JP7044901B2 - 露光フィールドのオーバラップにより大きい周期パターンを印刷する方法およびシステム - Google Patents
露光フィールドのオーバラップにより大きい周期パターンを印刷する方法およびシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP7044901B2 JP7044901B2 JP2020557272A JP2020557272A JP7044901B2 JP 7044901 B2 JP7044901 B2 JP 7044901B2 JP 2020557272 A JP2020557272 A JP 2020557272A JP 2020557272 A JP2020557272 A JP 2020557272A JP 7044901 B2 JP7044901 B2 JP 7044901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- elongated beam
- distance
- profile
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 62
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 title claims description 40
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims description 16
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 claims description 90
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 89
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 31
- LFEUVBZXUFMACD-UHFFFAOYSA-H lead(2+);trioxido(oxo)-$l^{5}-arsane Chemical compound [Pb+2].[Pb+2].[Pb+2].[O-][As]([O-])([O-])=O.[O-][As]([O-])([O-])=O LFEUVBZXUFMACD-UHFFFAOYSA-H 0.000 claims description 18
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 17
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 description 20
- 238000013461 design Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 6
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 2
- 241000698776 Duma Species 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70408—Interferometric lithography; Holographic lithography; Self-imaging lithography, e.g. utilizing the Talbot effect
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
a)第1の方向に対し平行であり、所望のパターンの2倍の周期を有する線状フィーチャのマスクパターンを担持するマスクを用意するステップと、
b)マスクに対し平行にかつマスクパターンから間隙を伴って基板を配置するステップと、
c)単色光の細長ビームを生成し、この細長ビームをマスクに向けて配向するステップであって、細長ビームの光は、伸長方向と直交しかつ第1の方向に対し平行な面において、所定の入射角度範囲でマスクを照射し、さらに細長ビームの光は、伸長方向に対し平行な面において十分にコリメートされ、かつ細長ビームの長さに沿ってこのビームの2つの終端以外では増分距離ごとに均一なパワーを有し、2つの終端では増分距離ごとのパワーが、ビームの一方では所定の減衰距離にわたり第1のプロフィル(profile)に従って、さらにビームの他方の終端ではこの減衰距離にわたり相補的な第2のプロフィルに従って、ゼロまで減衰し、ここで角度範囲を、マスクにより回折させられた光が、マスクの面と直交する方向で均一な強度分布を基板のところで形成するように、光の波長、マスクと基板との間隙、およびマスクの格子の周期に関連させて選択するステップと、
d)基板上に所望の格子の第1の部分を印刷するために、前記マスクパターンの第1の部分にわたり第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第1の部分露光において走査するステップと、
e)所望の格子の第1の部分とオーバラップする所望の格子の第2の部分を印刷するために、ビーム伸長方向で第1の部分からオフセットされた前記マスクパターンの第2の部分にわたり、第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第2の部分露光において走査するステップであって、マスクパターンの第1の部分と第2の部分とが、減衰距離だけオーバラップするようにし、かつ第1の部分と第2の部分とがオーバラップするマスクパターンの領域内の、伸長方向に対し平行な面におけるビームの入射角度が、第1の部分露光におけるものと同じであるようにするステップと
を含み、
ここで第1のプロフィルおよび相補的な第2のプロフィルを、2つの部分露光においてマスクパターンを露光する露光エネルギー密度の合計が、第1の部分と第2の部分とがオーバラップするマスクパターンの領域において均一であり、かつ増分距離ごとに均一なパワーを有する細長ビームの区間により露光されるマスクパターンの領域におけるものと同じであるように選択する。
a)第1の方向に対し平行であり、所望のパターンの2倍の周期を有する線状フィーチャのマスクパターンを担持するマスクと、
b)このマスクに対し平行にかつマスクパターンから間隙を伴って感光層を配置する手段と、
c)単色光の細長ビームを生成し、マスクに向けて配向する手段であって、細長ビームの光は、伸長方向と直交しかつ第1の方向に対し平行な面において、所定の入射角度範囲でマスクを照射し、さらに細長ビームの光は、伸長方向に対し平行な面において十分にコリメートされ、かつ細長ビームの長さに沿ってこのビームの2つの終端以外では増分距離ごとに均一なパワーを有し、2つの終端では増分距離ごとのパワーが、ビームの一方では所定の減衰距離にわたり第1のプロフィルに従って、さらにビームの他方の終端ではこの減衰距離にわたり相補的な第2のプロフィルに従って、ゼロまで減衰し、ここで角度範囲は、マスクにより回折させられた光が、マスクの面と直交する方向で均一な強度分布を基板のところで形成するように、光の波長、マスクと基板との間隙、およびマスクの格子の周期に関連して選択される手段と、
d)基板上に所望の格子の第1の部分を印刷するために、前記マスクパターンの第1の部分にわたり第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第1の部分露光において走査する手段と、
e)所望の格子の第1の部分とオーバラップする所望の格子の第2の部分を印刷するために、ビーム伸長方向で第1の部分からオフセットされた前記マスクパターンの第2の部分にわたり、第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第2の部分露光において走査する手段であって、マスクパターンの第1の部分と第2の部分とが、減衰距離だけオーバラップするようにし、かつ第1の部分と第2の部分とがオーバラップするマスクパターンの領域内の、伸長方向に対し平行な面におけるビームの入射角度が、第1の部分露光におけるものと同じであるようにする手段と
を含み、
ここで第1のプロフィルおよび相補的な第2のプロフィルは、2つの部分露光においてマスクパターンを露光する露光エネルギー密度の合計が、第1の部分と第2の部分とがオーバラップするマスクパターンの領域において均一であり、かつ増分距離ごとに均一なパワーを有する細長ビームの区間により露光されるマスクパターンの領域におけるものと同じであるように選択される。
Claims (15)
- 線状フィーチャの所望の均一な周期パターンを基板上の感光層に印刷する方法であって、
a)第1の方向に対し平行であり、前記所望のパターンの2倍の周期を有する線状フィーチャのマスクパターンを担持するマスクを用意するステップと、
b)前記マスクに対し平行に前記マスクパターンから間隙を伴って前記基板を配置するステップと、
c)単色光の細長ビームを生成し、該細長ビームを前記マスクに向けて配向するステップであって、前記細長ビームの光は、伸長方向と直交しかつ前記第1の方向に対し平行な面において、所定の入射角度範囲で前記マスクを照射し、さらに前記伸長方向に対し平行な面における前記細長ビームの前記光はコリメートされ、かつ前記細長ビームの長さに沿って増分距離ごとに所定のパワーを有し、該パワーは前記細長ビームの2つの終端以外では均一であり、該2つの終端では増分距離ごとの前記パワーが、所定の減衰距離にわたる第1のプロフィルおよび前記減衰距離にわたる第2のプロフィルにそれぞれ従ってゼロまで減衰するようにし、前記角度範囲を、前記マスクにより回折させられた前記光が、前記マスクの面と直交する方向で均一な強度分布を前記基板のところで形成するように、前記光の波長、前記マスクと前記基板との前記間隙、および前記マスクパターンの周期に関連させて選択するステップと、
d)前記基板上に所望のパターンの第1の部分を印刷するために、前記マスクパターンの第1の部分にわたり前記第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第1の部分露光において走査するステップと、
e)前記ビーム伸長方向で前記マスクパターンの前記第1の部分からオフセットされた前記マスクパターンの第2の部分にわたり、前記第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第2の部分露光において走査するステップであって、前記マスクパターンの前記第1の部分と前記第2の部分とが、前記減衰距離だけオーバラップするようにし、かつ前記第1の部分と前記第2の部分とがオーバラップする前記マスクパターンの領域内の、前記伸長方向に対し平行な面における前記ビームの入射角度が、前記第1の部分露光と前記第2の部分露光とにおいて同じであるようにするステップと
を含み、
前記第1のプロフィルおよび前記第2のプロフィルを、前記第1の部分露光と前記第2の部分露光とにおいて前記プロフィルがオーバラップさせられる前記減衰距離にわたり、2つの前記プロフィルを合計することによって、増分距離ごとに均一なパワーが生じるように選択する、
方法。 - 前記第1のプロフィルおよび前記第2のプロフィルは、両方とも線形であるかまたは両方とも余弦波状である、請求項1記載の方法。
- 前記細長ビームを生成する前記ステップは、前記細長ビームの長さよりも長い入射細長ビームの長さに沿って増分距離ごとに均一なパワーを有する前記入射細長ビームに、可変透過率アポダイゼーションフィルタを挿入するステップを含み、前記アポダイゼーションフィルタによって透過させられた前記細長ビームの前記2つの終端における前記第1のプロフィルと前記第2のプロフィルとに従った増分距離ごとのパワーの減衰を、透明基板上の部分的に吸収性の層の厚さを変化させることによって発生させる、請求項1記載の方法。
- 前記細長ビームを生成する前記ステップは、前記細長ビームの長さよりも長い入射細長ビームの長さに沿って増分距離ごとに均一なパワーを有する前記入射細長ビームに、ハーフトーンマスクアポダイゼーションフィルタを挿入するステップを含み、前記アポダイゼーションフィルタにより透過させられた前記細長ビームの終端各々における増分距離ごとのパワーの減衰を、複数の開口が前記ビームの幅と交差するように前記細長ビームの幅よりも実質的に短い周期を有する、前記アポダイゼーションフィルタの周期的な一連の開口によって発生させ、前記開口の形状を、前記ビーム伸長方向における減衰領域にわたり特定の距離のところでの前記一連の開口の平均透過率が、選択された前記第1のプロフィルまたは前記第2のプロフィルに従い前記特定の距離と共に変化するように設計する、請求項1記載の方法。
- 前記細長ビームを生成する前記ステップは、前記細長ビームの長さよりも長い入射細長ビームの長さに沿って増分距離ごとに均一なパワーを有する前記入射細長ビームに、0次のハーフトーンマスクを挿入するステップを含み、前記ハーフトーンマスクにより透過させられた前記細長ビームの終端各々における増分距離ごとのパワーの減衰を、1つまたは複数の線形格子により発生させ、該線形格子のデューティサイクルおよび/または充填率は格子各々にわたり変化し、該線形格子の周期を、前記ハーフトーンマスクにより透過させられた1次およびそれよりも高次の回折次数が、線状フィーチャの前記パターンを照射する前に該回折次数を阻止可能であるような大きい角度で回折させられるように選択する、請求項1記載の方法。
- 前記細長ビームを生成する前記ステップは、周期的な一連の開口を有するハーフトーンマスクアポダイゼーションフィルタ、または所定の周期で1つまたは複数の線形格子を有する0次のハーフトーンマスクを挿入するステップを含み、前記ハーフトーンマスクアポダイゼーションフィルタまたは前記0次のハーフトーンマスクによって、透過させられた前記細長ビームの終端各々における増分距離ごとにパワーの減衰を発生させ、前記第1の部分露光および前記第2の部分露光の期間中、前記ハーフトーンマスクアポダイゼーションフィルタまたは前記0次のハーフトーンマスクを、個々の前記開口または前記格子の周期方向に変位させる、請求項1記載の方法。
- 前記細長ビームの終端各々における増分距離ごとのパワーの減衰の発生を、前記細長ビームの終端各々のところで直線エッジを有する不透明な開口の並進振動により生じさせ、各開口の振動運動のプロフィルによって、増分距離ごとのパワーの減衰の個々の前記第1のプロフィルまたは前記第2のプロフィルを生成する、請求項1記載の方法。
- 前記細長ビームの終端各々における増分距離ごとのパワーの減衰の発生を、1つの軸線を中心とする開口の回転によって生じさせ、該回転における回転軸線からの前記開口のエッジの半径は、該半径がその初期値にただちに復帰する角度またはその初期値に線形に戻る角度を除き、回転角が大きくなるにつれて線形に変化する、請求項1記載の方法。
- 第2の細長ビームを生成し、該第2の細長ビームを前記マスクに向けて配向し、代わりに該第2の細長ビームを前記第2の部分露光において、前記第1の部分露光における前記細長ビームの走査と同時にまたは該走査に続いて走査するステップを付加的に含む、請求項1記載の方法。
- 線状フィーチャまたは2次元周期パターンの所望の均一な周期パターンを基板上の感光層に印刷する方法であって、
a)第1の方向に対し平行であり、前記所望のパターンの2倍の周期を有する線状フィーチャのマスクパターンを担持するマスクを用意するステップと、
b)前記マスクに対し平行にかつ前記マスクパターンから間隙を伴って前記基板を配置するステップと、
c)単色コリメート光の細長ビームを生成し、該細長ビームを前記マスクに向けて配向するステップであって、前記細長ビームの光は、法線入射で前記マスクを照射し、前記細長ビームの長さに沿って増分距離ごとに所定のパワーを有し、該パワーは前記細長ビームの2つの終端以外では均一であり、該2つの終端では増分距離ごとの前記パワーが、所定の減衰距離にわたる第1のプロフィルおよび前記減衰距離にわたる第2のプロフィルにそれぞれ従ってゼロまで減衰するステップと、
d)前記マスクと前記基板との間の前記間隙を変化させながら、前記基板上に所望の格子の第1の部分を印刷するために、前記マスクパターンの第1の部分にわたり前記第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第1の部分露光において走査するステップと、
e)前記マスクと前記基板との間の前記間隙を変化させながら、前記ビーム伸長方向で前記マスクパターンの前記第1の部分からオフセットされた前記マスクパターンの第2の部分にわたり、前記第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第2の部分露光において走査するステップであって、前記マスクパターンの前記第1の部分と前記第2の部分とが、前記減衰距離だけオーバラップするようにし、かつ前記第1の部分と前記第2の部分とがオーバラップする前記マスクパターンの領域内の、前記伸長方向に対し平行な面における前記ビームの入射角度が、前記第1の部分露光と前記第2の部分露光とにおいて同じであるようにするステップと
を含み、
前記第1のプロフィルおよび前記第2のプロフィルを、前記第1の部分露光と前記第2の部分露光とにおいて前記プロフィルがオーバラップさせられる前記減衰距離にわたり、2つの前記プロフィルを合計することによって、増分距離ごとに均一なパワーが生じるように選択し、
前記マスクと前記基板との前記間隙を変化させる速度を、各部分露光において印刷される前記パターンが変位タルボリソグラフィを用いて形成されるように、前記細長ビームの走査速度に関連させて設定する、
方法。 - 線状フィーチャまたは2次元周期パターンの所望の均一なパターンを基板上の感光層に印刷する方法であって、
a)第1の方向に対し平行であり、前記所望のパターンの2倍の周期を有する線状フィーチャのマスクパターンを担持するマスクを用意するステップと、
b)前記マスクに対し平行にかつ前記マスクパターンからギャップを伴って前記基板を配置するステップと、
c)所定のスペクトル帯域幅を有するコリメート光の細長ビームを生成し、該細長ビームを前記マスクに向けて配向するステップであって、前記細長ビームの光は、法線入射で前記マスクを照射し、前記細長ビームの長さに沿って増分距離ごとに所定のパワーを有し、該パワーは前記細長ビームの2つの終端以外では均一であり、該2つの終端では増分距離ごとの前記パワーが、所定の減衰距離にわたる第1のプロフィルおよび前記減衰距離にわたる第2のプロフィルにそれぞれ従ってゼロまで減衰するステップと、
d)前記マスクと前記基板との間の間隙を変化させながら、前記基板上に所望の格子の第1の部分を印刷するために、前記マスクパターンの第1の部分にわたり前記第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第1の部分露光において走査するステップと、
e)前記マスクと前記基板との間の前記間隙を変化させながら、前記ビーム伸長方向で前記マスクパターンの前記第1の部分からオフセットされた前記マスクパターンの第2の部分にわたり、前記第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第2の部分露光において走査するステップであって、前記マスクパターンの前記第1の部分と前記第2の部分とが、前記減衰距離だけオーバラップするようにし、かつ前記第1の部分と前記第2の部分とがオーバラップする前記マスクパターンの領域内の、前記伸長方向に対し平行な面における前記ビームの入射角度が、前記第1の部分露光と前記第2の部分露光とにおいて同じであるようにするステップと
を含み、
前記第1のプロフィルおよび前記第2のプロフィルを、前記第1の部分露光と前記第2の部分露光とにおいて前記プロフィルが前記減衰距離だけオーバラップさせられる前記マスクパターンの領域にわたり、2つの前記プロフィルを合計することによって、増分距離ごとに均一なパワーが生じるように選択し、
前記ギャップを、各部分露光において印刷される前記パターンがアクロマティックタルボリソグラフィを用いて形成されるように、照射の前記スペクトル帯域幅に関連させて選択する、
方法。 - 線状フィーチャの所望の周期パターンを感光層に印刷するシステムであって、
a)第1の方向に対し平行であり、前記所望のパターンの2倍の周期を有する線状フィーチャのマスクパターンを担持するマスクと、
b)前記マスクに対し平行にかつ前記マスクパターンから間隙を伴って前記感光層を配置する手段と、
c)光の細長ビームを生成し、該細長ビームを前記マスクに向けて配向する手段であって、前記細長ビームの前記光は、伸長方向と直交しかつ前記第1の方向に対し平行な面において、所定の入射角度範囲で前記マスクを照射し、さらに前記細長ビームの前記光は、前記伸長方向に対し平行な面において十分にコリメートされ、かつ前記細長ビームの長さに沿って前記ビームの2つの終端以外では増分距離ごとに均一なパワーを有し、前記2つの終端では増分距離ごとの前記パワーが、所定の減衰距離にわたる第1のプロフィルおよび前記減衰距離にわたる第2のプロフィルにそれぞれ従ってゼロまで減衰し、前記角度範囲は、前記マスクにより回折させられた前記光が、前記マスクの面と直交する方向で均一な強度分布を前記基板のところで形成するように、前記光の波長、前記マスクと前記基板との前記間隙、および前記マスクの格子の周期に関連して選択される手段と、
d)前記基板上に所望の格子の第1の部分を印刷するために、前記マスクパターンの前記第1の部分にわたり前記第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第1の部分露光において走査する手段と、
e)前記所望の格子の前記第1の部分とオーバラップする前記所望の格子の第2の部分を印刷するために、前記ビーム伸長方向で前記第1の部分からオフセットされた前記マスクパターンの前記第2の部分にわたり、前記第1の方向に対し平行な方向で、前記細長ビームを第2の部分露光において走査する手段であって、前記マスクパターンの前記第1の部分と前記第2の部分とが、前記減衰距離だけオーバラップするようにし、かつ前記第1の部分と前記第2の部分とがオーバラップする前記マスクパターンの領域内の、前記伸長方向に対し平行な面における前記ビームの入射角度が、前記第1の部分露光におけるものと同じであるようにする手段と
を含み、
前記第1のプロフィルおよび前記第2のプロフィルは、前記第1の部分露光と前記第2の部分露光とにおいて前記プロフィルが前記減衰距離だけオーバラップさせられる前記マスクパターンの領域にわたり、2つの前記プロフィルを合計することによって、増分距離ごとに均一なパワーが生じるように選択されている、
システム。 - 前記光の細長ビームを生成し、該細長ビームを前記マスクに向けて配向する手段は、前記細長ビームの長さよりも長い入射細長ビームの長さに沿って増分距離ごとに均一なパワーを有する前記入射細長ビームに挿入された、可変透過率アポダイゼーションフィルタを含み、前記アポダイゼーションフィルタによって透過させられた前記細長ビームの前記2つの終端における前記第1のプロフィルと前記第2のプロフィルとに従った増分距離ごとのパワーの減衰は、透明基板上の部分的に吸収性の層の厚さを変化させることによって発生させられる、請求項12記載のシステム。
- 前記光の細長ビームを生成し、該細長ビームを前記マスクに向けて配向する手段は、前記細長ビームの長さよりも長い入射細長ビームの長さに沿って増分距離ごとに均一なパワーを有する前記入射細長ビームに挿入された、ハーフトーンマスクアポダイゼーションフィルタを含み、前記アポダイゼーションフィルタにより透過させられた前記細長ビームの終端各々における増分距離ごとのパワーの減衰は、複数の開口が前記ビームと交差するように前記細長ビームの幅よりも実質的に短い周期を有する、前記アポダイゼーションフィルタ上の周期的な一連の開口によって発生させられ、さらに前記開口の形状は、前記ビーム伸長方向における減衰領域にわたり特定の距離のところでの前記一連の開口の平均透過率が、選択された前記第1のプロフィルまたは前記第2のプロフィルに従い前記特定の距離と共に変化するように設計されている、請求項12記載のシステム。
- 前記光の細長ビームを生成し、該細長ビームを前記マスクに向けて配向する手段は、前記細長ビームの長さよりも長い入射細長ビームの長さに沿って増分距離ごとに均一なパワーを有する前記入射細長ビームに挿入された、0次のハーフトーンマスクを含み、前記ハーフトーンマスクにより透過させられた前記細長ビームの終端各々における増分距離ごとのパワーの減衰は、格子アレイにより発生させられ、該格子アレイのデューティサイクルおよび/または充填率は格子各々に沿って変化し、該格子アレイの周期は、前記ハーフトーンマスクにより透過させられた1次およびそれよりも高次の回折次数が、線状フィーチャの前記パターンを照射する前に該回折次数を阻止可能であるような大きい角度で回折させられるように選択されている、請求項12記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862659731P | 2018-04-19 | 2018-04-19 | |
US62/659,731 | 2018-04-19 | ||
PCT/IB2019/053239 WO2019202551A1 (en) | 2018-04-19 | 2019-04-18 | Methods and systems for printing large periodic patterns by overlapping exposure fields |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021518930A JP2021518930A (ja) | 2021-08-05 |
JP7044901B2 true JP7044901B2 (ja) | 2022-03-30 |
Family
ID=66630329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020557272A Active JP7044901B2 (ja) | 2018-04-19 | 2019-04-18 | 露光フィールドのオーバラップにより大きい周期パターンを印刷する方法およびシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11422471B2 (ja) |
EP (1) | EP3781989B1 (ja) |
JP (1) | JP7044901B2 (ja) |
KR (1) | KR102467826B1 (ja) |
CN (1) | CN111936935B (ja) |
WO (1) | WO2019202551A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3611569A1 (en) * | 2018-08-16 | 2020-02-19 | ASML Netherlands B.V. | Metrology apparatus and photonic crystal fiber |
US20220357666A1 (en) * | 2021-05-05 | 2022-11-10 | Nikon Corporation | Curved reticle by mechanical and phase bending along orthogonal axes |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006106757A (ja) | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用マスク及びその製造方法 |
JP2007305987A (ja) | 2006-05-04 | 2007-11-22 | Asml Netherlands Bv | 干渉露光及び他の露光を用いるリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2009527112A (ja) | 2006-02-17 | 2009-07-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明システム |
JP2014500623A (ja) | 2010-11-16 | 2014-01-09 | ユーリタ アクチエンゲゼルシャフト | 高解像度の二次元の周期的なパターンを印刷する方法および装置 |
JP2014514772A (ja) | 2011-05-06 | 2014-06-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
US20170146831A1 (en) | 2015-04-27 | 2017-05-25 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask Device for Optical Alignment and Equipment Thereof |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030138742A1 (en) * | 2000-04-11 | 2003-07-24 | Nikon Corporation | Exposure method and exposure apparatus |
US8841046B2 (en) | 2004-10-22 | 2014-09-23 | Eulitha Ag | System and a method for generating periodic and/or quasi-periodic pattern on a sample |
TWI413868B (zh) * | 2007-06-12 | 2013-11-01 | Ind Tech Res Inst | 製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝置 |
US9036133B2 (en) | 2010-02-16 | 2015-05-19 | Eulitha Ag | Lithographic fabrication of general periodic structures by exposing a photosensitive layer to a range of lateral intensity distributions |
US8368871B2 (en) | 2010-02-16 | 2013-02-05 | Eulitha Ag | Lithographic fabrication of general periodic structures |
US8524443B2 (en) | 2010-07-07 | 2013-09-03 | Eulitha A.G. | Method and apparatus for printing a periodic pattern with a large depth of focus |
US9007566B2 (en) | 2010-07-07 | 2015-04-14 | Eulitha Ag | Apparatus and method for printing a periodic pattern with a large depth of focus |
US8525973B2 (en) | 2010-10-13 | 2013-09-03 | Eulitha A.G. | Method and apparatus for printing periodic patterns |
KR101820558B1 (ko) * | 2010-12-23 | 2018-02-28 | 유리타 아. 게. | 넓은 영역에 나노 구조체를 생산하기 위한 시스템 및 방법 |
US9280056B2 (en) | 2011-01-12 | 2016-03-08 | Eulitha A.G. | Method and system for printing high-resolution periodic patterns |
JP2014515501A (ja) * | 2011-06-01 | 2014-06-30 | ユーリタ アクチエンゲゼルシャフト | 複数のレーザーによる周期パターンの印刷 |
WO2013029985A2 (en) | 2011-09-02 | 2013-03-07 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Method for manufacturing periodic structures on a surface of a substrate |
US9658535B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-05-23 | Eulitha A.G. | Methods and systems for printing periodic patterns |
JP6356510B2 (ja) * | 2014-07-15 | 2018-07-11 | 東芝メモリ株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
US10365566B2 (en) | 2015-12-14 | 2019-07-30 | Eulitha A.G. | Methods and systems for printing arrays of features |
-
2019
- 2019-04-18 CN CN201980026346.XA patent/CN111936935B/zh active Active
- 2019-04-18 US US17/048,382 patent/US11422471B2/en active Active
- 2019-04-18 WO PCT/IB2019/053239 patent/WO2019202551A1/en active Application Filing
- 2019-04-18 EP EP19725868.4A patent/EP3781989B1/en active Active
- 2019-04-18 KR KR1020207029429A patent/KR102467826B1/ko active IP Right Grant
- 2019-04-18 JP JP2020557272A patent/JP7044901B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006106757A (ja) | 2004-10-05 | 2006-04-20 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子製造用マスク及びその製造方法 |
JP2009527112A (ja) | 2006-02-17 | 2009-07-23 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | マイクロリソグラフィ投影露光装置のための照明システム |
JP2007305987A (ja) | 2006-05-04 | 2007-11-22 | Asml Netherlands Bv | 干渉露光及び他の露光を用いるリソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
JP2014500623A (ja) | 2010-11-16 | 2014-01-09 | ユーリタ アクチエンゲゼルシャフト | 高解像度の二次元の周期的なパターンを印刷する方法および装置 |
JP2014514772A (ja) | 2011-05-06 | 2014-06-19 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 |
US20170146831A1 (en) | 2015-04-27 | 2017-05-25 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask Device for Optical Alignment and Equipment Thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210103222A1 (en) | 2021-04-08 |
JP2021518930A (ja) | 2021-08-05 |
EP3781989A1 (en) | 2021-02-24 |
CN111936935B (zh) | 2022-10-14 |
EP3781989B1 (en) | 2023-06-14 |
CN111936935A (zh) | 2020-11-13 |
KR20200131304A (ko) | 2020-11-23 |
US11422471B2 (en) | 2022-08-23 |
KR102467826B1 (ko) | 2022-11-18 |
WO2019202551A1 (en) | 2019-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101778831B1 (ko) | 주기적 패턴을 인쇄하기 위한 방법 및 장치 | |
JP2014515501A (ja) | 複数のレーザーによる周期パターンの印刷 | |
US8004656B2 (en) | Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus | |
KR101709376B1 (ko) | 깊은 초점 심도를 갖는 주기적 패턴을 인쇄하는 방법 및 장치 | |
US9036133B2 (en) | Lithographic fabrication of general periodic structures by exposing a photosensitive layer to a range of lateral intensity distributions | |
KR101820558B1 (ko) | 넓은 영역에 나노 구조체를 생산하기 위한 시스템 및 방법 | |
JP6218918B2 (ja) | 周期的パターンを印刷するための方法およびシステム | |
JP6768067B2 (ja) | 幾何要素のアレイを印刷するための方法およびシステム | |
JP2015519009A5 (ja) | ||
KR102665970B1 (ko) | 가변 듀티 사이클을 갖는 주기적 패턴을 인쇄하기 위한 방법 및 장치 | |
JP7044901B2 (ja) | 露光フィールドのオーバラップにより大きい周期パターンを印刷する方法およびシステム | |
US10288894B2 (en) | Optical component for use in a radiation source module of a projection exposure system | |
JPH0540021A (ja) | マルチスリツト投光器 | |
WO2013029985A2 (en) | Method for manufacturing periodic structures on a surface of a substrate | |
JP3576892B2 (ja) | 光加工機及び光加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211101 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220216 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220317 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7044901 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |