JP7139462B2 - 薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ - Google Patents

薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、2018年6月12日出願の米国仮特許出願番号第62/683,763に優先権を主張するものであり、その開示が参照により組み込まれている。
本開示は、粒子、例えば、活性医薬成分を含む粒子を、薄い有機及び無機膜でコーティングすることに関する。
活性医薬成分(API)の改善された製剤を開発することは、製薬業界にとって非常に興味深いことである。製剤は、APIの安定性及びバイオアベイラビリティ、並びに他の特性に影響を及ぼしうる。製剤はまた、医薬品(DP)製造の様々な局面、例えば、製造プロセスの容易さ及び安全性に影響を及ぼしうる。
APIをカプセル化又はコーティングするための多数の技術が開発されてきた。APIのコーティングのためのいくつかの既存の技術は、スプレーコーティング、プラズマ重合、熱線化学気相堆積(CVD)、及び回転リアクタを含む。スプレーコーティングは、製薬業界で広く採用されている産業的にスケーラブルな技法である。しかし、コーティングの不均一性(粒子内及び粒子から粒子までの両方)により、活性医薬成分(API)の供給プロファイル又は安定性を改善するためのこれらの技法の使用が妨げられる。スプレーコーティング中の粒子凝集もまた、重大な課題をもたらす。その一方で、プラズマ重合のような技法は、スケーリングが困難であり、特定の前駆体化学物質にのみ適用可能であり、感受性APIの劣化をもたらす可能性がある。ガス及びラジカルのための凝縮媒体として冷たい基板を利用する熱線システムが開発されている。回転リアクタは、原子層堆積(ALD)及び開始されたCVD(iCVD)リアクタを含む。しかしながら、ALDリアクタは、無機コーティングには適しており、有機ポリマーコーティングには適しておらず、既存のiCVD設計は、API劣化を十分に防止せず、大量生産にスケーラブルではない。他の技法は、ポリマーメッシュコーティング、パンコーティング、エアロゾル化コーティング、及び流動床リアクタコーティングを含む。
一般に、本明細書に記載される主題の1つの革新的な態様は、1つ又は複数のモータと、コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、回転真空チャンバが1つ又は複数のモータに連結され、回転真空チャンバを、回転真空チャンバの円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に回転させる、回転真空チャンバと、回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び駆動軸から半径方向に延びる少なくとも1つのパドルを含むパドルアセンブリであって、1つ又は複数のモータによる駆動軸の回転により、少なくとも1つのパドルが駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、回転可能な駆動軸が1つ又は複数のモータに連結される、パドルアセンブリと、粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、少なくとも1つのパドルが、粒子にプロセスガスを注入するための化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムとを含む、粒子をコーティングするためのリアクタで実施することができる。
実施態様は、下記特徴の1つ又は複数を含みうる。いくつかの実施態様では、第1の方向への回転は、第2の方向への回転と同じ回転方向、例えば、時計回り又は反時計回りである。
いくつかの実施態様では、化学物質供給システムのガス出口は、少なくとも1つのパドルの後方エッジ上に位置する。
いくつかの実施態様では、真空ポートは、回転真空チャンバの軸方向の軸と一直線に位置する。
いくつかの実施態様では、少なくとも1つのパドルは、回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って、回転真空チャンバの長さの全体に沿って掃引するように構成された複数のパドルのうちの1つである。少なくとも1つのパドルは、パドルの外側エッジの間に位置し、かつ回転真空チャンバの内径の表面に接触する帯電防止ブラシを更に含みうる。
いくつかの実施態様では、リアクタは、回転真空チャンバに粒子を供給するか、又は回転真空チャンバから粒子を受け取るためのポートを更に含む。
いくつかの実施態様では、回転真空チャンバの軸方向の軸は、重力に対して水平に配向される。
一般に、本明細書に記載される主題の別の態様は、1つ又は複数のモータと、コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、1つ又は複数のモータに連結される回転真空チャンバと、1つ又は複数のモータに、複数の粒子を回転真空チャンバの内径に対して遠心分離させるのに十分な回転速度で、回転真空チャンバを、回転真空チャンバの円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に回転させるように構成されたコントローラと、回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び駆動軸から半径方向に延びる少なくとも1つのパドルを含むパドルアセンブリであって、1つ又は複数のモータによる駆動軸の回転により、少なくとも1つのパドルが駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、回転可能な駆動軸が1つ又は複数のモータに連結される、パドルアセンブリと、粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、少なくとも1つのパドルが、粒子にプロセスガスを注入するための化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムとを含む、粒子をコーティングするためのリアクタで実施することができる。
いくつかの実施態様では、コントローラは、1つ又は複数のモータに、15RPMよりも大きい回転速度で、回転真空チャンバを軸方向の軸の周りで回転させるように構成される。軸方向の軸の周りでの回転真空チャンバに対する駆動軸の回転速度は、少なくとも4rpmでありうる。
いくつかの実施態様では、リアクタは、装着面でリアクタを支持するためのベースを更に含み、軸方向の軸が装着面に対して直角になるように、回転真空チャンバがベースに固定される。
いくつかの実施態様では、第1の方向への回転は、第2の方向への回転とは反対の回転方向である。
いくつかの実施態様では、少なくとも1つのパドルは、化学物質供給システムがプロセスガスを粒子に注入しているときに、パドルの歯が粒子と接触するように、複数の歯を含むすくい形状の特徴を含む。化学物質供給システムのガス出口は、パドルのすくい形状の特徴の複数の歯のうちの少なくとも1つの歯の後方エッジに位置しうる。パドルの外側エッジは、間隙、例えば1-3mmの間隙によって、回転真空チャンバの内径の表面から分離されうる。
いくつかの実施態様では、少なくとも1つのパドルは、回転真空チャンバの内径の表面に平行なセグメントを含むT字型特徴を含む。
一般に、本明細書に記載される主題の別の態様は、回転真空チャンバ内に粒子を分配する動作と、粒子が回転真空チャンバの内壁上にトロイドを形成するように、回転真空チャンバを、回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って第1の方向に回転させる動作と、回転真空チャンバの軸方向の軸上で位置合わせされた回転真空チャンバ内の真空ポートを通して、チャンバを排気する動作と、複数のパドルが駆動軸を周回するように、パドルアセンブリを第2の方向に回転させる動作と、プロセスガスを、複数のンパドル上に位置する複数のガス出口を通して粒子に注入する動作とを含む、方法で実施することができる。
いくつかの実施態様では、本方法は、原子層堆積又は分子層堆積によって粒子をコーティングすることを含む。
一般に、本明細書に記載される主題の別の態様は、1つ又は複数のモータと、コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、1つ又は複数のモータに連結される回転真空チャンバと、1つ又は複数のモータに、粒子がタンブリング撹拌を受けるような回転速度で、回転真空チャンバの円筒部分の軸方向の軸の周りで第1の方向に回転真空チャンバを回転させるように構成されたコントローラと、回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び駆動軸から半径方向に延びる少なくとも1つのパドルを含むパドルアセンブリであって、1つ又は複数のモータによる駆動軸の回転により、少なくとも1つのパドルが駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、回転可能な駆動軸が1つ又は複数のモータに連結される、パドルアセンブリと、粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、少なくとも1つのパドルが、粒子にプロセスガスを注入するための化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムとを含むリアクタで実施することができる。
いくつかの実施態様では、コントローラは、1つ又は複数のモータに、回転真空チャンバを、6rpm未満の回転速度で軸方向の軸の周りで回転させるように構成される。
軸方向の軸の周りでの回転真空チャンバに対する駆動軸の回転速度は、粉末内のパドル158の相対運動が、回転真空チャンバ及びパドルアセンブリの回転運動中に粉末に粉砕及び/又は損傷を引き起こさないように選択することができる。
いくつかの実施態様では、リアクタは、静止真空チャンバを更に含み、ここで、回転真空チャンバは、静止真空チャンバ内に配置される。
いくつかの実施態様では、リアクタは、静止真空チャンバに連結され、かつ真空ポートに連結されて、回転真空チャンバからガスを排気する真空ポンプを更に含む。化学物質供給システム及び1つ又は複数のモータは、静止真空チャンバに連結されうる。
いくつかの実施態様では、回転真空チャンバは、水平バッフル又は角度付きバッフルを有する回転真空チャンバの内径の表面を更に含む。
一般に、本明細書に記載される主題の別の態様は、回転真空チャンバ内に粒子を分配する動作と、回転真空チャンバが第1の方向に回転しているときに、粒子が回転真空チャンバの下部を充填するように、回転真空チャンバを、回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って第1の方向に回転させる動作と、回転真空チャンバの軸方向の軸上で位置合わせされた回転真空チャンバ内の真空ポートを通して、チャンバを排気する動作と、複数のパドルが駆動軸を周回するように、パドルアセンブリを第2の方向に回転させる動作と、プロセスガスを、複数のンパドル上に位置する複数のガス出口を通して粒子に注入する動作とを含む、方法で実施することができる。
いくつかの実施態様では、本方法は、原子層堆積又は分子層堆積によって粒子をコーティングすることを含む。
いくつかの実施態様では、粒子は、薬物を含有するコアを含む。
いくつかの実施態様では、回転真空チャンバは、開始された化学気相堆積を実行するように構成される。
いくつかの実施態様では、本方法は、粒子上に有機又は無機コーティングを堆積させることを更に含む。有機又は無機コーティングは、無機金属酸化物でありうる。有機又は無機コーティングは、有機ポリマーでありうる。
実施態様は、以下の可能な利点のうちの1つ又は複数を含みうるが、これらに限定されない。粒子(例えば、API粒子)は、大量生産プロセスにおいてコーティングすることができ、それによって、より低い製造コスト及び低減された医薬品価格を提供する。粒子は、薄層(複数可)でコーティングすることができ、したがって、APIの有利な体積分率を有する医薬品を提供する。更に、このプロセスは、粒子内及び粒子間で均一であるAPIをカプセル化する層(複数可)をもたらし、薬物製剤により一貫した特性を提供することができる。
特に定義しない限り、本明細書中で用いられる全ての技術用語及び科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるものと同じ意味を有する。本発明における使用のための方法及び材料が本明細書に記載されており、当技術分野で公知の他の適切な方法及び材料も使用することができる。材料、方法、及び実施例は、例示にすぎず、限定を意図するものではない。
本発明の他の特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかになるだろう。
回転真空チャンバを含む、粒子(例えば薬物)のALD及び/又はCVDコーティングのための例示的なリアクタの概略正面図である。 図1のリアクタの概略側面図である。図2は、図1の線Q-Qに沿って取ることができる。 垂直に配向された回転真空チャンバを含む粒子(例えば薬物)のALD及び/又はCVDコーティングのための別の例示的なリアクタの概略側面図である。 垂直に配向された回転真空チャンバを含む粒子(例えば薬物)のALD及び/又はCVDコーティングのための別の例示的なリアクタの概略側面図である。 回転真空チャンバを含む粒子(例えば薬物)のALD及び/又はCVDコーティングのための別の例示的なリアクタの概略正面図である。 図4のリアクタの概略側面図である。図5は、図4の線Q-Qに沿って取ることができる。 A-Cは、すくい形状のパドルの種々の図の概略図であり、D-Gは、帯電防止ブラシ構成要素がある場合とない場合のT字型パドルの種々の図の概略図である。 A及びBは、T字型パドルを有する図1-図5のリアクタシステムの概略側面図である。 粒子をコーティングするためにリアクタシステムを利用するための例示的なプロセスのフロー図である。
様々な図面における同じ参照番号及び記号表示は、同じ要素を表す。
API粒子をカプセル化するための様々な方法がある。多くの場合、これらの方法は、比較的厚いコーティングをもたらす。このようなコーティングは望ましい特性を付与することができるが、APIに対するコーティングの比率が高いため、APIの体積分率が所望の高さである医薬品を作り出すことが困難となりうる。更に、APIをカプセル化するコーティングは不均一でありうるため、一貫した特性を有する製剤を提供することが困難になる。更に、満足できる一貫性を提供することができるコーティング技法は、工業的製造にスケーラブルではなかった。
これらの問題に対処しうる手法は、回転「ドラム」を使用することであり、この回転「ドラム」では、粒子が、第1の方向へのドラムの回転運動を通して回転ドラムの内壁に対して遠心分離され、第2の方向(例えば、第1の方向と同じ又は反対の方向)に回転するパドルが、粒子床を撹拌する。プロセスガスは、パドル上に位置するガス出口を通して粒子床に注入することができる。これにより、プロセスガスは、粒子床を通して浸透することができ、粒子にわたるコーティングの均一性を改善することができる。
これらの問題に対処し得る別の手法は、回転真空チャンバ「ドラム」を使用することであり、この回転真空チャンバ「ドラム」では、回転真空チャンバの回転と、回転真空チャンバに対して回転しているパドルアセンブリのパドルとの両方によって、粒子が撹拌され、プロセスガスが、パドル上に位置するガス出口を通して粒子内に注入される。これにより、プロセスガスは、粒子を通して浸透することができ、粒子にわたるコーティングの均一性を改善することができる。
薬物
「薬物」という用語は、その最も広い意味において、全ての小分子(例えば、非生物学的)APIを含む。薬物は、鎮痛薬、麻酔薬、抗炎症薬、駆虫薬、抗不整脈薬、抗喘息薬、抗生物質、抗癌薬、抗凝血薬、抗うつ薬、糖尿病薬、抗てんかん薬、抗ヒスタミン剤、鎮咳剤、降圧薬、抗ムスカリン剤、抗生剤、抗悪性腫瘍薬、抗酸化剤、解熱剤、免疫抑制薬、免疫賦活薬、抗甲状腺薬、抗ウイルス薬、抗不安鎮静剤、催眠剤、神経遮断薬、収斂剤、静菌薬、ベータアドレナリン受容体遮断剤、血液製剤、血液代用剤、気管支拡張薬、緩衝剤、心臓変力剤、化学療法薬、造影剤、副腎皮質ステロイド、鎮咳薬、去痰薬、粘液溶解薬、利尿剤、ドーパミン作動薬、抗パーキンソン病薬、フリーラジカル消去剤、発育因子、止血剤、免疫剤、脂質制御薬、筋弛緩薬、副交感神経刺激薬、副甲状腺カルシトニン、ビスフォスフォネート、プロスタグランジン、放射性医薬品、ホルモン、性ホルモン、抗アレルギー薬、食欲刺激薬、食思減退薬、ステロイド、交感神経模倣薬、甲状腺剤、ワクチン、血管拡張薬、及びキサンチンからなるグループから選択することができるだろう。
例示的な種類の小分子薬物は、限定されないが、アセトアミノフェン、クラリスロマイシン、アジスロマイシン、イブプロフェン、プロピオン酸フルチカゾン、サルメテロール、パゾパニブHCl、パルボシクリブ、及びアモキシシリンクラブラン酸カリウムを含む。
薬学的に許容される賦形剤、希釈剤、及び担体
薬学的に許容される賦形剤は、限定されないが、以下を含む。
(1)ポリエチレングリコール(PEG)、ポリビニルピロリドン(PVP)、ラウリル硫酸ナトリウム、ポリビニルアルコール、クロスポビドン、ポリビニルピロリドン-ポリビニルアクリレートコポリマー、セルロース誘導体、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ポリアクリレート及びポリメタクリレート、尿素、糖、ポリオール、カルボマー及びそれらのポリマー、乳化剤、糖ガム、デンプン、有機酸及びそれらの塩、ビニルピロリドン及び酢酸ビニルを含む界面活性剤及びポリマー、
(2)セルロース、架橋ポリビニルピロリドン、微結晶セルロースなどの結合剤、
(3)ラクトース一水和物、ラクトース無水物、微結晶セルロース、及び種々のデンプンなどの充填剤、
(4)コロイド状二酸化ケイ素、タルク、ステアリン酸、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸カルシウム、シリカゲルを含む、圧縮される粉末の流動性に作用する薬剤などの潤滑剤、
(5)スクロース、キシリトール、サッカリンナトリウム、シクラメート、アスパルテーム、及びアセスルファムKを含む任意の天然又は人工甘味料などの甘味料、
(6)香料、
(7)ソルビン酸カリウム、メチルパラベン、プロピルパラベン、安息香酸及びその塩などの防腐剤、ブチルパラベンなどのパラヒドロキシ安息香酸の他のエステル、エチル又はベンジルアルコールなどのアルコール、フェノールなどのフェノール性化学物質、又は塩化ベンザルコニウムなどの四級化合物、
(8)バッファ、
(9)微結晶セルロース、ラクトース、リン酸水素カルシウム、糖類、及び/又は前述のいずれかの混合物といった薬学的に許容される不活性充填剤などの希釈剤、
(10)コーンスターチ、ジャガイモデンプン、トウモロコシデンプン、及び加工デンプン、並びにそれらの混合物などの湿潤剤、
(11)クロスカルメロースナトリウム、クロスポビドン、デンプングリコール酸ナトリウムなどの崩壊剤、
(12)有機酸(例えば、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、並びにアルギン酸及び無水物及び酸性塩)、又は炭酸塩(例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸グリシンナトリウム、L-リジン、及びアルギニン炭酸塩)又は重炭酸塩(例えば、重炭酸ナトリウム又は重炭酸カリウム)といった発泡性カップルなどの発泡剤。
金属酸化物材料
「金属酸化物材料」という用語は、その最も広い意味において、金属と考えられる元素と酸素系酸化剤との反応から形成される全ての材料を含む。例示的な金属酸化物材料は、限定されないが、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ランタン、及び二酸化ジルコニウムを含む。例示的な酸化剤は、限定されないが、水、オゾン、及び無機過酸化物を含む。
原子層堆積(ALD)
原子層堆積は、元素又は化合物の自己制限単層の連続添加が、原子又は分子単層のレベルに制御された厚さ及び均一性を有する膜の堆積を可能にする薄膜堆積技術である。自己制御とは、一度に単一の原子層のみが形成されることを意味し、表面を再生し、更なる堆積を可能にするために、後続のプロセスステップが必要とされる。
分子層堆積(MLD)
分子層堆積は、原子層堆積に類似しているが、有機前駆体を使用し、有機薄膜を形成する。典型的なMLDプロセスの間、2つのホモ二官能性前駆体が使用される。第1の前駆体がチャンバ内に導入される。第1の前駆体の分子は、対応する連結化学構造(linking chemistry)を介して、基板表面上の反応基と反応し、新しい反応部位を有する基板表面上の第1の前駆体の分子層を付加する。パージ後、第2の前駆体が導入され、第2の前駆体の分子が、第1の前駆体によって提供される新しい反応部位と反応して、第2の前駆体に連結された第1の前駆体の分子層を生成する。これに続いて、別のパージサイクルが行われる。
リアクタシステム
図1-2は、薄膜コーティングにより粒子をコーティングするためのリアクタシステム100を示す。リアクタシステム100は、ALD及び/又はMLDコーティング条件を使用してコーティングを行うことができる。リアクタシステム100は、堆積プロセス(ALD又はMLD)を、より高い(50℃を超える、例えば50-100℃)又はより低い処理温度、例えば50℃未満、例えば35℃以下で、実行することができるようにする。例えば、リアクタシステム100は、22-35℃、例えば、25-35℃、25-30℃、又は30-35℃の温度で、主にALDによって粒子上に薄膜金属酸化物を形成することができる。一般に、粒子は、そのような温度に留まる又は維持されうる。これにより、反応ガス及び/又はリアクタチャンバの内部表面は、そのような温度に留まる又は維持されうる。例えば、チャンバ本体内に埋め込まれたヒータカートリッジ、熱交換器を使用するチャンバ本体内の水チャネル、又はチャンバ本体上のヒータジャケットによって、加熱が実現されうる。
リアクタシステム100は、回転真空チャンバ112を包囲する静止真空チャンバ110を含む。静止真空チャンバ110は、外側チャンバ壁114によって包囲される。回転真空チャンバ112は、内側チャンバ壁116によって包囲される。チャンバ壁114及び116は、堆積プロセスに対して不活性な材料(例えばステンレス鋼)とすることができ、及び/又はチャンバ壁114及び116の内部表面は、堆積プロセスに対して不活性な材料でコーティングすることができる。
回転真空チャンバ112の断面は(例えば、シリンダの中心軸に沿って見ると)、チャンバ112の長さに沿って均一でありうる(長さは、シリンダの中心軸に沿っている)。これは、チャンバの長さに沿って均一なガス流を確保するのに役立ちうる。
静止真空チャンバ110は、静止真空チャンバ110及び回転真空チャンバ112からガス(例えば、プロセスガス)を排気するための1つ又は複数の真空ポート118を含みうる。静止真空チャンバは、静止真空チャンバ110の外側に位置する化学物質供給システム122に連結されたガス入口ポート120を含む。ガス入口ポート120は、ガス供給マニホールド124を介して、静止真空チャンバに位置するガス入口ポート120から、回転真空チャンバ112の中心軸165上に位置するガス入口ポート126に、プロセスガスを更に連結する。ガス供給マニホールド124は、円筒チャンバの周囲に沿ってチャンバに進入するものとして図1に概略的に描かれているが、図1及び2を参照して説明される実施形態では、ガス供給マニホールドは、駆動軸156内の通路(例えば、図2に示す)を通って、チャンバ112の中心軸と同一線上にある。
システム100は、システム100の1つ又は複数の構成要素の回転運動に変換するトルクを提供するように構成された、静止真空チャンバ110の外部にある1つ又は複数のモータ130a、130bを含む。モータ130a、130bは、例えば、ドラムモータ130a及びパドルモータ130bとすることができる。モータ130a及び130bは、例えば、ブラシレス直流(DC)モータとすることができる。いくつかの実施態様では、モータ130a及び130bは、例えば20:1の比で、ギア減速を内蔵している。
ドラムモータ130aは、回転真空チャンバ112に連結され、システム100の動作中に回転真空チャンバ112の回転運動に変換されるトルクを提供するよう構成される。パドルモータ130bは、パドルアセンブリ132に連結され、システム100の動作中にパドルアセンブリの回転運動に変換されるトルクを提供するよう構成される。ドラムモータ130a及びパドルモータ130bとして図1及び図2を参照して説明したが、システム100の1つ又は複数の構成要素の回転運動に変換されるトルクを提供するように、より少ない又はより多いモータを構成することができる。
システム100は、ガス排気マニホールド136を介して、真空ポート118に連結された真空源134(例えば、1つ又は複数の真空ポンプ)を含む。いくつかの実施態様では、ガス源139は、ガス排気マニホールド136(例えば、システム100から排気されるプロセスガスを希釈するためのパージガス)に連結される。ガス排気マニホールド136は、静止真空チャンバ110及び回転真空チャンバ112内に真空を確立するように構成される。真空源134は、1Torr未満(例えば1-100mTorr、例えば50mTorr)の圧力を確立するのに十分な工業用真空ポンプとすることができる。真空源134は、チャンバ110、112が所望の圧力に維持できるようにし、反応副生成物及び未反応プロセスガスを除去できるようにする。
化学物質供給システム122は、それぞれの供給チューブ140、制御可能なバルブ142、及び流体供給ライン144によって連結された複数の流体源138を含む。化学物質供給システム122は、ガス供給マニホールド124に流体を供給し、ガス供給マニホールド124は、ガス入口ポート126を介して、回転真空チャンバ112に蒸気の形態で流体を注入する。ガス入口ポート126は、パドルアセンブリ132の少なくとも1つのパドル158上に位置する1つ又は複数のガス出口166(図2に示す)に連結されているパドルマニホールド164に更に連結される。化学物質供給システム122は、回転真空チャンバ112への種々のガスの制御可能な流量を提供するために、リストリクタ、ガス流コントローラ、圧力トランスデューサ、及び熱質量流量コントローラ/メータの組み合わせを含みうる。化学物質供給システム122はまた、チャンバ112に流入する前に、種々のガスを加熱又は冷却するために、1つ又は複数の温度制御構成要素(例えば、熱交換器、抵抗加熱器など)を含みうる。
化学物質供給システム122は、5つの流体源138a、138b、138c、138d、138eを含みうる。流体源のうちの2つ(例えば流体源138a、138b)は、粒子上に金属酸化物層を形成するための堆積プロセスに、2つの化学的に異なる前駆体又は反応物を提供することができる。例えば、第1の流体源138aは、トリメチルアルミニウム(TMA)又は四塩化チタン(TiCl)を提供することができ、一方、流体ガス源138bは、水を提供することができる。別の2つの流体源(例えば、流体源138c、138d)は、金属酸化物層上にポリマー材料を形成するための堆積プロセスに、2つの化学的に異なる前駆体又は反応物を提供することができる。例えば、第3の流体源138cは、塩化アジポイルを提供することができ、第4のガス源138dは、エチレンジアミンを提供することができる。流体源の1つ(例えば、第5の流体源138e)は、堆積プロセスのサイクル又は半サイクルの間でパージするための不活性ガス(例えば、アルゴン又はN)を提供することができる。
図1は5つの流体源を示しているが、より少ないガス源の使用は、金属酸化物又はポリマー層の堆積に依然として適合することができ、より多くのガス源の使用は、更に広範囲の積層構造の形成を可能にすることができるだろう。
流体源の1つ又は複数について、化学物質供給システム122は、前駆体又は反応物を液体の形態でガス供給マニホールド124に供給する。化学物質供給システム122は、前駆体又は反応物がガス入口120に進入する直前に、液体を蒸気に変換するための気化器146を含みうる。これは、上流の圧力損失を低減し、チャンバ112内の粒子148にわたってより多くの圧力損失が発生しうる。粒子148にわたり発生する圧力損失が大きくなるほど、注入開孔の配置を低くすることができ、前駆体が所与の流量で粒子床を横切る際に、前駆体のすべてが反応する可能性が高くなる。気化器146は、例えば、ガス入口ポート120に固定されるか又はそれに隣接して収容される、静止真空チャンバ110の外壁に直に隣接しうる。
図1に示すように、ガス供給マニホールド124は、複数の前駆体又は反応物流体源138を供給するために利用することができる。マニホールド151は、ガス入口ポート120に流体的に連結される。
回転真空チャンバ112は、静止真空チャンバ110内にカプセル化され、静止真空チャンバ110によって支持される。回転真空チャンバ112は、チャンバ壁116の内径に沿った内面150を含む。いくつかの実施態様では、図1及び2に描かれるように、回転真空チャンバは、円筒部分を含み、回転軸は、円筒の中心軸上で位置合わせされる。回転真空チャンバ112は、真空気密の回転ユニオンに連結され、図2に描かれているように、回転運動フィードスルー129を介して、回転真空チャンバ112内部のねじによって、静止真空チャンバ110に連結される。
ここで図2を参照すると、回転真空チャンバ112は、1つ又は複数のモータ(例えばドラムモータ130a)に連結され、ここで、ドラムモータ130aは、第1の方向152(例えば、軸方向の軸Q-Qに対して時計回り)への回転真空チャンバの回転運動に変換できるトルクを生成するよう動作可能である。回転真空チャンバ112と1つ又は複数のモータとの間の結合は、図2に描かれているように、回転運動真空フィードスルー128を通すことができる。モータ130aから出力されたトルクを回転真空チャンバ112の第1の方向152への回転運動に変換するために、ドラムモータ130aと回転真空チャンバ112との間で1つ又は複数の機械的結合154を利用することができる。いくつかの実施態様では、機械的結合154は、ベルト及びプーリシステムとすることができ、ベルトは、ドラムモータ130a及び回転真空チャンバ112のいくらかの位置ずれ及び振れを許容する適合性を有しうる。回転真空チャンバ112の運動は、時計回り(CW)、反時計回り(CCW)、又はCWとCCWとを交互にすることができる。いくつかの実施態様では、回転真空チャンバのポート113は、ドラムモータ130aと回転真空チャンバ112との間でトルクを転送するために、キーブロックによって回転運動フィードスルー129に連結される。
パドルアセンブリ132は、駆動軸156と、駆動軸156に連結された1つ又は複数のパドル158とを含む。駆動軸156は、回転真空チャンバ112の軸方向の軸Q-Qに沿って配向される。パドル158は、駆動軸156の長さに沿って駆動軸156に固着される。パドル158の外面115が回転真空チャンバ112の内面150から閾値距離(例えば、間隙117)だけ離間するように、パドルが配置される。パドル158の詳細については後述する。
パドルアセンブリ132は、回転真空フィードスルー128(例えば、真空適合ベアリングを含む)を介して、真空チャンバ110の外側の1つ又は複数のモータ(例えば、パドルモータ130b)に連結される。駆動軸156が第2の方向160において駆動軸156の軸Q-Qと位置合わせされた中心軸118の軸の周りで回転するように、パドルモータ130bは、駆動軸156にトルクを加えるように構成される。モータ130bから出力されるトルクをパドルアセンブリ132の第2の方向160(例えば、軸方向の軸Q-Qに対して反時計回り)の回転運動に変換するために、パドルモータ130bと駆動軸156との間で、1つ又は複数の機械的結合162を利用することができる。いくつかの実施態様では、機械的結合162は、ベルト及びプーリシステムとすることができ、ベルトは、パドルモータ130b及びパドルアセンブリ132の駆動軸156のいくらかの位置ずれ及び振れを許容する適合性を有しうる。駆動軸156の運動は、時計回り(CW)又は反時計回り(CCW)でありうる。
いくつかの実施態様では、回転運動真空フィードスルー128は、外部環境から静止真空チャンバ110を密閉するために使用することができるベアリング真空シールである。次いで、駆動軸156は、回転真空チャンバ112に対して自由に回転するように、静止真空チャンバ110の一部及び回転真空チャンバ112のポート113を通過することができる。回転真空チャンバ112内の粉末が駆動軸156を下って回転運動フィードスルー129のベアリングに伝わるのを防止するために、ポート113と回転運動フィードスルー129との間にリップシールを位置付けることができる。
いくつかの実施態様では、第1の方向152及び第2の方向160は、反対の方向、例えば、時計回り及び反時計回りである。第1の方向152及び第2の方向160は、その代わりに、同じ方向、例えば、両方とも時計回り又は両方とも反時計回りであってもよい。
パドルアセンブリ132は、ガス入口ポート126に連結されるパドルマニホールド164を更に含む。パドルマニホールド164は、入口ポート126をパドルアセンブリ132の少なくとも1つのパドル158上に位置する1つ又は複数のガス出口166に連結する。これにより、プロセスガス(例えば、反応物又は前駆体ガス)が、化学物質分配システム122から流れ、パドル158上の出口を介して、回転真空チャンバ112に注入されうる。いくつかの実施態様では、プロセスガスが複数のガス出口166を介して回転真空チャンバに注入されるように、パドルアセンブリ132の複数のパドル158a、158b、158cはそれぞれ、パドルマニホールド164に連結された複数のガス出口166を含む。
パドルアセンブリ132の複数のパドル158は、駆動軸156の軸方向の軸に沿って分布させる(例えば、均一な間隔で配置する)ことができ、複数のパドル158の各々の上に位置するガス出口166を介して、回転真空チャンバ112に注入されるプロセスガスの均一な分布を保証する。
図2に描かれているように、パドルの位置合わせにより、パドル158と粒子148との間の相互作用の横方向の間隙がほとんど又は全く発生しないように、パドルアセンブリ132のパドル158が、駆動軸156上に配向される。いくつかの実施態様では、図2に示すように、パドルアセンブリ132のパドル158の一部159のみが、システム100の動作中に粒子148と接触する。
いくつかの実施態様では、パドルアセンブリ132の第2の方向160への回転のため、パドル158の瞬間的な運動と反対の方向168に、パドル158上に位置するガス出口から回転真空チャンバ112内に、プロセスガスが注入される。換言すれば、パドル158の回転運動と反対方向にガス出口166から回転真空チャンバ112に、プロセスガスが注入されるように、複数のガス出口166が、パドル158の後方エッジ上に位置する。1つの例では、パドルアセンブリ132は、時計回り方向に回転しており、プロセスガスは、回転真空チャンバ112内に反時計回り方向に注入される。ガス出口の構成の更なる詳細は、以下で論じられる。
不活性キャリアガス(例えばN)は、流体源の1つ(例えば、流体源138e)からパドルマニホールド164に流入しうる。動作中、キャリアガスは、連続的にパドルマニホールド164に流入しうる(すなわち、前駆体又はリアクタガスがパドルマニホールド164に流入しているか否かに関わらず)。前駆体又はリアクタガスがマニホールド164を通ってチャンバ112内に注入されていないときに、キャリアガスの流れは、別のマニホールドから注入されている別の前駆体又はリアクタガスのガス出口166内への逆流を防止することができる。キャリアガスの流れはまた、粒子148によるガス出口166の汚れ、例えば開孔の閉塞を防止することができる。更に、キャリアガスは、前駆体又はリアクタガスがチャンバ112に注入されていないときに、パージ動作のためのパージガスを提供することができる。
前駆体ガスも流れているときの気化器146へのキャリアガスの流れはまた、前駆体又は反応物液体の気化を改善することができる。いかなる特定の理論によっても限定されることなく、キャリアガス流は、エアロゾル化の間に液体を剪断するのを助けることができ、これにより、より小さい液滴サイズがもたらされ、より迅速に気化されうる。前駆体ガスも流れているときのパドルマニホールド164へのキャリアガスの流れは、気化器146から前駆体ガスを引き出すのを助けることができる。
いくつかの実施態様では、回転真空チャンバ112の温度の制御を可能にするために、1つ又は複数の温度制御構成要素が、内側チャンバ壁116に一体化される。例えば、抵抗加熱器、熱電冷却器、熱交換器、若しくはチャンバ壁内の冷却チャネルを流れる冷却剤、又は側壁116内又は上の他の構成要素である。
システム100は、少なくとも化学物質分配システム122及び1つ又は複数のモータ130a、130bの動作を制御するように動作可能なコントローラ170を更に含む。コントローラ170は、パドルモータ130bを動作させて、毎分200回転(rpm)までの回転速度で、第2の方向160へのパドルアセンブリ132の回転運動を発生させるように構成されうる。コントローラ170は、ドラムモータ130aを動作させて、200rpmまで(例えば、1-60(rpm)の範囲)の回転速度で、第1の方向152への回転真空チャンバ112の回転運動を発生させるよう更に構成されうる。いくつかの実施態様では、コントローラ170は、ドラムモータ130aを動作させて、閾値回転運動を超える(例えば、15rpmを超える)回転真空チャンバ112の回転速度を生成するように構成される。図1及び図2に描かれているように、回転速度は、粒子148が回転真空チャンバ112の内面150に対して遠心力で押しつけられるほど十分に高い(これは、「高速」回転運動と呼ぶことができる)。これにより、内面150上に粒子148のトロイダル床が生じうる。回転真空チャンバ112の高速回転運動によって形成される粒子の床の圧縮量は、例えば、回転真空チャンバ112の回転速度に依存しうる。コントローラ170はまた、チャンバの回転速度及びチャンバ110内のガスの圧力の閉ループ制御を提供するために、種々のセンサ(例えば、圧力センサ、流量計など)に連結されうる。
いくつかの実施態様では、ドラムモータ130aの回転速度は、式(1)によって説明されるように、リアクタの動作中に回転真空チャンバ112内に存在する粒子148が受ける所望の力に基づいて選択されうる。
Figure 0007139462000001
ここで、Fは、回転真空チャンバ112の加速度(例えば、1分あたりの回転数の2乗(rpm))に回転真空チャンバ112の半径rを乗算したものに比例する粒子148が受ける力である。粒子148が受ける力の閾値量を超えると、粒子148は、回転真空チャンバ112の内面150に対して遠心力で押し付けられることになる。力Fの量は、例えば、100-300mmの範囲でありうる回転真空チャンバ112の半径に部分的に依存する。1つの例では、回転真空チャンバ112の半径は、215mmである。
一般に、コントローラ170は、「方策」に従ってリアクタシステム100を動作させるように構成される。方策は、時間の関数として各制御可能素子の動作値を指定する。例えば、方策は、真空源132が動作する時間、各ガス源138a-138eの時間及び流量、モータ130a、130bによって設定されるような回転真空チャンバ114及び駆動軸156の回転速度などを指定することができる。コントローラ170は、コンピュータ可読データ(例えば、非一時的コンピュータ可読媒体に記憶される)として、方策を受信することができる。
システム100は、静止真空チャンバ110上に位置する第1のローディングポート172と、回転真空チャンバ112上に位置する第2のローディングポート174とを更に含み、処理される粒子148を搬送するために、回転真空チャンバ112の内部へのアクセスを可能にするように整列させることができる。ポートがそれぞれの真空チャンバ内に確立された真空を保持するように、第1のローディングポート172及び第2のローディングポート174を、リアクタシステム100の動作中に密閉することができる。リアクタシステム100の動作のための方法が、以下で更に詳細に記載される。
システム100は、静止真空チャンバ110内に位置する真空ポート118を介して、回転真空チャンバ112からガスを排気できるようにする粒子フィルタ176を更に含む。いくつかの実施態様では、図2に描かれているように、システム100のための真空ポート118は、Q-Q軸に沿って駆動軸156と一直線である。加えて、システム100は、フィルタ176から粒子を取り除くためのフィルタクリーナを含みうる。1つの例として、フィルタクリーナは、フィルタを叩くための機械的なノッカとすることができ、これは、フィルタから粒子を振り払う。別の例として、ガス源139は、不活性ガス(例えば窒素)のパルスを、真空ポート118と真空源134との間の排気マニホールド136に周期的に供給することができる。ガスのパルスは、フィルタ176を通ってチャンバ112に向かって戻り、フィルタ176から粒子を吹き飛ばすことができる。分離バルブ139a、139bは、ガス源138又は真空源134のうちの1つのみが排気マニホールド136に一度に流体的に連結されることを確実にするために使用することができる。
リアクタシステム100は、装着面171上にリアクタ100を支持するためのベース173を含むことができる。いくつかの実施態様では、リアクタシステム100は、軸方向の軸165が装着面171に対して直角になるように、ベース173に固定される。その結果、水平な装着面171を想定すると、駆動軸及び軸方向の軸165は重力に平行、すなわち、垂直に配向される。図3Aは、垂直に配向された回転真空チャンバ100’を含む、粒子(例えば薬物)のALD及び/又はCVDコーティングのための別の例示的なリアクタの概略側面図である。
いくつかの実施形態では、図1及び図2に描かれているように、リアクタシステム100は、軸方向の軸165及び駆動軸156が装着面171に対して直角になるように、ベース173に固定される。その結果、水平な装着面を想定すると、回転真空チャンバ114の回転軸は重力に対して直角である。
図3Aに描かれているように、垂直駆動軸157は、回転真空チャンバ135の底面174で垂直に配向された回転真空チャンバ135に連結される。いくつかの実施態様では、垂直な駆動軸157は、その代わりに、回転真空チャンバ135の表面175で垂直に配向された回転真空チャンバ135に連結されうる。
図3Aに描かれたリアクタシステム100’の動作中に、コントローラ170は、ドラムモータ130aを動作させ、粒子148が垂直に配向された回転真空チャンバ135の内面150に対して遠心力で押しつけられるのに十分に高い垂直に配向された回転真空チャンバ135の回転速度を生成するように構成される。これにより、内面150上に粒子148のトロイダル床が生じうる。
いくつかの実施態様では、チャンバ113からガスを排気するための真空ポート119は、静止真空チャンバ110の側面に位置する。真空ポート119は、駆動軸157をチャンバ113内に連結する回転運動真空フィードスルー128の反対側に配向されうる。
図3Bは、垂直に配向された回転真空チャンバ100’’を含む、粒子(例えば薬物)のALD及び/又はCVDコーティングのための別の例示的なリアクタの概略側面図である。図3Bに描かれているように、垂直駆動軸157は、回転真空チャンバ135の底面174で垂直に配向された回転真空チャンバ135に連結される。いくつかの実施態様では、垂直な駆動軸157は、その代わりに、回転真空チャンバ135の表面175で垂直に配向された回転真空チャンバ135に連結されうる。
加えて、リアクタ100’’は、回転真空チャンバ135内に内壁149(例えば、内周を画定する)を含み、内壁149は、粒子148を受け取るように構成された回転真空チャンバの第1の領域151を、粒子148を受け取るように構成されていない第2の領域153から分離する。パドル158及びパドル158上に位置する少なくとも1つのガス出口166が第1の領域151内に部分的に位置するように、パドルアセンブリ133のパドル158は、駆動軸157に連結される。図3Bに描かれたリアクタシステム100’の動作中に、チャンバ135内の粒子が回転真空チャンバ135の内面150に対してトロイドを形成しないように、コントローラ170は、ドラムモータ130aを動作させ、垂直に配向された回転真空チャンバ135の回転速度を生成するように構成される。
図4-5は、薄膜コーティングで粒子をコーティングするための別の例示的なリアクタシステム100’’’を示す。リアクタシステム100’’’は、ALD及び/又はMLDコーティング条件を用いてコーティングを行うことができる。
いくつかの実施態様では、回転真空チャンバ112の回転速度は、閾値回転速度未満(例えば、15rpm未満)であり、回転真空チャンバ112が回転運動している間に、回転真空チャンバ内の粒子148がタンブリング撹拌を受ける。例えば、チャンバ112は、6-15rpmで回転しうる。十分に低い回転速度では、チャンバ112内の粒子は、回転真空チャンバ112の内面150に対してトロイドを形成しない。コントローラ182は、ドラムモータ130aを動作させて、閾値回転速度未満である、第1の方向152への回転真空チャンバ112の回転速度を生成するように構成される。
リアクタシステム100’’’の動作中に、回転真空チャンバ112に搬送された粒子は、重力に対して、回転真空チャンバ112の内部の下部180の下方に位置する粒子床178を形成する。回転真空チャンバ112がQ-Qによって画定される軸方向の軸の周りを回転する際に、粒子床178内の粒子はタンブリング撹拌を受ける。粒子の一部は、回転により一時的に上昇するが、重力により粉末床内に落下して戻ることがある。従って、粒子の大部分又は全てが、回転真空チャンバ112の下部180に残る。
いくつかの実施態様では、回転真空チャンバ112は、閾値回転速度未満の回転速度(例えば6-15RPMの速度)で回転する。コントローラ170は、ドラムモータ130aを動作させて、回転真空チャンバ112内で、交互の方向に回転運動(例えば、時計回りと反時計回りとの間での交互の回転運動)を生成するよう構成されうる。これは、コーティングの均一性を改善するために粒子の撹拌を助けうる。交互の方向の速度、例えば、チャンバ112が第1の方向対第2の方向に回転している時間の量は、リアクタシステム100’’’によってコーティングされている特定の方策及び/又は粒子178に基づいて選択されうる。
いくつかの実施態様では、図4及び図5に描かれるように、パドルアセンブリ132の1つ又は複数のパドル158は、Q-Qによって画定される軸方向の軸の周りでのパドルアセンブリの回転中の所与の時間には粒子床178と接触しない。例えば、パドル158aは、粒子床178と接触し、パドル158b及び158cは、パドルアセンブリ132の回転の瞬間に粒子床178と接触しない。
いくつかの実施態様では、図4に描かれているように、回転真空チャンバ112は、第1の方向152に回転し、パドルアセンブリ132は、第2の反対方向160に回転する。回転真空チャンバ112及びパドルアセンブリ132のそれぞれの回転中心は、回転真空チャンバ112の円筒部分の中心に位置合わせされた同じ軸方向の軸である。
いくつかの実施態様では、回転真空チャンバ112は、チャンバ112の内面150上にバッフルを含み、回転真空チャンバ112が第1の方向152への回転速度で軸方向の軸の周りを回転する際に、バッフルは、回転真空チャンバ112の第1の側面から回転真空チャンバ112の第2の側面へ、粒子床178からの粒子を移動させるように配向されうる。
図1及び図2を参照して上述したように、パドルアセンブリ132のパドル158は、様々な構成を有することができる。ここでは、パドルアセンブリのパドル設計に関する3つの変形例を説明する。しかしながら、類似の機能を有する代替的な実施形態が想像されうる。一般に、パドルアセンブリ132のパドル158が、リアクタシステム(例えば、リアクタシステム100、100’、100’’’)の動作中に回転真空チャンバ112内に存在する粒子148(及び/又は粒子床178)の機械的撹拌を提供するように、パドルアセンブリ132のパドル158の形状及び配向が選択される。パドル158は、リアクタシステム100、100’、100’’’の動作中に、化学物質分配システム122から回転真空チャンバ112内にプロセスガスを注入するための、パドル158上に位置する1つ又は複数のガス出口166を更に含む。パドル158は、駆動軸(例えば、駆動軸156)上に固着され、駆動軸156に沿って配向され、リアクタシステム100、100’、100’’’の動作中(例えば、第2の方向160へのパドルアセンブリ132の回転運動中)に、回転真空チャンバ112の円筒部分の長さに沿って、機械的撹拌及びプロセスガス注入の実質的に均等な適用範囲を提供する。
図1-図5に描かれているように、パドルアセンブリ132のパドル158は、すくい形状のパドルでありうる。図6A-6Cは、すくい形状のパドル600の様々な視界の概略図である。図6Aに描かれているように、すくい形状のパドル600は、パドルアセンブリの駆動軸(例えば、パドルアセンブリ132の駆動軸156)に連結されるベース軸602を含む。パドルは、パドル600のベース軸602に連結されたクロスバー604と、クロスバー604にそれぞれ連結され、パドル600のベース608から離れて延びる複数の歯606とを更に含む。複数の歯606は、50-100mm(例えば78mm)の範囲の長さを有しうる。歯606の輪郭は、パドルアセンブリが回転する際に、歯606が粉末を通って穏やかに移動するように選択することができる。1つの例では、歯606は涙滴形状である。
いくつかの実施態様では、パドル600がパドルアセンブリの駆動軸(例えば、パドルアセンブリ132の駆動軸156)に固着されたときに、パドル600の歯606の外面607(例えば、外面115)間の距離(例えば、間隙117)が、回転真空チャンバ(例えば、回転真空チャンバ112)の内面から閾値距離(例えば、1-3mm)未満であるように、パドル600の寸法(例えば、ベース軸603の長さ、及び歯606の長さ605)が選択されうる。
ベース軸602、クロスバー604、及び複数歯606の各々は、パドルマニホールド(例えば、パドルマニホールド164)に連結される内部配管及び/又は通路610を有する。プロセスガスは、ベース軸602を通ってクロスバー604に流入し、更に内部配管及び/又は通路610を介して、複数の歯606内に流入しうる612。図6Bは、パドル600の歯606内の内部配管及び/又は通路610の例示的な位置を示す「トップダウン」図Cを示す。
次に、図6Cに示すように、プロセスガスは、例えば、各歯606上に位置する1つ又は複数のガス出口614といった、パドル600上に位置する複数のガス出口614(例えば、ガス出口166)を介して、回転真空チャンバ(例えば、回転真空チャンバ112)内に注入される。ガス出口614は、0.5-3mmの範囲の直径(例えば直径1mm)を有し、隣接するガス出口614間の間隔が5-15mmの範囲(例えば、8mmの間隔)でありうる。歯606当たりのガス出口614の数は、5-20個のガス出口614の範囲(例えば、歯606当たり7個のガス出口614)でありうる。ガス出口614は、歯606の幅を二等分する線に沿って歯606上に配置することができる。
いくつかの実施態様では、複数のガス出口614は、パドル600の複数の歯606上に位置する。例えば、各歯606は、単一のガス出口614を有しうる。複数のガス出口614は、パドル600が回転真空チャンバ112内で第2の方向(例えば、第2の方向160)の周りを回転しているときに、パドル600の後方エッジに対応する、各歯606のBによって示される表面上に位置する。図6Cには、各ガス出口614間に均等に分布された間隔616を有する軸D-Dに沿って位置合わせされた複数のガス出口614として示されているが、複数のガス出口は、互いに対してオフセットされ、かつ/又は可変間隔を有しうる。
いくつかの実施態様では、パドルアセンブリ(例えば、パドルアセンブリ132)のパドルは、T字型である。図6D-6Gは、帯電防止ブラシ構成要素664を備える場合と備えない場合のT字型パドル650の様々な図の概略図である。図6Dに描かれるように、T字型パドル650は、ベース軸652とクロスバー654とを含み、ベース軸652は、パドルアセンブリの駆動軸(例えば、パドルアセンブリ132の駆動軸156)に連結され、クロスバー654は、ベース軸652が駆動軸に連結される面とは反対側のベース軸652の端656に位置する。
いくつかの実施態様では、パドル650がパドルアセンブリの駆動軸(例えば、パドルアセンブリ132の駆動軸156)に固着されるときに、クロスバー654の表面655(例えば、表面115)間の距離(例えば、間隙117)が、回転真空チャンバ(例えば、回転真空チャンバ112)の内面から閾値距離(例えば、1-3mm)未満であるように、パドル650の寸法(例えば、ベース軸652の長さ651及びクロスバー654の幅653)が選択されうる。
ベース軸652及びクロスバー654の各々は、パドルマニホールド(例えば、パドルマニホールド164)に連結される内部配管及び/又は通路610を有する。プロセスガスは、ベース軸652を通って、内部配管及び/又は通路610を介して、クロスバー654に流入しうる630。図6Eは、パドル650のクロスバー654内の内部配管及び/又は通路610の例示的な位置を示す「トップダウン」図Cを示す。
次に、図6Fに示すように、プロセスガスは、例えば、クロスバー54上に位置する1つ又は複数のガス出口658といった、パドル650上に位置する複数のガス出口658(例えば、ガス出口166)を介して、回転真空チャンバ(例えば、回転真空チャンバ112)内に注入される。ガス出口658は、0.5mm-3mmの範囲の直径(例えば1mmの直径)を有し、ガス出口658間の間隔は、5-15mmの範囲(例えば、各ガス出口658間で10mm)でありうる。各パドル650上に位置するガス出口658の数は、5-20個のガス出口658の範囲内(例えば、8個のガス出口)にありうる。いくつかの実施態様では、複数のガス出口658は、パドル650のクロスバー654上に位置し、複数のガス出口658は、パドル650が回転真空チャンバ112内で第2の方向(例えば、第2の方向160)の周りで回転しているときに、パドル650の後方エッジに対応する、クロスバー654のEによって示される表面上に位置する。T字型パドル650を含むパドルアセンブリの更なる詳細は、図7A、7Bを参照して以下で議論される。
図6Fには、各ガス出口658の間に均等に分布された間隔660を有する軸G-Gに沿って位置合わせされた複数のガス出口654として示されているが、複数のガス出口は、互いに対してオフセットされ、かつ/又は可変間隔を有しうる。複数のガス出口658は、パドル650の後方エッジ上に、Eで示されるクロスバーの後方エッジ表面の表面上の複数の列及び/又は複数のパターンで分布されうる。ここで、パドルアセンブリにより回転真空チャンバ(例えば、パドルアセンブリ132により回転真空チャンバ112)に注入されるプロセスガスの実質的に均等な分布を最適化するように、複数のガス出口658の構成が選択されうる。
いくつかの実施態様では、T字型パドル650は、図6Gに示されるように、クロスバー654の外面655上に位置する帯電防止ブラシ構成要素662を更に含む。帯電防止ブラシ構成要素662は、半可撓性材料(例えば、高温不活性ゴム/プラスチック、薄いアルミニウムフィンなど)から構成することができる。パドルアセンブリの回転運動中に回転真空チャンバの内面から粒子(例えば、粒子148及び/又は粒子床178)を掃引するために、帯電防止ブラシ662の材料は、回転真空チャンバの内面に接触するように選択されうる。帯電防止ブラシ構成要素662と回転真空チャンバ112の内面との間の接触による、回転真空チャンバの内面の損傷を回避する(例えば、表面の引っ掻き又はへこみを回避する)ように、帯電防止ブラシ構成要素662の材料が更に選択されうる。
パドル650が固定され、回転真空チャンバ内のパドルアセンブリの駆動軸(例えば、回転真空チャンバ112内のパドルアセンブリ132の駆動軸156)上に配向されるときに、帯電防止ブラシ構成要素662は、T字型パドル650の端面655の間に位置し、回転真空チャンバの内面(例えば、回転真空チャンバ112の内面150)と接触する。
いくつかの実施態様では、帯電防止ブラシ構成要素662は、複数のフィン664を含み、帯電防止ブラシ構成要素662のフィン664の密度及び/又は間隔は、回転真空チャンバに対するパドルアセンブリの完全な回転(例えば、360度)を通して、回転真空チャンバの内面の全長を確実に覆うように選択されうる。
いくつかの実施態様では、図1-5を参照して説明したリアクタシステム100、100’、及び100’’’は、T字型パドル650を含みうる。図7A及び図7Bは、T字型パドル(例えば、T字型パドル650)を有する図1-図5のリアクタシステムの概略側面図である。T字型パドル650のクロスバー654の表面115と回転真空チャンバ112の内面150との間の間隙117は、閾値距離未満(例えば、3mm未満)でありうる。
いくつかの実施態様では、パドルアセンブリ132の回転運動動作中に、回転真空チャンバ112の円筒部分の長さに沿って複数のパドル650にわたる実質的に均等な機械的撹拌及びプロセスガス注入が存在するように、軸方向の軸Q-Qに沿ったパドルアセンブリ132のT字型パドル650の間隔702が選択されうる。いくつかの実施態様では、間隔702は、ゼロ又はゼロ未満でありうる(例えば、T字型パドル650が重なりうる)。
いくつかの実施態様では、図7Bを参照して説明したように、T字型パドル650は、帯電防止ブラシ構成要素662を含みうる。図7Bは、帯電防止ブラシ構成要素を含むT字型パドルを備えた図1-5のリアクタシステムの概略側面図である。パドルアセンブリ132のT字型パドル650上に位置する帯電防止ブラシ構成要素662は、回転真空チャンバ112の内面150と接触している。
リアクタシステムの動作
図8は、粒子をコーティングするためにリアクタシステムを利用する例示的なプロセスのフロー図である。第1のステップでは、粒子が回転真空チャンバ内に分配される(802)。図1-7を参照して説明されるように、リアクタシステム(例えば、リアクタシステム100、100’、及び100’’’)は、外部の静止真空チャンバ110及び内部の回転真空チャンバ112を含み、ここで、静止真空チャンバ及び回転真空チャンバのそれぞれの上のローディングポート(例えば、ローディングポート172、174)は、リアクタシステム内にコーティングされる粒子の搬送/搬出ができるように、位置合わせされうる。
粒子(例えば、粒子148)は、薬物(例えば、上述の薬物のうちの1つ)を含む固体コアを有しうる。固体コアは、オプションで、賦形剤を含むこともできる。任意のローディングポート(例えば、ローディングポート172、174)が密閉されると、コントローラ(例えば、コントローラ170)は、粒子上に薄膜金属酸化物層及び/又は薄いポリマー層を形成するために、方策に従ってリアクタシステム(例えば、リアクタシステム100、100’、100’’’)を動作させる。
粒子が回転真空チャンバの内壁上にトロイドを形成するように、回転真空チャンバは、回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って第1の方向に沿って回転される(804)。いくつかの実施態様では、コントローラ(例えば、コントローラ170)は、粒子が回転真空チャンバ112の内壁150上にトロイドを形成するように、ドラムモータ(例えば、ドラムモータ130a)を動作させて、閾値回転速度よりも大きい回転速度で、回転真空チャンバ(例えば、回転真空チャンバ112)内に回転運動を発生させるように構成される。閾値回転速度は、例えば、10RPM、12RPM、15RPM等の回転速度でありうる。
いくつかの実施態様では、コントローラは、ドラムモータを動作させて、閾値回転速度未満の回転真空チャンバの回転速度で、回転真空チャンバの回転運動を発生させるように構成される。閾値回転速度未満の回転速度について、回転真空チャンバは、回転真空チャンバが第1の方向に回転しているときに、粒子が回転真空チャンバの下部を充填するように、回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って第1の方向に回転される(805)。閾値回転速度未満の回転速度は、例えば、6-15RPMの範囲でありうる。1つの例では、回転真空チャンバ112が第1の方向152に回転し、粒子床178内の粒子がタンブリング撹拌を受けるように、回転真空チャンバ112の下部180が粒子床178で充填される。
回転真空チャンバは、回転真空チャンバの軸方向の軸上に位置合わせされた回転真空チャンバ内の真空ポートを通して排気される(806)。いくつかの実施態様では、真空源134は、静止真空チャンバ110(例えば、フィルタ176を介して)を介して、排気マニホールド134を通って、回転真空チャンバ112を排気する。低圧環境は、回転真空チャンバ112内に、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-500mTorr、例えば、50mTorrまで確立されうる。
パドルアセンブリは、複数のパドルが駆動軸を周回するように第2の方向に回転される(808)。いくつかの実施態様では、コントローラ170は、パドルモータ130bを動作させて、第2の回転速度で第2の方向160へのパドルアセンブリ132の回転運動を発生させるように構成される。パドルアセンブリ132の第2の回転方向は、回転真空チャンバ112の第1の回転方向と同じ方向であっても、又は逆の方向であってもよい。コントローラ170は、パドルモータ130aに200rpmまでの回転速度でパドルアセンブリ132の回転運動を発生させるように構成されうる。
プロセスガスは、複数のパドル上に位置する複数のガス出口を通して、粒子内に注入される(810)。いくつかの実施態様では、リアクタシステムは、コーティングのガス前駆体を回転真空チャンバ112に導入することによって、ALD及び/又はMLD薄膜コーティングプロセスを実行する。ガス前駆体は、代わりに、回転真空チャンバ112内にスパイクされる。これにより、堆積プロセスが無溶媒プロセスとなりうる。堆積プロセスの半反応は自己制御であり、オングストローム又はナノメートルレベルの堆積制御が提供されうる。更に、ALD及び/又はMLDは、低温条件(例えば50℃未満、例えば35℃未満)で行うことができる。プロセスガスの流量は、注入されているプロセスガスの種類に基づいて選択されうる。たとえば、HOプロセスガスの流量は、10kgの粉末に対して1-2標準リットル/分(slm)の気化した前駆体でありうる。別の例では、HOプロセスガスの流量は、表面積の小さい粉末について、0.5-1slmの範囲となりうるだろう。別の例では、TMA又はTiClは、例えば、1slm未満の体積流量を有しうる。別の例では、キャリアガス流量は、例えば、10-15kgの粉末について1-3slmの範囲でありうる。
ALD方法に適した反応物は、モノマー蒸気、金属有機物、金属ハロゲン化物、オゾン又は水蒸気などの酸化剤、及びポリマー又はナノ粒子エアロゾル(乾燥又は湿式)のいずれか、又はこれらの組み合わせを含む。例えば、第1の流体源142aは、ガス性トリメチルアルミニウム(TMA)又は四塩化チタン(TiCl)を提供し、第2のガス源138bは、水を提供しうる。MLD法については、例として、液体源142cが、アジポイル塩化物を提供し、第4液体142dが、蒸発性又はガス性エチレンジアミンを供給しうる。
いくつかの実施態様では、プロセスガスの1つは、パドルアセンブリ132が回転する際に、パドルアセンブリ132のパドル158上に位置するガス出口166を通って、化学物質供給システム122から粒子148に流入する。パドルアセンブリ132の回転は、粒子を撹拌してそれらを分離状態に保ち、粒子の大きな表面積が露出したままになることを保証する。これにより、粒子表面とプロセスガスとの迅速で均一な相互作用が可能になる。
ALDプロセス及びMLDプロセスの両方について、2つの反応ガスが回転真空チャンバ112に交互に供給され、反応ガスを供給する各ステップの後にパージサイクルが続き、そのパージサイクルでは、不活性ガスがチャンバ112に供給されて、前のステップで使用された反応ガス及び副生成物を押し出す。
いくつかの実施態様では、リアクタシステムは、例えばALDプロセスのために、連続流動作モードで操作される。ALDプロセスの間、コントローラ170は、以下のようにリアクタシステム(例えば、リアクタシステム100、100’、100’’’)を動作させることができる。第1の反応物半サイクルでは、ドラムモータ130aが回転真空チャンバ112を回転させ、パドルモータ130bがパドルアセンブリ132を回転させて、粒子148を撹拌する。
i)化学物質分配システム122は、粒子148(例えば、粒子床178)が第1の反応ガスで飽和されるまで、第1の反応ガス(例えば、TMA)を、パドル158上に位置するガス出口166を介して、ガス源138aから回転真空チャンバ112に流入させるように操作される。例えば、第1の反応ガスは、特定の流量でかつ特定の時間にわたって、又はセンサがチャンバ112内の第1の反応ガスの特定の第1の圧力又は分圧を測定するまで、流れうる。いくつかの実施態様では、第1の反応ガスは、チャンバに流入する際に不活性ガスと混合される。特定の圧力又は分圧は、0.1Torrから反応ガスの飽和圧力の半分まででありうる。
ii)第1の反応ガスの流れが停止され、真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-100mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
これらのステップ(i)-(ii)は、方策によって設定された回数、例えば2-10回繰り返すことができる。
次に、第1のパージサイクルにおいて、ドラムモータ130aが回転真空チャンバ112を回転させ、パドルモータ130bがパドルアセンブリ132を回転させて、粒子148を撹拌する。
iii)化学物質分配システム122は、パドルアセンブリ132のパドル158上に位置するガス出口166を介して、ガス源138eからチャンバ112内に、不活性ガス(例えば、N)のみを流すように操作される。不活性ガスは、特定の流量でかつ特定の時間にわたって、又はセンサがチャンバ112内の不活性ガスの特定の第2の圧力を測定するまで、流れうる。第2の特定の圧力は、1-100Torrでありうる。
iv)真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-500mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
これらのステップ(iii)-(iv)は、方策によって設定された回数、例えば6-20回繰り返すことができる。
第2の反応物半サイクルでは、ドラムモータ130aが回転真空チャンバ112を回転させ、パドルモータ130bがパドルアセンブリ132を回転させて、粒子148を撹拌する。
v)化学物質分配システム122は、粒子148が第2の反応ガスで飽和するまで、第2の反応ガス(例えば、HO)を、ガス源138bから、パドルアセンブリ132のパドル158に位置するガス出口166を介して、チャンバ112に流入させるように操作される。再び、第2の反応ガスは、特定の流量で、特定の時間にわたって、又はセンサがチャンバ112内の第2の反応ガスの特定の第3の圧力又は分圧を測定するまで、流れうる。いくつかの実施態様では、第2の反応ガスは、チャンバに流入する際に不活性ガスと混合される。第3の圧力は、第2の反応ガスの飽和圧力の0.1Torrから半分でありうる。
vi)真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-500mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
これらのステップ(v)-(vi)は、方策によって設定された回数、例えば2-10回繰り返すことができる。
次に、第2のパージサイクルが実行される。ステップ(vii)及び(vii)を伴うこの第2のパージサイクルは、第1のパージサイクルと同一であってもよく、又はステップ(iii)-(iv)の異なる繰り返し回数及び/又は異なる特定の圧力を有してもよい。
第1の反応物半サイクル、第1のパージサイクル、第2の反応物半サイクル、及び第2のパージサイクルのサイクルは、方策によって設定された回数、例えば、1-10回繰り返されうる。
動作は、ALDプロセスを用いて上述したが、動作は、MLDについても同様である。特に、ステップ(i)及び(v)において、反応ガスは、ポリマー層の堆積のための適切なプロセスガス及び圧力で置換される。例えば、ステップ(i)は、蒸気又はガス状の塩化アジポイルを使用でき、ステップ(v)は、蒸気のエチレンジアミンを使用できる。
更に、動作は、ALD又はMLDプロセスを用いて上述されているが、このシステムは、化学気相堆積(CVD)プロセスのために使用することができるだろう。この場合、両方の反応物は、例えば、ステップ(i)の間に、チャンバ内で反応するように、チャンバ110に同時に流入される。第2の反応物半サイクルは省略することができる。
いくつかの実施態様では、リアクタシステム(例えば、リアクタシステム100、100’、100’’’)は、パルス流動作モードで動作し、ガス(例えば、反応ガス及び/又は不活性ガス)の1つ又は複数は、パルスで供給することができ、このパルスでは、チャンバ112が、特定の圧力までガスで満たされ、遅延時間が経過可能であり、次のパルスが始まる前に、チャンバが真空源134によって排気される。
特に、ALDプロセスの場合、コントローラ170は、以下のようにリアクタシステム100を動作させることができる。
第1の反応物半サイクルでは、ドラムモータ130aが回転真空チャンバ112を回転させ、パドルモータ130bがパドルアセンブリ132を回転させて、粒子148を撹拌する。
i)化学物質分配システム122は、第1の特定の圧力がチャンバ112内で実現されるまで、ガス源138aからパドルアセンブリ132のパドル158上に位置するガス出口166を介してチャンバ112内に第1の反応ガス(例えばTMA)を流入させるように操作される。特定の圧力は、反応ガスの飽和圧力の0.1Torrから半分でありうる。
ii)第1の反応ガスの流れは停止され、例えば、コントローラ内のタイマによって測定されるように、特定の遅延時間が経過可能となる。これは、第1の反応物が回転真空チャンバ112内の粒子148を通って流れ、粒子の表面と反応できるようにする。
iii)真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-100mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
これらのステップ(i)-(iii)は、方策によって設定された回数、例えば2-10回繰り返すことができる。
次に、第1のパージサイクルにおいて、ドラムモータ130aが回転真空チャンバ112を回転させ、パドルモータ130bがパドルアセンブリ132を回転させて、粒子148を撹拌する。
iv)化学物質分配システム122は、第2の特定の圧力が実現されるまで、不活性ガス(例えば、N)を、ガス源138eから、パドルアセンブリ132のパドル158上に位置するガス出口166を介してチャンバ112に流入させるように操作される。第2の特定の圧力は、1-100Torrでありうる。
v)不活性ガスの流れは停止され、例えば、コントローラ内のタイマによって測定されるように、特定の遅延時間が経過可能となる。これにより、不活性ガスが粒子床10内の粒子を通って拡散し、反応ガス及び任意の蒸気状の副生成物を置換することが可能になる。
vi)真空源132は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-500mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
これらのステップ(iv)-(vi)は、方策によって設定された回数、例えば6-20回繰り返すことができる。
第2の反応物半サイクルでは、ドラムモータ130aが回転真空チャンバ112を回転させ、パドルモータ130bがパドルアセンブリ132を回転させて、粒子148を撹拌する。
vii)化学物質分配システム122は、第3の特定の圧力が実現されるまで、第2の反応ガス(例えば、HO)を、ガス源138bから、パドルアセンブリ132のパドル158上に位置するガス出口166を介してチャンバ112に流入させるように操作される。第3の圧力は、反応ガスの飽和圧力の0.1Torrから半分でありうる。
viii)第2の反応ガスの流れは停止され、例えば、コントローラ内のタイマによって測定されるように、特定の遅延時間が経過可能となる。これは、第2の反応ガスが粒子148を通って流れ、回転真空チャンバ112内の粒子の表面と反応できるようにする。
ix)真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-500mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
これらのステップ(vii)-(ix)は、方策によって設定された回数、例えば2-10回繰り返すことができる。
次に、第2のパージサイクルが実行される。この第2のパージサイクルは、第1のパージサイクルと同一であってもよく、又はステップ(iv)-(vi)の異なる繰り返し回数及び/又は異なる遅延時間及び/又は異なる圧力を有してもよい。
第1の反応物半サイクル、第1のパージサイクル、第2の反応物半サイクル、及び第2のパージサイクルのサイクルは、方策によって設定された回数、例えば、1-10回繰り返されうる。
更に、ガス(例えば、反応ガス及び/又は不活性ガス)の1つ又は複数は、パルスで供給することができ、このパルスでは、回転真空チャンバ112が特定の圧力までガスで満たされ、遅延時間が経過可能となり、次のパルスが始まる前に、チャンバが真空源134によって排気される。
動作は、ALDプロセスを用いて上述したが、MLDについても同様である。特に、ステップ(i)及び(vii)において、反応ガスは、ポリマー層の堆積のための適切なプロセスガス及び圧力で置換される。例えば、ステップ(i)は、蒸気状又はガス状の塩化アジポイルを使用することができ、ステップ(vii)は、蒸気状エチレンジアミンを使用することができる。
更に、動作は、ALD又はMLDプロセスを用いて上述されているが、このシステムは、化学気相堆積(CVD)プロセスのために使用することができるだろう。この場合、両方の反応物は、例えば、ステップ(i)の間に、チャンバ内で反応するように、チャンバ110に同時に流入される。第2の反応物半サイクルは省略することができる。
上述のように、コーティングプロセスは、低温、例えば50℃未満、例えば35℃以下で行うことができる。特に、粒子148は、上記のステップ(i)-(ix)の全ての間、そのような温度に留まるか、又は維持されうる。一般に、リアクタチャンバの内部の温度は、ステップ(i)-(ix)の間、35℃を超えない。これは、第1の反応ガス、第2の反応ガス、及び不活性ガスを、それぞれのサイクル中にそのような温度でチャンバ内に注入させることによって達成することができる。加えて、チャンバの物理的構成要素は、例えば、必要に応じて、冷却システム(例えば熱電冷却器)を使用して、そのような温度に留まるか、又は維持されうる。
いくつかの実施態様では、コントローラは、例えば上述のプロセスを使用して、リアクタシステム100に、まず、薬物含有粒子上に金属酸化物層を堆積させ、次いで、粒子上の金属酸化物層の上にポリマー層を堆積させることができる。いくつかの実施態様では、コントローラは、交互の組成の層を有する多層構造を形成するように、リアクタシステム100に、金属酸化物層を堆積させることと、薬物含有粒子上にポリマー層を堆積させることとを交互に行わせることができる。
本明細書に記載のシステムのコントローラ170及び他のコンピューティングデバイスパーツは、デジタル電子回路で、又はコンピュータソフトウェア、ファームウェア、若しくはハードウェアで実装することができる。例えば、コントローラは、コンピュータプログラム製品(例えば、非一時的マシン可読ストレージ媒体)内に記憶されたコンピュータプログラムを実行する、プロセッサを含みうる。このようなコンピュータプログラム(また、プログラム、ソフトウェア、ソフトウェアアプリケーション、又はコードとしても知られている)は、コンパイルされた又は翻訳された言語を含む任意の形式のプログラミング言語で書くことができ、スタンドアロンプログラムとして、又はモジュール、構成要素、サブルーチン、若しくはコンピューティング環境での使用に適したその他のユニットとして含む任意の形式で展開することができる。いくつかの実施態様では、コントローラ105は、汎用プログラマブルコンピュータである。いくつかの実施態様では、コントローラは、特殊目的論理回路、例えばFPGA(フィールドプログラマブルゲートアレイ)又はASIC(特定用途向け集積回路)を用いて実装することができる。
1つ又は複数のコンピュータのシステムが特定の操作又は動作を実行するように構成されているとは、操作中にシステムに操作又は動作を実行させるソフトウェア、ファームウェア、ハードウェア、又はそれらの組み合わせがシステムにインストールされていることを意味する。1つ又は複数のコンピュータプログラムが特定の操作又は動作を実行するように構成されているとは、1つ又は複数のプログラムが、データ処理装置によって実行された時に、装置に操作又は動作を実行させる命令を含むことを意味する。本開示は、金属酸化物の1つ又は複数の層及び/又はポリマーの1つ又は複数の層によってカプセル化されたAPI含有粒子を含む医薬組成物を調製するための装置及び方法を提供する。コーティング層は、共形であり、全体で数ナノメートルから数マイクロメートルまでの制御された厚さである。コーティングされる物品は、APIのみ、又はAPIと1つ又は複数の賦形剤との組み合わせから構成されうる。本明細書に記載のコーティングプロセスは、コーティングされていないAPIと比較してAPIのガラス転移温度が上昇し、コーティングされていないAPIと比較してAPIのアモルファス形態の結晶化速度が低下し、コーティングされていないAPIと比較して粒子中のAPI分子の表面移動度が低下したAPIを提供することができる。重要なことに、粒子の溶解を変えることができる。コーティングは比較的薄いので、高い薬物負荷を有する医薬品を実現することができる。最後に、同じリアクタ内で複数のコーティングを施すことができるので、コスト及び製造の容易さに関して利点がある。
相対的な位置決めという用語は、システム内の構成要素の相対的な位置決め、又は操作中の構成要素の配向を指すために使用され、リアクタシステムが、輸送、組み立てなどの間、垂直配向又は他の何らかの配向に保持されうると理解すべきである。本発明の多くの実施形態が記載されてきた。それでもなお、本発明の本質及び範囲から逸脱することなく、様々な修正が行われうると理解されよう。

Claims (20)

  1. 粒子をコーティングするためのリアクタであって、該リアクタは、
    1つ又は複数のモータと、
    コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、前記回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、前記回転真空チャンバは、前記1つ又は複数のモータに連結されて、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に回転する、回転真空チャンバと、
    前記回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、
    前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って前記回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び各パドルが前記駆動軸から半径方向に延びる複数のパドルを含む、パドルアセンブリであって、前記1つ又は複数のモータによる前記駆動軸の回転により、前記複数のパドルが前記駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、前記回転可能な駆動軸が前記1つ又は複数のモータに連結され、前記複数のパドルが、前記軸方向の軸の周りに等角度間隔で配置されている、パドルアセンブリと、
    前記複数の粒子の一部が前記回転真空チャンバの下部に残る粒子床をもたらす回転速度で、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の前記軸方向の軸を中心に前記回転真空チャンバを、前記1つ又は複数のモータにより第1の方向に回転させるように構成されたコントローラと、
    前記複数の粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、前記複数のパドルがそれぞれ、前記複数の粒子に前記プロセスガスを注入するための前記化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムと
    を備え
    前記ガス出口は、前記複数のパドルが周回する稼働時に、前記複数の粒子によって形成された粒子床内に少なくとも1つのガス出口が位置することにより、前記回転真空チャンバ内に保持された前記複数の粒子に前記プロセスガスを浸透させるように、前記回転真空チャンバの内面から距離を置いて前記複数のパドル上に配置されている、リアクタ。
  2. 前記第1の方向への回転が、前記第2の方向への回転と同じ回転方向である、請求項1に記載のリアクタ。
  3. 粒子をコーティングするためのリアクタであって、該リアクタは、
    1つ又は複数のモータと、
    コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、前記回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、前記回転真空チャンバは、前記1つ又は複数のモータに連結されて、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に回転する、回転真空チャンバと、
    前記回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、
    前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って前記回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び前記駆動軸から半径方向に延びる少なくとも1つのパドルを含む、パドルアセンブリであって、前記1つ又は複数のモータによる前記駆動軸の回転により、前記少なくとも1つのパドルが前記駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、前記回転可能な駆動軸が前記1つ又は複数のモータに連結される、パドルアセンブリと、
    前記複数の粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、前記少なくとも1つのパドルが、前記複数の粒子に前記プロセスガスを注入するための前記化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムと
    を備え、
    前記化学物質供給システムの前記ガス出口が、前記少なくとも1つのパドルの後方エッジ上に位置する、リアクタ。
  4. 真空ポートが、前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸と一直線上に位置する、請求項に記載のリアクタ。
  5. 前記少なくとも1つのパドルが、前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って、前記回転真空チャンバの長さ全体にわたって掃引するように構成された複数のパドルである、請求項に記載のリアクタ。
  6. 前記複数のパドルが、前記パドルの外側エッジの間に位置し、かつ前記回転真空チャンバの前記内径の表面と接触する帯電防止ブラシを更に備える、請求項1に記載のリアクタ。
  7. 粒子を前記回転真空チャンバに供給するか、又は前記回転真空チャンバから粒子を受け取るためのポートを更に備える、請求項1に記載のリアクタ。
  8. 前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸が、重力に対して水平に配向される、請求項1に記載のリアクタ。
  9. 粒子をコーティングするためのリアクタであって、
    1つ又は複数のモータと、
    コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、前記回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、前記1つ又は複数のモータに連結される回転真空チャンバと、
    前記1つ又は複数のモータに、前記複数の粒子を前記回転真空チャンバの前記内径に対して遠心分離させるのに十分な回転速度で、前記回転真空チャンバを、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に回転させるように構成されたコントローラと、
    前記回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、
    前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って前記回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び前記駆動軸から半径方向に延びる少なくとも1つのパドルを含む、パドルアセンブリであって、前記1つ又は複数のモータによる前記駆動軸の回転により、前記少なくとも1つのパドルが前記駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、前記回転可能な駆動軸が前記1つ又は複数のモータに連結される、パドルアセンブリと、
    前記複数の粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、前記少なくとも1つのパドルが、前記複数の粒子に前記プロセスガスを注入するための前記化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムと
    を備えるリアクタ。
  10. 前記リアクタを装着面上で支持するためのベースを備え、前記軸方向の軸が前記装着面に対して直角になるように、前記回転真空チャンバが前記ベースに固定される、請求項9に記載のリアクタ。
  11. 前記第1の方向への回転が、前記第2の方向への回転とは反対の回転方向である、請求項9に記載のリアクタ。
  12. 前記化学物質供給システムが反応物又は前駆体ガスを前記複数の粒子に注入しているときに、前記パドルの複数の歯が前記複数の粒子と接触するように、前記少なくとも1つのパドルが、前記複数の歯を含むすくい形状の特徴を備える、請求項9に記載のリアクタ。
  13. 前記化学物質供給システムの前記ガス出口が、前記パドルの前記すくい形状の特徴の前記複数の歯のうちの少なくとも1つの歯の後方エッジ上に位置する、請求項12に記載のリアクタ。
  14. 前記パドルの外側エッジが、間隙によって前記回転真空チャンバの前記内径の表面から分離される、請求項12に記載のリアクタ。
  15. 前記少なくとも1つのパドルが、前記回転真空チャンバの前記内径の表面に平行なセグメントを含むT字型特徴を備える、請求項9に記載のリアクタ。
  16. 粒子をコーティングするための方法であって、
    回転真空チャンバ内に粒子を分配することと、
    前記粒子が前記回転真空チャンバの内壁上にトロイドを形成するように、前記回転真空チャンバを、前記回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って第1の方向に回転させることと、
    前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸上で位置合わせされた前記回転真空チャンバ内の真空ポートを通して、前記回転真空チャンバを排気することと、
    複数のパドルが駆動軸を周回するように、パドルアセンブリを第2の方向に回転させることと、
    前記複数のパドル上に位置する複数のガス出口を通して、プロセスガスを前記粒子に注入することと
    を含む方法。
  17. 原子層堆積又は分子層堆積によって、前記粒子をコーティングすることを含む、請求項16に記載の方法。
  18. 粒子をコーティングするためのリアクタであって、該リアクタは、
    1つ又は複数のモータと、
    コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、前記回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、前記1つ又は複数のモータに連結される回転真空チャンバと、
    前記1つ又は複数のモータに、前記粒子がタンブリング撹拌を受けるような回転速度で、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に、前記回転真空チャンバを回転させるように構成されたコントローラと、
    前記回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、
    前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って前記回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び前記駆動軸から半径方向に延びる少なくとも1つのパドルを含むパドルアセンブリであって、前記1つ又は複数のモータによる前記駆動軸の回転により、少なくとも1つのパドルが前記駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、前記回転可能な駆動軸が前記1つ又は複数のモータに連結される、パドルアセンブリと、
    前記複数の粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、前記少なくとも1つのパドルが、前記複数の粒子に前記プロセスガスを注入するための前記化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムと
    を備え、前記化学物質供給システムの前記ガス出口が、前記少なくとも1つのパドルの後方エッジ上に位置する、リアクタ。
  19. 静止真空チャンバを更に備え、前記回転真空チャンバが、前記静止真空チャンバ内に配置される、請求項18に記載のリアクタ。
  20. 粒子をコーティングするための方法であって、該方法は、
    回転真空チャンバ内に粒子を分配することと、
    前記回転真空チャンバが第1の方向に回転しているときに、前記粒子が前記回転真空チャンバの下部を充填して、前記回転真空チャンバの下部に残る粉末床が形成されるように、前記回転真空チャンバを、前記回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って前記第1の方向に回転させることと、
    前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸上で位置合わせされた前記回転真空チャンバ内の真空ポートを通して、前記回転真空チャンバを排気することと、
    複数のパドルが駆動軸を周回するように、パドルアセンブリを第2の方向に回転させることと、
    前記複数のパドル上に位置する複数のガス出口を通して、プロセスガスを前記粒子に注入することと
    を含み、
    前記複数のガス出口は、前記粒子によって形成された粒子床内に少なくとも1つのガス出口が位置することにより、前記回転真空チャンバ内に保持された前記粒子に前記プロセスガスを浸透させるように、前記回転真空チャンバの内面から距離を置いて前記複数のパドル上に配置されている、方法。
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