JP2017208424A - Imprint device and manufacturing method of article - Google Patents

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裕一 高村
Yuichi Takamura
裕一 高村
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imprint device that is advantageous for supplying a gas to a space between a die and a substrate.SOLUTION: An imprint device forms a pattern on a substrate by contacting a die to an imprint member on the substrate, and the device includes: a die holding part; a substrate holding part; a supply part that supplies the imprint member onto the substrate; an air inlet that supplies a gas; an exhaust part that exhausts the gas; and a control part. When a region on the substrate to be supplied the imprint member is moved to a lower direction of the die holding part from the lower direction of the supply part, the control part controls the device so that a first supply amount as an amount of the gas supplied from a first supply port in a side of the supply part related to the die of a plurality of supply ports is larger than a second supply amount as an amount of the gas supplied from the second supply port in the side opposite to the first supply port of the plurality of supply ports, and a first exhaust amount as an amount of the gas exhausted from the first exhaust port in the side of the supply part is larger than a second exhaust amount as an amount of the gas exhausted from the second exhaust port in the side opposite to the first exhaust port.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、インプリント装置、及び物品の製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint apparatus and an article manufacturing method.

半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加えて、基板上のインプリント材をモールド(型)で成形(成型)して硬化させ、基板上にパターン(構造体)を形成する微細加工技術が注目されている。かかる技術は、インプリント技術と呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターンを形成することができる。   The demand for miniaturization of semiconductor devices has advanced, and in addition to conventional photolithography technology, the imprint material on the substrate is molded (molded) with a mold and cured to form a pattern (structure) on the substrate. Attention has been focused on microfabrication technology. Such a technique is called an imprint technique, and can form a fine pattern on the order of several nanometers on a substrate.

インプリント技術の1つとして、例えば、光硬化法がある。光硬化法を採用したインプリント装置は、基板上に供給された光硬化性のインプリント材をモールドで成形し、光を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで、基板上にパターンを形成する。   As one of the imprint techniques, for example, there is a photocuring method. An imprint apparatus that employs a photocuring method forms a photocurable imprint material supplied on a substrate with a mold, irradiates light to cure the imprint material, and then molds the mold from the cured imprint material. By pulling apart, a pattern is formed on the substrate.

インプリント装置では、モールドと基板との間の空間をヘリウムなどの透過性ガスおよびペンタフルオロプロパンなどの凝縮性ガスのうち少なくとも一方で高濃度(例えば、90%以上)に置換する必要がある。特許文献1には、置換ガスの供給口及び排気口を制御して、モールドのパターンの近傍に置換ガスを導入する技術が開示されている。   In the imprint apparatus, it is necessary to replace the space between the mold and the substrate with a high concentration (for example, 90% or more) of at least one of a permeable gas such as helium and a condensable gas such as pentafluoropropane. Patent Document 1 discloses a technique for introducing a replacement gas in the vicinity of a mold pattern by controlling a replacement gas supply port and an exhaust port.

特許第4658227号公報Japanese Patent No. 4658227

しかしながら、モールドと基板との間は、例えば、500ミクロン程度の狭ギャップであるため、従来技術では、多量の置換ガスを用いずにモールドと基板との間の空間(隙または隙間)に置換ガスを導入することが非常に困難である。モールドと基板との間の空間におけるガスの置換が不十分であると、空気溜まりや置換ガスの不均一な濃度分布が発生して、モールドに対するインプリント材の未充填に起因するパターンの欠陥を生じうる。   However, since the gap between the mold and the substrate is, for example, a narrow gap of about 500 microns, in the prior art, a replacement gas is not formed in the space (gap or gap) between the mold and the substrate without using a large amount of replacement gas. It is very difficult to introduce. Insufficient gas replacement in the space between the mold and the substrate will cause air pockets and uneven concentration distribution of the replacement gas, resulting in pattern defects caused by unfilled imprint material in the mold. Can occur.

本発明は、型と基板との間の隙にガスを供給するのに有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。   An object of the present invention is to provide an imprint apparatus that is advantageous for supplying a gas to a gap between a mold and a substrate.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材に型を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記型を保持する型保持部と、前記基板を保持する基板保持部と、前記インプリント材を前記基板上に供給する供給部と、前記型保持部に保持された型の周囲に複数の給気口を含み、前記複数の給気口からガスを供給する給気部と、前記型保持部に保持された型の周囲に複数の排気口を含み、前記複数の排気口からガスを排出する排気部と、前記給気部と前記排気部とを制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記供給部によりインプリント材を供給された前記基板上の領域が前記基板保持部とともに前記供給部の下から前記型保持部の下へ移動する場合、前記複数の給気口のうち前記型保持部に保持された型に関して前記供給部の側にある第1給気口から供給されるガスの量としての第1供給量が前記複数の給気口のうち前記型保持部に保持された型に関して前記第1給気口とは反対の側にある第2給気口から供給されるガスの量としての第2供給量より多くなるように、かつ前記複数の排気口のうち前記型保持部に保持された型に関して前記供給部の側にある第1排気口から排出されるガスの量としての第1排出量より前記複数の排気口のうち前記型保持部に保持された型に関して前記第1排気口とは反対の側にある第2排気口から排出されるガスの量としての第2排出量が多くなるように、前記給気部および前記排気部を制御することを特徴とする。   In order to achieve the above object, an imprint apparatus according to one aspect of the present invention is an imprint apparatus that forms a pattern on the substrate by bringing the mold into contact with an imprint material on the substrate. A mold holding unit that holds the substrate, a substrate holding unit that holds the substrate, a supply unit that supplies the imprint material onto the substrate, and a plurality of air supply ports around the mold held by the mold holding unit. An air supply unit that supplies gas from the plurality of air supply ports; and an exhaust unit that includes a plurality of exhaust ports around the mold held by the mold holding unit and discharges gas from the plurality of exhaust ports. A control unit that controls the air supply unit and the exhaust unit, and the control unit supplies an area on the substrate to which the imprint material is supplied by the supply unit together with the substrate holding unit. When moving from below the mold to below the mold holder, The first supply amount as the amount of gas supplied from the first supply port on the supply unit side with respect to the mold held by the mold holding unit among the plurality of supply ports is the plurality of supply ports. Among the molds held by the mold holding part, so as to be larger than the second supply amount as the amount of gas supplied from the second air supply port on the side opposite to the first air supply port, and Among the plurality of exhaust ports, the first discharge amount as the amount of gas discharged from the first exhaust port on the supply unit side with respect to the mold held by the mold holding unit among the plurality of exhaust ports. With respect to the mold held in the mold holding part, the air supply unit and the air supply unit and the gas discharge unit are arranged so that the second discharge amount as the amount of gas discharged from the second exhaust port on the side opposite to the first exhaust port is increased. The exhaust part is controlled.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。   Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、型と基板との間の隙にガスを供給するのに有利なインプリント装置を提供することができる。   According to the present invention, for example, it is possible to provide an imprint apparatus that is advantageous for supplying a gas to a gap between a mold and a substrate.

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。It is the schematic which shows the structure of the imprint apparatus as 1 side surface of this invention. 図1に示すインプリント装置のモールドの近傍を示す図である。It is a figure which shows the vicinity of the mold of the imprint apparatus shown in FIG. 図1に示すインプリント装置が2つの供給部を有する場合の例を示す図である。It is a figure which shows the example in case the imprint apparatus shown in FIG. 1 has two supply parts. 1回の供給工程でインプリント材が供給されるショット領域のレイアウトを示す図である。It is a figure which shows the layout of the shot area | region where the imprint material is supplied by one supply process. 図1に示すインプリント装置のガス給排部を制御するための具体的な構成を示す図である。It is a figure which shows the specific structure for controlling the gas supply / discharge part of the imprint apparatus shown in FIG. 物品の製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of articles | goods.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。   DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.

図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置1の構成を示す概略図である。インプリント装置1は、半導体デバイスなどの物品の製造工程に使用されるリソグラフィ装置であって、基板上のインプリント材を成型してパターンを形成する。本実施形態では、インプリント装置1は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する。   FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration of an imprint apparatus 1 as one aspect of the present invention. The imprint apparatus 1 is a lithographic apparatus used in a manufacturing process of an article such as a semiconductor device, and forms a pattern by molding an imprint material on a substrate. In the present embodiment, the imprint apparatus 1 makes the imprint material supplied on the substrate come into contact with the mold, and gives a curing energy to the imprint material, thereby transferring a cured product on which the concave / convex pattern of the mold is transferred. The pattern is formed.

インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いる。   As the imprint material, a curable composition (also referred to as an uncured resin) that cures when given energy for curing is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like is used. As the electromagnetic wave, for example, light such as infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays, whose wavelength is selected from a range of 10 nm to 1 mm is used.

硬化性組成物は、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。   A curable composition is a composition which hardens | cures by irradiation of light or by heating. The photocurable composition that is cured by light irradiation contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.

インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。   The imprint material may be applied in a film form on the substrate by a spin coater or a slit coater. Further, the imprint material may be applied onto the substrate in the form of droplets by the liquid ejecting head, or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. The imprint material has a viscosity (viscosity at 25 ° C.) of, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less.

インプリント装置1は、基板8を保持する基板保持部2と、モールド11を保持するモールド保持部(型保持部)3と、アライメント計測部4と、照射部5と、供給部7と、ガス給排部25と、制御部6とを有する。また、インプリント装置1は、基板8を基板保持部2に搬送するための基板搬送部(不図示)と、モールド11をモールド保持部3に搬送するためのモールド搬送部(不図示)とを有する。更に、インプリント装置1は、基板保持部2を支持するベース定盤24と、モールド保持部3を支持するブリッジ定盤14と、ブリッジ定盤14を支持する支柱15とを有する。図1に示すように、基板上のインプリント材に対して光を照射する方向に平行な方向をZ軸とし、Z軸に対して直交する方向をX軸及びY軸とする。   The imprint apparatus 1 includes a substrate holding unit 2 that holds a substrate 8, a mold holding unit (mold holding unit) 3 that holds a mold 11, an alignment measurement unit 4, an irradiation unit 5, a supply unit 7, and a gas It has a supply / discharge unit 25 and a control unit 6. Further, the imprint apparatus 1 includes a substrate transport unit (not shown) for transporting the substrate 8 to the substrate holding unit 2 and a mold transport unit (not shown) for transporting the mold 11 to the mold holding unit 3. Have. Further, the imprint apparatus 1 includes a base surface plate 24 that supports the substrate holding unit 2, a bridge surface plate 14 that supports the mold holding unit 3, and a support column 15 that supports the bridge surface plate 14. As shown in FIG. 1, the direction parallel to the direction of irradiating light to the imprint material on the substrate is defined as the Z axis, and the directions orthogonal to the Z axis are defined as the X axis and the Y axis.

基板8には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板8とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板8は、具体的には、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどである。基板8の被処理面には、インプリント材が供給(塗布)される。   Glass, ceramics, metal, semiconductor, resin, or the like is used for the substrate 8, and a member made of a material different from the substrate 8 may be formed on the surface of the substrate 8 as necessary. Specifically, the substrate 8 is a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, quartz glass, or the like. An imprint material is supplied (applied) to the surface to be processed of the substrate 8.

モールド11は、矩形の外形を有し、基板8に対向する面に、基板8に供給されたインプリント材に転写するパターンが3次元形状に形成された型である。モールド11は、石英などの紫外線を透過させる材料で構成されている。   The mold 11 has a rectangular outer shape, and is a mold in which a pattern to be transferred to an imprint material supplied to the substrate 8 is formed in a three-dimensional shape on a surface facing the substrate 8. The mold 11 is made of a material that transmits ultraviolet rays, such as quartz.

照射部5は、モールド11を介して、基板上のインプリント材に対して紫外線を照射する。照射部5は、例えば、光源16と、光源16から発せられた紫外線をインプリント処理に適した状態に調整する光学系17と、基板上のインプリント材に照射される紫外線を走査するための走査部18とを含む。   The irradiation unit 5 irradiates the imprint material on the substrate with ultraviolet rays via the mold 11. For example, the irradiation unit 5 scans the light source 16, the optical system 17 that adjusts the ultraviolet light emitted from the light source 16 to a state suitable for the imprint process, and the ultraviolet light irradiated to the imprint material on the substrate. And a scanning unit 18.

モールド保持部3は、モールド11を保持して、基板上のインプリント材にモールド11のパターンをインプリントする、即ち、インプリント材とモールド11とを接触させるためのヘッドである。モールド保持部3は、モールドチャック12と、形状補正部13と、モールドステージ23とを含む。モールドチャック12は、例えば、真空吸着パッドによって、モールド11を吸着(固定)する。モールドチャック12は、モールドステージ23に保持されている。モールドステージ23は、基板8とモールド11との間の距離(間隔)を変更するための駆動系であって、モールドチャック12、即ち、モールド11をZ軸方向に駆動する(移動させる)。モールドステージ23は、モールド11の高精度な位置決めを実現するために、粗動駆動系や微動駆動系など複数の駆動系を含んでいてもよい。また、モールドステージ23は、Z軸方向だけではなく、X軸方向、Y軸方向、θ(Z軸周りの回転)方向にモールド11を駆動する機能やモールド11の傾きを補正する機能を有していてもよい。モールドチャック12には、モールド11の形状を補正するための形状補正部13が配置されている。形状補正部13は、モールド11の側面に力又は変位を与えることによって、モールド11の形状を補正する。   The mold holding unit 3 is a head for holding the mold 11 and imprinting the pattern of the mold 11 on the imprint material on the substrate, that is, bringing the imprint material and the mold 11 into contact with each other. The mold holding unit 3 includes a mold chuck 12, a shape correction unit 13, and a mold stage 23. The mold chuck 12 sucks (fixes) the mold 11 using, for example, a vacuum suction pad. The mold chuck 12 is held on the mold stage 23. The mold stage 23 is a drive system for changing the distance (interval) between the substrate 8 and the mold 11, and drives (moves) the mold chuck 12, that is, the mold 11 in the Z-axis direction. The mold stage 23 may include a plurality of drive systems such as a coarse motion drive system and a fine motion drive system in order to achieve highly accurate positioning of the mold 11. The mold stage 23 has a function of driving the mold 11 not only in the Z-axis direction but also in the X-axis direction, the Y-axis direction, and the θ (rotation around the Z-axis) direction and a function of correcting the tilt of the mold 11. It may be. The mold chuck 12 is provided with a shape correction unit 13 for correcting the shape of the mold 11. The shape correction unit 13 corrects the shape of the mold 11 by applying force or displacement to the side surface of the mold 11.

基板保持部2は、基板8を保持して、モールド11と基板8との間の並進シフトを補正する、即ち、モールド11と基板8との位置合わせをする。基板保持部2は、基板チャック9と、基板ステージ10とを含む。基板チャック9は、例えば、真空吸着パッドによって、基板8を吸着(固定)する。基板チャック9は、真空吸着パッド(不図示)を介して、基板ステージ10に保持されている。基板ステージ10は、基板チャック9、即ち、基板8をX軸方向及びY軸方向に駆動する(移動させる)。基板ステージ10は、粗動駆動系や微動駆動系など複数の駆動系を含んでいてもよい。基板ステージ10は、Z軸方向やθ(Z軸周りの回転)方向に基板8を駆動する機能や基板8の傾きを補正する機能を有していてもよい。また、基板ステージ10には、モールド11を位置合わせする際に利用する基準マークが配置されている。   The substrate holding unit 2 holds the substrate 8 and corrects a translational shift between the mold 11 and the substrate 8, that is, aligns the mold 11 and the substrate 8. The substrate holding unit 2 includes a substrate chuck 9 and a substrate stage 10. The substrate chuck 9 sucks (fixes) the substrate 8 using, for example, a vacuum suction pad. The substrate chuck 9 is held on the substrate stage 10 via a vacuum suction pad (not shown). The substrate stage 10 drives (moves) the substrate chuck 9, that is, the substrate 8 in the X-axis direction and the Y-axis direction. The substrate stage 10 may include a plurality of drive systems such as a coarse drive system and a fine drive system. The substrate stage 10 may have a function of driving the substrate 8 in the Z-axis direction and θ (rotation around the Z-axis) direction and a function of correcting the tilt of the substrate 8. In addition, a reference mark used when aligning the mold 11 is arranged on the substrate stage 10.

供給部7は、基板上にインプリント材を供給する。供給部7は、インプリント材を吐出する吐出口(液体噴射ヘッド)を含み、かかる吐出口から基板8にインプリント材を滴下する。供給部7の吐出口から吐出するインプリント材の量は、必要となるレジストの残膜厚や転写するパターンの密度などによって決定される。   The supply unit 7 supplies an imprint material on the substrate. The supply unit 7 includes a discharge port (liquid ejecting head) that discharges the imprint material, and drops the imprint material onto the substrate 8 from the discharge port. The amount of the imprint material discharged from the discharge port of the supply unit 7 is determined by the required residual film thickness of the resist and the density of the pattern to be transferred.

アライメント計測部4は、モールド11及び基板8のそれぞれに設けられたアライメントマークを検出し、モールド11(のパターン)と基板8(の下地パターン)とのX軸方向及びY軸方向の位置ずれや形状差を計測する。   The alignment measuring unit 4 detects alignment marks provided on the mold 11 and the substrate 8 respectively, and the positional deviation between the mold 11 (the pattern) and the substrate 8 (the base pattern) in the X-axis direction and the Y-axis direction Measure the shape difference.

ガス給排部25は、ガスを供給する給気部としての機能と、ガスを排出する排気部としての機能とを有し、モールド11と基板8(基板上のインプリント材)との間の空間30(隙又は隙間)の大気をガスで置換するための機構である。ガス給排部25は、モールド保持部3に保持されたモールド11の周囲に設けられた複数の供給口(給気ノズル)26を含み、複数の供給口(給気口)26からガスを供給する。また、ガス給排部25は、モールド保持部3に保持されたモールド11の周囲に、詳細には、複数の供給口26を囲むように設けられた複数の排気口(排気ノズル)27を含み、複数の排気口27からガスを排出する。ガス給排部25は、供給口26からのガスを空間30に供給するとともに、かかるガスを排気口27から排出(回収)することでガスが装置内に漏洩することを防止する。なお、ここでは、「供給口26」は、複数の供給口を総括するものとし、「排気口27」は、複数の排気口を総括するものとする。   The gas supply / discharge section 25 has a function as an air supply section for supplying gas and a function as an exhaust section for discharging gas, and is provided between the mold 11 and the substrate 8 (imprint material on the substrate). This is a mechanism for replacing the atmosphere in the space 30 (gap or gap) with gas. The gas supply / discharge unit 25 includes a plurality of supply ports (air supply nozzles) 26 provided around the mold 11 held by the mold holding unit 3, and supplies gas from the plurality of supply ports (air supply ports) 26. To do. Further, the gas supply / discharge unit 25 includes a plurality of exhaust ports (exhaust nozzles) 27 provided around the mold 11 held by the mold holding unit 3 in detail so as to surround the plurality of supply ports 26. The gas is discharged from the plurality of exhaust ports 27. The gas supply / discharge unit 25 supplies the gas from the supply port 26 to the space 30 and discharges (recovers) the gas from the exhaust port 27 to prevent the gas from leaking into the apparatus. Here, the “supply port 26” is a summation of a plurality of supply ports, and the “exhaust port 27” is a summation of a plurality of exhaust ports.

ガス給排部25は、空間30の大気を置換するためのガスとして、凝縮性ガスならびに透過性ガスのうち少なくとも一方を供給する。ここで、凝縮性ガスとは、基板上のインプリント材とモールド11との接触にともなう圧力上昇により液化する性質を有するガスであり、透過性ガスとは、モールド11、基板8及びインプリント材のうち少なくとも1つを透過する性質を有するガスである。これらのガスは、モールド11のパターンへのインプリント材の充填性の向上やモールド11を基板上の硬化したインプリント材から引き離す際の離型力の低減に有利である。凝縮性ガスは、例えば、ペンタフルオロプロパンを含み、透過性ガスは、例えば、ヘリウムを含む。   The gas supply / discharge unit 25 supplies at least one of a condensable gas and a permeable gas as a gas for replacing the atmosphere in the space 30. Here, the condensable gas is a gas that has the property of being liquefied by an increase in pressure accompanying the contact between the imprint material on the substrate and the mold 11, and the permeable gas is the mold 11, the substrate 8, and the imprint material. It is the gas which has the property which permeate | transmits at least one. These gases are advantageous for improving the filling property of the imprint material into the pattern of the mold 11 and reducing the release force when the mold 11 is separated from the cured imprint material on the substrate. The condensable gas includes, for example, pentafluoropropane, and the permeable gas includes, for example, helium.

制御部6は、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置1の全体(動作)を制御する。制御部6は、インプリント装置1の各部を統括的に制御してインプリント処理を行う。ここで、インプリント処理は、供給部7から基板上にインプリント材を供給する供給工程と、基板上のインプリント材とモールド11とを接触させる押印工程と、モールド11のパターンにインプリント材を充填させる充填工程とを含む。更に、インプリント処理は、基板上のインプリント材とモールド11とを接触させた状態でインプリント材を硬化させる硬化工程と、基板上の硬化したインプリント材からモールド11を引き離す離型工程とを含む。本実施形態では、制御部6は、供給工程から押印工程に移行する際に、空間30にガス給排部25からのガスが供給されるように、ガス給排部25を制御する。   The control unit 6 includes a CPU, a memory, and the like, and controls the entire imprint apparatus 1 (operation). The control unit 6 performs imprint processing by comprehensively controlling each unit of the imprint apparatus 1. Here, the imprint process includes a supply step of supplying an imprint material onto the substrate from the supply unit 7, a stamping step of bringing the imprint material on the substrate into contact with the mold 11, and an imprint material on the pattern of the mold 11. Filling step. Furthermore, the imprint process includes a curing step for curing the imprint material in a state where the imprint material on the substrate and the mold 11 are in contact with each other, and a mold release step for separating the mold 11 from the cured imprint material on the substrate. including. In the present embodiment, the control unit 6 controls the gas supply / exhaust unit 25 so that the gas from the gas supply / exhaust unit 25 is supplied to the space 30 when shifting from the supply process to the stamping process.

インプリント装置1は、クリーンチャンバ19に収容されている。クリーンチャンバ19には、送風機(不図示)、ケミカルフィルタ(不図示)、パーティクルフィルタ(不図示)、送風口20、排気口21が設けられている。送風機は、クリーンチャンバ19が設置される雰囲気の大気を取り込む。ケミカルフィルタ及びパーティクルフィルタは、送風機によって取り込まれた大気に含まれる化学物質や塵を取り除く。かかる清浄な大気は、送風口20からブース空間22に供給される。インプリント装置1で発生した熱や塵などは、排気口21から排出される。ブース空間22の圧力は、クリーンチャンバ19が設置される雰囲気の圧力よりも僅かに高くなるように調整され、クリーンチャンバ19の隙間からケミカルフィルタやパーティクルフィルタを通過していない大気が流入することを防止している。ブース空間22とクリーンチャンバ19が設置される雰囲気との間の圧力差は、0.3Pa以上5.0Pa以下にするとよい。   The imprint apparatus 1 is accommodated in the clean chamber 19. The clean chamber 19 is provided with a blower (not shown), a chemical filter (not shown), a particle filter (not shown), a blower port 20 and an exhaust port 21. The blower takes in atmospheric air in which the clean chamber 19 is installed. The chemical filter and the particle filter remove chemical substances and dust contained in the air taken in by the blower. Such clean air is supplied to the booth space 22 from the blower opening 20. Heat, dust and the like generated in the imprint apparatus 1 are discharged from the exhaust port 21. The pressure of the booth space 22 is adjusted to be slightly higher than the pressure of the atmosphere in which the clean chamber 19 is installed, and the atmosphere that has not passed through the chemical filter or the particle filter flows from the gap of the clean chamber 19. It is preventing. The pressure difference between the booth space 22 and the atmosphere in which the clean chamber 19 is installed is preferably 0.3 Pa to 5.0 Pa.

本実施形態では、図2(a)及び図2(b)に示すように、供給口26から供給されるガスによるクエット流104と、排気口27から排出されるガスによる強制的な排気ガス流105との相乗効果によって、空間30におけるガスの置換効率を向上させる。図2(a)及び図2(b)のそれぞれは、モールド11の近傍を示す断面図及び平面図である。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 2A and 2B, a forced exhaust gas flow due to the Couette flow 104 by the gas supplied from the supply port 26 and a gas discharged from the exhaust port 27, as shown in FIGS. Due to the synergistic effect with 105, the gas replacement efficiency in the space 30 is improved. 2A and 2B are a sectional view and a plan view showing the vicinity of the mold 11, respectively.

図2(a)及び図2(b)に示すように、モールド11は、一般的に、パターンが形成されたメサ領域102を含む。また、本実施形態では、供給口26は、モールド11を挟んでX軸方向に設けられた供給口26a及び26bと、モールド11を挟んでY軸方向に設けられた供給口26c及び26dとを含む。同様に、排気口27は、モールド11を挟んでX軸方向に設けられた排気口27a及び27bと、モールド11を挟んでY軸方向に設けられた排気口27c及び27dとを含む。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the mold 11 generally includes a mesa region 102 in which a pattern is formed. In the present embodiment, the supply port 26 includes supply ports 26a and 26b provided in the X-axis direction with the mold 11 in between, and supply ports 26c and 26d provided in the Y-axis direction with the mold 11 in between. Including. Similarly, the exhaust port 27 includes exhaust ports 27a and 27b provided in the X-axis direction with the mold 11 interposed therebetween, and exhaust ports 27c and 27d provided in the Y-axis direction with the mold 11 interposed therebetween.

モールド11と基板8との間の空間30におけるガスの置換は、供給工程から押印工程に移行する際に行われる。換言すれば、基板上のショット領域が供給部7の下の供給位置からモールド11(モールド保持部3)の下の押印位置に位置するように基板ステージ10の移動を開始する際に、空間30にガスが供給されるようにガス給排部25を制御する。ここでは、基板ステージ10は、図2(a)に示す矢印の方向、即ち、X軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に移動するものとする。   The replacement of the gas in the space 30 between the mold 11 and the substrate 8 is performed when shifting from the supply process to the stamping process. In other words, when the movement of the substrate stage 10 is started so that the shot area on the substrate is located at the stamping position below the mold 11 (mold holding unit 3) from the supply position below the supply unit 7, the space 30 The gas supply / exhaust section 25 is controlled so that gas is supplied to the tank. Here, it is assumed that the substrate stage 10 moves from the minus side to the plus side along the direction of the arrow shown in FIG. 2A, that is, the X-axis direction.

具体的には、供給工程、即ち、ショット領域が供給位置に位置している状態では、ガス給排部25から供給されるガスの消費量を抑えるために、供給口26a乃至26dからのガスの供給を停止する(供給量をゼロとする)。また、空間30を負圧にして空間30へのパーティクルの進入を抑制するために、排気口27a乃至27dからのガスの排出を停止する(排出量をゼロとする)。   Specifically, in the supply process, that is, in a state where the shot region is located at the supply position, in order to suppress the consumption of the gas supplied from the gas supply / discharge section 25, the gas from the supply ports 26a to 26d is reduced. Stop the supply (set the supply amount to zero). Further, in order to suppress the entry of particles into the space 30 by setting the space 30 to a negative pressure, the discharge of the gas from the exhaust ports 27a to 27d is stopped (the discharge amount is set to zero).

但し、モールド11のパターンへのインプリント材の充填性の向上以外の目的でガス給排部25が別のガスを供給する場合、例えば、酸素排除を目的として窒素を供給する場合や除電を目的として電離ガスを供給する場合がある。このような場合には、供給口26a乃至26dからガスを供給するとともに、気口27a乃至27dからガスを排出してもよい。   However, when the gas supply / exhaust unit 25 supplies another gas for the purpose other than improving the filling property of the imprint material into the pattern of the mold 11, for example, when supplying nitrogen for the purpose of eliminating oxygen or for the purpose of static elimination In some cases, ionized gas is supplied. In such a case, the gas may be supplied from the supply ports 26a to 26d and the gas may be discharged from the air ports 27a to 27d.

次いで、供給工程の完了後、供給位置から押印位置に向けて基板ステージ10の移動を開始する際には、モールド11に関して供給部7の側にある(供給部7とモールド11との間にある)供給口26a(第1供給口)からガスを供給する。一方、モールド11に関して供給口26aとは反対の側にある供給口26b(第2供給口)からのガスの供給は停止したままにする。また、モールド11に関して供給部7の側にある(供給部7とモールド11との間にある)排出口27a(第1排出口)からのガスの排出は停止したままにする。一方、モールド11に関して排出口27aとは反対の側にある排出口27b(第2排出口)からガスを排出する。これにより、ガス給排部25から供給されるガスを、基板ステージ10の移動方向と同様に、X軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に一方向で流すことができる。   Next, when the movement of the substrate stage 10 from the supply position to the stamping position is started after the supply process is completed, the mold 11 is on the supply section 7 side (between the supply section 7 and the mold 11). ) Gas is supplied from the supply port 26a (first supply port). On the other hand, the supply of gas from the supply port 26b (second supply port) on the side opposite to the supply port 26a with respect to the mold 11 is kept stopped. Further, the discharge of gas from the discharge port 27a (the first discharge port) on the supply unit 7 side (between the supply unit 7 and the mold 11) with respect to the mold 11 is kept stopped. On the other hand, the gas is discharged from a discharge port 27b (second discharge port) on the opposite side of the mold 11 from the discharge port 27a. Thereby, the gas supplied from the gas supply / discharge unit 25 can flow in one direction from the minus side to the plus side along the X-axis direction, similarly to the moving direction of the substrate stage 10.

次に、押印工程、即ち、ショット領域が押印位置に位置している状態では、供給口26aに加えて、供給口26b乃至26dからもガスを常に供給して、モールド11のパターンへのインプリント材の充填を促進させる。また、空間30からガスが漏洩することを防止するために、排気口27bに加えて、排気口27a、27c及び27dからもガスを常に排出する。これにより、空間30を、ガス給排部25から供給されるガスで常に充填させることができる。モールド11におけるインプリント材の未充填は、基板上に形成されるパターンの欠陥の原因となるため、押印工程では、ガス給排部25からの高濃度のガスを空間30に充填しておく必要がある。   Next, in the stamping process, that is, in a state where the shot area is located at the stamping position, gas is always supplied from the supply ports 26b to 26d in addition to the supply port 26a, and imprinting on the pattern of the mold 11 is performed. Promotes material filling. Further, in order to prevent the gas from leaking from the space 30, the gas is always discharged from the exhaust ports 27a, 27c and 27d in addition to the exhaust port 27b. Thereby, the space 30 can be always filled with the gas supplied from the gas supply / exhaust part 25. The unfilling of the imprint material in the mold 11 causes a defect of a pattern formed on the substrate. Therefore, in the stamping process, it is necessary to fill the space 30 with a high-concentration gas from the gas supply / discharge unit 25. There is.

次いで、離型工程では、ガス給排部25からガスを供給する必要がないため、供給工程と同様に、供給口26a乃至26dからのガスの供給を停止するとともに、排気口27a乃至27dからのガスの排出を停止する。但し、上述したように、モールド11のパターンへのインプリント材の充填性の向上以外の目的でガス給排部25が別のガスを供給する場合には、供給口26a乃至26dからガスを供給し、排気口27a乃至27dからガスを排出してもよい。   Next, since it is not necessary to supply gas from the gas supply / exhaust section 25 in the mold releasing step, the supply of gas from the supply ports 26a to 26d is stopped and the gas from the exhaust ports 27a to 27d is stopped as in the supply step. Stop gas emission. However, as described above, when the gas supply / discharge section 25 supplies another gas for the purpose other than the improvement of the filling property of the imprint material into the pattern of the mold 11, the gas is supplied from the supply ports 26a to 26d. However, the gas may be discharged from the exhaust ports 27a to 27d.

また、本実施形態では、供給口26に関しては、ガスを供給する(流量=100%)、又は、ガスの供給を停止する(流量=0%)、排気口27に関しては、ガスを排出する、又は、ガスの排出を停止する、ものとして説明したが、これに限定されるものではない。マスフローコントローラや二方弁を制御するなどして、その流量を中間的な値(例えば、90%や10%)にすることも可能である。例えば、X軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に基板ステージ10の移動を開始する際に、供給口26aから供給されるガスの供給量(第1供給量)を、供給口26bから供給されるガスの供給量(第2供給量)より多くすればよい。また、排気口27bから排出されるガスの排出量(第1排出量)を、排気口27aから排出されるガスの排出量(第2排出量)より多くすればよい。また、基板上のショット領域が押印位置に位置している状態では、第1供給量と第2供給量との間の差が小さくなり、且つ、第1排出量と第2排出量との間の差が小さくなるようにする。   Further, in the present embodiment, the supply port 26 supplies gas (flow rate = 100%) or stops the supply of gas (flow rate = 0%), and the exhaust port 27 discharges gas. Or although it demonstrated as what stops discharge | emission of gas, it is not limited to this. The flow rate can be set to an intermediate value (for example, 90% or 10%) by controlling a mass flow controller or a two-way valve. For example, when starting the movement of the substrate stage 10 from the minus side to the plus side along the X-axis direction, the supply amount (first supply amount) of the gas supplied from the supply port 26a is supplied from the supply port 26b. The gas supply amount (second supply amount) may be increased. Further, the discharge amount (first discharge amount) of the gas discharged from the exhaust port 27b may be made larger than the discharge amount (second discharge amount) of the gas discharged from the exhaust port 27a. Further, in a state where the shot area on the substrate is located at the stamping position, the difference between the first supply amount and the second supply amount is small, and between the first discharge amount and the second discharge amount. So that the difference is small.

本実施形態のように、供給口26aからガスを供給している状態で、供給位置から押印位置に向けて基板ステージ10が移動すると、基板8が供給口26aからのガスと接触しながら移動することによって、クエット流104が発生する。従って、ガスを導入することが困難な空間30に対しても、供給口26aからのガスを導入することができる。   When the substrate stage 10 moves from the supply position to the stamping position in a state where the gas is supplied from the supply port 26a as in the present embodiment, the substrate 8 moves while being in contact with the gas from the supply port 26a. As a result, a Couette flow 104 is generated. Therefore, the gas from the supply port 26a can be introduced into the space 30 where it is difficult to introduce the gas.

Z軸方向(基板8の高さ方向)における空間30の距離は、500ミクロン程度の狭キャップであるため、空間30の外部から単純にガスを供給するだけでは、空間30の大気をガスに置換することは困難である。上述したように、クエット流104を利用することで、空間30の大気をガス給排部25からのガスで置換することが可能となる。但し、空間30においては、ガス給排部25からのガスの濃度を上げ、且つ、濃度分布の均一性を向上させることが要求されるため、空間30で必要とされるガスの量は極めて微量であるが、大量のガスを供給しなければならない。   Since the distance of the space 30 in the Z-axis direction (the height direction of the substrate 8) is a narrow cap of about 500 microns, simply supplying gas from the outside of the space 30 replaces the atmosphere in the space 30 with gas. It is difficult to do. As described above, by using the Couette flow 104, the atmosphere in the space 30 can be replaced with the gas from the gas supply / exhaust unit 25. However, in the space 30, it is required to increase the concentration of gas from the gas supply / exhaust unit 25 and to improve the uniformity of the concentration distribution, and therefore the amount of gas required in the space 30 is extremely small. However, a large amount of gas must be supplied.

例えば、基板ステージ10の移動方向の上流側の供給口26aから15L/minのガスを供給する場合を考えると、約3L/minのガスがクエット流104を発生させるために使用される。空間30におけるガスの置換効果の寄与度を考えると、クエット流104の寄与度は約50%であるため、残りのガスの置換効果(50%)のために、12L/minのガスが消費されることになる。従って、ガス給排部25から供給されるガスの消費量を削減するためには、クエット流104を発生させるためのガス以外のガスの消費を抑えることが重要となる。   For example, considering the case where 15 L / min of gas is supplied from the supply port 26 a upstream in the moving direction of the substrate stage 10, about 3 L / min of gas is used to generate the Couette flow 104. Considering the contribution of the gas replacement effect in the space 30, the contribution of the Couette flow 104 is about 50%, so that 12 L / min of gas is consumed for the replacement effect (50%) of the remaining gas. Will be. Therefore, in order to reduce the consumption of the gas supplied from the gas supply / discharge unit 25, it is important to suppress the consumption of gases other than the gas for generating the Couette flow 104.

そこで、本実施形態では、供給口26aからガスを供給する一方で、排気口27bからガスを強制的に排出している。これにより、X軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に向かう方向性を有する排出ガス流105が強制的に形成される。従って、従来技術に比べて、供給口26aから供給するガスの量を少量にしながらも空間30の大気をガスに置換することができるとともに、淀みやパーティクルの付着などの影響を改善することができる。このように、クエット流104に加えて排出ガス流105を形成することで、ガスの置換が必要な空間30にガスを容易に(直接的に)導入することができるため、ガス給排部25から供給されるガスの消費量を大幅に削減することができる。   Therefore, in the present embodiment, the gas is forcibly discharged from the exhaust port 27b while the gas is supplied from the supply port 26a. As a result, an exhaust gas flow 105 having a direction from the minus side to the plus side along the X-axis direction is forcibly formed. Therefore, compared with the prior art, the atmosphere in the space 30 can be replaced with gas while reducing the amount of gas supplied from the supply port 26a, and the effects of stagnation and adhesion of particles can be improved. . In this way, by forming the exhaust gas flow 105 in addition to the Couette flow 104, the gas can be easily (directly) introduced into the space 30 that needs to be replaced with gas. The consumption of gas supplied from can be significantly reduced.

空間30におけるガスの置換の効率を向上させるためには、クエット流104の方向と排出ガス流105の方向とを一致させることが重要となる。そこで、本実施形態では、モールド11の周囲に複数の供給口26及び複数の排気口27を設けて、基板ステージ10の移動方向に応じて、クエット流104と排出ガス流105が同じ方向となるように、ガス給排部25を制御している。   In order to improve the efficiency of gas replacement in the space 30, it is important to match the direction of the Couette flow 104 and the direction of the exhaust gas flow 105. Therefore, in this embodiment, a plurality of supply ports 26 and a plurality of exhaust ports 27 are provided around the mold 11, and the Couette flow 104 and the exhaust gas flow 105 are in the same direction according to the moving direction of the substrate stage 10. In this way, the gas supply / discharge unit 25 is controlled.

図2(a)及び図2(b)では、基板ステージ10がX軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に移動するため、クエット流104もX軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に向かう方向に発生する。従って、排出ガス流105もX軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に向かう方向に形成されるように、供給口26aからガスを供給して排気口27bからガスを排出する。一方、供給口26b乃至26dからのガスの供給及び排気口27a、27c及び27dからのガスの排出は停止する。これにより、排出ガス流105がクエット流104と同じ方向となるため、空間30での層流のガス流量が増加して、ガスの置換に関する相乗効果を得ることができる。   2A and 2B, since the substrate stage 10 moves from the minus side to the plus side along the X-axis direction, the Couette flow 104 also moves from the minus side to the plus side along the X-axis direction. Occurs in the direction. Therefore, the gas is supplied from the supply port 26a and discharged from the exhaust port 27b so that the exhaust gas flow 105 is also formed in the direction from the minus side to the plus side along the X-axis direction. On the other hand, the supply of gas from the supply ports 26b to 26d and the discharge of gas from the exhaust ports 27a, 27c, and 27d are stopped. Accordingly, since the exhaust gas flow 105 is in the same direction as the Couette flow 104, the gas flow rate of the laminar flow in the space 30 is increased, and a synergistic effect relating to gas replacement can be obtained.

また、基板ステージ10がX軸方向に沿ってプラス側からマイナス側に移動する場合には、供給口26からのガスの供給及び排気口27からのガスの排出に関する上述した動作を逆の動作にすればよい。具体的には、供給口26bからガスを供給して排気口27aからガスを排出する。一方、供給口26a、26c及び26dからのガスの供給及び排気口27b乃至27dからのガスの排出は停止する。これにより、X軸方向に沿ってプラス側からマイナス側に向かう方向にクエット流が発生するとともに、排出ガス流もX軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に向かう方向に形成される。   Further, when the substrate stage 10 moves from the plus side to the minus side along the X-axis direction, the above-described operations relating to the supply of gas from the supply port 26 and the discharge of gas from the exhaust port 27 are reversed. do it. Specifically, gas is supplied from the supply port 26b and gas is discharged from the exhaust port 27a. On the other hand, the supply of gas from the supply ports 26a, 26c and 26d and the discharge of gas from the exhaust ports 27b to 27d are stopped. Thereby, a Couette flow is generated in the direction from the plus side to the minus side along the X-axis direction, and an exhaust gas flow is also formed in the direction from the minus side to the plus side along the X-axis direction.

本実施形態では、便宜的に、X軸方向に沿って基板ステージ10が移動する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、Y軸方向に沿って基板ステージ10が移動する場合には、Y軸方向に沿って同じ方向にクエット流や排出ガス流が形成されるように、ガス給排部25を制御すればよい。同様に、斜め方向に基板ステージ10が移動する場合には、斜め方向に沿って同じ方向にクエット流や排出ガス流が形成されるように、ガス給排部25を制御すればよい。   In the present embodiment, for convenience, the case where the substrate stage 10 moves along the X-axis direction has been described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, when the substrate stage 10 moves along the Y-axis direction, the gas supply / exhaust unit 25 may be controlled so that a Couette flow or an exhaust gas flow is formed in the same direction along the Y-axis direction. . Similarly, when the substrate stage 10 moves in an oblique direction, the gas supply / exhaust unit 25 may be controlled so that a Couette flow or an exhaust gas flow is formed in the same direction along the oblique direction.

また、空間30の外部の空間に存在する空気が空間30に流入すると、空間30におけるガスの濃度の低下やガスの濃度分布の不均一が発生する可能性がある。従って、空間30における外部の空間の空気の流入抵抗を増加させるために、図2(a)に示すように、供給口26a乃至26d及び排気口27a乃至27dを取り囲む遮蔽板(壁部)100を設けるとよい。Z軸方向(基板8の高さ方向)における遮蔽板100と基板8との間の距離は、Z軸方向におけるモールド11と基板8との間の距離より短いため、空間30の外部の空間に存在する空気が空間30に流入することを抑制することができる。遮蔽板100を設ける代わりに、空間30を負圧にしないように、ガスの供給量がガスの排出量よりも大きくなるように、ガス給排部25を制御してもよい。   Further, when air existing in the space outside the space 30 flows into the space 30, there is a possibility that the gas concentration in the space 30 is lowered and the gas concentration distribution is not uniform. Therefore, in order to increase the inflow resistance of the air in the external space in the space 30, as shown in FIG. 2A, a shielding plate (wall portion) 100 surrounding the supply ports 26a to 26d and the exhaust ports 27a to 27d is provided. It is good to provide. The distance between the shielding plate 100 and the substrate 8 in the Z-axis direction (the height direction of the substrate 8) is shorter than the distance between the mold 11 and the substrate 8 in the Z-axis direction. It is possible to suppress the existing air from flowing into the space 30. Instead of providing the shielding plate 100, the gas supply / exhaust unit 25 may be controlled so that the gas supply amount is larger than the gas discharge amount so that the space 30 does not have a negative pressure.

また、供給部7は、モールド11を挟んで複数設けてもよい。換言すれば、供給部7は、モールド11の両側にそれぞれ設けられていてもよい。例えば、図3に示すように、モールド11(モールド保持部3)の左側と右側に2つの供給部7a及び7bを設けてもよい。このように、インプリント材を供給可能な供給位置を複数設けることで、スループットやメンテナンス性を向上させることができる。   A plurality of supply units 7 may be provided across the mold 11. In other words, the supply unit 7 may be provided on both sides of the mold 11. For example, as shown in FIG. 3, two supply parts 7a and 7b may be provided on the left side and the right side of the mold 11 (mold holding part 3). Thus, by providing a plurality of supply positions where the imprint material can be supplied, throughput and maintainability can be improved.

このような場合にも、ガスの置換は、供給工程から押印工程に移行する際に行われる。換言すれば、基板上のショット領域が供給部7a又は7bの下の供給位置からモールド11の下の押印位置に位置するように基板ステージ10の移動を開始する際に、空間30にガスが供給されるようにガス給排部25を制御する。   Even in such a case, the replacement of the gas is performed when the supply process shifts to the stamping process. In other words, gas is supplied to the space 30 when the movement of the substrate stage 10 is started so that the shot area on the substrate is located at the stamping position below the mold 11 from the supply position below the supply unit 7a or 7b. The gas supply / discharge unit 25 is controlled as described above.

例えば、供給部7aの下の供給位置から押印位置に向けて基板ステージ10の移動を開始する際には、上述したように、供給口26aからガスを供給して排気口27bからガスを排出する。一方、供給口26b乃至26dからのガスの供給及び排気口27a、27c及び27dからのガスの排出は停止する。これにより、X軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に(即ち、クエット流れと同じ方向に)排出ガス流105bが形成されるため、空間30において効果的なガス置換を行うことができる。   For example, when the movement of the substrate stage 10 is started from the supply position below the supply unit 7a toward the stamp position, as described above, the gas is supplied from the supply port 26a and the gas is discharged from the exhaust port 27b. . On the other hand, the supply of gas from the supply ports 26b to 26d and the discharge of gas from the exhaust ports 27a, 27c, and 27d are stopped. Thereby, the exhaust gas flow 105b is formed from the minus side to the plus side along the X-axis direction (that is, in the same direction as the Couette flow), so that effective gas replacement can be performed in the space 30.

また、供給部7bの下の供給位置から押印位置に向けて基板ステージ10の移動を開始する際には、供給口26bからガスを供給して排気口27aからガスを排出する。一方、供給口26a、26c及び26dからのガスの供給及び排気口27b乃至27dからのガスの排出は停止する。これにより、X軸方向に沿ってプラス側からマイナス側に(即ち、クエット流れと同じ方向に)排出ガス流105aが形成されるため、空間30において効果的なガス置換を行うことができる。   Further, when the movement of the substrate stage 10 is started from the supply position below the supply unit 7b toward the stamping position, gas is supplied from the supply port 26b and discharged from the exhaust port 27a. On the other hand, the supply of gas from the supply ports 26a, 26c and 26d and the discharge of gas from the exhaust ports 27b to 27d are stopped. Thereby, since the exhaust gas flow 105a is formed from the plus side to the minus side along the X-axis direction (that is, in the same direction as the Couette flow), effective gas replacement can be performed in the space 30.

このように、押印位置に対する基板ステージ10の移動方向と同じ方向に排出ガス流105を形成することで、クエット流との相乗効果によって、ガス給排部25から供給するガスの量を削減しながらも、空間30のガス置換を行うことができる。また、供給口26及び排気口27のそれぞれは、必ずしも複数で構成されていなくてもよい。   Thus, by forming the exhaust gas flow 105 in the same direction as the movement direction of the substrate stage 10 with respect to the stamping position, the amount of gas supplied from the gas supply / discharge unit 25 is reduced by a synergistic effect with the Couette flow. Also, gas replacement in the space 30 can be performed. In addition, each of the supply port 26 and the exhaust port 27 does not necessarily have to be constituted by a plurality.

また、インプリント装置1では、1回の供給工程で基板上の複数のショット領域にインプリント材を供給する場合がある。この場合、モールド11の下の押印位置と供給部7の下の供給位置との間で基板ステージ10を往復させる回数を減らすことができるため、スループットが向上する。   In the imprint apparatus 1, the imprint material may be supplied to a plurality of shot areas on the substrate in one supply process. In this case, since the number of times the substrate stage 10 is reciprocated between the stamp position under the mold 11 and the supply position under the supply unit 7 can be reduced, the throughput is improved.

図4(a)及び図4(b)は、1回の供給工程でインプリント材が供給されるショット領域のレイアウトを示す図である。図4(a)及び図4(b)に示すレイアウトは、ショット領域の数や配置を限定することを意味するものではなく、その他のレイアウトであってもよい。いずれのレイアウトであっても、上述したように、クエット流と排出ガス流との相乗効果によって、モールド11と基板8との間の空間の大気を効率的にガスで置換しているものとする。   FIG. 4A and FIG. 4B are diagrams showing the layout of the shot area where the imprint material is supplied in one supply process. The layouts shown in FIGS. 4A and 4B do not mean that the number and arrangement of shot regions are limited, and other layouts may be used. In any layout, as described above, the atmosphere in the space between the mold 11 and the substrate 8 is efficiently replaced with gas by the synergistic effect of the Couette flow and the exhaust gas flow. .

図4(a)に示すように、1回の供給工程でインプリント材が供給される複数のショット領域300が縦のみに配列されたレイアウトである場合、複数のショット領域300の全てをガス置換エリア303に収めることができない。従って、複数のショット領域300のうち端のショット領域300aをモールド11のメサ領域102に対して位置合わせしてインプリント処理を行う際に、ガス置換エリア303の外に位置するショット領域301が発生してしまう。このような場合、ガス置換エリア303の外に位置するショット領域301に供給されたインプリント材が空気、具体的には、酸素に晒されることになるため、モールド11へのインプリント材の充填や紫外線の照射による硬化に影響を与えてしまう。   As shown in FIG. 4A, when the plurality of shot regions 300 to which the imprint material is supplied in one supply step has a layout arranged only in the vertical direction, all of the plurality of shot regions 300 are replaced with gas. Cannot fit in area 303. Therefore, when the imprint process is performed by aligning the shot region 300a at the end of the plurality of shot regions 300 with respect to the mesa region 102 of the mold 11, a shot region 301 located outside the gas replacement area 303 is generated. Resulting in. In such a case, since the imprint material supplied to the shot area 301 located outside the gas replacement area 303 is exposed to air, specifically, oxygen, the imprint material is filled into the mold 11. It will affect the curing by UV irradiation.

一方、図4(b)に示すように、1回の供給工程でインプリント材が供給される複数のショット領域302が縦横に配列されたレイアウトである場合、図4(a)とは異なり、複数のショット領域302の全てをガス置換エリア303に収めることができる。従って、複数のショット領域302に供給されたインプリント材は、ヘリウムなどの置換ガスと常に接しているため、インプリント材が酸素に晒されることに起因する影響を抑制することができる。   On the other hand, as shown in FIG. 4B, when the layout is such that a plurality of shot regions 302 to which the imprint material is supplied in one supply process are arranged vertically and horizontally, unlike FIG. All of the plurality of shot regions 302 can be accommodated in the gas replacement area 303. Therefore, since the imprint material supplied to the plurality of shot regions 302 is always in contact with a replacement gas such as helium, it is possible to suppress the influence caused by the imprint material being exposed to oxygen.

このように、1回の供給工程で基板上の複数のショット領域にインプリント材を供給する場合には、インプリント材を供給するショット領域の全てをガス置換エリアに収めるようなレイアウトにする必要がある。図4(a)及び図4(b)では、モールド11のメサ領域102は、1つのショット領域のサイズと同じサイズを有しているが、複数のショット領域を含む(即ち、複数のショット領域を押印可能な)サイズを有していてもよい。また、ガス置換エリア303を広げて、ショット領域のレイアウトの自由度を増加させてもよい。   Thus, when imprint material is supplied to a plurality of shot areas on the substrate in a single supply process, it is necessary to have a layout in which all of the shot areas that supply imprint material are stored in the gas replacement area. There is. 4A and 4B, the mesa region 102 of the mold 11 has the same size as that of one shot region, but includes a plurality of shot regions (that is, a plurality of shot regions). May be a size that can be stamped). Further, the gas replacement area 303 may be widened to increase the degree of freedom in the layout of the shot area.

ここで、図5を参照して、複数の供給口26及び複数の排気口27のそれぞれの動作を制御するためガス給排部25の具体的な構成について説明する。ガスバルブ400、401及び402は、互いに種類の異なるガスを個別に、或いは、混合して、空間30に導入するためのバルブである。空間30に混合ガスを導入する場合には、ガスバルブ400、401及び402よりも下流の経路に混合器などを設けるとよい。供給バルブ410、412、414及び416は、供給口26a、26b、26d及び26cのガスの供給量をそれぞれ制御するためのバルブである。排気バルブ411、413、415及び417は、排気口27a、27b、27d及び27cのガスの排出量をそれぞれ制御するためのバルブである。   Here, with reference to FIG. 5, a specific configuration of the gas supply / exhaust unit 25 for controlling the operations of the plurality of supply ports 26 and the plurality of exhaust ports 27 will be described. The gas valves 400, 401, and 402 are valves for introducing different types of gases into the space 30 individually or mixed. When the mixed gas is introduced into the space 30, a mixer or the like may be provided in a path downstream from the gas valves 400, 401, and 402. The supply valves 410, 412, 414, and 416 are valves for controlling the gas supply amounts of the supply ports 26a, 26b, 26d, and 26c, respectively. The exhaust valves 411, 413, 415 and 417 are valves for controlling the gas discharge amounts of the exhaust ports 27a, 27b, 27d and 27c, respectively.

図5を参照して、X軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に基板ステージ10を移動させる場合における供給バルブ410、412、414及び416のそれぞれの開閉及び排気バルブ411、413、415及び417のそれぞれの開閉の制御を説明する。ガスバルブ400には、ヘリウムガス源が接続され、ガスバルブ401には、窒素ガス源が接続され、ガスバルブ402には、電離ガス源が接続されているものとする。   Referring to FIG. 5, opening and closing of supply valves 410, 412, 414 and 416 and exhaust valves 411, 413, 415 and 417 when the substrate stage 10 is moved from the minus side to the plus side along the X-axis direction. The control of each opening and closing will be described. It is assumed that a helium gas source is connected to the gas valve 400, a nitrogen gas source is connected to the gas valve 401, and an ionized gas source is connected to the gas valve 402.

供給工程では、ガスバルブ400を閉じ、ガスバルブ401を開け、ガスバルブ402を閉じ、供給バルブ410、412、414及び416、及び、排気バルブ411、413、415及び417を開ける。これにより、空間30が窒素ガスで満たされるため、パターンの欠陥の原因となる酸素が排除され、空間30を陽圧にすることでパーティクルの進入を防止することができる。   In the supply process, the gas valve 400 is closed, the gas valve 401 is opened, the gas valve 402 is closed, and the supply valves 410, 412, 414 and 416 and the exhaust valves 411, 413, 415 and 417 are opened. Thus, since the space 30 is filled with nitrogen gas, oxygen that causes pattern defects is eliminated, and particles can be prevented from entering by setting the space 30 to a positive pressure.

供給工程の完了後、供給位置から押印位置に向けて基板ステージ10の移動を開始する際には、ガスバルブ400を開き、ガスバルブ401及び402を閉じる。そして、供給バルブ410を開き、供給バルブ412、414及び416を閉じ、排気バルブ413を開き、排気バルブ411、415及び417を閉じる。これにより、ヘリウムガスがX軸方向に沿ってマイナス側からプラス側に一方向に流れる。   When the movement of the substrate stage 10 is started from the supply position to the stamp position after the supply process is completed, the gas valve 400 is opened and the gas valves 401 and 402 are closed. Then, the supply valve 410 is opened, the supply valves 412, 414 and 416 are closed, the exhaust valve 413 is opened, and the exhaust valves 411, 415 and 417 are closed. Thereby, helium gas flows in one direction from the minus side to the plus side along the X-axis direction.

押印工程では、ガスバルブ400を開き、ガスバルブ401及び402を閉じ、供給バルブ410、412、414及び416、及び、排気バルブ411、413、415及び417を開ける。これにより、空間30がヘリウムガスで充填されるため、モールド11におけるインプリント材の未充填を抑制することができる。   In the stamping process, the gas valve 400 is opened, the gas valves 401 and 402 are closed, and the supply valves 410, 412, 414 and 416 and the exhaust valves 411, 413, 415 and 417 are opened. Thereby, since the space 30 is filled with helium gas, unfilling of the imprint material in the mold 11 can be suppressed.

離型工程では、ガスバルブ400及び401を閉じ、ガスバルブ402を開き、供給バルブ410、412、414及び416、及び、排気バルブ411、413、415及び417を開ける。これにより、空間30が電離ガスで充填されるため、離型時における剥離帯電を除電することが可能となり、パーティクルの付着や放電によるパターンの欠陥を抑制することができる。   In the mold release process, the gas valves 400 and 401 are closed, the gas valve 402 is opened, and the supply valves 410, 412, 414 and 416 and the exhaust valves 411, 413, 415 and 417 are opened. Thereby, since the space 30 is filled with the ionized gas, it is possible to eliminate the charge of peeling at the time of releasing, and it is possible to suppress the defect of the pattern due to the adhesion of particles and the discharge.

離型工程が完了したら、次の供給工程に備え、ガスバルブ400を閉じ、ガスバルブ401を開け、ガスバルブ402を閉じ、供給バルブ410、412、414及び416、及び、排気バルブ411、413、415及び417を開ける。   When the mold release step is completed, in preparation for the next supply step, the gas valve 400 is closed, the gas valve 401 is opened, the gas valve 402 is closed, the supply valves 410, 412, 414 and 416, and the exhaust valves 411, 413, 415 and 417. Open.

また、上述した各バルブの開閉を制御する(切り替える)タイミングは、オーバーラップする場合があり、必ずしも上述した通りになるとは限らない。また、窒素ガスや電離ガスを使用しない場合もあるし、ガスの種類は、必要に応じて決めればよく、各バルブの数も限定されない。   In addition, the timing for controlling (switching) the opening and closing of each valve described above may overlap, and is not necessarily the same as described above. Further, nitrogen gas or ionized gas may not be used, and the type of gas may be determined as necessary, and the number of valves is not limited.

ガス給排部25における各バルブの実装箇所は、ユースポイントの近くに分散していてもよいし、単純な二方弁ではなく、マスフローコントローラなどの流量制御が可能なバルブであってもよい。また、各バルブと供給口26又は排気口27とを接続する配管は、末端で分岐していなくてもよいし、1つの配管を三方弁で切り替えて給排気する構成でもよい。   The mounting locations of the valves in the gas supply / exhaust unit 25 may be distributed near the use point, or may be valves capable of controlling the flow rate, such as a mass flow controller, instead of a simple two-way valve. Further, the pipe connecting each valve and the supply port 26 or the exhaust port 27 may not be branched at the end, and may be configured to supply and exhaust air by switching one pipe with a three-way valve.

インプリント装置1を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型などである。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。   The pattern of the cured product formed using the imprint apparatus 1 is used permanently on at least a part of various articles, or temporarily used when manufacturing various articles. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit element include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include an imprint mold.

硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。   The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the above-described article or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図6(a)に示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板8を用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材が基板上に付与された様子を示している。   Next, a specific method for manufacturing an article will be described. As shown in FIG. 6A, a substrate 8 such as a silicon wafer on which a workpiece such as an insulator is formed is prepared, and then an imprint material is applied to the surface of the workpiece by an inkjet method or the like. Is granted. Here, a state is shown in which a plurality of droplet-shaped imprint materials are applied onto the substrate.

図6(b)に示すように、インプリント用のモールド11を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材に向け、対向させる。図6(c)に示すように、インプリント材が付与された基板8とモールド11とを接触させ、圧力を加える。インプリント材は、モールド11と被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールド11を透して照射すると、インプリント材は硬化する。   As shown in FIG. 6B, the imprint mold 11 is opposed to the imprint material on the substrate with the side on which the uneven pattern is formed facing. As shown in FIG.6 (c), the board | substrate 8 to which the imprint material was provided, and the mold 11 are made to contact, and a pressure is applied. The imprint material is filled in the gap between the mold 11 and the workpiece. When light is irradiated through the mold 11 as energy for curing in this state, the imprint material is cured.

図6(d)に示すように、インプリント材を硬化させた後、モールド11と基板8を引き離すと、基板上にインプリント材の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールド11の凹部が硬化物の凸部に、モールド11の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材にモールド11の凹凸パターンが転写されたことになる。   As shown in FIG. 6D, after the imprint material is cured, when the mold 11 and the substrate 8 are separated, a pattern of a cured product of the imprint material is formed on the substrate. This cured product pattern has a shape in which the concave portion of the mold 11 corresponds to the convex portion of the cured product, and the convex portion of the mold 11 corresponds to the concave portion of the cured product. It has been transcribed.

図6(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物が無いか、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図6(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。   As shown in FIG. 6 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an anti-etching mask, there is no cured product or a thin remaining portion of the surface of the workpiece is removed, and the groove and Become. As shown in FIG. 6 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article having grooves formed on the surface of the workpiece can be obtained. Here, although the pattern of the cured product is removed, it may be used as, for example, an interlayer insulating film included in a semiconductor element, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。   As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.

1:インプリント装置 3:モールド保持部 6:制御部 7:供給部 8:基板 10:基板ステージ 11:モールド 25:ガス給排部 26:供給口 27:排気口 1: Imprinting device 3: Mold holding unit 6: Control unit 7: Supply unit 8: Substrate 10: Substrate stage 11: Mold 25: Gas supply / exhaust unit 26: Supply port 27: Exhaust port

Claims (10)

基板上のインプリント材に型を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記型を保持する型保持部と、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記インプリント材を前記基板上に供給する供給部と、
前記型保持部に保持された型の周囲に複数の給気口を含み、前記複数の給気口からガスを供給する給気部と、
前記型保持部に保持された型の周囲に複数の排気口を含み、前記複数の排気口からガスを排出する排気部と、
前記給気部と前記排気部とを制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記供給部によりインプリント材を供給された前記基板上の領域が前記基板保持部とともに前記供給部の下から前記型保持部の下へ移動する場合、前記複数の給気口のうち前記型保持部に保持された型に関して前記供給部の側にある第1給気口から供給されるガスの量としての第1供給量が前記複数の給気口のうち前記型保持部に保持された型に関して前記第1給気口とは反対の側にある第2給気口から供給されるガスの量としての第2供給量より多くなるように、かつ前記複数の排気口のうち前記型保持部に保持された型に関して前記供給部の側にある第1排気口から排出されるガスの量としての第1排出量より前記複数の排気口のうち前記型保持部に保持された型に関して前記第1排気口とは反対の側にある第2排気口から排出されるガスの量としての第2排出量が多くなるように、前記給気部および前記排気部を制御することを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus for forming a pattern on the substrate by bringing a mold into contact with the imprint material on the substrate,
A mold holding unit for holding the mold;
A substrate holder for holding the substrate;
A supply unit for supplying the imprint material onto the substrate;
An air supply unit that includes a plurality of air supply ports around the mold held by the mold holding unit, and supplies gas from the plurality of air supply ports;
An exhaust unit that includes a plurality of exhaust ports around the mold held by the mold holding unit, and exhausts gas from the plurality of exhaust ports;
A control unit for controlling the air supply unit and the exhaust unit,
The control unit is configured to supply the plurality of air supply ports when an area on the substrate to which the imprint material is supplied by the supply unit moves together with the substrate holding unit from below the supply unit to below the mold holding unit. The first supply amount as the amount of gas supplied from the first air supply port on the supply unit side with respect to the mold held by the mold holding unit is the mold holding unit among the plurality of air supply ports The mold held in the mold is larger than the second supply amount as the amount of gas supplied from the second supply port on the side opposite to the first supply port, and the plurality of exhaust ports Of the plurality of exhaust ports, the mold is held by the mold holding unit from the first discharge amount as the amount of gas discharged from the first exhaust port on the supply unit side with respect to the mold held by the mold holding unit. A second exhaust port on the opposite side of the mold from the first exhaust port. As second emissions as the amount of the discharged the gas increases, the imprint apparatus characterized by controlling the air supply unit and the exhaust unit.
前記制御部は、前記領域が前記供給部の下に位置している場合、前記複数の給気口からのガスの供給量および前記複数の排気口からのガスの排出量がゼロとなるように、前記給気部および前記排気部を制御する請求項1に記載のインプリント装置。   When the region is located below the supply unit, the control unit is configured such that the gas supply amount from the plurality of air supply ports and the gas discharge amount from the plurality of exhaust ports become zero. The imprint apparatus according to claim 1, wherein the air supply unit and the exhaust unit are controlled. 前記制御部は、前記場合より、前記領域が前記型保持部の下に位置している場合は、前記第1供給量と前記第2供給量との間の差が小さくなり、かつ前記第1排出量と前記第2排出量との間の差が小さくなるように、前記給気部および前記排気部を制御する請求項1又は2に記載のインプリント装置。   In the control unit, when the region is located below the mold holding unit, the difference between the first supply amount and the second supply amount is smaller than in the case, and the first The imprint apparatus according to claim 1, wherein the air supply unit and the exhaust unit are controlled such that a difference between the discharge amount and the second discharge amount is reduced. 前記制御部は、前記場合、前記第2供給量および前記第1排出量がゼロとなるように、前記給気部および前記排気部を制御する請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。   4. The control unit according to claim 1, wherein, in the case, the control unit controls the air supply unit and the exhaust unit so that the second supply amount and the first discharge amount become zero. 5. Imprint device. 前記給気部は、前記複数の給気口のガスの供給量をそれぞれ制御するための複数の供給バルブを含み、
前記排気部は、前記複数の排気口のガスの排出量をそれぞれ制御するための複数の排気バルブを含み、
前記制御部は、前記複数の供給バルブおよび前記複数の排気バルブを制御することを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
The air supply unit includes a plurality of supply valves for controlling the gas supply amounts of the plurality of air supply ports,
The exhaust unit includes a plurality of exhaust valves for controlling the amount of gas discharged from the plurality of exhaust ports,
The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the control unit controls the plurality of supply valves and the plurality of exhaust valves.
前記供給部は、前記型保持部の両側にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to claim 1, wherein the supply unit is provided on each side of the mold holding unit. 前記複数の給気口および前記複数の排気口を取り囲む壁部を有し、
前記壁部と前記基板との間の距離は、前記型と前記基板との間の距離より短いことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
A wall portion surrounding the plurality of air supply ports and the plurality of exhaust ports;
The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein a distance between the wall portion and the substrate is shorter than a distance between the mold and the substrate.
前記給気部は、前記接触にともなう圧力上昇により液化する性質を有する凝縮性ガスならびに前記型、前記基板および前記インプリント材のうち少なくとも1つを透過する性質を有する透過性ガスのうち少なくとも一方を供給することを特徴とする請求項1乃至7のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。   The air supply unit includes at least one of a condensable gas having a property of being liquefied by a pressure increase caused by the contact and a permeable gas having a property of transmitting at least one of the mold, the substrate, and the imprint material. The imprint apparatus according to claim 1, wherein an imprint apparatus is provided. 前記凝縮性ガスは、ペンタフルオロプロパンを含み、
前記透過性ガスは、ヘリウムを含むことを特徴とする請求項8に記載のインプリント装置。
The condensable gas includes pentafluoropropane,
The imprint apparatus according to claim 8, wherein the permeable gas includes helium.
請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板上に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 9,
Processing the substrate on which the pattern is formed in the step;
A method for producing an article comprising:
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