JP7067424B2 - エッチング方法及びエッチング装置 - Google Patents

エッチング方法及びエッチング装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7067424B2
JP7067424B2 JP2018206819A JP2018206819A JP7067424B2 JP 7067424 B2 JP7067424 B2 JP 7067424B2 JP 2018206819 A JP2018206819 A JP 2018206819A JP 2018206819 A JP2018206819 A JP 2018206819A JP 7067424 B2 JP7067424 B2 JP 7067424B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
gas
etching
forming
forming gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018206819A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2019121784A5 (https=
JP2019121784A (ja
Inventor
泰生 浅田
武彦 折居
伸次 入江
信博 高橋
彩乃 萩原
達也 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to TW107144908A priority Critical patent/TWI813607B/zh
Priority to KR1020180167758A priority patent/KR102184067B1/ko
Priority to US16/232,532 priority patent/US10665470B2/en
Priority to CN201811610534.0A priority patent/CN109979815B/zh
Publication of JP2019121784A publication Critical patent/JP2019121784A/ja
Priority to US16/839,176 priority patent/US20200234974A1/en
Publication of JP2019121784A5 publication Critical patent/JP2019121784A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7067424B2 publication Critical patent/JP7067424B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
JP2018206819A 2017-12-27 2018-11-01 エッチング方法及びエッチング装置 Active JP7067424B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW107144908A TWI813607B (zh) 2017-12-27 2018-12-13 蝕刻方法及蝕刻裝置
KR1020180167758A KR102184067B1 (ko) 2017-12-27 2018-12-21 에칭 방법 및 에칭 장치
US16/232,532 US10665470B2 (en) 2017-12-27 2018-12-26 Etching method and etching apparatus
CN201811610534.0A CN109979815B (zh) 2017-12-27 2018-12-27 蚀刻方法和蚀刻装置
US16/839,176 US20200234974A1 (en) 2017-12-27 2020-04-03 Etching Method and Etching Apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017251800 2017-12-27
JP2017251800 2017-12-27

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019121784A JP2019121784A (ja) 2019-07-22
JP2019121784A5 JP2019121784A5 (https=) 2021-07-26
JP7067424B2 true JP7067424B2 (ja) 2022-05-16

Family

ID=67308019

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018206819A Active JP7067424B2 (ja) 2017-12-27 2018-11-01 エッチング方法及びエッチング装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7067424B2 (https=)
TW (1) TWI813607B (https=)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102184067B1 (ko) * 2017-12-27 2020-11-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 에칭 방법 및 에칭 장치
JP7419783B2 (ja) * 2019-12-11 2024-01-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
JP7521230B2 (ja) * 2020-03-30 2024-07-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
JP7521229B2 (ja) * 2020-03-30 2024-07-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
JP7472634B2 (ja) * 2020-04-28 2024-04-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及びエッチング装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253245A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Tokyo Electron Ltd 微細パターン形成方法
JP2008535212A (ja) 2005-03-22 2008-08-28 エヌエックスピー ビー ヴィ 集積回路ダイ上への導電性配線部構造の形成方法、導電性配線部および集積回路ダイ
JP2010004049A (ja) 2008-06-23 2010-01-07 Applied Materials Inc 低誘電率膜特性の回復
JP2015061073A (ja) 2013-09-17 2015-03-30 アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ 処理前の多孔質基板の保護
JP2016207768A (ja) 2015-04-20 2016-12-08 東京エレクトロン株式会社 多孔質膜をエッチングする方法
WO2018159783A1 (ja) 2017-03-03 2018-09-07 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 多孔質膜封孔方法および多孔質膜封孔用材料
JP2018529225A (ja) 2015-08-31 2018-10-04 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 半導体構造物をエッチングするための窒素含有化合物

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006253245A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Tokyo Electron Ltd 微細パターン形成方法
JP2008535212A (ja) 2005-03-22 2008-08-28 エヌエックスピー ビー ヴィ 集積回路ダイ上への導電性配線部構造の形成方法、導電性配線部および集積回路ダイ
JP2010004049A (ja) 2008-06-23 2010-01-07 Applied Materials Inc 低誘電率膜特性の回復
JP2015061073A (ja) 2013-09-17 2015-03-30 アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ 処理前の多孔質基板の保護
JP2016207768A (ja) 2015-04-20 2016-12-08 東京エレクトロン株式会社 多孔質膜をエッチングする方法
JP2018529225A (ja) 2015-08-31 2018-10-04 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 半導体構造物をエッチングするための窒素含有化合物
WO2018159783A1 (ja) 2017-03-03 2018-09-07 レール・リキード－ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 多孔質膜封孔方法および多孔質膜封孔用材料

Also Published As

Publication number Publication date
TWI813607B (zh) 2023-09-01
JP2019121784A (ja) 2019-07-22
TW201939613A (zh) 2019-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7067424B2 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
US20200234974A1 (en) Etching Method and Etching Apparatus
KR102471284B1 (ko) 에칭 방법 및 에칭 장치
JP7419783B2 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
KR20190046638A (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
US9527118B2 (en) System and method for treating a substrate
TWI867186B (zh) 蝕刻方法及蝕刻裝置
WO2021220834A1 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JP7521230B2 (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JP2022020428A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JP6881273B2 (ja) 成膜装置
JP4954734B2 (ja) 基板処理装置及びガス供給方法
TWI905379B (zh) 蝕刻方法及蝕刻裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210524

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210524

TRDD Decision of grant or rejection written
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220317

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220411

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7067424

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250