JP7117726B2 - ナノ粒子の製造方法、及びその利用 - Google Patents
ナノ粒子の製造方法、及びその利用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7117726B2 JP7117726B2 JP2018023508A JP2018023508A JP7117726B2 JP 7117726 B2 JP7117726 B2 JP 7117726B2 JP 2018023508 A JP2018023508 A JP 2018023508A JP 2018023508 A JP2018023508 A JP 2018023508A JP 7117726 B2 JP7117726 B2 JP 7117726B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanoparticles
- charged particles
- sputtering
- charged
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title claims description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 134
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 4
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 35
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 10
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 2
- 241000258241 Mantis Species 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATTFYOXEMHAYAX-UHFFFAOYSA-N magnesium nickel Chemical compound [Mg].[Ni] ATTFYOXEMHAYAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000000941 radioactive substance Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/32—Hydrogen storage
Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Description
また、ナノクラスターを生成する方法として非特許文献3に記載の方法が知られている。
1) スパッタリング法によって荷電粒子を製造する工程Aと、上記荷電粒子を、当該荷電粒子の電気移動度に基づいて分級する工程Bと、を含む、ナノ粒子の製造方法。
2) 工程Bは、微分型電気移動度分級装置(DMA)を用いて行う、1)に記載の方法。
3) 上記荷電粒子の粒径は1nm以上で100nm以下の範囲内である、1)又は2)に記載の方法。
4)上記荷電粒子は、水素吸蔵性を有する金属粒子である、1)~3)の何れかに記載の方法。
5)上記工程Aを行う雰囲気が冷却されている、1)~4)の何れかに記載の方法。
6)ナノ粒子の製造装置であって、スパッタリング法によって荷電粒子を製造する荷電粒子製造装置と、電気移動度分級装置と、を備え、上記荷電粒子製造装置の荷電粒子取出し口と、上記電気移動度分級装置の荷電粒子導入口とが連結されている、ナノ粒子の製造装置。
7)上記荷電粒子製造装置の動作圧力と、上記電気移動度分級装置の動作圧力とが何れも300Pa以上で2000Pa以下の範囲内である、6)に記載のナノ粒子の製造装置。
8)上記荷電粒子製造装置は、荷電粒子の製造が行われる雰囲気を冷却するための冷却手段を有する、6)に記載の装置。
9) 上記1)~5)の何れかに記載の方法で製造されたナノ粒子。
10) アルカリ金属及びアルカリ土類金属からなる群より選択される、金属単体の粒子、又は、これらの金属の少なくとも一種を含む合金の粒子である、9)に記載のナノ粒子。
11) 上記9)又は10)に記載のナノ粒子を含んでなる、製品。
以下、本発明の一実施形態について、詳細に説明する。
本発明の一実施形態に係るナノ粒子の製造方法は、スパッタリング法によって荷電粒子を製造する工程Aと、工程Aで得られた上記荷電粒子を、当該荷電粒子の電気移動度に基づいて分級する工程Bと、を含む方法である。
本明細書において「荷電粒子」とは、特に言及がない限り、上記工程Aで得られた荷電粒子を指す。本明細書において「ナノ粒子」とは、当該荷電粒子が上記工程Bにて分級されたものを指す。但し、ナノ粒子は荷電された状態であっても、荷電されていない状態であってもよい。
以下、図1及び図2にその概略を示すナノ粒子の製造装置の一例に基づいて、ナノ粒子の製造方法をより詳細に説明する。
ナノ粒子の製造装置100は、スパッタリング装置(荷電粒子製造装置)30と、DMA(電気移動度分級装置)40とを備えてなり、スパッタリング装置30の粒子取出し口(荷電粒子取出し口)35と、DMA40の粒子導入口(荷電粒子導入口)43aとが連結されている。
スパッタリング装置30は、スパッタリング法によって荷電粒子を製造する装置である。スパッタリング装置30の一例は、図2に示すように、外筒37bと内筒37aとが中心軸を共有するように配置された二重円筒構造を備えており、内筒37aの内部空間34が、スパッタリングの反応空間として機能する。内部空間34には、内筒37aの中心軸の一端側(下方側)にスパッタリングのターゲット33が、この中心軸の他端側(上方側)に粒子取出し口35が設けられている。ターゲット33は、上記二重円筒構造の下端に取り付けられた移動機構31と連結されている。移動機構31を操作することによって、ターゲット33は、内筒37aの中心軸に沿った上下移動が可能で、この上下移動によって、凝集長L1を所望する長さに変更することが出来る。
DMA40(微分型電気移動度分級装置)は、上述の工程Aで得られた上記荷電粒子を、当該荷電粒子の電気移動度に基づいて分級する工程Bを行う装置である。DMA40は、円筒状の外側電極41aと内側電極41bとが中心軸を共有するように配置された二重円筒構造を備えている。この二重円筒構造の中心軸は水平方向に沿っている。スパッタリング装置30から供給される荷電粒子を含んだエアロゾルは、粒子導入口43aを介して外側電極41a・内側電極41b間の空間42内に導入される。
DMA40の粒子取出管44内に選択的に取り出されたナノ粒子は、必要に応じて分析部に送られて分析がなされる。図1に示す製造装置では、分析部としてファラデーカップ電流計(FC)71と、水晶振動子マイクロバランス(QCM)51とを備えてなる。ファラデーカップ電流計71は、ナノ粒子の粒子帯電量濃度を正確に測定するためのものである。水晶振動子マイクロバランス51は得られるナノ粒子が水素吸蔵性のナノ粒子である場合に、その水素吸蔵能の分析を可能とするものである。水晶振動子マイクロバランス51は、使用/不使用を切り替えるため、弁82を介してDMAと連結されている。水晶振動子マイクロバランス51は、二重弁構造83a・83bを介して真空ドライポンプ22に連結されている。高精度な分析を実現するため、真空ドライポンプ22を用いて真空引きをすることによって、水晶振動子マイクロバランス51は極低圧に維持されている。
本発明の一態様には、上述の方法で製造されたナノ粒子や当該ナノ粒子を含んでなる製品も含まれる。製品の種類は特に限定されないが、例えば、ナノ粒子を担持した触媒;水素フィルタ(ナノ粒子が水素吸蔵性を有する場合);等が挙げられる。
図1及び図2に示すのと同様の構成を持つナノ粒子の製造装置100を用いた。この装置内のスパッタリング装置30において、Mgの円盤をターゲット33とし、真空引きした内部空間34内にマスフローコントローラ(一つのみ図示)11を介してアルゴンガス(ガス圧480Pa、流量0.55slm)を導入し、直流放電(投入電力50W)によってスパッタリングを行った。これにより、スパッタリングカソードが位置する内部空間34内で、マグネシウムの荷電粒子を生成させた。図2に示す凝集長L1は25cmとした。スパッタリング装置30の動作圧力は、アルゴンガスのガス圧と同等と見做せる。
なお、ナノ粒子の個数カウントは、ファラデーカップ電流計71を用いて行った。
ターゲット33として、面積比がMg:Ni=2:1の円板を使用し、アルゴンガスのガス圧を500Pa、アルゴンガスの流量を0.8slm、投入電力を70Wの条件でスパッタリングを行った以外は実施例1と同様にして、マグネシウム・ニッケル合金の荷電粒子を生成させた。なお、DMA40の動作圧力は500Paに保たれていた。
ターゲット33として、Cuの円板を使用し、アルゴンガスのガス圧を430Pa、アルゴンガスの流量を0.5slm、投入電力を40Wの条件でスパッタリングを行った以外は実施例1と同様にして、銅の荷電粒子を生成させた。なお、DMA40の動作圧力は430Paに保たれていた。
ターゲット33として、Alの円板を使用し、アルゴンガスのガス圧を430Pa、アルゴンガスの流量を0.5slm、投入電力を30Wの条件でスパッタリングを行った以外は実施例1と同様にして、アルミニウムの荷電粒子を生成させた。なお、DMA40の動作圧力は430Paに保たれていた。
21、22 真空ドライポンプ
30 スパッタリング装置
31 移動機構
32a 供給口
32b 冷媒槽
91 配管
33 ターゲット
34 内部空間
37a 内筒
37b 外筒
38・39a 供給口
39b 流路
40 DMA
41a 外側電極
41b 内側電極
42 空間
43a 粒子導入口
43b スリット
44 粒子取出管
45 荷電粒子
46 電圧印加装置
51 水晶振動子マイクロバランス
61 圧力計
71 ファラデーカップ電流計
81a・81b 二重弁構造
83a・83b 二重弁構造
100 製造装置
Claims (8)
- スパッタリングのターゲットに電圧を印加してグロー放電を発生させる、 スパッタ型クラスターイオン源を用いるスパッタリング法によって荷電粒子を製造する工程Aと、
上記荷電粒子を、当該荷電粒子の電気移動度に基づいて分級する工程Bと、を含む、ナノ粒子の製造方法であって、工程A及びBを何れも圧力400Pa以上600Pa以下の範囲内で進行させる、ナノ粒子の製造方法。 - 工程Bは、微分型電気移動度分級装置(DMA)を用いて行う、請求項1に記載の方法。
- 上記荷電粒子の粒径は1nm以上で100nm以下の範囲内である、請求項1又は2に記載の方法。
- 上記荷電粒子は、水素吸蔵性を有する金属粒子である、請求項1~3の何れか一項に記載の方法。
- 上記工程Aを行う雰囲気が冷却されている、請求項1~4の何れか一項に記載の方法。
- ナノ粒子の製造装置であって、
スパッタリングのターゲットに電圧を印加してグロー放電を発生させる、 スパッタ型クラスターイオン源を用いるスパッタリング法によって荷電粒子を製造する荷電粒子製造装置と、
電気移動度分級装置と、を備え、
上記荷電粒子製造装置の荷電粒子取出し口と、上記電気移動度分級装置の荷電粒子導入口とが連結されて おり、
上記荷電粒子製造装置の動作圧力と、上記電気移動度分級装置の動作圧力とが何れも400Pa以上で600Pa以下の範囲内である、
ナノ粒子の製造装置。 - 上記荷電粒子製造装置は、荷電粒子の製造が行われる雰囲気を冷却するための冷却手段を有する、請求項6に記載の装置。
- 上記荷電粒子製造装置には、上記荷電粒子取出し口側からスパッタリングのターゲット側に向けて反応調節用ガスを供給するための流路が設けられている、請求項6または7に記載のナノ粒子の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018023508A JP7117726B2 (ja) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | ナノ粒子の製造方法、及びその利用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018023508A JP7117726B2 (ja) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | ナノ粒子の製造方法、及びその利用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019137900A JP2019137900A (ja) | 2019-08-22 |
JP7117726B2 true JP7117726B2 (ja) | 2022-08-15 |
Family
ID=67693289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018023508A Active JP7117726B2 (ja) | 2018-02-13 | 2018-02-13 | ナノ粒子の製造方法、及びその利用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7117726B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2021019908A1 (ja) | 2019-07-26 | 2021-02-04 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006129413A1 (ja) | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | デンドライト的構造を有するニッケル含有ナノ構造体を活性層に適用した電気化学電極及びその製造方法 |
JP2011116594A (ja) | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 複合粒子、樹脂組成物、波長変換層および光起電装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003011100A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガス流中のナノ粒子の堆積方法、並びに表面修飾方法 |
-
2018
- 2018-02-13 JP JP2018023508A patent/JP7117726B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006129413A1 (ja) | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | デンドライト的構造を有するニッケル含有ナノ構造体を活性層に適用した電気化学電極及びその製造方法 |
JP2011116594A (ja) | 2009-12-03 | 2011-06-16 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 複合粒子、樹脂組成物、波長変換層および光起電装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019137900A (ja) | 2019-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Byeon et al. | Spark generation of monometallic and bimetallic aerosol nanoparticles | |
CN105642879B (zh) | 用于激光3d打印的球形tc4钛合金粉末及其制备方法 | |
Karpov et al. | Plasma-chemical reactor based on a low-pressure pulsed arc discharge for synthesis of nanopowders | |
Thaler et al. | Synthesis of nanoparticles in helium droplets—A characterization comparing mass-spectra and electron microscopy data | |
Ayesh et al. | Size-controlled Pd nanocluster grown by plasma gas-condensation method | |
Snellman et al. | Continuous gas-phase synthesis of core–shell nanoparticles via surface segregation | |
Stein et al. | Effect of carrier gas composition on transferred arc metal nanoparticle synthesis | |
Meng et al. | Preparation of cobalt nanoparticles by direct current arc plasma evaporation method | |
CN103025914B (zh) | 溅射靶和/或线圈及它们的制造方法 | |
JP7117726B2 (ja) | ナノ粒子の製造方法、及びその利用 | |
JP5693249B2 (ja) | 合金微粒子の製造方法 | |
Zhang et al. | Plasma catalytic synthesis of silver nanoparticles | |
Jigatch et al. | An apparatus for the production and study of metal nanoparticles | |
JP2014088292A (ja) | 酸化珪素粉末の製造方法 | |
JP2007332405A (ja) | クラスター製造装置及びクラスター製造方法 | |
Penyaz’kov et al. | Low-temperature synthesis of metal oxide nanoparticles during evaporation of femtoliter drops of aqueous solutions | |
Wang et al. | Reduction behavior of tungsten oxide with and without scandia doping | |
RU2475298C1 (ru) | Способ получения нанопорошков из различных электропроводящих материалов | |
Jagdeo | Physical Methods for Synthesis of Nanoparticles | |
CN101318219A (zh) | 纳米粉体机 | |
Tan et al. | Experimental and numerical studies of heat convection in the synthesis of single-walled carbon nanotubes by arc vaporization | |
Xiong et al. | Manufacturing of U–10 wt% Mo powder by hydride–dehydride processing | |
Kala et al. | Synthesis and film formation of monodisperse nanoparticles and nanoparticle pairs | |
JP2012207249A (ja) | 粉体に対するクラスタ堆積方法及び粉体に対するクラスタ堆積装置 | |
US6814239B2 (en) | High-purity standard particle production apparatus, method and particles |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210112 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210922 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211201 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220422 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220422 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20220422 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220524 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220712 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220725 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7117726 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |