JP7170649B2 - ノズルピストンの製造方法、ダンパーのための製造方法、ノズルピストン、ダンパー、ダンパーを製造するための製造プラント - Google Patents
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Description
a.好ましくはピストン基材を機械加工することによってピストンブランクを製造するステップと、
b.超短パルスレーザー加工によってピストンブランクに少なくとも1つの凹部を導入するステップであって、凹部は、ダンパーチャンバ内にノズルピストンを配置する際に、第1の流体チャンバと第2の流体チャンバとの間に減衰流体に流れインピーダンスを適合させる減衰流体用のノズルを画定する、ステップと、
を含む。
a.0.8μm~3.0μmの近赤外スペクトル範囲、好ましくは0.8μm~1.4μmのIR-A範囲、より好ましくは約1.0μmのレーザー波長、
b.200kHz~2000kHz、好ましくは500kHz~1000kHz、より好ましくは約800kHzのパルス周波数、
c.100ps未満、好ましくは10ps未満、より好ましくは約0.8psのパルス持続時間、
d.500mJ未満、好ましくは200mJ未満のパルスエネルギー、及び/又は、
e.25μm~500μm、好ましくは50μm~150μm、特に好ましくは約75μmのレーザースポット直径。
a.本発明に係る方法を使用してノズルピストンを製造するステップと、
b.ノズルピストンをダンパーのダンパーチャンバ内に設置するステップであって、ピストンが、ダンパーチャンバの長手方向軸に沿って案内されて、ダンパーチャンバを第1の流体チャンバと第2の流体チャンバとに分ける、ステップと、
を含む。
19 ノズルピストン
20 凹部
21 ピストン領域
22 ウェブ
23 カバー要素
111 第1の流体チャンバ
112 第2の流体チャンバ
120 ピストンロッド
130 締結要素
200 方法
210 製造
220 導入
221 収集
222 選択
223 取り付け
230 検査
240 制御
250 記録
260 ラベリング
300 製造プラント
310 超短パルスレーザーステーション
320 製造ライン
330 輸送システム
340 検査ステーション
350 製造ステーション
360 制御ユニット
370 設置ステーション
KLA ピストン長手方向軸
Claims (6)
- ダンパーのための製造方法であって、
a.ノズルピストン(19)を製造するステップと、
b.前記ノズルピストン(19)を前記ダンパーのダンパーチャンバ内に設置するステップであって、前記ノズルピストン(19)は前記ダンパーチャンバの長手方向軸に沿って案内され、前記ダンパーチャンバを第1の流体チャンバ(111)と第2の流体チャンバ(112)とに分けるステップと、
c.前記ノズルピストン(19)を収容するダンパーの力-速度特性に関して前記ノズルピストン(19)を検査するステップ(230)と、
d.前記ノズルピストン(19)の検査(230)の結果に基づいて、引き続いて製造されるピストンブランク(18)に少なくとも1つの凹部(20)を導入するステップ(220)を制御するステップ(240)と、を備え、
前記ノズルピストン(19)を製造するステップは、少なくとも、
e.ピストンブランク(18)を製造するステップ(210)と、
f.超短パルスレーザー加工によって前記ピストンブランク(18)に少なくとも1つの凹部(20)を導入するステップ(220)であって、前記凹部(20)は、前記ダンパーチャンバ内に前記ノズルピストン(19)を配置する際に、前記第1の流体チャンバ(111)と前記第2の流体チャンバ(112)との間の減衰流体に流れインピーダンスを適合させる減衰流体用のノズルを画定する、ステップ(220)と、
を含む、方法。 - 超短パルスレーザー加工によって導入する前記ステップ(220)は、
a.前記ノズルピストン(19)の除去領域で局部ピストン温度で行なわれ、この局部ピストン温度はピストン基材の昇華温度を上回り、
b.前記ノズルピストン(19)の除去領域に隣接するピストン領域で局所ピストン温度で行なわれ、この局所ピストン温度は、ピストン基材の変形温度を下回り、
c.0.8μm~3.0μmの近赤外スペクトル範囲のレーザー波長を使用して行なわれ、
d.200kHz~2000kHzのパルス周波数を使用して行なわれ、
e.100ps未満のパルス持続時間を使用して行なわれ、
f.500mJ未満のパルスエネルギーを使用して行なわれ、
g.25μm~500μmのレーザースポット直径を使用して行なわれ、且つ/又は、
h.制御された雰囲気で行なわれる、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - a.前記凹部(20)に隣接して少なくとも1つのカバー要素(23)を取り付けるステップ(223)、
b.前記ノズルピストン(19)の検査(230)の結果を前記ノズルピストン(19)上に記録するステップ(250)、
c.超短パルスレーザー加工によって前記ノズルピストン(19)及び/又は前記ダンパーをラベル付けするステップ(260)、
d.超短パルスレーザー加工によって前記ノズルピストン(19)の表面を硬化するステップ、及び/又は、
e.前記ノズルピストン(19)の表面をコーティングするステップ、
のうちの少なくとも1つを備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。 - 請求項1に記載の製造方法を用いてダンパーを製造するための製造プラント(300)であって、
前記製造プラント(300)は、
a.超短パルスレーザー加工による前記ダンパーのためのピストンブランク(18)の処理のための少なくとも1つの超短パルスレーザーステーション(310)と、
b.前記少なくとも1つの超短パルスレーザーステーション(310)を制御するための、少なくとも1つの制御ユニット(360)と、
c.前記ノズルピストン(19)および/または前記ダンパーを検査するための、製造過程における前記少なくとも1つの超短パルスレーザーステーション(310)の下流の少なくとも1つの検査ステーション(340)であって、前記少なくとも1つの検査ステーション(340)は、検査結果を前記少なくとも1つの制御ユニット(360)に送信するための送信ユニットを備えており、
d.前記ノズルピストン(19)を前記ダンパーに設置するために、前記少なくとも1つの超短パルスレーザーステーション(310)の製造過程で下流にある少なくとも1つの設置ステーション(370)と、
を備えていることを特徴とする製造プラント(300)。 - 前記少なくとも1つの超短パルスレーザーステーション(310)は、
a.前記製造プラント(300)の複数の製造ライン(320)に割り当てられ、前記少なくとも1つの超短パルスレーザーステーション(310)が移動できるように形成され、及び/又は、前記製造プラント(300)は、ピストンブランク(18)を複数の製造ライン(320)から前記少なくとも1つの超短パルスレーザーステーション(310)に供給するための輸送システム(330)を備え、
b.ピストンブランク(18)を輸送するための輸送システム(330)に組み込まれ、且つ/又は、
c.レーザースキャナを備える、
ことを特徴とする請求項4に記載の製造プラント(300)。 - 前記製造プラント(300)は、
ピストン基材からピストンブランク(18)を製造するための製造過程における前記少なくとも1つの超短パルスレーザーステーション(310)の上流側の少なくとも1つの製造ステーション(350)を備えることを特徴とする、請求項4又は5に記載の製造プラント(300)。
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