JP7128430B2 - 光干渉断層撮影装置及び光干渉断層撮影法 - Google Patents
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Description
上記試料からの反射光である試料光と、上記対物レンズと上記試料との間に設けられる参照面からの反射光である参照光との干渉に基づいて上記試料の断層撮影を行う光干渉断層撮影装置であって、
上記試料光及び参照光の両方が上記対物レンズを通過し、
上記対物レンズは、Fθレンズである光干渉断層撮影装置に関する。
上記光源からの光並びに上記試料光及び参照光が上記光ファイバーを通じて伝送されることが好ましい。
これに対し、工業分野等においては、プローブを携帯しながら、屋外のようにOCT装置本体(筐体)から大きく離れた場所にある対象を撮影することが求められる場合がある。このような場合、試料光と参照光とが別々の光路を通る図1のマイケルソン型OCT装置では、試料光路(プローブ)と、参照光路(本体)とが置かれる環境(温度等)に相違が生じやすく、光路長の変化によって、得られる断層画像のずれ(ドリフト)が大きくなるという問題がある。
なお、上記試料光及び参照光は、上記対物レンズの上記試料側から入射し、上記光源側に出射する。
上記試料光及び参照光は、いずれも、上記対物レンズを通過した上記光源からの光から生じることが好ましい。従来のマイケルソン型OCT装置のように、対物レンズを通過する前に分割された光から試料光及び参照光が別々に生じる場合と比較して、試料光路及び参照光路の環境の相違を小さくすることができ、得られる断層画像のずれを一層低減することができる。
上記Fθレンズは、レンズの焦点距離をfとするとき、レンズの光軸に対して角度θで入射する光を、焦点において光軸に垂直な面の光軸からfθの位置に出射させるレンズである。
テレセントリックFθレンズは、主光線がレンズの光軸に平行になるように設計されたFθレンズであり、レンズと試料との距離が変動しても高精度の断層画像が得られる点で好ましい。
上記参照面は、上記光源からの光の少なくとも一部を反射する面であればよいが、試料光及び参照光が共通の光路を通るように構成しやすい点で、上記光源からの光の一部を透過し、一部を反射する面であることが好ましい。この態様においては、上記参照面を透過した光が上記試料に集光され、試料光が生成される一方、上記参照面で反射した光が参照光となる。
上記参照部材は、上記光源からの光の一部を透過し、一部を反射するものであることが好ましい。
上記参照面が、MgF2、CaF2、石英及びサファイアからなる群より選択される少なくとも1種を含む参照部材が有する平面であることは、好適な態様の1つである。
上記参照部材は、コーティング(例えば反射を調整するためのコーティング)が施されていないことが好ましい。
なお、上記参照部材の厚みが一定でない場合は、最薄部及び最厚部の厚みがいずれも上記範囲内にあることが好ましい。
nd≧Zmax (1)
(式中、ndは上記参照部材の光学的厚さを表し、Zmaxは計測可能距離を表す。)
光学的厚さは、上記参照部材の屈折率と実際の(幾何学的な)厚さとの積である。
計測可能距離は、下記関係式(2)で表される。
Zmax=c/(4δf) (2)
(式中、cは光速、δfはOCT干渉信号サンプリングの周波数間隔を表す。)
関係式(1)を満足する参照部材を使用すると、上記参照部材の後方基底面(参照面の反対側の面)からの後方反射に基づく信号が断層画像内(深さ0超、Zmax未満に対応する範囲内)に現れないので、より高精度の断層画像を得ることができる。
n×WD>nd>n×Zmax (3)
(式中、nは上記参照部材の屈折率を表す。WDは、OCT装置の作動距離を表す。nd及びZmaxは、上記のとおり。)
作動距離(working distance)は、ピントを合わせたときの、対物レンズの試料側の最前面から試料までの距離である。
関係式(3)を満足する参照部材を使用すると、上記参照部材の後方基底面(参照面の反対側の面)からの後方反射に基づくゴースト像の強度を低減することができ、一層高精度の断層画像を得ることができる。
上記後方反射に基づくゴースト像の強度を一層低減することができる点で、上記参照部材の厚みは、関係式(3)を満たす範囲内で厚いほうが好ましい。また、上記参照部材の後方基底面を、参照面に対し傾斜させることも好ましい。
上述の効果は、後述するアンチエイリアスフィルタ(ローパスフィルタ)を設ける場合に、特に顕著になる。
nd=m×Zmax (4)
(式中、nd及びZmaxは上記のとおり。mは1以上の整数を表す。)
mは、1以上、20以下の整数であることが好ましく、1以上、10以下の整数であることも好ましい。
関係式(4)を満足する参照部材を使用すると、上記参照部材の後方基底面(参照面の反対側の面)からの後方反射に基づく信号が断層画像の端部(深さ0又はZmaxに対応する位置)に重なるので断層画像への影響が少なく、一層高精度の断層画像を得ることができる。
もちろん、上記参照面と上記試料との距離を上記より大きくして断層撮影を行うことも可能であってよい。
上記周波数走査光源としては、波長掃引フィルタ(ポリゴンミラーによる駆動、ガルバノミラーによる駆動等)を用いた波長掃引レーザ、FDMLレーザ、MEMS波長掃引光源(MEMS VCSEL、外部共振器型MEMSファブリペローレーザ等)、SGDBRレーザ等を用いることができる。
3ポートのサーキュレータの場合、上記光源からの光は、上記光源の側にある第1のポートから入力され、上記対物レンズの側にある第2のポートから出力される。上記対物レンズを通過した上記試料光及び参照光は、第2のポートから入力され、上記検出器の側にある第3のポートから出力される。
図2のOCT装置100において、周波数走査光源101は、OCTに使用する光を出力する。周波数走査光源101は、周波数走査の開始ごとにトリガー信号を出力する。また、マッハツェンダー干渉計によって光を検出し、周波数等間隔のサンプリングのためのKクロック信号を出力する。
周波数走査光源101から出力された光は、カプラ102において、試料光及び参照光の生成に用いる分割光1と、干渉信号の直流成分の除去に用いる分割光2とに95:5の強度比にて分割される。分割光1はサーキュレータ103のポート1に入力され、ポート2から出力されて、数メートルの長さの光ファイバーを通じてプローブ104に伝送される。
プローブ104において、分割光1はコリメータ105により平行光に変換された後、ガルバノミラー106により反射されて、Fθレンズである対物レンズ107に入射する。ガルバノミラー106は、ガルバノミラードライバ111により駆動され、上記平行光を、光軸に垂直なXY方向に走査する。対物レンズ107に入射した平行光は、参照部材108を通過して撮影対象である試料110に集光され、試料面において反射して試料光として対物レンズ107に入射する。また、対物レンズ107に入射した平行光の一部は、参照部材108が備える参照面109において反射し、参照光として対物レンズ107に入射する。
対物レンズ107に入射した試料光及び参照光は、ガルバノミラー106、コリメータ105を通過した後、光ファイバーを通じてサーキュレータ103のポート2に入力され、ポート3から出力され、次いで、差動光検出増幅器113に入力される。差動光検出増幅器113は、試料光及び参照光の干渉に基づく干渉信号を検出し、増幅する。
カプラ102において分割された分割光2は、可変光減衰器112により減衰された後、差動光検出増幅器113に入力される。差動光検出増幅器113は、分割光2の信号を利用して、上記干渉信号に含まれる直流成分を除去する。
差動光検出増幅器113により直流成分が除去され、増幅された干渉信号は、PC114が備えるDAQ装置(A/Dコンバータ)により収集され、デジタルデータに変換される。干渉信号の収集は、周波数走査光源101が発するトリガー信号によって開始され、Kクロック信号に同期して行われる。
なお、差動光検出増幅器113とDAQ装置との間には、計測可能距離(Zmax)を超えた不要な周波数成分を減衰させるアンチエイリアスフィルタ(図示せず)が設けられている。
PC114が備える演算装置は、DAQ装置により変換された干渉信号に基づいて、試料110の光干渉断層画像を生成し、モバイルディスプレイ115に表示する。
上記対物レンズを備える部分は、OCT装置のプローブであることが好ましい。
上記携帯されない部分は、OCT装置本体(筐体)であることが好ましい。
工業分野等においては、撮影対象がOCT装置本体(筐体)から大きく離れた場所や、屋外や、高温又は低温の施設内にある場合がある。このような場合、プローブとOCT装置本体との環境(温度)に大きな相違が生じるので、試料光路がプローブ側にあり、参照光路が本体側にあるOCT装置では、試料光路と参照光路との環境の相違に起因して、得られる断層画像に大きなずれが生じる。これに対し、本開示のOCT装置は、上記のような場合でも、試料光路と参照光路との環境の相違が生じないので、得られる断層画像のずれが小さい。
上記ずれ(ΔZ)は、下記式(A):
ΔZ(μm)=dn/dT(1/℃)×L(m)×106×2×Δt(℃) (A)
(式中、dn/dTは光ファイバー材質の屈折率の温度係数(1/℃)、Lは光ファイバーの長さ(m)、Δtは試料光路と参照光路との温度差(℃)を表す。)で規定される。
上記ΔZは、光学的距離のずれである。
光ファイバー材質が石英ガラス、光の波長が1.3μm、温度が室温付近である場合、dn/dTは約1.9×10-5(1/℃)である。
図3において、使用者201は、OCT装置のプローブ202を片手に携帯し、プローブ202に内蔵されるガルバノミラーを駆動するためのガルバノミラードライバ205を腰に携帯している。プローブ202は、光ファイバー203を介してOCT装置の筐体206と接続されている。ガルバノミラードライバ205は、電線204を介してプローブ202及び筐体206と接続されている。
筐体206には、光源、検出器、DAQ装置、演算装置等が格納されている。
(光源)
AXSUN社 高速波長掃引光源(中心波長:1310nm、掃引幅:100nm、A-scanレート:50kHz、出力:25mW、コヒーレンス長:12mm)
本開示の光干渉断層撮影法では、使用者が上記対物レンズを備える部分(例えばプローブ)を携帯しながら断層撮影を行う場合でも、試料光路と参照光路との環境の相違が生じないので、得られる断層画像のずれが小さい。また、一度に広範囲を断層撮影することができる。
図2に示す構成を有するOCT装置を用いて、厚さ3.1mmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)層、厚さ0.4mmのテトラフルオロエチレン/ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)層及び厚さ4.3mmのテトラフルオロエチレン/パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体(PFA)層がこの順に積層された厚さ7.8mm、縦25mm、横25mmのフッ素樹脂シートのPFA層側からOCT撮影を行った。得られた断層画像(縦8mm×横8mm)を図4に示す。
使用したOCT装置及び撮影条件の詳細を以下に示す。
OCT用掃引レーザー光源:中心波長:1310nm、掃引幅:100nm、A-scanレート:50kHz、出力:25mW、コヒーレンス長:12mm
対物レンズ:Fθレンズ(商品名:Thorlabs社製LSM04)、有効波長範囲(1250~1380nm)、有効焦点距離(54mm)
参照部材:石英ガラス製、円柱シリンダー形状、直径20mmφ、長さ20mm
光ファイバー:石英ガラス製、長さ10m
撮影温度:26℃
参照面と試料との距離:0cm
その他の撮影条件:輝度100、コントラスト30
対物レンズをFθレンズではないアクロマチックレンズ(商品名:Thorlabs社製AC254-050-C、有効波長範囲:1050~1700nm、有効焦点距離:50mm)に変更したこと以外は実施例1と同様にして、OCT撮影を行った。得られた断層画像(縦8mm×横8mm)を図5に示す。
図1に示す構成を有するOCT装置を使用し、かつ、サンプルアームの光ファイバーのみをドライヤーにより40℃に加熱して、外径12mm、内径8mmのフッ素樹脂チューブの断面方向のOCT撮影を行った。得られた断層画像を図6に示す。
使用したOCT装置及び撮影条件の詳細を以下に示す。
OCT用掃引レーザー光源:中心波長:1310nm、掃引幅:100nm、A-scanレート:50kHz、出力:25mW、コヒーレンス長:12mm
対物レンズ:Fθレンズ(商品名:Thorlabs社製LSM03)、有効波長範囲(1250~1380nm)、有効焦点距離(36mm)
光ファイバー(サンプルアーム、参照アーム):石英ガラス製、長さ4m
撮影温度:26℃
その他の撮影条件:輝度100、コントラスト30
サンプルアームの光ファイバーを加熱しなかったこと以外は比較例2と同様にして、OCT撮影を行った。得られた断層画像を図7に示す。
11:光源
12、17:カプラ
13、15:サーキュレータ
14:参照ミラー
16:試料
18:光検出器
100:OCT装置
101:周波数走査光源
102:カプラ
103:サーキュレータ
104:プローブ
105:コリメータ
106:ガルバノミラー
107:対物レンズ
108:参照部材
109:参照面
110:試料
111:ガルバノミラードライバ
112:可変光減衰器
113:差動光検出増幅器
114:PC
115:モバイルディスプレイ
201:使用者
202:プローブ
203:光ファイバー
204:電線
205:ガルバノミラードライバ
206:筐体
Claims (11)
- 光源からの光を試料に集光する対物レンズ、及び、前記試料に集光される前記光源からの光を走査する走査ミラーを備え、
前記試料からの反射光である試料光と、前記対物レンズと前記試料との間に設けられる参照面からの反射光である参照光との干渉に基づいて前記試料の断層撮影を行う光干渉断層撮影(OCT)装置であって、
前記試料光及び参照光の両方が前記対物レンズを通過し、
前記対物レンズは、Fθレンズであり、
前記光源からの光は、1100±50nm、1310±50nm、又は、1550±100nmを中心波長とする光線であり、
前記参照面は、下記関係式(3):
n×WD>nd>n×Z max (3)
(式中、nは参照部材の屈折率を表す。WDは、OCT装置の作動距離を表す。ndは参照部材の光学的厚さを表す。Z max は、下記関係式(2):
Z max =c/(4δf) (2)
(式中、cは光速、δfはOCT干渉信号サンプリングの周波数間隔を表す。)
で表される計測可能距離を表す。)
を満足する参照部材が有する平面であり、
前記OCTは、周波数走査OCTである、
光干渉断層撮影装置。 - 前記参照面と前記試料との距離を0~3cmとして前記断層撮影を行うことが可能なように構成されている請求項1に記載の光干渉断層撮影装置。
- 前記参照面は、MgF2、CaF2、石英及びサファイアからなる群より選択される少なくとも1種を含む参照部材が有する平面である請求項1又は2に記載の光干渉断層撮影装置。
- 前記試料光及び参照光の両方が、前記対物レンズを通過した前記光源からの光から生じる請求項1~3のいずれかに記載の光干渉断層撮影装置。
- 前記干渉は、フィゾー型干渉である請求項1~4のいずれかに記載の光干渉断層撮影装置。
- 更に、前記光源からの光を前記対物レンズの側に出力するとともに、前記対物レンズを通過した前記試料光及び参照光を、当該試料光及び参照光を検出する検出器の側に出力するサーキュレータを備える請求項1~5のいずれかに記載の光干渉断層撮影装置。
- 更に、前記光源からの光を、前記試料光及び参照光の生成に用いる分割光1と、干渉信号の直流成分の除去に用いる分割光2とに分割するカプラを備え、分割光1と分割光2との強度比が90:10~99:1である請求項1~6のいずれかに記載の光干渉断層撮影装置。
- 使用者が前記対物レンズを備える部分を携帯しながら前記断層撮影を行うことが可能なように構成されている請求項1~7のいずれかに記載の光干渉断層撮影装置。
- 携帯される前記対物レンズを備える部分と、携帯されない部分とが光ファイバーを介して接続されており、
前記光源からの光並びに前記試料光及び参照光が前記光ファイバーを通じて伝送される請求項8に記載の光干渉断層撮影装置。 - 前記光ファイバーの長さが3m以上であり、携帯される前記対物レンズを備える部分の周囲の雰囲気と、前記携帯されない部分の周囲の雰囲気との温度差が1℃以上である場合に、得られる光干渉断層画像のずれが100μm以下である請求項9に記載の光干渉断層撮影装置。
- 請求項1~10のいずれかに記載の光干渉断層撮影装置を用いる光干渉断層撮影法。
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