JP2019079926A - Imprint device, and article manufacturing method - Google Patents

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Abstract

To provide an imprint device advantageous for reducing the used amount of gas replacing the air between a board and a mold.SOLUTION: An imprint device for forming a pattern on a board by bringing the pattern part of a mold into contact with an imprint material on the board includes an arrangement part for arranging the imprint material in the shot region of the board, a movement mechanism for moving the board so that the shot region moves from the arrangement position where arrangement is performed by the arrangement part to an imprint position where the contact takes place, and a feed section for feeding gas from a supply port, provided between the arrangement part and the pattern part of the mold, to a space between the mold at the imprint position and the board. The imprint device tilts at least one of the mold and the board so as to prevent outflow of the gas from the space, at a prescribed timing during movement of the shot region from the arrangement position to the imprint position due to movement of the board by the movement mechanism.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、インプリント装置、および物品製造方法に関する。   The present invention relates to an imprint apparatus and an article manufacturing method.

半導体デバイス等の物品を製造するためのリソグラフィ技術の一つとして、インプリント技術が実用化されつつある。インプリント装置では、型を基板上のインプリント材に接触させることでパターンを形成するため、従来の露光装置に比べて原理的にパターン欠陥が生じやすく、この欠陥の低減が課題となっている。具体的には、型と基板上のインプリント材とを接触させるとき、その間にある大気中の酸素の影響でインプリント材の硬化反応が進行し難くなり、これにより転写されるパターンに欠陥が生じうる。この解決策として、残留ガスがインプリント材やモールドに溶解、拡散、または透過して消滅するまで待機する方法も考えられるが、その場合には、その待機に要する時間のために生産性が低下してしまう。   Imprinting technology is being put to practical use as one of lithography techniques for manufacturing articles such as semiconductor devices. In the imprint apparatus, since the pattern is formed by bringing the mold into contact with the imprint material on the substrate, a pattern defect tends to occur in principle compared to the conventional exposure apparatus, and the reduction of this defect is an issue . Specifically, when the mold is brought into contact with the imprinting material on the substrate, the curing reaction of the imprinting material becomes difficult to progress due to the influence of oxygen in the atmosphere between them, which causes defects in the transferred pattern. It can occur. As a solution to this problem, it is conceivable to wait until the residual gas dissolves, diffuses or permeates into the imprint material or mold and disappears, but in such a case, productivity decreases due to the time required for the waiting. Resulting in.

この課題を解決するために、基板と型との間の空気を、ヘリウムや二酸化炭素などの型やインプリント材への透過性あるいは可溶性の高いガスで置換し、気泡を型やインプリント材に透過させて気泡の体積を素早く減少させる方法が提案されている。しかし、ここで用いられるガスは一般に高価であり、また温暖化係数も高いという問題があり、そのようなガスの使用量を削減することが求められている。   In order to solve this problem, the air between the substrate and the mold is replaced with a gas highly permeable or soluble to the mold or imprint material such as helium or carbon dioxide, and the air bubbles are made into the mold or imprint material A method has been proposed for allowing the volume of bubbles to be reduced rapidly by permeation. However, the gas used here is generally expensive and has a problem of high global warming potential, and there is a need to reduce the amount of such gas used.

特開2013−229448号公報JP, 2013-229448, A

特許文献1の方法では、インプリント材が供給された基板のショット領域が型の下に位置するように基板を移動させながら、ショット領域にガスを吹き付け、基板の移動に伴って型のパターン部と基板との間の空間(インプリント空間)にガスを引き込む。しかし、いったんその空間に流入したガスは流れ幅を保ったまま基板とともに移動を続け、インプリント空間から流出してしまう。そのため、インプリント空間をガスで満たすためには、インプリント空間に流入させるガスの流れ幅がパターン部の幅以上となるようにガスを封入する必要があり、ガスの使用量を削減することができない。   In the method of Patent Document 1, a gas is blown to the shot area while moving the substrate so that the shot area of the substrate supplied with the imprint material is positioned under the mold, and the pattern portion of the mold is moved along with the movement of the substrate. The gas is drawn into the space between the substrate and the substrate (imprint space). However, once the gas flows into the space, the gas continues to move with the substrate while maintaining the flow width, and flows out of the imprint space. Therefore, in order to fill the imprint space with gas, it is necessary to enclose the gas so that the flow width of the gas flowing into the imprint space is equal to or larger than the width of the pattern portion, and the amount of gas used can be reduced. Can not.

本発明は、例えば、基板と型との間の空気と置換するガスの使用量を削減するのに有利なインプリント装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is, for example, to provide an imprint apparatus that is advantageous for reducing the amount of air and gas used between the substrate and the mold.

本発明の一側面によれば、基板上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、前記基板のショット領域に前記インプリント材を配置する配置部と、前記ショット領域が前記配置部による配置が行われる配置位置から前記接触が行われるインプリント位置へ移動するように前記基板を移動させる移動機構と、前記配置部と前記型の前記パターン部との間に設けられた供給口から、前記インプリント位置における前記型と前記基板との間の空間にガスを供給する供給部とを備え、前記移動機構による前記基板の移動によって前記ショット領域が前記配置位置から前記インプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで、前記空間からの前記ガスの流出を妨げるように、前記型および前記基板の少なくとも一方を傾斜させることを特徴とするインプリント装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, there is provided an imprint apparatus in which a pattern portion of a mold is brought into contact with an imprint material on a substrate to form a pattern on the substrate, and the imprint material is formed on a shot area of the substrate. An arrangement unit for arranging, a moving mechanism for moving the substrate to move the shot area from an arrangement position where arrangement by the arrangement unit is performed to an imprint position where the contact is performed, the arrangement unit, and the mold And a supply unit configured to supply a gas from the supply port provided between the pattern unit and the space between the mold and the substrate at the imprint position, and the substrate is moved by the movement mechanism. The mold is configured to prevent the gas from flowing out of the space at a predetermined timing while the shot area moves from the arrangement position to the imprint position. Imprint apparatus characterized by tilting at least one of the pre said substrate.

本発明によれば、例えば、基板と型との間の空気と置換するガスの使用量を削減するのに有利なインプリント装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide, for example, an imprint apparatus that is advantageous for reducing the amount of gas used to replace air between the substrate and the mold.

実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略断面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic sectional drawing which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略平面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic plan view which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 型の面内におけるガスの流れの分布を示す図。The figure which shows distribution of the flow of gas in the surface of a type | mold. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略断面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic sectional drawing which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略断面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic sectional drawing which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態におけるインプリント装置の構成を示す概略断面図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The schematic sectional drawing which shows the structure of the imprint apparatus in embodiment. 実施形態における物品製造方法を説明する図。The figure explaining the articles | goods manufacturing method in embodiment.

以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の実施形態は本発明の実施の具体例を示すにすぎないものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In addition, the following embodiment shows only the specific example of implementation of this invention, and this invention is not limited to the following embodiment. In addition, not all combinations of features described in the following embodiments are essential for solving the problems of the present invention.

<第1実施形態>
まず、実施形態に係るインプリント装置の概要について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。
First Embodiment
First, an outline of the imprint apparatus according to the embodiment will be described. The imprint apparatus is an apparatus for forming a pattern of a cured product to which an uneven pattern of a mold is transferred by bringing an imprint material supplied on a substrate into contact with the mold and applying energy for curing to the imprint material. is there.

インプリント材としては、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される光、例えば、赤外線、可視光線、紫外線などでありうる。硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物でありうる。これらのうち、光の照射により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、インプリント材供給装置(不図示)により、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスである。   As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) which is cured by receiving energy for curing is used. As energy for curing, electromagnetic waves, heat, etc. may be used. The electromagnetic wave may be, for example, light whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less, such as infrared light, visible light, and ultraviolet light. The curable composition may be a composition which is cured by irradiation of light or by heating. Among these, the photocurable composition which is cured by irradiation with light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may further contain a nonpolymerizable compound or a solvent as required. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, a polymer component and the like. The imprint material can be disposed on the substrate in the form of droplets or in the form of islands or a film formed by connecting a plurality of droplets by an imprint material supply device (not shown). The viscosity (the viscosity at 25 ° C.) of the imprint material may be, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less. As a material of the substrate, for example, glass, ceramics, metals, semiconductors, resins and the like can be used. If necessary, a member made of a material different from that of the substrate may be provided on the surface of the substrate. The substrate is, for example, a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, or quartz glass.

図1および図2はそれぞれ、本実施形態におけるインプリント装置200の構成を示す、概略断面図および概略平面図である。本実施形態において、インプリント装置200は、光(紫外線)の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法を採用するが、これに限定されるものではなく、例えば入熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法を採用することもできる。なお、以下の各図においては、型に対する光の照射軸と平行な方向にXYZ座標系におけるZ軸をとり、Z軸に垂直な平面内で互いに直交する方向にX軸およびY軸をとるものとする。   FIG. 1 and FIG. 2 are a schematic cross-sectional view and a schematic plan view, respectively, showing the configuration of the imprint apparatus 200 in the present embodiment. In the present embodiment, the imprint apparatus 200 adopts a photo-curing method of curing the imprint material by irradiation of light (ultraviolet light), but is not limited thereto. For example, the imprint material is cured by heat input It is also possible to employ a thermosetting method. In each of the following figures, the Z axis in the XYZ coordinate system is taken in a direction parallel to the irradiation axis of light to the mold, and the X axis and the Y axis are taken in directions perpendicular to each other in a plane perpendicular to the Z axis. I assume.

照明光学系120は、インプリント処理において、光源130からの紫外線を型50に対して照射する。光源130としては、例えば、紫外光を発生するハロゲンランプが使用される。照明光学系120は、レンズ等の光学素子、アパーチャ、照射および遮光を切り替えるシャッタ等を含みうる。   The illumination optical system 120 irradiates the mold 50 with the ultraviolet light from the light source 130 in the imprint process. For example, a halogen lamp that generates ultraviolet light is used as the light source 130. The illumination optical system 120 can include an optical element such as a lens, an aperture, a shutter that switches irradiation and light blocking, and the like.

型50は、図2に示されるように、例えば外形が概略矩形であり、所定のパターン(例えば、回路パターン)が3次元状に形成されたパターン部40(メサ部)を有する。型50の材質は、石英ガラス等の紫外線を透過させることが可能な材料である。   As shown in FIG. 2, for example, the mold 50 has a pattern portion 40 (mesa portion) having a substantially rectangular outer shape and having a predetermined pattern (for example, a circuit pattern) formed in a three-dimensional shape. The material of the mold 50 is a material capable of transmitting ultraviolet light, such as quartz glass.

インプリントヘッド100は、型50を保持して移動する型保持部として機能する。インプリントヘッド100は、真空吸着や静電吸着により型50を引きつけて保持する型チャック60を含みうる。また、インプリントヘッド100は、基板20上のインプリント材30に型50を接触させるために型チャック60をZ軸方向に駆動する型駆動機構101を有しうる。型駆動機構101は更に、型50をXY方向やθ方向(Z軸回りの回転方向)における位置を調整する機能や、型50の傾きを調整するチルト機能も有している。この型駆動機構101のアクチュエータには、リニアモータやエアシリンダー等を採用可能である。   The imprint head 100 functions as a mold holding unit that holds and moves the mold 50. The imprint head 100 can include a mold chuck 60 that attracts and holds the mold 50 by vacuum suction or electrostatic suction. Further, the imprint head 100 can have a mold driving mechanism 101 which drives the mold chuck 60 in the Z-axis direction in order to bring the mold 50 into contact with the imprint material 30 on the substrate 20. The mold driving mechanism 101 further has a function of adjusting the position of the mold 50 in the X and Y directions and the θ direction (rotational direction around the Z axis) and a tilt function of adjusting the tilt of the mold 50. A linear motor, an air cylinder, or the like can be adopted as an actuator of this type drive mechanism 101.

ディスペンサ80(配置部)は、基板20の上にインプリント材30を配置(塗布または供給)する。上記した照明光学系120、インプリントヘッド100、およびディスペンサ80は、支持体110によって支持されている。   The dispenser 80 (placement unit) places (applies or supplies) the imprint material 30 on the substrate 20. The illumination optical system 120, the imprint head 100, and the dispenser 80 described above are supported by a support 110.

基板ステージ10および基板チャック15は、基板を保持して移動する基板保持部として機能する。基板チャック15は、基板ステージ10上に固定されている。基板チャック15の上面には多数の孔が設けられており、これらの孔を通して、不図示の真空ポンプにより基板チャック15上面の気体が排出されるようになっている。基板20は、その裏面が基板チャック15の上面と接触するように配置され、真空ポンプにより基板20の裏面と基板チャック15の上面との間の気体を排出することにより、基板20は基板チャック15に吸着保持される。   The substrate stage 10 and the substrate chuck 15 function as a substrate holding unit that holds and moves the substrate. The substrate chuck 15 is fixed on the substrate stage 10. A large number of holes are provided on the upper surface of the substrate chuck 15, and the gas on the upper surface of the substrate chuck 15 is discharged by a vacuum pump (not shown) through these holes. The substrate 20 is disposed such that the back surface thereof is in contact with the top surface of the substrate chuck 15 and the substrate 20 is a substrate chuck 15 by discharging the gas between the back surface of the substrate 20 and the top surface of the substrate chuck 15 by a vacuum pump. It is held by suction.

基板ステージ10は、ステージ定盤11上で基板ステージ10(すなわち基板20)をXY方向に移動させる移動機構10aを含む。移動機構10aは更に、Z軸方向における位置やθ方向における位置を調整する調整機能や、基板20の傾きを調整するチルト機能を有していてもよい。移動機構10aは、基板20のショット領域がディスペンサ80によるインプリント材の配置が行われる配置位置から型50と基板20上のインプリント材30との接触が行われるインプリント位置へ移動するように基板20を移動させることができる。また、パージプレート25が、基板20の外周部を囲むように設けられ、基板ステージ10によって保持されている。パージプレート25は基板チャック15上に配置された基板20と略同一高さの面を有している。パージプレート25は、基板面内方向に駆動することができる。   The substrate stage 10 includes a moving mechanism 10 a that moves the substrate stage 10 (that is, the substrate 20) on the stage surface plate 11 in the X and Y directions. The moving mechanism 10 a may further have an adjustment function of adjusting the position in the Z-axis direction or the position in the θ direction, and a tilt function of adjusting the tilt of the substrate 20. The moving mechanism 10 a moves the shot area of the substrate 20 from the arrangement position where the placement of the imprint material by the dispenser 80 is performed to the imprint position where the mold 50 contacts the imprint material 30 on the substrate 20. The substrate 20 can be moved. Further, a purge plate 25 is provided to surround the outer periphery of the substrate 20 and is held by the substrate stage 10. The purge plate 25 has a surface substantially the same height as the substrate 20 disposed on the substrate chuck 15. The purge plate 25 can be driven in the in-plane direction of the substrate.

制御部1は、インプリント装置200における各部を制御する。制御部1は、CPU1aやメモリ1bを含むコンピュータ装置によって実現されうる。   The control unit 1 controls each unit in the imprint apparatus 200. The control unit 1 can be realized by a computer device including the CPU 1a and the memory 1b.

制御部1は、例えば以下のようにしてインプリント処理を制御する。まず、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がディスペンサ80によるインプリント材の配置が行われる配置位置に来るように基板20を搬送する。次に、制御部1は、ディスペンサ80を制御して、配置位置に位置しているショット領域にインプリント材30を配置する。その後、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がインプリント位置に来るように基板20を搬送する。そして、制御部1は、インプリントヘッド100を制御して、型50を下降させてショット領域上のインプリント材30と接触させる。この接触により、インプリント材30は、パターン部40に彫り込まれた溝に流入(充填)する。この状態で、制御部1は、光源130に紫外光を発生させる。光源130からの紫外光は照明光学系120を介して型50を通過し、インプリント材30に入射する。こうして紫外線を照射されたインプリント材30は硬化する。硬化したインプリント材には、型50のパターンの反転パターンが形成されることとなる。インプリント材30が硬化した後、制御部1は、インプリントヘッド100を制御して、型50を上昇させ、型50と基板20との間隔を広げていく。これにより、硬化したインプリント材30から型50が引き離される。   The control unit 1 controls the imprint process as follows, for example. First, the control unit 1 controls the moving mechanism 10 a to transport the substrate 20 so that the shot area of the substrate 20 is at the placement position where placement of the imprint material by the dispenser 80 is performed. Next, the control unit 1 controls the dispenser 80 to place the imprint material 30 in the shot area located at the placement position. Thereafter, the control unit 1 controls the moving mechanism 10 a to transport the substrate 20 so that the shot area of the substrate 20 is at the imprint position. Then, the control unit 1 controls the imprint head 100 to lower the mold 50 to contact the imprint material 30 on the shot area. By this contact, the imprint material 30 flows into (fills in) the groove carved in the pattern portion 40. In this state, the control unit 1 causes the light source 130 to generate ultraviolet light. The ultraviolet light from the light source 130 passes through the mold 50 through the illumination optical system 120 and is incident on the imprint material 30. Thus, the imprint material 30 irradiated with the ultraviolet light is cured. A reverse pattern of the pattern of the mold 50 is formed on the cured imprint material. After the imprint material 30 is cured, the control unit 1 controls the imprint head 100 to lift the mold 50 and widen the space between the mold 50 and the substrate 20. Thereby, the mold 50 is pulled away from the hardened imprint material 30.

なお、上記の説明では、固定された基板20上のインプリント材30に対してインプリントヘッド100を下降させて型50を接触させる構成としているが、この反対の動作もありうる。すなわち、固定された型50に対して基板ステージ10を駆動して基板20上のインプリント材30を接触させる構成としてもよい。あるいは、インプリントヘッド100と基板ステージ10をそれぞれ駆動させる構成としてもよい。すなわち、型50と基板20との間隔を相対的に変化させる構成であればよい。   In the above description, the imprint head 100 is lowered to contact the mold 50 with respect to the imprint material 30 on the fixed substrate 20, but the opposite operation may be possible. That is, the substrate stage 10 may be driven with respect to the fixed mold 50 to bring the imprint material 30 on the substrate 20 into contact. Alternatively, the imprint head 100 and the substrate stage 10 may be respectively driven. That is, any configuration may be used as long as the distance between the mold 50 and the substrate 20 is relatively changed.

インプリント処理の概要は概ね以上のとおりである。インプリント処理においては、型50と基板20上のインプリント材30とを接触させるとき、その間の空間における大気中の酸素の影響でインプリント材30の充填が妨げられ、これによりパターン欠陥が生じやすくなる。そこでインプリント装置200は、インプリント位置における型50とショット領域に配置されたインプリント材30との間の空間(以下「インプリント空間」ともいう。)にパージガス(充填促進ガス)を供給する供給部を備える。供給部は、複数の供給口として設けられたガスノズル71,72,73,74と、ガス流量制御部141,142,143,144とを含みうる(図2参照)。図2に示されるように、ガスノズル71〜74は型50を囲むように配置される。また、ガスノズル71〜74はそれぞれ、ガス流量制御部141〜144に接続されている。このうちガスノズル71は、型50とディスペンサ80との間に配置されている。図1の例では、複数の供給口としてのガスノズル71〜74がインプリントヘッド100に配置されている。   The outline of the imprinting process is as described above. In the imprinting process, when the mold 50 and the imprinting material 30 on the substrate 20 are brought into contact, the filling of the imprinting material 30 is impeded by the influence of oxygen in the air in the space between them, thereby causing pattern defects. It will be easier. Therefore, the imprint apparatus 200 supplies a purge gas (filling promotion gas) to a space between the mold 50 at the imprint position and the imprint material 30 disposed in the shot area (hereinafter also referred to as “imprint space”). It has a supply unit. The supply unit may include gas nozzles 71, 72, 73, and 74 provided as a plurality of supply ports, and gas flow rate control units 141, 142, 143, and 144 (see FIG. 2). As shown in FIG. 2, the gas nozzles 71-74 are arranged to surround the mold 50. The gas nozzles 71 to 74 are connected to the gas flow rate control units 141 to 144, respectively. Among these, the gas nozzle 71 is disposed between the mold 50 and the dispenser 80. In the example of FIG. 1, gas nozzles 71 to 74 as a plurality of supply ports are arranged in the imprint head 100.

なお、図2においては便宜上、ガスノズル71〜74の幅(スリット幅)がパターン部40の各辺よりも大きく描かれているが、その限りではない。スリット幅が狭い方が、その吹き出し口付近でのガスの流速が大きくなるため、巻き込まれる空気の量が減る。したがって、周囲の空気がガスがガスノズル71〜74から吹き出されるガスに混ざってインプリント空間に巻き込まれるのを防ぐためには、ガスノズル71〜74の幅は、パターン部40の幅よりも狭くするとよい。   In FIG. 2, the widths (slit widths) of the gas nozzles 71 to 74 are drawn larger than the sides of the pattern portion 40 for convenience, but the present invention is not limited thereto. The narrower the slit width, the higher the flow velocity of the gas in the vicinity of the outlet, so the amount of air taken in decreases. Therefore, the width of the gas nozzles 71 to 74 should be narrower than the width of the pattern portion 40 in order to prevent ambient air from being mixed with the gas blown out from the gas nozzles 71 to 74 and getting caught in the imprint space. .

インプリント装置200は、ガスノズル71〜74から、インプリント空間にパージガスを供給してインプリントを行う。パージガスには、充填性の観点から拡散性やインプリント材に対する溶解性に優れ、型とインプリント材との接触時に型を透過する透過性気体を採用しうる。あるいはパージガスとしては、型と基板上のインプリント材との接触時における型とインプリント材との間の空間の圧力上昇により液化する凝縮性気体を採用することもできる。型とインプリント材との接触時、インプリント材や型に残留した気体が、透過性気体の場合は溶解または拡散し、凝縮性気体の場合はインプリントによる圧力上昇により液化して、気体時に比べて体積が数百分の一にまで小さくなる。これにより、残留ガスのパターン形成への影響を抑えられる。透過性気体としては具体的には、窒素、ヘリウム、二酸化炭素、水素、キセノン、ペンタフルオロプロパン等が採用されうる。また、凝縮性気体としては具体的には、ペンタフルオロプロパンを代表とするハイドロフルオロカーボンや、ハイドロフルオロエーテル等のうちから選択される1つのガス、あるいはそれらの混合ガスが採用されうる。   The imprint apparatus 200 supplies a purge gas from the gas nozzles 71 to 74 to the imprint space to perform imprint. As the purge gas, a permeable gas which is excellent in diffusibility and solubility in the imprint material from the viewpoint of the filling property, and which permeates the mold when the mold and the imprint material come in contact with each other may be employed. Alternatively, as the purge gas, a condensable gas which is liquefied due to the pressure increase of the space between the mold and the imprint material at the time of contact between the mold and the imprint material on the substrate can be employed. At the time of contact between the mold and the imprint material, the gas remaining in the imprint material or mold dissolves or diffuses in the case of a permeable gas, and in the case of a condensable gas, it condenses due to pressure increase due to imprint, Compared to the volume is reduced to a few hundredths. This can suppress the influence of residual gas on pattern formation. Specifically, nitrogen, helium, carbon dioxide, hydrogen, xenon, pentafluoropropane or the like may be employed as the permeable gas. Further, as the condensable gas, specifically, a hydrofluorocarbon represented by pentafluoropropane, one gas selected from hydrofluoroether and the like, or a mixed gas thereof may be employed.

以上の構成により、本実施形態のインプリント処理においては、でガスノズル71〜74から上記のようなパージガス(以下、単に「ガス」という。)を供給することができる。以下、本実施形態における、ガスの供給を伴うインプリント処理の詳細を説明する。   With the above configuration, in the imprint process of the present embodiment, the above-described purge gas (hereinafter, simply referred to as “gas”) can be supplied from the gas nozzles 71 to 74. Hereinafter, the details of the imprint process involving the supply of gas in the present embodiment will be described.

まず、図1(a)に示すように、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がディスペンサ80によるインプリント材の配置が行われる配置位置に来るように基板20を搬送する。次に、制御部1は、ディスペンサ80を制御して、基板20のショット領域にインプリント材30を配置する。その後、図1(b)に示すように、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がインプリント位置に来るように、基板20のSD方向への搬送を開始する。   First, as shown in FIG. 1A, the control unit 1 controls the moving mechanism 10a so that the shot area of the substrate 20 comes to the placement position where the placement of the imprint material by the dispenser 80 is performed. Transport Next, the control unit 1 controls the dispenser 80 to place the imprint material 30 in the shot area of the substrate 20. Thereafter, as shown in FIG. 1B, the control unit 1 controls the moving mechanism 10a to start transport of the substrate 20 in the SD direction such that the shot area of the substrate 20 comes to the imprint position. .

その後、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、ガスノズル71からのガスGの供給を開始する。例えば、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、基板20のショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点で、ガスノズル71からのガスGの供給を開始する。供給されたガスGは、基板20の移動に伴って、型50と基板20との間の空間に引き込まれていく。制御部1は、このガスGの供給が開始される以後に、インプリントヘッド100を制御して、基板ステージ10がディスペンサ80の位置から型50へ向かうSD方向に進むにつれ徐々に型50と基板20との間隙が小さくなるように、型50を傾斜させる。この型50の傾斜によって、基板20の移動に伴いガスGが型50と基板20との間に引き込まれる流速が抑制され、それによりガスGの流れ幅が広がる。   Thereafter, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to start supply of the gas G from the gas nozzle 71. For example, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to start supply of the gas G from the gas nozzle 71 before the shot area of the substrate 20 passes under the gas nozzle 71. The supplied gas G is drawn into the space between the mold 50 and the substrate 20 as the substrate 20 moves. After the supply of the gas G is started, the controller 1 controls the imprint head 100 to gradually move the mold 50 and the substrate as the substrate stage 10 advances in the SD direction from the position of the dispenser 80 toward the mold 50. The mold 50 is inclined so that the gap with 20 becomes smaller. The inclination of the mold 50 suppresses the flow velocity at which the gas G is drawn between the mold 50 and the substrate 20 as the substrate 20 moves, whereby the flow width of the gas G is expanded.

ガスGが十分に供給されるものとして予め定められた時間の経過後、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、ガスノズル71からのガスGの供給を止める。その後、制御部1は、基板20のショット領域が型50のパターン部40の下に位置したら、基板ステージ10の駆動を止め、図1(c)に示すように型50を水平に戻す。その後、制御部1は、パターン部40とショット領域との位置合わせを行い、インプリントヘッド100を制御して、型50を下降させてショット領域上のインプリント材30と接触させる。この状態で、制御部1は、光源130に紫外光を発生させインプリント材30を硬化させる。インプリント材30が硬化した後、制御部1は、インプリントヘッド100を制御して型50を上昇させ、硬化したインプリント材30から型50を引き離す。   After an elapse of a time predetermined as a sufficient supply of the gas G, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to stop the supply of the gas G from the gas nozzle 71. Thereafter, when the shot area of the substrate 20 is positioned below the pattern portion 40 of the mold 50, the control section 1 stops driving the substrate stage 10 and returns the mold 50 horizontally as shown in FIG. 1 (c). Thereafter, the control unit 1 aligns the pattern unit 40 and the shot area, controls the imprint head 100, and lowers the mold 50 to contact the imprint material 30 on the shot area. In this state, the control unit 1 causes the light source 130 to generate ultraviolet light to cure the imprint material 30. After the imprint material 30 is cured, the control unit 1 controls the imprint head 100 to raise the mold 50 and pulls the mold 50 away from the cured imprint material 30.

上記の例は、基板20をインプリント位置に位置させるために基板ステージ10をSD方向に移動させる場合に、その移動方向に対応するガスノズル71からのガスの制御を説明したものである。基板ステージ10の移動方向がSD方向と異なる場合には、ガスノズル72,73,74のうちの対応するガスノズルからガスが制御されることになる。   In the above example, when moving the substrate stage 10 in the SD direction to position the substrate 20 at the imprint position, the control of the gas from the gas nozzle 71 corresponding to the moving direction is described. When the moving direction of the substrate stage 10 is different from the SD direction, the gas is controlled from the corresponding one of the gas nozzles 72, 73, 74.

また、上記の例では、制御部1は、インプリントヘッド100を制御して、基板ステージ10がSD方向に進むにつれ徐々に型50と基板20との間隙が小さくなるように、型50を傾斜させた。このかわりに、制御部1は、基板ステージ10(移動機構10a)を制御して、基板ステージ10がSD方向に進むにつれ徐々に型50と基板20との間隙が小さくなるように、基板20を傾斜させるようにしてもよい。あるいは、型50と基板20の両方を傾斜させてもよい。すなわち、型50および基板20の少なくとも一方を傾斜させればよい。なお、型50または基板20の傾斜は、型50と基板20との最も近いところの距離と最も離れているところの距離との差が、例えば、0.1mm以上2.0mm以下となるように行うとよい。   Further, in the above example, the control unit 1 controls the imprint head 100 to incline the mold 50 so that the gap between the mold 50 and the substrate 20 gradually becomes smaller as the substrate stage 10 moves in the SD direction. I did. Instead, the control unit 1 controls the substrate stage 10 (moving mechanism 10a) so that the gap between the mold 50 and the substrate 20 gradually decreases as the substrate stage 10 moves in the SD direction. You may make it incline. Alternatively, both the mold 50 and the substrate 20 may be inclined. That is, at least one of the mold 50 and the substrate 20 may be inclined. The inclination of the mold 50 or the substrate 20 is performed, for example, so that the difference between the closest distance between the mold 50 and the substrate 20 and the distance at the farthest distance is, for example, 0.1 mm or more and 2.0 mm or less. Good.

ここで、上記のように型50を傾斜させる理由を説明する。上記のように型50を傾斜させることにより、型50と基板20との間の空間に対してガスが流入する側とは反対側で型50と基板20との間隔が狭められる。このため、型50と基板20との間の空間からのガスの流出が妨げられる。こうして、型50と基板20との間の空間におけるガスの流れに関して、SD方向の下流側で圧力が上昇する圧力勾配が付加される。これにより、型50と基板20との対向角度が平行である場合に比べ、型50と基板20との間の空間における、基板20の移動によって引き込まれるガスGの流速が抑制される。流速が小さくなると、ガスノズル71から供給されるガスGの流量は維持されたまま、ガスGの流れ幅を広げる効果が得られる。   Here, the reason for tilting the mold 50 as described above will be described. By inclining the mold 50 as described above, the space between the mold 50 and the substrate 20 is narrowed on the side opposite to the side where the gas flows into the space between the mold 50 and the substrate 20. This prevents the gas from flowing out of the space between the mold 50 and the substrate 20. Thus, with respect to the flow of gas in the space between the mold 50 and the substrate 20, a pressure gradient is applied which increases in pressure downstream in the SD direction. Thereby, the flow velocity of the gas G drawn in by the movement of the substrate 20 in the space between the mold 50 and the substrate 20 is suppressed compared to the case where the facing angles of the mold 50 and the substrate 20 are parallel. When the flow rate decreases, the flow rate of the gas G can be increased while maintaining the flow rate of the gas G supplied from the gas nozzle 71.

以上のように、本実施形態によれば、インプリント装置200は、型50と基板20との間の空間からのガスGの流出を妨げるように、型50と基板20の少なくとも一方を傾斜させる。その傾斜は、移動機構10aによる基板20の移動によってショット領域がディスペンサ80による配置位置からインプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで行われる。その所定のタイミングとは、例えば、移動機構10aによる基板20の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点でありうる。あるいは、所定のタイミングとは、移動機構10aによる基板20の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点で、かつ、ガスノズル71からのガスの供給が開始される以後の時点でありうる。   As described above, according to the present embodiment, the imprint apparatus 200 inclines at least one of the mold 50 and the substrate 20 so as to prevent the flow of the gas G from the space between the mold 50 and the substrate 20. . The tilt is performed at a predetermined timing while the shot area is moved from the arrangement position by the dispenser 80 to the imprint position by the movement of the substrate 20 by the movement mechanism 10a. The predetermined timing may be, for example, a time before the shot area passes under the gas nozzle 71 after the movement of the substrate 20 by the movement mechanism 10a is started. Alternatively, with the predetermined timing, the supply of gas from the gas nozzle 71 is started at a time before the shot area passes under the gas nozzle 71 after the movement of the substrate 20 by the moving mechanism 10a is started. It may be at a later point in time.

図3は、型50における基板20と対向する方向の面内でのガスGの流れの分布を示した平面図である。ディスペンサ80が型50の左側にあり、基板ステージ10が左から右で示されるSD方向に進行する。図3(a)と図3(b)はともに、基板ステージ10をSD方向へ駆動させつつ、ガスノズル71より同一流量のガスGを供給した場合のガスGの分布を示している。図3(a)は型50と基板20が平行に対向している場合の分布であり、図3(b)は、SD方向に進むにつれ型50と基板20の間隙が狭くなるように型50を傾斜させた場合の分布である。このような型50の傾斜によって、ガスノズル71から供給されるガスGの流量を維持したまま、ガスGの流れ幅を広げる効果が得られる。これにより、インプリント空間における気体を効果的にガスGに置換することができる。また、これにより、所望のガスの流れ幅にするために必要となるガス流量が減るため、ガスの使用量を削減することができる。   FIG. 3 is a plan view showing the distribution of the flow of the gas G in the plane of the mold 50 in the direction opposite to the substrate 20. A dispenser 80 is on the left side of the mold 50 and the substrate stage 10 advances in the SD direction shown from left to right. 3 (a) and 3 (b) both show the distribution of the gas G when the gas G with the same flow rate is supplied from the gas nozzle 71 while driving the substrate stage 10 in the SD direction. FIG. 3A shows the distribution when the mold 50 and the substrate 20 face in parallel, and FIG. 3B shows the mold 50 so that the gap between the mold 50 and the substrate 20 becomes narrower as it proceeds in the SD direction. Distribution when the Such an inclination of the mold 50 has the effect of widening the flow width of the gas G while maintaining the flow rate of the gas G supplied from the gas nozzle 71. Thereby, the gas in the imprint space can be effectively replaced with the gas G. This also reduces the gas flow rate required to achieve the desired gas flow width, thereby reducing the amount of gas used.

<第2実施形態>
図4に、第2実施形態におけるインプリント装置200の構成を示す。第1実施形態に係る図1では、型50とディスペンサ80との間の位置でインプリントヘッド100に複数の供給口としてガスノズル71〜74が配置されていた。これに対し、図4の例では、型50および型チャック60を連通する複数の孔が形成され、そこに複数の供給口としてのガスノズル71〜74が配置されている。その他の構成は実施形態1と同様である。
Second Embodiment
FIG. 4 shows the configuration of the imprint apparatus 200 in the second embodiment. In FIG. 1 according to the first embodiment, the gas nozzles 71 to 74 are disposed as a plurality of supply ports in the imprint head 100 at a position between the mold 50 and the dispenser 80. On the other hand, in the example of FIG. 4, the several hole which connects the type | mold 50 and the type | mold chuck 60 is formed, and the gas nozzles 71-74 as a several supply port are arrange | positioned there. The other configuration is the same as that of the first embodiment.

実施形態1のようにガスノズル71〜74が型50の外側に配置される場合、基板20のSD方向への移動に伴いSD方向へ引き込まれるガスGの流速の低下が避けられない。ガスGの流速が低下すると、型50と基板20との間の空間へ導入されるガスGの量が低下し、その空間の外部にガスGが漏れてしまう可能性が高まる。これに対し本実施形態では、ガスノズル71〜74が型50を貫通する孔によって形成されているため、実施形態1の構成に比べて、パターン部40に近い位置でガスGを供給することができる。これにより、ガスGをより確実にインプリント空間に導入することができる。この構成により、型50と基板20との間の空間から漏れ出るガスの量を減らすことができるため、より効果的に型50と基板20との間の空間における気体をガスGで置換することができる。   When the gas nozzles 71 to 74 are disposed outside the mold 50 as in the first embodiment, a decrease in the flow velocity of the gas G drawn in the SD direction can not be avoided as the substrate 20 moves in the SD direction. When the flow velocity of the gas G decreases, the amount of the gas G introduced into the space between the mold 50 and the substrate 20 decreases, and the possibility of the gas G leaking to the outside of the space increases. On the other hand, in the present embodiment, since the gas nozzles 71 to 74 are formed by the holes penetrating the die 50, the gas G can be supplied at a position closer to the pattern portion 40 compared to the configuration of the first embodiment. . Thereby, the gas G can be more reliably introduced into the imprint space. With this configuration, the amount of gas leaking from the space between the mold 50 and the substrate 20 can be reduced, so that the gas G in the space between the mold 50 and the substrate 20 can be more effectively replaced with the gas G. Can.

<第3実施形態>
上記した第1実施形態および第2実施形態では、型50を傾斜させることにより、型50と基板20との間の空間におけるガスの流れに関して、SD方向の下流側で圧力が上昇する圧力勾配を付加した。これに対し、第3実施形態では、型50を傾斜させるのではなく、型50と基板20との間の空間からのガスの流出を妨げるような給排気機構を設ける。図5に、本実施形態におけるインプリント装置200の構成を示す。インプリント装置200は、型50と基板20との間の空間にガスG(第1ガス)を供給する第1供給部を備える。第1供給部は、第1実施形態と同様の、複数の供給口として設けられたガスノズル71,72,73,74と、ガス流量制御部141,142,143,144とを含みうる(図2参照)。このうちガスノズル71(第1供給口)は、型50とディスペンサ80との間に配置されている。
Third Embodiment
In the first embodiment and the second embodiment described above, by tilting the mold 50, a pressure gradient in which the pressure rises on the downstream side in the SD direction with respect to the flow of gas in the space between the mold 50 and the substrate 20 is Added. On the other hand, in the third embodiment, instead of inclining the mold 50, an air supply / exhaust mechanism is provided to prevent the flow of gas from the space between the mold 50 and the substrate 20. FIG. 5 shows the configuration of the imprint apparatus 200 in the present embodiment. The imprint apparatus 200 includes a first supply unit that supplies a gas G (first gas) to the space between the mold 50 and the substrate 20. The first supply unit may include gas nozzles 71, 72, 73, 74 provided as a plurality of supply ports as in the first embodiment, and gas flow rate control units 141, 142, 143, 144 (FIG. 2). reference). Among these, the gas nozzle 71 (first supply port) is disposed between the mold 50 and the dispenser 80.

また、型50に対してガスノズル71〜74より更に外側に、給排気装置150,160が設けられている。このうち給排気装置160は、型50のパターン部40を挟んでガスノズル71とは反対側の位置の第2供給口に設けられている。給排気装置150、160は、例えば支持体110によって支持されている。給排気装置150,160は、例えば、強制給気および強制排気を行うためのファンを含みうる。ここでは、給排気装置150,160が型50と基板20との間の空間に向けて空気(第2ガス)を供給する動作を給気動作といい、給排気装置150,160が該空間から空気を排出する動作を排気動作という。給排気装置150,160は、給気動作を行う場合は空気を供給する供給部(第2供給部)として機能し、排気動作を行う場合は、空気を排出する排気部として機能する。   Moreover, the air supply / exhaust devices 150 and 160 are provided further outside the gas nozzles 71 to 74 with respect to the mold 50. Among them, the air supply and exhaust system 160 is provided at a second supply port at a position opposite to the gas nozzle 71 with the pattern portion 40 of the mold 50 interposed therebetween. The air supply and exhaust devices 150 and 160 are supported by a support 110, for example. The air supply and exhaust system 150, 160 may include, for example, a fan for performing forced air supply and air exhaust. Here, the operation of the air supply / discharge device 150, 160 supplying air (second gas) toward the space between the mold 50 and the substrate 20 is referred to as the air supply operation, and the air supply / discharge device 150, 160 is The operation of discharging air is called exhaust operation. The air supply / exhaust devices 150, 160 function as a supply unit (second supply unit) that supplies air when performing the air supply operation, and function as an exhaust unit that discharges the air when performing the air discharge operation.

制御部1は、まず、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がディスペンサ80によるインプリント材の配置が行われる配置位置に来るように基板20を搬送する。次に、制御部1は、ディスペンサ80を制御して、基板20のショット領域にインプリント材30を配置する。その後、制御部1は、移動機構10aを制御して、基板20のショット領域がインプリント位置に来るように、基板20のSD方向への搬送を開始する。この搬送に際し、制御部1は、型50のパターン部40に対してSD方向の下流側にある給排気装置160に給気動作を行わせる。または、制御部1は、型50のパターン部40に対してSD方向の上流側にある給排気装置150に排気動作を行わせる。あるいは、制御部1は、型50のパターン部40に対してSD方向の下流側にある給排気装置160に給気動作を行わせ、かつ、型50のパターン部40に対してSD方向の上流側にある給排気装置150に排気動作を行わせてもよい。このような給排気動作によって、型50と基板20との間の空間からのガスの流出を妨げるような圧力勾配が付加される。   First, the control unit 1 controls the moving mechanism 10 a to transport the substrate 20 so that the shot area of the substrate 20 is at the placement position where the placement of the imprint material by the dispenser 80 is performed. Next, the control unit 1 controls the dispenser 80 to place the imprint material 30 in the shot area of the substrate 20. Thereafter, the control unit 1 controls the moving mechanism 10a to start the transport of the substrate 20 in the SD direction so that the shot area of the substrate 20 comes to the imprint position. During the conveyance, the control unit 1 causes the air supply / exhaust device 160 located downstream in the SD direction with respect to the pattern unit 40 of the mold 50 to perform the air supply operation. Alternatively, the control unit 1 causes the air supply / exhaust device 150 on the upstream side in the SD direction with respect to the pattern unit 40 of the mold 50 to perform the exhaust operation. Alternatively, the control unit 1 causes the air supply / exhaust device 160 located on the downstream side in the SD direction with respect to the pattern unit 40 of the mold 50 to perform the air supply operation, and the upstream of the SD direction with respect to the pattern unit 40 of the mold 50 The air supply / exhaust device 150 located on the side may perform the exhaust operation. Such a pumping operation adds a pressure gradient that prevents the gas from flowing out of the space between the mold 50 and the substrate 20.

ただし、付加する圧力勾配は、基板20の移動により型50と基板20との間に引きずり込まれるガスGの気流が逆流しない範囲にする必要がある。そのような圧力勾配PGは、ガスGの粘度をμ、型50と基板20との間の間隔をd、基板20の速度をvとすると、クエット・ポワズイユ流れの前提に基づき、次式で表される。   However, the pressure gradient to be applied needs to be in a range in which the air flow of the gas G drawn between the mold 50 and the substrate 20 due to the movement of the substrate 20 does not reversely flow. Such pressure gradient PG is represented by the following equation based on the premise of Couette-Poiseuille flow, where the viscosity of gas G is μ, the distance between the mold 50 and the substrate 20 is d, and the velocity of the substrate 20 is v. Be done.

PG<6μv/d^2       PG <6 μv / d ^ 2

その後、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、ガスノズル71からのガスGの供給を開始する。例えば、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、基板20のショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点で、ガスノズル71からのガスGの供給を開始する。供給されたガスGは、基板20の移動に伴って、型50と基板20との間の空間に引き込まれる。   Thereafter, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to start supply of the gas G from the gas nozzle 71. For example, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to start supply of the gas G from the gas nozzle 71 before the shot area of the substrate 20 passes under the gas nozzle 71. The supplied gas G is drawn into the space between the mold 50 and the substrate 20 as the substrate 20 moves.

ガスGが十分に供給されるものとして予め定められた時間の経過後、制御部1は、ガス流量制御部141を制御して、ガスノズル71からのガスGの供給を止める。その後、制御部1は、基板20のショット領域が型50のパターン部40の下に位置したら、基板ステージ10の駆動と、給排気装置150による給排気動作を止める。その後の動作は、第1実施形態と同様である。ただし、これに限定されるものではなく、給排気動作は常時続けるようにしてもよい。   After an elapse of a time predetermined as a sufficient supply of the gas G, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 141 to stop the supply of the gas G from the gas nozzle 71. Thereafter, when the shot area of the substrate 20 is located below the pattern unit 40 of the mold 50, the control unit 1 stops the driving of the substrate stage 10 and the air supply / discharge operation by the air supply / discharge device 150. The subsequent operation is the same as that of the first embodiment. However, the present invention is not limited to this, and the air supply and discharge operation may always be continued.

以上のように、本実施形態によれば、インプリント装置200は、型50と基板20の間の空間からガスGの流出を妨げるように、給排気装置160から空気の供給を行う。この空気の供給は、移動機構10aによる基板20の移動によってショット領域がディスペンサ80による配置位置からインプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで行われる。その所定のタイミングとは、例えば、移動機構10aによる基板20の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点でありうる。あるいは、所定のタイミングとは、移動機構10aによる基板20の移動が開始された後で、ショット領域がガスノズル71の下を通過する前の時点で、かつ、ガスノズル71からのガスの供給が開始される以後の時点でありうる。   As described above, according to the present embodiment, the imprint apparatus 200 supplies air from the air supply and exhaust device 160 so as to prevent the flow of the gas G from the space between the mold 50 and the substrate 20. The supply of the air is performed at a predetermined timing while the shot area is moved from the arrangement position by the dispenser 80 to the imprint position by the movement of the substrate 20 by the movement mechanism 10a. The predetermined timing may be, for example, a time before the shot area passes under the gas nozzle 71 after the movement of the substrate 20 by the movement mechanism 10a is started. Alternatively, with the predetermined timing, the supply of gas from the gas nozzle 71 is started at a time before the shot area passes under the gas nozzle 71 after the movement of the substrate 20 by the moving mechanism 10a is started. It may be at a later point in time.

以上のような、ガスGの供給時における給排気装置160による給気動作によって、あるいはそれに加えて行われる給排気装置150による排気動作によって、基板20の移動に伴い引き込まれるガスGの流速が抑制される。流速が抑制されると、ガスノズル71から供給されるガスGの流量を維持したまま、ガスGの流れ幅を広げる効果を得ることができる。この効果により、所望のガスの流れ幅にするために必要となるガス流量が減るため、ガスの使用量を削減することもできる。   As described above, the flow rate of the gas G drawn with the movement of the substrate 20 is suppressed by the exhaust operation by the air supply / discharge device 150 performed by or in addition to the air supply operation by the air supply / discharge device 160 at the time of supply Be done. When the flow velocity is suppressed, the flow width of the gas G can be extended while maintaining the flow rate of the gas G supplied from the gas nozzle 71. This effect can also reduce the amount of gas used because the gas flow rate required to achieve the desired gas flow width is reduced.

<第4実施形態>
上記した第3実施形態では、例えばファンによる給排気動作を行う給排気装置150を備える形態を示した。本実施形態はその変形例である。図6(a)に、本実施形態におけるインプリント装置200の構成を示す。ここでは、インプリントヘッド100の、型50に対してガスノズル71〜74により更に外側に、ガスノズル91〜94が設けられている。
Fourth Embodiment
In the above-described third embodiment, for example, the aspect including the air supply / exhaust device 150 that performs the air supply / exhaust operation by the fan is shown. The present embodiment is a modification thereof. FIG. 6A shows the configuration of the imprint apparatus 200 in the present embodiment. Here, gas nozzles 91 to 94 are provided further outside of the mold 50 of the imprint head 100 by the gas nozzles 71 to 74.

図6(b)は、パターン部40に対するガスノズル71〜74およびガスノズル91〜94の配置を示す図である。ガスノズル91,92,93,94はそれぞれ、ガス流量制御部151,152,153,154に接続されており、これによりガスノズル91〜94から供給されるガスAの流量は個別に制御されうる。ガスAとしては、ガスGと異なる清浄な空気(クリーンドライエア)および窒素の少なくともいずれかを用いることができる。   FIG. 6 (b) is a view showing the arrangement of the gas nozzles 71 to 74 and the gas nozzles 91 to 94 with respect to the pattern portion 40. The gas nozzles 91, 92, 93, 94 are respectively connected to the gas flow rate control units 151, 152, 153, 154, whereby the flow rate of the gas A supplied from the gas nozzles 91 to 94 can be individually controlled. As the gas A, at least one of clean air (clean dry air) different from the gas G and nitrogen can be used.

なお、ガスノズル91〜94の配置は、これに限定されるものではない。例えば、ガスAとガスGの制御を明確に分けることにすれば、ガスAを供給するガスノズル91〜94の機能をガスノズル71〜74で兼用する構成としてもよい。また、第2実施形態(図4)のように、ガスノズル71〜74として、型50のパターン部40を取り囲むように型50の各辺の中心からパターン部40の方向に一定距離向かった位置に開けられた孔を通じてガスGが供給される場合を考える。この場合は、さらにそれらの孔を取り囲むように型50に開けられた孔を通じてガスAを供給する構成としてもよい。   The arrangement of the gas nozzles 91 to 94 is not limited to this. For example, if the control of the gas A and the gas G is clearly divided, the function of the gas nozzles 91 to 94 for supplying the gas A may be shared by the gas nozzles 71 to 74. Further, as in the second embodiment (FIG. 4), the gas nozzles 71 to 74 are located at a certain distance in the direction of the pattern 40 from the center of each side of the mold 50 so as to surround the pattern 40 of the mold 50. Consider the case where gas G is supplied through the opened hole. In this case, the gas A may be supplied through the holes opened in the mold 50 so as to surround those holes.

ガス流量制御部151〜154の制御は、第3実施形態と同様である。例えば、制御部1は、基板20をSD方向に移動させるのに対して、ガス流量制御部153を制御して、ガスノズル93からガスAを供給する。これは、第3実施形態におけるSD方向の下流側にある給排気装置150に給気動作を行わせることに対応する。これにより、型50と基板20との間の空間からのガスの流出を妨げるような圧力勾配が付加され、第3実施形態と同様の効果を得ることができる。   Control of the gas flow rate control units 151 to 154 is the same as that of the third embodiment. For example, while the control unit 1 moves the substrate 20 in the SD direction, the control unit 1 controls the gas flow rate control unit 153 to supply the gas A from the gas nozzle 93. This corresponds to the air supply / exhaust device 150 on the downstream side in the SD direction in the third embodiment performing the air supply operation. As a result, a pressure gradient that impedes the flow of gas from the space between the mold 50 and the substrate 20 is added, and the same effect as in the third embodiment can be obtained.

<物品製造方法の実施形態>
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
<Embodiment of a method of manufacturing an article>
The pattern of the cured product formed using the imprint apparatus is used permanently on at least a part of various articles or temporarily for manufacturing various articles. The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, or a mold. Examples of the electric circuit element include volatile or nonvolatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. The mold may, for example, be a mold for imprinting.

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。   The pattern of the cured product is used as it is as a component member of at least a part of the article or temporarily used as a resist mask. After etching, ion implantation, or the like is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.

次に、物品製造方法について説明する。図7のステップSAでは、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコン基板等の基板1zを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。   Next, an article manufacturing method will be described. In step SA of FIG. 7, a substrate 1z such as a silicon substrate on which a workpiece 2z such as an insulator is formed is prepared, and subsequently, an imprint material 3z is formed on the surface of the workpiece 2z by an inkjet method or the like. Grant Here, a state in which a plurality of droplet-shaped imprint materials 3z are applied onto a substrate is shown.

図7のステップSBでは、インプリント用の型4zを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図7のステップSCでは、インプリント材3zが付与された基板1zと型4zとを接触させ、圧力を加える。インプリント材3zは型4zと被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型4zを介して照射すると、インプリント材3zは硬化する。   In step SB of FIG. 7, the mold 4z for imprint is faced with the side on which the concavo-convex pattern is formed facing the imprint material 3z on the substrate. In step SC of FIG. 7, the substrate 1z to which the imprint material 3z is applied is brought into contact with the mold 4z, and pressure is applied. The imprint material 3z is filled in the gap between the mold 4z and the workpiece 2z. In this state, when light is irradiated through the mold 4z as energy for curing, the imprint material 3z is cured.

図7のステップSDでは、インプリント材3zを硬化させた後、型4zと基板1zを引き離すと、基板1z上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zに型4zの凹凸パターンが転写されたことになる。   In step SD of FIG. 7, after the imprint material 3z is cured, when the mold 4z and the substrate 1z are separated, a pattern of a cured product of the imprint material 3z is formed on the substrate 1z. In the pattern of the cured product, the concave portions of the mold correspond to the convex portions of the cured product, and the concave portions of the mold correspond to the convex portions of the cured product, that is, the uneven pattern of the mold 4z is transferred to the imprint material 3z. It will be done.

図7のステップSEでは、硬化物のパターンを耐エッチング型としてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図7のステップSFでは、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。   In step SE of FIG. 7, when etching is performed with the pattern of the cured product as the etching resistant, the portion of the surface of the workpiece 2z where the cured product is not present or remains thin is removed to form a groove 5z. In step SF of FIG. 7, when the pattern of the cured product is removed, it is possible to obtain an article having grooves 5 z formed on the surface of the workpiece 2 z. Although the pattern of the cured product is removed here, it may be used, for example, as a film for interlayer insulation included in a semiconductor element or the like, that is, as a component of an article without removing it even after processing.

1:制御部、10:基板ステージ、10a:移動機構、20:基板、30:インプリント材、50:型、71:ガスノズル、80:ディスペンサ、100:インプリントヘッド、200:インプリント装置 1: Control unit, 10: Substrate stage, 10a: Movement mechanism, 20: Substrate, 30: Imprint material, 50: Mold, 71: Gas nozzle, 80: Dispenser, 100: Imprint head, 200: Imprint apparatus

Claims (15)

基板上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板のショット領域に前記インプリント材を配置する配置部と、
前記ショット領域が前記配置部による配置が行われる配置位置から前記接触が行われるインプリント位置へ移動するように前記基板を移動させる移動機構と、
前記配置部と前記型の前記パターン部との間に設けられた供給口から、前記インプリント位置における前記型と前記基板との間の空間にガスを供給する供給部と、
を備え、
前記移動機構による前記基板の移動によって前記ショット領域が前記配置位置から前記インプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで、前記空間からの前記ガスの流出を妨げるように、前記型および前記基板の少なくとも一方を傾斜させる
ことを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus, wherein a pattern portion of a mold is brought into contact with an imprint material on a substrate to form a pattern on the substrate,
An arrangement portion for arranging the imprint material in a shot area of the substrate;
A movement mechanism for moving the substrate so that the shot area is moved from an arrangement position where arrangement by the arrangement section is performed to an imprint position where the contact is performed;
A supply unit configured to supply a gas from a supply port provided between the placement unit and the pattern unit of the mold to a space between the mold and the substrate at the imprint position;
Equipped with
Of the mold and the substrate so as to prevent the gas from flowing out of the space at a predetermined timing while the shot area moves from the arrangement position to the imprint position by the movement of the substrate by the movement mechanism. An imprint apparatus comprising: tilting at least one of the two.
前記所定のタイミングは、前記移動機構による前記基板の移動が開始された後で、前記ショット領域が前記供給口の下を通過する前の時点であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。   The in-line according to claim 1, wherein the predetermined timing is a time before the shot area passes under the supply port after the movement of the substrate by the movement mechanism is started. Printing device. 前記所定のタイミングは、前記移動機構による前記基板の移動が開始された後で、前記ショット領域が前記供給口の下を通過する前の時点で、かつ、前記供給部からの前記ガスの供給が開始される以後の時点であることを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。   The predetermined timing is a time before the shot area passes under the supply port after the movement of the substrate by the movement mechanism is started, and the supply of the gas from the supply unit is performed. The imprint apparatus according to claim 1, which is a point after the start. 前記供給口が前記型を貫通する孔によって形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインプリント装置。   The said supply port is formed of the hole which penetrates the said type | mold, The imprint apparatus of any one of the Claims 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned. 前記供給口の幅が前記型の前記パターン部の幅よりも狭いことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein a width of the supply port is narrower than a width of the pattern portion of the mold. 前記ガスは、前記接触により前記型を透過する透過性気体、及び、前記接触により液化する凝縮性気体の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のインプリント装置。   The said gas contains at least any one of the permeable gas which permeate | transmits the said type | mold by the said contact, and the condensable gas liquefied by the said contact, The any one of the Claims 1 thru | or 5 characterized by the above-mentioned. Imprint apparatus. 基板上のインプリント材に型のパターン部を接触させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板のショット領域に前記インプリント材を配置する配置部と、
前記ショット領域が前記配置部による配置が行われる配置位置から前記接触が行われるインプリント位置へ移動するように前記基板を移動させる移動機構と、
前記配置部と前記型の前記パターン部との間に設けられた第1供給口から、前記インプリント位置における前記型と前記基板との間の空間に第1ガスを供給する第1供給部と、
前記型の前記パターン部を挟んで前記第1供給口とは反対側の位置に設けられた第2供給口から、前記空間に前記第1ガスとは異なる第2ガスを供給する第2供給部と、
を備え、
前記移動機構による前記基板の移動によって前記ショット領域が前記配置位置から前記インプリント位置まで移動する間の所定のタイミングで、前記空間からの前記第1ガスの流出を妨げるように、前記第2供給部から前記第2ガスを供給する
ことを特徴とするインプリント装置。
An imprint apparatus, wherein a pattern portion of a mold is brought into contact with an imprint material on a substrate to form a pattern on the substrate,
An arrangement portion for arranging the imprint material in a shot area of the substrate;
A movement mechanism for moving the substrate so that the shot area is moved from an arrangement position where arrangement by the arrangement section is performed to an imprint position where the contact is performed;
A first supply portion for supplying a first gas from a first supply port provided between the placement portion and the pattern portion of the mold to a space between the mold and the substrate at the imprint position; ,
A second supply unit for supplying a second gas different from the first gas to the space from a second supply port provided at a position opposite to the first supply port across the pattern portion of the mold When,
Equipped with
The second supply is performed to prevent the first gas from flowing out of the space at a predetermined timing while the shot area moves from the arrangement position to the imprint position by the movement of the substrate by the movement mechanism. And supplying the second gas from the unit.
前記配置部と前記第1供給口との間に設けられ前記空間の排気を行う排気部を更に備え、
前記所定のタイミングで、前記排気部による排気を更に行うことを特徴とする請求項7に記載のインプリント装置。
And an exhaust unit provided between the placement unit and the first supply port for exhausting the space;
8. The imprint apparatus according to claim 7, wherein the exhaust unit further performs exhaust at the predetermined timing.
前記所定のタイミングは、前記移動機構による前記基板の移動が開始された後で、前記ショット領域が前記第1供給口の下を通過する前の時点であることを特徴とする請求項7または8に記載のインプリント装置。   9. The apparatus according to claim 7, wherein the predetermined timing is a time before the shot area passes under the first supply port after movement of the substrate by the movement mechanism is started. The imprint apparatus described in. 前記所定のタイミングは、前記移動機構による前記基板の移動が開始された後で、前記ショット領域が前記第1供給口の下を通過する前の時点で、かつ、前記第1供給部からの前記第1ガスの供給が開始される以後の時点であることを特徴とする請求項7または8に記載のインプリント装置。   The predetermined timing may be at a time before the shot area passes under the first supply port after the movement of the substrate by the movement mechanism is started, and from the first supply unit. 9. The imprint apparatus according to claim 7, which is at a time after supply of the first gas is started. 前記第1供給口および前記第2供給口がそれぞれ前記型を貫通する孔によって形成されていることを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to any one of claims 7 to 10, wherein the first supply port and the second supply port are respectively formed by holes penetrating the mold. 前記第1供給口の幅が前記型の前記パターン部の幅よりも狭いことを特徴とする請求項7乃至11のいずれか1項に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to any one of claims 7 to 11, wherein a width of the first supply port is narrower than a width of the pattern portion of the mold. 前記第1ガスは、前記接触により前記型を透過する透過性気体、及び、前記接触により液化する凝縮性気体の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項7乃至12のいずれか1項に記載のインプリント装置。   The first gas according to any one of claims 7 to 12, wherein the first gas contains at least one of a permeable gas which permeates the mold by the contact and a condensable gas which is liquefied by the contact. The imprint apparatus described above. 前記第2ガスは、クリーンドライエアまたは窒素であることを特徴とする請求項13に記載のインプリント装置。   The imprint apparatus according to claim 13, wherein the second gas is clean dry air or nitrogen. 請求項1乃至14のいずれか1項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
を有し、
前記処理された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品製造方法。
A process of forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to any one of claims 1 to 14,
Processing the substrate on which the pattern has been formed;
Have
An article manufacturing method comprising manufacturing an article from the processed substrate.
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