JP7133699B2 - Plating equipment and plating method - Google Patents

Plating equipment and plating method Download PDF

Info

Publication number
JP7133699B2
JP7133699B2 JP2021191263A JP2021191263A JP7133699B2 JP 7133699 B2 JP7133699 B2 JP 7133699B2 JP 2021191263 A JP2021191263 A JP 2021191263A JP 2021191263 A JP2021191263 A JP 2021191263A JP 7133699 B2 JP7133699 B2 JP 7133699B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
plating
shielding
anode
substrate holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021191263A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2022089170A (en
Inventor
正輝 富田
正也 関
正 下山
紹華 張
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Publication of JP2022089170A publication Critical patent/JP2022089170A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7133699B2 publication Critical patent/JP7133699B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Description

本願は、めっき装置、およびめっき方法に関する。本願は、2020年12月3日出願の国際出願PCT/JP2020/045051号に基づく優先権を主張する。国際出願PCT/JP2020/045051号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書を含む全ての開示内容は、参照により全体として本願に援用される。 The present application relates to a plating apparatus and a plating method. This application claims priority from International Application PCT/JP2020/045051 filed on December 3, 2020. The entire disclosure, including the specification, claims, drawings and abstract of International Application No. PCT/JP2020/045051, is incorporated herein by reference in its entirety.

めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板(例えば半導体ウェハ)をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜を析出させる。 A cup-type electroplating apparatus is known as an example of the plating apparatus. A cup-type electroplating apparatus immerses a substrate (for example, a semiconductor wafer) held in a substrate holder with the surface to be plated facing downward in a plating solution, and applies a voltage between the substrate and the anode to A conductive film is deposited on the surface of the

カップ式の電解めっき装置では、遮蔽部材を用いてアノードと基板との間に形成される電界を遮蔽することが知られている。例えば特許文献1には、アノードマスクリングをアノードと基板との間に配置することによって、基板の外縁部近傍における電流密度を低下させ、これにより基板の外縁部周辺に厚いめっき膜が形成されるのを抑制することが開示されている。 It is known that a cup-type electroplating apparatus uses a shielding member to shield an electric field formed between an anode and a substrate. For example, in Patent Document 1, an anode mask ring is placed between the anode and the substrate to reduce the current density in the vicinity of the outer edge of the substrate, thereby forming a thick plating film around the outer edge of the substrate. It is disclosed to suppress the

特開2014-51697号公報JP 2014-51697 A

しかしながら、従来技術の電解めっき装置は、アノードマスクリングをめっき槽の内壁の任意の高さに固定するものであるので、アノードと基板の外縁部との間は常にアノードマスクリングで遮蔽される。このように基板の特定の部位を常に遮蔽すると、その部位は極端にめっき膜の形成がされ難くなる場合もあるので、基板の種類によっては常にアノードと基板の間を遮蔽するのではなく、所望のタイミングでのみ基板の特定の部位を遮蔽したいというニーズがあり得る。 However, in the conventional electroplating apparatus, the anode mask ring is fixed at an arbitrary height on the inner wall of the plating tank, so that the anode and the outer edge of the substrate are always shielded by the anode mask ring. If a specific portion of the substrate is always shielded in this way, it may become extremely difficult to form a plating film on that portion. There may be a need to shield a specific portion of the substrate only at the timing of .

そこで、本願は、基板の特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができるめっき装置およびめっき方法を実現することを1つの目的としている。 Accordingly, one object of the present application is to realize a plating apparatus and a plating method capable of shielding a specific portion of a substrate at a desired timing.

一実施形態によれば、めっき液を収容するためのめっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させるための回転機構と、前記基板ホルダの回転角度に応じて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に移動させる遮蔽機構と、を含み、前記遮蔽機構は、カム部材と、前記カム部材を回転させるように構成された回転駆動機構と、前記カム部材の回転に伴って前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置に押し出すように構成された従動部材と、を含む、めっき装置が開示される。 According to one embodiment, a plating bath for containing a plating solution, an anode arranged in the plating bath, a substrate holder for holding a substrate with the surface to be plated facing downward, and a rotating mechanism for rotating a substrate holder; and a shielding mechanism for moving a shielding member between the anode and the substrate according to the rotation angle of the substrate holder, the shielding mechanism comprising a cam member; a rotary drive mechanism configured to rotate the cam member; a driven member configured to push the shielding member to a shielding position between the anode and the substrate as the cam member rotates; A plating apparatus is disclosed, comprising:

図1は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the plating apparatus of this embodiment. 図2は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus of this embodiment. 図3は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shield member is retracted. 図4は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す上面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。FIG. 4 is a top view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shield member is retracted. 図5は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shielding member has moved between the anode and the substrate. 図6は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す上面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。FIG. 6 is a top view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shielding member has moved between the anode and the substrate. 図7Aは、基板のパターン領域と非パターン領域とを示す上面図である。FIG. 7A is a top view showing patterned and non-patterned areas of a substrate. 図7Bは、遮蔽部材が覆う基板の領域を示す上面図である。FIG. 7B is a top view showing the area of the substrate covered by the shielding member. 図8は、一実施形態の円板カムの構造を示す上面図である。FIG. 8 is a top view showing the structure of the disk cam of one embodiment. 図9は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。FIG. 9 is a flow chart of a plating method using the plating module of one embodiment. 図10は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における遮蔽ステップのフローチャートである。FIG. 10 is a flow chart of the shielding step in the plating method using the plating module of one embodiment. 図11は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。FIG. 11 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shield member is retracted. 図12は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。FIG. 12 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shielding member has moved between the anode and the substrate. 図13は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 図14は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。FIG. 14 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 図15は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す平面図である。FIG. 15 is a plan view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 図16は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。FIG. 16 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 図17は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。FIG. 17 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 図18は、一実施形態の遮蔽機構の一部の構成を模式的に示す斜視図である。FIG. 18 is a perspective view schematically showing the configuration of part of the shielding mechanism of one embodiment. 図19は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す平面図である。FIG. 19 is a plan view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 図20は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。FIG. 20 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 図21は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す平面図である。FIG. 21 is a plan view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 図22は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。FIG. 22 is a flow chart of a plating method using the plating module of one embodiment. 図23は、図13~図15の実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における遮蔽ステップのフローチャートである。FIG. 23 is a flow chart of the shielding step in the plating method using the plating module of the embodiment of FIGS. 13-15. 図24は、図16~図19の実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における遮蔽ステップのフローチャートである。FIG. 24 is a flow chart of the shielding step in the plating method using the plating module of the embodiment of FIGS. 16-19. 図25は、図20および図21の実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における遮蔽ステップのフローチャートである。FIG. 25 is a flowchart of a shielding step in a plating method using the plating module of the embodiment of FIGS. 20 and 21; 図26は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。FIG. 26 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment. 図27は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。FIG. 27 is a flow chart of a plating method using the plating module of one embodiment.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings described below, the same or corresponding components are denoted by the same reference numerals, and redundant descriptions are omitted.

<めっき装置の全体構成>
図1は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図2は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図1、2に示すように、めっき装置1000は、ロードポート100、搬送ロボット110、アライナ120、プリウェットモジュール200、プリソークモジュール300、めっきモジュール400、洗浄モジュール500、スピンリンスドライヤ600、搬送装置700、および、制御モジュール800を
備える。
<Overall Configuration of Plating Equipment>
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the plating apparatus of this embodiment. FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus of this embodiment. As shown in FIGS. 1 and 2, the plating apparatus 1000 includes a load port 100, a transfer robot 110, an aligner 120, a pre-wet module 200, a pre-soak module 300, a plating module 400, a cleaning module 500, a spin rinse dryer 600, and a transfer device. 700 and a control module 800 .

ロードポート100は、めっき装置1000に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置1000からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では4台のロードポート100が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート100の数および配置は任意である。搬送ロボット110は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート100、アライナ120、および搬送装置700の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット110および搬送装置700は、搬送ロボット110と搬送装置700との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。 The load port 100 is a module for loading substrates stored in cassettes such as FOUPs (not shown) into the plating apparatus 1000 and for unloading substrates from the plating apparatus 1000 to cassettes. Although four load ports 100 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the load ports 100 are arbitrary. The transport robot 110 is a robot for transporting substrates, and is configured to transfer substrates among the load port 100 , the aligner 120 and the transport device 700 . When transferring substrates between the transfer robot 110 and the transfer device 700, the transfer robot 110 and the transfer device 700 can transfer the substrates via a temporary placement table (not shown).

アライナ120は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では2台のアライナ120が水平方向に並べて配置されているが、アライナ120の数および配置は任意である。プリウェットモジュール200は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール200は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では2台のプリウェットモジュール200が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール200の数および配置は任意である。 The aligner 120 is a module for aligning the positions of orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction. Although two aligners 120 are arranged horizontally in this embodiment, the number and arrangement of the aligners 120 are arbitrary. The pre-wet module 200 replaces the air inside the pattern formed on the substrate surface with the treatment liquid by wetting the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as pure water or degassed water. The pre-wet module 200 is configured to perform a pre-wet process that facilitates the supply of the plating solution to the inside of the pattern by replacing the treatment solution inside the pattern with the plating solution during plating. Although two pre-wet modules 200 are arranged vertically in this embodiment, the number and arrangement of the pre-wet modules 200 are arbitrary.

プリソークモジュール300は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では2台のプリソークモジュール300が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール300の数および配置は任意である。めっきモジュール400は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に3台かつ水平方向に4台並べて配置された12台のめっきモジュール400のセットが2つあり、合計24台のめっきモジュール400が設けられているが、めっきモジュール400の数および配置は任意である。 In the presoak module 300, for example, an oxide film having a large electric resistance existing on the surface of a seed layer formed on the surface to be plated of the substrate before plating is etched away with a processing liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid, and the surface of the plating substrate is cleaned. Alternatively, it is configured to perform a pre-soak process for activation. In this embodiment, two presoak modules 300 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the presoak modules 300 are arbitrary. The plating module 400 applies plating to the substrate. In this embodiment, there are two sets of 12 plating modules 400 arranged vertically and four horizontally, and a total of 24 plating modules 400 are provided. The number and arrangement of are arbitrary.

洗浄モジュール500は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では2台の洗浄モジュール500が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール500の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ600は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では2台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置700は、めっき装置1000内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール800は、めっき装置1000の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。 The cleaning module 500 is configured to perform a cleaning process on the substrate to remove plating solution and the like remaining on the substrate after the plating process. In this embodiment, two cleaning modules 500 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the cleaning modules 500 are arbitrary. The spin rinse dryer 600 is a module for drying the substrate after cleaning by rotating it at high speed. Although two spin rinse dryers are arranged vertically in this embodiment, the number and arrangement of the spin rinse dryers are arbitrary. The transport device 700 is a device for transporting substrates between a plurality of modules within the plating apparatus 1000 . Control module 800 is configured to control a plurality of modules of plating apparatus 1000 and may comprise, for example, a general purpose or dedicated computer with input/output interfaces to an operator.

めっき装置1000による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート100にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット110は、ロードポート100のカセットから基板を取り出し、アライナ120に基板を搬送する。アライナ120は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット110は、アライナ120で方向を合わせた基板を搬送装置700へ受け渡す。 An example of a series of plating processes by the plating apparatus 1000 will be described. First, a substrate stored in a cassette is loaded into the load port 100 . Subsequently, the transport robot 110 takes out the substrate from the cassette of the load port 100 and transports the substrate to the aligner 120 . The aligner 120 aligns orientation flats, notches, etc. of the substrate in a predetermined direction. The transport robot 110 transfers the substrate aligned by the aligner 120 to the transport device 700 .

搬送装置700は、搬送ロボット110から受け取った基板をプリウェットモジュール
200へ搬送する。プリウェットモジュール200は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置700は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール300へ搬送する。プリソークモジュール300は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置700は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール400へ搬送する。めっきモジュール400は、基板にめっき処理を施す。
The transport device 700 transports the substrate received from the transport robot 110 to the pre-wet module 200 . The pre-wet module 200 pre-wets the substrate. The transport device 700 transports the pre-wet processed substrate to the pre-soak module 300 . The presoak module 300 applies a presoak treatment to the substrate. The transport device 700 transports the presoaked substrate to the plating module 400 . The plating module 400 applies plating to the substrate.

搬送装置700は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール500へ搬送する。洗浄モジュール500は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置700は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ600へ搬送する。スピンリンスドライヤ600は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置700は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット110へ受け渡す。搬送ロボット110は、搬送装置700から受け取った基板をロードポート100のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート100から基板を収納したカセットが搬出される。 The transport device 700 transports the plated substrate to the cleaning module 500 . The cleaning module 500 performs a cleaning process on the substrate. The transport device 700 transports the cleaned substrate to the spin rinse dryer 600 . A spin rinse dryer 600 performs a drying process on the substrate. The transport device 700 delivers the dried substrate to the transport robot 110 . The transport robot 110 transports the substrate received from the transport device 700 to the cassette of the load port 100 . Finally, the cassette containing the substrates is unloaded from the load port 100 .

<めっきモジュールの構成>
次に、めっきモジュール400の構成を説明する。本実施形態における24台のめっきモジュール400は同一の構成であるので、1台のめっきモジュール400のみを説明する。図3は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。図3に示すように、めっきモジュール400は、めっき液を収容するためのめっき槽410を備える。めっきモジュール400は、めっき槽410の内部を上下方向に隔てるメンブレン420を備える。めっき槽410の内部はメンブレン420によってカソード領域422とアノード領域424に仕切られる。
<Configuration of plating module>
Next, the configuration of the plating module 400 will be described. Since the 24 plating modules 400 in this embodiment have the same configuration, only one plating module 400 will be described. FIG. 3 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shield member is retracted. As shown in FIG. 3, plating module 400 includes plating bath 410 for containing a plating solution. The plating module 400 includes a membrane 420 that vertically separates the interior of the plating bath 410 . The interior of the plating bath 410 is partitioned into a cathode area 422 and an anode area 424 by a membrane 420 .

カソード領域422とアノード領域424にはそれぞれめっき液が充填される。めっきモジュール400は、カソード領域422に向けて開口したノズル426と、ノズル426を介してカソード領域422にめっき液を供給するための供給源428と、を備える。めっきモジュール400は、アノード領域424についても同様に、アノード領域424にめっき液を供給するための機構を備えるが図示を省略する。アノード領域424のめっき槽410の底面にはアノード430が設けられる。カソード領域422にはメンブレン420に対向して抵抗体450が配置される。抵抗体450は、基板Wfの被めっき面Wf-aにおけるめっき処理の均一化を図るための部材であり、多数の孔が形成された板状部材によって構成される。 Cathode region 422 and anode region 424 are each filled with a plating solution. Plating module 400 includes a nozzle 426 opening toward cathode region 422 and a supply 428 for supplying plating solution to cathode region 422 through nozzle 426 . The plating module 400 similarly includes a mechanism for supplying the plating solution to the anode region 424, but illustration thereof is omitted. An anode 430 is provided on the bottom surface of the plating bath 410 in the anode area 424 . A resistor 450 is disposed in the cathode region 422 so as to face the membrane 420 . The resistor 450 is a member for uniformizing the plating process on the surface to be plated Wf-a of the substrate Wf, and is composed of a plate-like member having a large number of holes.

また、めっきモジュール400は、被めっき面Wf-aを下方に向けた状態で基板Wfを保持するための基板ホルダ440を備える。基板ホルダ440は、図示していない電源から基板Wfに給電するための給電接点を備える。基板ホルダ440は、基板Wfの被めっき面Wf-aの外縁部を支持するためのシールリングホルダ442と、シールリングホルダ442を図示していない基板ホルダ本体に保持するためのフレーム446と、を備える。また、基板ホルダ440は、基板Wfの被めっき面Wf-aの裏面を押圧するためのバックプレート444と、バックプレート444の基板押圧面の裏面に取り付けられたシャフト448と、を備える。 The plating module 400 also includes a substrate holder 440 for holding the substrate Wf with the surface to be plated Wf-a facing downward. The substrate holder 440 includes power contacts for powering the substrate Wf from a power source (not shown). The substrate holder 440 includes a seal ring holder 442 for supporting the outer edge of the plated surface Wf-a of the substrate Wf, and a frame 446 for holding the seal ring holder 442 to a substrate holder main body (not shown). Prepare. Further, the substrate holder 440 includes a back plate 444 for pressing the back surface of the plated surface Wf-a of the substrate Wf, and a shaft 448 attached to the back surface of the substrate pressing surface of the back plate 444 .

めっきモジュール400は、基板ホルダ440を昇降させるための昇降機構443と、シャフト448の仮想軸(被めっき面Wf-aの中央を垂直に伸びる仮想的な回転軸)の周りに基板Wfが回転するように基板ホルダ440を回転させるための回転機構447と、を備える。昇降機構443および回転機構447は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。めっきモジュール400は、昇降機構443を用いて基板Wfをカソード領域422のめっき液に浸漬し、アノード430と基板Wfとの間に電圧を印加することによって、基板Wfの被めっき面Wf-aにめっき処理を施すように構成される。 The plating module 400 includes an elevating mechanism 443 for elevating the substrate holder 440, and the substrate Wf rotates around the virtual axis of the shaft 448 (virtual rotation axis vertically extending through the center of the surface to be plated Wf-a). and a rotation mechanism 447 for rotating the substrate holder 440 so as to rotate the substrate holder 440 . The lifting mechanism 443 and the rotating mechanism 447 can be implemented by known mechanisms such as motors. The plating module 400 uses the elevating mechanism 443 to immerse the substrate Wf in the plating solution in the cathode region 422, and applies a voltage between the anode 430 and the substrate Wf, thereby causing the surface Wf-a of the substrate Wf to be plated. Configured for plating.

めっきモジュール400は、アノード430と基板Wfとの間に配置されたときにアノード430と基板Wfとの間に形成される電界を遮蔽するための遮蔽部材482を備える。遮蔽部材482は例えば板状に形成された遮蔽板であってもよい。遮蔽部材482は、めっき槽410の側壁を貫通してカソード領域422内に挿入されており、めっき槽410に挿入されていない側の端部にはフランジ484が取り付けられている。本実施形態では、遮蔽部材482は常にアノード430と基板Wfとの間に配置されるわけではなく、基板Wfの特定の部位を所望のタイミングで遮蔽するように構成されている。以下、この点について説明する。 The plating module 400 includes a shielding member 482 for shielding an electric field formed between the anode 430 and the substrate Wf when placed between the anode 430 and the substrate Wf. The shielding member 482 may be, for example, a plate-shaped shielding plate. The shielding member 482 is inserted through the side wall of the plating bath 410 into the cathode region 422 and has a flange 484 attached to the end not inserted into the plating bath 410 . In this embodiment, the shielding member 482 is not always placed between the anode 430 and the substrate Wf, but is configured to shield a specific portion of the substrate Wf at desired timing. This point will be described below.

図4は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す上面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。図3および図4に示すように、めっきモジュール400は、回転機構447による基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間に移動させる遮蔽機構460を備える。遮蔽機構460は、基板ホルダ440に取り付けられたカム部材461を備える。カム部材461は、シールリングホルダ442の上面に取り付けられた円板カム462を含む。遮蔽機構460は、カム部材461(円板カム462)の突起462aに押圧されることに応じて遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間に押し出す従動節470を備える。 FIG. 4 is a top view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shield member is retracted. As shown in FIGS. 3 and 4, the plating module 400 includes a shielding mechanism 460 that moves the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf according to the rotation angle of the substrate holder 440 by the rotation mechanism 447. FIG. Shielding mechanism 460 comprises a cam member 461 attached to substrate holder 440 . The cam member 461 includes a disc cam 462 attached to the top surface of the seal ring holder 442 . The shielding mechanism 460 includes a follower 470 that pushes the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf in response to being pressed by the projection 462a of the cam member 461 (disc cam 462).

従動節470は、円板カム462の突起462aに押圧されて基板ホルダ440から遠ざかる方向に移動するフォロワ473を備える。めっき槽410の上部の外壁面には基台472が取り付けられており、フォロワ473は、シャフト448を中心とした放射方向に往復移動可能に基台472に支持されている。フォロワ473は、シャフト448を中心とした放射方向に伸びる棒状の部材である。フォロワ473の一方の端部には、シャフト448の回転軸と平行な軸の周りに回転する第1のローラ471が取り付けられている。フォロワ473の他方の端部には、シャフト448の回転軸の方向およびシャフト448を中心とした放射方向の両方と垂直な軸の周りに回転可能な第2のローラ475が取り付けられている。 The follower 470 has a follower 473 that is pushed by the projection 462 a of the disc cam 462 and moves away from the substrate holder 440 . A base 472 is attached to the upper outer wall surface of the plating bath 410 , and the follower 473 is supported by the base 472 so as to be able to reciprocate radially around a shaft 448 . The follower 473 is a rod-shaped member extending radially around the shaft 448 . Attached to one end of the follower 473 is a first roller 471 that rotates around an axis parallel to the axis of rotation of the shaft 448 . Attached to the other end of follower 473 is a second roller 475 rotatable about an axis perpendicular to both the direction of the axis of rotation of shaft 448 and radial directions about shaft 448 .

従動節470は、フォロワ473からの押圧に応じて回転して遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間に押し出すリンク474を備える。リンク474は棒状の部材であり、基台472に設けられた回転軸476周りに回転可能に基台472に支持されている。回転軸476は、第2のローラ475の回転軸と平行な回転軸である。リンク474は、リンク474の回転軸476を挟んだ一方の側が第2のローラ475と接触できるように基台472に支持されている。リンク474の回転軸476を挟んだ他方の側の端部には、第2のローラ475の回転軸と平行な軸の周りに回転可能な第3のローラ478が取り付けられている。リンク474は、第3のローラ478が遮蔽部材482のフランジ484と接触できるように基台472に支持されている。 The follower 470 has a link 474 that rotates in response to pressure from the follower 473 to push the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf. The link 474 is a rod-shaped member supported by the base 472 so as to be rotatable around a rotation shaft 476 provided on the base 472 . The rotating shaft 476 is parallel to the rotating shaft of the second roller 475 . The link 474 is supported by the base 472 so that one side of the link 474 sandwiching the rotating shaft 476 can contact the second roller 475 . A third roller 478 rotatable around an axis parallel to the rotation axis of the second roller 475 is attached to the other end of the link 474 across the rotation axis 476 . Link 474 is supported on base 472 such that third roller 478 can contact flange 484 of shield member 482 .

従動節470は、遮蔽部材482がリンク474によって押し出されていないときに遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間から遠ざかる方向に押し戻す押圧部材479を備える。押圧部材479は、例えば一方の端部がめっき槽410の外壁に取り付けられ、他方の端部が遮蔽部材482のフランジ484に取り付けられた圧縮コイルばねであるが、これに限定されない。 The follower 470 includes a pressing member 479 that pushes the shielding member 482 back away from between the anode 430 and the substrate Wf when the shielding member 482 is not pushed out by the link 474 . The pressing member 479 is, for example, a compression coil spring with one end attached to the outer wall of the plating bath 410 and the other end attached to the flange 484 of the shielding member 482, but is not limited thereto.

次に、遮蔽機構460による遮蔽部材482の動作について説明する。図3および図4に示すように円板カム462の突起462aが第1のローラ471を押圧していないときには、押圧部材479の付勢力によってフランジ484がめっき槽410から遠ざかる方向に押圧される。これにより、遮蔽部材482はアノード430と基板Wfとの間から退避した位置に移動する。また、フランジ484がめっき槽410から遠ざかる方向に押圧
されると、フランジ484が第3のローラ478を押圧することによってリンク474は反時計回りに回転する。すると、リンク474の回転軸476を挟んだ一方の側が第2のローラ475をシャフト448の中心に向かって押圧する。これによりフォロワ473はシャフト448の中心に向かって移動する。
Next, the operation of the shielding member 482 by the shielding mechanism 460 will be described. 3 and 4, when the protrusion 462a of the disk cam 462 is not pressing the first roller 471, the biasing force of the pressing member 479 presses the flange 484 away from the plating tank 410. As shown in FIGS. As a result, the shielding member 482 moves to a position retracted from between the anode 430 and the substrate Wf. Further, when the flange 484 is pushed away from the plating tank 410, the flange 484 pushes the third roller 478, causing the link 474 to rotate counterclockwise. Then, one side of the link 474 sandwiching the rotating shaft 476 presses the second roller 475 toward the center of the shaft 448 . This causes follower 473 to move toward the center of shaft 448 .

図5は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。図6は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す上面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。図5および図6に示すように、基板ホルダ440が回転して所定の回転角度の範囲内にあるときに、円板カム462の突起462aが第1のローラ471を押圧し、これにより第1のローラ471はシャフト448の中心から遠ざかる方向に移動する。これにともない、フォロワ473はシャフト448の中心から遠ざかる方向に移動し、第2のローラ475がリンク474の回転軸476を挟んだ一方の側を押圧する。これによりリンク474は時計回りに回転し、第3のローラ478が押圧部材479の付勢力に抗してフランジ484をめっき槽410に近づく方向に押圧する。その結果、遮蔽部材482はアノード430と基板Wfとの間に押し出される。基板ホルダ440が所定の回転角度の範囲を超えて回転すると、図3および図4を用いて説明したように、遮蔽部材482はアノード430と基板Wfとの間から退避した位置に移動する。 FIG. 5 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shielding member has moved between the anode and the substrate. FIG. 6 is a top view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shielding member has moved between the anode and the substrate. As shown in FIGS. 5 and 6, when the substrate holder 440 rotates within a predetermined rotation angle range, the protrusion 462a of the disk cam 462 presses the first roller 471, thereby causing the first roller 471 to rotate. roller 471 moves away from the center of shaft 448 . Along with this, the follower 473 moves away from the center of the shaft 448 , and the second roller 475 presses one side of the link 474 across the rotating shaft 476 . As a result, the link 474 rotates clockwise, and the third roller 478 presses the flange 484 toward the plating tank 410 against the biasing force of the pressing member 479 . As a result, the shielding member 482 is pushed out between the anode 430 and the substrate Wf. When the substrate holder 440 rotates beyond the predetermined rotation angle range, the shielding member 482 moves to the retracted position from between the anode 430 and the substrate Wf, as described with reference to FIGS.

次に、基板の非パターン領域と遮蔽部材との関係について説明する。図7は、基板の非パターン領域と遮蔽部材との関係を示す上面図である。図7Aは、基板のパターン領域と非パターン領域とを示す上面図である。図7Bは、遮蔽部材が覆う基板の領域を示す上面図である。図7Aは、図5および図6に示したように基板ホルダ440が所定の回転角度の範囲内にある状態を基板Wfの被めっき面Wf-a側から見た図であり、遮蔽部材482は図示を省略している。図7Bは、図5および図6に示したように遮蔽部材482がアノード430と基板Wfとの間に押し出された状態を基板Wfの被めっき面Wf-a側から見た図である。 Next, the relationship between the non-pattern area of the substrate and the shielding member will be described. FIG. 7 is a top view showing the relationship between the non-pattern area of the substrate and the shielding member. FIG. 7A is a top view showing patterned and non-patterned areas of a substrate. FIG. 7B is a top view showing the area of the substrate covered by the shielding member. FIG. 7A is a view of the state in which the substrate holder 440 is within a predetermined rotation angle range as shown in FIGS. Illustration is omitted. FIG. 7B is a view of the shielding member 482 pushed out between the anode 430 and the substrate Wf as shown in FIGS. 5 and 6, viewed from the plating surface Wf-a of the substrate Wf.

図7Aに示すように、基板WfはノッチWf-n(切り欠き)を有する。基板Wfは、ノッチWf-nと円板カム462の突起462aとが、同じ回転角度になるように基板ホルダ440に設置される。また、基板Wfの被めっき面Wf-aは、回路などのパターンが形成されたパターン領域Wf-bと、ノッチWf-nの周囲の回路などのパターンが形成されない非パターン領域Wf-cと、を有する。図7Bに示すように、遮蔽機構460は、基板WfのノッチWf-nが所定角度範囲内に回転したときに遮蔽部材482をアノード430と基板WfのノッチWf-nとの間に押し出すように構成される。遮蔽部材482は、遮蔽機構460によってアノード430と基板WfのノッチWf-nとの間に押し出されたときにノッチWf-nおよびノッチWf-nの周囲の非パターン領域Wf-cを覆うように構成される。なお、本実施形態では、基板Wfの特定の部位として、ノッチWf-nまたは非パターン領域Wf-cを例に挙げて説明したが、基板Wfの特定の部位はこれらに限定されない。また、本実施形態では、ノッチWf-nの周囲の特定の領域として、非パターン領域Wf-cを例に挙げて説明したが、ノッチWf-nの周囲の特定の領域はこれに限定されない。 As shown in FIG. 7A, the substrate Wf has a notch Wf-n (notch). The substrate Wf is placed on the substrate holder 440 so that the notch Wf-n and the protrusion 462a of the disc cam 462 are at the same rotation angle. The surface to be plated Wf-a of the substrate Wf includes a pattern region Wf-b in which a pattern such as a circuit is formed, a non-pattern region Wf-c in which a pattern such as a circuit around the notch Wf-n is not formed, have As shown in FIG. 7B, the shielding mechanism 460 pushes the shielding member 482 between the anode 430 and the notch Wf-n of the substrate Wf when the notch Wf-n of the substrate Wf is rotated within a predetermined angle range. Configured. The shielding member 482 is pushed out between the anode 430 and the notch Wf-n of the substrate Wf by the shielding mechanism 460 so as to cover the notch Wf-n and the non-patterned area Wf-c around the notch Wf-n. Configured. In this embodiment, the notch Wf-n or the non-patterned area Wf-c has been described as an example of the specific portion of the substrate Wf, but the specific portion of the substrate Wf is not limited to these. Further, in the present embodiment, the non-patterned area Wf-c has been described as an example of the specific area around the notch Wf-n, but the specific area around the notch Wf-n is not limited to this.

本実施形態によれば、遮蔽部材482が常にアノード430と基板Wfとの間に配置されているのではなく、基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間に移動させる遮蔽機構460を備えている。したがって、遮蔽部材482によって覆うべき基板Wfの特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができる。例えば、基板Wfの特定の部位がノッチWf-nの周囲の非パターン領域Wf-cである場合には、ノッチWf-nおよびノッチWf-nの周囲の非パターン領域Wf-cを所望のタイミングで遮蔽することができる。非パターン領域Wf-cは、パターン領域W
f-bとは異なり基板Wfがむき出しになっているため、非パターン領域Wf-cに電界が集中し、その結果、パターン領域Wf-bのめっき膜厚が不均一になる場合がある。これに対して、本実施形態では、所望のタイミングで非パターン領域Wf-cを遮蔽部材482で覆うことができるので、非パターン領域Wf-cにおける電界集中を適切に抑制し、その結果、パターン領域Wf-bのめっき膜厚を均一化することができる。なお、本実施形態ではノッチWf-nおよびノッチWf-nの周囲の非パターン領域を遮蔽部材482によって覆う例を示したが、これに限定されず、基板Wfの特定の部位を所望のタイミングで覆うことができる。
According to the present embodiment, the shielding member 482 is not always arranged between the anode 430 and the substrate Wf, but rather the shielding member 482 is moved between the anode 430 and the substrate Wf depending on the rotation angle of the substrate holder 440 . It has a shielding mechanism 460 that moves to. Therefore, a specific portion of the substrate Wf to be covered by the shielding member 482 can be shielded at desired timing. For example, if the specific portion of the substrate Wf is the non-patterned area Wf-c around the notch Wf-n, the notch Wf-n and the non-patterned area Wf-c around the notch Wf-n are arranged at desired timings. can be shielded by The non-pattern area Wf-c is the pattern area W
Since the substrate Wf is exposed unlike fb, the electric field is concentrated in the non-pattern region Wf-c, and as a result, the plating film thickness in the pattern region Wf-b may become uneven. On the other hand, in the present embodiment, the non-pattern region Wf-c can be covered with the shielding member 482 at a desired timing, so that the electric field concentration in the non-pattern region Wf-c can be appropriately suppressed. The plating film thickness of the region Wf-b can be made uniform. In this embodiment, the notch Wf-n and the non-pattern area around the notch Wf-n are covered with the shielding member 482. However, the present invention is not limited to this. can be covered.

また、本実施形態では円板カム462の突起462aが1つ設けられる例を示したが、これに限定されず、例えば基板Wfの特定の部位が基板Wfの周方向に沿って複数存在する場合には、基板Wfの特定の部位の配置に応じて円板カム462の突起462aを複数設けてもよい。また、本実施形態では、1つの遮蔽機構460が設けられる例を示したが、これに限定されず、めっき槽410の周方向に沿って複数の遮蔽機構460を設けてもよい。これにより、基板Wfの特定の部位が異なる複数の所定の回転角度の範囲内にあるときに基板Wfの特定の部位を遮蔽部材482によって覆うことができる。例えばパターン領域Wf-bのめっき膜厚が均一になるように遮蔽機構460の数量および配置角度を調整してもよい。 Further, in the present embodiment, an example in which one projection 462a of the disc cam 462 is provided has been shown, but the present invention is not limited to this. , a plurality of protrusions 462a of the disk cam 462 may be provided according to the arrangement of specific portions of the substrate Wf. Also, in the present embodiment, an example in which one shielding mechanism 460 is provided has been shown, but the present invention is not limited to this, and a plurality of shielding mechanisms 460 may be provided along the circumferential direction of the plating bath 410 . Thereby, the specific portion of the substrate Wf can be covered with the shielding member 482 when the specific portion of the substrate Wf is within a plurality of different predetermined rotation angle ranges. For example, the number and arrangement angles of the shielding mechanisms 460 may be adjusted so that the plating film thickness of the pattern region Wf-b is uniform.

図8は、一実施形態の円板カムの構造を示す上面図である。上記の実施形態では、円板カム462が一体構成で作成される例を示したが、これに限定されない。図8に示すように、円板カム462は、基板ホルダ440(シールリングホルダ442)に取り付けられる本体部材463と、本体部材463に着脱可能に取り付けられる突起部材464と、を含んで構成されてもよい。図8に示すように、突起部材464は、第1の突起部材464-1と、第1の突起部材464-1とは形状が異なる第2の突起部材464-2と、を含む。図8の実施形態によれば、異なる種類の基板に対して突起部材464を交換することができる。第1の突起部材464-1と第2の突起部材464-2は突起サイズが異なるので、遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間に移動させる量を異ならせることができる。したがって、例えば基板Wfの特定の部位のサイズが異なる場合に、遮蔽機構460を交換したり円板カム462全体を交換したりするのではなく、突起部材464のみを交換すればよいので、複数種類の基板に対して迅速に対応することができる。 FIG. 8 is a top view showing the structure of the disk cam of one embodiment. In the above-described embodiment, an example in which the disc cam 462 is formed as an integral structure has been shown, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 8, the disk cam 462 includes a body member 463 attached to the substrate holder 440 (seal ring holder 442) and a projecting member 464 detachably attached to the body member 463. good too. As shown in FIG. 8, the projection member 464 includes a first projection member 464-1 and a second projection member 464-2 having a different shape from the first projection member 464-1. According to the embodiment of FIG. 8, the protruding members 464 can be interchanged for different types of substrates. Since the projection sizes of the first projecting member 464-1 and the second projecting member 464-2 are different, the amount of movement of the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf can be varied. Therefore, for example, when the size of a specific portion of the substrate Wf is different, it is sufficient to replace only the projecting member 464 instead of replacing the shielding mechanism 460 or the entire disk cam 462. It is possible to respond quickly to substrates of

次に、本実施形態のめっきモジュール400を用いためっき方法について説明する。図9は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。なお、以下のめっき方法は、円板カム462の本体部材463に対して突起部材464が取り付けられていない状態で開始されるものとする。 Next, a plating method using the plating module 400 of this embodiment will be described. FIG. 9 is a flow chart of a plating method using the plating module of one embodiment. It should be noted that the following plating method is started with the projecting member 464 not attached to the body member 463 of the disc cam 462 .

本実施形態のめっき方法においては、まず、異なる突起サイズを有する円板カム462の複数の突起部材(例えば第1の突起部材464-1と第2の突起部材464-2)のうち基板ホルダ440に保持される基板Wfの種類に対応する突起部材を選択して円板カム462の本体部材463に取り付ける(ステップ101)。ここでは第1の突起部材464-1が本体部材463に取り付けられたものとする。続いて、めっき方法は、基板ホルダ440に基板Wfを設置する(ステップ102)。ステップ102は、例えば被めっき面Wf-aを下方に向けた状態の基板Wfを図示していないロボットハンドなどによってシールリングホルダ442に置き、バックプレート444によって基板Wfの裏面を押圧することによって実行することができる。 In the plating method of the present embodiment, first, among the plurality of projecting members (for example, the first projecting member 464-1 and the second projecting member 464-2) of the disc cam 462 having different projecting sizes, the substrate holder 440 A projecting member corresponding to the type of the substrate Wf to be held is selected and attached to the body member 463 of the disc cam 462 (step 101). Here, it is assumed that the first projecting member 464-1 is attached to the body member 463. As shown in FIG. Subsequently, the plating method installs the substrate Wf on the substrate holder 440 (step 102). Step 102 is executed by, for example, placing the substrate Wf with the surface to be plated Wf-a facing downward on the seal ring holder 442 by a robot hand or the like (not shown) and pressing the back surface of the substrate Wf with the back plate 444. can do.

続いて、めっき方法は、昇降機構443によって基板ホルダ440をめっき槽410内に降下させる(降下ステップ103)。続いて、めっき方法は、回転機構447によって基板ホルダ440を回転させる(回転ステップ104)。 Subsequently, in the plating method, the substrate holder 440 is lowered into the plating bath 410 by the lifting mechanism 443 (lowering step 103). Subsequently, the plating method rotates the substrate holder 440 by the rotation mechanism 447 (rotation step 104).

めっき方法は、回転ステップ104による基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間に移動させる(遮蔽ステップ105)。遮蔽ステップ105は、遮蔽機構460によって実行することができる。遮蔽ステップ105の詳細は後述する。続いて、めっき方法は、回転ステップ104および遮蔽ステップ105を継続しながら、めっき槽410内に配置されたアノード430と基板ホルダ440に保持された基板Wfとの間に電圧を印加することによって被めっき面Wf-aにめっき処理を施す(めっきステップ106)。 The plating method moves the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf according to the rotation angle of the substrate holder 440 in the rotation step 104 (shielding step 105). Shielding step 105 may be performed by shielding mechanism 460 . Details of the shielding step 105 will be described later. Subsequently, the plating method continues with rotating step 104 and shielding step 105 by applying a voltage between anode 430 located in plating bath 410 and substrate Wf held on substrate holder 440 . The plating surface Wf-a is plated (plating step 106).

続いて、めっき方法は、めっき処理を終了すべきか否かを判定する(ステップ107)。めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過していないことによりめっき処理を終了すべきではないと判定した場合には(ステップ107,No)、回転ステップ106に戻って処理を継続する。 Subsequently, the plating method determines whether the plating process should be terminated (step 107). For example, when the plating method determines that the plating process should not be finished because the predetermined time has not elapsed since the plating process started (step 107, No), the process returns to the rotation step 106. continue.

一方、めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過したことによりめっき処理を終了すべきと判定した場合には(ステップ107,Yes)、回転機構447による基板ホルダ440の回転を停止する(ステップ108)。続いて、めっき方法は、昇降機構443によって基板ホルダ440を上昇させて(ステップ109)、めっき処理を終了する。 On the other hand, in the plating method, for example, when it is determined that the plating process should be finished because a predetermined time has elapsed since the start of the plating process (step 107, Yes), the substrate holder 440 is rotated by the rotation mechanism 447. Stop (step 108). Subsequently, in the plating method, the substrate holder 440 is lifted by the lift mechanism 443 (step 109), and the plating process ends.

次に、遮蔽ステップ105の詳細を説明する。図10は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における遮蔽ステップのフローチャートである。遮蔽ステップ105は、基板ホルダ440が所定の回転角度の範囲内にあるとき、具体的には基板WfのノッチWf-nが所定角度範囲内に回転したときに、基板ホルダ440に取り付けられた円板カム462の第1の突起部材464-1によってフォロワ473を基板ホルダ440から遠ざかる方向に移動させる(ステップ105-1)。 Next, the details of the shielding step 105 will be described. FIG. 10 is a flow chart of the shielding step in the plating method using the plating module of one embodiment. The shielding step 105 removes the circle attached to the substrate holder 440 when the substrate holder 440 is within a predetermined rotation angle range, specifically when the notch Wf-n of the substrate Wf is rotated within a predetermined angle range. The follower 473 is moved away from the substrate holder 440 by the first projecting member 464-1 of the plate cam 462 (step 105-1).

続いて、遮蔽ステップ105は、フォロワ473からの押圧に応じてリンク474を回転させて遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間、具体的にはアノード430と基板WfのノッチWf-nとの間に押し出す(ステップ105-2)。これにより、ノッチWf-nおよびノッチWf-nの周囲の非パターン領域Wf-cは遮蔽部材482によって覆われる。続いて、遮蔽ステップ105は、遮蔽部材482がアノード430と基板Wfとの間に押し出されていないとき、すなわち基板ホルダ440が所定の回転角度の範囲外に回転したときに、押圧部材479によって遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間から遠ざかる方向に押し戻す(ステップ105-3)。遮蔽ステップ105は、回転機構447によって基板ホルダ440を回転させている間は、ステップ105-1からステップ105-3を繰り返す。 Subsequently, in the shielding step 105, the link 474 is rotated in response to pressure from the follower 473 to move the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf, specifically between the anode 430 and the notch Wf-n of the substrate Wf. (step 105-2). As a result, the notch Wf-n and the non-patterned area Wf-c around the notch Wf-n are covered with the shielding member 482 . Subsequently, in the shielding step 105, the shielding member 482 is shielded by the pressing member 479 when the shielding member 482 is not pushed out between the anode 430 and the substrate Wf, that is, when the substrate holder 440 rotates outside the range of the predetermined rotation angle. The member 482 is pushed back away from between the anode 430 and the substrate Wf (step 105-3). The shielding step 105 repeats steps 105-1 to 105-3 while rotating the substrate holder 440 by the rotation mechanism 447. FIG.

本実施形態のめっき方法によれば、遮蔽部材482が常にアノード430と基板Wfとの間に配置されているのではなく、遮蔽ステップ105によって、基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材482をアノード430と基板Wfとの間に移動させる。したがって、遮蔽部材482によって覆うべき基板Wfの特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができる。 According to the plating method of the present embodiment, the shielding member 482 is not always placed between the anode 430 and the substrate Wf. It is moved between the anode 430 and the substrate Wf. Therefore, a specific portion of the substrate Wf to be covered by the shielding member 482 can be shielded at desired timing.

次に、めっきモジュール400の他の実施形態を説明する。図11は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。図12は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。図3~図10で示した実施形態と同様の構成については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。 Next, another embodiment of the plating module 400 will be described. FIG. 11 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shield member is retracted. FIG. 12 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shielding member has moved between the anode and the substrate. Configurations similar to those of the embodiment shown in FIGS. 3 to 10 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図11および図12に示すように、めっきモジュール400は、遮蔽部材481を移動させるための遮蔽機構485を備える。遮蔽機構485は、制御モジュール800から入力される基板ホルダ440の回転角度に関する情報に基づく指令信号に応じて動作するように構成される。具体的には、遮蔽機構485は、基板Wfの非パターン領域などの特定の部位が所定角度範囲外にあるときは、遮蔽部材481を、図11に示すようにアノード430と基板Wfとの間から離れた位置(以下、適宜「退避位置」という。)に移動させるように構成される。また、遮蔽機構485は、基板Wfの特定の部位が所定角度範囲内にあるときは、遮蔽部材481を、図12に示すようにアノード430と基板Wfとの間の位置(以下、適宜「遮蔽位置」という。)に移動させるように構成される。すなわち、遮蔽機構485は、基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材481を退避位置と遮蔽位置との間で直動させるように構成される。以下、遮蔽機構485の具体例を説明する。 As shown in FIGS. 11 and 12, plating module 400 includes shielding mechanism 485 for moving shielding member 481 . The shielding mechanism 485 is configured to operate in accordance with a command signal based on information regarding the rotation angle of the substrate holder 440 input from the control module 800 . Specifically, the shielding mechanism 485 moves the shielding member 481 between the anode 430 and the substrate Wf as shown in FIG. It is configured to move to a position away from (hereinafter referred to as "retracted position" as appropriate). 12, the shielding mechanism 485 moves the shielding member 481 to a position between the anode 430 and the substrate Wf (hereafter referred to position”). That is, the shielding mechanism 485 is configured to linearly move the shielding member 481 between the retracted position and the shielding position according to the rotation angle of the substrate holder 440 . A specific example of the shielding mechanism 485 will be described below.

図13は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。図14は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。図15は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す平面図である。図15(a)は、遮蔽部材481が退避位置にある状態を示しており、図15(b)は、遮蔽部材481が遮蔽位置にある状態を示している。 FIG. 13 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. FIG. 14 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. FIG. 15 is a plan view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 15(a) shows the shielding member 481 at the retracted position, and FIG. 15(b) shows the shielding member 481 at the shielding position.

図13~図15に示すように、遮蔽機構485は、カム部材487と、カム部材487を回転させるように構成された回転駆動機構486と、カム部材487の回転に伴って遮蔽部材481を遮蔽位置と退避位置との間で直動させるように構成された従動部材488と、を備える。回転駆動機構486は、例えば回転モータなどの公知の機構によって実現することができる。 As shown in FIGS. 13 to 15, the shielding mechanism 485 includes a cam member 487, a rotation drive mechanism 486 configured to rotate the cam member 487, and a shielding member 481 as the cam member 487 rotates. a driven member 488 configured to translate between a position and a retracted position. The rotary drive mechanism 486 can be implemented by a known mechanism such as a rotary motor.

カム部材487は、回転駆動機構486によって回転するように構成されたカム本体487bと、カム本体487bに取り付けられたロータ487aと、を有する。ロータ487aは、回転駆動機構486の回転軸に対して偏心した位置でカム本体487bに取り付けられている。 The cam member 487 has a cam body 487b configured to be rotated by the rotary drive mechanism 486 and a rotor 487a attached to the cam body 487b. The rotor 487a is attached to the cam body 487b at a position eccentric to the rotating shaft of the rotary drive mechanism 486. As shown in FIG.

従動部材488は、台座490-1上に配置された従動スライダ489と、従動スライダ489を案内するように構成された直動ガイド490-2を備える。台座490-1の上面には、遮蔽部材481の遮蔽位置と退避位置との間の直動方向と同じ方向に沿って溝490-1aが形成されている。従動スライダ489は、溝490-1aに配置された直動ガイド490-2を介して台座490-1上に配置されている。直動ガイド490-2は、従動スライダ489を溝490-1aに沿って案内するように構成されている。これにより、従動スライダ489は、溝490-1aの方向に往復移動可能になっている。従動スライダ489は、カム部材487を挟んで回転駆動機構486と対向して配置されている。従動スライダ489の回転駆動機構486との対向面には、鉛直方向に沿ってカム溝489aが形成されている。カム溝489aにはカム部材487のロータ487aが嵌め込まれている。遮蔽部材481は、鉛直方向に伸びる板状のブラケット483を介して従動スライダ489に取り付けられている。 The driven member 488 includes a driven slider 489 arranged on a pedestal 490-1 and a linear guide 490-2 configured to guide the driven slider 489. As shown in FIG. A groove 490-1a is formed in the upper surface of the pedestal 490-1 along the same direction as the linear movement direction between the shielding position and the retracted position of the shielding member 481. As shown in FIG. The driven slider 489 is arranged on the pedestal 490-1 via a linear motion guide 490-2 arranged in the groove 490-1a. Linear guide 490-2 is configured to guide driven slider 489 along groove 490-1a. This allows the driven slider 489 to reciprocate in the direction of the groove 490-1a. The driven slider 489 is arranged to face the rotary drive mechanism 486 with the cam member 487 interposed therebetween. A cam groove 489 a is formed along the vertical direction on the surface of the driven slider 489 facing the rotation drive mechanism 486 . A rotor 487a of the cam member 487 is fitted in the cam groove 489a. The shielding member 481 is attached to the driven slider 489 via a plate-shaped bracket 483 extending in the vertical direction.

回転駆動機構486がカム部材487(カム本体487b)を回転させると、ロータ487aは回転駆動機構486の回転軸のまわりに回転する。このときロータ487aはカム溝489aの側面を押圧する。これにより、従動スライダ489は、溝490-1aに沿って移動する。図13および図14に示す状態(退避位置)からカム部材487を半回転(180°回転)させると、従動スライダ489は遮蔽部材481を遮蔽位置へ移動させる。この状態からカム部材487をさらに半回転(180°回転)させると、従動スライダ489は遮蔽部材481を退避位置へ移動させる。すなわち、従動スライダ489は
、カム部材487の回転に伴って溝490-1aに沿って往復運動することによって、遮蔽部材481を遮蔽位置と退避位置との間で直動させることができる。
When the rotary drive mechanism 486 rotates the cam member 487 (cam main body 487b), the rotor 487a rotates around the rotary shaft of the rotary drive mechanism 486. As shown in FIG. At this time, the rotor 487a presses the side surface of the cam groove 489a. As a result, the driven slider 489 moves along the groove 490-1a. When the cam member 487 is rotated by half (180°) from the state (retracted position) shown in FIGS. 13 and 14, the driven slider 489 moves the shielding member 481 to the shielding position. When the cam member 487 is further rotated by half (180°) from this state, the driven slider 489 moves the shielding member 481 to the retracted position. That is, the driven slider 489 reciprocates along the groove 490-1a as the cam member 487 rotates, thereby allowing the shielding member 481 to linearly move between the shielding position and the retracted position.

回転駆動機構486は、基板ホルダ440の回転角度に応じてカム部材487を回転させるように構成されている。すなわち、上述の実施形態と同様に、回転駆動機構486は、例えば基板Wfの非パターン領域などの特定の部位が所定角度範囲内に回転したときに遮蔽部材481を遮蔽位置に押し出すようにカム部材487を回転させることができる。これにより、基板Wfの非パターン領域などの特定の部位を遮蔽部材481で覆うことができる。また、回転駆動機構486は、非パターン領域が所定角度範囲外に回転したときに遮蔽部材481を退避位置に戻すようにカム部材487を回転させることができる。本実施形態によれば、常に非パターン領域を遮蔽部材481で覆うのではなく、所望のタイミングで非パターン領域を遮蔽部材481で覆うことができるので、非パターン領域における電界集中を適切に抑制し、その結果、パターン領域のめっき膜厚を均一化することができる。 The rotation drive mechanism 486 is configured to rotate the cam member 487 according to the rotation angle of the substrate holder 440 . That is, as in the above-described embodiment, the rotation drive mechanism 486 is a cam member that pushes the shielding member 481 to the shielding position when a specific portion such as a non-patterned area of the substrate Wf is rotated within a predetermined angular range. 487 can be rotated. Thereby, a specific portion such as a non-pattern area of the substrate Wf can be covered with the shielding member 481 . Further, the rotation drive mechanism 486 can rotate the cam member 487 so as to return the shielding member 481 to the retracted position when the non-pattern area rotates outside the predetermined angular range. According to this embodiment, the non-pattern area is not always covered with the shielding member 481, but the non-pattern area can be covered with the shielding member 481 at a desired timing. As a result, the plating film thickness in the pattern area can be made uniform.

また、図15等に示すように、遮蔽部材481は、円板形状の基板Wfの周縁部の一部に対応する円弧形状を有するマスク部材481aを有する。非パターン領域は基板Wfの周縁部に円弧状に形成される場合があるので、円弧形状のマスク部材481aを用いて基板Wfの非パターン領域を覆うことによって、非パターン領域のみを適切に覆うことができる。この点は以下の実施形態でも同様である。 Further, as shown in FIG. 15 and the like, the shielding member 481 has a mask member 481a having an arc shape corresponding to a part of the peripheral portion of the disk-shaped substrate Wf. Since the non-patterned area may be formed in an arcuate shape at the peripheral edge of the substrate Wf, only the non-patterned area is adequately covered by covering the non-patterned area of the substrate Wf using the arc-shaped mask member 481a. can be done. This point also applies to the following embodiments.

図16は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。図17は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。図18は、一実施形態の遮蔽機構の一部の構成を模式的に示す斜視図である。図19は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す平面図である。図19(a)は、遮蔽部材481が退避位置にある状態を示しており、図19(b)は、遮蔽部材481が遮蔽位置にある状態を示している。 FIG. 16 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. FIG. 17 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. FIG. 18 is a perspective view schematically showing the configuration of part of the shielding mechanism of one embodiment. FIG. 19 is a plan view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 19(a) shows the shielding member 481 at the retracted position, and FIG. 19(b) shows the shielding member 481 at the shielding position.

図16~図19に示すように、遮蔽機構485は、第1のプーリ492-1および第2のプーリ492-2に巻き付けられたベルト492と、第1のプーリ492-1を回転させることによってベルト492を回転させるように構成された回転駆動機構491と、を備える。回転駆動機構491は、例えば回転モータなどの公知の機構によって実現することができる。また、遮蔽機構485は、第2のプーリ492-2に連結されたカム部材の一形態である偏心カム部材493を備える。偏心カム部材493は、第2のプーリ492-2の回転に伴って回転軸493aのまわりに回転するように構成されている。遮蔽機構485は、偏心カム部材493の突起493bに押圧されることに応じて遮蔽部材481を遮蔽位置に押し出すように構成された従動部材の一形態である従動カム部材494を備える。具体的には、従動カム部材494にはブラケット495-1が取り付けられており、ブラケット495-1には水平方向に伸びるシャフト495-2が取り付けられている。シャフト495には直動ガイド496が取り付けられている。遮蔽部材481は、鉛直方向に伸びる板状のブラケット483を介してシャフト495に取り付けられている。 As shown in FIGS. 16-19, the shielding mechanism 485 is configured by rotating the belt 492 wrapped around the first pulley 492-1 and the second pulley 492-2 and the first pulley 492-1. and a rotary drive mechanism 491 configured to rotate the belt 492 . The rotation drive mechanism 491 can be implemented by a known mechanism such as a rotary motor. Shielding mechanism 485 also includes an eccentric cam member 493, which is one form of cam member, coupled to second pulley 492-2. The eccentric cam member 493 is configured to rotate around a rotating shaft 493a as the second pulley 492-2 rotates. The shielding mechanism 485 includes a driven cam member 494, which is one form of a driven member configured to push the shielding member 481 to the shielding position in response to being pressed by the protrusion 493b of the eccentric cam member 493. Specifically, a bracket 495-1 is attached to the driven cam member 494, and a horizontally extending shaft 495-2 is attached to the bracket 495-1. A linear motion guide 496 is attached to the shaft 495 . The shielding member 481 is attached to the shaft 495 via a plate-like bracket 483 extending vertically.

これにより、図19(b)に示すように、偏心カム部材493が回転して従動カム部材494が偏心カム部材493の突起493bによって第1の方向に押圧されると、シャフト495およびブラケット483を介して遮蔽部材481が遮蔽位置に押し出される。一方、従動カム部材494は、偏心カム部材493の突起493bによって押圧されていないときには、第1の方向とは反対の第2の方向に押し戻されるように構成されている。これにより、図19(a)に示すように、偏心カム部材493がさらに回転して偏心カム部材493の突起493bによる従動カム部材494の押圧が解除されれば、遮蔽部材481が退避位置に押し戻される。 As a result, as shown in FIG. 19B, when the eccentric cam member 493 rotates and the driven cam member 494 is pressed in the first direction by the protrusion 493b of the eccentric cam member 493, the shaft 495 and the bracket 483 are moved. The shielding member 481 is pushed out to the shielding position through. On the other hand, the driven cam member 494 is configured to be pushed back in the second direction opposite to the first direction when not pressed by the projection 493b of the eccentric cam member 493. As shown in FIG. As a result, as shown in FIG. 19(a), when the eccentric cam member 493 is further rotated and the pressure of the driven cam member 494 by the projection 493b of the eccentric cam member 493 is released, the shielding member 481 is pushed back to the retracted position. be

回転駆動機構491は、基板ホルダ440の回転角度に応じて第1のプーリ492-1を回転させるように構成されている。すなわち、上述の実施形態と同様に、回転駆動機構491は、例えば基板Wfの非パターン領域などの特定の部位が所定角度範囲内に回転したときに遮蔽部材481を遮蔽位置に押し出すように第1のプーリ492-1を回転させることができる。これにより、基板Wfの非パターン領域などの特定の部位を遮蔽部材481で覆うことができる。また、回転駆動機構491は、非パターン領域が所定角度範囲外に回転したときに遮蔽部材481が退避位置に戻るように第1のプーリ492-1を回転させることができる。本実施形態によれば、常に非パターン領域を遮蔽部材481で覆うのではなく、所望のタイミングで非パターン領域を遮蔽部材481で覆うことができるので、非パターン領域における電界集中を適切に抑制し、その結果、パターン領域のめっき膜厚を均一化することができる。 The rotation drive mechanism 491 is configured to rotate the first pulley 492 - 1 according to the rotation angle of the substrate holder 440 . That is, as in the above-described embodiments, the rotation drive mechanism 491 is configured to push the shielding member 481 to the shielding position when a specific portion such as a non-patterned area of the substrate Wf is rotated within a predetermined angular range. pulley 492-1 can be rotated. Thereby, a specific portion such as a non-pattern area of the substrate Wf can be covered with the shielding member 481 . Further, the rotation driving mechanism 491 can rotate the first pulley 492-1 so that the shielding member 481 returns to the retracted position when the non-pattern area rotates outside the predetermined angular range. According to this embodiment, the non-pattern area is not always covered with the shielding member 481, but the non-pattern area can be covered with the shielding member 481 at a desired timing. As a result, the plating film thickness in the pattern area can be made uniform.

図20は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す斜視図である。図21は、一実施形態の遮蔽機構の構成を模式的に示す平面図である。図21(a)は、遮蔽部材481が退避位置にある状態を示しており、図21(b)は、遮蔽部材481が遮蔽位置にある状態を示している。 FIG. 20 is a perspective view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. FIG. 21 is a plan view schematically showing the configuration of the shielding mechanism of one embodiment. 21(a) shows the shielding member 481 at the retracted position, and FIG. 21(b) shows the shielding member 481 at the shielding position.

図20および図21に示すように、遮蔽機構485は、遮蔽部材481を遮蔽位置と退避位置との間で直動させるように構成された直動駆動機構497を備える。具体的には、直動駆動機構497は、直動駆動機構497の駆動に応じて水平方向に往復運動するように構成されたスライダ497aを備える。遮蔽部材481は、鉛直方向に伸びる板状のブラケット483を介してスライダ497aに取り付けられている。直動駆動機構497を駆動することによって遮蔽部材481を遮蔽位置と退避位置との間で直動させることができる。直動駆動機構497は、例えば直動モータなどの公知の機構によって実現することができる。 As shown in FIGS. 20 and 21, the shielding mechanism 485 includes a direct drive mechanism 497 configured to linearly move the shielding member 481 between the shielding position and the retracted position. Specifically, the linear drive mechanism 497 includes a slider 497a configured to horizontally reciprocate in accordance with the drive of the linear drive mechanism 497. As shown in FIG. The shielding member 481 is attached to the slider 497a via a plate-shaped bracket 483 extending in the vertical direction. By driving the direct drive mechanism 497, the shielding member 481 can be linearly moved between the shielding position and the retracted position. The linear drive mechanism 497 can be implemented by a known mechanism such as a linear motor.

直動駆動機構497は、基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材481を遮蔽位置と退避位置との間で直動させるように構成される。すなわち、上述の実施形態と同様に、直動駆動機構497は、例えば基板Wfの非パターン領域などの特定の部位が所定角度範囲内に回転したときに遮蔽部材481を遮蔽位置に押し出すように構成される。これにより、基板Wfの非パターン領域などの特定の部位を遮蔽部材481で覆うことができる。また、直動駆動機構497は、非パターン領域が所定角度範囲外に回転したときに遮蔽部材481が退避位置に戻すように構成される。本実施形態によれば、常に非パターン領域を遮蔽部材481で覆うのではなく、所望のタイミングで非パターン領域を遮蔽部材481で覆うことができるので、非パターン領域における電界集中を適切に抑制し、その結果、パターン領域のめっき膜厚を均一化することができる。 The linear drive mechanism 497 is configured to linearly move the shielding member 481 between the shielding position and the retracted position according to the rotation angle of the substrate holder 440 . That is, as in the above-described embodiment, the direct drive mechanism 497 is configured to push the shielding member 481 to the shielding position when a specific portion such as a non-patterned area of the substrate Wf is rotated within a predetermined angular range. be done. Thereby, a specific portion such as a non-pattern area of the substrate Wf can be covered with the shielding member 481 . Further, the direct drive mechanism 497 is configured to return the shielding member 481 to the retracted position when the non-pattern area rotates outside the predetermined angular range. According to this embodiment, the non-pattern area is not always covered with the shielding member 481, but the non-pattern area can be covered with the shielding member 481 at a desired timing. As a result, the plating film thickness in the pattern area can be made uniform.

次に、図11~図21に示しためっきモジュール400を用いためっき方法について説明する。図22は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。 Next, a plating method using the plating module 400 shown in FIGS. 11 to 21 will be described. FIG. 22 is a flow chart of a plating method using the plating module of one embodiment.

本実施形態のめっき方法においては、まず、基板ホルダ440に基板Wfを設置する(ステップ201)。ステップ201は、例えば被めっき面Wf-aを下方に向けた状態の基板Wfを図示していないロボットハンドなどによってシールリングホルダ442に置き、バックプレート444によって基板Wfの裏面を押圧することによって実行することができる。 In the plating method of this embodiment, first, the substrate Wf is placed on the substrate holder 440 (step 201). Step 201 is executed by, for example, placing the substrate Wf with the surface to be plated Wf-a facing downward on the seal ring holder 442 by a robot hand or the like (not shown) and pressing the back surface of the substrate Wf by the back plate 444. can do.

続いて、めっき方法は、昇降機構443によって基板ホルダ440をめっき槽410内に降下させる(降下ステップ202)。続いて、めっき方法は、回転機構447によって基板ホルダ440を回転させる(回転ステップ203)。 Subsequently, in the plating method, the substrate holder 440 is lowered into the plating tank 410 by the lifting mechanism 443 (lowering step 202). Subsequently, the plating method rotates the substrate holder 440 by the rotation mechanism 447 (rotation step 203).

めっき方法は、回転ステップ203による基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材481をアノード430と基板Wfとの間に移動させる(遮蔽ステップ204)。遮蔽ステップ204は、遮蔽機構485によって実行することができる。遮蔽ステップ204の詳細は後述する。続いて、めっき方法は、回転ステップ203および遮蔽ステップ204を継続しながら、めっき槽410内に配置されたアノード430と基板ホルダ440に保持された基板Wfとの間に電圧を印加することによって被めっき面Wf-aにめっき処理を施す(めっきステップ205)。なお、本実施例でのめっき処理(めっきステップ205)は、めっき槽410内のめっき液に基板が浸漬された後にめっき処理を行っているが、めっき処理(めっきステップ205)はめっき槽410内のめっき液に基板の少なくとも一部が浸漬された時点から行っても良い。 The plating method moves the shielding member 481 between the anode 430 and the substrate Wf according to the rotation angle of the substrate holder 440 in the rotation step 203 (shielding step 204). Shielding step 204 may be performed by shielding mechanism 485 . Details of the shielding step 204 will be described later. Subsequently, the plating method continues with rotating step 203 and shielding step 204 by applying a voltage between anode 430 located in plating bath 410 and substrate Wf held on substrate holder 440 . The plating surface Wf-a is plated (plating step 205). In this embodiment, the plating process (plating step 205) is performed after the substrate is immersed in the plating solution in the plating bath 410. may be performed from the time when at least a part of the substrate is immersed in the plating solution.

続いて、めっき方法は、めっき処理を終了すべきか否かを判定する(ステップ206)。めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過していないことによりめっき処理を終了すべきではないと判定した場合には(ステップ206,No)、めっきステップ205に戻って処理を継続する。 The plating method then determines whether the plating process should end (step 206). For example, when the plating method determines that the plating process should not be finished because the predetermined time has not elapsed since the plating process started (step 206, No), the process returns to the plating step 205. continue.

一方、めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過したことによりめっき処理を終了すべきと判定した場合には(ステップ206,Yes)、回転機構447による基板ホルダ440の回転を停止する(ステップ207)。続いて、めっき方法は、昇降機構443によって基板ホルダ440を上昇させて(ステップ208)、めっき処理を終了する。 On the other hand, in the plating method, for example, when it is determined that the plating process should be finished because a predetermined time has passed since the start of the plating process (step 206, Yes), the substrate holder 440 is rotated by the rotation mechanism 447. Stop (step 207). Subsequently, in the plating method, the substrate holder 440 is lifted by the lift mechanism 443 (step 208), and the plating process ends.

次に、遮蔽ステップ204の詳細を説明する。図23は、図13~図15の実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における遮蔽ステップのフローチャートである。基板Wfの非パターン領域が所定の回転角度の範囲外にあるときには、回転駆動機構486は停止しており、図15(a)に示すように遮蔽部材481は退避位置にあるものとする。遮蔽ステップ204は、基板Wfの非パターン領域が所定角度範囲内に回転したら、回転駆動機構486を用いてカム部材487を回転させる(ステップ204-1)。 Next, the details of the shielding step 204 will be described. FIG. 23 is a flow chart of the shielding step in the plating method using the plating module of the embodiment of FIGS. 13-15. It is assumed that when the non-patterned area of the substrate Wf is outside the range of the predetermined rotation angle, the rotation driving mechanism 486 is stopped and the shielding member 481 is at the retracted position as shown in FIG. 15(a). The shielding step 204 rotates the cam member 487 using the rotation driving mechanism 486 when the non-patterned area of the substrate Wf rotates within a predetermined angular range (step 204-1).

これにより、遮蔽ステップ204は、カム部材487の回転に伴ってロータ487aがカム溝489aの側面を押圧することにより、図15(b)に示すように、従動スライダ489を第1の方向に移動させて遮蔽部材481を遮蔽位置に押し出す(ステップ204-2)。これにより、基板Wfの非パターン領域は遮蔽部材481によって覆われる。続いて、遮蔽ステップ204は、カム部材487を図15(b)に示す状態からさらに回転させることにより、図15(a)に示すように従動スライダ489を第1の方向とは反対の第2の方向に移動させて遮蔽部材481を退避位置に押し戻す(ステップ204-3)。遮蔽ステップ204は、回転機構447によって基板ホルダ440を回転させている間は、ステップ204-1からステップ204-3を繰り返す。なお、説明の便宜上、ステップ204-2とステップ204-3を別ステップとしたが、これらの2つのステップはカム部材487を一回転(360°回転)させることによって実現される。また、回転駆動機構486の回転速度は、基板ホルダ440が所定の回転角度の範囲外に回転したときに遮蔽部材481が退避位置に押し戻されるように調整されている。 As a result, the shielding step 204 moves the driven slider 489 in the first direction as shown in FIG. to push the shielding member 481 to the shielding position (step 204-2). Thereby, the non-pattern area of the substrate Wf is covered with the shielding member 481 . Subsequently, the shielding step 204 further rotates the cam member 487 from the state shown in FIG. 15(b) to move the driven slider 489 to the second direction opposite to the first direction as shown in FIG. 15(a). direction to push back the shielding member 481 to the retracted position (step 204-3). The shielding step 204 repeats steps 204-1 to 204-3 while rotating the substrate holder 440 by the rotation mechanism 447. FIG. Although steps 204-2 and 204-3 are separate steps for convenience of explanation, these two steps are realized by rotating the cam member 487 once (360°). Further, the rotation speed of the rotation drive mechanism 486 is adjusted so that the shielding member 481 is pushed back to the retracted position when the substrate holder 440 rotates out of the range of the predetermined rotation angle.

本実施形態のめっき方法によれば、遮蔽部材481が常に遮蔽位置に配置されているのではなく、遮蔽ステップ204によって、基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材481を遮蔽位置に移動させる。したがって、遮蔽部材481によって覆うべき基板Wfの特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができる。 According to the plating method of the present embodiment, the shielding member 481 is not always placed at the shielding position, but the shielding step 204 moves the shielding member 481 to the shielding position according to the rotation angle of the substrate holder 440 . Therefore, a specific portion of the substrate Wf to be covered by the shielding member 481 can be shielded at desired timing.

図24は、図16~図19の実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における
遮蔽ステップのフローチャートである。基板Wfの非パターン領域が所定の回転角度の範囲外にあるときには、回転駆動機構491は停止しており、図19(a)に示すように遮蔽部材481は退避位置にあるものとする。遮蔽ステップ204は、基板Wfの非パターン領域が所定角度範囲内に回転したら、回転駆動機構491を用いて第1のプーリ492-1を回転させることにより偏心カム部材493を回転させる(ステップ204-4)。
FIG. 24 is a flow chart of the shielding step in the plating method using the plating module of the embodiment of FIGS. 16-19. It is assumed that when the non-patterned area of the substrate Wf is outside the range of the predetermined rotation angle, the rotation drive mechanism 491 is stopped and the shielding member 481 is at the retracted position as shown in FIG. 19(a). The shielding step 204 rotates the eccentric cam member 493 by rotating the first pulley 492-1 using the rotation drive mechanism 491 when the non-patterned area of the substrate Wf rotates within the predetermined angle range (step 204- 4).

これにより、遮蔽ステップ204は、偏心カム部材493の突起493bが従動カム部材494を第1の方向に押圧して移動させることにより、図19(b)に示すように、遮蔽部材481を遮蔽位置に押し出す(ステップ204-5)。これにより、基板Wfの非パターン領域は遮蔽部材481によって覆われる。続いて、遮蔽ステップ204は、偏心カム部材493を図19(b)に示す状態からさらに回転させることにより、突起493bによる従動カム部材494の押圧を解除して従動スライダ489を第1の方向とは反対の第2の方向へ移動させて、遮蔽部材481を図19(a)に示す退避位置に押し戻す(ステップ204-6)。遮蔽ステップ204は、回転機構447によって基板ホルダ440を回転させている間は、ステップ204-4からステップ204-6を繰り返す。なお、説明の便宜上、ステップ204-5とステップ204-6を別ステップとしたが、これらの2つのステップは偏心カム部材493の一回転(360°回転)によって実現される。また、回転駆動機構491の回転速度は、基板ホルダ440が所定の回転角度の範囲外に回転したときに遮蔽部材481が退避位置に押し戻されるように調整されている。 As a result, the shielding step 204 moves the shielding member 481 to the shielding position as shown in FIG. (step 204-5). Thereby, the non-pattern area of the substrate Wf is covered with the shielding member 481 . Subsequently, the shielding step 204 further rotates the eccentric cam member 493 from the state shown in FIG. moves in the opposite second direction to push the shielding member 481 back to the retracted position shown in FIG. 19(a) (step 204-6). The shielding step 204 repeats steps 204-4 to 204-6 while rotating the substrate holder 440 by the rotating mechanism 447. FIG. Although steps 204-5 and 204-6 are separate steps for convenience of explanation, these two steps are realized by one rotation (360° rotation) of the eccentric cam member 493. FIG. Further, the rotation speed of the rotation drive mechanism 491 is adjusted so that the shielding member 481 is pushed back to the retracted position when the substrate holder 440 rotates out of the range of the predetermined rotation angle.

本実施形態のめっき方法によれば、遮蔽部材481が常に遮蔽位置に配置されているのではなく、遮蔽ステップ204によって、基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材481を遮蔽位置に移動させる。したがって、遮蔽部材481によって覆うべき基板Wfの特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができる。 According to the plating method of the present embodiment, the shielding member 481 is not always placed at the shielding position, but the shielding step 204 moves the shielding member 481 to the shielding position according to the rotation angle of the substrate holder 440 . Therefore, a specific portion of the substrate Wf to be covered by the shielding member 481 can be shielded at desired timing.

図25は、図20および図21の実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における遮蔽ステップのフローチャートである。基板Wfの非パターン領域が所定の回転角度の範囲外にあるときには、直動駆動機構497は停止しており、図21(a)に示すように遮蔽部材481は退避位置にあるものとする。遮蔽ステップ204は、基板Wfの非パターン領域が所定角度範囲内に回転したら、直動駆動機構497を駆動する(ステップ204-7)。 FIG. 25 is a flowchart of a shielding step in a plating method using the plating module of the embodiment of FIGS. 20 and 21; It is assumed that when the non-patterned area of the substrate Wf is outside the range of the predetermined rotation angle, the direct drive mechanism 497 is stopped and the shielding member 481 is at the retracted position as shown in FIG. 21(a). The shielding step 204 drives the direct drive mechanism 497 when the non-patterned area of the substrate Wf rotates within a predetermined angular range (step 204-7).

これにより、遮蔽ステップ204は、スライダ497aを第1の方向に移動させることにより、図21(b)に示すように、遮蔽部材481を遮蔽位置に押し出す(ステップ204-8)。これにより、基板Wfの非パターン領域は遮蔽部材481によって覆われる。続いて、遮蔽ステップ204は、直動駆動機構497をさらに駆動してスライダ497aを第1の方向とは反対の第2の方向に移動させることにより、遮蔽部材481を図21(a)に示す退避位置に押し戻す(ステップ204-9)。遮蔽ステップ204は、回転機構447によって基板ホルダ440を回転させている間は、ステップ204-7からステップ204-9を繰り返す。また、直動駆動機構497の駆動速度は、基板ホルダ440が所定の回転角度の範囲外に回転したときに遮蔽部材481が退避位置に押し戻されるように調整されている。 As a result, the shielding step 204 pushes the shielding member 481 to the shielding position by moving the slider 497a in the first direction, as shown in FIG. 21(b) (step 204-8). Thereby, the non-pattern area of the substrate Wf is covered with the shielding member 481 . Subsequently, the shielding step 204 moves the shielding member 481 as shown in FIG. It is pushed back to the retracted position (step 204-9). The shielding step 204 repeats steps 204-7 to 204-9 while rotating the substrate holder 440 by the rotating mechanism 447. FIG. Further, the drive speed of the direct drive mechanism 497 is adjusted so that the shielding member 481 is pushed back to the retracted position when the substrate holder 440 rotates out of the range of the predetermined rotation angle.

本実施形態のめっき方法によれば、遮蔽部材481が常に遮蔽位置に配置されているのではなく、遮蔽ステップ204によって、基板ホルダ440の回転角度に応じて遮蔽部材481を遮蔽位置に移動させる。したがって、遮蔽部材481によって覆うべき基板Wfの特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができる。 According to the plating method of the present embodiment, the shielding member 481 is not always placed at the shielding position, but the shielding step 204 moves the shielding member 481 to the shielding position according to the rotation angle of the substrate holder 440 . Therefore, a specific portion of the substrate Wf to be covered by the shielding member 481 can be shielded at desired timing.

次に、めっきモジュール400の他の実施形態を説明する。図26は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。図3~図25で示した実施形態と
同様の構成については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
Next, another embodiment of the plating module 400 will be described. FIG. 26 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment. Configurations similar to those of the embodiments shown in FIGS. 3 to 25 are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

図26に示すように、めっきモジュール400は、基板Wfのめっき膜厚を測定するように構成された膜厚センサ498と、膜厚センサ498によって測定された基板Wfのめっき膜厚に基づいて遮蔽部材481を遮蔽位置に移動させるように構成された遮蔽機構499と、を備える。遮蔽機構499は、制御モジュール800から入力される基板Wfのめっき膜厚に関する情報に基づく指令信号に応じて動作するように構成される。遮蔽機構499は、図13~図21で示した遮蔽機構485のいずれかと同様の構造を有し得る。 As shown in FIG. 26, the plating module 400 includes a film thickness sensor 498 configured to measure the plating thickness of the substrate Wf and a shielding sensor 498 based on the plating thickness of the substrate Wf measured by the thickness sensor 498. a shielding mechanism 499 configured to move the member 481 to the shielding position. The shielding mechanism 499 is configured to operate according to a command signal based on information about the plating film thickness of the substrate Wf input from the control module 800 . The shielding mechanism 499 can have a structure similar to any of the shielding mechanisms 485 shown in FIGS. 13-21.

膜厚センサ498は、基板Wfの被めっき面の周縁部のめっき膜厚を測定するように構成されている。膜厚センサ498は、基板Wfの周縁部に対向配置されるように抵抗体450に取り付けられている。膜厚センサ498は、基板Wfが一回転する間に周縁部を走査してめっき膜厚を測定することができる。ただし、膜厚センサ498は、基板Wfの被めっき面の全体のめっき膜厚を測定するように構成されていてもよい。膜厚センサ498は、一例として、膜厚センサ498と基板Wf(めっき膜)との距離を計測する距離センサ、または基板Wfの被めっき面の変位を計測する変位センサを採用することができる。また、膜厚センサ498としては、めっき膜厚の形成速度を推定するためのセンサが採用されてもよい。膜厚センサ498としては、例えば、白色共焦点式などの光学センサ、電位センサ、磁場センサ、または渦電流式センサを用いることができる。 The film thickness sensor 498 is configured to measure the plating film thickness of the peripheral portion of the surface to be plated of the substrate Wf. The film thickness sensor 498 is attached to the resistor 450 so as to face the peripheral edge of the substrate Wf. The film thickness sensor 498 can measure the plating film thickness by scanning the periphery while the substrate Wf rotates once. However, the film thickness sensor 498 may be configured to measure the plating film thickness of the entire plating surface of the substrate Wf. For the film thickness sensor 498, for example, a distance sensor that measures the distance between the film thickness sensor 498 and the substrate Wf (plating film) or a displacement sensor that measures the displacement of the plated surface of the substrate Wf can be employed. Further, as the film thickness sensor 498, a sensor for estimating the forming speed of the plating film thickness may be adopted. Film thickness sensor 498 may be, for example, an optical sensor such as a white confocal sensor, an electric potential sensor, a magnetic field sensor, or an eddy current sensor.

遮蔽機構499は、基板Wfの周縁部のめっき膜厚が均一になるように遮蔽部材481を退避位置と遮蔽位置との間で直動させるように構成される。具体的には、遮蔽機構499は、基板Wfの周縁部のめっき膜厚の分布において他の領域と比べてめっき膜厚が厚い領域がある場合には、めっき膜厚が厚い領域が所定角度範囲外にあるときに遮蔽部材481を退避位置に移動させるように構成される。また、遮蔽機構499は、めっき膜厚が厚い領域が所定角度範囲内にあるときに遮蔽部材481を遮蔽位置に移動させるように構成される。したがって、本実施形態によれば、基板Wfのめっき膜厚が厚い領域を遮蔽部材481で覆うことができるので、基板Wfの周縁部のめっき膜厚を均一化することができる。 The shielding mechanism 499 is configured to linearly move the shielding member 481 between the retracted position and the shielding position so that the plating film thickness of the peripheral portion of the substrate Wf is uniform. Specifically, when there is a region where the plating film thickness is thicker than other regions in the distribution of the plating film thickness in the peripheral portion of the substrate Wf, the shielding mechanism 499 allows the region with the thick plating film thickness to fall within a predetermined angle range. It is configured to move the shielding member 481 to the retracted position when outside. Further, the shielding mechanism 499 is configured to move the shielding member 481 to the shielding position when the region with the thick plating film is within the predetermined angle range. Therefore, according to the present embodiment, since the shielding member 481 can cover the area of the substrate Wf where the plating film thickness is large, the plating film thickness of the peripheral portion of the substrate Wf can be made uniform.

次に、図26に示しためっきモジュール400を用いためっき方法について説明する。図27は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。 Next, a plating method using the plating module 400 shown in FIG. 26 will be described. FIG. 27 is a flow chart of a plating method using the plating module of one embodiment.

本実施形態のめっき方法においては、まず、基板ホルダ440に基板Wfを設置する(ステップ301)。ステップ301は、例えば被めっき面Wf-aを下方に向けた状態の基板Wfを図示していないロボットハンドなどによってシールリングホルダ442に置き、バックプレート444によって基板Wfの裏面を押圧することによって実行することができる。 In the plating method of this embodiment, first, the substrate Wf is placed on the substrate holder 440 (step 301). Step 301 is executed by, for example, placing the substrate Wf with the surface to be plated Wf-a facing downward on the seal ring holder 442 by a robot hand or the like (not shown) and pressing the back surface of the substrate Wf with the back plate 444. can do.

続いて、めっき方法は、昇降機構443によって基板ホルダ440をめっき槽410内に降下させる(降下ステップ302)。続いて、めっき方法は、回転機構447によって基板ホルダ440を回転させる(回転ステップ303)。 Subsequently, in the plating method, the substrate holder 440 is lowered into the plating tank 410 by the lifting mechanism 443 (lowering step 302). Subsequently, the plating method rotates the substrate holder 440 by the rotation mechanism 447 (rotation step 303).

続いて、めっき方法は、膜厚センサ498によって基板Wfの周縁部のめっき膜厚を測定する(測定ステップ304)。続いて、めっき方法は、測定ステップ304による基板Wfの周縁部のめっき膜厚に基づいて遮蔽部材481をアノード430と基板Wfとの間に移動させる(遮蔽ステップ305)。遮蔽ステップ305は、遮蔽機構499によって実行することができる。遮蔽ステップ305は、具体的には、めっき膜厚が厚い領域が所定角度範囲内にあるときに遮蔽部材481を遮蔽位置に移動させ、めっき膜厚が厚い領域が所定角度範囲外にあるときに遮蔽部材481を退避位置に移動させる。 Subsequently, in the plating method, the film thickness sensor 498 measures the plating film thickness of the peripheral portion of the substrate Wf (measurement step 304). Subsequently, the plating method moves the shielding member 481 between the anode 430 and the substrate Wf based on the plating film thickness of the peripheral portion of the substrate Wf obtained in the measurement step 304 (shielding step 305). Shielding step 305 may be performed by shielding mechanism 499 . Specifically, the shielding step 305 moves the shielding member 481 to the shielding position when the region with the thick plating film is within the predetermined angle range, and moves the shielding member 481 to the shielding position when the region with the thick plating film is outside the predetermined angle range. The shielding member 481 is moved to the retracted position.

続いて、めっき方法は、回転ステップ303~遮蔽ステップ305を継続しながら、めっき槽410内に配置されたアノード430と基板ホルダ440に保持された基板Wfとの間に電圧を印加することによって被めっき面Wf-aにめっき処理を施す(めっきステップ306)。なお、本実施例でのめっき処理(めっきステップ306)は、めっき槽410内のめっき液に基板が浸漬された後にめっき処理を行っているが、めっき処理(めっきステップ306)はめっき槽410内のめっき液に基板の少なくとも一部が浸漬された時点から行っても良い。 Subsequently, the plating method continues with rotating step 303 through shielding step 305 while applying a voltage between the anode 430 located in the plating bath 410 and the substrate Wf held in the substrate holder 440. The plating surface Wf-a is plated (plating step 306). In this embodiment, the plating process (plating step 306) is performed after the substrate is immersed in the plating solution in the plating tank 410, but the plating process (plating step 306) is performed in the plating tank 410 may be performed from the time when at least a part of the substrate is immersed in the plating solution.

続いて、めっき方法は、めっき処理を終了すべきか否かを判定する(ステップ307)。めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過していないことによりめっき処理を終了すべきではないと判定した場合には(ステップ307,No)、めっきステップ306に戻って処理を継続する。 The plating method then determines whether the plating process should end (step 307). For example, when the plating method determines that the plating process should not end because the predetermined time has not elapsed since the plating process started (step 307, No), the process returns to the plating step 306. continue.

一方、めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過したことによりめっき処理を終了すべきと判定した場合には(ステップ307,Yes)、回転機構447による基板ホルダ440の回転を停止する(ステップ308)。続いて、めっき方法は、昇降機構443によって基板ホルダ440を上昇させて(ステップ309)、めっき処理を終了する。 On the other hand, in the plating method, for example, when it is determined that the plating process should be finished because a predetermined time has elapsed since the start of the plating process (step 307, Yes), the substrate holder 440 is rotated by the rotation mechanism 447. Stop (step 308). Subsequently, in the plating method, the substrate holder 440 is lifted by the lift mechanism 443 (step 309), and the plating process ends.

本実施形態のめっき方法によれば、基板Wfのめっき膜厚が厚い領域を遮蔽部材481で覆うことができるので、基板Wfの周縁部のめっき膜厚を均一化することができる。 According to the plating method of the present embodiment, since the shielding member 481 can cover the area of the substrate Wf where the plating film is thick, the plating film thickness of the peripheral portion of the substrate Wf can be made uniform.

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。 Although some embodiments of the present invention have been described above, the above-described embodiments of the present invention are intended to facilitate understanding of the present invention, and do not limit the present invention. The present invention may be modified and improved without departing from its spirit, and the present invention includes equivalents thereof. In addition, any combination or omission of each component described in the claims and the specification is possible within the range that at least part of the above problems can be solved or at least part of the effect is achieved. is.

本願は、一実施形態として、めっき液を収容するためのめっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させるための回転機構と、前記基板ホルダの回転角度に応じて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に移動させる遮蔽機構と、を含み、前記遮蔽機構は、カム部材と、前記カム部材を回転させるように構成された回転駆動機構と、前記カム部材の回転に伴って前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置に押し出すように構成された従動部材と、を含む、めっき装置を開示する。 In one embodiment, the present application includes a plating tank for containing a plating solution, an anode arranged in the plating tank, a substrate holder for holding a substrate with the surface to be plated facing downward, a rotating mechanism for rotating the substrate holder; and a shielding mechanism for moving a shielding member between the anode and the substrate according to the rotation angle of the substrate holder, wherein the shielding mechanism includes a cam member and a shielding member. a rotary drive mechanism configured to rotate the cam member; and a driven member configured to push the shielding member to a shielding position between the anode and the substrate as the cam member rotates. A plating apparatus is disclosed, comprising:

さらに、本願は、一実施形態として、前記カム部材は、前記回転駆動機構によって回転するように構成されたカム本体と、前記カム本体に取り付けられたロータと、を有し、前記従動部材は、前記ロータが嵌め込まれるカム溝を有する従動スライダであって、前記カム本体の回転に伴う前記ロータからの押圧によって、前記遮蔽部材を、前記遮蔽位置と、前記アノードと前記基板との間から離れた退避位置と、の間で直動させるように構成された、従動スライダを含む、めっき装置を開示する。 Further, according to one embodiment of the present application, the cam member has a cam body configured to be rotated by the rotation drive mechanism, and a rotor attached to the cam body, and the driven member is configured to: A driven slider having a cam groove into which the rotor is fitted, wherein the shielding member is separated from the shielding position and between the anode and the substrate by pressure from the rotor accompanying rotation of the cam body. A plating apparatus is disclosed that includes a driven slider configured to translate between a retracted position and a retracted position.

さらに、本願は、一実施形態として、前記遮蔽機構は、第1のプーリおよび第2のプーリに巻き付けられたベルトをさらに含み、前記カム部材は、前記第2のプーリに連結された偏心カム部材を含み、前記回転駆動機構は、前記第1のプーリを回転させることによって前記偏心カム部材を回転させるように構成され、前記従動部材は、前記偏心カム部材の突起に押圧されることに応じて前記遮蔽部材を前記遮蔽位置に押し出すように構成された従動カム部材を含む、めっき装置を開示する。 Further, according to one embodiment, the shielding mechanism further includes a belt wrapped around a first pulley and a second pulley, and the cam member is an eccentric cam member connected to the second pulley. wherein the rotary drive mechanism is configured to rotate the eccentric cam member by rotating the first pulley, the driven member being pressed by a projection of the eccentric cam member in response to A plating apparatus is disclosed that includes a driven cam member configured to push the shielding member to the shielding position.

さらに、本願は、一実施形態として、めっき液を収容するためのめっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させるための回転機構と、前記基板ホルダの回転角度に応じて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に移動させる遮蔽機構と、を含み、前記遮蔽機構は、前記遮蔽部材を、前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置と、前記アノードと前記基板との間から離れた退避位置と、の間で直動させるように構成された直動駆動機構を含む、めっき装置を開示する。 Further, the present application provides, as an embodiment, a plating bath for containing a plating solution, an anode arranged in the plating bath, and a substrate holder for holding a substrate with the surface to be plated facing downward. a rotating mechanism for rotating the substrate holder; and a shielding mechanism for moving a shielding member between the anode and the substrate in accordance with the rotation angle of the substrate holder, wherein the shielding mechanism comprises the a linear drive mechanism configured to linearly move a shielding member between a shielding position between the anode and the substrate and a retracted position away from between the anode and the substrate; A plating apparatus is disclosed.

さらに、本願は、一実施形態として、前記遮蔽部材は、円板形状の基板の周縁部の一部に対応する円弧形状を有するマスク部材を有する、めっき装置を開示する。 Furthermore, the present application discloses, as one embodiment, a plating apparatus in which the shielding member has a mask member having an arc shape corresponding to a portion of the peripheral edge of the disk-shaped substrate.

さらに、本願は、一実施形態として、めっき液を収容するためのめっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させるための回転機構と、前記基板のめっき膜厚を測定するように構成された膜厚センサと、前記膜厚センサによって測定された前記基板のめっき膜厚に基づいて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置に移動させるように構成された遮蔽機構と、を含む、めっき装置を開示する。 Further, the present application provides, as an embodiment, a plating bath for containing a plating solution, an anode arranged in the plating bath, and a substrate holder for holding a substrate with the surface to be plated facing downward. a rotation mechanism for rotating the substrate holder; a film thickness sensor configured to measure the plating film thickness of the substrate; and based on the plating film thickness of the substrate measured by the film thickness sensor a shielding mechanism configured to move a shielding member to a shielding position between the anode and the substrate.

さらに、本願は、一実施形態として、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に降下させる降下ステップと、前記基板ホルダを回転させる回転ステップと、前記基板のめっき膜厚を測定する測定ステップと、前記測定ステップによる前記基板のめっき膜厚に基づいて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に移動させる遮蔽ステップと、前記めっき槽内に配置されたアノードと前記基板ホルダに保持された基板との間に電圧を印加することによって前記被めっき面にめっき処理を施すめっきステップと、を含む、めっき方法を開示する。 Furthermore, the present application provides, as an embodiment, a lowering step of lowering a substrate holder holding the substrate with the surface to be plated facing downward into the plating tank, a rotating step of rotating the substrate holder, and a step of rotating the substrate. a measuring step of measuring a plating film thickness; a shielding step of moving a shielding member between the anode and the substrate based on the plating film thickness of the substrate obtained by the measuring step; and an anode arranged in the plating bath. and a plating step of plating the surface to be plated by applying a voltage between the substrate and the substrate held by the substrate holder.

400 めっきモジュール
410 めっき槽
430 アノード
440 基板ホルダ
442 シールリングホルダ
443 昇降機構
444 バックプレート
446 フレーム
447 回転機構
448 シャフト
450 抵抗体
460 遮蔽機構
461 カム部材
462 円板カム
462a 突起
463 本体部材
464 突起部材
464-1 第1の突起部材
464-2 第2の突起部材
470 従動節
471 第1のローラ
472 基台
473 フォロワ
474 リンク
475 第2のローラ
476 回転軸
478 第3のローラ
479 押圧部材
481 遮蔽部材
481a マスク部材
482 遮蔽部材
484 フランジ
485 遮蔽機構
486 回転駆動機構
487 カム部材
487a ロータ
487b カム本体
488 従動部材
489 従動スライダ
489a カム溝
491 回転駆動機構
492 ベルト
492-1 第1のプーリ
492-2 第2のプーリ
493 偏心カム部材
493b 突起
494 従動カム部材
497 直動駆動機構
498 膜厚センサ
499 遮蔽機構
1000 めっき装置
Wf 基板
Wf-a 被めっき面
Wf-b パターン領域
Wf-c 非パターン領域
Wf-n ノッチ
400 plating module 410 plating tank 430 anode 440 substrate holder 442 seal ring holder 443 lifting mechanism 444 back plate 446 frame 447 rotating mechanism 448 shaft 450 resistor 460 shielding mechanism 461 cam member 462 disk cam 462a projection 463 body member 464 projection member 464 -1 First projecting member 464-2 Second projecting member 470 Follower 471 First roller 472 Base 473 Follower 474 Link 475 Second roller 476 Rotating shaft 478 Third roller 479 Pressing member 481 Shielding member 481a Mask member 482 Shield member 484 Flange 485 Shield mechanism 486 Rotation drive mechanism 487 Cam member 487a Rotor 487b Cam body 488 Driven member 489 Driven slider 489a Cam groove 491 Rotation drive mechanism 492 Belt 492-1 First pulley 492-2 Second Pulley 493 Eccentric cam member 493b Projection 494 Follower cam member 497 Linear drive mechanism 498 Film thickness sensor 499 Shielding mechanism 1000 Plating apparatus Wf Substrate Wf-a Surface to be plated Wf-b Patterned area Wf-c Non-patterned area Wf-n Notch

Claims (7)

めっき液を収容するためのめっき槽と、
前記めっき槽内に配置されたアノードと、
被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転させるための回転機構と、
前記基板ホルダの回転角度に応じて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に移動させる遮蔽機構と、
を含み、
前記遮蔽機構は、
カム部材と、前記カム部材を回転させるように構成された回転駆動機構と、前記カム部材の回転に伴って前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置に押し出すように構成された従動部材と、
を含む、
めっき装置。
a plating bath for containing the plating solution;
an anode disposed in the plating bath;
a substrate holder for holding the substrate with the surface to be plated facing downward;
a rotation mechanism for rotating the substrate holder;
a shielding mechanism that moves a shielding member between the anode and the substrate according to the rotation angle of the substrate holder;
including
The shielding mechanism is
a cam member; a rotary drive mechanism configured to rotate the cam member; and a rotation drive mechanism configured to push the shielding member to a shielding position between the anode and the substrate as the cam member rotates. a driven member;
including,
Plating equipment.
前記カム部材は、前記回転駆動機構によって回転するように構成されたカム本体と、前記カム本体に取り付けられたロータと、を有し、
前記従動部材は、前記ロータが嵌め込まれるカム溝を有する従動スライダであって、前記カム本体の回転に伴う前記ロータからの押圧によって、前記遮蔽部材を、前記遮蔽位置と、前記アノードと前記基板との間から離れた退避位置と、の間で直動させるように構成された、従動スライダを含む、
請求項1に記載のめっき装置。
The cam member has a cam body configured to be rotated by the rotation drive mechanism and a rotor attached to the cam body,
The driven member is a driven slider having a cam groove in which the rotor is fitted, and the shielding member is moved between the shielding position, the anode and the substrate by pressure from the rotor accompanying rotation of the cam body. and a driven slider configured to translate between a retracted position remote from the
The plating apparatus according to claim 1.
前記遮蔽機構は、第1のプーリおよび第2のプーリに巻き付けられたベルトをさらに含み、
前記カム部材は、前記第2のプーリに連結された偏心カム部材を含み、
前記回転駆動機構は、前記第1のプーリを回転させることによって前記偏心カム部材を
回転させるように構成され、
前記従動部材は、前記偏心カム部材の突起に押圧されることに応じて前記遮蔽部材を前記遮蔽位置に押し出すように構成された従動カム部材を含む、
請求項1に記載のめっき装置。
the shielding mechanism further includes a belt wrapped around the first pulley and the second pulley;
the cam member includes an eccentric cam member coupled to the second pulley;
The rotary drive mechanism is configured to rotate the eccentric cam member by rotating the first pulley,
The driven member includes a driven cam member configured to push the shielding member to the shielding position in response to being pressed by a projection of the eccentric cam member,
The plating apparatus according to claim 1.
めっき液を収容するためのめっき槽と、
前記めっき槽内に配置されたアノードと、
被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転させるための回転機構と、
前記基板ホルダの回転角度に応じて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に移動させる遮蔽機構と、
を含み、
前記遮蔽機構は、
前記遮蔽部材を、前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置と、前記アノードと前記基板との間から離れた退避位置と、の間で直動させるように構成された直動駆動機構を含む、
めっき装置。
a plating bath for containing the plating solution;
an anode disposed in the plating bath;
a substrate holder for holding the substrate with the surface to be plated facing downward;
a rotating mechanism for rotating the substrate holder;
a shielding mechanism that moves a shielding member between the anode and the substrate according to the rotation angle of the substrate holder;
including
The shielding mechanism is
a linear drive mechanism configured to linearly move the shielding member between a shielding position between the anode and the substrate and a retracted position away from between the anode and the substrate; ,
Plating equipment.
前記遮蔽部材は、円板形状の基板の周縁部の一部に対応する円弧形状を有するマスク部材を有する、
請求項1から4のいずれか一項に記載のめっき装置。
The shielding member has a mask member having an arc shape corresponding to a part of the peripheral edge of the disk-shaped substrate,
The plating apparatus according to any one of claims 1 to 4.
めっき液を収容するためのめっき槽と、
前記めっき槽内に配置されたアノードと、
被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板ホルダを回転させるための回転機構と、
前記基板のめっき膜厚をめっき処理中に測定するように構成された膜厚センサと、
前記膜厚センサによって測定された前記基板のめっき膜厚に基づいて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間の遮蔽位置に移動させるように構成された遮蔽機構と、
を含む、めっき装置。
a plating bath for containing the plating solution;
an anode disposed in the plating bath;
a substrate holder for holding the substrate with the surface to be plated facing downward;
a rotating mechanism for rotating the substrate holder;
a film thickness sensor configured to measure the plating film thickness of the substrate during the plating process;
a shielding mechanism configured to move a shielding member to a shielding position between the anode and the substrate based on the plating film thickness of the substrate measured by the film thickness sensor;
plating equipment, including
被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に降下させる降下ステップと、
前記基板ホルダを回転させる回転ステップと、
前記基板のめっき膜厚をめっき処理中に測定する測定ステップと、
前記測定ステップによる前記基板のめっき膜厚に基づいて遮蔽部材を、前記めっき槽内に配置されたアノードと前記基板との間に移動させる遮蔽ステップと、
前記アノードと前記基板ホルダに保持された基板との間に電圧を印加することによって前記被めっき面にめっき処理を施すめっきステップと、
を含む、めっき方法。
a lowering step of lowering the substrate holder holding the substrate with the surface to be plated facing downward into the plating tank;
a rotating step of rotating the substrate holder;
a measuring step of measuring the plating film thickness of the substrate during the plating process;
a shielding step of moving a shielding member between the anode arranged in the plating tank and the substrate based on the plating film thickness of the substrate obtained in the measuring step;
a plating step of plating the surface to be plated by applying a voltage between the anode and the substrate held by the substrate holder;
plating methods, including
JP2021191263A 2020-12-03 2021-11-25 Plating equipment and plating method Active JP7133699B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPPCT/JP2020/045051 2020-12-03
PCT/JP2020/045051 WO2022118431A1 (en) 2020-12-03 2020-12-03 Plating apparatus and plating method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022089170A JP2022089170A (en) 2022-06-15
JP7133699B2 true JP7133699B2 (en) 2022-09-08

Family

ID=76753101

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021510988A Active JP6901646B1 (en) 2020-12-03 2020-12-03 Plating equipment and plating method
JP2021191263A Active JP7133699B2 (en) 2020-12-03 2021-11-25 Plating equipment and plating method

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021510988A Active JP6901646B1 (en) 2020-12-03 2020-12-03 Plating equipment and plating method

Country Status (2)

Country Link
JP (2) JP6901646B1 (en)
WO (1) WO2022118431A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7373684B1 (en) * 2023-03-02 2023-11-02 株式会社荏原製作所 Plating equipment

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6901646B1 (en) * 2020-12-03 2021-07-14 株式会社荏原製作所 Plating equipment and plating method
JP7126634B1 (en) * 2022-01-31 2022-08-26 株式会社荏原製作所 Plating equipment and plating method
WO2023148950A1 (en) 2022-02-07 2023-08-10 株式会社荏原製作所 Plating apparatus
JP7233588B1 (en) * 2022-05-10 2023-03-06 株式会社荏原製作所 Plating equipment

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005089812A (en) 2003-09-17 2005-04-07 Casio Comput Co Ltd Plating apparatus, and method for plating semiconductor substrate
JP2014051697A (en) 2012-09-05 2014-03-20 Mitomo Semicon Engineering Kk Cup type plating apparatus and plating method using the same
JP2016211010A (en) 2015-04-28 2016-12-15 株式会社荏原製作所 Electrolytic treatment device
JP2018119219A (en) 2014-12-26 2018-08-02 株式会社荏原製作所 Substrate holder, method for holding substrate with substrate holder, and plating device
JP2019525000A (en) 2016-07-20 2019-09-05 テクニク, インク.Technic, Inc. Electrodeposition of uniform thickness metal layers on semiconductor wafers
JP2020533792A (en) 2017-09-07 2020-11-19 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド Chuck device for plating
JP6901646B1 (en) 2020-12-03 2021-07-14 株式会社荏原製作所 Plating equipment and plating method

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3241430B2 (en) * 1992-04-21 2001-12-25 沖電気工業株式会社 Semiconductor wafer bump electrode plating apparatus and bump electrode plating method
US6027631A (en) * 1997-11-13 2000-02-22 Novellus Systems, Inc. Electroplating system with shields for varying thickness profile of deposited layer

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005089812A (en) 2003-09-17 2005-04-07 Casio Comput Co Ltd Plating apparatus, and method for plating semiconductor substrate
JP2014051697A (en) 2012-09-05 2014-03-20 Mitomo Semicon Engineering Kk Cup type plating apparatus and plating method using the same
JP2018119219A (en) 2014-12-26 2018-08-02 株式会社荏原製作所 Substrate holder, method for holding substrate with substrate holder, and plating device
JP2016211010A (en) 2015-04-28 2016-12-15 株式会社荏原製作所 Electrolytic treatment device
JP2019525000A (en) 2016-07-20 2019-09-05 テクニク, インク.Technic, Inc. Electrodeposition of uniform thickness metal layers on semiconductor wafers
JP2020533792A (en) 2017-09-07 2020-11-19 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド Chuck device for plating
JP6901646B1 (en) 2020-12-03 2021-07-14 株式会社荏原製作所 Plating equipment and plating method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7373684B1 (en) * 2023-03-02 2023-11-02 株式会社荏原製作所 Plating equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022089170A (en) 2022-06-15
WO2022118431A1 (en) 2022-06-09
JPWO2022118431A1 (en) 2022-06-09
JP6901646B1 (en) 2021-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7133699B2 (en) Plating equipment and plating method
US20220178046A1 (en) Plating apparatus and plating method
JP3566475B2 (en) Processing equipment
WO2024127641A1 (en) Plating device
US6126338A (en) Resist coating-developing system
WO2022157852A1 (en) Plating device and method for measuring thickness of film on substrate
JP7126634B1 (en) Plating equipment and plating method
TWI806408B (en) Plating device and plating method
JP6911220B1 (en) Plating equipment and plating method
KR102447745B1 (en) How to adjust the plating module
JP4040162B2 (en) Semiconductor wafer cleaning equipment
TWI755958B (en) Plating apparatus and plating method
TW202243077A (en) Drying system with integrated substrate alignment stage
KR20070010667A (en) Semiconductor manufacturing equipment employing lift apparatus
JP2004064007A (en) Substrate processing equipment and method
KR100858426B1 (en) Spin head, apparatus having the same and method for treating substrate
TWI746334B (en) Plating device and plating treatment method
TWI837780B (en) Plating device and plating method
JP7253125B1 (en) Plating equipment and plating method
JP2022127862A (en) Plating apparatus and liquid level adjustment method for plating solution
KR102595617B1 (en) Plating method and plating device
WO2023148950A1 (en) Plating apparatus
KR20240107281A (en) Apparatus and method for treating a substrate
KR20230164168A (en) Process cell for baking process after field guided exposure
JP2001316891A (en) Liquid treating equipment and method for confirming electrification of electrode

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211201

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20211201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220302

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220511

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220519

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220805

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220829

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7133699

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150