JP7128098B2 - 配線基板 - Google Patents

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Description

本開示は、配線基板に関するものである。
サーバーやスーパーコンピューター等に代表される電子機器の高機能化、小型化の進展に伴い、複数の半導体素子を高密度に実装する配線基板の開発が進められている。このような配線基板は、コア用絶縁層およびコア用絶縁層の上下面に積層された複数のビルドアップ用絶縁層を有している。それぞれの絶縁層の上下面には配線導体が位置している。最上層のビルドアップ用絶縁層上には、半導体素子を実装する複数の実装領域が位置している。
特許第3490314号公報
上記のような配線基板は、例えば同じ形状を有する4つの半導体素子を実装する場合がある。これに対応して配線基板の上面には、4つの実装領域が4回対称の関係で位置している。各実装領域には、半導体素子と接続するための実装電極が、4つの実装領域の間で4回対称の関係で位置している。また、最下層のビルドアップ用絶縁層の下面には、外部基板と接続するための外部電極が位置している。実装電極と外部電極とは、配線導体によって電気的に接続されている。このような配線導体は、信号の伝送機能を有する信号用導体を含んでいる。ところで、電子機器の高機能化に伴い信号用導体数が増加する一方で、電子機器の小型化の影響によって信号用導体の形成領域が減少している。このため、信号用導体を短く形成するための経路を確保することが困難な場合がある。しかしながら、信号用導体の経路が長くなると信号の伝送機能が低下してしまい電子機器の高機能化に対応できないおそれがある。
本開示の配線基板は、外周辺を有する積層された複数の絶縁層と、絶縁層に位置している複数の貫通孔と、絶縁層の上下面および貫通孔内に位置している配線導体と、最上層の絶縁層上に、互いに4回対称の関係で間隔をあけて位置している4つの実装領域と、互いに隣接する実装領域の互いに対向する境界線を、境界線の直近の外周辺まで延ばした延長線で挟まれた境界領域と、実装領域および境界領域以外の領域であって境界領域を介して互いに区分された4つの外部領域と、それぞれの実装領域に位置している複数の第1実装パッドと、それぞれの実装領域に位置している複数の第2実装パッドと、最下層の絶縁層下面に位置している複数の第1外部パッドと、最下層の絶縁層下面に位置している複数の第2外部パッドと、を有しており、配線導体は、第1実装パッドおよび第1外部パッドを電気的に接続する複数の第1信号用導体と、第2実装パッドおよび第2外部パッドを電気的に接続しており、第1信号用導体に伝送される信号よりも伝送速度の大きい信号の伝送に用いられる複数の第2信号用導体と、を含んでいるとともに、平面透視で、複数の第1信号用導体の一部は、境界領域を挟んで位置している第1実装パッドおよび第1外部パッドを電気的に接続しているとともに、複数の第2信号用導体は、境界領域を挟んで位置する実装領域と外部領域との間に跨って位置していないことを特徴とするものである。
本開示の構造によれば、信号の伝送特性に優れており小型化が可能な配線基板を提供することができる。
図1は、本開示に係る配線基板を説明するための概略上面図である。 図2は、本開示に係る配線基板を説明するための概略断面図である。 図3は、本開示に係る配線基板を説明するための平面図である。 図4は、本開示に係る配線基板を説明するための平面透視図である。
図1~図4を基に、本開示の配線基板20の実施形態例を説明する。図1は、配線基板20の概略上面図を示している。図2は、図1におけるA-A間を通る概略断面図を示している。なお、図2は、配線基板20の上面に電子部品Sが実装された状態を示している。
配線基板20は、コア用絶縁層1と、ビルドアップ用絶縁層2と、配線導体3と、ソルダーレジスト4とを備えている。配線基板20は、平面視で、例えば4つの外周辺を有する四角形状を有しており、最上面に後で詳しく説明する実装領域9、境界領域10および外部領域11を有している。配線基板20の厚さは、例えば0.3~1.5mm程度に設定されている。
コア用絶縁層1は、例えば、配線基板20の剛性を確保して配線基板20の平坦性を保持する等の機能を有している。コア用絶縁層1は、ガラスクロス、およびエポキシ樹脂またはビスマレイミドトリアジン樹脂等の絶縁材料を含んでいる。このようなコア用絶縁層1は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸した半硬化状態のプリプレグを、加熱しながら平坦にプレス加工することで形成される。
コア用絶縁層1は、貫通孔である複数のスルーホール5を有している。スルーホール5は、コア用絶縁層1の上下面を貫通しており、互いに隣接するもの同士は、所定の隣接間隔をあけて位置している。スルーホール5の直径は、例えば100~300μmに設定されている。スルーホール5の隣接間隔は、例えば150~350μmに設定されている。
スルーホール5は、例えばブラスト加工やドリル加工により形成される。スルーホール5内には、配線導体3の一部により構成されているスルーホール導体6が位置している。スルーホール導体6は、コア用絶縁層1の上面および下面に位置する配線導体3同士を電気的につないでいる。
ビルドアップ用絶縁層2は、コア用絶縁層1の上面および下面にそれぞれ4層ずつ積層された状態で位置している。ビルドアップ用絶縁層2は、例えば、後で詳しく説明する配線導体3の引き出し用スペースを確保する機能を有している。ビルドアップ用絶縁層2は、絶縁粒子、およびエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂等の絶縁材料を含んでいる。
ビルドアップ用絶縁層2は、貫通孔である複数のビアホール7を有している。ビアホール7は、別のビルドアップ用絶縁層2の上面または下面、コア用絶縁層1の上面または下面に位置する配線導体3を底部としている。ビアホール7内には、配線導体3の一部により構成されているビアホール導体8が位置している。ビアホール導体8は、ビルドアップ用絶縁層2の上面および下面に位置している配線導体3同士を電気的に接続している。
ビアホール7の直径は、例えば30~100μmに設定されている。ビアホール7は、例えばレーザー加工により形成される。
このようなビルドアップ用絶縁層2は、例えばシリカが分散したエポキシ樹脂を含む樹
脂フィルムを、真空下でコア用絶縁層1の表面、またはビルドアップ用絶縁層2の表面に貼着して熱硬化することで形成される。ビルドアップ用絶縁層2は、上記機能を有するため、コア用絶縁層1よりも薄い。
実装領域9は、配線基板20の最上面に、互いに4回対称の関係で間隔をあけて位置している。実装領域9は、例えば長方形状を有している。それぞれの実装領域9には、例えば半導体集積回路素子等の電子部品Sが実装される。実装領域9の形状は、電子部品Sの形状に合わせて正方形状であっても構わない。
なお、4回対称とは、ある中心の周りを90°回転すると自らと重なる位置関係のことを指す。本例の場合の中心は、それぞれの実装領域9の頂点の中で、ビルドアップ用絶縁層2aの角部に最も近い頂点同士を対角状に結んだ場合の交点である。
境界領域10は、互いに隣接する実装領域9の互いに対向する境界線を、境界線の直近の外周辺まで延ばした延長線で挟まれた領域である。
外部領域11は、実装領域9および境界領域10以外の領域であって境界領域10を介して互いに区分された4つの領域である。
なお、図3に示すように、平面透視で各ビルドアップ用絶縁層2における境界領域10は、主に互いに隣接している実装領域9に実装される電子部品S同士を電気的に接続するための配線導体3を配置する領域を確保する機能を有している。外部領域11は、主に各実装領域9からビルドアップ用絶縁層2の外周部にかけて配線導体3を引き出す領域を確保する機能を有している。
それぞれの実装領域9には、複数の第1実装パッド12および第2実装パッド13が位置している。第1実装パッド12および第2実装パッド13は、電子部品Sの電極と例えば半田を介して接続される。各々の実装領域9内における第1実装パッド12および第2実装パッド13の配置は、4つの実装領域9同士において4回対称の位置関係にある。このような4回対称の中心も、上述の中心と同じである。
第1実装パッド12は、例えば0.5~2GHz程度の比較的伝送速度の小さい信号の伝送用に用いられる。
第2実装パッド13は、例えば5~30GHz程度の比較的伝送速度の大きい信号の伝送用に用いられる。
最下層のビルドアップ用絶縁層2の下面には、複数の第1外部パッド14および第2外部パッド15が位置している。第1外部パッド14および第2外部パッド15は、外部基板の電極と例えば半田を介して接続される。
第1実装パッド12、第2実装パッド13、第1外部パッド14および第2外部パッド15は、配線導体3の一部によって構成されており、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法等の配線形成技術を用いて、銅等の良導電性金属により形成されている。
配線導体3は、コア用絶縁層1の上下面、ビルドアップ用絶縁層2の上下面、スルーホール5内、およびビアホール7内に位置している。配線導体3は、信号用導体3S、電源用導体3P、接地用導体3Gを含んでいる。信号用導体3Sは、第1信号用導体16および第2信号用導体17を含んでいる。
第1信号用導体16は、スルーホール導体6およびビアホール導体8を介して、第1実装パッド12と第1外部パッド14とを接続しており、例えば実装される電子部品Sと外部基板とを電気的に接続している。
つまり、電子部品Sと外部基板とは、コア用絶縁層1および複数のビルドアップ用絶縁層2の表面に位置する第1信号用導体16によって、信号の伝送が行われる。
第2信号用導体17は、スルーホール導体6およびビアホール導体8を介して、第2実装パッド13と第2外部パッド15、および境界領域10を介して互いに隣接する第2実装パッド13同士を接続している。これにより、例えば実装される電子部品Sと外部基板、および互いに隣接する電子部品S同士を電気的に接続している。
つまり、電子部品Sと外部基板、および互いに隣接する電子部品S同士は、コア用絶縁層1および複数のビルドアップ用絶縁層2の表面に位置する第2信号用導体17によって、信号の伝送が行われる。
第1信号用導体16は、第2信号用導体17に比べて伝送速度の小さい信号の伝送に用いられる。このため、信号の伝送に有利となるように、第2信号用導体17は、第1信号用導体16よりも経路長を短くすることが求められる。第1信号用導体16は、例えば0.5~2GHz程度の信号の伝送用に用いられる。第2信号用導体17は、例えば5~30GHz程度の信号の伝送用に用いられる。
上記のような理由から、第2信号用導体17は、第2実装パッド13が位置する実装領域9と互いに隣接している境界領域10または外部領域11に位置する第2外部パッド15とを接続している。言い換えれば、第2信号用導体17は、平面透視で境界領域11を挟んで位置する実装領域9と外部領域11との間に跨って位置していない。このようにすることで、第2信号用導体17は、経路長が長くなることを抑制している。
第1信号用導体16も、基本的には第1実装パッド12と、それが位置する実装領域9に隣接する境界領域10または外部領域11にある第1外部パッド14とを接続する。しかしながら、配線基板20の小型化に対応するために、ビルドアップ用絶縁層2の層数を低減すると、第1信号用導体16を配置できる領域が減少してしまう。このため、一部の第1信号用導体16は、隣接する境界領域10または外部領域11における空き領域まで経路長を延ばして配置しないといけない場合がある。
このような場合、伝送速度が比較的遅い信号が伝送される第1信号用導体16に関しても、第1信号用導体16同士の間で信号の伝達時間に差が生じる等の不具合のおそれがある。
そのため、本開示においては、第1実装パッド12が位置する実装領域9に隣接する境界領域10または外部領域11にある第1外部パッド14に限定せず、図4に示すように、第1信号用導体16のうちの一部は、平面透視で、境界領域10を挟んで位置している実装領域9の第1実装パッド12と、外部領域11の第1外部パッド14とを電気的に接続している。なお、図4は、複数のビルドアップ用絶縁層2に位置している第1信号用導体16および第2信号用導体17の一部を平面透視で示したものである。
言い換えれば、第1実装パッド12は、それが位置する実装領域9に隣接する境界領域10内または外部領域11内の第1外部パッド14のみと接続しているわけではない。つまり、一部の第1信号用導体16は、経路長が短くなるように、境界領域11を挟んで位置する外部領域11内の第1外部パッド14とも接続している。
つまり、第1実装パッド12が位置する実装領域9に隣接する境界領域10または外部領域11内の空き領域に第1信号用導体16を延長するよりも、境界領域10を挟んで位置している外部領域11内の空き領域に第1信号用導体16を延長する方が経路長を短くできる場合には、このような接続を行う。
電源用導体3Pは、例えば配線基板20の上面に実装される電子部品Sに対して外部電源からの電力を供給する機能を有している。電源用導体3Pは、電子部品Sに素早くかつ外部電源からの損失を抑制して電力を供給するために、電子部品Sの直下に広い面積を占有する状態で位置することが必要である。つまり、平面透視で各ビルドアップ用絶縁層2の実装領域9には、電源用導体3Pが優先的に位置している。
接地用導体3Gは、電源用導体3Pとの間で電位差を設けるとともに、隣接する信号用導体3S同士の間に生じる浮遊容量の抑制や、信号用導体3Sから生じる放射ノイズを吸収する機能を有している。
このような配線導体3は、例えばセミアディティブ法やサブトラクティブ法等の配線形成技術を用いて、銅等の良導電性金属により形成されている。
ソルダーレジスト4は、最上層のビルドアップ用絶縁層2の上面および最下層のビルドアップ用絶縁層2の下面に位置している。上面のソルダーレジスト4は、第1実装パッド12および第2実装パッド13を露出する開口4aを有している。下面のソルダーレジスト4は、第1外部パッド14および第2外部パッド15を露出する開口4bを有している。
このようなソルダーレジスト4は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂のフィルムをビルドアップ用絶縁層2の上面または下面に貼着して、所定のパターンに露光および現像した後、紫外線硬化および熱硬化させることにより形成される。ソルダーレジスト4は、例えば配線基板20に電子部品Sを実装するときの熱から配線導体3を保護する機能を有している。
このように、本開示に係る配線基板20は、最上面に、互いに4回対称の関係で間隔をあけて位置している4つの実装領域9と、互いに隣接する実装領域9の互いに対向する境界線を、境界線の直近の外周辺まで延ばした延長線で挟まれた境界領域10と、各実装領域9に位置している複数の第1実装パッド12と、各実装領域9に位置している複数の第2実装パッド13と、最下層の絶縁層下面に位置している複数の第1外部パッド14および複数の第2外部パッド15と、を有している。配線導体3は、第1実装パッド12および第1外部パッド14を電気的に接続しており、第1の幅を有する複数の第1信号用導体16と、第2実装パッド13および第2外部パッド15を電気的に接続しており、第1の幅よりも小さい第2の幅を有する複数の第2信号用導体17と、を含んでいる。そして、平面透視で、複数の第1信号用導体16の一部は、境界領域10を挟んで位置している第1実装パッド12および第1外部パッド13を電気的に接続している。
これにより、第1実装パッド12と、第1実装パッド12がある実装領域9に隣接している境界領域10または外部領域11にある第1外部パッド13とを接続するよりも、第1信号用導体16の経路長を短くすることが可能になる。その結果、信号の伝送特性に優れた配線基板を提供することが可能になる。
なお、本開示は、上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
例えば図4において、2本の第1信号用導体16が、互いに境界領域10を挟んで位置する実装領域9と外部領域11にかけて位置している場合を示した。この場合、2本の第1信号用導体16は、例えばビアホール導体8あるいはスルーホール導体6によって中継されている。このような場合とは別に、1本の第1信号用導体16が両領域にまたがる状態で位置していても構わない。この場合、中継が不要となるため、インピーダンス整合の調整が容易になる点で有利である。
1 コア用絶縁層
2 ビルドアップ用絶縁層
3 配線導体
5 スルーホール
7 ビアホール
9 実装領域
10 境界領域
12 第1実装パッド
13 第2実装パッド
14 第1外部パッド
15 第2外部パッド
16 第1信号用導体
17 第2信号用導体
20 配線基板

Claims (2)

  1. 外周辺を有する積層された複数の絶縁層と、
    該絶縁層に位置している複数の貫通孔と、
    前記絶縁層の上下面および前記貫通孔内に位置している配線導体と、
    最上層の前記絶縁層上に、互いに4回対称の関係で間隔をあけて位置している4つの実装領域と、
    互いに隣接する前記実装領域の互いに対向する境界線を、該境界線の直近の前記外周辺まで延ばした延長線で挟まれた境界領域と、
    前記実装領域および前記境界領域以外の領域であって前記境界領域を介して互いに区分された4つの外部領域と、
    それぞれの前記実装領域に位置している複数の第1実装パッドと、
    それぞれの前記実装領域に位置している複数の第2実装パッドと、
    最下層の前記絶縁層下面に位置している複数の第1外部パッドと、
    最下層の前記絶縁層下面に位置している複数の第2外部パッドと、
    を有しており、
    前記配線導体は、前記第1実装パッドおよび前記第1外部パッドを電気的に接続する複数の第1信号用導体と、
    前記第2実装パッドおよび前記第2外部パッドを電気的に接続しており、前記第1信号用導体に伝送される信号よりも伝送速度の大きい信号の伝送に用いられる複数の第2信号用導体と、を含んでいるとともに、
    平面透視で、前記複数の第1信号用導体の一部は、前記境界領域を挟んで位置している前記第1実装パッドおよび前記第1外部パッドを電気的に接続しているとともに、前記複数の第2信号用導体は、前記境界領域を挟んで位置する前記実装領域と前記外部領域との間に跨って位置していないことを特徴とする配線基板。
  2. 各々の前記実装領域内における前記第1実装パッドおよび前記第2実装パッドの配置は、4つの前記実装領域同士において4回対称の関係であることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
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