JP7064310B2 - Imprinting equipment and article manufacturing method - Google Patents

Imprinting equipment and article manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP7064310B2
JP7064310B2 JP2017205548A JP2017205548A JP7064310B2 JP 7064310 B2 JP7064310 B2 JP 7064310B2 JP 2017205548 A JP2017205548 A JP 2017205548A JP 2017205548 A JP2017205548 A JP 2017205548A JP 7064310 B2 JP7064310 B2 JP 7064310B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
substrate
mold
imprint
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017205548A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2019079926A (en
Inventor
直樹 清原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2017205548A priority Critical patent/JP7064310B2/en
Priority to KR1020180122965A priority patent/KR102350358B1/en
Publication of JP2019079926A publication Critical patent/JP2019079926A/en
Priority to KR1020220002564A priority patent/KR102452936B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7064310B2 publication Critical patent/JP7064310B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、インプリント装置、および物品製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint device and a method for manufacturing an article.

半導体デバイス等の物品を製造するためのリソグラフィ技術の一つとして、インプリント技術が実用化されつつある。インプリント装置では、型を基板上のインプリント材に接触させることでパターンを形成するため、従来の露光装置に比べて原理的にパターン欠陥が生じやすく、この欠陥の低減が課題となっている。具体的には、型と基板上のインプリント材とを接触させるとき、その間にある大気中の酸素の影響でインプリント材の硬化反応が進行し難くなり、これにより転写されるパターンに欠陥が生じうる。この解決策として、残留ガスがインプリント材やモールドに溶解、拡散、または透過して消滅するまで待機する方法も考えられるが、その場合には、その待機に要する時間のために生産性が低下してしまう。 Imprint technology is being put to practical use as one of the lithography techniques for manufacturing articles such as semiconductor devices. In the imprint device, since the pattern is formed by contacting the mold with the imprint material on the substrate, pattern defects are likely to occur in principle as compared with the conventional exposure device, and reduction of these defects is an issue. .. Specifically, when the mold and the imprint material on the substrate are brought into contact with each other, the curing reaction of the imprint material becomes difficult to proceed due to the influence of oxygen in the atmosphere between them, and the transferred pattern is defective. Can occur. A possible solution to this is to wait until the residual gas dissolves, diffuses, or permeates the imprint material or mold and disappears, but in that case, the time required for the waiting reduces productivity. Resulting in.

この課題を解決するために、基板と型との間の空気を、ヘリウムや二酸化炭素などの型やインプリント材への透過性あるいは可溶性の高いガスで置換し、気泡を型やインプリント材に透過させて気泡の体積を素早く減少させる方法が提案されている。しかし、ここで用いられるガスは一般に高価であり、また温暖化係数も高いという問題があり、そのようなガスの使用量を削減することが求められている。 To solve this problem, the air between the substrate and the mold is replaced with a gas that is highly permeable or soluble in the mold or imprint material such as helium or carbon dioxide, and the bubbles are converted into the mold or imprint material. A method of permeating to quickly reduce the volume of bubbles has been proposed. However, the gas used here is generally expensive and has a high global warming coefficient, and it is required to reduce the amount of such gas used.

特開２０１３－２２９４４８号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-229448

特許文献１の方法では、インプリント材が供給された基板のショット領域が型の下に位置するように基板を移動させながら、ショット領域にガスを吹き付け、基板の移動に伴って型のパターン部と基板との間の空間（インプリント空間）にガスを引き込む。しかし、いったんその空間に流入したガスは流れ幅を保ったまま基板とともに移動を続け、インプリント空間から流出してしまう。そのため、インプリント空間をガスで満たすためには、インプリント空間に流入させるガスの流れ幅がパターン部の幅以上となるようにガスを封入する必要があり、ガスの使用量を削減することができない。 In the method of Patent Document 1, while moving the substrate so that the shot region of the substrate to which the imprint material is supplied is located under the mold, gas is blown onto the shot region, and the pattern portion of the mold is formed as the substrate moves. Gas is drawn into the space (imprint space) between the substrate and the substrate. However, the gas that has once flowed into the space continues to move with the substrate while maintaining the flow width, and flows out of the imprint space. Therefore, in order to fill the imprint space with gas, it is necessary to enclose the gas so that the flow width of the gas flowing into the imprint space is equal to or larger than the width of the pattern portion, and the amount of gas used can be reduced. Can not.

本発明は、例えば、基板と型との間の空気と置換するガスの使用量を削減するのに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide, for example, an imprinting apparatus advantageous for reducing the amount of gas used to replace air between a substrate and a mold.

本発明の一側面によれば、基板上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板のショット領域に前記インプリント材を配置する配置部と、前記ショット領域が前記配置部による配置が行われる配置位置から前記接触が行われるインプリント位置へ移動するように前記基板を移動させる移動機構と、前記配置部と前記型の前記パターン部との間に設けられた供給口から、前記インプリント位置における前記型と前記基板との間の空間にガスを供給する供給部とを備え、前記移動機構による前記基板の移動によって前記ショット領域が前記配置位置から前記インプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで、前記空間からの前記ガスの流出を妨げるように、前記型および前記基板の少なくとも一方を傾斜させることを特徴とするインプリント装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, the imprint device is an imprint device that forms a pattern on the substrate by bringing the pattern portion of the mold into contact with the imprint material on the substrate, and the imprint material is placed in a shot region of the substrate. An arrangement portion to be arranged, a moving mechanism for moving the substrate so that the shot area moves from the arrangement position where the arrangement is performed by the arrangement portion to the imprint position where the contact is performed, and the arrangement portion and the mold. A supply unit that supplies gas to the space between the mold and the substrate at the imprint position from a supply port provided between the pattern unit is provided, and the substrate is moved by the movement mechanism. It is characterized in that at least one of the mold and the substrate is tilted so as to prevent the outflow of the gas from the space at a predetermined timing while the shot region moves from the arrangement position to the imprint position. An imprint device is provided.

本発明によれば、例えば、基板と型との間の空気と置換するガスの使用量を削減するのに有利なインプリント装置を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an imprint device which is advantageous for reducing the amount of gas used to replace air between a substrate and a mold.

実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略平面図。The schematic plan view which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 型の面内におけるガスの流れの分布を示す図。The figure which shows the distribution of the gas flow in the plane of a mold. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略断面図。The schematic sectional drawing which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態における物品製造方法を説明する図。The figure explaining the article manufacturing method in an embodiment.

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the following embodiments merely show specific examples of the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiments. In addition, not all combinations of features described in the following embodiments are essential for solving the problems of the present invention.

＜第１実施形態＞
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。 <First Embodiment>
First, an outline of the imprint device according to the embodiment will be described. The imprint device is a device that forms a pattern of a cured product to which the uneven pattern of the mold is transferred by bringing the imprint material supplied on the substrate into contact with the mold and applying energy for curing to the imprint material. be.

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置（不図示）により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。 As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) that cures when energy for curing is applied is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat and the like can be used. The electromagnetic wave may be, for example, light selected from a wavelength range of 10 nm or more and 1 mm or less, for example, infrared rays, visible rays, ultraviolet rays, and the like. The curable composition can be a composition that is cured by irradiation with light or by heating. Of these, the photocurable composition that is cured by irradiation with light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a non-polymerizable compound or a solvent, if necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group of sensitizers, hydrogen donors, internal release mold release agents, surfactants, antioxidants, polymer components and the like. The imprint material can be arranged on the substrate in the form of droplets or islands or films formed by connecting a plurality of droplets by an imprint material supply device (not shown). The viscosity of the imprint material (viscosity at 25 ° C.) can be, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less. As the material of the substrate, for example, glass, ceramics, metal, semiconductor, resin and the like can be used. If necessary, a member made of a material different from the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass.

図１および図２はそれぞれ、本実施形態におけるインプリント装置２００の構成を示す、概略断面図および概略平面図である。本実施形態において、インプリント装置２００は、光（紫外線）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するが、これに限定されるものではなく、例えば入熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用することもできる。なお、以下の各図においては、型に対する光の照射軸と平行な方向にＸＹＺ座標系におけるＺ軸をとり、Ｚ軸に垂直な平面内で互いに直交する方向にＸ軸およびＹ軸をとるものとする。 1 and 2 are a schematic cross-sectional view and a schematic plan view showing the configuration of the imprint device 200 in the present embodiment, respectively. In the present embodiment, the imprint device 200 employs a photocuring method in which the imprint material is cured by irradiation with light (ultraviolet rays), but the present invention is not limited to this, and for example, the imprint material is cured by heat input. It is also possible to adopt a thermosetting method. In each of the following figures, the Z axis in the XYZ coordinate system is taken in the direction parallel to the irradiation axis of light for the mold, and the X axis and the Y axis are taken in the directions orthogonal to each other in the plane perpendicular to the Z axis. And.

照明光学系１２０は、インプリント処理において、光源１３０からの紫外線を型５０に対して照射する。光源１３０としては、例えば、紫外光を発生するハロゲンランプが使用される。照明光学系１２０は、レンズ等の光学素子、アパーチャ、照射および遮光を切り替えるシャッタ等を含みうる。 The illumination optical system 120 irradiates the mold 50 with ultraviolet rays from the light source 130 in the imprint process. As the light source 130, for example, a halogen lamp that generates ultraviolet light is used. The illumination optical system 120 may include an optical element such as a lens, an aperture, a shutter for switching irradiation and shading, and the like.

型５０は、図２に示されるように、例えば外形が概略矩形であり、所定のパターン（例えば、回路パターン）が３次元状に形成されたパターン部４０（メサ部）を有する。型５０の材質は、石英ガラス等の紫外線を透過させることが可能な材料である。 As shown in FIG. 2, the mold 50 has, for example, a substantially rectangular outer shape, and has a pattern portion 40 (mesa portion) in which a predetermined pattern (for example, a circuit pattern) is formed three-dimensionally. The material of the mold 50 is a material such as quartz glass that can transmit ultraviolet rays.

インプリントヘッド１００は、型５０を保持して移動する型保持部として機能する。インプリントヘッド１００は、真空吸着や静電吸着により型５０を引きつけて保持する型チャック６０を含みうる。また、インプリントヘッド１００は、基板２０上のインプリント材３０に型５０を接触させるために型チャック６０をＺ軸方向に駆動する型駆動機構１０１を有しうる。型駆動機構１０１は更に、型５０をＸＹ方向やθ方向（Ｚ軸回りの回転方向）における位置を調整する機能や、型５０の傾きを調整するチルト機能も有している。この型駆動機構１０１のアクチュエータには、リニアモータやエアシリンダー等を採用可能である。 The imprint head 100 functions as a mold holding unit that holds and moves the mold 50. The imprint head 100 may include a mold chuck 60 that attracts and holds the mold 50 by vacuum suction or electrostatic suction. Further, the imprint head 100 may have a mold drive mechanism 101 that drives the mold chuck 60 in the Z-axis direction in order to bring the mold 50 into contact with the imprint material 30 on the substrate 20. The mold drive mechanism 101 also has a function of adjusting the position of the mold 50 in the XY direction and the θ direction (rotational direction around the Z axis) and a tilt function of adjusting the inclination of the mold 50. A linear motor, an air cylinder, or the like can be adopted as the actuator of the mold drive mechanism 101.

ディスペンサ８０（配置部）は、基板２０の上にインプリント材３０を配置（塗布または供給）する。上記した照明光学系１２０、インプリントヘッド１００、およびディスペンサ８０は、支持体１１０によって支持されている。 The dispenser 80 (arrangement portion) arranges (applies or supplies) the imprint material 30 on the substrate 20. The illumination optical system 120, the imprint head 100, and the dispenser 80 described above are supported by the support 110.

基板ステージ１０および基板チャック１５は、基板を保持して移動する基板保持部として機能する。基板チャック１５は、基板ステージ１０上に固定されている。基板チャック１５の上面には多数の孔が設けられており、これらの孔を通して、不図示の真空ポンプにより基板チャック１５上面の気体が排出されるようになっている。基板２０は、その裏面が基板チャック１５の上面と接触するように配置され、真空ポンプにより基板２０の裏面と基板チャック１５の上面との間の気体を排出することにより、基板２０は基板チャック１５に吸着保持される。 The board stage 10 and the board chuck 15 function as a board holding portion for holding and moving the board. The substrate chuck 15 is fixed on the substrate stage 10. A large number of holes are provided on the upper surface of the substrate chuck 15, and the gas on the upper surface of the substrate chuck 15 is discharged through these holes by a vacuum pump (not shown). The back surface of the substrate 20 is arranged so as to be in contact with the upper surface of the substrate chuck 15, and the substrate 20 is formed by discharging the gas between the back surface of the substrate 20 and the upper surface of the substrate chuck 15 by a vacuum pump. Is adsorbed and held.

基板ステージ１０は、ステージ定盤１１上で基板ステージ１０（すなわち基板２０）をＸＹ方向に移動させる移動機構１０ａを含む。移動機構１０ａは更に、Ｚ軸方向における位置やθ方向における位置を調整する調整機能や、基板２０の傾きを調整するチルト機能を有していてもよい。移動機構１０ａは、基板２０のショット領域がディスペンサ８０によるインプリント材の配置が行われる配置位置から型５０と基板２０上のインプリント材３０との接触が行われるインプリント位置へ移動するように基板２０を移動させることができる。また、パージプレート２５が、基板２０の外周部を囲むように設けられ、基板ステージ１０によって保持されている。パージプレート２５は基板チャック１５上に配置された基板２０と略同一高さの面を有している。パージプレート２５は、基板面内方向に駆動することができる。 The substrate stage 10 includes a moving mechanism 10a for moving the substrate stage 10 (that is, the substrate 20) in the XY directions on the stage surface plate 11. The moving mechanism 10a may further have an adjusting function for adjusting a position in the Z-axis direction and a position in the θ direction, and a tilt function for adjusting the inclination of the substrate 20. The moving mechanism 10a moves the shot region of the substrate 20 from the arrangement position where the imprint material is arranged by the dispenser 80 to the imprint position where the imprint material 30 on the substrate 20 is in contact with the mold 50. The substrate 20 can be moved. Further, the purge plate 25 is provided so as to surround the outer peripheral portion of the substrate 20 and is held by the substrate stage 10. The purge plate 25 has a surface at substantially the same height as the substrate 20 arranged on the substrate chuck 15. The purge plate 25 can be driven inward of the substrate surface.

制御部１は、インプリント装置２００における各部を制御する。制御部１は、ＣＰＵ１ａやメモリ１ｂを含むコンピュータ装置によって実現されうる。 The control unit 1 controls each unit in the imprint device 200. The control unit 1 can be realized by a computer device including a CPU 1a and a memory 1b.

制御部１は、例えば以下のようにしてインプリント処理を制御する。まず、制御部１は、移動機構１０ａを制御して、基板２０のショット領域がディスペンサ８０によるインプリント材の配置が行われる配置位置に来るように基板２０を搬送する。次に、制御部１は、ディスペンサ８０を制御して、配置位置に位置しているショット領域にインプリント材３０を配置する。その後、制御部１は、移動機構１０ａを制御して、基板２０のショット領域がインプリント位置に来るように基板２０を搬送する。そして、制御部１は、インプリントヘッド１００を制御して、型５０を下降させてショット領域上のインプリント材３０と接触させる。この接触により、インプリント材３０は、パターン部４０に彫り込まれた溝に流入（充填）する。この状態で、制御部１は、光源１３０に紫外光を発生させる。光源１３０からの紫外光は照明光学系１２０を介して型５０を通過し、インプリント材３０に入射する。こうして紫外線を照射されたインプリント材３０は硬化する。硬化したインプリント材には、型５０のパターンの反転パターンが形成されることとなる。インプリント材３０が硬化した後、制御部１は、インプリントヘッド１００を制御して、型５０を上昇させ、型５０と基板２０との間隔を広げていく。これにより、硬化したインプリント材３０から型５０が引き離される。 The control unit 1 controls the imprint process as follows, for example. First, the control unit 1 controls the moving mechanism 10a to convey the substrate 20 so that the shot region of the substrate 20 comes to the arrangement position where the imprint material is arranged by the dispenser 80. Next, the control unit 1 controls the dispenser 80 to arrange the imprint material 30 in the shot area located at the arrangement position. After that, the control unit 1 controls the moving mechanism 10a to convey the substrate 20 so that the shot region of the substrate 20 comes to the imprint position. Then, the control unit 1 controls the imprint head 100 to lower the mold 50 and bring it into contact with the imprint material 30 on the shot region. By this contact, the imprint material 30 flows (fills) into the groove carved in the pattern portion 40. In this state, the control unit 1 generates ultraviolet light from the light source 130. The ultraviolet light from the light source 130 passes through the mold 50 via the illumination optical system 120 and is incident on the imprint material 30. The imprint material 30 irradiated with ultraviolet rays in this way is cured. An inverted pattern of the pattern of the mold 50 is formed on the cured imprint material. After the imprint material 30 is cured, the control unit 1 controls the imprint head 100 to raise the mold 50 and widen the distance between the mold 50 and the substrate 20. As a result, the mold 50 is separated from the cured imprint material 30.

なお、上記の説明では、固定された基板２０上のインプリント材３０に対してインプリントヘッド１００を下降させて型５０を接触させる構成としているが、この反対の動作もありうる。すなわち、固定された型５０に対して基板ステージ１０を駆動して基板２０上のインプリント材３０を接触させる構成としてもよい。あるいは、インプリントヘッド１００と基板ステージ１０をそれぞれ駆動させる構成としてもよい。すなわち、型５０と基板２０との間隔を相対的に変化させる構成であればよい。 In the above description, the imprint head 100 is lowered to bring the imprint head 100 into contact with the imprint material 30 on the fixed substrate 20, but the opposite operation is also possible. That is, the imprint material 30 on the substrate 20 may be brought into contact with the fixed mold 50 by driving the substrate stage 10. Alternatively, the imprint head 100 and the substrate stage 10 may be driven respectively. That is, the configuration may be such that the distance between the mold 50 and the substrate 20 is relatively changed.

インプリント処理の概要は概ね以上のとおりである。インプリント処理においては、型５０と基板２０上のインプリント材３０とを接触させるとき、その間の空間における大気中の酸素の影響でインプリント材３０の充填が妨げられ、これによりパターン欠陥が生じやすくなる。そこでインプリント装置２００は、インプリント位置における型５０とショット領域に配置されたインプリント材３０との間の空間（以下「インプリント空間」ともいう。）にパージガス（充填促進ガス）を供給する供給部を備える。供給部は、複数の供給口として設けられたガスノズル７１，７２，７３，７４と、ガス流量制御部１４１，１４２，１４３，１４４とを含みうる（図２参照）。図２に示されるように、ガスノズル７１～７４は型５０を囲むように配置される。また、ガスノズル７１～７４はそれぞれ、ガス流量制御部１４１～１４４に接続されている。このうちガスノズル７１は、型５０とディスペンサ８０との間に配置されている。図１の例では、複数の供給口としてのガスノズル７１～７４がインプリントヘッド１００に配置されている。 The outline of the imprint process is as described above. In the imprint process, when the mold 50 and the imprint material 30 on the substrate 20 are brought into contact with each other, the filling of the imprint material 30 is hindered by the influence of oxygen in the atmosphere in the space between them, which causes pattern defects. It will be easier. Therefore, the imprint device 200 supplies purge gas (filling promotion gas) to the space between the mold 50 at the imprint position and the imprint material 30 arranged in the shot region (hereinafter, also referred to as “imprint space”). It has a supply unit. The supply unit may include gas nozzles 71, 72, 73, 74 provided as a plurality of supply ports and gas flow rate control units 141, 142, 143, 144 (see FIG. 2). As shown in FIG. 2, the gas nozzles 71 to 74 are arranged so as to surround the mold 50. Further, the gas nozzles 71 to 74 are connected to the gas flow rate control units 141 to 144, respectively. Of these, the gas nozzle 71 is arranged between the mold 50 and the dispenser 80. In the example of FIG. 1, gas nozzles 71 to 74 as a plurality of supply ports are arranged in the imprint head 100.

なお、図２においては便宜上、ガスノズル７１～７４の幅（スリット幅）がパターン部４０の各辺よりも大きく描かれているが、その限りではない。スリット幅が狭い方が、その吹き出し口付近でのガスの流速が大きくなるため、巻き込まれる空気の量が減る。したがって、周囲の空気がガスがガスノズル７１～７４から吹き出されるガスに混ざってインプリント空間に巻き込まれるのを防ぐためには、ガスノズル７１～７４の幅は、パターン部４０の幅よりも狭くするとよい。 In FIG. 2, for convenience, the width (slit width) of the gas nozzles 71 to 74 is drawn larger than each side of the pattern portion 40, but this is not the case. The narrower the slit width, the larger the flow velocity of the gas near the outlet, and the smaller the amount of air entrained. Therefore, in order to prevent the surrounding air from being mixed with the gas blown out from the gas nozzles 71 to 74 and being caught in the imprint space, the width of the gas nozzles 71 to 74 may be narrower than the width of the pattern portion 40. ..

インプリント装置２００は、ガスノズル７１～７４から、インプリント空間にパージガスを供給してインプリントを行う。パージガスには、充填性の観点から拡散性やインプリント材に対する溶解性に優れ、型とインプリント材との接触時に型を透過する透過性気体を採用しうる。あるいはパージガスとしては、型と基板上のインプリント材との接触時における型とインプリント材との間の空間の圧力上昇により液化する凝縮性気体を採用することもできる。型とインプリント材との接触時、インプリント材や型に残留した気体が、透過性気体の場合は溶解または拡散し、凝縮性気体の場合はインプリントによる圧力上昇により液化して、気体時に比べて体積が数百分の一にまで小さくなる。これにより、残留ガスのパターン形成への影響を抑えられる。透過性気体としては具体的には、窒素、ヘリウム、二酸化炭素、水素、キセノン、ペンタフルオロプロパン等が採用されうる。また、凝縮性気体としては具体的には、ペンタフルオロプロパンを代表とするハイドロフルオロカーボンや、ハイドロフルオロエーテル等のうちから選択される１つのガス、あるいはそれらの混合ガスが採用されうる。 The imprint device 200 supplies purge gas to the imprint space from the gas nozzles 71 to 74 to perform imprint. As the purge gas, a permeable gas that is excellent in diffusibility and solubility in the imprint material from the viewpoint of filling property and permeates the mold when the mold and the imprint material come into contact with each other can be adopted. Alternatively, as the purge gas, a condensable gas that liquefies due to an increase in pressure in the space between the mold and the imprint material at the time of contact between the mold and the imprint material on the substrate can be adopted. When the mold comes into contact with the imprint material, the gas remaining in the imprint material or the mold dissolves or diffuses in the case of a permeable gas, and in the case of a condensable gas, it liquefies due to the pressure increase due to the imprint. Compared to this, the volume is reduced to a few hundredths. As a result, the influence of the residual gas on the pattern formation can be suppressed. Specifically, as the permeable gas, nitrogen, helium, carbon dioxide, hydrogen, xenon, pentafluoropropane and the like can be adopted. Further, as the condensable gas, specifically, a hydrofluorocarbon typified by pentafluoropropane, one gas selected from hydrofluoroethers and the like, or a mixed gas thereof can be adopted.

以上の構成により、本実施形態のインプリント処理においては、でガスノズル７１～７４から上記のようなパージガス（以下、単に「ガス」という。）を供給することができる。以下、本実施形態における、ガスの供給を伴うインプリント処理の詳細を説明する。 With the above configuration, in the imprint process of the present embodiment, the purge gas as described above (hereinafter, simply referred to as “gas”) can be supplied from the gas nozzles 71 to 74. Hereinafter, the details of the imprint process accompanied by the supply of gas in this embodiment will be described.

まず、図１（ａ）に示すように、制御部１は、移動機構１０ａを制御して、基板２０のショット領域がディスペンサ８０によるインプリント材の配置が行われる配置位置に来るように基板２０を搬送する。次に、制御部１は、ディスペンサ８０を制御して、基板２０のショット領域にインプリント材３０を配置する。その後、図１（ｂ）に示すように、制御部１は、移動機構１０ａを制御して、基板２０のショット領域がインプリント位置に来るように、基板２０のＳＤ方向への搬送を開始する。 First, as shown in FIG. 1A, the control unit 1 controls the moving mechanism 10a so that the shot region of the substrate 20 comes to the arrangement position where the imprint material is arranged by the dispenser 80. To carry. Next, the control unit 1 controls the dispenser 80 to arrange the imprint material 30 in the shot region of the substrate 20. After that, as shown in FIG. 1B, the control unit 1 controls the moving mechanism 10a to start transporting the substrate 20 in the SD direction so that the shot region of the substrate 20 comes to the imprint position. ..

その後、制御部１は、ガス流量制御部１４１を制御して、ガスノズル７１からのガスＧの供給を開始する。例えば、制御部１は、ガス流量制御部１４１を制御して、基板２０のショット領域がガスノズル７１の下を通過する前の時点で、ガスノズル７１からのガスＧの供給を開始する。供給されたガスＧは、基板２０の移動に伴って、型５０と基板２０との間の空間に引き込まれていく。制御部１は、このガスＧの供給が開始される以後に、インプリントヘッド１００を制御して、基板ステージ１０がディスペンサ８０の位置から型５０へ向かうＳＤ方向に進むにつれ徐々に型５０と基板２０との間隙が小さくなるように、型５０を傾斜させる。この型５０の傾斜によって、基板２０の移動に伴いガスＧが型５０と基板２０との間に引き込まれる流速が抑制され、それによりガスＧの流れ幅が広がる。 After that, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to start supplying the gas G from the gas nozzle 71. For example, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to start supplying gas G from the gas nozzle 71 before the shot region of the substrate 20 passes under the gas nozzle 71. The supplied gas G is drawn into the space between the mold 50 and the substrate 20 as the substrate 20 moves. After the supply of the gas G is started, the control unit 1 controls the imprint head 100 and gradually advances the mold 50 and the substrate as the substrate stage 10 advances from the position of the dispenser 80 toward the mold 50 in the SD direction. The mold 50 is tilted so that the gap with 20 becomes small. Due to the inclination of the mold 50, the flow velocity at which the gas G is drawn between the mold 50 and the substrate 20 as the substrate 20 moves is suppressed, whereby the flow width of the gas G is widened.

ガスＧが十分に供給されるものとして予め定められた時間の経過後、制御部１は、ガス流量制御部１４１を制御して、ガスノズル７１からのガスＧの供給を止める。その後、制御部１は、基板２０のショット領域が型５０のパターン部４０の下に位置したら、基板ステージ１０の駆動を止め、図１（ｃ）に示すように型５０を水平に戻す。その後、制御部１は、パターン部４０とショット領域との位置合わせを行い、インプリントヘッド１００を制御して、型５０を下降させてショット領域上のインプリント材３０と接触させる。この状態で、制御部１は、光源１３０に紫外光を発生させインプリント材３０を硬化させる。インプリント材３０が硬化した後、制御部１は、インプリントヘッド１００を制御して型５０を上昇させ、硬化したインプリント材３０から型５０を引き離す。 After the elapse of a predetermined time that the gas G is sufficiently supplied, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to stop the supply of the gas G from the gas nozzle 71. After that, when the shot region of the substrate 20 is located below the pattern portion 40 of the mold 50, the control unit 1 stops driving the substrate stage 10 and returns the mold 50 to the horizontal position as shown in FIG. 1 (c). After that, the control unit 1 aligns the pattern unit 40 with the shot region, controls the imprint head 100, lowers the mold 50, and brings it into contact with the imprint material 30 on the shot region. In this state, the control unit 1 generates ultraviolet light from the light source 130 to cure the imprint material 30. After the imprint material 30 is cured, the control unit 1 controls the imprint head 100 to raise the mold 50 and separate the mold 50 from the cured imprint material 30.

上記の例は、基板２０をインプリント位置に位置させるために基板ステージ１０をＳＤ方向に移動させる場合に、その移動方向に対応するガスノズル７１からのガスの制御を説明したものである。基板ステージ１０の移動方向がＳＤ方向と異なる場合には、ガスノズル７２，７３，７４のうちの対応するガスノズルからガスが制御されることになる。 The above example describes the control of gas from the gas nozzle 71 corresponding to the moving direction when the board stage 10 is moved in the SD direction in order to position the board 20 in the imprint position. When the moving direction of the substrate stage 10 is different from the SD direction, the gas is controlled from the corresponding gas nozzles 72, 73, 74.

また、上記の例では、制御部１は、インプリントヘッド１００を制御して、基板ステージ１０がＳＤ方向に進むにつれ徐々に型５０と基板２０との間隙が小さくなるように、型５０を傾斜させた。このかわりに、制御部１は、基板ステージ１０（移動機構１０ａ）を制御して、基板ステージ１０がＳＤ方向に進むにつれ徐々に型５０と基板２０との間隙が小さくなるように、基板２０を傾斜させるようにしてもよい。あるいは、型５０と基板２０の両方を傾斜させてもよい。すなわち、型５０および基板２０の少なくとも一方を傾斜させればよい。なお、型５０または基板２０の傾斜は、型５０と基板２０との最も近いところの距離と最も離れているところの距離との差が、例えば、0.1mm以上2.0mm以下となるように行うとよい。 Further, in the above example, the control unit 1 controls the imprint head 100 and inclines the mold 50 so that the gap between the mold 50 and the board 20 gradually becomes smaller as the board stage 10 advances in the SD direction. I let you. Instead, the control unit 1 controls the substrate stage 10 (moving mechanism 10a) to gradually reduce the gap between the mold 50 and the substrate 20 as the substrate stage 10 advances in the SD direction. It may be tilted. Alternatively, both the mold 50 and the substrate 20 may be tilted. That is, at least one of the mold 50 and the substrate 20 may be tilted. The inclination of the mold 50 or the substrate 20 is set so that the difference between the distance between the mold 50 and the substrate 20 at the closest point and the distance between the mold 50 and the substrate 20 at the farthest point is, for example, 0.1 mm or more and 2.0 mm or less. good.

ここで、上記のように型５０を傾斜させる理由を説明する。上記のように型５０を傾斜させることにより、型５０と基板２０との間の空間に対してガスが流入する側とは反対側で型５０と基板２０との間隔が狭められる。このため、型５０と基板２０との間の空間からのガスの流出が妨げられる。こうして、型５０と基板２０との間の空間におけるガスの流れに関して、ＳＤ方向の下流側で圧力が上昇する圧力勾配が付加される。これにより、型５０と基板２０との対向角度が平行である場合に比べ、型５０と基板２０との間の空間における、基板２０の移動によって引き込まれるガスＧの流速が抑制される。流速が小さくなると、ガスノズル７１から供給されるガスＧの流量は維持されたまま、ガスＧの流れ幅を広げる効果が得られる。 Here, the reason for inclining the mold 50 as described above will be described. By inclining the mold 50 as described above, the distance between the mold 50 and the substrate 20 is narrowed on the side opposite to the side where the gas flows into the space between the mold 50 and the substrate 20. Therefore, the outflow of gas from the space between the mold 50 and the substrate 20 is hindered. In this way, with respect to the gas flow in the space between the mold 50 and the substrate 20, a pressure gradient in which the pressure rises on the downstream side in the SD direction is added. As a result, the flow velocity of the gas G drawn in by the movement of the substrate 20 in the space between the mold 50 and the substrate 20 is suppressed as compared with the case where the facing angles of the mold 50 and the substrate 20 are parallel. When the flow velocity becomes small, the effect of widening the flow width of the gas G can be obtained while maintaining the flow rate of the gas G supplied from the gas nozzle 71.

以上のように、本実施形態によれば、インプリント装置２００は、型５０と基板２０との間の空間からのガスＧの流出を妨げるように、型５０と基板２０の少なくとも一方を傾斜させる。その傾斜は、移動機構１０ａによる基板２０の移動によってショット領域がディスペンサ８０による配置位置からインプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで行われる。その所定のタイミングとは、例えば、移動機構１０ａによる基板２０の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル７１の下を通過する前の時点でありうる。あるいは、所定のタイミングとは、移動機構１０ａによる基板２０の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル７１の下を通過する前の時点で、かつ、ガスノズル７１からのガスの供給が開始される以後の時点でありうる。 As described above, according to the present embodiment, the imprint device 200 tilts at least one of the mold 50 and the substrate 20 so as to prevent the outflow of the gas G from the space between the mold 50 and the substrate 20. .. The tilting is performed at a predetermined timing while the shot region is moved from the arrangement position by the dispenser 80 to the imprint position by the movement of the substrate 20 by the movement mechanism 10a. The predetermined timing may be, for example, a time point after the movement of the substrate 20 by the moving mechanism 10a is started and before the shot region passes under the gas nozzle 71. Alternatively, the predetermined timing is the time after the movement of the substrate 20 by the moving mechanism 10a is started and before the shot region passes under the gas nozzle 71, and the supply of gas from the gas nozzle 71 is started. It may be at a later point in time.

図３は、型５０における基板２０と対向する方向の面内でのガスＧの流れの分布を示した平面図である。ディスペンサ８０が型５０の左側にあり、基板ステージ１０が左から右で示されるＳＤ方向に進行する。図３（ａ）と図３（ｂ）はともに、基板ステージ１０をＳＤ方向へ駆動させつつ、ガスノズル７１より同一流量のガスＧを供給した場合のガスＧの分布を示している。図３（ａ）は型５０と基板２０が平行に対向している場合の分布であり、図３（ｂ）は、ＳＤ方向に進むにつれ型５０と基板２０の間隙が狭くなるように型５０を傾斜させた場合の分布である。このような型５０の傾斜によって、ガスノズル７１から供給されるガスＧの流量を維持したまま、ガスＧの流れ幅を広げる効果が得られる。これにより、インプリント空間における気体を効果的にガスＧに置換することができる。また、これにより、所望のガスの流れ幅にするために必要となるガス流量が減るため、ガスの使用量を削減することができる。 FIG. 3 is a plan view showing the distribution of the flow of gas G in the plane in the direction facing the substrate 20 in the mold 50. The dispenser 80 is on the left side of the mold 50 and the substrate stage 10 advances in the SD direction shown from left to right. Both FIGS. 3A and 3B show the distribution of the gas G when the substrate stage 10 is driven in the SD direction and the same flow rate of the gas G is supplied from the gas nozzle 71. FIG. 3A shows the distribution when the mold 50 and the substrate 20 face each other in parallel, and FIG. 3B shows the mold 50 so that the gap between the mold 50 and the substrate 20 becomes narrower as the mold 50 and the substrate 20 proceed in the SD direction. It is a distribution when is inclined. Such an inclination of the mold 50 has the effect of widening the flow width of the gas G while maintaining the flow rate of the gas G supplied from the gas nozzle 71. Thereby, the gas in the imprint space can be effectively replaced with the gas G. Further, as a result, the gas flow rate required to obtain the desired gas flow width is reduced, so that the amount of gas used can be reduced.

＜第２実施形態＞
図４に、第２実施形態におけるインプリント装置２００の構成を示す。第１実施形態に係る図１では、型５０とディスペンサ８０との間の位置でインプリントヘッド１００に複数の供給口としてガスノズル７１～７４が配置されていた。これに対し、図４の例では、型５０および型チャック６０を連通する複数の孔が形成され、そこに複数の供給口としてのガスノズル７１～７４が配置されている。その他の構成は実施形態１と同様である。 <Second Embodiment>
FIG. 4 shows the configuration of the imprint device 200 according to the second embodiment. In FIG. 1 according to the first embodiment, gas nozzles 71 to 74 are arranged as a plurality of supply ports in the imprint head 100 at positions between the mold 50 and the dispenser 80. On the other hand, in the example of FIG. 4, a plurality of holes communicating the mold 50 and the mold chuck 60 are formed, and gas nozzles 71 to 74 as a plurality of supply ports are arranged therein. Other configurations are the same as those in the first embodiment.

実施形態１のようにガスノズル７１～７４が型５０の外側に配置される場合、基板２０のＳＤ方向への移動に伴いＳＤ方向へ引き込まれるガスＧの流速の低下が避けられない。ガスＧの流速が低下すると、型５０と基板２０との間の空間へ導入されるガスＧの量が低下し、その空間の外部にガスＧが漏れてしまう可能性が高まる。これに対し本実施形態では、ガスノズル７１～７４が型５０を貫通する孔によって形成されているため、実施形態１の構成に比べて、パターン部４０に近い位置でガスＧを供給することができる。これにより、ガスＧをより確実にインプリント空間に導入することができる。この構成により、型５０と基板２０との間の空間から漏れ出るガスの量を減らすことができるため、より効果的に型５０と基板２０との間の空間における気体をガスＧで置換することができる。 When the gas nozzles 71 to 74 are arranged outside the mold 50 as in the first embodiment, it is inevitable that the flow velocity of the gas G drawn in the SD direction decreases as the substrate 20 moves in the SD direction. When the flow velocity of the gas G decreases, the amount of the gas G introduced into the space between the mold 50 and the substrate 20 decreases, and the possibility that the gas G leaks to the outside of the space increases. On the other hand, in the present embodiment, since the gas nozzles 71 to 74 are formed by holes penetrating the mold 50, the gas G can be supplied at a position closer to the pattern portion 40 than in the configuration of the first embodiment. .. This makes it possible to more reliably introduce Gus G into the imprint space. With this configuration, the amount of gas leaking from the space between the mold 50 and the substrate 20 can be reduced, so that the gas in the space between the mold 50 and the substrate 20 can be replaced with gas G more effectively. Can be done.

＜第３実施形態＞
上記した第１実施形態および第２実施形態では、型５０を傾斜させることにより、型５０と基板２０との間の空間におけるガスの流れに関して、ＳＤ方向の下流側で圧力が上昇する圧力勾配を付加した。これに対し、第３実施形態では、型５０を傾斜させるのではなく、型５０と基板２０との間の空間からのガスの流出を妨げるような給排気機構を設ける。図５に、本実施形態におけるインプリント装置２００の構成を示す。インプリント装置２００は、型５０と基板２０との間の空間にガスＧ（第１ガス）を供給する第１供給部を備える。第１供給部は、第１実施形態と同様の、複数の供給口として設けられたガスノズル７１，７２，７３，７４と、ガス流量制御部１４１，１４２，１４３，１４４とを含みうる（図２参照）。このうちガスノズル７１（第１供給口）は、型５０とディスペンサ８０との間に配置されている。 <Third Embodiment>
In the first embodiment and the second embodiment described above, by inclining the mold 50, a pressure gradient in which the pressure rises on the downstream side in the SD direction with respect to the gas flow in the space between the mold 50 and the substrate 20 is obtained. Added. On the other hand, in the third embodiment, the air supply / exhaust mechanism is provided so as to prevent the outflow of gas from the space between the mold 50 and the substrate 20 instead of inclining the mold 50. FIG. 5 shows the configuration of the imprint device 200 in this embodiment. The imprint device 200 includes a first supply unit that supplies a gas G (first gas) to the space between the mold 50 and the substrate 20. The first supply unit may include gas nozzles 71, 72, 73, 74 provided as a plurality of supply ports and gas flow rate control units 141, 142, 143, 144 as in the first embodiment (FIG. 2). reference). Of these, the gas nozzle 71 (first supply port) is arranged between the mold 50 and the dispenser 80.

また、型５０に対してガスノズル７１～７４より更に外側に、給排気装置１５０，１６０が設けられている。このうち給排気装置１６０は、型５０のパターン部４０を挟んでガスノズル７１とは反対側の位置の第２供給口に設けられている。給排気装置１５０、１６０は、例えば支持体１１０によって支持されている。給排気装置１５０，１６０は、例えば、強制給気および強制排気を行うためのファンを含みうる。ここでは、給排気装置１５０，１６０が型５０と基板２０との間の空間に向けて空気（第２ガス）を供給する動作を給気動作といい、給排気装置１５０，１６０が該空間から空気を排出する動作を排気動作という。給排気装置１５０，１６０は、給気動作を行う場合は空気を供給する供給部（第２供給部）として機能し、排気動作を行う場合は、空気を排出する排気部として機能する。 Further, air supply / exhaust devices 150 and 160 are provided further outside the gas nozzles 71 to 74 with respect to the mold 50. Of these, the air supply / exhaust device 160 is provided at the second supply port at a position opposite to the gas nozzle 71 with the pattern portion 40 of the mold 50 interposed therebetween. The air supply / exhaust devices 150 and 160 are supported by, for example, a support 110. The air supply / exhaust devices 150, 160 may include, for example, a fan for forced air supply and forced exhaust. Here, the operation in which the air supply / exhaust devices 150 and 160 supply air (second gas) toward the space between the mold 50 and the substrate 20 is called an air supply operation, and the air supply / exhaust devices 150 and 160 are from the space. The operation of exhausting air is called the exhaust operation. The air supply / exhaust devices 150 and 160 function as a supply unit (second supply unit) for supplying air when performing an air supply operation, and function as an exhaust unit for discharging air when performing an exhaust operation.

制御部１は、まず、移動機構１０ａを制御して、基板２０のショット領域がディスペンサ８０によるインプリント材の配置が行われる配置位置に来るように基板２０を搬送する。次に、制御部１は、ディスペンサ８０を制御して、基板２０のショット領域にインプリント材３０を配置する。その後、制御部１は、移動機構１０ａを制御して、基板２０のショット領域がインプリント位置に来るように、基板２０のＳＤ方向への搬送を開始する。この搬送に際し、制御部１は、型５０のパターン部４０に対してＳＤ方向の下流側にある給排気装置１６０に給気動作を行わせる。または、制御部１は、型５０のパターン部４０に対してＳＤ方向の上流側にある給排気装置１５０に排気動作を行わせる。あるいは、制御部１は、型５０のパターン部４０に対してＳＤ方向の下流側にある給排気装置１６０に給気動作を行わせ、かつ、型５０のパターン部４０に対してＳＤ方向の上流側にある給排気装置１５０に排気動作を行わせてもよい。このような給排気動作によって、型５０と基板２０との間の空間からのガスの流出を妨げるような圧力勾配が付加される。 First, the control unit 1 controls the moving mechanism 10a to convey the substrate 20 so that the shot region of the substrate 20 comes to the arrangement position where the imprint material is arranged by the dispenser 80. Next, the control unit 1 controls the dispenser 80 to arrange the imprint material 30 in the shot region of the substrate 20. After that, the control unit 1 controls the moving mechanism 10a to start the transfer of the substrate 20 in the SD direction so that the shot region of the substrate 20 comes to the imprint position. At the time of this transportation, the control unit 1 causes the air supply / exhaust device 160 located on the downstream side in the SD direction to perform the air supply operation with respect to the pattern unit 40 of the mold 50. Alternatively, the control unit 1 causes the air supply / exhaust device 150 located upstream in the SD direction to perform an exhaust operation with respect to the pattern unit 40 of the mold 50. Alternatively, the control unit 1 causes the air supply / exhaust device 160 located on the downstream side in the SD direction with respect to the pattern unit 40 of the mold 50 to perform an air supply operation, and is upstream with respect to the pattern unit 40 of the mold 50 in the SD direction. The air supply / exhaust device 150 on the side may perform the exhaust operation. By such an air supply / exhaust operation, a pressure gradient is added so as to prevent the outflow of gas from the space between the mold 50 and the substrate 20.

ただし、付加する圧力勾配は、基板２０の移動により型５０と基板２０との間に引きずり込まれるガスＧの気流が逆流しない範囲にする必要がある。そのような圧力勾配ＰＧは、ガスＧの粘度をμ、型５０と基板２０との間の間隔をｄ、基板２０の速度をｖとすると、クエット・ポワズイユ流れの前提に基づき、次式で表される。 However, the pressure gradient to be added needs to be within a range in which the air flow of the gas G dragged between the mold 50 and the substrate 20 due to the movement of the substrate 20 does not flow back. Assuming that the viscosity of the gas G is μ, the distance between the mold 50 and the substrate 20 is d, and the velocity of the substrate 20 is v, such a pressure gradient PG is expressed by the following equation based on the premise of the Quett-Poiseuille flow. Will be done.

ＰＧ＜６μｖ／ｄ^2 PG <6μv / d ^ 2

その後、制御部１は、ガス流量制御部１４１を制御して、ガスノズル７１からのガスＧの供給を開始する。例えば、制御部１は、ガス流量制御部１４１を制御して、基板２０のショット領域がガスノズル７１の下を通過する前の時点で、ガスノズル７１からのガスＧの供給を開始する。供給されたガスＧは、基板２０の移動に伴って、型５０と基板２０との間の空間に引き込まれる。 After that, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to start supplying the gas G from the gas nozzle 71. For example, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to start supplying gas G from the gas nozzle 71 before the shot region of the substrate 20 passes under the gas nozzle 71. The supplied gas G is drawn into the space between the mold 50 and the substrate 20 as the substrate 20 moves.

ガスＧが十分に供給されるものとして予め定められた時間の経過後、制御部１は、ガス流量制御部１４１を制御して、ガスノズル７１からのガスＧの供給を止める。その後、制御部１は、基板２０のショット領域が型５０のパターン部４０の下に位置したら、基板ステージ１０の駆動と、給排気装置１５０による給排気動作を止める。その後の動作は、第１実施形態と同様である。ただし、これに限定されるものではなく、給排気動作は常時続けるようにしてもよい。 After the elapse of a predetermined time that the gas G is sufficiently supplied, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to stop the supply of the gas G from the gas nozzle 71. After that, when the shot region of the substrate 20 is located below the pattern portion 40 of the mold 50, the control unit 1 stops the driving of the substrate stage 10 and the air supply / exhaust operation by the air supply / exhaust device 150. Subsequent operations are the same as in the first embodiment. However, the present invention is not limited to this, and the air supply / exhaust operation may be continued at all times.

以上のように、本実施形態によれば、インプリント装置２００は、型５０と基板２０の間の空間からガスＧの流出を妨げるように、給排気装置１６０から空気の供給を行う。この空気の供給は、移動機構１０ａによる基板２０の移動によってショット領域がディスペンサ８０による配置位置からインプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで行われる。その所定のタイミングとは、例えば、移動機構１０ａによる基板２０の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル７１の下を通過する前の時点でありうる。あるいは、所定のタイミングとは、移動機構１０ａによる基板２０の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル７１の下を通過する前の時点で、かつ、ガスノズル７１からのガスの供給が開始される以後の時点でありうる。 As described above, according to the present embodiment, the imprint device 200 supplies air from the air supply / exhaust device 160 so as to prevent the outflow of the gas G from the space between the mold 50 and the substrate 20. This air supply is performed at a predetermined timing while the shot region is moved from the arrangement position by the dispenser 80 to the imprint position due to the movement of the substrate 20 by the movement mechanism 10a. The predetermined timing may be, for example, a time point after the movement of the substrate 20 by the moving mechanism 10a is started and before the shot region passes under the gas nozzle 71. Alternatively, the predetermined timing is the time after the movement of the substrate 20 by the moving mechanism 10a is started and before the shot region passes under the gas nozzle 71, and the supply of gas from the gas nozzle 71 is started. It may be at a later point in time.

以上のような、ガスＧの供給時における給排気装置１６０による給気動作によって、あるいはそれに加えて行われる給排気装置１５０による排気動作によって、基板２０の移動に伴い引き込まれるガスＧの流速が抑制される。流速が抑制されると、ガスノズル７１から供給されるガスＧの流量を維持したまま、ガスＧの流れ幅を広げる効果を得ることができる。この効果により、所望のガスの流れ幅にするために必要となるガス流量が減るため、ガスの使用量を削減することもできる。 As described above, the flow velocity of the gas G drawn in with the movement of the substrate 20 is suppressed by the air supply operation by the air supply / exhaust device 160 at the time of supplying the gas G, or by the exhaust operation by the air supply / exhaust device 150 performed in addition to the air supply operation. Will be done. When the flow velocity is suppressed, the effect of widening the flow width of the gas G can be obtained while maintaining the flow rate of the gas G supplied from the gas nozzle 71. Due to this effect, the gas flow rate required to obtain the desired gas flow width is reduced, so that the amount of gas used can also be reduced.

＜第４実施形態＞
上記した第３実施形態では、例えばファンによる給排気動作を行う給排気装置１５０を備える形態を示した。本実施形態はその変形例である。図６（ａ）に、本実施形態におけるインプリント装置２００の構成を示す。ここでは、インプリントヘッド１００の、型５０に対してガスノズル７１～７４により更に外側に、ガスノズル９１～９４が設けられている。 <Fourth Embodiment>
In the third embodiment described above, for example, a mode including an air supply / exhaust device 150 that performs an air supply / exhaust operation by a fan is shown. This embodiment is a modification thereof. FIG. 6A shows the configuration of the imprint device 200 according to the present embodiment. Here, the gas nozzles 91 to 94 are provided on the outer side of the imprint head 100 by the gas nozzles 71 to 74 with respect to the mold 50.

図６（ｂ）は、パターン部４０に対するガスノズル７１～７４およびガスノズル９１～９４の配置を示す図である。ガスノズル９１，９２，９３，９４はそれぞれ、ガス流量制御部１５１，１５２，１５３，１５４に接続されており、これによりガスノズル９１～９４から供給されるガスＡの流量は個別に制御されうる。ガスＡとしては、ガスＧと異なる清浄な空気（クリーンドライエア）および窒素の少なくともいずれかを用いることができる。 FIG. 6B is a diagram showing the arrangement of the gas nozzles 71 to 74 and the gas nozzles 91 to 94 with respect to the pattern portion 40. The gas nozzles 91, 92, 93, and 94 are connected to the gas flow rate control units 151, 152, 153, and 154, respectively, whereby the flow rate of the gas A supplied from the gas nozzles 91 to 94 can be individually controlled. As the gas A, at least one of clean air (clean dry air) different from the gas G and nitrogen can be used.

なお、ガスノズル９１～９４の配置は、これに限定されるものではない。例えば、ガスＡとガスＧの制御を明確に分けることにすれば、ガスＡを供給するガスノズル９１～９４の機能をガスノズル７１～７４で兼用する構成としてもよい。また、第２実施形態（図４）のように、ガスノズル７１～７４として、型５０のパターン部４０を取り囲むように型５０の各辺の中心からパターン部４０の方向に一定距離向かった位置に開けられた孔を通じてガスＧが供給される場合を考える。この場合は、さらにそれらの孔を取り囲むように型５０に開けられた孔を通じてガスＡを供給する構成としてもよい。 The arrangement of the gas nozzles 91 to 94 is not limited to this. For example, if the control of the gas A and the gas G is clearly separated, the functions of the gas nozzles 91 to 94 for supplying the gas A may be shared by the gas nozzles 71 to 74. Further, as in the second embodiment (FIG. 4), the gas nozzles 71 to 74 are located at positions facing the pattern portion 40 from the center of each side of the mold 50 so as to surround the pattern portion 40 of the mold 50. Consider the case where the gas G is supplied through the drilled hole. In this case, the gas A may be further supplied through the holes formed in the mold 50 so as to surround those holes.

ガス流量制御部１５１～１５４の制御は、第３実施形態と同様である。例えば、制御部１は、基板２０をＳＤ方向に移動させるのに対して、ガス流量制御部１５３を制御して、ガスノズル９３からガスＡを供給する。これは、第３実施形態におけるＳＤ方向の下流側にある給排気装置１５０に給気動作を行わせることに対応する。これにより、型５０と基板２０との間の空間からのガスの流出を妨げるような圧力勾配が付加され、第３実施形態と同様の効果を得ることができる。 The control of the gas flow rate control units 151 to 154 is the same as that of the third embodiment. For example, the control unit 1 moves the substrate 20 in the SD direction, whereas the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 153 to supply the gas A from the gas nozzle 93. This corresponds to causing the air supply / exhaust device 150 on the downstream side in the SD direction in the third embodiment to perform the air supply operation. As a result, a pressure gradient that hinders the outflow of gas from the space between the mold 50 and the substrate 20 is added, and the same effect as that of the third embodiment can be obtained.

＜物品製造方法の実施形態＞
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。 <Embodiment of Article Manufacturing Method>
The pattern of the cured product formed by using the imprint device is used permanently for at least a part of various articles or temporarily when manufacturing various articles. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, a mold, or the like. Examples of the electric circuit element include volatile or non-volatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include a mold for imprinting.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。 The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the above-mentioned article, or is temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、物品製造方法について説明する。図７のステップＳＡでは、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコン基板等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。 Next, an article manufacturing method will be described. In step SA of FIG. 7, a substrate 1z such as a silicon substrate on which a workpiece 2z such as an insulator is formed on the surface is prepared, and subsequently, an imprint material 3z is prepared on the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. Is given. Here, a state in which a plurality of droplet-shaped imprint materials 3z are applied onto the substrate is shown.

図７のステップＳＢでは、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図７のステップＳＣでは、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。 In step SB of FIG. 7, the imprint mold 4z is opposed to the imprint material 3z on the substrate with the side on which the uneven pattern is formed facing. In step SC of FIG. 7, the substrate 1z to which the imprint material 3z is applied is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the work material 2z. When light is irradiated through the mold 4z as energy for curing in this state, the imprint material 3z is cured.

図７のステップＳＤでは、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。 In step SD of FIG. 7, when the mold 4z and the substrate 1z are separated from each other after the imprint material 3z is cured, a pattern of the cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. The pattern of the cured product has a shape in which the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product and the concave portion of the mold corresponds to the convex portion of the cured product, that is, the uneven pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.

図７のステップＳＥでは、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図７のステップＳＦでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。 In step SE of FIG. 7, when the pattern of the cured product is etched with the etching resistant type, the portion of the surface of the work material 2z where the cured product is absent or remains thin is removed to form a groove 5z. In step SF of FIG. 7, when the pattern of the cured product is removed, an article in which the groove 5z is formed on the surface of the workpiece 2z can be obtained. Here, the pattern of the cured product is removed, but it may not be removed even after processing, and may be used, for example, as a film for interlayer insulation contained in a semiconductor element or the like, that is, as a constituent member of an article.

１：制御部、１０：基板ステージ、１０ａ：移動機構、２０：基板、３０：インプリント材、５０：型、７１：ガスノズル、８０：ディスペンサ、１００：インプリントヘッド、２００：インプリント装置 1: Control unit, 10: Board stage, 10a: Moving mechanism, 20: Board, 30: Imprint material, 50: Mold, 71: Gas nozzle, 80: Dispenser, 100: Imprint head, 200: Imprint device

Claims (14)

基板上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板のショット領域に前記インプリント材を配置する配置部と、
前記ショット領域が前記配置部による配置が行われる配置位置から前記接触が行われるインプリント位置へ移動するように前記基板を移動させる移動機構と、
前記配置部と前記型の前記パターン部との間に設けられた供給口から、前記インプリント位置における前記型と前記基板との間の空間にガスを供給する供給部と、
を備え、
前記移動機構による前記基板の移動によって前記ショット領域が前記配置位置から前記インプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで、前記空間からの前記ガスの流出を妨げるように、前記型および前記基板の少なくとも一方を傾斜させる
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint device that forms a pattern on the substrate by bringing the pattern portion of the mold into contact with the imprint material on the substrate.
An arrangement portion for arranging the imprint material in the shot area of the substrate,
A moving mechanism that moves the substrate so that the shot region moves from the placement position where the placement by the placement portion is performed to the imprint position where the contact is performed.
A supply unit that supplies gas to the space between the mold and the substrate at the imprint position from a supply port provided between the arrangement portion and the pattern portion of the mold.
Equipped with
The mold and the substrate so as to prevent the outflow of the gas from the space at a predetermined timing while the shot region moves from the arrangement position to the imprint position due to the movement of the substrate by the movement mechanism. An imprint device characterized by tilting at least one side. 前記所定のタイミングは、前記移動機構による前記基板の移動が開始された後で、前記ショット領域が前記供給口の下を通過する前の時点であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。 The imprint according to claim 1, wherein the predetermined timing is a time point after the movement of the substrate by the movement mechanism is started and before the shot region passes under the supply port. Printing device. 前記所定のタイミングは、前記移動機構による前記基板の移動が開始された後で、前記ショット領域が前記供給口の下を通過する前の時点で、かつ、前記供給部からの前記ガスの供給が開始される以後の時点であることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。 The predetermined timing is a time point after the movement of the substrate by the moving mechanism is started and before the shot region passes under the supply port, and the supply of the gas from the supply unit is performed. The imprinting apparatus according to claim 1, wherein the imprinting apparatus is a time point after the start. 前記供給口が前記型を貫通する孔によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。 The imprint device according to any one of claims 1 to 3, wherein the supply port is formed by a hole penetrating the mold. 前記供給口の幅が前記型の前記パターン部の幅よりも狭いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。 The imprint device according to any one of claims 1 to 4, wherein the width of the supply port is narrower than the width of the pattern portion of the mold. 前記ガスは、前記接触により前記型を透過する透過性気体、及び、前記接触により液化する凝縮性気体の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。 The gas according to any one of claims 1 to 5, wherein the gas contains at least one of a permeable gas that permeates the mold by the contact and a condensable gas that liquefies by the contact. Imprint device. 基板上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板のショット領域に前記インプリント材を配置する配置部と、
前記ショット領域が前記配置部による配置が行われる配置位置から前記接触が行われるインプリント位置へ向かう方向に移動するように前記基板を移動させる移動機構と、
前記配置部と前記型の前記パターン部との間に設けられた第１供給口から、前記インプリント位置における前記型と前記基板との間の空間に第１ガスを供給する第１供給部と、
前記型の前記パターン部を挟んで前記第１供給口とは反対側の位置であって前記型の前記パターン部に対して前記方向の下流側の位置に設けられた第２供給口から、前記空間に前記第１ガスとは異なる第２ガスを供給する第２供給部と、
を備え、
前記移動機構による前記基板の移動によって前記ショット領域が前記配置位置から前記インプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで、前記空間における前記第１ガスの広がりを促進させるような、前記方向の下流側で圧力が上昇する圧力勾配を付加するように、前記第２供給部により前記第２ガスを供給し、
前記第２ガスの供給が開始された後、かつ、前記移動が完了する前に、前記第１供給部により前記第１ガスを供給する、
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint device that forms a pattern on the substrate by bringing the pattern portion of the mold into contact with the imprint material on the substrate.
An arrangement portion for arranging the imprint material in the shot area of the substrate,
A moving mechanism that moves the substrate so that the shot region moves in the direction from the placement position where the placement by the placement portion is performed to the imprint position where the contact is performed.
From the first supply port provided between the arrangement portion and the pattern portion of the mold, the first supply portion that supplies the first gas to the space between the mold and the substrate at the imprint position. ,
From the second supply port provided at a position on the opposite side of the pattern portion of the mold from the first supply port and on the downstream side in the direction with respect to the pattern portion of the mold , the said A second supply unit that supplies a second gas different from the first gas to the space,
Equipped with
In the above direction, the movement of the substrate by the movement mechanism promotes the spread of the first gas in the space at a predetermined timing while the shot region moves from the arrangement position to the imprint position . The second gas is supplied by the second supply unit so as to add a pressure gradient in which the pressure rises on the downstream side .
After the supply of the second gas is started and before the movement is completed, the first gas is supplied by the first supply unit.
An imprint device characterized by that. 前記配置部と前記第１供給口との間に設けられ前記空間の排気を行う排気部を更に備え、
前記所定のタイミングで、前記圧力勾配を付加するように前記排気部による排気を更に行うことを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。 An exhaust unit provided between the arrangement unit and the first supply port for exhausting the space is further provided.
The imprint device according to claim 7, wherein the exhaust gas is further exhausted by the exhaust unit so as to add the pressure gradient at the predetermined timing. 前記所定のタイミングは、前記移動機構による前記基板の移動が開始された後で、前記ショット領域が前記第１供給口の下を通過する前の時点であることを特徴とする請求項７または８に記載のインプリント装置。 7. The imprint device described in. 前記第１供給口および前記第２供給口がそれぞれ前記型を貫通する孔によって形成されていることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のインプリント装置。 The imprint device according to any one of claims 7 to 9 , wherein the first supply port and the second supply port are each formed by a hole penetrating the mold. 前記第１供給口の幅が前記型の前記パターン部の幅よりも狭いことを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置。 The imprint device according to any one of claims 7 to 10, wherein the width of the first supply port is narrower than the width of the pattern portion of the mold. 前記第１ガスは、前記接触により前記型を透過する透過性気体、及び、前記接触により液化する凝縮性気体の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載のインプリント装置。 One of claims 7 to 11, wherein the first gas contains at least one of a permeable gas that permeates the mold by the contact and a condensable gas that liquefies by the contact. The imprint device described in. 前記第２ガスは、クリーンドライエアまたは窒素であることを特徴とする請求項１２に記載のインプリント装置。 The imprint device according to claim 12, wherein the second gas is clean dry air or nitrogen. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。 A step of forming a pattern on a substrate by using the imprint device according to any one of claims 1 to 13.
The process of processing the substrate on which the pattern is formed and
Have,
An article manufacturing method comprising manufacturing an article from the processed substrate.
JP2017205548A 2017-10-24 2017-10-24 Imprinting equipment and article manufacturing method Active JP7064310B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017205548A JP7064310B2 (en) 2017-10-24 2017-10-24 Imprinting equipment and article manufacturing method
KR1020180122965A KR102350358B1 (en) 2017-10-24 2018-10-16 Imprint apparatus, and method of manufacturing article
KR1020220002564A KR102452936B1 (en) 2017-10-24 2022-01-07 Imprint apparatus, and method of manufacturing article

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017205548A JP7064310B2 (en) 2017-10-24 2017-10-24 Imprinting equipment and article manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019079926A JP2019079926A (en) 2019-05-23
JP7064310B2 true JP7064310B2 (en) 2022-05-10

Family

ID=66582762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017205548A Active JP7064310B2 (en) 2017-10-24 2017-10-24 Imprinting equipment and article manufacturing method

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7064310B2 (en)
KR (2) KR102350358B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7453779B2 (en) 2019-12-04 2024-03-21 キヤノン株式会社 Simulation method, simulation device, and program

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245072A (en) 2005-02-28 2006-09-14 Canon Inc Mold for transferring pattern and transfer device
JP2008078550A (en) 2006-09-25 2008-04-03 Toppan Printing Co Ltd Imprint mold, its manufacturing method, and pattern formation method
JP2012039057A (en) 2010-07-13 2012-02-23 Canon Inc Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP2012506146A (en) 2008-10-20 2012-03-08 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Gas environment for imprint lithography
JP2013513950A (en) 2009-12-10 2013-04-22 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Template for imprint lithography
JP2013519228A (en) 2010-02-09 2013-05-23 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Process gas confinement for nanoimprint
JP2013175631A (en) 2012-02-27 2013-09-05 Canon Inc Imprint device, imprint method, and method of manufacturing article using the same
JP2013229448A (en) 2012-04-25 2013-11-07 Canon Inc Imprint device, imprint method, and article manufacturing method
JP2014049473A (en) 2012-08-29 2014-03-17 Dainippon Printing Co Ltd Imprint method and imprint device for implementing the same
JP2014212206A (en) 2013-04-18 2014-11-13 キヤノン株式会社 Imprint device and manufacturing method of goods using the same
JP2016054232A (en) 2014-09-04 2016-04-14 キヤノン株式会社 Imprint device
JP2016054231A (en) 2014-09-04 2016-04-14 キヤノン株式会社 Imprint device
JP2016092198A (en) 2014-11-04 2016-05-23 キヤノン株式会社 Imprint device and method and product manufacturing method
JP2017045999A (en) 2016-11-07 2017-03-02 大日本印刷株式会社 Imprinting device and manufacturing method for imprint transfer body
JP2017092350A (en) 2015-11-13 2017-05-25 キヤノン株式会社 Generation method, imprint method, imprint device, program, and manufacturing method of article
JP2017139452A (en) 2016-02-03 2017-08-10 キヤノン株式会社 Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP2017163039A (en) 2016-03-10 2017-09-14 キヤノン株式会社 Imprint device, and manufacturing method of object

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2519049B2 (en) * 1987-04-16 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 Ashing device
JP2012080015A (en) * 2010-10-05 2012-04-19 Canon Inc Imprint apparatus and method for manufacturing goods
JP6525567B2 (en) * 2014-12-02 2019-06-05 キヤノン株式会社 Imprint apparatus and method of manufacturing article

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006245072A (en) 2005-02-28 2006-09-14 Canon Inc Mold for transferring pattern and transfer device
JP2008078550A (en) 2006-09-25 2008-04-03 Toppan Printing Co Ltd Imprint mold, its manufacturing method, and pattern formation method
JP2012506146A (en) 2008-10-20 2012-03-08 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Gas environment for imprint lithography
JP2013513950A (en) 2009-12-10 2013-04-22 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Template for imprint lithography
JP2013519228A (en) 2010-02-09 2013-05-23 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド Process gas confinement for nanoimprint
JP2012039057A (en) 2010-07-13 2012-02-23 Canon Inc Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP2013175631A (en) 2012-02-27 2013-09-05 Canon Inc Imprint device, imprint method, and method of manufacturing article using the same
JP2013229448A (en) 2012-04-25 2013-11-07 Canon Inc Imprint device, imprint method, and article manufacturing method
JP2014049473A (en) 2012-08-29 2014-03-17 Dainippon Printing Co Ltd Imprint method and imprint device for implementing the same
JP2014212206A (en) 2013-04-18 2014-11-13 キヤノン株式会社 Imprint device and manufacturing method of goods using the same
JP2016054232A (en) 2014-09-04 2016-04-14 キヤノン株式会社 Imprint device
JP2016054231A (en) 2014-09-04 2016-04-14 キヤノン株式会社 Imprint device
JP2016092198A (en) 2014-11-04 2016-05-23 キヤノン株式会社 Imprint device and method and product manufacturing method
JP2017092350A (en) 2015-11-13 2017-05-25 キヤノン株式会社 Generation method, imprint method, imprint device, program, and manufacturing method of article
JP2017139452A (en) 2016-02-03 2017-08-10 キヤノン株式会社 Imprint apparatus and method of manufacturing article
JP2017163039A (en) 2016-03-10 2017-09-14 キヤノン株式会社 Imprint device, and manufacturing method of object
JP2017045999A (en) 2016-11-07 2017-03-02 大日本印刷株式会社 Imprinting device and manufacturing method for imprint transfer body

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019079926A (en) 2019-05-23
KR102452936B1 (en) 2022-10-11
KR20190045839A (en) 2019-05-03
KR102350358B1 (en) 2022-01-14
KR20220010566A (en) 2022-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6761329B2 (en) Imprint equipment, imprint method and article manufacturing method
JP6700949B2 (en) Imprint method and article manufacturing method
JP2019186477A (en) Imprint device, imprint method, and article manufacturing method
JP7286400B2 (en) Molding Apparatus, Determining Method, and Article Manufacturing Method
JP2019102735A (en) Imprint method, imprint apparatus, and manufacturing method of article
JP2017208424A (en) Imprint device and manufacturing method of article
JP6762853B2 (en) Equipment, methods, and article manufacturing methods
JP7064310B2 (en) Imprinting equipment and article manufacturing method
JP2017163039A (en) Imprint device, and manufacturing method of object
JP6445772B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
JP7373334B2 (en) Imprint device and article manufacturing method
JP7171394B2 (en) Molding Apparatus, Molding Method, and Article Manufacturing Method
JP6978853B2 (en) Imprint device and article manufacturing method
JP6304921B2 (en) Imprint method, imprint apparatus, and article manufacturing method using the same
JP2019071386A (en) Imprint device and article manufacturing method
JP7262930B2 (en) Molding apparatus for molding composition on substrate using mold, molding method, and article manufacturing method
JP2019117844A (en) Mold, replica mold, imprint apparatus, and article manufacturing method
JP7105643B2 (en) Molding apparatus and article manufacturing method
KR102461027B1 (en) Molding apparatus for molding composition on substrate using mold, molding method, and method for manufacturing article
US20220388230A1 (en) Imprint device, imprint method, storage medium, and article manufacturing method
JP2023109248A (en) Imprint device, imprint method, and manufacturing method of article
JP6808386B2 (en) Imprint equipment and article manufacturing method
JP2023034120A (en) Molding apparatus, molding method and article manufacturing method
JP2023047940A (en) Imprint device, imprint method, and method for manufacturing article
JP2023179278A (en) Molding device, imprint device, and manufacturing method of article

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201007

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20210103

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210113

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210730

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210816

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211007

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220325

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220422

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7064310

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151