JP7139705B2 - ナノワイヤ装置の製造方法 - Google Patents
ナノワイヤ装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7139705B2 JP7139705B2 JP2018113836A JP2018113836A JP7139705B2 JP 7139705 B2 JP7139705 B2 JP 7139705B2 JP 2018113836 A JP2018113836 A JP 2018113836A JP 2018113836 A JP2018113836 A JP 2018113836A JP 7139705 B2 JP7139705 B2 JP 7139705B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanowire
- segment
- sub
- manufacturing
- maximum diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第1の実施形態について説明する。図1A~図1Eは、第1の実施形態に係るナノワイヤ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、第2の実施形態について説明する。図6A~図6Mは、第2の実施形態に係るナノワイヤ装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
次に、第3の実施形態について説明する。第2の実施形態では、1本のpn接合ヘテロナノワイヤ190を含むナノワイヤ装置100を製造するのに対し、第3の実施形態では、複数本、例えば3本のpn接合ヘテロナノワイヤ190を含むナノワイヤ装置を製造する。図10Aは、第3の実施形態に係る方法により製造されるナノワイヤ装置における電極及びナノワイヤセグメントのレイアウトの例を示す図であり、図10Bは、第3の実施形態に係る方法により製造されるナノワイヤ装置を示す断面図である。図10Bは、図10A中のI-I線に沿った断面を示す。
次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態は、第1~第3の実施形態に係る方法で製造されるナノワイヤ装置を含む、いわゆる超大容量無線通信システムの電波受信機に関する。図12は、第4の実施形態に係る電波受信機の構成を示す図である。
次に、第5の実施形態について説明する。第5の実施形態は、第1~第3の実施形態に係る方法で製造されるナノワイヤ装置を含む、いわゆるIoT(Internet of Things)センサの発電機に関する。図13は、第5の実施形態に係る発電機の構成を示す図である。
基板の上方に、第1の最大直径を有する第1導電型の第1のナノワイヤセグメントを成長させる工程と、
前記第1の最大直径よりも小さい第2の最大直径を有する第2導電型の第2のナノワイヤセグメントを前記第1のナノワイヤセグメント上に成長させる工程と、
前記第1のナノワイヤセグメントに接触する第1の金属電極を形成する工程と、
前記第2のナノワイヤセグメントに接触する第2の金属電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするナノワイヤ装置の製造方法。
(付記2)
前記第2のナノワイヤセグメントを成長させる工程と前記第1の金属電極を形成する工程との間に、前記第2のナノワイヤセグメントの側面及び上面を覆い、前記第1のナノワイヤセグメントの側面を露出する絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする付記1に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
(付記3)
前記第1のナノワイヤセグメント及び前記第2のナノワイヤセグメントはIII-V族化合物半導体から構成されることを特徴とする付記1又は2に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
(付記4)
前記第1のナノワイヤセグメントを成長させる工程は、
前記第1の最大直径を有する第1のナノワイヤサブセグメントを成長させる工程と、
前記第2の最大直径よりも小さい第3の最大直径を有する第2のナノワイヤサブセグメントを前記第1のナノワイヤサブセグメント上に成長させる工程と、
を有することを特徴とする付記1乃至3のいずれか1項に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
(付記5)
前記第1のナノワイヤサブセグメントは第1のIII族元素を含み、
前記第2のナノワイヤサブセグメントは第2のIII族元素を含み、
前記第1のIII族元素の気相拡散長は前記第2のIII族元素の気相拡散長より短いことを特徴とする付記4に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
(付記6)
前記第1のナノワイヤサブセグメントはGaAsから構成され、
前記第2のナノワイヤサブセグメントはInAsから構成されることを特徴とする付記5に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
(付記7)
前記第1のナノワイヤサブセグメントの成長温度を前記第2のナノワイヤサブセグメントの成長温度以下とすることを特徴とする付記4乃至6のいずれか1項に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
(付記8)
前記第2のナノワイヤセグメントはGaAsSbから構成されることを特徴とする付記1乃至7のいずれか1項に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
(付記9)
基板と、
前記基板の上方に形成され、第1の最大直径を有する第1導電型の第1のナノワイヤセグメントと、
前記第1の最大直径よりも小さい第2の最大直径を有し、前記第1のナノワイヤセグメントに接合した第2導電型の第2のナノワイヤセグメントと、
前記第1のナノワイヤセグメントに接触した第1の金属電極と、
前記第2のナノワイヤセグメントに接触した第2の金属電極と、
を有することを特徴とするナノワイヤ装置。
(付記10)
前記第2のナノワイヤセグメントの側面を覆う絶縁膜を有することを特徴とする付記9に記載のナノワイヤ装置。
(付記11)
前記第1のナノワイヤセグメントは、
前記第1の最大直径を有する第1のナノワイヤサブセグメントと、
前記第2の最大直径よりも小さい第3の最大直径を有し、前記第1のナノワイヤサブセグメントに接合した第2のナノワイヤサブセグメントと、
を有することを特徴とする付記9又は10に記載のナノワイヤ装置。
(付記12)
付記9乃至11のいずれか1項に記載のナノワイヤ装置を含むことを特徴とする電波受信機。
(付記13)
付記9乃至11のいずれか1項に記載のナノワイヤ装置を含むことを特徴とする発電機。
10:基板
11:第1のナノワイヤセグメント
12:第2のナノワイヤセグメント
13:絶縁膜
15:第1の金属電極
17:第2の金属電極
100:ナノワイヤ装置
101:基板
102:成長マスク
110:第1のナノワイヤセグメント
111:第1のナノワイヤサブセグメント
112:第2のナノワイヤサブセグメント
120:第2のナノワイヤセグメント
130:絶縁膜
150:第1の金属膜
170:第2の金属膜
190:pn接合ヘテロナノワイヤ
500:電波受信機
600:発電機
Claims (7)
- 基板の上方に、第1の最大直径を有する第1導電型の第1のナノワイヤセグメントを成長させる工程と、
前記第1の最大直径よりも小さい第2の最大直径を有する第2導電型の第2のナノワイヤセグメントを前記第1のナノワイヤセグメント上に成長させる工程と、
前記第1のナノワイヤセグメントに接触する第1の金属電極を形成する工程と、
前記第2のナノワイヤセグメントに接触する第2の金属電極を形成する工程と、
を有することを特徴とするナノワイヤ装置の製造方法。 - 前記第2のナノワイヤセグメントを成長させる工程と前記第1の金属電極を形成する工程との間に、前記第2のナノワイヤセグメントの側面及び上面を覆い、前記第1のナノワイヤセグメントの側面を露出する絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
- 前記第1のナノワイヤセグメント及び前記第2のナノワイヤセグメントはIII-V族化合物半導体から構成されることを特徴とする請求項1又は2に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
- 前記第1のナノワイヤセグメントを成長させる工程は、
前記第1の最大直径を有する第1のナノワイヤサブセグメントを成長させる工程と、
前記第2の最大直径よりも小さい第3の最大直径を有する第2のナノワイヤサブセグメントを前記第1のナノワイヤサブセグメント上に成長させる工程と、
を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のナノワイヤ装置の製造方法。 - 前記第1のナノワイヤサブセグメントは第1のIII族元素を含み、
前記第2のナノワイヤサブセグメントは第2のIII族元素を含み、
前記第1のIII族元素の気相拡散長は前記第2のIII族元素の気相拡散長より短いことを特徴とする請求項4に記載のナノワイヤ装置の製造方法。 - 前記第1のナノワイヤサブセグメントはGaAsから構成され、
前記第2のナノワイヤサブセグメントはInAsから構成されることを特徴とする請求項5に記載のナノワイヤ装置の製造方法。 - 前記第2のナノワイヤセグメントはGaAsSbから構成されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のナノワイヤ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018113836A JP7139705B2 (ja) | 2018-06-14 | 2018-06-14 | ナノワイヤ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018113836A JP7139705B2 (ja) | 2018-06-14 | 2018-06-14 | ナノワイヤ装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019216219A JP2019216219A (ja) | 2019-12-19 |
JP7139705B2 true JP7139705B2 (ja) | 2022-09-21 |
Family
ID=68919680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018113836A Active JP7139705B2 (ja) | 2018-06-14 | 2018-06-14 | ナノワイヤ装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7139705B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008305982A (ja) | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JP2010503981A (ja) | 2006-09-19 | 2010-02-04 | クナノ アーベー | ナノスケール電界効果トランジスタの構体 |
WO2017057329A1 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 国立大学法人北海道大学 | トンネル電界効果トランジスタ |
US20170345927A1 (en) | 2016-05-26 | 2017-11-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated Circuit Devices and Methods of Manufacturing the Same |
JP2018056381A (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
-
2018
- 2018-06-14 JP JP2018113836A patent/JP7139705B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010503981A (ja) | 2006-09-19 | 2010-02-04 | クナノ アーベー | ナノスケール電界効果トランジスタの構体 |
JP2008305982A (ja) | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
WO2017057329A1 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 国立大学法人北海道大学 | トンネル電界効果トランジスタ |
US20170345927A1 (en) | 2016-05-26 | 2017-11-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated Circuit Devices and Methods of Manufacturing the Same |
JP2018056381A (ja) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019216219A (ja) | 2019-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8557670B1 (en) | SOI lateral bipolar junction transistor having a wide band gap emitter contact | |
US9634114B2 (en) | Tunnel field-effect transistor, method for manufacturing same, and switch element | |
JP4507285B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US9847442B2 (en) | Field-effect localized emitter photovoltaic device | |
US4207586A (en) | Semiconductor device having a passivating layer | |
CN111129187B (zh) | 红外光探测器及其制作方法 | |
JP3177951B2 (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
JP2018056381A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN113013714B (zh) | 石墨烯太赫兹光源器件及其制作方法 | |
US9040983B2 (en) | Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same | |
JP7139705B2 (ja) | ナノワイヤ装置の製造方法 | |
JP6954184B2 (ja) | 半導体デバイス、受信機及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP2945647B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP6741943B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6631458B2 (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
JP7027949B2 (ja) | 半導体装置、受信機及び半導体装置の製造方法 | |
JP6981289B2 (ja) | 化合物半導体装置及びその製造方法、並びに受信機 | |
JP2019067974A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2021174832A (ja) | 半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP6874572B2 (ja) | 電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法 | |
KR102437878B1 (ko) | 헤테로 접합을 이용한 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
JP2001257364A (ja) | ダイオードおよびダイオードアレイならびにダイオードの製造方法 | |
JP2758611B2 (ja) | バイポーラトランジスタ素子 | |
US20200350449A1 (en) | Monolithic Photovoltaics in Series on Insulating Substrate | |
CN112670178A (zh) | 一种肖特基二极管的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220318 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220809 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220822 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7139705 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |