JP7109924B2 - Display device - Google Patents
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Description
本発明は、表示装置に関する。 The present invention relates to display devices.
特許文献1には、一対の透光性基板の間に配置され、所定の屈折率異方性を有するとともに、透光性基板に設けられた電極によって生じる電場に対する応答性が異なる複数の光変調素子を備える光変調層と、光変調層の側面から光変調層に所定の色の光を入射する光源と、を有している表示装置が記載されている。この光変調層は、電場が生じていないときは光源から入射した入射光を透過し、電場が生じているときは入射光を散乱して透光性基板に射出する。
特許文献1に記載されている表示装置では、内部にある金属層において内部散乱が起こり、透過率が下がる可能性がある。
In the display device described in
本発明の目的は、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認可能であって、透過率の低下を抑制できる表示装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a display device in which the background on the opposite side of the display panel can be visually recognized from one side and a decrease in transmittance can be suppressed.
一態様に係る表示装置は、第1透光性基板と、前記第1透光性基板と対向して配置される第2透光性基板と、前記第1透光性基板と前記第2透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、前記第1透光性基板及び前記第2透光性基板のうち少なくとも1つの外側表面に、前記第1透光性基板又は前記第2透光性基板からの光を反射し、前記第1透光性基板又は前記第2透光性基板の外側からの光を吸収する多層膜と、を含む。 A display device according to an aspect includes: a first translucent substrate; a second translucent substrate arranged to face the first translucent substrate; a liquid crystal layer having a polymer-dispersed liquid crystal sealed between itself and a light-transmitting substrate; a multilayer film that reflects light from the optical substrate or the second translucent substrate and absorbs light from outside the first translucent substrate or the second translucent substrate.
発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Modes (embodiments) for carrying out the invention will be described in detail with reference to the drawings. The present disclosure is not limited by the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the components described below can be combined as appropriate. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate modifications while maintaining the gist of the invention are, of course, included in the scope of the present disclosure. In addition, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual embodiment, but this is only an example, and the interpretation of the present disclosure is not intended. It is not limited. In addition, in this specification and each figure, the same reference numerals may be given to the same elements as those described above with respect to the existing figures, and detailed description thereof may be omitted as appropriate.
図1は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図2は、図1の表示装置を表すブロック図である。図3は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。 FIG. 1 is a perspective view showing an example of a display device according to this embodiment. FIG. 2 is a block diagram representing the display device of FIG. FIG. 3 is a timing chart for explaining the timing at which the light source emits light in the field sequential method.
図1に示すように、表示装置1は、表示パネル2と、サイド光源装置3と、後述する表示制御部5(図2参照)の一部を構成する駆動回路4と、外光設定部93とを有する。ここで、表示パネル2の平面の一方向がPX方向とされ、PX方向と直交する方向がPY方向とされ、PX-PY平面に直交する方向がPZ方向とされている。
As shown in FIG. 1, the
表示パネル2は、第1透光性基板10と、第2透光性基板20と、液晶層50(図5参照)とを備えている。第2透光性基板20は、第1透光性基板10の表面に垂直な方向(図1に示すPZ方向)に対向して配置される。液晶層50(図5参照)は、第1透光性基板10と、第2透光性基板20と、封止部19とで、後述する高分子分散型液晶が封止されている。
The
図1に示すように、表示パネル2において、封止部19の内側が、表示領域となる。表示領域には、複数の画素Pixがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるm個の画素Pixを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるn個の画素Pixを有する画素列をいう。そして、mとnとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線12が行毎に配線され、複数の信号線13が列毎に配線されている。
As shown in FIG. 1, in the
図1に示すように、第2透光性基板20の外側表面に多層膜7を備えている。多層膜7は、第1方向からの光を反射し、第1方向とは異なる第2方向からの光を吸収する。例えば、第2透光性基板20内を伝播して多層膜7に到達する光は、多層膜7において第2透光性基板20内へ反射され、第2透光性基板20の外側から伝播して多層膜7に到達する外光69は、多層膜7に吸収される。本実施形態において、多層膜7は、複数の走査線12及び複数の信号線13に平面視で重畳する位置に配置されている。このため、多層膜7は、平面視で格子状である。
As shown in FIG. 1, a
サイド光源装置3は、発光部31を備えている。図2に示すように、光源制御部32と、発光部31及び光源制御部32が配置される光源基板33と、駆動回路4とは、表示制御部5を構成する。光源基板33がフレキシブル基板であり、光源基板33が光源制御部32と駆動回路4とを電気的に接続する配線としても機能する(図2参照)。発光部31と、光源制御部32とは、光源基板33内の配線で電気的に接続されている。
The side
例えば、外光設定部93は可視光センサであり、可視光センサが例えば、外部光源Qの外光69を検出し、外光69に応じた外光情報の信号ELVとして生成する。外光設定部93は生成した外光情報の信号ELVを駆動回路4へ伝送する。外光設定部93は、第1透光性基板10の表面に固定されている。外光設定部93は、表示パネル2の周囲の外光69を検出できれば、固定される位置は問わない。
For example, the external
図1に示すように、駆動回路4は、第1透光性基板10の表面に固定されている。図2に示すように、駆動回路4は、解析部41、画素制御部42、ゲート駆動部43、ソース駆動部44及び共通電位駆動部45を備えている。第1透光性基板10は、第2透光性基板20よりもXY平面の面積が大きく、第2透光性基板20から露出した第1透光性基板10の張り出し部分に、駆動回路4が設けられる。
As shown in FIG. 1, the
解析部41には、外部の上位制御部9の画像出力部91から、フレキシブル基板92を介して、入力信号(RGB信号など)VSが入力される。
An input signal (such as an RGB signal) VS is input to the
解析部41は、入力信号解析部411と、外光解析部412と、記憶部413と、信号調整部414とを備える。入力信号解析部411は、外部から入力された入力信号VSに基づいて第1画素入力信号VCSと光源制御信号LCSとを生成する。光源制御信号LCSは、例えば、全ての画素Pixへの入力階調値に応じて設定される発光部31の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、発光部31の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、発光部31の光量は大きく設定される。
The
第1画素入力信号VCSは、映像信号VSに基づいて、表示パネル2の各画素Pixにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第1画素入力信号VCSは、各画素Pixの階調値に関する階調情報を含む信号である。画素制御部42は、第1画素入力信号VCSの入力階調値にガンマ補正及び伸張処理などの補正処理を加えることによって出力階調値を設定する。
The first pixel input signal VCS is a signal that determines what gradation value is given to each pixel Pix of the
外光解析部412には、上述した外光設定部93からの外光情報の信号ELVが入力される。外光解析部412は、記憶部413に記憶されている設定値に基づいて、外光情報の信号ELVに応じた調整信号LASを生成する。
A signal ELV of the external light information from the external
信号調整部414は、調整信号LASに応じた光源制御信号LCSを光源制御信号LCSAとして生成して光源制御部32へ送出し、調整信号LASに応じた第1画素入力信号VCSから第2画素入力信号VCSAを送出する。
The
そして、画素制御部42は、第2画素入力信号VCSAに基づいて水平駆動信号HDSと垂直駆動信号VDSとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号HDSと垂直駆動信号VDSとが発光部31が発光可能な色毎に生成される。
Then, the
ゲート駆動部43は水平駆動信号HDSに基づいて1垂直走査期間内に表示パネル2の走査線12を順次選択する。走査線12の選択の順番は任意である。
The
ソース駆動部44は垂直駆動信号VDSに基づいて1水平走査期間内に表示パネル2の各信号線13に各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号を供給する。
The
本実施形態において、表示パネル2はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視でPX方向及びPY方向に延在する信号(ソース)線13及び走査(ゲート)線12を有し、信号線13と走査線12との立体交差部にスイッチング素子Trを有する。
In this embodiment, the
スイッチング素子Trとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Trとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Trのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線13に接続され、ゲート電極は走査線12に接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は液晶の容量LCの一端に接続されている。液晶の容量LCは、一端がスイッチング素子Trに画素電極16を介して接続され、他端が共通電極22を介してコモン電位COMに接続されている。コモン電位COMは、共通電位駆動部45より供給される。
A thin film transistor is used as the switching element Tr. A bottom-gate transistor or a top-gate transistor may be used as an example of a thin film transistor. A single-gate thin film transistor is exemplified as the switching element Tr, but a double-gate transistor may be used. One of the source electrode and the drain electrode of the switching element Tr is connected to the
発光部31は、第1色(例えば、赤色)の発光体34Rと、第2色(例えば、緑色)の発光体34Gと、第3色(例えば、青色)の発光体34Bを備えている。光源制御部32は、光源制御信号LCSAに基づいて、第1色の発光体34R、第2色の発光体34G及び第3色の発光体34Bのそれぞれを時分割で発光する。このように、第1色の発光体34R、第2色の発光体34G及び第3色の発光体34Bは、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動される。
The
図3に示すように、第1サブフレーム(第1所定時間)RONにおいて、第1色の発光体34Rが発光するとともに、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixが光を散乱させて表示する。このとき表示パネル2全体では、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線13に各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第1色のみ点灯している。
As shown in FIG. 3, in the first subframe (first predetermined time) RON, the
次に、第2サブフレーム(第2所定時間)GONにおいて、第2色の発光体34Gが発光するとともに、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixが光を散乱させて表示する。このとき表示パネル2全体では、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線13に各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第2色のみ点灯している。
Next, in the second subframe (second predetermined time) GON, the
さらに、第3サブフレーム(第3所定時間)BONにおいて、第3色の発光体34Bが発光するとともに、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixが光を散乱させて表示する。このとき表示パネル2全体では、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線13に各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第3色のみ点灯している。
Further, in the third sub-frame (third predetermined time) BON, the
人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、1フレーム(1F)の期間に3色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第1色、第2色、第3色毎に画素Pixを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよいので、解像度を高めることが容易となる。 Since the human eye has a limited temporal resolution and an afterimage occurs, an image composed of three colors is recognized in one frame (1F) period. The field sequential method can eliminate the need for color filters and reduce the absorption loss in the color filters, thereby achieving high transmittance. In the color filter method, one pixel is made up of sub-pixels obtained by dividing the pixel Pix for each of the first, second, and third colors. Therefore, it becomes easy to increase the resolution.
図4は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図5は、図1の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図6は、図1の表示装置の平面を示す平面図である。図5は、図6のV-V’断面である。図7は、図5の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図8は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図9は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing the relationship between the voltage applied to the pixel electrode and the scattering state of the pixel. 5 is a cross-sectional view showing an example of a cross section of the display device of FIG. 1. FIG. 6 is a plan view showing a plane of the display device of FIG. 1. FIG. FIG. 5 is a cross section taken along line V-V' of FIG. FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of the liquid crystal layer portion of FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the non-scattering state in the liquid crystal layer. FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the scattering state in the liquid crystal layer.
1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線13に各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極16への印加電圧が変わる。画素電極16への印加電圧が変わると、画素電極16と、共通電極22との間の電圧が変化する。そして、図4に示すように、画素電極16への印加電圧に応じて、画素Pix毎の液晶層50の散乱状態が制御され、画素Pix内の散乱割合が変化する。
If a grayscale signal corresponding to the output grayscale value of each pixel Pix is supplied to each of the signal lines 13 described above to the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan, the
図5及び図6に示すように、第1透光性基板10は、第1主面10A、第2主面10B、第1側面10C、第2側面10D、第3側面10E及び第4側面10Fを備える。第1主面10Aと第2主面10Bとは、平行な平面である。また、第1側面10Cと第2側面10Dとは、平行な平面である。第3側面10Eと第4側面10Fとは、平行な平面である。
As shown in FIGS. 5 and 6, the first
図5及び図6に示すように、第2透光性基板20は、第1主面20A、第2主面20B、第1側面20C、第2側面20D、第3側面20E及び第4側面20Fを備える。第1主面20Aと第2主面20Bとは、平行な平面である。第1側面20Cと第2側面20Dとは、平行な平面である。第3側面20Eと第4側面20Fとは、平行な平面である。
As shown in FIGS. 5 and 6, the second
図5及び図6に示すように、第2透光性基板20の第1側面20Cに対向するように、発光部31が設けられている。図5に示すように、発光部31は、第2透光性基板20の第1側面20Cへ光源光Lを照射する。発光部31と対向する第2透光性基板20の第1側面20Cは、光入射面となる。発光部31と光入射面との間には、空間Gが設けられている。空間Gは、空気層となっている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
図5に示すように、発光部31から照射された光源光Lは、第1透光性基板10の第1主面10A及び第2透光性基板20の第1主面20Aで反射しながら、第1側面20Cから遠ざかる方向に伝播する。第1透光性基板10の第1主面10A又は第2透光性基板20の第1主面20Aから空気層へ光源光Lが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Lが第1透光性基板10の第1主面10A又は第2透光性基板20の第1主面20Aへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Lが第1透光性基板10の第1主面10A又は第2透光性基板20の第1主面20Aで全反射する。
As shown in FIG. 5, the light source light L emitted from the
図5に示すように、第1透光性基板10及び第2透光性基板20の内部を伝播した光源光Lは、散乱状態となっている液晶がある画素Pixで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光68、68Aが第1透光性基板10の第1主面10A又は第2透光性基板20の第1主面20Aから外部に放射される。第1透光性基板10の第1主面10A又は第2透光性基板20の第1主面20Aから外部に放射された放射光68、68Aは、観察者に観察される。以下、図7から図9を用いて、散乱状態となっている高分子分散型液晶と、非散乱状態の高分子分散型液晶とについて説明する。
As shown in FIG. 5, the light source light L propagating inside the first light-transmitting
図7に示すように、第1透光性基板10には、第1配向膜55が設けられている。第2透光性基板20には、第2配向膜56が設けられている。第1配向膜55及び第2配向膜56は、例えば、垂直配向膜である。
As shown in FIG. 7, the first
高分子のモノマー中に液晶を分散させた溶液が第1透光性基板10と第2透光性基板20との間に封入されている。次に、モノマー及び液晶を第1配向膜55及び第2配向膜56によって配向させた状態で、紫外線又は熱によってモノマーを重合させ、バルク51を形成する。これにより、網目状に形成された高分子のネットワークの隙間に液晶が分散されたリバースモードの高分子分散型の液晶を有する液晶層50が形成される。
A solution in which liquid crystal is dispersed in polymer monomer is sealed between the first
このように、液晶層50は、高分子によって形成されたバルク51と、バルク51内に分散された複数の微粒子52と、を有する。微粒子52は、液晶によって形成されている。バルク51及び微粒子52は、それぞれ光学異方性を有している。
Thus, the
微粒子52に含まれる液晶の配向は、画素電極16と共通電極22との間の電圧差によって制御される。共通電極22とした場合、画素電極16への印加電圧により、液晶の配向が変化する。液晶の配向が変化することにより、画素Pixを通過する光の散乱の度合いが変化する。
The orientation of the liquid crystal contained in the
例えば、図8に示すように、画素電極16と共通電極22との間に電圧が印加されていない状態では、バルク51の光軸Ax1と微粒子52の光軸Ax2の向きは互いに等しい。微粒子52の光軸Ax2は、液晶層50のPZ方向と平行である。バルク51の光軸Ax1は、電圧の有無にかかわらず、液晶層50のPZ方向と平行である。
For example, as shown in FIG. 8, when no voltage is applied between the
バルク51と微粒子52の常光屈折率は互いに等しい。画素電極16と共通電極22との間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてバルク51と微粒子52との間の屈折率差がゼロになる。液晶層50は、光源光Lを散乱しない非散乱状態となる。光源光Lは、第1透光性基板10の第1主面10A及び第2透光性基板20の第1主面20Aで反射しながら、発光部31から遠ざかる方向に伝播する。液晶層50が光源光Lを散乱しない非散乱状態であると、第1透光性基板10の第1主面10Aから第2透光性基板20の第1主面20A側の背景が視認され、第2透光性基板20の第1主面20Aから第1透光性基板10の第1主面10A側の背景が視認される。
The
図9に示すように、電圧が印加された画素電極16と共通電極22との間では、微粒子52の光軸Ax2は、画素電極16と共通電極22との間に発生する電界によって傾くことになる。バルク51の光軸Ax1は、電界によって変化しないため、バルク51の光軸Ax1と微粒子52の光軸Ax2の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極16がある画素Pixにおいて、光源光Lが散乱される。上述したように散乱された光源光Lの一部が第1透光性基板10の第1主面10A又は第2透光性基板20の第1主面20Aから外部に放射された光は、観察者に観察される。
As shown in FIG. 9, between the
電圧が印加されていない画素電極16がある画素Pixでは、第1透光性基板10の第1主面10Aから第2透光性基板20の第1主面20A側の背景が視認され、第2透光性基板20の第1主面20Aから第1透光性基板10の第1主面10A側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置1は、画像出力部91から入力信号VSが入力されると、画像が表示される画素Pixの画素電極16に電圧が印加され、入力信号VSに基づく画像が背景とともに視認される。
In the pixel Pix having the
電圧が印加された画素電極16がある画素Pixにおいて光源光Lが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置1は、放射光68又は放射光68Aと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示する。なお、表示パネル2への外光69の入射があると、外光69も印加電圧に応じて画素Pix内で散乱して、上述した放射光68として放射される。
The light source light L is scattered in the pixel Pix where the
図10は、画素を示す平面図である。図11は、図10のXV-XV’の断面図である。図1、図2及び図10に示すように、第1透光性基板10には、複数の信号線13と複数の走査線12とが平面視において格子状に設けられている。隣り合う走査線12と隣り合う信号線13とで囲まれる領域が、画素Pixである。画素Pixには、画素電極16とスイッチング素子Trとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Trは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Trは、走査線12と電気的に接続されているゲート電極12Gと平面視において重畳する半導体層15を有する。
FIG. 10 is a plan view showing pixels. 11 is a cross-sectional view taken along line XV-XV' of FIG. 10. FIG. As shown in FIGS. 1, 2, and 10, a plurality of
走査線12は、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線であり、信号線13は、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。
The scanning lines 12 are wirings of metals such as molybdenum (Mo) and aluminum (Al), laminates thereof, or alloys thereof, and the
半導体層15は、平面視において、ゲート電極12Gからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極12G側から半導体層15に向かう光源光Lが反射され、半導体層15に光リークが生じにくくなる。
The
図10に示すように、信号線13と電気的に接続するソース電極13Sは、平面視において、半導体層15の一端部と重畳している。
As shown in FIG. 10, the
図10に示すように、平面視において、半導体層15の中央部を挟んでソース電極13Sと隣り合う位置には、ドレイン電極14Dが設けられている。ドレイン電極14Dは、平面視において、半導体層15の他端部と重畳している。ソース電極13S及びドレイン電極14Dと重畳しない部分は、スイッチング素子Trのチャネルとして機能する。図11に示すように、ドレイン電極14Dと接続される導電性配線14は、スルーホールSHで画素電極16と電気的に接続されている。
As shown in FIG. 10, a
図11に示すように、第1透光性基板10は、例えばガラスで形成された第1基材11を有している。第1基材11は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第1基材11上には、絶縁層17がある。絶縁層17は、第1絶縁層17a、第2絶縁層17b及び第3絶縁層17cを有している。第1基材11上には、第1絶縁層17aが設けられ、第1絶縁層17a上に走査線12及びゲート電極12Gが設けられる。また、走査線12を覆って第2絶縁層17bが設けられている。第1絶縁層17a、第2絶縁層17bは、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁部材によって形成されている。
As shown in FIG. 11, the first
第2絶縁層17b上には、半導体層15が積層されている。半導体層15は、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。
A
第2絶縁層17b上には、半導体層15の一部を覆うソース電極13S及び信号線13と、半導体層15の一部を覆うドレイン電極14Dと、導電性配線14とが設けられている。ドレイン電極14Dは、信号線13と同じ材料で形成されている。半導体層15、信号線13及びドレイン電極14D上には、第3絶縁層17cが設けられている。第3絶縁層17cは、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁部材によって形成されている。
A
第3絶縁層17c上には、画素電極16が設けられている。画素電極16は、ITO(Indium Tin Oxide)などの透光性導電部材によって形成されている。画素電極16は、第3絶縁層17cに設けられたコンタクトホールを介して導電性配線14及びドレイン電極14Dと電気的に接続されている。画素電極16の上には、第1配向膜55が設けられている。
A
第2透光性基板20は、例えばガラスで形成された第2基材21を有している。第2基材21は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第2基材21には、共通電極22が設けられている。共通電極22は、ITOなどの透光性導電部材によって形成されている。共通電極22の表面には、第2配向膜56が設けられている。
The second
図12は、発光部からの入射光を説明する図である。発光部31からの光は、第2透光性基板20の第1側面20Cへ角度θ0で入射すると、第2透光性基板20の第1主面20Aへ角度i1で入射する。角度i1が臨界角よりも大きければ、第2透光性基板20の第1主面20Aにおいて角度i2で全反射された光源光Lが、第2透光性基板20内を伝播していくことになる。図12に示す発光部31と第1側面20C(光入射面)との間に、空間Gが設けられているので、角度i1が臨界角よりも小さくなる角度θNの光源光LNが第2透光性基板20の第1側面20Cへ導光されない。
FIG. 12 is a diagram for explaining incident light from the light emitting section. When the light from the
図11に示すように、多層膜7は、第2透光性基板20側から順に、反射層71と、光吸収層72とが積層されている。反射層71は、第2透光性基板20の第1主面20Aにある。このように、本実施形態の多層膜7は、走査線12、信号線13、スイッチング素子Trとは、異なる層に配置されている。
As shown in FIG. 11, the
図11に示す反射層71は、第2透光性基板20内を伝播して反射層71に到達する光を、第2透光性基板20内へ反射する。光吸収層72は、第2透光性基板20の外側から伝播して多層膜7に到達する光を吸収する。反射層71は、例えば、クロム又はクロム合金である。光吸収層72は、反射層71よりも黒く、例えば、酸化クロムである。
The
図10において、二点鎖線は、重畳する多層膜7の占める部分を示している。図10に示すように、本実施形態の多層膜7において、PX方向の幅7W1が、走査線12のPX方向の幅よりも広い。また、本実施形態の多層膜7において、PY方向の幅7W2が、信号線13のPY方向の幅よりも広い。また、本実施形態の多層膜7は、スイッチング素子Trが占める面積を覆う。以上により、また、本実施形態の多層膜7は、平面視で、走査線12、信号線13、スイッチング素子Trに重畳し、かつ走査線12、信号線13、スイッチング素子Trを覆う。
In FIG. 10 , the two-dot chain line indicates the portion occupied by the overlapping
図13は、比較例1の表示装置において、内部にある金属層に起因する内部散乱を模式的に説明するための説明図である。図14は、比較例2の表示装置において、内部にある金属層に起因する内部散乱を模式的に説明するための説明図である。図15は、本実施形態の表示装置において、内部にある金属層に起因する内部散乱を模式的に説明するための説明図である。図15は、図10のXV-XV’の位置における、第1透光性基板10及び第2透光性基板20の断面を模式的に説明する断面図でもある。
13A and 13B are explanatory diagrams for schematically explaining internal scattering caused by a metal layer inside the display device of Comparative Example 1. FIG. FIG. 14 is an explanatory diagram for schematically explaining internal scattering caused by an internal metal layer in the display device of Comparative Example 2. FIG. FIG. 15 is an explanatory diagram for schematically explaining internal scattering caused by a metal layer inside the display device of the present embodiment. 15 is also a cross-sectional view schematically explaining cross sections of the first
図13、図14及び図15において、以下、本実施形態の多層膜7の作用について、図13に示す比較例1及び図14に示す比較例2と対比しながら、説明する。なお、図13、図14及び図15において、内部にある金属層は、信号線13を用いて説明する。内部にある金属層は、走査線12、ソース電極13S、ドレイン電極14D又はゲート電極12Gであっても以下に示す作用は同様である。図13、図14及び図15において、光L1、L2、L3は、上述した光源光L及び表示パネル2への外光69の入射に基づいた光である。
13, 14 and 15, the action of the
図13に示す比較例の表示装置は、本実施形態の多層膜7を有していない。図13に示すように、上述した画素Pixの透光領域TAと、信号線13などの上述した金属層がある配線領域PAとがある。図13に示すように、上述した光源光L(図12参照)のうち、光L1が配線領域PAの信号線13に到達すると、信号線13は、金属光沢を有しているので、散乱光SLを生じる。散乱光SLの一部は、第2透光性基板20と空気層との界面において入射角が臨界角よりも小さな角度となって、漏れ光LLが第1主面20Aから外部に放射される。
The display device of the comparative example shown in FIG. 13 does not have the
漏れ光LLを抑制するため、図14に示す比較例2の表示装置は、信号線13と平面視で重畳する位置であって、第2基材21の液晶層50側に、光を遮蔽する遮蔽層79を備える。図14に示すように、上述した光源光L(図12参照)のうち、光L1が配線領域PAの信号線13に到達すると、信号線13は、金属光沢を有しているので、散乱光SLを生じる。ここで、遮蔽層79は、第2透光性基板20と空気層との界面において入射角が臨界角よりも小さな角度となる散乱光SLを抑制する。しかしながら、遮蔽層79は、第1透光性基板10及び第2透光性基板20の内部を伝播した光源光L(図12参照)のうち、光L3をも遮蔽してしまう。このため、非散乱状態の透光領域TAに隣接する配線領域PAにおいて導光する光が減少してしまう可能性がある。その結果、第1透光性基板10及び第2透光性基板20の内部を伝播する光の光量が全体的に減少してしまう可能性がある。第1透光性基板10及び第2透光性基板20の内部を伝播する光の光量を補うため、サイド光源装置3の出力を上げてもよいが、表示装置の消費電力が上がってしまう。
In order to suppress the leakage light LL, the display device of Comparative Example 2 shown in FIG. A
これに対して、図15に示す本実施形態の多層膜7は、散乱光SLを第2透光性基板20の内部へ反射することができる。また、多層膜7は、光L3も反射層71で反射できるので、第1透光性基板10及び第2透光性基板20の内部を伝播する光の光量の減少を抑制することができる。その結果、本実施形態の表示装置は、消費電力を低くすることができる。
In contrast, the
また、多層膜7が反射層71を有していても、第2透光性基板20の外側から伝播して多層膜7に到達する外光69は、光吸収層72に吸収される。このため、外光69が多層膜7で反射する反射光が抑制される。
Even if the
図16Aから図16Eは、本実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。 16A to 16E are explanatory diagrams for explaining the manufacturing method of the display device according to this embodiment.
<封着工程>
図16Aに示すように、まず、第1透光性基板10と、第2透光性基板20と、が貼り合わされる。
<Sealing process>
As shown in FIG. 16A, first, the first
<多層膜の成膜工程>
次に、封着された第1透光性基板10及び第2透光性基板20に対して、一面にまず、クロムの単層をスパッタリングにより成膜する。次に、図16Bに示すように、成膜されたクロム単層の表面に酸化クロムをスパッタリングにより成膜し、多層膜7を成膜する。
<Multilayer film deposition process>
Next, a single layer of chromium is formed by sputtering on one surface of the sealed first
成膜された酸化クロムは、黒色のため、上述した光吸収層72になる。上述した工程によれば、金属光沢を有するクロムが第2透光性基板20側に残る。金属光沢を有するクロムが反射層71になる。
Since the deposited chromium oxide is black, it becomes the light absorbing
本実施形態において、反射層71は、純クロムであるが、クロムを含んでいればよく、クロム合金であってもよい。
In the present embodiment, the
<リソグラフィー工程>
次に、多層膜7の上に、レジストを塗布し、塗布したレジストにパターン露光を行う。パターン露光したレジストを現像することで、図16Cに示すように、パターンが付与されたレジスト層99が多層膜7の上に残る。
<Lithography process>
Next, a resist is applied onto the
<エッチング工程>
次に、図16Dに示すように、レジスト層99が付着していない部分の多層膜7がエッチングされる。
<Etching process>
Next, as shown in FIG. 16D, portions of the
<レジスト除去工程>
次に、図16Eに示すように、エッチング後のレジスト層99が除去される。その後、適宜適切な大きさに切断されるダイシング工程があってもよい。
<Resist removal step>
Next, as shown in FIG. 16E, the resist
第2透光性基板20に、多層膜7が形成されている例を説明したが、第2透光性基板20の代わりに第1透光性基板10の主面10Aに、多層膜7が形成されていても同様である。
Although the example in which the
以上説明したように、本実施形態の表示装置1は、第1透光性基板10と、第1透光性基板10と対向して配置される第2透光性基板20と、第1透光性基板10と第2透光性基板20との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層50と、多層膜7とを含む。多層膜7は、第1透光性基板10及び第2透光性基板20のうち少なくとも1つの外側表面にある。そして、多層膜7は、第1透光性基板10又は第2透光性基板20からの光を反射し、第1透光性基板10又は第2透光性基板20の外側からの光を吸収する。
As described above, the
第1透光性基板10及び第2透光性基板20の内部には、信号線13、走査線12、スイッチング素子Trなどの金属層による散乱光SLが生じる。散乱光SLは、上述した外光69の影響でも生じる。本実施形態の表示装置1は、散乱光SLが生じても多層膜7で反射され、散乱光SLが第1透光性基板10及び第2透光性基板20の外へ漏れにくい。散乱光SLが第1透光性基板10及び第2透光性基板20の外へ漏れると、透過率の低下が生じ、表示装置1が白く見えることができる。これに対し、本実施形態の表示装置1は、非表示状態において、透過率の低下を抑制できるので、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景をより視認できる。
Inside the first light-transmitting
散乱光SLは、光源光Lでも生じる。表示状態において、信号線13、走査線12、スイッチング素子Trなどの金属層で、散乱光SLが生じても多層膜7で反射され、散乱光SLが第1透光性基板10及び第2透光性基板20の外へ漏れにくい。その結果、本実施形態の表示装置1は、表示状態において、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景をより視認できるので、この背景とともに表示画像を観察者が視認できる。
Scattered light SL also occurs in light source light L. FIG. In the display state, even if scattered light SL is generated by metal layers such as the signal lines 13, the
本実施形態において、多層膜7は、第2透光性基板20の第1主面20Aにある例を説明したが、第2透光性基板20の第1主面20Aにはなく、第1透光性基板10の第1主面10Aにあっても、同様の作用効果を奏する。
In the present embodiment, an example in which the
(変形例1)
図17は、本実施形態の変形例1に係る表示装置の断面の一例を示す断面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Modification 1)
FIG. 17 is a cross-sectional view showing an example of the cross section of the display device according to
図17に示すように、第2透光性基板20の第1主面20A及び多層膜7は、透光性を有する保護層79で覆われている。保護層79には、例えば、アクリルを主剤とした有機膜や酸化シリコン膜、窒化シリコン膜などの無機膜が用いられる。保護層79は、多層膜7の損傷を抑制することができる。
As shown in FIG. 17, the first
(変形例2)
図18は、本実施形態の変形例2に係る表示装置の断面の一例を示す断面図である。上述した本実施形態及び変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Modification 2)
FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of a cross section of a display device according to
図18に示すように、本実施形態の変形例2に係る表示装置1は、第1透光性基板10の外側表面に多層膜7を備えている。図18に示すように、多層膜7は、第1透光性基板10側から順に、反射層71と、光吸収層72とが積層されている。反射層71は、第1透光性基板10の第1主面10Aにある。第1透光性基板10内を伝播して多層膜7に到達する光は、多層膜7において第1透光性基板10内へ反射され、第1透光性基板10の外側から伝播して多層膜7に到達する外光は、多層膜7に吸収される。本実施形態において、多層膜7は、複数の走査線12及び複数の信号線13(図1参照)に平面視で重畳する位置に配置されている。このため、多層膜7は、平面視で格子状である。
As shown in FIG. 18 , the
図19Aから図19Eは、本実施形態の変形例2に係る表示装置の製造方法を説明するための説明図である。本実施形態の変形例2に係る表示装置の製造方法においても、上述した封着工程、多層膜の成膜工程、リソグラフィー工程、エッチング工程及びレジスト除去工程を順に処理し、図19Eの表示装置を得る。
19A to 19E are explanatory diagrams for explaining the manufacturing method of the display device according to
<保護層の成膜工程>
次に、第2透光性基板20の第1主面20A及び多層膜7の上に、保護層98を成膜する。なお、この状態で、製造を終了すると、上述した本実施形態の変形例1に係る表示装置1ができる。本実施形態の変形例2においては、保護層98がレジストである。保護層98は、以降の工程により、多層膜7が損傷することを抑制する。
<Process of forming protective layer>
Next, a
<多層膜の成膜工程>
次に、第1透光性基板10に対して、クロムの単層をスパッタリングにより成膜する。次に、図19Bに示すように、成膜されたクロム単層の表面に酸化クロムをスパッタリングにより成膜し、多層膜7を成膜する。
<Multilayer film deposition process>
Next, a single layer of chromium is deposited on the first
成膜された酸化クロムは、黒色のため、上述した光吸収層72になる。上述した工程によれば、金属光沢を有するクロムが第1透光性基板10側に残る。金属光沢を有するクロムが反射層71になる。
Since the deposited chromium oxide is black, it becomes the light absorbing
<リソグラフィー工程>
次に、多層膜7の上に、レジストを塗布し、塗布したレジストにパターン露光を行う。パターン露光したレジストを現像することで、図19Cに示すように、パターンが付与されたレジスト層99が多層膜7の上に残る。
<Lithography process>
Next, a resist is applied onto the
<エッチング工程>
次に、図19Dに示すように、レジスト層99が付着していない部分の多層膜7がエッチングされる。
<Etching process>
Next, as shown in FIG. 19D, portions of the
<レジスト除去工程>
次に、図19Eに示すように、エッチング後のレジスト層99及び保護層98が除去される。その後、適宜適切な大きさに切断されるダイシング工程があってもよい。
<Resist removal step>
Next, as shown in FIG. 19E, the resist
本実施形態の変形例1のように、第1透光性基板10の第1主面10A、第2透光性基板20の第1主面20A及び多層膜7は、透光性を有する保護層で覆われるようにしてもよい。
As in Modified Example 1 of the present embodiment, the first
(変形例3)
図20は、本実施形態の変形例3に係る表示装置の平面を示す平面図である。上述した本実施形態及び変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Modification 3)
FIG. 20 is a plan view showing a plane of a display device according to
本実施形態の変形例3において、多層膜7は、格子状ではなく、線状である。図20に示す領域P1と領域P2とは、発光部31からの距離が異なるため、面内の光量が異なる。発光部31は、PY方向に発光する。多層膜7は、発光部31が発光するPY方向に対し交差する方向に延びる。これにより、多層膜7、第1透光性基板10の第1主面10A及び第2透光性基板20の第1主面20Aで反射しながら、光源光が伝播するので、領域P1と領域P2との面内の光量差が小さくなる。
In Modified Example 3 of the present embodiment, the
(変形例4)
図21は、本実施形態の変形例4に係る多層膜を説明するための断面図である。上述した本実施形態及び変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Modification 4)
FIG. 21 is a cross-sectional view for explaining a multilayer film according to
本実施形態の変形例4において、多層膜7は、第2透光性基板20側から順に、反射層71と、光吸収層72とが積層されている。反射層71の縁部71eは、光吸収層72に覆われている。本実施形態の変形例4において、反射層71を成膜した後、別の材料で反射層71の縁部71eを覆うように、光吸収層72を成膜する。
In Modified Example 4 of the present embodiment, the
この構造により、反射層71の縁部71eにおいて、外光が反射されにくくなる。その結果、観察者は、多層膜7が視認しにくくなり、多層膜7が不可視化される。
This structure makes it difficult for external light to be reflected at the
反射層71は、クロムよりも光の反射率の高いアルミニウム又はアルミニウム合金である。反射層71は、銀又は銀合金であってもよい。光吸収層72は、反射層71よりも光を吸収する樹脂又は酸化クロムである。光吸収層72は、酸化チタンであってもよい。
The
(変形例5)
図22は、本実施形態の変形例5に係る表示装置の平面を示す平面図である。図23は、図22のXXIII-XXIII’の断面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図22のV-V’の断面は、図5に示す本実施形態の表示装置と同じであるので、重複する説明は省略する。
(Modification 5)
FIG. 22 is a plan view showing a plane of a display device according to
図22及び図23に示すように、第2透光性基板20の第4側面20Fに対向するように、発光部31が設けられている。図23に示すように、発光部31は、第2透光性基板20の第4側面20Fへ光源光Lを照射する。発光部31と対向する第2透光性基板20の第4側面20Fは、光入射面となる。発光部31と光入射面との間には、空間Gが設けられている。空間Gは、空気層となっている。
As shown in FIGS. 22 and 23, the
図23に示すように、発光部31から照射された光源光Lは、第1透光性基板10の第1主面10A及び第2透光性基板20の第1主面20Aで反射しながら、第4側面20Fから遠ざかる方向に伝播する。
As shown in FIG. 23, the light source light L emitted from the
本実施形態の変形例5に係る表示装置1は、第1透光性基板10と、第2透光性基板20と、液晶層50と、発光部31と、を含む。2つの発光部31は、第2透光性基板20の第1側面20C及び第4側面20Fに対向してそれぞれ配置されている。2つの発光部31から出射されて表示パネル2内で伝播する面内の光の光量が増える。そして、表示パネル2内で伝播する面内の光の均一性も向上する。図6に示す領域P1と領域P2とは、発光部31からの距離が異なるため、面内の光量が異なる。これに対して、本実施形態の変形例5に係る表示装置1においては、交差する2方向から光が伝播するので、面内の光量差が小さくなる。
A
(変形例6)
図24は、本実施形態の変形例6に係る表示装置の平面を示す平面図である。図25は、図24のXXV-XXV’の断面図である。図26は、図24のXXVI-XXVI’の断面図である。上述した本実施形態及び変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Modification 6)
FIG. 24 is a plan view showing a plane of a display device according to Modification 6 of the present embodiment. 25 is a cross-sectional view taken along line XXV-XXV' of FIG. 24. FIG. 26 is a cross-sectional view taken along line XXVI-XXVI' of FIG. 24. FIG. The same reference numerals are assigned to the same components as those described in the above-described embodiment and modification, and overlapping descriptions are omitted.
図24及び図25に示すように、第2透光性基板20の第2側面20Dに対向するように、発光部31が設けられている。図25に示すように、発光部31は、第2透光性基板20の第2側面20Dへ光源光Lを照射する。発光部31と対向する第2透光性基板20の第2側面20Dは、光入射面となる。発光部31と光入射面との間には、空間Gが設けられている。空間Gは、空気層となっている。
As shown in FIGS. 24 and 25, the
図25に示すように、発光部31から照射された光源光Lは、第1透光性基板10の第1主面10A及び第2透光性基板20の第1主面20Aで反射しながら、第2側面20Dから遠ざかる方向に伝播する。
As shown in FIG. 25, the light source light L emitted from the
図24及び図26に示すように、第2透光性基板20の第3側面20Eに対向するように、発光部31が設けられている。図26に示すように、発光部31は、第2透光性基板20の第3側面20Eへ光源光Lを照射する。発光部31と対向する第2透光性基板20の第3側面20Eは、光入射面となる。発光部31と光入射面との間には、空間Gが設けられている。空間Gは、空気層となっている。
As shown in FIGS. 24 and 26, the
図26に示すように、発光部31から照射された光源光Lは、第1透光性基板10の第1主面10A及び第2透光性基板20の第1主面20Aで反射しながら、第3側面20Eから遠ざかる方向に伝播する。
As shown in FIG. 26, the light source light L emitted from the
本実施形態の変形例6に係る表示装置1は、第1透光性基板10と、第2透光性基板20と、液晶層50と、発光部31と、を含む。2つの発光部31は、第2透光性基板20の第2側面20D及び第3側面20Eに対向してそれぞれ配置されている。2つの発光部31から出射されて表示パネル2内で伝播する面内の光の光量が増える。そして、表示パネル2内で伝播する面内の光の均一性も向上する。図6に示す領域P1と領域P2とは、発光部31からの距離が異なるため、面内の光量が異なる。これに対して、本実施形態の変形例6に係る表示装置1においては、交差する2方向から光が伝播するので、面内の光量差が小さくなる。
A
また、本実施形態の変形例6に係る表示装置1は、本実施形態と同様に、バックライト装置又は反射板が第1透光性基板10の第1主面10A又は第2透光性基板20の第1主面20A側にない。このため、第1透光性基板10の第1主面10Aから第2透光性基板20の第1主面20A側の背景が視認され、又は第2透光性基板20の第1主面20Aから第1透光性基板10の第1主面10A側の背景が視認される。
Further, in the
以上、実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。上述した発明を基にして当業者が適宜設計変更して実施しうる全ての発明も、本開示の要旨を包含する限り、本開示の技術的範囲に属する。 Although the embodiments have been described above, the present disclosure is not limited to such embodiments. The content disclosed in the embodiment is merely an example, and various modifications are possible without departing from the gist of the present disclosure. Appropriate changes that do not deviate from the spirit of the present disclosure also naturally belong to the technical scope of the present disclosure. All inventions that a person skilled in the art can carry out by appropriately designing and modifying the invention described above also belong to the technical scope of the present disclosure as long as they include the gist of the present disclosure.
例えば、表示パネル2は、スイッチング素子を有しないパッシブマトリクス型パネルであってもよい。パッシブマトリクスパネル型パネルには、平面視でPX方向に延在する第1電極及びPY方向に延在する第2電極及び第1電極又は第2電極に電気的に接続された配線を有する。第1電極、第2電極及び配線は、例えばITOなどで形成される。例えば、上述した第1電極を有した第1透光性基板10と、第2電極を有した第2透光性基板20とが液晶層50を挟んで、互いに対向されるように配置される。
For example, the
また、第1配向膜55及び第2配向膜56が垂直配向膜である例について述べたが、第1配向膜55及び第2配向膜56はそれぞれ水平配向膜であってもよい。第1配向膜55及び第2配向膜56は、モノマーを高分子化する際に、モノマーを所定の方向に配向させる機能を有していればよい。これにより、モノマーは、所定の方向に配向した状態で高分子化したポリマーとなる。第1配向膜55及び第2配向膜56が水平配向膜の場合は、画素電極16と共通電極22との間に電圧が印加されていない状態で、バルク51の光軸Ax1と微粒子52の光軸Ax2の向きは互いに等しく、PZ方向と直交する方向となる。当該PX方向と垂直な方向とは、平面視で第1透光性基板10の辺に沿ったPX方向又はPY方向に該当する。
Also, although the
1 表示装置
2 表示パネル
3 サイド光源装置
4 駆動回路
7 多層膜
9 上位制御部
10A 第1主面
10B 第2主面
10C 第1側面
10D 第2側面
10E 第3側面
10F 第4側面
10 第1透光性基板
12 走査線
12G ゲート電極
13S ソース電極
13 信号線
14D ドレイン電極
14 導電性配線
15 半導体層
16 画素電極
19 封止部
20 第2透光性基板
20A 第1主面
20B 第2主面
20C 第1側面
20D 第2側面
20E 第3側面
20F 第4側面
22 共通電極
31 発光部
32 光源制御部
33 光源基板
34R 発光体
34G 発光体
34B 発光体
41 解析部
42 画素制御部
43 ゲート駆動部
44 ソース駆動部
45 共通電位駆動部
50 液晶層
51 バルク
52 微粒子
55 第1配向膜
56 第2配向膜
71 反射層
72 光吸収層
91 画像出力部
92 フレキシブル基板
93 外光設定部
1
Claims (9)
前記第1透光性基板と対向して配置され、第1主面及び前記第1主面と平行な平面である第2主面を備える第2透光性基板と、
前記第1透光性基板と前記第2透光性基板との間に高分子分散型液晶を有する液晶層と、
前記第1透光性基板及び前記第2透光性基板のうち少なくとも1つの外側表面に、前記第1透光性基板又は前記第2透光性基板からの光を反射し、前記第1透光性基板又は前記第2透光性基板の外側からの光を吸収する多層膜と、を含み、
前記高分子分散型液晶が非散乱状態である場合、前記第1透光性基板の第1主面から前記第2透光性基板の第1主面側の背景が視認され、又は前記第2透光性基板の第1主面から前記第1透光性基板の第1主面側の背景が視認される、表示装置。 a first translucent substrate comprising a first principal surface and a second principal surface which is a plane parallel to the first principal surface ;
a second translucent substrate arranged to face the first translucent substrate and comprising a first main surface and a second main surface which is a plane parallel to the first main surface ;
a liquid crystal layer having a polymer-dispersed liquid crystal between the first translucent substrate and the second translucent substrate;
The outer surface of at least one of the first light-transmitting substrate and the second light-transmitting substrate reflects the light from the first light-transmitting substrate or the second light-transmitting substrate, a multilayer film that absorbs light from the outside of the optical substrate or the second translucent substrate ,
When the polymer-dispersed liquid crystal is in a non-scattering state, the background on the side of the first main surface of the second translucent substrate can be visually recognized from the first main surface of the first translucent substrate, or the second A display device , wherein the background on the side of the first main surface of the first light-transmitting substrate is visible from the first main surface of the light-transmitting substrate .
前記多層膜は、平面視で、前記信号線、前記走査線又はスイッチング素子のいずれかに重畳している、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の表示装置。 The first translucent substrate includes a plurality of signal lines, a plurality of scanning lines that intersect the signal lines in plan view, and a switching element at the intersecting portion where the signal lines and the scanning lines intersect. and
8. The display device according to any one of claims 1 to 7 , wherein the multilayer film overlaps any one of the signal lines, the scanning lines, and the switching elements in plan view.
前記多層膜は、平面視で前記信号線及び前記走査線に重畳し、格子状である請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の表示装置。 The first translucent substrate has a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines that three-dimensionally intersect with the signal lines in a plan view,
8. The display device according to any one of claims 1 to 7 , wherein the multilayer film overlaps the signal lines and the scanning lines in plan view, and has a lattice shape.
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