記製造方法により得られる電子部品は、配線の初期の導通性（以下、「初期導通性」ともいう。）にも優れる傾向がある。このような効果が得られる理由は、明らかではないが、上記製造方法によれば、配線形成時に配線の露出面（ポリマー成形体と接触していない面）が少なくなり、結果として、焼結後の冷却による急激な体積収縮が起こり難くなるため、配線形成時に発生する応力（銅配線に加わる応力）が緩和され、配線の剥離及び破損（クラック、断線等）の発生が抑制されると推察される。また、上記製造方法では、銅配線とポリマー成形体との接着部分が相対的に多くなるため、配線形成時に体積収縮が起こったとしても、配線の剥離及び破損（クラック、断線等）が起こり難いと推察される。

また、本発明者らの検討の結果、銅配線付きポリマー成形体に対して温度変化（例えば－４０℃～＋１２０℃）による熱ストレスが加わった場合、熱ストレスによって配線の断線が発生し、導通不良が発生することが判明した。一方、上記製造方法により得られる電子部品では、使用時の温度変化により熱ストレスが加わった場合であっても配線の剥離及び破損（クラック、断線等）が起こり難く、優れた導通信頼性が得られる傾向がある。この理由としては、上記と同様のメカニズムよって温度変化による体積収縮が抑制されること、ポリマー成形体と銅配線との密着性に優れること等が考えられる。

また、銅配線の形成方法として、めっきにより銅配線を形成する方法が知られているが、めっきによりポリマー成形体の溝部に銅配線を形成する場合、マスキング、溝部の粗化等の工程が必要となるのに対し、本発明の一側面の製造方法によれば、これらの工程を行う必要がなく、より簡便に電子部品を製造することができる。

一側面において、銅粒子はフレーク状の銅粒子を含んでいてよい。

一側面において、銅粒子は、粒径が１．０μｍ以上であるフレーク状の第１の銅粒子と、粒径が０．８μｍ以下である第２の銅粒子と、を含んでいてよい。この場合、ポリマー成形体と銅配線との密着性により優れる電子部品が得られやすい。このような効果が得られる理由は、明らかではないが、第１の銅粒子と第２の銅粒子を併用することで配線形成時の体積収縮が抑制されやすくなることで、銅粒子の焼結時（高温時）に生じたポリマー成形体と銅粒子との接着が、冷却後においても維持されるためと推察される。

一側面において、第２の銅粒子は球状であってよい。

一側面において、フレーク状の銅粒子の体積平均粒径に対する溝部の幅の比は、１０～１００であってよい。

一側面において、溝部は三次元状のパターンで形成されていてよい。

一側面において、第１の工程は、成型、レーザー、プラズマ又は砥粒による研磨により溝部を形成する工程であってよい。

一側面において、第１のポリマー成形体は、液晶ポリマー又はポリフェニレンスルフィドからなっていてよい。

一側面において、第１のポリマー成形体には金属回路及び溝部から金属回路まで貫通する貫通孔が設けられていてよい。この場合、第２の工程では、第１の銅ペーストが金属回路に接するように貫通孔内にも第１の銅ペーストを配置してよい。

一側面において、電子部品の製造方法は、一面から他面まで貫通する貫通孔を有する第２のポリマー成形体を、当該貫通孔が配線上に位置するように、第１のポリマー成形体上に配置する第４の工程と、銅粒子を含む第２の銅ペーストを、配線と接するように、貫通孔内に配置する第５の工程と、を備えていてよい。

本発明の他の一側面は、表面にパターン状に形成された溝部を有する第１のポリマー成形体と、溝部に設けられた、銅粒子の焼結体からなる第１の配線と、を備える、電子部品に関する。

一側面において、銅粒子はフレーク状の銅粒子を含んでいてよい。

一側面において、銅粒子は、粒径が１．０μｍ以上であるフレーク状の第１の銅粒子と、粒径が０．８μｍ以下である第２の銅粒子と、を含んでいてよい。

一側面において、第２の銅粒子は球状であってよい。

一側面において、フレーク状の銅粒子の体積平均粒径に対する溝部の幅の比は、１０～１００であってよい。

一側面において、溝部は三次元状のパターンで形成されていてよい。

一側面において、第１のポリマー成形体は、液晶ポリマー又はポリフェニレンスルフィドからなっていてよい。

一側面において、電子部品は、第１のポリマー成形体に設けられた金属回路を更に備えていてよい。この場合、第１のポリマー成形体は、溝部から金属回路まで貫通する貫通孔を更に有していてよい。また、第１の配線は、貫通孔内にも設けられていてよく、金属回路と接合されていてよい。

一側面において、電子部品は、一面から他面まで貫通する貫通孔を有する第２のポリマー成形体と、第２のポリマー成形体の貫通孔内に設けられた、銅粒子の焼結体からなる第２の配線と、を更に備えていてよい。この場合、第２のポリマー成形体は、貫通孔が第１の配線上に位置するように、第１のポリマー成形体上に設けられていてよい。また、第２の配線は、第１の配線と接合されていてよい。

本発明によれば、ポリマー成形体と銅配線との密着性に優れる電子部品及び当該電子部品の製造方法を提供することができる。

図１は、表面に溝部を有するポリマー成形体の一例を示す斜視図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った模式断面図である。 図３は、図１のポリマー成形体に溝部が形成される前の状態を示す斜視図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、一実施形態の電子部品の製造方法を説明するための斜視図である。 図５は、一実施形態の電子部品を示す斜視図である。 図６（ａ）は、図４（ｂ）のＡ－Ａ線に沿った模式断面図であり、図６（ｂ）は、図４（ｂ）のＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。 図７（ａ）～（ｃ）は、他の実施形態の配線の形状を示す模式断面図である。 図８は、銅粒子の焼結体からなる配線の典型的なモルフォロジーの一例を示す模式断面図である。 図９は、他の実施形態の電子部品の模式断面図である。 図１０は、他の実施形態の電子部品の模式断面図である。 図１１は、他の実施形態の電子部品の模式断面図である。 図１２は、他の実施形態の電子部品の模式断面図である。 図１３は、他の実施形態の電子部品の模式断面図である。 図１４は、実施例１で用いたポリマー成形体Ａの模式平面図である。 図１５（ａ）は実施例１で用いたポリマー成形体Ｂの斜視図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）のｂ－ｂ線に沿った模式断面図である。

以下、図面を参照しながら好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

＜電子部品及び電子部品の製造方法＞
一実施形態の電子部品の製造方法は、表面にパターン状に形成された溝部を有するポリマー成形体を用意する第１の工程と、溝部に、銅粒子を含む銅ペーストを配置する第２の工程と、銅粒子を焼結させて配線を形成する第３の工程と、を備える。この方法によれば、ポリマー成形体と銅配線との密着性を向上させることができる。また、この方法によれば、得られる電子部品の初期導通性及び導通信頼性を向上させることができる。

図１は、ポリマー成形体の一例を示す斜視図である。ポリマー成形体１は、合成樹脂（例えば、プラスチック）等のポリマー材料からなる。ポリマー材料としては、例えば、ポリアミド（ＰＡ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等が挙げられる。ポリマー材料としては、さらに高い熱負荷を掛けることができる高性能プラスチックを用いることもできる。高性能プラスチックとしては、例えば、ポリエーテルイミド（ＰＩ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）及び液晶ポリマー（ＬＣＰ）が挙げられる。これらの中でも、耐熱性に優れる観点から、液晶ポリマー（ＬＣＰ）及びポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）が好ましく用いられる。

ポリマー成形体１は、その表面にパターン状（配線パターン状）に形成された溝部（第１の溝部２及び第２の溝部３）を有する。溝部は、ポリマー成形体の表面に形成された細長状の窪みであり、配線が形成される空間である。パターンの形状は特に限定されず、目的の配線パターンに対応する形状（例えば直線状等）であってよい。図１に示すポリマー成形体１の溝部は、三次元状のパターン（配線パターン）で形成されており、ポリマー成形体１の複数面にわたって延びている。したがって、溝部は、ポリマー成形体１の表面のうち、隣接する二面間の境界にも形成されている。ポリマー成形体１における溝部の数は特に限定されない。

図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った模式断面図である。以下では、第１の溝部２を参照して溝部の形状について説明するが、他の溝部（例えば第２の溝部３）も同様の形状であってよい。

図２（ａ）に示すように、溝部２の断面形状（溝部が延びる方向に垂直な断面の形状）は、矩形状であってよく、図２（ｂ）に示すように台形状であってもよく、図２（ｃ）に示すようにかまぼこ状であってもよい。

溝部２の深さｄは、好ましくは１．０μｍ以上であり、より好ましくは３．０μｍ以上であり、更に好ましくは５．０μｍ以上である。溝部２の深さｄは、１０００μｍ以下であってよい。配線の形成に後述するフレーク状の銅粒子を用いる場合、溝部２の深さｄは、後述する第１の銅粒子（特にフレーク状の第1の銅粒子）の体積平均粒径以上であることが好ましい。

溝部２の幅ｗ（開口幅）は、好ましくは１０μｍ以上であり、より好ましくは２０μｍ以上であり、更に好ましくは３０μｍ以上である。溝部２の幅ｗは、５０μｍ以下であってよい。

以下、一実施形態の電子部品の製造方法の一例として、図１に示すポリマー成形体を用いた電子部品の製造方法について説明する。

第１の工程では、図１に示すポリマー成形体１を用意する。本実施形態では、第１の工程が、ポリマー成形体の表面に溝部を所定のパターン（例えば三次元状のパターン）で形成する工程であってよい。すなわち、第１の工程は、図３に示すポリマー成形体４の表面に溝部を形成し、図１に示すポリマー成形体１を得る工程であってよく、ポリマー材料の成型と同時にポリマー成形体の表面に溝部を形成し、図１に示すポリマー成形体１を得る工程であってよい。図３に示すポリマー成形体４の表面に溝部を形成する方法は、例えば、レーザー、プラズマ、砥粒による研磨等による方法であってよい。この方法は、ポリマー成形体が平板状である場合に好適である。成型により溝部を形成する方法では、例えば、ポリマー成形体を成型するための金型にあらかじめ凸部を形成しておき、当該金型にポリマー材料を流し込み硬化させることで、ポリマー成形体１を形成すると同時に溝部を形成する。

図４は、第２の工程及び第３の工程を説明するための斜視図である。第２の工程では、溝部に銅ペーストを配置することにより銅ペーストからなる層（第１の銅ペースト層５及び第２の銅ペースト層６）を形成する（図４（ａ）参照。）。銅ペーストは、少なくとも銅粒子を含むペーストであり、例えば、銅粒子と、分散媒とを含有する。銅ペーストの詳細は後述する。第１の銅ペースト層５を形成するための銅ペーストと、第２の銅ペースト層６を形成するための銅ペーストは、互いに同一であっても異なっていてもよい。

銅ペーストは、溝部にのみ配置してよく、必要に応じて、溝部以外の任意の部分（ポリマー成形体の平面部）に配置してもよい。銅ペーストをポリマー成形体上に配置する方法としては、例えば、印刷による方法、コーティングによる方法等が挙げられる。具体的には、例えば、スクリーン印刷、転写印刷、オフセット印刷、ジェットプリンティング法、ディスペンサー、ジェットディスペンサ、ニードルディスペンサ、カンマコータ、スリットコータ、ダイコータ、グラビアコータ、スリットコート、凸版印刷、凹版印刷、グラビア印刷、ステンシル印刷、ソフトリソグラフ、バーコート、アプリケータ、粒子堆積法、スプレーコータ、スピンコータ、ディップコータ、電着塗装等を用いることができる。

銅ペースト層の厚さ（溝部の深さ方向の長さ）は、１．０μｍ以上１０００μｍ以下であってもよく、２．０μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。また、銅ペースト層の厚さは、１０μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、５０μｍ以上２００μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上３０００μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、５．０μｍ以上５００μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２５０μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。

第３の工程では、銅粒子を焼結させて銅粒子の焼結体からなる配線（銅配線、第１の配線７及び第２の配線８）を形成する（図４（ｂ）参照）。これにより電子部品９が得られる。第３の工程では、銅ペーストからなる層を加熱処理することで銅粒子を焼結させてよい。加熱処理には、例えば、ホットプレート、温風乾燥機、温風加熱炉、窒素乾燥機、赤外線乾燥機、赤外線加熱炉、遠赤外線加熱炉、マイクロ波加熱装置、レーザー加熱装置、電磁加熱装置、ヒーター加熱装置、蒸気加熱炉等を用いることができる。

加熱処理時のガス雰囲気は、得られる焼結体の酸化を抑制する観点から、無酸素雰囲気であってよい。加熱処理時のガス雰囲気は、銅ペースト中の銅粒子の表面酸化物を除去する観点から、還元雰囲気であってもよい。無酸素雰囲気としては、例えば、窒素、希ガス等の雰囲気、真空雰囲気等が挙げられる。還元雰囲気としては、例えば、純水素ガス雰囲気、フォーミングガスに代表される水素及び窒素の混合ガス雰囲気、ギ酸ガスを含む窒素雰囲気、水素及び希ガスの混合ガス雰囲気、ギ酸ガスを含む希ガス雰囲気等が挙げられる。

加熱処理時の到達最高温度は、各部材への熱ダメージの低減及び歩留まりを向上させるという観点から、１５０℃以上３５０℃以下であってよく、１５０℃以上３００℃以下であってもよく、１５０℃以上２６０℃以下であってもよい。到達最高温度が、１５０℃以上であれば、到達最高温度保持時間が６０分間以下において焼結が充分に進行する傾向にある。

到達最高温度保持時間は、分散媒を全て揮発させる観点、及び、歩留まりを向上させる観点から、１分間以上６０分間以下であってもよく、１分間以上４０分間未満であってもよく、１分間以上３０分間未満であってもよい。

実施形態の製造方法は、第２の工程後第３の工程の前に、銅ペーストを乾燥させる工程を更に備えていてよい。銅ペーストを乾燥させることにより、焼結時の流動及びボイドの発生を抑制することができる。この場合、第３の工程では、銅粒子を含む層を焼成することにより銅粒子を焼結させる。

乾燥時のガス雰囲気は大気中であってもよく、窒素、希ガス等の無酸素雰囲気中であってもよく、水素、ギ酸等の還元雰囲気中であってもよい。乾燥方法は、常温放置による乾燥であってもよく、加熱乾燥であってもよく、減圧乾燥であってもよい。加熱乾燥又は減圧乾燥には、例えば、ホットプレート、温風乾燥機、温風加熱炉、窒素乾燥機、赤外線乾燥機、赤外線加熱炉、遠赤外線加熱炉、マイクロ波加熱装置、レーザー加熱装置、電磁加熱装置、ヒーター加熱装置、蒸気加熱炉、熱板プレス装置等を用いることができる。乾燥の温度及び時間は、使用した分散媒の種類及び量に合わせて適宜調整してもよい。乾燥の温度及び時間としては、例えば、５０℃以上１８０℃以下で１分間以上１２０分間以下乾燥させてもよい。

実施形態の製造方法は、第３の工程で得られた配線の表面（露出面）に、金属被膜を形成する工程を更に備えていてよい。金属被膜の形成方法としては、電解めっき又は無電解めっきによる方法が挙げられる。電解めっき又は無電解めっきを併用してもよい。金属被膜は配線の表面（露出面）の一部又は全部を被覆していてよい。

配線の表面に形成される金属被膜は、配線からみて、
ａ）ニッケル含有層及びパラジウム含有層
ｂ）ニッケル含有層及び金含有層
ｃ）ニッケル含有層、パラジウム含有層及び金含有層
ｄ）パラジウム含有層
ｅ）パラジウム含有層及び金含有層
ｆ）銅層
ｇ）ニッケル含有層
のいずれかであってよい。

無電解めっきにより配線の表面に形成される金属被膜は、
ａ’）無電解ニッケルめっき被膜及び無電解パラジウムめっき被膜
ｂ’）無電解ニッケルめっき被膜及び無電解金めっき被膜
ｃ’）無電解ニッケルめっき被膜、無電解パラジウムめっき被膜及び無電解金めっき被膜
ｄ’）無電解パラジウムめっき被膜
ｅ’）無電解パラジウムめっき被膜及び無電解金めっき被膜
ｆ’）無電解銅めっき層
ｇ’）無電解ニッケルめっき被膜
のいずれかであってよい。

図５は、図４（ｂ）に示す電子部品９のポリマー成形体１上に電子素子１０が搭載された状態を示す斜視図である。実施形態の製造方法は、電子素子１０をポリマー成形体１上に搭載する工程（マウント工程）を更に備えていてよく、これにより、図５に示す電子部品１１（電子素子を備える電子部品）を得てよい。マウント工程は、第２の工程後乾燥工程の前に実施してよく、乾燥工程後第３の工程前に実施してもよく、第３の工程後に実施してもよい。

マウント工程では、電子素子１０の電極が第１の配線７上及び第２の配線８上に位置するように、電子素子１０をポリマー成形体１上に配置してよい。すなわち、マウント工程後、第１の配線７及び第２の配線８は、電子素子１０を介して電気的に接続されてよい。電子素子１０の電極は、はんだを介して第１の配線７及び第２の配線８と接合されてよく、直接第１の配線７及び第２の配線８と接合されてもよい。例えば、第２の工程後、電子素子１０の電極が第１の銅ペースト層５及び第２の銅ペースト層６上に位置するように電子素子１０をポリマー成形体１上に配置した後、第３の工程を実施することにより、第１の配線７及び第２の配線８と電子素子１０の電極とを直接接合し、図５に示す電子部品１１を得てよい。

第２の工程後第３の工程前にマウント工程を行う場合、銅粒子を焼結させる際に銅ペースト層に加える圧力は、配線における銅の含有量（堆積割合）が、配線の全体積を基準として６５体積％以上となる条件とすることができる。銅ペースト層上に配置した電子素子による自重のみ、又は電子素子の自重に加え、０．０１ＭＰａ以下、好ましくは０．００５ＭＰａ以下の圧力を受けた状態で銅粒子を焼結させる（例えば銅ペースト層を焼成する）ことにより、充分な接合強度を得ることができる。焼結時に銅ペースト層が受ける圧力が上記範囲内であれば、特別な加圧装置が不要なため歩留まりを損なうこと無く、ボイドの低減、接合強度及び導通信頼性をより一層向上させることができる。銅ペースト層に０．０１ＭＰａ以下の圧力を加える方法としては、例えば、最も上に位置する電子素子上に重りを載せる方法等が挙げられる。

電子素子１０としては、ダイオード、整流器、サイリスタ、ＭＯＳゲートドライバ、パワースイッチ、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ショットキーダイオード、ファーストリカバリダイオード等からなるパワーモジュール、発信機、増幅器、ＬＥＤモジュール、チップコンデンサ等が挙げられる。

電子素子に形成される、金属からなる電極は、銅、ニッケル、パラジウム、金、白金、銀及びスズからなる群より選択される少なくとも一種の金属を含有する単層若しくは複層の金属含有層を更に含むことができる。これらの中で、銅、ニッケル又はパラジウムが好ましく、銅粒子の焼結体からなる配線と直接接合された後に、高温放置によっても金属間化合物が形成されずに、接合信頼性の高い電子部品が得られる。

電子部品に形成される、金属からなる電極は、スパッタ、電解めっき又は無電解めっきにより形成することができる。金属含有層が複層である場合、スパッタ、電解めっき又は電解めっきを併用してもよい。この場合、銅粒子の焼結体からなる配線の表面（露出面）の一部又は全部を被覆することができる。

スパッタによる金属含有層の形成方法、電解めっき及び無電解めっきによる金属含有層の形成方法は、公知の方法を用いることができ、特に限定されない。

電子部品に形成される、金属からなる電極は、電子素子の中心部からみて、
ａ）ニッケル含有層及びパラジウム含有層
ｂ）ニッケル含有層及び金含有層
ｃ）ニッケル含有層、パラジウム含有層及び金含有層
ｄ）パラジウム含有層
ｅ）パラジウム含有層及び金含有層
ｆ）銅層
ｇ）ニッケル含有層
のいずれかであってもよい。

電子部品に形成される、金属からなる電極は、無電解めっきにより形成する場合、
ａ’）無電解ニッケルめっき被膜及び無電解パラジウムめっき被膜
ｂ’）無電解ニッケルめっき被膜及び無電解金めっき被膜
ｃ’）無電解ニッケルめっき被膜、無電解パラジウムめっき被膜及び無電解金めっき被膜
ｄ’）無電解パラジウムめっき被膜
ｅ’）無電解パラジウムめっき被膜及び無電解金めっき被膜
ｆ’）無電解銅めっき層
ｇ’）無電解ニッケルめっき被膜
のいずれかであってもよい。

電子素子１０をポリマー成形体１上に配置する方法としては、例えば、チップマウンター、フリップチップボンダー、カーボン製又はセラミックス製の位置決め冶具等を用いる方法が挙げられる。

以上の工程により得られる電子部品９及び電子部品１１は、表面に溝部を有するポリマー成形体１と、溝部に設けられた、銅粒子の焼結体からなる配線（銅配線、第１の配線７及び第２の配線８）と、を少なくとも備える。

図６（ａ）は、図４（ｂ）のＡ－Ａ線に沿った模式断面図であり、図６（ｂ）は、図４（ｂ）のＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。以下では、第１の配線７を参照して銅粒子の焼結体からなる配線（銅配線）の形状について説明するが、他の配線（例えば第２の配線８）は同様の形状であってよい。

図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、配線７は、ポリマー成形体１の溝部２内に形成されており、配線７の厚さＤ（溝部２の深さ方向における配線７の高さ）は溝部２の深さと等しい。ただし、配線７の形状はこれに限定されるものではない。例えば、図７（ａ）に示すように、配線７の厚さＤは溝部２の深さよりも小さくてよい。また、図７（ｂ）に示すように、配線７の厚さＤは溝部２の深さよりも大きくてよい。換言すれば、配線７は、ポリマー成形体１の表面からわずかに盛り上がるように形成されていてもよい。この場合、配線７は、ポリマー成形体１の表面のうち、溝部２以外の箇所にも形成されていてよい。また、図７（ｃ）に示すように、配線７の幅方向の中央と、溝部２の幅方向の中央とは一致しなくてもよい。

配線７の厚さＤは、電気抵抗値を下げる観点から、０．５μｍ以上が好ましく、１．０μｍ以上がより好ましく、２．０μｍ以上が更に好ましい。配線７の厚さＤは、１０００μｍ以下であってよい。

配線７の幅Ｗは、電気抵抗値を下げる観点から、１０μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がより好ましく、３０μｍ以上が更に好ましい。配線７の幅Ｗは、５０μｍ以下であってよい。

銅粒子の焼結体からなる配線（第１の配線７及び第２の配線８）における銅の含有量（体積割合）は、配線の全体積を基準として、６５体積％以上が好ましく、７０体積％以上がより好ましく、８０体積％以上が更に好ましい。配線における銅の含有量を上記範囲とすることで、良好な導通信頼性が得られる。銅の含有量（体積割合）は、適度な空隙を有することで、温度変化により寸法変化が起こった場合であっても、配線の破損（クラック、断線等）が起こり難く、より導通信頼性に優れる観点から、配線の全体積を基準として、好ましくは９５体積％以下である。

配線を構成する材料の組成が分かっている場合、例えば、以下の手順で配線における銅の含有量を求めることができる。まず、配線を直方体状に切り出し測定用サンプルとする。サンプルの縦及び横の長さをノギス又は外形形状測定装置で測定し、厚さを膜厚計で測定する。これによりサンプルの体積を計算する。サンプルの体積と、精密天秤で測定したサンプルの重量とから見かけの密度Ｍ_１（ｇ／ｃｍ^３）を求める。求めたＭ_１と、銅の密度８．９６ｇ／ｃｍ^３とを用いて、下記式（Ａ）から配線における銅の含有量（体積％）が求められる。
配線における銅の含有量（体積％）＝［（Ｍ_１）／８．９６］×１００・・・（Ａ）

配線を構成する元素のうち軽元素を除いた元素中の銅元素の割合は、９５質量％以上であってよく、９７質量％以上であってもよく、９８質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。配線における銅元素の上記割合が、上記範囲内であれば、金属間化合物の形成又は金属銅結晶粒界への異種元素の析出を抑制でき、配線を構成する金属銅の性質が強固になりやすく、より一層優れた導通信頼性が得られやすい。配線における軽元素を除いた元素中の銅元素の割合が１００質量％である場合、上記銅の体積割合は緻密度（％）とみなすことができる。

図８は、銅粒子の焼結体からなる配線の典型的なモルフォロジーの一例を示す模式断面図である。図８に示す構造１２は、接合界面（例えば、ポリマー成形体と配線との接合面）に対して略平行に配向したフレーク状の銅粒子に由来する構造である。配線が上記構造１２を有する場合、接合界面方向と略平行にフレーク状の銅粒子を配向させることで、配線の割れを抑制することができる。さらに、理由は定かではないが、配線とポリマー成形体との密着性（接着性）を向上させることができる。

図８に示す構造１２を有する配線は、フレーク状の銅粒子に由来する焼結銅１３の他に、空孔１４と、フレーク状の銅粒子同士を接合する銅粒子（例えば球状の銅粒子）に由来する焼結銅１５と、を更に含んでいてよい。上記構造１２を有する配線は、例えば、フレーク状の銅粒子と、場合によりフレーク状の銅粒子同士を接合する銅粒子（例えば球状の銅粒子）と、を含む銅ペーストを焼結することより形成することができる。

ここで、フレーク状とは板状、鱗片状等の平板状の形状を包含する。上記構造に含まれるフレーク状の銅粒子に由来する焼結銅１３において、長径（最大径）と厚さとの比（長径／厚さ、アスペクト比）は５以上であってよい。長径の数平均径は２．０μｍ以上であってよく、３．０μｍ以上であってもよく、４．０μｍ以上であってもよい。フレーク状の銅粒子に由来する焼結銅１３がこのような形状である場合、配線に含まれる上記構造１２による補強効果が向上し、配線とポリマー成形体との接着性（接合強度）及び配線の導通信頼性により一層優れるものとなる。

フレーク状の銅粒子に由来する焼結銅１３の長径及び厚さは、例えば、配線の断面のＳＥＭ像から求めることができる。以下に、フレーク状の銅粒子に由来する焼結銅の長径と厚さをＳＥＭ像から測定する方法を例示する。まず、配線を直方体状に切り出し測定用サンプルとする。サンプルを注形用のカップに配置し、カップ内にエポキシ注形樹脂をサンプル全体が埋まるように注ぎ、硬化させる。注形したサンプルの観察したい断面付近で切断し、研磨で断面を削り、ＣＰ（クロスセクションポリッシャ）加工を行う。サンプルの断面をＳＥＭ装置により５０００倍で観察する。配線の断面画像（例えば５０００倍）を取得し、稠密な連続部であり、直線状、直方体状、楕円体状の部分で、この部分の内に内包される直線の中で最大の長さのものを長径、それと直交してこの部分に内包される直線の中で最大の長さのものを厚さとしたときに、長径の長さが１．０μｍ以上で且つ長径／厚さの比が４以上であるものをフレーク状の銅粒子に由来する焼結銅とみなし、測長機能のある画像処理ソフトによりフレーク状の銅粒子に由来する焼結銅の長径と厚さを測長する。それらの平均値については、無作為に選んだ２０点以上で数平均を計算することで得られる。

次に、本実施形態の電子部品の製造方法に用いる銅ペーストの詳細について説明する。

一態様において、銅ペーストは、銅粒子として、フレーク状の銅粒子を含む。この場合、フレーク状の銅粒子が銅ペーストの塗布面に対して略平行に配向することで、銅ペースト中の銅粒子を焼結させたときの体積収縮が抑制され、得られる配線とポリマー成形体との密着性（接着性）が向上しやすくなる。また、得られる配線の熱ストレスによる断線がより抑制される。

フレーク状の銅粒子の粒径（最大径）は、例えば、１．０μｍ以上である。すなわち、銅ペーストは、粒径が１．０μｍ以上であるフレーク状の銅粒子を含んでいてよい。フレーク状の銅粒子の粒径が１．０μｍ以上であると、得られる配線とポリマー成形体との密着性（接着性）がより向上しやすくなる。また、得られる配線の熱ストレスによる断線がより抑制されやすくなる。このような観点から、フレーク状の銅粒子の粒径は、３．０μｍ以上であってもよい。フレーク状の銅粒子の粒径は、２０μｍ以下であってよく、１０μｍ以下であってもよい。

フレーク状の銅粒子は、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下である銅粒子を５０質量％以上含むことができる。配線内での配向性、補強効果、銅ペーストの充填性等の観点から、フレーク状の銅粒子は、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下である銅粒子を７０質量％以上含んでいてもよく、８０質量％以上含んでいてもよく、１００質量％含んでいてもよい。得られる配線とポリマー成形体との密着性（接着性）を更に向上させる観点及び得られる配線の熱ストレスによる断線をより抑制する観点から、フレーク状の銅粒子は、粒径が２０μｍを超える粒子等の配線の厚さを超えるサイズの粒子を含まないことが好ましい。

銅ペーストに含まれるフレーク状の銅粒子の平均粒径（平均最大径）は、１．０μｍ以上であってよく、２０μｍ以下であってよい。フレーク状の銅粒子の平均粒径は、得られる配線とポリマー成形体との密着性（接着性）を更に向上させる観点及び得られる配線の熱ストレスによる断線をより抑制する観点から、１．０μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、３．０μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

フレーク状の銅粒子の粒径及び平均粒径は、例えば、粒子のＳＥＭ像から求めることができる。フレーク状の銅粒子の粒径（最大径）をＳＥＭ像から算出する方法を例示する。フレーク状の銅粒子の粉末を、ＳＥＭ用のカーボンテープ上にスパチュラで載せ、ＳＥＭ用サンプルとする。このＳＥＭ用サンプルをＳＥＭ装置により５０００倍で観察する。ＳＥＭ像のフレーク状の銅粒子に外接する長方形を画像処理ソフトにより作図し、長方形の長辺をその粒子の粒径（最大径）とする。複数のＳＥＭ像を用いて、この測定を５０個以上のフレーク状の銅粒子に対して行い、粒径の平均値（平均最大径）を算出する。

銅ペーストに含まれるフレーク状の銅粒子の体積平均粒径は、１．０μｍ以上、１．３μｍ以上又は３．０μｍ以上であってよく、５０μｍ以下、２０μｍ以下又は１０μｍ以下であってよい。なお、本明細書において体積平均粒径とは、５０％体積平均粒径を意味する。銅粒子の体積平均粒径を求める場合、原料となる銅粒子、又は銅ペーストから揮発成分を除去した乾燥銅粒子を、分散剤を用いて分散媒に分散させたものを光散乱法粒度分布測定装置（例えば、島津ナノ粒子径分布測定装置（ＳＡＬＤ－７５００ｎａｎｏ、株式会社島津製作所製））で測定する方法等により求めることができる。光散乱法粒度分布測定装置を用いる場合、分散媒としては、ヘキサン、トルエン、α－テルピネオール等を用いることができる。

フレーク状の銅粒子の体積平均粒径は、銅ペーストが配置される溝部の幅に応じて変更してよい。フレーク状の銅粒子の体積平均粒径に対する溝部の幅の比（溝部の幅／フレーク状の銅粒子の体積平均粒径）は、得られる配線の熱ストレスによる断線をより抑制することができ、より優れた導通信頼性が得られる観点から、好ましくは１０～１００である。同様の観点から、上記比は、２０以上、３０以上又は４０以上であってもよく、９５以下、８５以下又は７５以下であってもよい。

フレーク状の銅粒子のアスペクト比は４以上であってよく、６以上であってもよい。アスペクト比が上記範囲内であれば、銅ペースト内のフレーク状の銅粒子が、銅ペーストの塗布面に対して平行に配向しやすくなり、銅ペースト中の銅粒子を焼結させたときの体積収縮を抑制できる。そのため得られる配線とポリマー成形体との密着性（接着性）がより向上しやすくなる。また、得られる配線の熱ストレスによる断線がより抑制されやすくなる。銅ペースト中の銅粒子のアスペクト比（長径／厚さ）は、例えば、粒子のＳＥＭ像を観察し、長径及び厚さを測定することにより求めることができる。

銅ペーストは、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が４以上であるフレーク状の銅粒子を含むことが好ましい。このような銅粒子を含む銅ペーストは、例えば、平均粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が４以上であるフレーク状の銅粒子を用いて得ることができる。フレーク状の銅粒子の平均粒径及びアスペクト比が上記範囲内であれば、銅ペースト中の銅粒子を焼結させた際の体積収縮を充分に低減でき、得られる配線とポリマー成形体との密着性（接着性）がより向上しやすくなる。また、得られる配線の熱ストレスによる断線がより抑制されやすくなる。

銅ペーストは、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が２未満である銅粒子を含んでいてもよいが、銅ペーストにおける、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が２未満である銅粒子の含有量は、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が４以上であるフレーク状の銅粒子１００質量部に対して、５０質量部以下とすることが好ましく、３０質量部以下とすることがより好ましい。平均粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が２未満である銅粒子の含有量を制限することにより、銅ペースト内のフレーク状の銅粒子が、銅ペーストの塗布面に対して略平行に配向しやすくなり、銅ペースト中の銅粒子を焼結させたときの体積収縮をより有効に抑制することができる。これにより、得られる配線とポリマー成形体との密着性（接着性）がより向上しやすくなる。また、得られる配線の熱ストレスによる断線がより抑制されやすくなる。このような効果が更に得られやすくなる点で、平均粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が２未満である銅粒子の含有量は、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が４以上であるフレーク状の銅粒子１００質量部に対して、２０質量部以下であってもよく、１０質量部以下であってもよく、０質量部であってもよい。

銅ペースト中のフレーク状の銅粒子の含有量（例えば、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であるフレーク状の銅粒子の含有量）は、銅ペーストに含まれる金属粒子の全質量を基準として、１質量％以上９０質量％以下であってよく、１０質量％以上７０質量％以下であってもよく、２０質量％以上５０質量％以下であってもよい。フレーク状の銅粒子の含有量が、上記範囲内であれば、導通信頼性に優れる配線の形成が容易となる。

フレーク状の銅粒子は、分散安定性及び耐酸化性の観点から、表面処理剤で処理されていてよい。表面処理剤は、配線形成時（銅粒子の焼結時）に除去されるものであってよい。このような表面処理剤としては、例えば、パルミチン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、オレイン酸等の脂肪族カルボン酸；テレフタル酸、ピロメリット酸、ｏ－フェノキシ安息香酸等の芳香族カルボン酸；セチルアルコール、ステアリルアルコール、イソボルニルシクロヘキサノール、テトラエチレングリコール等の脂肪族アルコール；ｐ－フェニルフェノール等の芳香族アルコール；オクチルアミン、ドデシルアミン、ステアリルアミン等のアルキルアミン；ステアロニトリル、デカンニトリル等の脂肪族ニトリル；アルキルアルコキシシラン等のシランカップリング剤；ポリエチレングリコール、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、シリコーンオリゴマー等の高分子処理剤などが挙げられる。表面処理剤は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。

表面処理剤の処理量は、粒子表面に一分子層以上の量であってもよい。このような表面処理剤の処理量は、フレーク状の銅粒子の比表面積、表面処理剤の分子量、及び表面処理剤の最小被覆面積により変化する。表面処理剤の処理量は、通常０．００１質量％以上である。

表面処理剤の処理量は、フレーク状の銅粒子の表面に付着した分子層数（ｎ）と、フレーク状の銅粒子の比表面積（Ａ_ｐ）（単位ｍ^２／ｇ）と、表面処理剤の分子量（Ｍ_ｓ）（単位ｇ／ｍｏｌ）と、表面処理剤の最小被覆面積（Ｓ_Ｓ）（単位ｍ^２／個）と、アボガドロ数（Ｎ_Ａ）（６．０２×１０^２３個）から算出できる。具体的には、表面処理剤の処理量は、表面処理剤の処理量（質量％）＝｛（ｎ・Ａ_ｐ・Ｍ_ｓ）／（Ｓ_Ｓ・Ｎ_Ａ＋ｎ・Ａ_ｐ・Ｍ_ｓ）｝×１００％の式に従って算出される。

フレーク状の銅粒子の比表面積は、乾燥させた銅粒子をＢＥＴ比表面積測定法で測定することで算出できる。表面処理剤の最小被覆面積は、表面処理剤が直鎖飽和脂肪酸の場合、２．０５×１０^－１９ｍ^２／１分子である。それ以外の表面処理剤の場合には、例えば、分子モデルからの計算、又は「化学と教育」（上江田捷博、稲福純夫、森巌、４０（２）、１９９２、ｐ１１４－１１７）に記載の方法で測定できる。表面処理剤の定量方法の一例を示す。表面処理剤は、銅ペーストから分散媒を除去した乾燥粉の熱脱離ガス・ガスクロマトグラフ質量分析計により同定でき、これにより表面処理剤の炭素数及び分子量を決定できる。表面処理剤の炭素分割合は、炭素分分析により分析できる。炭素分分析法としては、例えば、高周波誘導加熱炉燃焼／赤外線吸収法が挙げられる。同定された表面処理剤の炭素数、分子量及び炭素分割合から上記式により表面処理剤量を算出できる。

フレーク状の銅粒子としては、市販されているものを用いることができる。市販されているフレーク状の銅粒子としては、例えば、ＭＡ－Ｃ０２５（三井金属鉱業株式会社製、平均粒径４．１μｍ）、３Ｌ３（福田金属箔粉工業株式会社製、平均粒径７．３μｍ）、１１１０Ｆ（三井金属鉱業株式会社製、平均粒径５．８μｍ）、２Ｌ３（福田金属箔粉工業株式会社製、平均粒径９μｍ）が挙げられる。

銅ペーストの製造時には、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が４以上であるフレーク状の銅粒子を含み、且つ、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が２未満である銅粒子の含有量が、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下であり、アスペクト比が４以上であるフレーク状の銅粒子１００質量部に対して、５０質量部以下、好ましくは３０質量部以下である銅粒子を用いることができる。このような銅粒子からなる市販品を選定して用いてよい。

一態様において、銅ペーストは、粒径（最大径）が１．０μｍ以上である第１の銅粒子と、粒径（最大径）が０．８μｍ以下である第２の銅粒子と、の組み合わせを含む。この場合、銅粒子が焼結される際に、第１の銅粒子同士の間に第２の銅粒子が介在することで、得られる配線の導通性が向上する傾向がある。特に第１の銅粒子としてフレーク状の銅粒子を用いる場合に、第１の銅粒子と第２の銅粒子とを併用することが好ましい。すなわち、第２の銅粒子のみから銅ペーストを調製する場合、分散媒の乾燥に伴う体積収縮及び焼結収縮が大きいため、銅粒子を焼結させる際に被着面から焼結体（配線）が剥離しやすくなり、充分な導通信頼性が得られにくいが、フレーク状の第１の銅粒子と第２の銅粒子とを併用することで、銅ペーストを焼結させたときの体積収縮が抑制され、得られる配線と被着体であるポリマー成形体との密着性（接着性）が向上する。その結果、配線の熱ストレスによる断線がより起こり難くなる。

第１の銅粒子の粒径は、３．０μｍ以上であってもよい。第１の銅粒子の粒径は、２０μｍ以下又は１０μｍ以下であってよい。第１の銅粒子の平均粒径は、１．０μｍ以上又は３．０μｍ以上であってよく、２０μｍ以下又は１０μｍ以下であってよい。第１の銅粒子の体積平均粒径は、１．０μｍ以上、１．３μｍ以上又は３．０μｍ以上であってよく、５０μｍ以下、２０μｍ以下又は１０μｍ以下であってよい。

フレーク状の第１の銅粒子の体積平均粒径に対する溝部の幅の比（溝部の幅／フレーク状の第１の銅粒子の体積平均粒径）は、得られる配線の熱ストレスによる断線をより抑制することができ、より優れた導通信頼性が得られる観点から、好ましくは１０～１００である。同様の観点から、上記比は、２０以上、３０以上又は４０以上であってもよく、９５以下、８５以下又は７５以下であってもよい。

銅ペースト中の第１の銅粒子の含有量（例えば、粒径が１．０μｍ以上２０μｍ以下である銅粒子の含有量）は、銅ペーストに含まれる金属粒子の全質量を基準として、１質量％以上９０質量％以下であってよく、１０質量％以上７０質量％以下であってもよく、２０質量％以上５０質量％以下であってもよい。第１の銅粒子の含有量が、上記範囲内であれば、導通信頼性に優れる配線の形成が容易となる。

第１の銅粒子の形状はフレーク状であることが好ましいが、フレーク状以外の形状（非フレーク状）の銅粒子を含んでいてもよい。銅粒子が非フレーク状である場合も、銅粒子の粒径（最大径）及び平均粒径（平均最大径）は、上述したフレーク状の銅粒子の粒径（最大径）の測定方法と同様にして測定することができる。すなわち、ＳＥＭ像の銅粒子に外接する四角形を画像処理ソフトにより作図し、その一辺（非球状である場合には長辺）をその粒子の粒径（最大径）とする。この測定を５０個以上の銅粒子に対して行い、平均値を算出することで銅粒子の平均粒径（平均最大径）が得られる。

第１の銅粒子は、上述した表面処理剤（フレーク状の銅粒子の表面処理剤）で処理されていてよい。表面処理剤の処理量は、フレーク状の銅粒子について上述した範囲であってよい。

第２の銅粒子は、主に、第１の銅粒子（例えばフレーク状の第１の銅粒子）を接合する銅粒子として作用する。また、第２の銅粒子は、第１の銅粒子（例えばフレーク状の第１の銅粒子）よりも焼結性に優れ、銅粒子の焼結を促進する機能を有する。例えば、第１の銅粒子（例えばフレーク状の第１の銅粒子）を単独で使用した場合と比較して、より低温で、銅粒子を焼結させることが可能になる。

第２の銅粒子の粒径は、０．５μｍ以下、０．４μｍ以下又は０．３μｍ以下であってもよい。第２の銅粒子の粒径は、０．００５μｍ以上、０．０１μｍ以上、０．０５μｍ以上、０．１μｍ以上又は０．２μｍ以上であってよい。第２の銅粒子の平均粒径は、０．００５μｍ以上、０．０１μｍ以上、０．０５μｍ以上、０．１μｍ以上又は０．２μｍ以上であってよく、０．８μｍ以下、０．５μｍ以下、０．４μｍ以下又は０．３μｍ以下であってよい。

第２の銅粒子の体積平均粒径は、０．００５μｍ以上であってよく、０．８μｍ以下であってよい。第２の銅粒子の体積平均粒径が０．００５μｍ以上であれば、第２の銅粒子の合成コストの抑制、良好な分散性、表面処理剤の使用量の抑制といった効果が得られやすくなる。第２の銅粒子の体積平均粒径が０．８μｍ以下であれば、第２の銅粒子の焼結性に優れるという効果が得られやすくなる。より一層上記効果を奏する観点から、第２の銅粒子の体積平均粒径は、０．０１μｍ以上、０．０５μｍ以上、０．１μｍ以上又は０．２μｍ以上であってよく、０．５μｍ以下、０．４μｍ以下又は０．３μｍ以下であってよい。

第２の銅粒子は、粒径が０．００５μｍ以上０．８μｍ以下の銅粒子を１０質量％以上含んでいてよい。銅ペーストの焼結性の観点から、第２の銅粒子は、粒径が０．００５μｍ以上０．８μｍ以下の銅粒子を２０質量％以上含んでいてよく、３０質量％以上含んでいてよく、１００質量％含んでいてよい。第２の銅粒子における粒径が０．００５μｍ以上０．８μｍ以下の銅粒子の含有割合が２０質量％以上であると、銅粒子の分散性がより向上し、粘度の上昇、ペースト濃度の低下をより抑制することができる。

銅ペースト中の第２の銅粒子の含有量（例えば、０．００５μｍ以上０．８μｍ以下の銅粒子の含有量）は、銅ペーストに含まれる金属粒子の全質量を基準として、２０質量％以上９０質量％以下であってもよく、３０質量％以上９０質量％以下であってもよく、３５質量％以上８５質量％以下であってもよく、４０質量％以上８０質量％以下であってもよい。第２の銅粒子の含有量が上記範囲内であれば、得られる配線とポリマー成形体との密着性（接着性）がより向上しやすくなるともに、得られる配線の熱ストレスによる断線がより起こり難くなる。

銅ペースト中の第２銅粒子の含有量は、第２の銅粒子の質量及び第１の銅粒子（例えばフレーク状の第１の銅粒子）の質量の合計を基準として、２０質量％以上９０質量％以下であってよい。第２の銅粒子の上記含有量が２０質量％以上であれば、第１の銅粒子（例えばフレーク状の第１の銅粒子）の間を充分に充填することができ、初期導通性により優れるとともに、得られる配線の熱ストレスによる断線がより起こり難くなる。第２の銅粒子の上記含有量が９０質量％以下であれば、銅粒子を焼結させた時の体積収縮を充分に抑制できるため、得られる配線とポリマー成形体との密着性（接着性）がより向上しやすくなる。また、得られる配線の熱ストレスによる断線がより抑制されやすくなる。より一層上記効果を奏するという観点から、第２の銅粒子の含有量は、第２の銅粒子の質量及び第１の銅粒子（例えばフレーク状の第１の銅粒子）の質量の合計を基準として、３０質量％以上８５質量％以下であってもよく、３５質量％以上８５質量％以下であってもよく、４０質量％以上８０質量％以下であってもよい。

第２の銅粒子の形状は、例えば、球状、塊状、針状、フレーク状、略球状等であってよい。第２の銅粒子は、これらの形状を有する銅粒子の凝集体であってもよい。分散性及び充填性の観点から、第２の銅粒子の形状は、球状、略球状、フレーク状であってよく、燃焼性、及びフレーク状の第１の銅粒子との混合性等の観点から、球状又は略球状であってよい。

第２の銅粒子のアスペクト比は、分散性、充填性、及びフレーク状の第１の銅粒子との混合性の観点から、５以下であってよく、３以下であってもよい。

第２の銅粒子は、特定の表面処理剤で処理されていてもよい。特定の表面処理剤としては、例えば、炭素数８～１６の有機酸が挙げられる。炭素数８～１６の有機酸としては、例えば、カプリル酸、メチルヘプタン酸、エチルヘキサン酸、プロピルペンタン酸、ペラルゴン酸、メチルオクタン酸、エチルヘプタン酸、プロピルヘキサン酸、カプリン酸、メチルノナン酸、エチルオクタン酸、プロピルヘプタン酸、ブチルヘキサン酸、ウンデカン酸、メチルデカン酸、エチルノナン酸、プロピルオクタン酸、ブチルヘプタン酸、ラウリン酸、メチルウンデカン酸、エチルデカン酸、プロピルノナン酸、ブチルオクタン酸、ペンチルヘプタン酸、トリデカン酸、メチルドデカン酸、エチルウンデカン酸、プロピルデカン酸、ブチルノナン酸、ペンチルオクタン酸、ミリスチン酸、メチルトリデカン酸、エチルドデカン酸、プロピルウンデカン酸、ブチルデカン酸、ペンチルノナン酸、ヘキシルオクタン酸、ペンタデカン酸、メチルテトラデカン酸、エチルトリデカン酸、プロピルドデカン酸、ブチルウンデカン酸、ペンチルデカン酸、ヘキシルノナン酸、パルミチン酸、メチルペンタデカン酸、エチルテトラデカン酸、プロピルトリデカン酸、ブチルドデカン酸、ペンチルウンデカン酸、ヘキシルデカン酸、ヘプチルノナン酸、メチルシクロヘキサンカルボン酸、エチルシクロヘキサンカルボン酸、プロピルシクロヘキサンカルボン酸、ブチルシクロヘキサンカルボン酸、ペンチルシクロヘキサンカルボン酸、ヘキシルシクロヘキサンカルボン酸、ヘプチルシクロヘキサンカルボン酸、オクチルシクロヘキサンカルボン酸、ノニルシクロヘキサンカルボン酸等の飽和脂肪酸；オクテン酸、ノネン酸、メチルノネン酸、デセン酸、ウンデセン酸、ドデセン酸、トリデセン酸、テトラデセン酸、ミリストレイン酸、ペンタデセン酸、ヘキサデセン酸、パルミトレイン酸、サビエン酸等の不飽和脂肪酸；テレフタル酸、ピロメリット酸、ｏ－フェノキシ安息香酸、メチル安息香酸、エチル安息香酸、プロピル安息香酸、ブチル安息香酸、ペンチル安息香酸、ヘキシル安息香酸、ヘプチル安息香酸、オクチル安息香酸、ノニル安息香酸等の芳香族カルボン酸が挙げられる。有機酸は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。このような有機酸と上記第２の銅粒子とを組み合わせることで、第２の銅粒子の分散性と焼結時における有機酸の脱離性を両立できる傾向にある。

表面処理剤の処理量は、第２の銅粒子の表面に一分子層～三分子層付着する量であってもよい。表面処理剤の処理量は、０．０７質量％以上２．１質量％以下であってもよく、０．１０質量％以上１．６質量％以下であってもよく、０．２質量％以上１．１質量％以下であってもよい。第２の銅粒子の表面処理量は、フレーク状の銅粒子について上述した方法により算出することができる。比表面積、表面処理剤の分子量、及び表面処理剤の最小被覆面積についても同様である。

第２の銅粒子としては、市販されているものを用いることができる。市販されている第２の銅粒子としては、例えば、ＣＨ－０２００（三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径０．３６μｍ）、ＨＴ－１４（三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径０．４１μｍ）、ＣＴ－５００（三井金属鉱業株式会社製、体積平均粒径０．７２μｍ）、Ｔｎ－Ｃｕ１００（太陽日酸株式会社製、体積平均粒径０．１２μｍ）が挙げられる。

銅ペースト中の第１の銅粒子の含有量及び第２の銅粒子の含有量の合計は、銅ペーストに含まれる金属粒子の全質量を基準として、８０質量％以上であってよい。第１の銅粒子の含有量及び第２の銅粒子の含有量の合計が上記範囲内であれば、得られる配線の熱ストレスによる断線がより起こり難くなる。より一層上記効果を奏するという観点から、第１の銅粒子の含有量及び第２の銅粒子の含有量の合計は、金属粒子の全質量を基準として、９０質量％以上であってもよく、９５質量％以上であってもよく、１００質量％であってもよい。

銅ペーストは、銅粒子以外のその他の金属粒子を更に含んでいてもよい。その他の金属粒子としては、例えば、ニッケル、銀、金、パラジウム、白金等の粒子が挙げられる。その他の金属粒子の体積平均粒径は、０．０１μｍ以上１０μｍ以下であってよく、０．０１．０μｍ以上５．０μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以上３．０μｍ以下であってもよい。その他の金属粒子を含んでいる場合、その含有量は、充分な接合性を得る観点から、銅ペーストに含まれる金属粒子の全質量を基準として、２０質量％未満であってよく、１０質量％以下であってもよい。その他の金属粒子は、含まれなくてもよい。その他の金属粒子の形状は、特に限定されるものではない。

銅粒子以外の金属粒子を含むことで、複数種の金属が固溶又は分散した配線を得ることができるため、配線の降伏応力、疲労強度等の機械的な特性が改善され、導通信頼性が向上しやすい。また、複数種の金属粒子を添加することで、形成される配線の、特定の被着体（例えばＬＣＰ）に対する接合強度が向上しやすく、導通信頼性が向上しやすい。

銅ペーストに含まれる分散媒は特に限定されるものではなく、例えば、揮発性のものであってよい。揮発性の分散媒としては、例えば、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、デカノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、α－テルピネオール、イソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ）等の一価及び多価アルコール類；エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールイソブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類；エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＤＰＭＡ）、乳酸エチル、乳酸ブチル、γ－ブチロラクトン、炭酸プロピレン等のエステル類；Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド等の酸アミド；シクロヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン等の脂肪族炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素；炭素数１～１８のアルキル基を有するメルカプタン類；炭素数５～７のシクロアルキル基を有するメルカプタン類が挙げられる。炭素数１～１８のアルキル基を有するメルカプタン類としては、例えば、エチルメルカプタン、ｎ－プロピルメルカプタン、ｉ－プロピルメルカプタン、ｎ－ブチルメルカプタン、ｉ－ブチルメルカプタン、ｔ－ブチルメルカプタン、ペンチルメルカプタン、ヘキシルメルカプタン及びドデシルメルカプタンが挙げられる。炭素数５～７のシクロアルキル基を有するメルカプタン類としては、例えば、シクロペンチルメルカプタン、シクロヘキシルメルカプタン及びシクロヘプチルメルカプタンが挙げられる。

分散媒の含有量は、銅ペーストに含まれる金属粒子の全質量を１００質量部として、５～５０質量部であってもよい。分散媒の含有量が上記範囲内であれば、銅ペーストをより適切な粘度に調整でき、また、銅粒子の焼結を阻害しにくい。

銅ペーストには、必要に応じて、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤等の濡れ向上剤；シリコーン油等の消泡剤；無機イオン交換体等のイオントラップ剤等を適宜添加してもよい。

上述した銅ペーストは、銅粒子及び任意の成分（添加剤、その他の金属粒子等）を分散媒に混合して調製することができる。各成分の混合後に、撹拌処理を行ってもよい。分級操作により分散液の最大径を調整してもよい。

銅ペーストは、第２の銅粒子、表面処理剤、分散媒をあらかじめ混合して、分散処理を行って第２の銅粒子の分散液を調製し、更に第１の銅粒子、その他の金属粒子及び任意の添加剤を混合して調製してもよい。このような手順とすることで、第２の銅粒子の分散性が向上して第１の銅粒子との混合性が良くなり、銅ペーストの性能がより向上する。第２の銅粒子の分散液を分級操作に供することによって凝集物を除去してもよい。

以上、一実施形態の電子部品及びその製造方法について説明したが、本発明の電子部品の製造方法は、上記実施形態に限定されない。以下、図９～図１３を用いて、電子部品及びその製造方法の他の実施形態について説明する。図９～図１３は、他の実施形態の電子部品の模式断面図である。

図９に示す電子部品１６は、ポリマー成形体１に設けられた金属回路１７を更に備える。金属回路１７は、例えば、ポリマー成形体の内部に形成されている。

金属回路１７は、例えば、ＳＵＳ、アルミ、銅等の導電性の金属材料で構成されている。金属回路を構成する材料としては、配線との接合信頼性がよく、高温放置後、各種信頼性試験後等に良好な接続信頼性が得られる観点から、銅が好ましい。

電子部品１６におけるポリマー成形体１には、第１の溝部２から金属回路１７まで貫通する貫通孔１８が設けられている。また、ポリマー成形体１の第２の溝部３を画成する内壁面には、金属回路１７と接する開口１９が設けられている。

貫通孔１８には、第１の配線７が設けられており、貫通孔１８に設けられた第１の配線７は、金属回路１７と接合されている。また、金属回路１７は、開口１９において第２の配線８と接合されている。すなわち、第１の配線７と第２の配線８とは、金属回路１７を介して電気的に接続されている。

上記電子部品１６は、例えば、第１の工程において、第１の溝部２とともに、第１の溝部２から金属回路１７まで貫通する貫通孔１８を形成し、第２の工程において、銅ペーストが金属回路１７に接するように貫通孔１８内にも銅ペーストを配置することにより製造することができる。すなわち、電子部品の製造方法における上記第１の工程では、第１の溝部２とともに、第１の溝部２から金属回路１７まで貫通する貫通孔１８を形成してよく、上記第２工程では、銅ペーストが金属回路１７に接するように貫通孔１８内にも銅ペーストを配置してよい。

図１０に示す電子部品２０は、金属回路１７を更に備えるとともに、金属回路１７に電気的に接続された電子素子２１を更に備える。図１０では、金属回路１７が、ポリマー成形体１の表面に露出しており、金属回路１７の露出部分において、電子素子２１が、当該金属回路１７と隣接するように設けられている。電子素子２１は、金属回路１７に、はんだ、銅粒子の焼結体等を介して接合されている。電子素子２１としては、上述した電子素子１０と同様の電子素子を用いることができる。

上記電子部品２０は、例えば、上述したマウント工程と同様の方法で金属回路１７上に電子素子２１を配置することにより製造することができる。すなわち、電子部品の製造方法は、電子素子２１を、電子素子２１の電極が金属回路１７上に位置するように、ポリマー成形体１上に配置し、電子素子２１の電極と金属回路１７とを、はんだ、銅粒子の焼結体等を介して接合する工程を更に備えていてよい。

図１１に示す電子部品２２は、例えば、金属回路１７を更に備えるとともに、金属回路に接する第３の配線２３及び第３の配線２３上に設けられた電子素子２４を更に備える。第３の配線は、ポリマー成形体１に形成された第３の溝部２５に設けられている。第３の配線２３は、例えば銅配線であり、好ましくは銅粒子の焼結体からなる。第３の溝部２５を画成するポリマー成形体１の内壁面には、金属回路１７と接する開口２６が設けられている。上記開口２６において第３の配線２３と金属回路１７とが接合され、第３の配線２３と電子素子２４の電極とが接合されている。すなわち、金属回路１７は、第３の配線２３を介して電子素子２４と電気的に接続されている。第３の配線２３と電子素子２４の電極とは、直接接合されていてよく、はんだを介して接合されていてもよい。

上記電子部品２２は、例えば、第１の工程において、第３の溝部２５を形成し、第２の工程において、第３の溝部２５に銅ペーストを配置して第３の銅ペースト層を形成し、第３の工程の前又は第３の工程後に、電子素子２４を、電子素子２４の電極が第３の配線２３（又は第３の銅ペースト層）上に位置するように、ポリマー成形体１上に配置し、電子素子２４の電極と第３の配線２３とを接合することにより製造することができる。第３の配線２３と電子素子２４の電極とを直接接合する場合、第２の工程後に、電子素子２４を第３の銅ペースト層上に配置して第３の工程を実施すればよい。第３の配線２３を形成するための銅ペーストは、上述した第１の配線７及び第２の配線８を形成するための銅ペーストと同一であっても異なっていてもよい。

図１２に示す電子部品２７は、少なくとも一部がポリマー成形体１（以下、「第１のポリマー成形体」ともいう。）の表面に露出する金属回路１７を更に備えるとともに、第２のポリマー成形体２８と、第２のポリマー成形体２８に設けられた第４の配線２９と、を更に備えている。第２のポリマー成形体２８は、一面から他面に貫通する貫通孔３０（例えばビア）を有しており、当該一面において、第１のポリマー成形体１の金属回路１７が露出する面と接している。上記貫通孔３０は、金属回路１７の露出部分上に位置するように第２のポリマー成形体２８に設けられている。第４の配線は、第２のポリマー成形体２８の他面上及び貫通孔３０内に設けられており、貫通孔３０に設けられた第４の配線２９は金属回路１７と接合されている。第２のポリマー成形体２８を構成するポリマー材料としては、第１のポリマー成形体１を構成するポリマー材料として例示したものが挙げられる。第４の配線２９は、例えば銅配線であり、好ましくは銅粒子の焼結体からなる。図示していないが、第２のポリマー成形体２８には、溝部が形成されていてもよい。この場合、第４の配線２９は、当該溝部に設けられていることが好ましい。電子部品２７は上述した第３の配線２３を備えていなくてよい。

上記電子部品２７は、例えば、一面から他面に貫通する貫通孔３０を有する第２のポリマー成形体２８を、貫通孔３０が金属回路１７の露出部分上に位置するように、第１のポリマー成形体１上に配置する工程と、第２のポリマー成形体２８の上記他面及び貫通孔３０内に第４の配線２９を形成する工程と、を実施することにより製造することができる。第２のポリマー成形体２８は、ポリマー材料の塗布、成型等により第１のポリマー成形体上に配置（形成）してよい。第４の配線２９を形成する工程は、例えば、銅粒子を含む銅ペーストを、金属回路と接するように、第２のポリマー成形体２８の上記他面及び貫通孔３０内に配置する工程と、当該銅粒子を焼結させる工程と、を含んでいてよい。銅粒子が焼結することにより銅粒子の焼結体からなる第４の配線２９が得られる。この場合、第２の工程及び第３の工程と同時に、第４の配線２９を形成する工程を実施してよい。第４の配線２９を形成するための銅ペーストは、上述した第１の配線７及び第２の配線８を形成するための銅ペーストと同一であっても異なっていてもよい。

図１３に示す電子部品３１は、第３のポリマー成形体３２と、第３のポリマー成形体３２に設けられた第５の配線３３と、を更に備えている。第３のポリマー成形体３２は、一面から他面まで貫通する貫通孔３４（例えばビア）を有しており、当該一面において、第１のポリマー成形体１の第１の配線７が設けられている面と接している。貫通孔３４は、第１の配線７上に位置するように第３のポリマー成形体３２に設けられている。第５の配線３３は、第３のポリマー成形体３２の他面上及び貫通孔３４内に設けられており、貫通孔３４に設けられた第５の配線３３は第１の配線７と接合されている。第３のポリマー成形体３２を構成するポリマー材料としては、第１のポリマー成形体１を構成するポリマー材料として例示したものが挙げられる。第５の配線３３は、例えば銅配線であり、好ましくは銅粒子の焼結体からなる。図示していないが、第３のポリマー成形体３２には、溝部が形成されていてもよい。この場合、第５の配線３３は、当該溝部に設けられていることが好ましい。電子部品３１は、上述した第３の配線２３を備えていなくてよい。電子部品３１は、図１２に示す電子部品２７と同様に、金属回路１７、第２のポリマー成形体２８及び第４の配線２９を備えているが、これらを備えていなくてもよい。

上記電子部品３１は、例えば、一面から他面に貫通する貫通孔３４を有する第３のポリマー成形体３２を、貫通孔３４が第１の配線７上に位置するように、第１のポリマー成形体１上に配置する工程と、第３のポリマー成形体３２の上記他面及び貫通孔３４内に第５の配線３３を形成する工程と、を実施することにより製造することができる。第３のポリマー成形体３２は、ポリマー材料の塗布、成型等により第１のポリマー成形体上に配置（形成）してよい。第５の配線３３を形成する工程は、例えば、第３のポリマー成形体３２の上記他面及び貫通孔３４内に銅粒子を含む銅ペーストを配置する工程と、銅粒子を焼結させる工程と、を含んでいてよい。銅粒子が焼結することにより銅粒子の焼結体からなる第５の配線３３が得られる。この場合、第２の工程及び第３の工程と同時に、第５の配線３３を形成する工程を実施してよい。第５の配線３３を形成するための銅ペーストは、上述した第１の配線７及び第２の配線８を形成するための銅ペーストと同一であっても異なっていてもよい。

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

＜実施例１＞
（工程ａ：球状の銅粒子の準備）
［１．１］ノナン酸銅の合成
水酸化銅（関東化学株式会社、特級）９１．５ｇ（０．９４ｍｏｌ）に１－プロパノール（関東化学株式会社、特級）１５０ｍＬを加えて撹拌し、これにノナン酸（関東化学株式会社、純度９０％以上）３７０．９ｇ（２．３４ｍｏｌ）を加えた。得られた混合物を、セパラブルフラスコ中で、９０℃で３０分間加熱撹拌した。得られた溶液を加熱したままろ過して未溶解物を除去した。その後放冷し、生成したノナン酸銅を吸引ろ過し、洗浄液が透明になるまでヘキサンで洗浄した。得られた粉体を５０℃の防爆オーブンで３時間乾燥してノナン酸銅（ＩＩ）を得た。収量は３４０ｇ（収率９６質量％）であった。

［１．２］球状の第２の銅粒子の合成
上記で得られたノナン酸銅（ＩＩ）１５．０１ｇ（０．０４０ｍｏｌ）と酢酸銅（ＩＩ）無水物（関東化学株式会社、特級）７．２１ｇ（０．０４０ｍｏｌ）をセパラブルフラスコに入れ、ここに１－プロパノール２２ｍＬとヘキシルアミン（東京化成工業株式会社、純度９９％）３２．１ｇ（０．３２ｍｏｌ）とを添加し、オイルバス中で、８０℃で加熱撹拌して溶解させた。氷浴に移し、内温が５℃になるまで冷却した後、ヒドラジン一水和物（関東化学株式会社、特級）７．７２ｍＬ（０．１６ｍｏｌ）を氷浴中で撹拌しながら添加した。なお、銅とヘキシルアミンのモル比（銅：ヘキシルアミン）は１：４である。次いで、オイルバス中で、９０℃で加熱撹拌した。その際、発泡を伴う還元反応が進み、３０分以内で反応が終了した。セパラブルフラスコの内壁が銅光沢を呈し、溶液が暗赤色に変化した。遠心分離を９０００ｒｐｍ（回転／分）で１分間実施して固体物を得た。固形物をヘキサン１５ｍＬで洗浄する工程を３回繰り返し、酸残渣を除去して、銅光沢を有する球状の銅粒子の粉体（銅粒子Ａ、第２の銅粒子）を得た。

上記で合成した銅粒子Ａの５０％体積平均粒径を、島津ナノ粒子径分布測定装置（ＳＡＬＤ－７５００ｎａｎｏ、株式会社島津製作所製）により測定した。銅粒子Ａの５０％体積平均粒径は０．０１μｍであった。銅粒子Ａにおける粒径が０．００５μｍ以上０．８μｍ以下の銅粒子の含有量は１００質量％であった。

（工程ｂ：銅ペーストの調製）
分散媒としてα－テルピネオール（和光純薬工業株式会社製）５．２ｇ及びイソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ、日本テルペン化学株式会社製）６．８ｇと、銅粒子Ａ５２．８ｇとをポリ瓶にて混合し、超音波ホモジナイザー（ＵＳ－６００、日本精機株式会社製）により、１９．６ｋＨｚ、６００Ｗの条件で１分処理して分散液を得た。この分散液に、フレーク状の銅粒子Ｂ（第１の銅粒子、商品名：１１００－ＹＰ、三井金属鉱業株式会社製、５０％体積平均粒径１．５μｍ、最大径が１．０μｍ以上２０μｍ以下の銅粒子の含有量１００質量％）３５．２ｇを添加し、スパチュラで乾燥粉がなくなるまでかき混ぜた。ポリ瓶を密栓し、自転公転型攪拌装置（Ｐｌａｎｅｔｒｙ Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｘｅｒ ＡＲＶ－３１０、株式会社シンキー製）を用いて、２０００ｒｐｍで２分間撹拌した後、減圧下、２０００ｒｐｍで２分間撹拌して銅ペーストを得た。

（工程ｃ：ポリマー成形体の準備）
［２．１］平面基板状のポリマー成形体Ａ
ポリマー成形体Ａとして、図１４に示す、ＬＣＰ（商品名：スミカスーパーＬＣＰ Ｅ６０００ＨＦ、住友化学株式会社製）からなる平面基板状のポリマー成形体４０（大きさ８０ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ３ｍｍ）を準備した。なお、図１４に示すように、ポリマー成形体４０には、長さが５ｃｍであり、幅が５０μｍであり、深さが３０μｍである直線状の溝部４１をあらかじめ形成した。溝部４１の形成は、溝部４１を形成するための凸部の形状を有する金型を準備し、金型を４００℃に熱し、ＬＣＰ基板に押し込むことで、凸部の形状を形成することにより行った。

［２．２］立体基板状のポリマー成形体Ｂ
ポリマー成形体Ｂとして、図１５に示す、ＬＣＰ（商品名：スミカスーパーＬＣＰ Ｅ６０００ＨＦ、住友化学株式会社製）からなる立体基板状のポリマー成形体５０を準備した。図１５（ａ）及び図１５（ｂ）に示すように、ポリマー成形体５０には、幅が５０μｍであり、深さが３０μｍである溝部５１をあらかじめ形成した。溝部の形成は、溝部５１を形成するための凸部の形状を有する金型を準備し、ＬＣＰ基板を４００℃で溶融し、凸部の形状を有する金型に流し込むことにより行った。

（工程ｄ：銅ペーストの塗布）
スクリューディスペンサー（武蔵エンジニアリング株式会社製）を用いて、工程ｃで準備したポリマー成形体Ａの溝部４１及びポリマー成形体Ｂの溝部５１に、銅ペーストを塗布により配置した。これにより、銅ペースト層付きポリマー成形体を得た。

（工程ｅ：焼結工程）
上記で得られた銅ペースト層付きポリマー成形体の銅ペースト層上に電子素子をマウントした。電子素子がマウントされたポリマー成形体を、チューブ炉（株式会社エイブイシー製）にセットし、アルゴンガスを１Ｌ／ｍｉｎで流して空気をアルゴンガスに置換した。その後、水素ガスを３００ｍＬ／ｍｉｎで流しながら１０分間かけて昇温し、２２０℃６０分間の条件で銅ペーストを焼成した。これにより銅ペースト中の銅粒子を焼結させて、銅粒子の焼結体からなる焼結銅層（配線）を形成した。その後、アルゴンガスを０．３Ｌ／ｍｉｎに換えて冷却し、５０℃以下で接合体を空気中に取り出した。こうして、銅粒子の焼結体からなる二次元状の配線（銅配線）を有する電子部品Ａ（銅配線付きポリマー成形体）と、銅粒子の焼結体からなる三次元状の配線（銅配線）を有する電子部品Ｂ（銅配線付きポリマー成形体）を作製した。なお、配線中の銅含有量が８０体積％であり、焼結後の配線の厚さは、２０μｍであった。

（密着性の評価）
上記で得られた電子部品Ａを用いて下記の手順で密着性の評価を行った。電子部品Ａの４隅の端部を保持し、配線が形成された面とは反対側の面の中央部分に、重さ１００ｇの剛球を３０ｃｍの位置から落下させる試験を行った。５０サンプルについて試験を行い、試験後に配線の剥がれの有無を確認した。評価は以下の基準により行い、Ｂ以上を良好と判断した。結果を表１に示す。
Ａ：配線の剥がれ無しが、５０個
Ｂ：配線の剥がれ無しが、４７個以上５０個未満
Ｃ：配線の剥がれ無しが、３５個以上４７個未満
Ｄ：配線の剥がれ無しが、２０個以上３５個未満
Ｅ：配線の剥がれ無しが、２０個未満

（初期導通性（初期体積抵抗率）の評価）
初期導通性を、配線の体積抵抗率（単位：μΩ・ｃｍ）に基づき評価した。体積抵抗率は、４端針面抵抗測定器で測定した面抵抗値と、非接触表面・層断面形状計測システム（ＶｅｒｔＳｃａｎ、株式会社菱化システム）で求めた配線の層厚とから計算した。なお、２０サンプルについて測定を行い、平均値を求め、以下の基準により評価した。Ｂ以上を良好と判断した。結果を表１に示す。
Ａ：平均体積抵抗率が、５μΩ・ｃｍ未満
Ｂ：平均体積抵抗率が、５μΩ・ｃｍ以上２０μΩ・ｃｍ未満
Ｃ：平均体積抵抗率が、２０μΩ・ｃｍ以上５０μΩ・ｃｍ未満
Ｄ：平均体積抵抗率が、５０μΩ・ｃｍ以上１００μΩ・ｃｍ未満
Ｅ：平均体積抵抗率が、１００μΩ・ｃｍ以上

（導通信頼性の評価）
上記で得られた電子部品Ａ及び電子部品Ｂを用い、温度サイクル試験前後における導通信頼性の評価を行った。なお、温度サイクル試験には、冷熱衝撃装置（エスペック製ＴＳＡ－７３ＥＳ）を用い、最低温度－４０℃/最高温度＋１２０℃を各３０分繰り返し、１００、５００、１０００、２０００、３０００サイクル試験後の導通信頼性を調べた。導通信頼性は、配線の体積抵抗率（単位：μΩ・ｃｍ）により評価した。具体的には、ポリマー成形体４０から作製した電子部品Ａ及びポリマー成形体５０から作製した電子部品Ｂに関し、それぞれ２０個ずつ測定を行い、以下の基準により評価した。電子部品Ａについては、５００サイクル後、Ｂ以上を良好と判断し、電子部品Ｂについては、１００サイクル後Ｃ以上を良好と判断した。結果を表１に示す。
Ａ：平均体積抵抗率が、５μΩ・ｃｍ未満
Ｂ：平均体積抵抗率が、５μΩ・ｃｍ以上２０μΩ・ｃｍ未満
Ｃ：平均体積抵抗率が、２０μΩ・ｃｍ以上５０μΩ・ｃｍ未満
Ｄ：平均体積抵抗率が、５０μΩ・ｃｍ以上１００μΩ・ｃｍ未満
Ｅ：平均体積抵抗率が、１００μΩ・ｃｍ以上

＜実施例２＞
ポリマー成形体４０及びポリマー成形体５０の溝部の形状（溝部の幅及び深さ）を、表１に示した形状に変えたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表１に示す。

＜実施例３＞
ポリマー成形体４０及びポリマー成形体５０の溝部の形状（溝部の幅及び深さ）を、表１に示した形状に変えた。また、工程ｄにおいて、スクリューディスペンサーによる塗布の代わりに、ポリマー成形体４０及びポリマー成形体５０の溝と同一形状の開口部を有するステンレス製のメタルマスク（厚さ：５０μｍ）を各ポリマー成形体上に載せ、メタルスキージを用いたステンシル印刷により銅ペーストを、溝部に塗布した。これ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表１に示す。

＜実施例４＞
実施例１、工程ｃの、ポリマー成形体４０及びポリマー成形体５０の溝部の形状を、表１に示した形状に変えた。また、実施例１、工程ｄにおいて、スクリューディスペンサーによる塗布の代わりに、ポリマー成形体４０及びポリマー成形体５０の溝と同一形状の開口部を有するステンレス製のメタルマスク（厚さ：５０μｍ）を各ポリマー成形体上に載せ、メタルスキージを用いたステンシル印刷により銅ペーストを、溝部に塗布した。焼結後の配線の厚さは３５μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表１に示す。

＜実施例５＞
実施例１、工程ｃの、ポリマー成形体４０及びポリマー成形体５０の溝部の形状を、表１に示した形状に変えた。また、実施例１、工程ｄにおいて、スクリューディスペンサーによる塗布の代わりに、ポリマー成形体４０及びポリマー成形体５０の溝と同一形状の開口部を有するステンレス製のメタルマスク（厚さ：５０μｍ）を各ポリマー成形体上に載せ、メタルスキージを用いたステンシル印刷により銅ペーストを、溝部に塗布した。焼結後の配線の厚さは３５μｍであった。これ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表１に示す。

＜実施例６＞
工程ｂにおいて、フレーク状の銅粒子Ｂとして、１１００－ＹＰの代わりに１２００－ＹＰ（商品名、三井金属鉱業株式会社製、５０％体積平均粒径３．１μｍ、最大径が１．０μｍ以上２０μｍ以下の銅粒子の含有量１００質量％）を用いた。これ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表１に示す。

＜実施例７＞
実施例２と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりに１２００－ＹＰを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表１に示す。

＜実施例８＞
実施例３と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりに１２００－ＹＰを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表１に示す。

＜実施例９＞
実施例４と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりに１２００－ＹＰを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表１に示す。

＜実施例１０＞
実施例５と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりに１２００－ＹＰを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表１に示す。

＜実施例１１＞
工程ｂにおいて、フレーク状の銅粒子Ｂとして、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０２５ＫＦＤ（商品名、三井金属鉱業株式会社製、５０％体積平均粒径４．７μｍ、最大径が１．０μｍ以上２０μｍ以下の銅粒子の含有量１００質量％）を用いた。これ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例１２＞
実施例２と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０２５ＫＦＤを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例１３＞
実施例３と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０２５ＫＦＤを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例１４＞
実施例４と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０２５ＫＦＤを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例１５＞
実施例５と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０２５ＫＦＤを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例１６＞
工程ｂにおいて、フレーク状の銅粒子Ｂとして、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０８ＪＦ（商品名、三井金属鉱業株式会社製、５０％体積平均粒径１１．９μｍ、最大径が１．０μｍ以上２０μｍ以下の銅粒子の含有量１００質量％）を用いた。これ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例１７＞
実施例２と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０８ＪＦを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例１８＞
実施例３と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０８ＪＦを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例１９＞
実施例４と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０８ＪＦを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例２０＞
実施例５と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いたこと、及び、工程ｂにおいて、１１００－ＹＰの代わりにＭＡ―Ｃ０８ＪＦを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表２に示す。

＜実施例２１＞
工程ｂにおいて、以下に示す方法により、銅ペーストを調製した（フレーク状の銅粒子Ｂである１１００－ＹＰを加えなかった。）。それ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表３に示す。

（工程ｂ：銅ペーストの調製）
分散媒としてα－テルピネオール（和光純薬工業株式会社製）５．２ｇ及びイソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ、日本テルペン化学株式会社製）６．８ｇと、銅粒子Ａ８８．０ｇとをポリ瓶に混合し、超音波ホモジナイザー（ＵＳ－６００、日本精機株式会社製）により１９．６ｋＨｚ、６００Ｗ、１分処理し分散液を得た。ポリ瓶を密栓し、自転公転型攪拌装置（Ｐｌａｎｅｔｒｙ Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｘｅｒ ＡＲＶ－３１０、株式会社シンキー製）を用いて、２０００ｒｐｍで２分間撹拌し、減圧下、２０００ｒｐｍで２分間撹拌して銅ペーストを得た。

＜実施例２２＞
実施例２と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いた。それ以外は、実施例２１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表３に示す。

＜実施例２３＞
実施例３と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いた。それ以外は、実施例２１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表３に示す。

＜実施例２４＞
実施例４と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いた。それ以外は、実施例２１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表３に示す。

＜実施例２５＞
実施例３と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いた。また、工程ｂにおいて、以下に示す方法により、銅ペーストを調製した。それ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表３に示す。

（工程ｂ：銅ペーストの調製）
分散媒としてα－テルピネオール（和光純薬工業株式会社製）５．２ｇ及びイソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ、日本テルペン化学株式会社製）６．８ｇと、フレーク状の銅粒子Ｂとして１２００－ＹＰ ８８．０ｇとをポリ瓶に混合し、超音波ホモジナイザー（ＵＳ－６００、日本精機株式会社製）により１９．６ｋＨｚ、６００Ｗ、１分処理し分散液を得た。ポリ瓶を密栓し、自転公転型攪拌装置（Ｐｌａｎｅｔｒｙ Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｘｅｒ ＡＲＶ－３１０、株式会社シンキー製）を用いて、２０００ｒｐｍで２分間撹拌し、減圧下、２０００ｒｐｍで２分間撹拌して銅ペーストを得た。

＜実施例２６＞
実施例３と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いた。また、工程ｂにおいて、以下に示す方法により、銅ペーストを調製した。それ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、密着性、初期導通性及び導通信頼性の評価を行った。結果を表３に示す。

（工程ｂ：銅ペーストの調製）
分散媒としてα－テルピネオール（和光純薬工業株式会社製）５．２ｇ及びイソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ、日本テルペン化学株式会社製）６．８ｇと、フレーク状の銅粒子ＢとしてＭＡ―Ｃ０２５ＫＦＤ ８８．０ｇとをポリ瓶に混合し、超音波ホモジナイザー（ＵＳ－６００、日本精機株式会社製）により１９．６ｋＨｚ、６００Ｗ、１分処理し分散液を得た。ポリ瓶を密栓し、自転公転型攪拌装置（Ｐｌａｎｅｔｒｙ Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｘｅｒ ＡＲＶ－３１０、株式会社シンキー製）を用いて、２０００ｒｐｍで２分間撹拌し、減圧下、２０００ｒｐｍで２分間撹拌して銅ペーストを得た。

＜実施例２７＞
実施例３と同一のポリマー成形体Ａ及びポリマー成形体Ｂを用いた。また、工程ｂにおいて、以下に示す方法により、銅ペーストを調製した。それ以外は、実施例１と同様にして、電子部品Ａ及び電子部品Ｂを作製し、導通信頼性の評価を行った。結果を表３に示す。

（工程ｂ：銅ペーストの調製）
分散媒としてα－テルピネオール（和光純薬工業株式会社製）５．２ｇ及びイソボルニルシクロヘキサノール（ＭＴＰＨ、日本テルペン化学株式会社製）６．８ｇと、フレーク状の銅粒子ＢとしてＭＡ―Ｃ０８ＪＦ ８８．０ｇとをポリ瓶に混合し、超音波ホモジナイザー（ＵＳ－６００、日本精機株式会社製）により１９．６ｋＨｚ、６００Ｗ、１分処理し分散液を得た。ポリ瓶を密栓し、自転公転型攪拌装置（Ｐｌａｎｅｔｒｙ Ｖａｃｕｕｍ Ｍｉｘｅｒ ＡＲＶ－３１０、株式会社シンキー製）を用いて、２０００ｒｐｍで２分間撹拌し、減圧下、２０００ｒｐｍで２分間撹拌して銅ペーストを得た。

＜比較例１＞
ポリマー成形体として、ポリマー成形体４０の作製に使用した、溝部形成前のＬＣＰ基板（大きさ８０ｍｍ×４０ｍｍ、厚さ３ｍｍ）を準備した。また、銅ペーストとして、実施例１で用いた銅ペーストを調製した。図１４の溝部４１と同一サイズの開口部を有するＳＵＳ３０４のマスク（厚さ５０μｍ）をポリマー成形体上に配置し、上記銅ペーストをＳＵＳ３０４のマスクの開口部に塗布した。これにより、ポリマー成形体上に銅ペースト層を形成した。次いで、実施例１の工程eと同様にして銅粒子を焼結させて、銅粒子の焼結体からなる焼結銅層（配線）を形成し、二次元状の配線（銅配線）を有する電子部品Ｃを得た。実施例１と同様にして、電子部品Ｃに対して密着性の評価と初期導通性の評価を行った。結果を表４に示す。なお、密着性の評価結果が不良であったことから、導通信頼性の評価は行わなかった。

＜比較例２～６＞
銅ペーストとして、実施例６、実施例１１、実施例１６、実施例２１又は実施例２５で用いた銅ペーストをそれぞれ用いたこと以外は、比較例１と同様にして、比較例２～６の電子部品Ｃをそれぞれ作製し、電子部品Ｃに対して密着性の評価と初期導通性の評価を行った。結果を表４に示す。なお、密着性の評価結果が不良であったことから、導通信頼性の評価は行わなかった。

１…第１のポリマー成形体、２…第１の溝部、３…第２の溝部、７…第1の配線、８…第２の配線、９,１１，１６，２０，２２，２７，３１…電子部品、１０，２１，２４…電子素子、１７…金属回路、１８…第１のポリマー成形体の貫通孔、２３…第３の配線、２５…第３の溝部、２９…第４の配線、３０…第２のポリマー成形体の貫通孔、３３…第５の配線、３４…第３のポリマー成形体の貫通孔。

Claims (17)

1. 表面にパターン状に形成された溝部を有する第１のポリマー成形体を用意する第１の工程と、
   前記溝部に、銅粒子を含む第１の銅ペーストを配置する第２の工程と、
   前記銅粒子を焼結させて配線を形成する第３の工程と、
   一面から他面まで貫通する貫通孔を有する第２のポリマー成形体を、当該貫通孔が前記配線上に位置するように、前記第１のポリマー成形体上に配置する第４の工程と、
   銅粒子を含む第２の銅ペーストを、前記配線と接するように、前記貫通孔内に配置する第５の工程と、を備える、電子部品の製造方法。
2. 前記銅粒子がフレーク状の銅粒子を含む、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
3. 表面にパターン状に形成された溝部を有する第１のポリマー成形体を用意する第１の工程と、
   前記溝部に、銅粒子を含む第１の銅ペーストを配置する第２の工程と、
   前記銅粒子を焼結させて配線を形成する第３の工程と、を備え、
   前記銅粒子がフレーク状の銅粒子を含み、
   前記フレーク状の銅粒子の体積平均粒径に対する前記溝部の幅の比が、１０～１００である、電子部品の製造方法。
4. 一面から他面まで貫通する貫通孔を有する第２のポリマー成形体を、当該貫通孔が前記配線上に位置するように、前記第１のポリマー成形体上に配置する第４の工程と、
   銅粒子を含む第２の銅ペーストを、前記配線と接するように、前記貫通孔内に配置する第５の工程と、を備える、請求項３に記載の電子部品の製造方法。
5. 前記銅粒子が、粒径が１．０μｍ以上であるフレーク状の第１の銅粒子と、粒径が０．８μｍ以下である第２の銅粒子と、を含む、請求項２～４のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
6. 前記第２の銅粒子が球状である、請求項５に記載の電子部品の製造方法。
7. 前記溝部が三次元状のパターンで形成されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
8. 前記第１の工程は、成型、レーザー、プラズマ又は砥粒による研磨により前記溝部を形成する工程である、請求項１～７のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
9. 前記第１のポリマー成形体が、液晶ポリマー又はポリフェニレンスルフィドからなる、請求項１～８のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
10. 前記第１のポリマー成形体には金属回路及び前記溝部から前記金属回路まで貫通する貫通孔が設けられており、
    前記第２の工程では、前記第１の銅ペーストが前記金属回路に接するように前記貫通孔内にも前記第１の銅ペーストを配置する、請求項１～９のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
11. 表面にパターン状に形成された溝部を有する第１のポリマー成形体と、前記溝部に設けられた、銅粒子の焼結体からなる第１の配線と、を備え、
    前記銅粒子がフレーク状の銅粒子を含み、
    前記フレーク状の銅粒子の体積平均粒径に対する前記溝部の幅の比が、１０～１００である、電子部品。
12. 前記銅粒子が、粒径が１．０μｍ以上であるフレーク状の第１の銅粒子と、粒径が０．８μｍ以下である第２の銅粒子と、を含む、請求項１１に記載の電子部品。
13. 前記第２の銅粒子が球状である、請求項１２に記載の電子部品。
14. 前記溝部が三次元状のパターンで形成されている、請求項１１～１３のいずれか一項に記載の電子部品。
15. 前記第１のポリマー成形体が、液晶ポリマー又はポリフェニレンスルフィドからなる、請求項１１～１４のいずれか一項に記載の電子部品。
16. 前記第１のポリマー成形体に設けられた金属回路を更に備え、
    前記第１のポリマー成形体が、前記溝部から前記金属回路まで貫通する貫通孔を更に有し、
    前記第１の配線が、前記貫通孔内にも設けられ、前記金属回路と接合されている、請求項１１～１５のいずれか一項に記載の電子部品。
17. 一面から他面まで貫通する貫通孔を有する第２のポリマー成形体と、前記第２のポリマー成形体の前記貫通孔内に設けられた、銅粒子の焼結体からなる第２の配線と、を更に備え、
    前記第２のポリマー成形体が、前記貫通孔が前記第１の配線上に位置するように、前記第１のポリマー成形体上に設けられており、
    前記第２の配線が、前記第１の配線と接合されている、請求項１１～１６のいずれか一項に記載の電子部品。

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