JP7096959B1 - 自爪の発育促進方法 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の自爪の手入れ方法では得られない自爪の発育を促進することができる自爪の発育促進方法を提供する。
【解決手段】本発明の自爪の発育促進方法は、消毒処理と、軟質化処理と、消毒処理後及び軟質化処理後においてネイルプレート１とルースキューティクル３との接触部に対してネイルプレート１のフリーエッジ１１側からエポニキウム２の下方までキューティクルプッシャ１０１を押し込むことにより、エポニキウム２の下方においてネイルプレート１の表面からエポニキウム２及びルースキューティクル３を剥離させる剥離処理と、剥離処理後においてエポニキウム２とネイルプレート１との間にできたポケット５からルースキューティクル３を除去する除去処理と、を備えていることを特徴としている。
【選択図】図３

Description

本発明は、自爪の発育促進方法に係り、特に、自爪の発育促進に不要なものを自爪から取り除き、必要なものを補う又は加工することにより自爪を健康に発育させることに好適に利用できる自爪の発育促進方法に関する。

ネイルサロンは、例えば自爪の手入れ（例：爪を切る又は削る、専用器具により爪を矯正する。）やつけ爪の取付など、医療行為に該当しない範囲においてネイルケア・サービスを提供している。

ここで、従来の自爪の手入れ方法は、図６に示すように、手指消毒と、エポニキウム２（別名：甘皮、キューティクル）やルースキューティクル３を軟質化させる軟質化処理と、ネイルプレート１表面の古い表面保護剤（例：トップコート液）を剥がすポリッシュオフと、エメリーボードなどの研磨板を用いてネイルプレート１のフリーエッジ１１及びサイドラインを研磨するファイリングと、図７に示すように金属製のへら状の押込部１０１ａを有するキューティクルプッシャ１０１を用いてエポニキウム２及びルースキューティクル３をネイルルート１２側に押込む剥離処理と、図８に示すようにキューティクルニッパ２０１を用いてエポニキウム２及びルースキューティクル３を切除する除去処理と、を備えている。

特許４９１３６８７号公報

しかしながら、従来の自爪の手入れ方法は、自爪の発育を促進するための方法では、トップコート液などの表面保護剤、マニキュア液のようにカラー剤、つけ爪をつけるための接着剤をネイルプレート１の表面に塗布するための下地作りが主目的であるため、自爪の発育促進を目的とする方法としては好適でないという問題があった。

そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、従来の自爪の手入れ方法では得られない自爪の発育を促進することができる自爪の発育促進方法を提供することを本発明の目的としている。

（１）前述した目的を達成するため、本発明の自爪の発育促進方法は、少なくともエポニキウム、ネイルプレート及びルースキューティクルを消毒する消毒処理と、エポニキウム及びルースキューティクルを軟質化させる軟質化処理と、消毒処理後及び軟質化処理後においてネイルプレートとルースキューティクルとの接触部に対してネイルプレートのフリーエッジ側からエポニキウムの下方までキューティクルプッシャを押し込むことにより、ネイルプレートの表面からエポニキウム及びルースキューティクルを剥離させる剥離処理と、剥離処理後においてエポニキウムとネイルプレートとの間にできたポケットからルースキューティクルを除去する除去処理と、を備えていることを特徴としている。

これにより、本発明の自爪の発育促進方法は、エポニキウムとネイルプレートとの間に存在することによりネイルプレートが伸びる力に反力を与えてしまうルースキューティクルを除去することができる。また、ルースキューティクルを除去する際にエポニキウムを切除しないので、エポニキウムにささくれができることを防止することができると共に、エポニキウムを傷つけることによってそのダメージの再生に利用されるおそれのある栄養分をネイルプレートの発育成分に有効活用することができる。
（２）また、本発明の自爪の発育促進方法は、除去処理においてルースキューティクルを摘出することが好ましい。

これにより、本発明の自爪の発育促進方法は、ルースキューティクルを切除することによってエポニキウムが誤って傷ついてしまうおそれを防止することができる。

（３）また、本発明の自爪の発育促進方法は、除去処理後においてエポニキウムとネイルプレートとの間に乾燥防止剤を塗布する乾燥防止処理と、を更に備えることが好ましい。

これにより、本発明の自爪の発育促進方法は、エポニキウムとネイルプレートとの間からエポニキウムが乾燥し、エポニキウムがささくれなどの損害を負うことによって、ネイルプレートの発育成分がエポニキウムの発育に不必要に利用されるおそれを防止することができる。また、乾燥防止剤がエポニキウムとネイルプレートとの間からネイルマトリックスに浸透することにより、自爪の発育を直接的に促進することができる。

（４）また、本発明の自爪の発育促進方法は、除去処理後において表面保護剤を用いて表面保護剤がエポニキウムとネイルプレートとの間に入り込まないようにネイルプレートの表面を保護する表面保護処理と、を更に備えることが好ましい。

これにより、本発明の自爪の発育促進方法は、表面保護剤がエポニキウムとネイルプレートとの間に入り込むことにより、ネイルプレートが伸びる力に表面保護剤が反力を与えてしまうことを防止することができる。

（５）また、本発明の自爪の発育促進方法は、ネイルプレートの伸び方向を水平方向とし、ネイルプレートの裏側から表側に向かう方向かつ水平方向との直交方向を垂直方向としたとき、フリーエッジの端面の傾斜角がネイルプレートの伸び方向から垂直方向に向かって段階的又は連続的に増加していくようにフリーエッジの端面を段階的又は連続的に研磨するとともにフリーエッジとサイドラインとのつなぎ目を面取りする研磨処理と、を更に備えることが好ましい。

これにより、ネイルプレートの伸び方向に対してフリーエッジの端面が傾斜し、かつ、フリーエッジの厚みが段階的又は連続的に急増するので、フリーエッジの端面の傾斜角が例えば４５度などの一定角の場合と比較して、トッププレートの先端の重みを利用してフリーエッジを垂直方向に大きく湾曲させることができるようになり、ネイルプレートのフリーエッジが爪甲層状分裂症（別名：二枚爪症状）になることを更に防止することができる。

（６）また、本発明の自爪の発育促進方法において、キューティクルプッシャは、最小押込位置から最大押込位置までの押込量が一定となる往復運動を自動で行う自動往復押込器具であることが好ましい。

これにより、キューティクルプッシャがエポニキウムとネイルプレートとの間に所望する押込量以上に押し込まれ、エポニキウム、ネイルフォルド、ネイルルート又はネイルマトリックスが傷つくおそれを防止することができる。

（７）また、本発明の自爪の発育促進方法において、キューティクルプッシャは、ルースキューティクル及びエポニキウムよりも固く、かつ、ネイルプレートよりも柔らかい材料を用いて形成されるへら状の押込部を有することが好ましい。

これにより、キューティクルプッシャが所望する押込力以上にネイルプレートを押し込んでも、ネイルプレートを傷つける前にその押込部が潰れるため、ネイルプレートの一部であるネイルルート又はその下方にあるネイルマトリックスが傷つくおそれを防止することができる。

（８）また、本発明の自爪の発育促進方法において、除去処理においては、ルースキューティクルの除去後７～１４日以内に新たに生成されたルースキューティクルを除去することが好ましい。

これにより、古いルースキューティクルの除去後に生成された新しいルースキューティクルがある程度大きくなってネイルプレートの伸びる力に反力を与えるおそれがある時期にその新しいルースキューティクルを除去することができる。

本発明の自爪の発育促進方法によれば、ネイルプレートが伸びる力に反力を与えてしまうルースキューティクルを除去することができるなどの種々の作用を生じるので、自爪の発育を促進することができるという効果を奏する。

図１は、本実施形態の自爪の発育促進方法における剥離処理方法を示す縦断面図である。当該図における下図は全体図であり、上図は下図で指し示された部分の拡大図である。 図２は、本実施形態のキューティクルプッシャを示す斜視図である。 図３は、本実施形態の自爪の発育促進方法における除去処理方法においてルースキューティクルを剥離した状態を示す縦断面図である。当該図における下図は全体図であり、上図は下図で指し示された部分の拡大図である。 図４は、本実施形態の自爪の発育促進方法における除去処理方法において持ち上げられたエポニキウムがネイルプレート側に自然に降りた状態を示す縦断面図である。当該図における下図は全体図であり、上図は下図で指し示された部分の拡大図である。 図５は、本実施形態の自爪の発育促進方法における研磨処理方法を示す縦断面図である。当該図における下図は全体図であり、上図は下図で指し示された部分の拡大図である。 図６は、自爪に関する各名称を示す語句説明図である。 図７は、従来の自爪の手入れ方法における剥離処理方法を示す縦断面図である。当該図における下図は全体図であり、上図は下図で指し示された部分の拡大図である。 図８は、従来の自爪の手入れ方法における除去処理方法を示す縦断面図である。当該図における下図は全体図であり、上図は下図で指し示された部分の拡大図である。

以下、本実施形態の自爪の発育促進方法を説明する。

［全体］本実施形態の自爪の発育促進方法は、消毒処理と、軟質化処理と、剥離処理と、除去処理と、を備えていることを特徴とする。また、本実施形態の自爪の発育促進方法は、乾燥防止処理と、表面保護処理と、研磨処理と、を更に備えていることが好ましい。

［消毒処理］消毒処理においては、施術者が実施形態の自爪の発育促進方法を施術する依頼者の少なくともエポニキウム、ネイルプレート及びルースキューティクルを消毒する。消毒方法は従来方法と同様である。エポニキウム（別名：甘皮、キューティクル）、ネイルプレート及びルースキューティクルを消毒する理由は、剥離処理や除去処理などの後処理において施術中に菌が指内部に侵入することを防止するためである。

［軟質化処理］軟質化処理においては、施術者が依頼者のエポニキウム及びルースキューティクルを軟質化させる。軟質化処理は従来方法と同様である。エポニキウム、ネイルプレート及びルースキューティクルを軟質化する理由は、施術を容易にするためである。軟質化処理剤の一例としては、専用処理剤や、４０度前後に暖められた水、などが挙げられる。

［剥離処理］図１に示すように、剥離処理においては、施術者が依頼者に対して、消毒処理後及び軟質化処理後においてネイルプレート１とルースキューティクル３との接触部に対してネイルプレート１のフリーエッジ１１側からエポニキウム２の下方までキューティクルプッシャ１０１を押し込むことにより、ネイルプレート１の表面からエポニキウム２及びルースキューティクル３を剥離させる。

ここで、キューティクルプッシャ１０１を押し込むとは、図7に示す従来の方法のような、水平方向ＨＤ（ネイルプレート１の伸び方向と平行な方向）においてルースキューティクル３及びエポニキウム２をネイルルート１２側に押し出す行為ではない。

つまり、本実施形態においてキューティクルプッシャ１０１を押し込むとは、ネイルプレート１とルースキューティクル３との間にキューティクルプッシャ１０１を介在させることにより、ルースキューティクル３及びエポニキウム２を垂直方向ＶＤ（ネイルプレート１の裏側から表側に向かう方向かつ水平方向ＨＤとの直交方向）に持ち上げる行為である。これにより、キューティクルプッシャ１０１がエポニキウム２の下方まで挿入されるため、ネイルプレート１の表面からエポニキウム２及びルースキューティクル３が剥離する。キューティクルプッシャ１０１を押し込む際、キューティクルプッシャ１０１がエポニキウム２及びネイルフォルド４を傷つけないように施術者は注意すべきである。

［キューティクルプッシャ１０１］図２に示すように、キューティクルプッシャ１０１は、最小押込位置から最大押込位置までの押込量が一定となる往復運動を自動で行う自動往復押込器具であることが好ましい。本実施形態のキューティクルプッシャ１０１は、１分間に１，０００～１０，０００回往復する電動自動往復プッシャを用いている。

［押込部１０１ａ］また、キューティクルプッシャ１０１は、ルースキューティクル３及びエポニキウム２よりも固く、かつ、ネイルプレート１よりも柔らかい材料を用いて形成されるへら状の押込部１０１ａを有することが好ましい。ネイルプレート１の鉛筆硬度が約２Ｈ（モース硬度２．５程度）であると言われており、ルースキューティクル３及びエポニキウム２はネイルプレート１よりも柔らかいのは明らかである（極端に硬質化したものを除く）。そのため、本実施形態の押込部１０１ａは、ネイルプレート１の鉛筆硬度約２Ｈよりも若干低い値を有するプラスチックを用いて形成されている。

［除去処理］除去処理においては、施術者が依頼者に対して、剥離処理後においてエポニキウム２とネイルプレート１との間にできたポケット５からルースキューティクル３を除去する。ルースキューティクル３を除去する際、エポニキウム２を切除しない。エポニキウム２は自爪を発育するネイルマトリックス６（別名：爪母）を雑菌や乾燥から保護する役割を果たす。そのため、エポニキウム２が傷つくと、エポニキウム２がネイルマトリックス６を保護することができなくなる。

本実施形態の除去処理においては、図３及び図４に示すように、除去処理においてエポニキウム２とネイルプレート１との間にできたポケット５からルースキューティクル３を摘出することが好ましい。摘出器具としては、キューティクルニッパ２０１が好ましい。キューティクルニッパ２０１を用いる場合、ニッパ本来の使い方のようにルースキューティクル３を切除するのではなく、毛抜き（ピンセット）のようにルースキューティクル３をつまみながら引き抜くなどして力加減しながら摘出する。

ここで剥離処理後において、ルースキューティクル３は、図３のように、ネイルフォルド４よりもフリーエッジ１１側においてネイルプレート１の表面及びエポニキウム２の裏面のどちらにも付着していない状態もあれば、図３とは異なり、ポケット５内のネイルプレート１の表面又はエポニキウム２の裏面にしつこく付着していることもある。そのため、キューティクルプッシャ１０１を用いてエポニキウム２を垂直方向ＶＤに持ち上げ、ポケット５内に頑固に付着するルースキューティクル３の残留物を隅々まで除去することが好ましい。

なお、図３のように垂直方向ＶＤに持ち上げられたエポニキウム２は、キューティクルプッシャ１０１による持ち上げる力を取り除くことにより、ネイルプレート１の周辺の筋肉及び皮膚の弾力並びにエポニキウム２の重みによってエポニキウム２が垂直方向ＶＤに降りるように縮まっていく。その結果、図４のように、エポニキウム２がネイルプレート１に自然に接触する。その後、同様の原理でポケット５が縮小する方向にエポニキウム２が変形していく。

また、除去処理においては、施術者が依頼者に対して、ルースキューティクル３の除去後７～１４日以内に新たに生成されたルースキューティクル３を除去する。自爪の発育促進の観点からすると、ルースキューティクル３はないほうがよく、毎日除去することが好ましい。しかしながら、ルースキューティクル３を除去するためにはルースキューティクル３がある程度大きくなる必要もある。発明者の経験上、新しいルースキューティクル３がある程度大きくなる期間は７日であった。また、発明者の経験上、古いルースキューティクル３の除去後１４以上経過すると、ネイルプレート１とエポニキウム２との間に新しいルースキューティクル３が詰まった状態になり、自爪の発育促進に悪影響を及ぼす結果を得ている。そのため、ルースキューティクル３の除去効率と除去効果との兼ね合いから、古いルースキューティクル３の除去後７～１４日以内に新しいルースキューティクル３を除去することが好ましい。

［乾燥防止処理］乾燥防止処理においては、施術者が依頼者に対して、除去処理後においてエポニキウム２とネイルプレート１との間に乾燥防止剤を塗布する。
乾燥防止剤としては、自然由来オイルなどのキューティクルオイルが用いられる。乾燥防止剤の塗布ペースとしては、１日３～６回のペースである。

塗布量としては、エポニキウム２とネイルプレート１との間から塗布された乾燥防止剤がネイルマトリックス６に浸透するのに十分な量である。乾燥防止剤がネイルマトリックス６に浸透すると、ネイルプレート１の裏側にあるピンク色のネイルベッドが鮮やかになり、弾力性も向上する。これは、自爪の発育を直接的に促進しているといえる。

［表面保護処理］表面保護処理においては、施術者が依頼者に対して、除去処理後において表面保護剤を用いて表面保護剤がエポニキウム２とネイルプレート１との間に入り込まないようにネイルプレート１の表面を保護する。ネイルプレート１を保護する理由は、ネイルプレート１の表面は鉛筆の２Ｈ程度の柔らかさであって傷つきやすいからである。その一方、エポニキウム２とネイルプレート１との間に表面保護剤を塗布しないのは、エポニキウム２とネイルプレート１との間に、空気や湿気を出入りさせたり、乾燥防止剤を塗布したりするためである。

［研磨処理］図５に示すように、研磨処理においては、施術者が依頼者に対して、ネイルプレート１の伸び方向を水平方向ＨＤとし、ネイルプレート１の裏側から表側に向かう方向かつ水平方向ＨＤとの直交方向を垂直方向ＶＤとしたとき、フリーエッジ１１の端面の傾斜角がネイルプレート１の伸び方向から垂直方向ＶＤに向かって段階的又は連続的に増加していくようにフリーエッジ１１の端面を段階的又は連続的に研磨するとともにフリーエッジ１１とサイドラインとのつなぎ目を面取りすることが好ましい。

研磨処理においては、フリーエッジ１１の端面を任意の位置で上下に分けたうち、下方端面１１Ｄの傾斜角θ１が水平方向ＨＤに対して任意の角度（例：４５度）未満の角度であり、その上方端面１１Ｕの傾斜角θ２がその任意の角度（例：４５度）以上の角度（θ１＜θ２）であることが好ましい。また、下方端面１１Ｄ及び上方端面１１Ｕは平坦面であってもよいし、湾曲面であってもよい。そのため、下方端面１１Ｄ及び上方端面１１Ｕは傾斜角的に連続してもよい。つまり、下方端面１１Ｄと上方端面１１Ｕとの境界線が不明確であってもよい。

フリーエッジ１１の端面を研磨する際、自爪に負担がかからないよう、紙やすり及びスポンジが積層されたエメリーボードを用いることが好ましい。また、研磨角を一定にするため、研磨ストロークを短くし、一方向に研磨することが好ましい。

フリーエッジ１１とサイドラインとのつなぎ目の面取りとしては丸面加工が好ましく、全体としてフリーエッジ１１がラウンドスクエアとなるように研磨処理することが好ましい。

次に、本実施形態の自爪の発育促進方法の効果を説明する。

（１）前述した目的を達成するため、本実施形態の自爪の発育促進方法は、少なくともエポニキウム２、ネイルプレート１及びルースキューティクル３を消毒する消毒処理と、エポニキウム２及びルースキューティクル３を軟質化させる軟質化処理と、消毒処理後及び軟質化処理後においてネイルプレート１とルースキューティクル３との接触部に対してネイルプレート１のフリーエッジ１１側からエポニキウム２の下方までキューティクルプッシャ１０１を押し込むことにより、エポニキウム２の下方においてネイルプレート１の表面からエポニキウム２及びルースキューティクル３を剥離させる剥離処理と、剥離処理後においてエポニキウム２とネイルプレート１との間にできたポケット５からルースキューティクル３を除去する除去処理と、を備えていることを特徴としている。

これにより、本実施形態の自爪の発育促進方法は、エポニキウム２とネイルプレート１との間に存在することによりネイルプレート１が伸びる力に反力を与えてしまうルースキューティクル３を除去することができる。また、ルースキューティクル３を除去する際にエポニキウム２を切除しないので、エポニキウム２にささくれができることを防止することができると共に、エポニキウム２を傷つけることによってダメージの再生に利用される栄養分をネイルプレート１の発育成分に有効活用することができる。
（２）また、本実施形態の自爪の発育促進方法は、除去処理においてルースキューティクル３を摘出することが好ましい。

これにより、本実施形態の自爪の発育促進方法は、ルースキューティクル３を切除することによってエポニキウム２が誤って傷ついてしまうおそれを防止することができる。

（３）また、本実施形態の自爪の発育促進方法は、除去処理後においてエポニキウム２とネイルプレート１との間に乾燥防止剤を塗布する乾燥防止処理と、を更に備えることが好ましい。

これにより、本実施形態の自爪の発育促進方法は、エポニキウム２とネイルプレート１との間からエポニキウム２が乾燥し、エポニキウム２がささくれなどの損害を負うことによって、ネイルプレート１の発育成分がエポニキウム２の発育に不必要に利用されるおそれを防止することができる。また、乾燥防止剤がエポニキウム２とネイルプレート１との間からネイルマトリックス６に浸透することにより、自爪の発育を直接的に促進することができる。

（４）また、本実施形態の自爪の発育促進方法は、除去処理後において表面保護剤を用いて表面保護剤がエポニキウム２とネイルプレート１との間に入り込まないようにネイルプレート１の表面を保護する表面保護処理と、を更に備えることが好ましい。

これにより、本実施形態の自爪の発育促進方法は、表面保護剤がエポニキウム２とネイルプレート１との間に入り込むことにより、ネイルプレート１が伸びる力に表面保護剤が反力を与えてしまうことを防止することができる。

（５）また、本実施形態の自爪の発育促進方法は、ネイルプレート１の伸び方向を水平方向ＨＤとし、ネイルプレート１の裏側から表側に向かう方向かつ水平方向ＨＤとの直交方向を垂直方向ＶＤとしたとき、フリーエッジ１１の端面の傾斜角がネイルプレート１の伸び方向から垂直方向ＶＤに向かって段階的又は連続的に増加していくようにフリーエッジ１１の端面を段階的又は連続的に研磨するとともにフリーエッジ１１とサイドラインとのつなぎ目を面取りする研磨処理と、を更に備えることが好ましい。

これにより、ネイルプレート１の伸び方向に対してフリーエッジ１１の端面が傾斜し、かつ、フリーエッジ１１の厚みが段階的又は連続的に急増するので、フリーエッジ１１の端面の傾斜角が例えば４５度などの一定角の場合と比較して、トッププレートの先端の重みを利用してフリーエッジ１１を垂直方向ＶＤに大きく湾曲させることができるようになり、ネイルプレート１のフリーエッジ１１が爪甲層状分裂症（別名：二枚爪症状）になることを更に防止することができる。

（６）また、本実施形態の自爪の発育促進方法において、キューティクルプッシャ１０１は、最小押込位置から最大押込位置までの押込量が一定となる往復運動を自動で行う自動往復押込器具であることが好ましい。

これにより、キューティクルプッシャ１０１がエポニキウム２とネイルプレート１との間に所望する押込量以上に押し込まれ、エポニキウム２、ネイルフォルド４、ネイルルート１２又はネイルマトリックス６が傷つくおそれを防止することができる。

（７）また、本実施形態の自爪の発育促進方法において、キューティクルプッシャ１０１は、ルースキューティクル３及びエポニキウム２よりも固く、かつ、ネイルプレート１よりも柔らかい材料を用いて形成されるへら状の押込部１０１ａを有することが好ましい。

これにより、キューティクルプッシャ１０１が所望する押込力以上にネイルプレート１を押し込んでも、ネイルプレート１を傷つける前にその押込部１０１ａが潰れるため、ネイルプレート１の一部であるネイルルート１２又はその下方にあるネイルマトリックス６が傷つくおそれを防止することができる。

（８）また、本実施形態の自爪の発育促進方法において、除去処理においては、ルースキューティクル３の除去後７～１４日以内に新たに生成されたルースキューティクル３を除去することが好ましい。

これにより、古いルースキューティクル３の除去後に生成された新しいルースキューティクル３がある程度大きくなってネイルプレート１の伸びる力に反力を与えるおそれがある時期にその新しいルースキューティクル３を除去することができる。

すなわち、本実施形態の自爪の発育促進方法によれば、ネイルプレート１が伸びる力に反力を与えてしまうルースキューティクル３を除去することができるなどの種々の作用を生じるので、自爪の発育を促進することができるという効果を奏する。

なお、本発明は、前述した実施形態などに限定されるものではなく、必要に応じて種々の変更が可能である。

施術者が５名の依頼者（被験者）に対して自爪の発育促進方法を実施した実施対象に対し、所定の判定基準に基づき判定者が実施効果を判定した結果を以下に記載する。

施術者は、本実施例の自爪の発育促進方法を熟知している発明者本人である。

５名の依頼者は、今回初めて本実施例の自爪の発育促進方法を適用される者達である。本実施例の実施対象は、各依頼者の所定の手指５本である。各依頼者の残りの手指５本は本実施例の非実施対象とし、本実施例との比較対象とする。

左右の手指の違いによる発育度合いの違いをできるかぎり排除するため、実施対象の所定の手指５本は、左右どちらか一方の手（例：右手）の親指、中指及び小指並びに左右どちらか他方の手（例：左手）の人差し指及び薬指とする。

本実施例の自爪の発育促進方法の実施期間は１カ月であり、その期間の実施サイクルは７日毎である。

判定者は、施術者及び依頼者とは異なり、かつ、施術者及び依頼者との利害関係がない中立の第三者である。

実施効果の判定基準は、撮影写真から得られる測定値に基づく、ネイルプレートの伸び方向への伸び、ネイルプレート表面の滑らかさ、ネイルベッドの色の鮮やかさ、フリーエッジの湾曲度合いの４つの観点からの比較である。

撮影写真は、実施対象及び非実施対象の各指に対して同一の撮影条件（例：撮影場所、撮影カメラ、撮影距離、照明器具、照射距離、等）にて撮影されたものである。

なお、フリーエッジの湾曲度合いについての実施効果の判定基準は、定規などの平坦物をネイルプレート表面に接触させたときの平坦物とフリーエッジとの離れ度合いを写真撮影し、判定者が撮影写真から得られる測定値に基づき判断する。

［ネイルプレートの伸び方向への伸び］一般に、人の手指のネイルプレートが伸びるスピードは、１日約０．１ｍｍ、１カ月約３．０ｍｍと言われている。そのため、実施開始と実施終了の間の１カ月の差を比較した。本実施例において、非実施対象のネイルプレートの平均伸びは２．８ｍｍであったのに対し、実施対象のネイルプレートの平均伸びは３．３ｍｍであった。

つまり、非実施対象のネイルプレートの平均伸び率を１００％とすると、本実施例の実施対象のネイルプレートの平均伸び率は約１１８％であり、非実施対象と比較して１８ポイント上昇した。

また、本実施例の実施対象のネイルプレートの平均伸び率は、一般的なネイルプレートの伸び率よりも上昇していた。

［ネイルプレート表面の滑らかさ］比較を容易にするため、実施開始と実施終了の間の１カ月の差を比較した。

非実施対象のネイルプレート表面の滑らかさは１月前と変化を感じられなかった。それに対し、本実施例の実施対象のネイルプレート表面の滑らかさは、ネイルルート側において段差や筋などが見当たらず、滑らかになったと感じられた。

［ネイルベッドの色の鮮やかさ］実施開始から実施終了までの１週間毎の差を比較した。

非実施対象のネイルベッドの色の鮮やかさは１月前と変化を感じられなかった。それに対し、本実施例の実施対象のネイルベッドの色の鮮やかさは、実施開始２週間を経過するくらいから、非実施対象のネイルベッドの色よりも鮮やかなピンク色に変化した。

［フリーエッジの湾曲度合い］非実施対象のフリーエッジも湾曲していたものの、実施対象のフリーエッジのほうが大きく湾曲していた。そのため、非実施対象よりも実施対象のフリーエッジの湾曲度合いのほうが大きいと判定した。

［実施終了後の発育観察］本実施例の自爪の発育促進方法を実施した実施対象の手指に対し、非実施対象の手指と同様、本実施例終了後に何らの発育促進方法を施さずに放置し、１週間間隔で合計１カ月間の経過観察を行った。便宜上、「本実施例の自爪の発育促進方法を以前に施した実施対象の手指」を「元実施対象の手指」と称す。その結果、非実施対象の手指に対し、元実施対象の手指のネイルプレートの伸び方向への伸び率は、放置後２週間（１４日）以内では差があったものの、放置後２週間（１４日）以降では差が生じなかった。この結果、本実施例の自爪の発育促進方法については、２週間（１４日）以内のサイクルで施術を施すことが理想的であることが分かった。

［総合判定］どの判定基準においても本実施例の非実施対象よりも実施対象のほうが自爪の発育度合いが高かった。その結果に基づき、判定者は本実施例の自爪の発育促進に効果があると判定した。

以上のことから、本実施例の自爪の発育促進方法は本実施形態に記載の効果を奏することが実証された。

なお、自爪の育成度合いは依頼者の生活環境によって左右されると予想する。そのため、同一実施条件の下で本実施例を実施しても、依頼者を変更したら自爪の発育度合いに差が生じるかもしれないと予想する。

１ ネイルプレート
２ エポニキウム
３ ルースキューティクル
４ ネイルフォルド
５ ポケット
６ ネイルマトリックス
１１ フリーエッジ
１１Ｄ 下方端面
１１Ｕ 上方端面
１２ ネイルルート
１０１ キューティクルプッシャ
１０１ａ 押込部
２０１ キューティクルニッパ
ＨＤ 水平方向
ＶＤ 垂直方向

Claims (5)

1. 軟質化処理剤を用いてエポニキウム及び前記ルースキューティクルを軟質化させる軟質化処理と、
   前記軟質化処理後において前記ネイルプレートと前記ルースキューティクルとの接触部に対して前記ネイルプレートのフリーエッジ側から前記エポニキウムの下方までキューティクルプッシャを押し込むことにより、前記ネイルプレートの表面から前記エポニキウム及び前記ルースキューティクルを剥離させる剥離処理と、
   前記剥離処理後において前記エポニキウムと前記ネイルプレートとの間にできたポケットから前記エポニキウムに傷をつけることなく前記ルースキューティクルのみを摘出する除去処理と、
   前記除去処理後であって剥離した前記エポニキウムが前記ネイルプレートに接触する前（すなわち前記ポケットが閉じる前）において前記エポニキウムと前記ネイルプレートとの間（すなわち前記ポケットの内部）に乾燥防止剤を塗布する乾燥防止処理と、
   を備えていることを特徴とする自爪の発育促進方法。
2. 前記除去処理おいて摘出される前記ルースキューティクルは、前記ポケット内において前記ネイルプレートの表面及び前記エポニキウムの裏面のどちらにも付着していないものだけでなく、前記ポケット内において前記ネイルプレートの表面又は前記エポニキウムの裏面に付着しているものも含まれる
   ことを特徴とする請求項１に記載の自爪の発育促進方法。
3. 前記除去処理後において表面保護剤を用いて前記表面保護剤が前記エポニキウムと前記ネイルプレートとの間に入り込まないように前記ネイルプレートの表面を保護する表面保護処理と、
   を更に備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の自爪の発育促進方法。
4. 前記ネイルプレートの伸び方向を水平方向とし、前記ネイルプレートの裏側から表側に向かう方向かつ前記水平方向との直交方向を垂直方向としたとき、前記フリーエッジの端面の傾斜角が前記ネイルプレートの伸び方向から前記垂直方向に向かって段階的又は連続的に増加していくように前記フリーエッジの端面を段階的又は連続的に研磨するとともに前記フリーエッジとサイドラインとのつなぎ目を面取りする研磨処理と、
   を更に備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の自爪の発育促進方法。
5. 前記除去処理においては、前記ルースキューティクルの除去後７～１４日以内に新たに生成された前記ルースキューティクルを除去する
   ことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の自爪の発育促進方法。

Images