JP6901646B1

JP6901646B1 - Plating equipment and plating method

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Publication number: JP6901646B1
Application number: JP2021510988A
Authority: JP
Inventors: 紹華張; 関　正也; 正也関
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2020-12-03
Filing date: 2020-12-03
Publication date: 2021-07-14
Anticipated expiration: 2040-12-03
Also published as: JP7133699B2; JPWO2022118431A1; JP2022089170A; WO2022118431A1

Abstract

基板の特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができるめっき装置を実現する。めっき装置は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０と、めっき槽４１０内に配置されたアノード４３０と、被めっき面を下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０と、基板ホルダ４４０を回転させるための回転機構４４７と、基板ホルダ４４０の回転角度に応じて遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間に移動させる遮蔽機構４６０と、を含む。A plating device capable of shielding a specific part of a substrate at a desired timing is realized. The plating apparatus includes a plating tank 410 for accommodating the plating solution, an anode 430 arranged in the plating tank 410, a substrate holder 440 for holding the substrate Wf with the surface to be plated facing downward, and the like. It includes a rotation mechanism 447 for rotating the substrate holder 440 and a shielding mechanism 460 for moving the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf according to the rotation angle of the substrate holder 440.

Description

本願は、めっき装置、およびめっき方法に関する。 The present application relates to a plating apparatus and a plating method.

めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜を析出させる。 A cup-type electrolytic plating apparatus is known as an example of a plating apparatus. In a cup-type electroplating apparatus, a substrate (for example, a semiconductor wafer) held in a substrate holder with the surface to be plated facing downward is immersed in a plating solution, and a voltage is applied between the substrate and the anode to apply a substrate. A conductive film is deposited on the surface of the.

カップ式の電解めっき装置では、遮蔽部材を用いてアノードと基板との間に形成される電界を遮蔽することが知られている。例えば特許文献１には、アノードマスクリングをアノードと基板との間に配置することによって、基板の外縁部近傍における電流密度を低下させ、これにより基板の外縁部周辺に厚いめっき膜が形成されるのを抑制することが開示されている。 In a cup-type electroplating apparatus, it is known that a shielding member is used to shield an electric field formed between an anode and a substrate. For example, in Patent Document 1, by arranging the anode mask ring between the anode and the substrate, the current density in the vicinity of the outer edge portion of the substrate is reduced, whereby a thick plating film is formed around the outer edge portion of the substrate. It is disclosed that it suppresses.

特開２０１４−５１６９７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-51697

しかしながら、従来技術の電解めっき装置は、アノードマスクリングをめっき槽の内壁の任意の高さに固定するものであるので、アノードと基板の外縁部との間は常にアノードマスクリングで遮蔽される。このように基板の特定の部位を常に遮蔽すると、その部位は極端にめっき膜の形成がされ難くなる場合もあるので、基板の種類によっては常にアノードと基板の間を遮蔽するのではなく、所望のタイミングでのみ基板の特定の部位を遮蔽したいというニーズがあり得る。 However, in the electrolytic plating apparatus of the prior art, since the anode mask ring is fixed at an arbitrary height of the inner wall of the plating tank, the anode and the outer edge of the substrate are always shielded by the anode mask ring. If a specific part of the substrate is always shielded in this way, it may be extremely difficult to form a plating film on that part. Therefore, depending on the type of substrate, it is desirable instead of always shielding between the anode and the substrate. There may be a need to shield a specific part of the substrate only at the timing of.

そこで、本願は、基板の特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができるめっき装置およびめっき方法を実現することを１つの目的としている。 Therefore, one object of the present application is to realize a plating apparatus and a plating method capable of shielding a specific portion of a substrate at a desired timing.

一実施形態によれば、めっき液を収容するためのめっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させるための回転機構と、前記基板ホルダの回転角度に応じて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に移動させる遮蔽機構と、を含む、めっき装置が開示される。 According to one embodiment, a plating tank for accommodating a plating solution, an anode arranged in the plating tank, a substrate holder for holding a substrate with the surface to be plated facing downward, and the above. A plating apparatus including a rotating mechanism for rotating a substrate holder and a shielding mechanism for moving a shielding member between the anode and the substrate according to a rotation angle of the substrate holder is disclosed.

図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the plating apparatus of the present embodiment. 図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus of the present embodiment. 図３は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。FIG. 3 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, and shows a state in which the shielding member is retracted. 図４は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す上面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。FIG. 4 is a top view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, and shows a state in which the shielding member is retracted. 図５は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shielding member is moved between the anode and the substrate. 図６は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す上面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。FIG. 6 is a top view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, and shows a state in which the shielding member has moved between the anode and the substrate. 図７Ａは、基板のパターン領域と非パターン領域とを示す上面図である。FIG. 7A is a top view showing a patterned region and a non-patterned region of the substrate. 図７Ｂは、遮蔽部材が覆う基板の領域を示す上面図である。FIG. 7B is a top view showing a region of the substrate covered by the shielding member. 図８は、一実施形態の円板カムの構造を示す上面図である。FIG. 8 is a top view showing the structure of the disk cam of one embodiment. 図９は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。FIG. 9 is a flowchart of a plating method using the plating module of one embodiment. 図１０は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における遮蔽ステップのフローチャートである。FIG. 10 is a flowchart of a shielding step in a plating method using the plating module of one embodiment.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings described below, the same or corresponding components are designated by the same reference numerals and duplicate description will be omitted.

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。<Overall configuration of plating equipment>
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the plating apparatus of the present embodiment. FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus of the present embodiment. As shown in FIGS. 1 and 2, the plating apparatus 1000 includes a load port 100, a transfer robot 110, an aligner 120, a pre-wet module 200, a pre-soak module 300, a plating module 400, a cleaning module 500, a spin rinse dryer 600, and a transfer device. It includes 700 and a control module 800.

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。 The load port 100 is a module for carrying in a substrate housed in a cassette such as FOUP, which is not shown in the plating apparatus 1000, or for carrying out the substrate from the plating apparatus 1000 to the cassette. In the present embodiment, the four load ports 100 are arranged side by side in the horizontal direction, but the number and arrangement of the load ports 100 are arbitrary. The transfer robot 110 is a robot for transferring the substrate, and is configured to transfer the substrate between the load port 100, the aligner 120, and the transfer device 700. When the transfer robot 110 and the transfer device 700 transfer the substrate between the transfer robot 110 and the transfer device 700, the transfer robot 110 and the transfer device 700 can transfer the board via a temporary stand (not shown).

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。 The aligner 120 is a module for aligning positions such as orientation flats and notches of a substrate in a predetermined direction. In the present embodiment, the two aligners 120 are arranged side by side in the horizontal direction, but the number and arrangement of the aligners 120 are arbitrary. The pre-wet module 200 replaces the air inside the pattern formed on the surface of the substrate with the treatment liquid by wetting the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as pure water or degassed water. The pre-wet module 200 is configured to perform a pre-wet treatment that facilitates supply of the plating liquid to the inside of the pattern by replacing the treatment liquid inside the pattern with the plating liquid at the time of plating. In the present embodiment, the two pre-wet modules 200 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the pre-wet modules 200 are arbitrary.

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。 The pre-soak module 300 cleans the surface of the plating base by etching and removing an oxide film having a large electric resistance existing on the surface of the seed layer formed on the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid. Alternatively, it is configured to undergo a pre-soak treatment that activates it. In the present embodiment, the two pre-soak modules 300 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the pre-soak modules 300 are arbitrary. The plating module 400 applies a plating process to the substrate. In the present embodiment, there are two sets of 12 plating modules 400 arranged three in the vertical direction and four in the horizontal direction, and a total of 24 plating modules 400 are provided. However, the plating module 400 is provided. The number and arrangement of are arbitrary.

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。 The cleaning module 500 is configured to perform a cleaning process on the substrate in order to remove the plating solution and the like remaining on the substrate after the plating process. In the present embodiment, the two cleaning modules 500 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the cleaning modules 500 are arbitrary. The spin rinse dryer 600 is a module for rotating the substrate after the cleaning treatment at high speed to dry it. In the present embodiment, the two spin rinse dryers are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the spin rinse dryers are arbitrary. The transport device 700 is a device for transporting a substrate between a plurality of modules in the plating device 1000. The control module 800 is configured to control a plurality of modules of the plating apparatus 1000, and can be composed of, for example, a general computer or a dedicated computer having an input / output interface with an operator.

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。 An example of a series of plating processes by the plating apparatus 1000 will be described. First, the substrate stored in the cassette is carried into the load port 100. Subsequently, the transfer robot 110 takes out the board from the cassette of the load port 100 and transfers the board to the aligner 120. The aligner 120 aligns the orientation flats, notches, and the like of the substrate in a predetermined direction. The transfer robot 110 delivers the substrate oriented by the aligner 120 to the transfer device 700.

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。 The transfer device 700 transfers the substrate received from the transfer robot 110 to the pre-wet module 200. The pre-wet module 200 applies a pre-wet treatment to the substrate. The transport device 700 transports the pre-wet-treated substrate to the pre-soak module 300. The pre-soak module 300 applies a pre-soak treatment to the substrate. The transport device 700 transports the pre-soaked substrate to the plating module 400. The plating module 400 applies a plating process to the substrate.

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。 The transport device 700 transports the plated substrate to the cleaning module 500. The cleaning module 500 performs a cleaning process on the substrate. The transport device 700 transports the cleaned substrate to the spin rinse dryer 600. In the spin rinse dryer 600, the substrate is dried. The transfer device 700 delivers the dried substrate to the transfer robot 110. The transfer robot 110 transfers the board received from the transfer device 700 to the cassette of the load port 100. Finally, the cassette containing the substrate is carried out from the load port 100.

＜めっきモジュールの構成＞
次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。図３は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。図３に示すように、めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０を備える。めっきモジュール４００は、めっき槽４１０の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。めっき槽４１０の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。<Plating module configuration>
Next, the configuration of the plating module 400 will be described. Since the 24 plating modules 400 in this embodiment have the same configuration, only one plating module 400 will be described. FIG. 3 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, and shows a state in which the shielding member is retracted. As shown in FIG. 3, the plating module 400 includes a plating tank 410 for accommodating a plating solution. The plating module 400 includes a membrane 420 that vertically separates the inside of the plating tank 410. The inside of the plating tank 410 is divided into a cathode region 422 and an anode region 424 by a membrane 420.

カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。めっきモジュール４００は、カソード領域４２２に向けて開口したノズル４２６と、ノズル４２６を介してカソード領域４２２にめっき液を供給するための供給源４２８と、を備える。めっきモジュール４００は、アノード領域４２４についても同様に、アノード領域４２４にめっき液を供給するための機構を備えるが図示を省略する。アノード領域４２４のめっき槽４１０の底面にはアノード４３０が設けられる。カソード領域４２２にはメンブレン４２０に対向して抵抗体４５０が配置される。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａにおけるめっき処理の均一化を図るための部材であり、多数の孔が形成された板状部材によって構成される。 The cathode region 422 and the anode region 424 are each filled with a plating solution. The plating module 400 includes a nozzle 426 that opens toward the cathode region 422 and a supply source 428 for supplying the plating solution to the cathode region 422 via the nozzle 426. Similarly, the plating module 400 includes a mechanism for supplying a plating solution to the anode region 424 for the anode region 424, but the illustration is omitted. An anode 430 is provided on the bottom surface of the plating tank 410 in the anode region 424. A resistor 450 is arranged in the cathode region 422 so as to face the membrane 420. The resistor 450 is a member for making the plating process uniform on the surface to be plated Wf-a of the substrate Wf, and is composed of a plate-shaped member having a large number of holes formed therein.

また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ−ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０を備える。基板ホルダ４４０は、図示していない電源から基板Ｗｆに給電するための給電接点を備える。基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａの外縁部を支持するためのシールリングホルダ４４２と、シールリングホルダ４４２を図示していない基板ホルダ本体に保持するためのフレーム４４６と、を備える。また、基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａの裏面を押圧するためのバックプレート４４４と、バックプレート４４４の基板押圧面の裏面に取り付けられたシャフト４４８と、を備える。 Further, the plating module 400 includes a substrate holder 440 for holding the substrate Wf with the surface to be plated Wf-a facing downward. The board holder 440 includes a power supply contact for supplying power to the board Wf from a power source (not shown). The substrate holder 440 includes a seal ring holder 442 for supporting the outer edge portion of the surface to be plated Wf-a of the substrate Wf, and a frame 446 for holding the seal ring holder 442 in a substrate holder body (not shown). Be prepared. Further, the substrate holder 440 includes a back plate 444 for pressing the back surface of the surface to be plated Wf-a of the substrate Wf, and a shaft 448 attached to the back surface of the substrate pressing surface of the back plate 444.

めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を昇降させるための昇降機構４４３と、シャフト４４８の仮想軸（被めっき面Ｗｆ−ａの中央を垂直に伸びる仮想的な回転軸）の周りに基板Ｗｆが回転するように基板ホルダ４４０を回転させるための回転機構４４７と、を備える。昇降機構４４３および回転機構４４７は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。めっきモジュール４００は、昇降機構４４３を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬し、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａにめっき処理を施すように構成される。 In the plating module 400, the substrate Wf rotates around an elevating mechanism 443 for elevating and lowering the substrate holder 440 and a virtual axis of the shaft 448 (a virtual rotation axis extending vertically through the center of the surface to be plated Wf-a). A rotation mechanism 447 for rotating the substrate holder 440 is provided. The elevating mechanism 443 and the rotating mechanism 447 can be realized by a known mechanism such as a motor. The plating module 400 immerses the substrate Wf in the plating solution of the cathode region 422 using the elevating mechanism 443, and applies a voltage between the anode 430 and the substrate Wf to apply a voltage to the surface to be plated Wf-a of the substrate Wf. It is configured to be plated.

めっきモジュール４００は、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に配置されたときにアノード４３０と基板Ｗｆとの間に形成される電界を遮蔽するための遮蔽部材４８２を備える。遮蔽部材４８２は例えば板状に形成された遮蔽板であってもよい。遮蔽部材４８２は、めっき槽４１０の側壁を貫通してカソード領域４２２内に挿入されており、めっき槽４１０に挿入されていない側の端部にはフランジ４８４が取り付けられている。本実施形態では、遮蔽部材４８２は常にアノード４３０と基板Ｗｆとの間に配置されるわけではなく、基板Ｗｆの特定の部位を所望のタイミングで遮蔽するように構成されている。以下、この点について説明する。 The plating module 400 includes a shielding member 482 for shielding an electric field formed between the anode 430 and the substrate Wf when arranged between the anode 430 and the substrate Wf. The shielding member 482 may be, for example, a shielding plate formed in a plate shape. The shielding member 482 is inserted into the cathode region 422 through the side wall of the plating tank 410, and the flange 484 is attached to the end portion on the side not inserted into the plating tank 410. In the present embodiment, the shielding member 482 is not always arranged between the anode 430 and the substrate Wf, but is configured to shield a specific portion of the substrate Wf at a desired timing. This point will be described below.

図４は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す上面図であり、遮蔽部材が退避した状態を示している。図３および図４に示すように、めっきモジュール４００は、回転機構４４７による基板ホルダ４４０の回転角度に応じて遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間に移動させる遮蔽機構４６０を備える。遮蔽機構４６０は、基板ホルダ４４０に取り付けられたカム部材４６１を備える。カム部材４６１は、シールリングホルダ４４２の上面に取り付けられた円板カム４６２を含む。遮蔽機構４６０は、カム部材４６１（円板カム４６２）の突起４６２ａに押圧されることに応じて遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間に押し出す従動節４７０を備える。 FIG. 4 is a top view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, and shows a state in which the shielding member is retracted. As shown in FIGS. 3 and 4, the plating module 400 includes a shielding mechanism 460 that moves the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf according to the rotation angle of the substrate holder 440 by the rotating mechanism 447. The shielding mechanism 460 includes a cam member 461 attached to the substrate holder 440. The cam member 461 includes a disc cam 462 attached to the upper surface of the seal ring holder 442. The shielding mechanism 460 includes a driven node 470 that pushes the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf in response to being pressed by the protrusion 462a of the cam member 461 (disk cam 462).

従動節４７０は、円板カム４６２の突起４６２ａに押圧されて基板ホルダ４４０から遠ざかる方向に移動するフォロワ４７３を備える。めっき槽４１０の上部の外壁面には基台４７２が取り付けられており、フォロワ４７３は、シャフト４４８を中心とした放射方向に往復移動可能に基台４７２に支持されている。フォロワ４７３は、シャフト４４８を中心とした放射方向に伸びる棒状の部材である。フォロワ４７３の一方の端部には、シャフト４４８の回転軸と平行な軸の周りに回転する第１のローラ４７１が取り付けられている。フォロワ４７３の他方の端部には、シャフト４４８の回転軸の方向およびシャフト４４８を中心とした放射方向の両方と垂直な軸の周りに回転可能な第２のローラ４７５が取り付けられている。 The driven section 470 includes a follower 473 that is pressed by the protrusion 462a of the disk cam 462 and moves away from the substrate holder 440. A base 472 is attached to the outer wall surface of the upper part of the plating tank 410, and the follower 473 is supported by the base 472 so as to be reciprocally movable in the radial direction around the shaft 448. The follower 473 is a rod-shaped member extending in the radial direction about the shaft 448. A first roller 471 that rotates about an axis parallel to the axis of rotation of the shaft 448 is attached to one end of the follower 473. At the other end of the follower 473 is attached a second roller 475 that is rotatable around an axis perpendicular to both the direction of the axis of rotation of the shaft 448 and the direction of radiation about the shaft 448.

従動節４７０は、フォロワ４７３からの押圧に応じて回転して遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間に押し出すリンク４７４を備える。リンク４７４は棒状の部材であり、基台４７２に設けられた回転軸４７６周りに回転可能に基台４７２に支持されている。回転軸４７６は、第２のローラ４７５の回転軸と平行な回転軸である。リンク４７４は、リンク４７４の回転軸４７６を挟んだ一方の側が第２のローラ４７５と接触できるように基台４７２に支持されている。リンク４７４の回転軸４７６を挟んだ他方の側の端部には、第２のローラ４７５の回転軸と平行な軸の周りに回転可能な第３のローラ４７８が取り付けられている。リンク４７４は、第３のローラ４７８が遮蔽部材４８２のフランジ４８４と接触できるように基台４７２に支持されている。 The driven section 470 includes a link 474 that rotates in response to pressure from the follower 473 and pushes the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf. The link 474 is a rod-shaped member, and is rotatably supported by the base 472 around a rotation shaft 476 provided on the base 472. The rotating shaft 476 is a rotating shaft parallel to the rotating shaft of the second roller 475. The link 474 is supported by the base 472 so that one side of the link 474 sandwiching the rotation shaft 476 can come into contact with the second roller 475. A third roller 478 that is rotatable around an axis parallel to the axis of rotation of the second roller 475 is attached to the other end of the link 474 across the axis 476. The link 474 is supported by the base 472 so that the third roller 478 can come into contact with the flange 484 of the shielding member 482.

従動節４７０は、遮蔽部材４８２がリンク４７４によって押し出されていないときに遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間から遠ざかる方向に押し戻す押圧部材４７９を備える。押圧部材４７９は、例えば一方の端部がめっき槽４１０の外壁に取り付けられ、他方の端部が遮蔽部材４８２のフランジ４８４に取り付けられた圧縮コイルばねであるが、これに限定されない。 The driven section 470 includes a pressing member 479 that pushes the shielding member 482 back away from between the anode 430 and the substrate Wf when the shielding member 482 is not extruded by the link 474. The pressing member 479 is, for example, a compression coil spring having one end attached to the outer wall of the plating tank 410 and the other end attached to the flange 484 of the shielding member 482, but is not limited thereto.

次に、遮蔽機構４６０による遮蔽部材４８２の動作について説明する。図３および図４に示すように円板カム４６２の突起４６２ａが第１のローラ４７１を押圧していないときには、押圧部材４７９の付勢力によってフランジ４８４がめっき槽４１０から遠ざかる方向に押圧される。これにより、遮蔽部材４８２はアノード４３０と基板Ｗｆとの間から退避した位置に移動する。また、フランジ４８４がめっき槽４１０から遠ざかる方向に押圧されると、フランジ４８４が第３のローラ４７８を押圧することによってリンク４７４は反時計回りに回転する。すると、リンク４７４の回転軸４７６を挟んだ一方の側が第２のローラ４７５をシャフト４４８の中心に向かって押圧する。これによりフォロワ４７３はシャフト４４８の中心に向かって移動する。 Next, the operation of the shielding member 482 by the shielding mechanism 460 will be described. As shown in FIGS. 3 and 4, when the protrusion 462a of the disk cam 462 does not press the first roller 471, the flange 484 is pressed away from the plating tank 410 by the urging force of the pressing member 479. As a result, the shielding member 482 moves to a position retracted from between the anode 430 and the substrate Wf. Further, when the flange 484 is pressed away from the plating tank 410, the flange 484 presses the third roller 478, so that the link 474 rotates counterclockwise. Then, one side of the link 474 sandwiching the rotation shaft 476 presses the second roller 475 toward the center of the shaft 448. As a result, the follower 473 moves toward the center of the shaft 448.

図５は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。図６は、一実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す上面図であり、遮蔽部材がアノードと基板との間に移動した状態を示している。図５および図６に示すように、基板ホルダ４４０が回転して所定の回転角度の範囲内にあるときに、円板カム４６２の突起４６２ａが第１のローラ４７１を押圧し、これにより第１のローラ４７１はシャフト４４８の中心から遠ざかる方向に移動する。これにともない、フォロワ４７３はシャフト４４８の中心から遠ざかる方向に移動し、第２のローラ４７５がリンク４７４の回転軸４７６を挟んだ一方の側を押圧する。これによりリンク４７４は時計回りに回転し、第３のローラ４７８が押圧部材４７９の付勢力に抗してフランジ４８４をめっき槽４１０に近づく方向に押圧する。その結果、遮蔽部材４８２はアノード４３０と基板Ｗｆとの間に押し出される。基板ホルダ４４０が所定の回転角度の範囲を超えて回転すると、図３および図４を用いて説明したように、遮蔽部材４８２はアノード４３０と基板Ｗｆとの間から退避した位置に移動する。 FIG. 5 is a vertical cross-sectional view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, showing a state in which the shielding member is moved between the anode and the substrate. FIG. 6 is a top view schematically showing the configuration of the plating module of one embodiment, and shows a state in which the shielding member has moved between the anode and the substrate. As shown in FIGS. 5 and 6, when the substrate holder 440 is rotated and is within a predetermined rotation angle range, the protrusion 462a of the disk cam 462 presses the first roller 471, whereby the first roller 471 is pressed. Roller 471 moves away from the center of the shaft 448. Along with this, the follower 473 moves away from the center of the shaft 448, and the second roller 475 presses one side of the link 474 with the rotation shaft 476 in between. As a result, the link 474 rotates clockwise, and the third roller 478 presses the flange 484 in the direction approaching the plating tank 410 against the urging force of the pressing member 479. As a result, the shielding member 482 is extruded between the anode 430 and the substrate Wf. When the substrate holder 440 rotates beyond a predetermined rotation angle range, the shielding member 482 moves to a position retracted from between the anode 430 and the substrate Wf, as described with reference to FIGS. 3 and 4.

次に、基板の非パターン領域と遮蔽部材との関係について説明する。図７は、基板の非パターン領域と遮蔽部材との関係を示す上面図である。図７Ａは、基板のパターン領域と非パターン領域とを示す上面図である。図７Ｂは、遮蔽部材が覆う基板の領域を示す上面図である。図７Ａは、図５および図６に示したように基板ホルダ４４０が所定の回転角度の範囲内にある状態を基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａ側から見た図であり、遮蔽部材４８２は図示を省略している。図７Ｂは、図５および図６に示したように遮蔽部材４８２がアノード４３０と基板Ｗｆとの間に押し出された状態を基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａ側から見た図である。 Next, the relationship between the non-patterned region of the substrate and the shielding member will be described. FIG. 7 is a top view showing the relationship between the non-patterned region of the substrate and the shielding member. FIG. 7A is a top view showing a patterned region and a non-patterned region of the substrate. FIG. 7B is a top view showing a region of the substrate covered by the shielding member. FIG. 7A is a view of the state in which the substrate holder 440 is within a predetermined rotation angle range as shown in FIGS. 5 and 6 from the side to be plated Wf-a of the substrate Wf, and the shielding member 482 is The illustration is omitted. FIG. 7B is a view of the state in which the shielding member 482 is extruded between the anode 430 and the substrate Wf as shown in FIGS. 5 and 6 as viewed from the plated surface Wf-a side of the substrate Wf.

図７Ａに示すように、基板ＷｆはノッチＷｆ−ｎ（切り欠き）を有する。基板Ｗｆは、ノッチＷｆ−ｎと円板カム４６２の突起４６２ａとが、同じ回転角度になるように基板ホルダ４４０に設置される。また、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａは、回路などのパターンが形成されたパターン領域Ｗｆ−ｂと、ノッチＷｆ−ｎの周囲の回路などのパターンが形成されない非パターン領域Ｗｆ−ｃと、を有する。図７Ｂに示すように、遮蔽機構４６０は、基板ＷｆのノッチＷｆ−ｎが所定角度範囲内に回転したときに遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板ＷｆのノッチＷｆ−ｎとの間に押し出すように構成される。遮蔽部材４８２は、遮蔽機構４６０によってアノード４３０と基板ＷｆのノッチＷｆ−ｎとの間に押し出されたときにノッチＷｆ−ｎおよびノッチＷｆ−ｎの周囲の非パターン領域Ｗｆ−ｃを覆うように構成される。なお、本実施形態では、基板Ｗｆの特定の部位として、ノッチＷｆ−ｎまたは非パターン領域Ｗｆ−ｃを例に挙げて説明したが、基板Ｗｆの特定の部位はこれらに限定されない。また、本実施形態では、ノッチＷｆ−ｎの周囲の特定の領域として、非パターン領域Ｗｆ−ｃを例に挙げて説明したが、ノッチＷｆ−ｎの周囲の特定の領域はこれに限定されない。 As shown in FIG. 7A, the substrate Wf has a notch Wf-n (notch). The substrate Wf is installed in the substrate holder 440 so that the notch Wf-n and the protrusion 462a of the disk cam 462 have the same rotation angle. Further, the surface to be plated Wf-a of the substrate Wf includes a pattern region Wf-b in which a pattern such as a circuit is formed and a non-pattern region Wf-c in which a pattern such as a circuit around the notch Wf-n is not formed. Has. As shown in FIG. 7B, the shielding mechanism 460 pushes the shielding member 482 between the anode 430 and the notch Wf-n of the substrate Wf when the notch Wf-n of the substrate Wf rotates within a predetermined angle range. It is composed. The shielding member 482 covers the notch Wf-n and the non-patterned region Wf-c around the notch Wf-n when extruded between the anode 430 and the notch Wf-n of the substrate Wf by the shielding mechanism 460. It is composed. In the present embodiment, the notch Wf-n or the non-patterned region Wf-c has been described as an example of the specific portion of the substrate Wf, but the specific portion of the substrate Wf is not limited thereto. Further, in the present embodiment, the non-patterned region Wf-c has been described as an example as a specific region around the notch Wf-n, but the specific region around the notch Wf-n is not limited to this.

本実施形態によれば、遮蔽部材４８２が常にアノード４３０と基板Ｗｆとの間に配置されているのではなく、基板ホルダ４４０の回転角度に応じて遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間に移動させる遮蔽機構４６０を備えている。したがって、遮蔽部材４８２によって覆うべき基板Ｗｆの特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができる。例えば、基板Ｗｆの特定の部位がノッチＷｆ−ｎの周囲の非パターン領域Ｗｆ−ｃである場合には、ノッチＷｆ−ｎおよびノッチＷｆ−ｎの周囲の非パターン領域Ｗｆ−ｃを所望のタイミングで遮蔽することができる。非パターン領域Ｗｆ−ｃは、パターン領域Ｗｆ−ｂとは異なり基板Ｗｆがむき出しになっているため、非パターン領域Ｗｆ−ｃに電界が集中し、その結果、パターン領域Ｗｆ−ｂのめっき膜厚が不均一になる場合がある。これに対して、本実施形態では、所望のタイミングで非パターン領域Ｗｆ−ｃを遮蔽部材４８２で覆うことができるので、非パターン領域Ｗｆ−ｃにおける電界集中を適切に抑制し、その結果、パターン領域Ｗｆ−ｂのめっき膜厚を均一化することができる。なお、本実施形態ではノッチＷｆ−ｎおよびノッチＷｆ−ｎの周囲の非パターン領域を遮蔽部材４８２によって覆う例を示したが、これに限定されず、基板Ｗｆの特定の部位を所望のタイミングで覆うことができる。 According to this embodiment, the shielding member 482 is not always arranged between the anode 430 and the substrate Wf, but the shielding member 482 is placed between the anode 430 and the substrate Wf according to the rotation angle of the substrate holder 440. It is equipped with a shielding mechanism 460 that moves to. Therefore, a specific portion of the substrate Wf to be covered by the shielding member 482 can be shielded at a desired timing. For example, when a specific portion of the substrate Wf is a non-patterned region Wf-c around the notch Wf-n, the non-patterned region Wf-c around the notch Wf-n and the notch Wf-n is at a desired timing. Can be shielded with. In the non-pattern region Wf-c, unlike the pattern region Wf-b, the substrate Wf is exposed, so that the electric field is concentrated in the non-pattern region Wf-c, and as a result, the plating film thickness of the pattern region Wf-b. May be non-uniform. On the other hand, in the present embodiment, since the non-pattern region Wf-c can be covered with the shielding member 482 at a desired timing, the electric field concentration in the non-pattern region Wf-c is appropriately suppressed, and as a result, the pattern The plating film thickness of the region Wf-b can be made uniform. In the present embodiment, an example in which the notch Wf-n and the non-patterned region around the notch Wf-n are covered with the shielding member 482 is shown, but the present invention is not limited to this, and a specific portion of the substrate Wf is covered at a desired timing. Can be covered.

また、本実施形態では円板カム４６２の突起４６２ａが１つ設けられる例を示したが、これに限定されず、例えば基板Ｗｆの特定の部位が基板Ｗｆの周方向に沿って複数存在する場合には、基板Ｗｆの特定の部位の配置に応じて円板カム４６２の突起４６２ａを複数設けてもよい。また、本実施形態では、１つの遮蔽機構４６０が設けられる例を示したが、これに限定されず、めっき槽４１０の周方向に沿って複数の遮蔽機構４６０を設けてもよい。これにより、基板Ｗｆの特定の部位が異なる複数の所定の回転角度の範囲内にあるときに基板Ｗｆの特定の部位を遮蔽部材４８２によって覆うことができる。例えばパターン領域Ｗｆ−ｂのめっき膜厚が均一になるように遮蔽機構４６０の数量および配置角度を調整してもよい。 Further, in the present embodiment, an example in which one protrusion 462a of the disk cam 462 is provided is shown, but the present invention is not limited to this, and for example, when a plurality of specific parts of the substrate Wf exist along the circumferential direction of the substrate Wf. May be provided with a plurality of protrusions 462a of the disk cam 462 according to the arrangement of a specific portion of the substrate Wf. Further, in the present embodiment, an example in which one shielding mechanism 460 is provided is shown, but the present invention is not limited to this, and a plurality of shielding mechanisms 460 may be provided along the circumferential direction of the plating tank 410. Thereby, when the specific portion of the substrate Wf is within a range of a plurality of different predetermined rotation angles, the specific portion of the substrate Wf can be covered by the shielding member 482. For example, the quantity and arrangement angle of the shielding mechanism 460 may be adjusted so that the plating film thickness of the pattern region Wf−b becomes uniform.

図８は、一実施形態の円板カムの構造を示す上面図である。上記の実施形態では、円板カム４６２が一体構成で作成される例を示したが、これに限定されない。図８に示すように、円板カム４６２は、基板ホルダ４４０（シールリングホルダ４４２）に取り付けられる本体部材４６３と、本体部材４６３に着脱可能に取り付けられる突起部材４６４と、を含んで構成されてもよい。図８に示すように、突起部材４６４は、第１の突起部材４６４−１と、第１の突起部材４６４−１とは形状が異なる第２の突起部材４６４−２と、を含む。図８の実施形態によれば、異なる種類の基板に対して突起部材４６４を交換することができる。第１の突起部材４６４−１と第２の突起部材４６４−２は突起サイズが異なるので、遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間に移動させる量を異ならせることができる。したがって、例えば基板Ｗｆの特定の部位のサイズが異なる場合に、遮蔽機構４６０を交換したり円板カム４６２全体を交換したりするのではなく、突起部材４６４のみを交換すればよいので、複数種類の基板に対して迅速に対応することができる。 FIG. 8 is a top view showing the structure of the disk cam of one embodiment. In the above embodiment, an example in which the disk cam 462 is manufactured in an integral configuration is shown, but the present invention is not limited to this. As shown in FIG. 8, the disk cam 462 includes a main body member 463 attached to the substrate holder 440 (seal ring holder 442) and a protrusion 464 detachably attached to the main body member 463. May be good. As shown in FIG. 8, the protrusion member 464 includes a first protrusion member 464-1 and a second protrusion member 464-2 having a shape different from that of the first protrusion member 464-1. According to the embodiment of FIG. 8, the protrusion 464 can be exchanged for different types of substrates. Since the first protrusion member 464-1 and the second protrusion member 464-2 have different protrusion sizes, the amount of movement of the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf can be different. Therefore, for example, when the size of a specific portion of the substrate Wf is different, it is sufficient to replace only the protrusion member 464 instead of replacing the shielding mechanism 460 or the entire disk cam 462. It is possible to respond quickly to the substrate of.

次に、本実施形態のめっきモジュール４００を用いためっき方法について説明する。図９は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法のフローチャートである。なお、以下のめっき方法は、円板カム４６２の本体部材４６３に対して突起部材４６４が取り付けられていない状態で開始されるものとする。 Next, a plating method using the plating module 400 of the present embodiment will be described. FIG. 9 is a flowchart of a plating method using the plating module of one embodiment. It is assumed that the following plating method is started in a state where the protrusion member 464 is not attached to the main body member 463 of the disk cam 462.

本実施形態のめっき方法においては、まず、異なる突起サイズを有する円板カム４６２の複数の突起部材（例えば第１の突起部材４６４−１と第２の突起部材４６４−２）のうち基板ホルダ４４０に保持される基板Ｗｆの種類に対応する突起部材を選択して円板カム４６２の本体部材４６３に取り付ける（ステップ１０１）。ここでは第１の突起部材４６４−１が本体部材４６３に取り付けられたものとする。続いて、めっき方法は、基板ホルダ４４０に基板Ｗｆを設置する（ステップ１０２）。ステップ１０２は、例えば被めっき面Ｗｆ−ａを下方に向けた状態の基板Ｗｆを図示していないロボットハンドなどによってシールリングホルダ４４２に置き、バックプレート４４４によって基板Ｗｆの裏面を押圧することによって実行することができる。 In the plating method of the present embodiment, first, among the plurality of protrusion members (for example, the first protrusion member 464-1 and the second protrusion member 464-2) of the disk cam 462 having different protrusion sizes, the substrate holder 440 A protrusion member corresponding to the type of substrate Wf held in the disk cam 462 is selected and attached to the main body member 463 of the disk cam 462 (step 101). Here, it is assumed that the first protrusion member 464-1 is attached to the main body member 463. Subsequently, in the plating method, the substrate Wf is installed on the substrate holder 440 (step 102). Step 102 is executed by, for example, placing the substrate Wf with the surface to be plated Wf-a facing downward on the seal ring holder 442 by a robot hand (not shown) or the like, and pressing the back surface of the substrate Wf with the back plate 444. can do.

続いて、めっき方法は、昇降機構４４３によって基板ホルダ４４０をめっき槽４１０内に降下させる（降下ステップ１０３）。続いて、めっき方法は、回転機構４４７によって基板ホルダ４４０を回転させる（回転ステップ１０４）。 Subsequently, in the plating method, the substrate holder 440 is lowered into the plating tank 410 by the elevating mechanism 443 (lowering step 103). Subsequently, in the plating method, the substrate holder 440 is rotated by the rotation mechanism 447 (rotation step 104).

めっき方法は、回転ステップ１０４による基板ホルダ４４０の回転角度に応じて遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間に移動させる（遮蔽ステップ１０５）。遮蔽ステップ１０５は、遮蔽機構４６０によって実行することができる。遮蔽ステップ１０５の詳細は後述する。続いて、めっき方法は、回転ステップ１０４および遮蔽ステップ１０５を継続しながら、めっき槽４１０内に配置されたアノード４３０と基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって被めっき面Ｗｆ−ａにめっき処理を施す（めっきステップ１０６）。 In the plating method, the shielding member 482 is moved between the anode 430 and the substrate Wf according to the rotation angle of the substrate holder 440 by the rotation step 104 (shielding step 105). The shielding step 105 can be performed by the shielding mechanism 460. The details of the shielding step 105 will be described later. Subsequently, the plating method is applied by applying a voltage between the anode 430 arranged in the plating tank 410 and the substrate Wf held in the substrate holder 440 while continuing the rotation step 104 and the shielding step 105. The plated surface Wf-a is plated (plating step 106).

続いて、めっき方法は、めっき処理を終了すべきか否かを判定する（ステップ１０７）。めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過していないことによりめっき処理を終了すべきではないと判定した場合には（ステップ１０７，Ｎｏ）、回転ステップ１０６に戻って処理を継続する。 Subsequently, the plating method determines whether or not the plating process should be completed (step 107). As for the plating method, for example, when it is determined that the plating process should not be completed because a predetermined time has not passed since the start of the plating process (step 107, No), the process returns to the rotation step 106 and the process is performed. continue.

一方、めっき方法は、例えばめっき処理を開始してから所定時間が経過したことによりめっき処理を終了すべきと判定した場合には（ステップ１０７，Ｙｅｓ）、回転機構４４７による基板ホルダ４４０の回転を停止する（ステップ１０８）。続いて、めっき方法は、昇降機構４４３によって基板ホルダ４４０を上昇させて（ステップ１０９）、めっき処理を終了する。 On the other hand, in the plating method, for example, when it is determined that the plating process should be completed after a predetermined time has elapsed from the start of the plating process (step 107, Yes), the rotation mechanism 447 rotates the substrate holder 440. Stop (step 108). Subsequently, in the plating method, the substrate holder 440 is raised by the elevating mechanism 443 (step 109), and the plating process is completed.

次に、遮蔽ステップ１０５の詳細を説明する。図１０は、一実施形態のめっきモジュールを用いためっき方法における遮蔽ステップのフローチャートである。遮蔽ステップ１０５は、基板ホルダ４４０が所定の回転角度の範囲内にあるとき、具体的には基板ＷｆのノッチＷｆ−ｎが所定角度範囲内に回転したときに、基板ホルダ４４０に取り付けられた円板カム４６２の第１の突起部材４６４−１によってフォロワ４７３を基板ホルダ４４０から遠ざかる方向に移動させる（ステップ１０５−１）。 Next, the details of the shielding step 105 will be described. FIG. 10 is a flowchart of a shielding step in a plating method using the plating module of one embodiment. The shielding step 105 is a circle attached to the substrate holder 440 when the substrate holder 440 is within a predetermined rotation angle range, specifically, when the notch Wf-n of the substrate Wf is rotated within a predetermined angle range. The follower 473 is moved away from the substrate holder 440 by the first protruding member 464-1 of the plate cam 462 (step 105-1).

続いて、遮蔽ステップ１０５は、フォロワ４７３からの押圧に応じてリンク４７４を回転させて遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間、具体的にはアノード４３０と基板ＷｆのノッチＷｆ−ｎとの間に押し出す（ステップ１０５−２）。これにより、ノッチＷｆ−ｎおよびノッチＷｆ−ｎの周囲の非パターン領域Ｗｆ−ｃは遮蔽部材４８２によって覆われる。続いて、遮蔽ステップ１０５は、遮蔽部材４８２がアノード４３０と基板Ｗｆとの間に押し出されていないとき、すなわち基板ホルダ４４０が所定の回転角度の範囲外に回転したときに、押圧部材４７９によって遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間から遠ざかる方向に押し戻す（ステップ１０５−３）。遮蔽ステップ１０５は、回転機構４４７によって基板ホルダ４４０を回転させている間は、ステップ１０５−１からステップ１０５−３を繰り返す。 Subsequently, in the shielding step 105, the link 474 is rotated in response to the pressure from the follower 473 to move the shielding member 482 between the anode 430 and the substrate Wf, specifically, the notch Wf-n of the anode 430 and the substrate Wf. Extrude between (step 105-2). As a result, the notch Wf-n and the non-patterned region Wf-c around the notch Wf-n are covered by the shielding member 482. Subsequently, the shielding step 105 is shielded by the pressing member 479 when the shielding member 482 is not extruded between the anode 430 and the substrate Wf, that is, when the substrate holder 440 rotates outside the predetermined rotation angle range. The member 482 is pushed back in the direction away from between the anode 430 and the substrate Wf (step 105-3). The shielding step 105 repeats steps 105-1 to 105-3 while the substrate holder 440 is rotated by the rotation mechanism 447.

本実施形態のめっき方法によれば、遮蔽部材４８２が常にアノード４３０と基板Ｗｆとの間に配置されているのではなく、遮蔽ステップ１０５によって、基板ホルダ４４０の回転角度に応じて遮蔽部材４８２をアノード４３０と基板Ｗｆとの間に移動させる。したがって、遮蔽部材４８２によって覆うべき基板Ｗｆの特定の部位を所望のタイミングで遮蔽することができる。 According to the plating method of the present embodiment, the shielding member 482 is not always arranged between the anode 430 and the substrate Wf, but the shielding member 482 is provided by the shielding step 105 according to the rotation angle of the substrate holder 440. It is moved between the anode 430 and the substrate Wf. Therefore, a specific portion of the substrate Wf to be covered by the shielding member 482 can be shielded at a desired timing.

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。 Although some embodiments of the present invention have been described above, the above-described embodiments of the present invention are for facilitating the understanding of the present invention and do not limit the present invention. The present invention can be modified and improved without departing from the spirit thereof, and it goes without saying that the present invention includes an equivalent thereof. In addition, any combination or omission of the claims and the components described in the specification is possible within the range in which at least a part of the above-mentioned problems can be solved, or in the range in which at least a part of the effect is exhibited. Is.

本願は、一実施形態として、めっき液を収容するためのめっき槽と、前記めっき槽内に配置されたアノードと、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダを回転させるための回転機構と、前記基板ホルダの回転角度に応じて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に移動させる遮蔽機構と、を含む、めっき装置を開示する。 In one embodiment, the present application includes a plating tank for accommodating a plating solution, an anode arranged in the plating tank, and a substrate holder for holding a substrate with the surface to be plated facing downward. A plating apparatus including a rotating mechanism for rotating a substrate holder and a shielding mechanism for moving a shielding member between the anode and the substrate according to a rotation angle of the substrate holder is disclosed.

さらに、本願は、一実施形態として、前記遮蔽機構は、前記基板ホルダに取り付けられたカム部材と、前記カム部材の突起に押圧されることに応じて前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に押し出す従動節と、を含む、めっき装置を開示する。 Further, in the present application, as an embodiment, the shielding mechanism is such that the cam member attached to the substrate holder and the shielding member are pressed by the protrusions of the cam member to the anode and the substrate. A plating apparatus including a driven node extruded between them is disclosed.

さらに、本願は、一実施形態として、前記カム部材は、複数の突起を有し、前記従動節は、前記複数の突起に押圧されるたびに前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に押し出すように構成される、めっき装置を開示する。 Further, in the present application, as one embodiment, the cam member has a plurality of protrusions, and each time the driven node is pressed by the plurality of protrusions, the shielding member is placed between the anode and the substrate. Disclose a plating apparatus configured to be extruded.

さらに、本願は、一実施形態として、前記カム部材は円板カムを含み、前記従動節は、前記円板カムの突起に押圧されて前記基板ホルダから遠ざかる方向に移動するフォロワと、前記フォロワからの押圧に応じて回転して前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に押し出すリンクと、前記遮蔽部材が前記リンクによって押し出されていないときに前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間から遠ざかる方向に押し戻す押圧部材と、を含む、めっき装置を開示する。 Further, in the present application, as one embodiment, the cam member includes a disc cam, and the driven node is pressed by a protrusion of the disc cam and moves in a direction away from the substrate holder, and from the follower. A link that rotates in response to the pressing of the shield member and pushes the shielding member between the anode and the substrate, and a shielding member that is pushed between the anode and the substrate when the shielding member is not extruded by the link. Disclosed is a plating apparatus including a pressing member that pushes back in a direction away from.

さらに、本願は、一実施形態として、前記円板カムは、前記基板ホルダに取り付けられる本体部材と、前記本体部材に着脱可能に取り付けられる突起部材と、を含む、めっき装置を開示する。 Further, the present application discloses, as an embodiment, a plating apparatus in which the disk cam includes a main body member attached to the substrate holder and a protrusion member detachably attached to the main body member.

さらに、本願は、一実施形態として、前記遮蔽機構は、前記基板の特定の部位が所定角度範囲内に回転したときに前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板の特定の部位との間に押し出すように構成される、めっき装置を開示する。 Further, in the present application, as an embodiment, the shielding mechanism pushes the shielding member between the anode and the specific portion of the substrate when the specific portion of the substrate is rotated within a predetermined angle range. The plating apparatus configured in is disclosed.

さらに、本願は、一実施形態として、前記特定の部位は、前記基板のノッチであり、前記遮蔽部材は、前記遮蔽機構によって前記アノードと前記基板のノッチとの間に押し出されたときに前記基板のノッチおよび前記基板のノッチの周囲の特定の領域を覆うように構成される、めっき装置を開示する。 Further, in one embodiment, the specific portion is a notch of the substrate, and the shielding member is extruded between the anode and the notch of the substrate by the shielding mechanism. A plating apparatus is disclosed which is configured to cover a specific area around the notch of the substrate and the notch of the substrate.

さらに、本願は、一実施形態として、前記基板のノッチの周囲の特定の領域は、前記基板のノッチの周囲のパターンが形成されていない領域を含む、めっき装置を開示する。 Further, the present application discloses, as an embodiment, a plating apparatus in which a specific region around a notch of the substrate includes a region in which a pattern around the notch of the substrate is not formed.

さらに、本願は、一実施形態として、前記遮蔽機構は、前記めっき槽の周方向に沿って複数設けられる、めっき装置を開示する。 Further, the present application discloses, as an embodiment, a plating apparatus in which a plurality of the shielding mechanisms are provided along the circumferential direction of the plating tank.

さらに、本願は、一実施形態として、被めっき面を下方に向けた状態で基板を保持する基板ホルダをめっき槽内に降下させる降下ステップと、前記基板ホルダを回転させる回転ステップと、前記回転ステップによる前記基板ホルダの回転角度に応じて遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に移動させる遮蔽ステップと、前記めっき槽内に配置されたアノードと前記基板ホルダに保持された基板との間に電圧を印加することによって前記被めっき面にめっき処理を施すめっきステップと、を含む、めっき方法を開示する。 Further, in the present application, as one embodiment, a lowering step of lowering the substrate holder holding the substrate with the surface to be plated facing downward into the plating tank, a rotation step of rotating the substrate holder, and the rotation step of the present application. Between the shielding step of moving the shielding member between the anode and the substrate according to the rotation angle of the substrate holder, and the anode arranged in the plating tank and the substrate held by the substrate holder. A plating method including a plating step of applying a plating treatment to the surface to be plated by applying a voltage is disclosed.

さらに、本願は、一実施形態として、前記遮蔽ステップは、前記基板ホルダに取り付けられた円板カムの突起によってフォロワを前記基板ホルダから遠ざかる方向に移動させるステップと、前記フォロワからの押圧に応じてリンクを回転させて前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間に押し出すステップと、を含む、めっき方法を開示する。 Further, in the present application, as one embodiment, the shielding step corresponds to a step of moving the follower in a direction away from the substrate holder by a protrusion of a disk cam attached to the substrate holder, and a press from the follower. Disclosed is a plating method comprising a step of rotating a link to extrude the shielding member between the anode and the substrate.

さらに、本願は、一実施形態として、前記遮蔽ステップは、前記遮蔽部材が前記アノードと前記基板との間に押し出されていないときに前記遮蔽部材を前記アノードと前記基板との間から遠ざかる方向に押し戻すステップをさらに含む、めっき方法を開示する。 Further, in one embodiment, the shielding step moves the shielding member away from the anode and the substrate when the shielding member is not extruded between the anode and the substrate. A plating method is disclosed that further includes a push-back step.

さらに、本願は、一実施形態として、異なる突起サイズを有する前記円板カムの複数の突起部材のうち前記基板ホルダに保持される基板の種類に対応する突起部材を選択して、前記円板カムの本体部材に取り付けるステップをさらに含む、めっき方法を開示する。 Further, in the present application, as an embodiment, a protrusion member corresponding to the type of substrate held by the substrate holder is selected from a plurality of protrusion members of the disk cam having different protrusion sizes, and the disk cam is selected. A plating method is disclosed, which further includes a step of attaching to the main body member of the above.

４００めっきモジュール
４１０めっき槽
４３０アノード
４４０基板ホルダ
４４２シールリングホルダ
４４３昇降機構
４４４バックプレート
４４６フレーム
４４７回転機構
４４８シャフト
４５０抵抗体
４６０遮蔽機構
４６１カム部材
４６２円板カム
４６２ａ突起
４６３本体部材
４６４突起部材
４６４−１第１の突起部材
４６４−２第２の突起部材
４７０従動節
４７１第１のローラ
４７２基台
４７３フォロワ
４７４リンク
４７５第２のローラ
４７６回転軸
４７８第３のローラ
４７９押圧部材
４８２遮蔽部材
４８４フランジ
１０００めっき装置
Ｗｆ基板
Ｗｆ−ａ被めっき面
Ｗｆ−ｂパターン領域
Ｗｆ−ｃ非パターン領域
Ｗｆ−ｎノッチ400 Plating module 410 Plating tank 430 Anode 440 Substrate holder 442 Seal ring holder 443 Elevating mechanism 444 Back plate 446 Frame 447 Rotating mechanism 448 Shaft 450 Resistor 460 Shielding mechanism 461 Cam member 462 Disc cam 462a Protrusion 463 Main body member 464 Protrusion member 464 -1 First protruding member 464-2 Second protruding member 470 Driven section 471 First roller 472 Base 473 Follower 474 Link 475 Second roller 476 Rotating shaft 478 Third roller 479 Pressing member 482 Shielding member 484 Flange 1000 Plating device Wf Substrate Wf-a Surface to be plated Wf-b Pattern area Wf-c Non-pattern area Wf-n Notch

Claims

A plating tank for accommodating the plating solution and
With the anode arranged in the plating tank,
A substrate holder for holding the substrate with the surface to be plated facing downward,
A rotation mechanism for rotating the board holder and
See containing and a shielding mechanism for moving between the substrate shielding member and the anode in accordance with the rotation angle of the substrate holder,
The shielding mechanism is
The cam member attached to the board holder and
A driven node that pushes the shielding member between the anode and the substrate in response to being pressed by a protrusion of the cam member.
Plating equipment.

The cam member has a plurality of protrusions and has a plurality of protrusions.
The driven node is configured to push the shielding member between the anode and the substrate each time it is pressed by the plurality of protrusions.
The plating apparatus according to claim 1.

The cam member includes a disc cam.
The driven node is pressed by a protrusion of the disk cam and moves in a direction away from the substrate holder, and rotates in response to the pressure from the follower to move the shielding member between the anode and the substrate. Includes a link that pushes the shield member back in a direction away from between the anode and the substrate when the shield member is not pushed out by the link.
The plating apparatus according to claim 1 or 2.

The disk cam includes a main body member attached to the substrate holder and a protrusion member detachably attached to the main body member.
The plating apparatus according to claim 3.

The shielding mechanism is configured to push the shielding member between the anode and the specific portion of the substrate when a specific portion of the substrate rotates within a predetermined angle range.
The plating apparatus according to any one of claims 1 to 4.

The specific portion is a notch on the substrate.
The shielding member is configured to cover a particular area around the notch of the substrate and the notch of the substrate when extruded between the anode and the notch of the substrate by the shielding mechanism.
The plating apparatus according to claim 5.

A particular region around the notch on the substrate includes an unpatterned region around the notch on the substrate.
The plating apparatus according to claim 6.

A plurality of the shielding mechanisms are provided along the circumferential direction of the plating tank.
The plating apparatus according to any one of claims 1 to 7.

A descent step of lowering the substrate holder that holds the substrate with the surface to be plated facing downward into the plating tank.
A rotation step for rotating the board holder and
A shielding step of moving the shielding member between the anode and the substrate according to the rotation angle of the substrate holder by the rotation step.
Look containing a plating step of plating treatment on the plated surface by applying a voltage between the substrate held an anode disposed in the plating tank to said substrate holder,
The shielding step
The step of moving the follower away from the substrate holder by the protrusion of the disk cam attached to the substrate holder, and the link is rotated in response to the pressure from the follower to move the shielding member between the anode and the substrate. Extrude between, including,
Plating method.

The shielding step further includes a step of pushing the shielding member back in a direction away from the anode and the substrate when the shielding member is not extruded between the anode and the substrate.
The plating method according to claim 9.

A step of selecting a protrusion member corresponding to the type of substrate held by the substrate holder from a plurality of protrusion members of the disk cam having different protrusion sizes and attaching the protrusion member to the main body member of the disk cam is further included.
The plating method according to claim 10.