JP7164636B2 - 光子増倍フィルム - Google Patents
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Description
一つの実施形態において、発光材料は、1,3,6,8(2H,7H)-テトラオン,2,7-ジシクロヘキシルベンゾ[lmn][3,8]-フェナントロリンおよびN,N’-ビス(2,6-ジ-イソプロピルフェニル)-3,4,9,10-ペリ-レネテトラカルボン酸ジイミドの50:50混合物を含む。
このフィルムにおいて、第1の有機半導体21は発光体([(SF)+L])に化学的に結合しているが、一重項励起子開裂を起こしていなくてもよい。
不動態化量子ドットの調製
Hines, M.A. and Scholes, G.D., in Advanced Materials, 2003, 15(21), 1844-1849.の文献方法の修正に従って、不動態化硫化鉛量子ドットを合成した。
Garakyaraghi、Set al、Journal of Physical Chemistry Letters、2017、8(7)、1458-1463の手順に従って、6,11-ビス-((トリイソプロピルシリル)エチニル)テトラセン-2-カルボン酸(TIPS-Tet-CA)を新しいリガンドに用いて、不動態化量子ドット(PbS-OA)上でリガンド交換反応を行った。
ここで図5を参照すると、結合したテトラセンリガンド(標識PbS-Tet)を有するPbS量子ドットの正規化吸収スペクトルは、「重なり領域」におけるテトラセンリガンドの吸光度から生じる強い振動を示す。有機色素分子N,N’-ビス(2,6-ジイソプロピルフェニル)-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミドおよび1,3,6,8(2H,7H)-テトラ-オン,2,7-ジシクロヘキシル-ベンゾ[lmn][3,8]フェナントロリン(それぞれ青色またはBおよび緑色またはGと指定)のそれぞれの正規化吸収(細い実線)および発光(細い破線)スペクトルは、PbS/TIPS-Tet-CA量子ドットのテトラセンリガンドの吸光度と良好な重なりを示し、有機色素と量子ドット上のTet-リガンドとの間のFRETの可能性を示唆している。
ポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)および有機染料1,3,6,8(2H,7H)-テトラオン、2,7-ジシクロヘキシルベンゾ[lmn][3,8]フェナントロリンおよびN,N’‐ビス(2,6‐ジイソプロピルフェニル)-3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸ジイミドをトルエンまたはクロロホルムに溶解し、溶液を密封し、一晩攪拌しながら100o℃に加熱した。冷却し、不活性雰囲気に開放した後、室温で撹拌しながらPbS/TIPS-Tet-CA量子ドットを溶液に添加した。30分後、得られた懸濁液をガラス基板上に広げ、溶媒を室温で空気中で乾燥させた。
PbS/TIPS-Tet-CA量子ドット(PbS-Tet膜)を含むPMMAフィルム、PbS/TIPS-Tet-CA量子ドットと1,3,6,8(2H,7H)‐テトラオン、2,7‐ジシクロヘキシルベンゾ[lmn][3,8]-フェナントロリン(PbS-Tet G)を含むPMMAフィルム、及びPbS/TIPS-Tet-CA量子ドットとN,N’-ビス(2,6-ジイソプロピルフェニル)-3,4,9,10-ペリレン-テトラカルボン酸ジイミド(PbS‐Tet Bフィルム)を含むPMMAフィルムの吸光度と発光スペクトルを比較した、光子増倍フィルム(PbS-Tet BGフィルム)の吸光度と発光スペクトルの研究を行った。
光子増倍フィルムの調製(H=SFおよび[(SF)+L])
使用した過剰の6,11-ビス-(((トリイソプロピルシリル)エチニル)テトラセン-2-カルボン酸(TIPS-Tet-CA)が一重項励起子開裂((SF)で示す)のための量子ドット上のリガンドの十分な密度を提供しないことを除いて、実施例1に記載したように、不動態化量子ドット(PbS-OA)上でリガンド交換反応を行った。
封入基板上の光ルミネセンス量子効率(PLQE)測定を積分球中で連続波レーザを用いて520nmと658nmの励起波長で行った。
光子増倍フィルムの調製(H=LM+SFおよび[(SF)+L])
実施例2で得られたPbS/TIPS-Tet-CA量子ドット([(SF)+L])の溶液を、TIPSアントラセン(TIPS-An、LM)およびTIPSテトラセン(TIPS-Tet、SF)の一方または他方または両方を用いて、有機半導体対PbS/TIPS-Tet-CA量子ドットの質量比が5:1になるように作製した。
ここで図9を参照すると、(3つの)コーティングされた基材のそれぞれについて、正規化された吸光度および正規化された発光のプロットが示されている。
光子増倍フィルムの作製(H = LM、SF、L)
実施例1で得られた不動態化量子ドットPbS-OA(L)の第1の溶液を、TIPSアントラセン(TIPS-An、LM)およびTIPSテトラセン(TIPS-Tet、SF)を用いて、TIPS-Tet(SF)とTIPS-An(LM)とPbS-OA(L)との質量比が10対2.5対1となるように調製した。
ここで図10を参照すると、PbS-OA量子ドットに対するものと比較した封入された基板の吸光度スペクトル、およびTIPS-Tet(SF)中に分散されたPbS-OA量子ドット(L)のフィルムを含む基板上のPLQE測定のプロットが示されている。
520nmでのフィルムの励起は19%のPLQE測定(u)を示し、フィルム中のTIPS-Tet(SF)が急速な一重項励起子開裂を受けて三重項励起子を生成することを示す。
色素は一重項励起子開裂材料にエネルギー移動することができるので、光を吸収するための量子ドット上のTetリガンドの比較的厚いコーティングの必要性は少ない。
Claims (34)
- 第1の有機半導体、集光材料、及び発光体を含む光子増倍フィルムであって、
前記集光材料は、光の吸収によって前記集光材料中に形成された励起子状態を第1の有機半導体にエネルギー移動させることができるバンドギャップを有し、前記発光体は、前記第1の有機半導体中に形成された三重項励起子状態を発光体中にエネルギー移動させることができるバンドギャップを有し、前記第1の有機半導体及び前記集光材料の少なくとも1つは、一重項励起子開裂が可能である、該光子増倍フィルム。 - 前記第1の有機半導体、前記発光体及び前記集光材料は、ホスト材料内に設けられている、請求項1に記載のフィルム。
- 前記第1の有機半導体は、連結基によって前記発光体に化学的に結合されており、前記発光体の連結基及びバンドギャップは、前記結合された第1の有機半導体に形成された励起子三重項状態を前記発光体中にエネルギー移動させることができる、請求項1又は2記載のフィルム。
- 前記第1の有機半導体は、一重項励起子開裂が可能であり、前記発光体に結合していない、請求項1又は2に記載のフィルム。
- 前記集光材料は、発光材料により構成され、光の吸収によってその中に形成された励起子状態を前記第1の有機半導体にエネルギー移動させることができる、請求項3又は4に記載のフィルム。
- 前記集光材料は、発光材料、及び一重項励起子開裂が可能な第2の有機半導体を含み、前記発光材料中に形成された励起子状態を第2の有機半導体にエネルギー移動させることができる、請求項3に記載のフィルム。
- 一重項励起子開裂によって第2の有機半導体中に形成された三重項励起子状態を、前記第1の有機半導体にエネルギー移動させることができる、請求項6に記載のフィルム。
- 前記集光材料は、一重項励起子開裂が可能な第2の有機半導体を含み、一重項励起子開裂によって前記第2の有機半導体中に形成された三重項励起子状態を、前記第1の有機半導体にエネルギー移動させることができる、請求項3に記載のフィルム。
- 前記発光材料は、有機染料、有機顔料又は量子ドットのうちの1つ以上を含む、請求項5~7のいずれかに記載のフィルム。
- 前記発光材料は複数の発光実体を含み、各発光実体は任意の他の発光実体に対して異なるバンドギャップを有し、光が前記発光実体のいずれか1つによって吸収され、その中で生成される励起子を前記発光実体から、隣接するより低いバンドギャップを有する発光実体にエネルギー移動させることができる、請求項9に記載のフィルム。
- 前記発光材料は、1.4eV~4.5eVのエネルギー範囲の少なくとも1つのバンドギャップを有する、請求項9又は10に記載のフィルム。
- 前記発光材料は、2.0eV~4.5eVのエネルギー範囲の少なくとも1つのバンドギャップを有する、請求項11に記載のフィルム。
- 前記発光材料は、2.2eV~4.0eVのエネルギー範囲の少なくとも1つのバンドギャップを有する、請求項12に記載のフィルム。
- 前記発光体が、0.6eV~2.0eVの範囲のバンドギャップを有する、請求項1~13のいずれかに記載のフィルム。
- 前記発光体が、0.8eV~1.7eVの範囲のバンドギャップを有する、請求項14に記載のフィルム。
- 前記発光体が、1.0eV~1.5eVの範囲のバンドギャップを有する、請求項15に記載のフィルム。
- 前記第1の有機半導体の三重項エネルギーが、前記発光体のバンドギャップの0.4eV以内である、請求項1~16のいずれかに記載のフィルム。
- 前記第1の有機半導体の三重項エネルギーが、前記発光体のバンドギャップの0.3eV以内である、請求項17に記載のフィルム。
- 前記第1の有機半導体の三重項エネルギーが、前記発光体のバンドギャップの0.2eV以内である、請求項18に記載のフィルム。
- 前記第1の有機半導体が、1.4~4.0eVの範囲のバンドギャップを有する、請求項1~19のいずれかに記載のフィルム。
- 前記第1の有機半導体が、2.0~3.0eVの範囲のバンドギャップを有する、請求項20に記載のフィルム。
- 前記第1の有機半導体が、2.3~2.6eVの範囲のバンドギャップを有する、請求項21に記載のフィルム。
- 前記第1の有機半導体は、アセン、ペリレン、リレン、ジケトピロロピロール、フルオレン、カロテノイドまたはベンゾフラン、フェナジノチアジアゾール、イソインジゴ部分またはイソインジゴ含有分子(例えば、イソインジゴベースのポリマーIIDDT-Me中)、ゼトレン(ジラジカルイド)およびビチオフェン(例えば、テトラシアノメチレンキノイダルビチオフェン)のうちの1つ以上を含む、請求項1~22のいずれかに記載のフィルム。
- 前記第2の有機半導体は、アセン、ペリレン、リレン、ジケトピロロピロール、フルオレン、カロテノイドまたはベンゾフラン、フェナジノチアジアゾール、イソインジゴ部分またはイソインジゴ含有分子(例えば、イソインジゴベースのポリマーIIDDT-Me中)、ゼトレン(ジラジカルイド)およびビチオフェン(例えば、テトラシアノメチレンキノイダルビチオフェン)のうちの1つ以上を含む、請求項6~8のいずれかに記載のフィルム。
- 前記発光体は、有機遷移金属燐光体、熱遅延蛍光体、量子ドット、エミッタ小分子、オリゴマー、デンドリマー、ポリマー、高分子、又は2-D材料である、請求項1~24のいずれかに記載のフィルム。
- 前記量子ドットは、CdSe、CdS、ZnTe、ZnSe、PbS、PbSe、PbTe、HgS、HgSe、HgTe、HgCdTe、CdTe、CZTS、ZnS、CuInS2、CuGaS2、CuInSexS2-x、AgInSe2、CuInGaSe、CuInGaS、シリコン、InAs、InP、InSb、SnS2、CuS、グラフェン、グラフェン酸化物、メタルハライドペロブスカイト、ゲルマニウムおよびFe2S3のうちの1つ以上を含むコア構造を有する、請求項25に記載のフィルム。
- 前記量子ドットは、50nm以下の直径を有する、請求項25又は26に記載のフィルム。
- 前記量子ドットは、20nm以下の直径を有する、請求項27に記載のフィルム。
- 前記量子ドットは、10nm以下の直径を有する、請求項28に記載のフィルム。
- 前記量子ドットは、5nm以下の直径を有する、請求項29に記載のフィルム。
- 前記ホスト材料は、小分子、オリゴマー、ホモポリマー、コポリマー、高分子、デンドリマーまたは有機分子の3Dネットワークから選択される有機材料である、請求項2に記載のフィルム。
- 前記ホスト材料は、ポリブチラール、ポリアミド、ポリウレタン、ポリチオール、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリメチルメタクリレート、エポキシ、ポリカーボネート、ポリオレフィン、EVA、シリコン、炭水化物、タンパク質、核酸および脂質からなる群より選択される、請求項31に記載のフィルム。
- 太陽電池、光検出器、発光ダイオード、電界効果トランジスタ、ディスプレイ、センサ、及び生物学的撮像デバイスからなる群から選択される光電子素子と光通信する、請求項1~32のいずれかに記載の光子増倍フィルムを備える光電子デバイス。
- 光子増倍フィルムを調製するための材料であって、該材料は、第1の有機半導体、集光材料、及び発光体を含み、
前記集光材料は、光の吸収によって前記集光材料中に形成された励起子状態を第1の有機半導体にエネルギー移動させることができるバンドギャップを有し、前記発光体は、前記第1の有機半導体中に形成された三重項励起子状態を発光体中にエネルギー移動させることができるバンドギャップを有し、前記第1の有機半導体及び前記集光材料の少なくとも1つは、一重項励起子開裂が可能であり、懸濁液又は溶液の形態の該材料。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003043382A1 (fr) | 2001-11-15 | 2003-05-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif emettant de la lumiere de couleur |
US20100193011A1 (en) | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Jonathan Mapel | Materials for solar concentrators and devices, methods and system using them |
CN103183971A (zh) | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 财团法人工业技术研究院 | 染料标示型高分子、聚光板及其形成方法、太阳能电池模组及免插电灯具 |
US20140224329A1 (en) | 2012-12-04 | 2014-08-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Devices including organic materials such as singlet fission materials |
JP2015536050A (ja) | 2012-09-26 | 2015-12-17 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | 無機太陽電池の効率を上昇させる励起子のエネルギー伝達 |
JP2017521867A (ja) | 2014-07-15 | 2017-08-03 | ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド | 複合体集光材料およびデバイス |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5331183A (en) * | 1992-08-17 | 1994-07-19 | The Regents Of The University Of California | Conjugated polymer - acceptor heterojunctions; diodes, photodiodes, and photovoltaic cells |
DE4428450A1 (de) * | 1994-08-11 | 1996-02-15 | Philips Patentverwaltung | Organisches, elektrolumineszentes Bauteil |
WO2010078973A1 (en) * | 2009-01-08 | 2010-07-15 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw (Imec) | Triplet excitation scavenging in solid-state organic materials |
EP2699617A1 (en) * | 2011-04-18 | 2014-02-26 | Merck Patent GmbH | Conjugated polymers |
US20130247989A1 (en) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | The Regents Of The University Of California | Inert solution-processable molecular chromophores for organic electronic devices |
GB201211622D0 (en) | 2012-06-29 | 2012-08-15 | Cambridge Entpr Ltd | Photovoltaic device and method of fabricating thereof |
CN105742519B (zh) * | 2013-01-31 | 2017-07-11 | 张哲夫 | 一种电致发光器件 |
ITMI20131295A1 (it) * | 2013-07-31 | 2015-02-01 | Eni Spa | Composti contenenti una unita' pentalenica e procedimento per la loro preparazione |
US10636974B2 (en) * | 2014-04-24 | 2020-04-28 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Molecular compositions, materials, and methods for efficient multiple exciton generation |
US10794771B2 (en) | 2015-02-17 | 2020-10-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Compositions and methods for the downconversion of light |
WO2017095922A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | The Regents Of The University Of California | Complementary conjugated polyelectrolyte complexes as electronic energy relays |
GB201705834D0 (en) | 2017-04-11 | 2017-05-24 | Cambridge Entpr Ltd | Photon multiplier film |
GB2568971A (en) | 2017-12-04 | 2019-06-05 | Cambridge Entpr Ltd | A photon multiplying material |
-
2018
- 2018-06-22 GB GBGB1810291.3A patent/GB201810291D0/en not_active Ceased
-
2019
- 2019-06-21 KR KR1020217001570A patent/KR20210024553A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-06-21 AU AU2019289206A patent/AU2019289206B2/en active Active
- 2019-06-21 US US17/059,767 patent/US11217761B2/en active Active
- 2019-06-21 CN CN201980041893.5A patent/CN112335066A/zh active Pending
- 2019-06-21 JP JP2020570725A patent/JP7164636B2/ja active Active
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- 2019-06-21 EP EP19734154.8A patent/EP3811427A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003043382A1 (fr) | 2001-11-15 | 2003-05-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif emettant de la lumiere de couleur |
US20100193011A1 (en) | 2009-01-22 | 2010-08-05 | Jonathan Mapel | Materials for solar concentrators and devices, methods and system using them |
CN103183971A (zh) | 2011-12-30 | 2013-07-03 | 财团法人工业技术研究院 | 染料标示型高分子、聚光板及其形成方法、太阳能电池模组及免插电灯具 |
JP2015536050A (ja) | 2012-09-26 | 2015-12-17 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | 無機太陽電池の効率を上昇させる励起子のエネルギー伝達 |
US20140224329A1 (en) | 2012-12-04 | 2014-08-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Devices including organic materials such as singlet fission materials |
JP2017521867A (ja) | 2014-07-15 | 2017-08-03 | ケンブリッジ エンタープライズ リミテッド | 複合体集光材料およびデバイス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2019289206A1 (en) | 2020-11-26 |
AU2019289206B2 (en) | 2022-11-24 |
WO2019243839A1 (en) | 2019-12-26 |
US11217761B2 (en) | 2022-01-04 |
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