JP7124208B2 - 蒸着装置、および表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
以下においては、「同層」とは同一のプロセス(成膜工程)にて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
図3は、比較例の蒸着装置1100の概略構成を示す、基板1120の長手方向に沿った断面図である。なお、簡便のために図示を省略するが、蒸着装置1100は、基板1120を搬送するための搬送機構、真空チャンバー、および制御機構などを備える。また、以後の図面においても同様に図示を省略する。
前記蒸着マスク1110はマスクシート1111とマスクフレーム1112とを含む。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただし、図面に示されている形状,寸法および相対配置などはあくまで例示に過ぎず、これらによってこの発明の範囲が限定解釈されるべきではない。
図14は、図12に示した蒸着装置600が備えるアライメント装置170の概略構成の一例を示すブロック図である。
図15は、図14に示したアライメントマーク114,125および撮像用貫通孔106および視認孔143の重畳を概略的に示す(a)断面図および(b)平面図である。
図16は、図12に示した蒸着装置600が備え得るタッチプレート601の概略構成の一例を示す部分断面図である。図17は、図12に示した蒸着装置600が備え得るタッチプレート601の概略構成の別の一例を示す部分断面図である。図16および図17の(a)は、当接状態を示し、図16および図17の(b)は、離間状態を示す。
図18は、図12に示した蒸着装置600における蒸着工程の一例を概略的に示すフロー図である。図19の(a)は、図12に示した蒸着装置600のアライメント時の状態を概略的に示す、基板120の長手方向に沿った断面図であり、図19の(b)は、図19の(a)の部分拡大図である。図20の(a)は、図12に示した蒸着装置600のタッチプレート分離の最中の状態を概略的に示す、基板120の長手方向に沿った断面図であり、図20の(b)は、図20の(a)の部分拡大図である。
蒸着装置600が1つのタッチプレート601を備える例を上述したが、実施形態1に係る例はこれに限らない。蒸着装置600において、タッチプレートが複数のシート部材であってもよい。
タッチプレート601bは、基板120の長手方向の(第1端部の反対側の)第2端部に対応し、可動突起部652を基板側表面に備える。2つのタッチプレート601c、601cは、基板120の長手方向の(第1端部と第2端部との間の)中間部に対応し、可動突起部652を基板側表面に備える。
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
本実施形態に係る蒸着装置700は、前述の実施形態に係る蒸着装置600と同様の蒸着工程(図18参照)で蒸着処理を基板120に施す。
蒸着装置700が1つのタッチプレート701を備える例を上述したが、実施形態2に係る例はこれに限らない。蒸着装置700では、タッチプレートが複数のシート部材であってもよい。
本発明の態様1に係る蒸着装置は、蒸着源と、マスクシート及びマスクフレームを有する蒸着マスクと、前記マスクシートを基板に密接させるためのマグネットと、前記基板と前記マグネットとの間に配置されるタッチプレートと、前記蒸着マスクに対して、前記基板を昇降する昇降装置と、前記蒸着マスクと前記基板とのアライメントを行うアライメント装置と、を備えた蒸着装置であって、前記タッチプレートには、前記基板と当該タッチプレートとを分離するときに、前記基板と当接する複数の凸部が設けられている、構成である。
前記成膜工程において、前記固定突起部が前記基板に当接している方法としてもよい。
600、700 蒸着装置
601、701、701a、701b、701c タッチプレート
110 蒸着マスク
111 マスクシート
112 マスクフレーム
113 マスクホルダー
120 基板
130 昇降装置
140 マグネット
160 蒸着源
604、704 基板側表面
652、752 可動突起部
652a、751a、752a 頭頂部
653、753 突起部駆動機構(駆動機構)
654、754 開口
751 固定突起部
755 周辺領域
756 中央領域
Claims (7)
- 蒸着源と、マスクシート及びマスクフレームを有する蒸着マスクと、前記マスクシートを基板に密接させるためのマグネットと、前記基板と前記マグネットとの間に配置されるタッチプレートと、前記蒸着マスクに対して、前記基板を昇降する昇降装置と、前記蒸着マスクと前記基板とのアライメントを行うアライメント装置と、を備えた蒸着装置であって、
前記タッチプレートには、前記基板と当該タッチプレートとを分離するときに、前記基板と当接する複数の凸部が設けられており、
前記複数の凸部には、前記タッチプレートの前記基板側の基板側表面から当該基板に向かって突出可能な可動突起部が含まれており、
前記基板と当接する当接状態と、前記基板から離間する離間状態との何れかの状態に、前記可動突起部を駆動する駆動機構を、さらに備える蒸着装置。 - 前記タッチプレートには、前記基板に常に当接するように、前記基板側表面に固定された固定突起部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の蒸着装置。
- 前記固定突起部は、前記基板側表面のうちの、周辺領域にのみに設けられていることを特徴とする請求項2に記載の蒸着装置。
- 前記可動突起部は、前記基板側表面のうちの、少なくとも中央領域に設けられていることを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載の蒸着装置。
- 前記タッチプレートは、弾性変形可能な1枚のシート部材であることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の蒸着装置。
- 前記タッチプレートは、複数のシート部材であることを特徴とする請求項1~4の何れか1項に記載の蒸着装置。
- 前記タッチプレートおよび前記凸部は、接地用配線に接続されていることを特徴とする請求項1~6の何れか1項に記載の蒸着装置。
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WO2023084634A1 (ja) * | 2021-11-10 | 2023-05-19 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 蒸着装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006176809A (ja) | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Ulvac Japan Ltd | 基板とマスクのアライメント方法および有機薄膜蒸着方法ならびにアライメント装置 |
JP2007207632A (ja) | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Canon Inc | マスク成膜方法およびマスク成膜装置 |
JP2008007857A (ja) | 2006-06-02 | 2008-01-17 | Sony Corp | アライメント装置、アライメント方法および表示装置の製造方法 |
JP2008059757A (ja) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Canon Inc | 有機発光表示装置の製造方法 |
JP2011233510A (ja) | 2010-04-05 | 2011-11-17 | Canon Inc | 蒸着装置 |
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Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1548147A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-29 | Seiko Epson Corporation | Thin film formation method |
KR102218644B1 (ko) * | 2013-12-19 | 2021-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006176809A (ja) | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Ulvac Japan Ltd | 基板とマスクのアライメント方法および有機薄膜蒸着方法ならびにアライメント装置 |
JP2007207632A (ja) | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Canon Inc | マスク成膜方法およびマスク成膜装置 |
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