JP7432350B2 - display device - Google Patents

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Description

本開示は、表示装置に関する。 The present disclosure relates to a display device.

特許文献1には、第1透光性基板と、第1透光性基板と対向して配置される第2透光性基板と、第1透光性基板と第2透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、第1透光性基板及び第2透光性基板の少なくとも1つの側面に対向して配置される少なくとも1つの発光部とを備える表示装置が記載されている。 Patent Document 1 describes a first light-transmitting substrate, a second light-transmitting substrate disposed opposite to the first light-transmitting substrate, and a first light-transmitting substrate and a second light-transmitting substrate. A display comprising a liquid crystal layer having a polymer dispersed liquid crystal sealed therebetween, and at least one light emitting section disposed opposite to at least one side surface of a first light-transmitting substrate and a second light-transmitting substrate. The equipment is described.

特開2018-021974号公報Japanese Patent Application Publication No. 2018-021974

特許文献1に記載されている表示装置では、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認可能である。光源が第1透光性基板及び第2透光性基板の少なくとも1つの側面に対向して配置されるため、光源によるスイッチング素子の光リークを低減する必要がある。 In the display device described in Patent Document 1, from one surface of the display panel, the background on the other surface on the opposite side can be visually recognized. Since the light source is disposed facing at least one side surface of the first light-transmitting substrate and the second light-transmitting substrate, it is necessary to reduce light leakage of the switching element due to the light source.

本発明の目的は、光源を用いて表示した画像が表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景とともに視認可能であり、スイッチング素子の光リークを低減できる、表示装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a display device in which an image displayed using a light source is visible from one side of a display panel together with the background on the other side of the display panel, and light leakage from switching elements can be reduced. It's about doing.

一態様に係る表示装置は、アレイ基板と、対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、前記アレイ基板は、第1方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第2方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、を有し、前記スイッチング素子は、画素電極とコンタクトホールを介して接続されるドレイン電極と、ソース電極と、前記走査線と電気的に接続されたゲート電極と、を有し、前記ソース電極は、前記第2方向に延びる第1直線部と、前記第1方向に間隔をおいて並び、前記第2方向に延びる第2直線部と、前記第1直線部の一端と前記第2直線部の一端とを接続する接続部とを有し、前記第1直線部の他端と、前記信号線とを接続する迂回部を有する。 The display device according to one embodiment includes an array substrate, a counter substrate, a liquid crystal layer between the array substrate and the counter substrate, and a display device arranged such that light enters a side surface of the array substrate or a side surface of the counter substrate. a light source, the array substrate includes a plurality of signal lines arranged at intervals in a first direction, a plurality of scanning lines arranged at intervals in a second direction, and the scanning lines and the signal lines arranged at intervals. a switching element connected to the pixel electrode, the switching element having a drain electrode connected to the pixel electrode via a contact hole, a source electrode, and a gate electrode electrically connected to the scanning line; The source electrode has a first linear portion extending in the second direction, a second linear portion arranged at intervals in the first direction and extending in the second direction, and a first linear portion extending in the second direction. It has a connection part that connects one end and one end of the second straight part, and has a detour part that connects the other end of the first straight part and the signal line.

図1は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing an example of a display device according to this embodiment. 図2は、実施形態1の表示装置を表すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing the display device of the first embodiment. 図3は、実施形態1のフィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。FIG. 3 is a timing chart illustrating the timing at which the light source emits light in the field sequential method of the first embodiment. 図4は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing the relationship between the voltage applied to the pixel electrode and the scattering state of the pixel. 図5は、図1の表示装置の断面の一例を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the cross section of the display device of FIG. 図6は、図1の表示装置の平面を示す平面図である。6 is a plan view showing the plane of the display device of FIG. 1. FIG. 図7は、図5の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of the liquid crystal layer portion of FIG. 5. FIG. 図8は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the non-scattering state in the liquid crystal layer. 図9は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the scattering state in the liquid crystal layer. 図10は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing scanning lines, signal lines, and switching elements in a pixel. 図11は、画素において、保持容量層を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing a storage capacitor layer in a pixel. 図12は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing an auxiliary metal layer and an opening area in a pixel. 図13は、画素において、画素電極を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a pixel electrode in a pixel. 図14は、画素において、遮光層を示す平面図である。FIG. 14 is a plan view showing a light shielding layer in a pixel. 図15は、図14のXV-XV’の断面図である。FIG. 15 is a sectional view taken along line XV-XV' in FIG. 14. 図16は、図14のXVI-XVI’の断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI-XVI' in FIG. 図17は、図14のXVII-XVII’の断面図である。FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII' in FIG. 図18は、周辺領域の断面図である。FIG. 18 is a cross-sectional view of the peripheral area. 図19は、実施形態1のスイッチング素子を拡大して示す平面図である。FIG. 19 is an enlarged plan view showing the switching element of the first embodiment. 図20は、比較例のスイッチング素子を拡大して示す平面図である。FIG. 20 is an enlarged plan view of a switching element of a comparative example. 図21は、実施形態2のスイッチング素子を拡大して示す平面図である。FIG. 21 is an enlarged plan view showing the switching element of the second embodiment. 図22は、実施形態3のスイッチング素子を拡大して示す平面図である。FIG. 22 is an enlarged plan view showing the switching element of the third embodiment.

本開示を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、開示の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本開示の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Modes (embodiments) for carrying out the present disclosure will be described in detail with reference to the drawings. The present disclosure is not limited to the content described in the embodiments below. Further, the constituent elements described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the components described below can be combined as appropriate. Note that the disclosure is merely an example, and any modifications that can be easily thought of by those skilled in the art while maintaining the gist of the disclosure are naturally included within the scope of the present disclosure. In addition, in order to make the explanation more clear, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual aspect, but these are only examples, and the interpretation of this disclosure will be limited. It is not limited. In addition, in this specification and each figure, the same elements as those described above with respect to the previously shown figures are denoted by the same reference numerals, and detailed explanations may be omitted as appropriate.

(実施形態1)
図1は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図2は、図1の表示装置を表すブロック図である。図3は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a perspective view showing an example of a display device according to this embodiment. FIG. 2 is a block diagram representing the display device of FIG. 1. FIG. 3 is a timing chart illustrating the timing at which the light source emits light in the field sequential method.

図1に示すように、表示装置1は、表示パネル2と、光源3と、駆動回路4とを有する。ここで、表示パネル2の平面の一方向がPX方向とされ、PX方向と直交する方向が第2方向PYとされ、PX-PY平面に直交する方向が第3方向PZとされている。 As shown in FIG. 1, the display device 1 includes a display panel 2, a light source 3, and a drive circuit 4. Here, one direction of the plane of the display panel 2 is defined as a PX direction, a direction perpendicular to the PX direction is defined as a second direction PY, and a direction perpendicular to the PX-PY plane is defined as a third direction PZ.

表示パネル2は、アレイ基板10と、対向基板20と、液晶層50(図5参照)とを備えている。対向基板20は、アレイ基板10の表面に垂直な方向(図1に示すPZ方向)に対向する。液晶層50(図5参照)は、アレイ基板10と、対向基板20と、封止部18とで、後述する高分子分散型液晶LCが封止されている。 The display panel 2 includes an array substrate 10, a counter substrate 20, and a liquid crystal layer 50 (see FIG. 5). The counter substrate 20 faces the surface of the array substrate 10 in a direction perpendicular to the surface (PZ direction shown in FIG. 1). In the liquid crystal layer 50 (see FIG. 5), a polymer dispersed liquid crystal LC, which will be described later, is sealed with the array substrate 10, the counter substrate 20, and the sealing part 18.

図1に示すように、表示パネル2において、画像を表示可能な表示領域AAと、表示領域AAの外側の周辺領域FRと、がある。表示領域AAには、複数の画素Pixがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるm個の画素Pixを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるn個の画素Pixを有する画素列をいう。そして、mとnとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線GLが行毎に配線され、複数の信号線SLが列毎に配線されている。 As shown in FIG. 1, the display panel 2 includes a display area AA in which an image can be displayed and a peripheral area FR outside the display area AA. In the display area AA, a plurality of pixels Pix are arranged in a matrix. Note that in this disclosure, a row refers to a pixel row having m pixels Pix arranged in one direction. Further, a column refers to a pixel column having n pixels Pix arranged in a direction perpendicular to the direction in which rows are arranged. The values of m and n are determined depending on the display resolution in the vertical direction and the display resolution in the horizontal direction. Further, a plurality of scanning lines GL are wired for each row, and a plurality of signal lines SL are wired for each column.

光源3は、複数の発光部31を備えている。図2に示すように、光源制御部32は、駆動回路4に含まれる。なお、光源制御部32は、駆動回路4の回路とは別の回路にしてもよい。発光部31と、光源制御部32とは、アレイ基板10内の配線で電気的に接続されている。 The light source 3 includes a plurality of light emitting sections 31. As shown in FIG. 2, the light source control section 32 is included in the drive circuit 4. Note that the light source control section 32 may be a circuit separate from the drive circuit 4. The light emitting section 31 and the light source control section 32 are electrically connected by wiring within the array substrate 10.

図1に示すように、駆動回路4は、アレイ基板10の表面に固定されている。図2に示すように、駆動回路4は、信号処理回路41、画素制御回路42、ゲート駆動回路43、ソース駆動回路44及び共通電位駆動回路45を備えている。アレイ基板10は、対向基板20よりもXY平面の面積が大きく、対向基板20から露出したアレイ基板10の張り出し部分に、駆動回路4が設けられる。 As shown in FIG. 1, the drive circuit 4 is fixed to the surface of the array substrate 10. As shown in FIG. 2, the drive circuit 4 includes a signal processing circuit 41, a pixel control circuit 42, a gate drive circuit 43, a source drive circuit 44, and a common potential drive circuit 45. The array substrate 10 has a larger area in the XY plane than the counter substrate 20, and the drive circuit 4 is provided in the overhanging portion of the array substrate 10 exposed from the counter substrate 20.

信号処理回路41には、外部の上位制御部9の画像出力部91から、フレキシブル基板92を介して、入力信号(RGB信号など)VSが入力される。 An input signal (such as an RGB signal) VS is input to the signal processing circuit 41 from an image output section 91 of an external higher-level control section 9 via a flexible substrate 92 .

信号処理回路41は、入力信号解析部411と、記憶部412と、信号調整部413とを備える。入力信号解析部411は、外部から入力された第1入力信号VSに基づいて第2入力信号VCSを生成する。 The signal processing circuit 41 includes an input signal analysis section 411, a storage section 412, and a signal adjustment section 413. The input signal analysis unit 411 generates a second input signal VCS based on a first input signal VS input from the outside.

第2入力信号VCSは、第1入力信号VSに基づいて、表示パネル2の各画素Pixにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第2入力信号VCSは、各画素Pixの階調値に関する階調情報を含む信号である。 The second input signal VCS is a signal that determines what gradation value is given to each pixel Pix of the display panel 2 based on the first input signal VS. In other words, the second input signal VCS is a signal containing gradation information regarding the gradation value of each pixel Pix.

信号調整部413は、第2入力信号VCSから第3入力信号VCSAを生成する。信号調整部413は、第3入力信号VCSAを画素制御回路42へ送出し、光源制御信号LCSAを光源制御部32へ送出する。光源制御信号LCSAは、例えば、画素Pixへの入力階調値に応じて設定される発光部31の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、発光部31の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、発光部31の光量は大きく設定される。 The signal adjustment unit 413 generates a third input signal VCSA from the second input signal VCS. The signal adjustment section 413 sends out the third input signal VCSA to the pixel control circuit 42 and sends out the light source control signal LCSA to the light source control section 32. The light source control signal LCSA is, for example, a signal that includes information on the amount of light from the light emitting section 31, which is set according to the gradation value input to the pixel Pix. For example, when a dark image is displayed, the amount of light from the light emitting section 31 is set to be small. When a bright image is displayed, the amount of light from the light emitting section 31 is set to be large.

そして、画素制御回路42は、第3入力信号VCSAに基づいて水平駆動信号HDSと垂直駆動信号VDSとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号HDSと垂直駆動信号VDSとが発光部31が発光可能な色毎に生成される。 Then, the pixel control circuit 42 generates a horizontal drive signal HDS and a vertical drive signal VDS based on the third input signal VCSA. In this embodiment, since driving is performed using a field sequential method, a horizontal drive signal HDS and a vertical drive signal VDS are generated for each color in which the light emitting section 31 can emit light.

ゲート駆動回路43は水平駆動信号HDSに基づいて1垂直走査期間内に表示パネル2の走査線GLを順次選択する。走査線GLの選択の順番は任意である。 The gate drive circuit 43 sequentially selects the scanning lines GL of the display panel 2 within one vertical scanning period based on the horizontal drive signal HDS. The order of selection of the scanning lines GL is arbitrary.

ソース駆動回路44は垂直駆動信号VDSに基づいて1水平走査期間内に表示パネル2の各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号を供給する。 The source drive circuit 44 supplies a gradation signal corresponding to the output gradation value of each pixel Pix to each signal line SL of the display panel 2 within one horizontal scanning period based on the vertical drive signal VDS.

本実施形態において、表示パネル2はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視で第2方向PYに延在する信号(ソース)線SL及び第1方向PXに延在する走査(ゲート)線GLがあり、信号線SLと走査線GLとの交差部には、スイッチング素子Trがある。 In this embodiment, the display panel 2 is an active matrix panel. For this reason, there is a signal (source) line SL extending in the second direction PY and a scanning (gate) line GL extending in the first direction PX in plan view, and at the intersection of the signal line SL and the scanning line GL. has a switching element Tr.

スイッチング素子Trとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Trとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Trのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線SLに接続され、ゲート電極は走査線GLに接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は、後述する高分子分散型液晶LCの容量の一端に接続されている。高分子分散型液晶LCの容量は、一端がスイッチング素子Trに画素電極PEを介して接続され、他端が共通電極CEを介してコモン電位配線COMLに接続されている。また、画素電極PEと、コモン電位配線COMLに電気的に接続されている保持容量電極IOとの間には、保持容量HCが生じる。なお、コモン電位配線COMLは、共通電位駆動回路45より供給される。 A thin film transistor is used as the switching element Tr. As an example of the thin film transistor, a bottom gate transistor or a top gate transistor may be used. Although a single gate thin film transistor is illustrated as the switching element Tr, a double gate transistor may also be used. One of the source and drain electrodes of the switching element Tr is connected to the signal line SL, the gate electrode is connected to the scanning line GL, and the other of the source and drain electrodes is connected to the capacitance of a polymer dispersed liquid crystal LC, which will be described later. connected to one end of the One end of the capacitor of the polymer dispersed liquid crystal LC is connected to the switching element Tr via the pixel electrode PE, and the other end is connected to the common potential line COML via the common electrode CE. Further, a storage capacitor HC is generated between the pixel electrode PE and the storage capacitor electrode IO electrically connected to the common potential wiring COML. Note that the common potential wiring COML is supplied from the common potential drive circuit 45.

発光部31は、第1色(例えば、赤色)の発光体33Rと、第2色(例えば、緑色)の発光体33Gと、第3色(例えば、青色)の発光体33Bを備えている。光源制御部32は、光源制御信号LCSAに基づいて、第1色の発光体33R、第2色の発光体33G及び第3色の発光体33Bのそれぞれを時分割で発光するように制御する。このように、第1色の発光体33R、第2色の発光体33G及び第3色の発光体33Bは、フィールドシーケンシャル方式で駆動される。 The light emitting section 31 includes a first color (for example, red) light emitter 33R, a second color (for example, green) light emitter 33G, and a third color (for example, blue) light emitter 33B. The light source control unit 32 controls each of the first color light emitter 33R, the second color light emitter 33G, and the third color light emitter 33B to emit light in a time-sharing manner based on the light source control signal LCSA. In this way, the first color light emitter 33R, the second color light emitter 33G, and the third color light emitter 33B are driven in a field sequential manner.

図3に示すように、第1サブフレーム(第1所定時間)RFにおいて、第1色の発光期間RONで第1色の発光体33Rが発光するとともに、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixが光を散乱させて表示する。表示パネル2全体では、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第1色の発光期間RONにおいて第1色のみ点灯している。 As shown in FIG. 3, in the first subframe (first predetermined time) RF, the first color light emitting body 33R emits light during the first color light emission period RON, and the light emitting body 33R of the first color emits light during the first color light emission period RON, and the light emitting body 33R that is selected within one vertical scanning period GateScan Pixel Pix scatters light for display. In the display panel 2 as a whole, if a grayscale signal corresponding to the output grayscale value of each pixel Pix is supplied to each signal line SL described above to the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan, the first During the color light emission period RON, only the first color is lit.

次に、第2サブフレーム(第2所定時間)GFにおいて、第2色の発光期間GONで第2色の発光体33Gが発光するとともに、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixが光を散乱させて表示する。表示パネル2全体では、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第2色の発光期間GONにおいて第2色のみ点灯している。 Next, in the second subframe (second predetermined time) GF, the second color light emitter 33G emits light during the second color light emission period GON, and the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan emits light. are displayed in a scattered manner. In the entire display panel 2, if a gradation signal corresponding to the output gradation value of each pixel Pix is supplied to each signal line SL described above to the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan, the second Only the second color is lit during the color light emission period GON.

さらに、第3サブフレーム(第3所定時間)BFにおいて、第3色の発光期間BONで第3色の発光体33Bが発光するとともに、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixが光を散乱させて表示する。表示パネル2全体では、1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第3色の発光期間BONにおいて第3色のみ点灯している。 Furthermore, in the third subframe (third predetermined time) BF, the third color light emitter 33B emits light during the third color light emission period BON, and the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan emits light. Display in a scattered manner. In the display panel 2 as a whole, if a grayscale signal corresponding to the output grayscale value of each pixel Pix is supplied to each signal line SL described above to the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan, the third During the color light emission period BON, only the third color is lit.

人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、1フレーム(1F)の期間に3色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第1色、第2色、第3色毎に画素Pixを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよい。なお、第4サブフレームをさらに有し、第1色、第2色及び第3色とは異なる第4色を発光するようにしてもよい。 Since the human eye has a limited temporal resolution and an afterimage occurs, a composite image of three colors is recognized in one frame (1F). In the field sequential method, color filters are not required and absorption loss in the color filters is reduced, so high transmittance can be achieved. In the color filter method, one pixel is created by subpixels obtained by dividing the pixel Pix into each of the first, second, and third colors, whereas in the field sequential method, the pixel Pix is divided into subpixels for each of the first, second, and third colors. good. Note that it is also possible to further include a fourth subframe and emit light in a fourth color different from the first color, the second color, and the third color.

図4は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図5は、図1の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図6は、図1の表示装置の平面を示す平面図である。図5は、図6のV-V’断面である。図7は、図5の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図8は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図9は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。 FIG. 4 is an explanatory diagram showing the relationship between the voltage applied to the pixel electrode and the scattering state of the pixel. FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the cross section of the display device of FIG. 6 is a plan view showing the plane of the display device of FIG. 1. FIG. FIG. 5 is a cross section taken along the line VV' in FIG. FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of the liquid crystal layer portion of FIG. 5. FIG. FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining the non-scattering state in the liquid crystal layer. FIG. 9 is a cross-sectional view for explaining the scattering state in the liquid crystal layer.

1垂直走査期間GateScan内に選択された画素Pixに、上述した各信号線SLに各画素Pixの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極PEへの印加電圧が変わる。画素電極PEへの印加電圧が変わると、画素電極PEと、共通電極CEとの間の電圧が変化する。そして、図4に示すように、画素電極PEへの印加電圧に応じて、画素Pix毎の液晶層50の散乱状態が制御され、画素Pix内の散乱割合が変化する。 If a gradation signal corresponding to the output gradation value of each pixel Pix is supplied to each signal line SL described above to the pixel Pix selected within one vertical scanning period GateScan, the pixel electrode is changed according to the gradation signal. The voltage applied to PE changes. When the voltage applied to the pixel electrode PE changes, the voltage between the pixel electrode PE and the common electrode CE changes. Then, as shown in FIG. 4, the scattering state of the liquid crystal layer 50 for each pixel Pix is controlled according to the voltage applied to the pixel electrode PE, and the scattering ratio within the pixel Pix changes.

図4に示すように、画素電極PEへの印加電圧が飽和電圧Vsat以上となると、画素Pix内の散乱割合の変化が小さくなる。そこで、駆動回路4は、飽和電圧Vsatよりも低い電圧範囲Vdrにおいて、垂直駆動信号VDSに応じた画素電極PEへの印加電圧を変化させる。 As shown in FIG. 4, when the voltage applied to the pixel electrode PE becomes equal to or higher than the saturation voltage Vsat, the change in the scattering ratio within the pixel Pix becomes small. Therefore, the drive circuit 4 changes the voltage applied to the pixel electrode PE according to the vertical drive signal VDS in a voltage range Vdr lower than the saturation voltage Vsat.

図5及び図6に示すように、アレイ基板10は、第1主面10A、第2主面10B、第1側面10C、第2側面10D、第3側面10E及び第4側面10Fを備える。第1主面10Aと第2主面10Bとは、平行な平面である。また、第1側面10Cと第2側面10Dとは、平行な平面である。第3側面10Eと第4側面10Fとは、平行な平面である。 As shown in FIGS. 5 and 6, the array substrate 10 includes a first main surface 10A, a second main surface 10B, a first side surface 10C, a second side surface 10D, a third side surface 10E, and a fourth side surface 10F. The first main surface 10A and the second main surface 10B are parallel planes. Further, the first side surface 10C and the second side surface 10D are parallel planes. The third side surface 10E and the fourth side surface 10F are parallel planes.

図5及び図6に示すように、対向基板20は、第1主面20A、第2主面20B、第1側面20C、第2側面20D、第3側面20E及び第4側面20Fを備える。第1主面20Aと第2主面20Bとは、平行な平面である。第1側面20Cと第2側面20Dとは、平行な平面である。第3側面20Eと第4側面20Fとは、平行な平面である。 As shown in FIGS. 5 and 6, the counter substrate 20 includes a first main surface 20A, a second main surface 20B, a first side surface 20C, a second side surface 20D, a third side surface 20E, and a fourth side surface 20F. The first main surface 20A and the second main surface 20B are parallel planes. The first side surface 20C and the second side surface 20D are parallel planes. The third side surface 20E and the fourth side surface 20F are parallel planes.

図5及び図6に示すように、光源3は、対向基板20の第2側面20Dに対向する。光源3は、サイド光源と呼ばれることもある。図5に示すように、光源3は、対向基板20の第2側面20Dへ光源光Lを照射する。光源3と対向する対向基板20の第2側面20Dは、光入射面となる。 As shown in FIGS. 5 and 6, the light source 3 faces the second side surface 20D of the counter substrate 20. The light source 3 is sometimes called a side light source. As shown in FIG. 5, the light source 3 irradiates the second side surface 20D of the counter substrate 20 with the light source light L. The second side surface 20D of the counter substrate 20 facing the light source 3 becomes a light incident surface.

図5に示すように、光源3から照射された光源光Lは、アレイ基板10の第1主面10A及び対向基板20の第1主面20Aで反射しながら、第2側面20Dから遠ざかる方向(第2方向PY)に伝播する。アレイ基板10の第1主面10A又は対向基板20の第1主面20Aから外部へ光源光Lが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Lがアレイ基板10の第1主面10A又は対向基板20の第1主面20Aへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Lがアレイ基板10の第1主面10A又は対向基板20の第1主面20Aで全反射する。 As shown in FIG. 5, the light source light L emitted from the light source 3 is reflected by the first main surface 10A of the array substrate 10 and the first main surface 20A of the counter substrate 20, while moving away from the second side surface 20D ( propagates in the second direction PY). When the light source light L goes to the outside from the first main surface 10A of the array substrate 10 or the first main surface 20A of the counter substrate 20, the light source light L goes from a medium with a high refractive index to a medium with a low refractive index. If the incident angle at which the light L enters the first main surface 10A of the array substrate 10 or the first main surface 20A of the counter substrate 20 is larger than the critical angle, the light source light L enters the first main surface 10A of the array substrate 10 or the first main surface 20A of the counter substrate 20. It is totally reflected at the first main surface 20A of the.

図5に示すように、アレイ基板10及び対向基板20の内部を伝播した光源光Lは、散乱状態となっている液晶がある画素Pixで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光68、68Aがそれぞれ対向基板20の第1主面20A、アレイ基板10の第1主面10Aから外部に放射される。対向基板20の第1主面20A、アレイ基板10の第1主面10Aからそれぞれ外部に放射された放射光68、68Aは、観察者に観察される。以下、図7から図9を用いて、散乱状態となっている高分子分散型液晶と、非散乱状態の高分子分散型液晶とについて説明する。 As shown in FIG. 5, the light source light L propagated inside the array substrate 10 and the counter substrate 20 is scattered by a pixel Pix where the liquid crystal is in a scattered state, and the incident angle of the scattered light is smaller than the critical angle. The radiated lights 68 and 68A are radiated to the outside from the first main surface 20A of the counter substrate 20 and the first main surface 10A of the array substrate 10, respectively, at an angle. The radiation lights 68 and 68A emitted to the outside from the first main surface 20A of the counter substrate 20 and the first main surface 10A of the array substrate 10, respectively, are observed by an observer. The polymer-dispersed liquid crystal in a scattering state and the polymer-dispersed liquid crystal in a non-scattering state will be described below with reference to FIGS. 7 to 9.

図7に示すように、アレイ基板10には、第1配向膜AL1が設けられている。対向基板20には、第2配向膜AL2が設けられている。第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2は、例えば、垂直配向膜である。 As shown in FIG. 7, the array substrate 10 is provided with a first alignment film AL1. A second alignment film AL2 is provided on the counter substrate 20. The first alignment film AL1 and the second alignment film AL2 are, for example, vertical alignment films.

液晶とモノマーを含む溶液がアレイ基板10と対向基板20との間に封入されている。次に、モノマー及び液晶を第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2によって配向させた状態で、紫外線又は熱によってモノマーを重合させ、バルク51を形成する。これにより、網目状に形成された高分子のネットワークの隙間に液晶が分散されたリバースモードの高分子分散型液晶LCを有する液晶層50が形成される。 A solution containing liquid crystal and monomer is sealed between the array substrate 10 and the counter substrate 20. Next, with the monomers and liquid crystals aligned by the first alignment film AL1 and the second alignment film AL2, the monomers are polymerized by ultraviolet rays or heat to form the bulk 51. As a result, a liquid crystal layer 50 having a reverse mode polymer-dispersed liquid crystal LC in which liquid crystal is dispersed in the gaps of a polymer network formed in a mesh shape is formed.

このように、高分子分散型液晶LCは、高分子によって形成されたバルク51と、バルク51内に分散された複数の微粒子52と、を有する。微粒子52は、液晶によって形成されている。バルク51及び微粒子52は、それぞれ光学異方性を有している。 In this way, the polymer-dispersed liquid crystal LC includes a bulk 51 made of polymer and a plurality of fine particles 52 dispersed within the bulk 51. The fine particles 52 are made of liquid crystal. The bulk 51 and the fine particles 52 each have optical anisotropy.

微粒子52に含まれる液晶の配向は、画素電極PEと共通電極CEとの間の電圧差によって制御される。画素電極PEへの印加電圧により、液晶の配向が変化する。液晶の配向が変化することにより、画素Pixを通過する光の散乱の度合いが変化する。 The orientation of the liquid crystal contained in the fine particles 52 is controlled by the voltage difference between the pixel electrode PE and the common electrode CE. The orientation of the liquid crystal changes depending on the voltage applied to the pixel electrode PE. By changing the orientation of the liquid crystal, the degree of scattering of light passing through the pixel Pix changes.

例えば、図8に示すように、画素電極PEと共通電極CEとの間に電圧が印加されていない状態では、バルク51の光軸Ax1と微粒子52の光軸Ax2の向きは互いに等しい。微粒子52の光軸Ax2は、液晶層50のPZ方向と平行である。バルク51の光軸Ax1は、電圧の有無に関わらず、液晶層50のPZ方向と平行である。 For example, as shown in FIG. 8, when no voltage is applied between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the directions of the optical axis Ax1 of the bulk 51 and the optical axis Ax2 of the fine particles 52 are equal to each other. The optical axis Ax2 of the fine particles 52 is parallel to the PZ direction of the liquid crystal layer 50. The optical axis Ax1 of the bulk 51 is parallel to the PZ direction of the liquid crystal layer 50 regardless of the presence or absence of voltage.

バルク51と微粒子52の常光屈折率は互いに等しい。画素電極PEと共通電極CEとの間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてバルク51と微粒子52との間の屈折率差がゼロになる。液晶層50は、光源光Lを散乱しない非散乱状態となる。光源光Lは、アレイ基板10の第1主面10A及び対向基板20の第1主面20Aで反射しながら、光源3(発光部31)から遠ざかる方向に伝播する。液晶層50が光源光Lを散乱しない非散乱状態であると、アレイ基板10の第1主面10Aから対向基板20の第1主面20A側の背景が視認され、対向基板20の第1主面20Aからアレイ基板10の第1主面10A側の背景が視認される。 The ordinary refractive index of the bulk 51 and the fine particles 52 are equal to each other. When no voltage is applied between the pixel electrode PE and the common electrode CE, the refractive index difference between the bulk 51 and the fine particles 52 becomes zero in all directions. The liquid crystal layer 50 is in a non-scattering state in which it does not scatter the light source light L. The light source light L propagates in a direction away from the light source 3 (light emitting section 31) while being reflected by the first main surface 10A of the array substrate 10 and the first main surface 20A of the counter substrate 20. When the liquid crystal layer 50 is in a non-scattering state in which it does not scatter the light source light L, the background on the first main surface 20A side of the counter substrate 20 is visible from the first main surface 10A of the array substrate 10, and the background on the first main surface 20A side of the counter substrate 20 is visible. The background on the first main surface 10A side of the array substrate 10 is visible from the surface 20A.

図9に示すように、電圧が印加された画素電極PEと共通電極CEとの間では、微粒子52の光軸Ax2は、画素電極PEと共通電極CEとの間に発生する電界によって傾くことになる。バルク51の光軸Ax1は、電界によって変化しないため、バルク51の光軸Ax1と微粒子52の光軸Ax2の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極PEがある画素Pixにおいて、光源光Lが散乱される。上述したように散乱された光源光Lの一部がアレイ基板10の第1主面10A又は対向基板20の第1主面20Aから外部に放射された光は、観察者に観察される。 As shown in FIG. 9, between the pixel electrode PE and the common electrode CE to which a voltage is applied, the optical axis Ax2 of the fine particles 52 is tilted by the electric field generated between the pixel electrode PE and the common electrode CE. Become. Since the optical axis Ax1 of the bulk 51 does not change due to the electric field, the directions of the optical axis Ax1 of the bulk 51 and the optical axis Ax2 of the fine particles 52 are different from each other. The light source light L is scattered in a pixel Pix that has a pixel electrode PE to which a voltage is applied. The light in which a portion of the light source light L scattered as described above is emitted to the outside from the first main surface 10A of the array substrate 10 or the first main surface 20A of the counter substrate 20 is observed by an observer.

電圧が印加されていない画素電極PEがある画素Pixでは、アレイ基板10の第1主面10Aから対向基板20の第1主面20A側の背景が視認され、対向基板20の第1主面20Aからアレイ基板10の第1主面10A側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置1は、画像出力部91から第1入力信号VSが入力されると、画像が表示される画素Pixの画素電極PEに電圧が印加され、第3入力信号VCSAに基づく画像が背景とともに視認される。このように、高分子分散型液晶が散乱状態にあるとき、表示領域において画像が表示される。 In a pixel Pix where there is a pixel electrode PE to which no voltage is applied, the background from the first main surface 10A of the array substrate 10 to the first main surface 20A side of the counter substrate 20 is visible, and the background from the first main surface 20A of the counter substrate 20 is visible. The background on the first principal surface 10A side of the array substrate 10 can be visually recognized. In the display device 1 of this embodiment, when the first input signal VS is input from the image output unit 91, a voltage is applied to the pixel electrode PE of the pixel Pix where an image is displayed, and the third input signal VCSA is The based image is visible with the background. In this way, when the polymer dispersed liquid crystal is in the scattering state, an image is displayed in the display area.

電圧が印加された画素電極PEがある画素Pixにおいて光源光Lが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置1は、放射光68又は放射光68Aと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示する。 In a pixel Pix where a pixel electrode PE to which a voltage is applied is located, the light source light L is scattered and emitted to the outside, and an image displayed is overlapped with the background. In other words, the display device 1 of this embodiment displays an image superimposed on the background by combining the radiation light 68 or radiation light 68A with the background.

図3に示す1垂直走査期間GateScanにおいて、書き込まれた各画素電極PE(図7参照)の電位が、各1垂直走査期間GateScanの後にある第1色の発光期間RON、第2色の発光期間GON及び第3色の発光期間BONの少なくとも1つに保持されている必要がある。書き込まれた各画素電極PE(図7参照)の電位が、各1垂直走査期間GateScanの後にある第1色の発光期間RON、第2色の発光期間GON及び第3色の発光期間BONの少なくとも1つで保持できないと、いわゆるフリッカーなどが生じやすい。言い換えると、走査線の選択時間である1垂直走査期間GateScanを短くし、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動における視認性を高めるためには、第1色の発光期間RON、第2色の発光期間GON及び第3色の発光期間BONのそれぞれで、書き込まれた各画素電極PE(図7参照)の電位を保持しやすくする要望がある。 In one vertical scanning period GateScan shown in FIG. 3, the written potential of each pixel electrode PE (see FIG. 7) is the first color light emission period RON and the second color light emission period after each one vertical scanning period GateScan. It is necessary to hold at least one of GON and the third color light emission period BON. The written potential of each pixel electrode PE (see FIG. 7) is set to at least one of the first color light emission period RON, second color light emission period GON, and third color light emission period BON after each vertical scanning period GateScan. If it cannot be held in one piece, so-called flicker is likely to occur. In other words, in order to shorten one vertical scanning period GateScan, which is the selection time of the scanning line, and to improve the visibility during driving in the so-called field sequential method, the first color light emission period RON, the second color light emission period GON and There is a desire to easily maintain the written potential of each pixel electrode PE (see FIG. 7) in each of the third color light emission periods BON.

図10は、画素において、走査線、信号線及びスイッチング素子を示す平面図である。図11は、画素において、保持容量層を示す平面図である。図12は、画素において、補助金属層及び開口領域を示す平面図である。図13は、画素において、画素電極を示す平面図である。図14は、画素において、遮光層を示す平面図である。図15は、図14のXV-XV’の断面図である。図16は、図14のXVI-XVI’の断面図である。図17は、図14のXVII-XVII’の断面図である。図18は、周辺領域の断面図である。図1、図2及び図10に示すように、アレイ基板10には、複数の信号線SLと複数の走査線GLとが平面視において格子状に設けられている。言い換えると、アレイ基板10の一方の面には、第1方向PXに間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、第2方向PYに間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、を備える。 FIG. 10 is a plan view showing scanning lines, signal lines, and switching elements in a pixel. FIG. 11 is a plan view showing a storage capacitor layer in a pixel. FIG. 12 is a plan view showing an auxiliary metal layer and an opening area in a pixel. FIG. 13 is a plan view showing a pixel electrode in a pixel. FIG. 14 is a plan view showing a light shielding layer in a pixel. FIG. 15 is a sectional view taken along line XV-XV' in FIG. 14. FIG. 16 is a sectional view taken along line XVI-XVI' in FIG. 14. FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line XVII-XVII' in FIG. FIG. 18 is a cross-sectional view of the peripheral area. As shown in FIGS. 1, 2, and 10, the array substrate 10 is provided with a plurality of signal lines SL and a plurality of scanning lines GL in a lattice shape when viewed from above. In other words, one surface of the array substrate 10 includes a plurality of signal lines arranged at intervals in the first direction PX and a plurality of scanning lines arranged at intervals in the second direction PY.

図10に示すように、隣り合う走査線GLと隣り合う信号線SLとで囲まれる領域が、画素Pixである。画素Pixには、画素電極PEとスイッチング素子Trとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Trは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Trは、走査線GLと電気的に接続されているゲート電極GEと平面視において重畳する半導体層SCを有する。 As shown in FIG. 10, a region surrounded by adjacent scanning lines GL and adjacent signal lines SL is a pixel Pix. The pixel Pix is provided with a pixel electrode PE and a switching element Tr. In this embodiment, the switching element Tr is a bottom gate thin film transistor. The switching element Tr has a semiconductor layer SC that overlaps a gate electrode GE electrically connected to the scanning line GL in a plan view.

図10に示すように、走査線GLは、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。信号線SLは、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。 As shown in FIG. 10, the scanning line GL is a wiring made of metal such as molybdenum (Mo) or aluminum (Al), a laminate thereof, or an alloy thereof. The signal line SL is a wiring made of metal such as aluminum or an alloy.

図10に示すように、半導体層SCは、平面視において、ゲート電極GEからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極GE側から半導体層SCに向かう光源光Lが反射され、半導体層SCに光リークが生じにくくなる。 As shown in FIG. 10, the semiconductor layer SC is provided so as not to protrude from the gate electrode GE in plan view. Thereby, the light source light L directed toward the semiconductor layer SC from the gate electrode GE side is reflected, making it difficult for light leakage to occur in the semiconductor layer SC.

図5及び図10に示すように、光源3から照射された光源光Lは、第2方向PYを入射方向として、入射してくる。光源光Lの入射方向が第2方向PYである場合、半導体層SCの第1方向の長さが、半導体層SCの第1方向PXの長さよりも小さい。これにより、光源光Lの入射方向に交差する方向の長さが小さくなり、光リークの影響が低減する。 As shown in FIGS. 5 and 10, the light source light L emitted from the light source 3 enters with the second direction PY as the incident direction. When the incident direction of the light source light L is the second direction PY, the length of the semiconductor layer SC in the first direction is smaller than the length of the semiconductor layer SC in the first direction PX. This reduces the length in the direction intersecting the incident direction of the light source light L, reducing the influence of light leakage.

図10に示すように、ソース電極SEは、信号線SLと同じ2つの導電体が、信号線SLと同層でかつ信号線と交差する方向に信号線SLから伸びている。これにより、信号線SLと電気的に接続するソース電極SEは、平面視において、半導体層SCの一端部と重畳している。 As shown in FIG. 10, in the source electrode SE, the same two conductors as the signal line SL are in the same layer as the signal line SL and extend from the signal line SL in a direction intersecting the signal line. Thereby, the source electrode SE electrically connected to the signal line SL overlaps with one end portion of the semiconductor layer SC in plan view.

図10に示すように、平面視において、隣り合うソース電極SEの導電体の間の位置には、ドレイン電極DEが設けられている。ドレイン電極DEは、平面視において、半導体層SCと重畳している。ソース電極SE及びドレイン電極DEと重畳しない部分は、スイッチング素子Trのチャネルとして機能する。図13に示すように、ドレイン電極DEと電気的に接続されるコンタクト電極DEAは、コンタクトホールCHで画素電極PEと電気的に接続されている。 As shown in FIG. 10, the drain electrode DE is provided at a position between the conductors of adjacent source electrodes SE in plan view. The drain electrode DE overlaps the semiconductor layer SC in a plan view. A portion that does not overlap with the source electrode SE and drain electrode DE functions as a channel of the switching element Tr. As shown in FIG. 13, the contact electrode DEA, which is electrically connected to the drain electrode DE, is electrically connected to the pixel electrode PE through the contact hole CH.

図15に示すように、アレイ基板10は、例えばガラスで形成された第1透光性基材19を有している。第1透光性基材19は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。 As shown in FIG. 15, the array substrate 10 has a first transparent base material 19 made of glass, for example. The first translucent base material 19 may be a resin such as polyethylene terephthalate as long as it has translucency.

図15に示すように、第1透光性基材19上には、走査線GL(図10参照)及びゲート電極GEが設けられる。 As shown in FIG. 15, a scanning line GL (see FIG. 10) and a gate electrode GE are provided on the first transparent base material 19.

図15に示すように、また、走査線GL及びゲート電極GEを覆って第1絶縁層11が設けられている。第1絶縁層11は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている。 As shown in FIG. 15, a first insulating layer 11 is also provided covering the scanning line GL and the gate electrode GE. The first insulating layer 11 is made of, for example, a transparent inorganic insulating material such as silicon nitride.

第1絶縁層11上には、半導体層SCが積層されている。半導体層SCは、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。同じ断面でみたときに、半導体層SCの長さLscは、半導体層SCに重畳するゲート電極GEの長さLgeよりも小さい。これにより、ゲート電極GEが第1透光性基材19の中を伝搬してくる光Ld1を遮光できる。その結果、実施形態1のスイッチング素子Trは、光リークが低減する。 A semiconductor layer SC is stacked on the first insulating layer 11. The semiconductor layer SC is formed of, for example, amorphous silicon, but may be formed of polysilicon or an oxide semiconductor. When viewed in the same cross section, the length Lsc of the semiconductor layer SC is smaller than the length Lge of the gate electrode GE superimposed on the semiconductor layer SC. Thereby, the gate electrode GE can block the light Ld1 propagating through the first light-transmitting base material 19. As a result, in the switching element Tr of the first embodiment, light leakage is reduced.

第1絶縁層11上には、半導体層SCの一部を覆うソース電極SE及び信号線SLと、半導体層SCの一部を覆うドレイン電極DEとが設けられている。ドレイン電極DEは、信号線SLと同じ材料で形成されている。半導体層SC、信号線SL及びドレイン電極DE上には、第2絶縁層12が設けられている。第2絶縁層12は、例えば、第1絶縁層と同様に、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成される。 A source electrode SE and a signal line SL covering a portion of the semiconductor layer SC, and a drain electrode DE covering a portion of the semiconductor layer SC are provided on the first insulating layer 11. The drain electrode DE is made of the same material as the signal line SL. A second insulating layer 12 is provided on the semiconductor layer SC, the signal line SL, and the drain electrode DE. The second insulating layer 12 is made of, for example, a transparent inorganic insulating material such as silicon nitride, similarly to the first insulating layer.

第2絶縁層12上には、第2絶縁層12の一部を覆う第3絶縁層が形成されている。第3絶縁層13は、例えばアクリル樹脂などの透光性を有する有機絶縁材料により形成されている。第3絶縁層13は、無機系材料によって形成された他の絶縁膜と比べて厚い膜厚を有している。 A third insulating layer covering a portion of the second insulating layer 12 is formed on the second insulating layer 12 . The third insulating layer 13 is made of a translucent organic insulating material such as acrylic resin. The third insulating layer 13 has a thicker thickness than other insulating films made of inorganic materials.

図15、図16及び図17に示すように、第3絶縁層13がある領域と、第3絶縁層13がない領域とがある。図16及び図17に示すように、第3絶縁層13がある領域は、走査線GLの上方及び信号線SLの上方である。第3絶縁層13は、走査線GL及び信号線SLに沿って走査線GL及び信号線SLの上方を覆う格子状になる。また、図15に示すように、第3絶縁層13がある領域は、半導体層SCの上方、つまりスイッチング素子Trの上方にもある。このため、スイッチング素子Tr、走査線GL、信号線SLは保持容量電極ITOから比較的距離をおいて離れることで、保持容量電極ITOからのコモン電位の影響を受けにくくなる。さらに、アレイ基板10において、走査線GLと信号線SLとに囲まれた領域には第3絶縁層13がない領域ができるので、平面視で信号線SL及び走査線GLに重なる絶縁層の厚さよりも絶縁層の厚さが小さい領域ができる。走査線GLと信号線SLとに囲まれた領域では、走査線GLの上方及び信号線SLの上方よりも相対的に、光の透過率が向上し、透光性が向上する。 As shown in FIGS. 15, 16, and 17, there are regions where the third insulating layer 13 is present and regions where the third insulating layer 13 is not present. As shown in FIGS. 16 and 17, the region where the third insulating layer 13 is located is above the scanning line GL and above the signal line SL. The third insulating layer 13 has a lattice shape along the scanning line GL and the signal line SL and covering above the scanning line GL and the signal line SL. Further, as shown in FIG. 15, the region where the third insulating layer 13 is located is also above the semiconductor layer SC, that is, above the switching element Tr. Therefore, the switching element Tr, the scanning line GL, and the signal line SL are separated from the storage capacitor electrode ITO by a relatively long distance, so that they are less susceptible to the influence of the common potential from the storage capacitor electrode ITO. Further, in the array substrate 10, since there is a region where the third insulating layer 13 is not present in the region surrounded by the scanning line GL and the signal line SL, the thickness of the insulating layer overlapping the signal line SL and the scanning line GL in plan view is This creates a region where the thickness of the insulating layer is smaller than the thickness of the insulating layer. In the area surrounded by the scanning line GL and the signal line SL, the light transmittance is relatively improved compared to the area above the scanning line GL and above the signal line SL, and the light transmittance is improved.

図15に示すように、第3絶縁層13上には、金属層TMが設けられている。導電性の金属層TMは、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線である。図12に示すように、金属層TMは、平面視において、信号線SL、走査線GL及びスイッチング素子Trに重なる領域に設けられている。これにより、金属層TMは、格子状となり、金属層TMで囲まれた開口部APができる。 As shown in FIG. 15, a metal layer TM is provided on the third insulating layer 13. The conductive metal layer TM is a wiring made of a metal such as molybdenum (Mo) or aluminum (Al), a laminate thereof, or an alloy thereof. As shown in FIG. 12, the metal layer TM is provided in a region overlapping the signal line SL, scanning line GL, and switching element Tr in plan view. As a result, the metal layer TM has a lattice shape, and an opening AP surrounded by the metal layer TM is formed.

図15に示すように、第3絶縁層13上及び金属層TM上には、保持容量電極IOが設けられている。保持容量電極IOは、ITO(Indium Tin Oxide)などの透光性導電材料によって形成されている。保持容量電極IOは、第3透光性電極ともいう。図11に示すように、保持容量電極IOは、走査線GLと信号線SLとに囲まれた領域に透光性導電材料がない領域IOXを有する。保持容量電極IOは、隣り合う画素Pixに跨がって、複数の画素Pixに渡って設けられている。保持容量電極IOは、透光性導電材料がある領域が走査線GL又は信号線SLに重なり、隣の画素Pixに延びている。 As shown in FIG. 15, a storage capacitor electrode IO is provided on the third insulating layer 13 and the metal layer TM. The storage capacitor electrode IO is formed of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide). The storage capacitor electrode IO is also referred to as a third transparent electrode. As shown in FIG. 11, the storage capacitor electrode IO has a region IOX in which there is no transparent conductive material in a region surrounded by the scanning line GL and the signal line SL. The storage capacitor electrode IO is provided across a plurality of pixels Pix, spanning adjacent pixels Pix. In the storage capacitor electrode IO, a region where the transparent conductive material is located overlaps the scanning line GL or the signal line SL, and extends to the adjacent pixel Pix.

保持容量電極IOは、走査線GL及び信号線SLに沿って走査線GL及び信号線SLの上方を覆う格子状である。これにより、透光性導電材料がない領域IOXと、画素電極PEとの間の保持容量HCが減少するので、透光性導電材料がない領域IOXの大きさにより保持容量HCが調整される。 The storage capacitor electrode IO has a lattice shape along the scanning line GL and the signal line SL and covering above the scanning line GL and the signal line SL. This reduces the storage capacitance HC between the region IOX where there is no transparent conductive material and the pixel electrode PE, so the storage capacitance HC is adjusted by the size of the region IOX where there is no transparent conductive material.

図12に示すように、走査線GLと信号線SLとに接続されたスイッチング素子Trが設けられ、少なくともスイッチング素子Trは、有機絶縁層である第3絶縁層13で覆われており、第3絶縁層13の上方にはスイッチング素子Trよりも大きな面積の金属層TMがある。これにより、スイッチング素子Trの光リークを抑制することができる。 As shown in FIG. 12, a switching element Tr connected to the scanning line GL and the signal line SL is provided, and at least the switching element Tr is covered with a third insulating layer 13 which is an organic insulating layer. Above the insulating layer 13, there is a metal layer TM having a larger area than the switching element Tr. Thereby, light leakage from the switching element Tr can be suppressed.

金属層TMは、保持容量電極IOの上にあってもよく、保持容量電極IOと積層されていればよい。金属層TMは、保持容量電極IOよりも電気抵抗が小さい。このため、表示領域AAのうち画素Pixがある位置による保持容量電極IOの電位のばらつきが抑制される。 The metal layer TM may be on the storage capacitor electrode IO, and only needs to be laminated with the storage capacitor electrode IO. The metal layer TM has a lower electrical resistance than the storage capacitor electrode IO. Therefore, variations in the potential of the storage capacitor electrode IO depending on the position of the pixel Pix in the display area AA are suppressed.

図12に示すように、平面視で、信号線SLに重なる金属層TMの幅は、信号線SLの幅よりも大きい。これにより、信号線SLのエッジで反射する反射光を表示パネル2より放出することを抑制する。ここで、金属層TMの幅及び信号線SLの幅は、信号線SLの延在する方向に交差する方向の長さである。また、走査線GLに重なる金属層TMの幅は、走査線GLの幅よりも大きい。ここで、金属層TMの幅及び走査線GLの幅は、走査線GLの延在する方向に交差する方向の長さである。 As shown in FIG. 12, the width of the metal layer TM overlapping the signal line SL is larger than the width of the signal line SL in plan view. This suppresses reflected light reflected at the edge of the signal line SL from being emitted from the display panel 2. Here, the width of the metal layer TM and the width of the signal line SL are lengths in a direction intersecting the direction in which the signal line SL extends. Further, the width of the metal layer TM overlapping the scanning line GL is larger than the width of the scanning line GL. Here, the width of the metal layer TM and the width of the scanning line GL are lengths in a direction intersecting the direction in which the scanning line GL extends.

図15に示すように、保持容量電極IO及び金属層TMの上には、第4絶縁層14が設けられている。第4絶縁層14は、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁材料によって形成されている無機絶縁層である。 As shown in FIG. 15, a fourth insulating layer 14 is provided on the storage capacitor electrode IO and the metal layer TM. The fourth insulating layer 14 is, for example, an inorganic insulating layer formed of a transparent inorganic insulating material such as silicon nitride.

図15に示すように、第4絶縁層14上には、画素電極PEが設けられている。画素電極PEは、ITOなどの透光性導電材料によって形成されている。画素電極PEは、第4絶縁層14及び第3絶縁層13及び第2絶縁層12に設けられたコンタクトホールCHを介してコンタクト電極DEAと電気的に接続されている。図13に示すように、画素電極PEは、画素Pix毎に区画されている。画素電極PEの上には、第1配向膜AL1が設けられている。 As shown in FIG. 15, a pixel electrode PE is provided on the fourth insulating layer 14. The pixel electrode PE is made of a transparent conductive material such as ITO. The pixel electrode PE is electrically connected to the contact electrode DEA through a contact hole CH provided in the fourth insulating layer 14, the third insulating layer 13, and the second insulating layer 12. As shown in FIG. 13, the pixel electrode PE is divided for each pixel Pix. A first alignment film AL1 is provided on the pixel electrode PE.

図15に示すように、対向基板20は、例えばガラスで形成された第2透光性基材29を有している。第2透光性基材29は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第2透光性基材29には、共通電極CEが設けられている。共通電極CEは、ITOなどの透光性導電材料によって形成されている。共通電極CEの表面には、第2配向膜AL2が設けられている。また、対向基板20は、第2透光性基材29と共通電極CEとの間に遮光層LSを有する。遮光層LSは黒色の樹脂又は金属材料で形成されている。また、アレイ基板10と対向基板20との間にスペーサPSが形成され、スペーサPSは共通電極CEと第2配向膜AL2との間にある。 As shown in FIG. 15, the counter substrate 20 has a second light-transmitting base material 29 made of glass, for example. The second translucent base material 29 may be a resin such as polyethylene terephthalate as long as it has translucency. The second transparent base material 29 is provided with a common electrode CE. The common electrode CE is made of a transparent conductive material such as ITO. A second alignment film AL2 is provided on the surface of the common electrode CE. Further, the counter substrate 20 has a light shielding layer LS between the second transparent base material 29 and the common electrode CE. The light shielding layer LS is made of black resin or metal material. Further, a spacer PS is formed between the array substrate 10 and the counter substrate 20, and the spacer PS is between the common electrode CE and the second alignment film AL2.

図12及び図16に示すように、実施形態1の表示装置では、走査線GLと同層の遮光層GSが、信号線SLに沿って延在し、かつ信号線SLの一部と重なる位置に設けられている。遮光層GSは、走査線GLと同じ材料で形成されている。遮光層GSは、走査線GLと信号線SLとが平面視において交差する部分には設けられていない。 As shown in FIGS. 12 and 16, in the display device of Embodiment 1, the light shielding layer GS, which is the same layer as the scanning line GL, extends along the signal line SL and overlaps a part of the signal line SL. It is set in. The light shielding layer GS is made of the same material as the scanning line GL. The light shielding layer GS is not provided at the portion where the scanning line GL and the signal line SL intersect in plan view.

図12に示すように、遮光層GSと、信号線SLとは、コンタクトホールCHGで電気的に接続されている。これにより、信号線SLのみの配線抵抗に比べて、遮光層GS及び信号線SLで構成する配線抵抗が下がる。その結果、信号線SLに供給された階調信号の遅延が抑制される。なお、コンタクトホールCHGがなく、遮光層GSと、信号線SLとが接続されていなくてもよい。 As shown in FIG. 12, the light shielding layer GS and the signal line SL are electrically connected through a contact hole CHG. As a result, the wiring resistance composed of the light shielding layer GS and the signal line SL is lower than the wiring resistance of only the signal line SL. As a result, the delay of the gradation signal supplied to the signal line SL is suppressed. Note that there may be no contact hole CHG, and the light shielding layer GS and signal line SL may not be connected.

図16に示すように、遮光層GSは、信号線SLに対して金属層TMとは反対側に設けられている。遮光層GSの幅は、信号線SLの幅よりも大きく、金属層TMの幅より小さい。遮光層GSの幅、金属層TMの幅及び信号線SLの幅は、信号線SLの延在する方向に交差する方向の長さである。このように、遮光層GSは、信号線SLよりも幅が広くなっているので、信号線SLのエッジで反射する反射光を表示パネル2より放出することを抑制する。その結果、表示装置1において、画像の視認性が向上する。 As shown in FIG. 16, the light shielding layer GS is provided on the opposite side of the metal layer TM with respect to the signal line SL. The width of the light shielding layer GS is larger than the width of the signal line SL and smaller than the width of the metal layer TM. The width of the light shielding layer GS, the width of the metal layer TM, and the width of the signal line SL are lengths in a direction intersecting the direction in which the signal line SL extends. In this way, since the light shielding layer GS is wider than the signal line SL, it suppresses reflected light reflected at the edge of the signal line SL from being emitted from the display panel 2. As a result, the visibility of images in the display device 1 is improved.

図14及び図15に示すように、対向基板20には、遮光層LSが設けられている。遮光層LSは、平面視において、信号線SL、走査線GL及びスイッチング素子Trに重なる領域に格子状に設けられている。 As shown in FIGS. 14 and 15, the counter substrate 20 is provided with a light shielding layer LS. The light shielding layer LS is provided in a grid pattern in a region overlapping the signal line SL, scanning line GL, and switching element Tr in plan view.

図14、図15、図16及び図17に示すように、遮光層LSは、金属層TMよりも大きい幅を有している。これにより、信号線SL、走査線GL及び金属層TMのエッジで反射する反射光を表示パネル2より放出することを抑制する。その結果、表示装置1において、画像の視認性が向上する。 As shown in FIGS. 14, 15, 16, and 17, the light shielding layer LS has a width larger than that of the metal layer TM. This suppresses emission of reflected light reflected from the edges of the signal line SL, scanning line GL, and metal layer TM from the display panel 2. As a result, the visibility of images in the display device 1 is improved.

コンタクトホールCH及びコンタクトホールCHGは、光源光Lが当たると乱反射しやすい。このため、遮光層LSは、平面視において、コンタクトホールCH及びコンタクトホールCHGに重なる領域に設けられている。 When the light source light L hits the contact hole CH and the contact hole CHG, diffuse reflection is likely to occur. Therefore, the light shielding layer LS is provided in a region overlapping the contact hole CH and the contact hole CHG in plan view.

また、遮光層LSが対向基板に形成されることで表示装置1の透明度は多少なりとも下がることになるが、コントラスト及び画像の視認性については向上する。ただし遮光層LSについては表示装置1の高い透明度を重視するため対向基板20から無くすことも可能である。 Furthermore, by forming the light-shielding layer LS on the counter substrate, the transparency of the display device 1 will decrease to some extent, but the contrast and image visibility will improve. However, the light shielding layer LS may be omitted from the counter substrate 20 since high transparency of the display device 1 is important.

図15に示すように、アレイ基板10と対向基板20との間には、スペーサSPが配置され、アレイ基板10と対向基板20との間の距離の均一性を向上する。 As shown in FIG. 15, spacers SP are arranged between the array substrate 10 and the counter substrate 20 to improve the uniformity of the distance between the array substrate 10 and the counter substrate 20.

図18に示すように、周辺領域FRでは、コモン電位配線COMLが引き回されている。コモン電位配線COMLは、例えば第1コモン電位配線COML1と、第2コモン電位配線COML2とを備える。第1コモン電位配線COML1は、導電性の導電部材CPを介して、対向基板20の共通電極CEに電気的に接続している。導電部材CPは導電注(ピラー)でもよく、またAu粒子などの導電粒子が含有されたシール材であってもよい。 As shown in FIG. 18, a common potential wiring COML is routed in the peripheral region FR. The common potential wiring COML includes, for example, a first common potential wiring COML1 and a second common potential wiring COML2. The first common potential wiring COML1 is electrically connected to the common electrode CE of the counter substrate 20 via a conductive member CP. The conductive member CP may be a conductive pillar or a sealing material containing conductive particles such as Au particles.

図18に示すように、周辺領域FRでは、保持容量電極IOが第2コモン電位配線COML2と電気的に接続している。金属層TMは、表示領域AAに配置されている。 As shown in FIG. 18, in the peripheral region FR, the storage capacitor electrode IO is electrically connected to the second common potential wiring COML2. The metal layer TM is arranged in the display area AA.

図19は、実施形態1のスイッチング素子を拡大して示す平面図である。図20は、比較例のスイッチング素子を拡大して示す平面図である。図19及び図20に示すように、ソース電極SEは、第1直線部SEa、第2直線部SEb及び接続部SEcを有している。第1直線部SEaは、第2方向に延びている。第2直線部SEbは、第1直線部SEaとは第1方向に異なる位置に配置され、第2方向に延びている。第1直線部SEaの一端と、第2直線部SEbの一端とは、接続部SEcで電気的に接続されている。これにより、ソース電極SEは、U字状である。ソース電極SEは、馬蹄状ともいう。 FIG. 19 is an enlarged plan view showing the switching element of the first embodiment. FIG. 20 is an enlarged plan view of a switching element of a comparative example. As shown in FIGS. 19 and 20, the source electrode SE has a first straight portion SEa, a second straight portion SEb, and a connection portion SEc. The first straight portion SEa extends in the second direction. The second straight part SEb is arranged at a different position in the first direction from the first straight part SEa, and extends in the second direction. One end of the first straight portion SEa and one end of the second straight portion SEb are electrically connected through a connecting portion SEc. Thereby, the source electrode SE has a U-shape. The source electrode SE is also called a horseshoe shape.

図20に示すように、比較例のスイッチング素子Trにおいて、第1直線部SEaの他端から第2直線部SEbの他端までには、第2方向PYに距離の差がない。画素電極PEと電気的に接続されているドレイン電極DEのコンタクトホールCHは、半導体層SCの第2方向PYに並ぶ位置に配置されると、画素Pixの開口率が大きくなる。しかしながら、上述したように、光源光Lの入射方向が第2方向PYである場合、半導体層SCの第1方向PXの長さが、半導体層SCの第2方向PYの長さよりも小さい。このため、第1直線部SEaの他端と、ドレイン電極DEのコンタクトホールCHとの距離が近くなる。その結果、信号線SLが接続される第1直線部SEaの他端近傍に、スイッチングオフ時のリーク電流が大きくなるホットスポットHPが生じやすくなる。ホットスポットHPは、信号線SL(ソース線)と半導体層SC(アモルファスシリコン)が直交する個所にゲート電極GEが下層にあることにより、電界強度が最も強くなる領域であり、このホットスポットHPでのリーク電流が画素電極PEに流れやすくなってしまう。 As shown in FIG. 20, in the switching element Tr of the comparative example, there is no difference in distance in the second direction PY from the other end of the first straight portion SEa to the other end of the second straight portion SEb. When the contact hole CH of the drain electrode DE electrically connected to the pixel electrode PE is arranged at a position aligned in the second direction PY of the semiconductor layer SC, the aperture ratio of the pixel Pix increases. However, as described above, when the incident direction of the light source light L is the second direction PY, the length of the semiconductor layer SC in the first direction PX is smaller than the length of the semiconductor layer SC in the second direction PY. Therefore, the distance between the other end of the first straight portion SEa and the contact hole CH of the drain electrode DE becomes short. As a result, a hot spot HP where the leakage current increases during switching off is likely to occur near the other end of the first straight portion SEa to which the signal line SL is connected. The hot spot HP is a region where the electric field strength is the strongest because the gate electrode GE is located below the location where the signal line SL (source line) and the semiconductor layer SC (amorphous silicon) intersect at right angles. leakage current tends to flow into the pixel electrode PE.

これに対して、図19に示すように、実施形態1のスイッチング素子Trにおいても、画素電極PEと電気的に接続されているドレイン電極DEのコンタクトホールCHは、半導体層SCの第2方向PYに並ぶ位置に配置される。第1直線部SEaの他端と、信号線SLとは、迂回部SLdを介して接続されている。実施形態1の迂回部SLdは、平面視で、半導体層SCから離れる第1方向へ信号線SLから一度離れるように延びてから、第1直線部SEaの他端へ近づいている。その結果、第1直線部SEaの他端から第2直線部SEbの他端までには、第2方向に距離D1の差があり、第2直線部SEbが第1直線部SEaよりも長くなる。これにより、迂回部SLdが接続される第1直線部SEaの他端近傍に、リーク電流が大きくなるホットスポットHPが生じても、スイッチングオフ時のリーク電流が小さくなる。図19に示す実施形態1のスイッチング素子Trは、図20に示す比較例のスイッチング素子Trに比べ、スイッチングオフ時のリーク電流が小さくなる。 On the other hand, as shown in FIG. 19, also in the switching element Tr of the first embodiment, the contact hole CH of the drain electrode DE electrically connected to the pixel electrode PE is located in the second direction PY of the semiconductor layer SC. are placed in line with. The other end of the first straight portion SEa and the signal line SL are connected via a detour portion SLd. In plan view, the detour portion SLd of the first embodiment extends in a first direction away from the semiconductor layer SC so as to once move away from the signal line SL, and then approaches the other end of the first straight portion SEa. As a result, there is a difference of distance D1 in the second direction from the other end of the first straight part SEa to the other end of the second straight part SEb, and the second straight part SEb is longer than the first straight part SEa. . As a result, even if a hot spot HP where the leakage current becomes large occurs near the other end of the first straight portion SEa to which the detour portion SLd is connected, the leakage current at the time of switching off becomes small. The switching element Tr of the first embodiment shown in FIG. 19 has a smaller leakage current during switching off than the switching element Tr of the comparative example shown in FIG. 20.

以上説明したように、表示装置1は、アレイ基板10と、対向基板20と、液晶層50と、光源3を備える。アレイ基板10は、画素Pix毎に配置された第1透光性電極である複数の画素電極PEを有する。アレイ基板10には、第1方向PXに間隔をおいて並ぶ複数の信号線SLと、第2方向PYに間隔をおいて並ぶ複数の走査線GLと、が設けられている。対向基板20は、平面視で、画素電極PEと重畳する位置に第2透光性電極である共通電極CEを有する。液晶層50は、アレイ基板10と対向基板20との間に封入される高分子分散型液晶LCを有する。光源3の発光部31は、対向基板20の側面に対し、第2方向PYに光を発光する。アレイ基板10及び対向基板20を伝播する光の入射方向は、第2方向である。なお、発光部31は、アレイ基板10の側面に向かって、アレイ基板10及び対向基板20を伝播する光を発光するようにしてもよい。 As described above, the display device 1 includes the array substrate 10, the counter substrate 20, the liquid crystal layer 50, and the light source 3. The array substrate 10 has a plurality of pixel electrodes PE, which are first transparent electrodes, arranged for each pixel Pix. The array substrate 10 is provided with a plurality of signal lines SL arranged at intervals in the first direction PX and a plurality of scanning lines GL arranged at intervals in the second direction PY. The counter substrate 20 has a common electrode CE, which is a second light-transmitting electrode, at a position overlapping the pixel electrode PE in plan view. The liquid crystal layer 50 includes a polymer dispersed liquid crystal LC sealed between the array substrate 10 and the counter substrate 20. The light emitting section 31 of the light source 3 emits light in the second direction PY toward the side surface of the counter substrate 20. The incident direction of light propagating through the array substrate 10 and the counter substrate 20 is the second direction. Note that the light emitting section 31 may emit light that propagates through the array substrate 10 and the counter substrate 20 toward the side surface of the array substrate 10.

スイッチング素子は、画素電極PEとコンタクトホールCHを介して接続されるドレイン電極DEと、ソース電極SEと、走査線GLと電気的に接続されたゲート電極GEとを有している。ソース電極SEは、第2方向PYに延びる第1直線部SEaと、第1方向PXに間隔をおいて並び、第2方向PYに延びる第2直線部SEbと、第1直線部SEaの一端と第2直線部SEbの一端とを接続する接続部SEcとを有している。そして、ソース電極SEには、第1直線部SEaの他端と、信号線SLとを接続する迂回部SLdがある。第1直線部SEaの他端から第2直線部SEbの他端までには、第2方向PYに距離D1の差ができるため、第1直線部SEaは、第2直線部SEbよりも短い。これにより、迂回部SLdが接続される第1直線部SEaの他端近傍に、リーク電流が大きくなるホットスポットHPが生じても、スイッチングオフ時のリーク電流が小さくなる。 The switching element has a drain electrode DE connected to the pixel electrode PE via a contact hole CH, a source electrode SE, and a gate electrode GE electrically connected to the scanning line GL. The source electrode SE includes a first straight portion SEa extending in the second direction PY, a second straight portion SEb arranged at intervals in the first direction PX and extending in the second direction PY, and one end of the first straight portion SEa. It has a connecting portion SEc that connects to one end of the second straight portion SEb. The source electrode SE has a detour portion SLd that connects the other end of the first straight portion SEa and the signal line SL. Since there is a distance D1 difference in the second direction PY from the other end of the first straight part SEa to the other end of the second straight part SEb, the first straight part SEa is shorter than the second straight part SEb. As a result, even if a hot spot HP where the leakage current becomes large occurs near the other end of the first straight portion SEa to which the detour portion SLd is connected, the leakage current at the time of switching off becomes small.

アレイ基板10には、少なくともスイッチング素子Trを覆う有機絶縁層である第3絶縁層13と、第3絶縁層13の上方に重畳して設けられ、スイッチング素子Trよりも大きな面積の金属層TMとがある。走査線GLと信号線SLとに囲まれた領域には、平面視で走査線GL及び信号線SLに重なる第3絶縁層13の厚さよりも厚さが小さい領域がある。このため、平面視でスイッチング素子Trよりも光源3に近い側にある第3絶縁層13の厚みが変化する斜面ができる。図5及び図20に示すように、光源3から照射された光源光Lは、第2方向PYを入射方向として、入射してくる。上述した斜面は、図15に示すように、光源光Lのうち光Luが入射する側の第3絶縁層13の第1斜面13Fと、光Luが入射する側とは反対側の第3絶縁層13の第2斜面13Rとを含む。図15に示すように、光Luが入射する側の第3絶縁層13の第1斜面13Fは、金属層TMtで覆われている。ここで、金属層TMtは、金属層TMと同じ材料で形成され、金属層TMが延在して形成されたテーパー状の部分である。 The array substrate 10 includes a third insulating layer 13 that is an organic insulating layer that covers at least the switching element Tr, a metal layer TM that is provided in an overlapping manner above the third insulating layer 13, and has a larger area than the switching element Tr. There is. In the region surrounded by the scanning line GL and the signal line SL, there is a region whose thickness is smaller than the thickness of the third insulating layer 13 that overlaps the scanning line GL and the signal line SL in a plan view. Therefore, a slope is formed in which the thickness of the third insulating layer 13 on the side closer to the light source 3 than the switching element Tr changes in plan view. As shown in FIGS. 5 and 20, the light source light L emitted from the light source 3 enters with the second direction PY as the incident direction. As shown in FIG. 15, the above-mentioned slopes include the first slope 13F of the third insulating layer 13 on the side where the light Lu of the light source light L is incident, and the third insulating layer 13F on the side opposite to the side where the light Lu is incident. and a second slope 13R of the layer 13. As shown in FIG. 15, the first slope 13F of the third insulating layer 13 on the side where the light Lu enters is covered with a metal layer TMt. Here, the metal layer TMt is formed of the same material as the metal layer TM, and is a tapered portion formed by extending the metal layer TM.

図15に示すように、入射方向には、光Luが到達する。光Luは、スイッチング素子Trよりも光源3に近い側から到達する光源光Lの一部の光である。ここで、金属層TMtは、光Luを遮光するので、光リークが低減される。 As shown in FIG. 15, the light Lu arrives in the incident direction. The light Lu is part of the light source light L that reaches from the side closer to the light source 3 than the switching element Tr. Here, since the metal layer TMt blocks the light Lu, light leakage is reduced.

第2斜面13Rが金属層TMに覆われ、アレイ基板10から対向基板20の背景が視認される場合、観察者が見る光Ld2が第2斜面13Rを覆う金属層TMに反射し、反射光が観察者に視認されてしまう可能性がある。実施形態1において、第2斜面13Rを覆う金属層TMがない。このため、実施形態1の表示装置では、観察者の視認を妨げる反射光が低減される。 When the second slope 13R is covered with a metal layer TM and the background of the counter substrate 20 is visible from the array substrate 10, the light Ld2 seen by the observer is reflected on the metal layer TM covering the second slope 13R, and the reflected light is It may be visible to the observer. In the first embodiment, there is no metal layer TM covering the second slope 13R. Therefore, in the display device of Embodiment 1, reflected light that hinders visual recognition by an observer is reduced.

(実施形態2)
図21は、実施形態2のスイッチング素子を拡大して示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Embodiment 2)
FIG. 21 is an enlarged plan view showing the switching element of the second embodiment. Components that are the same as those described in the present embodiment described above are given the same reference numerals and redundant explanations will be omitted.

図21に示すように、実施形態2のスイッチング素子Trにおいても、画素電極PEと電気的に接続されているドレイン電極DEのコンタクトホールCHは、半導体層SCの第2方向PYに並ぶ位置に配置される。第1直線部SEaの他端と、信号線SLとは、迂回部SLdを介して接続されている。 As shown in FIG. 21, also in the switching element Tr of Embodiment 2, the contact holes CH of the drain electrode DE electrically connected to the pixel electrode PE are arranged at positions lined up in the second direction PY of the semiconductor layer SC. be done. The other end of the first straight portion SEa and the signal line SL are connected via a detour portion SLd.

実施形態2の迂回部SLdは、第1導電配線SLd1と、第2導電配線SLd2と、第3導電配線SLd3とが電気的に接続されている。第3導電配線SLd3は、平面視で、信号線SLと電気的に接続され、半導体層SCから離れる第1方向へ延びている。より具体的には第3導電配線SLd3は第1方向PXまたは第2方向PYから斜めの方向へ半導体SCから離れるように伸びている。第2導電配線SLd2は、第3導電配線SLd3と電気的に接続し、第3導電配線SLd3から第2方向PYに延びる。第1導電配線SLd1は、第2導電配線SLd2と電気的に接続し、第2導電配線SLd2から第1直線部SEaの他端へ近づくように延びている。より具体的には第1導電配線SLd1は第1方向PX及び第2方向PYから斜めの方向へ第1直線部SEaの他端へ近づくように伸びている。なお、第2導電配線SLd2がなくてもよく、第1導電配線SLd1は、第3導電配線SLd3と電気的に接続し、第3導電配線SLd3から第1直線部SEaの他端へ近づくように延びるようにしてもよい。この場合平面視において第1導電配線SLd1と第3導電配線SLd3でV字形状を成す。第1直線部SEaの他端から第2直線部SEbの他端までには、第2方向PYに距離D1の差があり、第2直線部SEbが第1直線部SEaよりも長くなる。これにより、迂回部SLdが接続される第1直線部SEaの他端近傍に、リーク電流が大きくなるホットスポットHPが生じても、スイッチングオフ時のリーク電流が小さくなる。図21に示す実施形態2のスイッチング素子Trは、図20に示す比較例のスイッチング素子Trに比べ、スイッチングオフ時のリーク電流が小さくなる。 In the detour portion SLd of the second embodiment, the first conductive wiring SLd1, the second conductive wiring SLd2, and the third conductive wiring SLd3 are electrically connected. The third conductive wiring SLd3 is electrically connected to the signal line SL in plan view and extends in the first direction away from the semiconductor layer SC. More specifically, the third conductive wiring SLd3 extends in an oblique direction away from the semiconductor SC from the first direction PX or the second direction PY. The second conductive wiring SLd2 is electrically connected to the third conductive wiring SLd3 and extends from the third conductive wiring SLd3 in the second direction PY. The first conductive wiring SLd1 is electrically connected to the second conductive wiring SLd2, and extends from the second conductive wiring SLd2 toward the other end of the first straight portion SEa. More specifically, the first conductive wiring SLd1 extends in an oblique direction from the first direction PX and the second direction PY so as to approach the other end of the first straight portion SEa. Note that the second conductive wiring SLd2 may not be provided, and the first conductive wiring SLd1 is electrically connected to the third conductive wiring SLd3 so that it approaches the other end of the first straight portion SEa from the third conductive wiring SLd3. It may be made to extend. In this case, the first conductive wiring SLd1 and the third conductive wiring SLd3 form a V-shape in plan view. There is a distance D1 difference in the second direction PY from the other end of the first straight portion SEa to the other end of the second straight portion SEb, and the second straight portion SEb is longer than the first straight portion SEa. As a result, even if a hot spot HP where the leakage current becomes large occurs near the other end of the first straight portion SEa to which the detour portion SLd is connected, the leakage current at the time of switching off becomes small. The switching element Tr of the second embodiment shown in FIG. 21 has a smaller leakage current during switching off than the switching element Tr of the comparative example shown in FIG. 20.

第1導電配線SLd1は、第2方向PYとなす第1角度α1を有するように延びている。第1角度α1は、例えば45°である。光源光Lは、図15に示す金属層TMt及び金属層TMで遮光されず、第1導電配線SLd1にあたり、反射光が生じやすい。第1導電配線SLd1が、第2方向PYに対して斜めに延びていると、第1導電配線SLd1のエッジで光源光Lが第2方向PYとは異なる方向に反射され目立ちにくい。第1角度α1は、鋭角であり、望ましくは、30°以上85°以下であると、光源光Lが迂回部SLdで反射する反射光が目立ちにくい。第1角度α1は、45°以上60°以下であると、光源光Lが迂回部SLdで反射する反射光がより目立ちにくい。また迂回部SLdは上述のような形状に限らず、円弧形状であってもよい。 The first conductive wiring SLd1 extends so as to have a first angle α1 with the second direction PY. The first angle α1 is, for example, 45°. The light source light L is not blocked by the metal layer TMt and the metal layer TM shown in FIG. 15, and hits the first conductive wiring SLd1, so that reflected light is likely to occur. When the first conductive wiring SLd1 extends diagonally with respect to the second direction PY, the light source light L is reflected at the edge of the first conductive wiring SLd1 in a direction different from the second direction PY, making it less noticeable. The first angle α1 is an acute angle, and is preferably 30° or more and 85° or less, so that the reflected light from the light source light L reflected at the detour portion SLd is less noticeable. When the first angle α1 is greater than or equal to 45° and less than or equal to 60°, reflected light from the light source light L reflected at the detour portion SLd becomes less noticeable. Further, the detour portion SLd is not limited to the above-mentioned shape, but may be an arcuate shape.

(実施形態3)
図22は、実施形態3のスイッチング素子を拡大して示す平面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Embodiment 3)
FIG. 22 is an enlarged plan view showing the switching element of the third embodiment. Components that are the same as those described in the present embodiment described above are given the same reference numerals and redundant explanations will be omitted.

図22に示すように、第1導電配線SLd1の第1辺が第2方向PYと第1角度α1をなし、第1導電配線SLd1の第2辺が第2方向PYと第2角度α2をなしている。第1導電配線SLd1の第1辺が光源3に近い側にある。第1導電配線SLd1の第2辺が光源3から遠い側にある。第1導電配線SLd1の第1辺の延びる方向は、第2方向PYに対して斜めに延びている。光源光Lは、図15に示す金属層TMt及び金属層TMで遮光されず、第1導電配線SLd1の第1辺にあたり、反射光が生じやすい。第1導電配線SLd1の第1辺が第2方向PYと第1角度α1をなしていると、第1導電配線SLd1の第1辺で光源光Lが第2方向PYとは異なる方向に反射され目立ちにくい。第1角度α1は、鋭角であり、望ましくは、30°以上85°以下であると、光源光Lが迂回部SLdで反射する反射光が目立ちにくい。第1角度α1は、45°以上60°以下であると、光源光Lが迂回部SLdで反射する反射光がより目立ちにくい。 As shown in FIG. 22, the first side of the first conductive wiring SLd1 forms a first angle α1 with the second direction PY, and the second side of the first conductive wiring SLd1 forms a second angle α2 with the second direction PY. ing. The first side of the first conductive wiring SLd1 is on the side closer to the light source 3. The second side of the first conductive wiring SLd1 is on the far side from the light source 3. The direction in which the first side of the first conductive wiring SLd1 extends is oblique to the second direction PY. The light source light L is not blocked by the metal layer TMt and the metal layer TM shown in FIG. 15, and hits the first side of the first conductive wiring SLd1, so that reflected light is likely to occur. When the first side of the first conductive wiring SLd1 forms a first angle α1 with the second direction PY, the light source light L is reflected at the first side of the first conductive wiring SLd1 in a direction different from the second direction PY. Hard to stand out. The first angle α1 is an acute angle, and is preferably 30° or more and 85° or less, so that the reflected light from the light source light L reflected at the detour portion SLd is less noticeable. When the first angle α1 is greater than or equal to 45° and less than or equal to 60°, reflected light from the light source light L reflected at the detour portion SLd becomes less noticeable.

第2角度α2は、第1角度α1よりも大きい。これにより、第1導電配線SLd1の幅が、第1直線部SEaに近づくにつれて大きくなり、迂回部SLdの配線抵抗が低減される。 The second angle α2 is larger than the first angle α1. Thereby, the width of the first conductive wiring SLd1 increases as it approaches the first straight portion SEa, and the wiring resistance of the detour portion SLd is reduced.

実施形態3においても第1直線部SEaの他端から第2直線部SEbの他端までには、第2方向PYに距離D1の差があり、第2直線部SEbが第1直線部SEaよりも長くなる。これにより、迂回部SLdが接続される第1直線部SEaの他端近傍に、リーク電流が大きくなるホットスポットHPが生じても、スイッチングオフ時のリーク電流が小さくなる。 In the third embodiment as well, there is a difference of distance D1 in the second direction PY from the other end of the first straight part SEa to the other end of the second straight part SEb, and the second straight part SEb is longer than the first straight part SEa. is also longer. Thereby, even if a hot spot HP where the leakage current becomes large occurs near the other end of the first straight portion SEa to which the detour portion SLd is connected, the leakage current at the time of switching off becomes small.

(変形例)
実施形態1から3について、スイッチング素子Trがボトムゲート型であるとして説明を行ったが、上述しているようにスイッチング素子Trは、ボトムゲート構造に限らずトップゲート型であってもよい。スイッチング素子Trがトップゲート型であれば、図15の絶縁膜積層構造を参考に説明すると、半導体層SCは第1透光性基材19と第1絶縁層その間に配置され、ゲート電極GEは第1絶縁層11と第2絶縁層12との間に配置され、ソース電極SE及びコンタクト電極DEAは第2絶縁層12と第3絶縁層13との間に形成される構造となる。
(Modified example)
Embodiments 1 to 3 have been described assuming that the switching element Tr is of the bottom gate type, but as described above, the switching element Tr is not limited to the bottom gate structure but may be of the top gate type. If the switching element Tr is a top gate type, the semiconductor layer SC is arranged between the first light-transmitting base material 19 and the first insulating layer, and the gate electrode GE is The source electrode SE and the contact electrode DEA are arranged between the first insulating layer 11 and the second insulating layer 12, and the source electrode SE and the contact electrode DEA are formed between the second insulating layer 12 and the third insulating layer 13.

さらに、コモン電位については、直流電圧が供給される、つまり一定のコモン電位であってもよく、また交流電圧が共有される、つまり上限値と下限値の2つを有するコモン電位であってもよい。コモン電位が直流であっても交流であっても保持容量電極IO及び共通電極CEには共通の電位が供給される。 Furthermore, regarding the common potential, it may be a common potential that is supplied with a DC voltage, that is, a constant common potential, or a common potential that is shared with an AC voltage, that is, a common potential that has two upper and lower limits. good. Regardless of whether the common potential is direct current or alternating current, a common potential is supplied to the storage capacitor electrode IO and the common electrode CE.

また、格子状の有機絶縁膜である第3絶縁層13については、格子状の内側の第3絶縁層13が完全に除去され下層の第2絶縁層12や保持容量電極IOを露出する構造を開示しているが、これに限られない。例えば、複数の信号線SLと複数の走査線GLとで囲まれる格子状領域の内側については、ハーフトーン露光で第3絶縁層13の膜厚の一部を薄く残す構造であってもよい。これにより、第3絶縁層13は、複数の信号線SLと複数の走査線GLとで囲まれる格子状領域よりも、格子状領域の内側の膜厚が薄くなる。 Furthermore, regarding the third insulating layer 13 which is a lattice-shaped organic insulating film, the structure is such that the third insulating layer 13 inside the lattice-like structure is completely removed and the underlying second insulating layer 12 and the storage capacitor electrode IO are exposed. Although disclosed, it is not limited to this. For example, a structure may be employed in which a part of the thickness of the third insulating layer 13 is left thin by halftone exposure on the inside of the lattice-shaped region surrounded by the plurality of signal lines SL and the plurality of scanning lines GL. As a result, the third insulating layer 13 has a thinner film thickness inside the lattice area than the lattice area surrounded by the plurality of signal lines SL and the plurality of scanning lines GL.

以上、好適な実施の形態を説明したが、本開示はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本開示の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本開示の技術的範囲に属する。 Although preferred embodiments have been described above, the present disclosure is not limited to such embodiments. The contents disclosed in the embodiments are merely examples, and various changes can be made without departing from the spirit of the present disclosure. Appropriate changes made without departing from the spirit of the present disclosure also naturally fall within the technical scope of the present disclosure.

1 表示装置
2 表示パネル
3 光源
4 駆動回路
9 上位制御部
10 アレイ基板
13F 第1斜面
13R 第2斜面
18 封止部
20 対向基板
AA 表示領域
AP 開口部
CE 共通電極
CH コンタクトホール
CP 導電部材
D1 距離
DE ドレイン電極
DEA コンタクト電極
FR 周辺領域
GE ゲート電極
GL 走査線
GS 遮光層
HC 保持容量
HP ホットスポット
IO 保持容量電極
ITO 保持容量電極
L 光源光
LC 高分子分散型液晶
LS 遮光層
Ld1、Ld2、Lu 光
PE 画素電極
PX 第1方向
PY 第2方向
PZ 第3方向
SC 半導体層
SE ソース電極
SEa 第1直線部
SEb 第2直線部
SEc 接続部
SL 信号線
SLd 迂回部
SLd1 第1導電配線
SLd2 第2導電配線
SLd3 第3導電配線
TM、TMt 金属層
Tr スイッチング素子
α1 第1角度
α2 第2角度
1 Display device 2 Display panel 3 Light source 4 Drive circuit 9 Upper control unit 10 Array substrate 13F First slope 13R Second slope 18 Sealing part 20 Counter substrate AA Display area AP Opening CE Common electrode CH Contact hole CP Conductive member D1 Distance DE Drain electrode DEA Contact electrode FR Peripheral region GE Gate electrode GL Scanning line GS Light shielding layer HC Holding capacitor HP Hot spot IO Holding capacitor electrode ITO Holding capacitor electrode L Light source light LC Polymer dispersed liquid crystal LS Light blocking layer Ld1, Ld2, Lu Light PE Pixel electrode PX First direction PY Second direction PZ Third direction SC Semiconductor layer SE Source electrode SEa First straight section SEb Second straight section SEc Connection section SL Signal line SLd Detour section SLd1 First conductive wiring SLd2 Second conductive wiring SLd3 Third conductive wiring TM, TMt Metal layer Tr Switching element α1 First angle α2 Second angle

Claims (9)

アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、
前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、
前記アレイ基板は、
第1方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、
第2方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、を有し、
前記スイッチング素子は、
画素電極とコンタクトホールを介して接続されるドレイン電極と、
ソース電極と、
前記走査線と電気的に接続されたゲート電極と、
前記ゲート電極と平面視において重畳する半導体層と、を有し、
前記ソース電極は、
前記第2方向に延びる第1直線部と、
前記第1直線部に対して前記第1方向に間隔をおいて並び、前記第2方向に延びる第2直線部と、
前記第1直線部の一端と前記第2直線部の一端とを接続する接続部とを有し、
前記第1直線部の他端と、前記信号線とを接続する迂回部を有し、
平面視において前記ドレイン電極が前記第1直線部と前記第2直線部との間に配置され、
前記迂回部は、
前記第1直線部の他端へ近づくように延び、前記第1直線部の他端近傍と接続される第1導電配線と、前記第2方向に延びて前記第1導電配線に接続する第2導電配線と、を有し、
前記第1導電配線が、前記第2導電配線に接続する位置から、前記第1直線部の他端へ近づくように延びる方向のうち、前記第1方向の成分が前記半導体に近づく方向であり、
平面視において前記第1導電配線を前記半導体層の縁が横切り、
前記第1導電配線の前記光源に近い側にある第1辺は、前記第2方向に対して斜めに延びており、
前記第1辺と、前記第2方向とがなす第1角度は、鋭角であり、
前記第1導電配線の前記光源から遠い側にある第2辺と、前記第2方向とがなす第2角度は、前記第1角度よりも大きい、
表示装置。
an array board;
a counter substrate;
a liquid crystal layer between the array substrate and the counter substrate;
a light source arranged so that light enters a side surface of the array substrate or a side surface of the counter substrate,
The array substrate is
a plurality of signal lines lined up at intervals in a first direction;
a plurality of scanning lines lined up at intervals in a second direction;
a switching element connected to the scanning line and the signal line,
The switching element is
a drain electrode connected to the pixel electrode via a contact hole;
a source electrode;
a gate electrode electrically connected to the scanning line;
a semiconductor layer that overlaps the gate electrode in plan view;
The source electrode is
a first straight portion extending in the second direction;
a second linear part arranged at intervals in the first direction with respect to the first linear part and extending in the second direction;
a connecting part connecting one end of the first straight part and one end of the second straight part,
a detour portion connecting the other end of the first straight portion and the signal line;
The drain electrode is arranged between the first linear part and the second linear part in a plan view,
The detour section is
a first conductive wire that extends toward the other end of the first straight portion and is connected to the vicinity of the other end of the first straight portion; and a second conductive wire that extends in the second direction and connects to the first conductive wire. having a conductive wiring;
Among the directions in which the first conductive wiring extends from a position where it connects to the second conductive wiring to approach the other end of the first straight portion, a component in the first direction is a direction that approaches the semiconductor,
An edge of the semiconductor layer crosses the first conductive wiring in a plan view,
A first side of the first conductive wiring closer to the light source extends obliquely to the second direction,
The first angle formed by the first side and the second direction is an acute angle,
A second angle formed by a second side of the first conductive wiring on a side farther from the light source and the second direction is larger than the first angle.
Display device.
アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間において、前記対向基板の一方の側面から他方の側面に向かって光が伝播するように発光する光源と、を備え、
前記アレイ基板は、
第1方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、
第2方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、を有し、
前記スイッチング素子は、
画素電極とコンタクトホールを介して接続されるドレイン電極と、
ソース電極と、
前記走査線と電気的に接続されたゲート電極と、
前記ゲート電極と平面視において重畳する半導体層と、を有し、
前記ソース電極は、
前記第2方向に延びる第1直線部と、
前記第1直線部に対して前記第1方向に間隔をおいて並び、前記第2方向に延びる第2直線部と、
前記第1直線部の一端と前記第2直線部の一端とを接続する接続部とを有し、
前記第1直線部の他端と、前記信号線とを接続する迂回部を有し、
平面視において前記ドレイン電極が前記第1直線部と前記第2直線部との間に配置され、
前記迂回部は、
前記第1直線部の他端へ近づくように延び、前記第1直線部の他端近傍と接続される第1導電配線と、前記第2方向に延びて前記第1導電配線に接続する第2導電配線と、を有し、
前記第1導電配線が、前記第2導電配線に接続する位置から、前記第1直線部の他端へ近づくように延びる方向のうち、前記第1方向の成分が前記半導体に近づく方向であり、
平面視において前記第1導電配線を前記半導体層の縁が横切り、
前記第1導電配線の前記光源に近い側にある第1辺は、前記第2方向に対して斜めに延びており、
前記第1辺と、前記第2方向とがなす第1角度は、鋭角であり、
前記第1導電配線の前記光源から遠い側にある第2辺と、前記第2方向とがなす第2角度は、前記第1角度よりも大きい、
表示装置。
an array board;
a counter substrate;
a liquid crystal layer between the array substrate and the counter substrate;
between the array substrate and the counter substrate, a light source that emits light so that the light propagates from one side of the counter substrate toward the other side;
The array substrate is
a plurality of signal lines lined up at intervals in a first direction;
a plurality of scanning lines lined up at intervals in a second direction;
a switching element connected to the scanning line and the signal line,
The switching element is
a drain electrode connected to the pixel electrode via a contact hole;
a source electrode;
a gate electrode electrically connected to the scanning line;
a semiconductor layer that overlaps the gate electrode in plan view;
The source electrode is
a first straight portion extending in the second direction;
a second linear part arranged at intervals in the first direction with respect to the first linear part and extending in the second direction;
a connecting part connecting one end of the first straight part and one end of the second straight part,
a detour portion connecting the other end of the first straight portion and the signal line;
The drain electrode is arranged between the first linear part and the second linear part in a plan view,
The detour section is
a first conductive wire that extends toward the other end of the first straight portion and is connected to the vicinity of the other end of the first straight portion; and a second conductive wire that extends in the second direction and connects to the first conductive wire. having a conductive wiring;
Among the directions in which the first conductive wiring extends from a position where it connects to the second conductive wiring toward the other end of the first straight portion, a component in the first direction is a direction that approaches the semiconductor;
An edge of the semiconductor layer crosses the first conductive wiring in a plan view,
A first side of the first conductive wiring closer to the light source extends obliquely to the second direction,
The first angle formed by the first side and the second direction is an acute angle,
A second angle formed by a second side of the first conductive wiring on a side farther from the light source and the second direction is larger than the first angle.
Display device.
アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、
前記アレイ基板の側面又は前記対向基板の側面に光が入るように配置される光源と、を備え、
前記アレイ基板は、
第1方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、
第2方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、
少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上方に重畳して設けられた金属層と、を有し、
前記スイッチング素子は、
画素電極とコンタクトホールを介して接続されるドレイン電極と、
ソース電極と、
前記走査線と電気的に接続されたゲート電極と、
前記ゲート電極と平面視において重畳する半導体層と、を有し、
前記ソース電極は、
前記第2方向に延びる第1直線部と、
前記第1直線部に対して前記第1方向に間隔をおいて並び、前記第2方向に延びる第2直線部と、
前記第1直線部の一端と前記第2直線部の一端とを接続する接続部とを有し、
前記第1直線部の他端と、前記信号線とを接続する迂回部を有し、
平面視において前記ドレイン電極が前記第1直線部と前記第2直線部との間に配置され、
前記迂回部は、
前記第1直線部の他端へ近づくように延び、前記第1直線部の他端近傍と接続される第1導電配線と、前記第2方向に延びて前記第1導電配線に接続する第2導電配線と、を有し、
前記第1導電配線が、前記第2導電配線に接続する位置から、前記第1直線部の他端へ近づくように延びる方向のうち、前記第1方向の成分が前記半導体に近づく方向であり、
平面視において前記第1導電配線を前記半導体層の縁が横切り、
前記走査線と前記信号線とに囲まれた領域には、平面視で前記走査線及び前記信号線に重なる前記有機絶縁層の厚さよりも前記有機絶縁層の厚さが小さい領域があり、
前記スイッチング素子よりも前記光源に近い側にある前記有機絶縁層の第1斜面が前記金属層で覆われている、表示装置。
an array board;
a counter substrate;
a liquid crystal layer between the array substrate and the counter substrate;
a light source arranged so that light enters a side surface of the array substrate or a side surface of the counter substrate,
The array substrate is
a plurality of signal lines lined up at intervals in a first direction;
a plurality of scanning lines lined up at intervals in a second direction;
a switching element connected to the scanning line and the signal line;
an organic insulating layer covering at least the switching element;
a metal layer provided in an overlapping manner above the organic insulating layer,
The switching element is
a drain electrode connected to the pixel electrode via a contact hole;
a source electrode;
a gate electrode electrically connected to the scanning line;
a semiconductor layer that overlaps the gate electrode in plan view;
The source electrode is
a first straight portion extending in the second direction;
a second linear part arranged at intervals in the first direction with respect to the first linear part and extending in the second direction;
a connecting part connecting one end of the first straight part and one end of the second straight part,
a detour portion connecting the other end of the first straight portion and the signal line;
The drain electrode is arranged between the first linear part and the second linear part in a plan view,
The detour section is
a first conductive wire that extends toward the other end of the first straight portion and is connected to the vicinity of the other end of the first straight portion; and a second conductive wire that extends in the second direction and connects to the first conductive wire. having a conductive wiring;
Among the directions in which the first conductive wiring extends from a position where it connects to the second conductive wiring toward the other end of the first straight portion, a component in the first direction is a direction that approaches the semiconductor;
An edge of the semiconductor layer crosses the first conductive wiring in a plan view,
In a region surrounded by the scanning line and the signal line, there is a region where the thickness of the organic insulating layer is smaller than the thickness of the organic insulating layer overlapping the scanning line and the signal line in plan view;
A display device, wherein a first slope of the organic insulating layer that is closer to the light source than the switching element is covered with the metal layer.
アレイ基板と、
対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間の液晶層と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間において、前記対向基板の一方の側面から他方の側面に向かって光が伝播するように発光する光源と、を備え、
前記アレイ基板は、
第1方向に間隔をおいて並ぶ複数の信号線と、
第2方向に間隔をおいて並ぶ複数の走査線と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたスイッチング素子と、
少なくとも前記スイッチング素子を覆う有機絶縁層と、
前記有機絶縁層の上方に重畳して設けられた金属層と、を有し、
前記スイッチング素子は、
画素電極とコンタクトホールを介して接続されるドレイン電極と、
ソース電極と、
前記走査線と電気的に接続されたゲート電極と、
前記ゲート電極と平面視において重畳する半導体層と、を有し、
前記ソース電極は、
前記第2方向に延びる第1直線部と、
前記第1直線部に対して前記第1方向に間隔をおいて並び、前記第2方向に延びる第2直線部と、
前記第1直線部の一端と前記第2直線部の一端とを接続する接続部とを有し、
前記第1直線部の他端と、前記信号線とを接続する迂回部を有し、
平面視において前記ドレイン電極が前記第1直線部と前記第2直線部との間に配置され、
前記迂回部は、
前記第1直線部の他端へ近づくように延び、前記第1直線部の他端近傍と接続される第1導電配線と、前記第2方向に延びて前記第1導電配線に接続する第2導電配線と、を有し、
前記第1導電配線が、前記第2導電配線に接続する位置から、前記第1直線部の他端へ近づくように延びる方向のうち、前記第1方向の成分が前記半導体に近づく方向であり、
平面視において前記第1導電配線を前記半導体層の縁が横切り、
前記走査線と前記信号線とに囲まれた領域には、平面視で前記走査線及び前記信号線に重なる前記有機絶縁層の厚さよりも前記有機絶縁層の厚さが小さい領域があり、
前記スイッチング素子よりも前記光源に近い側にある前記有機絶縁層の第1斜面が前記金属層で覆われている、表示装置。
an array board;
a counter substrate;
a liquid crystal layer between the array substrate and the counter substrate;
between the array substrate and the counter substrate, a light source that emits light so that the light propagates from one side of the counter substrate toward the other side;
The array substrate is
a plurality of signal lines lined up at intervals in a first direction;
a plurality of scanning lines lined up at intervals in a second direction;
a switching element connected to the scanning line and the signal line;
an organic insulating layer covering at least the switching element;
a metal layer provided in an overlapping manner above the organic insulating layer,
The switching element is
a drain electrode connected to the pixel electrode via a contact hole;
a source electrode;
a gate electrode electrically connected to the scanning line;
a semiconductor layer that overlaps the gate electrode in plan view;
The source electrode is
a first straight portion extending in the second direction;
a second linear part arranged at intervals in the first direction with respect to the first linear part and extending in the second direction;
a connecting part connecting one end of the first straight part and one end of the second straight part,
a detour portion connecting the other end of the first straight portion and the signal line;
The drain electrode is arranged between the first linear part and the second linear part in a plan view,
The detour section is
a first conductive wire that extends toward the other end of the first straight portion and is connected to the vicinity of the other end of the first straight portion; and a second conductive wire that extends in the second direction and connects to the first conductive wire. having a conductive wiring;
Among the directions in which the first conductive wiring extends from a position where it connects to the second conductive wiring toward the other end of the first straight portion, a component in the first direction is a direction that approaches the semiconductor;
An edge of the semiconductor layer crosses the first conductive wiring in a plan view,
In a region surrounded by the scanning line and the signal line, there is a region where the thickness of the organic insulating layer is smaller than the thickness of the organic insulating layer overlapping the scanning line and the signal line in plan view;
A display device, wherein a first slope of the organic insulating layer that is closer to the light source than the switching element is covered with the metal layer.
前記スイッチング素子よりも前記光源から遠い側にある前記有機絶縁層の第2斜面が前記金属層で覆われていない、請求項3又は4に記載の表示装置。 5. The display device according to claim 3, wherein a second slope of the organic insulating layer located on a side farther from the light source than the switching element is not covered with the metal layer. 前記第1導電配線の延びる方向は、前記第2方向に対して斜めに延びている、請求項3から5のいずれか1項に記載の表示装置。 6. The display device according to claim 3, wherein the first conductive wiring extends obliquely with respect to the second direction. 前記第1導電配線の延びる方向と、前記第2方向とがなす角度は、鋭角である、請求項6に記載の表示装置。 7. The display device according to claim 6, wherein the angle between the extending direction of the first conductive wiring and the second direction is an acute angle. 前記第1直線部は、前記第2直線部よりも短い、請求項1から7のいずれか1項に記載の表示装置。 The display device according to claim 1 , wherein the first linear portion is shorter than the second linear portion. 前記液晶層は、高分子分散型液晶であり、
前記アレイ基板から前記対向基板の背景が視認され、前記対向基板から前記アレイ基板の背景が視認される、請求項1から8のいずれか1項に記載の表示装置。
The liquid crystal layer is a polymer dispersed liquid crystal,
The display device according to any one of claims 1 to 8, wherein a background of the opposing substrate is visible from the array substrate, and a background of the array substrate is visible from the opposing substrate.
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