JP2019067974A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 459
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 124
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 4
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 abstract description 298
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 202
- 238000000034 method Methods 0.000 description 46
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 25
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 9
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 for example Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N diethylzinc Chemical compound CC[Zn]CC HQWPLXHWEZZGKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 2
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N trimethylstibine Chemical compound C[Sb](C)C PORFVJURJXKREL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100208382 Danio rerio tmsb gene Proteins 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N gallium antimonide Chemical compound [Sb]#[Ga] VTGARNNDLOTBET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000037 hydrogen sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
図1は第1の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。図1には、第1の実施の形態に係る半導体装置の要部断面図を模式的に示している。
図2〜図7は第1の実施の形態に係る半導体装置の形成方法の一例を示す図である。図2(A)及び図2(B)、図3(A)及び図3(B)、図4(A)及び図4(B)、図5(A)及び図5(B)、図6(A)及び図6(B)並びに図7(A)及び図7(B)にはそれぞれ、第1の実施の形態に係る半導体装置の形成工程の要部断面図を模式的に示している。
図8及び図9は第1の実施の形態に係る半導体装置の構成例を示す図である。図8には、第1の実施の形態に係る半導体装置の要部斜視図(鳥瞰図)を模式的に示している。図9には、第1の実施の形態に係る半導体装置の要部平面図を模式的に示している。
チャネル領域16及びチャネル領域26のZ方向の位置が同一又は同等である半導体装置100の平面レイアウトの説明図を図11(A)に、チャネル領域16及びチャネル領域26のZ方向の位置が異なる半導体装置1Aの平面レイアウトの説明図を図11(B)に、それぞれ示す。
次に、第2の実施の形態について説明する。
図12に示す半導体装置1Bは、段差を有する基板30上に、Z方向に延伸された同一又は同等直径のナノワイヤ半導体11及びナノワイヤ半導体21を用いたナノワイヤデバイス10及びナノワイヤデバイス20が設けられた3次元集積回路構造を有する。半導体装置1Bは、このような点で、上記第1の実施の形態で述べた半導体装置1Aと相違する。
図13〜図18は第2の実施の形態に係る半導体装置の形成方法の一例を示す図である。図13(A)及び図13(B)、図14(A)及び図14(B)、図15(A)及び図15(B)、図16(A)及び図16(B)、図17(A)及び図17(B)並びに図18(A)及び図18(B)にはそれぞれ、第2の実施の形態に係る半導体装置の形成工程の要部断面図を模式的に示している。
図19及び図20は第2の実施の形態に係る半導体装置の構成例を示す図である。図19には、第2の実施の形態に係る半導体装置の要部斜視図(鳥瞰図)を模式的に示している。図20には、第2の実施の形態に係る半導体装置の要部平面図を模式的に示している。
次に、第3の実施の形態について説明する。
図21に示す半導体装置1Cでは、段差を有する基板30として、下地半導体層34、i型半導体層35、n型半導体層36、i型半導体層37及びn型半導体層38の積層構造を有する基板が用いられる。半導体装置1Cは、このような点で、上記第2の実施の形態で述べた半導体装置1Bと相違する。
上記のような構成を有する半導体装置1Cの形成方法について述べる。
即ち、図23(A)に示すように、開口部51を有する絶縁膜50が形成され、開口部51に触媒金属60が形成され(図13(B))、n型半導体層36及びn型半導体層38(活性層31)の上にそれぞれ、ナノワイヤ半導体11及びナノワイヤ半導体21が成長される(図14(A))。
尚、ここでは、基板30のn型半導体層36及びn型半導体層38にn型GaAsエピタキシャル層を用い、これらの間に介在されるi型半導体層37にi型GaAsエピタキシャル層を用いる例を示した。このほか、i型半導体層37に、n型半導体層36及びn型半導体層38とは異なる半導体材料、例えばインジウムガリウムリン(InGaP)を用いることもできる。このようにすると、上記図22(A)の工程でエッチングにより段差を形成する際、n型半導体層36及びn型半導体層38とのエッチング選択性を利用し、所定の長さ及び高さdの段差を、精度良く形成することが可能になる。
図24は第4の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。図24には、第4の実施の形態に係る半導体装置の要部断面図を模式的に示している。
次に、第5の実施の形態について説明する。
図25に示す半導体装置1Eは、1本のナノワイヤ半導体11に2つのトランジスタ10a及びトランジスタ10bが設けられ、1本のナノワイヤ半導体21に2つのトランジスタ20a及びトランジスタ20bが設けられた構成を有する。
ナノワイヤデバイス10及びナノワイヤデバイス20がそれぞれ備えるトランジスタ10a及びトランジスタ20aは、上記のようなTFETに限らず、MOS電界効果トランジスタ(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET)等でもよい。ここでは一例として、MOSFETを採用した例を第6の実施の形態として説明する。
図26に示す半導体装置1Fは、ナノワイヤデバイス10及びナノワイヤデバイス20がそれぞれ備えるトランジスタ10a及びトランジスタ20aとして、MOSFETが用いられた構成を有する。
図27は第7の実施の形態に係る半導体装置の一例を示す図である。図27には、第7の実施の形態に係る半導体装置の要部断面図を模式的に示している。
また、半導体装置1Gにおいて、上記第4の実施の形態(図24)で述べた例に従い、高位置の面33上に、ナノワイヤ半導体11よりも直径の小さいナノワイヤ半導体21を設け、これを用いてナノワイヤデバイス20を形成してもよい。
上記第1〜第7の実施の形態で述べたような半導体装置1A〜1G等は、各種電子機器に搭載することができる。例えば、コンピュータ(パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等)、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に搭載することができる。
図28に示すように、例えば上記第1の実施の形態で述べたような半導体装置1A(図1等)が各種電子機器70に搭載(内蔵)される。
10,20,20c,110,120,120c ナノワイヤデバイス
10a,10b,20a,20b トランジスタ
11,21 ナノワイヤ半導体
11a,21a 接合界面
12,22 ドレイン領域
12a,22a ドレイン電極
12b ドレイン配線
13,23 ソース領域
13a,23a ソース電極
13b ソース配線
14,24 ゲート絶縁膜
15,25 ゲート電極
15a,25a ゲート配線
16,26 チャネル領域
30 基板
31 活性層
32,33 面
34 下地半導体層
35,37 i型半導体層
36,38 n型半導体層
39 不活性層
40,41,42,43,44 絶縁層
50 絶縁膜
51 開口部
60 触媒金属
70 電子機器
Claims (10)
- 基板と、
前記基板上に配置され、前記基板の上方に延伸された第1半導体を備え、前記第1半導体内に、前記第1半導体の延伸方向に対向する第1ドレイン領域及び第1ソース領域、並びに前記第1ドレイン領域と前記第1ソース領域との間の第1チャネル領域を有する第1トランジスタと、
前記基板上に配置され、前記基板の上方に延伸された第2半導体を備え、前記第2半導体内に、前記第2半導体の延伸方向に対向する第2ドレイン領域及び第2ソース領域、並びに前記第2ドレイン領域と前記第2ソース領域との間で且つ前記第1チャネル領域よりも上方に位置する第2チャネル領域を有する第2トランジスタと
を含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1トランジスタは、前記第1チャネル領域の周囲に第1ゲート絶縁膜を介して第1ゲート電極を有し、前記第1ゲート電極から前記第1半導体の延伸方向と直交する方向に第1配線が引き出され、
前記第2トランジスタは、前記第2チャネル領域の周囲に第2ゲート絶縁膜を介して第2ゲート電極を有し、前記第2ゲート電極から前記第2半導体の延伸方向と直交する方向に第2配線が引き出されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1ドレイン領域及び前記第2ドレイン領域は、第1導電型であり、
前記第1ソース領域及び前記第2ソース領域は、第2導電型であり、
前記第1チャネル領域は、前記第1ドレイン領域と前記第1ソース領域との接合界面を含み、
前記第2チャネル領域は、前記第2ドレイン領域と前記第2ソース領域との接合界面を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記第1ドレイン領域及び前記第1ソース領域、並びに前記第2ドレイン領域及び前記第2ソース領域は、第1導電型であり、
前記第1チャネル領域及び前記第2チャネル領域は、第2導電型であることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記第2半導体は、平面視で前記第1半導体よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記基板は、第1面と、前記第1面よりも上方に位置する第2面とを有し、
前記第1半導体は、前記第1面上に設けられ、
前記第2半導体は、前記第2面上に設けられることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記第1チャネル領域は、前記第2面よりも上方に位置することを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記第2チャネル領域は、前記第1チャネル領域と、前記第1チャネル領域上に設けられた前記第1ドレイン領域又は前記第1ソース領域の上端との間に位置することを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の半導体装置。
- 基板上に、前記基板の上方に延伸された第1半導体を備え、前記第1半導体内に、前記第1半導体の延伸方向に対向する第1ドレイン領域及び第1ソース領域、並びに前記第1ドレイン領域と前記第1ソース領域との間の第1チャネル領域を有する第1トランジスタを形成する工程と、
前記基板上に、前記基板の上方に延伸された第2半導体を備え、前記第2半導体内に、前記第2半導体の延伸方向に対向する第2ドレイン領域及び第2ソース領域、並びに前記第2ドレイン領域と前記第2ソース領域との間で且つ前記第1チャネル領域よりも上方に位置する第2チャネル領域を有する第2トランジスタを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1トランジスタを形成する工程、及び前記第2トランジスタを形成する工程は、
前記基板上に、前記第1ドレイン領域又は前記第1ソース領域となる第1半導体結晶部、及び前記第2ドレイン領域又は前記第2ソース領域となる第2半導体結晶部を成長させる工程と、
前記第1半導体結晶部上及び前記第2半導体結晶部上にそれぞれ、前記第1ソース領域又は前記第1ドレイン領域となる第3半導体結晶部、及び前記第2ソース領域又は前記第2ドレイン領域となる第4半導体結晶部を成長させる工程と
を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017193405A JP6970338B2 (ja) | 2017-10-03 | 2017-10-03 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017193405A JP6970338B2 (ja) | 2017-10-03 | 2017-10-03 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2019067974A true JP2019067974A (ja) | 2019-04-25 |
JP6970338B2 JP6970338B2 (ja) | 2021-11-24 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2017193405A Active JP6970338B2 (ja) | 2017-10-03 | 2017-10-03 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6970338B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022149248A1 (ja) * | 2021-01-07 | 2022-07-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置、増幅装置、及び半導体装置の製造方法 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006261421A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2009004517A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009141110A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014503998A (ja) * | 2010-11-26 | 2014-02-13 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク(セー.エヌ.エール.エス) | 網目状の垂直ナノワイヤに実装された電界効果トランジスタデバイスを製造する方法、この方法で製造されるトランジスタデバイス、該トランジスタデバイスを備えた電子デバイス、および、該電子デバイスを少なくとも一つ備えた処理装置 |
WO2015022777A1 (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | 国立大学法人北海道大学 | トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 |
JP2016046271A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-04-04 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドUnisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | Sgtを有する半導体装置の製造方法 |
US9385195B1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-07-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Vertical gate-all-around TFET |
WO2016139755A1 (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-09 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体装置 |
JP2016534572A (ja) * | 2013-09-09 | 2016-11-04 | クアルコム,インコーポレイテッド | 縦型トンネル電界効果トランジスタ |
US20170005106A1 (en) * | 2015-07-01 | 2017-01-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Modular interconnects for gate-all-around transistors |
-
2017
- 2017-10-03 JP JP2017193405A patent/JP6970338B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006261421A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2009004517A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2009141110A (ja) * | 2007-12-06 | 2009-06-25 | Elpida Memory Inc | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2014503998A (ja) * | 2010-11-26 | 2014-02-13 | サントル ナショナル ドゥ ラ ルシェルシュ シアンティフィク(セー.エヌ.エール.エス) | 網目状の垂直ナノワイヤに実装された電界効果トランジスタデバイスを製造する方法、この方法で製造されるトランジスタデバイス、該トランジスタデバイスを備えた電子デバイス、および、該電子デバイスを少なくとも一つ備えた処理装置 |
WO2015022777A1 (ja) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | 国立大学法人北海道大学 | トンネル電界効果トランジスタ、その製造方法およびスイッチ素子 |
JP2016534572A (ja) * | 2013-09-09 | 2016-11-04 | クアルコム,インコーポレイテッド | 縦型トンネル電界効果トランジスタ |
JP2016046271A (ja) * | 2014-08-19 | 2016-04-04 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドUnisantis Electronics Singapore Pte Ltd. | Sgtを有する半導体装置の製造方法 |
WO2016139755A1 (ja) * | 2015-03-03 | 2016-09-09 | ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド | 半導体装置 |
US9385195B1 (en) * | 2015-03-31 | 2016-07-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Vertical gate-all-around TFET |
US20170005106A1 (en) * | 2015-07-01 | 2017-01-05 | Stmicroelectronics, Inc. | Modular interconnects for gate-all-around transistors |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022149248A1 (ja) * | 2021-01-07 | 2022-07-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置、増幅装置、及び半導体装置の製造方法 |
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