JP7146490B2

JP7146490B2 - Blister tester and method

Info

Publication number: JP7146490B2
Application number: JP2018126232A
Authority: JP
Inventors: 章浩竹内; 英明橋本
Original assignee: Chubu Electric Power Co Inc
Current assignee: Chubu Electric Power Co Inc
Priority date: 2018-07-02
Filing date: 2018-07-02
Publication date: 2022-10-04
Anticipated expiration: 2038-07-02
Also published as: JP2020008283A

Description

本発明は、ブリスター試験機、及び当該ブリスター試験機において実行可能なブリスター試験方法に関する。 The present invention relates to a blister tester and a blister test method that can be performed on the blister tester.

ダイカスト等の鋳物の鋳造過程における空気あるいは離型材の分解ガス等の巻き込みにより、鋳物内部にガスが含まれることがある。
かようなガスの状況を検査するため、加熱あるいは溶融塩により鋳物のサンプルのガスを泡ぶく（ブリスター）として現出させるブリスター試験機が用いられている。ブリスター試験機にかけられたサンプルにおけるブリスターの様子（個数等）により、鋳物内のガスが検査される。
加熱によるブリスター試験機としては、一般的な熱風炉が用いられている。この場合、ブリスターを十分に現出させるため、サンプルの材質及び大きさ等によるものの、約３０分以上の加熱が必要である。
他方、溶融塩によるブリスター試験機として、実用新案登録第３００９４６３号公報（特許文献１）に記載されるものが知られている。この場合、サンプルは、溶融塩（硝酸塩を加熱溶融させてなる塩浴）に浸漬することで短時間で均一に加熱され、ブリスターが短時間で現出される。 Gas may be contained inside the casting due to entrainment of air or decomposed gas of the release material in the casting process of the casting such as die casting.
In order to inspect such gas conditions, a blister tester is used in which gas is caused to appear as blisters in a casting sample by heating or molten salt. The gas in the casting is inspected by the appearance (number, etc.) of blisters in the sample placed on the blister tester.
A general hot air oven is used as a blister tester by heating. In this case, in order to sufficiently reveal the blisters, it is necessary to heat the sample for about 30 minutes or more, depending on the material and size of the sample.
On the other hand, as a blister tester using molten salt, the one described in Japanese Utility Model Registration No. 3009463 (Patent Document 1) is known. In this case, the sample is immersed in a molten salt (salt bath in which nitrate is heated and melted) to be uniformly heated in a short period of time, and blisters appear in a short period of time.

実用新案登録第３００９４６３号公報Utility Model Registration No. 3009463

上記の溶融塩によるブリスター試験機では、溶融塩を使用するため、溶融塩の取扱に細心の注意が必要であり、作動及び管理に手間がかかる。
又、気化した溶融塩の排出等が必要であり、環境に影響を与える可能性がある。
更に、サンプルに水の付着があった場合に、条件が揃うと溶融塩と水の反応による水蒸気爆発が発生する可能性があるし、溶融塩自体の分解による爆発の可能性が存在する。 Since the above molten salt blister tester uses molten salt, the molten salt must be handled with the utmost care, and operation and management are troublesome.
In addition, it is necessary to discharge vaporized molten salt, etc., which may affect the environment.
Furthermore, when water adheres to the sample, if the conditions are met, there is a possibility that a steam explosion will occur due to a reaction between the molten salt and water, and there is a possibility of an explosion due to the decomposition of the molten salt itself.

そこで、本発明の主な目的は、作動及び管理が容易且つ安全に行え、環境に優しく、検査時間が比較的に短いブリスター試験機，ブリスター試験方法を提供することである。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is a primary object of the present invention to provide a blister tester and method that are easy and safe to operate and manage, are environmentally friendly, and require relatively short inspection time.

請求項１に記載の発明は、ブリスター試験機において、サンプルを保持するサンプル保持部と、赤外線を発生する赤外線ヒータと、前記赤外線ヒータの出力を調節する制御手段と、を備えており、前記赤外線ヒータは、前記サンプルに対し、前記赤外線を照射し、前記制御手段は、前記赤外線ヒータの出力について、前記サンプルの温度あるいは前記サンプルの周囲の温度の前記サンプルの軟化点への到達の前に比べ、その到達の後で低くすることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、ブリスター試験機において、サンプルを保持するサンプル保持部と、内部に前記サンプル保持部が配置される炉と、前記炉内へ熱風を供給する熱風供給部と、前記炉内に設けられており赤外線を発生する赤外線ヒータと、前記赤外線ヒータの出力を調節する制御手段と、を備えており、前記制御手段は、前記赤外線ヒータの出力について、前記サンプルの温度あるいは前記サンプルの周囲の温度の前記サンプルの軟化点への到達の前に比べ、その到達の後で低くすることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、ブリスター試験機において、サンプルを保持するサンプル保持部と、赤外線を発生する赤外線ヒータと、を備えており、前記赤外線ヒータは、発熱温度が１０５０℃以上１６５０℃以下であるカーボン製の面状フィラメントを有するカーボンヒータを含んでおり、前記サンプルに対し、前記赤外線を照射することを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、ブリスター試験機において、サンプルを保持するサンプル保持部と、内部に前記サンプル保持部が配置される炉と、前記炉内へ熱風を供給する熱風供給部と、前記炉内に設けられており赤外線を発生する赤外線ヒータと、を備えており、前記赤外線ヒータは、発熱温度が１０５０℃以上１６５０℃以下であるカーボン製の面状フィラメントを有するカーボンヒータを含むことを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、サンプルに対し、赤外線の照射が行われることで、前記サンプルが軟化点以上融点未満に加熱されるブリスター試験方法において、前記赤外線の照射の強度が、前記サンプルの温度あるいは前記サンプルの周囲の温度の前記サンプルの軟化点への到達の前に比べ、その到達の後で低くされることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、サンプルに対し、熱風の供給と、赤外線の照射とが行われることで、前記サンプルが軟化点以上融点未満に加熱されるブリスター試験方法において、前記赤外線の照射の強度が、前記サンプルの温度あるいは前記サンプルの周囲の温度の前記サンプルの軟化点への到達の前に比べ、その到達の後で低くされることを特徴とするものである。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a blister tester comprising a sample holder that holds a sample, an infrared heater that generates infrared rays , and control means that adjusts the output of the infrared heater. The heater irradiates the sample with the infrared rays, and the control means compares the output of the infrared heater with the temperature of the sample or the ambient temperature of the sample before reaching the softening point of the sample. , lowering after its arrival .
A blister tester according to a second aspect of the present invention is a blister tester comprising: a sample holding unit for holding a sample; a furnace in which the sample holding unit is arranged; a hot air supply unit for supplying hot air into the furnace; An infrared heater provided in the furnace for generating infrared rays , and control means for adjusting the output of the infrared heater, wherein the control means adjusts the output of the infrared heater to the temperature of the sample or the It is characterized by lowering the temperature surrounding the sample after reaching the softening point of the sample compared to before reaching the softening point of said sample .
According to a third aspect of the invention, there is provided a blister tester comprising a sample holder that holds a sample and an infrared heater that generates infrared rays, and the infrared heater has a heat generation temperature of 1050° C. or more and 1650° C. or less. and a carbon heater having a planar filament made of carbon, and irradiating the sample with the infrared rays .
The invention according to claim 4 is a blister tester, comprising: a sample holding part for holding a sample; a furnace in which the sample holding part is arranged; a hot air supply part for supplying hot air into the furnace; an infrared heater provided in the furnace for generating infrared rays, wherein the infrared heater includes a carbon heater having a planar filament made of carbon and having a heating temperature of 1050° C. or more and 1650° C. or less. It is characterized.
The invention according to claim 5 is a blister test method in which the sample is heated to a softening point or higher but lower than the melting point by irradiating the sample with infrared rays, wherein the intensity of the infrared irradiation is the same as that of the sample. It is characterized in that the temperature or the temperature of the surroundings of the sample is lowered after reaching the softening point of the sample compared to before reaching the softening point of the sample .
The invention according to claim 6 is a blister test method in which the sample is heated to a softening point or higher but lower than the melting point by supplying hot air and infrared irradiation to the sample , wherein the infrared irradiation is performed. It is characterized in that the intensity is lowered after reaching the softening point of the sample compared to before reaching the softening point of the sample at the temperature of the sample or the temperature around the sample .

本発明の主な効果は、作動及び管理がより容易且つ安全に行え、より環境に優しく、検査時間が比較的に短いブリスター試験機，ブリスター試験方法が提供されることである。 The main effect of the present invention is to provide a blister testing machine, blister testing method which is easier and safer to operate and manage, more environmentally friendly and has a relatively short inspection time.

本発明に係るブリスター試験機の模式的な縦断面図である。1 is a schematic longitudinal sectional view of a blister tester according to the present invention; FIG. カーボンヒータあるいはハロゲンヒータにおける所定の発熱温度毎の放射線波長と相対分光放射発散度との関係が示されたグラフである。4 is a graph showing the relationship between radiation wavelength and relative spectral radiant emittance for each predetermined heat generation temperature in a carbon heater or a halogen heater. 本発明に係るブリスター試験機の第１動作例及びその動作例に係るブリスター試験方法に関するフローチャートである。1 is a flow chart relating to a first operation example of a blister tester according to the present invention and a blister test method according to the operation example. 第１動作例における試験開始からの経過時間（横軸）に対するサンプルの第１～第５部分の温度（左縦軸，℃）及び赤外線ヒータの１本当たりの有効電力（右縦軸，ｋＷ）が示されるグラフである。The temperature of the first to fifth parts of the sample (left vertical axis, ° C.) and the effective power per infrared heater (right vertical axis, kW) with respect to the elapsed time from the start of the test (horizontal axis) in the first operation example is a graph showing 図４の内サンプルの各箇所の温度について縦軸の一部が拡大して示されるグラフである。FIG. 5 is a graph in which a portion of the vertical axis is enlarged and shown with respect to the temperature at each location of the sample in FIG. 4; 本発明に係るブリスター試験機の第２動作例及びその動作例に係るブリスター試験方法に関するフローチャートである。4 is a flowchart relating to a second operation example of the blister tester according to the present invention and a blister test method according to the operation example. 試験開始からの経過時間（横軸）に対する各種の温度（縦軸）及び赤外線ヒータの１本当たりの有効電力（右縦軸，ｋＷ）が示されるグラフである。4 is a graph showing various temperatures (vertical axis) versus elapsed time from the start of the test (horizontal axis) and effective power per infrared heater (right vertical axis, kW). 図７の内サンプルの各箇所の温度について縦軸の一部が拡大して示されるグラフである。FIG. 8 is a graph in which a portion of the vertical axis is enlarged and shown with respect to the temperature at each location of the sample in FIG. 7;

以下、本発明に係る実施の形態の例が、その変更例と共に、適宜図面に基づいて説明される。
尚、当該形態は、下記の例及び変更例に限定されない。 Hereinafter, examples of embodiments according to the present invention will be described along with modifications thereof, as appropriate, based on the drawings.
In addition, the said form is not limited to the following examples and modification examples.

［構成等］
図１は、本発明に係るブリスター試験機１の模式的な縦断面図である。尚、図１における上がブリスター試験機１の上であり、左がブリスター試験機１の前である。かようなブリスター試験機１の方向は、説明の便宜上定められたものであり、各種の部材又は部分の移動及び設置の状況等により、変化することがある。 [Composition, etc.]
FIG. 1 is a schematic longitudinal sectional view of a blister tester 1 according to the invention. 1 is above the blister tester 1, and the front of the blister tester 1 is on the left. The orientation of the blister tester 1 is determined for convenience of explanation, and may change depending on the movement and installation of various members or parts.

ブリスター試験機１は、ダイカスト用アルミニウムとして多用されているＡＤＣ１２により鋳造されたダイカスト製品のサンプルについて検査するものである。ブリスター試験機１は、サンプルを、ＡＤＣ１２の軟化点である５３０℃程度に加熱可能である。
尚、検査対象である製品のサンプルは、他のアルミニウム合金製であっても良いし、アルミニウムマグネシウム合金製であっても良いし、亜鉛製であっても良いし、銅製であっても良いし、これらの内の少なくとも２つを組み合わせた合金製であっても良い。これらの場合であっても、その融点未満で融点に近い軟化点へ同様に加熱することができる。 The blister tester 1 inspects a sample of a die-cast product cast by an ADC 12 that is frequently used as aluminum for die-casting. The blister tester 1 can heat the sample to about 530° C., which is the softening point of the ADC 12 .
The product sample to be inspected may be made of another aluminum alloy, may be made of an aluminum magnesium alloy, may be made of zinc, or may be made of copper. , or an alloy made of a combination of at least two of these. Even in these cases, it can be similarly heated to a softening point below and close to its melting point.

ブリスター試験機１は、断熱材でケース状に形成される炉２と、炉２内に配置されるサンプル保持部としてのサンプル台４と、炉２の前面下部に形成された熱風入口６と、熱風入口６に接続された熱風供給部としてのヒータ付きブロワ８と、炉２の後面上部に形成された熱風出口１０と、熱風出口１０に接続された排気路１２と、炉２内に設置された赤外線ヒータ部１４と、炉２内の温度を測定する温度センサ１６と、ヒータ付きブロワ８及び赤外線ヒータ部１４を制御する制御手段（図示略）と、を備えている。
尚、排気路１２及び温度センサ１６の少なくとも一方は、省略されても良い。 The blister tester 1 includes a furnace 2 formed in a case shape with a heat insulating material, a sample table 4 as a sample holder arranged in the furnace 2, a hot air inlet 6 formed in the lower front part of the furnace 2, A blower 8 with a heater as a hot air supply unit connected to the hot air inlet 6, a hot air outlet 10 formed on the upper rear surface of the furnace 2, an exhaust path 12 connected to the hot air outlet 10, and installed in the furnace 2. a temperature sensor 16 for measuring the temperature inside the furnace 2;
At least one of the exhaust path 12 and the temperature sensor 16 may be omitted.

サンプル台４は、炉２の上面から吊された網状のカゴであり、中でサンプルを保持する。
尚、サンプル台４は、サンプルを載置する載置台等であっても良い。 The sample table 4 is a net-like basket suspended from the upper surface of the furnace 2 and holds the sample therein.
Note that the sample table 4 may be a mounting table or the like on which a sample is mounted.

ヒータ付きブロワ８は、エアを導入して加熱し、熱風入口６を通じて炉２内に熱風を送る。
熱風は、炉２内を昇温し、熱風出口１０から排気路１２を通じて炉２外に排出される。 A heater-equipped blower 8 introduces and heats air, and sends the hot air into the furnace 2 through the hot air inlet 6 .
The hot air raises the temperature inside the furnace 2 and is discharged out of the furnace 2 from the hot air outlet 10 through the exhaust path 12 .

赤外線ヒータ部１４は、それぞれ前後に延び左右に並ぶ二対の赤外線ヒータ２０と、それぞれ左右に延び前後に並ぶ二対の赤外線ヒータ２０と、を有する。これらの赤外線ヒータ２０は、サンプル台４を囲んでいる。
尚、赤外線ヒータ２０の配置は、サンプル台４を水平に囲むものに限られない。又、赤外線ヒータ２０の本数は、７本以下であっても良いし、９本以上であっても良い。 The infrared heater section 14 has two pairs of infrared heaters 20 extending in the front-rear direction and arranged in the left-right direction, and two pairs of infrared heaters 20 extending in the left-right direction and arranged in the front-rear direction. These infrared heaters 20 surround the sample stage 4 .
In addition, the arrangement of the infrared heater 20 is not limited to that surrounding the sample stage 4 horizontally. Also, the number of infrared heaters 20 may be seven or less, or may be nine or more.

各赤外線ヒータ２０は、発熱体（フィラメント）の材料として導電性素材である炭素繊維（カーボン）が用いられ、発熱体が面状に形成されたカーボンヒータである。各赤外線ヒータ２０には、図示されない電源が接続される。各赤外線ヒータ２０の電力による発熱は、制御手段により制御される。
カーボンヒータは、ハロゲンランプが用いられるハロゲンヒータに比べ、多くのエネルギーが中赤外線領域に放射されるという特性を有する。
又、ハロゲンヒータは、ハロゲンガスを封入した石英管内に線状のタングステンが渡されたもので、赤外線が石英管の全周にわたり均等に放射される。これに対し、面状の発熱体を有するカーボンヒータは、不活性ガスを封入した石英管内に面状の炭素繊維が渡されたもので、赤外線は炭素繊維における一対の平面からその平面に垂直な方向を中心に放射され、その垂直な方向から３０°程度以上倒れた方向には殆ど直接的に放射されない。各赤外線ヒータ２０は、面状の炭素繊維の垂線がサンプル台４へ向かう姿勢で設けられ、赤外線が当該垂線方向を中心に両側に放射される。かような赤外線の内、外方（サンプル台４から離れる方向）に向かうものは、炉２の内面により反射され、内方に向かうものと同様に、サンプル台４へ向かう。尚、外方に向かう赤外線を反射する反射体が、炉２内及び各赤外線ヒータ２０内の少なくとも何れかに設けられても良い。 Each infrared heater 20 is a carbon heater in which carbon fiber (carbon), which is a conductive material, is used as a material of a heating element (filament), and the heating element is formed in a planar shape. A power source (not shown) is connected to each infrared heater 20 . Heat generated by electric power of each infrared heater 20 is controlled by a control means.
Carbon heaters have the characteristic of radiating more energy in the mid-infrared region than halogen heaters using halogen lamps.
Further, the halogen heater is a quartz tube filled with halogen gas and a tungsten wire extending therein, and infrared rays are evenly radiated over the entire circumference of the quartz tube. On the other hand, a carbon heater with a planar heating element has a planar carbon fiber placed in a quartz tube filled with an inert gas. Radiation is centered on the direction, and almost no radiation is directed to directions tilted by about 30° or more from the vertical direction. Each infrared heater 20 is provided with a vertical line of planar carbon fiber facing toward the sample table 4, and infrared rays are radiated to both sides centering on the direction of the vertical line. Inward and outward (away from the sample stage 4 ) rays of such infrared light are reflected by the inner surface of the furnace 2 and directed toward the sample stage 4 as well as inward rays. In addition, a reflector that reflects outward infrared rays may be provided in at least one of the interior of the furnace 2 and the interior of each infrared heater 20 .

各赤外線ヒータ２０は、発熱温度（発熱時のフィラメント温度）が１０５０℃以上１６５０℃以下であり、より好ましくは１２５０℃以上１６５０℃以下であり、更に好ましくは１６５０℃である。
図２には、カーボンヒータあるいはハロゲンヒータにおける所定の発熱温度毎の放射線波長（マイクロメートル（μｍ），横軸）と分光エネルギー密度に相当する相対分光放射発散度（×１０^３／ｍ^２・μｍ，縦軸）との関係が示される。
ハロゲンヒータ（タングステン）に係る２３００℃では、エネルギー密度のピークが波長１．１μｍ程度に位置しており、ハロゲンヒータ（タングステン）に係る２０００℃では、エネルギー密度のピークが波長１．３μｍ程度に位置している。
これに対し、カーボンヒータ（カーボン）に係る１６５０℃では、エネルギー密度のピークが波長１．５μｍ程度（より詳しくは１．５１μｍ）に位置している。又、図示されない１４５０℃の分光エネルギー密度（相対分光放射発散度）の分布は、１６５０℃と１２５０℃とのちょうど中央を辿るようなものとなり、エネルギー密度のピークが波長１．７μｍ程度に位置している。
更に、カーボンヒータ（カーボン）に係る１２５０℃では、エネルギー密度のピークが波長１．９μｍ程度に位置しており、カーボンヒータ（カーボン）に係る１０５０℃では、エネルギー密度のピークが波長２．２μｍ程度に位置している。
よって、各赤外線ヒータ２０は、近赤外線（波長０．８μｍ以上１．５μｍ未満）より波長の長い中赤外線（波長１．５μｍ以上）を最も多く放射し、１．５μｍ以上１．７μｍ以下の波長領域内でエネルギー密度のピークを有している。
サンプルはＡＤＣ１２製であるところ、アルミニウムの酸化面の放射率（吸収率）は波長約１μｍ（２６２５℃）から約２．４μｍ（９３４℃）まで変わらず０．４０であることが知られており、波長がこの範囲であれば、電磁波の波長による吸収率の変化はない。よって、吸収率のみを考慮すると、各赤外線ヒータ２０の発熱温度は、９３４℃で十分である。しかし、エネルギー密度に関し図２に示されるように、発熱温度が高い方がエネルギーが高いため、サンプルの昇温能力が大きいこととなる。一方で、発熱温度が２０００℃を超えるヒータ即ちタングステンヒータは、赤外線が３６０°全周に放射されてサンプルの昇温に直接寄与しないものが多く、かえって効率が悪い。これらの観点から、各赤外線ヒータ２０の発熱温度は、上述のものが好適であることになる。
尚、各赤外線ヒータ２０は、ハロゲンヒータを始めとする他の発熱体に係るヒータであっても良い。又、各赤外線ヒータ２０の発熱温度は、１０５０℃以上１６５０℃以下であることが好ましいが、この範囲外であっても良い。各赤外線ヒータ２０は、中赤外線を中心に（強度比で最も割合が多く）放射することが好ましいが、近赤外線あるいは遠赤外線（波長２５μｍ以上１ミリメートル未満）を中心に放射されても良い。 Each infrared heater 20 has a heat generation temperature (filament temperature during heat generation) of 1050°C or more and 1650°C or less, more preferably 1250°C or more and 1650°C or less, still more preferably 1650°C.
FIG. 2 shows the radiation wavelength (micrometers (μm), horizontal axis) for each predetermined heat generation temperature in the carbon heater or the halogen heater and the relative spectral radiant emittance (×10 ³ /m ² μm) corresponding to the spectral energy density. , vertical axis).
At 2300° C. for the halogen heater (tungsten), the energy density peak is located at a wavelength of about 1.1 μm, and at 2000° C. for the halogen heater (tungsten), the energy density peak is located at a wavelength of about 1.3 μm. is doing.
On the other hand, at 1650° C. for a carbon heater (carbon), the energy density peak is located at a wavelength of about 1.5 μm (more specifically, 1.51 μm). Also, the distribution of the spectral energy density (relative spectral radiant emittance) at 1450° C. (not shown) traces exactly the center between 1650° C. and 1250° C., and the peak of the energy density is located at a wavelength of about 1.7 μm. ing.
Furthermore, at 1250° C. for the carbon heater (carbon), the energy density peak is located at a wavelength of about 1.9 μm, and at 1050° C. for the carbon heater (carbon), the energy density peak is at a wavelength of about 2.2 μm. located in
Therefore, each infrared heater 20 radiates the middle infrared rays (wavelength of 1.5 μm or more) longer than the near infrared rays (wavelength of 0.8 μm or more and less than 1.5 μm). It has an energy density peak within the region.
The sample is made of ADC12, and it is known that the emissivity (absorptivity) of the oxidized surface of aluminum remains unchanged at 0.40 from about 1 μm (2625° C.) to about 2.4 μm (934° C.). If the wavelength is within this range, there is no change in the absorptance due to the wavelength of the electromagnetic wave. Therefore, considering only the absorptance, the heat generation temperature of each infrared heater 20 is sufficient at 934.degree. However, as shown in FIG. 2 with respect to the energy density, the higher the heat generation temperature is, the higher the energy is, so that the temperature rising ability of the sample is large. On the other hand, many heaters having a heating temperature of over 2000° C., that is, tungsten heaters, radiate infrared rays all around 360° and do not directly contribute to raising the temperature of the sample, and are rather inefficient. From these points of view, the heat generation temperature of each infrared heater 20 is suitable as described above.
Each infrared heater 20 may be a heater related to other heating elements such as a halogen heater. Further, the heat generation temperature of each infrared heater 20 is preferably 1050° C. or more and 1650° C. or less, but may be outside this range. Each infrared heater 20 preferably emits mainly mid-infrared rays (the highest percentage in terms of intensity ratio), but may emit mainly near-infrared rays or far-infrared rays (wavelength of 25 μm or more and less than 1 mm).

温度センサ１６は、制御手段に対し、検知した温度を送信可能である。
制御手段は、情報処理手段（ＣＰＵ）、記憶手段（例えばメモリカード）及び入力手段（例えばキーボード及びポインティングデバイスの少なくとも一方）付きのコンピュータを含んでいる。
記憶手段は、各種の情報を記憶可能である。
入力手段は、ユーザの入力を受け付ける。
尚、制御手段は、コンピュータに代えて、あるいはコンピュータと共に設置される制御盤等であっても良い。又、制御手段は、複数の部材ないし部分に分散して設けられていても良い。更に、入力手段が省略されても良いし、各種の情報を表示可能な表示手段が追加されても良い。 The temperature sensor 16 can transmit the detected temperature to the control means.
The control means includes a computer with information processing means (CPU), storage means (eg memory card) and input means (eg keyboard and/or pointing device).
The storage means can store various kinds of information.
The input means accepts user input.
The control means may be a control panel or the like installed instead of the computer or together with the computer. Also, the control means may be distributed among a plurality of members or portions. Furthermore, the input means may be omitted, and display means capable of displaying various information may be added.

［第１動作例（赤外線照射）等］
以下、このようなブリスター試験機１の第１の動作例（赤外線照射）、及びブリスター試験機１によって実行される第１動作例に係るブリスター試験方法の例が、主に図３により説明される。
サンプル台４にサンプルがセットされ、ユーザにより入力手段を介して制御手段に対し試験開始の入力がなされると、ブリスター試験機１の動作が開始される。第１動作例において、熱風は用いられない。
ここでは、サンプルは、ＡＤＣ１２による無塗装で板状のダイカスト製品であって、その重量は、およそ３００ｇ（グラム）である。 [First operation example (infrared irradiation), etc.]
Hereinafter, a first operation example (infrared irradiation) of such a blister tester 1 and an example of a blister test method according to the first operation example executed by the blister tester 1 will be mainly described with reference to FIG. .
When a sample is set on the sample table 4 and the user inputs a test start input to the control means through the input means, the operation of the blister tester 1 is started. In the first working example, no hot air is used.
Here, the sample is an ADC12 uncoated plate-like die-cast product with a weight of approximately 300 g (grams).

制御手段は、各赤外線ヒータ２０を点灯して赤外線をサンプルに向けて放射させる（ステップＳ１）。
各赤外線ヒータ２０は、温度センサ１６からの温度を参照した制御手段により、目標温度が５３０℃とされた状態でＰＩＤ制御される。各赤外線ヒータ２０の設定出力は、１６．０ｋＷ（キロワット）である。
ここでは、サンプルの温度分布を調査するため、温度センサ１６はサンプルについて５個設けられており、表面及び裏面が上下方向となるように縦置きされたサンプルの、表面中央部（第１部分），裏面上中央部（第２部分），表面下辺部中央部（第３部分），裏面からみて右上のコーナー部（第４部分），表面側からみて右下のコーナー部（第５部分）に係る温度を検知する。制御手段は、サンプルの第１部分に係る温度（制御点）を参照して各赤外線ヒータ２０の出力を制御し、５箇所の温度を記憶する（測定点）。
尚、温度センサ１６の個数及び配置の少なくとも一方は、上述のもの以外のものとすることができる。又、制御手段による制御において参照する温度は、第２～第５部分の内の何れかであっても良いし、これらの組合せの平均であっても良いし、サンプルに隣接する箇所の温度であっても良い。更に、各種の温度の内の少なくとも何れかは、記憶されなくても良い。 The control means turns on each infrared heater 20 to radiate infrared rays toward the sample (step S1).
Each infrared heater 20 is PID-controlled with a target temperature of 530° C. by control means referring to the temperature from the temperature sensor 16 . The set output of each infrared heater 20 is 16.0 kW (kilowatt).
Here, in order to investigate the temperature distribution of the sample, five temperature sensors 16 are provided for each sample. , the upper center of the back surface (second part), the center of the lower side of the front surface (third part), the upper right corner when viewed from the back surface (fourth part), and the lower right corner when viewed from the front surface (fifth part) The relevant temperature is detected. The control means refers to the temperature of the first portion of the sample (control point) to control the output of each infrared heater 20, and stores the temperatures of five locations (measurement points).
At least one of the number and arrangement of the temperature sensors 16 may be other than those described above. Further, the temperature referred to in the control by the control means may be any one of the second to fifth portions, the average of these combinations, or the temperature of the portion adjacent to the sample. It can be. Further, at least some of the various temperatures may not be stored.

制御手段は、サンプルの軟化点を目標温度としたＰＩＤ制御を行うことにより、サンプルの第１部分の温度が赤外線で軟化点に到達するまで（ステップＳ２でＮｏ）、各赤外線ヒータ２０の出力が設定出力程度に高くなるようにし、軟化点に到達した後では（ステップＳ２でＹｅｓ）、各赤外線ヒータ２０の出力がその前より低くなって赤外線の強度が低下するようにする（ステップＳ３）。
尚、制御手段は、ＰＩＤ制御を行えばきめ細かく赤外線ヒータ２０の出力低下を行えるところ、ＰＩＤ制御に代えて、ＰＤ制御あるいはＰ制御等の他のフィードバック制御を行っても良いし、予め決められたパターン（経過時間に対する各赤外線ヒータ２０への電力の関数）に従った制御等のフィードバック制御以外の制御を行っても良い。 The control means performs PID control with the softening point of the sample as the target temperature, until the temperature of the first portion of the sample reaches the softening point with infrared rays (No in step S2), the output of each infrared heater 20 is After reaching the softening point (Yes in step S2), the output of each infrared heater 20 is made lower than before so that the intensity of the infrared rays is lowered (step S3).
Although the control means can finely reduce the output of the infrared heater 20 by performing PID control, other feedback control such as PD control or P control may be performed instead of PID control. Control other than feedback control such as control according to a pattern (function of power to each infrared heater 20 with respect to elapsed time) may be performed.

制御手段は、加熱開始から所定時間（例えば３分（ｍｉｎ））が経過すると、各赤外線ヒータ２０を消灯する（ステップＳ４）。
ここでは、サンプルの温度変化を比較的長期間調べるため、６．８ｍｉｎの経過後、上記停止が行われる。 When a predetermined time (for example, 3 minutes (min)) has passed since the start of heating, the control means turns off each infrared heater 20 (step S4).
Here, in order to examine the temperature change of the sample for a relatively long period of time, the above stop is performed after 6.8 minutes have elapsed.

図４は試験開始からの経過時間（横軸，ｍｉｎ）に対するサンプルの第１～第５部分の温度（左縦軸，℃）及び赤外線ヒータ２０の１本当たりの有効電力（右縦軸，ｋＷ）が示されるグラフであり、図５は図４の内サンプルの第１～第５部分の温度について縦軸の一部が拡大して示されるグラフである。
加熱開始時のサンプルの温度（第１～第５部分の平均即ちサンプル平均温度）は１９．９℃であり、ＰＩＤ制御で設定出力（１６ｋＷ）程度で点灯された赤外線ヒータ２０からの赤外線の照射により、１．８分後にはサンプルの第１～第５部分の何れも目標温度（５３０℃）付近に到達している。サンプルの最高温度は、５３４．２℃であり、サンプル平均温度が５３０℃に到達した際のサンプルにおける最大温度差は２６．１℃である。
かような到達後、ＰＩＤ制御により赤外線ヒータ２０の出力は２ｋＷ前後まで下がり（赤外線の強度が下がり）、サンプルの各部分の温度は５３０℃程度に維持され、５３０℃到達後１分後にはサンプルにおける最大温度差は８ないし９に縮小する。 FIG. 4 shows the temperature of the first to fifth parts of the sample (left vertical axis, ° C.) and the effective power per infrared heater 20 (right vertical axis, kW ), and FIG. 5 is a graph showing the temperatures of the first to fifth portions of the samples in FIG. 4 with a part of the vertical axis enlarged.
The temperature of the sample at the start of heating (average of the first to fifth portions, that is, sample average temperature) was 19.9° C., and the infrared heater 20 was lit at a set output (16 kW) under PID control. As a result, after 1.8 minutes, all of the first to fifth portions of the sample reached around the target temperature (530° C.). The maximum sample temperature is 534.2°C and the maximum temperature difference across the sample is 26.1°C when the sample average temperature reaches 530°C.
After such arrival, the output of the infrared heater 20 is lowered to around 2 kW (infrared intensity is lowered) by PID control, the temperature of each part of the sample is maintained at about 530° C., and one minute after reaching 530° C., the sample The maximum temperature difference at decreases to 8-9.

このブリスター試験の完了後、サンプルが目視で観察され、サンプルの表面及び裏面にブリスターの発生が認められた。
ブリスターは、サンプルが均一に軟化点まで加熱されれば比較的短時間（サンプルの大きさ及び形状等にもよるが軟化点到達後１分程度）で発生する。よって、１．８分後の軟化点（目標温度）への到達及び１分間程度の維持により、３分間程度の加熱でブリスターがサンプルの全体に発生し得、ブリスター試験が完了する。尚、以上と異なり、サンプルが不均一に加熱されると、ある部分が軟化点以上となる一方で他の部分で軟化点に達しないこととなり、その軟化点に達しない部分においてブリスター試験が完全に行われないこととなる。又、サンプルがその融点以上に加熱されると、サンプルの少なくとも一部が融解して変形し、その変形した部分とブリスターとの区別がつかなかったり、ブリスター発生部分が融解したりして、検査の正確性が比較的に低くなる。 After completion of the blister test, the samples were visually inspected for blistering on the top and bottom surfaces of the samples.
Blistering occurs in a relatively short time (about 1 minute after reaching the softening point, depending on the size and shape of the sample) if the sample is uniformly heated to the softening point. Therefore, by reaching the softening point (target temperature) after 1.8 minutes and maintaining it for about 1 minute, blistering can occur throughout the sample after heating for about 3 minutes, completing the blister test. Unlike the above, if the sample is unevenly heated, some parts will be above the softening point while other parts will not reach the softening point, and the blister test will not be complete in the part that does not reach the softening point. will not be carried out on In addition, when the sample is heated above its melting point, at least a portion of the sample melts and deforms, making it difficult to distinguish between the deformed portion and the blister, or the portion where the blister occurs melts, making inspection difficult. accuracy is relatively low.

かような第１動作例に係るブリスター試験機１は、次のような作用効果を奏する。
即ち、ブリスター試験機１は、サンプルを保持するサンプル台４と、赤外線を発生する各赤外線ヒータ２０と、を備えており、前記赤外線ヒータは、前記サンプルに対し、前記赤外線を照射する。
よって、サンプルを加熱する熱源は、赤外線であり、ブリスター試験機１の作動及び管理は容易且つ安全に行える。又、ブリスター試験機１が作動に際し排出するものは熱だけであり、環境への影響が低減される。更に、サンプルが赤外線で均一に加熱されるため、検査時間が３分程度と短時間で済み、検査が正確に行える。 The blister tester 1 according to the first operation example has the following effects.
That is, the blister tester 1 includes a sample table 4 for holding a sample, and infrared heaters 20 for generating infrared rays, and the infrared heaters irradiate the infrared rays to the sample.
Therefore, the heat source for heating the sample is infrared rays, and the operation and management of the blister tester 1 can be easily and safely performed. In addition, the blister tester 1 emits only heat during its operation, thus reducing the impact on the environment. Furthermore, since the sample is uniformly heated by the infrared rays, the inspection time is as short as about 3 minutes, and the inspection can be performed accurately.

又、ブリスター試験機１は、各赤外線ヒータ２０の出力を調節する制御手段を備えており、制御手段は、赤外線ヒータ２０の出力について、サンプルの温度が軟化点へ到達する前に比べ、到達した後で低くする。よって、ブリスター試験機１は、サンプルを軟化点に到達させた後は、比較的に弱い赤外線の作用により、サンプルを均一に加熱することができる。
更に、各赤外線ヒータ２０は、発熱温度が１０５０℃以上１６５０℃以下であるカーボン製の面状フィラメントを有するカーボンヒータを含んでいる。よって、サンプルに対する作用の程度がより良い赤外線、即ち他の赤外線に比較して作用の程度が穏やかでありながら均一の加熱のために不足しない中赤外線が多く照射され、より短時間で均一なサンプルの加熱が行える。 In addition, the blister tester 1 is provided with control means for adjusting the output of each infrared heater 20, and the control means controls the output of the infrared heater 20 so that the temperature of the sample reaches the softening point before reaching the softening point. lower later. Therefore, the blister tester 1 can heat the sample uniformly by the action of relatively weak infrared rays after the sample reaches the softening point.
Further, each infrared heater 20 includes a carbon heater having planar filaments made of carbon whose heat generation temperature is 1050° C. or higher and 1650° C. or lower. Therefore, the infrared rays that have a better effect on the sample, that is, the medium infrared rays that have a moderate effect compared to other infrared rays, but are sufficient for uniform heating, are irradiated in a large amount, and the sample is uniformly heated in a short time. can be heated.

他方、ブリスター試験機１で実行可能な第１動作例に係るブリスター試験方法では、サンプルに対し、各赤外線ヒータ２０による赤外線の照射が行われることで、サンプルが軟化点以上融点未満に加熱される。よって、赤外線の作用により、作動及び管理がより容易且つ安全に行え、より環境に優しく、検査時間が比較的に短いブリスター試験方法が提供される。
又、各赤外線ヒータ２０による赤外線の照射の強度が、サンプルの温度の軟化点への到達の前に比べ、その到達の後で低くされる。よって、赤外線の作用によりサンプルを軟化点に到達させた後において、比較的に弱い赤外線の作用によりサンプルが均一に加熱されて、より短時間で正確な検査が実現する。 On the other hand, in the blister test method according to the first operation example that can be performed by the blister tester 1, the sample is irradiated with infrared rays from each infrared heater 20, so that the sample is heated to the softening point or higher and lower than the melting point. . Thus, the action of infrared radiation provides a blister testing method that is easier and safer to operate and maintain, more environmentally friendly, and has a relatively short inspection time.
Also, the intensity of the infrared radiation from each infrared heater 20 is made lower after reaching the softening point of the temperature of the sample than before it reaches the softening point. Therefore, after the sample has reached the softening point by the action of the infrared rays, the sample is uniformly heated by the action of the relatively weak infrared rays, and an accurate inspection is realized in a shorter time.

尚、第１動作例に係る各赤外線ヒータ２０の出力に係る軟化点到達後の低下は、発熱温度が１０５０℃以上１６５０℃以下に限定されない赤外線ヒータによる加熱においてもそれぞれ実行可能であり、それぞれ上述の作用効果を奏するものである。
又、第１動作例専用のブリスター試験機、即ち上述のブリスター試験機１から熱風入口６，ヒータ付きブロワ８，熱風出口１０が省略されたブリスター試験機が形成されても良い。 It should be noted that the reduction in the output of each infrared heater 20 after reaching the softening point according to the first operation example can also be performed in heating by an infrared heater whose heat generation temperature is not limited to 1050° C. or more and 1650° C. or less. It is intended to exhibit the action and effect of.
Further, a blister tester dedicated to the first operation example, that is, a blister tester obtained by omitting the hot air inlet 6, the heater-equipped blower 8, and the hot air outlet 10 from the blister tester 1 described above may be formed.

［第２動作例（熱風供給及び赤外線照射）等］
次いで、ブリスター試験機１の第２の動作例（熱風供給及び赤外線照射）、及びブリスター試験機１によって実行される第２動作例に係るブリスター試験方法の例が、主に図６により説明される。
第２動作例では、第１動作例と同じ試験前のサンプルにおいて、第１動作例と同様にブリスター試験機１の動作が開始される。 [Second operation example (hot air supply and infrared irradiation), etc.]
Next, a second operation example (hot air supply and infrared irradiation) of the blister test machine 1 and an example of a blister test method according to the second operation example performed by the blister test machine 1 will be described mainly with reference to FIG. .
In the second operation example, the operation of the blister tester 1 is started in the same manner as in the first operation example in the same pre-test sample as in the first operation example.

制御手段は、ヒータ付きブロワ８を起動して熱風を炉２内に送る（ステップＳ１１）と共に、各赤外線ヒータ２０を点灯して赤外線をサンプルに向けて放射させる（ステップＳ１２）。尚、ヒータ付きブロワ８の起動と各赤外線ヒータ２０の点灯とは、互いにタイミングをずらして行われても良い。
ここでは、ヒータ付きブロワ８における熱風供給温度は、吐出温度で７００℃に設定される。尚、当該熱風供給温度は、かようなものに限られない。
又、各赤外線ヒータ２０は、温度センサ１６からの温度を参照した制御手段により、目標温度が５３０℃とされた状態でＰＩＤ制御される。各赤外線ヒータ２０の設定出力は、１６．０ｋＷ（キロワット）である。
第２動作例では、温度センサ１６はサンプルについて第１動作例と同様に５個設けられており、制御手段は、第１動作例と同様に各赤外線ヒータ２０の出力を制御し、５箇所の温度を記憶する。加えて、サンプルを離れた炉２の上部，下部の温度を検知する温度センサ１６と、熱風入口６の温度を検知する温度センサ１６と、が設けられる。制御手段は、これらの温度も記憶する。
尚、温度センサ１６の個数及び配置の少なくとも一方は、上述のもの以外のものとすることができる。又、制御手段による制御において参照する温度は、第２～第５部分の内の何れかであっても良いし、これらの組合せの平均であっても良いし、サンプルから離れた炉２内の温度であっても良い。更に、各種の温度の内の少なくとも何れかは、記憶されなくても良い。 The control means activates the heater-equipped blower 8 to send hot air into the furnace 2 (step S11), and turns on each infrared heater 20 to radiate infrared rays toward the sample (step S12). The start-up of the heater-equipped blower 8 and the lighting of each infrared heater 20 may be performed at different timings.
Here, the hot air supply temperature in the heater-equipped blower 8 is set to 700° C. in terms of discharge temperature. Incidentally, the hot air supply temperature is not limited to such a temperature.
Each infrared heater 20 is PID-controlled with a target temperature of 530.degree. The set output of each infrared heater 20 is 16.0 kW (kilowatt).
In the second operation example, five temperature sensors 16 are provided for the sample as in the first operation example. Memorize the temperature. In addition, a temperature sensor 16 is provided for sensing the temperature of the upper and lower portions of the furnace 2 away from the sample, and a temperature sensor 16 for sensing the temperature of the hot air inlet 6 . The control means also store these temperatures.
At least one of the number and arrangement of the temperature sensors 16 may be other than those described above. Further, the temperature referred to in the control by the control means may be any one of the second to fifth portions, the average of these combinations, or the temperature in the furnace 2 away from the sample. It may be the temperature. Further, at least some of the various temperatures may not be stored.

制御手段は、サンプルの軟化点を目標温度としたＰＩＤ制御を行うことにより、サンプルの第１部分の温度が熱風及び赤外線で軟化点に到達するまで（ステップＳ１３でＮｏ）、各赤外線ヒータ２０の出力が設定出力程度に高くなるようにし、軟化点に到達した後では（ステップＳ１３でＹｅｓ）、各赤外線ヒータ２０の出力がその前より低くなって赤外線の強度が低下するようにする（ステップＳ１４）。
尚、制御手段は、ＰＩＤ制御を行えばきめ細かく赤外線ヒータ２０の出力低下を行えるところ、ＰＩＤ制御に代えて、ＰＤ制御あるいはＰ制御等の他のフィードバック制御を行っても良いし、予め決められたパターン（経過時間に対する各赤外線ヒータ２０への電力の関数）に従った制御等のフィードバック制御以外の制御を行っても良い。 The control means performs PID control with the softening point of the sample as the target temperature, until the temperature of the first portion of the sample reaches the softening point with hot air and infrared rays (No in step S13), the infrared heaters 20 After reaching the softening point (Yes in step S13), the output of each infrared heater 20 is made lower than before so that the intensity of the infrared rays decreases (step S14). ).
Although the control means can finely reduce the output of the infrared heater 20 by performing PID control, other feedback control such as PD control or P control may be performed instead of PID control. Control other than feedback control such as control according to a pattern (function of power to each infrared heater 20 with respect to elapsed time) may be performed.

制御手段は、加熱開始から所定時間（例えば３分（ｍｉｎ））が経過すると、ヒータ付きブロワ８による熱風の供給と、各赤外線ヒータ２０の点灯とを停止する（ステップＳ１５，Ｓ１６）。
ここでは、サンプルの温度変化を比較的長期間調べるため、６．８ｍｉｎの経過後、上記停止が行われる。
尚、ヒータ付きブロワ８の停止及び各赤外線ヒータ２０の停止は、互いにタイミングをずらして行われても良い。 When a predetermined time (for example, 3 minutes (min)) has elapsed from the start of heating, the control means stops supplying hot air from the blower 8 with heater and lighting the infrared heaters 20 (steps S15 and S16).
Here, in order to examine the temperature change of the sample for a relatively long period of time, the above stop is performed after 6.8 minutes have elapsed.
The stopping of the blower with heater 8 and the stopping of each infrared heater 20 may be performed at different timings.

図７は試験開始からの経過時間（横軸，ｍｉｎ）に対する各種の温度（左縦軸，℃）が示されるグラフであり、図８は図７の内サンプルの第１～第５部分の温度について縦軸の一部が拡大して示されるグラフである。当該各種の温度は、サンプルの第１～第５部分の温度，熱風入口６の温度，炉２の上部の温度，炉２の下部の温度である。又、図７では、試験開始からの経過時間に対する赤外線ヒータ２０の１本当たりの有効電力（右縦軸，ｋＷ）が、併せて示される。
加熱開始時のサンプルの温度（第１～第５部分の平均即ちサンプル平均温度）は１６．１℃であり、熱風の導入と、ＰＩＤ制御で設定出力（１６ｋＷ）程度で点灯された赤外線ヒータ２０からの赤外線の照射とにより、１．８分後にはサンプルの第１～第５部分の何れも目標温度（５３０℃）付近に到達している。サンプルの最高温度は、５３１．１℃であり、サンプル平均温度が５３０℃に到達した際のサンプルにおける最大温度差は１７．４℃である。
かような到達後、ＰＩＤ制御により赤外線ヒータ２０の出力は２ｋＷ前後まで下がり（赤外線の強度が下がり）、サンプルの各部分の温度は５３０℃程度に維持され、５３０℃到達後１分後にはサンプルにおける最大温度差は１ないし３℃に縮小する。かような温度差の縮小、即ちサンプル温度分布の均一化は、赤外線ヒータ２０からの赤外線の照射によるサンプルの加熱と、熱風により炉２内の温度分布を緩和する作用（熱風の撹拌作用）との併用が寄与しているものと考えられる。 FIG. 7 is a graph showing various temperatures (left vertical axis, ° C.) against the elapsed time (horizontal axis, min) from the start of the test, and FIG. 8 is the temperature of the first to fifth parts of the sample in FIG. is a graph in which a part of the vertical axis is enlarged. The various temperatures are the temperature of the first to fifth parts of the sample, the temperature of the hot air inlet 6, the temperature of the upper part of the furnace 2, and the temperature of the lower part of the furnace 2. FIG. 7 also shows the effective power (right vertical axis, kW) per infrared heater 20 with respect to the elapsed time from the start of the test.
The temperature of the sample at the start of heating (the average of the first to fifth portions, that is, the average temperature of the sample) was 16.1°C. After 1.8 minutes, all of the first to fifth portions of the sample reached around the target temperature (530° C.). The maximum sample temperature is 531.1°C and the maximum temperature difference across the sample is 17.4°C when the sample average temperature reaches 530°C.
After such arrival, the output of the infrared heater 20 is lowered to around 2 kW (infrared intensity is lowered) by PID control, the temperature of each part of the sample is maintained at about 530° C., and one minute after reaching 530° C., the sample The maximum temperature difference at is reduced to 1-3°C. Reduction of such a temperature difference, that is, homogenization of the sample temperature distribution, is achieved by heating the sample by irradiating the infrared rays from the infrared heater 20 and relaxing the temperature distribution in the furnace 2 by the hot air (stirring action of the hot air). It is thought that the combined use of

このブリスター試験の完了後、サンプルが目視で観察され、サンプルの表面及び裏面にブリスターの発生が認められた。
ブリスターは、サンプルが均一に軟化点まで加熱されれば比較的短時間（サンプルの大きさ及び形状等にもよるが軟化点到達後１分程度）で発生する。よって、１．８分後の軟化点（目標温度）への到達及び１分間程度の維持により、３分間程度の加熱でブリスターがサンプルの全体に発生し得、ブリスター試験が完了する。 After completion of the blister test, the samples were visually inspected for blistering on the top and bottom surfaces of the samples.
Blistering occurs in a relatively short time (about 1 minute after reaching the softening point, depending on the size and shape of the sample) if the sample is uniformly heated to the softening point. Therefore, by reaching the softening point (target temperature) after 1.8 minutes and maintaining it for about 1 minute, blistering can occur throughout the sample after heating for about 3 minutes, completing the blister test.

かような第２動作例に係るブリスター試験機１は、次のような作用効果を奏する。
即ち、ブリスター試験機１は、サンプルを保持するサンプル台４と、内部にサンプル台４が配置される炉２と、炉２内へ熱風を供給するヒータ付きブロワ８と、炉２内に設けられており赤外線を発生する各赤外線ヒータ２０と、を備えている。
よって、サンプルを加熱する熱源は、熱風及び赤外線であり、ブリスター試験機１の作動及び管理は容易且つ安全に行える。又、ブリスター試験機１が作動に際し排出するものは熱風だけであり、環境への影響が低減される。更に、サンプルが熱風と赤外線とで均一に加熱されるため、検査時間が３分程度と短時間で済み、検査が正確に行える。サンプルの加熱の均一性（最大温度差１ないし３℃）は、第１動作例（赤外線のみでの加熱）のもの（最大温度差８ないし９℃）に比べ、更に優れたものとなっている。 The blister tester 1 according to the second operation example has the following effects.
That is, the blister tester 1 includes a sample stage 4 for holding a sample, a furnace 2 in which the sample stage 4 is arranged, a heater-equipped blower 8 for supplying hot air into the furnace 2, and a and each infrared heater 20 for generating infrared rays.
Therefore, the heat sources for heating the sample are hot air and infrared rays, and the operation and management of the blister tester 1 can be performed easily and safely. In addition, the blister tester 1 emits only hot air during its operation, thus reducing the impact on the environment. Furthermore, since the sample is uniformly heated by the hot air and the infrared rays, the inspection time is as short as about 3 minutes, and the inspection can be performed accurately. The uniformity of sample heating (maximum temperature difference 1-3°C) is even better than that of the first working example (heating with only infrared radiation) (maximum temperature difference 8-9°C). .

又、ブリスター試験機１は、各赤外線ヒータ２０の出力を調節する制御手段を備えており、制御手段は、赤外線ヒータ２０の出力について、サンプルの温度が軟化点へ到達する前に比べ、到達した後で低くする。よって、ブリスター試験機１は、熱風の撹拌作用と強力な赤外線の作用とにより、短時間でサンプルを軟化点に到達させ、その後は熱風の作用を補助する比較的に弱い赤外線の作用により、サンプルを均一に加熱することができる。
更に、各赤外線ヒータ２０は、発熱温度が１０５０℃以上１６５０℃以下であるカーボン製の面状フィラメントを有するカーボンヒータを含んでいる。よって、サンプルに対する作用の程度がより良い赤外線、即ち他の赤外線に比較して作用の程度が穏やかでありながら均一の加熱のために不足しない中赤外線が多く照射され、より短時間で均一なサンプルの加熱が行える。 In addition, the blister tester 1 is provided with control means for adjusting the output of each infrared heater 20, and the control means controls the output of the infrared heater 20 so that the temperature of the sample reaches the softening point before reaching the softening point. lower later. Therefore, the blister tester 1 allows the sample to reach the softening point in a short period of time by the stirring action of hot air and the action of strong infrared rays. can be heated evenly.
Further, each infrared heater 20 includes a carbon heater having planar filaments made of carbon whose heat generation temperature is 1050° C. or higher and 1650° C. or lower. Therefore, the infrared rays that have a better effect on the sample, that is, the medium infrared rays that have a moderate effect compared to other infrared rays, but are sufficient for uniform heating, are irradiated in a large amount, and the sample is uniformly heated in a short time. can be heated.

他方、ブリスター試験機１で実行可能な第２動作例に係るブリスター試験方法では、サンプルに対し、ヒータ付きブロワ８による熱風の供給と、各赤外線ヒータ２０による赤外線の照射とが行われることで、サンプルが軟化点以上融点未満に加熱される。よって、熱風の撹拌作用と赤外線の作用とにより、作動及び管理がより容易且つ安全に行え、より環境に優しく、検査時間が比較的に短いブリスター試験方法が提供される。
又、各赤外線ヒータ２０による赤外線の照射の強度が、サンプルの温度の軟化点への到達の前に比べ、その到達の後で低くされる。よって、熱風の撹拌作用と強力な赤外線の作用とにより、短時間でサンプルが軟化点に到達し、その後は熱風の作用を補助する比較的に弱い赤外線の作用により、サンプルが均一に加熱されて、より短時間で正確な検査が実現する。 On the other hand, in the blister test method according to the second operation example that can be performed by the blister test machine 1, the sample is supplied with hot air by the blower 8 with a heater and irradiated with infrared rays by each infrared heater 20, The sample is heated above the softening point and below the melting point. Therefore, the agitating action of hot air and the action of infrared rays provide a blister testing method that is easier and safer to operate and manage, is more environmentally friendly, and has a relatively short inspection time.
Also, the intensity of the infrared radiation from each infrared heater 20 is made lower after reaching the softening point of the temperature of the sample than before it reaches the softening point. Therefore, the sample reaches the softening point in a short time due to the stirring action of the hot air and the action of the strong infrared rays. After that, the action of the relatively weak infrared rays assisting the action of the hot air heats the sample uniformly. , more accurate inspection can be achieved in a shorter time.

尚、第２動作例に係る各赤外線ヒータ２０の出力に係る軟化点到達後の低下は、発熱温度が１０５０℃以上１６５０℃以下に限定されない赤外線ヒータによる加熱においてもそれぞれ実行可能であり、それぞれ上述の作用効果を奏するものである。 It should be noted that the reduction in the output of each infrared heater 20 after reaching the softening point according to the second operation example can also be performed in heating by an infrared heater whose heat generation temperature is not limited to 1050° C. or higher and 1650° C. or lower. It has the action and effect of

１・・ブリスター試験機、２・・炉、４・・サンプル台（サンプル保持部）、８・・ヒータ付きブロワ（熱風供給部）、２０・・赤外線ヒータ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Blister test machine, 2... Furnace, 4... Sample stand (sample holding part), 8... Blower with heater (hot air supply part), 20... Infrared heater.

Claims

a sample holder that holds the sample;
an infrared heater that generates infrared rays;
control means for adjusting the output of the infrared heater;
and
The infrared heater irradiates the sample with the infrared rays,
The control means lowers the output of the infrared heater after the temperature of the sample or the temperature around the sample reaches the softening point of the sample compared to before the temperature reaches the softening point of the sample. testing machine.

a sample holder that holds the sample;
a furnace in which the sample holder is arranged;
a hot air supply unit that supplies hot air into the furnace;
an infrared heater that is provided in the furnace and generates infrared rays;
control means for adjusting the output of the infrared heater;
and
The control means lowers the output of the infrared heater after the temperature of the sample or the temperature around the sample reaches the softening point of the sample compared to before the temperature reaches the softening point of the sample. Blister test machine.

a sample holder that holds the sample;
an infrared heater that generates infrared rays;
and
The infrared heater is
It includes a carbon heater having a carbon planar filament with a heat generation temperature of 1050° C. or more and 1650° C. or less,
irradiating the sample with the infrared rays
A blister tester characterized by:

a sample holder that holds the sample;
a furnace in which the sample holder is arranged;
a hot air supply unit that supplies hot air into the furnace;
an infrared heater that is provided in the furnace and generates infrared rays;
and
The infrared heater includes a carbon heater having a planar carbon filament with a heat generation temperature of 1050° C. or higher and 1650° C. or lower.
A blister tester characterized by:

In a blister test method in which the sample is heated to a softening point or higher and lower than the melting point by irradiating the sample with infrared rays,
The intensity of the infrared radiation is reduced after reaching the softening point of the sample compared to before reaching the softening point of the sample at the temperature of the sample or the temperature surrounding the sample.
A blister test method characterized by:

In a blister test method in which the sample is heated to a softening point or higher but lower than the melting point by supplying hot air and infrared irradiation to the sample,
The intensity of the infrared radiation is reduced after reaching the softening point of the sample compared to before reaching the softening point of the sample at the temperature of the sample or the temperature surrounding the sample.
A blister test method characterized by: