JP7481885B2 - Display device - Google Patents

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Description

本開示は、表示装置に関する。 This disclosure relates to a display device.

特許文献1には、第1透光性基板と、第1透光性基板と対向して配置される第2透光性基板と、第1透光性基板と第2透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、第1透光性基板及び第2透光性基板の少なくとも1つの側面に対向して配置される少なくとも1つの発光部とを備える表示装置が記載されている。 Patent document 1 describes a display device that includes a first light-transmitting substrate, a second light-transmitting substrate arranged opposite the first light-transmitting substrate, a liquid crystal layer having a polymer-dispersed liquid crystal sealed between the first light-transmitting substrate and the second light-transmitting substrate, and at least one light-emitting unit arranged opposite at least one side surface of the first light-transmitting substrate and the second light-transmitting substrate.

特開2018-021974号公報JP 2018-021974 A

特許文献1に記載されている表示装置では、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認可能である。表示領域の外側の周辺領域が光を透過しないと、背景が見えなくなり、違和感を与える可能性があるため、表示領域の外側の周辺領域も表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認できるようにすることが望ましい。 In the display device described in Patent Document 1, the background on the opposite side of the display panel can be seen from one side of the display panel. If the peripheral area outside the display area does not transmit light, the background will not be visible, which may cause an uncomfortable feeling. Therefore, it is desirable to make the background on the opposite side of the display panel visible from one side of the display panel in the peripheral area outside the display area as well.

本発明の目的は、表示領域の外側の周辺領域において、背景を視認したときの違和感を低減する表示装置を提供することにある。 The object of the present invention is to provide a display device that reduces the sense of incongruity felt when viewing the background in the peripheral area outside the display area.

一態様に係る表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、前記アレイ基板は、表示領域において、第1方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第2方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、を有し、前記表示領域の外側の第1周辺領域には、一定の電位が供給される複数の第1配線を有し、前記表示領域に対して、前記第1周辺領域とは反対側にある第2周辺領域には、前記走査線と接続される複数の第2配線を有し、前記複数の第1配線が前記第1周辺領域で占める形状は、前記複数の第2配線が前記第2周辺領域で占める形状の鏡像反転された形状であり、前記複数の第1配線は、前記複数の走査線とは接続されていない。 A display device according to one embodiment includes an array substrate, an opposing substrate, a liquid crystal layer between the array substrate and the opposing substrate, and a light source arranged so that light enters a side surface of the array substrate or a side surface of the opposing substrate. The array substrate has a plurality of signal lines spaced apart in a first direction and a plurality of scanning lines spaced apart in a second direction in a display region. A first peripheral region outside the display region has a plurality of first wirings to which a constant potential is supplied, and a second peripheral region on the opposite side of the display region to the first peripheral region has a plurality of second wirings connected to the scanning lines. The shape of the first wirings in the first peripheral region is a mirror image of the shape of the second wirings in the second peripheral region, and the first wirings are not connected to the scanning lines.

他の態様に係る表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、前記アレイ基板は、表示領域において、第1方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第2方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、を有し、前記表示領域の外側の周辺領域には、網目状の金属層があり、前記光源に最も近い第1側面から、前記第1側面の対向面へ向かう入射方向と、前記金属層の網目を構成する第1辺とが非直交であり、前記入射方向と、前記網目を構成し、前記第1辺と異なる方向に延びる第2辺とが非直交である。 A display device according to another aspect includes an array substrate, an opposing substrate, a liquid crystal layer between the array substrate and the opposing substrate, and a light source arranged so that light enters a side of the array substrate or a side of the opposing substrate, wherein the array substrate has a plurality of signal lines spaced apart in a first direction and a plurality of scanning lines spaced apart in a second direction in a display region, and a mesh-like metal layer is provided in a peripheral region outside the display region, and an incident direction from a first side closest to the light source to the opposing surface of the first side is non-orthogonal to a first side that constitutes the mesh of the metal layer, and the incident direction is non-orthogonal to a second side that constitutes the mesh and extends in a direction different from the first side.

図1は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view illustrating an example of a display device according to the present embodiment. 図2は、実施形態1の表示装置を表すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing the display device of the first embodiment. 図3は、実施形態1のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。FIG. 3 is a timing chart for explaining the timing at which the light source emits light in the field sequential method of the first embodiment. 図4は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing the relationship between the voltage applied to the pixel electrode and the scattering state of the pixel. 図5は、図1の表示装置の断面の一例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of a cross section of the display device of FIG. 図6は、図1の表示装置の平面を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing the display device of FIG. 図7は、図5の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of the liquid crystal layer portion of FIG. 図8は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the non-scattering state in the liquid crystal layer. 図9は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the scattering state in the liquid crystal layer. 図10は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing scanning lines, signal lines, and switching elements in a pixel. 図11は、画素において、保持容量層を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a storage capacitor layer in a pixel. 図12は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing the auxiliary metal layer and the opening region in a pixel. 図13は、画素において、画素電極を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a pixel electrode in a pixel. 図14は、画素において、遮光層を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing a light-shielding layer in a pixel. 図15は、図14のXV-XV’の断面図である。FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV' of FIG. 図16は、図14のXVI-XVI’の断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI-XVI' of FIG. 図17は、図14のXVII-XVII’の断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII' of FIG. 図18は、一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認する視認者と、背景の関係を説明する説明図である。FIG. 18 is an explanatory diagram illustrating the relationship between a viewer viewing the background on the other surface side from one surface and the background. 図19は、背景に周辺領域を重ね合わせた一例を説明する説明図である。FIG. 19 is an explanatory diagram illustrating an example in which a peripheral region is superimposed on a background. 図20は、実施形態1の周辺領域を説明するための平面図である。FIG. 20 is a plan view for explaining the peripheral region of the first embodiment. 図21は、図20のXXI-XXI’の断面を模式的に示す平面図である。FIG. 21 is a plan view showing a schematic cross section taken along line XXI-XXI' in FIG. 20. 図22は、実施形態2の周辺領域を説明するための平面図である。FIG. 22 is a plan view for explaining the peripheral region of the second embodiment. 図23は、実施形態2の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。FIG. 23 is an enlarged plan view illustrating a first portion of the peripheral region of the second embodiment. 図24は、実施形態2の周辺領域の第2部分を拡大して説明する平面図である。FIG. 24 is an enlarged plan view illustrating a second portion of the peripheral region of the second embodiment. 図25は、図23のXXV-XXV’の断面を模式的に示す平面図である。FIG. 25 is a plan view diagrammatically showing the cross section XXV-XXV' of FIG. 23. 図26は、実施形態2の変形例1の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。FIG. 26 is an enlarged plan view illustrating a first portion of the peripheral region of the first modification of the second embodiment. 図27は、実施形態2の変形例2の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。FIG. 27 is an enlarged plan view illustrating a first portion of the peripheral region of the second modification of the second embodiment. 図28は、実施形態2の変形例3の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。FIG. 28 is an enlarged plan view illustrating a first portion of the peripheral region of the third modification of the second embodiment. 図29は、実施形態2の変形例3の周辺領域の第2部分を拡大して説明する平面図である。FIG. 29 is an enlarged plan view illustrating a second portion of the peripheral region of the third modification of the second embodiment. 図30は、実施形態2の変形例4の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。FIG. 30 is an enlarged plan view illustrating a first portion of the peripheral region of the fourth modification of the second embodiment. 図31は、実施形態2の変形例4の周辺領域の第2部分を拡大して説明する平面図である。FIG. 31 is an enlarged plan view illustrating a second portion of the peripheral region of the fourth modification of the second embodiment.

本開示を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 The form (embodiment) for carrying out the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The present disclosure is not limited to the contents described in the following embodiment. The components described below include those that a person skilled in the art can easily imagine and those that are substantially the same. Furthermore, the components described below can be appropriately combined. Note that the disclosure is merely an example, and those that a person skilled in the art can easily imagine appropriate modifications while maintaining the gist of the disclosure are naturally included in the scope of the present disclosure. In addition, in order to make the explanation clearer, the drawings may show the width, thickness, shape, etc. of each part in a schematic manner compared to the actual embodiment, but they are merely an example and do not limit the interpretation of the present disclosure. In addition, in this specification and each figure, elements similar to those described above with respect to the previous figures may be given the same reference numerals, and detailed explanations may be omitted as appropriate.

(実施形態1)
図1は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図2は、図1の表示装置を表すブロック図である。図3は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。
(Embodiment 1)
Fig. 1 is a perspective view showing an example of a display device according to the present embodiment. Fig. 2 is a block diagram showing the display device of Fig. 1. Fig. 3 is a timing chart explaining the timing at which a light source emits light in a field sequential method.

図1に示すように、表示装置1は、表示パネル2と、光源3と、駆動回路4とを有する。ここで、表示パネル2の平面の一方向がPX方向とされ、PX方向と直交する方向が第2方向PYとされ、PX-PY平面に直交する方向が第3方向PZとされている。 As shown in FIG. 1, the display device 1 has a display panel 2, a light source 3, and a drive circuit 4. Here, one direction in the plane of the display panel 2 is the PX direction, a direction perpendicular to the PX direction is the second direction PY, and a direction perpendicular to the PX-PY plane is the third direction PZ.

表示パネル2は、アレイ基板10と、対向基板20と、液晶層50(図5参照)とを備えている。対向基板20は、アレイ基板10の表面に垂直な方向(図1に示すPZ方向)に対向する。液晶層50(図5参照)は、アレイ基板10と、対向基板20と、封止部18とで、後述する高分子分散型液晶LCが封止されている。 The display panel 2 includes an array substrate 10, a counter substrate 20, and a liquid crystal layer 50 (see FIG. 5). The counter substrate 20 faces the surface of the array substrate 10 in a direction perpendicular to the surface (the PZ direction shown in FIG. 1). The liquid crystal layer 50 (see FIG. 5) is sealed with a polymer-dispersed liquid crystal LC (described later) by the array substrate 10, the counter substrate 20, and a sealing portion 18.

図1に示すように、表示パネル2において、画像を表示可能な表示領域AAと、表示領域AAの外側の周辺領域FRと、がある。表示領域AAには、複数の画素Pixがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるm個の画素Pixを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるn個の画素Pixを有する画素列をいう。そして、mとnとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線GLが行毎に配線され、複数の信号線SLが列毎に配線されている。 As shown in FIG. 1, the display panel 2 has a display area AA capable of displaying an image, and a peripheral area FR outside the display area AA. In the display area AA, a plurality of pixels Pix are arranged in a matrix. In this disclosure, a row refers to a pixel row having m pixels Pix arranged in one direction. Also, a column refers to a pixel column having n pixels Pix arranged in a direction perpendicular to the direction in which the rows are arranged. The values of m and n are determined according to the display resolution in the vertical direction and the display resolution in the horizontal direction. Also, a plurality of scanning lines GL are wired for each row, and a plurality of signal lines SL are wired for each column.

光源3は、複数の発光部31を備えている。図2に示すように、光源制御部32は、駆動回路4に含まれる。なお、光源制御部32は、駆動回路4の回路とは別の回路にしてもよい。発光部31と、光源制御部32とは、アレイ基板10内の配線で電気的に接続されている。 The light source 3 includes a plurality of light-emitting units 31. As shown in FIG. 2, the light source control unit 32 is included in the drive circuit 4. The light source control unit 32 may be a separate circuit from the drive circuit 4. The light-emitting units 31 and the light source control unit 32 are electrically connected by wiring within the array substrate 10.

図1に示すように、駆動回路4は、アレイ基板10の表面に固定されている。図2に示すように、駆動回路4は、信号処理回路41、画素制御回路42、ゲート駆動回路43、ソース駆動回路44及び共通電位駆動回路45を備えている。アレイ基板10は、対向基板20よりもPX-PY平面の面積が大きく、対向基板20から露出したアレイ基板10の張り出し部分に、駆動回路4が設けられる。 As shown in FIG. 1, the drive circuit 4 is fixed to the surface of the array substrate 10. As shown in FIG. 2, the drive circuit 4 includes a signal processing circuit 41, a pixel control circuit 42, a gate drive circuit 43, a source drive circuit 44, and a common potential drive circuit 45. The array substrate 10 has a larger area in the PX-PY plane than the counter substrate 20, and the drive circuit 4 is provided on the protruding portion of the array substrate 10 exposed from the counter substrate 20.

信号処理回路41には、外部の上位制御部9の画像出力部91から、フレキシブル基板92を介して、入力信号(RGB信号など)VSが入力される。 The signal processing circuit 41 receives an input signal (such as an RGB signal) VS from the image output unit 91 of the external higher-level control unit 9 via a flexible substrate 92.

信号処理回路41は、入力信号解析部411と、記憶部412と、信号調整部413とを備える。入力信号解析部411は、外部から入力された第1入力信号VSに基づいて第2入力信号VCSを生成する。 The signal processing circuit 41 includes an input signal analysis unit 411, a storage unit 412, and a signal adjustment unit 413. The input signal analysis unit 411 generates a second input signal VCS based on a first input signal VS input from the outside.

第2入力信号VCSは、第1入力信号VSに基づいて、表示パネル2の各画素Pixにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第2入力信号VCSは、各画素Pixの階調値に関する階調情報を含む信号である。 The second input signal VCS is a signal that determines what gradation value is to be given to each pixel Pix of the display panel 2 based on the first input signal VS. In other words, the second input signal VCS is a signal that includes gradation information regarding the gradation value of each pixel Pix.

信号調整部413は、第2入力信号VCSから第3入力信号VCSAを生成する。信号調整部413は、第3入力信号VCSAを画素制御回路42へ送出し、光源制御信号LCSAを光源制御部32へ送出する。光源制御信号LCSAは、例えば、画素Pixへの入力階調値に応じて設定される発光部31の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、発光部31の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、発光部31の光量は大きく設定される。 The signal adjustment unit 413 generates a third input signal VCSA from the second input signal VCS. The signal adjustment unit 413 sends the third input signal VCSA to the pixel control circuit 42, and sends a light source control signal LCSA to the light source control unit 32. The light source control signal LCSA is, for example, a signal including information on the amount of light of the light-emitting unit 31 that is set according to the input gradation value to the pixel Pix. For example, when a dark image is displayed, the amount of light of the light-emitting unit 31 is set to be small. When a bright image is displayed, the amount of light of the light-emitting unit 31 is set to be large.

そして、画素制御回路42は、第3入力信号VCSAに基づいて水平駆動信号HDSと垂直駆動信号VDSとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号HDSと垂直駆動信号VDSとが発光部31が発光可能な色毎に生成される。 Then, the pixel control circuit 42 generates a horizontal drive signal HDS and a vertical drive signal VDS based on the third input signal VCSA. In this embodiment, since the field sequential method is used, the horizontal drive signal HDS and the vertical drive signal VDS are generated for each color that the light emitting unit 31 can emit.

ゲート駆動回路43は水平駆動信号HDSに基づいて1垂直走査期間内に表示パネル2の走査線GLを順次選択する。走査線GLの選択の順番は任意である。ゲート駆動回路43と、走査線GLとは、表示領域AAの外側の周辺領域FR(図1参照)に配置された第2配線GPLで電気的に接続されている。 The gate drive circuit 43 sequentially selects the scanning lines GL of the display panel 2 within one vertical scanning period based on the horizontal drive signal HDS. The order in which the scanning lines GL are selected is arbitrary. The gate drive circuit 43 and the scanning lines GL are electrically connected by second wiring GPL arranged in the peripheral region FR (see FIG. 1) outside the display area AA.

ソース駆動回路44は垂直駆動信号VDSに基づいて1水平走査期間内に表示パネル2の各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号を供給する。 The source drive circuit 44 supplies a grayscale signal corresponding to the output grayscale value of each pixel Pix to each signal line SL of the display panel 2 within one horizontal scanning period based on the vertical drive signal VDS.

本実施形態において、表示パネル2はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視で第2方向PYに延在する信号(ソース)線SL及び第1方向PXに延在する走査(ゲート)線GLがあり、信号線SLと走査線GLとの交差部には、スイッチング素子Trがある。 In this embodiment, the display panel 2 is an active matrix panel. Therefore, in a plan view, there are signal (source) lines SL extending in the second direction PY and scanning (gate) lines GL extending in the first direction PX, and switching elements Tr are located at the intersections of the signal lines SL and the scanning lines GL.

スイッチング素子Trとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Trとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Trのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線SLに接続され、ゲート電極は走査線GLに接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は、後述する高分子分散型液晶LCの容量の一端に接続されている。高分子分散型液晶LCの容量は、一端がスイッチング素子Trに画素電極PEを介して接続され、他端が共通電極CEを介してコモン電位配線COMLに接続されている。また、画素電極PEと、コモン電位配線COMLに電気的に接続されている保持容量電極IOとの間には、保持容量HCが生じる。なお、コモン電位配線COMLは、共通電位駆動回路45より供給される。 A thin film transistor is used as the switching element Tr. Examples of the thin film transistor include bottom gate transistors and top gate transistors. A single gate thin film transistor is exemplified as the switching element Tr, but a double gate transistor may also be used. One of the source electrode and drain electrode of the switching element Tr is connected to the signal line SL, the gate electrode is connected to the scanning line GL, and the other of the source electrode and drain electrode is connected to one end of the capacitance of the polymer dispersed liquid crystal LC described later. One end of the capacitance of the polymer dispersed liquid crystal LC is connected to the switching element Tr via the pixel electrode PE, and the other end is connected to the common potential wiring COML via the common electrode CE. In addition, a retention capacitance HC is generated between the pixel electrode PE and the retention capacitance electrode IO electrically connected to the common potential wiring COML. The common potential wiring COML is supplied from the common potential driving circuit 45.

発光部31は、第1色(例えば、赤色)の発光体33Rと、第2色(例えば、緑色)の発光体33Gと、第3色(例えば、青色)の発光体33Bを備えている。光源制御部32は、光源制御信号LCSAに基づいて、第1色の発光体33R、第2色の発光体33G及び第3色の発光体33Bのそれぞれを時分割で発光するように制御する。このように、第1色の発光体33R、第2色の発光体33G及び第3色の発光体33Bは、フィールドシーケンシャル方式で駆動される。 The light-emitting unit 31 includes a first color (e.g., red) light-emitting body 33R, a second color (e.g., green) light-emitting body 33G, and a third color (e.g., blue) light-emitting body 33B. Based on the light source control signal LCSA, the light source control unit 32 controls each of the first color light-emitting body 33R, the second color light-emitting body 33G, and the third color light-emitting body 33B to emit light in a time-division manner. In this way, the first color light-emitting body 33R, the second color light-emitting body 33G, and the third color light-emitting body 33B are driven in a field sequential manner.

図3に示すように、第1サブフレーム(第1所定時間)RFにおいて、第1色の発光期間RONで第1色の発光体33Rが発光するとともに、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixが光を散乱させて表示する。表示パネル2全体では、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第1色の発光期間RONにおいて第1色のみ点灯している。 As shown in FIG. 3, in the first subframe (first predetermined time) RF, the first color light emitter 33R emits light during the first color light emission period RON, and the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan scatters the light to display. In the entire display panel 2, if a gradation signal corresponding to the output gradation value of each pixel Pix is supplied to each of the signal lines SL described above for the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan, then only the first color is lit during the first color light emission period RON.

次に、第2サブフレーム(第2所定時間)GFにおいて、第2色の発光期間GONで第2色の発光体33Gが発光するとともに、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixが光を散乱させて表示する。表示パネル2全体では、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第2色の発光期間GONにおいて第2色のみ点灯している。 Next, in the second subframe (second predetermined time) GF, the second color light emitter 33G emits light during the second color light emission period GON, and the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan scatters the light to display. In the entire display panel 2, if a gradation signal corresponding to the output gradation value of each pixel Pix is supplied to each of the signal lines SL described above for the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan, only the second color is lit during the second color light emission period GON.

さらに、第3サブフレーム(第3所定時間)BFにおいて、第3色の発光期間BONで第3色の発光体33Bが発光するとともに、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixが光を散乱させて表示する。表示パネル2全体では、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第3色の発光期間BONにおいて第3色のみ点灯している。 Furthermore, in the third subframe (third predetermined time) BF, the third color light emitter 33B emits light during the third color light emission period BON, and the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan scatters the light to display. In the entire display panel 2, if a gradation signal corresponding to the output gradation value of each pixel Pix is supplied to each of the signal lines SL described above for the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan, then only the third color is lit during the third color light emission period BON.

人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、1フレーム(1F)の期間に3色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第1色、第2色、第3色毎に画素Pixを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよい。なお、第4サブフレームをさらに有し、第1色、第2色及び第3色とは異なる第4色を発光するようにしてもよい。 The human eye has a limited temporal resolution and an afterimage occurs, so a composite image of three colors is recognized during one frame (1F). The field sequential method does not require a color filter and reduces absorption loss in the color filter, achieving high transmittance. In the color filter method, one pixel is created by dividing the pixel Pix into sub-pixels for the first, second, and third colors, whereas the field sequential method does not require such sub-pixel division. It is also possible to further include a fourth sub-frame and emit a fourth color different from the first, second, and third colors.

図4は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図5は、図1の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図6は、図1の表示装置の平面を示す平面図である。図5は、図6のV-V’断面である。図7は、図5の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図8は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図9は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。 Figure 4 is an explanatory diagram showing the relationship between the voltage applied to a pixel electrode and the scattering state of a pixel. Figure 5 is a cross-sectional view showing an example of a cross section of the display device of Figure 1. Figure 6 is a plan view showing the plane of the display device of Figure 1. Figure 5 is a V-V' cross section of Figure 6. Figure 7 is an enlarged cross-sectional view of the liquid crystal layer portion of Figure 5. Figure 8 is a cross-sectional view for explaining the non-scattering state in the liquid crystal layer. Figure 9 is a cross-sectional view for explaining the scattering state in the liquid crystal layer.

1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極PEへの印加電圧が変わる。画素電極PEへの印加電圧が変わると、画素電極PEと、共通電極CEとの間の電圧が変化する。そして、図4に示すように、画素電極PEへの印加電圧に応じて、画素Pix毎の液晶層50の散乱状態が制御され、画素Pix内の散乱割合が変化する。 If a gradation signal corresponding to the output gradation value of each pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan is supplied to each of the signal lines SL described above, the voltage applied to the pixel electrode PE changes according to the gradation signal. When the voltage applied to the pixel electrode PE changes, the voltage between the pixel electrode PE and the common electrode CE changes. Then, as shown in FIG. 4, the scattering state of the liquid crystal layer 50 for each pixel Pix is controlled according to the voltage applied to the pixel electrode PE, and the scattering ratio within the pixel Pix changes.

図4に示すように、画素電極PEへの印加電圧が飽和電圧Vsat以上となると、画素Pix内の散乱割合の変化が小さくなる。そこで、駆動回路4は、飽和電圧Vsatよりも低い電圧範囲Vdrにおいて、垂直駆動信号VDSに応じた画素電極PEへの印加電圧を変化させる。 As shown in FIG. 4, when the voltage applied to the pixel electrode PE becomes equal to or higher than the saturation voltage Vsat, the change in the scattering ratio in the pixel Pix becomes smaller. Therefore, the drive circuit 4 changes the voltage applied to the pixel electrode PE according to the vertical drive signal VDS in a voltage range Vdr lower than the saturation voltage Vsat.

図5及び図6に示すように、アレイ基板10は、第1主面10A、第2主面10B、第1側面10C、第2側面10D、第3側面10E及び第4側面10Fを備える。第1主面10Aと第2主面10Bとは、平行な平面である。また、第1側面10Cと第2側面10Dとは、平行な平面である。第3側面10Eと第4側面10Fとは、平行な平面である。 As shown in Figures 5 and 6, the array substrate 10 has a first main surface 10A, a second main surface 10B, a first side surface 10C, a second side surface 10D, a third side surface 10E, and a fourth side surface 10F. The first main surface 10A and the second main surface 10B are parallel planes. The first side surface 10C and the second side surface 10D are parallel planes. The third side surface 10E and the fourth side surface 10F are parallel planes.

図5及び図6に示すように、対向基板20は、第1主面20A、第2主面20B、第1側面20C、第2側面20D、第3側面20E及び第4側面20Fを備える。第1主面20Aと第2主面20Bとは、平行な平面である。第1側面20Cと第2側面20Dとは、平行な平面である。第3側面20Eと第4側面20Fとは、平行な平面である。 As shown in Figures 5 and 6, the opposing substrate 20 has a first main surface 20A, a second main surface 20B, a first side surface 20C, a second side surface 20D, a third side surface 20E, and a fourth side surface 20F. The first main surface 20A and the second main surface 20B are parallel planes. The first side surface 20C and the second side surface 20D are parallel planes. The third side surface 20E and the fourth side surface 20F are parallel planes.

図5及び図6に示すように、光源3は、対向基板20の第2側面20Dに対向する。光源3は、サイド光源と呼ばれることもある。図5に示すように、光源3は、対向基板20の第2側面20Dへ光源光Lを照射する。光源3と対向する対向基板20の第2側面20Dは、光入射面となる。 As shown in Figures 5 and 6, the light source 3 faces the second side surface 20D of the counter substrate 20. The light source 3 is sometimes called a side light source. As shown in Figure 5, the light source 3 irradiates the light source light L to the second side surface 20D of the counter substrate 20. The second side surface 20D of the counter substrate 20 facing the light source 3 serves as a light incidence surface.

図5に示すように、光源3から照射された光源光Lは、アレイ基板10の第1主面10A及び対向基板20の第1主面20Aで反射しながら、第2側面20Dから遠ざかる方向(第2方向PY)に伝播する。アレイ基板10の第1主面10A又は対向基板20の第1主面20Aから外部へ光源光Lが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Lがアレイ基板10の第1主面10A又は対向基板20の第1主面20Aへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Lがアレイ基板10の第1主面10A又は対向基板20の第1主面20Aで全反射する。 As shown in FIG. 5, the light source light L emitted from the light source 3 propagates in a direction (second direction PY) away from the second side surface 20D while being reflected by the first main surface 10A of the array substrate 10 and the first main surface 20A of the counter substrate 20. When the light source light L travels from the first main surface 10A of the array substrate 10 or the first main surface 20A of the counter substrate 20 to the outside, it travels from a medium with a large refractive index to a medium with a small refractive index. Therefore, if the angle of incidence of the light source light L on the first main surface 10A of the array substrate 10 or the first main surface 20A of the counter substrate 20 is larger than the critical angle, the light source light L is totally reflected by the first main surface 10A of the array substrate 10 or the first main surface 20A of the counter substrate 20.

図5に示すように、アレイ基板10及び対向基板20の内部を伝播した光源光Lは、散乱状態となっている液晶がある画素Pixで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光68、68Aがそれぞれ対向基板20の第1主面20A、アレイ基板10の第1主面10Aから外部に放射される。対向基板20の第1主面20A、アレイ基板10の第1主面10Aからそれぞれ外部に放射された放射光68、68Aは、観察者に観察される。以下、図7から図9を用いて、散乱状態となっている高分子分散型液晶と、非散乱状態の高分子分散型液晶とについて説明する。 As shown in FIG. 5, the light source light L propagating through the inside of the array substrate 10 and the counter substrate 20 is scattered by the pixel Pix where the liquid crystal is in a scattering state, and the angle of incidence of the scattered light becomes smaller than the critical angle, and the radiated light 68, 68A is radiated to the outside from the first main surface 20A of the counter substrate 20 and the first main surface 10A of the array substrate 10, respectively. The radiated light 68, 68A radiated to the outside from the first main surface 20A of the counter substrate 20 and the first main surface 10A of the array substrate 10, respectively, is observed by the observer. Below, the polymer dispersed liquid crystal in the scattering state and the polymer dispersed liquid crystal in the non-scattering state will be explained using FIG. 7 to FIG. 9.

図7に示すように、アレイ基板10には、第1配向膜AL1が設けられている。対向基板20には、第2配向膜AL2が設けられている。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、例えば、垂直配向膜である。 As shown in FIG. 7, the array substrate 10 is provided with a first alignment film AL1. The counter substrate 20 is provided with a second alignment film AL2. The first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are, for example, vertical alignment films.

液晶とモノマーを含む溶液がアレイ基板10と対向基板20との間に封入されている。次に、モノマー及び液晶を第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2によって配向させた状態で、紫外線又は熱によってモノマーを重合させ、バルク51を形成する。これにより、網目状に形成された高分子のネットワークの隙間に液晶が分散されたリバースモードの高分子分散型液晶LCを有する液晶層50が形成される。 A solution containing liquid crystal and monomer is sealed between the array substrate 10 and the counter substrate 20. Next, while the monomer and liquid crystal are aligned by the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2, the monomer is polymerized by ultraviolet light or heat to form a bulk 51. This forms a liquid crystal layer 50 having a reverse mode polymer dispersed liquid crystal LC in which the liquid crystal is dispersed in the gaps of a mesh-like polymer network.

このように、高分子分散型液晶LCは、高分子によって形成されたバルク51と、バルク51内に分散された複数の微粒子52と、を有する。微粒子52は、液晶によって形成されている。バルク51及び微粒子52は、それぞれ光学異方性を有している。 Thus, the polymer-dispersed liquid crystal LC has a bulk 51 formed of a polymer and a plurality of particles 52 dispersed within the bulk 51. The particles 52 are formed of liquid crystal. The bulk 51 and the particles 52 each have optical anisotropy.

微粒子52に含まれる液晶の配向は、画素電極PEと共通電極CEとの間の電圧差によって制御される。画素電極PEへの印加電圧により、液晶の配向が変化する。液晶の配向が変化することにより、画素Pixを通過する光の散乱の度合いが変化する。 The orientation of the liquid crystal contained in the microparticles 52 is controlled by the voltage difference between the pixel electrode PE and the common electrode CE. The orientation of the liquid crystal changes depending on the voltage applied to the pixel electrode PE. The change in the orientation of the liquid crystal changes the degree of scattering of light passing through the pixel Pix.

例えば、図8に示すように、画素電極PEと共通電極CEとの間に電圧が印加されていない状態では、バルク51の光軸Ax1と微粒子52の光軸Ax2の向きは互いに等しい。微粒子52の光軸Ax2は、液晶層50のPZ方向と平行である。バルク51の光軸Ax1は、電圧の有無に関わらず、液晶層50のPZ方向と平行である。 For example, as shown in FIG. 8, when no voltage is applied between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the optical axis Ax1 of the bulk 51 and the optical axis Ax2 of the microparticles 52 are oriented in the same direction. The optical axis Ax2 of the microparticles 52 is parallel to the PZ direction of the liquid crystal layer 50. The optical axis Ax1 of the bulk 51 is parallel to the PZ direction of the liquid crystal layer 50 regardless of the presence or absence of voltage.

バルク51と微粒子52の常光屈折率は互いに等しい。画素電極PEと共通電極CEとの間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてバルク51と微粒子52との間の屈折率差がゼロになる。液晶層50は、光源光Lを散乱しない非散乱状態となる。光源光Lは、アレイ基板10の第1主面10A及び対向基板20の第1主面20Aで反射しながら、光源3(発光部31)から遠ざかる方向に伝播する。液晶層50が光源光Lを散乱しない非散乱状態であると、アレイ基板10の第1主面10Aから対向基板20の第1主面20A側の背景が視認され、対向基板20の第1主面20Aからアレイ基板10の第1主面10A側の背景が視認される。 The ordinary light refractive index of the bulk 51 and the particles 52 are equal to each other. When no voltage is applied between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the refractive index difference between the bulk 51 and the particles 52 is zero in all directions. The liquid crystal layer 50 is in a non-scattering state in which the light source light L is not scattered. The light source light L propagates in a direction away from the light source 3 (light-emitting section 31) while being reflected by the first main surface 10A of the array substrate 10 and the first main surface 20A of the counter substrate 20. When the liquid crystal layer 50 is in a non-scattering state in which the light source light L is not scattered, the background on the first main surface 20A side of the counter substrate 20 is visible from the first main surface 10A of the array substrate 10, and the background on the first main surface 10A side of the array substrate 10 is visible from the first main surface 20A of the counter substrate 20.

図9に示すように、電圧が印加された画素電極PEと共通電極CEとの間では、微粒子52の光軸Ax2は、画素電極PEと共通電極CEとの間に発生する電界によって傾くことになる。バルク51の光軸Ax1は、電界によって変化しないため、バルク51の光軸Ax1と微粒子52の光軸Ax2の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極PEがある画素Pixにおいて、光源光Lが散乱される。上述したように散乱された光源光Lの一部がアレイ基板10の第1主面10A又は対向基板20の第1主面20Aから外部に放射された光は、観察者に観察される。 As shown in FIG. 9, between the pixel electrode PE and the common electrode CE to which a voltage is applied, the optical axis Ax2 of the particles 52 is tilted by the electric field generated between the pixel electrode PE and the common electrode CE. Since the optical axis Ax1 of the bulk 51 does not change due to the electric field, the optical axis Ax1 of the bulk 51 and the optical axis Ax2 of the particles 52 are oriented in different directions. In the pixel Pix in which the pixel electrode PE to which a voltage is applied is located, the light source light L is scattered. As described above, a portion of the scattered light source light L is emitted to the outside from the first main surface 10A of the array substrate 10 or the first main surface 20A of the counter substrate 20, and the light is observed by the observer.

電圧が印加されていない画素電極PEがある画素Pixでは、アレイ基板10の第1主面10Aから対向基板20の第1主面20A側の背景が視認され、対向基板20の第1主面20Aからアレイ基板10の第1主面10A側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置1は、画像出力部91から第1入力信号VSが入力されると、画像が表示される画素Pixの画素電極PEに電圧が印加され、第3入力信号VCSAに基づく画像が背景とともに視認される。このように、高分子分散型液晶が散乱状態にあるとき、表示領域において画像が表示される。 In a pixel Pix having a pixel electrode PE to which no voltage is applied, the background on the first major surface 20A side of the counter substrate 20 is visible from the first major surface 10A of the array substrate 10, and the background on the first major surface 10A side of the array substrate 10 is visible from the first major surface 20A of the counter substrate 20. In the display device 1 of this embodiment, when a first input signal VS is input from the image output unit 91, a voltage is applied to the pixel electrode PE of the pixel Pix where an image is displayed, and an image based on the third input signal VCSA is viewed together with the background. In this way, when the polymer dispersed liquid crystal is in a scattering state, an image is displayed in the display area.

電圧が印加された画素電極PEがある画素Pixにおいて光源光Lが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置1は、放射光68又は放射光68Aと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示する。 The image displayed by the light emitted to the outside after scattering the light source light L in the pixel Pix having the pixel electrode PE to which a voltage is applied is superimposed on the background and displayed. In other words, the display device 1 of this embodiment displays an image superimposed on the background by combining the radiated light 68 or radiated light 68A with the background.

図3に示す1垂直走査期間GateScanにおいて、書き込まれた各画素電極PE(図7参照)の電位が、各1垂直走査期間GateScanの後にある第1色の発光期間RON、第2色の発光期間GON及び第3色の発光期間BONの少なくとも1つに保持されている必要がある。書き込まれた各画素電極PE(図7参照)の電位が、各1垂直走査期間GateScanの後にある第1色の発光期間RON、第2色の発光期間GON及び第3色の発光期間BONの少なくとも1つで保持できないと、いわゆるフリッカーなどが生じやすい。言い換えると、走査線の選択時間である1垂直走査期間GateScanを短くし、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動における視認性を高めるためには、第1色の発光期間RON、第2色の発光期間GON及び第3色の発光期間BONのそれぞれで、書き込まれた各画素電極PE(図7参照)の電位を保持しやすくする要望がある。 In one vertical scanning period GateScan shown in FIG. 3, the potential of each pixel electrode PE (see FIG. 7) written must be held in at least one of the first color light emission period RON, the second color light emission period GON, and the third color light emission period BON after each vertical scanning period GateScan. If the potential of each pixel electrode PE (see FIG. 7) written cannot be held in at least one of the first color light emission period RON, the second color light emission period GON, and the third color light emission period BON after each vertical scanning period GateScan, so-called flicker is likely to occur. In other words, in order to shorten one vertical scanning period GateScan, which is the selection time of the scanning line, and to improve visibility in driving by the so-called field sequential method, there is a demand for making it easier to hold the potential of each pixel electrode PE (see FIG. 7) written in each of the first color light emission period RON, the second color light emission period GON, and the third color light emission period BON.

図10は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。図11は、画素において、保持容量層を示す平面図である。図12は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。図13は、画素において、画素電極を示す平面図である。図14は、画素において、遮光層を示す平面図である。図15は、図14のXV-XV’の断面図である。図16は、図14のXVI-XVI’の断面図である。図17は、図14のXVII-XVII’の断面図である。図1、図2及び図10に示すように、アレイ基板10には、複数の信号線SLと複数の走査線GLとが平面視において格子状に設けられている。言い換えると、アレイ基板10の一方の面には、第1方向PXに間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第2方向PYに間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、を備える。 FIG. 10 is a plan view showing a scanning line, a signal line, and a switching element in a pixel. FIG. 11 is a plan view showing a storage capacitance layer in a pixel. FIG. 12 is a plan view showing an auxiliary metal layer and an opening region in a pixel. FIG. 13 is a plan view showing a pixel electrode in a pixel. FIG. 14 is a plan view showing a light-shielding layer in a pixel. FIG. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV' in FIG. 14. FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI-XVI' in FIG. 14. FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII' in FIG. 14. As shown in FIGS. 1, 2, and 10, the array substrate 10 has a plurality of signal lines SL and a plurality of scanning lines GL arranged in a lattice pattern in a plan view. In other words, one surface of the array substrate 10 is provided with a plurality of signal lines arranged at intervals in the first direction PX and a plurality of scanning lines arranged at intervals in the second direction PY.

図10に示すように、隣り合う走査線GLと隣り合う信号線SLとで囲まれる領域が、画素Pixである。画素Pixには、画素電極PEとスイッチング素子Trとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Trは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Trは、走査線GLと電気的に接続されているゲート電極GEと平面視において重畳する半導体層SCを有する。 As shown in FIG. 10, the region surrounded by adjacent scanning lines GL and adjacent signal lines SL is a pixel Pix. The pixel Pix is provided with a pixel electrode PE and a switching element Tr. In this embodiment, the switching element Tr is a bottom-gate type thin film transistor. The switching element Tr has a semiconductor layer SC that overlaps, in a planar view, with a gate electrode GE that is electrically connected to the scanning line GL.

図10に示すように、走査線GLは、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。信号線SLは、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。 As shown in FIG. 10, the scanning line GL is wiring made of a metal such as molybdenum (Mo) or aluminum (Al), a laminate of these, or an alloy of these. The signal line SL is wiring made of a metal such as aluminum or an alloy.

図10に示すように、半導体層SCは、平面視において、ゲート電極GEからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極GE側から半導体層SCに向かう光源光Lが反射され、半導体層SCに光リークが生じにくくなる。 As shown in FIG. 10, the semiconductor layer SC is arranged so as not to protrude from the gate electrode GE in a plan view. This allows the light source light L directed from the gate electrode GE side toward the semiconductor layer SC to be reflected, making it difficult for light leakage to occur in the semiconductor layer SC.

図5及び図20に示すように、光源3から照射された光源光Lは、第2方向PYを入射方向として、入射してくる。入射方向とは、光源3に最も近い第2側面20Dから、第2側面20Dの対向面である第1側面20Cへ向かう方向である。光源光Lの入射方向が第2方向PYである場合、半導体層SCの第1方向の長さが、半導体層SCの第1方向PXの長さよりも小さい。これにより、光源光Lの入射方向に交差する方向の長さが小さくなり、光リークの影響が低減する。 As shown in Figures 5 and 20, the light source light L emitted from the light source 3 is incident in the second direction PY. The incident direction is the direction from the second side 20D closest to the light source 3 to the first side 20C which is the opposing surface of the second side 20D. When the incident direction of the light source light L is the second direction PY, the length of the semiconductor layer SC in the first direction is smaller than the length of the semiconductor layer SC in the first direction PX. This reduces the length of the light source light L in the direction intersecting the incident direction, reducing the effect of light leakage.

図10に示すように、ソース電極SEは、信号線SLと同じ2つの導電体が、信号線SLと同層でかつ信号線と交差する方向に信号線SLから延びている。これにより、信号線SLと電気的に接続するソース電極SEは、平面視において、半導体層SCの一端部と重畳している。 As shown in FIG. 10, the source electrode SE is made of the same two conductors as the signal line SL, and extends from the signal line SL in the same layer as the signal line SL and in a direction intersecting the signal line. As a result, the source electrode SE electrically connected to the signal line SL overlaps one end of the semiconductor layer SC in a planar view.

図10に示すように、平面視において、隣り合うソース電極SEの導電体の間の位置には、ドレイン電極DEが設けられている。ドレイン電極DEは、平面視において、半導体層SCと重畳している。ソース電極SE及びドレイン電極DEと重畳しない部分は、スイッチング素子Trのチャネルとして機能する。図13に示すように、ドレイン電極DEと電気的に接続されるコンタクト電極DEAは、コンタクトホールCHで画素電極PEと電気的に接続されている。 As shown in FIG. 10, in a plan view, a drain electrode DE is provided between the conductors of adjacent source electrodes SE. In a plan view, the drain electrode DE overlaps with the semiconductor layer SC. The portion that does not overlap with the source electrode SE and the drain electrode DE functions as a channel of the switching element Tr. As shown in FIG. 13, the contact electrode DEA electrically connected to the drain electrode DE is electrically connected to the pixel electrode PE through a contact hole CH.

図15に示すように、アレイ基板10は、例えばガラスで形成された第1透光性基材19を有している。第1透光性基材19は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。 As shown in FIG. 15, the array substrate 10 has a first light-transmissive substrate 19 made of, for example, glass. The first light-transmissive substrate 19 may be a resin such as polyethylene terephthalate, as long as it has light-transmissive properties.

図15に示すように、第1透光性基材19上には、走査線GL(図10参照)及びゲート電極GEが設けられる。 As shown in FIG. 15, a scanning line GL (see FIG. 10) and a gate electrode GE are provided on the first light-transmissive substrate 19.

図15に示すように、また、走査線GL及びゲート電極GEを覆って第1絶縁層11が設けられている。第1絶縁層11は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている。 As shown in FIG. 15, a first insulating layer 11 is provided to cover the scanning line GL and the gate electrode GE. The first insulating layer 11 is formed of a transparent inorganic insulating material such as silicon nitride.

第1絶縁層11上には、半導体層SCが積層されている。半導体層SCは、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。同じ断面でみたときに、半導体層SCの長さLscは、半導体層SCに重畳するゲート電極GEの長さLgeよりも小さい。これにより、ゲート電極GEが第1透光性基材19の中を伝搬してくる光Ld1を遮光できる。その結果、実施形態1のスイッチング素子Trは、光リークが低減する。 A semiconductor layer SC is laminated on the first insulating layer 11. The semiconductor layer SC is formed of, for example, amorphous silicon, but may be formed of polysilicon or an oxide semiconductor. When viewed from the same cross section, the length Lsc of the semiconductor layer SC is smaller than the length Lge of the gate electrode GE overlapping the semiconductor layer SC. This allows the gate electrode GE to block the light Ld1 propagating through the first light-transmitting substrate 19. As a result, the switching element Tr of embodiment 1 has reduced light leakage.

第1絶縁層11上には、半導体層SCの一部を覆うソース電極SE及び信号線SLと、半導体層SCの一部を覆うドレイン電極DEとが設けられている。ドレイン電極DEは、信号線SLと同じ材料で形成されている。半導体層SC、信号線SL及びドレイン電極DE上には、第2絶縁層12が設けられている。第2絶縁層12は、例えば、第1絶縁層と同様に、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成される。 On the first insulating layer 11, a source electrode SE and a signal line SL that cover a portion of the semiconductor layer SC, and a drain electrode DE that covers a portion of the semiconductor layer SC are provided. The drain electrode DE is made of the same material as the signal line SL. A second insulating layer 12 is provided on the semiconductor layer SC, the signal line SL, and the drain electrode DE. The second insulating layer 12 is formed, for example, of a transparent inorganic insulating material such as silicon nitride, similar to the first insulating layer.

第2絶縁層12上には、第2絶縁層12の一部を覆う第3絶縁層が形成されている。第3絶縁層13は、例えばアクリル樹脂などの透光性を有する有機絶縁材料により形成されている。第3絶縁層13は、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。 A third insulating layer is formed on the second insulating layer 12, covering a portion of the second insulating layer 12. The third insulating layer 13 is formed of an organic insulating material having translucency, such as an acrylic resin. The third insulating layer 13 has a thickness greater than other insulating films formed of inorganic materials.

図15、図16及び図17に示すように、第3絶縁層13がある領域と、第3絶縁層13がない領域とがある。図16及び図17に示すように、第3絶縁層13がある領域は、走査線GLの上方及び信号線SLの上方である。第3絶縁層13は、走査線GL及び信号線SLに沿って走査線GL及び信号線SLの上方を覆う格子状になる。また、図15に示すように、第3絶縁層13がある領域は、半導体層SCの上方、つまりスイッチング素子Trの上方である。このため、スイッチング素子Tr、走査線GL、信号線SLは保持容量電極ITOから比較的距離をおいて離れることで、保持容量電極ITOからのコモン電位の影響を受けにくくなる。さらに、アレイ基板10において、走査線GLと信号線SLとに囲まれた領域には第3絶縁層13がない領域ができるので、平面視で信号線SL及び走査線GLに重なる絶縁層の厚さよりも絶縁層の厚さが小さい領域ができる。走査線GLと信号線SLとに囲まれた領域では、走査線GLの上方及び信号線SLの上方よりも相対的に、光の透過率が向上し、透光性が向上する。 15, 16, and 17, there are regions where the third insulating layer 13 is present and regions where the third insulating layer 13 is not present. As shown in FIGS. 16 and 17, the regions where the third insulating layer 13 is present are above the scanning lines GL and above the signal lines SL. The third insulating layer 13 is in a lattice shape that covers the scanning lines GL and the signal lines SL along the scanning lines GL and the signal lines SL. Also, as shown in FIG. 15, the region where the third insulating layer 13 is present is above the semiconductor layer SC, that is, above the switching element Tr. Therefore, the switching element Tr, the scanning lines GL, and the signal lines SL are relatively far away from the storage capacitance electrode ITO, so that they are less susceptible to the common potential from the storage capacitance electrode ITO. Furthermore, in the array substrate 10, a region surrounded by the scanning lines GL and the signal lines SL has a region where the third insulating layer 13 is not present, and therefore a region where the thickness of the insulating layer is smaller than the thickness of the insulating layer that overlaps the signal lines SL and the scanning lines GL in a plan view is formed. In the area surrounded by the scanning line GL and the signal line SL, the light transmittance is relatively higher than above the scanning line GL and above the signal line SL, and the light translucency is improved.

図15に示すように、第3絶縁層13上には、金属層TMが設けられている。導電性の金属層TMは、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。図12に示すように、金属層TMは、平面視において、信号線SL、走査線GL及びスイッチング素子Trに重なる領域に設けられている。これにより、金属層TMは、格子状となり、金属層TMで囲まれた開口部APができる。 As shown in FIG. 15, a metal layer TM is provided on the third insulating layer 13. The conductive metal layer TM is a metal such as molybdenum (Mo) or aluminum (Al), a laminate of these, or wiring of an alloy of these. As shown in FIG. 12, the metal layer TM is provided in an area that overlaps the signal line SL, the scanning line GL, and the switching element Tr in a plan view. This gives the metal layer TM a lattice shape, and an opening AP surrounded by the metal layer TM is formed.

図15に示すように、第3絶縁層13上及び金属層TM上には、保持容量電極IOが設けられている。保持容量電極IOは、ITO(Indium Tin Oxide)などの透光性導電材料によって形成されている。保持容量電極IOは、第3透光性電極ともいう。図11に示すように、保持容量電極IOは、走査線GLと信号線SLとに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域IOXを有する。保持容量電極IOは、隣り合う画素Pixに跨がって、複数の画素Pixに渡って設けられている。保持容量電極IOは、透光性導電材料がある領域が走査線GL又は信号線SLに重なり、隣の画素Pixに延びている。 As shown in FIG. 15, a storage capacitance electrode IO is provided on the third insulating layer 13 and the metal layer TM. The storage capacitance electrode IO is formed of a translucent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide). The storage capacitance electrode IO is also called a third translucent electrode. As shown in FIG. 11, the storage capacitance electrode IO has an area IOX surrounded by the scanning line GL and the signal line SL where there is no translucent conductive material. The storage capacitance electrode IO is provided across multiple pixels Pix, straddling adjacent pixels Pix. The storage capacitance electrode IO has an area where the translucent conductive material is present that overlaps the scanning line GL or the signal line SL and extends to the adjacent pixel Pix.

保持容量電極IOは、走査線GL及び信号線SLに沿って走査線GL及び信号線SLの上方を覆う格子状である。これにより、透光性導電材料がない領域IOXと、画素電極PEとの間の保持容量HCが減少するので、透光性導電材料がない領域IOXの大きさにより保持容量HCが調整される。 The storage capacitance electrode IO is in a lattice shape that covers the scanning line GL and the signal line SL along the scanning line GL and the signal line SL. This reduces the storage capacitance HC between the region IOX without the translucent conductive material and the pixel electrode PE, so the storage capacitance HC is adjusted according to the size of the region IOX without the translucent conductive material.

図12に示すように、走査線GLと信号線SLとに接続されたスイッチング素子Trが設けられ、少なくともスイッチング素子Trは、有機絶縁層である第3絶縁層13で覆われており、第3絶縁層13の上方にはスイッチング素子Trよりも大きな面積の金属層TMがある。これにより、スイッチング素子Trの光リークを抑制することができる。 As shown in FIG. 12, a switching element Tr is provided that is connected to a scanning line GL and a signal line SL. At least the switching element Tr is covered with a third insulating layer 13, which is an organic insulating layer, and above the third insulating layer 13 is a metal layer TM that has a larger area than the switching element Tr. This makes it possible to suppress light leakage from the switching element Tr.

より具体的には、アレイ基板10には、少なくともスイッチング素子Trを覆う有機絶縁層である第3絶縁層13と、第3絶縁層13の上方に重畳して設けられ、スイッチング素子Trよりも大きな面積の金属層TMとがある。走査線GLと信号線SLとに囲まれた領域には、平面視で走査線GL及び信号線SLに重なる第3絶縁層13の厚さよりも厚さが小さい領域がある。このため、平面視でスイッチング素子Trよりも光源3に近い側にある第3絶縁層13の厚みが変化する斜面ができる。図5に示すように、光源3から照射された光源光Lは、第2方向PYを入射方向として、入射してくる。上述した斜面は、図15に示すように、光源光Lのうち光Luが入射する側の第3絶縁層13の第1斜面13Fと、光Luが入射する側とは反対側の第3絶縁層13の第2斜面13Rとを含む。図15に示すように、光Luが入射する側の第3絶縁層13の第1斜面13Fは、金属層TMtで覆われている。ここで、金属層TMtは、金属層TMと同じ材料で形成され、金属層TMが延在して形成されたテーパー状の部分である。 More specifically, the array substrate 10 includes a third insulating layer 13, which is an organic insulating layer that covers at least the switching element Tr, and a metal layer TM that is provided above the third insulating layer 13 and has an area larger than that of the switching element Tr. In the region surrounded by the scanning line GL and the signal line SL, there is a region whose thickness is smaller than that of the third insulating layer 13 that overlaps the scanning line GL and the signal line SL in a planar view. Therefore, a slope is formed in which the thickness of the third insulating layer 13 changes on the side closer to the light source 3 than the switching element Tr in a planar view. As shown in FIG. 5, the light source light L irradiated from the light source 3 is incident with the second direction PY as the incident direction. As shown in FIG. 15, the above-mentioned slope includes a first slope 13F of the third insulating layer 13 on the side where the light Lu of the light source light L is incident, and a second slope 13R of the third insulating layer 13 on the opposite side to the side where the light Lu is incident. As shown in FIG. 15, the first slope 13F of the third insulating layer 13 on the side where the light Lu is incident is covered with a metal layer TMt. Here, the metal layer TMt is made of the same material as the metal layer TM, and is a tapered portion formed by extending the metal layer TM.

図15に示すように、入射方向には、光Luが到達する。光Luは、スイッチング素子Trよりも光源3に近い側から到達する光源光Lの一部の光である。ここで、金属層TMtは、光Luを遮光するので、光リークが低減される。 As shown in FIG. 15, light Lu arrives in the incident direction. Light Lu is a portion of the light source light L that arrives from the side closer to the light source 3 than the switching element Tr. Here, the metal layer TMt blocks the light Lu, thereby reducing light leakage.

第2斜面13Rが金属層TMに覆われ、アレイ基板10から対向基板20の背景が視認される場合、観察者が見る光Ld2が第2斜面13Rを覆う金属層TMに反射し、反射光が観察者に視認されてしまう可能性がある。実施形態1において、第2斜面13Rを覆う金属層TMがない。このため、実施形態1の表示装置では、観察者の視認を妨げる反射光が低減される。 When the second slope 13R is covered with a metal layer TM and the background of the opposing substrate 20 is visible from the array substrate 10, the light Ld2 seen by the observer may be reflected by the metal layer TM covering the second slope 13R, and the reflected light may be visible to the observer. In embodiment 1, there is no metal layer TM covering the second slope 13R. Therefore, in the display device of embodiment 1, reflected light that interferes with the observer's view is reduced.

金属層TMは、保持容量電極IOの上にあってもよく、保持容量電極IOと積層されていればよい。金属層TMは、保持容量電極IOよりも電気抵抗が小さい。このため、表示領域AAのうち画素Pixがある位置による保持容量電極IOの電位のばらつきが抑制される。 The metal layer TM may be on the storage capacitance electrode IO, and may be laminated with the storage capacitance electrode IO. The metal layer TM has a smaller electrical resistance than the storage capacitance electrode IO. This reduces the variation in the potential of the storage capacitance electrode IO depending on the position of the pixel Pix in the display area AA.

図12に示すように、平面視で、信号線SLに重なる金属層TMの幅は、信号線SLの幅よりも大きい。これにより、信号線SLのエッジで反射する反射光を表示パネル2より放出することを抑制する。ここで、金属層TMの幅及び信号線SLの幅は、信号線SLの延在する方向に交差する方向の長さである。また、走査線GLに重なる金属層TMの幅は、走査線GLの幅よりも大きい。ここで、金属層TMの幅及び走査線GLの幅は、走査線GLの延在する方向に交差する方向の長さである。 As shown in FIG. 12, in a plan view, the width of the metal layer TM overlapping the signal line SL is greater than the width of the signal line SL. This prevents light reflected at the edge of the signal line SL from being emitted from the display panel 2. Here, the width of the metal layer TM and the width of the signal line SL are lengths in a direction intersecting the direction in which the signal line SL extends. In addition, the width of the metal layer TM overlapping the scanning line GL is greater than the width of the scanning line GL. Here, the width of the metal layer TM and the width of the scanning line GL are lengths in a direction intersecting the direction in which the scanning line GL extends.

図15に示すように、保持容量電極IO及び金属層TMの上には、第4絶縁層14が設けられている。第4絶縁層14は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている無機絶縁層である。 As shown in FIG. 15, a fourth insulating layer 14 is provided on the storage capacitance electrode IO and the metal layer TM. The fourth insulating layer 14 is an inorganic insulating layer formed of a transparent inorganic insulating material such as silicon nitride.

図15に示すように、第4絶縁層14上には、画素電極PEが設けられている。画素電極PEは、ITOなどの透光性導電材料によって形成されている。画素電極PEは、第4絶縁層14及び第3絶縁層13及び第2絶縁層12に設けられたコンタクトホールCHを介してコンタクト電極DEAと電気的に接続されている。図13に示すように、画素電極PEは、画素Pix毎に区画されている。画素電極PEの上には、第1配向膜AL1が設けられている。 As shown in FIG. 15, a pixel electrode PE is provided on the fourth insulating layer 14. The pixel electrode PE is formed of a light-transmitting conductive material such as ITO. The pixel electrode PE is electrically connected to the contact electrode DEA via a contact hole CH provided in the fourth insulating layer 14, the third insulating layer 13, and the second insulating layer 12. As shown in FIG. 13, the pixel electrode PE is partitioned for each pixel Pix. A first alignment film AL1 is provided on the pixel electrode PE.

図15に示すように、対向基板20は、例えばガラスで形成された第2透光性基材29を有している。第2透光性基材29は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第2透光性基材29には、共通電極CEが設けられている。共通電極CEは、ITOなどの透光性導電材料によって形成されている。共通電極CEの表面には、第2配向膜AL2が設けられている。また、対向基板20は、第2透光性基材29と共通電極CEとの間に遮光層LSを有する。遮光層LSは黒色の樹脂又は金属材料で形成されている。また、アレイ基板10と対向基板20との間にスペーサPSが形成され、スペーサPSは共通電極CEと第2配向膜AL2との間にある。 As shown in FIG. 15, the counter substrate 20 has a second light-transmitting substrate 29 made of, for example, glass. The second light-transmitting substrate 29 may be a resin such as polyethylene terephthalate as long as it has light-transmitting properties. A common electrode CE is provided on the second light-transmitting substrate 29. The common electrode CE is made of a light-transmitting conductive material such as ITO. A second alignment film AL2 is provided on the surface of the common electrode CE. The counter substrate 20 also has a light-shielding layer LS between the second light-transmitting substrate 29 and the common electrode CE. The light-shielding layer LS is made of a black resin or metal material. A spacer PS is also formed between the array substrate 10 and the counter substrate 20, and the spacer PS is between the common electrode CE and the second alignment film AL2.

図12及び図16に示すように、実施形態1の表示装置では、走査線GLと同層の遮光層GSが、信号線SLに沿って延在し、かつ信号線SLの一部と重なる位置に設けられている。遮光層GSは、走査線GLと同じ材料で形成されている。遮光層GSは、走査線GLと信号線SLとが平面視において交差する部分には設けられていない。 As shown in Figures 12 and 16, in the display device of embodiment 1, a light-shielding layer GS, which is in the same layer as the scanning line GL, extends along the signal line SL and is provided at a position overlapping with a part of the signal line SL. The light-shielding layer GS is formed of the same material as the scanning line GL. The light-shielding layer GS is not provided at the portion where the scanning line GL and the signal line SL intersect in a planar view.

図12に示すように、遮光層GSと、信号線SLとは、コンタクトホールCHGで電気的に接続されている。これにより、信号線SLのみの配線抵抗に比べて、遮光層GS及び信号線SLで構成する配線抵抗が下がる。その結果、信号線SLに供給された階調信号の遅延が抑制される。なお、コンタクトホールCHGがなく、遮光層GSと、信号線SLとが接続されていなくてもよい。 As shown in FIG. 12, the light-shielding layer GS and the signal line SL are electrically connected by a contact hole CHG. This reduces the wiring resistance of the light-shielding layer GS and the signal line SL compared to the wiring resistance of the signal line SL alone. As a result, delay of the grayscale signal supplied to the signal line SL is suppressed. Note that the light-shielding layer GS and the signal line SL do not necessarily have to be connected without the contact hole CHG.

図16に示すように、遮光層GSは、信号線SLに対して金属層TMとは反対側に設けられている。遮光層GSの幅は、信号線SLの幅よりも大きく、金属層TMの幅より小さい。遮光層GSの幅、金属層TMの幅及び信号線SLの幅は、信号線SLの延在する方向に交差する方向の長さである。このように、遮光層GSは、信号線SLよりも幅が広くなっているので、信号線SLのエッジで反射する反射光を表示パネル2より放出することを抑制する。その結果、表示装置1において、画像の視認性が向上する。 As shown in FIG. 16, the light-shielding layer GS is provided on the opposite side of the signal line SL to the metal layer TM. The width of the light-shielding layer GS is greater than the width of the signal line SL and less than the width of the metal layer TM. The width of the light-shielding layer GS, the width of the metal layer TM, and the width of the signal line SL are lengths in a direction intersecting the direction in which the signal line SL extends. In this way, the light-shielding layer GS is wider than the signal line SL, and therefore prevents reflected light reflected at the edge of the signal line SL from being emitted from the display panel 2. As a result, the visibility of images is improved in the display device 1.

図14及び図15に示すように、対向基板20には、遮光層LSが設けられている。遮光層LSは、平面視において、信号線SL、走査線GL及びスイッチング素子Trに重なる領域に設けられている。 As shown in Figures 14 and 15, the opposing substrate 20 is provided with a light-shielding layer LS. The light-shielding layer LS is provided in an area that overlaps the signal lines SL, the scanning lines GL, and the switching elements Tr in a plan view.

図14、図15、図16及び図17に示すように、遮光層LSは、金属層TMよりも大きい幅を有している。これにより、信号線SL、走査線GL及び金属層TMのエッジで反射する反射光を表示パネル2より放出することを抑制する。その結果、表示装置1において、画像の視認性が向上する。 As shown in Figures 14, 15, 16, and 17, the light-shielding layer LS has a width greater than that of the metal layer TM. This prevents light reflected at the edges of the signal lines SL, scanning lines GL, and metal layer TM from being emitted from the display panel 2. As a result, the visibility of images in the display device 1 is improved.

コンタクトホールCH及びコンタクトホールCHGは、光源光Lが当たると乱反射しやすい。このため、遮光層LSは、平面視において、コンタクトホールCH及びコンタクトホールCHGに重なる領域に設けられている。 Contact holes CH and CHG are prone to diffuse reflection when light source light L strikes them. For this reason, the light-shielding layer LS is provided in an area that overlaps contact holes CH and CHG in a plan view.

図15に示すように、アレイ基板10と対向基板20との間には、スペーサSPが配置され、アレイ基板10と対向基板20との間の距離の均一性を向上する。 As shown in FIG. 15, spacers SP are disposed between the array substrate 10 and the counter substrate 20 to improve the uniformity of the distance between the array substrate 10 and the counter substrate 20.

図18は、一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認する視認者と、背景の関係を説明する説明図である。図19は、背景に周辺領域を重ね合わせた一例を説明する説明図である。図18に示すように、観察者IBが、表示装置1の一方から他方をみる場合、
背景BS1が表示装置1を透過して視認される。図19に示すように、表示領域AAの外側の第1周辺領域FR1が光を透過しないと、背景BS1が見えなくなり、違和感を与える可能性があるので、第1周辺領域FR1及び第2周辺領域FR2も表示装置1の一方の面から、反対側の他方の面側の背景BS1を視認できる。
Fig. 18 is an explanatory diagram for explaining the relationship between a viewer viewing the background on the other side of the display device 1 from one side and the background. Fig. 19 is an explanatory diagram for explaining an example in which a peripheral region is superimposed on the background. As shown in Fig. 18, when an observer IB views the display device 1 from one side to the other,
The background BS1 is visible through the display device 1. As shown in Fig. 19, if the first peripheral region FR1 outside the display area AA does not transmit light, the background BS1 will not be visible, which may cause an uncomfortable feeling. Therefore, the first peripheral region FR1 and the second peripheral region FR2 also allow the background BS1 on the other side of the display device 1 to be visible from one side of the display device 1.

図20は、実施形態1の周辺領域を説明するための平面図である。図21は、図20のXXI-XXI’の断面を模式的に示す平面図である。図1に示す周辺領域FRは、図20に示す第1周辺領域FR1と、第2周辺領域FR2とを有する。第1周辺領域FR1と、第2周辺領域FR2とは、第1方向PXに、表示領域AAを挟む。第2周辺領域FR2の第2部分Q2には、第2配線GPLが配置されている。図2に示すように、第2配線GPLは、駆動回路4のゲート駆動回路43と、走査線GLとを電気的に接続する。第2配線GPLは、走査線GLと同層に形成され、かつ同じ材料で形成されている。 Figure 20 is a plan view for explaining the peripheral region of the first embodiment. Figure 21 is a plan view showing a schematic cross section of XXI-XXI' in Figure 20. The peripheral region FR shown in Figure 1 has a first peripheral region FR1 and a second peripheral region FR2 shown in Figure 20. The first peripheral region FR1 and the second peripheral region FR2 sandwich the display region AA in the first direction PX. The second wiring GPL is arranged in the second portion Q2 of the second peripheral region FR2. As shown in Figure 2, the second wiring GPL electrically connects the gate driving circuit 43 of the driving circuit 4 and the scanning line GL. The second wiring GPL is formed in the same layer as the scanning line GL and is formed of the same material.

実施形態1において、第1周辺領域FR1には、ゲート駆動回路43と、走査線GLとを電気的に接続する配線はない。第2配線GPLは、第2周辺領域FR2の透過率を下げる。ここで、第1周辺領域FR1の透過率と、第2周辺領域FR2の透過率とが大きく異なると、視認者に違和感を与える可能性がある。そこで、図20に示すように、実施形態1の表示装置1では、第1周辺領域FR1の第1部分Q1には、第1配線DPLが配置されている。図21に示すように、第1配線DPLは、走査線GLと同層に形成され、かつ同じ材料で形成されている。このため、第1周辺領域FR1の透過率と、第2周辺領域FR2の透過率とが同程度となっている。 In the first embodiment, the first peripheral region FR1 does not have wiring that electrically connects the gate drive circuit 43 and the scanning line GL. The second wiring GPL reduces the transmittance of the second peripheral region FR2. Here, if the transmittance of the first peripheral region FR1 and the transmittance of the second peripheral region FR2 are significantly different, the viewer may feel uncomfortable. Therefore, as shown in FIG. 20, in the display device 1 of the first embodiment, the first wiring DPL is arranged in the first portion Q1 of the first peripheral region FR1. As shown in FIG. 21, the first wiring DPL is formed in the same layer as the scanning line GL and is formed of the same material. Therefore, the transmittance of the first peripheral region FR1 and the transmittance of the second peripheral region FR2 are approximately the same.

第1配線DPLは、図2に示す共通電位駆動回路45に接続され、上述したコモン電位配線COMLとほぼ同じ電位になる。これにより、表示領域AAに生じるノイズが低減される。第1配線DPLは、コモン電位に限られず、一定の電位であればよい。 The first wiring DPL is connected to the common potential drive circuit 45 shown in FIG. 2 and has approximately the same potential as the common potential wiring COML described above. This reduces noise generated in the display area AA. The first wiring DPL is not limited to the common potential, and may have any constant potential.

図21に示すように、対向基板20には、信号線SL及び走査線GLの少なくとも一部を覆う遮光層LSを備える。これに対して、遮光層LSは、第1配線DPL及び第2配線GPLを覆わない。これにより、第1周辺領域FR1では、遮光層LSが配置されていないので、光を透過しやすい。しかし、視認者は、第1周辺領域FR1と、第2周辺領域FR2とのコントラストの差にも気づきやすくなる。そこで、図20に示すように、実施形態1において、第1配線DPLが第1周辺領域FR1で占める形状は、第2配線GPLが第2周辺領域FR2で占める形状の鏡像反転された形状である。これにより、視認者は、第1周辺領域FR1と、第2周辺領域FR2とのコントラストの差に気づきにくくなる。このように、第1配線DPLは、走査線GLとは接続されていないので、第2配線GPLのダミー配線と言える。 21, the counter substrate 20 is provided with a light-shielding layer LS that covers at least a part of the signal line SL and the scanning line GL. In contrast, the light-shielding layer LS does not cover the first wiring DPL and the second wiring GPL. As a result, the light-shielding layer LS is not arranged in the first peripheral region FR1, so light is easily transmitted. However, the viewer is also more likely to notice the difference in contrast between the first peripheral region FR1 and the second peripheral region FR2. Therefore, as shown in FIG. 20, in the first embodiment, the shape of the first wiring DPL in the first peripheral region FR1 is a mirror image of the shape of the second wiring GPL in the second peripheral region FR2. As a result, the viewer is less likely to notice the difference in contrast between the first peripheral region FR1 and the second peripheral region FR2. In this way, the first wiring DPL is not connected to the scanning line GL, so it can be said to be a dummy wiring of the second wiring GPL.

以上説明したように、表示装置1は、アレイ基板10と、対向基板20と、液晶層50と、光源3を備える。アレイ基板10は、画素Pix毎に配置された第1透光性電極である複数の画素電極PEを有する。アレイ基板10には、第1方向PXに間隔をおいて並ぶ複数の信号線SLと、第2方向PYに間隔をおいて並ぶ複数の走査線GLと、が設けられている。対向基板20は、平面視で、画素電極PEと重畳する位置に第2透光性電極である共通電極CEを有する。液晶層50は、アレイ基板10と対向基板20との間に封入される高分子分散型液晶LCを有する。光源3の発光部31は、対向基板20の側面に対し、第2方向PYに光を発光する。アレイ基板10及び対向基板20を伝播する光の入射方向は、第2方向である。なお、発光部31は、アレイ基板10の側面に向かって、アレイ基板10及び対向基板20を伝播する光を発光するようにしてもよい。 As described above, the display device 1 includes the array substrate 10, the counter substrate 20, the liquid crystal layer 50, and the light source 3. The array substrate 10 has a plurality of pixel electrodes PE, which are first translucent electrodes arranged for each pixel Pix. The array substrate 10 is provided with a plurality of signal lines SL arranged at intervals in the first direction PX and a plurality of scanning lines GL arranged at intervals in the second direction PY. The counter substrate 20 has a common electrode CE, which is a second translucent electrode, at a position overlapping the pixel electrode PE in a plan view. The liquid crystal layer 50 has a polymer-dispersed liquid crystal LC sealed between the array substrate 10 and the counter substrate 20. The light-emitting portion 31 of the light source 3 emits light toward the side surface of the counter substrate 20 in the second direction PY. The incident direction of the light propagating through the array substrate 10 and the counter substrate 20 is the second direction. The light-emitting portion 31 may emit light propagating through the array substrate 10 and the counter substrate 20 toward the side surface of the array substrate 10.

アレイ基板10は、表示領域AAにおいて、第1方向PXに間隔をおいて並ぶ複数の信号線SLと、第2方向PYに間隔をおいて並ぶ複数の走査線GLと、を有する。表示領域AAの外側の第1周辺領域FR1には、一定の電位が供給される複数の第1配線DPLを有している。表示領域AAに対して第1周辺領域FR1とは反対側にある第2周辺領域FR2には、走査線GLと接続される複数の第2配線GPLが配置される。これにより、表示領域AAの外側の第1周辺領域FR1と、第2周辺領域FR2とを比較しても、違和感なく、第1周辺領域FR1又は第2周辺領域FR2において背景BS1が視認される。 In the display area AA, the array substrate 10 has a plurality of signal lines SL spaced apart in the first direction PX, and a plurality of scanning lines GL spaced apart in the second direction PY. A first peripheral area FR1 outside the display area AA has a plurality of first wirings DPL to which a constant potential is supplied. A second peripheral area FR2 on the opposite side of the display area AA to the first peripheral area FR1 has a plurality of second wirings GPL connected to the scanning lines GL. As a result, when comparing the first peripheral area FR1 outside the display area AA with the second peripheral area FR2, the background BS1 can be seen in the first peripheral area FR1 or the second peripheral area FR2 without any sense of incongruity.

(実施形態2)
図22は、実施形態2の周辺領域を説明するための平面図である。図23は、実施形態2の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。図24は、実施形態2の周辺領域の第2部分を拡大して説明する平面図である。図25は、図23のXXV-XXV’の断面を模式的に示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Embodiment 2)
Fig. 22 is a plan view for explaining the peripheral region of the second embodiment. Fig. 23 is a plan view for explaining an enlarged first portion of the peripheral region of the second embodiment. Fig. 24 is a plan view for explaining an enlarged second portion of the peripheral region of the second embodiment. Fig. 25 is a plan view showing a schematic cross section of XXV-XXV' in Fig. 23. The same components as those explained in the above-mentioned present embodiment are given the same reference numerals, and duplicate explanations will be omitted.

図22に示すように、第1周辺領域FR1の第1部分Q11には、第1配線DPLが配置されている。第2周辺領域FR2の第2部分Q21には、走査線GLと接続される複数の第2配線GPLが配置されている。 As shown in FIG. 22, a first wiring DPL is arranged in a first portion Q11 of the first peripheral region FR1. A plurality of second wirings GPL connected to the scanning lines GL are arranged in a second portion Q21 of the second peripheral region FR2.

図23に示すように、実施形態2において、第1配線DPLは、第2方向PYとなす第1角度αを有するように延びている。第1配線DPLの延びる方向と、第2方向PYとは非直交である。実施形態2において、実施形態1と同様に、光源光Lが入射する入射方向が第2方向PYであるので、第1配線DPLの延びる方向と、光源光Lの入射方向とは非直交である。第1配線DPLが、第2方向PYに対して斜めに延びていると、第1配線DPLのエッジで光源光Lが第2方向PYとは異なる方向に反射され目立ちにくい。 As shown in FIG. 23, in the second embodiment, the first wiring DPL extends to have a first angle α with the second direction PY. The extension direction of the first wiring DPL is non-orthogonal to the second direction PY. In the second embodiment, as in the first embodiment, the incident direction of the light source light L is the second direction PY, so the extension direction of the first wiring DPL is non-orthogonal to the incident direction of the light source light L. If the first wiring DPL extends obliquely with respect to the second direction PY, the light source light L is reflected at the edge of the first wiring DPL in a direction different from the second direction PY, making it less noticeable.

第1周辺領域FR1には、第1配線DPLが占める領域よりも外側に、網目状の金属層FCM1がある。金属層FCM1は、図2に示す共通電位駆動回路45に接続され、上述したコモン電位配線COML一部になる。これにより、表示領域AAに生じるノイズが低減される。第1配線DPLは、金属層FCM1と、第3配線CPLを介して電気的に接続されている。第3配線CPLは、第2方向PYに間隔をおいて並ぶ。隣り合う第3配線CPLは、隣り合う走査線GLの間隔よりも大きな間隔があるとよい。これにより、第3配線CPLが目立ちにくくなり、不可視化される。 In the first peripheral region FR1, outside the region occupied by the first wiring DPL, there is a mesh-like metal layer FCM1. The metal layer FCM1 is connected to the common potential drive circuit 45 shown in FIG. 2 and becomes part of the common potential wiring COML described above. This reduces noise generated in the display area AA. The first wiring DPL is electrically connected to the metal layer FCM1 via the third wiring CPL. The third wiring CPL is arranged at intervals in the second direction PY. It is preferable that adjacent third wiring CPL have a larger interval than the interval between adjacent scanning lines GL. This makes the third wiring CPL less noticeable and invisible.

図24に示すように、実施形態2において、第2配線GPLは、第2方向PYとなす第2角度βを有するように延びている。第2配線GPLの延びる方向と、第2方向PYとは非直交である。実施形態2において、実施形態1と同様に、光源光Lが入射する入射方向が第2方向PYであるので、第2配線GPLの延びる方向と、光源光Lの入射方向とは非直交である。第2配線GPLが、第2方向PYに対して斜めに延びていると、第2配線GPLのエッジで光源光Lが第2方向PYとは異なる方向に反射され目立ちにくい。実施形態2では、第1角度αと、第2角度βとが同じである。これにより、視認者は、第1周辺領域FR1と、第2周辺領域FR2とのコントラストの差に気づきにくくなる。 24, in the second embodiment, the second wiring GPL extends to have a second angle β with the second direction PY. The extension direction of the second wiring GPL is non-orthogonal to the second direction PY. In the second embodiment, as in the first embodiment, the incident direction of the light source light L is the second direction PY, so the extension direction of the second wiring GPL is non-orthogonal to the incident direction of the light source light L. If the second wiring GPL extends obliquely with respect to the second direction PY, the light source light L is reflected at the edge of the second wiring GPL in a direction different from the second direction PY and is less noticeable. In the second embodiment, the first angle α and the second angle β are the same. This makes it difficult for the viewer to notice the difference in contrast between the first peripheral region FR1 and the second peripheral region FR2.

第2周辺領域FR2には、第2配線GPLが占める領域よりも外側に、網目状の金属層FCM2がある。金属層FCM2は、図2に示す共通電位駆動回路45に接続され、上述したコモン電位配線COML一部になる。これにより、表示領域AAに生じるノイズが低減される。金属層FCM1及び金属層FCM2の少なくとも1つは、導電性の導電柱を介して、対向基板20の共通電極CEに電気的に接続している。導電注(ピラー)は、またAu粒子などの導電粒子が含有されたシール材であってもよい。 In the second peripheral region FR2, outside the region occupied by the second wiring GPL, there is a mesh-like metal layer FCM2. The metal layer FCM2 is connected to the common potential drive circuit 45 shown in FIG. 2 and becomes part of the common potential wiring COML described above. This reduces noise generated in the display area AA. At least one of the metal layers FCM1 and FCM2 is electrically connected to the common electrode CE of the counter substrate 20 via a conductive conductive pillar. The conductive pillar may also be a sealing material containing conductive particles such as Au particles.

図25に示すように、金属層FCM1は、第1配線DPLと同層に形成され、第1配線DPLと同じ材料で形成される。遮光層LSは、金属層FCM1を覆わない。これにより、第1周辺領域FR1では、遮光層LSが配置されていないので、光を透過しやすい。金属層FCM1は、網目状であるので、金属のない開口部分に光が透過する。同様に、金属層FCM2は、第2配線GPLと同層に形成され、第2配線GPLと同じ材料で形成される。遮光層LSは、金属層FCM2を覆わない。これにより、第2周辺領域FR2では、遮光層LSが配置されていないので、光を透過しやすい。 As shown in FIG. 25, the metal layer FCM1 is formed in the same layer as the first wiring DPL and is made of the same material as the first wiring DPL. The light-shielding layer LS does not cover the metal layer FCM1. As a result, the light-shielding layer LS is not arranged in the first peripheral region FR1, so light is easily transmitted through it. Since the metal layer FCM1 is mesh-shaped, light is transmitted through the openings where there is no metal. Similarly, the metal layer FCM2 is formed in the same layer as the second wiring GPL and is made of the same material as the second wiring GPL. The light-shielding layer LS does not cover the metal layer FCM2. As a result, the light-shielding layer LS is not arranged in the second peripheral region FR2, so light is easily transmitted through it.

図22に示すように、実施形態2において、金属層FCM1が第1周辺領域FR1で占める形状は、金属層FCM2が第2周辺領域FR2で占める形状の鏡像反転された形状である。これにより、視認者は、第1周辺領域FR1と、第2周辺領域FR2とのコントラストの差に気づきにくくなる。 As shown in FIG. 22, in the second embodiment, the shape that the metal layer FCM1 occupies in the first peripheral region FR1 is a mirror image of the shape that the metal layer FCM2 occupies in the second peripheral region FR2. This makes it difficult for a viewer to notice the difference in contrast between the first peripheral region FR1 and the second peripheral region FR2.

(実施形態2の変形例1)
図26は、実施形態2の変形例1の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Variation 1 of the second embodiment)
26 is an enlarged plan view illustrating a first portion of the peripheral region of Modification 1 of Embodiment 2. The same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted.

実施形態2の変形例1において、図23に示すように、網目状の金属層FCM1の第1辺が第1方向PXに延びていると、光源光Lの入射方向と直交する。そうすると、図25に示すように、光源光Lが網目状の金属層FCM1の第1辺にあたり、反射光が生じやすい。反射光は、視認者に回折光として届き、部分的な色づきを認識させる可能性がある。そこで、実施形態2の変形例1では、網目状の金属層FCM1を菱形にする。そして、入射方向と、網目を構成する第1辺の金属層FCM1とが非直交である。また、入射方向と、網目を構成し、かつ第1辺と異なる方向に延びる第2辺の金属層FCM1とが非直交である。その結果、反射光が散乱して、視認者が認識し難くなる。その結果、第1周辺領域FR1の部分的な色づきが抑制される。 In the first modification of the second embodiment, as shown in FIG. 23, when the first side of the mesh-like metal layer FCM1 extends in the first direction PX, it is perpendicular to the incident direction of the light source light L. Then, as shown in FIG. 25, the light source light L hits the first side of the mesh-like metal layer FCM1, and reflected light is likely to occur. The reflected light reaches the viewer as diffracted light, and there is a possibility that the viewer will recognize partial coloring. Therefore, in the first modification of the second embodiment, the mesh-like metal layer FCM1 is made rhombic. The incident direction is non-orthogonal to the metal layer FCM1 of the first side that constitutes the mesh. In addition, the incident direction is non-orthogonal to the metal layer FCM1 of the second side that constitutes the mesh and extends in a direction different from the first side. As a result, the reflected light is scattered, making it difficult for the viewer to recognize it. As a result, partial coloring of the first peripheral region FR1 is suppressed.

実施形態2の変形例1において、網目状の金属層FCM1は、第2方向PYとなす第3角度γを有するように延びている。第3角度γは、第1角度αよりも大きい。これにより、第1配線DPLと、網目状の金属層FCM1との相互作用による回折が生じにくくなる。 In the first modification of the second embodiment, the mesh-like metal layer FCM1 extends to have a third angle γ with the second direction PY. The third angle γ is greater than the first angle α. This makes it less likely that diffraction will occur due to the interaction between the first wiring DPL and the mesh-like metal layer FCM1.

実施形態2の変形例1において、網目状の金属層FCM1を例にして説明したが、図24に示す金属層FCM2についても菱形にすると同じ作用効果を得られる。図24において、入射方向と、網目を構成する第1辺の金属層FCM2とが非直交とする。また、入射方向と、網目を構成し、かつ第1辺と異なる方向に延びる第2辺の金属層FCM2とが非直交とする。その結果、反射光が散乱して、視認者が認識し難くなる。その結果、第2周辺領域FR2の部分的な色づきが抑制される。 In the first modification of the second embodiment, the mesh-shaped metal layer FCM1 has been described as an example, but the same effect can be obtained by forming the metal layer FCM2 shown in FIG. 24 in a diamond shape. In FIG. 24, the incident direction is non-orthogonal to the metal layer FCM2 of the first side that constitutes the mesh. Also, the incident direction is non-orthogonal to the metal layer FCM2 of the second side that constitutes the mesh and extends in a different direction from the first side. As a result, the reflected light is scattered, making it difficult for the viewer to recognize it. As a result, partial coloring of the second peripheral region FR2 is suppressed.

(実施形態2の変形例2)
図27は、実施形態2の変形例2の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Modification 2 of the second embodiment)
27 is an enlarged plan view illustrating a first portion of the peripheral region of Modification 2 of Embodiment 2. The same components as those described in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted.

実施形態2の変形例2において、第3配線CPLは、第2方向PYとなす第5角度εを有するように延びている。第3配線CPLの延びる方向と、入射方向とが非直交である。第3配線CPLが、第2方向PYに対して斜めに延びていると、第3配線CPLのエッジで光源光Lが第2方向PYとは異なる方向に反射され目立ちにくい。 In the second modification of the second embodiment, the third wiring CPL extends to have a fifth angle ε with the second direction PY. The extension direction of the third wiring CPL is non-orthogonal to the incident direction. If the third wiring CPL extends obliquely with respect to the second direction PY, the light source light L is reflected at the edge of the third wiring CPL in a direction different from the second direction PY, making it less noticeable.

第3配線CPLの延びる方向は、金属層FCM1の第1辺又は第2辺と同じ方向に延びていることが望ましい。これにより、第3角度γと第5角度εを一致させ、第3配線CPLが不可視化されやすくなる。 It is desirable that the extension direction of the third wiring CPL is the same as the first or second side of the metal layer FCM1. This makes it easier to make the third angle γ and the fifth angle ε consistent and make the third wiring CPL invisible.

(実施形態2の変形例3)
図28は、実施形態2の変形例3の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。図29は、実施形態2の変形例3の周辺領域の第2部分を拡大して説明する平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Variation 3 of the second embodiment)
Fig. 28 is an enlarged plan view illustrating a first portion of the peripheral region of Modification 3 of Embodiment 2. Fig. 29 is an enlarged plan view illustrating a second portion of the peripheral region of Modification 3 of Embodiment 2. The same components as those described in the above-mentioned embodiment are denoted by the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted.

実施形態2の変形例3において、網目状の金属層FCM1は、第2方向PYとなす第3角度δを有するように延びている。第3角度δは、第1角度αとほぼ同じ角度である。このように、網目状の金属層FCM1の第1辺と光源光Lの入射方向とがなす角度(第1角度α)と、第1配線DPLの延びる方向と入射方向とがなす角度(第3角度δ)とが同じである。これにより、第1配線DPLと、網目状の金属層FCM1との境界が目立ちにくくなる。 In the third modification of the second embodiment, the mesh-like metal layer FCM1 extends to have a third angle δ with the second direction PY. The third angle δ is approximately the same as the first angle α. In this way, the angle (first angle α) between the first side of the mesh-like metal layer FCM1 and the incident direction of the light source light L is the same as the angle (third angle δ) between the extension direction of the first wiring DPL and the incident direction. This makes the boundary between the first wiring DPL and the mesh-like metal layer FCM1 less noticeable.

隣接する第1配線DPL間の第1方向PXの距離P1は、金属層FCM1と第1配線DPLとの間の第1方向PXの距離P2とほぼ同じである。ここで、ほぼ同じ距離とは、例えば、2つの距離の差が、第1配線DPLの第1方向PXの幅以下の差までの範囲をいう(以下、本開示において同様である)。これにより、第1配線DPLと、網目状の金属層FCM1との境界が目立ちにくくなる。 The distance P1 in the first direction PX between adjacent first wirings DPL is approximately the same as the distance P2 in the first direction PX between the metal layer FCM1 and the first wiring DPL. Here, approximately the same distance means, for example, that the difference between the two distances is within a range of less than or equal to the width of the first wiring DPL in the first direction PX (the same applies hereinafter in this disclosure). This makes the boundary between the first wiring DPL and the mesh-like metal layer FCM1 less noticeable.

なお、網目状の金属層FCM1において、2つの屈曲間で第1方向PXの最大の距離P4を有している。第1配線DPLに隣接する金属層FCM1では、第1方向PXの2つの金属層FCM1間の距離P3が、距離P4よりも小さい。 In addition, in the mesh-like metal layer FCM1, there is a maximum distance P4 in the first direction PX between two bends. In the metal layer FCM1 adjacent to the first wiring DPL, the distance P3 between the two metal layers FCM1 in the first direction PX is smaller than the distance P4.

図29において、入射方向(第2方向PY)と、網目を構成する第1辺の金属層FCM2とが非直交とする。また、入射方向と、網目を構成し、かつ第1辺と異なる方向に延びる第2辺の金属層FCM2とが非直交とする。その結果、反射光が散乱して、視認者が認識し難くなる。その結果、第2周辺領域FR2の部分的な色づきが抑制される。網目状の金属層FCM2は、第2方向PYとなす第4角度θを有するように延びている。第4角度θは、第2角度βとほぼ同じ角度である。これにより、第2配線GPLと、網目状の金属層FCM2との境界が目立ちにくくなる。 29, the incident direction (second direction PY) is non-orthogonal to the metal layer FCM2 of the first side that constitutes the mesh. Also, the incident direction is non-orthogonal to the metal layer FCM2 of the second side that constitutes the mesh and extends in a direction different from the first side. As a result, the reflected light is scattered and becomes difficult for the viewer to recognize. As a result, partial coloring of the second peripheral region FR2 is suppressed. The mesh-like metal layer FCM2 extends to have a fourth angle θ with the second direction PY. The fourth angle θ is approximately the same angle as the second angle β. This makes the boundary between the second wiring GPL and the mesh-like metal layer FCM2 less noticeable.

第2周辺領域FR2には、第2配線GPLが占める領域よりも外側に、網目状の金属層FCM2がある。金属層FCM2と第2配線GPLとの間の第1方向PXの距離は、隣接する第2配線GPL間の第1方向PXの距離P11よりも大きいと、金属層FCM2と第2配線GPLとの間のスペースが目立ち視認されてしまう可能性がある。そこで、図29に示すように、金属層FCM2と第2配線GPLとの間の領域に、第4配線DGPLを配置する。 In the second peripheral region FR2, there is a mesh-like metal layer FCM2 outside the region occupied by the second wiring GPL. If the distance in the first direction PX between the metal layer FCM2 and the second wiring GPL is greater than the distance P11 in the first direction PX between adjacent second wiring GPL, the space between the metal layer FCM2 and the second wiring GPL may be noticeable and visually recognized. Therefore, as shown in FIG. 29, a fourth wiring DGPL is placed in the region between the metal layer FCM2 and the second wiring GPL.

第4配線DGPLは、走査線GLと同層に形成され、かつ同じ材料で形成されている。第4配線DGPLは、第2配線GPLのダミー配線であり、ゲート駆動回路43及び走査線GLには電気的に接続されていない。第4配線DGPLは、図2に示す共通電位駆動回路45に接続され、上述したコモン電位配線COMLとほぼ同じ電位になる。第4配線DGPLは、コモン電位に限られず、一定の電位であればよい。第2配線GPLと金属層FCM2との間には、第2配線GPLの延びる方向と同じ方向に延びるダミー配線が配置されることになるので、金属層FCM2と第2配線GPLとの間のスペースが不可視化される。 The fourth wiring DGPL is formed in the same layer as the scanning line GL and is made of the same material. The fourth wiring DGPL is a dummy wiring of the second wiring GPL and is not electrically connected to the gate drive circuit 43 and the scanning line GL. The fourth wiring DGPL is connected to the common potential drive circuit 45 shown in FIG. 2 and has approximately the same potential as the above-mentioned common potential wiring COML. The fourth wiring DGPL is not limited to the common potential, but may have any potential as long as it is a constant potential. A dummy wiring extending in the same direction as the second wiring GPL is disposed between the second wiring GPL and the metal layer FCM2, so that the space between the metal layer FCM2 and the second wiring GPL is not made visible.

隣接する第4配線DGPL間の第1方向PXの距離P12は、上述した距離P11とほぼ同じである。また、第4配線DGPLと、第2配線GPLとの間の第1方向PXの距離も上述した距離P11とほぼ同じである。金属層FCM2と第2配線GPLとの間の第1方向PXの距離P13は、距離P12とほぼ同じである。これにより、第4配線DGPLと、網目状の金属層FCM2との境界が目立ちにくくなる。 The distance P12 in the first direction PX between adjacent fourth wirings DGPL is approximately the same as the distance P11 described above. In addition, the distance in the first direction PX between the fourth wiring DGPL and the second wiring GPL is also approximately the same as the distance P11 described above. The distance P13 in the first direction PX between the metal layer FCM2 and the second wiring GPL is approximately the same as the distance P12. This makes the boundary between the fourth wiring DGPL and the mesh-like metal layer FCM2 less noticeable.

なお、網目状の金属層FCM2において、2つの屈曲間で第1方向PXの最大の距離P15を有している。第4配線DGPLに隣接する金属層FCM2では、第1方向PXの2つの金属層FCM1間の距離P14が、距離P15よりも小さい。 In addition, in the mesh-like metal layer FCM2, there is a maximum distance P15 in the first direction PX between two bends. In the metal layer FCM2 adjacent to the fourth wiring DGPL, the distance P14 between the two metal layers FCM1 in the first direction PX is smaller than the distance P15.

(実施形態2の変形例4)
図30は、実施形態2の変形例4の周辺領域の第1部分を拡大して説明する平面図である。図31は、実施形態2の変形例4の周辺領域の第2部分を拡大して説明する平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Variation 4 of the Second Embodiment)
Fig. 30 is an enlarged plan view illustrating a first portion of the peripheral region of Modification 4 of Embodiment 2. Fig. 31 is an enlarged plan view illustrating a second portion of the peripheral region of Modification 4 of Embodiment 2. The same components as those described in the above-mentioned embodiment are denoted by the same reference numerals, and duplicated descriptions will be omitted.

図30に示すように、網目状の金属層FCM1において、2つの屈曲間で第1方向PXの最大の距離P4を有している。第1配線DPLに隣接する金属層FCM1では、第1方向PXの2つの金属層FCM1間の距離P3が、距離P4とほぼ同じである。これにより、第1配線DPLと、網目状の金属層FCM1との境界が目立ちにくくなる。 As shown in FIG. 30, in the mesh-like metal layer FCM1, there is a maximum distance P4 in the first direction PX between two bends. In the metal layer FCM1 adjacent to the first wiring DPL, the distance P3 between the two metal layers FCM1 in the first direction PX is approximately the same as the distance P4. This makes the boundary between the first wiring DPL and the mesh-like metal layer FCM1 less noticeable.

なお、網目状の金属層FCM2において、2つの屈曲間で第1方向PXの最大の距離P15を有している。第4配線DGPLに隣接する金属層FCM2では、第1方向PXの2つの金属層FCM1間の距離P14が、距離P15とほぼ同じである。これにより、第4配線DGPLと、網目状の金属層FCM2との境界が目立ちにくくなる。 In addition, in the mesh-like metal layer FCM2, there is a maximum distance P15 in the first direction PX between two bends. In the metal layer FCM2 adjacent to the fourth wiring DGPL, the distance P14 between the two metal layers FCM1 in the first direction PX is approximately the same as the distance P15. This makes the boundary between the fourth wiring DGPL and the mesh-like metal layer FCM2 less noticeable.

以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。 Although the above describes a preferred embodiment, the present disclosure is not limited to such an embodiment. The contents disclosed in the embodiment are merely examples, and various modifications are possible without departing from the spirit of the present disclosure. Appropriate modifications made without departing from the spirit of the present disclosure naturally fall within the technical scope of the present disclosure.

例えば、本開示について、スイッチング素子Trがボトムゲート型であるとして説明を行ったが、上述しているようにスイッチング素子Trは、ボトムゲート構造に限らずトップゲート型であってもよい。スイッチング素子Trがトップゲート型であれば、図15の絶縁膜積層構造を参考に説明すると、半導体層SCは第1透光性基材19と第1絶縁層その間に配置され、ゲート電極GEは第1絶縁層11と第2絶縁層12との間に配置され、ソース電極SE及びコンタクト電極DEAは第2絶縁層12と第3絶縁層13との間に形成される構造となる。 For example, in the present disclosure, the switching element Tr has been described as being of a bottom gate type, but as described above, the switching element Tr is not limited to a bottom gate structure and may be of a top gate type. If the switching element Tr is of a top gate type, referring to the insulating film stack structure of FIG. 15, the semiconductor layer SC is disposed between the first light-transmitting substrate 19 and the first insulating layer, the gate electrode GE is disposed between the first insulating layer 11 and the second insulating layer 12, and the source electrode SE and the contact electrode DEA are formed between the second insulating layer 12 and the third insulating layer 13.

さらに、コモン電位については、直流電圧が供給される、つまり一定のコモン電位であってもよく、また交流電圧が共有される、つまり上限値と下限値の2つを有するコモン電位であってもよい。コモン電位が直流であっても交流であっても保持容量電極IO及び共通電極CEには共通の電位が供給される。 Furthermore, the common potential may be a DC voltage, i.e., a constant common potential, or may be an AC voltage shared, i.e., a common potential having two limits, an upper limit and a lower limit. Whether the common potential is DC or AC, a common potential is supplied to the storage capacitance electrode IO and the common electrode CE.

また、格子状の有機絶縁膜である第3絶縁層13については、格子状の内側の第3絶縁層13が完全に除去され下層の第2絶縁層12や保持容量電極IOを露出する構造を開示しているが、これに限られない。例えば、複数の信号線SLと複数の走査線GLとで囲まれる格子状領域の内側については、ハーフトーン露光で第3絶縁層13の膜厚の一部を薄く残す構造であってもよい。これにより、第3絶縁層13は、複数の信号線SLと複数の走査線GLとで囲まれる格子状領域よりも、格子状領域の内側の膜厚が薄くなる。 Furthermore, for the third insulating layer 13, which is a lattice-shaped organic insulating film, a structure is disclosed in which the third insulating layer 13 on the inside of the lattice is completely removed to expose the second insulating layer 12 and the storage capacitance electrode IO underneath, but this is not limited to this. For example, the inside of the lattice-shaped region surrounded by multiple signal lines SL and multiple scanning lines GL may be structured so that a part of the film thickness of the third insulating layer 13 is left thin by half-tone exposure. As a result, the film thickness of the third insulating layer 13 inside the lattice-shaped region is thinner than that of the lattice-shaped region surrounded by multiple signal lines SL and multiple scanning lines GL.

実施形態2の変形例3及び実施形態2の変形例4において、第4配線DGPLがなく、第4配線DGPLに変えて、第2配線GPLが配置されていてもよい。 In the third modification of the second embodiment and the fourth modification of the second embodiment, the fourth wiring DGPL may be omitted, and the second wiring GPL may be arranged in place of the fourth wiring DGPL.

1 表示装置
2 表示パネル
3 光源
4 駆動回路
9 上位制御部
10 アレイ基板
11 第1絶縁層
12 第2絶縁層
13 第3絶縁層
13F 第1斜面
13R 第2斜面
14 第4絶縁層
18 封止部
19 第1透光性基材
20 対向基板
20C 第1側面
20D 第2側面
29 第2透光性基材
AA 表示領域
CE 共通電極
DPL 第1配線
DGPL 第4配線
FCM1 金属層
FCM2 金属層
FR 周辺領域
FR1 第1周辺領域
FR2 第2周辺領域
GL 走査線
GPL 第2配線
L 光源光
LC 高分子分散型液晶
LS 遮光層
PX 第1方向
PY 第2方向
PZ 第3方向
Pix 画素
SL 信号線
α 第1角度
β 第2角度
γ、δ 第3角度
θ 第4角度
ε 第5角度
1 Display device 2 Display panel 3 Light source 4 Drive circuit 9 Upper control unit 10 Array substrate 11 First insulating layer 12 Second insulating layer 13 Third insulating layer 13F First inclined surface 13R Second inclined surface 14 Fourth insulating layer 18 Sealing portion 19 First light-transmissive substrate 20 Counter substrate 20C First side surface 20D Second side surface 29 Second light-transmissive substrate AA Display area CE Common electrode DPL First wiring DGPL Fourth wiring FCM1 Metal layer FCM2 Metal layer FR Peripheral area FR1 First peripheral area FR2 Second peripheral area GL Scanning line GPL Second wiring L Light source light LC Polymer-dispersed liquid crystal LS Light-shielding layer PX First direction PY Second direction PZ Third direction Pix Pixel SL Signal line α First angle β Second angle γ, δ Third angle θ Fourth angle ε Fifth angle

Claims (12)

アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、
前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、
前記アレイ基板は、
表示領域において、
第1方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、
第2方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、
を有し、
前記表示領域の外側の第1周辺領域には、一定の電位が供給される複数の第1配線を有し、
前記表示領域に対して、前記第1周辺領域とは反対側にある第2周辺領域には、前記走査線と接続される複数の第2配線を有し、
前記複数の第1配線が前記第1周辺領域で占める形状は、前記複数の第2配線が前記第2周辺領域で占める形状の鏡像反転された形状であり、
前記複数の第1配線は、前記複数の走査線とは接続されていない、前記複数の第2配線のダミー配線である、
表示装置。
An array substrate;
An opposing substrate;
a liquid crystal layer between the array substrate and the counter substrate;
a light source arranged so that light enters a side surface of the array substrate or a side surface of the counter substrate;
The array substrate includes:
In the display area,
A plurality of signal lines arranged at intervals in a first direction;
a plurality of scan lines spaced apart in a second direction;
having
a first peripheral region outside the display region includes a plurality of first wirings to which a constant potential is supplied;
a second peripheral region on the opposite side of the display region from the first peripheral region, the second wirings being connected to the scanning lines;
a shape that the plurality of first wirings occupy in the first peripheral region is a mirror image of a shape that the plurality of second wirings occupy in the second peripheral region;
the first wirings are dummy wirings of the second wirings that are not connected to the scanning lines;
Display device.
前記第1配線の延びる方向と、前記第2方向とは、非直交である、請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the extension direction of the first wiring and the second direction are non-orthogonal. 前記第1配線の延びる方向と前記第2方向とがなす第1角度は、前記第2配線の延びる方向と前記第2方向とがなす第2角度と同じである請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the first angle between the extension direction of the first wiring and the second direction is the same as the second angle between the extension direction of the second wiring and the second direction. 前記第1周辺領域には、前記第1配線が占める領域よりも外側に、網目状の金属層がある、請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the first peripheral region includes a mesh-like metal layer outside the region occupied by the first wiring. 前記金属層は、前記第1配線と同層である、請求項4に記載の表示装置。 The display device according to claim 4, wherein the metal layer is in the same layer as the first wiring. 前記金属層と前記第1配線とを接続する第3配線をさらに有する、請求項4又は5に記載の表示装置。 The display device according to claim 4 or 5, further comprising a third wiring that connects the metal layer and the first wiring. 前記金属層は菱形である、請求項4から6のいずれか1項に記載の表示装置。 The display device according to any one of claims 4 to 6, wherein the metal layer is rhomboidal. 前記光源に最も近い第1側面から、前記第1側面の対向面へ向かう入射方向と、前記金属層の網目を構成する第1辺とが非直交であり、
前記入射方向と、前記網目を構成し、前記第1辺と異なる方向に延びる第2辺とが非直交である、請求項4から7のいずれか1項に記載の表示装置。
a direction of incidence from a first side surface closest to the light source toward a surface facing the first side surface is non-orthogonal to a first side constituting the mesh of the metal layer;
The display device according to claim 4 , wherein the incident direction is non-orthogonal to a second side that constitutes the mesh and extends in a direction different from that of the first side.
前記第1辺と前記入射方向とがなす角度と、前記第1配線の延びる方向と前記入射方向とがなす角度とが同じである請求項8に記載の表示装置。 The display device according to claim 8, wherein the angle between the first side and the incident direction is the same as the angle between the extension direction of the first wiring and the incident direction. 前記第2周辺領域には、前記第2配線が占める領域よりも外側に、網目状の金属層があり、前記第2配線と当該金属層との間には、前記第2配線の延びる方向と同じ方向に延びるダミー配線が配置されている、請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the second peripheral region includes a mesh-like metal layer outside the region occupied by the second wiring, and dummy wiring is disposed between the second wiring and the metal layer, the dummy wiring extending in the same direction as the second wiring. 前記対向基板には、前記信号線及び前記走査線の少なくとも一部を覆う遮光層を備え、
前記遮光層は、前記第1配線を覆わない、請求項1から10のいずれか1項に記載の表示装置。
the opposing substrate includes a light-shielding layer that covers at least a portion of the signal lines and the scanning lines;
The display device according to claim 1 , wherein the light-shielding layer does not cover the first wiring.
前記液晶層は、高分子分散型液晶であり、
前記アレイ基板から前記対向基板の背景が視認され、前記対向基板から前記アレイ基板の背景が視認される、請求項1から11のいずれか1項に記載の表示装置。
the liquid crystal layer is a polymer dispersed liquid crystal;
The display device according to claim 1 , wherein a background of the counter substrate is visible from the array substrate, and the background of the array substrate is visible from the counter substrate.
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