JP6931671B2 - Indirect heat deposition source - Google Patents

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Description

本発明は、蒸着材料を充填した容器を電子ビーム衝撃（ボンバード）により加熱し、蒸着材料を加熱、蒸発させる間接加熱蒸着源に関する。 The present invention relates to an indirect heating vapor deposition source in which a container filled with a vapor deposition material is heated by an electron beam impact (bomberd) to heat and evaporate the vapor deposition material.

従来から、真空チャンバー内に基板を配置して、この基板に向けて蒸着源を設置した蒸着装置が知られており、間接加熱蒸着源としては、蒸着材料を充填した容器に電子ビーム（熱電子）を放出する電子線衝撃型蒸着源がある（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, a vapor deposition apparatus in which a substrate is placed in a vacuum chamber and a vapor deposition source is installed toward the substrate has been known. As an indirect heat vapor deposition source, an electron beam (thermoelectron) is used in a container filled with a vapor deposition material. ) Is emitted (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１に記載された間接加熱蒸着源は、容器と、電子源と、容器保持部と、移動機構と、冷却台とを備える。電子源は、容器の底部に熱電子を放出する。容器保持部は、容器の底部を露出させて保持する。移動機構は、容器保持部を駆動させて、容器を水平方向に移動させる。冷却台は、移動機構により電子源の上方から水平方向に移動した容器の底部が接触する上面を有し、容器を冷却する。 The indirect heat-deposited source described in Patent Document 1 includes a container, an electron source, a container holding portion, a moving mechanism, and a cooling table. The electron source emits thermions to the bottom of the container. The container holder holds the bottom of the container exposed. The moving mechanism drives the container holder to move the container in the horizontal direction. The cooling table has an upper surface that contacts the bottom of the container that has been moved horizontally from above the electron source by the moving mechanism, and cools the container.

特開２０１８−１６８３６号公報JP-A-2018-16836

ところで、特許文献１に記載されているような間接加熱蒸着源は、容器の大容量化が望まれている。 By the way, in the indirect heat-deposited source as described in Patent Document 1, it is desired to increase the capacity of the container.

本発明は、上記状況に鑑みてなされたものであり、容器の大容量化を図ることができる間接加熱蒸着源を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an indirect heat-deposited source capable of increasing the capacity of a container.

本発明の間接加熱蒸着源の一態様は、容器と、容器保持部と、電子源と、走査コイルと、アノードとを備える。容器は、有底の筒状に形成され、蒸着材料が充填される。容器保持部は、容器を保持する。電子源は、容器を電子衝撃加熱するための熱電子を放出する。走査コイルは、電子源から放出される熱電子の照射範囲を拡大させる。アノードは、容器と電子源との間に配置される。そして、走査コイルは、アノードの容器に対向する側と反対側に対向している。
One aspect of the indirect heat-deposited source of the present invention includes a container, a container holder, an electron source, a scanning coil, and an anode . The container is formed in a bottomed tubular shape and is filled with a thin-film deposition material. The container holder holds the container. The electron source emits thermionic electrons for electron shock heating of the container. The scanning coil expands the irradiation range of thermions emitted from the electron source. The anode is placed between the container and the electron source. The scanning coil faces the side opposite to the side of the anode facing the container.

上述のように、本発明の一態様は、走査コイルが電子源から放出される熱電子の照射範囲を拡大させるため、容器の加熱領域を拡大することができ、容器の大容量化を図ることができる。 As described above, in one aspect of the present invention, since the scanning coil expands the irradiation range of thermions emitted from the electron source, the heating region of the container can be expanded and the capacity of the container can be increased. Can be done.

本発明の第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the indirect heat vapor deposition source which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the indirect heat vapor deposition source which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the indirect heat vapor deposition source which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明に係る走査コイルにおけるスクウェアスキャンモードのコイル電流波形の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the coil current waveform of the square scan mode in the scanning coil which concerns on this invention. 本発明に係る走査コイルにおけるサークルスキャンモードのコイル電流波形の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the coil current waveform of the circle scan mode in the scanning coil which concerns on this invention.

以下、本発明を実施するための形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。なお、各図において実質的に同一の機能又は構成を有する構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。 Hereinafter, an example of a mode for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In each figure, components having substantially the same function or configuration are designated by the same reference numerals, and duplicate description will be omitted.

＜第１の実施形態＞
［間接加熱蒸着源の構成］
まず、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源の構成について、図１を参照して説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。 <First Embodiment>
[Structure of indirect heat vapor deposition source]
First, the configuration of the indirect heat-deposited source according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an indirect heat-deposited source according to the first embodiment of the present invention.

図１に示す間接加熱蒸着源１は、真空チャンバー内に設置され、容器に充填された蒸着材料を加熱、蒸発させて基板に蒸着させる。
間接加熱蒸着源１は、容器の具体例を示す複数のライナー２と、容器保持部の具体例を示すホルダー３と、防着カバー７と、電子源８とを備えている。 The indirect heat-deposited source 1 shown in FIG. 1 is installed in a vacuum chamber and heats and evaporates the vapor-deposited material filled in the container to vapor-deposit on the substrate.
The indirect heat-deposited source 1 includes a plurality of liners 2 showing specific examples of the container, a holder 3 showing specific examples of the container holding portion, an adhesive cover 7, and an electron source 8.

複数のライナー２は、それぞれ有底の筒状に形成されており、円形の底部２ａと、底部２ａの周縁に連続する周壁部２ｂと、周壁部２ｂの上端に連続するフランジ部２ｃとを有している。周壁部２ｂは、底部２ａからフランジ部２ｃに向かうにつれて径が連続的に大きくなる略筒状に形成されている。ライナー２の材料としては、例えば、モリブデンやセラミックスなどの高融点材料を挙げることができる。また、ライナー２には、蒸着材料４が充填される。 Each of the plurality of liners 2 is formed in a bottomed tubular shape, and has a circular bottom portion 2a, a peripheral wall portion 2b continuous with the peripheral edge of the bottom portion 2a, and a flange portion 2c continuous with the upper end of the peripheral wall portion 2b. doing. The peripheral wall portion 2b is formed in a substantially tubular shape in which the diameter continuously increases from the bottom portion 2a toward the flange portion 2c. Examples of the material of the liner 2 include high melting point materials such as molybdenum and ceramics. Further, the liner 2 is filled with the vapor deposition material 4.

ホルダー３は、円形の板状に形成されており、複数のライナー２を貫通させる複数の保持用孔３ａを有している。複数の保持用孔３ａは、円形に形成されており、保持用孔３ａの縁部には、ライナー２のフランジ部２ｃが当接する。ホルダー３の材料は、熱抵抗の大きいものであればよい。したがって、ホルダー３には、ライナー２の熱が伝達され難くなっている。 The holder 3 is formed in a circular plate shape, and has a plurality of holding holes 3a through which the plurality of liners 2 pass through. The plurality of holding holes 3a are formed in a circular shape, and the flange portion 2c of the liner 2 abuts on the edge portion of the holding holes 3a. The material of the holder 3 may be any material having a large thermal resistance. Therefore, it is difficult for the heat of the liner 2 to be transferred to the holder 3.

なお、図１では、ホルダー３が２つの保持用孔３ａを有しているが、本発明に係るホルダー（容器保持部）としては、１つの保持用孔を有し、１つのライナー（容器）を保持するものであってもよく、また、３つ以上の保持用孔を有し、３つ以上のライナー（容器）を保持するものであってもよい。 In FIG. 1, the holder 3 has two holding holes 3a, but the holder (container holding portion) according to the present invention has one holding hole and one liner (container). It may also have three or more holding holes and hold three or more liners (containers).

ホルダー３の中心部には、駆動機構の一具体例を示す回転駆動軸１４が接続されている。回転駆動軸１４は、ホルダー３を回転駆動させて、ホルダー３に保持された複数のライナー２を水平方向に移動させる。この回転駆動軸１４は、回転機能を損なわないよう冷却されている。 A rotary drive shaft 14 showing a specific example of the drive mechanism is connected to the central portion of the holder 3. The rotation drive shaft 14 rotationally drives the holder 3 to move the plurality of liners 2 held by the holder 3 in the horizontal direction. The rotation drive shaft 14 is cooled so as not to impair the rotation function.

また、ホルダー３の上面には、防着突起部１５が設けられている。この防着突起部１５は、ホルダー３の上面から突出しており、後述の防着カバー７とホルダー３に囲まれた空間を仕切り、互いのライナー２間を遮る。 Further, an anti-adhesive protrusion 15 is provided on the upper surface of the holder 3. The adhesive protrusion 15 projects from the upper surface of the holder 3, partitions a space surrounded by the adhesive cover 7 and the holder 3, which will be described later, and shields the liners 2 from each other.

防着カバー７は、略箱状に形成されており、ホルダー３及び複数のライナー２を覆う。この防着カバー７は、上面板１７と、上面板１７に連続する側面板１８を有している。防着カバー７の上面板１７は、基板保持部１２０に保持された基板１２１に対向する蒸発用貫通孔１７ａを有している。蒸着材料４が加熱されて生じる蒸発粒子は、防着カバー７の蒸発用貫通孔１７ａを通って基板１２１に到達する。 The adhesive cover 7 is formed in a substantially box shape and covers the holder 3 and the plurality of liners 2. The adhesive cover 7 has a top plate 17 and a side plate 18 continuous with the top plate 17. The upper surface plate 17 of the adhesive cover 7 has an evaporation through hole 17a facing the substrate 121 held by the substrate holding portion 120. The evaporated particles generated by heating the vapor-deposited material 4 reach the substrate 121 through the evaporation through holes 17a of the adhesive cover 7.

防着カバー７の上方には、基板保持部１２０が配置されている。この基板保持部１２０は、円形の板状に形成されており、下面において基板１２１を保持する。また、基板保持部１２０における上面の中心部には、回転駆動軸１２２が接続されている。回転駆動軸１２２は、基板保持部１２０を回転駆動させて、基板保持部１２０に保持された基板１２１を水平方向に移動させる。また、回転駆動軸１２２は、回転機能を損なわないよう冷却されている。 A substrate holding portion 120 is arranged above the adhesive cover 7. The substrate holding portion 120 is formed in a circular plate shape, and holds the substrate 121 on the lower surface. A rotation drive shaft 122 is connected to the center of the upper surface of the substrate holding portion 120. The rotation drive shaft 122 rotationally drives the substrate holding portion 120 to move the substrate 121 held by the substrate holding portion 120 in the horizontal direction. Further, the rotation drive shaft 122 is cooled so as not to impair the rotation function.

基板１２１に蒸着膜を付着させる場合は、回転駆動軸１２２によって基板保持部１２０を回転駆動させて、基板１２１をライナー２（蒸発用貫通孔１７ａ）の上方に移動させる。これにより、ライナー２に充填された蒸着材料４が加熱されて蒸発すると、その蒸発粒子が基板１２１に堆積する。なお、図１では、基板保持部１２０が１つの基板１２１を保持しているが、本発明に係る基板保持部としては、複数の基板を保持するものであってもよい。 When the thin-film deposition film is attached to the substrate 121, the substrate holding portion 120 is rotationally driven by the rotation drive shaft 122 to move the substrate 121 above the liner 2 (evaporation through hole 17a). As a result, when the vaporized material 4 filled in the liner 2 is heated and evaporated, the evaporated particles are deposited on the substrate 121. In FIG. 1, the substrate holding portion 120 holds one substrate 121, but the substrate holding portion according to the present invention may hold a plurality of substrates.

電子源８は、ホルダー３の下方において、ライナー２の回転軌道上の任意の蒸着位置に配置されている。これにより、ホルダー３に保持されたライナー２が蒸着位置に配置されると、ライナー２は、電子源８の上方に位置する。電子源８は、フィラメントと、電界分布を形成するウェネルトとを有している。ウェネルトには、フィラメントを露出させる開口部が形成されている。 The electron source 8 is arranged below the holder 3 at an arbitrary vapor deposition position on the rotation orbit of the liner 2. As a result, when the liner 2 held in the holder 3 is arranged at the vapor deposition position, the liner 2 is located above the electron source 8. The electron source 8 has a filament and a wellert that forms an electric field distribution. Wenelt is formed with an opening that exposes the filament.

フィラメントは、タングステン材からなる線材によって形成されている。このフィラメントには、フィラメント電源を介して加速電源９が接続されている。加速電源９は、接地されており、アース電位に対して負の高電圧、例えば３００Ｖ〜６ｋＶの電圧が印加される。ホルダー３は、アース電位となっており、ホルダー３に保持されたライナー２は、アース電位となる。 The filament is formed of a wire made of a tungsten material. An acceleration power supply 9 is connected to this filament via a filament power supply. The acceleration power supply 9 is grounded, and a high voltage negative with respect to the ground potential, for example, a voltage of 300 V to 6 kV is applied. The holder 3 has a ground potential, and the liner 2 held by the holder 3 has a ground potential.

電子源８の近傍には、走査コイル（偏向コイル）２１が配置されている。この走査コイル２１は、冷却されたブロック２２内に収納されている。走査コイル２１には、走査コイル電流駆動部２３が接続されている。走査コイル電流駆動部２３は、走査コイル２１に流す電流の出力を制御する。 A scanning coil (deflection coil) 21 is arranged in the vicinity of the electron source 8. The scanning coil 21 is housed in a cooled block 22. A scanning coil current drive unit 23 is connected to the scanning coil 21. The scanning coil current drive unit 23 controls the output of the current flowing through the scanning coil 21.

また、ブロック２２の下面には、開口を有するアノード２４が固定されている。アノード２４は、ライナー２の底部２ａと電子源８との間に配置されており、アノード２４の開口は、電子源８と所定の距離を空けて対向している。アノード２４は、ライナー２からの輻射熱や反射電子による熱負荷を強く受けるため、高融点材料によって形成されている。走査コイル２１は、アノード２４のライナー２に対向する側に対向している。そして、走査コイル２１は、電流が流れることにより交流磁界を発生する。 Further, an anode 24 having an opening is fixed to the lower surface of the block 22. The anode 24 is arranged between the bottom portion 2a of the liner 2 and the electron source 8, and the opening of the anode 24 faces the electron source 8 at a predetermined distance. The anode 24 is made of a high melting point material because it is strongly subjected to a heat load due to radiant heat from the liner 2 and reflected electrons. The scanning coil 21 faces the side of the anode 24 facing the liner 2. Then, the scanning coil 21 generates an alternating magnetic field due to the flow of an electric current.

フィラメントに所定の値の電流が供給されると、フィラメントは、ジュール加熱により熱電子供給が可能な温度、例えば２３００℃前後に加熱される。加速電源９によりアース電位に対して負の高電圧を印加すると、フィラメントから放出された熱電子が電子源８とアノード２４との間の電界によって加速され、電子ビーム２５が発生する。この電子ビーム２５は、走査コイル２１により生じる交流磁界により偏向され、照射範囲が拡大する。その結果、ライナー２の大容量化を図ることができる。 When a predetermined value of current is supplied to the filament, the filament is heated to a temperature at which thermoelectrons can be supplied by Joule heating, for example, around 2300 ° C. When a high voltage negative with respect to the ground potential is applied by the accelerating power source 9, the thermions emitted from the filament are accelerated by the electric field between the electron source 8 and the anode 24, and an electron beam 25 is generated. The electron beam 25 is deflected by the alternating magnetic field generated by the scanning coil 21, and the irradiation range is expanded. As a result, the capacity of the liner 2 can be increased.

また、電子ビーム２５の照射範囲が拡大することで、電子ビーム２５の電流密度が低下する。これにより、ライナー２の損傷を防止するために制限していた電子ビーム２５の出力を増大させること可能となり、蒸着速度の高速化を図ることができる。 Further, as the irradiation range of the electron beam 25 is expanded, the current density of the electron beam 25 is reduced. As a result, the output of the electron beam 25, which has been limited in order to prevent damage to the liner 2, can be increased, and the vapor deposition rate can be increased.

電子ビーム２５によりライナー２の底部２ａが電子衝撃加熱されると、ライナー２は昇温する。そして、ライナー２からの伝導熱と輻射により蒸着材料４が加熱される。ライナー２の底部２ａに対する電子衝撃加熱をある程度持続すると、蒸着材料４は、昇華又は蒸発する。蒸着材料４の蒸発粒子は、防着カバー７の蒸発用貫通孔１７ａを通過して、基板保持部１２０に保持された基板１２１に向かって進行する。その結果、蒸着材料４の蒸発粒子は、基板１２１に堆積して、所望の厚さの蒸着膜が基板１２１に付着する。 When the bottom portion 2a of the liner 2 is subjected to electron impact heating by the electron beam 25, the temperature of the liner 2 rises. Then, the vapor deposition material 4 is heated by the conduction heat and radiation from the liner 2. When the electron impact heating to the bottom 2a of the liner 2 is continued to some extent, the vaporized material 4 sublimates or evaporates. The evaporated particles of the vaporized material 4 pass through the evaporation through hole 17a of the adhesion cover 7 and proceed toward the substrate 121 held by the substrate holding portion 120. As a result, the evaporated particles of the vapor-deposited material 4 are deposited on the substrate 121, and the vapor-deposited film having a desired thickness adheres to the substrate 121.

また、電子ビーム２５の照射範囲が拡大することにより、電子ビーム２５の一部は、ホルダー３における保持用孔３ａの縁部に到達する。これにより、ライナー２のフランジ部２ｃが当接する部分である保持用孔３ａの縁部が電子衝撃加熱され、ライナー２のフランジ部２ｃ付近が冷えることを抑制することができる。その結果、蒸着材料４の蒸発粒子が周壁部２ｂの上端に堆積することを防止或いは抑制することができる。 Further, as the irradiation range of the electron beam 25 is expanded, a part of the electron beam 25 reaches the edge of the holding hole 3a in the holder 3. As a result, it is possible to prevent the edge portion of the holding hole 3a, which is the portion where the flange portion 2c of the liner 2 abuts, is electronically impact-heated and the vicinity of the flange portion 2c of the liner 2 to be cooled. As a result, it is possible to prevent or suppress the evaporation particles of the vapor-deposited material 4 from being deposited on the upper end of the peripheral wall portion 2b.

＜第２の実施形態＞
［間接加熱蒸着源の構成］
次に、第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源の構成について、図２を参照して説明する。
図２は、本発明の第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。 <Second embodiment>
[Structure of indirect heat vapor deposition source]
Next, the configuration of the indirect heat-deposited source according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an indirect heat-deposited source according to a second embodiment of the present invention.

第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源３１は、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同様の構成を備えており、異なる点は、走査コイル２１が収納されたブロック２２の位置である。そこで、ここでは、ブロック２２の位置について説明し、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同じ構成の説明を省略する。 The indirect heat-deposited source 31 according to the second embodiment has the same configuration as the indirect heat-deposited source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment, except that the scanning coil 21 is housed in the indirect heat-deposited source 31. This is the position of the block 22. Therefore, here, the position of the block 22 will be described, and the description of the same configuration as the indirect heat-deposited source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment will be omitted.

図２に示すように、間接加熱蒸着源３１は、複数のライナー２と、ホルダー３と、防着カバー７と、電子源８とを備えている。電子源８の近傍には、走査コイル（偏向コイル）２１が配置されている。この走査コイル２１は、冷却されたブロック２２内に収納されている。 As shown in FIG. 2, the indirect heat-deposited source 31 includes a plurality of liners 2, a holder 3, an adhesive cover 7, and an electron source 8. A scanning coil (deflection coil) 21 is arranged in the vicinity of the electron source 8. The scanning coil 21 is housed in a cooled block 22.

また、ブロック２２の上面には、開口を有するアノード２４が固定されている。アノード２４は、ライナー２の底部２ａと電子源８との間に配置されており、アノード２４の開口は、電子源８と所定の距離を空けて対向している。走査コイル２１は、アノード２４のライナー２に対向する側と反対側に対向している。そして、走査コイル２１は、電子源８の側方に配置されており、ライナー２の底部２ａから走査コイル２１までの距離は、ライナー２の底部２ａから電子源８までの距離よりも長い。 Further, an anode 24 having an opening is fixed on the upper surface of the block 22. The anode 24 is arranged between the bottom portion 2a of the liner 2 and the electron source 8, and the opening of the anode 24 faces the electron source 8 at a predetermined distance. The scanning coil 21 faces the side of the anode 24 facing the liner 2 and the side opposite to the liner 2. The scanning coil 21 is arranged on the side of the electron source 8, and the distance from the bottom 2a of the liner 2 to the scanning coil 21 is longer than the distance from the bottom 2a of the liner 2 to the electron source 8.

第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源３１においても、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１と同様に、電子ビーム２５が、走査コイル２１により生じる交流磁界により偏向される。その結果、電子ビーム２５の照射範囲が拡大し、ライナー２の大容量化を図ることができる。 In the indirect heat-deposited source 31 according to the second embodiment, the electron beam 25 is deflected by the alternating magnetic field generated by the scanning coil 21 as in the indirect heat-deposited source 1 according to the first embodiment. As a result, the irradiation range of the electron beam 25 is expanded, and the capacity of the liner 2 can be increased.

また、ライナー２の損傷を防止するために制限していた電子ビーム２５の出力を増大させること可能となり、蒸着速度の高速化を図ることができる。さらに、電子ビーム２５の一部は、ホルダー３における保持用孔３ａの縁部に到達するため、ライナー２のフランジ部２ｃ付近が冷えることを抑制することができる。その結果、蒸着材料４の蒸発粒子が周壁部２ｂの上端に堆積することを防止或いは抑制することができる。 Further, the output of the electron beam 25, which has been limited in order to prevent damage to the liner 2, can be increased, and the vapor deposition rate can be increased. Further, since a part of the electron beam 25 reaches the edge portion of the holding hole 3a in the holder 3, it is possible to prevent the vicinity of the flange portion 2c of the liner 2 from cooling. As a result, it is possible to prevent or suppress the evaporation particles of the vapor-deposited material 4 from being deposited on the upper end of the peripheral wall portion 2b.

また、第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源３１では、走査コイル２１がアノード２４のライナー２に対向する側と反対側に対向しており、走査コイル２１（ブロック２２）が、ライナー２から適当な距離を空けて配置されている。また、ライナー２の底部２ａから走査コイル２１までの距離は、ライナー２の底部２ａから電子源８までの距離よりも長く、走査コイル２１（ブロック２２）が、ライナー２から適当な距離を空けて配置されている。これにより、走査コイル２１は、ライナー２の底部２ａからの輻射熱、底部２ａで反射した反射電子、及び電子源８のフィラメントからの輻射熱による熱負荷を受け難くなり、熱による走査コイル２１の損傷を防止或いは抑制することができる。 Further, in the indirect heat-deposited source 31 according to the second embodiment, the scanning coil 21 faces the side of the anode 24 facing the liner 2 and the scanning coil 21 (block 22) from the liner 2. They are arranged at an appropriate distance. Further, the distance from the bottom 2a of the liner 2 to the scanning coil 21 is longer than the distance from the bottom 2a of the liner 2 to the electron source 8, and the scanning coil 21 (block 22) keeps an appropriate distance from the liner 2. Have been placed. As a result, the scanning coil 21 is less likely to receive a heat load due to radiant heat from the bottom 2a of the liner 2, reflected electrons reflected by the bottom 2a, and radiant heat from the filament of the electron source 8, and damage to the scanning coil 21 due to heat. It can be prevented or suppressed.

また、走査コイル２１をライナー２の底部２ａ等から離すために走査コイル２１の径を拡大させる必要が無い。走査コイル２１の径を拡大させると、電子ビーム２５を偏向させる強さの交流磁界を発生させるために電流を増大させて消費電力が増加してしまうが、そのような問題が生じる心配もない。さらに、走査コイル２１の径を拡大させて、蒸着源全体が大型化してしまうことを防止或いは抑制することができる。 Further, it is not necessary to increase the diameter of the scanning coil 21 in order to separate the scanning coil 21 from the bottom portion 2a of the liner 2 and the like. When the diameter of the scanning coil 21 is increased, an alternating magnetic field having a strength that deflects the electron beam 25 is generated, so that the current is increased and the power consumption is increased, but there is no concern that such a problem will occur. Further, the diameter of the scanning coil 21 can be increased to prevent or suppress the entire vapor deposition source from becoming large.

＜第３の実施形態＞
［間接加熱蒸着源の構成］
次に、第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源の構成について、図３を参照して説明する。
図３は、本発明の第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源の概略構成図である。 <Third embodiment>
[Structure of indirect heat vapor deposition source]
Next, the configuration of the indirect heat-deposited source according to the third embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of an indirect heat-deposited source according to a third embodiment of the present invention.

第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源４１は、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同様の構成を備えており、異なる点は、間接加熱蒸着源４１が複数のリフレクタ５を備えることである。そこで、ここでは、間接加熱蒸着源４１のリフレクタ５について説明し、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１（図１参照）と同じ構成の説明を省略する。 The indirect heat-deposited source 41 according to the third embodiment has the same configuration as the indirect heat-deposited source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment, and the difference is that the indirect heat-deposited source 41 is different. A plurality of reflectors 5 are provided. Therefore, here, the reflector 5 of the indirect heat-deposited source 41 will be described, and the description of the same configuration as the indirect heat-deposited source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment will be omitted.

図３に示すように、間接加熱蒸着源４１は、複数のライナー２と、ホルダー３と、複数のリフレクタ５と、防着カバー７と、電子源８とを備えている。複数のリフレクタ５は、それぞれ円筒状の筒状部５ａと、筒状部５ａの軸方向の一端に形成されたフランジ部５ｂとを有する。リフレクタ５の材料としては、例えば、モリブデンやセラミックスなどの高融点材料を挙げることができる。 As shown in FIG. 3, the indirect heat-deposited source 41 includes a plurality of liners 2, a holder 3, a plurality of reflectors 5, an adhesive cover 7, and an electron source 8. Each of the plurality of reflectors 5 has a cylindrical tubular portion 5a and a flange portion 5b formed at one end of the cylindrical portion 5a in the axial direction. Examples of the material of the reflector 5 include high melting point materials such as molybdenum and ceramics.

筒状部５ａの内径は、ライナー２における周壁部２ｂの最大外径よりも大きく設定されており、筒状部５ａは、ライナー２の周壁部２ｂ（側面）を覆う。また、筒状部５ａの外径は、ホルダー３における保持用孔３ａの径より僅かに小さい。フランジ部５ｂは、ホルダー３における保持用孔３ａの縁部に係合（当接）し、筒状部５ａは、保持用孔３ａを貫通する。 The inner diameter of the tubular portion 5a is set to be larger than the maximum outer diameter of the peripheral wall portion 2b of the liner 2, and the tubular portion 5a covers the peripheral wall portion 2b (side surface) of the liner 2. Further, the outer diameter of the tubular portion 5a is slightly smaller than the diameter of the holding hole 3a in the holder 3. The flange portion 5b engages (contacts) the edge portion of the holding hole 3a in the holder 3, and the tubular portion 5a penetrates the holding hole 3a.

また、フランジ部５ｂには、ライナー２のフランジ部２ｃが当接する。すなわち、ライナー２は、リフレクタ５を介してホルダー３に保持されている。そして、ライナー２における底部２ａの高さ位置は、リフレクタ５における筒状部５ａの軸方向の他端の高さ位置と略等しい。リフレクタ５の筒状部５ａは、電子ビーム２５をライナー２に向かって反射させる。 Further, the flange portion 2c of the liner 2 comes into contact with the flange portion 5b. That is, the liner 2 is held in the holder 3 via the reflector 5. The height position of the bottom portion 2a of the liner 2 is substantially equal to the height position of the other end of the tubular portion 5a of the reflector 5 in the axial direction. The tubular portion 5a of the reflector 5 reflects the electron beam 25 toward the liner 2.

第３の実施形態においても、第１の実施形態と同様に、フィラメントから放出された熱電子が電子源８とアノード２４との間の電界によって加速され、電子ビーム２５が発生する。この電子ビーム２５は、走査コイル２１により生じる交流磁界により偏向され、照射範囲が拡大する。 In the third embodiment as well, as in the first embodiment, the thermions emitted from the filament are accelerated by the electric field between the electron source 8 and the anode 24, and the electron beam 25 is generated. The electron beam 25 is deflected by the alternating magnetic field generated by the scanning coil 21, and the irradiation range is expanded.

その結果、電子ビーム２５は、ライナー２の底部２ａよりも広範囲に照射されることになり、電子ビーム２５の一部は、リフレクタ５の筒状部５ａに反射されライナー２の周壁部２ｂに照射される。ライナー２は、したがって、ライナー２の底部２ａ、及び周壁部２ｂが電子衝撃加熱される。 As a result, the electron beam 25 is irradiated in a wider range than the bottom portion 2a of the liner 2, and a part of the electron beam 25 is reflected by the tubular portion 5a of the reflector 5 and irradiates the peripheral wall portion 2b of the liner 2. Will be done. Therefore, in the liner 2, the bottom portion 2a and the peripheral wall portion 2b of the liner 2 are subjected to electronic shock heating.

ライナー２は、底部２ａ及び周壁部２ｂの電子衝撃加熱と、リフレクタ５の輻射により昇温する。そして、蒸着材料４は、ライナー２からの伝導熱と輻射により加熱される。ライナー２の底部２ａに対する電子衝撃加熱をある程度持続すると、蒸着材料４は、昇華又は蒸発する。蒸着材料４の蒸発粒子は、防着カバー７の蒸発用貫通孔１７ａを通過して、基板保持部１２０に保持された基板１２１に向かって進行する。その結果、蒸着材料４の蒸発粒子は、基板１２１に堆積して、所望の厚さの蒸着膜が基板１２１に付着する。 The temperature of the liner 2 is raised by the electronic impact heating of the bottom portion 2a and the peripheral wall portion 2b and the radiation of the reflector 5. Then, the thin-film deposition material 4 is heated by the conduction heat and radiation from the liner 2. When the electron impact heating to the bottom 2a of the liner 2 is continued to some extent, the vaporized material 4 sublimates or evaporates. The evaporated particles of the vaporized material 4 pass through the evaporation through hole 17a of the adhesion cover 7 and proceed toward the substrate 121 held by the substrate holding portion 120. As a result, the evaporated particles of the vapor-deposited material 4 are deposited on the substrate 121, and the vapor-deposited film having a desired thickness adheres to the substrate 121.

このように、本実施形態では、リフレクタ５を備えるため、エネルギーロスの一因であるライナー２で反射した電子ビーム２５やライナー２の輻射を反射して、ライナー２への熱量として利用することができる。その結果、ライナー２の加熱効率を向上させることができる。また、リフレクタ５がライナー２から逸れた電子ビーム２５を反射してライナー２に向かわせるため、ライナー２の加熱効率を向上させることができる。 As described above, in the present embodiment, since the reflector 5 is provided, the electron beam 25 reflected by the liner 2 and the radiation of the liner 2 reflected by the liner 2 can be reflected and used as the amount of heat to the liner 2. can. As a result, the heating efficiency of the liner 2 can be improved. Further, since the reflector 5 reflects the electron beam 25 deviated from the liner 2 and directs it toward the liner 2, the heating efficiency of the liner 2 can be improved.

また、第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源４１おいても、第１の実施形態に係る間接加熱蒸着源１と同様に、電子ビーム２５が、走査コイル２１により生じる交流磁界により偏向される。その結果、電子ビーム２５の照射範囲が拡大し、ライナー２の大容量化を図ることができる。さらに、ライナー２の損傷を防止するために制限していた電子ビーム２５の出力を増大させること可能となり、蒸着速度の高速化を図ることができる。 Further, also in the indirect heat-deposited source 41 according to the third embodiment, the electron beam 25 is deflected by the alternating magnetic field generated by the scanning coil 21 as in the indirect heat-deposited source 1 according to the first embodiment. .. As a result, the irradiation range of the electron beam 25 is expanded, and the capacity of the liner 2 can be increased. Further, the output of the electron beam 25, which has been limited in order to prevent damage to the liner 2, can be increased, and the vapor deposition rate can be increased.

走査コイル電流駆動部２３には、走査コイル電流波形制御部２６が接続されている。走査コイル電流波形制御部２６は、走査コイル２１に供給する電流の波形（以下、「電流波形」とする）を制御する。すなわち、走査コイル電流波形制御部２６は、走査コイル電流駆動部２３を制御し、電流波形を調整する。 A scanning coil current waveform control unit 26 is connected to the scanning coil current drive unit 23. The scanning coil current waveform control unit 26 controls the waveform of the current supplied to the scanning coil 21 (hereinafter referred to as “current waveform”). That is, the scanning coil current waveform control unit 26 controls the scanning coil current drive unit 23 and adjusts the current waveform.

また、走査コイル電流波形制御部２６には、操作部２７が接続されている。操作部２７は、電子ビーム２５の照射範囲における中央部及び周縁部（外縁部）のビーム強度を変更するための入力を受け付ける。走査コイル電流波形制御部２６は、操作部２７を用いて入力された指示に応じて電流波形を調整する。操作部２７を用いて入力される指示としては、例えば、電子ビーム２５の照射範囲における中央部と周縁部のビーム強度の比や、スキャンモードの選択を挙げることができる。 Further, an operation unit 27 is connected to the scanning coil current waveform control unit 26. The operation unit 27 receives an input for changing the beam intensity of the central portion and the peripheral portion (outer edge portion) in the irradiation range of the electron beam 25. The scanning coil current waveform control unit 26 adjusts the current waveform according to an instruction input using the operation unit 27. As the instruction input using the operation unit 27, for example, the ratio of the beam intensities of the central portion and the peripheral portion in the irradiation range of the electron beam 25 and the selection of the scan mode can be mentioned.

図４は、走査コイルにおけるスクウェアスキャンモードのコイル電流波形の例を示す図である。図４に示すスクウェアスキャンモードのコイル電流波形は、外縁部のビーム強度を中央部のビーム強度に対して増大させており、明るく表示されているほどビーム強度が強い。 FIG. 4 is a diagram showing an example of a coil current waveform in the square scan mode in the scanning coil. In the coil current waveform of the square scan mode shown in FIG. 4, the beam intensity at the outer edge portion is increased with respect to the beam intensity at the central portion, and the brighter the beam intensity is, the stronger the beam intensity is.

図５は、走査コイルにおけるサークルスキャンモードのコイル電流波形の例を示す図である。図５に示すサークルスキャンモードのコイル電流波形は、中心部から周縁部に向かうにつれてビーム強度を徐々に増大させており、明るく表示されているほどビーム強度が強い。 FIG. 5 is a diagram showing an example of a coil current waveform in a circle scan mode in a scanning coil. In the coil current waveform of the circle scan mode shown in FIG. 5, the beam intensity is gradually increased from the central portion to the peripheral portion, and the brighter the beam intensity is, the stronger the beam intensity is.

第３の実施形態において、例えば、操作部２７によりスクウェアスキャンモードを選択すると共に、外縁部のビーム強度を中央部のビーム強度より強くなるように指示する。これにより、走査コイル電流波形制御部２６は、スクウェアスキャンモードにおいて、電子ビーム２５の照射範囲の外縁部のビーム強度が増大するように、コイル電流波形を補正し（図４参照）、走査コイル電流駆動部２３によって出力する。 In the third embodiment, for example, the operation unit 27 selects the square scan mode and instructs the beam intensity of the outer edge portion to be stronger than the beam intensity of the central portion. As a result, the scanning coil current waveform control unit 26 corrects the coil current waveform so that the beam intensity at the outer edge of the irradiation range of the electron beam 25 increases in the square scan mode (see FIG. 4), and the scanning coil current. It is output by the drive unit 23.

照射範囲における外縁部の電子ビーム２５は、リフレクタ５によって反射され、ライナー２の周壁部２ｂに照射される。これにより、ライナー２の周壁部２ｂを、ライナー２の底部２ａと同じように電子衝撃加熱させることができる。その結果、ライナー２が昇温する際に、底部２ａ及び周壁部２ｂにおける温度分布の均一性を改善することができ、ライナー２の内壁面に蒸着材料４の溶け残りが生じることを防止或いは抑制することができる。 The electron beam 25 at the outer edge in the irradiation range is reflected by the reflector 5 and irradiates the peripheral wall portion 2b of the liner 2. As a result, the peripheral wall portion 2b of the liner 2 can be electronically impact-heated in the same manner as the bottom portion 2a of the liner 2. As a result, when the temperature of the liner 2 rises, the uniformity of the temperature distribution in the bottom portion 2a and the peripheral wall portion 2b can be improved, and the undissolved residue of the vapor deposition material 4 can be prevented or suppressed on the inner wall surface of the liner 2. can do.

第３の実施形態において、例えば、操作部２７によりサークルスキャンモードを選択すると共に、中心部から周縁部に向かうにつれてビーム強度を徐々に増大させるように指示する。これにより、走査コイル電流波形制御部２６は、サークルスキャンモードにおいて、中心部から周縁部に向かうにつれてビーム強度が増大するように、コイル電流波形を補正し（図５参照）、走査コイル電流駆動部２３によって出力する。 In the third embodiment, for example, the operation unit 27 selects the circle scan mode and instructs the operation unit 27 to gradually increase the beam intensity from the central portion to the peripheral portion. As a result, the scanning coil current waveform control unit 26 corrects the coil current waveform so that the beam intensity increases from the central portion to the peripheral portion in the circle scan mode (see FIG. 5), and the scanning coil current driving unit Output by 23.

照射範囲における周縁部の電子ビーム２５は、リフレクタ５によって反射され、ライナー２の周壁部２ｂに照射される。これにより、ライナー２の周壁部２ｂを、ライナー２の底部２ａと同じように電子衝撃加熱させることができる。その結果、ライナー２が昇温する際に、底部２ａ及び周壁部２ｂにおける温度分布の均一性を改善することができ、ライナー２の内壁面に蒸着材料４の溶け残りが生じることを防止或いは抑制することができる。 The electron beam 25 at the peripheral edge in the irradiation range is reflected by the reflector 5 and is irradiated to the peripheral wall portion 2b of the liner 2. As a result, the peripheral wall portion 2b of the liner 2 can be electronically impact-heated in the same manner as the bottom portion 2a of the liner 2. As a result, when the temperature of the liner 2 rises, the uniformity of the temperature distribution in the bottom portion 2a and the peripheral wall portion 2b can be improved, and the undissolved residue of the vapor deposition material 4 can be prevented or suppressed on the inner wall surface of the liner 2. can do.

さらに、サークルスキャンモードを選択したことにより、電子ビーム２５の照射範囲が円形になる。そのため、軸対称形状であるライナー２に効率よく電子ビーム２５を照射することができ、電子ビーム２５がライナー２から逸れることによるエネルギーロスを少なくすることができる。 Further, by selecting the circle scan mode, the irradiation range of the electron beam 25 becomes circular. Therefore, the electron beam 25 can be efficiently irradiated to the liner 2 having an axisymmetric shape, and the energy loss due to the electron beam 25 deviating from the liner 2 can be reduced.

＜まとめ＞
以上説明したように、上述した第１〜第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源は、有底の筒状に形成され、蒸着材料（蒸着材料４）が充填される容器（ライナー２）と、容器を保持する容器保持部（ホルダー３）と、容器を電子衝撃加熱するための熱電子（電子ビーム２５）を放出する電子源（電子源８）と、電子源から放出される熱電子の照射範囲を拡大させる走査コイル（走査コイル２１）とを備える。 <Summary>
As described above, the indirect heat-deposited source according to the first to third embodiments described above is a container (liner 2) formed in a bottomed tubular shape and filled with a vapor-deposited material (deposited material 4). , A container holding portion (holder 3) that holds the container, an electron source (electron source 8) that emits thermoelectrons (electron beam 25) for electron impact heating of the container, and thermoelectrons emitted from the electron source. It is provided with a scanning coil (scanning coil 21) that expands the irradiation range.

これにより、熱電子が、走査コイルにより生じる交流磁界により偏向され、熱電子の照射範囲が拡大するため、容器の大容量化を図ることができる。さらに、容器の損傷を防止するために制限していた熱電子の出力を増大させること可能となり、蒸着速度の高速化を図ることができる。 As a result, thermions are deflected by the alternating magnetic field generated by the scanning coil, and the irradiation range of thermions is expanded, so that the capacity of the container can be increased. Further, it is possible to increase the output of thermions, which has been limited in order to prevent damage to the container, and it is possible to increase the vapor deposition rate.

また、上述した第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源の走査コイル（走査コイル２１）は、アノード（アノード２４）の容器（ライナー２）に対向する側と反対側に対向している。これにより、走査コイルを、容器の底部から適当な距離を空けて離すことができる。その結果、走査コイルは、容器からの輻射熱、容器で反射した反射電子、及び電子源（電子源８）からの輻射熱による熱負荷を受け難くなり、熱による走査コイルの損傷を防止或いは抑制することができる。 Further, the scanning coil (scanning coil 21) of the indirect heat-deposited source according to the second embodiment described above faces the side of the anode (anode 24) opposite to the container (liner 2). This allows the scanning coil to be separated from the bottom of the container at an appropriate distance. As a result, the scanning coil is less susceptible to heat load due to radiant heat from the container, reflected electrons reflected by the container, and radiant heat from the electron source (electron source 8), and damage to the scanning coil due to heat is prevented or suppressed. Can be done.

また、上述した第２の実施形態に係る間接加熱蒸着源の容器（ライナー２）の底部（底部２ａ）から走査コイル（走査コイル２１）までの距離は、容器の底部から電子源（電子源８）までの距離よりも長い。これにより、走査コイルを、容器の底部から適当な距離を空けて離すことができる。その結果、走査コイルは、容器からの輻射熱、容器で反射した反射電子、及び電子源（電子源８）からの輻射熱による熱負荷を受け難くなり、熱による走査コイルの損傷を防止或いは抑制することができる。 The distance from the bottom (bottom 2a) of the container (liner 2) of the indirect heat-deposited source according to the second embodiment to the scanning coil (scanning coil 21) is the distance from the bottom of the container to the electron source (electron source 8). ) Is longer than the distance. This allows the scanning coil to be separated from the bottom of the container at an appropriate distance. As a result, the scanning coil is less susceptible to heat load due to radiant heat from the container, reflected electrons reflected by the container, and radiant heat from the electron source (electron source 8), and damage to the scanning coil due to heat is prevented or suppressed. Can be done.

また、上述した第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源は、容器（ライナー２）の側面に対向するリフレクタ（リフレクタ５）を備える。これにより、エネルギーロスの一因である容器で反射した熱電子（電子ビーム２５）や容器の輻射を反射して、容器への熱量として利用することができる。その結果、容器の加熱効率を向上させることができる。 Further, the indirect heat-deposited source according to the third embodiment described above includes a reflector (reflector 5) facing the side surface of the container (liner 2). As a result, the thermions (electron beam 25) reflected by the container, which is one of the causes of energy loss, and the radiation of the container can be reflected and used as the amount of heat to the container. As a result, the heating efficiency of the container can be improved.

また、上述した第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源のリフレクタ（リフレクタ５）は、容器（ライナー２）の側面（周壁部２ｂ）を覆う筒状部（筒状部５ａ）と、筒状部の軸方向の一端に形成され、容器保持部（ホルダー３）に係合するフランジ部（フランジ部５ｂ）とを有する。これにより、容器に到達しない熱電子（電子ビーム２５）を少なくすることができ、エネルギーロスを改善することができる。また、フランジ部を容器保持部に係合させることで容易にリフレクタを容器の側方に配置することができる。 Further, the reflector (reflector 5) of the indirect heat-deposited source according to the third embodiment described above has a tubular portion (cylindrical portion 5a) covering the side surface (peripheral wall portion 2b) of the container (liner 2) and a tubular portion. It has a flange portion (flange portion 5b) that is formed at one end in the axial direction of the portion and engages with the container holding portion (holder 3). As a result, thermions (electron beam 25) that do not reach the container can be reduced, and energy loss can be improved. Further, the reflector can be easily arranged on the side of the container by engaging the flange portion with the container holding portion.

また、上述した第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源の電流波形制御部（走査コイル電流波形制御部２６）は、熱電子（電子ビーム２５）の照射範囲における外縁部（周縁部）のビーム強度が、熱電子の照射範囲の中央部（中心部）のビーム強度よりも大きくなるように電流波形を制御する。これにより、容器（ライナー２）が昇温する際に、容器の底部（底部２ａ）及び周壁部（周壁部２ｂ）における温度分布の均一性を改善することができ、容器の内壁面に蒸着材料（蒸着材料４）の溶け残りが生じることを防止或いは抑制することができる。 Further, the current waveform control unit (scanning coil current waveform control unit 26) of the indirect heating vapor deposition source according to the third embodiment described above is a beam of an outer edge portion (peripheral portion) in the irradiation range of thermions (electron beam 25). The current waveform is controlled so that the intensity is larger than the beam intensity in the central portion (central portion) of the thermion irradiation range. As a result, when the temperature of the container (liner 2) rises, the uniformity of the temperature distribution at the bottom (bottom 2a) and the peripheral wall (peripheral wall 2b) of the container can be improved, and the vapor deposition material can be deposited on the inner wall surface of the container. It is possible to prevent or suppress the occurrence of undissolved residue of (deposited material 4).

また、上述した第３の実施形態に係る間接加熱蒸着源は、熱電子（電子ビーム２５）の照射範囲における中央部及び外縁部のビーム強度を変更するための操作部（操作部２７）を備え、電流波形制御部（走査コイル電流波形制御部２６）は、操作部を用いた指示に応じて走査コイル（走査コイル２１）の電流波形を制御する。これにより、熱電子の照射範囲における所望の部分のビーム強度を変更することができ、容器（ライナー２）の形状に応じてビーム強度の強弱を設定することができる。 Further, the indirect heating vapor deposition source according to the third embodiment described above includes an operation unit (operation unit 27) for changing the beam intensities of the central portion and the outer edge portion in the irradiation range of thermions (electron beam 25). The current waveform control unit (scanning coil current waveform control unit 26) controls the current waveform of the scanning coil (scanning coil 21) in response to an instruction using the operation unit. Thereby, the beam intensity of a desired portion in the irradiation range of thermions can be changed, and the intensity of the beam intensity can be set according to the shape of the container (liner 2).

＜変形例＞
以上、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態は、本発明を分かり易く詳細に説明したものであり、本発明は、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定するものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることが可能である。 <Modification example>
The embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention described in the claims. For example, the above-described embodiment describes the present invention in an easy-to-understand and detailed manner, and the present invention is not necessarily limited to the one including all the configurations described. Further, it is possible to replace a part of the configuration of one embodiment with the configuration of another embodiment, and it is also possible to add the configuration of another embodiment to the configuration of one embodiment. Further, it is possible to add, delete, or replace a part of the configuration of each embodiment with another configuration.

例えば、上述した第３の実施形態は、第１の実施形態にリフレクタ５を設ける構成にした。しかし、本発明に係る間接加熱蒸着源としては、第２の実施形態にリフレクタ５を設ける構成であってもよい。この場合は、走査コイルの損傷を防止或いは抑制するという第２の実施形態の効果と、容器の加熱効率を向上させることができるという第３の実施形態の効果を得ることができる。 For example, in the third embodiment described above, the reflector 5 is provided in the first embodiment. However, as the indirect heat-deposited source according to the present invention, the reflector 5 may be provided in the second embodiment. In this case, the effect of the second embodiment of preventing or suppressing damage to the scanning coil and the effect of the third embodiment of improving the heating efficiency of the container can be obtained.

また、上述した第１及び第２の実施形態に、第３の実施形態に係る走査コイル電流波形制御部２６と操作部２７を設けてもよい。そして、リフレクタ５を備えない第１の実施形態や第２の実施形態において、電子ビーム２５の照射範囲における周縁部（外縁部）のビーム強度が、電子ビーム２５の照射範囲の中央部（中心部）のビーム強度よりも大きくなるように設定してもよい。この場合においても、ライナー２の周壁部２ｂに照射される電子ビーム２５のビーム強度が強くなるため、電子ビーム２５が照射され易い底部２ａと、電子ビーム２５が照射され難い周壁部２ｂとの温度差を小さくすることができる。また、ライナー２の内壁面に蒸着材料４の溶け残りが生じることを抑制することができる。 Further, the scanning coil current waveform control unit 26 and the operation unit 27 according to the third embodiment may be provided in the first and second embodiments described above. Then, in the first embodiment and the second embodiment not provided with the reflector 5, the beam intensity of the peripheral portion (outer edge portion) in the irradiation range of the electron beam 25 is the central portion (central portion) of the irradiation range of the electron beam 25. ) May be set to be larger than the beam intensity. Even in this case, since the beam intensity of the electron beam 25 irradiated to the peripheral wall portion 2b of the liner 2 becomes strong, the temperature between the bottom portion 2a where the electron beam 25 is easily irradiated and the peripheral wall portion 2b where the electron beam 25 is difficult to be irradiated is high. The difference can be reduced. In addition, it is possible to prevent the vapor deposition material 4 from being left undissolved on the inner wall surface of the liner 2.

また、上述した第３の実施形態では、ライナー２における底部２ａの高さ位置が、リフレクタ５における筒状部５ａの軸方向の他端の高さ位置と略等しい。しかし、リフレクタ５における筒状部５ａの軸方向の他端の高さ位置としては、ライナー２における底部２ａの高さ位置よりも低くしてもよい。これにより、より多くの電子ビーム２５をリフレクタ５で反射することができ、ライナー２の加熱効率を向上させることができる。 Further, in the third embodiment described above, the height position of the bottom portion 2a of the liner 2 is substantially equal to the height position of the other end of the tubular portion 5a of the reflector 5 in the axial direction. However, the height position of the other end of the tubular portion 5a in the reflector 5 in the axial direction may be lower than the height position of the bottom portion 2a in the liner 2. As a result, more electron beams 25 can be reflected by the reflector 5, and the heating efficiency of the liner 2 can be improved.

また、上述した第１〜第３の実施形態では、移動機構として回転駆動軸１４を適用した。しかし、本発明に係る移動機構としては、ホルダー３を回転させる機構に限定されるものではなく、ホルダー及びライナーを移動させるものであればよい。本発明に係る移動機構としては、例えば、ホルダー及びライナーを直線移動させる直線移動機構を採用してもよい。この場合は、電子源は、ホルダーの下方において、ライナーの軌道上の任意の位置に配置されている。 Further, in the first to third embodiments described above, the rotary drive shaft 14 is applied as the moving mechanism. However, the moving mechanism according to the present invention is not limited to the mechanism for rotating the holder 3, and may be any one that moves the holder and the liner. As the moving mechanism according to the present invention, for example, a linear moving mechanism for linearly moving the holder and the liner may be adopted. In this case, the electron source is located below the holder at any position on the liner's orbit.

１，３１，４１・・・間接加熱蒸着源、 ２・・・ライナー、 ２ａ・・・底部、 ２ｂ・・・周壁部、 ２ｃ・・・フランジ部、 ３・・・ホルダー、 ３ａ・・・保持用孔、 ４・・・蒸着材料、 ５・・・リフレクタ、 ５ａ・・・筒状部、 ５ｂ・・・フランジ部、 ７・・・防着カバー、 ８・・・電子源、 ９・・・加速電源、 １４・・・回転駆動軸、 １５・・・防着突起部、 １７・・・上面板、 １７ａ・・・蒸発用貫通孔、 １８・・・側面板、 ２１・・・走査コイル、 ２２・・・ブロック、 ２３・・・走査コイル電流駆動部、 ２４・・・アノード、 ２５・・・電子ビーム、 ２６・・・走査コイル電流波形制御部、 ２７・・・操作部、 １２０・・・基板保持部、 １２１・・・基板、 １２２・・・回転駆動軸 1,31,41 ... Indirect heating vapor deposition source, 2 ... Liner, 2a ... Bottom, 2b ... Peripheral wall, 2c ... Flange, 3 ... Holder, 3a ... Holding Holes, 4 ... Evaporated material, 5 ... Reflector, 5a ... Cylindrical part, 5b ... Flange part, 7 ... Adhesive cover, 8 ... Electronic source, 9 ... Acceleration power supply, 14 ... Rotation drive shaft, 15 ... Adhesive protrusion, 17 ... Top plate, 17a ... Evaporation through hole, 18 ... Side plate, 21 ... Scan coil, 22 ... block, 23 ... scanning coil current drive unit, 24 ... anode, 25 ... electron beam, 26 ... scanning coil current waveform control unit, 27 ... operation unit, 120 ...・ Board holding part, 121 ・ ・ ・ Board, 122 ・ ・ ・ Rotation drive shaft

Claims (5)

有底の筒状に形成され、蒸着材料が充填される容器と、
前記容器を保持する容器保持部と、
前記容器を電子衝撃加熱するための熱電子を放出する電子源と、
前記電子源から放出される熱電子の照射範囲を拡大させる走査コイルと、
前記容器と前記電子源との間に配置されるアノードと、を備え、
前記走査コイルは、前記アノードの前記容器に対向する側と反対側に対向している
ことを特徴とする間接加熱蒸着源。 A container that is formed in a bottomed tubular shape and is filled with a thin-film deposition material,
A container holding part that holds the container and
An electron source that emits thermions for electronically impact heating the container,
A scanning coil that expands the irradiation range of thermions emitted from the electron source, and
It comprises an anode arranged between the container and the electron source .
The scanning coil is an indirect heat-deposited source, characterized in that the anode faces the side of the anode facing the container and the side opposite to the container. 前記容器の側面に対向するリフレクタを備える
ことを特徴とする請求項１のいずれか１項に記載の間接加熱蒸着源。 The indirect heat-deposited source according to any one of claims 1, further comprising a reflector facing the side surface of the container. 前記リフレクタは、前記容器の側面を覆う筒状部と、前記筒状部の軸方向の一端に形成され、前記容器保持部に係合するフランジ部とを有する
ことを特徴とする請求項２に記載の間接加熱蒸着源。 The reflector includes a cylindrical portion covering a side surface of the container, it is formed in the axial end of the cylindrical portion, to claim 2, characterized in that it comprises a flange portion for engaging the container holder The indirect thermal deposition source described. 前記走査コイルに供給する電流の波形を制御する電流波形制御部を備え、
前記電流波形制御部は、前記熱電子の照射範囲における外縁部のビーム強度が、前記熱電子の照射範囲の中央部のビーム強度よりも大きくなるように前記電流波形を制御する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の間接加熱蒸着源。 A current waveform control unit that controls the waveform of the current supplied to the scanning coil is provided.
The current waveform control unit is characterized in that the current waveform is controlled so that the beam intensity of the outer edge portion in the thermionic irradiation range is larger than the beam intensity of the central portion of the thermionic irradiation range. The indirect thermal vapor deposition source according to any one of claims 1 to 3. 前記熱電子の照射範囲における中央部及び外縁部のビーム強度を変更するための操作部を備え、
前記電流波形制御部は、前記操作部を用いた指示に応じて前記走査コイルの電流波形を制御する
ことを特徴とする請求項４に記載の間接加熱蒸着源。 An operation unit for changing the beam intensity of the central portion and the outer edge portion in the irradiation range of thermions is provided.
The indirect heat-deposited source according to claim 4 , wherein the current waveform control unit controls the current waveform of the scanning coil in response to an instruction using the operation unit.
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