JP7121539B2 - Display driver and semiconductor device - Google Patents
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本発明は、表示デバイスを駆動する表示ドライバ及び当該表示ドライバを含む半導体装置に関する。 The present invention relates to a display driver for driving a display device and a semiconductor device including the display driver.
表示デバイスとしての例えば液晶表示パネルを駆動する表示ドライバは、入力されたディジタル映像信号に対応したアナログの階調電圧群を生成し、液晶表示パネルの複数のデータ線に印加する。また、表示ドライバとして、互いに異なる電位の複数の参照電圧のうちから、ディジタル映像信号に対応した参照電圧を選択し、この選択した参照電圧を上記した階調電圧として得るデコーダ回路を有するデータドライバが提案されている(例えば特許文献1参照)。
A display driver for driving a display device such as a liquid crystal display panel generates a group of analog grayscale voltages corresponding to an input digital video signal and applies them to a plurality of data lines of the liquid crystal display panel. Further, as a display driver, a data driver having a decoder circuit that selects a reference voltage corresponding to a digital video signal from among a plurality of reference voltages having different potentials and obtains the selected reference voltage as the grayscale voltage is provided. It has been proposed (see
特許文献1に記載のデコーダ回路には、5ビットのディジタル映像信号に基づき、32個の参照電圧のうちから1つを選択するセレクタとして、62個のNchトランジスタスイッチを有するものが設けられている。
The decoder circuit described in
ところで、一般的に、参照電圧(階調電圧)の電圧値は、ディジタル映像信号の電圧値よりも高い。よって、ディジタル映像信号に応じて上記したNchトランジスタスイッチを確実にオン又はオフ状態に切り替える為には、当該ディジタル映像信号の電圧値を、複数の参照電圧(階調電圧)のうちで最も高い電圧値にまでレベルシフトする必要がある。 By the way, generally, the voltage value of the reference voltage (gradation voltage) is higher than the voltage value of the digital video signal. Therefore, in order to reliably switch the Nch transistor switch to the ON or OFF state according to the digital video signal, the voltage value of the digital video signal must be set to the highest voltage among a plurality of reference voltages (gradation voltages). need to be level-shifted to a value.
そこで、特許文献1に記載のデコーダ回路には、ディジタル映像信号に対してこのようなレベルシフトを行うレベルシフタが設けられている。
Therefore, the decoder circuit described in
ところで、特許文献1に記載のデコーダ回路では、ディジタル映像信号中の1ビットの信号で、セレクタに含まれている複数のNchトランジスタスイッチを同時にオン・オフ制御する。
By the way, in the decoder circuit described in
よって、レベルシフタとしては、ディジタル映像信号中の各ビット信号を上記したようにレベルシフトすると共に、複数のNchトランジスタスイッチを確実にオン状態又はオフ状態に設定できる程度の電流量の出力電流を送出可能なものが要求される。 Therefore, as a level shifter, each bit signal in the digital video signal can be level-shifted as described above, and an output current of a current amount capable of reliably setting a plurality of Nch transistor switches to an ON state or an OFF state can be sent. something is required.
しかしながら、当該レベルシフタが駆動対象とするビット信号毎のトランジスタスイッチの数は、参照電圧(階調電圧)の数が多くなるほど多くなり、それに伴って要求される出力電流の電流量も大きくなる。 However, the number of transistor switches for each bit signal to be driven by the level shifter increases as the number of reference voltages (gradation voltages) increases, and the amount of output current required accordingly increases.
したがって、大きな出力電流が要求されることから、レベルシフタの装置規模及び消費電流が共に大きくなるという問題があった。 Therefore, since a large output current is required, there is a problem that both the scale of the device and the current consumption of the level shifter are increased.
そこで、本発明は、装置規模及び消費電流を抑えることが可能な表示ドライバ及び半導体装置を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a display driver and a semiconductor device capable of suppressing device scale and current consumption.
本発明に係る表示ドライバは、輝度レベルをJビット(Jは正の整数)で表す表示データを、前記輝度レベルに対応した電圧値を有する階調電圧に変換して表示デバイスに印加する表示ドライバであって、前記Jビットの前記表示データのビット信号各々の信号レベルを個別にレベルシフトした第1~第Jのシフトビット信号を出力する第1~第Jのレベルシフタを含むレベルシフト部と、電圧値が異なる2J個の参照電圧を生成する参照電圧生成部と、夫々が前記第1~第Jのシフトビット信号のうちの対応する1つのシフトビット信号の供給を、前記第1~第Jのレベルシフタのうちの対応する1つのレベルシフタから受ける、互いに縦続に接続されている第1~第Jのデコーダを含み、前記第1~第Jのシフトビット信号に応じて前記2J個の参照電圧のうちから1つの参照電圧を選択してこれを前記階調電圧として出力するデコーダ部と、を有し、前記第1のデコーダは、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて前記2J個の参照電圧のうちの一部である参照電圧群を選択し、これを選択電圧群として出力し、前記第2~第(J-1)のデコーダの各々は、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて、前段の前記デコーダから出力された選択電圧群のうちの一部を選択電圧群として選択して出力し、前記第Jのデコーダは、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて前段の前記デコーダから出力された選択電圧群のうちから1つの選択電圧を選択しこれを前記階調電圧として出力し、前記第1~第Jのレベルシフタの各々は、夫々の出力電流を担うバイアス電流を生成するトランジスタを含むバイアス電流生成部を有し、前記レベルシフト部は、前記第1~第Jのレベルシフタに個別に接続されている第1~第Jのラインを介して、前記第1~第Jのレベルシフタ各々の前記バイアス電流生成部に含まれる前記トランジスタのゲートにバイアス電圧を供給する第1~第Jのバイアス設定回路を含み、前記第1~第Jのバイアス設定回路は、前記第1~第Jのラインに流す電流値を個別に設定することにより、前記第1~第Jのレベルシフタ各々の前記出力電流の電流値を調整し、前記第1~第Jのデコーダのうちで後段に配置されているデコーダに前記シフトビット信号を供給する前記レベルシフタの出力電流が、前記第1~第Jのデコーダのうちで前段に配置されているデコーダに前記シフトビット信号を供給する前記レベルシフタの出力電流よりも小さくなるように構成されている。 A display driver according to the present invention converts display data representing a luminance level by J bits (J is a positive integer) into a gradation voltage having a voltage value corresponding to the luminance level, and applies the grayscale voltage to a display device. a level shift unit including first to Jth level shifters for outputting first to Jth shift bit signals obtained by individually level-shifting the signal levels of the bit signals of the J-bit display data; a reference voltage generation unit that generates 2 J reference voltages having different voltage values; 1st to Jth decoders connected in cascade with each other and receiving from a corresponding one of the J level shifters, the 2 J references according to the first to Jth shift bit signals; a decoder section for selecting one reference voltage from the voltages and outputting it as the gradation voltage, wherein the first decoder responds to the shift bit signal received by the 2 J decoder; selects a reference voltage group that is a part of the reference voltages and outputs it as a selected voltage group, and each of the second to (J-1)th decoders receives the shift bit According to the signal, a part of the selected voltage group output from the preceding decoder is selected and output as a selected voltage group, and the J-th decoder responds to the shift bit signal received by itself. one selected voltage is selected from the selected voltage group output from the decoder in the preceding stage and output as the grayscale voltage, and each of the first to Jth level shifters is a bias responsible for the respective output current. a bias current generation unit including a transistor for generating a current; 1st to Jth bias setting circuits for supplying bias voltages to the gates of the transistors included in the bias current generation units of the respective level shifters, wherein the first to Jth bias setting circuits By individually setting the current values to flow through the first to Jth lines, the current values of the output currents of the first to Jth level shifters are adjusted, and among the first to Jth decoders, The output current of the level shifter that supplies the shift bit signal to the decoder arranged in the subsequent stage supplies the shift bit signal to the decoder arranged in the preceding stage among the first to J-th decoders. It is configured to be smaller than the output current of the level shifter that supplies the low signal.
また、本発明に係る半導体装置は、輝度レベルをJビット(Jは正の整数)で表す表示データを、前記輝度レベルに対応した電圧値を有する階調電圧に変換して表示デバイスに印加する表示ドライバを含む半導体装置であって、前記Jビットの前記表示データのビット信号各々の信号レベルを個別にレベルシフトした第1~第Jのシフトビット信号を出力する第1~第Jのレベルシフタを含むレベルシフト部と、電圧値が異なる2J個の参照電圧を生成する参照電圧生成部と、夫々が前記第1~第Jのシフトビット信号のうちの対応する1つのシフトビット信号の供給を、前記第1~第Jのレベルシフタのうちの対応する1つのレベルシフタから受ける、互いに縦続に接続されている第1~第Jのデコーダを含み、前記第1~第Jのシフトビット信号に応じて前記2J個の参照電圧のうちから1つの参照電圧を選択してこれを前記階調電圧として出力するデコーダ部と、を有し、前記第1のデコーダは、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて前記2J個の参照電圧のうちの一部である参照電圧群を選択し、これを選択電圧群として出力し、前記第2~第(J-1)のデコーダの各々は、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて、前段の前記デコーダから出力された選択電圧群のうちの一部を選択電圧群として選択して出力し、前記第Jのデコーダは、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて前段の前記デコーダから出力された選択電圧群のうちから1つの選択電圧を選択しこれを前記階調電圧として出力し、前記第1~第Jのレベルシフタの各々は、夫々の出力電流を担うバイアス電流を生成するトランジスタを含むバイアス電流生成部を有し、前記レベルシフト部は、前記第1~第Jのレベルシフタに個別に接続されている第1~第Jのラインを介して、前記第1~第Jのレベルシフタ各々の前記バイアス電流生成部に含まれる前記トランジスタのゲートにバイアス電圧を供給する第1~第Jのバイアス設定回路を含み、前記第1~第Jのバイアス設定回路は、前記第1~第Jのラインに流す電流値を個別に設定することにより、前記第1~第Jのレベルシフタ各々の前記出力電流の電流値を調整し、前記第1~第Jのデコーダのうちで後段に配置されているデコーダに前記シフトビット信号を供給する前記レベルシフタの出力電流が、前記第1~第Jのデコーダのうちで前段に配置されているデコーダに前記シフトビット信号を供給する前記レベルシフタの出力電流よりも小さくなるように構成されている。 Further, the semiconductor device according to the present invention converts display data representing a luminance level by J bits (J is a positive integer) into a gradation voltage having a voltage value corresponding to the luminance level and applies it to the display device. A semiconductor device including a display driver, comprising first to J-th level shifters for outputting first to J-th shift bit signals obtained by individually level-shifting signal levels of respective bit signals of the J-bit display data. and a reference voltage generator for generating 2 J reference voltages with different voltage values, each of which supplies a corresponding one of the first to J-th shift bit signals. , first to J-th decoders connected in cascade with each other and receiving from corresponding one of the first to J-th level shifters, according to the first to J-th shift bit signals. a decoder that selects one reference voltage from the 2 J reference voltages and outputs it as the gradation voltage, wherein the first decoder receives the shift bit signal; selects a reference voltage group, which is a part of the 2 J reference voltages, and outputs it as a selected voltage group, and each of the second to (J−1)th decoders itself selects and outputs a part of the selected voltage group output from the preceding decoder as a selected voltage group according to the shift bit signal received by the J-th decoder, and the J-th decoder receives the According to the shift bit signal, one selected voltage is selected from the selected voltage group output from the preceding decoder and output as the gradation voltage, and each of the first to J-th level shifters a bias current generator including a transistor for generating a bias current responsible for the output current of the level shifter, wherein the level shifter includes first to Jth lines individually connected to the first to Jth level shifters. 1st to Jth bias setting circuits for supplying bias voltages to the gates of the transistors included in the bias current generation units of the 1st to Jth level shifters, respectively, via the first to Jth level shifters; The bias setting circuit adjusts the current value of the output current of each of the first to Jth level shifters by individually setting the current value to be passed through the first to Jth lines . The output current of the level shifter that supplies the shift bit signal to the decoder arranged in the latter stage among the J decoders is the decoder arranged in the preceding stage among the first to J-th decoders. less than the output current of the level shifter that supplies the shift bit signal to the decoder.
本発明では、輝度レベルをJビットで表すビット信号各々の信号レベルをレベルシフトした第1~第Jのシフトビット信号に応じて、2J個の参照電圧のうちから1つを選択し、これを階調電圧として表示デバイスに印加するデコーダ部と、第1~第Jのシフトビット信号を生成するレベルシフト部として、以下の構成を採用する。 In the present invention, one of the 2 J reference voltages is selected according to the first to J-th shift bit signals obtained by level-shifting the signal level of each bit signal representing the luminance level in J bits. is applied to the display device as a gradation voltage, and the level shifter for generating the first to J-th shift bit signals have the following configurations.
すなわち、デコーダ部は、夫々が第1~第Jのシフトビット信号のうちの対応する1つのシフトビット信号の供給をレベルシフト部から受ける、互いに縦続に接続されている第1~第Jのデコーダにより、第1~第Jのシフトビット信号に応じて、2J個の参照電圧のうちから1つを選択しこれを階調電圧として表示デバイスに印加する。 That is, the decoder section includes first to J-th decoders connected in cascade, each of which is supplied with a corresponding one of the first to J-th shift bit signals from the level shift section. , one of the 2 J reference voltages is selected according to the first to J-th shift bit signals and applied to the display device as a gradation voltage.
レベルシフト部は、第1~第Jのシフトビット信号を生成する第1~第Jのレベルシフタを含む。この際、第1~第Jのレベルシフタは、第1~第Jのデコーダのうちで後段に配置されているデコーダにシフトビット信号を供給するレベルシフタの出力電流が、前段に配置されているデコーダにシフトビット信号を供給するレベルシフタの出力電流よりも小さくなるように構成されている。 The level shifter includes first to Jth level shifters that generate first to Jth shift bit signals. At this time, the output current of the level shifter that supplies the shift bit signal to the decoder arranged in the latter stage among the first to Jth decoders is supplied to the decoder arranged in the preceding stage. It is configured to be smaller than the output current of the level shifter that supplies the shift bit signal.
これにより、第1~第Jのシフトビット信号各々の遅延量を規定範囲内に抑えつつ、レベルシフト部の回路規模及び消費電流を低減させることが可能となる。 As a result, it is possible to reduce the circuit scale and current consumption of the level shifter while suppressing the delay amount of each of the first to Jth shift bit signals within a specified range.
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
図1は、本発明に係る表示ドライバを含む表示装置10の構成を示すブロック図である。図1に示すように、表示装置10は、駆動制御部11、走査ドライバ12、データドライバ13、及び液晶又は有機ELパネルからなる表示デバイス20を有する。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a
表示デバイス20には、夫々が2次元画面の水平方向に伸張するm個(mは2以上の自然数)の水平走査ラインS1~Smと、夫々が2次元画面の垂直方向に伸張するn個(nは2以上の自然数)のデータラインD1~Dnとが形成されている。更に、水平走査ライン及びデータラインの各交叉部には画素を担う表示セルが形成されている。
The
駆動制御部11は、入力映像信号VSに基づき、表示セル毎にその表示セルで表示させる輝度レベルを表す表示データPDの列を含む映像データ信号VDを、データドライバ13に供給する。尚、各表示データPDは、輝度レベルを例えば8ビットで表す第1~第8のビット信号を含む。
Based on the input video signal VS, the
また、駆動制御部11は、入力映像信号VSから水平同期信号を検出しこれを走査ドライバ12に供給する。
Further, the
走査ドライバ12は、駆動制御部11から供給された水平同期信号に同期させて、水平走査パルスを生成し、これを表示デバイス20の走査ラインS1~Smの各々に順次、択一的に印加する。
The
図2は、表示ドライバとしてのデータドライバ13の内部構成を示すブロック図である。データドライバ13は、単一の半導体チップ、或いは複数の半導体チップに分割して形成されている。
FIG. 2 is a block diagram showing the internal configuration of the
図2に示すように、データドライバ13は、データラッチ部131、レベルシフト部132、デコーダ部133、参照電圧生成部134及び出力アンプ部135を含む。
As shown in FIG. 2, the
データラッチ部131は、駆動制御部11から供給された映像データ信号VDに含まれる表示データPDの各々を順次取り込む。ここで、データラッチ部131は、1水平走査ライン分(n個)の表示データPDの取り込みが為される度に、取り込んだn個の表示データPDを、表示データQ1~Qnとしてレベルシフト部132に供給する。
The
レベルシフト部132は、表示データQ1~Qnの各々毎に、その表示データQに含まれる8ビットのビット信号各々の信号レベルを、表示デバイス20を駆動する為に用いる高電圧VHの電圧値にレベルシフトする。
The
例えば、レベルシフト部132は、表示データQ1に含まれる第1~第8のビット信号各々の信号レベル、つまり論理回路用の電源電圧の電圧値に対応した信号レベルを、高電圧VHの電圧値にレベルシフトし、レベルシフトされた表示データP1を得る。レベルシフト部132は、表示データQ2~Qnの各々に対しても表示データQ1と同様なレベルシフト処理を施すことにより表示データP2~Pnを得る。そして、レベルシフト部132は、表示データP1~Pnをデコーダ部133に供給する。
For example, the
参照電圧生成部134は、高電圧VHを分圧することにより、互いに異なる電圧値を有する256階調分の参照電圧Y1~Y256を生成し、これら参照電圧Y1~Y256をデコーダ部133に供給する。
The reference
デコーダ部133は、表示データP1~Pnの各々毎に、参照電圧Y1~Y256のうちから、その表示データPに含まれる8ビットのビット信号で表される輝度に対応した参照電圧を選択する。そして、デコーダ133は、表示データP1~Pnの各々毎に選択して得たn個の参照電圧を、階調電圧V1~Vnとして出力アンプ部135に供給する。
The
出力アンプ部135は、階調電圧V1~Vnを夫々個別に利得1で増幅して得られたn個の電圧を表示駆動電圧G1~Gnとして、表示デバイス20のデータラインD1~Dnに印加する。
The
以下に、上記したレベルシフト部132及びデコーダ部133の詳細な構成及び動作について説明する。
Detailed configurations and operations of the
尚、レベルシフト部132及びデコーダ部133は、表示データQ(r)(rは1~nの整数)に基づき階調電圧V(r)を生成するn系統のチャネルから構成される。この際、各チャネルは同一の構成を有するので、以下に、レベルシフト部132及びデコーダ部133におけるn系統のチャネルのうちから1チャネル分を抜粋して、その構成及び動作を説明する。
The
図3は、表示データQ1及び階調電圧V1に対応した1チャネル分のレベルシフト部132及びデコーダ部133の内部構成を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing the internal configuration of the
図3に示すように、レベルシフト部132は、バイアス設定部40、及びレベルシフタ(LS)41~48を有する。
As shown in FIG. 3, the
バイアス設定部40は、レベルシフタ41~48の各々の内部に流すバイアス電流を設定する為のpチャネル側のバイアス電圧Bp及びnチャネル側のバイアス電圧Bnを生成し、夫々をラインLp及びLnを介してレベルシフタ41~48の各々に供給する。
A
レベルシフタ41~48は、表示データQ1に含まれる、夫々論理回路用の電圧値を有する8ビットのビット信号d8~d1の信号レベルを、個別に高電圧HVの電圧値にレベルシフトしたシフトビット信号e8~e1を生成する。尚、ビット信号d8~d1のうちのビット信号d8が、256階調の輝度を表現する為の最上位ビットに対応しており、ビット信号d1が最下位ビットに対応しているものとする。 The level shifters 41 to 48 individually level-shift the signal levels of the 8-bit bit signals d8 to d1 each having a voltage value for a logic circuit, which are included in the display data Q1, to the voltage value of the high voltage HV. Generate e8 to e1. It is assumed that the bit signal d8 among the bit signals d8 to d1 corresponds to the most significant bit and the bit signal d1 corresponds to the least significant bit for expressing luminance of 256 gradations.
更に、レベルシフタ41~48は、これらシフトビット信号e8~e1各々の位相を反転した反転シフトビット信号i8~i1を生成する。
Further, the
すなわち、レベルシフタ41は、ビット信号d8を受け、その信号レベルをレベルシフトしたシフトビット信号e8、及び当該シフトビット信号e8の位相を反転させた反転シフトビット信号i8を生成する。レベルシフタ42は、ビット信号d7を受け、その信号レベルをレベルシフトしたシフトビット信号e7、及び当該シフトビット信号e7の位相を反転させた反転シフトビット信号i7を生成する。レベルシフタ43は、ビット信号d6を受け、その信号レベルをレベルシフトしたシフトビット信号e6、及び当該シフトビット信号e6の位相を反転させた反転シフトビット信号i6を生成する。レベルシフタ44は、ビット信号d5を受け、その信号レベルをレベルシフトしたシフトビット信号e5、及び当該シフトビット信号e5の位相を反転させた反転シフトビット信号i6を生成する。
That is, the
レベルシフタ45は、ビット信号d4を受け、その信号レベルをレベルシフトしたシフトビット信号e4、及び当該シフトビット信号e4の位相を反転させた反転シフトビット信号i4を生成する。レベルシフタ46は、ビット信号d3を受け、その信号レベルをレベルシフトしたシフトビット信号e3、及び当該シフトビット信号e3の位相を反転させた反転シフトビット信号i3を生成する。レベルシフタ47は、ビット信号d2を受け、その信号レベルをレベルシフトしたシフトビット信号e2、及び当該シフトビット信号e2の位相を反転させた反転シフトビット信号i2を生成する。レベルシフタ48は、ビット信号d1を受け、その信号レベルをレベルシフトしたシフトビット信号e1、及び当該シフトビット信号e1の位相を反転させた反転シフトビット信号i1を生成する。
The
レベルシフタ41~48は、シフトビット信号e8~e1及び反転シフトビット信号i8~i1を含む表示データP1をデコーダ部133に供給する。
The level shifters 41 to 48 supply the display data P1 including the shift bit signals e8 to e1 and the inverted shift bit signals i8 to i1 to the
デコーダ部133は、デコーダ(DEC)30~39を含む。
The
デコーダ30は、256階調分の参照電圧Y256~Y1を4つに区分けした、参照電圧Y1~Y64、参照電圧Y65~Y128、参照電圧Y129~Y192、参照電圧Y193~Y256のうちの参照電圧Y1~Y64及びY129~Y192を受ける。デコーダ30は、レベルシフタ41が生成したシフトビット信号e8及び反転シフトビット信号i8に基づき、参照電圧Y1~Y64と、参照電圧Y129~Y192とのうちの一方の電圧群を選択し、選択した電圧群を選択電圧U1~U64として出力する。
The
デコーダ31は、上記した参照電圧Y1~Y64、Y65~Y128、Y129~Y192、Y193~Y256のうちのY65~Y128及びY193~Y256を受ける。デコーダ31は、上記シフトビット信号e8及び反転シフトビット信号i8に基づき、参照電圧Y65~Y128と、参照電圧Y193~Y256とのうちの一方の電圧群を選択し、選択した電圧群を選択電圧W1~W64として出力する。
The
デコーダ32は、上記した選択電圧U1~U64のうち下位の選択電圧U1~U32と、上記した選択電圧W1~W64のうち上位の選択電圧W33~W64と、を受ける。デコーダ32は、レベルシフタ42が生成したシフトビット信号e7及び反転シフトビット信号i7に基づき、選択電圧U1~U32と、選択電圧W33~W64とのうちの一方の電圧群を選択し、選択した電圧群を選択電圧T1~T32として出力する。
The
デコーダ33は、上記した選択電圧U1~U64のうち上位の選択電圧U33~U64と、上記した選択電圧W1~W64のうち下位の選択電圧W1~W32と、を受ける。デコーダ33は、シフトビット信号e7及び反転シフトビット信号i7に基づき、選択電圧U33~U64と、選択電圧W1~W32とのうちの一方の電圧群を選択し、選択した電圧群を選択電圧R1~R32として出力する。
The
デコーダ34は、上記した選択電圧T1~T32と、選択電圧R1~R32とを受ける。デコーダ34は、レベルシフタ43が生成したシフトビット信号e6及び反転シフトビット信号i6に基づき、選択電圧T1~T32と、選択電圧R1~R32とのうちの一方の電圧群を選択し、選択した電圧群を選択電圧M1~M32としてデコーダ35に供給する。
The
デコーダ35は、レベルシフタ44が生成したシフトビット信号e5及び反転シフトビット信号i5に基づき、上記した選択電圧M1~M32のうちの下位の選択電圧M1~M16と、上位の選択電圧M17~M32とのうちの一方の電圧群を選択する。そして、デコーダ35は、この選択した電圧群を選択電圧K1~K16としてデコーダ36に供給する。
Based on the shift bit signal e5 and the inverted shift bit signal i5 generated by the
デコーダ36は、レベルシフタ45が生成したシフトビット信号e4及び反転シフトビット信号i4に基づき、上記した選択電圧K1~K16のうちの下位の選択電圧K1~K8と、上位の選択電圧K9~K16とのうちの一方の電圧群を選択する。そして、デコーダ36は、この選択した電圧群を選択電圧E1~E8としてデコーダ37に供給する。
Based on the shift bit signal e4 and the inverted shift bit signal i4 generated by the
デコーダ37は、レベルシフタ46が生成したシフトビット信号e3及び反転シフトビット信号i3に基づき、上記した選択電圧E1~E8のうちの下位の選択電圧E1~E4と、上位の選択電圧E5~E8とのうちの一方の電圧群を選択する。そして、デコーダ37は、選択した電圧群を選択電圧F1~F4としてデコーダ38に供給する。
Based on the shift bit signal e3 and the inverted shift bit signal i3 generated by the
デコーダ38は、レベルシフタ47が生成したシフトビット信号e2及び反転シフトビット信号i2に基づき、上記した選択電圧F1~F4のうちの下位の選択電圧F1及びF2と、上位の選択電圧F3及びF4とのうちの一方の電圧群を選択する。そして、デコーダ38は、選択した電圧群を選択電圧C1及びC2としてデコーダ39に供給する。
Based on the shift bit signal e2 and the inverted shift bit signal i2 generated by the
デコーダ39は、レベルシフタ48が生成したシフトビット信号e1及び反転シフトビット信号i1に基づき、上記した選択電圧C1及びC2のうちの一方を選択し、これを階調電圧V1として出力する。
The
このように、デコーダ部133は、夫々がシフトビット信号e1~e8(又は反転シフトビット信号i1~i8)のうちの対応する1つのシフトビット信号を受ける8系統のデコーダ、つまりデコーダ(30、31)、デコーダ(32、33)、デコーダ34~39が、縦続に接続された構成を有する。尚、各デコーダは、夫々に対応した1つのシフトビット信号を受けると共に、128個、64個、32個、16個、8個、4個又は2個の電圧からなる電圧群の入力を受け、自身が受けた1つのシフトビット信号に応じて、入力された電圧群のうちの半数の電圧を選択して出力する。
In this way, the
次に、上記したデコーダ30~39、バイアス設定部40、レベルシフタ41~48各々の回路構成について説明する。
Next, circuit configurations of the
尚、デコーダ30~39の各々は、夫々が受けた複数の電圧のうちから、その半数の電圧を選択して出力するセレクタであり、各デコーダが受ける電圧の数が異なる点を除き、基本的な回路構成は同一である。
Each of the
そこで、デコード30~39のうちからデコーダ30を抜粋して、その内部の回路構成について説明する。
Therefore, the
図4は、デコード30の内部構成の一例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the internal configuration of the
図4に示すように、デコーダ30は、nチャネルMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)型のトランジスタQA1~QA64及びQB1~QB64を含む。
As shown in FIG. 4, the
トランジスタQA1~QA64は、夫々のソースで参照電圧Y1~Y64を個別に受ける。トランジスタQA1~QA64のドレインはラインL1~L64に接続されており、トランジスタQA1~QA64各々のゲートには反転シフトビット信号i8が供給されている。 Transistors QA1-QA64 individually receive reference voltages Y1-Y64 at their respective sources. The drains of transistors QA1-QA64 are connected to lines L1-L64, and the inverted shift bit signal i8 is supplied to the gates of each of transistors QA1-QA64.
トランジスタQA1~QA64は、当該反転シフトビット信号i8が論理レベル0に対応した接地電位を有する場合にはオフ状態、反転シフトビット信号i8が論理レベル1に対応した高電圧HVを有する場合にはオン状態に設定される。トランジスタQA1~QA64は、オン状態に設定された場合に、参照電圧Y1~Y64をラインL1~L64を介して選択電圧U1~U64として出力する。
Transistors QA1-QA64 are off when the inverted shift bit signal i8 has a ground potential corresponding to logic level 0, and on when the inverted shift bit signal i8 has a high voltage HV corresponding to
トランジスタQB1~QB64は、夫々のソースで参照電圧Y129~Y192を個別に受ける。トランジスタQB1~QB64のドレインはラインL1~L64に接続されており、トランジスタQB1~QB64各々のゲートにはシフトビット信号e8が供給されている。 Transistors QB1-QB64 individually receive reference voltages Y129-Y192 at their respective sources. The drains of the transistors QB1-QB64 are connected to the lines L1-L64, and the gates of the transistors QB1-QB64 are supplied with the shift bit signal e8.
トランジスタQB1~QB64は、当該シフトビット信号e8が論理レベル0に対応した接地電位を有する場合にはオフ状態、シフトビット信号e8が論理レベル1に対応した高電圧HVを有する場合にはオン状態に設定される。トランジスタQB1~QB64は、オン状態に設定された場合に、参照電圧Y129~Y192をラインL1~L64を介して選択電圧U1~U64として出力する。
The transistors QB1 to QB64 are turned off when the shift bit signal e8 has a ground potential corresponding to logic level 0, and turned on when the shift bit signal e8 has a high voltage HV corresponding to
図4に示すように、デコーダ30は、参照電圧群(Y1~Y64)及び参照電圧群(Y129~Y192)のうちの一方の電圧群を選択する為に、反転シフトビット信号i8でオンオフ制御される64個のトランジスタQA1~QA64と、シフトビット信号e8でオンオフ制御される64個のトランジスタQB1~QB64と、を有する。
As shown in FIG. 4, the
デコーダ31についても、デコーダ31と同様に、反転シフトビット信号i8でオンオフ制御される64個のトランジスタQA1~QA64と、シフトビット信号e8でオンオフ制御される64個のトランジスタQB1~QB64を有する。
Similarly to the
すなわち、デコーダ30及び31では、反転シフトビット信号i8でオンオフ制御されるトランジスタの数は合計128個、シフトビット信号e8でオンオフ制御されるトランジスタの数も合計128個となる。
That is, in the
尚、デコーダ30及び31の次段のデコーダ32及び33は、デコーダ30及び31から出力された64個の選択電圧U1~U64と、64個の選択電圧W1~W64を受ける。よって、デコーダ32及び33では、反転シフトビット信号i7でオンオフ制御されるトランジスタの数は合計64個、シフトビット信号e7でオンオフ制御されるトランジスタの数も合計64個となる。
これらデコーダ32及び33の次段のデコーダ34は、デコーダ32及び33から出力された32個の選択電圧T1~T32と、32個の選択電圧R1~R32を受ける。よって、デコーダ34では、反転シフトビット信号i6でオンオフ制御されるトランジスタの数、及びシフトビット信号e6でオンオフ制御されるトランジスタの数は、夫々32個となる。
A
同様にして、デコーダ35では、反転シフトビット信号i5でオンオフ制御されるトランジスタの数、及びシフトビット信号e5でオンオフ制御されるトランジスタの数は、夫々16個となる。デコーダ36では、反転シフトビット信号i4でオンオフ制御されるトランジスタの数、及びシフトビット信号e4でオンオフ制御されるトランジスタの数は、夫々8個となる。デコーダ37では、反転シフトビット信号i3でオンオフ制御されるトランジスタの数、及びシフトビット信号e3でオンオフ制御されるトランジスタの数は、夫々4個となる。デコーダ38では、反転シフトビット信号i2でオンオフ制御されるトランジスタの数、シフトビット信号e2でオンオフ制御されるトランジスタの数は、夫々2個となる。デコーダ39では、反転シフトビット信号i1でオンオフ制御されるトランジスタの数、及びシフトビット信号e1でオンオフ制御されるトランジスタの数は共に1つとなる。
Similarly, in the
図5は、バイアス設定部40の内部構成の一例を示す回路図である。図5に示す一例では、バイアス設定部40は、バイアス設定回路BSp、バイアス設定回路BSn、及び定電流生成回路CGを含む。
FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of the internal configuration of the
バイアス設定回路BSpは、自身のゲート及びドレインが互いに接続されているpチャネルMOS型のトランジスタTPが並列に8個接続された構成を有する。図5に示すように、8個のトランジスタTP各々のソースには高電圧HVが印加されており、トランジスタTP各々のドレインはノードLLpを介して定電流生成回路CGに接続されている。 The bias setting circuit BSp has a configuration in which eight p-channel MOS transistors TP having their gates and drains connected to each other are connected in parallel. As shown in FIG. 5, a high voltage HV is applied to the sources of the eight transistors TP, and the drains of the transistors TP are connected to the constant current generation circuit CG via the node LLp.
バイアス設定回路BSnは、自身のゲート及びドレインが互いに接続されているnチャネルMOS型のトランジスタTNが並列に8個接続された構成を有する。図5に示すように、8個のトランジスタTN各々のソースには接地電位が印加されており、トランジスタTN各々のドレインはノードLLnを介して定電流生成回路CGに接続されている。 The bias setting circuit BSn has a configuration in which eight n-channel MOS transistors TN having their gates and drains connected to each other are connected in parallel. As shown in FIG. 5, a ground potential is applied to the sources of the eight transistors TN, and the drains of the transistors TN are connected to the constant current generating circuit CG via the node LLn.
定電流生成回路CGは、所定の一定電流を生成し、これをバイアス設定回路BSp、ノードLLp及びLLnを介してバイアス設定回路BSnに流す。これにより、バイアス設定回路BSpに含まれるトランジスタTPのゲートに生じた電圧がpチャネル側のバイアス電圧Bpとしてレベルシフタ41~48に供給される。更に、バイアス設定回路BSnに含まれるトランジスタTNのゲートに生じた電圧がnチャネル側のバイアス電圧Bnとしてレベルシフタ41~48に供給される。
The constant current generation circuit CG generates a predetermined constant current, and passes it through the bias setting circuit BSp, nodes LLp and LLn to the bias setting circuit BSn. As a result, the voltage generated at the gate of the transistor TP included in the bias setting circuit BSp is supplied to the
レベルシフタ41~48は、基本的な内部構成が同一である。そこで、以下にレベルシフタ41を抜粋して、レベルシフタの内部構成について説明する。
The level shifters 41-48 have the same basic internal configuration. Therefore, the
図6は、レベルシフタ41の内部構成を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing the internal configuration of the
図6に示すように、レベルシフタ41は、差動入力部DIP及び出力部OPTを含む。
As shown in FIG. 6, the
差動入力部DIPは、インバータIV1、pチャネルMOD型のトランジスタMP1及びMP2、nチャネルMOS型のトランジスタMN1及びMN2を含む。 The differential input part DIP includes an inverter IV1, p-channel MOD transistors MP1 and MP2, and n-channel MOS transistors MN1 and MN2.
トランジスタMP1及びMP2各々のソースには高電圧HVが印加されている。トランジスタMP1のドレイン及びトランジスタMP2のゲートがノードLL1を介してトランジスタMN1のドレインに接続されている。トランジスタMP2のドレイン及びトランジスタMP1のゲートがノードLL2を介してトランジスタMN2のドレインに接続されている。 A high voltage HV is applied to the sources of the transistors MP1 and MP2. The drain of transistor MP1 and the gate of transistor MP2 are connected to the drain of transistor MN1 through node LL1. The drain of transistor MP2 and the gate of transistor MP1 are connected to the drain of transistor MN2 through node LL2.
トランジスタMN1及びMN2のソースには接地電位が印加されている。トランジスタMN1のゲートにはビット信号d8が供給されている。インバータIV1は、ビット信号d8の位相を反転させた反転ビット信号をトランジスタMN2のゲートに供給する。 A ground potential is applied to the sources of the transistors MN1 and MN2. A bit signal d8 is supplied to the gate of the transistor MN1. The inverter IV1 supplies an inverted bit signal obtained by inverting the phase of the bit signal d8 to the gate of the transistor MN2.
出力部OPTは、バイアス電流生成部BGp及びBGnと、pチャネルMOS型のトランジスタMP3及びMP4と、nチャネルMOS型のトランジスタMN3及びMN4を含む。 The output unit OPT includes bias current generators BGp and BGn, p-channel MOS transistors MP3 and MP4, and n-channel MOS transistors MN3 and MN4.
バイアス電流生成部BGpは、高電圧HVに基づき、バイアス設定部40から供給されたバイアス電圧Bpに対応した電流量一定のバイアス電流IBaを生成し、ノードLLaを介してトランジスタMP3及びMP4各々のソースに供給する。
Based on the high voltage HV, the bias current generation unit BGp generates a bias current IBa with a constant current amount corresponding to the bias voltage Bp supplied from the
トランジスタMP3のゲートは差動入力部DIPのノードLL1に接続されてり、自身のドレインはノードLL3に接続されている。トランジスタMP4のゲートは差動入力部DIPのノードLL2に接続されており、自身のドレインはノードLL4に接続されている。 The gate of the transistor MP3 is connected to the node LL1 of the differential input section DIP, and its drain is connected to the node LL3. The gate of the transistor MP4 is connected to the node LL2 of the differential input section DIP, and its drain is connected to the node LL4.
上記した構成により、トランジスタMP3は、ノードLL1の電圧とノードLL2の電圧との大きさの比率で上記したバイアス電流IBaを2分割した第1及び第2の電流のうちの第1の電流をノードLL3に送出する。トランジスタMP4は、上記した第2の電流をノードLL4に送出する。 With the above configuration, the transistor MP3 outputs the first current of the first and second currents obtained by dividing the bias current IBa by the ratio of the magnitudes of the voltages of the nodes LL1 and LL2. Send to LL3. Transistor MP4 delivers the aforementioned second current to node LL4.
トランジスタMN3のゲートは差動入力部DIPのノードLL1に接続されており、トランジスタMN4のゲートは差動入力部DIPのノードLL2に接続されている。トランジスタMN3及びMN4各々のソースはノードLLbを介してバイアス電流生成部BGnに接続されている。 The gate of the transistor MN3 is connected to the node LL1 of the differential input section DIP, and the gate of the transistor MN4 is connected to the node LL2 of the differential input section DIP. The sources of the transistors MN3 and MN4 are connected to the bias current generator BGn through the node LLb.
バイアス電流生成部BGnは、接地電位に接続されており、バイアス設定部40から供給されたバイアス電圧Bnに対応した電流値一定のバイアス電流IBbを、ノードLLbを介してトランジスタMN3及びMN4のソースから引き抜く。
The bias current generation unit BGn is connected to the ground potential, and supplies a constant bias current IBb corresponding to the bias voltage Bn supplied from the
上記した構成により、トランジスタMN3は、ノードLL1の電圧とノードLL2の電圧との大きさの比率で上記したバイアス電流IBaを2分割した第3及び第4の電流のうちの第3の電流をノードLL3から引き抜く。トランジスタMN4は、この第4の電流をノードLL4から引き抜く。 With the above configuration, the transistor MN3 outputs the third current out of the third and fourth currents obtained by dividing the bias current IBa by the ratio of the magnitudes of the voltages of the nodes LL1 and LL2. Pull out from LL3. Transistor MN4 draws this fourth current from node LL4.
出力部OPTは、ノードLL3に流れる電流に伴いこのノードLL3に生じた電圧を有する信号を、シフトビット信号e8として出力すると共に、ノードLL4に流れる電流に伴いこのノードLL4に生じた電圧を有する信号を、反転シフトビット信号i8として出力する。 The output part OPT outputs a signal having the voltage generated at the node LL3 due to the current flowing through the node LL3 as the shift bit signal e8, and also outputs a signal having the voltage generated at the node LL4 due to the current flowing through the node LL4. is output as the inverted shift bit signal i8.
つまり、例えばレベルシフタ41の出力部OPTは、バイアス電流IBa及びIBbに対応した一定電流量の出力電流をノードLL3を介して、負荷としてのデコーダ30及び31に含まれる128個のトランジスタQBのゲートに供給する。これにより、ノードLL3及び128個のトランジスタQBのゲートに生じた電圧を有する信号がシフトビット信号e8となり、このシフトビット信号e8の電圧に応じて128個のトランジスタQBが一斉にオンオフ制御される。
That is, for example, the output part OPT of the
また、レベルシフタ41の出力部OPTは、バイアス電流IBa及びIBbに対応した電流量の出力電流をノードLL4を介して、負荷としてのデコーダ30及び31に含まれる128個のトランジスタQAのゲートに供給する。これにより、ノードLL4及び128個のトランジスタQAのゲートに生じた電圧を有する信号が反転シフトビット信号i8となり、この反転シフトビット信号i8の電圧に応じて128個のトランジスタQAが一斉にオンオフ制御される。
Further, the output part OPT of the
ここで、レベルシフタ41のみならず、レベルシフタ42~48の各々も、図6に示す差動入力部DIP及び出力部OPTと同一の回路構成を有する。
Here, not only the
レベルシフタ42~48の各々に含まれるバイアス電流生成部BGp及びBGnでは、そのレベルシフタに接続されているデコーダの負荷量に合わせて、バイアス電流の電流量を個別に設定している。
The bias current generators BGp and BGn included in each of the
図7は、レベルシフタ41のバイアス電流生成部BGp及びBGnの内部構成の一例を表す回路図であり、図8は、レベルシフタ45のバイアス電流生成部BGp及びBGnの内部構成の一例を表す回路図である。また、図9は、レベルシフタ48のバイアス電流生成部BGp及びBGnの内部構成の一例を表す回路図である。
7 is a circuit diagram showing an example of the internal configuration of the bias current generators BGp and BGn of the
図7に示すように、レベルシフタ41のバイアス電流生成部BGpは、自身のゲート及びドレインが互いに接続されているpチャネルMOS型のトランジスタTPが、並列に8個接続された構成を有する。図7に示すように、8個のトランジスタTP各々のソースには高電圧HVが印加されており、トランジスタTP各々のドレインがノードLLaに接続されている。8個のトランジスタTP各々のゲートに、図5に示すバイアス設定部40のバイアス設定回路BSpで生成されたバイアス電圧Bpが印加されている。
As shown in FIG. 7, the bias current generator BGp of the
また、レベルシフタ41のバイアス電流生成部BGnは、自身のゲート及びドレインが互いに接続されているnチャネルMOS型のトランジスタTNが、並列に8個接続された構成を有する。図7に示すように、8個のトランジスタTN各々のソースには接地電位が印加されており、トランジスタTN各々のドレインがノードLLbに接続されている。8個のトランジスタTN各々のゲートに、図5に示すバイアス設定部40のバイアス設定回路BSnで生成されたバイアス電圧Bnが印加されている。
The bias current generator BGn of the
すなわち、レベルシフタ41では、図5に示すバイアス設定回路BSpと、図7に示すバイアス電流生成部BGpとにより、カレントミラー比が1:1のカレントミラー回路が構成されている。ここで、トランジスタTPのソース・ドレイン間電流をIsdとした場合、バイアス電流生成部BGpは、バイアス設定回路BSpに含まれる8個のトランジスタTPに夫々流れる電流Isdを合計した電流(8・Isd)と等しい電流をバイアス電流IBaとして生成する。
That is, in the
更に、レベルシフタ41では、図5に示すバイアス設定回路BSnと、図7に示すバイアス電流生成部BGnとにより、カレントミラー比が1:1のカレントミラー回路が構成されている。ここで、トランジスタTNのソース・ドレイン間電流をIsdとした場合、バイアス電流生成部BGnは、バイアス設定回路BSnに含まれる8個のトランジスタTNに夫々流れる電流Isdを合計した電流(8・Isd)と等しい電流をバイアス電流IBbとして生成する。
Further, in the
これにより、電流(8・Isd)を2分割した電流がノードLL3及びLL4に夫々流れることによって生じた電圧が、シフトビット信号e8及び反転シフトビット信号i8としてデコーダ30及び31に供給される。
As a result, the voltages generated by the currents obtained by dividing the current (8·Isd) by two flowing through the nodes LL3 and LL4 are supplied to the
よって、レベルシフタ41は、電流(8・Isd)に基づくシフトビット信号e8により、デコーダ30及び31に含まれる128個のトランジスタQAをオンオフ制御する。更に、レベルシフタ41は、当該電流(8・Isd)に基づく反転シフトビット信号i8により、デコーダ30及び31に含まれる128個のトランジスタQBをオンオフ制御する。
Therefore, the
レベルシフタ42から出力されたシフトビット信号e7及び反転シフトビット信号i7の各々でオンオフ制御されるトランジスタの数は、前述したように、128個よりも少ない64個である。つまり、シフトビット信号e7及び反転シフトビット信号i7によってオンオフ制御の対象となる負荷量は、シフトビット信号e8及び反転シフトビット信号i8に比べて小さい。
The number of transistors ON/OFF-controlled by each of the shift bit signal e7 and the inverted shift bit signal i7 output from the
よって、レベルシフタ42では、バイアス電流IBa及びIBbの電流量を減らしても、シフトビット信号e7及び反転シフトビット信号i7各々の遅延量をシフトビット信号e8及び反転シフトビット信号i8と同等にすることができる。
Therefore, in the
そこで、レベルシフタ42のバイアス電流生成部BGpでは、図7に示すバイアス電流生成部BGpにおいて並列に接続されている8個のトランジスタTPを例えば7個に減らしたものを採用する。同様に、レベルシフタ42のバイアス電流生成部BGnでは、図7に示すバイアス電流生成部BGnにおいて並列に接続されている8個のトランジスタTNを例えば7個に減らしたものを採用する。
Therefore, in the bias current generator BGp of the
以下、同様にして、レベルシフタ43~48の各々においても、オンオフ制御の対象となる負荷量が小さいほど、バイアス電流生成部(BGp、BGn)において並列に接続されているトランジスタ(TP、TN)の数を減らす。
Similarly, in each of the
例えば、レベルシフタ45から出力されたシフトビット信号e4及び反転シフトビット信号i4の各々でオンオフ制御されるトランジスタの数は、前述したように8個である。つまり、シフトビット信号e4及び反転シフトビット信号i4によってオンオフ制御の対象となる負荷量は、シフトビット信号e8~e5及び反転シフトビット信号i8~e5に比べて小さい。
For example, the number of transistors ON/OFF-controlled by each of the shift bit signal e4 and the inverted shift bit signal i4 output from the
よって、レベルシフタ45では、バイアス電流IBa及びIBbの電流量を減らしても、シフトビット信号e4及び反転シフトビット信号i4各々の遅延量をシフトビット信号e8~e5及び反転シフトビット信号i8~e5と同等にすることができる。
Therefore, in the
そこで、レベルシフタ45のバイアス電流生成部BGpでは、図8に示すように、4個のトランジスタTPを並列に接続したものを採用する。同様に、レベルシフタ45のバイアス電流生成部BGnでは、図8に示すように、4個のトランジスタTNを並列に接続したものを採用する。
Therefore, in the bias current generator BGp of the
すなわち、レベルシフタ45では、図5に示すバイアス設定回路BSpと、図8に示すバイアス電流生成部BGpとにより、カレントミラー比が2:1のカレントミラー回路が構成されている。更に、レベルシフタ45では、図5に示すバイアス設定回路BSnと、図8に示すバイアス電流生成部BGnとにより、カレントミラー比が2:1のカレントミラー回路が構成されている。
That is, in the
また、例えば、レベルシフタ48から出力されたシフトビット信号e1及び反転シフトビット信号i1の各々でオンオフ制御されるトランジスタの数は、前述したように1個である。つまり、シフトビット信号e1及び反転シフトビット信号i1によってオンオフ制御の対象となる負荷量は、シフトビット信号e8~e2及び反転シフトビット信号i8~e2に比べて小さい。
Further, for example, the number of transistors ON/OFF-controlled by each of the shift bit signal e1 and the inverted shift bit signal i1 output from the
よって、レベルシフタ48では、バイアス電流IBa及びIBbの電流量を減らしても、シフトビット信号e1及び反転シフトビット信号i1各々の遅延量をシフトビット信号e8~e2及び反転シフトビット信号i8~e2と同等にすることができる。
Therefore, in the
そこで、レベルシフタ48のバイアス電流生成部BGpでは、図9に示すように、2個のトランジスタTPを並列に接続したものを採用する。同様に、レベルシフタ48のバイアス電流生成部BGnでは、図9に示すように、2個のトランジスタTNを並列に接続したものを採用する。
Therefore, in the bias current generator BGp of the
すなわち、レベルシフタ48では、図5に示すバイアス設定回路BSpと、図9に示すバイアス電流生成部BGpとにより、カレントミラー比が4:1のカレントミラー回路が構成されている。更に、レベルシフタ48では、図5に示すバイアス設定回路BSnと、図9に示すバイアス電流生成部BGnとにより、カレントミラー比が4:1のカレントミラー回路が構成されている。
That is, in the
上記したように、レベルシフタ41~48は、夫々に接続されるデコーダの負荷量に対応させて、夫々の出力電流の電流量を個別に設定した構成を採用している。つまり、図3に示すように縦続に接続されているデコーダ(30、31)、(32、33)、34~39、35、36、37では、前段に配置されているデコーダに比べて後段に配置されているデコーダの負荷量が小さい。
As described above, the
そこで、レベルシフタ41~48では、これら縦続接続されているデコーダのうちで後段に配置されているデコーダにシフトビット信号(反転シフトビット信号)を供給するレベルシフタの出力電流が、前段に配置されているデコーダにシフトビット信号を供給するレベルシフタの出力電流よりも小さくなるように構成しているのである。
Therefore, in the
これにより、レベルシフタ41~48の各々に含まれるバイアス電流生成部(BGp、BGn)として、一律に図7に示す回路構成を採用した場合に比べて、回路規模及び消費電流を小さくすることが可能となる。 As a result, the circuit scale and current consumption can be reduced as compared with the case where the circuit configuration shown in FIG. becomes.
尚、上記実施例では、レベルシフタ41~48各々のバイアス電流生成部(BGp、BGn)に含まれる並列接続のトランジスタの数により、各レベルシフタの出力電流の電流量を、夫々に接続されているデコーダの負荷量に対応した電流量に調整している。
In the above embodiment, the number of parallel-connected transistors included in the bias current generation units (BGp, BGn) of each of the
しかしながら、このような出力電流の調整をバイアス設定部40側でも行うようにしても良い。
However, such adjustment of the output current may also be performed on the
図10は、かかる点に鑑みて為された、レベルシフト部132a及びデコーダ部133の構成の一部を示すブロック図である。尚、図10においても図3と同様に、表示データQ1及び階調電圧V1に対応した1チャネル分のレベルシフト部132a及びデコーダ部133の構成のみを示している。
FIG. 10 is a block diagram showing part of the configuration of the
図10に示す構成では、図3に示すレベルシフト部132に代えてレベルシフト部132aを採用したものであり、デコーダ133については図3に示すものと同一である。
10 employs a
レベルシフト部132aは、バイアス設定部40に代えてバイアス設定部40aを採用したものであり、レベルシフタ41~48の構成については図3に示すものと同一である。
The
図11は、バイアス設定部40aの内部構成を示すブロック図である。
FIG. 11 is a block diagram showing the internal configuration of the
バイアス設定部40aは、レベルシフタ41~48の各々に対応して設けられたバイアス設定回路401~408を有する。バイアス設定回路401は、生成したバイアス電圧Bp及びBnを夫々ラインLp8及びLn8を介してレベルシフタ41に供給する。バイアス設定回路402は、生成したバイアス電圧Bp及びBnを夫々ラインLp7及びLn7を介してレベルシフタ42に供給する。バイアス設定回路403は、生成したバイアス電圧Bp及びBnを夫々ラインLp6及びLn6を介してレベルシフタ43に供給する。バイアス設定回路404は、生成したバイアス電圧Bp及びBnを夫々ラインLp5及びLn5を介してレベルシフタ44に供給する。バイアス設定回路405は、生成したバイアス電圧Bp及びBnを夫々ラインLp4及びLn4を介してレベルシフタ45に供給する。バイアス設定回路406は、生成したバイアス電圧Bp及びBnを夫々ラインLp3及びLn3を介してレベルシフタ46に供給する。バイアス設定回路407は、生成したバイアス電圧Bp及びBnを夫々ラインLp2及びLn2を介してレベルシフタ47に供給する。バイアス設定回路408は、生成したバイアス電圧Bp及びBnを夫々ラインLp1及びLn1を介してレベルシフタ48に供給する。
The
尚、バイアス設定回路401~408は共通の内部構成を有する。 The bias setting circuits 401-408 have a common internal configuration.
図12は、バイアス設定回路401~408各々の内部構成の一例を示す回路図である。 FIG. 12 is a circuit diagram showing an example of the internal configuration of each of the bias setting circuits 401-408.
図12に示すように、バイアス設定回路401~408の各々は、図5に示すバイアス設定回路BSpに代えてバイアス設定回路BSXpを採用し、バイアス設定回路BSnに代えてバイアス設定回路BSXnを採用したものである。尚、定電流生成回路CGについては図5に示されるものと同一である。
As shown in FIG. 12, each of the
バイアス設定回路BSXpは、pチャネルMOS型のトランジスタTP1~TP(k)(kは2以上の整数)が並列にk個接続された構成を有する。すなわち、トランジスタTP1~TP(k)各々のソースは互いに接続されており、各ソースには高電圧HVが印加されている。また、トランジスタTP1~TP(k)各々のドレインは互いに接続されており、各ドレインはノードLLpを介して定電流生成回路CGに接続されている。 The bias setting circuit BSXp has a configuration in which k p-channel MOS transistors TP1 to TP(k) (where k is an integer equal to or greater than 2) are connected in parallel. That is, the sources of the transistors TP1 to TP(k) are connected to each other, and a high voltage HV is applied to each source. Also, the drains of the transistors TP1 to TP(k) are connected to each other, and each drain is connected to the constant current generating circuit CG through the node LLp.
また、バイアス設定回路BSXpには、トランジスタTP1~TP(k)各々のゲートに対して、オン状態時には高電圧HVを印加し、オフ状態時には高電圧HVの印加を遮断するスイッチ素子Sa1~Sa(k)が設けられている。更に、バイアス設定回路BSXpには、トランジスタTP1~TP(k)各々のゲートを、オン状態時にはノードLLpと接続し、オフ状態時にはその接続を遮断するスイッチ素子Sb1~Sb(k)が設けられている。 In the bias setting circuit BSXp, switch elements Sa1 to Sa ( k) is provided. Further, the bias setting circuit BSXp is provided with switch elements Sb1 to Sb(k) that connect the gates of the transistors TP1 to TP(k) to the node LLp in the ON state and cut off the connection in the OFF state. there is
バイアス設定回路BSXnは、nチャネルMOS型のトランジスタTN1~TN(k)が並列にk個接続された構成を有する。すなわち、トランジスタTN1~TN(k)各々のソースは互いに接続されており、各ソースには接地電位が印加されている。また、トランジスタTN1~TN(k)各々のドレインは互いに接続されており、各ドレインはノードLLnを介して定電流生成回路CGに接続されている。 The bias setting circuit BSXn has a configuration in which k n-channel MOS transistors TN1 to TN(k) are connected in parallel. That is, the sources of the transistors TN1 to TN(k) are connected to each other, and the ground potential is applied to each source. Also, the drains of the transistors TN1 to TN(k) are connected to each other, and each drain is connected to the constant current generation circuit CG through the node LLn.
また、バイアス設定回路BSXnには、トランジスタTN1~TN(k)各々のゲートに対して、オン状態時には接地電位を印加し、オフ状態時には接地電位の印加を遮断するスイッチ素子Sc1~Sc(k)が設けられている。更に、バイアス設定回路BSXnには、トランジスタTN1~TN(k)各々のゲートを、オン状態時にはノードLLnと接続し、オフ状態時にはその接続を遮断するスイッチ素子Sd1~Sd(k)が設けられている。 In the bias setting circuit BSXn, switch elements Sc1 to Sc(k) apply a ground potential to the gates of the transistors TN1 to TN(k) in the ON state and cut off the application of the ground potential in the OFF state. is provided. Further, the bias setting circuit BSXn is provided with switching elements Sd1 to Sd(k) that connect the gates of the transistors TN1 to TN(k) to the node LLn in the ON state and cut off the connection in the OFF state. there is
図12に示す構成を有するバイアス設定回路401は、ノードLLpに生じたバイアス電圧BpをラインLp8を介してレベルシフタ41に供給すると共に、ノードLLnに生じたバイアス電圧BnをラインLn8を介してレベルシフタ41に供給する。以下、同様に、バイアス設定回路402~408は、夫々が生成したバイアス電圧Bp及びBnを、レベルシフタ42~48毎に専用に設けたライン(Lp7~Lp1、Ln7~Ln1)を介して、レベルシフタ42~48に夫々供給する。
The
ここで、バイアス設定回路401~408の各々において、バイアス設定回路BSXp及びBSXnに夫々含まれる複数のスイッチ素子を個別に、オン状態又はオフ状態に設定する。
Here, in each of the
すなわち、バイアス設定回路BSXpでは、スイッチ素子Sa1~Sa(k)を全てオフ状態に設定する。そして、バイアス設定回路BSXpに含まれるスイッチ素子Sb1~Sb(k)のうちでオン状態に設定するスイッチの数で、バイアス設定回路BSXpとバイアス電流生成部BGpとで構成されるカレントミラー回路の1次側で流す電流量を調整する。この際、スイッチ素子Sb1~Sb(k)のうちでオン状態に設定するスイッチの数が多いほど、カレントミラー回路の1次側、つまりバイアス設定回路BSXpに流れる電流量が増加し、それに伴いバイアス電流生成部BGpで生成されるバイアス電流IBaの電流量も増加する。要するに、スイッチ素子Sb1~Sb(k)のうちでオン状態に設定するスイッチの数により、バイアス電流IBaの電流量を設定することができるのである。 That is, the bias setting circuit BSXp sets all of the switching elements Sa1 to Sa(k) to the OFF state. Among the switch elements Sb1 to Sb(k) included in the bias setting circuit BSXp, the number of switches to be set to the ON state is one of the current mirror circuits composed of the bias setting circuit BSXp and the bias current generator BGp. Adjust the amount of current flowing on the next side. At this time, the more switches among the switch elements Sb1 to Sb(k) that are set to the ON state, the more the amount of current flowing through the primary side of the current mirror circuit, that is, the bias setting circuit BSXp. The current amount of the bias current IBa generated by the current generator BGp also increases. In short, the current amount of the bias current IBa can be set according to the number of switches to be turned on among the switch elements Sb1 to Sb(k).
同様に、バイアス設定回路BSXnでは、スイッチ素子Sc1~Sc(k)を全てオフ状態に設定する。そして、バイアス設定回路BSXnに含まれるスイッチ素子Sd1~Sd(k)のうちでオン状態に設定するスイッチの数で、バイアス設定回路BSXnとバイアス電流生成部BGnとで構成されるカレントミラー回路の1次側で流す電流量を設定する。この際、スイッチ素子Sd1~Sd(k)のうちでオン状態に設定するスイッチの数が多いほど、カレントミラー回路の1次側、つまりバイアス設定回路BSXnに流れる電流量が増加し、それに伴いバイアス電流生成部BGnで生成されるバイアス電流IBbの電流量も増加する。要するに、スイッチ素子Sd1~Sd(k)のうちでオン状態に設定するスイッチの数により、バイアス電流IBbの電流量を設定することができるのである。これにより、レベルシフタ42~48各々の出力電流の電流量、並びにシフトビット信号e1~e8(反転シフトビット信号i1~i8)各々の遅延量を、個別に精度よく調整することが可能となる。かかる調整により、貫通電流、消費電流、及びEMI(electro-magnetic interference)の低減を図ることが可能となる。
Similarly, the bias setting circuit BSXn sets all of the switch elements Sc1 to Sc(k) to the OFF state. Among the switch elements Sd1 to Sd(k) included in the bias setting circuit BSXn, the number of switches to be set to the ON state is one of the current mirror circuits composed of the bias setting circuit BSXn and the bias current generator BGn. Set the amount of current to flow on the next side. At this time, the more switches among the switch elements Sd1 to Sd(k) that are set to the ON state, the more the amount of current flowing through the primary side of the current mirror circuit, that is, the bias setting circuit BSXn. The current amount of the bias current IBb generated by the current generator BGn also increases. In short, the current amount of the bias current IBb can be set by the number of switches to be turned on among the switch elements Sd1 to Sd(k). This makes it possible to individually and accurately adjust the amount of output current of each of the
尚、上記したバイアス電流生成部(BGp、BGn)では、図7~図9に示すように、レベルシフタ41~48毎に、バイアス電流を生成するトランジスタの並列接続の段数を個別に設定することで出力電流の電流量を設定している。しかしながら、レベルシフタ毎に、バイアス電流を生成するトランジスタのサイズ(チャネル長、チャネル幅)を変更することによって、各レベルシフタの出力電流の電流量を設定しても良い。 In the bias current generators (BGp, BGn) described above, as shown in FIGS. Sets the amount of output current. However, the amount of output current of each level shifter may be set by changing the size (channel length, channel width) of the transistor that generates the bias current for each level shifter.
また、上記実施例では、輝度レベルを8ビットの256階調で表す場合の一例として、デコーダを縦続に接続する段数、及びレベルシフタの数を8つとしているが、かかる構成に限定されない。また、上記実施例では、デコーダ30~39の各々は、自身が受けたシフトビット信号に応じて、複数の電圧(参照電圧又は選択電圧)のうちから、その半分の電圧を選択して出力しているが、選択する電圧の数は半数より多い、又は少なくても良い。つまり、各デコーダ(30~39)としては、自身が受けたシフトビット信号に応じて、自身が受けた複数の電圧のうちから一部の電圧を選択して出力するものであれば良い。
In the above-described embodiment, the number of cascade-connected decoders and the number of level shifters are set to eight as an example of the case where the luminance level is represented by 256 8-bit gradations, but the present invention is not limited to such a configuration. Further, in the above embodiment, each of the
要するに、輝度レベルをJビット(Jは正の整数)で表す表示データ(例えばQ1)を、その輝度レベルに対応した電圧値を有する階調電圧(例えばV1)に変換して表示デバイス(20)に印加する表示ドライバ(13)としては、以下の参照電圧生成部、レベルシフト部及びデコーダ部を含むものを採用すれば良い。 In short, the display device (20) converts the display data (for example, Q1) representing the luminance level by J bits (J is a positive integer) into a gradation voltage (for example, V1) having a voltage value corresponding to the luminance level. As the display driver (13) to be applied to the display driver (13), one including the following reference voltage generation section, level shift section and decoder section may be employed.
すなわち、参照電圧生成部(134)は、電圧値が異なる2J個の参照電圧(例えばY1~Y256)を生成する。レベルシフト部(132)は、Jビットの表示データのビット信号(例えばビット信号d1~d8)各々の信号レベルを個別にレベルシフトした第1~第Jのシフトビット信号(例えばe1~e8)を出力する第1~第Jのレベルシフタ(例えばレベルシフタ41~48)を含む。
That is, the reference voltage generator (134) generates 2 J reference voltages (for example, Y1 to Y256) having different voltage values. A level shifter (132) outputs first to J-th shift bit signals (e1 to e8, for example) obtained by individually level-shifting the signal levels of bit signals (eg, bit signals d1 to d8) of J-bit display data. It includes first to Jth level shifters (eg,
デコーダ部(133)は、夫々が、第1~第Jのシフトビット信号のうちの対応する1つのシフトビット信号の供給を、第1~第Jのレベルシフタのうちの対応する1つのレベルシフタから受ける、互いに縦続に接続された第1~第Jのデコーダ(例えば、デコーダ30~39)を含む。デコーダ部は、第1~第Jのシフトビット信号に応じて2J個の参照電圧のうちから1つの参照電圧を選択してこれを階調電圧(例えばV1)として出力する。
Each of the decoder units (133) receives a supply of a corresponding one of the first to Jth shift bit signals from a corresponding one of the first to Jth level shifters. , includes first to Jth decoders (eg,
尚、第1のデコーダ(例えばデコーダ30、31)は、自身が受けたシフトビット信号(例えばe8)に応じて2J個の参照電圧のうちの一部である参照電圧群を選択し、これを選択電圧群として出力する。第2~第(J-1)のデコーダの各々(例えば、デコーダ32~38)は、自身が受けたシフトビット信号(例えばe7~e2)に応じて、前段のデコーダから出力された選択電圧群のうちの一部を選択電圧群として選択して出力する。第Jのデコーダ(例えばデコーダ39)は、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて前段の前記デコーダから出力された選択電圧群のうちから1つの選択電圧を選択しこれを階調電圧(例えばV1)として出力する。
Note that the first decoder (for example,
第1~第Jのレベルシフタは、第1~第Jのデコーダのうちで後段に配置されているデコーダにシフトビット信号を供給するレベルシフタの出力電流が、前段に配置されているデコーダにシフトビット信号を供給するレベルシフタの出力電流よりも小さくなるように構成されている。 The first to Jth level shifters supply the shift bit signal to the decoder arranged in the latter stage among the first to Jth decoders. is configured to be smaller than the output current of the level shifter that supplies .
30~39 デコーダ
40、40a バイアス設定部
41~48 レベルシフタ
132 レベルシフト部
133 デコーダ部
BGp、BGn バイアス電流生成部
TP、TN トランジスタ
30 to 39
Claims (4)
前記Jビットの前記表示データのビット信号各々の信号レベルを個別にレベルシフトした第1~第Jのシフトビット信号を出力する第1~第Jのレベルシフタを含むレベルシフト部と、
電圧値が異なる2J個の参照電圧を生成する参照電圧生成部と、
夫々が前記第1~第Jのシフトビット信号のうちの対応する1つのシフトビット信号の供給を、前記第1~第Jのレベルシフタのうちの対応する1つのレベルシフタから受ける、互いに縦続に接続されている第1~第Jのデコーダを含み、前記第1~第Jのシフトビット信号に応じて前記2J個の参照電圧のうちから1つの参照電圧を選択してこれを前記階調電圧として出力するデコーダ部と、を有し、
前記第1のデコーダは、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて前記2J個の参照電圧のうちの一部である参照電圧群を選択し、これを選択電圧群として出力し、
前記第2~第(J-1)のデコーダの各々は、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて、前段の前記デコーダから出力された選択電圧群のうちの一部を選択電圧群として選択して出力し、
前記第Jのデコーダは、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて前段の前記デコーダから出力された選択電圧群のうちから1つの選択電圧を選択しこれを前記階調電圧として出力し、
前記第1~第Jのレベルシフタの各々は、夫々の出力電流を担うバイアス電流を生成するトランジスタを含むバイアス電流生成部を有し、
前記レベルシフト部は、前記第1~第Jのレベルシフタに個別に接続されている第1~第Jのラインを介して、前記第1~第Jのレベルシフタ各々の前記バイアス電流生成部に含まれる前記トランジスタのゲートにバイアス電圧を供給する第1~第Jのバイアス設定回路を含み、
前記第1~第Jのバイアス設定回路は、前記第1~第Jのラインに流す電流値を個別に設定することにより、前記第1~第Jのレベルシフタ各々の前記出力電流の電流値を調整し、
前記第1~第Jのデコーダのうちで後段に配置されているデコーダに前記シフトビット信号を供給する前記レベルシフタの出力電流が、前記第1~第Jのデコーダのうちで前段に配置されているデコーダに前記シフトビット信号を供給する前記レベルシフタの出力電流よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする表示ドライバ。 A display driver that converts display data representing a luminance level by J bits (J is a positive integer) into a grayscale voltage having a voltage value corresponding to the luminance level and applies the grayscale voltage to a display device,
a level shift unit including first to Jth level shifters for outputting first to Jth shift bit signals obtained by individually level-shifting the signal levels of the bit signals of the J-bit display data;
a reference voltage generator that generates 2 J reference voltages with different voltage values;
each receiving a corresponding one of the first to Jth shift bit signals supplied from a corresponding one of the first to Jth level shifters, connected in cascade to each other; 1st to Jth decoders that select one reference voltage from the 2 J reference voltages according to the 1st to Jth shift bit signals and use it as the gradation voltage. and a decoder unit that outputs
the first decoder selects a reference voltage group, which is a part of the 2 J reference voltages, according to the shift bit signal received by itself, and outputs it as a selected voltage group;
Each of the second to (J-1)th decoders selects a part of the selected voltage group output from the preceding decoder as a selected voltage group in accordance with the shift bit signal received by itself. and output
the J-th decoder selects one selected voltage from a group of selected voltages output from the preceding decoder according to the shift bit signal received by itself and outputs it as the gradation voltage;
each of the first to J-th level shifters has a bias current generation unit including a transistor that generates a bias current responsible for the respective output current;
The level shifter is included in the bias current generator of each of the first to Jth level shifters via first to Jth lines individually connected to the first to Jth level shifters. including first to J-th bias setting circuits that supply bias voltages to the gates of the transistors;
The first to Jth bias setting circuits adjust the current values of the output currents of the first to Jth level shifters by individually setting current values to be supplied to the first to Jth lines. death,
An output current of the level shifter that supplies the shift bit signal to a decoder arranged at a later stage among the first to Jth decoders is arranged at an earlier stage among the first to Jth decoders. A display driver characterized in that it is configured to be smaller than the output current of the level shifter that supplies the shift bit signal to a decoder.
前記Jビットの前記表示データのビット信号各々の信号レベルを個別にレベルシフトした第1~第Jのシフトビット信号を出力する第1~第Jのレベルシフタを含むレベルシフト部と、
電圧値が異なる2 J 個の参照電圧を生成する参照電圧生成部と、
夫々が前記第1~第Jのシフトビット信号のうちの対応する1つのシフトビット信号の供給を、前記第1~第Jのレベルシフタのうちの対応する1つのレベルシフタから受ける、互いに縦続に接続されている第1~第Jのデコーダを含み、前記第1~第Jのシフトビット信号に応じて前記2 J 個の参照電圧のうちから1つの参照電圧を選択してこれを前記階調電圧として出力するデコーダ部と、を有し、
前記第1のデコーダは、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて前記2 J 個の参照電圧のうちの一部である参照電圧群を選択し、これを選択電圧群として出力し、
前記第2~第(J-1)のデコーダの各々は、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて、前段の前記デコーダから出力された選択電圧群のうちの一部を選択電圧群として選択して出力し、
前記第Jのデコーダは、自身が受けた前記シフトビット信号に応じて前段の前記デコーダから出力された選択電圧群のうちから1つの選択電圧を選択しこれを前記階調電圧として出力し、
前記第1~第Jのレベルシフタの各々は、夫々の出力電流を担うバイアス電流を生成するトランジスタを含むバイアス電流生成部を有し、
前記レベルシフト部は、前記第1~第Jのレベルシフタに個別に接続されている第1~第Jのラインを介して、前記第1~第Jのレベルシフタ各々の前記バイアス電流生成部に含まれる前記トランジスタのゲートにバイアス電圧を供給する第1~第Jのバイアス設定回路を含み、
前記第1~第Jのバイアス設定回路は、前記第1~第Jのラインに流す電流値を個別に設定することにより、前記第1~第Jのレベルシフタ各々の前記出力電流の電流値を調整し、
前記第1~第Jのデコーダのうちで後段に配置されているデコーダに前記シフトビット信号を供給する前記レベルシフタの出力電流が、前記第1~第Jのデコーダのうちで前段に配置されているデコーダに前記シフトビット信号を供給する前記レベルシフタの出力電流よりも小さくなるように構成されていることを特徴とする半導体装置。 A semiconductor device including a display driver that converts display data representing a luminance level by J bits (J is a positive integer) into a grayscale voltage having a voltage value corresponding to the luminance level and applies the grayscale voltage to a display device,
a level shift unit including first to Jth level shifters for outputting first to Jth shift bit signals obtained by individually level-shifting the signal levels of the bit signals of the J-bit display data;
a reference voltage generator that generates 2 J reference voltages with different voltage values ;
each receiving a corresponding one of the first to Jth shift bit signals supplied from a corresponding one of the first to Jth level shifters, connected in cascade to each other; 1st to Jth decoders that select one reference voltage from the 2 J reference voltages according to the 1st to Jth shift bit signals and use it as the gradation voltage. and a decoder unit that outputs
the first decoder selects a reference voltage group, which is a part of the 2 J reference voltages, according to the shift bit signal received by itself, and outputs it as a selected voltage group;
Each of the second to (J-1)th decoders selects a part of the selected voltage group output from the preceding decoder as a selected voltage group in accordance with the shift bit signal received by itself. and output
the J-th decoder selects one selected voltage from a group of selected voltages output from the preceding decoder according to the shift bit signal received by itself and outputs it as the gradation voltage;
each of the first to J-th level shifters has a bias current generation unit including a transistor that generates a bias current responsible for the respective output current;
The level shifter is included in the bias current generator of each of the first to Jth level shifters via first to Jth lines individually connected to the first to Jth level shifters. including first to J-th bias setting circuits that supply bias voltages to the gates of the transistors;
The first to Jth bias setting circuits adjust the current values of the output currents of the first to Jth level shifters by individually setting current values to be supplied to the first to Jth lines. death,
An output current of the level shifter that supplies the shift bit signal to a decoder arranged at a later stage among the first to Jth decoders is arranged at an earlier stage among the first to Jth decoders. A semiconductor device , wherein the output current is smaller than the output current of the level shifter that supplies the shift bit signal to a decoder .
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