JP2019079926A - Imprint device, and article manufacturing method - Google Patents
Imprint device, and article manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019079926A JP2019079926A JP2017205548A JP2017205548A JP2019079926A JP 2019079926 A JP2019079926 A JP 2019079926A JP 2017205548 A JP2017205548 A JP 2017205548A JP 2017205548 A JP2017205548 A JP 2017205548A JP 2019079926 A JP2019079926 A JP 2019079926A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- mold
- imprint
- supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 33
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 186
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 166
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003570 air Substances 0.000 description 46
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N pentafluoropropane Chemical compound FC(F)CC(F)(F)F MSSNHSVIGIHOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000000852 hydrogen donor Substances 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本発明は、インプリント装置、および物品製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint apparatus and an article manufacturing method.
半導体デバイス等の物品を製造するためのリソグラフィ技術の一つとして、インプリント技術が実用化されつつある。インプリント装置では、型を基板上のインプリント材に接触させることでパターンを形成するため、従来の露光装置に比べて原理的にパターン欠陥が生じやすく、この欠陥の低減が課題となっている。具体的には、型と基板上のインプリント材とを接触させるとき、その間にある大気中の酸素の影響でインプリント材の硬化反応が進行し難くなり、これにより転写されるパターンに欠陥が生じうる。この解決策として、残留ガスがインプリント材やモールドに溶解、拡散、または透過して消滅するまで待機する方法も考えられるが、その場合には、その待機に要する時間のために生産性が低下してしまう。 Imprinting technology is being put to practical use as one of lithography techniques for manufacturing articles such as semiconductor devices. In the imprint apparatus, since the pattern is formed by bringing the mold into contact with the imprint material on the substrate, a pattern defect tends to occur in principle compared to the conventional exposure apparatus, and the reduction of this defect is an issue . Specifically, when the mold is brought into contact with the imprinting material on the substrate, the curing reaction of the imprinting material becomes difficult to progress due to the influence of oxygen in the atmosphere between them, which causes defects in the transferred pattern. It can occur. As a solution to this problem, it is conceivable to wait until the residual gas dissolves, diffuses or permeates into the imprint material or mold and disappears, but in such a case, productivity decreases due to the time required for the waiting. Resulting in.
この課題を解決するために、基板と型との間の空気を、ヘリウムや二酸化炭素などの型やインプリント材への透過性あるいは可溶性の高いガスで置換し、気泡を型やインプリント材に透過させて気泡の体積を素早く減少させる方法が提案されている。しかし、ここで用いられるガスは一般に高価であり、また温暖化係数も高いという問題があり、そのようなガスの使用量を削減することが求められている。 In order to solve this problem, the air between the substrate and the mold is replaced with a gas highly permeable or soluble to the mold or imprint material such as helium or carbon dioxide, and the air bubbles are made into the mold or imprint material A method has been proposed for allowing the volume of bubbles to be reduced rapidly by permeation. However, the gas used here is generally expensive and has a problem of high global warming potential, and there is a need to reduce the amount of such gas used.
特許文献1の方法では、インプリント材が供給された基板のショット領域が型の下に位置するように基板を移動させながら、ショット領域にガスを吹き付け、基板の移動に伴って型のパターン部と基板との間の空間(インプリント空間)にガスを引き込む。しかし、いったんその空間に流入したガスは流れ幅を保ったまま基板とともに移動を続け、インプリント空間から流出してしまう。そのため、インプリント空間をガスで満たすためには、インプリント空間に流入させるガスの流れ幅がパターン部の幅以上となるようにガスを封入する必要があり、ガスの使用量を削減することができない。 In the method of Patent Document 1, a gas is blown to the shot area while moving the substrate so that the shot area of the substrate supplied with the imprint material is positioned under the mold, and the pattern portion of the mold is moved along with the movement of the substrate. The gas is drawn into the space between the substrate and the substrate (imprint space). However, once the gas flows into the space, the gas continues to move with the substrate while maintaining the flow width, and flows out of the imprint space. Therefore, in order to fill the imprint space with gas, it is necessary to enclose the gas so that the flow width of the gas flowing into the imprint space is equal to or larger than the width of the pattern portion, and the amount of gas used can be reduced. Can not.
本発明は、例えば、基板と型との間の空気と置換するガスの使用量を削減するのに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is, for example, to provide an imprint apparatus that is advantageous for reducing the amount of air and gas used between the substrate and the mold.
本発明の一側面によれば、基板上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板のショット領域に前記インプリント材を配置する配置部と、前記ショット領域が前記配置部による配置が行われる配置位置から前記接触が行われるインプリント位置へ移動するように前記基板を移動させる移動機構と、前記配置部と前記型の前記パターン部との間に設けられた供給口から、前記インプリント位置における前記型と前記基板との間の空間にガスを供給する供給部とを備え、前記移動機構による前記基板の移動によって前記ショット領域が前記配置位置から前記インプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで、前記空間からの前記ガスの流出を妨げるように、前記型および前記基板の少なくとも一方を傾斜させることを特徴とするインプリント装置が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided an imprint apparatus in which a pattern portion of a mold is brought into contact with an imprint material on a substrate to form a pattern on the substrate, and the imprint material is formed on a shot area of the substrate. An arrangement unit for arranging, a moving mechanism for moving the substrate to move the shot area from an arrangement position where arrangement by the arrangement unit is performed to an imprint position where the contact is performed, the arrangement unit, and the mold And a supply unit configured to supply a gas from the supply port provided between the pattern unit and the space between the mold and the substrate at the imprint position, and the substrate is moved by the movement mechanism. The mold is configured to prevent the gas from flowing out of the space at a predetermined timing while the shot area moves from the arrangement position to the imprint position. Imprint apparatus characterized by tilting at least one of the pre said substrate.
本発明によれば、例えば、基板と型との間の空気と置換するガスの使用量を削減するのに有利なインプリント装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide, for example, an imprint apparatus that is advantageous for reducing the amount of gas used to replace air between the substrate and the mold.
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the following embodiment shows only the specific example of implementation of this invention, and this invention is not limited to the following embodiment. In addition, not all combinations of features described in the following embodiments are essential for solving the problems of the present invention.
<第1実施形態>
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
First Embodiment
First, an outline of the imprint apparatus according to the embodiment will be described. The imprint apparatus is an apparatus for forming a pattern of a cured product to which an uneven pattern of a mold is transferred by bringing an imprint material supplied on a substrate into contact with the mold and applying energy for curing to the imprint material. is there.
インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置(不図示)により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。 As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) which is cured by receiving energy for curing is used. As energy for curing, electromagnetic waves, heat, etc. may be used. The electromagnetic wave may be, for example, light whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less, such as infrared light, visible light, and ultraviolet light. The curable composition may be a composition which is cured by irradiation of light or by heating. Among these, the photocurable composition which is cured by irradiation with light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a nonpolymerizable compound or a solvent as required. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, a polymer component and the like. The imprint material can be disposed on the substrate in the form of droplets or in the form of islands or a film formed by connecting a plurality of droplets by an imprint material supply device (not shown). The viscosity (the viscosity at 25 ° C.) of the imprint material may be, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less. As a material of the substrate, for example, glass, ceramics, metals, semiconductors, resins and the like can be used. If necessary, a member made of a material different from that of the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass.
図1および図2はそれぞれ、本実施形態におけるインプリント装置200の構成を示す、概略断面図および概略平面図である。本実施形態において、インプリント装置200は、光(紫外線)の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するが、これに限定されるものではなく、例えば入熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用することもできる。なお、以下の各図においては、型に対する光の照射軸と平行な方向にXYZ座標系におけるZ軸をとり、Z軸に垂直な平面内で互いに直交する方向にX軸およびY軸をとるものとする。
FIG. 1 and FIG. 2 are a schematic cross-sectional view and a schematic plan view, respectively, showing the configuration of the
照明光学系120は、インプリント処理において、光源130からの紫外線を型50に対して照射する。光源130としては、例えば、紫外光を発生するハロゲンランプが使用される。照明光学系120は、レンズ等の光学素子、アパーチャ、照射および遮光を切り替えるシャッタ等を含みうる。
The illumination
型50は、図2に示されるように、例えば外形が概略矩形であり、所定のパターン(例えば、回路パターン)が3次元状に形成されたパターン部40(メサ部)を有する。型50の材質は、石英ガラス等の紫外線を透過させることが可能な材料である。
As shown in FIG. 2, for example, the
インプリントヘッド100は、型50を保持して移動する型保持部として機能する。インプリントヘッド100は、真空吸着や静電吸着により型50を引きつけて保持する型チャック60を含みうる。また、インプリントヘッド100は、基板20上のインプリント材30に型50を接触させるために型チャック60をZ軸方向に駆動する型駆動機構101を有しうる。型駆動機構101は更に、型50をXY方向やθ方向(Z軸回りの回転方向)における位置を調整する機能や、型50の傾きを調整するチルト機能も有している。この型駆動機構101のアクチュエータには、リニアモータやエアシリンダー等を採用可能である。
The imprint head 100 functions as a mold holding unit that holds and moves the
ディスペンサ80(配置部)は、基板20の上にインプリント材30を配置(塗布または供給)する。上記した照明光学系120、インプリントヘッド100、およびディスペンサ80は、支持体110によって支持されている。
The dispenser 80 (placement unit) places (applies or supplies) the
基板ステージ10および基板チャック15は、基板を保持して移動する基板保持部として機能する。基板チャック15は、基板ステージ10上に固定されている。基板チャック15の上面には多数の孔が設けられており、これらの孔を通して、不図示の真空ポンプにより基板チャック15上面の気体が排出されるようになっている。基板20は、その裏面が基板チャック15の上面と接触するように配置され、真空ポンプにより基板20の裏面と基板チャック15の上面との間の気体を排出することにより、基板20は基板チャック15に吸着保持される。
The
基板ステージ10は、ステージ定盤11上で基板ステージ10(すなわち基板20)をXY方向に移動させる移動機構10aを含む。移動機構10aは更に、Z軸方向における位置やθ方向における位置を調整する調整機能や、基板20の傾きを調整するチルト機能を有していてもよい。移動機構10aは、基板20のショット領域がディスペンサ80によるインプリント材の配置が行われる配置位置から型50と基板20上のインプリント材30との接触が行われるインプリント位置へ移動するように基板20を移動させることができる。また、パージプレート25が、基板20の外周部を囲むように設けられ、基板ステージ10によって保持されている。パージプレート25は基板チャック15上に配置された基板20と略同一高さの面を有している。パージプレート25は、基板面内方向に駆動することができる。
The
制御部1は、インプリント装置200における各部を制御する。制御部1は、CPU1aやメモリ1bを含むコンピュータ装置によって実現されうる。
The control unit 1 controls each unit in the
制御部1は、例えば以下のようにしてインプリント処理を制御する。まず、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がディスペンサ80によるインプリント材の配置が行われる配置位置に来るように基板20を搬送する。次に、制御部1は、ディスペンサ80を制御して、配置位置に位置しているショット領域にインプリント材30を配置する。その後、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がインプリント位置に来るように基板20を搬送する。そして、制御部1は、インプリントヘッド100を制御して、型50を下降させてショット領域上のインプリント材30と接触させる。この接触により、インプリント材30は、パターン部40に彫り込まれた溝に流入(充填)する。この状態で、制御部1は、光源130に紫外光を発生させる。光源130からの紫外光は照明光学系120を介して型50を通過し、インプリント材30に入射する。こうして紫外線を照射されたインプリント材30は硬化する。硬化したインプリント材には、型50のパターンの反転パターンが形成されることとなる。インプリント材30が硬化した後、制御部1は、インプリントヘッド100を制御して、型50を上昇させ、型50と基板20との間隔を広げていく。これにより、硬化したインプリント材30から型50が引き離される。
The control unit 1 controls the imprint process as follows, for example. First, the control unit 1 controls the moving
なお、上記の説明では、固定された基板20上のインプリント材30に対してインプリントヘッド100を下降させて型50を接触させる構成としているが、この反対の動作もありうる。すなわち、固定された型50に対して基板ステージ10を駆動して基板20上のインプリント材30を接触させる構成としてもよい。あるいは、インプリントヘッド100と基板ステージ10をそれぞれ駆動させる構成としてもよい。すなわち、型50と基板20との間隔を相対的に変化させる構成であればよい。
In the above description, the
インプリント処理の概要は概ね以上のとおりである。インプリント処理においては、型50と基板20上のインプリント材30とを接触させるとき、その間の空間における大気中の酸素の影響でインプリント材30の充填が妨げられ、これによりパターン欠陥が生じやすくなる。そこでインプリント装置200は、インプリント位置における型50とショット領域に配置されたインプリント材30との間の空間(以下「インプリント空間」ともいう。)にパージガス(充填促進ガス)を供給する供給部を備える。供給部は、複数の供給口として設けられたガスノズル71,72,73,74と、ガス流量制御部141,142,143,144とを含みうる(図2参照)。図2に示されるように、ガスノズル71〜74は型50を囲むように配置される。また、ガスノズル71〜74はそれぞれ、ガス流量制御部141〜144に接続されている。このうちガスノズル71は、型50とディスペンサ80との間に配置されている。図1の例では、複数の供給口としてのガスノズル71〜74がインプリントヘッド100に配置されている。
The outline of the imprinting process is as described above. In the imprinting process, when the
なお、図2においては便宜上、ガスノズル71〜74の幅(スリット幅)がパターン部40の各辺よりも大きく描かれているが、その限りではない。スリット幅が狭い方が、その吹き出し口付近でのガスの流速が大きくなるため、巻き込まれる空気の量が減る。したがって、周囲の空気がガスがガスノズル71〜74から吹き出されるガスに混ざってインプリント空間に巻き込まれるのを防ぐためには、ガスノズル71〜74の幅は、パターン部40の幅よりも狭くするとよい。
In FIG. 2, the widths (slit widths) of the
インプリント装置200は、ガスノズル71〜74から、インプリント空間にパージガスを供給してインプリントを行う。パージガスには、充填性の観点から拡散性やインプリント材に対する溶解性に優れ、型とインプリント材との接触時に型を透過する透過性気体を採用しうる。あるいはパージガスとしては、型と基板上のインプリント材との接触時における型とインプリント材との間の空間の圧力上昇により液化する凝縮性気体を採用することもできる。型とインプリント材との接触時、インプリント材や型に残留した気体が、透過性気体の場合は溶解または拡散し、凝縮性気体の場合はインプリントによる圧力上昇により液化して、気体時に比べて体積が数百分の一にまで小さくなる。これにより、残留ガスのパターン形成への影響を抑えられる。透過性気体としては具体的には、窒素、ヘリウム、二酸化炭素、水素、キセノン、ペンタフルオロプロパン等が採用されうる。また、凝縮性気体としては具体的には、ペンタフルオロプロパンを代表とするハイドロフルオロカーボンや、ハイドロフルオロエーテル等のうちから選択される1つのガス、あるいはそれらの混合ガスが採用されうる。
The
以上の構成により、本実施形態のインプリント処理においては、でガスノズル71〜74から上記のようなパージガス(以下、単に「ガス」という。)を供給することができる。以下、本実施形態における、ガスの供給を伴うインプリント処理の詳細を説明する。
With the above configuration, in the imprint process of the present embodiment, the above-described purge gas (hereinafter, simply referred to as “gas”) can be supplied from the
まず、図1(a)に示すように、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がディスペンサ80によるインプリント材の配置が行われる配置位置に来るように基板20を搬送する。次に、制御部1は、ディスペンサ80を制御して、基板20のショット領域にインプリント材30を配置する。その後、図1(b)に示すように、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がインプリント位置に来るように、基板20のSD方向への搬送を開始する。
First, as shown in FIG. 1A, the control unit 1 controls the moving
その後、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、ガスノズル71からのガスGの供給を開始する。例えば、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、基板20のショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点で、ガスノズル71からのガスGの供給を開始する。供給されたガスGは、基板20の移動に伴って、型50と基板20との間の空間に引き込まれていく。制御部1は、このガスGの供給が開始される以後に、インプリントヘッド100を制御して、基板ステージ10がディスペンサ80の位置から型50へ向かうSD方向に進むにつれ徐々に型50と基板20との間隙が小さくなるように、型50を傾斜させる。この型50の傾斜によって、基板20の移動に伴いガスGが型50と基板20との間に引き込まれる流速が抑制され、それによりガスGの流れ幅が広がる。
Thereafter, the control unit 1 controls the gas flow
ガスGが十分に供給されるものとして予め定められた時間の経過後、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、ガスノズル71からのガスGの供給を止める。その後、制御部1は、基板20のショット領域が型50のパターン部40の下に位置したら、基板ステージ10の駆動を止め、図1(c)に示すように型50を水平に戻す。その後、制御部1は、パターン部40とショット領域との位置合わせを行い、インプリントヘッド100を制御して、型50を下降させてショット領域上のインプリント材30と接触させる。この状態で、制御部1は、光源130に紫外光を発生させインプリント材30を硬化させる。インプリント材30が硬化した後、制御部1は、インプリントヘッド100を制御して型50を上昇させ、硬化したインプリント材30から型50を引き離す。
After an elapse of a time predetermined as a sufficient supply of the gas G, the control unit 1 controls the gas flow
上記の例は、基板20をインプリント位置に位置させるために基板ステージ10をSD方向に移動させる場合に、その移動方向に対応するガスノズル71からのガスの制御を説明したものである。基板ステージ10の移動方向がSD方向と異なる場合には、ガスノズル72,73,74のうちの対応するガスノズルからガスが制御されることになる。
In the above example, when moving the
また、上記の例では、制御部1は、インプリントヘッド100を制御して、基板ステージ10がSD方向に進むにつれ徐々に型50と基板20との間隙が小さくなるように、型50を傾斜させた。このかわりに、制御部1は、基板ステージ10(移動機構10a)を制御して、基板ステージ10がSD方向に進むにつれ徐々に型50と基板20との間隙が小さくなるように、基板20を傾斜させるようにしてもよい。あるいは、型50と基板20の両方を傾斜させてもよい。すなわち、型50および基板20の少なくとも一方を傾斜させればよい。なお、型50または基板20の傾斜は、型50と基板20との最も近いところの距離と最も離れているところの距離との差が、例えば、0.1mm以上2.0mm以下となるように行うとよい。
Further, in the above example, the control unit 1 controls the
ここで、上記のように型50を傾斜させる理由を説明する。上記のように型50を傾斜させることにより、型50と基板20との間の空間に対してガスが流入する側とは反対側で型50と基板20との間隔が狭められる。このため、型50と基板20との間の空間からのガスの流出が妨げられる。こうして、型50と基板20との間の空間におけるガスの流れに関して、SD方向の下流側で圧力が上昇する圧力勾配が付加される。これにより、型50と基板20との対向角度が平行である場合に比べ、型50と基板20との間の空間における、基板20の移動によって引き込まれるガスGの流速が抑制される。流速が小さくなると、ガスノズル71から供給されるガスGの流量は維持されたまま、ガスGの流れ幅を広げる効果が得られる。
Here, the reason for tilting the
以上のように、本実施形態によれば、インプリント装置200は、型50と基板20との間の空間からのガスGの流出を妨げるように、型50と基板20の少なくとも一方を傾斜させる。その傾斜は、移動機構10aによる基板20の移動によってショット領域がディスペンサ80による配置位置からインプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで行われる。その所定のタイミングとは、例えば、移動機構10aによる基板20の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点でありうる。あるいは、所定のタイミングとは、移動機構10aによる基板20の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点で、かつ、ガスノズル71からのガスの供給が開始される以後の時点でありうる。
As described above, according to the present embodiment, the
図3は、型50における基板20と対向する方向の面内でのガスGの流れの分布を示した平面図である。ディスペンサ80が型50の左側にあり、基板ステージ10が左から右で示されるSD方向に進行する。図3(a)と図3(b)はともに、基板ステージ10をSD方向へ駆動させつつ、ガスノズル71より同一流量のガスGを供給した場合のガスGの分布を示している。図3(a)は型50と基板20が平行に対向している場合の分布であり、図3(b)は、SD方向に進むにつれ型50と基板20の間隙が狭くなるように型50を傾斜させた場合の分布である。このような型50の傾斜によって、ガスノズル71から供給されるガスGの流量を維持したまま、ガスGの流れ幅を広げる効果が得られる。これにより、インプリント空間における気体を効果的にガスGに置換することができる。また、これにより、所望のガスの流れ幅にするために必要となるガス流量が減るため、ガスの使用量を削減することができる。
FIG. 3 is a plan view showing the distribution of the flow of the gas G in the plane of the
<第2実施形態>
図4に、第2実施形態におけるインプリント装置200の構成を示す。第1実施形態に係る図1では、型50とディスペンサ80との間の位置でインプリントヘッド100に複数の供給口としてガスノズル71〜74が配置されていた。これに対し、図4の例では、型50および型チャック60を連通する複数の孔が形成され、そこに複数の供給口としてのガスノズル71〜74が配置されている。その他の構成は実施形態1と同様である。
Second Embodiment
FIG. 4 shows the configuration of the
実施形態1のようにガスノズル71〜74が型50の外側に配置される場合、基板20のSD方向への移動に伴いSD方向へ引き込まれるガスGの流速の低下が避けられない。ガスGの流速が低下すると、型50と基板20との間の空間へ導入されるガスGの量が低下し、その空間の外部にガスGが漏れてしまう可能性が高まる。これに対し本実施形態では、ガスノズル71〜74が型50を貫通する孔によって形成されているため、実施形態1の構成に比べて、パターン部40に近い位置でガスGを供給することができる。これにより、ガスGをより確実にインプリント空間に導入することができる。この構成により、型50と基板20との間の空間から漏れ出るガスの量を減らすことができるため、より効果的に型50と基板20との間の空間における気体をガスGで置換することができる。
When the
<第3実施形態>
上記した第1実施形態および第2実施形態では、型50を傾斜させることにより、型50と基板20との間の空間におけるガスの流れに関して、SD方向の下流側で圧力が上昇する圧力勾配を付加した。これに対し、第3実施形態では、型50を傾斜させるのではなく、型50と基板20との間の空間からのガスの流出を妨げるような給排気機構を設ける。図5に、本実施形態におけるインプリント装置200の構成を示す。インプリント装置200は、型50と基板20との間の空間にガスG(第1ガス)を供給する第1供給部を備える。第1供給部は、第1実施形態と同様の、複数の供給口として設けられたガスノズル71,72,73,74と、ガス流量制御部141,142,143,144とを含みうる(図2参照)。このうちガスノズル71(第1供給口)は、型50とディスペンサ80との間に配置されている。
Third Embodiment
In the first embodiment and the second embodiment described above, by tilting the
また、型50に対してガスノズル71〜74より更に外側に、給排気装置150,160が設けられている。このうち給排気装置160は、型50のパターン部40を挟んでガスノズル71とは反対側の位置の第2供給口に設けられている。給排気装置150、160は、例えば支持体110によって支持されている。給排気装置150,160は、例えば、強制給気および強制排気を行うためのファンを含みうる。ここでは、給排気装置150,160が型50と基板20との間の空間に向けて空気(第2ガス)を供給する動作を給気動作といい、給排気装置150,160が該空間から空気を排出する動作を排気動作という。給排気装置150,160は、給気動作を行う場合は空気を供給する供給部(第2供給部)として機能し、排気動作を行う場合は、空気を排出する排気部として機能する。
Moreover, the air supply /
制御部1は、まず、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がディスペンサ80によるインプリント材の配置が行われる配置位置に来るように基板20を搬送する。次に、制御部1は、ディスペンサ80を制御して、基板20のショット領域にインプリント材30を配置する。その後、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がインプリント位置に来るように、基板20のSD方向への搬送を開始する。この搬送に際し、制御部1は、型50のパターン部40に対してSD方向の下流側にある給排気装置160に給気動作を行わせる。または、制御部1は、型50のパターン部40に対してSD方向の上流側にある給排気装置150に排気動作を行わせる。あるいは、制御部1は、型50のパターン部40に対してSD方向の下流側にある給排気装置160に給気動作を行わせ、かつ、型50のパターン部40に対してSD方向の上流側にある給排気装置150に排気動作を行わせてもよい。このような給排気動作によって、型50と基板20との間の空間からのガスの流出を妨げるような圧力勾配が付加される。
First, the control unit 1 controls the moving
ただし、付加する圧力勾配は、基板20の移動により型50と基板20との間に引きずり込まれるガスGの気流が逆流しない範囲にする必要がある。そのような圧力勾配PGは、ガスGの粘度をμ、型50と基板20との間の間隔をd、基板20の速度をvとすると、クエット・ポワズイユ流れの前提に基づき、次式で表される。
However, the pressure gradient to be applied needs to be in a range in which the air flow of the gas G drawn between the
PG<6μv/d^2 PG <6 μv / d ^ 2
その後、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、ガスノズル71からのガスGの供給を開始する。例えば、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、基板20のショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点で、ガスノズル71からのガスGの供給を開始する。供給されたガスGは、基板20の移動に伴って、型50と基板20との間の空間に引き込まれる。
Thereafter, the control unit 1 controls the gas flow
ガスGが十分に供給されるものとして予め定められた時間の経過後、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、ガスノズル71からのガスGの供給を止める。その後、制御部1は、基板20のショット領域が型50のパターン部40の下に位置したら、基板ステージ10の駆動と、給排気装置150による給排気動作を止める。その後の動作は、第1実施形態と同様である。ただし、これに限定されるものではなく、給排気動作は常時続けるようにしてもよい。
After an elapse of a time predetermined as a sufficient supply of the gas G, the control unit 1 controls the gas flow
以上のように、本実施形態によれば、インプリント装置200は、型50と基板20の間の空間からガスGの流出を妨げるように、給排気装置160から空気の供給を行う。この空気の供給は、移動機構10aによる基板20の移動によってショット領域がディスペンサ80による配置位置からインプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで行われる。その所定のタイミングとは、例えば、移動機構10aによる基板20の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点でありうる。あるいは、所定のタイミングとは、移動機構10aによる基板20の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点で、かつ、ガスノズル71からのガスの供給が開始される以後の時点でありうる。
As described above, according to the present embodiment, the
以上のような、ガスGの供給時における給排気装置160による給気動作によって、あるいはそれに加えて行われる給排気装置150による排気動作によって、基板20の移動に伴い引き込まれるガスGの流速が抑制される。流速が抑制されると、ガスノズル71から供給されるガスGの流量を維持したまま、ガスGの流れ幅を広げる効果を得ることができる。この効果により、所望のガスの流れ幅にするために必要となるガス流量が減るため、ガスの使用量を削減することもできる。
As described above, the flow rate of the gas G drawn with the movement of the
<第4実施形態>
上記した第3実施形態では、例えばファンによる給排気動作を行う給排気装置150を備える形態を示した。本実施形態はその変形例である。図6(a)に、本実施形態におけるインプリント装置200の構成を示す。ここでは、インプリントヘッド100の、型50に対してガスノズル71〜74により更に外側に、ガスノズル91〜94が設けられている。
Fourth Embodiment
In the above-described third embodiment, for example, the aspect including the air supply /
図6(b)は、パターン部40に対するガスノズル71〜74およびガスノズル91〜94の配置を示す図である。ガスノズル91,92,93,94はそれぞれ、ガス流量制御部151,152,153,154に接続されており、これによりガスノズル91〜94から供給されるガスAの流量は個別に制御されうる。ガスAとしては、ガスGと異なる清浄な空気(クリーンドライエア)および窒素の少なくともいずれかを用いることができる。
FIG. 6 (b) is a view showing the arrangement of the
なお、ガスノズル91〜94の配置は、これに限定されるものではない。例えば、ガスAとガスGの制御を明確に分けることにすれば、ガスAを供給するガスノズル91〜94の機能をガスノズル71〜74で兼用する構成としてもよい。また、第2実施形態(図4)のように、ガスノズル71〜74として、型50のパターン部40を取り囲むように型50の各辺の中心からパターン部40の方向に一定距離向かった位置に開けられた孔を通じてガスGが供給される場合を考える。この場合は、さらにそれらの孔を取り囲むように型50に開けられた孔を通じてガスAを供給する構成としてもよい。
The arrangement of the
ガス流量制御部151〜154の制御は、第3実施形態と同様である。例えば、制御部1は、基板20をSD方向に移動させるのに対して、ガス流量制御部153を制御して、ガスノズル93からガスAを供給する。これは、第3実施形態におけるSD方向の下流側にある給排気装置150に給気動作を行わせることに対応する。これにより、型50と基板20との間の空間からのガスの流出を妨げるような圧力勾配が付加され、第3実施形態と同様の効果を得ることができる。
Control of the gas flow
<物品製造方法の実施形態>
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
<Embodiment of a method of manufacturing an article>
The pattern of the cured product formed using the imprint apparatus is used permanently on at least a part of various articles or temporarily for manufacturing various articles. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit element include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. The mold may, for example, be a mold for imprinting.
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。 The pattern of the cured product is used as it is as a component member of at least a part of the article or temporarily used as a resist mask. After etching, ion implantation, or the like is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.
次に、物品製造方法について説明する。図7のステップSAでは、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコン基板等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。
Next, an article manufacturing method will be described. In step SA of FIG. 7, a
図7のステップSBでは、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図7のステップSCでは、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを介して照射すると、インプリント材3zは硬化する。
In step SB of FIG. 7, the mold 4z for imprint is faced with the side on which the concavo-convex pattern is formed facing the
図7のステップSDでは、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。
In step SD of FIG. 7, after the
図7のステップSEでは、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図7のステップSFでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
In step SE of FIG. 7, when etching is performed with the pattern of the cured product as the etching resistant, the portion of the surface of the
1:制御部、10:基板ステージ、10a:移動機構、20:基板、30:インプリント材、50:型、71:ガスノズル、80:ディスペンサ、100:インプリントヘッド、200:インプリント装置 1: Control unit, 10: Substrate stage, 10a: Movement mechanism, 20: Substrate, 30: Imprint material, 50: Mold, 71: Gas nozzle, 80: Dispenser, 100: Imprint head, 200: Imprint apparatus
Claims (15)
前記基板のショット領域に前記インプリント材を配置する配置部と、
前記ショット領域が前記配置部による配置が行われる配置位置から前記接触が行われるインプリント位置へ移動するように前記基板を移動させる移動機構と、
前記配置部と前記型の前記パターン部との間に設けられた供給口から、前記インプリント位置における前記型と前記基板との間の空間にガスを供給する供給部と、
を備え、
前記移動機構による前記基板の移動によって前記ショット領域が前記配置位置から前記インプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで、前記空間からの前記ガスの流出を妨げるように、前記型および前記基板の少なくとも一方を傾斜させる
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus, wherein a pattern portion of a mold is brought into contact with an imprint material on a substrate to form a pattern on the substrate,
An arrangement portion for arranging the imprint material in a shot area of the substrate;
A movement mechanism for moving the substrate so that the shot area is moved from an arrangement position where arrangement by the arrangement section is performed to an imprint position where the contact is performed;
A supply unit configured to supply a gas from a supply port provided between the placement unit and the pattern unit of the mold to a space between the mold and the substrate at the imprint position;
Equipped with
Of the mold and the substrate so as to prevent the gas from flowing out of the space at a predetermined timing while the shot area moves from the arrangement position to the imprint position by the movement of the substrate by the movement mechanism. An imprint apparatus comprising: tilting at least one of the two.
前記基板のショット領域に前記インプリント材を配置する配置部と、
前記ショット領域が前記配置部による配置が行われる配置位置から前記接触が行われるインプリント位置へ移動するように前記基板を移動させる移動機構と、
前記配置部と前記型の前記パターン部との間に設けられた第1供給口から、前記インプリント位置における前記型と前記基板との間の空間に第1ガスを供給する第1供給部と、
前記型の前記パターン部を挟んで前記第1供給口とは反対側の位置に設けられた第2供給口から、前記空間に前記第1ガスとは異なる第2ガスを供給する第2供給部と、
を備え、
前記移動機構による前記基板の移動によって前記ショット領域が前記配置位置から前記インプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで、前記空間からの前記第1ガスの流出を妨げるように、前記第2供給部から前記第2ガスを供給する
ことを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus, wherein a pattern portion of a mold is brought into contact with an imprint material on a substrate to form a pattern on the substrate,
An arrangement portion for arranging the imprint material in a shot area of the substrate;
A movement mechanism for moving the substrate so that the shot area is moved from an arrangement position where arrangement by the arrangement section is performed to an imprint position where the contact is performed;
A first supply portion for supplying a first gas from a first supply port provided between the placement portion and the pattern portion of the mold to a space between the mold and the substrate at the imprint position; ,
A second supply unit for supplying a second gas different from the first gas to the space from a second supply port provided at a position opposite to the first supply port across the pattern portion of the mold When,
Equipped with
The second supply is performed to prevent the first gas from flowing out of the space at a predetermined timing while the shot area moves from the arrangement position to the imprint position by the movement of the substrate by the movement mechanism. And supplying the second gas from the unit.
前記所定のタイミングで、前記排気部による排気を更に行うことを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。 And an exhaust unit provided between the placement unit and the first supply port for exhausting the space;
8. The imprint apparatus according to claim 7, wherein the exhaust unit further performs exhaust at the predetermined timing.
前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。 A process of forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 14,
Processing the substrate on which the pattern has been formed;
Have
An article manufacturing method comprising manufacturing an article from the processed substrate.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017205548A JP7064310B2 (en) | 2017-10-24 | 2017-10-24 | Imprinting equipment and article manufacturing method |
KR1020180122965A KR102350358B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-10-16 | Imprint apparatus, and method of manufacturing article |
KR1020220002564A KR102452936B1 (en) | 2017-10-24 | 2022-01-07 | Imprint apparatus, and method of manufacturing article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017205548A JP7064310B2 (en) | 2017-10-24 | 2017-10-24 | Imprinting equipment and article manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019079926A true JP2019079926A (en) | 2019-05-23 |
JP7064310B2 JP7064310B2 (en) | 2022-05-10 |
Family
ID=66582762
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017205548A Active JP7064310B2 (en) | 2017-10-24 | 2017-10-24 | Imprinting equipment and article manufacturing method |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7064310B2 (en) |
KR (2) | KR102350358B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021089987A (en) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | キヤノン株式会社 | Simulation method, simulation device, and program |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63260034A (en) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Tokyo Electron Ltd | Asher |
JP2006245072A (en) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Canon Inc | Mold for transferring pattern and transfer device |
JP2008078550A (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | Imprint mold, its manufacturing method, and pattern formation method |
JP2012039057A (en) * | 2010-07-13 | 2012-02-23 | Canon Inc | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
JP2012506146A (en) * | 2008-10-20 | 2012-03-08 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | Gas environment for imprint lithography |
JP2013513950A (en) * | 2009-12-10 | 2013-04-22 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | Template for imprint lithography |
JP2013519228A (en) * | 2010-02-09 | 2013-05-23 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | Process gas confinement for nanoimprint |
JP2013175631A (en) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Canon Inc | Imprint device, imprint method, and method of manufacturing article using the same |
JP2013229448A (en) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Canon Inc | Imprint device, imprint method, and article manufacturing method |
JP2014049473A (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Dainippon Printing Co Ltd | Imprint method and imprint device for implementing the same |
JP2014212206A (en) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | キヤノン株式会社 | Imprint device and manufacturing method of goods using the same |
JP2016054231A (en) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | キヤノン株式会社 | Imprint device |
JP2016054232A (en) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | キヤノン株式会社 | Imprint device |
JP2016092198A (en) * | 2014-11-04 | 2016-05-23 | キヤノン株式会社 | Imprint device and method and product manufacturing method |
JP2017045999A (en) * | 2016-11-07 | 2017-03-02 | 大日本印刷株式会社 | Imprinting device and manufacturing method for imprint transfer body |
JP2017092350A (en) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | Generation method, imprint method, imprint device, program, and manufacturing method of article |
JP2017139452A (en) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | キヤノン株式会社 | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
JP2017163039A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | キヤノン株式会社 | Imprint device, and manufacturing method of object |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012080015A (en) | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Canon Inc | Imprint apparatus and method for manufacturing goods |
JP6525567B2 (en) * | 2014-12-02 | 2019-06-05 | キヤノン株式会社 | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
-
2017
- 2017-10-24 JP JP2017205548A patent/JP7064310B2/en active Active
-
2018
- 2018-10-16 KR KR1020180122965A patent/KR102350358B1/en active IP Right Grant
-
2022
- 2022-01-07 KR KR1020220002564A patent/KR102452936B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63260034A (en) * | 1987-04-16 | 1988-10-27 | Tokyo Electron Ltd | Asher |
JP2006245072A (en) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Canon Inc | Mold for transferring pattern and transfer device |
JP2008078550A (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | Imprint mold, its manufacturing method, and pattern formation method |
JP2012506146A (en) * | 2008-10-20 | 2012-03-08 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | Gas environment for imprint lithography |
JP2013513950A (en) * | 2009-12-10 | 2013-04-22 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | Template for imprint lithography |
JP2013519228A (en) * | 2010-02-09 | 2013-05-23 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | Process gas confinement for nanoimprint |
JP2012039057A (en) * | 2010-07-13 | 2012-02-23 | Canon Inc | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
JP2013175631A (en) * | 2012-02-27 | 2013-09-05 | Canon Inc | Imprint device, imprint method, and method of manufacturing article using the same |
JP2013229448A (en) * | 2012-04-25 | 2013-11-07 | Canon Inc | Imprint device, imprint method, and article manufacturing method |
JP2014049473A (en) * | 2012-08-29 | 2014-03-17 | Dainippon Printing Co Ltd | Imprint method and imprint device for implementing the same |
JP2014212206A (en) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | キヤノン株式会社 | Imprint device and manufacturing method of goods using the same |
JP2016054231A (en) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | キヤノン株式会社 | Imprint device |
JP2016054232A (en) * | 2014-09-04 | 2016-04-14 | キヤノン株式会社 | Imprint device |
JP2016092198A (en) * | 2014-11-04 | 2016-05-23 | キヤノン株式会社 | Imprint device and method and product manufacturing method |
JP2017092350A (en) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | Generation method, imprint method, imprint device, program, and manufacturing method of article |
JP2017139452A (en) * | 2016-02-03 | 2017-08-10 | キヤノン株式会社 | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
JP2017163039A (en) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | キヤノン株式会社 | Imprint device, and manufacturing method of object |
JP2017045999A (en) * | 2016-11-07 | 2017-03-02 | 大日本印刷株式会社 | Imprinting device and manufacturing method for imprint transfer body |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021089987A (en) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | キヤノン株式会社 | Simulation method, simulation device, and program |
US11880638B2 (en) | 2019-12-04 | 2024-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming a film or a curable composition, apparatus, and storage medium |
JP7453779B2 (en) | 2019-12-04 | 2024-03-21 | キヤノン株式会社 | Simulation method, simulation device, and program |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7064310B2 (en) | 2022-05-10 |
KR20190045839A (en) | 2019-05-03 |
KR102350358B1 (en) | 2022-01-14 |
KR20220010566A (en) | 2022-01-25 |
KR102452936B1 (en) | 2022-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI649789B (en) | Imprint device, imprint method, and article manufacturing method | |
JP6700949B2 (en) | Imprint method and article manufacturing method | |
JP2019186477A (en) | Imprint device, imprint method, and article manufacturing method | |
KR102452936B1 (en) | Imprint apparatus, and method of manufacturing article | |
JP2017163039A (en) | Imprint device, and manufacturing method of object | |
US10315354B2 (en) | Imprint apparatus and method of manufacturing article | |
JP2017208424A (en) | Imprint device and manufacturing method of article | |
JP6762853B2 (en) | Equipment, methods, and article manufacturing methods | |
JP7373334B2 (en) | Imprint device and article manufacturing method | |
JP6978853B2 (en) | Imprint device and article manufacturing method | |
JP6304921B2 (en) | Imprint method, imprint apparatus, and article manufacturing method using the same | |
JP2019071386A (en) | Imprint device and article manufacturing method | |
JP2018067606A (en) | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method | |
JP6700771B2 (en) | Imprint apparatus and article manufacturing method | |
JP2019117844A (en) | Mold, replica mold, imprint apparatus, and article manufacturing method | |
JP2020004798A (en) | Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method | |
US11526074B2 (en) | Molding apparatus for molding composition on substrate using mold, molding method, and method for manufacturing article | |
JP7149872B2 (en) | IMPRINT METHOD, IMPRINT APPARATUS, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD | |
JP2019102606A (en) | Imprint method, imprint device and method of manufacturing article | |
JP2012129381A (en) | Imprint apparatus, imprint method, and manufacturing method of goods | |
JP2023109248A (en) | Imprint device, imprint method, and manufacturing method of article | |
JP7105643B2 (en) | Molding apparatus and article manufacturing method | |
JP6808386B2 (en) | Imprint equipment and article manufacturing method | |
JP2019161020A (en) | Mold, imprint apparatus, and article manufacturing method | |
JP2021184435A (en) | Imprint device, imprint method, and article manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201007 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210103 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220325 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220422 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7064310 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |