JP7144307B2 - Indirect heating deposition source - Google Patents

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Description

本発明は、蒸着材料を充填した容器を電子ビーム衝撃（ボンバード）により加熱し、蒸着材料を加熱、蒸発させる間接加熱蒸着源に関する。 The present invention relates to an indirect heating vapor deposition source that heats a container filled with a vapor deposition material by electron beam bombardment to heat and evaporate the vapor deposition material.

従来から、真空チャンバー内に基板を配置して、この基板に向けて蒸着源を設置した蒸着装置が知られており、間接加熱蒸着源としては、蒸着材料を充填した容器に電子ビーム（熱電子）を放出する電子線衝撃型蒸着源がある（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, a vapor deposition apparatus is known in which a substrate is placed in a vacuum chamber and a vapor deposition source is installed facing the substrate. ) is available (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１に記載された間接加熱蒸着源は、容器と、電子源と、容器保持部と、移動機構と、冷却台とを備える。電子源は、容器の底部に熱電子を放出する。容器保持部は、容器の底部を露出させて保持する。移動機構は、容器保持部を駆動させて、容器を水平方向に移動させる。冷却台は、移動機構により電子源の上方から水平方向に移動した容器の底部が接触する上面を有し、容器を冷却する。 The indirectly heated vapor deposition source described in Patent Document 1 includes a container, an electron source, a container holder, a moving mechanism, and a cooling table. An electron source emits thermal electrons to the bottom of the container. The container holder exposes and holds the bottom of the container. The moving mechanism drives the container holder to horizontally move the container. The cooling table has an upper surface with which the bottom of the container that is horizontally moved from above the electron source by the moving mechanism contacts, and cools the container.

また、間接加熱蒸着源としては、図７に示すような間接加熱蒸着源１０１がある。間接加熱蒸着源１０１は、真空チャンバー内に設置され、容器に充填された蒸着材料を加熱、蒸発させて基板に蒸着させる。この間接加熱蒸着源１０１は、ライナー１０２と、ホルダー１０３と、防着カバー１０７と、電子源１０８とを備えている。 As an indirectly heated vapor deposition source, there is an indirectly heated vapor deposition source 101 as shown in FIG. The indirect heating deposition source 101 is installed in a vacuum chamber, heats and evaporates the deposition material filled in the container, and deposits it on the substrate. This indirectly heated vapor deposition source 101 includes a liner 102 , a holder 103 , an anti-adhesion cover 107 and an electron source 108 .

ライナー１０２は、モリブデンやセラミックスなどの高融点材料からなり、有底の筒状に形成されている。ライナー１０２には、蒸着材料１０４が充填される。ホルダー１０３は、円形の板状に形成されており、複数のライナー１０２を貫通させて保持する。ホルダー１０３の中心部には、回転駆動軸１１４が接続されている。回転駆動軸１１４は、ホルダー１０３を回転駆動させて、ホルダー１０３に保持された複数のライナー１０２を水平方向に移動させる。 The liner 102 is made of a high-melting-point material such as molybdenum or ceramics, and is formed in a cylindrical shape with a bottom. Liner 102 is filled with deposition material 104 . The holder 103 is formed in the shape of a circular plate, and holds the plurality of liners 102 by penetrating them. A rotary drive shaft 114 is connected to the center of the holder 103 . The rotary drive shaft 114 rotates the holder 103 to horizontally move the plurality of liners 102 held by the holder 103 .

電子源１０８は、所定の位置に配置されたライナー１０２の下方に位置しており、タングステン材からなるフィラメントを有している。このフィラメントに加速電源１０９から所定の値の電流が供給されると、フィラメントは、ジュール加熱により熱電子放出が可能な温度に加熱される。 An electron source 108 is positioned below the liner 102 in place and has a filament of tungsten material. When a current of a predetermined value is supplied to this filament from the accelerating power source 109, the filament is heated by Joule heating to a temperature at which thermionic emission is possible.

フィラメントが熱電子放出可能な温度まで加熱されると、フィラメントから放出された熱電子は、電界により加速され、ライナー１０２が電子衝撃加熱される。蒸着材料１０４は、ライナー１０２からの熱伝導或いは熱輻射により加熱され、蒸発する。これにより発生した蒸発粒子は、真空中を移動し、基板保持部１２０に保持された基板１２１に堆積する。 When the filament is heated to a thermionic emission temperature, the thermionic electrons emitted from the filament are accelerated by the electric field and the liner 102 is subjected to electron bombardment heating. The deposition material 104 is heated by heat conduction or heat radiation from the liner 102 and evaporated. Evaporated particles generated thereby move in a vacuum and deposit on the substrate 121 held by the substrate holder 120 .

防着カバー１０７は、上面板１１７と、上面板１１７に連続する側面板１１８を有しており、ライナー１０２及びホルダー１０３を覆う。防着カバー１０７の上面板１１７は、基板保持部１２０に保持された基板１２１に対向する貫通孔１１７ａを有している。蒸着材料１０４が溶融して生じる蒸発粒子は、貫通孔１１７ａを通って基板１２１に到達する。 The anti-adhesion cover 107 has a top plate 117 and side plates 118 that are continuous with the top plate 117 and covers the liner 102 and the holder 103 . The top plate 117 of the deposition-inhibitory cover 107 has a through-hole 117 a facing the substrate 121 held by the substrate holding portion 120 . Evaporated particles generated by melting the deposition material 104 reach the substrate 121 through the through holes 117a.

また、ホルダー１０３の上面には、防着突起部１１５が設けられている。この防着突起部１１５は、ホルダー１０３の上面から突出しており、防着カバー１０７とホルダー１０３に囲まれた空間を仕切り、互いのライナー１０２間を遮る。すなわち、防着カバー１０７及び防着突起部１１５は、所定の位置に配置されたライナー１０２から蒸発した蒸発粒子が、他のライナー１０２へ到達しないようにして、他のライナー１０２への蒸気汚染を防止する。 In addition, an adhesion preventing protrusion 115 is provided on the upper surface of the holder 103 . The anti-adhesion protrusion 115 protrudes from the upper surface of the holder 103, partitions the space surrounded by the anti-adhesion cover 107 and the holder 103, and shields the liners 102 from each other. That is, the anti-adhesion cover 107 and the anti-adhesion protrusion 115 prevent vapor particles evaporated from the liner 102 arranged at a predetermined position from reaching the other liner 102, thereby preventing vapor contamination of the other liner 102. To prevent.

特開２０１８－１６８３６号公報JP 2018-16836 A

しかしながら、図７に示す間接加熱蒸着源１０１では、蒸着を継続するにつれて防着カバー１０７の貫通孔１１７ａの縁に蒸着物が堆積してしまう。そして、堆積した蒸着物がある程度の大きさになると、貫通孔１１７ａの縁から落下し、ライナー１０２内へ入り込む場合がある。 However, in the indirectly heated vapor deposition source 101 shown in FIG. 7, as the vapor deposition continues, the vapor deposits on the edge of the through-hole 117a of the anti-deposition cover 107 . When the deposited vapor reaches a certain size, it may drop from the edge of the through-hole 117 a and enter the liner 102 .

貫通孔１１７ａの縁に堆積した蒸着物がライナー１０２内へ落下すると、スプラッシュ（周囲に材料が飛散すること）が発生し、基板１０５の外観不良を引き起こす場合がある。また、落下した蒸着物が異種蒸着材料の不純物になってしまうこともある。 When the deposit deposited on the edge of the through-hole 117 a falls into the liner 102 , splash (material scattering around) may occur, which may cause the appearance of the substrate 105 to be poor. In addition, the deposited material that has fallen may become an impurity of the dissimilar deposition material.

本発明は、上記状況に鑑みてなされたものであり、防着カバーにおける貫通孔の縁に蒸着物が堆積することを防止する間接加熱蒸着源を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an indirectly heated vapor deposition source that prevents deposition of a vapor deposition material on the edge of a through-hole in a deposition-preventive cover.

本発明の間接加熱蒸着源の一態様は、容器と、上蓋と、容器保持部と、防着カバーと、電子源とを備える。容器は、有底の筒状に形成され、蒸着材料が充填される。上蓋は、容器の開口を塞ぎ、容器保持部は、容器を保持する。防着カバーは、容器、上蓋、及び容器保持部を覆う。電子源は、容器を電子衝撃加熱するための熱電子を放出する。上蓋及び防着カバーは、容器を電子衝撃加熱することにより蒸発した蒸着材料が通る蒸発用貫通孔をそれぞれ有する。上蓋の蒸発用貫通孔は、防着カバーの蒸発用貫通孔の縁部に対向しない。また、容器保持部は、電子源から放出された熱電子が通過する熱電子用貫通孔を有し、熱電子用貫通孔を通過した熱電子は、上蓋に照射される。 One aspect of the indirectly heated deposition source of the present invention includes a container, an upper lid, a container holder, an anti-adhesion cover, and an electron source. The container is formed in a cylindrical shape with a bottom and is filled with a vapor deposition material. The upper cover closes the opening of the container, and the container holding part holds the container. The anti-adhesion cover covers the container, the top lid, and the container holder. The electron source emits thermal electrons for electron bombardment heating of the container. The upper lid and the anti-adhesion cover each have an evaporation through-hole through which the evaporation material evaporated by electron impact heating of the container passes. The vaporization through hole of the upper lid does not face the edge of the vaporization through hole of the anti-adhesion cover. The container holder has a thermoelectron through-hole through which the thermoelectrons emitted from the electron source pass, and the thermoelectrons passing through the thermoelectron through-hole are irradiated to the upper lid.

上述のように、本発明の一態様は、熱電子用貫通孔を通過した熱電子が上蓋に照射されるため、上蓋を電子衝撃加熱することができる。その結果、上蓋に蒸着物が堆積することを防止することができる。また、上蓋の蒸発用貫通孔が、防着カバーの蒸発用貫通孔の縁部に対向しないため、防着カバーの蒸発用貫通孔の縁部に蒸着物が堆積することを防止することができる。 As described above, in one embodiment of the present invention, the upper lid is irradiated with thermoelectrons that have passed through the thermoelectron through-holes, so that the upper lid can be subjected to electron impact heating. As a result, it is possible to prevent deposits from depositing on the upper lid. In addition, since the evaporation through-holes of the upper lid do not face the edges of the evaporation through-holes of the deposition-preventing cover, it is possible to prevent deposits from accumulating on the edges of the evaporation through-holes of the deposition-preventing cover. .

本発明の第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of an indirectly heated vapor deposition source according to a first embodiment of the present invention; FIG. 本発明の第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源の容器保持部を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a container holding portion of the indirectly heated vapor deposition source according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an indirectly heated vapor deposition source according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram of an indirectly heated vapor deposition source according to a third embodiment of the present invention; 本発明の第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源の容器保持部を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a container holding portion of an indirectly heated vapor deposition source according to a third embodiment of the present invention; 本発明の第４の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。FIG. 11 is a schematic configuration diagram of an indirectly heated vapor deposition source according to a fourth embodiment of the present invention; 従来の間接加熱蒸着源の概略構成図である。1 is a schematic configuration diagram of a conventional indirect heating vapor deposition source; FIG.

以下、本発明を実施するための形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。なお、各図において実質的に同一の機能又は構成を有する構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。 Hereinafter, examples of embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In each drawing, constituent elements having substantially the same function or configuration are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.

＜第１の実施形態＞
［間接加熱蒸着源の構成］
まず、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源の構成について、図１及び図２を参照して説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源の容器保持部を示す平面図である。 <First embodiment>
[Structure of Indirect Heating Evaporation Source]
First, the configuration of an indirectly heated vapor deposition source according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an indirectly heated vapor deposition source according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing a container holding portion of the indirectly heated vapor deposition source according to the first embodiment of the present invention.

図１に示す間接加熱蒸着源１は、真空チャンバー内に設置され、容器に充填された蒸着材料を加熱、蒸発させて基板に蒸着させる。
間接加熱蒸着源１は、容器の第１の具体例を示す複数のライナー２と、容器保持部の第１の具体例を示すホルダー３と、上蓋の第１の具体例を示す複数の上蓋６と、防着カバー７と、電子源８とを備えている。 An indirect heating deposition source 1 shown in FIG. 1 is installed in a vacuum chamber, heats and evaporates a deposition material filled in a container, and deposits it on a substrate.
The indirectly heated vapor deposition source 1 includes a plurality of liners 2 representing a first specific example of a container, a holder 3 representing a first specific example of a container holding portion, and a plurality of upper lids 6 representing a first specific example of a top lid. , an anti-adhesion cover 7 and an electron source 8 .

複数のライナー２は、それぞれ有底の筒状に形成されており、円形の底部２ａと、底部２ａの周縁に連続する周壁部２ｂと、周壁部２ｂの上端に連続するフランジ部２ｃとを有している。ライナー２の材料としては、例えば、モリブデンやセラミックスなどの高融点材料を挙げることができる。また、ライナー２には、蒸着材料４が充填される。 Each of the plurality of liners 2 is formed in a cylindrical shape with a bottom, and has a circular bottom portion 2a, a peripheral wall portion 2b continuous with the peripheral edge of the bottom portion 2a, and a flange portion 2c continuous with the upper end of the peripheral wall portion 2b. is doing. Examples of materials for the liner 2 include high-melting-point materials such as molybdenum and ceramics. Also, the liner 2 is filled with a deposition material 4 .

ホルダー３は、円形の板状に形成されており、複数のライナー２を貫通させる複数の保持用孔３ａと、熱電子を通す複数の熱電子用貫通孔３ｂとを有している（図２参照）。複数の保持用孔３ａは、円形に形成されている。保持用孔３ａの縁部には、ライナー２のフランジ部２ｃが当接する。複数の熱電子用貫通孔３ｂは、保持用孔３ａの周囲に適当な間隔を空けて並んでいる。各熱電子用貫通孔３ｂは、保持用孔３ａの円周に沿う円弧状に形成されている。 The holder 3 is formed in a circular plate shape, and has a plurality of holding holes 3a through which the plurality of liners 2 pass, and a plurality of thermoelectron through holes 3b through which thermoelectrons pass (FIG. 2). reference). The plurality of holding holes 3a are formed in a circular shape. The flange portion 2c of the liner 2 contacts the edge portion of the holding hole 3a. The plurality of thermionic through holes 3b are arranged at suitable intervals around the holding hole 3a. Each thermoelectron through-hole 3b is formed in an arc shape along the circumference of the holding hole 3a.

ホルダー３の材料は、熱抵抗の大きいものであればよい。したがって、ホルダー３には、ライナー２の熱が伝達され難くなっている。なお、図１及び図２では、ホルダー３が２つの保持用孔３ａを有しているが、本発明に係るホルダー（容器保持部）としては、１つの保持用孔を有し、１つのライナー（容器）を保持するものであってもよく、また、３つ以上の保持用孔を有し、３つ以上のライナー（容器）を保持するものであってもよい。 The holder 3 may be made of any material as long as it has a high thermal resistance. Therefore, the heat of the liner 2 is less likely to be transferred to the holder 3 . 1 and 2, the holder 3 has two holding holes 3a, but the holder (container holding portion) according to the present invention has one holding hole and one liner. (containers), or may have three or more holding holes to hold three or more liners (containers).

ホルダー３の中心部には、駆動機構の一具体例を示す回転駆動軸１４が接続されている。回転駆動軸１４は、ホルダー３を回転駆動させて、ホルダー３に保持された複数のライナー２を水平方向に移動させる。この回転駆動軸１４は、回転機能を損なわないよう冷却されている。 A rotary drive shaft 14 representing a specific example of a drive mechanism is connected to the center of the holder 3 . The rotary drive shaft 14 rotates the holder 3 to horizontally move the plurality of liners 2 held by the holder 3 . This rotary drive shaft 14 is cooled so as not to impair its rotational function.

また、ホルダー３の上面には、防着突起部１５が設けられている。この防着突起部１５は、ホルダー３の上面から突出しており、後述の防着カバー７とホルダー３に囲まれた空間を仕切り、互いのライナー２間を遮る。 Further, an adhesion preventing protrusion 15 is provided on the upper surface of the holder 3 . The anti-adhesion protrusion 15 protrudes from the upper surface of the holder 3, partitions a space surrounded by an anti-adhesion cover 7 described later and the holder 3, and shields the liners 2 from each other.

複数の上蓋６は、複数のライナー２の開口を塞ぐ。上蓋６は、ライナー２におけるフランジ部２ｃの外径よりも大きい径の円板状に形成されており、蒸発用貫通孔６ａと、係合突部６ｂとを有する。蒸発用貫通孔６ａは、上蓋６の中心部に設けられており、ライナー２の開口に対向している。すなわち、蒸発用貫通孔６ａは、防着カバー７の後述する蒸発用貫通孔１７ａの縁部に対向しない位置に設けられている。また、蒸発用貫通孔６ａは、例えば、円形に形成されている。 A plurality of upper lids 6 block the openings of the plurality of liners 2. - 特許庁The upper lid 6 is formed in a disc shape with a diameter larger than the outer diameter of the flange portion 2c of the liner 2, and has an evaporation through-hole 6a and an engaging protrusion 6b. The evaporation through-hole 6 a is provided in the center of the upper lid 6 and faces the opening of the liner 2 . That is, the evaporation through-hole 6a is provided at a position that does not face the edge of the evaporation through-hole 17a, which will be described later, of the anti-adhesion cover 7. As shown in FIG. Moreover, the through-hole 6a for evaporation is formed circularly, for example.

係合突部６ｂは、上蓋６のライナー２に対向する面に設けられており、フランジ部２ｃの縁部に係合する。上蓋６は、係合突部６ｂがフランジ部２ｃの縁部に係合することにより、ライナー２に対して位置決めされる。上蓋６の材料としては、例えば、モリブデンやセラミックスなどの高融点材料を挙げることができる。 The engaging protrusion 6b is provided on the surface of the upper lid 6 facing the liner 2 and engages with the edge of the flange portion 2c. The upper lid 6 is positioned with respect to the liner 2 by engaging the engaging protrusion 6b with the edge of the flange portion 2c. Examples of materials for the upper lid 6 include high-melting-point materials such as molybdenum and ceramics.

防着カバー７は、略箱状に形成されており、ホルダー３、複数のライナー２及び複数の上蓋６を覆う。この防着カバー７は、上面板１７と、上面板１７に連続する側面板１８を有している。防着カバー７の上面板１７は、基板保持部１２０に保持された基板１２１に対向する蒸発用貫通孔１７ａを有している。蒸着材料４が加熱されて生じる蒸発粒子は、上蓋６の蒸発用貫通孔６ａ及び防着カバー７の蒸発用貫通孔１７ａを通って基板１２１に到達する。 The anti-adhesion cover 7 has a substantially box shape and covers the holder 3 , the plurality of liners 2 and the plurality of upper lids 6 . The anti-adhesion cover 7 has a top plate 17 and side plates 18 that are continuous with the top plate 17 . The top plate 17 of the anti-adhesion cover 7 has an evaporation through-hole 17 a facing the substrate 121 held by the substrate holding portion 120 . Evaporated particles generated by heating the deposition material 4 reach the substrate 121 through the evaporation through-holes 6 a of the upper lid 6 and the evaporation through-holes 17 a of the anti-adhesion cover 7 .

防着カバー７の上方には、基板保持部１２０が配置されている。この基板保持部１２０は、円形の板状に形成されており、下面において基板１２１を保持する。また、基板保持部１２０における上面の中心部には、回転駆動軸１２２が接続されている。回転駆動軸１２２は、基板保持部１２０を回転駆動させて、基板保持部１２０に保持された基板１２１を水平方向に移動させる。また、回転駆動軸１２２は、回転機能を損なわないよう冷却されている。 A substrate holder 120 is arranged above the deposition-inhibitory cover 7 . This substrate holding part 120 is formed in a circular plate shape, and holds a substrate 121 on its lower surface. A rotary drive shaft 122 is connected to the center of the upper surface of the substrate holding portion 120 . The rotary drive shaft 122 rotates the substrate holder 120 to horizontally move the substrate 121 held by the substrate holder 120 . Also, the rotary drive shaft 122 is cooled so as not to impair its rotation function.

基板１２１に蒸着膜を付着させる場合は、回転駆動軸１２２によって基板保持部１２０を回転駆動させて、基板１２１をライナー２（蒸発用貫通孔１７ａ）の上方に移動させる。これにより、ライナー２に充填された蒸着材料４が加熱されて蒸発すると、その蒸発粒子が基板１２１に堆積する。なお、図１では、基板保持部１２０が１つの基板１２１を保持しているが、本発明に係る基板保持部としては、複数の基板を保持するものであってもよい。 When depositing a deposited film on the substrate 121, the substrate holder 120 is rotationally driven by the rotation drive shaft 122 to move the substrate 121 above the liner 2 (evaporation through-hole 17a). As a result, when the deposition material 4 filled in the liner 2 is heated and evaporated, the evaporated particles are deposited on the substrate 121 . Although the substrate holding part 120 holds one substrate 121 in FIG. 1, the substrate holding part according to the present invention may hold a plurality of substrates.

電子源８は、ホルダー３の下方において、ライナー２の回転軌道上の任意の蒸着位置に配置されている。これにより、ホルダー３に保持されたライナー２がる蒸着位置に配置されると、ライナー２は、電子源８の上方に位置する。電子源８は、フィラメントと、電界分布を形成するウェネルトとを有している。ウェネルトには、フィラメントを露出させる開口部が形成されている。 The electron source 8 is arranged below the holder 3 at an arbitrary vapor deposition position on the rotation track of the liner 2 . Thereby, when the liner 2 held by the holder 3 is arranged at the vapor deposition position, the liner 2 is positioned above the electron source 8 . The electron source 8 has a filament and a Wehnelt that forms an electric field distribution. The Wehnelt is formed with openings that expose the filaments.

フィラメントは、タングステン材からなる線材によって形成されている。このフィラメントには、フィラメント電源を介して加速電源９が接続されている。加速電源９は、接地されており、アース電位に対して負の高電圧、例えば３００Ｖ～６ｋＶの電圧が印加される。ホルダー３は、アース電位となっており、ホルダー３に保持されたライナー２は、アース電位となる。 The filament is made of a wire made of tungsten. An acceleration power supply 9 is connected to this filament via a filament power supply. The acceleration power supply 9 is grounded and applied with a negative high voltage with respect to the ground potential, for example, a voltage of 300 V to 6 kV. The holder 3 is at ground potential, and the liner 2 held by the holder 3 is at ground potential.

電子源８の近傍には、走査コイル（偏向コイル）２１が配置されている。この走査コイル２１は、冷却されたブロック２２内に収納されている。走査コイル２１には、走査コイル電流駆動部２３が接続されている。走査コイル電流駆動部２３は、走査コイル２１に流す電流の出力を制御する。また、ブロック２２の上面には、開口を有するアノード２４が固定されている。アノード２４の開口は、電子源８と所定の距離を空けて対向している。 A scanning coil (deflection coil) 21 is arranged near the electron source 8 . This scanning coil 21 is housed in a cooled block 22 . A scanning coil current driver 23 is connected to the scanning coil 21 . The scanning coil current driver 23 controls the output of the current that flows through the scanning coil 21 . An anode 24 having an opening is fixed to the upper surface of the block 22 . The opening of the anode 24 faces the electron source 8 with a predetermined distance therebetween.

フィラメントに所定の値の電流が供給されると、フィラメントは、ジュール加熱により熱電子供給が可能な温度、例えば２３００℃前後に加熱される。加速電源９によりアース電位に対して負の高電圧を印加すると、フィラメントから放出された熱電子が電子源８とアノード２４との間の電界によって加速され、電子ビーム２５が発生する。この電子ビーム２５は、走査コイル２１により生じる交流磁界により偏向され、照射範囲が拡大する。 When a current of a predetermined value is supplied to the filament, the filament is heated by Joule heating to a temperature at which thermoelectrons can be supplied, for example, around 2300.degree. When the accelerating power supply 9 applies a negative high voltage with respect to the ground potential, thermionic electrons emitted from the filament are accelerated by the electric field between the electron source 8 and the anode 24 to generate an electron beam 25 . This electron beam 25 is deflected by an AC magnetic field generated by the scanning coil 21, and the irradiation range is expanded.

その結果、電子ビーム２５は、ライナー２の底部２ａよりも広範囲に照射されることになり、電子ビーム２５の一部が、ホルダー３の複数の熱電子用貫通孔３ｂを通過して上蓋６の周縁部に照射される。したがって、ライナー２の底部２ａ及び上蓋６が電子衝撃加熱される。 As a result, the electron beam 25 irradiates a wider area than the bottom 2a of the liner 2, and a part of the electron beam 25 passes through the thermoelectron through-holes 3b of the holder 3 and reaches the upper lid 6. The periphery is irradiated. Therefore, the bottom portion 2a of the liner 2 and the top lid 6 are subjected to electron impact heating.

ライナー２の底部２ａが電子衝撃加熱されると、ライナー２は昇温する。そして、ライナー２からの伝導熱と輻射により蒸着材料４が加熱される。ライナー２の底部２ａに対する電子衝撃加熱をある程度持続すると、蒸着材料４は、昇華又は蒸発する。蒸着材料４の蒸発粒子は、上蓋６の蒸発用貫通孔６ａ及び防着カバー７の蒸発用貫通孔１７ａを通過して、基板保持部１２０に保持された基板１２１に向かって進行する。その結果、蒸着材料４の蒸発粒子は、基板１２１に堆積して、所望の厚さの蒸着膜が基板１２１に付着する。 When the bottom portion 2a of the liner 2 is heated by electron impact, the temperature of the liner 2 rises. Then, the evaporation material 4 is heated by conduction heat and radiation from the liner 2 . When the electron impact heating of the bottom portion 2a of the liner 2 is continued for some time, the deposition material 4 sublimates or evaporates. Evaporated particles of the vapor deposition material 4 pass through the evaporation through holes 6 a of the upper lid 6 and the evaporation through holes 17 a of the deposition prevention cover 7 and proceed toward the substrate 121 held by the substrate holding part 120 . As a result, the vaporized particles of the vapor deposition material 4 are deposited on the substrate 121 to form a vapor deposition film having a desired thickness on the substrate 121 .

また、蒸着材料４の蒸発粒子の一部は、上蓋６に到達する。すなわち、上蓋６は、蒸着材料４の蒸発粒子が、防着カバー７における蒸発用貫通孔１７ａの縁部へ進行することを防止或いは抑制する。また、上蓋６は、電子ビーム２５の一部が照射されることで電子衝撃加熱されているため、蒸着材料４の蒸発粒子が上蓋６に堆積することを防止或いは抑制することができる。なお、走査コイル電流駆動部２３により、走査コイル２１の電流波形を調整して、上蓋６の周縁部に照射される電子ビーム２５の強度を増大させ、上蓋６の加熱効率を高めることが可能である。 Also, some of the evaporated particles of the vapor deposition material 4 reach the upper lid 6 . That is, the upper lid 6 prevents or suppresses the evaporation particles of the deposition material 4 from advancing to the edges of the evaporation through-holes 17 a in the deposition-preventive cover 7 . Moreover, since the upper lid 6 is subjected to electron impact heating by being irradiated with a part of the electron beam 25 , deposition of evaporated particles of the vapor deposition material 4 on the upper lid 6 can be prevented or suppressed. By adjusting the current waveform of the scanning coil 21 by the scanning coil current driver 23, the intensity of the electron beam 25 irradiated to the peripheral edge of the upper lid 6 can be increased, and the heating efficiency of the upper lid 6 can be improved. be.

このように、本実施形態では、蒸着材料４の蒸発粒子が、防着カバー７における蒸発用貫通孔１７ａの縁部へ進行することを防止或いは抑制するため、蒸発用貫通孔１７ａの縁部に蒸着物が堆積することを防止することができる。 As described above, in the present embodiment, in order to prevent or suppress the evaporation particles of the deposition material 4 from advancing to the edges of the evaporation through-holes 17a in the deposition-preventive cover 7, the edges of the evaporation through-holes 17a are It is possible to prevent deposits from accumulating.

また、蒸着材料４の蒸発粒子が上蓋６に堆積することを防止或いは抑制することができる。或いは、上蓋６に付着した蒸着物を再蒸発させることができる。その結果、上蓋６からの堆積物の落下に起因するスプラッシュの発生や、異種蒸着材料が充填されたライナー２への堆積物の混入を防止することができる。 In addition, deposition of evaporated particles of the vapor deposition material 4 on the upper lid 6 can be prevented or suppressed. Alternatively, the vapor deposited on the upper lid 6 can be re-evaporated. As a result, it is possible to prevent the occurrence of splashes due to the fall of the deposits from the upper lid 6 and the contamination of the deposits into the liner 2 filled with different vapor deposition materials.

さらに、本実施形態では、上蓋６によりライナー２の開口を塞ぐため、ライナー２に充填された蒸着材料４を間接加熱する際に、蒸着材料４からの放熱を抑制することができる。その結果、蒸着材料４の加熱効率を向上させることができる。 Furthermore, in this embodiment, since the opening of the liner 2 is closed by the upper lid 6, heat radiation from the vapor deposition material 4 can be suppressed when the vapor deposition material 4 filled in the liner 2 is indirectly heated. As a result, the heating efficiency of the vapor deposition material 4 can be improved.

＜第２の実施形態＞
［間接加熱蒸着源の構成］
次に、第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源の構成について、図３を参照して説明する。
図３は、本発明の第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。 <Second embodiment>
[Structure of Indirect Heating Evaporation Source]
Next, the configuration of the indirectly heated vapor deposition source according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an indirectly heated vapor deposition source according to a second embodiment of the present invention.

第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源３１は、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同様の構成を備えており、異なる点は、上蓋である。そこで、ここでは、間接加熱蒸着源３１の上蓋３６について説明し、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同じ構成の説明を省略する。 An indirectly heated vapor deposition source 31 according to the second embodiment has the same configuration as the indirectly heated vapor deposition source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment, except for the upper lid. Therefore, here, the upper lid 36 of the indirectly heated vapor deposition source 31 will be described, and the description of the same configuration as that of the indirectly heated vapor deposition source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment will be omitted.

図３に示すように、間接加熱蒸着源３１は、複数のライナー２と、ホルダー３と、上蓋の第２の具体例を示す複数の上蓋３６と、防着カバー７と、電子源８とを備えている。 As shown in FIG. 3, the indirectly heated vapor deposition source 31 includes a plurality of liners 2, a holder 3, a plurality of upper lids 36 showing a second specific example of the upper lid, an anti-adhesion cover 7, and an electron source 8. I have.

複数の上蓋３６は、複数のライナー２の開口を塞ぐ。上蓋３６は、ライナー２におけるフランジ部２ｃの外径よりも大きい径の円板状に形成されており、蒸発用貫通孔の第２の具体例を示す複数の通気孔３６ａと、係合突部３６ｂとを有する。複数の通気孔３６ａは、上蓋３６におけるライナー２の開口に対向する部分に設けられており、防着カバー７の後述する蒸発用貫通孔１７ａの縁部に対向しない。また、通気孔３６ａは、第１の実施形態に係る蒸発用貫通孔６ａよりも径が小さい円形に形成されている。 A plurality of upper lids 36 block the openings of the plurality of liners 2 . The upper lid 36 is formed in a disk shape having a diameter larger than the outer diameter of the flange portion 2c of the liner 2, and includes a plurality of ventilation holes 36a showing a second specific example of the evaporation through-holes, and an engaging projection. 36b. The plurality of ventilation holes 36 a are provided in the portion of the upper lid 36 facing the opening of the liner 2 , and do not face the edges of evaporation through-holes 17 a (described later) of the anti-adhesion cover 7 . Further, the vent hole 36a is formed in a circular shape with a diameter smaller than that of the evaporation through hole 6a according to the first embodiment.

係合突部３６ｂは、上蓋３６のライナー２に対向する面に設けられており、フランジ部２ｃの縁部に係合する。上蓋３６は、係合突部３６ｂがフランジ部２ｃの縁部に係合することにより、ライナー２に対して位置決めされる。上蓋３６の材料としては、例えば、モリブデンやセラミックスなどの高融点材料を挙げることができる。 The engaging protrusion 36b is provided on the surface of the upper lid 36 facing the liner 2 and engages with the edge of the flange portion 2c. The upper lid 36 is positioned with respect to the liner 2 by engaging the engaging protrusions 36b with the edges of the flange portion 2c. Examples of materials for the upper lid 36 include high-melting-point materials such as molybdenum and ceramics.

第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、フィラメントから放出された熱電子が電子源８とアノード２４との間の電界によって加速され、電子ビーム２５が発生する。この電子ビーム２５は、走査コイル２１により生じる交流磁界により偏向され、照射範囲が拡大する。 Also in the second embodiment, thermoelectrons emitted from the filament are accelerated by the electric field between the electron source 8 and the anode 24 to generate the electron beam 25 as in the first embodiment. This electron beam 25 is deflected by an AC magnetic field generated by the scanning coil 21, and the irradiation range is expanded.

その結果、電子ビーム２５は、ライナー２の底部２ａよりも広範囲に照射されることになり、電子ビーム２５の一部が、ホルダー３の複数の熱電子用貫通孔３ｂを通過して上蓋３６の周縁部に照射される。したがって、ライナー２の底部２ａ及び上蓋３６が電子衝撃加熱される。 As a result, the electron beam 25 irradiates a wider area than the bottom 2a of the liner 2, and a part of the electron beam 25 passes through the thermoelectron through-holes 3b of the holder 3 and reaches the upper lid 36. The periphery is irradiated. Therefore, the bottom portion 2a of the liner 2 and the top lid 36 are subjected to electron impact heating.

ライナー２の底部２ａが電子衝撃加熱されると、ライナー２は昇温する。そして、ライナー２からの伝導熱と輻射により蒸着材料４が加熱される。ライナー２の底部２ａに対する電子衝撃加熱をある程度持続すると、蒸着材料４は、昇華又は蒸発する。蒸着材料４の蒸発粒子は、上蓋３６の複数の通気孔３６ａ及び防着カバー７の蒸発用貫通孔１７ａを通過して、基板保持部１２０に保持された基板１２１に向かって進行する。その結果、蒸着材料４の蒸発粒子は、基板１２１に堆積して、所望の厚さの蒸着膜が基板１２１に付着する。 When the bottom portion 2a of the liner 2 is heated by electron impact, the temperature of the liner 2 rises. Then, the evaporation material 4 is heated by conduction heat and radiation from the liner 2 . When the electron impact heating of the bottom portion 2a of the liner 2 is continued for some time, the deposition material 4 sublimates or evaporates. Evaporated particles of the deposition material 4 pass through the plurality of ventilation holes 36 a of the upper lid 36 and the evaporation through-holes 17 a of the deposition prevention cover 7 and advance toward the substrate 121 held by the substrate holder 120 . As a result, the vaporized particles of the vapor deposition material 4 are deposited on the substrate 121 to form a vapor deposition film having a desired thickness on the substrate 121 .

また、蒸着材料４の蒸発粒子の一部は、上蓋３６に到達する。すなわち、上蓋３６は、蒸着材料４の蒸発粒子が、防着カバー７における蒸発用貫通孔１７ａの縁部へ進行することを防止或いは抑制する。また、上蓋３６は、電子ビーム２５の一部が照射されることで電子衝撃加熱されているため、蒸着材料４の蒸発粒子が上蓋３６に堆積することを防止或いは抑制することができる。なお、走査コイル電流駆動部２３により、走査コイル２１の電流波形を調整して、上蓋３６の周縁部に照射される電子ビーム２５の強度を増大させ、上蓋３６の加熱効率を高めることが可能である。 Also, some of the evaporated particles of the vapor deposition material 4 reach the upper lid 36 . That is, the upper lid 36 prevents or suppresses the evaporation particles of the deposition material 4 from advancing to the edges of the evaporation through-holes 17 a in the deposition-preventive cover 7 . In addition, since the upper lid 36 is subjected to electron impact heating by being irradiated with a part of the electron beam 25, deposition of evaporated particles of the vapor deposition material 4 on the upper lid 36 can be prevented or suppressed. By adjusting the current waveform of the scanning coil 21 by the scanning coil current driver 23, the intensity of the electron beam 25 irradiated to the peripheral edge of the upper lid 36 can be increased, and the heating efficiency of the upper lid 36 can be improved. be.

このように、本実施形態では、蒸着材料４の蒸発粒子が、防着カバー７における蒸発用貫通孔１７ａの縁部へ進行することを防止或いは抑制するため、蒸発用貫通孔１７ａの縁部に蒸着物が堆積することを防止することができる。 As described above, in the present embodiment, in order to prevent or suppress the evaporation particles of the deposition material 4 from advancing to the edges of the evaporation through-holes 17a in the deposition-preventive cover 7, the edges of the evaporation through-holes 17a are It is possible to prevent deposits from accumulating.

また、蒸着材料４の蒸発粒子が上蓋３６に堆積することを防止或いは抑制することができる。或いは、上蓋３６に付着した蒸着物を再蒸発させることができる。その結果、上蓋３６からの堆積物の落下に起因するスプラッシュの発生や、異種蒸着材料が充填されたライナー２への堆積物の混入を防止することができる。 In addition, deposition of vaporized particles of the vapor deposition material 4 on the upper lid 36 can be prevented or suppressed. Alternatively, deposits adhering to the top lid 36 can be re-evaporated. As a result, it is possible to prevent the occurrence of splashes due to the fall of the deposits from the upper lid 36 and the contamination of the deposits into the liner 2 filled with different types of vapor deposition materials.

さらに、本実施形態では、上蓋３６によりライナー２の開口を塞ぐため、ライナー２に充填された蒸着材料４を間接加熱する際に、蒸着材料４からの放熱を抑制することができる。その結果、蒸着材料４の加熱効率を向上させることができる。なお、上蓋３６の複数の通気孔３６ａの開口面積は、第１の実施形態に係る蒸発用貫通孔６ａの開口面積よりも小さい。そのため、蒸着材料４からの放熱を第１の実施形態よりも抑制することができる。 Furthermore, in this embodiment, since the opening of the liner 2 is closed by the upper lid 36, heat radiation from the vapor deposition material 4 can be suppressed when the vapor deposition material 4 filled in the liner 2 is indirectly heated. As a result, the heating efficiency of the vapor deposition material 4 can be improved. The opening area of the plurality of ventilation holes 36a of the upper lid 36 is smaller than the opening area of the evaporation through-holes 6a according to the first embodiment. Therefore, heat dissipation from the vapor deposition material 4 can be suppressed more than in the first embodiment.

＜第３の実施形態＞
［間接加熱蒸着源の構成］
次に、第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源の構成について、図４及び図５を参照して説明する。
図４は、本発明の第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。図４は、本発明の第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源の容器保持部を示す平面図である。 <Third Embodiment>
[Structure of Indirect Heating Evaporation Source]
Next, the configuration of an indirectly heated vapor deposition source according to a third embodiment will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG.
FIG. 4 is a schematic configuration diagram of an indirectly heated vapor deposition source according to a third embodiment of the present invention. FIG. 4 is a plan view showing a container holding portion of an indirectly heated vapor deposition source according to a third embodiment of the present invention.

第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源４１は、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同様の構成を備えており、異なる点は、容器保持部である。そこで、ここでは、間接加熱蒸着源４１のホルダー（容器保持部）４３について説明し、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同じ構成の説明を省略する。 An indirectly heated vapor deposition source 41 according to the third embodiment has the same configuration as the indirectly heated vapor deposition source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment, except for the container holding portion. Therefore, here, the holder (vessel holder) 43 of the indirectly heated vapor deposition source 41 will be described, and the description of the same configuration as that of the indirectly heated vapor deposition source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment will be omitted.

間接加熱蒸着源４１は、ライナー２と、容器保持部の第２の具体例を示すホルダー４３と、複数の上蓋６と、防着カバー７と、電子源８とを備えている。 The indirect heating vapor deposition source 41 includes a liner 2 , a holder 43 showing a second specific example of a container holding portion, a plurality of upper lids 6 , an anti-adhesion cover 7 and an electron source 8 .

ホルダー４３は、円形の板状に形成されており、複数のライナー２を貫通させる複数の保持用孔４３ａと、熱電子を通す複数の熱電子用貫通孔４３ｂとを有している（図５参照）。複数の保持用孔４３ａは、円形に形成されている。保持用孔４３ａの縁部には、ライナー２のフランジ部２ｃが当接する。複数の熱電子用貫通孔４３ｂは、保持用孔４３ａの周囲に適当な間隔を空けて並んでいる。 The holder 43 is formed in a circular plate shape, and has a plurality of holding holes 43a through which the plurality of liners 2 pass, and a plurality of thermoelectron through holes 43b through which thermoelectrons pass (FIG. 5). reference). The plurality of holding holes 43a are formed in a circular shape. The flange portion 2c of the liner 2 contacts the edge portion of the holding hole 43a. The thermoelectron through-holes 43b are arranged at suitable intervals around the holding hole 43a.

熱電子用貫通孔４３ｂは、保持用孔４３ａの円周に沿う円弧状に形成されている。熱電子用貫通孔４３ｂの幅（保持用孔４３ａの径方向に沿う長さ）は、第１の実施形態に係る熱電子用貫通孔３ｂの幅よりも大きい。これにより、熱電子用貫通孔４３ｂを通過した電子ビーム２５は、上蓋６の周縁部と、防着カバー７の上面板１７に到達する。 The thermionic through hole 43b is formed in an arc shape along the circumference of the holding hole 43a. The width of the thermoelectron through-hole 43b (the length along the radial direction of the holding hole 43a) is larger than the width of the thermoelectron through-hole 3b according to the first embodiment. As a result, the electron beam 25 that has passed through the thermoelectron through-hole 43 b reaches the peripheral edge of the upper lid 6 and the upper surface plate 17 of the anti-adhesion cover 7 .

ホルダー４３の材料は、熱抵抗の大きいものであればよい。したがって、ホルダー４３には、ライナー２の熱が伝達され難くなっている。なお、図４及び図５では、ホルダー４３が２つの保持用孔４３ａを有しているが、本発明に係るホルダー（容器保持部）としては、１つの保持用孔を有し、１つのライナー（容器）を保持するものであってもよく、また、３つ以上の保持用孔を有し、３つ以上のライナー（容器）を保持するものであってもよい。 The holder 43 may be made of any material as long as it has a high thermal resistance. Therefore, the heat of the liner 2 is less likely to be transferred to the holder 43 . Although the holder 43 has two holding holes 43a in FIGS. 4 and 5, the holder (container holding portion) according to the present invention has one holding hole and one liner. (containers), or may have three or more holding holes to hold three or more liners (containers).

ホルダー４３の中心部には、駆動機構の一具体例を示す回転駆動軸１４が接続されている。回転駆動軸１４は、ホルダー４３を回転駆動させて、ホルダー４３に保持された複数のライナー２を水平方向に移動させる。この回転駆動軸１４は、回転機能を損なわないよう冷却されている。 A rotary drive shaft 14, which is a specific example of a drive mechanism, is connected to the center of the holder 43. As shown in FIG. The rotary drive shaft 14 rotates the holder 43 to horizontally move the plurality of liners 2 held by the holder 43 . This rotary drive shaft 14 is cooled so as not to impair its rotational function.

また、ホルダー４３の上面には、防着突起部１５が設けられている。この防着突起部１５は、ホルダー４３の上面から突出しており、防着カバー７とホルダー４３に囲まれた空間を仕切り、互いのライナー２間を遮る。 Also, an attachment prevention protrusion 15 is provided on the upper surface of the holder 43 . The anti-adhesion protrusion 15 protrudes from the upper surface of the holder 43, partitions the space surrounded by the anti-adhesion cover 7 and the holder 43, and shields the liners 2 from each other.

第３の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、フィラメントから放出された熱電子が電子源８とアノード２４との間の電界によって加速され、電子ビーム２５が発生する。この電子ビーム２５は、走査コイル２１により生じる交流磁界により偏向され、照射範囲が拡大する。 Also in the third embodiment, thermoelectrons emitted from the filament are accelerated by the electric field between the electron source 8 and the anode 24 to generate the electron beam 25 as in the first embodiment. This electron beam 25 is deflected by an AC magnetic field generated by the scanning coil 21, and the irradiation range is expanded.

その結果、電子ビーム２５は、ライナー２の底部２ａよりも広範囲に照射されることになり、電子ビーム２５の一部が、ホルダー３の複数の熱電子用貫通孔３ｂを通過して上蓋３６の周縁部と、防着カバー７の上面板１７に照射される。したがって、ライナー２の底部２ａ、上蓋３６、及び防着カバー７が電子衝撃加熱される。 As a result, the electron beam 25 irradiates a wider area than the bottom 2a of the liner 2, and a part of the electron beam 25 passes through the thermoelectron through-holes 3b of the holder 3 and reaches the upper lid 36. The periphery and the top plate 17 of the anti-adhesion cover 7 are irradiated. Therefore, the bottom portion 2a of the liner 2, the top lid 36, and the anti-adhesion cover 7 are heated by electron impact.

ライナー２の底部２ａが電子衝撃加熱されると、ライナー２は昇温する。そして、ライナー２からの伝導熱と輻射により蒸着材料４が加熱される。ライナー２の底部２ａに対する電子衝撃加熱をある程度持続すると、蒸着材料４は、昇華又は蒸発する。蒸着材料４の蒸発粒子は、上蓋６の蒸発用貫通孔６ａ及び防着カバー７の蒸発用貫通孔１７ａを通過して、基板保持部１２０に保持された基板１２１に向かって進行する。その結果、蒸着材料４の蒸発粒子は、基板１２１に堆積して、所望の厚さの蒸着膜が基板１２１に付着する。 When the bottom portion 2a of the liner 2 is heated by electron impact, the temperature of the liner 2 rises. Then, the evaporation material 4 is heated by conduction heat and radiation from the liner 2 . When the electron impact heating of the bottom portion 2a of the liner 2 is continued for some time, the deposition material 4 sublimates or evaporates. Evaporated particles of the vapor deposition material 4 pass through the evaporation through holes 6 a of the upper lid 6 and the evaporation through holes 17 a of the deposition prevention cover 7 and proceed toward the substrate 121 held by the substrate holding part 120 . As a result, the vaporized particles of the vapor deposition material 4 are deposited on the substrate 121 to form a vapor deposition film having a desired thickness on the substrate 121 .

また、蒸着材料４の蒸発粒子の一部は、上蓋６に到達する。すなわち、上蓋６は、蒸着材料４の蒸発粒子が、防着カバー７における蒸発用貫通孔１７ａの縁部へ進行することを防止或いは抑制する。また、上蓋６は、電子ビーム２５が照射されることで電子衝撃加熱されているため、蒸着材料４の蒸発粒子が上蓋６に堆積することを防止或いは抑制することができる。 Also, some of the evaporated particles of the vapor deposition material 4 reach the upper lid 6 . That is, the upper lid 6 prevents or suppresses the evaporation particles of the deposition material 4 from advancing to the edges of the evaporation through-holes 17 a in the deposition-preventive cover 7 . In addition, since the upper lid 6 is subjected to electron impact heating by being irradiated with the electron beam 25, deposition of evaporated particles of the vapor deposition material 4 on the upper lid 6 can be prevented or suppressed.

さらに、防着カバー７は、電子ビーム２５が照射されることで電子衝撃加熱されているため、蒸着材料４の蒸発粒子が蒸発用貫通孔１７ａの縁部まで到達したとしても、蒸発用貫通孔１７ａの縁部に蒸発粒子が堆積することを防止或いは抑制することができる。なお、走査コイル電流駆動部２３により、走査コイル２１の電流波形を調整して、上蓋６の周縁部及び防着カバー７の上面板１７に照射される電子ビーム２５の強度を増大させ、上蓋６の加熱効率を高めることが可能である。 Furthermore, since the deposition-preventing cover 7 is subjected to electron impact heating by being irradiated with the electron beam 25, even if the evaporated particles of the deposition material 4 reach the edges of the evaporation through-holes 17a, the evaporation through-holes 17a It is possible to prevent or suppress deposition of evaporated particles on the edge of 17a. The scanning coil current driving unit 23 adjusts the current waveform of the scanning coil 21 to increase the intensity of the electron beam 25 that irradiates the peripheral edge of the upper lid 6 and the upper surface plate 17 of the anti-adhesive cover 7 . It is possible to increase the heating efficiency of

このように、本実施形態では、蒸着材料４の蒸発粒子が、防着カバー７における蒸発用貫通孔１７ａの縁部へ進行することを防止或いは抑制するため、蒸発用貫通孔１７ａの縁部に蒸着物が堆積することを防止することができる。 As described above, in the present embodiment, in order to prevent or suppress the evaporation particles of the deposition material 4 from advancing to the edges of the evaporation through-holes 17a in the deposition-preventive cover 7, the edges of the evaporation through-holes 17a are It is possible to prevent deposits from accumulating.

また、蒸着材料４の蒸発粒子が上蓋６に堆積することを防止或いは抑制することができる。或いは、上蓋６に付着した蒸着物を再蒸発させることができる。その結果、上蓋６からの堆積物の落下に起因するスプラッシュの発生や、異種蒸着材料が充填されたライナー２への堆積物の混入を防止することができる。 In addition, deposition of evaporated particles of the vapor deposition material 4 on the upper lid 6 can be prevented or suppressed. Alternatively, the vapor deposited on the upper lid 6 can be re-evaporated. As a result, it is possible to prevent the occurrence of splashes due to the fall of the deposits from the upper lid 6 and the contamination of the deposits into the liner 2 filled with different vapor deposition materials.

さらに、本実施形態では、上蓋６によりライナー２の開口を塞ぐため、ライナー２に充填された蒸着材料４を間接加熱する際に、蒸着材料４からの放熱を抑制することができる。その結果、蒸着材料４の加熱効率を向上させることができる。 Furthermore, in this embodiment, since the opening of the liner 2 is closed by the upper lid 6, heat radiation from the vapor deposition material 4 can be suppressed when the vapor deposition material 4 filled in the liner 2 is indirectly heated. As a result, the heating efficiency of the vapor deposition material 4 can be improved.

＜第４の実施形態＞
［間接加熱蒸着源の構成］
次に、第４の実施形態に係る間接加熱蒸着源の構成について、図６を参照して説明する。
図６は、本発明の第４の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。 <Fourth Embodiment>
[Structure of Indirect Heating Evaporation Source]
Next, the configuration of an indirectly heated vapor deposition source according to the fourth embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an indirectly heated vapor deposition source according to a fourth embodiment of the present invention.

第４の実施形態に係る間接加熱蒸着源５１は、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同様の構成を備えており、異なる点は、容器、容器保持部、及び上蓋である。そこで、ここでは、間接加熱蒸着源５１のライナー（容器）５２と、ホルダー（容器保持部）５３と、上蓋５６について説明し、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同じ構成の説明を省略する。 An indirectly heated vapor deposition source 51 according to the fourth embodiment has the same configuration as the indirectly heated vapor deposition source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment, except that the container, the container holder, and an upper lid. Therefore, here, the liner (container) 52, the holder (container holding portion) 53, and the upper lid 56 of the indirect heating vapor deposition source 51 will be described, and the indirect heating vapor deposition source 1 according to the first embodiment (see FIG. 1). The description of the same configuration as that is omitted.

間接加熱蒸着源５１は、容器の第２の具体例を示す複数のライナー５２と、容器保持部の第３の具体例を示すホルダー５３と、上蓋の第３の具体例を示す複数の上蓋５６と、防着カバー７と、電子源８とを備えている。 The indirect heating vapor deposition source 51 includes a plurality of liners 52 representing a second specific example of the container, a holder 53 representing a third specific example of the container holding portion, and a plurality of upper lids 56 representing a third specific example of the upper lid. , an anti-adhesion cover 7 and an electron source 8 .

複数のライナー５２は、それぞれ有底の筒状の内部に筒部５２ｄを設けることにより形成されており、円環状の底部５２ａと、底部２ａの外周縁に連続する周壁部５２ｂと、周壁部５２ｂの上端に連続するフランジ部５２ｃと、筒部５２ｄを有している。ライナー２の材料としては、例えば、モリブデンやセラミックスなどの高融点材料を挙げることができる。また、ライナー２には、蒸着材料４が充填される。 Each of the plurality of liners 52 is formed by providing a cylindrical portion 52d inside a bottomed cylindrical interior, and includes an annular bottom portion 52a, a peripheral wall portion 52b continuing to the outer peripheral edge of the bottom portion 2a, and a peripheral wall portion 52b. has a flange portion 52c and a cylindrical portion 52d which are continuous with the upper end of the . Examples of materials for the liner 2 include high-melting-point materials such as molybdenum and ceramics. Also, the liner 2 is filled with a deposition material 4 .

筒部５２ｄは、上方から見てライナー５２の中心部に設けられており、筒部５２ｄの軸方向の一端が底部５２ａに連続している。また、筒部５２ｄの他端は、フランジ部５２ｃと同じ高さに設定されている。また、筒部５２ｄは、一端から他端に向かうにつれて連続的に径が小さくなるようなテーパー状に形成されている。そして、ライナー５２の開口は、底部５２ａと同様に円環状に形成されている。 The cylindrical portion 52d is provided at the center of the liner 52 when viewed from above, and one axial end of the cylindrical portion 52d is continuous with the bottom portion 52a. The other end of the cylinder portion 52d is set at the same height as the flange portion 52c. Further, the cylindrical portion 52d is formed in a tapered shape such that the diameter continuously decreases from one end to the other end. The opening of the liner 52 is formed in an annular shape like the bottom portion 52a.

ホルダー５３は、円形の板状に形成されており、複数のライナー２を貫通させる複数の保持用孔５３ａを有している。複数の保持用孔５３ａは、円形に形成されている。保持用孔５３ａの縁部には、ライナー５２のフランジ部５２ｃが当接する。 The holder 53 is formed in a circular plate shape and has a plurality of holding holes 53a through which the plurality of liners 2 pass. The plurality of holding holes 53a are formed in a circular shape. The flange portion 52c of the liner 52 contacts the edge portion of the holding hole 53a.

電子源８とアノード２４との間の電界によって加速されて発生した電子ビーム２５は、保持用孔５３ａ内に配置されたライナー５２の筒部５２ｄを通過する。したがって、ホルダー５３の保持用孔５３ａは、本発明に係る熱電子用貫通孔を兼ねる。また、ライナー５２における筒部５２ｄの筒孔は、本発明に係る容器側熱電子用貫通孔の一具体例を示す。 The electron beam 25 generated by being accelerated by the electric field between the electron source 8 and the anode 24 passes through the cylindrical portion 52d of the liner 52 arranged inside the holding hole 53a. Therefore, the holding holes 53a of the holder 53 also serve as through holes for thermoelectrons according to the present invention. The cylindrical hole of the cylindrical portion 52d of the liner 52 is a specific example of the container-side thermoelectron through-hole according to the present invention.

ホルダー５３の材料は、熱抵抗の大きいものであればよい。したがって、ホルダー５３には、ライナー５２の熱が伝達され難くなっている。なお、図６では、ホルダー５３が２つの保持用孔５３ａを有しているが、本発明に係るホルダー（容器保持部）としては、１つの保持用孔を有し、１つのライナー（容器）を保持するものであってもよく、また、３つ以上の保持用孔を有し、３つ以上のライナー（容器）を保持するものであってもよい。 The holder 53 may be made of any material as long as it has a high thermal resistance. Therefore, the heat of the liner 52 is less likely to be transferred to the holder 53 . Although the holder 53 has two holding holes 53a in FIG. 6, the holder (container holding portion) according to the present invention has one holding hole and one liner (container). or may have three or more holding holes to hold three or more liners (containers).

ホルダー５３の中心部には、駆動機構の一具体例を示す回転駆動軸１４が接続されている。回転駆動軸１４は、ホルダー５３を回転駆動させて、ホルダー５３に保持された複数のライナー５２を水平方向に移動させる。この回転駆動軸１４は、回転機能を損なわないよう冷却されている。 A rotary drive shaft 14 representing a specific example of a drive mechanism is connected to the center of the holder 53 . The rotary drive shaft 14 rotates the holder 53 to horizontally move the plurality of liners 52 held by the holder 53 . This rotary drive shaft 14 is cooled so as not to impair its rotational function.

また、ホルダー５３の上面には、防着突起部１５が設けられている。この防着突起部１５は、ホルダー５３の上面から突出しており、防着カバー７とホルダー５３に囲まれた空間を仕切り、互いのライナー５２間を遮る。 In addition, an attachment prevention protrusion 15 is provided on the upper surface of the holder 53 . The anti-adhesion protrusion 15 protrudes from the upper surface of the holder 53, partitions the space surrounded by the anti-adhesion cover 7 and the holder 53, and shields the liners 52 from each other.

複数の上蓋５６は、複数のライナー５２の開口を塞ぐ。上蓋３６は、ライナー５２におけるフランジ部５２ｃの外径よりも大きい径の円板状に形成されており、蒸発用貫通孔の第２の具体例を示す複数の通気孔５６ａと、係合突部５６ｂとを有する。複数の通気孔５６ａは、上蓋５６におけるライナー２の開口に対向する部分に設けられており、防着カバー７の後述する蒸発用貫通孔１７ａの縁部に対向しない。また、通気孔５６ａは、第１の実施形態に係る蒸発用貫通孔６ａよりも径が小さい円形に形成されている。 A plurality of upper lids 56 block the openings of the plurality of liners 52 . The upper lid 36 is formed in a disc shape having a diameter larger than the outer diameter of the flange portion 52c of the liner 52, and includes a plurality of ventilation holes 56a showing a second specific example of the evaporation through-holes, and an engaging protrusion 56a. 56b. The plurality of ventilation holes 56 a are provided in the portion of the upper lid 56 facing the opening of the liner 2 , and do not face the edges of the vaporization through-holes 17 a of the anti-adhesion cover 7 , which will be described later. Further, the vent hole 56a is formed in a circular shape with a diameter smaller than that of the evaporation through hole 6a according to the first embodiment.

係合突部５６ｂは、上蓋５６のライナー５２に対向する面に設けられており、フランジ部５２ｃの縁部に係合する。上蓋５６は、係合突部５６ｂがフランジ部５２ｃの縁部に係合することにより、ライナー５２に対して位置決めされる。上蓋５６の材料としては、例えば、モリブデンやセラミックスなどの高融点材料を挙げることができる。 The engaging protrusion 56b is provided on the surface of the upper lid 56 facing the liner 52 and engages with the edge of the flange portion 52c. The upper lid 56 is positioned with respect to the liner 52 by engaging the engaging protrusion 56b with the edge of the flange portion 52c. Examples of materials for the upper lid 56 include high-melting-point materials such as molybdenum and ceramics.

第４の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、フィラメントから放出された熱電子が電子源８とアノード２４との間の電界によって加速され、電子ビーム２５が発生する。この電子ビーム２５は、走査コイル２１により生じる交流磁界により偏向され、照射範囲が拡大する。 Also in the fourth embodiment, thermoelectrons emitted from the filament are accelerated by the electric field between the electron source 8 and the anode 24 to generate the electron beam 25 as in the first embodiment. This electron beam 25 is deflected by an AC magnetic field generated by the scanning coil 21, and the irradiation range is expanded.

その結果、電子ビーム２５は、ライナー５２の底部５２ａ及び筒部５２ｄの内周面に照射されることになり、電子ビーム２５の一部が、筒部５２ｄの筒孔を通過して上蓋５６の中心部に照射される。したがって、ライナー５２及び上蓋５６が電子衝撃加熱される。 As a result, the electron beam 25 irradiates the bottom portion 52a of the liner 52 and the inner peripheral surface of the cylindrical portion 52d, and a part of the electron beam 25 passes through the cylindrical hole of the cylindrical portion 52d to the upper lid 56. Illuminated in the center. Thus, the liner 52 and top lid 56 are electron bombarded.

ライナー５２が電子衝撃加熱されると、ライナー５２は昇温する。そして、ライナー５２からの伝導熱と輻射により蒸着材料４が加熱される。ライナー５２に対する電子衝撃加熱をある程度持続すると、蒸着材料４は、昇華又は蒸発する。蒸着材料４の蒸発粒子は、上蓋５６の複数の通気孔５６ａ及び防着カバー７の蒸発用貫通孔１７ａを通過して、基板保持部１２０に保持された基板１２１に向かって進行する。その結果、蒸着材料４の蒸発粒子は、基板１２１に堆積して、所望の厚さの蒸着膜が基板１２１に付着する。 When the liner 52 is subjected to electron bombardment heating, the liner 52 heats up. Then, the evaporation material 4 is heated by conduction heat and radiation from the liner 52 . If the electron impact heating of the liner 52 is continued to some extent, the vapor deposition material 4 sublimates or evaporates. Evaporated particles of the deposition material 4 pass through the plurality of ventilation holes 56 a of the upper lid 56 and the evaporation through-holes 17 a of the anti-adhesion cover 7 and advance toward the substrate 121 held by the substrate holder 120 . As a result, the vaporized particles of the vapor deposition material 4 are deposited on the substrate 121 to form a vapor deposition film having a desired thickness on the substrate 121 .

また、蒸着材料４の蒸発粒子の一部は、上蓋５６に到達する。すなわち、上蓋５６は、蒸着材料４の蒸発粒子が、防着カバー７における蒸発用貫通孔１７ａの縁部へ進行することを防止或いは抑制する。また、上蓋５６は、電子ビーム２５の一部が照射されることで電子衝撃加熱されているため、蒸着材料４の蒸発粒子が上蓋５６に堆積することを防止或いは抑制することができる。なお、走査コイル電流駆動部２３により、走査コイル２１の電流波形を調整して、上蓋５６の周縁部に照射される電子ビーム２５の強度を増大させ、上蓋５６の加熱効率を高めることが可能である。 Also, some of the evaporated particles of the vapor deposition material 4 reach the upper lid 56 . That is, the upper lid 56 prevents or suppresses the evaporation particles of the vapor deposition material 4 from advancing to the edges of the evaporation through-holes 17 a in the deposition-preventive cover 7 . In addition, since the upper lid 56 is subjected to electron impact heating by being irradiated with a part of the electron beam 25, deposition of evaporated particles of the vapor deposition material 4 on the upper lid 56 can be prevented or suppressed. By adjusting the current waveform of the scanning coil 21 by the scanning coil current driving unit 23, the intensity of the electron beam 25 irradiated to the peripheral edge of the upper lid 56 can be increased, and the heating efficiency of the upper lid 56 can be improved. be.

このように、本実施形態では、蒸着材料４の蒸発粒子が、防着カバー７における蒸発用貫通孔１７ａの縁部へ進行することを防止或いは抑制するため、蒸発用貫通孔１７ａの縁部に蒸着物が堆積することを防止することができる。 As described above, in the present embodiment, in order to prevent or suppress the evaporation particles of the deposition material 4 from advancing to the edges of the evaporation through-holes 17a in the deposition-preventive cover 7, the edges of the evaporation through-holes 17a are It is possible to prevent deposits from accumulating.

また、蒸着材料４の蒸発粒子が上蓋５６に堆積することを防止或いは抑制することができる。或いは、上蓋６に付着した蒸着物を再蒸発させることができる。その結果、上蓋５６からの堆積物の落下に起因するスプラッシュの発生や、異種蒸着材料が充填されたライナー５２への堆積物の混入を防止することができる。 In addition, deposition of evaporated particles of the vapor deposition material 4 on the upper lid 56 can be prevented or suppressed. Alternatively, the vapor deposited on the upper lid 6 can be re-evaporated. As a result, it is possible to prevent the occurrence of splashes due to the fall of the deposits from the upper lid 56 and the contamination of the deposits into the liner 52 filled with the different vapor deposition material.

さらに、本実施形態では、上蓋５６によりライナー５２の開口を塞ぐため、ライナー５２に充填された蒸着材料４を間接加熱する際に、蒸着材料４からの放熱を抑制することができる。その結果、蒸着材料４の加熱効率を向上させることができる。なお、上蓋５６の複数の通気孔５６ａの開口面積は、第１の実施形態に係る蒸発用貫通孔６ａの開口面積よりも小さい。そのため、蒸着材料４からの放熱を第１の実施形態よりも抑制することができる。 Furthermore, in this embodiment, since the opening of the liner 52 is closed by the upper lid 56, heat radiation from the vapor deposition material 4 can be suppressed when the vapor deposition material 4 filled in the liner 52 is indirectly heated. As a result, the heating efficiency of the vapor deposition material 4 can be improved. The opening area of the plurality of ventilation holes 56a of the upper lid 56 is smaller than the opening area of the evaporation through-holes 6a according to the first embodiment. Therefore, heat dissipation from the vapor deposition material 4 can be suppressed more than in the first embodiment.

＜３．変形例＞
以上、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態は、本発明を分かり易く詳細に説明したものであり、本発明は、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定するものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることが可能である。 <3. Variation>
The embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible without departing from the gist of the invention described in the claims. For example, the above-described embodiments describe the present invention in detail in an easy-to-understand manner, and the present invention is not necessarily limited to those having all the configurations described. Also, part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment. Moreover, it is possible to add, delete, or replace a part of the configuration of each embodiment with another configuration.

また、上述した第１～第４の実施形態では、移動機構として回転駆動軸１４を適用した。しかし、本発明に係る移動機構としては、ホルダー３を回転させる機構に限定されるものではなく、ホルダー及びライナーを移動させるものであればよい。本発明に係る移動機構としては、例えば、ホルダー及びライナーを直線移動させる直線移動機構を採用してもよい。この場合は、電子源は、ホルダーの下方において、ライナーの軌道上の任意の位置に配置されている。 Further, in the first to fourth embodiments described above, the rotary drive shaft 14 is applied as the moving mechanism. However, the moving mechanism according to the present invention is not limited to a mechanism for rotating the holder 3, and may be any mechanism for moving the holder and the liner. As the moving mechanism according to the present invention, for example, a linear moving mechanism that linearly moves the holder and the liner may be employed. In this case, the electron source is positioned below the holder at any position on the liner trajectory.

また、上述した第１～第４の実施形態では、走査コイル２１により生じる交流磁界により電子ビーム２５を偏向して、電子ビーム２５の照射範囲を拡大した。しかし、本発明に係る間接加熱蒸着源としては、電子ビームの照射範囲を拡大することに限定されず、ライナー（容器）と上蓋に電子ビームを照射可能な構成であればよい。 Further, in the above-described first to fourth embodiments, the electron beam 25 is deflected by the AC magnetic field generated by the scanning coil 21 to expand the irradiation range of the electron beam 25 . However, the indirect heating vapor deposition source according to the present invention is not limited to expanding the irradiation range of the electron beam, and may have a structure capable of irradiating the liner (container) and the upper lid with the electron beam.

１，３１，４１，５１…間接加熱蒸着源、 ２，５２…ライナー、 ２ａ，５２ａ…底部、 ２ｂ，５２ｂ…周壁部、 ２ｃ，５２ｃ…フランジ部、 ３，４３，５３…ホルダー（容器保持部）、 ３ａ，４３ａ，５３ａ…保持用孔、 ３ｂ，４３ｂ…熱電子用貫通孔、 ４…蒸着材料、 ６，３６，５６…上蓋、 ６ａ…蒸発用貫通孔、 ６ｂ，３６ｂ，５６ｂ…係合突部、 ７…防着カバー、 ８…電子源、 ９…加速電源、 １４…回転駆動軸、 １５…防着突起部、 １７…上面板、 １７ａ…蒸発用貫通孔、 １８…側面板、 ２１…走査コイル、 ２２…ブロック、 ２３…走査コイル電流駆動部、 ２４…アノード、 ２５…電子ビーム、 ３６ａ，５６ａ…通気孔、 ５２ｄ…筒部、 １２０…基板保持部、 １２１…基板、 １２２…回転駆動軸 1, 31, 41, 51... Indirect heating deposition source 2, 52... Liner 2a, 52a... Bottom 2b, 52b... Peripheral wall 2c, 52c... Flange 3, 43, 53... Holder (container holding part ), 3a, 43a, 53a... Holding hole 3b, 43b... Thermal electron through hole 4... Vapor deposition material 6, 36, 56... Upper cover 6a... Evaporation through hole 6b, 36b, 56b... Engagement Protrusion 7 Deposition-preventing cover 8 Electron source 9 Acceleration power source 14 Rotation drive shaft 15 Deposition-prevention protrusion 17 Top plate 17a Evaporation through-hole 18 Side plate 21 Scanning coil 22 Block 23 Scanning coil current driver 24 Anode 25 Electron beam 36a, 56a Air vent 52d Tube 120 Substrate holder 121 Substrate 122 Rotation drive shaft

Claims (6)

有底の筒状に形成され、蒸着材料が充填される容器と、
前記容器の開口を塞ぐ上蓋と、
前記容器を保持する容器保持部と、
前記容器、前記上蓋、及び前記容器保持部を覆う防着カバーと、
前記容器を電子衝撃加熱するための熱電子を放出する電子源と、を備え、
前記上蓋及び前記防着カバーは、前記容器を電子衝撃加熱することにより蒸発した前記蒸着材料が通る蒸発用貫通孔をそれぞれ有し、
前記上蓋の前記蒸発用貫通孔は、前記防着カバーの前記蒸発用貫通孔の縁部に対向せず、
前記容器保持部は、前記電子源から放出された熱電子が通過する熱電子用貫通孔を有し、
前記熱電子用貫通孔を通過した熱電子は、前記上蓋に照射される
ことを特徴とする間接加熱蒸着源。 a container formed in a cylindrical shape with a bottom and filled with a vapor deposition material;
an upper lid that closes the opening of the container;
a container holding part that holds the container;
an anti-adhesion cover that covers the container, the upper lid, and the container holding portion;
an electron source that emits thermal electrons for electron impact heating of the container;
The upper lid and the anti-adhesion cover each have an evaporation through-hole through which the evaporation material evaporated by electron impact heating of the container passes,
the evaporation through-hole of the upper lid does not face the edge of the evaporation through-hole of the anti-adhesion cover,
the container holder has a thermoelectron through-hole through which thermoelectrons emitted from the electron source pass;
The indirect heating vapor deposition source, wherein the thermoelectrons that have passed through the thermoelectron through-hole are irradiated onto the upper cover. 前記電子源から放出される熱電子の照射範囲を拡大させる走査コイルを備える
ことを特徴とする請求項１に記載の間接加熱蒸着源。 2. The indirectly heated vapor deposition source according to claim 1, further comprising a scanning coil for enlarging an irradiation range of thermal electrons emitted from said electron source. 前記上蓋は、前記容器の開口における縁部に係合する係合突部を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の間接加熱蒸着源。 The indirectly heated vapor deposition source according to claim 1 or 2, wherein the top cover has an engaging protrusion that engages with the edge of the opening of the container. 前記上蓋の前記蒸発用貫通孔は、複数の通気孔である
ことを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載の間接加熱蒸着源。 The indirectly heated evaporation source according to any one of claims 1 to 3, wherein the evaporation through-holes of the upper lid are a plurality of vent holes. 前記熱電子用貫通孔を通過した熱電子は、前記防着カバーに照射される
ことを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の間接加熱蒸着源。 The indirectly heated evaporation source according to any one of claims 1 to 4, wherein the thermoelectrons that have passed through the thermoelectron through-hole are irradiated onto the anti-adhesion cover. 前記容器は、前記電子源から放出された熱電子が通過する容器側熱電子用貫通孔を有する
ことを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の間接加熱蒸着源。 The indirectly heated evaporation source according to any one of claims 1 to 4, wherein the container has a container-side thermoelectron through-hole through which thermoelectrons emitted from the electron source pass.
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