JP7067907B2 - 固体撮像装置及び信号処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、固体撮像装置及び信号処理装置に関する。
ビデオカメラや電子スチルカメラなどの撮像システムにおいて、撮影時のフォーカス(ピント、焦点)調整を自動的に行うオートフォーカス(AF)機能が広く普及している。AF機能を備えた撮像装置としては、撮像信号と焦点検出信号との両方の取得が可能な撮像装置が知られている。特許文献1には、行毎に縦線検知と横線検知とを切り替えることにより、クロス測距を実現した撮像装置が記載されている。
国際公開第2013/128581号
しかしながら、特許文献1に記載の撮像装置のように行毎に縦線検知と横線検知とを切り替える方法では、位相差情報の空間解像度が低下し、焦点位置合わせ精度が低下することがあった。
本発明の目的は、焦点検出用の位相差情報の空間解像度を向上しうる固体撮像装置及び信号処理装置を提供することにある。
本発明の一観点によれば、複数の行及び複数の列に渡って配された複数の画素と、前記複数の画素のうち対応する画素から信号を読み出す読み出し回路と、を有し、前記複数の画素の各々は、第1の光電変換部と、前記第1の光電変換部に対して第1の方向に配された第2の光電変換部と、前記第1の光電変換部に対して前記第1の方向と交差する第2の方向に配された第3の光電変換部と、前記第2の光電変換部に対して前記第2の方向に配され且つ前記第3の光電変換部に対して前記第1の方向に配された第4の光電変換部と、前記第1乃至第4の光電変換部に集光する1つのマイクロレンズと、を有し、前記読み出し回路は、3回の読み出し動作により、前記対応する画素の前記第1乃至第4の光電変換部の全部から電荷を読み出し、かつ、前記対応する画素の前記第1乃至第4の光電変換部のうち、1つの光電変換部のみで生成された電荷に基づく信号を識別できるように、前記対応する画素から複数の信号を読み出すように構成されており、前記読み出し回路は、前記対応する画素の前記1つの光電変換部を、前記第1乃至第4の光電変換部の中から選択できるように構成されている固体撮像装置が提供される。
また、本発明の他の一観点によれば、複数の行及び複数の列に渡って配された複数の画素を有し、前記複数の画素の各々が、第1乃至第4の光電変換部と、前記第1乃至第4の光電変換部に集光する1つのマイクロレンズと、を有する固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理装置であって、第1の方向の位相差情報を含む一対の第1の位相差検出信号に基づき、前記第1の方向の位相差を算出し、前記第1の方向と交差する第2の方向の位相差情報を含む一対の第2の位相差検出信号に基づき、前記第2の方向の位相差を算出する位相差算出部を有し、前記一対の第1の位相差検出信号及び前記一対の第2の位相差検出信号の各々は、前記固体撮像装置における3回の読み出し動作によって取得された3つの信号に基づく信号であり、前記一対の第1の位相差検出信号の各々は、前記第1乃至第4の光電変換部のうちの1つの光電変換部のみで生成された電荷に基づく信号であり、前記一対の第2の位相差検出信号の各々は、前記第1乃至第4の光電変換部のうちの2つの光電変換部で生成された電荷に基づく信号である信号処理装置が提供される。
本発明によれば、焦点検出用の位相差検出信号を出力する機能を備えた固体撮像装置において、位相差情報の空間解像度を向上することができる。
本発明の第1実施形態による固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の第1実施形態による固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。 本発明の第1実施形態による固体撮像装置の画素の平面レイアウトの一例を示す概略図である。 固体撮像装置の読み出し方法の一例を示すタイミング図である。 本発明の第1実施形態による固体撮像装置を含む撮像ユニットを示す概略断面図である。 画素と射出瞳像との関係の一例を示す平面図である。 本発明の第1実施形態による固体撮像装置の読み出し方法を示すタイミング図である。 本発明の第3実施形態による固体撮像装置の画素の平面レイアウトを示す概略図である。 本発明の第4実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。 本発明の第5実施形態による撮像システム及び移動体の構成例を示す図である。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態による固体撮像装置及びその駆動方法について、図1乃至図7を用いて説明する。
はじめに、本実施形態による固体撮像装置の構造について、図1乃至図3を用いて説明する。図1は、本実施形態による固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、本実施形態による固体撮像装置の画素の構成例を示す回路図である。図3は、本実施形態による固体撮像装置の画素の平面レイアウトの一例を示す概略図である。
本実施形態による固体撮像装置100は、図1に示すように、画素領域10と、垂直走査回路20と、列読み出し回路30と、水平走査回路40と、出力回路50と、制御回路60と、を有している。
画素領域10には、複数の行及び複数の列に渡ってマトリクス状に配された複数の画素12が設けられている。図1には、画素行V1から画素行Vnまでのn個の画素行を含む画素領域10を示している。それぞれの画素行は、行方向に1列に配された複数の画素12を含む。画素領域10に配される画素アレイの行数及び列数は、特に限定されるものではない。また、画素領域10には、撮像信号や焦点検出用信号を検出する画素12のほかに、遮光されたオプティカルブラック画素や信号を出力しないダミー画素等の他の画素(図示せず)が配置されていてもよい。
画素領域10の画素アレイの各画素行には、第1の方向(図1において横方向、一例では水平方向)に延在して、制御線14が配されている。制御線14は、第1の方向に並ぶ画素12にそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。本明細書では、制御線14の延在する第1の方向を、行方向と表記することがある。また、画素領域10の画素アレイの各列には、第1の方向と交差する第2の方向(図1において縦方向、一例では垂直方向)に延在して、出力線16が配されている。出力線16は、第2の方向に並ぶ画素12にそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。本明細書では、出力線16の延在する第2の方向を、列方向と表記することがある。
各画素行の制御線14は、垂直走査回路20に接続されている。垂直走査回路20は、画素12から画素信号を読み出す際に画素12内の読み出し回路を駆動するための制御信号を、制御線14を介して画素12に供給する回路部である。各列の出力線16の一端は、列読み出し回路30に接続されている。画素12から読み出された画素信号は、出力線16を介して列読み出し回路30に入力される。列読み出し回路30は、画素12から読み出された画素信号に対して所定の信号処理、例えば増幅処理やAD変換処理等の信号処理を実施する回路部である。列読み出し回路30は、差動増幅回路、サンプルホールド回路、AD変換回路等を含み得る。
水平走査回路40は、列読み出し回路30で処理された画素信号を列毎に順次、出力回路50に転送するための制御信号を、列読み出し回路30に供給する回路部である。出力回路50は、バッファアンプ、差動増幅器などから構成され、列読み出し回路30から読み出された画素信号を固体撮像装置100の外部の信号処理部に出力するための回路部である。制御回路60は、垂直走査回路20、列読み出し回路30、水平走査回路40及び出力回路50の動作やそのタイミングを制御する制御信号を供給するための回路部である。垂直走査回路20、列読み出し回路30、水平走査回路40及び出力回路50の動作やそのタイミングを制御する制御信号の少なくとも一部は、固体撮像装置100の外部から供給してもよい。
それぞれの画素12は、例えば図2に示す回路により構成され得る。図2に示す画素12は、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdと、転送トランジスタM1a,M1b,M1c,M1dと、リセットトランジスタM2と、増幅トランジスタM3と、選択トランジスタM4とを含む。
光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdは、例えばフォトダイオードである。光電変換部PDaは、アノードが基準電圧ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1aのソースに接続されている。光電変換部PDbは、アノードが基準電圧ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1bのソースに接続されている。光電変換部PDcは、アノードが基準電圧ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1cのソースに接続されている。光電変換部PDdは、アノードが基準電圧ノードに接続され、カソードが転送トランジスタM1dのソースに接続されている。
転送トランジスタM1a,M1b,M1c,M1dのドレインは、リセットトランジスタM2のソース及び増幅トランジスタM3のゲートに接続されている。転送トランジスタM1a,M1b,M1c,M1dのドレイン、リセットトランジスタM2のソース及び増幅トランジスタM3のゲートの接続ノードは、いわゆるフローティングディフュージョンFDである。フローティングディフュージョンFDが有する容量成分(容量C)は、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdから転送される電荷の保持部として機能するとともに、電荷電圧変換部としても機能する。
リセットトランジスタM2のドレイン及び増幅トランジスタM3のドレインは、電源ノード(電圧VDD)に接続されている。増幅トランジスタM3のソースは、選択トランジスタM4のドレインに接続されている。選択トランジスタM4のソースは、出力線16に接続されている。出力線16には、電流源18が接続されている。
図2に示す画素12の場合、それぞれの画素行に配された制御線14は、転送ゲート信号線Txa,Txb,Txc,Txd、リセット信号線RES、選択信号線SELを含む。転送ゲート信号線Txaは、対応する画素行に属する画素12の転送トランジスタM1aのゲートに接続される。転送ゲート信号線Txbは、対応する画素行に属する画素12の転送トランジスタM1bのゲートに接続される。転送ゲート信号線Txcは、対応する画素行に属する画素12の転送トランジスタM1cのゲートに接続される。転送ゲート信号線Txdは、対応する画素行に属する画素12の転送トランジスタM1dのゲートに接続される。リセット信号線RESは、対応する画素行に属する画素12のリセットトランジスタM2のゲートに接続される。選択信号線SELは、対応する画素行に属する画素12の選択トランジスタM4のゲートに接続される。
光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdは、入射光をその光量に応じた量の電荷に変換(光電変換)するとともに、生じた電荷を蓄積する。転送トランジスタM1aは、オンすることにより光電変換部PDaの電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。転送トランジスタM1bは、オンすることにより光電変換部PDbの電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。転送トランジスタM1cは、オンすることにより光電変換部PDcの電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。転送トランジスタM1dは、オンすることにより光電変換部PDdの電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。転送トランジスタM1a,M1b,M1c,M1dは、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdの電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する電荷転送部を構成する。
フローティングディフュージョンFDは、その容量成分(容量C)による電荷電圧変換によって、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdから転送された電荷の量に応じた電圧となる。増幅トランジスタM3は、ドレインに電圧VDDが供給され、ソースに選択トランジスタM4を介して電流源18からバイアス電流が供給される構成となっており、ゲートを入力ノードとする増幅部(ソースフォロワ回路)を構成する。これにより増幅トランジスタM3は、フローティングディフュージョンFDの電圧に基づく信号を、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力する。リセットトランジスタM2は、オンすることによりフローティングディフュージョンFDを電圧VDDに応じた電圧にリセットする。この際、転送トランジスタM1a,M1b,M1c,M1dがオンすることにより、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdのリセットも可能である。リセットトランジスタM2は、転送トランジスタM1a,M1b,M1c,M1dとともに、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdをリセットするリセット部を構成する。
1つの画素12の4つの光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdの光入射方向には、共通の1つのマイクロレンズMLが配されている。これにより、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdには、撮像光学系の射出瞳の異なる瞳領域を通過した光がそれぞれ入射するようになっている。
例えば、図3に示す構成例では、4つの光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdを2行×2列の行列状に配置し、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdの間に共通の1つのフローティングディフュージョンFDを配置している。フローティングディフュージョンFDと光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdの各々との間には、転送トランジスタM1a,M1b,M1c,M1dのゲート電極TGa,TGb,TGc,TGdが、それぞれ配されている。光電変換部PDaと光電変換部PDb、並びに、光電変換部PDcと光電変換部PDdとは、平面視において第2の方向(X方向)に隣接して配されている。また、光電変換部PDaと光電変換部PDc、並びに、光電変換部PDbと光電変換部PDdとは、平面視において第1の方向(Y方向)に隣接して配されている。
このようにして、1つのマイクロレンズMLを共通にする複数の光電変換部PDを所定の方向に隣接して配置することで、当該複数の方向において位相差検出を行うことができる。また、複数の光電変換部PDを複数の方向に隣接して配置することで、当該複数の方向の各々において位相差検出を行うことができる。このように構成することで、被写体毎にコントラストの高い方向での位相差検出が可能となり、より多くの被写体パターンに対して測距精度を高めることができる。
次に、本実施形態による固体撮像装置の動作を説明する前に、図2に示す画素構成から想定される一般的な固体撮像装置の読み出し方法について、図4を用いて説明する。
図4は、固体撮像装置の読み出し方法の一例を示すタイミング図である。図4中、φVは、垂直走査信号である。制御信号φSELは、選択信号線SELに供給される選択トランジスタM4の駆動パルスである。制御信号φRESは、リセット信号線RESに供給されるリセットトランジスタM2の駆動パルスである。制御信号φTxa,φTxb,φTxc,φTxdは、転送ゲート信号線Txa,Txb,Txc,Txdに供給される転送トランジスタM1a,M1b,M1c,M1dの駆動パルスである。制御信号φSEL,φRES,φTxa,φTxb,φTxc,φTxdは、画素行V1~Vnのうち垂直走査回路20により選択された所定の画素行の制御線14に供給される。制御信号φSHnは、N信号用のサンプルホールド容量の接続と非接続とを制御するスイッチの制御信号である。制御信号φSHsは、S信号用のサンプルホールド容量の接続と非接続とを制御するスイッチの制御信号である。φHは、水平転送信号である。
図4に示す固体撮像装置の読み出し方法では、まず、垂直走査信号φVに応じた所定のタイミングで制御信号φSELをハイレベルにして、選択トランジスタM4をオンにする。その際、制御信号φRESはハイレベルであり、フローティングディフュージョンFDはリセットされている。制御信号φRESをローレベルにした後、制御信号φSHnをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力されたリセット信号(N信号)を、N信号用のサンプルホールド容量に保持する。
次いで、制御信号φTxaをハイレベルにし、光電変換部PDaに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。ここでは、光電変換部PDaに蓄積された信号電荷に基づく信号成分を、Sa信号と呼ぶものとする。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持されたSa信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50においてSa信号とN信号との差分((Sa-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第1読み出し)。
次いで、制御信号φTxa,Txbをハイレベルにし、光電変換部PDa,PDbに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、フローティングディフュージョンFDが保持する信号電荷に加算する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。光電変換部PDbに蓄積された信号電荷に基づく信号成分をSb信号とすると、S信号用のサンプルホールド容量には、Sa信号とSb信号とを加算した(Sa+Sb)信号が保持される。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持された(Sa+Sb)信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50において(Sa+Sb)信号とN信号との差分((Sa+Sb-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第2読み出し)。
次いで、制御信号φTxa,Txb,Txcをハイレベルにし、光電変換部PDa,PDb,PDcに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、フローティングディフュージョンFDが保持する信号電荷に加算する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。光電変換部PDcに蓄積された信号電荷に基づく信号成分をSc信号とすると、S信号用のサンプルホールド容量には、Sa信号とSb信号とSc信号とを加算した(Sa+Sb+Sc)信号が保持される。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持された(Sa+Sb+Sc)信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50において(Sa+Sb+Sc)信号とN信号との差分((Sa+Sb+Sc-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第3読み出し)。
次いで、制御信号φTxa,Txb,Txc,Txdをハイレベルにし、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、フローティングディフュージョンFDが保持する信号電荷に加算する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。光電変換部PDdに蓄積された信号電荷に基づく信号成分をSd信号とすると、S信号用のサンプルホールド容量には、Sa信号とSb信号とSc信号とSd信号を加算した(Sa+Sb+Sc+Sd)信号が保持される。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持された(Sa+Sb+Sc+Sd)信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50において(Sa+Sb+Sc+Sd)信号とN信号との差分((Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第4読み出し)。
このようにして得た(Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号は、撮像信号として用いることができる。
また、Sb信号は、(Sa+Sb-N)信号と(Sa-N)信号との差分から算出することができる。Sc信号は、(Sa+Sb+Sc-N)信号と(Sa+Sb-N)信号との差分から算出することができる。Sd信号は、(Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号と(Sa+Sb+Sc-N)信号との差分から算出することができる。したがって、Sa信号、Sb信号、Sc信号、Sd信号の情報をそれぞれ得ることができ、複数方向の位相ずれを計算することができる。
しかしながら、参考例による固体撮像装置の読み出し方法では、一フレームに計4回の読み出し動作(第1乃至第4読み出し)を行う必要があるため、一連の読み出し動作に時間がかかり、フレームレートの低下につながるという課題がある。また、特許文献1においては、偶数行と奇数行とで位相差検出方向を切り替えることによりフレームレートが低下する課題に対応しているが、同方向の位相差検出情報が2行毎になってしまうため、測距情報の空間解像度が低下するという課題が生じる。
本実施形態による固体撮像装置の駆動方法は、これらの課題に鑑みて、フレームレートの低下防止と測距情報の空間解像度の低下防止との両立を実現するものである。
図5は、本実施形態の固体撮像装置100を含む撮像ユニットを示す概略断面図である。図5では、図3におけるA-B線に沿った断面を想定し、画素12に含まれる複数の光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdのうち、光電変換部PDa,PDcのみを示している。
撮影レンズの射出瞳202を通過した光は、撮影レンズから射出瞳距離208を隔てて配置された固体撮像装置100に入射する。固体撮像装置100は、前述のように、複数の光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdと1つのマイクロレンズMLを各々が含む複数の画素12を有する。通常、撮影レンズの射出瞳202のサイズはミリメートルオーダーであるのに対し、画素12のサイズはマイクロメートルオーダーである。実際の比率で図示すると説明に支障があるので、固体撮像装置100の構成要素に関しては、一部を抜き出し拡大して示すものとする。すなわち、図5において、画素12-3は像高0の中央部、画素12-1,12-5は左右像高が高い位置、画素12-2,12-4は左右像高が中程度の位置における画素12の拡大図である。
撮影レンズの射出瞳202は、マイクロレンズMLによって画素12の表面に射出瞳像207を形成する。このとき、射出瞳像207の中心と画素12の中心とは、特に像高の高い位置において、射出瞳距離208とマイクロレンズMLのピッチとが特定の条件を満たしている場合を除き、一致しない。このため、1つの画素12に含まれる複数の光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdの間において、入射光量差、すなわち感度差が発生する。なお、特定の条件とは、総ての画素12において射出瞳像207の中心と画素12の中心とが一致するときの、射出瞳距離208とマイクロレンズMLのピッチとの関係である。
図5において、光電変換部PDa,PDcに示した網掛け部分の面積が、各光電変換部PDa,PDcに蓄積された信号電荷の量によって決まる感度に対応している。この図では、上記特定の条件を満たす場合よりも像高方向(ここでは水平方向)に見たマイクロレンズMLのピッチに対する射出瞳距離208が短いときの、像高に応じて光電変換部間の感度差が変化する様子を概念的に示している。なお、射出瞳像207の中心位置が変化する要因として、撮影レンズの射出瞳距離208と水平像高209とがあり、射出瞳像207の径が変化する要因として、撮影レンズの瞳径210がある。射出瞳像207の中心位置と径とによって、光電変換部PDaと光電変換部PDcとの間の感度差の量が決まる。
図6は、画素12と射出瞳像207との関係の一例を示す平面図である。画素12と射出瞳像207との位置関係は、前述のように、撮影レンズの光軸中心に対する画素12の位置によって変化する。例えば、図5に示したようにマイクロレンズMLのピッチに対する射出瞳距離208が短い場合、撮影レンズから見て左下方向に像高が高い画素12では、図6に示すように、射出瞳像207が画素12の中心から左上方向にずれることになる。撮影レンズから見て左下方向とは、撮影レンズの光軸中心に対してHアドレスとVアドレスとが共に小さい方向である。
図6に示す画素12においては、Sa信号、Sb信号及びSc信号と比較してSd信号の感度が相対的に低くなるため、Sd信号は他の信号と比べて相対的に利用価値が低い。そこで、Sd信号についてはSb信号又はSc信号と同時に読み出しを行い、フレームレートの低下を抑制する。Sd信号をSb信号及びSc信号のうちのどちらと同時に読み出すかは、被写体のコントラストの高い方向に応じて決めるとよい。具体的には、被写体のコントラストの高い方向と直交する方向により近い方向に配置された2つの光電変換部PDの信号を同時に読み出すようにすることが好ましい。
例えば、水平方向のコントラストが相対的に高い被写体に対しては、垂直方向に位置する光電変換部PDc,PDdからSc信号とSd信号とを同時に読み出すように構成する。水平方向の位相差検出に(Sa+Sb)信号と(Sc+Sd)信号とを用いることで、S/N比を良好にできるからである。また、垂直方向の位相差検出には、Sa信号とSb信号とを用いればよい。この場合、位相差検出用信号に相対的に感度の低いSd信号が含まれないため、S/N比が良好となる。
逆に、垂直方向のコントラストが相対的に高い被写体に対しては、水平方向に位置する光電変換部PDb,PDdからSb信号とSd信号とを同時に読み出すように構成する。この場合、垂直方向の位相差検出に(Sa+Sd)信号と(Sb+Sc)信号とを用いることで、S/N比を良好にできるからである。また、水平方向の位相差検出には、Sa信号とSc信号とを用いればよい。この場合、位相差検出用信号に相対的に感度の低いSd信号が含まれないため、S/N比が良好となる。
表1は、撮影レンズの射出瞳距離、撮像素子の像高、及び被写体のコントラストに応じた、位相差検出に用いる信号の好適な組み合わせを一覧にしたものである。
Figure 0007067907000001
表1中、「撮影レンズの射出瞳距離」は、図5における射出瞳距離208に対応している。マイクロレンズMLのピッチに対して最適な距離、すなわち像高に応じて射出瞳像207が画素12の中心からずれない所定の距離を基準として、撮影レンズの射出瞳距離が長いか短いかによって読み出し条件を変えることを意味している。表1中、「短い」は、焦点検出距離が当該所定の距離未満である場合を示し、「長い」は焦点検出距離が当該所定の距離以上である場合を示している。
また、表1中、「撮像素子の像高」は、撮影レンズ側から見たときの、撮影レンズの光学中心を基準とした画素の位置を示している。「被写体のコントラスト」は、撮像素子の水平・垂直方向に対する被写体のコントラストの高い方向を示している。「水平方向の位相差検出」及び「垂直方向の位相差検出」は、位相差検出に用いる信号の組を示している。例えば、「Sa+Sb vs Sc+Sd」は、(Sa+Sb)信号と(Sc+Sd)信号とを位相差検出用信号として用いることを意味している。また、「Sa vs Sc」は、Sa信号とSc信号とを位相差検出用信号として用いることを意味している。
図7は、本実施形態による固体撮像装置の読み出し方法を示すタイミング図である。図7(a)は、被写体のコントラストが水平方向に高い場合の、図6に対応する画素12(像高が「左上」)における読み出し動作を示すタイミング図である。図7(b)は、被写体のコントラストが垂直方向に高い場合の、図6に対応する画素12における読み出し動作を示すタイミング図である。図7に示す各信号は、図4と同様である。
マイクロレンズMLのピッチに対する射出瞳距離208が短い撮像条件により水平方向のコントラストが高い被写体を撮像する場合、図7(a)に示すタイミングチャートに従って信号の読み出しを行う。
まず、垂直走査信号φVに応じた所定のタイミングで制御信号φSELをハイレベルにして、選択トランジスタM4をオンにする。その際、制御信号φRESはハイレベルであり、フローティングディフュージョンFDはリセットされている。制御信号φRESをローレベルにした後、制御信号φSHnをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力されたリセット信号(N信号)を、N信号用のサンプルホールド容量に保持する。
次いで、制御信号φTxaをハイレベルにし、光電変換部PDaに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。ここでは、光電変換部PDaに蓄積された信号電荷に基づく信号成分を、Sa信号と呼ぶものとする。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持されたSa信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50においてSa信号とN信号との差分((Sa-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第1読み出し)。
次いで、制御信号φTxa,Txbをハイレベルにし、光電変換部PDa,PDbに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、フローティングディフュージョンFDが保持する信号電荷に加算する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。光電変換部PDbに蓄積された信号電荷に基づく信号成分をSb信号とすると、S信号用のサンプルホールド容量には、Sa信号とSb信号とを加算した(Sa+Sb)信号が保持される。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持された(Sa+Sb)信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50において(Sa+Sb)信号とN信号との差分((Sa+Sb-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第2読み出し)。
次いで、制御信号φTxa,Txb,Txc,Txdをハイレベルにし、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、フローティングディフュージョンFDが保持する信号電荷に加算する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。光電変換部PDdに蓄積された信号電荷に基づく信号成分をSd信号とすると、S信号用のサンプルホールド容量には、Sa信号とSb信号とSc信号とSd信号を加算した(Sa+Sb+Sc+Sd)信号が保持される。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持された(Sa+Sb+Sc+Sd)信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50において(Sa+Sb+Sc+Sd)信号とN信号との差分((Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第3読み出し)。
このように、列読み出し回路30は、複数の画素12の各々から、一の光電変換部PDのみで生成された電荷に基づく信号((Sa-N)信号)を読み出すように構成されている。また、列読み出し回路30は、2以上の光電変換部で生成された電荷に基づく信号((Sa+Sb-N)信号、(Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号)と、を含む複数の信号を読み出すように構成されている。
このようにして得た(Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号は、撮像信号として用いることができる。また、(Sc+Sd)信号は、(Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号と(Sa+Sb-N)信号との差分から算出することができる。これにより、(Sa+Sb)信号及び(Sc+Sd)信号を、水平方向の位相差検出のための位相差信号として用いることができる。また、Sb信号は、(Sa+Sb-N)信号と(Sa-N)信号との差分から算出することができる。これにより、Sa信号及びSb信号を、垂直方向の位相差検出のための一対の位相差信号として用いることができる。すなわち、固体撮像装置から出力される(Sa-N)信号、(Sa+Sb-N)信号及び(Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号は、位相差情報を識別可能な信号である。
マイクロレンズMLのピッチに対する射出瞳距離208が短い撮像条件により垂直方向のコントラストが高い被写体を撮像する場合、図7(b)に示すタイミングチャートに従って信号の読み出しを行う。
まず、垂直走査信号φVに応じた所定のタイミングで制御信号φSELをハイレベルにして、選択トランジスタM4をオンにする。その際、制御信号φRESはハイレベルであり、フローティングディフュージョンFDはリセットされている。制御信号φRESをローレベルにした後、制御信号φSHnをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力されたリセット信号(N信号)を、N信号用のサンプルホールド容量に保持する。
次いで、制御信号φTxaをハイレベルにし、光電変換部PDaに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。ここでは、光電変換部PDaに蓄積された信号電荷に基づく信号成分を、Sa信号と呼ぶものとする。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持されたSa信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50においてSa信号とN信号との差分((Sa-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第1読み出し)。
次いで、制御信号φTxa,Txcをハイレベルにし、光電変換部PDa,PDcに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、フローティングディフュージョンFDが保持する信号電荷に加算する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。光電変換部PDcに蓄積された信号電荷に基づく信号成分をSc信号とすると、S信号用のサンプルホールド容量には、Sa信号とSc信号とを加算した(Sa+Sc)信号が保持される。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持された(Sa+Sc)信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50において(Sa+Sc)信号とN信号との差分((Sa+Sc-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第2読み出し)。
次いで、制御信号φTxa,Txb,Txc,Txdをハイレベルにし、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdに蓄積された信号電荷をフローティングディフュージョンFDに転送し、フローティングディフュージョンFDが保持する信号電荷に加算する。その際、制御信号φSHsをハイレベルにすることで、選択トランジスタM4を介して出力線16に出力された光信号(S信号)を、S信号用のサンプルホールド容量に保持する。光電変換部PDdに蓄積された信号電荷に基づく信号成分をSd信号とすると、S信号用のサンプルホールド容量には、Sa信号とSb信号とSc信号とSd信号を加算した(Sa+Sb+Sc+Sd)信号が保持される。次いで、水平転送信号φHを列毎に順次オンにして、サンプルホールド容量に保持された(Sa+Sb+Sc+Sd)信号とN信号とを出力回路50へと転送する。そして、出力回路50において(Sa+Sb+Sc+Sd)信号とN信号との差分((Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号)を算出し、S/N比の良好な画素信号として出力する(第3読み出し)。
このようにして得た(Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号は、撮像信号として用いることができる。また、Sc信号は、(Sa+Sc-N)信号と(Sa-N)信号との差分から算出することができる。これにより、Sa信号及びSc信号を、水平方向の位相差検出のための一対の位相差信号として用いることができる。また、(Sb+Sd)信号は、(Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号と(Sa+Sc-N)信号との差分から算出することができる。これにより、(Sa+Sc)信号及び(Sb+Sd)信号を、垂直方向の位相差検出のための一対の位相差信号として用いることができる。すなわち、固体撮像装置から出力される(Sa-N)信号、(Sa+Sc-N)信号及び(Sa+Sb+Sc+Sd-N)信号は、位相差情報を識別可能な信号である。
なお、ここでは読み出す信号を、Sa信号、(Sa+Sb)信号又は(Sa+Sc)信号、(Sa+Sb+Sc+Sd)信号の3種類としているが、位相差信号を取得するための読み出し信号の組み合わせは、これに限定されるものではない。例えば、(Sc+Sd)信号、(Sa+Sc+Sd)信号、(Sa+Sb+Sc+Sd)信号の3種類を読み出すことによっても、2方向の位相差信号を取得することができる。すなわち、(Sc+Sd)信号と(Sa+Sc+Sd)信号とから算出したSa信号と、(Sa+Sc+Sd)信号と(Sa+Sb+Sc+Sd)信号とから算出したSb信号とを、垂直方向の位相差検出のための一対の位相差信号として用いることができる。また、Sa信号とSb信号とから算出した(Sa+Sb)信号と、(Sc+Sd)信号とを、水平方向の位相差検出のための一対の位相差信号として用いることができる。
このようにして、相対的に感度の低い画素の信号(Sd信号)を他の信号と同時に読み出すように構成することにより、計3回の読み出し動作(第1乃至第3読み出し)によって撮像信号と位相差検出信号とを取得することができる。これにより、図4に示す読み出し方法と比較して、1行あたりの読み出し時間を短縮することができ、フレームレートを向上することが可能となる。また、総ての行において水平方向と垂直方向の位相差検出が可能なため、測距情報の空間解像度が低下することを防止することができる。したがって、本実施形態の駆動方法によれば、フレームレートの低下防止と測距情報の空間解像度の低下防止との両立を実現することができる。
このように、本実施形態によれば、位相差検出信号を出力する機能を備えた固体撮像装置において、フレームレートの低下防止と測距情報の空間解像度の低下防止との両立を図ることができる。
[第2実施形態]
第1実施形態による固体撮像装置の読み出し方法では、フレームレートの低下防止の観点から、光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdで生成された電荷に基づく信号(Sa信号、Sb信号、Sc信号及びSd信号)のうち、一部を加算して読み出した。しかしながら、撮像条件によっては、仮に図4に示す参考例による読み出し方法を適用してもフレームレートに影響しないことも想定される。このような場合には、必ずしも複数の光電変換部PDで生成された電荷に基づく信号を加算して読み出す必要はない。
すなわち、図4に示す参考例による読み出し方法を適用してもフレームレートの低下が生じない撮像条件においては、図4に示す読み出し方法を実施し、Sa信号、Sb信号、Sc信号及びSd信号を取得する。そして、撮影レンズの光軸中心に対する画素12の位置に応じて、表1に示す関係に従って位相差検出に用いる信号を適宜組み合わせる。このように構成することで、総ての行において水平方向と垂直方向の位相差検出が可能なため、測距情報の空間解像度が低下することも防止することができる。したがって、フレームレートの低下防止と測距情報の空間解像度の低下防止との両立を実現することができる。
図4に示す参考例による読み出し方法を適用した場合にフレームレートの低下が生じる撮像条件においては、第1実施形態による固体撮像装置の読み出し方法を適用し、フレームレート低下の影響を抑制すればよい。
[第3実施形態]
第1実施形態においては、図3に示すように、複数の光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdに対して共通の1つのフローティングディフュージョンFDを備えた画素12を示した。しかしながら、フローティングディフュージョンFDは、必ずしも画素12を構成する総ての光電変換部PDにおいて共用する必要はない。
例えば、図8(a)に示すように、複数の光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdの各々に対応する複数のフローティングディフュージョンFDa,FDb,FDc,FDdを設けるようにしてもよい。或いは、図8(b)に示すように、1つの画素12に含まれる複数の光電変換部PDを複数のグループに分け、各グループの各々にフローティングディフュージョンFDを設けるようにしてもよい。図8(b)は、光電変換部PDa,PDbで共用するフローティングディフュージョンFDabと、光電変換部PDc,PDdで共用するフローティングディフュージョンFDcdとを設けた例である。いずれの場合も、リセットトランジスタM2、増幅トランジスタM3及び選択トランジスタM4で構成される画素内読み出し回路は、複数のフローティングディフュージョンFDで共用してもよいし、フローティングディフュージョンFD毎に設けてもよい。
[第4実施形態]
本発明の第4実施形態による撮像システムについて、図9を用いて説明する。図9は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本実施形態の撮像システム300は、上記実施形態の固体撮像装置100の構成を適用した撮像装置301を含む。撮像システム300の具体例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダー、監視カメラ等が挙げられる。図9に、撮像装置301として第1乃至第3実施形態のいずれかに記載の固体撮像装置100を適用したデジタルスチルカメラの構成例を示す。
図9に例示した撮像システム300は、撮像装置301、被写体の光学像を撮像装置301に結像させるレンズ302、レンズ302を通過する光量を可変にするための絞り304、レンズ302の保護のためのバリア306を有する。レンズ302及び絞り304は、撮像装置301に光を集光する光学系である。
撮像システム300は、また、撮像装置301から出力される出力信号の処理を行う信号処理部308を有する。信号処理部308は、必要に応じて入力信号に対して各種の補正、圧縮を行って出力する信号処理の動作を行う。例えば、信号処理部308は、入力信号に対して、RGBの画素出力信号をY,Cb,Cr色空間へ変換する変換処理や、ガンマ補正などの所定の画像処理を施す。また、信号処理部308は、撮像装置301から出力される位相差検出信号に基づいて位相差を算出する位相差算出部を含む。
撮像システム300は、更に、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部310、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部(外部I/F部)312を有する。更に撮像システム300は、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体314、記録媒体314に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部(記録媒体制御I/F部)316を有する。なお、記録媒体314は、撮像システム300に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
更に撮像システム300は、各種演算を行うとともにデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部318、撮像装置301と信号処理部308に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部320を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム300は、少なくとも撮像装置301と、撮像装置301から出力された出力信号を処理する信号処理部308とを有すればよい。全体制御・演算部318及びタイミング発生部320は、撮像装置301の制御機能の一部又は総てを実施するように構成してもよい。
撮像装置301は、画像用信号を信号処理部308に出力する。信号処理部308は、撮像装置301から出力される画像用信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。また、信号処理部308は、画像用信号を用いて、画像を生成する。信号処理部308で生成された画像は、例えば記録媒体314に記録される。また、信号処理部308で生成された画像は、液晶ディスプレイなどからなるモニターに動画或いは静止画として映し出される。記録媒体314に記憶された画像は、プリンタなどによってハードコピーすることができる。
撮像装置301は、また、画素12が出力する信号に基づく位相差検出信号を信号処理部308に出力する。信号処理部308の位相差算出部は、位相差検出信号に基づいて2つの画像の位相差を算出し、被写体に合焦しているか否かを検出する。信号処理部308が合焦していないことを検出した場合には、全体制御・演算部318は、合焦する方向に光学系を駆動する。再び信号処理部308は、撮像装置301から出力される位相差検出信号を用いて、再び合焦しているか否かを検出する。以下、撮像装置301、信号処理部308、全体制御・演算部318は、合焦するまでこの動作を繰り返す。
なお、信号処理部308が備える機能は、撮像装置301とは別の信号処理装置により実現してもよい。また、信号処理部308が備える機能を、撮像装置301が有していてもよい。
上記実施形態の固体撮像装置を用いて撮像システムを構成することにより、被写体に対する焦点検出精度を向上することができ、より良質の画像を取得しうる撮像システムを実現することができる。
[第5実施形態]
本発明の第5実施形態による撮像システム及び移動体について、図10を用いて説明する。図10は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成例を示す図である。
図10(a)は、車載カメラに関する撮像システム400の一例を示したものである。撮像システム400は、撮像装置410を有する。撮像装置410は、第1乃至第3実施形態のいずれかに記載の固体撮像装置100である。撮像システム400は、撮像装置410により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部412と、撮像装置410により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差取得部414を有する。また、撮像システム400は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離取得部416と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部418と、を有する。ここで、視差取得部414や距離取得部416は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部418はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像システム400は、車両情報取得装置420と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム400は、衝突判定部418での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ECU430が接続されている。すなわち、制御ECU430は、距離情報に基づいて移動体を制御する移動体制御手段の一例である。また、撮像システム400は、衝突判定部418での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置440とも接続されている。例えば、衝突判定部418の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ECU430はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置440は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
本実施形態では、車両の周囲、例えば前方又は後方を撮像システム400で撮像する。図10(b)に、車両前方(撮像範囲450)を撮像する場合の撮像システム400を示した。車両情報取得装置420は、撮像システム400を動作させ撮像を実行させるように指示を送る。第1実施形態の固体撮像装置100を撮像装置410として用いることにより、本実施形態の撮像システム400は、測距の精度をより向上させることができる。
以上の説明では、他の車両と衝突しないように制御する例を述べたが、他の車両に追従して自動運転する制御、車線からはみ出さないように自動運転する制御等にも適用可能である。更に、撮像システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体(移動装置)に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム(ITS)等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。
[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
例えば、上記実施形態では、2行×2列の行列状に配された4つの光電変換部PDa,PDb,PDc,PDdを各々の画素12が備えている場合を例にして説明したが、画素12は必ずしも4つの光電変換部を備えている必要はない。画素12は、2方向の位相差情報を取得するために、3以上の光電変換部PDを備えていればよく、3つの光電変換部PDを備えていてもよいし、5以上の光電変換部PDを備えていてもよい。
また、第4及び第5実施形態に示した撮像システムは、本発明の固体撮像装置を適用しうる撮像システムを例示したものであり、本発明の固体撮像装置を適用可能な撮像システムは図9及び図10に示した構成に限定されるものではない。
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
ML…マイクロレンズ
PDa,PDb,PDc,PDd…光電変換部
10…画素領域
12…画素
30…列読み出し回路
100…固体撮像装置
207…射出瞳像
208…射出瞳距離
300,400…撮像システム
301,410…撮像装置
308…信号処理部

Claims (16)

  1. 複数の行及び複数の列に渡って配された複数の画素と、
    前記複数の画素のうち対応する画素から信号を読み出す読み出し回路と、を有し、
    前記複数の画素の各々は、第1の光電変換部と、前記第1の光電変換部に対して第1の方向に配された第2の光電変換部と、前記第1の光電変換部に対して前記第1の方向と交差する第2の方向に配された第3の光電変換部と、前記第2の光電変換部に対して前記第2の方向に配され且つ前記第3の光電変換部に対して前記第1の方向に配された第4の光電変換部と、前記第1乃至第4の光電変換部に集光する1つのマイクロレンズと、を有し、
    前記読み出し回路は、3回の読み出し動作により、前記対応する画素の前記第1乃至第4の光電変換部の全部から電荷を読み出し、かつ、前記対応する画素の前記第1乃至第4の光電変換部のうち、1つの光電変換部のみで生成された電荷に基づく信号を識別できるように、前記対応する画素から複数の信号を読み出すように構成されており、
    前記読み出し回路は、前記対応する画素の前記1つの光電変換部を、前記第1乃至第4の光電変換部の中から選択できるように構成されている
    ことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記1つの光電変換部のみで生成された電荷に基づく信号と、前記2つ以上の光電変換部で生成された電荷に基づく信号とは、前記第1の方向及び前記第2の方向の位相差情報を識別可能な信号である
    ことを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記複数の信号は、前記対応する画素に含まれる前記第1乃至第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号を含む
    ことを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置。
  4. 前記読み出し回路は、前記対応する画素から、前記第1の光電変換部で生成された電荷に基づく第1の信号と、前記第1及び第2の光電変換部で生成された電荷に基づく第2の信号と、前記第1乃至第4の光電変換部で生成された電荷に基づく第3の信号と、を読み出すように構成されている
    ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  5. 前記読み出し回路は、前記対応する画素から、前記第1の光電変換部で生成された電荷に基づく第1の信号と、前記第1、第3及び第4の光電変換部で生成された電荷に基づく第2の信号と、前記第1乃至第4の光電変換部で生成された電荷に基づく第3の信号と、を読み出すように構成されている
    ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  6. 前記読み出し回路は、前記対応する画素から、前記第3及び第4の光電変換部で生成された電荷に基づく第1の信号と、前記第1、第3及び第4の光電変換部で生成された電荷に基づく第2の信号と、前記第1乃至第4の光電変換部で生成された電荷に基づく第3の信号と、を読み出すように構成されている
    ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  7. 前記読み出し回路は、前記対応する画素の前記1つの光電変換部を、前記複数の光電変換部の中から、撮影レンズの射出瞳距離に応じて選択する
    ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  8. 前記読み出し回路は、前記射出瞳距離が所定の距離以上の場合は、前記複数の光電変換部のうち、前記撮影レンズの光学中心から最も近い光電変換部を前記1つの光電変換部として選択する
    ことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。
  9. 前記読み出し回路は、前記射出瞳距離が所定の距離未満の場合は、前記複数の光電変換部のうち、前記撮影レンズの光学中心から最も遠い光電変換部を前記1つの光電変換部として選択する
    ことを特徴とする請求項7記載の固体撮像装置。
  10. 前記第1の方向は、前記第2の方向よりも、被写体のコントラストが高い方向と直交する方向に近い
    ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
  11. 複数の行及び複数の列に渡って配された複数の画素を有し、前記複数の画素の各々が、第1乃至第4の光電変換部と、前記第1乃至第4の光電変換部に集光する1つのマイクロレンズと、を有する固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理装置であって、
    第1の方向の位相差情報を含む一対の第1の位相差検出信号に基づき、前記第1の方向の位相差を算出し、前記第1の方向と交差する第2の方向の位相差情報を含む一対の第2の位相差検出信号に基づき、前記第2の方向の位相差を算出する位相差算出部を有し、
    前記一対の第1の位相差検出信号及び前記一対の第2の位相差検出信号の各々は、前記固体撮像装置における3回の読み出し動作によって取得された3つの信号に基づく信号であり、
    前記一対の第1の位相差検出信号の各々は、前記第1乃至第4の光電変換部のうちの1つの光電変換部のみで生成された電荷に基づく信号であり、
    前記一対の第2の位相差検出信号の各々は、前記第1乃至第4の光電変換部のうちの2つの光電変換部で生成された電荷に基づく信号である
    ことを特徴とする信号処理装置。
  12. 前記第2の光電変換部は前記第1の光電変換部に対して前記第1の方向に配され、前記第3の光電変換部は前記第1の光電変換部に対して前記第2の方向に配され、前記第4の光電変換部は前記第2の光電変換部に対して前記第2の方向に配され且つ前記第3の光電変換部に対して前記第1の方向に配されており
    前記位相差算出部は、第1の信号と第2の信号とに基づき、前記一対の第1の位相差検出信号を算出し、前記第2の信号と第3の信号とに基づき、前記一対の第2の位相差検出信号を算出し、
    前記第1の信号は、前記第1の光電変換部で生成された電荷に基づく信号であり、
    前記第2の信号は、前記第1及び第2の光電変換部で生成された電荷に基づく信号であり、
    前記第3の信号は、前記第1乃至第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号である
    ことを特徴とする請求項11記載の信号処理装置。
  13. 前記第2の光電変換部は前記第1の光電変換部に対して前記第1の方向に配され、前記第3の光電変換部は前記第1の光電変換部に対して前記第2の方向に配され、前記第4の光電変換部は前記第2の光電変換部に対して前記第2の方向に配され且つ前記第3の光電変換部に対して前記第1の方向に配されており
    前記位相差算出部は、第1の信号と第2の信号と第3の信号とに基づき、前記一対の第1の位相差検出信号を算出し、前記第1の信号と前記第2の信号と前記第3の信号に基づき、前記一対の第2の位相差検出信号を算出し、
    前記第1の信号は、前記第1の光電変換部で生成された電荷に基づく信号であり、
    前記第2の信号は、前記第1、第3及び第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号であり、
    前記第3の信号は、前記第1乃至第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号である
    ことを特徴とする請求項11記載の信号処理装置。
  14. 前記第2の光電変換部は前記第1の光電変換部に対して前記第1の方向に配され、前記第3の光電変換部は前記第1の光電変換部に対して前記第2の方向に配され、前記第4の光電変換部は前記第2の光電変換部に対して前記第2の方向に配され且つ前記第3の光電変換部に対して前記第1の方向に配されており
    前記位相差算出部は、第1の信号と第2の信号と第3の信号とに基づき、前記一対の第1の位相差検出信号を算出し、前記第2の信号と前記第3の信号とに基づき、前記一対の第2の位相差検出信号を算出し、
    前記第1の信号は、前記第3及び第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号であり、
    前記第2の信号は、前記第1、第3及び第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号であり、
    前記第3の信号は、前記第1乃至第4の光電変換部で生成された電荷に基づく信号である
    ことを特徴とする請求項11記載の信号処理装置。
  15. 請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置から出力される信号を処理する信号処理装置と、を有し、
    前記信号処理装置は、前記第1の方向の位相差情報を含む一対の第1の位相差検出信号に基づき、前記第1の方向の位相差を算出し、前記第2の方向の位相差情報を含む一対の第2の位相差検出信号に基づき、前記第2の方向の位相差を算出し、
    前記一対の第1の位相差検出信号の各々は、前記複数の光電変換部のうちの1つの光電変換部のみで生成された電荷に基づく信号であり、
    前記一対の第2の位相差検出信号の各々は、前記複数の光電変換部のうちの2つ以上の光電変換部で生成された電荷に基づく信号である
    ことを特徴とする撮像システム。
  16. 移動体であって、
    請求項1乃至10のいずれか1項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置の前記画素から出力される信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
    前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
    を有することを特徴とする移動体。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI700824B (zh) * 2015-02-09 2020-08-01 日商索尼半導體解決方案公司 攝像元件及電子裝置
US11019294B2 (en) 2018-07-18 2021-05-25 Apple Inc. Seamless readout mode transitions in image sensors
US11563910B2 (en) 2020-08-04 2023-01-24 Apple Inc. Image capture devices having phase detection auto-focus pixels
WO2022173236A1 (ko) 2021-02-10 2022-08-18 삼성전자 주식회사 이미지 센서를 포함하는 전자 장치 및 그 동작 방법
US11546532B1 (en) 2021-03-16 2023-01-03 Apple Inc. Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors
US12192644B2 (en) 2021-07-29 2025-01-07 Apple Inc. Pulse-width modulation pixel sensor
US12069384B2 (en) 2021-09-23 2024-08-20 Apple Inc. Image capture devices having phase detection auto-focus pixels

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107835A (ja) 2012-11-29 2014-06-09 Canon Inc 撮像素子、撮像装置、および、撮像システム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104137535B (zh) 2012-02-28 2017-11-28 佳能株式会社 成像装置、成像系统和成像装置的驱动方法
JP6239975B2 (ja) * 2013-12-27 2017-11-29 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びそれを用いた撮像システム
JP2016131346A (ja) 2015-01-15 2016-07-21 キヤノン株式会社 制御装置、撮像装置、制御方法、プログラム、記憶媒体
JP6509018B2 (ja) 2015-04-17 2019-05-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置、撮像システム及び信号処理方法
JP6650715B2 (ja) 2015-09-29 2020-02-19 キヤノン株式会社 撮像素子及びその制御方法、及び撮像装置
KR102524400B1 (ko) * 2016-07-04 2023-04-24 에스케이하이닉스 주식회사 하나의 컬러 필터 및 하나의 마이크로렌즈를 공유하는 다수 개의 포토다이오드들을 갖는 이미지 센서
JP6806494B2 (ja) 2016-08-24 2021-01-06 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、移動体及び撮像装置の駆動方法
JP6929114B2 (ja) 2017-04-24 2021-09-01 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP6904772B2 (ja) 2017-04-26 2021-07-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置及びその駆動方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107835A (ja) 2012-11-29 2014-06-09 Canon Inc 撮像素子、撮像装置、および、撮像システム

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