TWI413868B - 製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝置 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種干涉微影之方法與裝置，尤其是指一種利用控制至少兩道特定形狀之同調光束，使其投射至一待曝光基材上以形成特定區域大小之干涉條紋，再藉由複數次步進移動之方式控制待曝光基材或者是該兩道特定形狀之同調光束之位置以於待曝光基材上形成大面積之預定圖案之一種製作週期性圖案的步進排列式干涉微影之方法與裝置。
光學干涉微影(Interference Lithography)原理為利用兩束或多道光束線等不同組合形式，交會在基板，可在基板阻劑層上曝光產生週期性的干涉條紋圖案，如此可製得次微米級之週期性-線、孔、柱或其他結構圖案。此方法不需要光罩、昂貴的光學成像系統，而使用短波長光源和對應適當阻劑，即可得到線寬小、焦深長、特定週期性圖案之作法。光學干涉微影的應用也朝多元性發展，例如：在光電與半導體產業中可應用於布拉格光柵(Bragg Grating)的製作等。而在材料方面則可應用於薄膜上的熱處理使晶粒再成長以及磁性材料上網格點的磁化，以完成DFB與DBR半導體雷射與光子晶體結構的製作等。有著上述如此多方面的應用，雷射光干涉微影技術期望在未來於不同技術領域有更廣泛的應用。
邇來，隨著顯示器面板，軟性電子(Flexible Electronics)以及太陽能電池等產業在大尺寸需求漸增的情況下，各式各樣的光電元件必須涵蓋更大的面積是製程發展必然之趨勢。在這
些元件中，週期性次微米結構佔了不少的比例。例如一維的光柵結構可應用於顯示科技上製作成偏振光元件；而二維的週期性結構，適於抗反射之應用，以提高顯示器背光板的透光效率或太陽能電池的集光效率。故大面積且快速製作大量週期性結構對於現代民生科技的發展扮演非常重要的角色。目前全球學術界、產業界皆致力於大面積的週期性結構製作研究開發。
傳統光學干涉微影製程雖可製得次微米週期性圖案，但受限於光路架構故僅侷限於小面積製作。習知以光學干涉微影方式製作大面積微結構如德國的Fraunhofer Institute研究機構於Andreas Gombert,et al.
,“Large-area origination and replication of microstructures with optical functions,”SPIE Vol.5454,pp.129,2004以及Andreas Gombert,et al.
,“Some application cases and related manufacturing techniques for optically functional microstructures on large areas,”Opt.Eng.43(11)2525-2533,2004，中所揭露之干涉微影技術，如圖一所示，其係以一次曝光的方式來製作週期性圖案。該干涉微影技術係利用雷射光源10產生一光束100，該光束100經過分光鏡11以及複數個反射鏡12分成兩道同調光束101及102。該兩道同調光束在分別經過透鏡單元13以投射至具有光阻之一基材14上，使該基材14上形成一干涉圖案。
然而圖一之方法在製作上須有相當大的空間，才能使經過空間濾波器所形成的點光源球面波傳播至足夠的距離(其論文使用21公尺長的的光路)，擴束成近似平面波。此外，由於距離遠所以單位面積的功率極弱，需要相當長的曝光時間(約
數小時)才能累積足夠的曝光劑量使光阻感光成型。因此在曝光期間整體的環境必須嚴格控制，避免任何擾動，以保持曝光系統的穩定度(諸如所有光學元件溫度梯度、空氣氣流控制、溫溼度、機械振動等)。
另外，如美國專利第U.S.Pat.No.6,882,477號所揭露之掃描式光學干涉方式，係先由小面積的干涉曝光，再利用掃描的方式以類似機械式的畫線機刻畫出大面積週期性結構。由於要將小面積的干涉條紋掃描成大面積週期性結構，此方法需要極高精密度長行程連續的定位控制，加工時間也相當冗長。此外，由於光強度是高斯分佈(Gaussian Beam)，在接合處需要重複疊合對準上次的大部分掃描區域(大約有60%重複)，才能使整體每一條紋的強度近乎相同。
另查美國專利第20070023692號公開案所揭示之光學干涉微影方法，其係在一透明基底(如玻璃Glass、石英Quartz)上利用預曝光方法先行製作出一臨時光阻層對位窗，再由透明基底下之對位機構多次曝光重疊成大面積干涉條紋。此法使用圓形高斯光束，故須多重疊合曝光，因交集區域之面積大小、次數不一，故要完全均勻達到曝光劑量(Dosage)之分佈並不容易且預曝光之光阻材料選擇性少。該方法由於是利用透明基底，相較於半導體產業常使用之矽基底，其應用方面將受侷限。
本發明提供一種製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝置，其係利用控制至少兩道特定形狀之同調光束，使其投射至一待曝光基材以形成特定區域大小之干涉條紋，並
藉由調整同調光束之入射角度來改變干涉條紋之週期大小。
本發明提供一種製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝置，其係藉由步進移動之方式控制待曝光基材或者是同調光束之位置以於待曝光基材上形成大面積之預定圖案，以縮短製程時間以及降低環境，例如：因光學元件溫度梯度、空氣氣流控制、溫溼度、機械振動等曝光不穩定現象，對製程穩定度之影響。
本發明提供一種製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝置，其係結合光束整形器，將高斯光束的強度不均勻性，轉換成空間強度均勻分布的光束，以於基材上形成一小面積干涉圖案，再以一個小面積干涉圖案區域為步進單位，透過複數次的步進移動進行曝光，並且經由準確的移動距離控制，使得小面積之干涉圖案兩兩接合的區域互相銜接以形成大面積之曝光圖案。
本發明提供一種製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法及其裝置，其係可利用至少四道同調光束進行多光束二維週期圖案製作及滾筒元件之週期性圖案曝光製作，以增加製程多樣性。
在一實施例中，本發明提供一種製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其係包括有下列步驟：(a)提供至少兩道特定形狀之同調光束以及一待曝光基材；(b)使該至少兩道特定形狀同調光束，同時照射至該待曝光基材表面，以於該待曝光基材表面形成一特定干涉圖案區塊；(c)以步進方式調整下一次曝光位置；以及(d)重複該步驟(b)至(c)複數次，隨後形成的干涉圖案區塊之一部分與前次之干涉圖案區塊之一部分
相互銜接，以形成大面積及具有週期性之圖案，故使該待曝光基材表面上形成有一預定圖案。
在另一實施例中，本發明提供一種製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，包括：一整形發光單元，其係可產生至少兩道特定形狀之同調光束；一承載單元，其係可提供承載一待曝光基材，以接收該至少兩道特定形狀之同調光束以產生一特定干涉圖案區塊，而隨後形成的干涉圖案區塊之一部分與前次之干涉圖案區塊之一部分相互銜接，以形成大面積及具有週期性之圖案；以及一驅動單元，其係與該承載單元相偶接，該驅動單元可提供一驅動力使該承載單元產生步進移動。
請參閱圖二所示，該圖係為本發明之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法實施例流程示意圖。該干涉微影方法2係包括有下列步驟：首先進行步驟20，提供至少兩道特定形狀之同調光束以及一待曝光基材。請參閱圖三A所示，前述所謂之特定形狀，可為一多邊形，例如：三角形、四邊形或者是六邊形等，但不以此為限。除此之外，如圖三B所示，該特定形狀也可以具有至少一弧形側邊。請參閱圖四A以及圖四B所示，該圖係為本發明之待曝光示意圖。在圖三A中，該待曝光基材80可以為平板基材；在圖三B中，該待曝光基材81為具有弧面之基材，例如圓筒基材。該待曝光基材80及81之材料可選擇為晶圓基材類、玻璃基材類、塑膠類、金屬類、可撓高分子基材類或者是皮帶類等材料。
再回到圖二所示，步驟20之後，繼續進行步驟21，使該
至少兩道特定形狀同調光束，同時照射至該待曝光基材表面，以於該待曝光基材表面形成一特定干涉圖案區塊。接著進行步驟22，以步進方式調整下一次曝光位置。至於步進調整曝光位置的方式可以選擇以步進方式移動該待曝光基材或者是以步進方式移動該至少兩道特定形狀之同調光束。然後再回到步驟21，使該至少兩道特定形狀同調光束，同時照射至該待曝光基材表面，以於該待曝光基材表面形成另一特定干涉圖案區塊與前一個圖案區塊相鄰接。透過步驟21至步驟22之反覆操作，以於該待曝光基材表面上形成大面積具有特定週期之圖案。
接下來說明實施上述方法之裝置。請參閱圖五A所示，該圖係為本發明之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置第一實施例示意圖。該干涉微影裝置3具有一整形發光單元31、一承載單元32以及一驅動單元33。該整形發光單元31，其係可產生至少兩道特定形狀之同調光束。該整形發光單元31具有一光束產生器310、一光束整形器311以及一分光單元312。該光束產生器310，其係可產生一光束90，在本實施例中，該光束產生器310係為一雷射光源產生器。該光束整形器311，具有均勻光強度分佈以及擴大整形光束之功能，其係可以接收該光束90，並將該光束90調制成一整形光束91。由於該光束產生器310所產生之光束係屬於高斯光束，亦即其強度之分佈呈現高斯分佈，所以強度並不均勻，因此可藉由該光束整形器311，先將該光束之強度分佈均勻化，然後再擴大該均勻強度分佈光束以形成一擴大光束，並將該擴大光束調制成該整形光束。該整形光束所形成之形狀如前述圖三A以及圖三B所述，在此不作贅述。該分光單元312，其係可將該整形光束
91分光以形成兩道特定形狀之同調光束92及93。
該承載單元32，其係設置於該整形發光單元31之一側，且可提供承載一待曝光基材80。在本實施例中，該承載單元係為一移動平台；該待曝光基材80具有一基板800，其上係形成有一層待曝光材料層801。該驅動單元33，其係與該承載單元32相偶接，該驅動單元33可提供一驅動力使該承載單元32產生步進移動。在本實施例中，該驅動單元33係為一步進馬達，但不以此為限，其係可以驅動該承載單元32進行三個維度之位移運動。該分光單元312與該待曝光基材80之間更設置有複數枚之反射鏡34，其係分別設置於可調整旋轉角度及位置之調整裝置35上。藉由該調整裝置35，使得該兩道特定形狀之同調光束92及93投射至該待曝光基材80之角度可以接收控制而改變，進而改變干涉條紋之週期大小。
該整形發光單元31、承載單元32、驅動單元33以及該調整裝置35係分別與一控制單元30相偶接，以接收該控制單元30所產生之訊號產生對應之動作。接下來說明該干涉微影裝置3之動作，該控制單元30藉由訊號控制該整形發光單元31產生兩道特定形狀之同調光束92及93，並且發出訊號使該驅動單元33調整該承載單元32之位置以及控制該調整裝置35調整反射鏡之位置。然後，使該兩道特定形狀同調光束92及93，同時照射至該待曝光基材80表面上之待曝光材料層801，以於該待曝光材料層801表面形成一特定干涉圖案區塊。
然後，該控制單元30再控制該驅動單元33以步進方式調整該承載單元32至下一個曝光位置。當承載單元32移動至下一個曝光位置時，該兩道特定形狀之同調光束92及93會對該
待曝光基材80進行曝光，以形成圖五B之狀態。其中，干涉圖案區塊950係為第一次曝光時之圖案，干涉圖案區塊951為第二次曝光時之圖案，標號96代表步進移動之路線。為了控制干涉圖案之精準度。透過步進式移動控制待曝光基材之位置，使得隨後形成的干涉圖案區域之一部分與前一次之干涉圖案之一部分相互銜接，以形成大面積及具有週期性之圖案。
請參閱圖五C所示，該圖係為本發明曝光區域另一實施例示意圖。在本實施例中相鄰之干涉圖案區塊間具有間隔區域。以圖五C中之實施例而言，基板800上所形成之干涉圖案區塊952及953間具有間隔區域970；干涉圖案區塊952及953與干涉圖案區塊954之間具有間隔區域971。在本實施例中，該干涉圖案區塊係為二維週期性結構。這種具有間隔區域之大面積具有特定週期之圖案可以應用於各種不同製程或產品應用所需。舉例而言，例如：光子晶體波導(Photonic crystal waveguide)、導線通路、生物微/奈米流道等。以光子晶體波導而言，該間隔區域970及971可為波導區域，該干涉圖案區塊952、953及954則為光子晶體區域。
如圖六A至六D所示，該圖係為本發明之曝光圖案示意圖。藉由不同形狀之同調光束以形成之特定干涉圖案區塊，再透過複數次步進式調整曝光位置將干涉圖案區塊相互拼接以製作形成之大面積預定圖案40、41、42以及43。由於形成的圖案面積大小是由重疊的光束區域，亦即圖五A中之同調光束92及93之大小來決定，因此可以一次完成數釐米平方或更大面積的次微米規則圖案。再以此特定形狀干涉區域為步進單位，進行步進移動曝光接合。經由一次次的曝光，並且經由平
台移動距離控制，最後可編織成大面積特定的週期性圖案。
請參閱圖七A所示，該圖係為本發明之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置第二實施例示意圖。在本實施例中基本上之元件係與圖五A相同，所不同的是該承載單元36所承載之待曝光基材81係為一圓筒基材，其係具有一圓筒形基板810其上形成有一待曝光材料層811。此外，該驅動單元37係為一步進馬達，但不以此為限，其係可以驅動該待曝光基材81進行轉動以及驅動該承載單元36進行三個維度的位移運動。透過步進移動控制曝光之位置，使得該待曝光材料81上形成大面積之干涉圖案，如圖七B所示。
請參閱圖八所示，該圖係為利用複數組之特定形狀之同調光束於待曝光基材上形成大面積週期性圖案示意圖。在本實施例中之裝置係可利用圖五A或圖七A之裝置來實施，所不同的是，圖五A或圖七A之干涉微影裝置具有複數組之整形發光單元，以產生四道以上之特定形狀之同調光源92、93、92a及93a進行干涉微影曝光，以在大面積範圍內產生精細的二維週期性圖案7a及7b(如圖九A與圖九B所示)。舉例而言，可產生該二維週期性圖案可為週期性之線、孔、柱或其他種類結構圖案。此外，該同調光源92及93間之夾角θ1
以及同調光源92a及93a間之夾角θ2
可以藉由圖五A或圖七A之調整裝置35調整為相同之夾角或者是不同之夾角。
除了圖八利用四道以上的同調光原來形成二維週期性圖案的方式外，也可以利用圖五A或圖七A之裝置，在配合可進行轉動運動之承載單元32或36，來產生二維週期性圖案。請參閱圖十所示，該圖係為本發明之製作週期性圖案的步進排列
式干涉微影方法另一實施例流程示意圖。以圖五A之干涉微影裝置做說明，該方法6係包括有下列步驟：首先進行步驟60，提供至少兩道特定形狀之同調光束以及一待曝光基材。該特定形狀以及待曝光基材之特徵如前所述在此不作贅述。
步驟60之後，繼續進行步驟61，使該至少兩道特定形狀同調光束，同時照射至該待曝光基材表面。然後進行步驟62，使該承載單元32進行旋轉運動以帶動該待曝光基材80旋轉一角度，在本實施例中該角度係為90度，但不以此為限。接下來，進行步驟63使該至少兩道特定形狀同調光束，同時照射至該待曝光基材表面，以於該待曝光基材表面形成該特定干涉圖案區塊，其中該特定干涉圖案區塊係為一二維干涉圖案區塊。最後進行步驟64，控制該承載單元進行步進運動，將該待曝光基材調整至下一個待曝光之位置。如此反覆進行步驟61至步驟64，可以於該待曝光基材上形成具有二維特徵之大面積週期性干涉圖案。
唯以上所述者，僅為本發明之較佳實施例，當不能以之限制本發明範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化及修飾，仍將不失本發明之要義所在，亦不脫離本發明之精神和範圍，故都應視為本發明的進一步實施狀況。綜合上述，本發明提供之干涉微影方法及其裝置，可以快速且大面積形成週期性圖案。因此可以滿足業界之需求，進而提高該產業之競爭力。本發明之特徵及其優點摘要如下：
1.根據本發明之干涉微影方法及其裝置，相較於其他技術(如：電子束微影直寫或鑽石刀刻劃)都是一道道的條紋逐一刻畫，本法所提方式在干涉區域面積內可同
時產生數百甚至或數千條的條紋，等同於一次的刻畫就有數千道條紋產生，將會是一個特殊且有效率的技術。
2.根據本發明之干涉微影方法及其裝置，係屬於瞬間短暫曝光系統。可改善長光路一次曝光或掃描式干涉曝光法之長時間連續式曝光之缺點，免除因光學元件溫度梯度、空氣氣流控制、溫溼度、機械振動等曝光不穩定現象。
3.根據本發明之干涉微影方法及其裝置，可結合光束整形器，可運用在無縫接合上。將高斯光束的強度不均勻性，轉換成空間強度均勻分布的光束，並使用其在小面積局部無縫接合的動作，是為其獨特性。
4.根據本發明之干涉微影方法及其裝置，利用移動平台以一個小面積干涉區域為步進單位，一次次的曝光，並且經由準確的移動距離控制，使得兩兩接合的區域界面銜接，可製得大面積均勻的週期性次微米結構。
5.根據本發明之干涉微影方法及其裝置，亦可進行多光束二維週期圖案製作及滾筒元件等之週期性圖案曝光製作，製程彈性高。
10‧‧‧雷射光源
100‧‧‧光束
101、102‧‧‧同調光束
11‧‧‧分光鏡
12‧‧‧反射鏡
13‧‧‧透鏡單元
14‧‧‧基材
2‧‧‧干涉微影方法
20~22‧‧‧步驟
3‧‧‧干涉微影裝置
30‧‧‧控制單元
31‧‧‧整形發光單元
310‧‧‧光束產生器
311‧‧‧光束整形器
312‧‧‧分光單元
32、36‧‧‧承載單元
33、37‧‧‧驅動單元
34‧‧‧反射鏡
35‧‧‧調整裝置
40、41、42、43‧‧‧大面積預定圖案
6‧‧‧干涉微影方法
60~64‧‧‧步驟
7a、7b‧‧‧二维週期性圖形
80‧‧‧待曝光基材
800‧‧‧基板
801‧‧‧待曝光材料層
81‧‧‧待曝光基材
810‧‧‧圓筒形基板
811‧‧‧待曝光材料層
90‧‧‧光束
91‧‧‧整形光束
92、92a、93、93a‧‧‧同調光束
950、951、952、953、954‧‧‧干涉圖案區塊
96‧‧‧步進路徑
970、971‧‧‧間隔區域
圖一係為習用技術之干涉微影裝置示意圖。
圖二係為本發明之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法實施例流程示意圖。
圖三A以及圖三B係為本發明之特定形狀實施例示意圖。
圖四A以及圖四B係為本發明之待曝光基材示意圖。
圖五A係為本發明之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置第一實施例示意圖。
圖五B係為經過複數次步進式曝光後之待曝光基材示意圖。
圖五C係為本發明曝光區域另一實施例示意圖。
圖六A至圖六D係為本發明之曝光圖案示意圖。
圖七A係為本發明之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置第二實施例示意圖。
圖七B為經過複數次步進式曝光後之圓筒形待曝光基材示意圖。
圖八係為利用四道以上之特定形狀之同調光束於待曝光基材上形成大面積週期性圖案示意圖。
圖九A與圖九B係為利用四道以上所產生之大面積週期性二維圖案示意圖。
圖十係為本發明之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法另一實施例流程示意圖。
2‧‧‧干涉微影方法
20~22‧‧‧步驟
Claims (25)
- 一種製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其係包括有下列步驟：(a)提供至少兩道特定形狀之同調光束以及一待曝光基材；(b)使該至少兩道特定形狀之同調光束，同時照射至該待曝光基材表面，以於該待曝光基材表面形成一特定干涉圖案區塊；(c)以步進方式調整下一次曝光位置；以及(d)重複該步驟(b)至(c)複數次，隨後形成的干涉圖案區塊之一部分與前次之干涉圖案區塊之一部分相互銜接，以形成大面積及具有週期性之圖案，故使該待曝光基材表面上形成有一預定圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該特定形狀係為一多邊形。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該特定形狀係具有至少一弧形側邊。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該待曝光基材係為一平板基材。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該待曝光基材係為一具有弧面之基材。
- 如申請專利範圍第5項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該具有弧面之基材係為一圓筒基材。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式 干涉微影方法，其係更可以調整該至少兩道特定形狀之同調光束照射至該待曝光基材之入射角度。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該步驟(c)係為以步進方式調整該待曝光基材之位置。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該步驟(c)係為以步進方式調整該至少兩道特定形狀之同調光束之照射位置。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該步驟(b)更包括有下列步驟：(b1)使該至少兩道特定形狀之同調光束，同時照射至該待曝光基材表面；(b2)旋轉及移動該待曝光基材至一定位；以及(b3)使該至少兩道特定形狀之同調光束，同時照射至該待曝光基材表面，以於該待曝光基材表面形成該特定干涉圖案區塊，其中該特定干涉圖案區塊係為一二維干涉圖案區塊。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該特定形狀之同調光束係為具有均勻強度之同調光束。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影方法，其中該待曝光基材之材料可選擇為晶圓基材類、玻璃基材類、塑膠類、金屬類、可撓高分子基材類以及皮帶類等材料其中之一者。
- 如申請專利範圍第1項所述之製作週期性圖案的步進排列 式干涉微影方法，其中相鄰之特定干涉圖案區塊間具有一間格區域。
- 一種製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，包括：一整形發光單元，其係可產生至少兩道特定形狀之同調光束；一承載單元，其係可提供承載一待曝光基材，以接收該至少兩道特定形狀之同調光束以產生一特定干涉圖案區塊，而隨後形成的干涉圖案區塊之一部分與前次之干涉圖案區塊之一部分相互銜接，以形成大面積及具有週期性之圖案；以及一驅動單元，其係與該承載單元相偶接，該驅動單元可提供一驅動力使該承載單元產生步進移動。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該整形發光單元係具有：一光束產生器，其係可產生一光束；一光束整形器，其係可以接收該光束，並將該光束調制成一整形光束；以及一分光單元，其係可將該整形光束分光以形成該至少兩道特定形狀之同調光束。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該特定形狀係為一多邊形。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該特定形狀係具有至少一弧形側邊。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該待曝光基材係為一平板基材。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該待曝光基材係為一具有弧面之基材。
- 如申請專利範圍第19項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該具有弧面之基材係為一圓筒基材。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該整形發光單元更具有一調整裝置以調整該特定形狀之同調光束照射至該待曝光基材之入射角度。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該承載單元係可進行一轉動運動。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該特定形狀之同調光束係為具有均勻強度之同調光束。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中該待曝光基材之材料可選擇為晶圓基材類、玻璃基材類、塑膠類、金屬類、可撓高分子基材類以及皮帶類等材料其中之一者。
- 如申請專利範圍第14項所述之製作週期性圖案的步進排列式干涉微影裝置，其中相鄰之特定干涉圖案區塊間具有一間格區域。
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