JP7146584B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

表示装置においては、当該表示装置（表示パネル）が有する表示領域に各種画像が表示される。

このような表示装置が有する表示領域の形状は一般的には矩形状であるが、近年では、矩形状以外の様々な形状の表示領域を有する表示装置が開発されている。

しかしながら、上記した表示領域の形状によっては、当該表示領域の端部（エッジ）においてがたつき等が目立つ場合がある。

特開２０１８－０９１９３７号公報

そこで、本発明が解決しようとする課題は、非矩形状の表示領域の端部におけるがたつきを抑制することが可能な表示装置を提供することにある。

実施形態に係る表示装置は、非矩形状に形成された表示領域に複数の画素が配置された表示パネルと、前記表示領域に画像を表示する表示制御部とを具備する。前記複数の画素の各々は、互いに異なる色彩の波長帯域に対応する光を出力する複数の副画素を含む。前記複数の画素は、画素配列の第１行を構成する複数の第１画素と、当該画素配列において前記第１行と列方向に隣接する第２行を構成する複数の第２画素とを含む。前記複数の第１画素及び前記複数の第２画素は、同一の色彩の波長帯域に対応する光を出力する副画素同士が前記画素配列の列方向において隣接しないように、当該画素配列の列方向に交互に配置されている。前記表示領域の端部に配置された第１及び第２画素に含まれる複数の副画素の開口部の大きさは、隣接する２つの副画素単位で、当該２つの副画素が配置された領域に対して当該領域と重畳する前記表示領域が占める割合に基づいて定められる。

第１実施形態に係る表示装置の構成を概略的に示す斜視図。 表示パネルの回路構成の一例を示す図。 表示パネルの断面構造の一例を示す図。 画素配列の一例について説明するための図。 非矩形状の表示領域について具体的に示す図。 非矩形状の表示領域と非表示領域との境界部分について説明するための図。 表示領域の端部に配置される画素の各々の開口部について説明するための図。 各画素の開口部について具体的に示す図。 第２実施形態における画素配列の一例について説明するための図。 非矩形状の表示領域と非表示領域との境界部分を示す図。 表示領域の端部に配置される画素に含まれる副画素の各々の開口部について説明するための図。 各副画素の開口部について具体的に示す図。 画素単位で開口部の大きさを調整した場合の表示領域の端部を示す図。 ２つの副画素単位で開口部の大きさを調整した場合の表示領域の端部を示す図。 画素配列の別の例を示す図。 画素配列の更に別の例を示す図。

以下、図面を参照して、本発明の各実施形態について説明する。
なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の趣旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有される。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。各図において、連続して配置される同一または類似の要素については符号を省略することがある。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一または類似した機能を発揮する構成要素には、同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る表示装置の構成を概略的に示す斜視図である。図１は、第１方向Ｘと、第１方向Ｘに垂直な第２方向Ｙと、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに垂直な第３方向Ｚによって規定される三次元空間を示している。なお、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙは互いに直交しているが、９０°以外の角度で交差していてもよい。また、図１の説明においては、第３方向Ｚを上と定義し、第３方向Ｚと反対側の方向を下と定義する。「第１部材の上の第２部材」及び「第１部材の下の第２部材」とした場合、第２部材は、第１部材に接していてもよく、第１部材から離れていてもよい。

以下、本実施形態においては、表示装置が液晶層を用いた液晶表示装置であるものとして説明するが、当該表示装置は、有機発光層を用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）表示装置またはＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いたＬＥＤ表示装置等であってもよい。

図１に示す表示装置１０は、表示パネル１１を備える。表示パネル１１は、一例では矩形状である。図示した例では、表示パネル１１の短辺は第１方向Ｘと並行であり、表示パネル１１の長辺は第２方向Ｙと平行である。第３方向Ｚは、表示パネル１１の厚さ方向に相当する。表示パネル１１の主面は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとにより規定されるＸ－Ｙ平面に平行である。

表示パネル１１は、第１基板１１１（アレイ基板）と、当該第１基板１１１に対向配置された第２基板１１２（対向基板）と、第１基板１１１及び第２基板１１２の間に形成された液晶層（図示せず）とを備える。なお、例えば第１基板１１１上には、表示パネル１１を駆動するパネルドライバ（表示制御部）１１３が搭載されている。

また、図１には示されていないが、表示パネル１１は、画像を表示する領域である表示領域を有する。この表示領域には、複数の画素ＰＸが配置（配列）されている。

更に、表示パネル１１の外部には例えばホスト装置ＨＯＳが設けられ、当該ホスト装置ＨＯＳは、フレキシブル配線基板ＦＰＣ１及びパネルドライバ１１３を介して、表示パネル１１に接続されている。

パネルドライバ１１３は、例えばホスト装置ＨＯＳから出力される画像信号を入力し、当該画像信号に基づいて上記した複数の画素ＰＸを駆動することによって、表示パネル１１に画像を表示することができる。

第１基板１１１の下側（つまり、表示パネル１１の背面側）には、例えば表示パネル１１に対して白色光を照射するバックライトユニット１２（照明具）が配置されている。フレキシブル配線基板ＦＰＣ２は、バックライトユニット１２とホスト装置ＨＯＳとを接続する。バックライトユニット１２としては種々の形態のものが利用可能であり、光源としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）を利用したもの及び冷陰極管（ＣＣＦＬ）を利用したもの等がある。

ここでは、表示パネル１１の背面側に配置されるバックライトユニット１２を使用する場合について説明したが、当該表示パネル１１の表示面側に配置されるフロントライトが使用されても構わない。また、バックライトユニット１２の代わりに、導光板とそのサイドに配置されるＬＥＤまたは冷陰極管を用いた照明具が使用されてもよいし、発光素子を平面的に配列した点状光源を用いた照明具が使用されてもよい。なお、表示装置１０が有機ＥＬ表示装置またはＬＥＤ表示装置である場合には、表示装置１０はバックライトユニット１２に相当する照明具を備えない構成であってもよい。

また、本実施形態における表示パネル１１は、透過型、反射型、半透過型のいずれであってもよい。透過型の表示パネル１１が適用された表示装置１０は、上記したように第１基板１１１の背面側にバックライトユニット１２を備え、当該バックライトユニット１２からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を有している。反射型の表示パネル１１が適用される表示装置１０は、光を反射する反射層を液晶層より表示パネル１１の背面側に有し、第２基板１１２の前面側（表示面側）からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を有している。なお、反射型の表示パネル１１の前面側には、補助光源が備えられてもよい。また、反射層は、金属等の反射機能を有する材料で液晶層より表示パネル１１の背面側にある電極を形成するように構成されていてもよい。半透過型の表示パネル１１が適用される表示装置１０は、上記した透過表示機能及び反射表示機能を有している。

図２は、図１に示す表示パネル１１の回路構成の一例を示す。図２に示すように、表示パネル１１は、走査線駆動部２１、データ信号線駆動部２２及び電源線駆動部２３を備える。

ここで、上記したように表示パネル１１（表示領域ＤＡ）には、複数の画素ＰＸが配置されている。図２においては、便宜的に、複数の画素ＰＸのうちの１つのみが示されている。同様に、図２においては、便宜的に、１つの画素ＰＸが配置されている表示領域ＤＡの一部のみが示されている。なお、本実施形態における複数の画素ＰＸの配置（画素配列）及び表示領域ＤＡの詳細については後述する。

本実施形態において、画素ＰＸは、例えば４つの副画素（サブピクセル）ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含む。副画素ＳＲは、赤色の波長帯域に対応する光（赤色成分の光）を出力する副画素である。副画素ＳＧは、緑色の波長帯域に対応する光（緑色成分の光）を出力する副画素である。副画素ＳＢは、青色の波長帯域に対応する光（青色成分の光）を出力する副画素である。副画素ＳＷは、白色の波長帯域に対応する光（白色成分の光）を出力する副画素である。なお、画素ＰＸにおいて、副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷは、例えば行方向（第２方向Ｙ）に並べて配置されている。

また、表示パネル１１には、複数の画素ＰＸの行方向に沿って延伸する複数の走査線ＷＳＬと、当該複数の走査線ＷＳＬと並行して延伸する複数の電源線ＤＳＬと、当該複数の画素ＰＸの列方向（第１方向Ｘ）に沿って延伸する複数のデータ信号線ＳＧＬとが更に配置されている。走査線ＷＳＬの一端は、走査線駆動部２１に接続される。データ信号線ＳＧＬの一端は、データ信号線駆動部２２に接続される。電源線ＤＳＬの一端は、電源線駆動部２３に接続される。

上記した各副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷは、走査線ＷＳＬとデータ信号線ＳＧＬの交点に配置されている。

ここで、副画素ＳＲの構成について説明する。図２に示すように、副画素ＳＲは、画素スイッチＳＷを備える。画素スイッチＳＷは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を含む。画素スイッチＳＷのゲート電極は、対応する走査線ＳＷＬと電気的に接続されている。画素スイッチＳＷのソース電極及びドレイン電極の一方は、対応する信号線ＳＧＬと電気的に接続されている。画素スイッチＳＷのソース電極及びドレイン電極の他方は、対応する画素電極ＰＥと接続されている。

なお、走査線駆動部２１は、走査線ＷＳＬにオン電圧を印加して、当該走査線ＷＳＬに電気的に接続された画素スイッチＳＷのゲート電極にオン電圧を供給する。これによれば、ゲート電極にオン電圧が供給された画素スイッチＳＷのソース電極－ドレイン電極間が導通する。

データ信号線駆動部２２は、信号線ＳＧＬのそれぞれに対応する出力信号（画像信号）を供給する。信号線ＳＧＬに供給された信号は、ソース電極－ドレイン電極間が導通した画素スイッチＳＷを介して、対応する画素電極ＰＥに印加される。

電源線駆動部２３は、共通電極ＣＯＭＥに駆動信号を供給する（駆動電圧を印加する）。上記した画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＯＭＥは、絶縁膜を介して対向配置されている。画素電極ＰＥ、共通電極ＣＯＭＥ及び絶縁膜は、保持容量ＣＳを形成する。

ここでは副画素ＳＲについて説明したが、他の副画素ＳＧ、ＳＢ及びＳＷについても同様の構成である。

なお、走査線駆動部２１、データ信号線駆動部２２及び電源線駆動部２３は、表示パネル１１の周囲の領域（額縁）に配置され、上記したパネルドライバ１１３によって制御される。図示されていないが、パネルドライバ１１３は、バックライトユニット１２の動作も制御する。

図２においては１つの走査線駆動部２１のみが示されているが、表示パネル１１は、複数の走査線駆動部２１を備える構成であってもよい。例えば２つの走査線駆動部２１を備える場合、複数の走査線ＷＳＬのうちの一部が一方の走査線駆動部２１に接続され、残りが他方の走査線駆動部２１に接続されるように構成することができる。なお、２つの走査線駆動部２１を備える場合、当該走査線駆動部２１は、複数の画素ＰＸを挟んで対向するように配置される。

図２においては比較的簡易な回路構成（画素回路）について説明したが、本実施形態における表示パネル１１は、他の回路構成を有していてもよい。

図３は、表示パネル１１の断面構造の一例を示す。図３においては、便宜的に、１つの画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの第２方向Ｙに沿う断面（つまり、表示パネル１１の断面の一部）のみを示している。

第１基板１１１は、光透過性を有するガラス基板または樹脂基板等の第１絶縁基板３１を備えている。また、第１基板１１１は、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＯＭＥ、第１絶縁層３２、第２絶縁層３３及び第１配向膜３４を備えている。

スイッチング素子ＳＷは、副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷにそれぞれ配置されている。スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板３１の第２基板１１２と対向する面に設けられて、第１絶縁層３２によって覆われている。

なお、図３においては、走査線ＷＳＬ、電源線ＤＳＬ及びデータ信号線ＳＧＬ等については省略されている。また、図３においては、スイッチング素子ＳＷは簡略化して示されている。具体的には、第１絶縁層３２は複数の層を含んでおり、スイッチング素子ＳＷは当該複数の層に形成された半導体層及び各種電極を含む。

図３に示す例において、画素電極ＰＥは副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷに対して１つずつ設けられており、共通電極ＣＯＭＥは副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷに亘って設けられている。共通電極ＣＯＭＥは、第１絶縁層３２の上に形成されている。図３に示すように、共通電極ＣＯＭＥは、各画素電極ＰＥに対向する位置において開口するように形成されている。共通電極ＣＯＭＥは、第２絶縁層３３によって覆われている。

画素電極ＰＥは、第２絶縁層３３の上に形成され、共通電極ＣＯＭＥと対向している。各画素電極ＰＥは、それぞれ副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷのスイッチング素子ＳＷと電気的に接続されている。画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＯＭＥは、例えばインジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）等の透明な導電材料で形成することができる。

第１配向膜３４は、画素電極ＰＥを覆い、液晶層ＬＣと接している。第１配向膜３４には、ラビング処理または光配向処理等の配向処理が施されている。

一方、第２基板１１２は、光透過性を有するガラス基板または樹脂基板等の第２絶縁基板４１を備えている。

また、第２基板１１２は、副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々に対応する位置にフィルタ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ及び４２Ｗを備えている。フィルタ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ及び４２Ｗは、第２絶縁基板４１の第１基板１１１と対向する面に設けられている。

なお、副画素ＳＲは赤色の波長帯域に対応する光を出力する（つまり、赤色を表示する）副画素であるため、フィルタ層４２Ｒは、赤色のカラーフィルタを含む。副画素ＳＧは緑色の波長帯域に対応する光を出力する（つまり、緑色を表示する）副画素であるため、フィルタ層４２Ｇは、緑色のカラーフィルタを含む。副画素ＳＢは青色の波長帯域に対応する光を出力する（つまり、青色を表示する）副画素であるため、フィルタ層４２Ｂは、青色のカラーフィルタを含む。なお、副画素ＳＷは白色の波長帯域に対応する光を出力する（つまり、白色を表示する）副画素であるため、フィルタ層４２Ｗは、例えば透明のフィルタ等であればよい。

更に、第２基板１１２は、遮光層（ブラックマトリクス）４３、オーバーコート層４４及び第２配向膜４５を備えている。

遮光層４３は、上記した第１基板１１１及び第２基板１１２に垂直な方向からの平面視において、副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの境界に配置されている。具体的には、遮光層４３は、上記した走査線ＷＳＬ、電源線ＤＳＬ及びデータ信号線ＳＧＬと重畳し、各副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを区画するように配置されている。

表示装置１０においては、各画素ＰＸ（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の遮光層４３と重畳していない部分（開口部）から光が出力されることによって各種画像が表示される。なお、例えば表示領域ＤＡ以外の領域（以下、非表示領域と表記）に画素ＰＸが配置されている場合には、当該画素ＰＸと重畳する位置に遮光層４３を配置することによって表示領域ＤＡを形成することができる。

オーバーコート層４４は、フィルタ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ及び４２Ｗを覆うとともに、当該フィルタ層４２Ｒ、４２Ｇ、４２Ｂ及び４２Ｗの表面を平坦化している。

第２配向膜４５は、オーバーコート層４４を覆っており、液晶層ＬＣと接している。第２配向膜４５には、第１配向膜３４と同様に、ラビング処理または光配向処理等の配向処理が施されている。

なお、第１絶縁基板３１の第２基板１１２と対向する側とは反対側の面には、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、第２絶縁基板４１の第１基板１１１と対向する側とは反対側の面には、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。第１偏光板ＰＬ１の第１偏光軸（または第１吸収軸）と第２偏光板ＰＬ２の第２偏光軸（または第２吸収軸）とは、互いに直交するクロスニコルの関係にある。

ここで、図４を参照して、本実施形態における画素配列について説明する。図４は、本実施形態において表示パネル１１に配置されている複数の画素ＰＸの配列を簡易的に示している。

本実施形態において、表示パネル１１に配置されている画素ＰＸの各々は、上記したように複数の副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含む。なお、図４においてマトリクス状に配置されている各ブロックは、それぞれ各画素ＰＸに含まれる副画素を表している。また、「Ｒ」と表記されているブロックは副画素ＳＲを表し、「Ｇ」と表記されているブロックは副画素ＳＧを表し、「Ｂ」と表記されているブロックは副画素ＳＢを表し、「Ｗ」と表記されているブロックは副画素ＳＷを表している。以下の図面についても同様である。

本実施形態における画素配列では、例えば行方向に並べられた副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含む複数の画素ＰＸが行方向に並べて配置されるとともに、このような複数の画素ＰＸから構成される行が列方向に並べて配置される。

また、図４に示すように、本実施形態における画素配列においては、副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷがそれぞれ列方向にストライプ形状を形成するように複数の画素ＰＸ（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）が配置されている。換言すれば、画素配列の各行を構成する複数の画素ＰＸは、同一の色彩の波長帯域に対応する光を出力する副画素同士が列方向において隣接するように配置されている。

なお、上記したように各画素ＰＸが副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含む構成によれば、例えば各画素ＰＸが副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢを含む構成と比較して、光が透過する面積が大きくなることにより明度を向上させることができるため、例えばバックライトユニット１２の消費電力を抑制することが可能となる。

ここで、上記した表示領域ＤＡの形状は一般的には矩形状であるが、本実施形態において、表示領域ＤＡは非矩形状に形成されているものとする。具体的には、図５に示すように、例えば表示パネル１１の角部等において表示領域ＤＡが丸みを帯びた形状（ラウンド形状）となるように形成されている場合を想定する。

なお、本実施形態における表示領域ＤＡは、非矩形状であればよい。すなわち、表示領域ＤＡは、図５に示すように一部がラウンド形状となるように形成されたもの以外に、例えば全体として円形状となるように形成されたものであってもよいし、上記した画素配列における行方向または列方向と直交または平行する方向以外に延伸する辺を有する形状に形成されたものであってもよい。

ここで、上記した図４に示す画素配列において例えば図６に示す非矩形状の表示領域ＤＡを形成するために、複数の画素ＰＸ（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の非表示領域ＮＤＡと重畳する位置に遮光層４３を設ける（つまり、非表示領域ＮＤＡに該当する部分を遮光層４３で覆う）構成を想定する。なお、図６は、複数の画素ＰＸが配置されている領域のうち表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとの境界部分の一部を拡大した図である。

このような構成の場合、例えば図６に示す画素ＰＸ１においては、副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷのうちの副画素ＳＲと副画素ＳＧの一部とが遮光層４３で覆われるのに対し、副画素ＳＧの他の部分と副画素ＳＢ及びＳＷとは遮光層４３で覆われない。このような画素ＰＸ１において例えば白色を表示する場合、当該画素ＰＸ１においては少なくとも赤色成分及び緑色成分が不足するため、当該画素ＰＸ１において表示すべき適切な色彩を表示することができない。すなわち、表示領域ＤＡを形成するために単に非表示領域ＮＤＡと重畳する位置に遮光層４３を設ける構成では、表示領域ＤＡの端部において偏った色合いが視認される現象（以下、色づきと表記）が生じる。

一方、上記した色づきを回避するために、例えば画素ＰＸ１（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の全ての領域に遮光層４３を設ける構成も考えられるが、このような構成によれば、表示領域ＤＡの端部においてがたつきが目立つ。

そこで、本実施形態においては、表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸの各々の開口部を当該表示領域ＤＡの形状に応じた大きさに形成するものとする。なお、本実施形態において、画素ＰＸ（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の開口部とは、当該画素ＰＸの遮光層４３と重畳していない部分（領域）であり、当該画素ＰＸから出力される光を視認可能な部分をいう。また、例えば画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷのうちの少なくとも１つ（例えば、副画素ＳＷ）の面積が他の副画素と異なる場合があるが、そのような場合において「画素ＰＸ（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の開口部を表示領域ＤＡの形状に応じた大きさに形成する」とは、当該開口部を表示領域ＤＡの形状に応じた面積比で遮光することを含むものとする。

以下、図７を参照して、本実施形態において上記した図６に示す表示領域ＤＡを実現する際の当該表示領域ＤＡの端部に配置される画素ＰＸ（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の各々の開口部について説明する。

ここで、図７には画素ＰＸ１～ＰＸ５が示されているが、当該画素ＰＸ１～ＰＸ５の各々に含まれる各副画素を表すブロック内に表記されているＬ０～Ｌ４は、それぞれ当該副画素の開口率を示している。なお、副画素の開口率は、例えば当該副画素の開口部の最大の大きさに対する当該副画素の開口部の大きさの割合であり、当該開口部の大きさを表現するために用いられる。

具体的には、Ｌ０は、当該Ｌ０が表記されているブロックが表す副画素の開口率が０％であることを示す。換言すれば、Ｌ０は、当該Ｌ０が表記されているブロックが表す副画素の全ての領域から画像を表示するための光が出力されないように、当該副画素と重畳する位置に遮光層４３が設けられていることを示している。

Ｌ１は、当該Ｌ１が表記されているブロックが表す副画素の開口率が２５％であることを示す。換言すれば、Ｌ１は、当該Ｌ１が表記されているブロックが表す副画素の領域のうちの２５％の領域から画像を表示するための光が出力されるように、当該副画素の７５％の領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられていることを示している。

Ｌ２は、当該Ｌ２が表記されているブロックが表す副画素の開口率が５０％であることを示す。換言すれば、Ｌ２は、当該Ｌ２が表記されているブロックが表す副画素の領域のうちの５０％の領域から画像を表示するための光が出力されるように、当該副画素の５０％の領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられていることを示している。

Ｌ３は、当該Ｌ３が表記されているブロックが表す副画素の開口率が７５％であることを示す。換言すれば、Ｌ３は、当該Ｌ３が表記されているブロックが表す副画素の領域のうちの７５％の領域から画像を表示するための光が出力されるように、当該副画素の２５％の領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられていることを示している。

Ｌ４は、当該Ｌ４が表記されているブロックが表す副画素の開口率が１００％であることを示す。換言すれば、Ｌ４は、当該Ｌ４が表記されているブロックが表す副画素の全ての領域から画像を表示するための光が出力されるように、当該副画素と重畳する位置には必要最低限の遮光層４３（つまり、当該副画素と周辺の他の副画素とを区画するための遮光層４３）のみが設けられていることを示している。

なお、図７に示す例では、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ３が表記されている。これによれば、画素ＰＸ１の開口率が７５％であることが示されている。

また、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ２が表記されている。これによれば、画素ＰＸ２の開口率が５０％であることが示されている。

更に、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ１が表記されている。これによれば、画素ＰＸ３の開口率が２５％であることが示されている。

同様に、画素ＰＸ４に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ１が表記されている。これによれば、画素ＰＸ４の開口率が２５％であることが示されている。

更に、画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ０が表記されている。これによれば、画素ＰＸ５の開口率は０％であることが示されている。

このように本実施形態においては、画素ＰＸ単位で開口率が定められており、同一の画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷはそれぞれ開口率（開口部の大きさ）が同一となるように形成されている。

また、図７に示す画素ＰＸ１～ＰＸ５の右側に隣接する画素ＰＸ（すなわち、表示領域ＤＡの端部以外に配置されている画素ＰＸ）の開口率はそれぞれ１００％（Ｌ４）である。すなわち、本実施形態において、表示領域ＤＡの端部に配置される画素ＰＸの各々の開口部の大きさは、当該端部以外の表示領域ＤＡに配置された画素ＰＸの各々の開口部の大きさ以下となるように設計されている。

ここで、本実施形態においては、表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸ１～ＰＸ５の各々の開口部が当該表示領域ＤＡの形状（輪郭）に応じた大きさとなるように、当該画素ＰＸ１～ＰＸ５と重畳する位置に遮光層４３が設けられる（実装される）が、当該開口部の大きさ（つまり、開口率）は例えば以下のように定められるものとする。

まず、上記した図６に示すように複数の画素ＰＸが配置された領域を表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとに分割した場合において、各画素ＰＸの領域に対して当該領域と重畳する表示領域ＤＡが占める割合（以下、画素ＰＸの表示領域率と表記）を特定する。

このように特定された画素ＰＸの表示領域率が例えば０％～１２．５％の場合は、当該画素ＰＸの開口率を０％（つまり、Ｌ０）と定める。

画素ＰＸの表示領域率が例えば１２．５％～３７．５％の場合は、当該画素ＰＸの開口率を２５％（つまり、Ｌ１）と定める。

画素ＰＸの表示領域率が例えば３７．５％～６２．５％の場合は、当該画素ＰＸの開口率を５０％（つまり、Ｌ２）と定める。

画素ＰＸの表示領域率が例えば６２．５％～８７．５％の場合は、当該画素ＰＸの開口率を７５％（つまり、Ｌ３）と定める。

画素ＰＸの表示領域率が例えば８７．５％～１００％の場合は、当該画素ＰＸの開口率を１００％（つまり、Ｌ４）と定める。

具体的には、複数の画素ＰＸが配置された領域を図６に示す表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとに分割した場合、画素ＰＸ１の表示領域率は６２．５％～８７．５％に該当する。このため、画素ＰＸ１の開口率は７５％（Ｌ３）と定められている。

また、画素ＰＸ２の表示領域率は３７．５％～６２．５％に該当するため、当該画素ＰＸ２の開口率は５０％（Ｌ２）と定められている。同様に、画素ＰＸ３及びＰＸ４の表示領域率は１２．５％～３７．５％に該当するため、当該画素ＰＸ３及びＰＸ４の開口率は２５％（Ｌ１）と定められている。更に、画素ＰＸ５の表示領域率は０％～１２．５％に該当するため、当該画素ＰＸ５の開口率は０％（Ｌ０）と定められている。

上記したように本実施形態においては、表示領域ＤＡの形状（輪郭）に応じて当該表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸの各々の開口部の大きさ（開口率）を定めることにより、当該定められた開口部の大きさとなるように当該画素ＰＸと重畳する位置に遮光層４３を実装する（つまり、当該開口部を形成する）ことができる。

なお、上記した表示領域率と開口率との対応関係は一例であり、例えば表示領域率が０％～３３．３％の場合には開口率を０％とし、表示領域率が３３．３％～６６．７％の場合には開口率を５０％とし、表示領域率が６６．７％～１００％の場合には開口率を１００％としてもよい。すなわち、表示領域率と開口率との対応関係は、適宜、変更されても構わない。また、表示領域率と開口率との対応関係は、例えば表示装置１０の性能（例えば、画素数または画素配列等）に応じて定められてもよい。

また、本実施形態においては上記したように各画素ＰＸの表示領域率に基づいて当該画素ＰＸの開口率が定められるものとして説明したが、例えば当該画素ＰＸの非表示領域率（つまり、当該画素ＰＸの領域に対して当該領域と重畳する非表示領域ＮＤＡが占める割合）に基づいて当該画素ＰＸの開口率が定められてもよい。

更に、各画素ＰＸの開口率は、上記した表示領域率及び非表示領域率以外の観点から定められたものであってもよい。

ここで、図８は、図７において説明した各画素ＰＸ１～ＰＸ５の開口率に従って形成された当該各画素ＰＸ１～ＰＸ５の開口部について具体的に示している。なお、図８において、斜線が施されている部分が遮光層４３が設けられた部分を示しており、当該遮光層４３が設けられていない部分が各画素ＰＸ１～ＰＸ５（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の開口部に相当する。なお、上記したように各副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを区画する位置には遮光層４３が設けられているが、当該各副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを区画するための遮光層４３については、図８では省略されている。

図８に示すように、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの開口率がそれぞれ７５％となるように遮光層４３が設けられている。なお、図８に示す例では、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々の上下１２．５％ずつの領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられることによって、当該画素ＰＸ１の開口率（７５％）が実現されている。

また、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの開口率がそれぞれ５０％となるように遮光層４３が設けられている。なお、図８に示す例では、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々の上下２５％ずつの領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられることによって、当該画素ＰＸ２の開口率（５０％）が実現されている。

更に、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの開口率がそれぞれ２５％となるように遮光層４３が設けられている。なお、図８に示す例では、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々の上下３７．５％ずつの領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられることによって、当該画素ＰＸ３の開口率（２５％）が実現されている。画素ＰＸ４についても同様である。

また、画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの開口率がそれぞれ０％となるように遮光層４３が設けられている。なお、画素ＰＸ５の開口率（０％）は、画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの全ての領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられることによって実現されている。

なお、図８に示す例では副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの上下の領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられるものとして説明したが、遮光層４３は、各副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの左右の領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられていてもよい。また、遮光層４３は、各副画素と当該副画素に隣接する周辺の副画素との境界部分に沿うように（つまり、開口部を囲うように）設けられてもよい。すなわち、本実施形態においては、上記した画素ＰＸ（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の開口率を実現可能であれば、遮光層４３が図８に示す例とは異なる位置に異なる形状で設けられていてもよい。

上記したように本実施形態において、非矩形状に形成された表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸの各々の開口部は、当該表示領域ＤＡの形状に応じた大きさに形成される（面積比で遮光される）。本実施形態においては、このような構成により、例えば全ての画素ＰＸの開口部の大きさを同一とする構成と比較して、非矩形状の表示領域ＤＡの端部におけるがたつきを抑制することが可能となる。

また、本実施形態において、表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸの各々の開口部の大きさは、当該端部以外の表示領域ＤＡに配置された画素の各々の開口部の大きさ以下となるように構成される。このような構成によれば、表示領域ＤＡの端部以外の領域においては明度を確保することができるとともに、当該表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとの境界部分を滑らかに表現することができる。

なお、本実施形態においては、画素ＰＸと重畳する位置に遮光層４３を設けることによって、表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸの各々の開口部を当該表示領域ＤＡの形状に応じた大きさとなるように形成することができる。

また、例えば表示領域ＤＡの形状に応じて図６に示すように遮光層４３を設けた場合には当該表示領域ＤＡの端部において色づきが発生するが、本実施形態において、同一の画素ＰＸに含まれる複数の副画素（例えば、副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の各々の開口部は、同一の大きさとなるように形成される。すなわち、本実施形態においては、このように画素単位で開口部の大きさを定める構成により、画素ＰＸに含まれる副画素の各々の開口部の面積比のバランスを維持する（つまり、画素ＰＸにおいて一部の色成分が不足することを避ける）ことが可能となり、上記した色づきの発生を回避することが可能となる。

なお、本実施形態においては同一の画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々の開口部が同一の大きさとなるように形成される（つまり、画素単位で開口部の大きさを調整する）ものとして説明したが、上記した色づきは例えば副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢで表示される色成分のうちの少なくとも１つが不足することによって発生する。このため、画素ＰＸが副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含む場合においては、例えば当該副画素ＳＷ以外の副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢの開口部を同一の大きさとする構成としてもよい。

また、本実施形態においては複数の画素ＰＸの各々が副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含むものとして説明したが、当該複数の画素ＰＸの各々は、副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢを含む構成であってもよい。このような構成の場合であっても、画素単位で開口部の大きさを調整する（つまり、副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢの開口部が同一の大きさとなるように形成する）ことによって色づきの発生を回避することが可能となる。

また、本実施形態は、複数の画素ＰＸの各々に含まれる副画素ＳＷに代えて例えば黄色の波長帯域に対応する光を出力する副画素を含む構成に対して適用されてもよい。

更に、本実施形態においては表示パネル１１が図４に示す画素配列を有するものとして説明したが、当該画素配列の行または列の向きは異なっていてもよいし、当該行と列とが入れ替えられた画素配列としてもよい。

また、本実施形態においては表示パネル１１の形状が矩形状であるものとして説明したが、当該表示パネル１１は、例えば表示領域ＤＡの形状（非矩形状）に応じた形状を有するものであってもよい。

また、本実施形態においては例えば非表示領域ＮＤＡにも画素ＰＸが配置され、当該画素ＰＸと重畳する位置には遮光層４３が設けられるものとして説明したが、画素ＰＸは表示領域ＤＡにのみ配置され、当該表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸの開口部が本実施形態において説明したように形成される構成であってもよい。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態について説明する。なお、本実施形態に係る表示装置の構成等については、前述した第１の実施形態と同様であるため、適宜、図１～図３等を用いて説明する。

ここで、前述した第１実施形態においては表示パネル１１が図４に示す画素配列を有するものとして説明したが、本実施形態においては、当該表示パネル１１が有する画素配列が前述した第１実施形態とは異なる。

まず、図９を参照して、本実施形態における画素配列について説明する。図９は、本実施形態において表示パネル１１に配置されている複数の画素ＰＸの配列を簡易的に示している。

なお、本実施形態において、表示パネル１１に配置されている画素ＰＸの各々は、上記した第１実施形態と同様に、複数の副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含む。また、図９においてマトリクス状に配置されている各ブロックは、それぞれ各画素ＰＸに含まれる副画素を表している。なお、「Ｒ」と表記されているブロックが副画素ＳＲを表し、「Ｇ」と表記されているブロックが副画素ＳＧを表し、「Ｂ」と表記されているブロックが副画素ＳＢを表し、「Ｗ」と表記されているブロックが副画素ＳＷを表している点については、前述した図４と同様である。

ここで、本実施形態における画素配列の奇数行（例えば、１行目等）は、図９に示すように、行方向に並べられた複数の副画素を含む複数の画素ＰＸが行方向に配置されて構成される。同様に、本実施形態における画素配列の偶数行（例えば、２行目等）は、行方向に並べられた複数の副画素を含む複数の画素ＰＸが行方向に配置されて構成される。表示パネル１１には、このような奇数行を構成する複数の画素ＰＸ（以下、奇数行の画素ＰＸと表記）及び偶数行を構成する複数の画素ＰＸ（以下、偶数行の画素ＰＸと表記）が列方向に交互に配置されている。

また、本実施形態において、奇数行の画素ＰＸ及び偶数行の画素ＰＸは、例えば同一の色彩の波長帯域に対応する光を出力する（つまり、同一の色彩を表示する）副画素同士が画素配列の列方向において隣接しないように配置されている。

このような画素配列によれば、例えば同一の色彩の波長帯域に対応する光を出力する副画素同士が列方向において隣接するように奇数行の画素ＰＸと偶数行の画素ＰＸとが配列された場合（つまり、前述した図４に示す画素配列）と比較して、解像度を向上させることができるという利点がある。

なお、本実施形態において、画素配列の奇数行の画素ＰＸは当該画素配列の行方向に副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含み、当該画素配列の偶数行の画素ＰＸは当該画素配列の行方向に副画素ＳＢ、ＳＷ、ＳＲ及びＳＧを含むものとして説明する。すなわち、図９に示す画素配列において、奇数行の画素ＰＸ及び偶数行の画素ＰＸは、当該奇数行の画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲと偶数行の画素ＰＸに含まれる副画素ＳＢとが列方向において隣接するように配置されている。

ここで、上記した図９に示す画素配列において例えば図１０に示す非矩形状の表示領域ＤＡを形成するために、複数の画素ＰＸ（副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ）の非表示領域ＮＤＡと重畳する位置に遮光層４３を設ける（つまり、非表示領域ＮＤＡに該当する部分を遮光層４３で覆う）構成を想定する。このような構成の場合には、前述した図６において説明したように表示領域ＤＡの端部において色づきが生じる。

そこで、本実施形態においては、前述した第１実施形態と同様に、表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸの各々の開口部（当該画素ＰＸの遮光層４３と重畳していない部分）を当該表示領域ＤＡの形状に応じた大きさに形成する（面積比で遮光する）ものとする。

なお、前述した第１実施形態においては画素単位で開口部の大きさを調整する（つまり、同一の画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々の開口部が同一の大きさとなるように形成される）ものとして説明したが、本実施形態においては、表示領域ＤＡの端部に配置されている画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷのうちの一部の副画素（第１副画素）の開口部と他の副画素（第２副画素）の開口部とがそれぞれ表示領域ＤＡの形状に応じた大きさに形成されるものとする。具体的には、本実施形態においては、画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷのうちの２つの副画素単位で開口部の大きさを調整するものとする。

以下、図１１を参照して、本実施形態において上記した図１０に示す表示領域ＤＡを実現する際の当該表示領域ＤＡの端部に配置される画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの各々の開口部について説明する。

なお、図１１において各副画素を表すブロック内に表記されているＬ０～Ｌ４は、前述した図７において各副画素を表すブロック内に表記されているＬ０～Ｌ４と同様であり、それぞれ当該副画素の開口率を示している。

ここで、表示領域ＤＡの端部に図１１に示す画素ＰＸ１～ＰＸ５が配置されているものとすると、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々を表すブロックにはＬ１が表記されており、当該画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ４が表記されている。これによれば、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々の開口率が２５％であり、当該画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々の開口率が１００％であることが示されている。

また、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ０が表記されており、当該画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々を表すブロックにはＬ３が表記されている。これによれば、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々の開口率が０％であり、当該画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの開口率が７５％であることが示されている。

更に、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々を表すブロックにはＬ０が表記されており、当該画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ２が表記されている。これによれば、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々の開口率が０％であり、当該画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々の開口率が５０％であることが示されている。

同様に、画素ＰＸ４に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ０が表記されており、当該画素ＰＸ４に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々を表すブロックにはＬ１が表記されている。これによれば、画素ＰＸ４に含まれるＳＢ及びＳＷの各々の開口率が０％であり、当該画素ＰＸ４に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々の開口率が２５％であることが示されている。

更に、画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々を表すブロックにはＬ０が表記されており、当該画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々を表すブロックにはＬ０が表記されている。これによれば、画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々の開口率が０％（Ｌ０）であり、当該画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々の開口率が０％であることが示されている。

このように本実施形態においては、２つの副画素（副画素ＳＲ及びＳＧと副画素ＳＢ及びＳＷ）単位で開口率が定められている。すなわち、各画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ及びＳＧはそれぞれ開口率（開口部の大きさ）が同一となるように形成されており、各画素ＰＸに含まれる副画素ＳＢ及びＳＷはそれぞれ開口率（開口部の大きさ）が同一となるように形成されている。

なお、図１１に示す画素ＰＸ１～ＰＸ５の右側に隣接する画素ＰＸ（すなわち、表示領域ＤＡの端部以外に配置されている画素ＰＸ）の開口率はそれぞれ１００％（Ｌ４）である。

また、本実施形態においては、表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸ１～ＰＸ５の各々の開口部が当該表示領域ＤＡの形状（輪郭）に応じた大きさとなるように、当該画素ＰＸ１～ＰＸ５と重畳する位置に遮光層４３が設けられる（実装される）が、当該開口部の大きさ（つまり、開口率）は例えば以下のように定められるものとする。

まず、上記した図１０に示すように複数の画素ＰＸが配置された領域を表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとに分割した場合において、各画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの領域に対して当該領域と重畳する表示領域ＤＡが占める割合（以下、副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率と表記）を特定する。

このように特定された副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率が例えば０％～１２．５％の場合は、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率を０％（つまり、Ｌ０）と定める。

副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率が例えば１２．５％～３７．５％の場合は、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率を２５％（つまり、Ｌ１）と定める。

副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率が例えば３７．５％～６２．５％の場合は、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率を５０％（つまり、Ｌ２）と定める。

副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率が例えば６２．５％～８７．５％の場合は、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率を７５％（つまり、Ｌ３）と定める。

副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率が例えば８７．５％～１００％の場合は、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率を１００％（つまり、Ｌ４）と定める。

ここでは、各画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの開口率について説明したが、当該各画素ＰＸに含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの開口率についても同様に定められる。

具体的には、複数の画素ＰＸが配置された領域を図１０に示す表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとに分割した場合、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率は１２．５％～３７．５％に該当する。このため、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの開口率は２５％（Ｌ１）と定められている。一方、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの表示領域率は１００％に該当するため、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率は１００％（Ｌ４）と定められている。

また、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの表示領域率は０％～１２．５％に該当するため、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率は０％（Ｌ０）と定められている。一方、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率は６２．５％～８７．５％に該当するため、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率は７５％（Ｌ３）と定められている。

更に、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率は０％～１２．５％に該当するため、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率は０％（Ｌ０）と定められている。一方、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの表示領域率は３７．５％～６２．５％に該当するため、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率は５０％（Ｌ２）と定められている。

また、画素ＰＸ４に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの表示領域率は０％～１２．５％に該当するため、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率は０％（Ｌ０）と定められている。一方、画素ＰＸ４に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率は１２．５％～３７．５％に該当するため、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率は２５％（Ｌ１）と定められている。

更に、画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率は０％～１２．５％に該当するため、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率は０％（Ｌ０）と定められている。一方、画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの表示領域率は０％～１２．５％に該当するため、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率は０％と定められている。

すなわち、本実施形態においては、表示領域ＤＡの形状（輪郭）に応じて当該表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸの各々に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの開口部の大きさ（開口率）と副画素ＳＢ及びＳＷの開口部の大きさ（開口率）とを定めることにより、当該定められた開口部の大きさとなるように当該画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷと重畳する位置にそれぞれ遮光層４３を実装する（つまり、当該開口部を形成する）ことができる。

なお、前述した第１実施形態と同様に、上記した表示領域率と開口率との対応関係は一例であり、当該対応関係は、適宜、変更されても構わない。また、表示領域率と開口率との対応関係は、例えば表示装置１０の性能（例えば、画素数または画素配列等）に応じて定められてもよい。

また、本実施形態においては上記したように例えば副画素ＳＲ及びＳＧの表示領域率に基づいて当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率が定められるものとして説明したが、例えば当該副画素ＳＲ及びＳＧの非表示領域率（つまり、当該副画素ＳＲ及びＳＧの領域に対して非表示領域ＮＤＡが占める割合）に基づいて当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率が定められてもよい。なお、副画素ＳＢ及びＳＷの開口率についても同様である。

更に、副画素ＳＲ及びＳＧの開口率及び副画素ＳＢ及びＳＷの開口率は、上記した表示領域率及び非表示領域率以外の観点から定められたものであってもよい。

ここで、図１２は、図１１において説明した各副画素の開口率に従って形成された当該各副画素の開口部について具体的に示している。なお、図１２において、斜線が施されている部分が遮光層４３が設けられた部分を示しており、当該遮光層４３が設けられていない部分が各副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの開口部に相当する。なお、各副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを区画する位置には遮光層４３が設けられているが、当該各副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを区画するための遮光層４３については、図１２では省略されている。

図１２に示すように、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率がそれぞれ２５％となるように遮光層４３が設けられている。なお、図１２に示す例では、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々の上下３７．５％ずつの領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられることによって、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率（２５％）が実現されている。一方、画素ＰＸ１に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの開口率は１００％であるため、当該副画素ＳＢ及びＳＷの各々と重畳する位置には必要最低限の遮光層４３以外は設けられていない。

また、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率がそれぞれ０％となるように遮光層４３が設けられている。なお、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの開口率（０％）は、当該副画素ＳＢ及びＳＷの全ての領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられることによって実現されている。一方、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率がそれぞれ７５％となるように遮光層４３が設けられている。なお、図１２に示す例では、画素ＰＸ２に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々の上下１２．５％ずつの領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられることによって、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率（７５％）が実現されている。

また、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率がそれぞれ０％となるように遮光層４３が設けられている。一方、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率がそれぞれ５０％となるように遮光層４３が設けられている。なお、図１２に示す例では、画素ＰＸ３に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々の上下２５％ずつの領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられることによって、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率（５０％）が実現されている。

また、画素ＰＸ４に含まれる副画素ＳＢ及びＳＷの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率がそれぞれ０％となるように遮光層４３が設けられている。一方、画素ＰＸ４に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率がそれぞれ２５％となるように遮光層４３が設けられている。なお、図１２に示す例では、画素ＰＸ４に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々の上下３７．５％ずつの領域と重畳する位置に遮光層４３が設けられることによって、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率（２５％）が実現されている。

また、画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＲ及びＳＧの開口率がそれぞれ０％となるように遮光層が設けられている。同様に、画素ＰＸ５に含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの各々と重畳する位置には、当該副画素ＳＢ及びＳＷの開口率がそれぞれ０％となるように遮光層４３が設けられている。

なお、図１２に示す遮光層４３が設けられる位置及び当該遮光層４３の形状は一例である。すなわち、前述した第１実施形態と同様に、各副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの開口率を実現可能であれば、遮光層４３が図１２に示す例とは異なる位置に異なる形状で設けられていてもよい。

上記したように本実施形態において、非矩形状の表示領域ＤＡの端部に配置された画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷ（複数の副画素）のうちの２つの副画素ＳＲ及びＳＧ（第１副画素）の開口部及び他の２つの副画素ＳＢ及びＳＷ（第２副画素）の開口部は、それぞれ表示領域ＤＡの形状に応じた大きさに形成される（面積比で遮光される）。

本実施形態においては、このような構成により、例えば全ての画素ＰＸの開口部の大きさを同一とする構成と比較して、非矩形状の表示領域ＤＡの端部におけるがたつきを抑制することが可能となる。

ここで、図１３は、前述した第１実施形態において説明した画素単位で開口部の大きさを調整した場合の表示領域ＤＡの端部を図８よりも広い範囲で示している。一方、図１４は、本実施形態において説明した２つの副画素単位で開口部の大きさを調整した場合の表示領域ＤＡの端部を図１２よりも広い範囲で示している。

図１３及び図１４に示すように、本実施形態においては、画素ＰＸよりも小さな単位（２つの副画素単位）で開口部の大きさを調整しているため、第１実施形態と比較して、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとの境界部分（非矩形状の部分）をより滑らかに表現することができる。

なお、前述した第１実施形態においては、画素ＰＸ単位で開口部の大きさを調整する（つまり、副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷの開口部が同一の大きさとなるように形成される）ことによって、画素ＰＸに含まれる副画素の各々の開口部の面積比のバランスを維持し、表示領域ＤＡにおける色づきの発生を回避することができる。

これに対して、本実施形態においては２つの副画素単位で開口部の大きさを調整するため、前述した第１実施形態とは異なり、画素ＰＸに含まれる副画素の各々の開口部の面積比のバランスは崩れてしまう（つまり、副画素ＳＲ及びＳＧの開口部と副画素ＳＢ及びＳＷの開口部との大きさが異なる）ため、表示領域ＤＡの端部において色づきが発生することが懸念される。

しかしながら、本実施形態においては、上記した図９において説明したように、画素配列の奇数行（第１行）を構成する複数の画素ＰＸ（第１画素）及び当該画素配列の偶数行（第２行）を構成する複数の画素ＰＸ（第２画素）を、同一の色彩を表示する副画素（同一の波長帯域に対応する光を出力する副画素）同士が当該画素配列の列方向において隣接しないように配置している。

このような画素配列によれば、例えば図１２に示す画素ＰＸ１のように副画素ＳＲ及びＳＧの開口部が副画素ＳＢ及びＳＷの開口部よりも小さい場合であっても、当該副画素ＳＲ及びＳＧにおいて表現されるべき色彩を周辺の画素ＰＸ（副画素ＳＲ及びＳＧ）で補完することが可能であるため、上記した表示領域ＤＡの端部における色づきの発生を抑制する（つまり、偏った色合いが視認される程度を低減する）ことができる。

なお、本実施形態は、副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢを含む複数の画素ＰＸが表示パネル１１に配置される構成に適用されても構わない。具体的には、例えば図１５に示すように奇数行を構成する複数の画素ＰＸ及び偶数行を構成する複数の画素ＰＸを、同一の色彩を表示する副画素同士が当該画素配列の列方向において隣接しないように配置する場合には、当該複数の画素ＰＸの各々に含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢのうちの隣接する２つの副画素単位で開口部の大きさを調整することが可能となる。この場合、例えば画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ及びＳＧの開口部と、当該画素ＰＸに含まれる副画素ＳＢ及び当該画素ＰＸと行方向において隣接する画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ（つまり、当該副画素ＳＢに隣接する副画素ＳＲ）の開口部とを、それぞれ表示領域ＤＡの形状に応じた大きさとなるように形成することができる。このような構成によれば、複数の画素ＰＸが副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢを含む構成であっても、上記したように表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡとの境界部分を滑らかに表現することができるとともに、当該表示領域ＤＡの端部における色づきの発生を抑制することができる。

また、本実施形態においては２つの副画素単位で開口部の大きさが調整されるものとして説明したが、図９に示す画素配列の場合であっても、前述した第１実施形態において説明したように例えば副画素ＳＷ以外の副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢの開口部を同一の大きさとする構成としてもよい。換言すれば、画素ＰＸに含まれる副画素ＳＲ、ＳＧ及びＳＢと副画素ＳＷとの単位で開口部の大きさを調整するようにしてもよい。

更に、本実施形態においては複数の画素ＰＸの各々が行方向に並べられた複数の副画素を含むものとして説明したが、当該複数の画素ＰＸの各々は、図１６に示すように配置された副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含むように構成されていてもよい。複数の画素ＰＸに含まれる副画素の各々が図１６に示すように配置されている場合であっても、上記したように２つの副画素（副画素ＳＲ及びＳＧ、副画素ＳＢ及びＳＷ）単位で開口部の大きさを調整することが可能である。なお、複数の画素ＰＸに含まれる副画素の各々が図１６に示すように配置されている場合に、前述した第１実施形態において説明したように画素単位で開口部の大きさを調整する構成とすることも可能である。

また、本実施形態においては複数の画素ＰＸの各々が副画素ＳＲ、ＳＧ、ＳＢ及びＳＷを含むものとして説明したが、本実施形態は、当該副画素ＳＷに代えて例えば黄色の波長帯域に対応する光を出力する副画素を含む構成に対して適用されてもよい。

更に、本実施形態においては表示パネル１１が図９に示す画素配列を有するものとして説明したが、当該画素配列の行または列の向きは異なっていてもよいし、当該行と列とが入れ替えられた画素配列としてもよい。

また、本実施形態における表示パネル１１は、例えば表示領域ＤＡの形状（非矩形状）に応じた形状を有するものであってもよい。

また、本実施形態において、複数の画素ＰＸは、表示領域ＤＡにのみ配置される構成であってもよい。

以下、本実施形態に係る発明を付記する。
［Ｃ１］
非矩形状に形成された表示領域に複数の画素が配置された表示パネルと、
前記表示領域に画像を表示する表示制御部と
を具備し、
前記表示領域の端部に配置された画素の各々の開口部は、当該表示領域の形状に応じた面積比で遮光される
表示装置。
［Ｃ２］
前記表示領域の端部に配置された画素の各々の開口部を当該表示領域の形状に応じた面積比で遮光するように当該画素と重畳する位置に設けられた遮光層を更に具備する［Ｃ１］記載の表示装置。
［Ｃ３］
前記表示領域の端部に配置された画素の各々の開口部は、当該画素の領域に対して当該画素の領域と重畳する当該表示領域が占める割合に応じた面積比で遮光される［Ｃ１］記載の表示装置。
［Ｃ４］
前記複数の画素の各々は、互いに異なる色彩の波長帯域に対応する光を出力する複数の副画素を含み、
前記複数の画素のうちの同一の画素に含まれる複数の副画素の各々の開口部は、同一の面積比で遮光されるように形成される
［Ｃ１］～［Ｃ３］のいずれか一項に記載の表示装置。
［Ｃ５］
前記複数の副画素は、赤色の波長帯域に対応する光を出力する副画素、緑色の波長帯域に対応する光を出力する副画素、青色の波長帯域に対応する光を出力する副画素及び白色の波長帯域に対応する光を出力する副画素を含む［Ｃ４］記載の表示装置。
［Ｃ６］
前記複数の画素の各々は、赤色の波長帯域に対応する光を出力する副画素、緑路の波長帯域に対応する光を出力する副画素、青色の波長帯域に対応する光を出力する副画素及び白色の波長帯域に対応する光を出力する副画素を含み、
前記複数の画素のうちの同一の画素に含まれる赤色の波長帯域に対応する光を出力する副画素、緑色の波長帯域に対応する光を出力する副画素、青色の波長帯域に対応する光を出力する副画素の各々の開口部は、同一の面積比で遮光するように形成される
［Ｃ１］～［Ｃ３］のいずれか一項に記載の表示装置。
［Ｃ７］
前記複数の画素の各々は、互いに異なる色彩の波長帯域に対応する光を出力する複数の副画素を含み、
前記複数の画素は、画素配列の第１行を構成する複数の第１画素と、当該画素配列において前記第１行と列方向に隣接する第２行を構成する複数の第２画素とを含み、
前記複数の第１画素及び前記複数の第２画素は、同一の色彩の波長帯域に対応する光を出力する副画素同士が前記画素配列の列方向において隣接しないように、当該画素配列の列方向に交互に配置されており、
前記表示領域の端部に配置された画素に含まれる複数の副画素のうちの第１副画素の開口部及び当該複数の副画素のうちの第２副画素の開口部は、それぞれ前記表示領域の形状に応じた面積比で遮光される
［Ｃ１］～［Ｃ３］のいずれか一項に記載の表示装置。
［Ｃ８］
前記第１副画素は、前記表示領域の端部に配置された画素において行方向に並べられた複数の副画素のうちの隣接する赤色の波長帯域に対応する光を出力する副画素及び緑色の波長帯域に対応する光を出力する副画素を含み、
前記第２副画素は、前記表示領域の端部に配置された画素において行方向に並べられた複数の副画素のうちの隣接する青色の波長帯域に対応する光を出力する副画素及び白色の波長帯域に対応する光を出力する副画素を含む
［Ｃ７］記載の表示装置。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１０…表示装置、１１…表示パネル、１２…バックライトユニット、２１…走査線駆動部、２２…データ信号線駆動部、２３…電源線駆動部、３１…第１絶縁基板、３２…第１絶縁層、３３…第２絶縁層、３４…第１配向膜、４１…第２絶縁基板、４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂ，４２Ｗ…フィルタ層、４３…遮光層、４４…オーバーコート層、４５…第２配向膜、１１１…第１基板、１１２…第２基板、１１３…パネルドライバ、ＤＡ…表示領域、ＰＸ…画素、ＳＲ，ＳＧ，ＳＢ，ＳＷ…副画素。

Claims (4)

1. 非矩形状に形成された表示領域に複数の画素が配置された表示パネルと、
   前記表示領域に画像を表示する表示制御部と
   を具備し、
   前記複数の画素の各々は、互いに異なる色彩の波長帯域に対応する光を出力する複数の副画素を含み、
   前記複数の画素は、画素配列の第１行を構成する複数の第１画素と、当該画素配列において前記第１行と列方向に隣接する第２行を構成する複数の第２画素とを含み、
   前記複数の第１画素及び前記複数の第２画素は、同一の色彩の波長帯域に対応する光を出力する副画素同士が前記画素配列の列方向において隣接しないように、当該画素配列の列方向に交互に配置されており、
   前記表示領域の端部に配置された第１及び第２画素に含まれる複数の副画素の開口部の大きさは、隣接する２つの副画素単位で、当該２つの副画素が配置された領域に対して当該領域と重畳する前記表示領域が占める割合に基づいて定められる
   表示装置。
2. 前記定められた大きさの開口部となるように前記２つの副画素が配置された領域と重畳する位置に設けられた遮光層を更に具備する請求項１記載の表示装置。
3. 前記複数の副画素は、赤色の波長帯域に対応する光を出力する副画素、緑色の波長帯域に対応する光を出力する副画素、青色の波長帯域に対応する光を出力する副画素及び白色の波長帯域に対応する光を出力する副画素を含む請求項１記載の表示装置。
4. 前記２つの副画素は、前記赤色の波長帯域に対応する光を出力する副画素及び前記緑色の波長帯域に対応する光を出力する副画素、または、前記青色の波長帯域に対応する光を出力する副画素及び前記白色の波長帯域に対応する光を出力する副画素である請求項３記載の表示装置。

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