JP7139462B2 - 薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ - Google Patents
薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP7139462B2 JP7139462B2 JP2020569877A JP2020569877A JP7139462B2 JP 7139462 B2 JP7139462 B2 JP 7139462B2 JP 2020569877 A JP2020569877 A JP 2020569877A JP 2020569877 A JP2020569877 A JP 2020569877A JP 7139462 B2 JP7139462 B2 JP 7139462B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- particles
- rotating
- paddle
- rotating vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4417—Methods specially adapted for coating powder
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
- A61K9/00—Medicinal preparations characterised by special physical form
- A61K9/48—Preparations in capsules, e.g. of gelatin, of chocolate
- A61K9/50—Microcapsules having a gas, liquid or semi-solid filling; Solid microparticles or pellets surrounded by a distinct coating layer, e.g. coated microspheres, coated drug crystals
- A61K9/5005—Wall or coating material
- A61K9/501—Inorganic compounds
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
- A61K9/00—Medicinal preparations characterised by special physical form
- A61K9/48—Preparations in capsules, e.g. of gelatin, of chocolate
- A61K9/50—Microcapsules having a gas, liquid or semi-solid filling; Solid microparticles or pellets surrounded by a distinct coating layer, e.g. coated microspheres, coated drug crystals
- A61K9/5005—Wall or coating material
- A61K9/5021—Organic macromolecular compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J15/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with non-particulate solids, e.g. sheet material; Apparatus specially adapted therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0053—Details of the reactor
- B01J19/006—Baffles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/0053—Details of the reactor
- B01J19/0066—Stirrers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/18—Stationary reactors having moving elements inside
- B01J19/1887—Stationary reactors having moving elements inside forming a thin film
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/02—Feed or outlet devices therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/03—Pressure vessels, or vacuum vessels, having closure members or seals specially adapted therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J4/00—Feed or outlet devices; Feed or outlet control devices
- B01J4/001—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes
- B01J4/007—Feed or outlet devices as such, e.g. feeding tubes provided with moving parts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/442—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using fluidised bed process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4488—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by in situ generation of reactive gas by chemical or electrochemical reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45555—Atomic layer deposition [ALD] applied in non-semiconductor technology
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
- C23C16/45589—Movable means, e.g. fans
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61K—PREPARATIONS FOR MEDICAL, DENTAL OR TOILETRY PURPOSES
- A61K9/00—Medicinal preparations characterised by special physical form
- A61K9/48—Preparations in capsules, e.g. of gelatin, of chocolate
- A61K9/50—Microcapsules having a gas, liquid or semi-solid filling; Solid microparticles or pellets surrounded by a distinct coating layer, e.g. coated microspheres, coated drug crystals
- A61K9/5089—Processes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Pharmacology & Pharmacy (AREA)
- Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Glanulating (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本出願は、2018年6月12日出願の米国仮特許出願番号第62/683,763に優先権を主張するものであり、その開示が参照により組み込まれている。
「薬物」という用語は、その最も広い意味において、全ての小分子(例えば、非生物学的)APIを含む。薬物は、鎮痛薬、麻酔薬、抗炎症薬、駆虫薬、抗不整脈薬、抗喘息薬、抗生物質、抗癌薬、抗凝血薬、抗うつ薬、糖尿病薬、抗てんかん薬、抗ヒスタミン剤、鎮咳剤、降圧薬、抗ムスカリン剤、抗生剤、抗悪性腫瘍薬、抗酸化剤、解熱剤、免疫抑制薬、免疫賦活薬、抗甲状腺薬、抗ウイルス薬、抗不安鎮静剤、催眠剤、神経遮断薬、収斂剤、静菌薬、ベータアドレナリン受容体遮断剤、血液製剤、血液代用剤、気管支拡張薬、緩衝剤、心臓変力剤、化学療法薬、造影剤、副腎皮質ステロイド、鎮咳薬、去痰薬、粘液溶解薬、利尿剤、ドーパミン作動薬、抗パーキンソン病薬、フリーラジカル消去剤、発育因子、止血剤、免疫剤、脂質制御薬、筋弛緩薬、副交感神経刺激薬、副甲状腺カルシトニン、ビスフォスフォネート、プロスタグランジン、放射性医薬品、ホルモン、性ホルモン、抗アレルギー薬、食欲刺激薬、食思減退薬、ステロイド、交感神経模倣薬、甲状腺剤、ワクチン、血管拡張薬、及びキサンチンからなるグループから選択することができるだろう。
薬学的に許容される賦形剤は、限定されないが、以下を含む。
(1)ポリエチレングリコール(PEG)、ポリビニルピロリドン(PVP)、ラウリル硫酸ナトリウム、ポリビニルアルコール、クロスポビドン、ポリビニルピロリドン-ポリビニルアクリレートコポリマー、セルロース誘導体、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ポリアクリレート及びポリメタクリレート、尿素、糖、ポリオール、カルボマー及びそれらのポリマー、乳化剤、糖ガム、デンプン、有機酸及びそれらの塩、ビニルピロリドン及び酢酸ビニルを含む界面活性剤及びポリマー、
(2)セルロース、架橋ポリビニルピロリドン、微結晶セルロースなどの結合剤、
(3)ラクトース一水和物、ラクトース無水物、微結晶セルロース、及び種々のデンプンなどの充填剤、
(4)コロイド状二酸化ケイ素、タルク、ステアリン酸、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸カルシウム、シリカゲルを含む、圧縮される粉末の流動性に作用する薬剤などの潤滑剤、
(5)スクロース、キシリトール、サッカリンナトリウム、シクラメート、アスパルテーム、及びアセスルファムKを含む任意の天然又は人工甘味料などの甘味料、
(6)香料、
(7)ソルビン酸カリウム、メチルパラベン、プロピルパラベン、安息香酸及びその塩などの防腐剤、ブチルパラベンなどのパラヒドロキシ安息香酸の他のエステル、エチル又はベンジルアルコールなどのアルコール、フェノールなどのフェノール性化学物質、又は塩化ベンザルコニウムなどの四級化合物、
(8)バッファ、
(9)微結晶セルロース、ラクトース、リン酸水素カルシウム、糖類、及び/又は前述のいずれかの混合物といった薬学的に許容される不活性充填剤などの希釈剤、
(10)コーンスターチ、ジャガイモデンプン、トウモロコシデンプン、及び加工デンプン、並びにそれらの混合物などの湿潤剤、
(11)クロスカルメロースナトリウム、クロスポビドン、デンプングリコール酸ナトリウムなどの崩壊剤、
(12)有機酸(例えば、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、並びにアルギン酸及び無水物及び酸性塩)、又は炭酸塩(例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸マグネシウム、炭酸グリシンナトリウム、L-リジン、及びアルギニン炭酸塩)又は重炭酸塩(例えば、重炭酸ナトリウム又は重炭酸カリウム)といった発泡性カップルなどの発泡剤。
「金属酸化物材料」という用語は、その最も広い意味において、金属と考えられる元素と酸素系酸化剤との反応から形成される全ての材料を含む。例示的な金属酸化物材料は、限定されないが、酸化アルミニウム、二酸化チタン、酸化鉄、酸化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ランタン、及び二酸化ジルコニウムを含む。例示的な酸化剤は、限定されないが、水、オゾン、及び無機過酸化物を含む。
原子層堆積は、元素又は化合物の自己制限単層の連続添加が、原子又は分子単層のレベルに制御された厚さ及び均一性を有する膜の堆積を可能にする薄膜堆積技術である。自己制御とは、一度に単一の原子層のみが形成されることを意味し、表面を再生し、更なる堆積を可能にするために、後続のプロセスステップが必要とされる。
分子層堆積は、原子層堆積に類似しているが、有機前駆体を使用し、有機薄膜を形成する。典型的なMLDプロセスの間、2つのホモ二官能性前駆体が使用される。第1の前駆体がチャンバ内に導入される。第1の前駆体の分子は、対応する連結化学構造(linking chemistry)を介して、基板表面上の反応基と反応し、新しい反応部位を有する基板表面上の第1の前駆体の分子層を付加する。パージ後、第2の前駆体が導入され、第2の前駆体の分子が、第1の前駆体によって提供される新しい反応部位と反応して、第2の前駆体に連結された第1の前駆体の分子層を生成する。これに続いて、別のパージサイクルが行われる。
図1-2は、薄膜コーティングにより粒子をコーティングするためのリアクタシステム100を示す。リアクタシステム100は、ALD及び/又はMLDコーティング条件を使用してコーティングを行うことができる。リアクタシステム100は、堆積プロセス(ALD又はMLD)を、より高い(50℃を超える、例えば50-100℃)又はより低い処理温度、例えば50℃未満、例えば35℃以下で、実行することができるようにする。例えば、リアクタシステム100は、22-35℃、例えば、25-35℃、25-30℃、又は30-35℃の温度で、主にALDによって粒子上に薄膜金属酸化物を形成することができる。一般に、粒子は、そのような温度に留まる又は維持されうる。これにより、反応ガス及び/又はリアクタチャンバの内部表面は、そのような温度に留まる又は維持されうる。例えば、チャンバ本体内に埋め込まれたヒータカートリッジ、熱交換器を使用するチャンバ本体内の水チャネル、又はチャンバ本体上のヒータジャケットによって、加熱が実現されうる。
ここで、Fは、回転真空チャンバ112の加速度(例えば、1分あたりの回転数の2乗(rpm2))に回転真空チャンバ112の半径rを乗算したものに比例する粒子148が受ける力である。粒子148が受ける力の閾値量を超えると、粒子148は、回転真空チャンバ112の内面150に対して遠心力で押し付けられることになる。力Fの量は、例えば、100-300mmの範囲でありうる回転真空チャンバ112の半径に部分的に依存する。1つの例では、回転真空チャンバ112の半径は、215mmである。
図8は、粒子をコーティングするためにリアクタシステムを利用する例示的なプロセスのフロー図である。第1のステップでは、粒子が回転真空チャンバ内に分配される(802)。図1-7を参照して説明されるように、リアクタシステム(例えば、リアクタシステム100、100’、及び100’’’)は、外部の静止真空チャンバ110及び内部の回転真空チャンバ112を含み、ここで、静止真空チャンバ及び回転真空チャンバのそれぞれの上のローディングポート(例えば、ローディングポート172、174)は、リアクタシステム内にコーティングされる粒子の搬送/搬出ができるように、位置合わせされうる。
i)化学物質分配システム122は、粒子148(例えば、粒子床178)が第1の反応ガスで飽和されるまで、第1の反応ガス(例えば、TMA)を、パドル158上に位置するガス出口166を介して、ガス源138aから回転真空チャンバ112に流入させるように操作される。例えば、第1の反応ガスは、特定の流量でかつ特定の時間にわたって、又はセンサがチャンバ112内の第1の反応ガスの特定の第1の圧力又は分圧を測定するまで、流れうる。いくつかの実施態様では、第1の反応ガスは、チャンバに流入する際に不活性ガスと混合される。特定の圧力又は分圧は、0.1Torrから反応ガスの飽和圧力の半分まででありうる。
ii)第1の反応ガスの流れが停止され、真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-100mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
iii)化学物質分配システム122は、パドルアセンブリ132のパドル158上に位置するガス出口166を介して、ガス源138eからチャンバ112内に、不活性ガス(例えば、N2)のみを流すように操作される。不活性ガスは、特定の流量でかつ特定の時間にわたって、又はセンサがチャンバ112内の不活性ガスの特定の第2の圧力を測定するまで、流れうる。第2の特定の圧力は、1-100Torrでありうる。
iv)真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-500mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
v)化学物質分配システム122は、粒子148が第2の反応ガスで飽和するまで、第2の反応ガス(例えば、H2O)を、ガス源138bから、パドルアセンブリ132のパドル158に位置するガス出口166を介して、チャンバ112に流入させるように操作される。再び、第2の反応ガスは、特定の流量で、特定の時間にわたって、又はセンサがチャンバ112内の第2の反応ガスの特定の第3の圧力又は分圧を測定するまで、流れうる。いくつかの実施態様では、第2の反応ガスは、チャンバに流入する際に不活性ガスと混合される。第3の圧力は、第2の反応ガスの飽和圧力の0.1Torrから半分でありうる。
vi)真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-500mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
i)化学物質分配システム122は、第1の特定の圧力がチャンバ112内で実現されるまで、ガス源138aからパドルアセンブリ132のパドル158上に位置するガス出口166を介してチャンバ112内に第1の反応ガス(例えばTMA)を流入させるように操作される。特定の圧力は、反応ガスの飽和圧力の0.1Torrから半分でありうる。
ii)第1の反応ガスの流れは停止され、例えば、コントローラ内のタイマによって測定されるように、特定の遅延時間が経過可能となる。これは、第1の反応物が回転真空チャンバ112内の粒子148を通って流れ、粒子の表面と反応できるようにする。
iii)真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-100mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
iv)化学物質分配システム122は、第2の特定の圧力が実現されるまで、不活性ガス(例えば、N2)を、ガス源138eから、パドルアセンブリ132のパドル158上に位置するガス出口166を介してチャンバ112に流入させるように操作される。第2の特定の圧力は、1-100Torrでありうる。
v)不活性ガスの流れは停止され、例えば、コントローラ内のタイマによって測定されるように、特定の遅延時間が経過可能となる。これにより、不活性ガスが粒子床10内の粒子を通って拡散し、反応ガス及び任意の蒸気状の副生成物を置換することが可能になる。
vi)真空源132は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-500mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
vii)化学物質分配システム122は、第3の特定の圧力が実現されるまで、第2の反応ガス(例えば、H2O)を、ガス源138bから、パドルアセンブリ132のパドル158上に位置するガス出口166を介してチャンバ112に流入させるように操作される。第3の圧力は、反応ガスの飽和圧力の0.1Torrから半分でありうる。
viii)第2の反応ガスの流れは停止され、例えば、コントローラ内のタイマによって測定されるように、特定の遅延時間が経過可能となる。これは、第2の反応ガスが粒子148を通って流れ、回転真空チャンバ112内の粒子の表面と反応できるようにする。
ix)真空源134は、チャンバ112を、例えば、1Torr未満の圧力、例えば、1-500mTorr、例えば、50mTorrまで排気する。
Claims (20)
- 粒子をコーティングするためのリアクタであって、該リアクタは、
1つ又は複数のモータと、
コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、前記回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、前記回転真空チャンバは、前記1つ又は複数のモータに連結されて、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に回転する、回転真空チャンバと、
前記回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、
前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って前記回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び各パドルが前記駆動軸から半径方向に延びる複数のパドルを含む、パドルアセンブリであって、前記1つ又は複数のモータによる前記駆動軸の回転により、前記複数のパドルが前記駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、前記回転可能な駆動軸が前記1つ又は複数のモータに連結され、前記複数のパドルが、前記軸方向の軸の周りに等角度間隔で配置されている、パドルアセンブリと、
前記複数の粒子の一部が前記回転真空チャンバの下部に残る粒子床をもたらす回転速度で、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の前記軸方向の軸を中心に前記回転真空チャンバを、前記1つ又は複数のモータにより第1の方向に回転させるように構成されたコントローラと、
前記複数の粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、前記複数のパドルがそれぞれ、前記複数の粒子に前記プロセスガスを注入するための前記化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムと
を備え、
前記ガス出口は、前記複数のパドルが周回する稼働時に、前記複数の粒子によって形成された粒子床内に少なくとも1つのガス出口が位置することにより、前記回転真空チャンバ内に保持された前記複数の粒子に前記プロセスガスを浸透させるように、前記回転真空チャンバの内面から距離を置いて前記複数のパドル上に配置されている、リアクタ。 - 前記第1の方向への回転が、前記第2の方向への回転と同じ回転方向である、請求項1に記載のリアクタ。
- 粒子をコーティングするためのリアクタであって、該リアクタは、
1つ又は複数のモータと、
コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、前記回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、前記回転真空チャンバは、前記1つ又は複数のモータに連結されて、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に回転する、回転真空チャンバと、
前記回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、
前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って前記回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び前記駆動軸から半径方向に延びる少なくとも1つのパドルを含む、パドルアセンブリであって、前記1つ又は複数のモータによる前記駆動軸の回転により、前記少なくとも1つのパドルが前記駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、前記回転可能な駆動軸が前記1つ又は複数のモータに連結される、パドルアセンブリと、
前記複数の粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、前記少なくとも1つのパドルが、前記複数の粒子に前記プロセスガスを注入するための前記化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムと
を備え、
前記化学物質供給システムの前記ガス出口が、前記少なくとも1つのパドルの後方エッジ上に位置する、リアクタ。 - 真空ポートが、前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸と一直線上に位置する、請求項3に記載のリアクタ。
- 前記少なくとも1つのパドルが、前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って、前記回転真空チャンバの長さ全体にわたって掃引するように構成された複数のパドルである、請求項3に記載のリアクタ。
- 前記複数のパドルが、前記パドルの外側エッジの間に位置し、かつ前記回転真空チャンバの前記内径の表面と接触する帯電防止ブラシを更に備える、請求項1に記載のリアクタ。
- 粒子を前記回転真空チャンバに供給するか、又は前記回転真空チャンバから粒子を受け取るためのポートを更に備える、請求項1に記載のリアクタ。
- 前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸が、重力に対して水平に配向される、請求項1に記載のリアクタ。
- 粒子をコーティングするためのリアクタであって、
1つ又は複数のモータと、
コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、前記回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、前記1つ又は複数のモータに連結される回転真空チャンバと、
前記1つ又は複数のモータに、前記複数の粒子を前記回転真空チャンバの前記内径に対して遠心分離させるのに十分な回転速度で、前記回転真空チャンバを、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に回転させるように構成されたコントローラと、
前記回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、
前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って前記回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び前記駆動軸から半径方向に延びる少なくとも1つのパドルを含む、パドルアセンブリであって、前記1つ又は複数のモータによる前記駆動軸の回転により、前記少なくとも1つのパドルが前記駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、前記回転可能な駆動軸が前記1つ又は複数のモータに連結される、パドルアセンブリと、
前記複数の粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、前記少なくとも1つのパドルが、前記複数の粒子に前記プロセスガスを注入するための前記化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムと
を備えるリアクタ。 - 前記リアクタを装着面上で支持するためのベースを備え、前記軸方向の軸が前記装着面に対して直角になるように、前記回転真空チャンバが前記ベースに固定される、請求項9に記載のリアクタ。
- 前記第1の方向への回転が、前記第2の方向への回転とは反対の回転方向である、請求項9に記載のリアクタ。
- 前記化学物質供給システムが反応物又は前駆体ガスを前記複数の粒子に注入しているときに、前記パドルの複数の歯が前記複数の粒子と接触するように、前記少なくとも1つのパドルが、前記複数の歯を含むすくい形状の特徴を備える、請求項9に記載のリアクタ。
- 前記化学物質供給システムの前記ガス出口が、前記パドルの前記すくい形状の特徴の前記複数の歯のうちの少なくとも1つの歯の後方エッジ上に位置する、請求項12に記載のリアクタ。
- 前記パドルの外側エッジが、間隙によって前記回転真空チャンバの前記内径の表面から分離される、請求項12に記載のリアクタ。
- 前記少なくとも1つのパドルが、前記回転真空チャンバの前記内径の表面に平行なセグメントを含むT字型特徴を備える、請求項9に記載のリアクタ。
- 粒子をコーティングするための方法であって、
回転真空チャンバ内に粒子を分配することと、
前記粒子が前記回転真空チャンバの内壁上にトロイドを形成するように、前記回転真空チャンバを、前記回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って第1の方向に回転させることと、
前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸上で位置合わせされた前記回転真空チャンバ内の真空ポートを通して、前記回転真空チャンバを排気することと、
複数のパドルが駆動軸を周回するように、パドルアセンブリを第2の方向に回転させることと、
前記複数のパドル上に位置する複数のガス出口を通して、プロセスガスを前記粒子に注入することと
を含む方法。 - 原子層堆積又は分子層堆積によって、前記粒子をコーティングすることを含む、請求項16に記載の方法。
- 粒子をコーティングするためのリアクタであって、該リアクタは、
1つ又は複数のモータと、
コーティングされる複数の粒子を保持するように構成された回転真空チャンバであって、前記回転真空チャンバの円筒部分が内径を有し、前記1つ又は複数のモータに連結される回転真空チャンバと、
前記1つ又は複数のモータに、前記粒子がタンブリング撹拌を受けるような回転速度で、前記回転真空チャンバの前記円筒部分の軸方向の軸の周りを第1の方向に、前記回転真空チャンバを回転させるように構成されたコントローラと、
前記回転真空チャンバからガスを排気するための真空ポートと、
前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸に沿って前記回転真空チャンバを通って延びる回転可能な駆動軸、及び前記駆動軸から半径方向に延びる少なくとも1つのパドルを含むパドルアセンブリであって、前記1つ又は複数のモータによる前記駆動軸の回転により、少なくとも1つのパドルが前記駆動軸の周りを第2の方向に周回するように、前記回転可能な駆動軸が前記1つ又は複数のモータに連結される、パドルアセンブリと、
前記複数の粒子にプロセスガスを注入するように構成された化学物質供給システムであって、前記少なくとも1つのパドルが、前記複数の粒子に前記プロセスガスを注入するための前記化学物質供給システムのガス出口を含む、化学物質供給システムと
を備え、前記化学物質供給システムの前記ガス出口が、前記少なくとも1つのパドルの後方エッジ上に位置する、リアクタ。 - 静止真空チャンバを更に備え、前記回転真空チャンバが、前記静止真空チャンバ内に配置される、請求項18に記載のリアクタ。
- 粒子をコーティングするための方法であって、該方法は、
回転真空チャンバ内に粒子を分配することと、
前記回転真空チャンバが第1の方向に回転しているときに、前記粒子が前記回転真空チャンバの下部を充填して、前記回転真空チャンバの下部に残る粉末床が形成されるように、前記回転真空チャンバを、前記回転真空チャンバの軸方向の軸に沿って前記第1の方向に回転させることと、
前記回転真空チャンバの前記軸方向の軸上で位置合わせされた前記回転真空チャンバ内の真空ポートを通して、前記回転真空チャンバを排気することと、
複数のパドルが駆動軸を周回するように、パドルアセンブリを第2の方向に回転させることと、
前記複数のパドル上に位置する複数のガス出口を通して、プロセスガスを前記粒子に注入することと
を含み、
前記複数のガス出口は、前記粒子によって形成された粒子床内に少なくとも1つのガス出口が位置することにより、前記回転真空チャンバ内に保持された前記粒子に前記プロセスガスを浸透させるように、前記回転真空チャンバの内面から距離を置いて前記複数のパドル上に配置されている、方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022142149A JP2023002505A (ja) | 2018-06-12 | 2022-09-07 | 薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862683763P | 2018-06-12 | 2018-06-12 | |
US62/683,763 | 2018-06-12 | ||
PCT/US2019/036721 WO2019241351A1 (en) | 2018-06-12 | 2019-06-12 | Rotary reactor for uniform particle coating with thin films |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022142149A Division JP2023002505A (ja) | 2018-06-12 | 2022-09-07 | 薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021527171A JP2021527171A (ja) | 2021-10-11 |
JP7139462B2 true JP7139462B2 (ja) | 2022-09-20 |
Family
ID=68764664
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020569877A Active JP7139462B2 (ja) | 2018-06-12 | 2019-06-12 | 薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ |
JP2022142149A Pending JP2023002505A (ja) | 2018-06-12 | 2022-09-07 | 薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022142149A Pending JP2023002505A (ja) | 2018-06-12 | 2022-09-07 | 薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US11180851B2 (ja) |
EP (1) | EP3807448B1 (ja) |
JP (2) | JP7139462B2 (ja) |
KR (1) | KR102634226B1 (ja) |
CN (1) | CN112543820A (ja) |
TW (1) | TWI822794B (ja) |
WO (1) | WO2019241351A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102531225B1 (ko) * | 2016-07-15 | 2023-05-10 | 원드 매터리얼 인코포레이티드 | 배터리들에서 사용하기 위해 카본계 파우더 상에 실리콘 나노와이어들을 제조하기 위한 제조 장치 및 방법 |
US11180851B2 (en) | 2018-06-12 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Rotary reactor for uniform particle coating with thin films |
TW202229622A (zh) | 2019-04-24 | 2022-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於在具有旋轉槳的固定的腔室中塗覆顆粒的反應器 |
TWI765795B (zh) | 2019-04-24 | 2022-05-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有旋轉葉片與氣體注入之用於在固定腔室中塗覆粒子的反應器 |
JPWO2021172395A1 (ja) * | 2020-02-26 | 2021-09-02 | ||
US20220032258A1 (en) * | 2020-07-30 | 2022-02-03 | Applied Materials, Inc | Paddle configuration for a particle coating reactor |
KR102488995B1 (ko) * | 2020-08-03 | 2023-01-16 | 전남대학교산학협력단 | 분말 입자 코팅을 위한 증착 장치를 사용하여 분말 입자 표면을 균일하게 코팅하는 방법 |
CN116569105A (zh) | 2020-11-18 | 2023-08-08 | 应用材料公司 | 具有钝化纳米颗粒和材料分压印组成物及其制造工艺 |
US11810765B2 (en) * | 2020-12-21 | 2023-11-07 | Applied Materials Israel Ltd. | Reactive particles supply system |
KR102607682B1 (ko) * | 2021-04-05 | 2023-11-30 | 엔티엠 주식회사 | 전지용 전극제 표면처리 공정 시스템 |
KR102607689B1 (ko) * | 2021-04-05 | 2023-11-30 | 엔티엠 주식회사 | 전지용 전극제 표면처리 공정 시스템의 회전장치 |
KR20230031618A (ko) * | 2021-08-27 | 2023-03-07 | (주)아이작리서치 | 파우더용 원자층 증착 장치 |
KR102660422B1 (ko) * | 2021-09-23 | 2024-04-26 | 주식회사 마제테크놀로지 | 증착 장치 |
WO2023164043A1 (en) * | 2022-02-23 | 2023-08-31 | Cvd Equipment Corporation | Apparatus for fine powder particle processing utilizing centrifugal confinement to mitigate particle elutriation |
WO2024091652A1 (en) * | 2022-10-28 | 2024-05-02 | Applied Materials, Inc. | Processes for preparing coated powder compositions |
CN118022576A (zh) * | 2024-04-15 | 2024-05-14 | 中民驰远实业有限公司 | 一种铝镁碳砖制备混料装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180019468A1 (en) | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Oned Material Llc | Manufacturing Apparatus And Method For Making Silicon Nanowires On Carbon Based Powders For Use In Batteries |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH544274A (de) | 1971-10-27 | 1973-11-15 | Balzers Patent Beteilig Ag | Einrichtung zum Kühlen von Werkstücken, die einer Behandlung im Vakuum unterworfen werden |
US20040052984A1 (en) | 1997-05-13 | 2004-03-18 | Toth Richard E. | Apparatus and method of treating fine powders |
DE19847032A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Kaco Gmbh Co | Verfahren zur Herstellung von Teilen aus pulverförmigen antiadhäsiven organischen Stoffen, nach einem solchen Verfahren hergestelltes Teil und Gerät zur Durchführung eines solchen Verfahrens |
US6613383B1 (en) | 1999-06-21 | 2003-09-02 | Regents Of The University Of Colorado | Atomic layer controlled deposition on particle surfaces |
US9492805B2 (en) * | 2005-11-01 | 2016-11-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Initiated chemical vapor deposition of vinyl polymers for the encapsulation of particles |
CN101495603A (zh) | 2006-03-23 | 2009-07-29 | 济阿冶金加工公司 | 用于产生氢和电的热还原气化方法 |
KR20090127796A (ko) * | 2008-06-09 | 2009-12-14 | 굴람후세인 레흐맛 아미랄리 | 회전 킬른용 가스분배기 |
GB0819183D0 (en) | 2008-10-20 | 2008-11-26 | Univ Gent | Atomic layer deposition powder coating |
EP2440323B1 (en) | 2009-06-09 | 2019-08-28 | Haydale Graphene Industries plc | Methods and apparatus for particle processing with plasma |
US9951419B2 (en) * | 2011-09-03 | 2018-04-24 | Ying-Bing JIANG | Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders |
KR20150013296A (ko) | 2012-05-14 | 2015-02-04 | 피코순 오와이 | 원자층 증착 카트리지를 이용하는 분말 입자 코팅 |
FI126168B (en) | 2012-09-18 | 2016-07-29 | Novaldmedical Ltd Oy | A method for coating pharmaceutical substrates |
US9169505B2 (en) | 2012-11-07 | 2015-10-27 | Andritz, Inc. | High solids enzyme reactor mixer with vertical paddle and method |
PT3003286T (pt) | 2013-05-24 | 2022-07-22 | Nanexa Ab | Método de preparação de nanopartículas sólidas com revestimento inorgânico e sua utilização |
CN104046958B (zh) * | 2014-06-06 | 2016-08-17 | 华中科技大学 | 一种用于微纳米颗粒表面修饰的装置和方法 |
JP6268112B2 (ja) | 2015-02-17 | 2018-01-24 | 信越化学工業株式会社 | 炭素被覆処理装置、非水電解質二次電池用負極活物質の製造方法、リチウムイオン二次電池の製造方法、並びに電気化学キャパシタの製造方法 |
JP2016190205A (ja) | 2015-03-31 | 2016-11-10 | Tmcシステム株式会社 | 攪拌装置および攪拌装置の制御方法 |
SG10201606973YA (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-30 | Ultratech Inc | Plasma-enhanced atomic layer deposition system with rotary reactor tube |
US10516169B2 (en) * | 2015-11-12 | 2019-12-24 | Sonata Scientific LLC | Apparatus and method for coating bulk quantities of solid particles |
CN205741206U (zh) * | 2016-07-07 | 2016-11-30 | 王禄荣 | 在粉末表面均匀镀膜的原子层沉积装置 |
US11180851B2 (en) | 2018-06-12 | 2021-11-23 | Applied Materials, Inc. | Rotary reactor for uniform particle coating with thin films |
US20200240013A1 (en) * | 2019-01-24 | 2020-07-30 | Rec Silicon Inc | Stirred bed reactor |
-
2019
- 2019-06-11 US US16/438,382 patent/US11180851B2/en active Active
- 2019-06-11 US US16/438,371 patent/US11174552B2/en active Active
- 2019-06-12 KR KR1020217000504A patent/KR102634226B1/ko active IP Right Grant
- 2019-06-12 EP EP19820231.9A patent/EP3807448B1/en active Active
- 2019-06-12 JP JP2020569877A patent/JP7139462B2/ja active Active
- 2019-06-12 CN CN201980044749.7A patent/CN112543820A/zh active Pending
- 2019-06-12 TW TW108120269A patent/TWI822794B/zh active
- 2019-06-12 WO PCT/US2019/036721 patent/WO2019241351A1/en unknown
-
2021
- 2021-11-09 US US17/522,869 patent/US20220064794A1/en active Pending
-
2022
- 2022-09-07 JP JP2022142149A patent/JP2023002505A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20180019468A1 (en) | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Oned Material Llc | Manufacturing Apparatus And Method For Making Silicon Nanowires On Carbon Based Powders For Use In Batteries |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021527171A (ja) | 2021-10-11 |
EP3807448A4 (en) | 2022-05-18 |
US20190376181A1 (en) | 2019-12-12 |
US20190376182A1 (en) | 2019-12-12 |
EP3807448B1 (en) | 2024-03-13 |
US11174552B2 (en) | 2021-11-16 |
TW202000982A (zh) | 2020-01-01 |
CN112543820A (zh) | 2021-03-23 |
TWI822794B (zh) | 2023-11-21 |
US11180851B2 (en) | 2021-11-23 |
JP2023002505A (ja) | 2023-01-10 |
WO2019241351A1 (en) | 2019-12-19 |
KR20210007033A (ko) | 2021-01-19 |
US20220064794A1 (en) | 2022-03-03 |
EP3807448C0 (en) | 2024-03-13 |
KR102634226B1 (ko) | 2024-02-07 |
EP3807448A1 (en) | 2021-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7139462B2 (ja) | 薄膜による均一な粒子コーティングのための回転リアクタ | |
TWI764732B (zh) | 用於在具有旋轉槳的固定的腔室中塗覆顆粒的反應器 | |
US20220032258A1 (en) | Paddle configuration for a particle coating reactor | |
US11692265B2 (en) | Gas injection for de-agglomeration in particle coating reactor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210224 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220516 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220809 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7139462 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |